WO2024075517A1 - フィルタ装置 - Google Patents

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WO2024075517A1
WO2024075517A1 PCT/JP2023/033945 JP2023033945W WO2024075517A1 WO 2024075517 A1 WO2024075517 A1 WO 2024075517A1 JP 2023033945 W JP2023033945 W JP 2023033945W WO 2024075517 A1 WO2024075517 A1 WO 2024075517A1
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WO
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piezoelectric substrate
acoustic wave
resonator
filter
resonators
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PCT/JP2023/033945
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Inventor
直 山崎
康宏 清水
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a filter device having an elastic wave resonator.
  • Patent Document 1 discloses examples of filter devices such as thin-film piezoelectric filters and surface acoustic wave filters.
  • a pair of substrates are joined by a frame-shaped adhesive pattern.
  • a vibration space is formed between the pair of piezoelectric substrates.
  • a piezoelectric resonator is provided on each substrate so as to be located within the vibration space.
  • One of the substrates has a through-hole that penetrates the substrate. The piezoelectric resonator is electrically connected to the outside via the through-hole.
  • Patent Document 1 describes that the frequency-temperature characteristic can be improved by using a material having a negative temperature coefficient, such as SiO2 .
  • the object of the present invention is to provide a filter device that can prevent insertion loss from increasing.
  • a first piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface opposed to each other, at least one first acoustic wave resonator which is a series arm resonator or a parallel arm resonator and which includes a functional electrode provided on the first main surface of the first piezoelectric substrate, a support provided on the first main surface of the first piezoelectric substrate so as to surround the first acoustic wave resonator, a second piezoelectric substrate provided on the support and having a third main surface located on the first piezoelectric substrate side and a fourth main surface facing the third main surface, and
  • the piezoelectric element includes at least one second elastic wave resonator, at least one of which is a parallel arm resonator, and an external connection terminal provided on the second piezoelectric substrate, a space surrounded by the first piezoelectric substrate, the second piezoelectric substrate, and the support body is formed, the first elastic wave
  • a first piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface opposed to each other, at least one first acoustic wave resonator which is a series arm resonator or a parallel arm resonator and which includes a functional electrode provided on the first main surface of the first piezoelectric substrate, a support provided on the first main surface of the first piezoelectric substrate so as to surround the first acoustic wave resonator, a second piezoelectric substrate provided on the support and having a third main surface located on the first piezoelectric substrate side and a fourth main surface facing the third main surface, and
  • the piezoelectric element includes at least one second elastic wave resonator, at least one of which is a series arm resonator, and an external connection terminal provided on the second piezoelectric substrate, a space surrounded by the first piezoelectric substrate, the second piezoelectric substrate, and the support body is formed, the first elastic wave
  • the filter device according to the present invention can prevent the insertion loss from increasing.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode configuration on a first piezoelectric substrate in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic perspective plan view showing an electrode configuration on a second piezoelectric substrate in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a portion along line II-II in FIG.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode configuration on a first piezoelectric substrate in the first
  • FIG. 7 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of the first filter in the first embodiment of the present invention and the first comparative example.
  • Fig. 8(a) is a diagram showing the temperature distribution of a laminate of a first piezoelectric substrate, a support, and a second piezoelectric substrate in a reference example
  • Fig. 8(b) is a diagram showing the temperature distribution of the first piezoelectric substrate in the reference example
  • Fig. 8(c) is a diagram showing the temperature distribution of the second piezoelectric substrate in the reference example.
  • FIG. 9 is a schematic plan view illustrating an electrode configuration of a first acoustic wave resonator according to a first preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic plan view illustrating an electrode configuration of a first acoustic wave resonator according to a first preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a portion of a filter device according to a modified example of the first embodiment of the present invention, which corresponds to the cross-section shown in FIG.
  • FIG. 11 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of the first filter in the second embodiment of the present invention and the second comparative example.
  • FIG. 12 is a schematic front cross-sectional view of a filter device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic front cross-sectional view of a filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • the filter device 10 of this embodiment is a duplexer. Specifically, the filter device 10 has a first filter 1A and a second filter 1B.
  • the first filter 1A is a transmit filter.
  • the second filter 1B is a receive filter. Note that the filter device 10 is not limited to a duplexer.
  • the first filter 1A and the second filter 1B may each be a transmit filter or a receive filter.
  • the filter device according to the present invention may be a multiplexer having three or more filters, or may be only one filter.
  • the first filter 1A and the second filter 1B are each a ladder type filter. Therefore, the first filter 1A and the second filter 1B each have at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator. In this embodiment, the series arm resonators and parallel arm resonators of the first filter 1A and the second filter 1B are both surface acoustic wave resonators.
  • the specific configuration of the filter device 10 will be described below.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional front view of a filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • each resonator is shown as a simplified diagram of a rectangle with two diagonal lines added. The same is true for other schematic cross-sectional views and schematic plan views.
  • the filter device 10 has a first piezoelectric substrate 2A, a second piezoelectric substrate 2B, and a support 8A.
  • the support 8A is provided between the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B.
  • the support 8A has a frame-like shape.
  • a space is defined by the first piezoelectric substrate 2A, the second piezoelectric substrate 2B, and the support 8A.
  • the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B face each other across the space and the support 8A.
  • the piezoelectric substrate is a substrate having piezoelectricity.
  • the first piezoelectric substrate 2A is a laminate substrate including a first piezoelectric layer 5A.
  • the first piezoelectric substrate 2A has a first main surface 2a and a second main surface 2b.
  • the first main surface 2a and the second main surface 2b face each other.
  • the main surface of the first piezoelectric layer 5A is the first main surface 2a.
  • the second piezoelectric substrate 2B is a laminate substrate including a second piezoelectric layer 5B.
  • the second piezoelectric substrate 2B has a third main surface 2c and a fourth main surface 2d.
  • the third main surface 2c and the fourth main surface 2d face each other.
  • the main surface of the second piezoelectric layer 5B is the third main surface 2c.
  • the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B may be substrates made of only piezoelectric materials.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the electrode configuration on the first piezoelectric substrate in the first embodiment. Note that FIG. 2 above is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG. 3.
  • a plurality of first acoustic wave resonators 13A are configured on the first main surface 2a of the first piezoelectric substrate 2A. Specifically, a plurality of IDT electrodes 15 are provided as a plurality of functional electrodes on the first main surface 2a of the first piezoelectric substrate 2A. Each of the first acoustic wave resonators 13A includes an IDT electrode 15. A plurality of wirings and the support 8A are provided on the first main surface 2a. The first acoustic wave resonators 13A are electrically connected to each other through the wirings. The support 8A is provided so as to surround the plurality of first acoustic wave resonators 13A.
  • the support 8A surrounds the plurality of IDT electrodes 15 provided on the first main surface 2a.
  • the support 8A has a frame-like shape.
  • a plurality of columnar supports may be provided on the first main surface 2a so as to surround the plurality of first acoustic wave resonators 13A.
  • the second piezoelectric substrate 2B is provided on the support 8A.
  • FIG. 4 is a schematic perspective plan view showing the electrode configuration on the second piezoelectric substrate in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a portion along line II-II in FIG. 3.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the filter device according to the first embodiment.
  • a plurality of second elastic wave resonators 13B are configured on the second piezoelectric substrate 2B.
  • a plurality of IDT electrodes are provided on the third main surface 2c of the second piezoelectric substrate 2B as a plurality of functional electrodes.
  • Each of the second elastic wave resonators 13B includes an IDT electrode.
  • a plurality of wirings are provided on the third main surface 2c. The second elastic wave resonators 13B are electrically connected to each other by the wirings.
  • a plurality of first elastic wave resonators 13A and a plurality of second elastic wave resonators 13B are positioned in a space surrounded by a first piezoelectric substrate 2A, a second piezoelectric substrate 2B, and a support 8A.
  • the plurality of first elastic wave resonators 13A and the plurality of second elastic wave resonators 13B are each a series arm resonator or a parallel arm resonator.
  • the plurality of second elastic wave resonators 13B includes at least one parallel arm resonator.
  • the filter device 10 has at least one pillar member 8B.
  • the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B are supported by the support 8A as well as the pillar member 8B.
  • the support 8A and the pillar member 8B are a laminate of multiple metal layers.
  • the support 8A and the pillar member 8B are electrically connected to the first elastic wave resonator 13A or the second elastic wave resonator 13B via the respective wiring.
  • the first filter 1A and the second filter 1B each have a plurality of first elastic wave resonators 13A and a plurality of second elastic wave resonators 13B.
  • the first elastic wave resonators 13A and the second elastic wave resonators 13B in the first filter 1A are electrically connected by a portion of the plurality of pillar members 8B out of all the pillar members 8B. The same is true for the second filter 1B.
  • the second piezoelectric substrate 2B is provided with a plurality of external connection terminals 11.
  • the plurality of external connection terminals 11 electrically connect the first filter 1A and the second filter 1B to the outside.
  • the plurality of external connection terminals 11 include an external connection terminal 11 connected to a signal potential and an external connection terminal 11 connected to a ground potential.
  • Each external connection terminal 11 has at least one through electrode 7 and an electrode pad 6. More specifically, in this embodiment, a plurality of through electrodes 7 are provided so as to penetrate the second piezoelectric substrate 2B. A plurality of electrode pads 6 are provided on the fourth main surface 2d of the second piezoelectric substrate 2B. One end of the through electrode 7 is connected to the electrode pad 6. The other end of the through electrode 7 is connected to the support 8A or the pillar member 8B.
  • the external connection terminal 11 is electrically connected to an elastic wave resonator in the filter device 10 via the support 8A or the pillar member 8B.
  • Bumps 9 are bonded to each electrode pad 6 as conductive bonding material.
  • a conductive adhesive may be used as the conductive bonding material.
  • the filter device 10 is bonded to a mounting board or the like by the conductive bonding material.
  • the present embodiment is characterized by the following configuration: 1) An external connection terminal 11 is provided on the second piezoelectric substrate 2B. 2)
  • the multiple second acoustic wave resonators 13B configured on the second piezoelectric substrate 2B include a parallel arm resonator having the highest resonance frequency among all the parallel arm resonators configured on the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B.
  • the parallel arm resonator is the parallel arm resonator of the first filter 1A.
  • the filter device 10 having the above configuration can prevent the insertion loss of the first filter 1A from becoming large. Details of this will be shown below by comparing this embodiment with the first comparative example.
  • the first comparative example differs from the first embodiment in that, of all the parallel arm resonators configured on the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate, the parallel arm resonator with the highest resonant frequency is the first acoustic wave resonator configured on the first piezoelectric substrate. Note that, in the first comparative example, as in the first embodiment, the parallel arm resonator with the highest resonant frequency is included in the first filter. The attenuation-frequency characteristics of the first filter in the first embodiment and the first comparative example were compared.
  • FIG. 7 shows the attenuation frequency characteristics of the first filter in the first embodiment and the first comparative example.
  • the first embodiment has a smaller insertion loss than the first comparative example. This is because the frequency fluctuation due to temperature change is small in the parallel arm resonator with the highest resonant frequency.
  • the anti-resonance frequencies of the parallel arm resonators that form the pass band are located within the pass band.
  • the resonant frequencies of the parallel arm resonators are located on the lower side of the pass band.
  • the parallel arm resonator with the highest resonant frequency among all the parallel arm resonators of the first filter 1A and the second filter 1B is the second acoustic wave resonator 13B configured in the second piezoelectric substrate 2B. Since the second piezoelectric substrate 2B is provided with the external connection terminal 11, the heat dissipation of the second piezoelectric substrate 2B is high. This makes it possible to reduce the temperature change of the parallel arm resonator. Therefore, it is possible to reduce the frequency fluctuation of the parallel arm resonator.
  • the parallel arm resonator is included in the first filter 1A. Therefore, it is possible to prevent the insertion loss of the first filter 1A in the filter device 10 from increasing.
  • the parallel arm resonator may be included in the second filter 1B.
  • the temperature distribution in the filter device of the reference example was derived by simulation.
  • the filter device of the reference example has a first piezoelectric substrate 102A, a second piezoelectric substrate 102B, and a support 8A, as in the first embodiment, and has a plurality of first acoustic wave resonators and a plurality of second acoustic wave resonators.
  • the filter device of the reference example differs from the first embodiment in the arrangement of the external connection terminals 11.
  • power was applied to all acoustic wave resonators.
  • the temperature distribution was derived assuming that the total heat generation of all acoustic wave resonators was 1 W.
  • Figure 8(a) is a diagram showing the temperature distribution of a laminate of a first piezoelectric substrate, a support, and a second piezoelectric substrate in a reference example.
  • Figure 8(b) is a diagram showing the temperature distribution of the first piezoelectric substrate in a reference example.
  • Figure 8(c) is a diagram showing the temperature distribution of the second piezoelectric substrate in a reference example.
  • the temperature of the second piezoelectric substrate 102B is generally lower than the temperature of the first piezoelectric substrate 102A.
  • the maximum temperature of the first piezoelectric substrate 102A is 245.8°C, and the average temperature is 239.4°C.
  • the maximum temperature of the second piezoelectric substrate 102B is 242°C, and the average temperature is 236.1°C.
  • the second piezoelectric substrate 102B is provided with an external connection terminal 11. In the second piezoelectric substrate 102B, heat is directly released to the outside from the external connection terminal 11. In other words, the second piezoelectric substrate 102B has high heat dissipation properties. As a result, even when power is applied to the elastic wave resonator in the filter device, the temperature of the second piezoelectric substrate 102B is less likely to rise than the temperature of the first piezoelectric substrate 102A.
  • the filter device 10 has a common connection terminal 12A, a first signal terminal 12B, and a second signal terminal 12C.
  • a first filter 1A and a second filter 1B are commonly connected to the common connection terminal 12A.
  • the first signal terminal 12B corresponds to the input end
  • the common connection terminal 12A corresponds to the output end.
  • the common connection terminal 12A corresponds to the input end
  • the second signal terminal 12C corresponds to the output end.
  • the multiple series arm resonators of the first filter 1A are specifically series arm resonator S1, series arm resonator S2, series arm resonator S3a, series arm resonator S3b, series arm resonator S4, series arm resonator S5, and series arm resonator S6.
  • the series arm resonator S1, series arm resonator S2, series arm resonator S3a, series arm resonator S4, series arm resonator S5, and series arm resonator S6 are connected in series with each other in this order.
  • the series arm resonator S3b is connected in parallel to the series arm resonator S3a.
  • the multiple parallel arm resonators of the first filter 1A are specifically parallel arm resonators P1, P2, P3, and P4.
  • the parallel arm resonator P1 is connected between the connection point between the series arm resonators S1 and S2 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonators S2 and S3a and S3b and ground potential.
  • the parallel arm resonator P3 is connected between the connection point between the series arm resonators S4 and S5 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P4 is connected between the connection point between the series arm resonators S5 and S6 and ground potential.
  • the series arm resonator S3a, the series arm resonator S3b, the series arm resonator S4, the parallel arm resonator P1, the parallel arm resonator P3, and the parallel arm resonator P4 are the first elastic wave resonator 13A shown in FIG. 3.
  • the series arm resonator S1, the series arm resonator S2, the series arm resonator S5, the series arm resonator S6, and the parallel arm resonator P2 are the second elastic wave resonator 13B shown in FIG. 4.
  • the multiple series arm resonators of the second filter 1B are specifically series arm resonators S11, S12, S13, and S14. Between the common connection terminal 12A and the second signal terminal 12C, the series arm resonators S11, S12, S13, and S14 are connected in series with each other in this order.
  • the multiple parallel arm resonators of the second filter 1B are specifically parallel arm resonators P11, P12, P13, and P14.
  • the parallel arm resonator P11 is connected between the connection point between the series arm resonators S11 and S12 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P12 is connected between the connection point between the series arm resonators S12 and S13 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P13 is connected between the connection point between the series arm resonators S13 and S14 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P14 is connected between the second signal terminal 12C and ground potential.
  • All of the series arm resonators of the second filter 1B are the first elastic wave resonators 13A shown in FIG. 3.
  • all of the parallel arm resonators of the second filter 1B are the second elastic wave resonators 13B shown in FIG. 4.
  • the parallel arm resonator having the highest resonance frequency is the parallel arm resonator P2 of the first filter 1A. This parallel arm resonator P2 is included in the multiple second elastic wave resonators 13B.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing the electrode configuration of a first elastic wave resonator in the first embodiment. Note that wiring and the like connected to the first elastic wave resonator are omitted in FIG. 9.
  • the first acoustic wave resonator 13A has an IDT electrode 15 and a pair of reflectors 14A and 14B.
  • the IDT electrode 15 and the reflectors 14A and 14B are provided on the first main surface 2a of the first piezoelectric substrate 2A.
  • the IDT electrode 15 has a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers.
  • the pair of bus bars is specifically a first bus bar 16 and a second bus bar 17.
  • the first bus bar 16 and the second bus bar 17 face each other.
  • the plurality of electrode fingers is specifically a plurality of first electrode fingers 18 and a plurality of second electrode fingers 19.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 18 is connected to the first bus bar 16.
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 19 is connected to the second bus bar 17.
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 are interdigitated with each other.
  • the first electrode fingers 18 and the second electrode fingers 19 are connected to different potentials.
  • the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19 may be simply referred to as electrode fingers.
  • the direction in which the multiple electrode fingers of the IDT electrode 15 extend is the electrode finger extension direction.
  • the reflectors 14A and 14B face each other across the IDT electrode 15 in a direction perpendicular to the electrode finger extension direction. An acoustic wave is excited by applying an AC voltage to the IDT electrode 15.
  • each of the other first acoustic wave resonators 13A and each of the second acoustic wave resonators 13B shown in FIG. 2 and the like also have an IDT electrode and a pair of reflectors.
  • each of the first acoustic wave resonators and each of the second acoustic wave resonators are surface acoustic wave resonators.
  • the multiple external connection terminals 11 shown in FIG. 5 are connected to a ground potential or a signal potential.
  • the support 8A is connected to one end of the through electrode 7 of the external connection terminal 11 that is connected to the ground potential.
  • the parallel arm resonators of the multiple first elastic wave resonators 13A and the multiple second elastic wave resonators 13B are each electrically connected to the support 8A via wiring.
  • each parallel arm resonator is connected to the ground potential via the wiring, the support 8A, and the external connection terminal 11.
  • a pillar member 8B is connected to one end of the through electrode 7 of the external connection terminal 11, which is connected to the signal potential.
  • the elastic wave resonators closest to the input end and output end in the first filter 1A are the first elastic wave resonators 13A, respectively.
  • These first elastic wave resonators 13A are connected to the signal potential via wiring, the pillar member 8B, and the external connection terminal 11.
  • the elastic wave resonator closest to the input end or output end may be the second elastic wave resonator 13B.
  • one end of the through electrode 7 may be connected to the wiring connected to the second elastic wave resonator 13B.
  • the support 8A may be connected to a signal potential or to a ground potential.
  • the pillar member 8B may be connected to a signal potential or to a ground potential.
  • the multiple pillar members 8B may include a pillar member 8B that is not electrically connected to an elastic wave resonator.
  • One of the multiple metal layers of the support 8A is provided integrally with the wiring provided on the first piezoelectric substrate 2A.
  • the other metal layer of the support 8A is provided integrally with the wiring provided on the second piezoelectric substrate 2B.
  • the same is true for the pillar member 8B.
  • the metal layers of the support 8A and the pillar member 8B may be provided separately from the wiring and connected to the wiring.
  • one external connection terminal 11 has multiple through electrodes 7. This allows heat to be efficiently transferred from the second piezoelectric substrate 2B side to the outside. This effectively reduces the temperature change of each second acoustic wave resonator 13B. Therefore, it is possible to effectively prevent the insertion loss of the first filter 1A from increasing.
  • the external connection terminal 11 does not necessarily have to have multiple through electrodes 7.
  • a dielectric film 28 is provided on the fourth main surface 2d of the second piezoelectric substrate 2B.
  • the dielectric film 28 covers a part of each electrode pad 6.
  • the bump 9 is bonded to the part of each electrode pad 6 that is not covered by the dielectric film 28.
  • the provision of the dielectric film 28 makes the second piezoelectric substrate 2B less likely to be damaged.
  • the dielectric film 28 is not provided on the second main surface 2b of the first piezoelectric substrate 2A.
  • the dielectric film 28 may also be provided on the second main surface 2b of the first piezoelectric substrate 2A.
  • the dielectric film 28 is a silicon oxide film. Note that the material of the dielectric film 28 is not limited to the above. The dielectric film 28 does not necessarily have to be provided.
  • the first piezoelectric substrate 2A is a laminated substrate. Specifically, the first piezoelectric substrate 2A has a first support substrate 3A, a first intermediate layer 4A, and a first piezoelectric layer 5A. The first intermediate layer 4A is provided on the first support substrate 3A. The first piezoelectric layer 5A is provided on the first intermediate layer 4A.
  • the first principal surface 2a of the first piezoelectric substrate 2A is the principal surface of the first piezoelectric substrate 2A that is located closest to the second piezoelectric substrate 2B.
  • the principal surface of the first piezoelectric layer 5A is the first principal surface 2a.
  • the first principal surface 2a may include at least the principal surface of the first piezoelectric layer 5A.
  • the first principal surface 2a may include the principal surface of the first piezoelectric layer 5A, as well as the principal surface of the first intermediate layer 4A or the principal surface of the first support substrate 3A.
  • the second principal surface 2b of the first piezoelectric substrate 2A faces the first principal surface 2a and is the principal surface located on the outermost side of the first piezoelectric substrate 2A. Therefore, in the first embodiment, the second principal surface 2b is the principal surface of the first support substrate 3A that is located on the outermost side of the first piezoelectric substrate 2A.
  • the second piezoelectric substrate 2B is a laminate substrate of a second support substrate 3B, a second intermediate layer 4B, and a second piezoelectric layer 5B.
  • the third main surface 2c of the second piezoelectric substrate 2B is the main surface of the second piezoelectric substrate 2B that is located closest to the first piezoelectric substrate 2A.
  • the main surface of the second piezoelectric layer 5B is the third main surface 2c. It is sufficient that the third main surface 2c includes at least the main surface of the second piezoelectric layer 5B.
  • the third main surface 2c may include the main surface of the second piezoelectric layer 5B, as well as the main surface of the second intermediate layer 4B or the main surface of the second support substrate 3B.
  • the fourth principal surface 2d of the second piezoelectric substrate 2B faces the third principal surface 2c and is the outermost principal surface of the second piezoelectric substrate 2B. Therefore, in the first embodiment, the fourth principal surface 2d is the outermost principal surface of the second piezoelectric substrate 2B of the second support substrate 3B.
  • the first piezoelectric layer 5A and the second piezoelectric layer 5B may be made of materials such as lithium niobate, lithium tantalate, zinc oxide, aluminum nitride, quartz, or PZT (lead zirconate titanate).
  • the first intermediate layer 4A and the second intermediate layer 4B are low acoustic speed films.
  • a low acoustic speed film is a film with a relatively low acoustic speed. More specifically, the acoustic speed of the bulk wave propagating through the low acoustic speed film is lower than the acoustic speed of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer. That is, the acoustic speed of the bulk wave propagating through the first intermediate layer 4A is lower than the acoustic speed of the bulk wave propagating through the first piezoelectric layer 5A. The acoustic speed of the bulk wave propagating through the second intermediate layer 4B is lower than the acoustic speed of the bulk wave propagating through the second piezoelectric layer 5B.
  • the first intermediate layer 4A and the second intermediate layer 4B are made of silicon oxide.
  • the material of the first intermediate layer 4A and the second intermediate layer 4B as the low acoustic velocity film is not limited to the above, and for example, dielectrics such as glass, silicon oxide, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum oxide, or compounds of silicon oxide with fluorine, carbon, or boron added, or materials containing the above materials as the main components can be used.
  • the main component refers to a component that accounts for more than 50 wt%.
  • the above main component material may be in any of the following states: single crystal, polycrystalline, or amorphous, or a mixture of these.
  • the first support substrate 3A and the second support substrate 3B are high acoustic velocity material layers.
  • the high acoustic velocity material layer is a layer with a relatively high acoustic velocity.
  • the acoustic velocity of the bulk waves propagating through the high acoustic velocity material layer is higher than the acoustic velocity of the elastic waves propagating through the piezoelectric layer.
  • the acoustic velocity of the bulk waves propagating through the first support substrate 3A is higher than the acoustic velocity of the elastic waves propagating through the first piezoelectric layer 5A.
  • the acoustic velocity of the bulk waves propagating through the second support substrate 3B is higher than the acoustic velocity of the elastic waves propagating through the second piezoelectric layer 5B.
  • the first support substrate 3A and the second support substrate 3B are high sound velocity material layers made of silicon, which is a high sound velocity material.
  • the high sound velocity material is not limited to the above, and may be, for example, aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric material such as quartz, ceramic such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite, spinel, sialon, dielectric material such as aluminum oxide, silicon oxynitride, DLC (diamond-like carbon), diamond, semiconductor such as silicon, or material mainly composed of the above material.
  • the spinel includes an aluminum compound containing one or more elements selected from Mg, Fe, Zn, Mn, etc. and oxygen.
  • Examples of the spinel include MgAl 2 O 4 , FeAl 2 O 4 , ZnAl 2 O 4 , and MnAl 2 O 4 .
  • first piezoelectric substrate 2A In the first piezoelectric substrate 2A, a first support substrate 3A as a high acoustic velocity material layer, a first intermediate layer 4A as a low acoustic velocity film, and a first piezoelectric layer 5A are laminated in this order. This allows the energy of the acoustic waves of each first acoustic wave resonator 13A to be effectively confined to the first piezoelectric layer 5A side.
  • the second piezoelectric substrate 2B also has a similar laminated structure. This allows the energy of the acoustic waves of each second acoustic wave resonator 13B to be effectively confined to the second piezoelectric layer 5B side.
  • the laminated structure of the first piezoelectric substrate is not limited to the above.
  • the first intermediate layer may be a laminate of a plurality of dielectric layers. More specifically, for example, the first intermediate layer may be a laminate of a first low acoustic velocity film and a first high acoustic velocity film as a high acoustic velocity material layer.
  • the first piezoelectric substrate may be a laminated substrate of a first support substrate, a first high acoustic velocity film, a first low acoustic velocity film, and a first piezoelectric layer.
  • the first intermediate layer may be a first high acoustic velocity film.
  • the first piezoelectric substrate may be a laminated substrate of a first support substrate, a first high acoustic velocity film, and a first piezoelectric layer.
  • the first intermediate layer may not be provided.
  • the first piezoelectric substrate may be a laminated substrate of a first support substrate and a first piezoelectric layer as a high acoustic velocity material layer. In these cases, the energy of the elastic waves of each first elastic wave resonator can be effectively trapped on the first piezoelectric layer side.
  • the second piezoelectric substrate may be a laminate substrate of a second support substrate, a second high acoustic velocity film, a second low acoustic velocity film, and a second piezoelectric layer.
  • the second piezoelectric substrate may be a laminate substrate of a second support substrate, a second high acoustic velocity film, and a second piezoelectric layer, or a laminate substrate of a second support substrate and a second piezoelectric layer as a high acoustic velocity material layer.
  • the energy of the acoustic waves of each first acoustic wave resonator can be effectively trapped on the first piezoelectric layer side even if the first support substrate is not a high acoustic velocity material layer.
  • the second piezoelectric substrate When the first piezoelectric substrate has a first high acoustic velocity film, the energy of the acoustic waves of each first acoustic wave resonator can be effectively trapped on the first piezoelectric layer side even if the first support substrate is not a high acoustic velocity material layer. The same is true for the second piezoelectric substrate.
  • the first support substrate and the second support substrate can be made of, for example, piezoelectric materials such as aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz; ceramics such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite; dielectric materials such as diamond and glass; semiconductors such as silicon and gallium nitride; or resins, or materials mainly composed of the above materials.
  • piezoelectric materials such as aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz
  • ceramics such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite
  • dielectric materials such as diamond and glass
  • semiconductors such as silicon and gallium nitride
  • resins or materials mainly composed
  • the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate do not have to be laminated substrates.
  • the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate may each be a substrate made of only a piezoelectric material.
  • each of the first acoustic wave resonators 13A and each of the second acoustic wave resonators 13B shown in FIG. 2 and the like is a surface acoustic wave resonator.
  • the resonant frequency and anti-resonant frequency of the surface acoustic wave resonators can be compared using the electrode finger pitch and duty ratio of the IDT electrodes.
  • the electrode finger pitch is the center-to-center distance in the acoustic wave propagation direction between adjacent electrode fingers connected to different potentials.
  • the resonant frequency of the surface acoustic wave resonator having a larger reciprocal of the product of the electrode finger pitch and the duty ratio is higher than the resonant frequency of the other surface acoustic wave resonator.
  • the anti-resonant frequency of the surface acoustic wave resonator having a larger reciprocal of the product of the electrode finger pitch and the duty ratio is higher than the anti-resonant frequency of the other surface acoustic wave resonator.
  • the resonant frequency of the surface acoustic wave resonator having a larger inverse of the product of the electrode finger pitch, duty ratio, and electrode finger thickness is higher than the resonant frequency of the other surface acoustic wave resonator.
  • the anti-resonant frequency of the surface acoustic wave resonator having a larger inverse of the product of the electrode finger pitch, duty ratio, and electrode finger thickness is higher than the anti-resonant frequency of the other surface acoustic wave resonator.
  • the inverse of the product of the electrode finger pitch of the IDT electrode and the duty ratio in any one of the second acoustic wave resonators 13B is the largest.
  • the inverse of the product of the electrode finger pitch of the IDT electrode, the duty ratio, and the electrode finger thickness in any one of the second acoustic wave resonators 13B is the largest among all the parallel arm resonators in the filter device 10. This makes it possible to more reliably make the resonant frequency of the parallel arm resonator that is the second acoustic wave resonator 13B the highest among all the parallel arm resonators in the filter device 10.
  • a protective film may be provided on the first main surface 2a of the first piezoelectric substrate 2A so as to cover the IDT electrodes of the first acoustic wave resonators 13A. This makes it difficult for the first acoustic wave resonators 13A to be damaged.
  • a protective film may be provided on the third main surface 2c of the second piezoelectric substrate 2B so as to cover the IDT electrodes of the second acoustic wave resonators 13B. This makes it difficult for the second acoustic wave resonators 13B to be damaged.
  • An appropriate dielectric may be used for the protective film. Note that in configurations other than the first embodiment of the present invention, a configuration in which a protective film is provided on the first main surface 2a or the third main surface 2c so as to cover the functional electrodes may also be adopted.
  • the resonant frequency of the surface acoustic wave resonator having a larger inverse number of the product of the electrode finger pitch, duty ratio, and electrode finger thickness will be higher than the resonant frequency of the other surface acoustic wave resonator.
  • the anti-resonant frequency of the surface acoustic wave resonator having a larger inverse number of the product of the electrode finger pitch, duty ratio, and electrode finger thickness will be higher than the anti-resonant frequency of the other surface acoustic wave resonator.
  • the second piezoelectric substrate 2B has a side surface 2e.
  • the side surface 2e is connected to the third principal surface 2c and the fourth principal surface 2d.
  • the side surface 2e is made up of the side surfaces of each layer.
  • a part of the external connection terminal 11 may be provided on this side surface 2e.
  • the external connection terminal 11 is not limited to a configuration having a through electrode 7 and an electrode pad 6.
  • the external connection terminal 21 has an external electrode 25 and an electrode pad 6.
  • the external electrode 25 is continuously provided on the third main surface 2c, the side surface 2e, and the fourth main surface 2d of the second piezoelectric substrate 2B.
  • the external electrode 25 electrically connects the support 8A and the electrode pad 6.
  • the external electrode 25 and the electrode pad 6 are provided as a single unit.
  • the external electrode 25 and the electrode pad 6 may be provided separately and connected to each other.
  • both the external connection terminal 21 including the external electrode 25 and the external connection terminal 11 including the through electrode 7 shown in FIG. 5 may be provided.
  • the temperature coefficients of frequency (TCF) of the first elastic wave resonators 13A and the second elastic wave resonators 13B are different from each other.
  • the difference between the maximum and minimum values of the TCF of the multiple second elastic wave resonators 13B is larger than the difference between the maximum and minimum values of the TCF of the multiple first elastic wave resonators 13A. This makes it possible to more reliably achieve sufficient impedance matching and suppress deterioration of the voltage standing wave ratio (VSWR). This will be described in detail below.
  • the second acoustic wave resonators 13B are configured on the second piezoelectric substrate 2B.
  • the second piezoelectric substrate 2B has high heat dissipation properties. Therefore, in the second acoustic wave resonators 13B, temperature changes themselves are suppressed, and frequency fluctuations are suppressed. Therefore, even if the difference between the maximum and minimum values of TCF is large between the second acoustic wave resonators 13B, the difference in frequency change is small. In addition, the difference between the maximum and minimum values of TCF is small between the first acoustic wave resonators 13A.
  • the relationship between the TCFs of the acoustic wave resonators in the first filter 1A is not limited to the above.
  • the difference between the maximum and minimum values of the TCF in the multiple second acoustic wave resonators 13B is greater than the difference between the maximum and minimum values of the TCF in the multiple first acoustic wave resonators 13A. This makes it possible to more reliably achieve sufficient impedance matching and suppress deterioration of the VSWR.
  • the elastic wave resonator having the largest absolute value of TCF among all the first elastic wave resonators 13A and all the second elastic wave resonators 13B is the second elastic wave resonator 13B.
  • the temperature change of the elastic wave resonator having the largest absolute value of TCF can be reduced, and the frequency fluctuation can be reduced.
  • the absolute value of the TCF of each first elastic wave resonator 13A is smaller than the absolute value of the TCF of the elastic wave resonator. Therefore, the frequency fluctuation due to temperature change in each first elastic wave resonator 13A can also be reduced. Therefore, impedance matching can be more reliably and sufficiently achieved in both the first filter 1A and the second filter 1B, and deterioration of the VSWR can be suppressed.
  • both the first filter 1A and the second filter 1B are ladder type filters, but are not limited to this.
  • the first filter 1A and the second filter 1B do not necessarily have a series arm resonator.
  • the first filter 1A or the second filter 1B may have, for example, a vertically coupled resonator type elastic wave filter and a parallel arm resonator.
  • a parallel arm resonator may be connected to the vertically coupled resonator type elastic wave filter.
  • the first filter 1A or the second filter 1B may have a vertically coupled resonator type elastic wave filter and a ladder type circuit unit.
  • the ladder type circuit unit includes at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator.
  • a ladder type circuit unit may be connected to the vertically coupled resonator type elastic wave filter.
  • the multiple second acoustic wave resonators 13B configured on the second piezoelectric substrate 2B include a parallel arm resonator with the highest resonance frequency among all the parallel arm resonators configured on the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B.
  • the configuration of the filter device according to the present invention is not limited to this.
  • the second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. 5, which was used to explain the configuration of the first embodiment.
  • the filter device of the second embodiment has the same first piezoelectric substrate 2A, second piezoelectric substrate 2B, support 8A, pillar member 8B, and external connection terminal 11 as in the first embodiment.
  • the circuit configuration in the filter device of the second embodiment is the same as that in the first embodiment.
  • the second embodiment differs from the first embodiment in that the multiple second acoustic wave resonators 13B include a series arm resonator having the lowest anti-resonance frequency among all the series arm resonators configured in the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B.
  • the series arm resonator is the series arm resonator of the first filter.
  • the second embodiment as in the first embodiment, it is possible to suppress an increase in the insertion loss of the first filter. More specifically, however, in the first embodiment, it is possible to reduce the insertion loss on the low-frequency side within the passband. On the other hand, in the second embodiment, it is possible to reduce the insertion loss on the high-frequency side within the passband. Details of the above-mentioned effects of the second embodiment are shown below by comparing the second embodiment with a second comparative example.
  • the second comparative example differs from the second embodiment in that, of all the series arm resonators configured on the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate, the series arm resonator with the lowest anti-resonance frequency is the first acoustic wave resonator configured on the first piezoelectric substrate. Note that, in the second comparative example, as in the second embodiment, the series arm resonator with the lowest anti-resonance frequency is included in the first filter. The attenuation-frequency characteristics of the first filter in the second embodiment and the second comparative example were compared.
  • FIG. 11 shows the attenuation frequency characteristics of the first filter in the second embodiment and the second comparative example.
  • the insertion loss is smaller in the second embodiment than in the second comparative example. This is because the frequency fluctuation due to temperature change is small in the series arm resonator with the lowest anti-resonant frequency. The reason why the insertion loss can be reduced in the second embodiment will be explained in more detail.
  • the resonant frequency of the series arm resonator constituting the pass band is located within the pass band.
  • the anti-resonant frequency of the series arm resonator is located on the higher side of the pass band. The lower the anti-resonant frequency of the series arm resonator, the closer the anti-resonant frequency is to the pass band of the ladder-type filter. Therefore, the series arm resonator with the lowest anti-resonant frequency among the series arm resonators of the ladder-type filter has a particularly large effect on the filter characteristics on the higher side of the pass band. Specifically, if the anti-resonant frequency of the series arm resonator changes significantly, the insertion loss of the filter may increase.
  • the series arm resonator with the lowest anti-resonance frequency among all the series arm resonators of the first filter and the second filter is the second acoustic wave resonator 13B configured on the second piezoelectric substrate 2B. Since the second piezoelectric substrate 2B is provided with an external connection terminal 11, the heat dissipation of the second piezoelectric substrate 2B is high. This makes it possible to reduce the temperature change of the series arm resonator. Therefore, it is possible to reduce the frequency fluctuation of the series arm resonator.
  • the series arm resonator is included in the first filter. Therefore, it is possible to prevent the insertion loss of the first filter in the filter device according to the second embodiment from becoming large.
  • the series arm resonator may be included in the second filter.
  • the reciprocal of the product of the electrode finger pitch of the IDT electrode and the duty ratio in any one of the second acoustic wave resonators 13B is the smallest.
  • the reciprocal of the product of the electrode finger pitch of the IDT electrode, the duty ratio, and the electrode finger thickness in any one of the second acoustic wave resonators 13B is the smallest. This makes it possible to more reliably make the anti-resonance frequency of the series arm resonator that is the second acoustic wave resonator 13B the lowest among all the series arm resonators in the filter device.
  • At least one second elastic wave resonator configured on the second piezoelectric substrate may include at least one of a parallel arm resonator having the highest resonant frequency in the filter device and a series arm resonator having the lowest anti-resonant frequency in the filter device.
  • the multiple second elastic wave resonators include both a parallel arm resonator having the highest resonant frequency in the filter device and a series arm resonator having the lowest anti-resonant frequency in the filter device. This can further prevent the insertion loss of the filter from increasing.
  • the first filter 1A and the second filter 1B each include both a first elastic wave resonator 13A and a second elastic wave resonator 13B.
  • the filter configuration in the filter device is not limited to the above. Examples of filter configurations different from those in the first and second embodiments are shown in the third and fourth embodiments.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional front view of a filter device according to a third embodiment.
  • the circuit configurations of the first filter 31A and the second filter 31B in this embodiment are the same as those in the first embodiment.
  • the first filter 31A includes only the first elastic wave resonator 13A of the first elastic wave resonator 13A and the second elastic wave resonator 13B. Therefore, all the series arm resonators and all the parallel arm resonators of the first filter 31A are the first elastic wave resonators 13A configured on the first piezoelectric substrate 2A.
  • the second filter 31B includes only the second elastic wave resonator 13B of the first elastic wave resonator 13A and the second elastic wave resonator 13B. Therefore, all the series arm resonators and all the parallel arm resonators of the second filter 31B are the second elastic wave resonators 13B configured on the second piezoelectric substrate 2B.
  • the filter device 30 of this embodiment has the first piezoelectric substrate 2A, the second piezoelectric substrate 2B, and the support 8A similar to those of the first embodiment. Although not shown in FIG. 12, the filter device 30 also has the pillar member 8B shown in FIG. 5.
  • the second piezoelectric substrate 2B is provided with a plurality of external connection terminals 11. This can improve the heat dissipation of the second piezoelectric substrate 2B.
  • the second acoustic wave resonators configured in the second piezoelectric substrate 2B include the parallel arm resonator with the highest resonance frequency among all the parallel arm resonators configured in the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B.
  • the parallel arm resonator with the highest resonance frequency is included in the second filter 31B.
  • the filter device 30 has the above configuration, so that the temperature change of the parallel arm resonator in the second filter 31B can be reduced. Therefore, the frequency fluctuation of the parallel arm resonator can be reduced. Therefore, the insertion loss of the second filter 31B in the filter device 30 can be prevented from increasing.
  • all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators of the second filter 31B are configured on the second piezoelectric substrate 2B. This makes it possible to reduce the temperature change of all of the acoustic wave resonators of the second filter 31B. This makes it possible to reduce the difference in frequency change of each acoustic wave resonator, regardless of the difference in TCF between the acoustic wave resonators of the second filter 31B. This makes it possible to more reliably ensure sufficient impedance matching in the second filter 31B, and more reliably suppress deterioration of the VSWR.
  • the difference between the maximum and minimum TCF values in the multiple second elastic wave resonators 13B of the second filter 31B is greater than the difference between the maximum and minimum TCF values in the multiple first elastic wave resonators 13A of the first filter 31A.
  • the difference between the maximum and minimum TCF values in the multiple first elastic wave resonators 13A of the first filter 31A is small. Therefore, impedance matching can be more reliably achieved in the first filter 31A as well, and deterioration of the VSWR can be suppressed.
  • the elastic wave resonator having the largest absolute value of TCF among all the first elastic wave resonators 13A and all the second elastic wave resonators 13B is the second elastic wave resonator 13B.
  • the temperature change of the elastic wave resonator having the largest absolute value of TCF can be reduced, and the frequency fluctuation can be reduced.
  • the absolute value of the TCF of each first elastic wave resonator 13A is smaller than the absolute value of the TCF of the elastic wave resonator. Therefore, the frequency fluctuation due to temperature change in each first elastic wave resonator 13A can also be reduced. Therefore, impedance matching can be more reliably and sufficiently achieved in both the first filter 31A and the second filter 31B, and deterioration of the VSWR can be suppressed.
  • the plurality of second acoustic wave resonators formed on the second piezoelectric substrate 2B may include a series arm resonator having the lowest anti-resonance frequency among all the series arm resonators formed on the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B. Even in this case, it is possible to prevent the insertion loss of the second filter 31B in the filter device 30 from becoming large.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional front view of a filter device according to a fourth embodiment.
  • the filter device 40 of this embodiment includes only one ladder-type circuit section.
  • the filter device 40 is a single ladder-type filter.
  • the filter device 40 has a first piezoelectric substrate 2A, a second piezoelectric substrate 2B, a support 8A, and a plurality of pillar members 8B similar to those of the first embodiment.
  • the filter device 40 includes all of the first acoustic wave resonators 13A configured on the first piezoelectric substrate 2A, and all of the second acoustic wave resonators 13B configured on the second piezoelectric substrate 2B.
  • the second piezoelectric substrate 2B is provided with a plurality of external connection terminals 11. This can improve the heat dissipation of the second piezoelectric substrate 2B.
  • the plurality of second acoustic wave resonators formed on the second piezoelectric substrate 2B includes the parallel arm resonator having the highest resonant frequency among all the parallel arm resonators formed on the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B. This can reduce the temperature change of the parallel arm resonator. This can reduce the frequency fluctuation of the parallel arm resonator. This can prevent the insertion loss of the filter device 40 from increasing.
  • the difference between the maximum and minimum values of the TCF in the multiple second acoustic wave resonators 13B is greater than the difference between the maximum and minimum values of the TCF in the multiple first acoustic wave resonators 13A. This makes it possible to more reliably achieve sufficient impedance matching and suppress deterioration of the VSWR, similar to the first filter 1A in the first embodiment.
  • the elastic wave resonator with the largest absolute value of TCF is the second elastic wave resonator 13B.
  • the temperature change of the elastic wave resonator with the largest absolute value of TCF can be reduced, and the frequency fluctuation can be reduced.
  • the absolute value of the TCF of each first elastic wave resonator 13A is smaller than the absolute value of the TCF of the elastic wave resonator. Therefore, the frequency fluctuation due to temperature change in each first elastic wave resonator 13A can also be reduced. Therefore, in the filter device 40, impedance matching can be more reliably achieved and deterioration of the VSWR can be suppressed.
  • the plurality of second acoustic wave resonators 13B formed on the second piezoelectric substrate 2B may include a series arm resonator having the lowest anti-resonance frequency among all the series arm resonators formed on the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B. Even in this case, it is possible to prevent the insertion loss of the filter device 40 from becoming large.
  • a first piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, at least one first elastic wave resonator which is a series arm resonator or a parallel arm resonator and includes a functional electrode provided on the first main surface of the first piezoelectric substrate, a support provided on the first main surface of the first piezoelectric substrate so as to surround the first elastic wave resonator, a second piezoelectric substrate provided on the support and having a third main surface located on the first piezoelectric substrate side and a fourth main surface facing the third main surface, and a fourth main surface provided on the third main surface of the second piezoelectric substrate.
  • a filter device comprising at least one second acoustic wave resonator, at least one of which is a parallel arm resonator, and an external connection terminal provided on the second piezoelectric substrate, a space surrounded by the first piezoelectric substrate, the second piezoelectric substrate, and the support, the first acoustic wave resonator and the second acoustic wave resonator are located within the space, and the at least one second acoustic wave resonator includes a parallel arm resonator having the highest resonance frequency among all the parallel arm resonators configured on the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate.
  • a first piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, at least one first elastic wave resonator which is a series arm resonator or a parallel arm resonator and includes a functional electrode provided on the first main surface of the first piezoelectric substrate, a support provided on the first main surface of the first piezoelectric substrate so as to surround the first elastic wave resonator, a second piezoelectric substrate provided on the support and having a third main surface located on the first piezoelectric substrate side and a fourth main surface facing the third main surface, and a fourth main surface provided on the third main surface of the second piezoelectric substrate.
  • a filter device comprising at least one second acoustic wave resonator, at least one of which is a series arm resonator, and an external connection terminal provided on the second piezoelectric substrate, a space surrounded by the first piezoelectric substrate, the second piezoelectric substrate, and the support body, the first acoustic wave resonator and the second acoustic wave resonator are located within the space, and the at least one second acoustic wave resonator includes a series arm resonator having the lowest anti-resonance frequency among all the series arm resonators configured on the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate.
  • a filter device comprising a first filter and a second filter, the first filter including some of the at least one first elastic wave resonator and the at least one second elastic wave resonator, and the second filter including the remaining of the at least one first elastic wave resonator and the at least one second elastic wave resonator, as described in ⁇ 1> or ⁇ 2>.
  • the filter device comprising a plurality of the first elastic wave resonators and a plurality of the second elastic wave resonators, the first filter including only the first elastic wave resonators among the plurality of first elastic wave resonators and the plurality of second elastic wave resonators, and the second filter including only the second elastic wave resonators among the plurality of first elastic wave resonators and the plurality of second elastic wave resonators.
  • the filter device comprising a plurality of the first elastic wave resonators and a plurality of the second elastic wave resonators, the first filter and the second filter each including the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator.
  • the filter device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, which is a single filter including all of the first acoustic wave resonators and all of the second acoustic wave resonators.
  • a filter device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, in which the functional electrode is an IDT electrode having a plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers that are connected to different potentials and are interdigitated with each other.
  • ⁇ 8> A filter device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, in which the external connection terminal includes a through electrode penetrating the second piezoelectric substrate, and an electrode pad provided on the fourth main surface of the second piezoelectric substrate and connected to the through electrode.
  • filter device 11 ...external connection terminals 12A...common connection terminals 12B, 12C...first and second signal terminals 13A, 13B...first and second Elastic wave resonators 14A, 14B...reflector 15...IDT electrodes 16, 17...first and second bus bars 18, 19...first and second electrode fingers 21...external connection terminal 25...external electrode 28...dielectric film 30
  • filter devices 31A, 31B...first and second filters 40 ...filter devices 102A, 102B...first and second piezoelectric substrates P1 to P4, P11 to P14

Landscapes

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Abstract

挿入損失が大きくなることを抑制できる、フィルタ装置を提供する。　互いに対向している第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する第１の圧電性基板２Ａと、第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａに設けられている機能電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子１３Ａと、第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａに、第１の弾性波共振子１３Ａを囲むように設けられている支持体８Ａと、支持体８Ａ上に設けられており、第１の圧電性基板２Ａ側に位置している第３の主面２ｃ、及び第３の主面２ｃと対向している第４の主面２ｄを有する第２の圧電性基板２Ｂと、第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃに設けられている機能電極を含み、少なくとも１つが並列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子１３Ｂと、第２の圧電性基板２Ｂに設けられている外部接続端子１１とを備える。第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ及び支持体８Ａにより囲まれた空間が構成されている。該空間内に第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂが位置している。少なくとも１つの第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む。

Description

フィルタ装置
　本発明は、弾性波共振子を有するフィルタ装置に関する。
　従来、弾性波共振子を有するフィルタ装置は、携帯電話機のフィルタなどとして広く用いられている。下記の特許文献１には、フィルタ装置としての、薄膜圧電フィルタや、弾性表面波フィルタの例が開示されている。
　特許文献１に記載されたフィルタ装置の一例では、１対の基板が、枠状の接着パターンにより接合されている。１対の圧電基板の間には、振動空間が形成されている。振動空間内に位置するように、それぞれの基板に圧電共振子が設けられている。一方の基板には、該基板を貫通するように、スルーホールが設けられている。スルーホールを介して、圧電共振子が外部に電気的に接続される。
　さらに、特許文献１には、ＳｉＯ２などの負の温度係数を有する材料を用いることにより、周波数温度特性を改善し得ることが記載されている。
国際公開第２００６／００８９４０号
　しかしながら、ＳｉＯ２膜を設けることにより、周波数温度特性を改善するためには、ＳｉＯ２膜の厚みを厚くすることを要する。これに伴い、弾性表面波共振子において、Ｑ特性が劣化したり、電気機械結合係数が小さくなったりするおそれがある。これらの場合、挿入損失などのフィルタ特性が劣化する。
　一方で、周波数温度特性が改善されない場合には、フィルタ装置におけるそれぞれの弾性表面波共振子の周波数特性が温度変化により変化し易い。そのため、挿入損失などのフィルタ特性が劣化するおそれがある。
　本発明の目的は、挿入損失が大きくなることを抑制できる、フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係るフィルタ装置のある広い局面では、互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられている機能電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられている機能電極を含み、少なくとも１つが並列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、前記第２の圧電性基板に設けられている外部接続端子とが備えられており、前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、該空間内に前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が位置しており、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む。
　本発明に係るフィルタ装置の他の広い局面では、互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられている機能電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられている機能電極を含み、少なくとも１つが直列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、前記第２の圧電性基板に設けられている外部接続端子とが備えられており、前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、該空間内に前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が位置しており、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。
　本発明に係るフィルタ装置によれば、挿入損失が大きくなることを抑制できる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における第１の圧電性基板上の電極構成を示す、略図的平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における第２の圧電性基板上の電極構成を示す、略図的透視平面図である。 図５は、図３中のＩＩ－ＩＩ線に沿う部分を示す、略図的断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的平面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態及び第１の比較例における第１のフィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図８（ａ）は、参考例における、第１の圧電性基板、支持体及び第２の圧電性基板の積層体の温度分布を示す図である。図８（ｂ）は、参考例における第１の圧電性基板の温度分布を示す図である。図８（ｃ）は、参考例における第２の圧電性基板の温度分布を示す図である。 図９は、本発明の第１の実施形態における第１の弾性波共振子の電極構成を示す模式的平面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の変形例に係るフィルタ装置の、図２に示す断面に相当する部分を示す略図的断面図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態及び第２の比較例における第１のフィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図１２は、本発明の第３の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。 図１３は、本発明の第４の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
　本実施形態のフィルタ装置１０はデュプレクサである。具体的には、フィルタ装置１０は第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂを有する。第１のフィルタ１Ａが送信フィルタである。第２のフィルタ１Ｂが受信フィルタである。なお、フィルタ装置１０はデュプレクサに限定されない。第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂはそれぞれ、送信フィルタであってもよく、受信フィルタであってもよい。あるいは、本発明に係るフィルタ装置は、３つ以上のフィルタを有するマルチプレクサであってもよく、１つのみのフィルタであってもよい。
　第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂはそれぞれ、ラダー型フィルタである。よって、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂはそれぞれ、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を有する。本実施形態では、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂの直列腕共振子及び並列腕共振子は、いずれも弾性表面波共振子である。以下において、フィルタ装置１０の具体的な構成を説明する。
　図２は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図２においては、各共振子を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。他の略図的断面図や略図的平面図においても同様である。
　フィルタ装置１０は第１の圧電性基板２Ａと、第２の圧電性基板２Ｂと、支持体８Ａとを有する。第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂの間に、支持体８Ａが設けられている。支持体８Ａは枠状の形状を有する。第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ及び支持体８Ａにより囲まれた空間が構成されている。該空間及び支持体８Ａを挟み、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂが互いに対向している。
　なお、圧電性基板は圧電性を有する基板である。具体的には、第１の圧電性基板２Ａは、第１の圧電体層５Ａを含む積層基板である。第１の圧電性基板２Ａは第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する。第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂは互いに対向している。本実施形態では、第１の圧電体層５Ａの主面が第１の主面２ａである。同様に、第２の圧電性基板２Ｂは、第２の圧電体層５Ｂを含む積層基板である。第２の圧電性基板２Ｂは第３の主面２ｃ及び第４の主面２ｄを有する。第３の主面２ｃ及び第４の主面２ｄは互いに対向している。本実施形態では、第２の圧電体層５Ｂの主面が第３の主面２ｃである。もっとも、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂは、圧電材料のみからなる基板であってもよい。
　図３は、第１の実施形態における第１の圧電性基板上の電極構成を示す、略図的平面図である。なお、上記図２は、図３中のＩ－Ｉ線に沿う略図的断面図である。
　第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａにおいて、複数の第１の弾性波共振子１３Ａが構成されている。具体的には、第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａに、複数の機能電極としての、複数のＩＤＴ電極１５が設けられている。各第１の弾性波共振子１３ＡはＩＤＴ電極１５を含む。第１の主面２ａには、複数の配線及び上記支持体８Ａが設けられている。配線により、第１の弾性波共振子１３Ａ同士が電気的に接続されている。支持体８Ａは、複数の第１の弾性波共振子１３Ａを囲むように設けられている。より具体的には、支持体８Ａは、第１の主面２ａに設けられた複数のＩＤＴ電極１５を囲んでいる。上記のように、本実施形態では、支持体８Ａは枠状の形状を有する。もっとも、第１の主面２ａには、柱状の複数の支持体が、複数の第１の弾性波共振子１３Ａを囲むように設けられていてもよい。図２に示すように、支持体８Ａ上に第２の圧電性基板２Ｂが設けられている。
　図４は、第１の実施形態における第２の圧電性基板上の電極構成を示す、略図的透視平面図である。図５は、図３中のＩＩ－ＩＩ線に沿う部分を示す、略図的断面図である。図６は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的平面図である。
　図４に示すように、第２の圧電性基板２Ｂにおいて、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが構成されている。具体的には、第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃに、複数の機能電極としての、複数のＩＤＴ電極が設けられている。各第２の弾性波共振子１３ＢはＩＤＴ電極を含む。第３の主面２ｃには、複数の配線が設けられている。配線により、第２の弾性波共振子１３Ｂ同士が電気的に接続されている。
　図５に示すように、第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ及び支持体８Ａにより囲まれた空間内に、複数の第１の弾性波共振子１３Ａ及び複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが位置している。複数の第１の弾性波共振子１３Ａ及び複数の第２の弾性波共振子１３Ｂはそれぞれ、直列腕共振子または並列腕共振子である。なお、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂは、少なくとも１つの並列腕共振子を含む。
　フィルタ装置１０は、少なくとも１つの柱部材８Ｂを有する。第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂは、支持体８Ａと共に、柱部材８Ｂによっても支持されている。支持体８Ａ及び柱部材８Ｂは、本実施形態では、複数の金属層の積層体である。支持体８Ａ及び柱部材８Ｂは、各配線を介して、第１の弾性波共振子１３Ａまたは第２の弾性波共振子１３Ｂに電気的に接続されている。
　本実施形態では、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂはそれぞれ、複数の第１の弾性波共振子１３Ａ及び複数の第２の弾性波共振子１３Ｂを有する。第１のフィルタ１Ａにおける第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂは、全ての柱部材８Ｂのうち一部の複数の柱部材８Ｂにより、電気的に接続されている。第２のフィルタ１Ｂにおいても同様である。
　図６に示すように、第２の圧電性基板２Ｂには、複数の外部接続端子１１が設けられている。複数の外部接続端子１１は、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂを外部に電気的に接続する。複数の外部接続端子１１は、信号電位に接続される外部接続端子１１、及びグラウンド電位に接続される外部接続端子１１を含む。
　各外部接続端子１１は、少なくとも１つの貫通電極７と、電極パッド６とを有する。より具体的には、本実施形態においては、複数の貫通電極７が、第２の圧電性基板２Ｂを貫通するように設けられている。複数の電極パッド６が、第２の圧電性基板２Ｂの第４の主面２ｄに設けられている。貫通電極７の一端が電極パッド６に接続されている。貫通電極７の他端は、支持体８Ａまたは柱部材８Ｂに接続されている。外部接続端子１１は、支持体８Ａまたは柱部材８Ｂを介して、フィルタ装置１０における弾性波共振子に電気的に接続されている。
　各電極パッド６には、導電性接合部材としてのバンプ９が接合されている。なお、導電性接合部材として、例えば、導電性接着剤が用いられていてもよい。フィルタ装置１０は、導電性接合部材により、実装基板などに接合される。
　本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）第２の圧電性基板２Ｂに外部接続端子１１が設けられていること。２）第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含むこと。なお、本実施形態においては、該並列腕共振子は、第１のフィルタ１Ａの並列腕共振子である。フィルタ装置１０が上記の構成を有することにより、第１のフィルタ１Ａの挿入損失が大きくなることを抑制できる。この詳細を、本実施形態及び第１の比較例を比較することにより、以下において示す。
　第１の比較例は、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子が、第１の圧電性基板において構成された第１の弾性波共振子である点において第１の実施形態と異なる。なお、第１の比較例においても、第１の実施形態と同様に、共振周波数が最も高い並列腕共振子は第１のフィルタに含まれる。第１の実施形態及び第１の比較例における第１のフィルタの減衰量周波数特性を比較した。
　図７は、第１の実施形態及び第１の比較例における第１のフィルタの減衰量周波数特性を示す図である。
　図７に示すように、第１の実施形態においては、第１の比較例よりも、挿入損失が小さいことがわかる。これは、共振周波数が最も高い並列腕共振子において、温度変化による周波数の変動が小さいことによる。
　より詳細には、並列腕共振子などの弾性波共振子においては、弾性波が励振されると、熱が生じる。そのため、フィルタが用いられる際には、各弾性波共振子の温度が変化する。弾性波共振子の温度が変化すると、該弾性波共振子の共振周波数などは変化する。フィルタの通過帯域を構成している弾性波共振子の共振周波数などが変化すると、フィルタ特性に影響が及ぼされる。
　第１のフィルタや第２のフィルタのようなラダー型フィルタにおいては、通過帯域を構成している並列腕共振子の反共振周波数が通過帯域内に位置している。一方で、該並列腕共振子の共振周波数は、通過帯域よりも低域側に位置している。なお、並列腕共振子における共振周波数が高いほど、該共振周波数は、ラダー型フィルタの通過帯域に近い。そのため、ラダー型フィルタの並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子の、通過帯域内の低域側におけるフィルタ特性に対する影響は、特に大きい。具体的には、該並列腕共振子の共振周波数が大きく変化すると、フィルタの挿入損失が大きくなるおそれがある。
　これに対して、図２に示す第１の実施形態においては、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂの全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子が、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された第２の弾性波共振子１３Ｂである。第２の圧電性基板２Ｂには外部接続端子１１が設けられているため、第２の圧電性基板２Ｂの放熱性は高い。これにより、上記並列腕共振子の温度変化を小さくすることができる。よって、上記並列腕共振子の周波数の変動を小さくすることができる。ここで、上記並列腕共振子は、第１のフィルタ１Ａに含まれる。従って、フィルタ装置１０における第１のフィルタ１Ａの挿入損失が大きくなることを抑制することができる。なお、上記並列腕共振子は、第２のフィルタ１Ｂに含まれていてもよい。
　以下において、第２の圧電性基板２Ｂの放熱性が、第１の圧電性基板２Ａの放熱性よりも高いことを示す。具体的には、参考例のフィルタ装置における温度分布を、シミュレーションにより導出した。参考例のフィルタ装置は、第１の実施形態と同様に、第１の圧電性基板１０２Ａ、第２の圧電性基板１０２Ｂ及び支持体８Ａを有し、複数の第１の弾性波共振子及び複数の第２の弾性波共振子を有する。もっとも、参考例のフィルタ装置においては、外部接続端子１１の配置において、第１の実施形態と異なる。上記シミュレーションにおいては、全ての弾性波共振子に電力が印加されているものとした。全ての弾性波共振子の総発熱量を１Ｗとして、温度分布を導出した。
　図８（ａ）は、参考例における、第１の圧電性基板、支持体及び第２の圧電性基板の積層体の温度分布を示す図である。図８（ｂ）は、参考例における第１の圧電性基板の温度分布を示す図である。図８（ｃ）は、参考例における第２の圧電性基板の温度分布を示す図である。
　図８（ａ）～図８（ｃ）により示すように、第２の圧電性基板１０２Ｂの温度は、第１の圧電性基板１０２Ａの温度よりも、全体として低いことがわかる。なお、第１の圧電性基板１０２Ａにおける最高温度は２４５．８℃であり、平均温度は２３９．４℃である。第２の圧電性基板１０２Ｂにおける最高温度は２４２℃であり、平均温度は２３６．１℃である。これは、第２の圧電性基板１０２Ｂに外部接続端子１１が設けられていることによる。第２の圧電性基板１０２Ｂにおいては、外部接続端子１１から熱が直接的に外部に放出される。すなわち、第２の圧電性基板１０２Ｂの放熱性は高い。それによって、フィルタ装置における弾性波共振子に電力が印加された際においても、第２の圧電性基板１０２Ｂの温度は、第１の圧電性基板１０２Ａの温度よりも上昇し難い。
　これは、図２に示す第１の実施形態においても同様である。そのため、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された第２の弾性波共振子１３Ｂの温度変化を小さくすることができる。共振周波数が最も高い並列腕共振子も第２の弾性波共振子１３Ｂである。よって、該並列腕共振子の周波数の変動を小さくすることができる。従って、第１のフィルタ１Ａにおいて、挿入損失が大きくなることを抑制できる。
　以下において、第１の実施形態の構成のさらなる詳細を説明する。図１に示すように、フィルタ装置１０は、共通接続端子１２Ａと、第１の信号端子１２Ｂと、第２の信号端子１２Ｃとを有する。共通接続端子１２Ａに、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂが共通接続されている。なお、第１のフィルタ１Ａにおいては、第１の信号端子１２Ｂが入力端に相当し、共通接続端子１２Ａが出力端に相当する。第２のフィルタ１Ｂにおいては、共通接続端子１２Ａが入力端に相当し、第２の信号端子１２Ｃが出力端に相当する。
　第１のフィルタ１Ａの複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ３ｂ、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５及び直列腕共振子Ｓ６である。第１の信号端子１２Ｂ及び共通接続端子１２Ａの間に、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５及び直列腕共振子Ｓ６が、この順序において互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ３ｂは、直列腕共振子Ｓ３ａに並列に接続されている。
　第１のフィルタ１Ａの複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４である。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２並びに直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂの間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ５及び直列腕共振子Ｓ６の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。
　直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ３ｂ、直列腕共振子Ｓ４、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４が、図３に示す第１の弾性波共振子１３Ａである。他方、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ５、直列腕共振子Ｓ６及び並列腕共振子Ｐ２が、図４に示す第２の弾性波共振子１３Ｂである。
　図１に示すように、第２のフィルタ１Ｂの複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４である。共通接続端子１２Ａ及び第２の信号端子１２Ｃの間に、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４が、この順序において互いに直列に接続されている。
　第２のフィルタ１Ｂの複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子Ｐ１１、並列腕共振子Ｐ１２、並列腕共振子Ｐ１３及び並列腕共振子Ｐ１４である。直列腕共振子Ｓ１１及び直列腕共振子Ｓ１２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１１が接続されている。直列腕共振子Ｓ１２及び直列腕共振子Ｓ１３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１２が接続されている。直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１３が接続されている。第２の信号端子１２Ｃとグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１４が接続されている。
　第２のフィルタ１Ｂの全ての直列腕共振子が、図３に示す第１の弾性波共振子１３Ａである。他方、第２のフィルタ１Ｂの全ての並列腕共振子が、図４に示す第２の弾性波共振子１３Ｂである。第１の実施形態においては、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂの全ての並列腕共振子のうち、最も共振周波数が高い並列腕共振子は、第１のフィルタ１Ａの並列腕共振子Ｐ２である。この並列腕共振子Ｐ２が、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂに含まれている。
　図９は、第１の実施形態における第１の弾性波共振子の電極構成を示す模式的平面図である。なお、図９では、第１の弾性波共振子に接続された配線などは省略している。
　第１の弾性波共振子１３Ａは、ＩＤＴ電極１５と、１対の反射器１４Ａ及び反射器１４Ｂとを有する。第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａに、ＩＤＴ電極１５と、反射器１４Ａ及び反射器１４Ｂとが設けられている。
　ＩＤＴ電極１５は、１対のバスバーと、複数の電極指とを有する。１対のバスバーは、具体的には、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７である。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。複数の電極指は、具体的には、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９である。第１のバスバー１６に、複数の第１の電極指１８の一端がそれぞれ接続されている。第２のバスバー１７に、複数の第２の電極指１９の一端がそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。第１の電極指１８及び第２の電極指１９は、互いに異なる電位に接続される。
　以下においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９を、単に電極指と記載することがある。ＩＤＴ電極１５の複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向とする。反射器１４Ａ及び反射器１４Ｂは、電極指延伸方向と直交する方向において、ＩＤＴ電極１５を挟み互いに対向している。ＩＤＴ電極１５に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。
　図９に示す第１の弾性波共振子１３Ａと同様に、図２などに示す他の各第１の弾性波共振子１３Ａや、各第２の弾性波共振子１３Ｂも、ＩＤＴ電極及び１対の反射器を有する。第１の実施形態においては、各第１の弾性波共振子及び各第２の弾性波共振子は、弾性表面波共振子である。
　上記のように、図５に示す複数の外部接続端子１１は、グラウンド電位または信号電位に接続される。第１の実施形態においては、グラウンド電位に接続される外部接続端子１１の貫通電極７の一端には、支持体８Ａが接続されている。複数の第１の弾性波共振子１３Ａ及び複数の第２の弾性波共振子１３Ｂのうちの並列腕共振子はそれぞれ、配線を介して支持体８Ａに電気的に接続されている。よって、各並列腕共振子は、配線、支持体８Ａ及び外部接続端子１１を介してグラウンド電位に接続される。
　他方、信号電位に接続される外部接続端子１１の貫通電極７の一端には、柱部材８Ｂが接続されている。第１の実施形態では、第１のフィルタ１Ａにおける最も入力端側及び出力端側の弾性波共振子はそれぞれ、第１の弾性波共振子１３Ａである。第２のフィルタ１Ｂにおいても同様である。これらの第１の弾性波共振子１３Ａは、配線、柱部材８Ｂ及び外部接続端子１１を介して信号電位に接続される。もっとも、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂにおいて、最も入力端側または出力端側の弾性波共振子は、第２の弾性波共振子１３Ｂであってもよい。この場合には、該第２の弾性波共振子１３Ｂに接続された配線に、貫通電極７の一端が接続されていてもよい。
　なお、支持体８Ａは、信号電位に接続されてもよく、グラウンド電位に接続されてもよい。同様に、柱部材８Ｂは、信号電位に接続されてもよく、グラウンド電位に接続されていてもよい。あるいは、複数の柱部材８Ｂは、弾性波共振子に電気的に接続されていない柱部材８Ｂを含んでいてもよい。
　支持体８Ａの複数の金属層のうち１層の金属層は、第１の圧電性基板２Ａに設けられた配線と一体として設けられている。支持体８Ａの他の１層の金属層は、第２の圧電性基板２Ｂに設けられた配線と一体として設けられている。柱部材８Ｂにおいても同様である。もっとも、支持体８Ａ及び柱部材８Ｂの金属層は、配線と個別に設けられており、かつ配線と接続されていてもよい。
　図６に示すように、１つの外部接続端子１１が複数の貫通電極７を有することが好ましい。これにより、第２の圧電性基板２Ｂ側から外部に、熱を効率的に移動させることができる。それによって、各第２の弾性波共振子１３Ｂの温度変化を効果的に小さくすることができる。従って、第１のフィルタ１Ａの挿入損失が大きくなることを効果的に抑制することができる。もっとも、外部接続端子１１は、必ずしも複数の貫通電極７を有していなくともよい。
　図５に示すように、第２の圧電性基板２Ｂの第４の主面２ｄには、誘電体膜２８が設けられている。誘電体膜２８は、各電極パッド６の一部を覆っている。各電極パッド６における、誘電体膜２８により覆われていない部分に、上記バンプ９が接合されている。誘電体膜２８が設けられていることにより、第２の圧電性基板２Ｂが破損し難い。他方、第１の圧電性基板２Ａの第２の主面２ｂには、誘電体膜２８は設けられていない。もっとも、誘電体膜２８は、第１の圧電性基板２Ａの第２の主面２ｂにも設けられていてもよい。誘電体膜２８は、具体的には、酸化ケイ素膜である。なお、誘電体膜２８の材料は上記に限定されない。誘電体膜２８は必ずしも設けられていなくともよい。
　上記のように、第１の圧電性基板２Ａは積層基板である。具体的には、第１の圧電性基板２Ａは、第１の支持基板３Ａ、第１の中間層４Ａ及び第１の圧電体層５Ａを有する。第１の支持基板３Ａ上に第１の中間層４Ａが設けられている。第１の中間層４Ａ上に第１の圧電体層５Ａが設けられている。
　第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａは、第１の圧電性基板２Ａにおける、最も第２の圧電性基板２Ｂ側に位置している主面である。第１の実施形態では、第１の圧電体層５Ａの主面が第１の主面２ａである。なお、第１の主面２ａは、少なくとも第１の圧電体層５Ａの主面を含んでいればよい。例えば、第１の主面２ａは、第１の圧電体層５Ａの主面、並びに第１の中間層４Ａの主面または第１の支持基板３Ａの主面を含んでいてもよい。
　第１の圧電性基板２Ａの第２の主面２ｂは、第１の主面２ａと対向しており、かつ第１の圧電性基板２Ａの最も外側に位置している主面である。よって、第１の実施形態においては、第２の主面２ｂは、第１の支持基板３Ａの、第１の圧電性基板２Ａにおける最も外側に位置している主面である。
　同様に、第２の圧電性基板２Ｂは、第２の支持基板３Ｂ、第２の中間層４Ｂ及び第２の圧電体層５Ｂの積層基板である。第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃは、第２の圧電性基板２Ｂにおける、最も第１の圧電性基板２Ａ側に位置している主面である。第１の実施形態では、第２の圧電体層５Ｂの主面が第３の主面２ｃである。なお、第３の主面２ｃは、少なくとも第２の圧電体層５Ｂの主面を含んでいればよい。例えば、第３の主面２ｃは、第２の圧電体層５Ｂの主面、並びに第２の中間層４Ｂの主面または第２の支持基板３Ｂの主面を含んでいてもよい。
　第２の圧電性基板２Ｂの第４の主面２ｄは、第３の主面２ｃと対向しており、かつ第２の圧電性基板２Ｂの最も外側に位置している主面である。よって、第１の実施形態においては、第４の主面２ｄは、第２の支持基板３Ｂの、第２の圧電性基板２Ｂにおける最も外側に位置している主面である。
　第１の圧電体層５Ａ及び第２の圧電体層５Ｂの材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。
　第１の実施形態では、第１の中間層４Ａ及び第２の中間層４Ｂは、低音速膜である。低音速膜は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い。すなわち、第１の中間層４Ａを伝搬するバルク波の音速は、第１の圧電体層５Ａを伝搬するバルク波の音速よりも低い。第２の中間層４Ｂを伝搬するバルク波の音速は、第２の圧電体層５Ｂを伝搬するバルク波の音速よりも低い。
　第１の中間層４Ａ及び第２の中間層４Ｂは酸化ケイ素からなる。もっとも、低音速膜としての第１の中間層４Ａ及び第２の中間層４Ｂの材料は上記に限定されず、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。本明細書において主成分とは、占める割合が５０ｗｔ％を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。
　第１の実施形態では、第１の支持基板３Ａ及び第２の支持基板３Ｂは、高音速材料層である。高音速材料層は相対的に高音速な層である。高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い。すなわち、第１の支持基板３Ａを伝搬するバルク波の音速は、第１の圧電体層５Ａを伝搬する弾性波の音速よりも高い。第２の支持基板３Ｂを伝搬するバルク波の音速は、第２の圧電体層５Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも高い。
　第１の支持基板３Ａ及び第２の支持基板３Ｂは、高音速材料であるシリコンからなる高音速材料層である。もっとも、高音速材料は上記に限定されず、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。
　第１の圧電性基板２Ａにおいては、高音速材料層としての第１の支持基板３Ａ、低音速膜としての第１の中間層４Ａ及び第１の圧電体層５Ａが、この順序で積層されている。それによって、各第１の弾性波共振子１３Ａの弾性波のエネルギーを、第１の圧電体層５Ａ側に効果的に閉じ込めることができる。第２の圧電性基板２Ｂも同様の積層構造を有する。よって、各第２の弾性波共振子１３Ｂの弾性波のエネルギーを、第２の圧電体層５Ｂ側に効果的に閉じ込めることができる。
　なお、第１の圧電性基板の積層構造は上記に限定されない。例えば、第１の中間層は、複数の誘電体層の積層体であってもよい。より具体的には、例えば、第１の中間層は、第１の低音速膜と、高音速材料層としての第１の高音速膜との積層体であってもよい。第１の圧電性基板は、第１の支持基板、第１の高音速膜、第１の低音速膜及び第１の圧電体層の積層基板であってもよい。一方で、第１の中間層は第１の高音速膜であってもよい。第１の圧電性基板は、第１の支持基板、第１の高音速膜及び第１の圧電体層の積層基板であってもよい。他方、第１の中間層は設けられていなくともよい。第１の圧電性基板は、高音速材料層としての第１の支持基板及び第１の圧電体層の積層基板であってもよい。これらの場合においても、各第１の弾性波共振子の弾性波のエネルギーを第１の圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。
　第２の圧電性基板においても同様である。第２の圧電性基板は、第２の支持基板、第２の高音速膜、第２の低音速膜及び第２の圧電体層の積層基板であってもよい。あるいは、第２の圧電性基板は、第２の支持基板、第２の高音速膜及び第２の圧電体層の積層基板であってもよく、高音速材料層としての第２の支持基板及び第２の圧電体層の積層基板であってもよい。
　第１の圧電性基板が第１の高音速膜を有する場合には、第１の支持基板が高音速材料層ではなくとも、各第１の弾性波共振子の弾性波のエネルギーを第１の圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。第２の圧電性基板においても同様である。これらの場合、第１の支持基板及び第２の支持基板は、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどのセラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体、もしくは樹脂、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。
　なお、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板は積層基板ではなくともよい。第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板はそれぞれ、圧電材料のみからなる基板であってもよい。
　上記のように、第１の実施形態では、図２などに示す、各第１の弾性波共振子１３Ａ及び各第２の弾性波共振子１３Ｂは、弾性表面波共振子である。弾性表面波共振子同士の共振周波数及び反共振周波数は、ＩＤＴ電極の電極指ピッチ及びデューティ比を用いて比較することができる。なお、電極指ピッチとは、互いに異なる電位に接続される、隣り合う電極指同士の、弾性波伝搬方向における中心間距離である。例えば、弾性表面波共振子同士の電極指の厚みが同じである場合には、電極指ピッチ及びデューティ比の積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の共振周波数よりも高い。同様に、弾性表面波共振子同士の電極指の厚みが同じである場合には、電極指ピッチ及びデューティ比の積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の反共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の反共振周波数よりも高い。
　弾性表面波共振子同士の電極指の厚みが互いに異なる場合には、電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の共振周波数よりも高い。同様に、弾性表面波共振子同士の電極指の厚みが互いに異なる場合には、電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の反共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の反共振周波数よりも高い。
　フィルタ装置１０における全ての並列腕共振子のうち、いずれかの第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチ及びデューティ比の積の逆数が、最も大きいことが好ましい。あるいは、フィルタ装置１０における全ての並列腕共振子のうち、いずれかの第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が、最も大きいことが好ましい。それによって、フィルタ装置１０における全ての並列腕共振子のうち、第２の弾性波共振子１３Ｂである並列腕共振子の共振周波数を、より確実に最も高くさせることができる。
　第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａには、各第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極を覆うように、保護膜が設けられていてもよい。それによって、各第１の弾性波共振子１３Ａが破損し難い。同様に、第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃには、各第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極を覆うように、保護膜が設けられていてもよい。それによって、各第２の弾性波共振子１３Ｂが破損し難い。保護膜には、適宜の誘電体を用いることができる。なお、本発明における、第１の実施形態以外の構成においても、第１の主面２ａまたは第３の主面２ｃに、機能電極を覆うように保護膜が設けられた構成を採用することができる。
　保護膜を有する弾性表面波共振子同士の保護膜の厚みが同じである場合には、電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の共振周波数よりも高い。同様に、保護膜を有する弾性表面波共振子同士の保護膜の厚みが同じである場合には、電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の反共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の反共振周波数よりも高い。
　ところで、図５に示すように、第２の圧電性基板２Ｂは側面２ｅを有する。側面２ｅは、第３の主面２ｃ及び第４の主面２ｄに接続されている。第１の実施形態のように、第２の圧電性基板２Ｂが積層基板である場合には、側面２ｅは、各層の側面により構成されている。この側面２ｅに外部接続端子１１の一部が設けられていてもよい。すなわち、外部接続端子１１は、貫通電極７と、電極パッド６とを有する構成に限定されない。
　例えば、図１０に示す第１の実施形態の変形例においては、外部接続端子２１は、外部電極２５と、電極パッド６とを有する。外部電極２５は、第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃ、側面２ｅ及び第４の主面２ｄに連続的に設けられている。外部電極２５は、支持体８Ａ及び電極パッド６を電気的に接続している。具体的には、本変形例においては、外部電極２５及び電極パッド６は一体として設けられている。もっとも、外部電極２５及び電極パッド６は、個別に設けられ、かつ外部電極２５及び電極パッド６が接続されていてもよい。本変形例においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置におけるフィルタの挿入損失が大きくなることを抑制できる。なお、外部電極２５を含む外部接続端子２１と、図５に示す貫通電極７を含む外部接続端子１１との双方が設けられていてもよい。
　図２に戻り、第１の実施形態における第１のフィルタ１Ａにおいては、各第１の弾性波共振子１３Ａ及び各第２の弾性波共振子１３Ｂの周波数温度係数（ＴＣＦ）は互いに異なる。第１のフィルタ１Ａにおいては、複数の第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差が、複数の第１の弾性波共振子１３ＡにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差よりも大きい。それによって、インピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の劣化を抑制することができる。この詳細を以下において説明する。
　複数の弾性波共振子におけるＴＣＦの最大値及び最小値の差が大きい場合には、複数の弾性波共振子同士おいて、温度変化による周波数の変化の差が大きくなる。そのため、インピーダンス整合が不十分となったり、ＶＳＷＲが劣化したりするおそれがある。
　これに対して、第１の実施形態では、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂは第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成されている。上記のように、第２の圧電性基板２Ｂの放熱性は高い。そのため、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂにおいては、温度変化自体が抑制され、周波数の変動が抑制される。よって、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂの間においては、ＴＣＦの最大値及び最小値の差が大きくとも、周波数の変化の差は小さい。加えて、複数の第１の弾性波共振子１３Ａの間においては、ＴＣＦの最大値及び最小値の差が小さい。従って、第１のフィルタ１Ａにおいて、インピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、ＶＳＷＲの劣化を抑制することができる。なお、第１のフィルタ１Ａにおける各弾性波共振子のＴＣＦの関係は上記に限定されない。
　第２のフィルタ１Ｂにおいても、複数の第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差が、複数の第１の弾性波共振子１３ＡにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差よりも大きいことが好ましい。それによって、インピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、ＶＳＷＲの劣化を抑制することができる。
　全ての第１の弾性波共振子１３Ａ及び全ての第２の弾性波共振子１３Ｂのうち、最もＴＣＦの絶対値が大きい弾性波共振子が、第２の弾性波共振子１３Ｂであることが好ましい。この場合には、ＴＣＦの絶対値が最も大きい弾性波共振子の温度変化を小さくすることができ、周波数の変動を小さくすることができる。加えて、該弾性波共振子のＴＣＦの絶対値よりも、各第１の弾性波共振子１３ＡのＴＣＦの絶対値は小さい。よって、各第１の弾性波共振子１３Ａにおける、温度変化による周波数の変動も小さくすることができる。従って、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂの双方において、インピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、ＶＳＷＲの劣化を抑制することができる。
　第１の実施形態では、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂの双方はラダー型フィルタであるが、これに限定されるものではない。第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂは、直列腕共振子を必ずしも有していなくともよい。第１のフィルタ１Ａまたは第２のフィルタ１Ｂは、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタと、並列腕共振子とを有していてもよい。縦結合共振子型弾性波フィルタに並列腕共振子が接続されていてもよい。あるいは、例えば、第１のフィルタ１Ａまたは第２のフィルタ１Ｂは、縦結合共振子型弾性波フィルタと、ラダー型回路部とを有していてもよい。ラダー型回路部は、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを含む。縦結合共振子型弾性波フィルタにラダー型回路部が接続されていてもよい。
　第１の実施形態によって、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む例を示した。もっとも、本発明に係るフィルタ装置の構成はこれに限定されるものではない。第１の実施形態の構成を説明するために用いた図５を援用して、本発明に係る第２の実施形態を説明する。
　図５に示すように、第２の実施形態のフィルタ装置は、第１の実施形態と同様の第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ、支持体８Ａ、柱部材８Ｂ及び外部接続端子１１を有する。そして、第２の実施形態のフィルタ装置における回路構成は、第１の実施形態における回路構成と同様である。もっとも、第２の実施形態は、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む点において、第１の実施形態と異なる。なお、第２の実施形態においては、該直列腕共振子は、第１のフィルタの直列腕共振子である。
　第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１のフィルタの挿入損失が大きくなることを抑制することができる。もっとも、より具体的には、第１の実施形態では、通過帯域内における低域側において、挿入損失を小さくすることができる。一方で、第２の実施形態では、通過帯域内における高域側において、挿入損失を小さくすることができる。第２の実施形態における上記効果の詳細を、第２の実施形態及び第２の比較例を比較することにより、以下において示す。
　第２の比較例は、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子が、第１の圧電性基板において構成された第１の弾性波共振子である点において第２の実施形態と異なる。なお、第２の比較例においても、第２の実施形態と同様に、反共振周波数が最も低い直列腕共振子は第１のフィルタに含まれる。第２の実施形態及び第２の比較例における第１のフィルタの減衰量周波数特性を比較した。
　図１１は、第２の実施形態及び第２の比較例における第１のフィルタの減衰量周波数特性を示す図である。
　図１１に示すように、第２の実施形態においては、第２の比較例よりも、挿入損失が小さいことがわかる。これは、反共振周波数が最も低い直列腕共振子において、温度変化による周波数の変動が小さいことによる。第２の実施形態において挿入損失を小さくすることができる理由を、より詳細に説明する。
　第２の実施形態の第１のフィルタや第２のフィルタのようなラダー型フィルタにおいては、通過帯域を構成している直列腕共振子の共振周波数が通過帯域内に位置している。一方で、該直列腕共振子の反共振周波数は、通過帯域よりも高域側に位置している。なお、直列腕共振子における反共振周波数が低いほど、該反共振周波数は、ラダー型フィルタの通過帯域に近い。そのため、ラダー型フィルタの直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子の、通過帯域内の高域側におけるフィルタ特性に対する影響は、特に大きい。具体的には、該直列腕共振子の反共振周波数が大きく変化すると、フィルタの挿入損失が大きくなるおそれがある。
　これに対して、第２の実施形態においては、第１のフィルタ及び第２のフィルタの全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子が、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された第２の弾性波共振子１３Ｂである。第２の圧電性基板２Ｂには外部接続端子１１が設けられているため、第２の圧電性基板２Ｂの放熱性は高い。これにより、上記直列腕共振子の温度変化を小さくすることができる。よって、上記直列腕共振子の周波数の変動を小さくすることができる。ここで、上記直列腕共振子は、第１のフィルタに含まれる。従って、第２の実施形態に係るフィルタ装置における、第１のフィルタの挿入損失が大きくなることを抑制することができる。なお、上記直列腕共振子は、第２のフィルタに含まれていてもよい。
　フィルタ装置における全ての直列腕共振子のうち、いずれかの第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチ及びデューティ比の積の逆数が、最も小さいことが好ましい。あるいは、フィルタ装置における全ての直列腕共振子のうち、いずれかの第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が、最も小さいことが好ましい。それによって、フィルタ装置における全ての直列腕共振子のうち、第２の弾性波共振子１３Ｂである直列腕共振子の反共振周波数を、より確実に最も低くさせることができる。
　本発明では、第２の圧電性基板において構成された少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、フィルタ装置における共振周波数が最も高い並列腕共振子、及びフィルタ装置における反共振周波数が最も低い直列腕共振子のうち少なくとも一方を含んでいればよい。もっとも、複数の第２の弾性波共振子が、フィルタ装置における共振周波数が最も高い並列腕共振子、及びフィルタ装置における反共振周波数が最も低い直列腕共振子の双方を含んでいることが好ましい。それによって、フィルタの挿入損失が大きくなることをより一層抑制することができる。
　図５に示すように、第１の実施形態のフィルタ装置１０では、第１のフィルタ１Ａ及び第２のフィルタ１Ｂはそれぞれ、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂの双方を含む。第２の実施形態においても同様である。なお、フィルタ装置におけるフィルタの構成は上記に限定されない。第１の実施形態及び第２の実施形態とは異なるフィルタの構成の例を、第３の実施形態及び第４の実施形態により示す。
　図１２は、第３の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。
　本実施形態における第１のフィルタ３１Ａ及び第２のフィルタ３１Ｂの回路構成は、第１の実施形態における回路構成と同様である。もっとも、第１のフィルタ３１Ａは、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂのうち第１の弾性波共振子１３Ａのみを含む。よって、第１のフィルタ３１Ａの全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は、第１の圧電性基板２Ａにおいて構成された第１の弾性波共振子１３Ａである。第２のフィルタ３１Ｂは、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂのうち第２の弾性波共振子１３Ｂのみを含む。よって、第２のフィルタ３１Ｂの全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された第２の弾性波共振子１３Ｂである。
　なお、本実施形態のフィルタ装置３０は、第１の実施形態と同様の第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ及び支持体８Ａを有する。図１２には示していないが、フィルタ装置３０は、図５に示した柱部材８Ｂも有する。
　第２の圧電性基板２Ｂには、複数の外部接続端子１１が設けられている。これにより、第２の圧電性基板２Ｂの放熱性を高めることができる。そして、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された複数の第２の弾性波共振子が、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む。なお、本実施形態においては、共振周波数が最も高い並列腕共振子は第２のフィルタ３１Ｂに含まれている。フィルタ装置３０が上記の構成を有することにより、第２のフィルタ３１Ｂにおける該並列腕共振子の温度変化を小さくすることができる。よって、該並列腕共振子の周波数の変動を小さくすることができる。従って、フィルタ装置３０における第２のフィルタ３１Ｂの挿入損失が大きくなることを抑制できる。
　加えて、上記のように、第２のフィルタ３１Ｂの全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子が第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成されている。それによって、第２のフィルタ３１Ｂの全ての弾性波共振子の温度変化を小さくすることができる。これにより、第２のフィルタ３１Ｂの弾性波共振子同士の間のＴＣＦの差に関わらず、各弾性波共振子の周波数の変化の差を小さくすることができる。よって、第２のフィルタ３１Ｂにおけるインピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、ＶＳＷＲの劣化をより確実に抑制することができる。
　第２のフィルタ３１Ｂの複数の第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差が、第１のフィルタ３１Ａの複数の第１の弾性波共振子１３ＡにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差よりも大きいことが好ましい。この場合には、第１のフィルタ３１Ａの複数の第１の弾性波共振子１３ＡにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差が小さい。よって、第１のフィルタ３１Ａにおいても、インピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、ＶＳＷＲの劣化を抑制することができる。
　全ての第１の弾性波共振子１３Ａ及び全ての第２の弾性波共振子１３Ｂのうち、最もＴＣＦの絶対値が大きい弾性波共振子が、第２の弾性波共振子１３Ｂであることが好ましい。この場合には、ＴＣＦの絶対値が最も大きい弾性波共振子の温度変化を小さくすることができ、周波数の変動を小さくすることができる。加えて、該弾性波共振子のＴＣＦの絶対値よりも、各第１の弾性波共振子１３ＡのＴＣＦの絶対値は小さい。よって、各第１の弾性波共振子１３Ａにおける、温度変化による周波数の変動も小さくすることができる。従って、第１のフィルタ３１Ａ及び第２のフィルタ３１Ｂの双方において、インピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、ＶＳＷＲの劣化を抑制することができる。
　なお、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された複数の第２の弾性波共振子が、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含んでいてもよい。この場合においても、フィルタ装置３０における第２のフィルタ３１Ｂの挿入損失が大きくなることを抑制できる。
　図１３は、第４の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。
　本実施形態のフィルタ装置４０は、ラダー型回路部を１つのみ含む。すなわち、フィルタ装置４０は１つのラダー型フィルタである。なお、フィルタ装置４０は、第１の実施形態と同様の第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ、支持体８Ａ及び複数の柱部材８Ｂを有する。フィルタ装置４０は、第１の圧電性基板２Ａにおいて構成された全ての第１の弾性波共振子１３Ａと、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての第２の弾性波共振子１３Ｂとを含む。
　第２の圧電性基板２Ｂには、複数の外部接続端子１１が設けられている。これにより、第２の圧電性基板２Ｂの放熱性を高めることができる。そして、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された複数の第２の弾性波共振子が、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む。これにより、該並列腕共振子の温度変化を小さくすることができる。よって、該並列腕共振子の周波数の変動を小さくすることができる。従って、フィルタ装置４０の挿入損失が大きくなることを抑制できる。
　フィルタ装置４０においては、複数の第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差が、複数の第１の弾性波共振子１３ＡにおけるＴＣＦの最大値及び最小値の差よりも大きいことが好ましい。それによって、第１の実施形態における第１のフィルタ１Ａと同様に、インピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、ＶＳＷＲの劣化を抑制することができる。
　全ての第１の弾性波共振子１３Ａ及び全ての第２の弾性波共振子１３Ｂのうち、最もＴＣＦの絶対値が大きい弾性波共振子が、第２の弾性波共振子１３Ｂであることが好ましい。この場合には、ＴＣＦの絶対値が最も大きい弾性波共振子の温度変化を小さくすることができ、周波数の変動を小さくすることができる。加えて、該弾性波共振子のＴＣＦの絶対値よりも、各第１の弾性波共振子１３ＡのＴＣＦの絶対値は小さい。よって、各第１の弾性波共振子１３Ａにおける、温度変化による周波数の変動も小さくすることができる。従って、フィルタ装置４０において、インピーダンス整合をより確実に十分とすることができ、ＶＳＷＲの劣化を抑制することができる。
　なお、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含んでいてもよい。この場合においても、フィルタ装置４０の挿入損失が大きくなることを抑制できる。
　以下において、本発明に係るフィルタ装置の形態の例をまとめて記載する。
　＜１＞互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられている機能電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられている機能電極を含み、少なくとも１つが並列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、前記第２の圧電性基板に設けられている外部接続端子と、を備え、前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、該空間内に前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が位置しており、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む、フィルタ装置。
　＜２＞互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられている機能電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられている機能電極を含み、少なくとも１つが直列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、前記第２の圧電性基板に設けられている外部接続端子と、を備え、前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、該空間内に前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が位置しており、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む、フィルタ装置。
　＜３＞第１のフィルタ及び第２のフィルタを備えるフィルタ装置であって、前記第１のフィルタが、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子のうち一部の弾性波共振子を含み、前記第２のフィルタが、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子のうち残りの弾性波共振子を含む、＜１＞または＜２＞に記載のフィルタ装置。
　＜４＞複数の前記第１の弾性波共振子と、複数の前記第２の弾性波共振子と、を備え、前記第１のフィルタが、前記複数の第１の弾性波共振子及び前記複数の第２の弾性波共振子のうち前記複数の第１の弾性波共振子のみを含み、前記第２のフィルタが、前記複数の第１の弾性波共振子及び前記複数の第２の弾性波共振子のうち前記複数の第２の弾性波共振子のみを含む、＜３＞に記載のフィルタ装置。
　＜５＞複数の前記第１の弾性波共振子と、複数の前記第２の弾性波共振子と、を備え、前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタがそれぞれ、前記第１の弾性波共振子と、前記第２の弾性波共振子と、を含む、＜３＞に記載のフィルタ装置。
　＜６＞全ての前記第１の弾性波共振子及び全ての前記第２の弾性波共振子を備える、１つのフィルタである、＜１＞または＜２＞に記載のフィルタ装置。
　＜７＞前記機能電極が、互いに異なる電位に接続され、かつ互いに間挿し合っている、複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指と、を有するＩＤＴ電極である、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
　＜８＞前記外部接続端子が、前記第２の圧電性基板を貫通している貫通電極と、前記第２の圧電性基板の前記第４の主面に設けられており、かつ前記貫通電極に接続されている電極パッドと、を含む、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
１Ａ，１Ｂ…第１，第２のフィルタ
２Ａ，２Ｂ…第１，第２の圧電性基板
２ａ～２ｄ…第１～第４の主面
２ｅ…側面
３Ａ，３Ｂ…第１，第２の支持基板
４Ａ，４Ｂ…第１，第２の中間層
５Ａ，５Ｂ…第１，第２の圧電体層
６…電極パッド
７…貫通電極
８Ａ…支持体
８Ｂ…柱部材
９…バンプ
１０…フィルタ装置
１１…外部接続端子
１２Ａ…共通接続端子
１２Ｂ，１２Ｃ…第１，第２の信号端子
１３Ａ，１３Ｂ…第１，第２の弾性波共振子
１４Ａ，１４Ｂ…反射器
１５…ＩＤＴ電極
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２１…外部接続端子
２５…外部電極
２８…誘電体膜
３０…フィルタ装置
３１Ａ，３１Ｂ…第１，第２のフィルタ
４０…フィルタ装置
１０２Ａ，１０２Ｂ…第１，第２の圧電性基板
Ｐ１～Ｐ４，Ｐ１１～Ｐ１４…並列腕共振子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４～Ｓ６，Ｓ１１～Ｓ１４…直列腕共振子

Claims (8)

  1. 　互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、
    　前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられている機能電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、
    　前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、
    　前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、
    　前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられている機能電極を含み、少なくとも１つが並列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、
    　前記第２の圧電性基板に設けられている外部接続端子と、
    を備え、
    　前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、該空間内に前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が位置しており、
    　前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む、フィルタ装置。
  2. 　互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、
    　前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられている機能電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、
    　前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、
    　前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、
    　前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられている機能電極を含み、少なくとも１つが直列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、
    　前記第２の圧電性基板に設けられている外部接続端子と、
    を備え、
    　前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、該空間内に前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が位置しており、
    　前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む、フィルタ装置。
  3. 　第１のフィルタ及び第２のフィルタを備えるフィルタ装置であって、
    　前記第１のフィルタが、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子のうち一部の弾性波共振子を含み、前記第２のフィルタが、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子のうち残りの弾性波共振子を含む、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
  4. 　複数の前記第１の弾性波共振子と、
    　複数の前記第２の弾性波共振子と、
    を備え、
    　前記第１のフィルタが、前記複数の第１の弾性波共振子及び前記複数の第２の弾性波共振子のうち前記複数の第１の弾性波共振子のみを含み、
    　前記第２のフィルタが、前記複数の第１の弾性波共振子及び前記複数の第２の弾性波共振子のうち前記複数の第２の弾性波共振子のみを含む、請求項３に記載のフィルタ装置。
  5. 　複数の前記第１の弾性波共振子と、
    　複数の前記第２の弾性波共振子と、
    を備え、
    　前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタがそれぞれ、前記第１の弾性波共振子と、前記第２の弾性波共振子と、を含む、請求項３に記載のフィルタ装置。
  6. 　全ての前記第１の弾性波共振子及び全ての前記第２の弾性波共振子を備える、１つのフィルタである、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
  7. 　前記機能電極が、互いに異なる電位に接続され、かつ互いに間挿し合っている、複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指と、を有するＩＤＴ電極である、請求項１～６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  8. 　前記外部接続端子が、前記第２の圧電性基板を貫通している貫通電極と、前記第２の圧電性基板の前記第４の主面に設けられており、かつ前記貫通電極に接続されている電極パッドと、を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
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