WO2023002909A1 - 複合フィルタ装置 - Google Patents

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WO2023002909A1
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band
passband
resonators
frequency
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Inventor
真之 石瀧
潤平 安田
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a composite filter device.
  • Patent Document 1 discloses an example of a composite filter device having a transmission filter and a reception filter.
  • the transmit filter and receive filter are commonly connected to the antenna terminal.
  • the transmit filter is a ladder - type filter with a piezoelectric substrate made of LiNbO3.
  • a series arm resonator is arranged closest to the antenna terminal side of the transmission filter.
  • the passband of the transmission filter is located on the lower frequency side than the passband of the reception filter.
  • a higher-order mode generated in one filter may be located within the passband of the other filter. In this case, loss occurs due to the reflection characteristics of higher-order modes, and the insertion loss in the other filter may increase. Furthermore, in the composite filter device described in Patent Document 1, the attenuation near the passband of the filter could not be sufficiently increased.
  • An object of the present invention is to provide a composite filter device that can reduce the insertion loss in a band-pass filter and increase the attenuation near the passband.
  • the composite filter device has a lithium niobate substrate and a plurality of resonators formed on the lithium niobate substrate, and is configured to be able to use Rayleigh waves.
  • the composite filter device has a piezoelectric substrate and a plurality of resonators formed on the piezoelectric substrate, and is configured to be able to use SH waves, and a first a first bandpass filter having a passband of, a second bandpass filter having a second passband positioned higher than the first passband, and the first band A common connection terminal to which the pass filter and the second band-pass filter are commonly connected is provided, and the piezoelectric substrate is provided on the high acoustic velocity material layer and the high acoustic velocity material layer.
  • a bulk wave propagating through the high acoustic velocity material layer has a higher acoustic velocity than an acoustic wave propagating through the piezoelectric layer
  • the plurality of resonances of the first band-pass filter includes a longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter and a resonator other than the longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter
  • the longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter is the most common connection terminal among the plurality of resonators.
  • the second pass band is f1L ⁇ 1.26 to f1H x 1.34, f1L x 1.40 to f1H x 1.45, f1L x 1.47 to f1H x 1.51, f1L x 1.87 to f1H x 1.88, or f1L x Includes any frequency within the range of 2.20 to f1H ⁇ 2.37.
  • the composite filter device of the present invention it is possible to reduce the insertion loss in the band-pass filter and increase the attenuation near the passband.
  • FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a composite filter device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view of a first band-pass filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view of a series trap in the first embodiment of the invention.
  • FIG. 4 is a plan view of the first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first band-pass filter, the first comparative example, and the second comparative example according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing reflection characteristics of a first comparative example and a second comparative example.
  • FIG. 7 is a schematic front cross-sectional view of a first band-pass filter of a composite filter device according to a second embodiment of the invention.
  • FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a composite filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • the composite filter device 10 has a first band-pass filter 1A, a second band-pass filter 1B, and a common connection terminal 3.
  • the first band-pass filter 1A and the second band-pass filter 1B are commonly connected to the common connection terminal 3 .
  • the common connection terminal 3 is an antenna terminal.
  • An antenna terminal is connected to the antenna.
  • Composite filter device 10 is a duplexer. More specifically, the first bandpass filter 1A is a transmission filter, and the second bandpass filter 1B is a reception filter. However, the first band-pass filter 1A and the second band-pass filter 1B may each be a transmission filter or a reception filter.
  • the first bandpass filter 1A has a first passband F1.
  • the frequency at the end on the low side of the first passband F1 is f1L, and the frequency at the end on the high side is f1H.
  • f1L and f1H are the lower limit frequency and upper limit frequency of the frequency band determined by the communication standard.
  • the second bandpass filter 1B has a second passband F2.
  • the frequency of the lower end of the second passband F2 is f2L, and the frequency of the upper end is f2H.
  • the first passband F1 is positioned lower than the second passband F2. More specifically, f1H ⁇ f2L.
  • the second passband F2 includes any frequency within the range of f1L ⁇ 1.2 to f1H ⁇ 1.4.
  • a to B indicates A or more and B or less.
  • the first band-pass filter 1A has a plurality of resonators and a signal terminal 4.
  • the signal terminals 4 and the common connection terminals 3 may be configured as electrode pads or may be configured as wiring.
  • the plurality of resonators are a first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9A, a second longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9B, a series trap S1, and a parallel trap P1.
  • a first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9A and a second longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9B are connected in parallel between the common connection terminal 3 and the signal terminal 4 .
  • a series trap S1 is connected between the signal terminal 4 and the first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9A and the second longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9B.
  • a parallel trap P1 is connected between the connection point between the series trap S1 and the signal terminal 4 and the ground potential.
  • the first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9A and the second longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9B are closest to the common connection terminal 3 side.
  • the series trap S1 and the parallel trap P1 are configured as a one-stage ladder circuit. This ladder circuit is connected to the first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9A and the second longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9B.
  • the circuit configuration of the first band-pass filter 1A is not limited to the above.
  • the first band-pass filter 1A may have at least one longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter and at least one resonator other than the longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter.
  • a multi-stage ladder circuit may be connected to the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • one resonator may be connected to the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • At least one longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter should be arranged closest to the common connection terminal 3 among the plurality of resonators of the first band-pass filter 1A.
  • the circuit configuration of the second bandpass filter 1B is not particularly limited.
  • FIG. 2 is a schematic front sectional view of the first band-pass filter in the first embodiment.
  • the electrode portion of each resonator is shown by a schematic diagram of a rectangle with two diagonal lines added.
  • each resonator is schematically shown as being positioned on the same line.
  • the arrangement of each resonator is not particularly limited. The same applies to schematic front cross-sectional views other than FIG.
  • the piezoelectric substrate 2 is a piezoelectric substrate consisting of only a piezoelectric layer.
  • a lithium niobate substrate is used for the piezoelectric substrate 2 .
  • LiNbO 3 is used for the piezoelectric substrate 2 .
  • the material of the piezoelectric substrate 2 is not limited to the above. For example, lithium tantalate, zinc oxide, aluminum nitride, crystal, or PZT (lead zirconate titanate) can be used.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a laminated substrate including piezoelectric layers.
  • the piezoelectric substrate 2 is preferably a lithium niobate substrate.
  • Each resonator of the first band-pass filter 1A has an IDT electrode. Elastic waves are excited by applying an AC voltage to the IDT electrodes. In this embodiment, Rayleigh waves are used as the main mode. That is, in this embodiment, the Rayleigh wave can be used as the main mode.
  • the piezoelectric substrate is a lithium niobate substrate with a cut angle of 110° or more and 140° or less, it is assumed that the elastic wave device utilizes Rayleigh waves.
  • Sezawa waves which are higher-order modes of Rayleigh waves, are generated within the range of f1L ⁇ 1.2 to f1H ⁇ 1.4.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configurations 1) to 3).
  • the piezoelectric substrate 2 is a lithium niobate substrate and utilizes Rayleigh waves.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is arranged closest to the common connection terminal 3 among the plurality of resonators.
  • the second passband F2 includes any frequency within the range f1L ⁇ 1.2 to f1H ⁇ 1.4.
  • the Sezawa wave can be suppressed in the first band-pass filter 1A. Therefore, even if the second passband F2 includes any frequency within the range of f1L ⁇ 1.2 to f1H ⁇ 1.4, the insertion loss of the second bandpass filter 1B can be reduced. can be done.
  • the attenuation of the first bandpass filter 1A can be increased near the first passband F1.
  • FIG. 3 is a plan view of the serial trap in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view of the first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter in the first embodiment. In FIGS. 3 and 4, the wiring connected to the resonator is omitted.
  • the series trap S1 has an IDT electrode 5.
  • the IDT electrodes 5 are provided on the piezoelectric substrate 2 .
  • a pair of reflectors 6A and 6B are provided on both sides of the IDT electrode 5 on the piezoelectric substrate 2 in the elastic wave propagation direction.
  • the series trap S1 is an acoustic wave resonator.
  • the IDT electrode 5 has a first busbar 16 and a second busbar 17 and a plurality of first electrode fingers 18 and a plurality of second electrode fingers 19 .
  • the first busbar 16 and the second busbar 17 face each other.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 18 is connected to the first bus bar 16 .
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 19 is connected to the second bus bar 17 .
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 are interleaved with each other.
  • Parallel trap P1 shown in FIG. 1 similarly has an IDT electrode and a pair of reflectors.
  • the first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9A has a first IDT electrode 7A, a second IDT electrode 7B and a third IDT electrode 7C.
  • the IDT electrodes are provided on the piezoelectric substrate 2 .
  • the IDT electrodes are arranged in the elastic wave propagation direction.
  • a pair of reflectors 8A and 8B are provided on both sides of each IDT electrode on the piezoelectric substrate 2 in the elastic wave propagation direction. More specifically, a pair of reflectors 8A and 8B are arranged so as to sandwich the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B and the third IDT electrode 7C in the elastic wave propagation direction. ing.
  • the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 9B shown in FIG. 1 also has first to third IDT electrodes and a pair of reflectors.
  • the first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9A and the second longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9B are not limited to the 3-IDT type, and may be, for example, a 5-IDT type or a 7-IDT type.
  • each IDT electrode and each reflector of the series trap S1, the parallel trap P1, the first longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9A, and the second longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter 9B is a Pt film. and a laminated metal film of an AlCu film laminated on a Pt film.
  • the phrase "a certain member is made of a certain material” includes the case where a minute amount of impurity is contained to such an extent that the electrical characteristics of the elastic wave device are not deteriorated.
  • the ratio of the Pt film thickness to the electrode finger pitch is more than 0.25% and 4.25% or less.
  • the electrode finger pitch is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers.
  • the ratio of the material and thickness of each IDT electrode and each reflector to the electrode finger pitch is not limited to the above.
  • the first comparative example is a band-pass filter composed only of longitudinally coupled resonator-type elastic wave filters.
  • the band-pass filter of the second comparative example is a ladder filter.
  • FIG. 5 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first band-pass filter in the first embodiment, the first comparative example, and the second comparative example.
  • a band W in FIG. 5 indicates a pass band.
  • the attenuation near the passband is small in the first comparative example.
  • the attenuation near the passband is greater than in the first comparative example.
  • the attenuation can be made larger than in the second comparative example in a wide range near the passband.
  • the attenuation can be increased in the vicinity of 2250 to 2400 MHz. This is because in the first embodiment, the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is connected to at least one of the series trap S1 and the parallel trap P1.
  • FIG. 6 is a diagram showing reflection characteristics of a first comparative example and a second comparative example.
  • the high-order mode there are spikes that indicate spurious. As mentioned above, this higher order mode is the Sezawa wave.
  • the spike peak is -1.44 dB.
  • the spike peak is -0.88 dB.
  • the spike peak is equivalent to that in the first comparative example. Therefore, in the first embodiment, the spike peak is about -0.88 dB. Therefore, in the first embodiment, the high-order mode can be suppressed by about -0.56 dB as compared with the second comparative example.
  • the second passband F2 of the second bandpass filter 1B includes any frequency within the range of f1L ⁇ 1.2 to f1H ⁇ 1.4. Further, since high-order mode spurious generated at f1L ⁇ 1.2 to f1H ⁇ 1.4 of the first band-pass filter 1A can be suppressed, the insertion loss in the second band-pass filter 1B can be reduced. .
  • the first band-pass filter 1A it is preferable that a ladder-type circuit is connected to the longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter. As a result, the amount of attenuation outside the first passband F1 can be effectively increased.
  • FIG. 7 is a schematic front cross-sectional view of the first band-pass filter of the composite filter device according to the second embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the piezoelectric substrate 22 is a laminated substrate. Except for the above points, the composite filter device of this embodiment has the same configuration as the composite filter device 10 of the first embodiment.
  • the piezoelectric substrate 22 includes a support substrate 23 , a high acoustic velocity film 24 as a high acoustic velocity material layer, a low acoustic velocity film 25 , and a piezoelectric layer 26 .
  • a high acoustic velocity film 24 is provided on the support substrate 23 .
  • a low acoustic velocity film 25 is provided on the high acoustic velocity film 24 .
  • a piezoelectric layer 26 is provided on the low-frequency film 25 .
  • IDT electrodes and reflectors of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 29A, the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 29B, the series trap S21 and the parallel trap P21 are provided on the piezoelectric layer 26. It is
  • the low sound velocity film 25 is a relatively low sound velocity film. More specifically, the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the low velocity film 25 is lower than the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 26 .
  • the high acoustic velocity material layer is a relatively high acoustic velocity layer. The acoustic velocity of bulk waves propagating through the high acoustic velocity material layer is higher than the acoustic velocity of elastic waves propagating through the piezoelectric layer 26 .
  • SH waves are used as the main mode. That is, in this embodiment, SH waves can be used as the main mode.
  • SH waves can be used as the main mode.
  • the piezoelectric layer is made of lithium tantalate with a cut angle of 30° or more and 60° or less.
  • SH waves can be used.
  • spurious emissions occur within the following frequency range. f1L ⁇ 1.26 to f1H ⁇ 1.34, f1L ⁇ 1.40 to f1H ⁇ 1.45, f1L ⁇ 1.47 to f1H ⁇ 1.51, f1L ⁇ 1.87 to f1H ⁇ 1.88, and f1L ⁇ 2.20 to f1H ⁇ 2.37.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configurations 4) to 6).
  • the piezoelectric substrate 22 includes a high acoustic velocity film 24 as a high acoustic velocity material layer and a piezoelectric layer 26 provided on the high acoustic velocity film 24, and uses SH waves.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is arranged closest to the common connection terminal 3 among the plurality of resonators.
  • the first band-pass filter 21A has the piezoelectric substrate 22 having the configuration of 4
  • spurious emissions occur as in the first embodiment.
  • the configuration of 5) is the same as the configuration of 2) of the first embodiment. Thereby, spurious can be suppressed in the first band-pass filter 21A. Therefore, even if the second passband includes any frequency within the above range, the insertion loss of the second bandpass filter can be reduced. Furthermore, the attenuation of the first bandpass filter 21A can be increased in the vicinity of the first passband.
  • the layer configuration of the piezoelectric substrate 22 in this embodiment is as follows.
  • Piezoelectric layer 26 material: LiTaO 3 , cut angle: 30° to 55°, thickness: 400 nm to 600 nm Low sound velocity film 25; material: SiO 2 , thickness: 300 nm to 735 nm High acoustic velocity film 24; material: SiN, thickness: 200 nm to 900 nm Support substrate 23; material: Si, plane orientation: (100) or (111)
  • the cut angle and material of the piezoelectric layer 26 are not limited to those described above.
  • the material of the low-temperature film 25 for example, glass, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum pentoxide, or a material whose main component is a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide can also be used.
  • Materials for the high-sonic material layer include, for example, silicon, aluminum oxide, silicon carbide, silicon oxynitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite,
  • a medium containing the above materials as a main component such as a DLC (diamond-like carbon) film or diamond, can also be used.
  • the material and surface orientation of the support substrate 23 are not limited to the above.
  • Materials for the support substrate 23 include, for example, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, and resins can also be used.
  • a high acoustic velocity film 24 as a high acoustic velocity material layer, a low acoustic velocity film 25, and a piezoelectric layer 26 are laminated in this order. Thereby, the elastic wave can be effectively confined on the piezoelectric layer 26 side.
  • the piezoelectric layer 26 is indirectly provided on the high acoustic velocity film 24 as the high acoustic velocity material layer via the low acoustic velocity film 25 .
  • the piezoelectric layer 26 may be provided directly on the high acoustic velocity material layer.
  • the piezoelectric substrate may be a laminate of a support substrate, a high acoustic velocity film, and a piezoelectric layer.
  • the high acoustic velocity material layer may be a high acoustic velocity support substrate.
  • the piezoelectric substrate may be a laminate of a high acoustic velocity support substrate, a low acoustic velocity film and a piezoelectric layer, or may be a laminate of a high acoustic velocity support substrate and a piezoelectric layer.
  • spurious emissions in the first band-pass filter can be suppressed, insertion loss in the second band-pass filter can be reduced, and The attenuation of the first band-pass filter in the vicinity of one passband can be increased. Furthermore, the elastic wave energy can be effectively confined on the piezoelectric layer side.
  • the composite filter device is a duplexer.
  • the composite filter device according to the present invention may be a multiplexer or the like including a first band-pass filter and a second band-pass filter.
  • first and second band-pass filters 2... piezoelectric substrate 3... common connection terminal 4... signal terminal 5... IDT electrodes 6A, 6B... reflectors 7A to 7C... first to third IDT electrodes 8A, 8B... Reflectors 9A, 9B... First and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filters 10... Composite filter devices 16, 17... First and second bus bars 18, 19... First and second Electrode fingers 21A First band-pass filter 22 Piezoelectric substrate 23 Support substrate 24 High acoustic velocity film 25 Low acoustic velocity film 26 Piezoelectric layers 29A, 29B First and second longitudinally coupled resonator types Elastic wave filters P1, P21... Parallel traps S1, S21... Series traps

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Abstract

帯域通過型フィルタにおける挿入損失を小さくすることができ、かつ通過帯域近傍の減衰量を大きくすることができる、複合フィルタ装置を提供する。　複合フィルタ装置１０は、圧電性基板２（ニオブ酸リチウム基板）と、圧電性基板２において構成されている複数の共振子とを有し、レイリー波を利用可能に構成されており、第１の通過帯域を有する第１の帯域通過型フィルタ１Ａと、第２の通過帯域を有する第２の帯域通過型フィルタ１Ｂと、共通接続端子３とを備える。第１の帯域通過型フィルタ１Ａは、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ，９Ｂと、縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の共振子とを含む。第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ，９Ｂは複数の共振子のうち最も共通接続端子３側に配置されている。第１の通過帯域の低域側の端部の周波数をｆ１Ｌ、高域側の端部の周波数をｆ１Ｈとしたときに、前記第２の通過帯域が、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内のいずれかの周波数を含む。

Description

複合フィルタ装置
　本発明は、複合フィルタ装置に関する。
　従来、複数の弾性波共振子を有する複合フィルタ装置が広く用いられている。下記の特許文献１には、送信フィルタ及び受信フィルタを有する複合フィルタ装置の一例が開示されている。送信フィルタ及び受信フィルタはアンテナ端子に共通接続されている。送信フィルタは、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を有するラダー型フィルタである。送信フィルタの最もアンテナ端子側には、直列腕共振子が配置されている。送信フィルタの通過帯域は、受信フィルタの通過帯域よりも低域側に位置している。
特開２０１５－１１１８４５号公報
　特許文献１に記載のような複合フィルタ装置では、一方のフィルタにおいて生じる高次モードが他方のフィルタの通過帯域内に位置することがある。この場合には、高次モードの反射特性による損失が生じ、上記他方のフィルタにおける挿入損失が大きくなるおそれがある。さらに、特許文献１に記載の複合フィルタ装置では、フィルタの通過帯域近傍の減衰量を十分に大きくすることはできなかった。
　本発明の目的は、帯域通過型フィルタにおける挿入損失を小さくすることができ、かつ通過帯域近傍の減衰量を大きくすることができる、複合フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係る複合フィルタ装置のある広い局面では、ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板において構成されている複数の共振子とを有し、レイリー波を利用可能に構成されており、第１の通過帯域を有する第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の通過帯域よりも高域側に位置する第２の通過帯域を有する、第２の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタ及び前記第２の帯域通過型フィルタが共通接続されている共通接続端子とが備えられており、前記第１の帯域通過型フィルタの前記複数の共振子が縦結合共振子型弾性波フィルタと、縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の共振子とを含み、前記縦結合共振子型弾性波フィルタが前記複数の共振子のうち最も前記共通接続端子側に配置されており、前記第１の通過帯域の低域側の端部の周波数をｆ１Ｌ、高域側の端部の周波数をｆ１Ｈとしたときに、前記第２の通過帯域が、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内のいずれかの周波数を含む。
　本発明に係る複合フィルタ装置の他の広い局面では、圧電性基板と、前記圧電性基板において構成されている複数の共振子とを有し、ＳＨ波を利用可能に構成されており、第１の通過帯域を有する第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の通過帯域よりも高域側に位置する第２の通過帯域を有する、第２の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタ及び前記第２の帯域通過型フィルタが共通接続されている共通接続端子とが備えられており、前記圧電性基板が、高音速材料層と、前記高音速材料層上に設けられている圧電体層とを含み、前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、前記第１の帯域通過型フィルタの前記複数の共振子が縦結合共振子型弾性波フィルタと、縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の共振子とを含み、前記縦結合共振子型弾性波フィルタが前記複数の共振子のうち最も前記共通接続端子側に配置されており、前記第１の通過帯域の低域側の端部の周波数をｆ１Ｌ、高域側の端部の周波数をｆ１Ｈとしたときに、前記第２の通過帯域が、ｆ１Ｌ×１．２６～ｆ１Ｈ×１．３４、ｆ１Ｌ×１．４０～ｆ１Ｈ×１．４５、ｆ１Ｌ×１．４７～ｆ１Ｈ×１．５１、ｆ１Ｌ×１．８７～ｆ１Ｈ×１．８８、または、ｆ１Ｌ×２．２０～ｆ１Ｈ×２．３７の範囲内のいずれかの周波数を含む。
　本発明に係る複合フィルタ装置によれば、帯域通過型フィルタにおける挿入損失を小さくすることができ、かつ通過帯域近傍の減衰量を大きくすることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る複合フィルタ装置の模式的回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの略図的正面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における直列トラップの平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ、第１の比較例及び第２の比較例の減衰量周波数特性を示す図である。 図６は、第１の比較例及び第２の比較例の反射特性を示す図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る複合フィルタ装置の第１の帯域通過型フィルタの略図的正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る複合フィルタ装置の模式的回路図である。
　複合フィルタ装置１０は第１の帯域通過型フィルタ１Ａと、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂと、共通接続端子３とを有する。第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは、共通接続端子３に共通接続されている。本実施形態では、共通接続端子３はアンテナ端子である。アンテナ端子はアンテナに接続される。複合フィルタ装置１０はデュプレクサである。より具体的には、第１の帯域通過型フィルタ１Ａは送信フィルタであり、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは受信フィルタである。もっとも、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂはそれぞれ、送信フィルタであってもよく、受信フィルタであってもよい。
　第１の帯域通過型フィルタ１Ａは第１の通過帯域Ｆ１を有する。第１の通過帯域Ｆ１の低域側の端部の周波数はｆ１Ｌであり、高域側の端部の周波数はｆ１Ｈである。ｆ１Ｌ及びｆ１Ｈは通信規格により定まる、周波数帯域の下限周波数及び上限周波数である。第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは第２の通過帯域Ｆ２を有する。第２の通過帯域Ｆ２の低域側の端部の周波数はｆ２Ｌであり、高域側の端部の周波数はｆ２Ｈである。第１の通過帯域Ｆ１は第２の通過帯域Ｆ２よりも低域側に位置する。より具体的には、ｆ１Ｈ＜ｆ２Ｌである。さらに、本実施形態では、第２の通過帯域Ｆ２は、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内のいずれかの周波数を含む。すなわち、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲の帯域の少なくとも一部と、ｆ２Ｌ以上、ｆ２Ｈ以下の帯域の少なくとも一部とが重なる。なお、本明細書において、例えばＡ～Ｂと記載した場合、Ａ以上、Ｂ以下であることを示す。
　第１の帯域通過型フィルタ１Ａは、複数の共振子と、信号端子４とを有する。信号端子４及び上記共通接続端子３は、電極パッドとして構成されていてもよく、配線として構成されていてもよい。複数の共振子は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂ、直列トラップＳ１並びに並列トラップＰ１である。
　共通接続端子３と信号端子４との間に、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂが互いに並列に接続されている。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂと、信号端子４との間に、直列トラップＳ１が接続されている。直列トラップＳ１及び信号端子４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列トラップＰ１が接続されている。第１の帯域通過型フィルタ１Ａの複数の共振子のうち、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂが、最も共通接続端子３側に配置された共振子である。一方で、直列トラップＳ１及び並列トラップＰ１は、１段のラダー型回路として構成されている。このラダー型回路が、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂに接続されている。
　なお、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの回路構成は上記に限定されない。第１の帯域通過型フィルタ１Ａは、少なくとも１つの縦結合共振子型弾性波フィルタと、縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の少なくとも１つの共振子とを有していればよい。例えば、複数段のラダー型回路が、縦結合共振子型弾性波フィルタに接続されていてもよい。あるいは、１つの共振子が縦結合共振子型弾性波フィルタに接続されていてもよい。少なくとも１つの縦結合共振子型弾性波フィルタが、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの複数の共振子のうち最も共通接続端子３側に配置されていればよい。他方、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの回路構成は特に限定されない。
　図２は、第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの略図的正面断面図である。図２においては、各共振子の電極部分を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。図２では、模式的に、各共振子が同一線上に位置しているものとして示している。もっとも、各共振子の配置は特に限定されない。図２以外の略図的正面断面図においても同様である。
　図２に示すように、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂ、直列トラップＳ１及び並列トラップＰ１は、同じ圧電性基板２を共有している。圧電性基板２は圧電体層のみからなる圧電基板である。圧電性基板２にはニオブ酸リチウム基板が用いられている。より具体的には、圧電性基板２にはＬｉＮｂＯ３が用いられている。もっとも、圧電性基板２の材料は上記に限定されず、例えば、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることもできる。さらに、圧電性基板２は、圧電体層を含む積層基板であってもよい。もっとも、本実施形態のように、圧電性基板２が圧電体層のみからなる場合には、圧電性基板２はニオブ酸リチウム基板であることが好ましい。
　第１の帯域通過型フィルタ１Ａの各共振子はそれぞれ、ＩＤＴ電極を有する。ＩＤＴ電極に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。本実施形態では、メインモードとしてレイリー波を利用している。すなわち本実施形態では、メインモードとしてレイリー波を利用可能に構成されている。なお、本明細書においては、圧電性基板が、カット角１１０°以上、１４０°以下のニオブ酸リチウム基板である場合に、レイリー波を利用している弾性波装置であるものとする。第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおいては、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内において、レイリー波の高次モードであるセザワ波が生じる。
　本実施形態の特徴は、以下の１）～３）の構成を有することにある。１）圧電性基板２がニオブ酸リチウム基板であり、レイリー波を利用していること。２）縦結合共振子型弾性波フィルタが複数の共振子のうち最も共通接続端子３側に配置されていること。３）第２の通過帯域Ｆ２が、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内のいずれかの周波数を含むこと。上記２）の構成により、第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおいてセザワ波を抑制することができる。よって、第２の通過帯域Ｆ２が、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内のいずれかの周波数を含んでいても、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの挿入損失を小さくすることができる。さらに、第１の通過帯域Ｆ１付近における、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの減衰量を大きくすることができる。これらの詳細を、本実施形態の具体的な構成と共に、以下において説明する。
　図３は、第１の実施形態における直列トラップの平面図である。図４は、第１の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの平面図である。図３及び図４においては、共振子に接続された配線を省略している。
　図３に示すように、直列トラップＳ１はＩＤＴ電極５を有する。ＩＤＴ電極５は圧電性基板２上に設けられている。圧電性基板２上におけるＩＤＴ電極５の弾性波伝搬方向両側に、１対の反射器６Ａ及び反射器６Ｂが設けられている。このように、直列トラップＳ１は弾性波共振子である。
　ＩＤＴ電極５は、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７と、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９とを有する。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。第１のバスバー１６に、複数の第１の電極指１８の一端がそれぞれ接続されている。第２のバスバー１７に、複数の第２の電極指１９の一端がそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。図１に示す並列トラップＰ１も同様に、ＩＤＴ電極及び１対の反射器を有する。
　図４に示すように、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａは、第１のＩＤＴ電極７Ａ、第２のＩＤＴ電極７Ｂ及び第３のＩＤＴ電極７Ｃを有する。圧電性基板２上に、上記各ＩＤＴ電極が設けられている。上記各ＩＤＴ電極は、弾性波伝搬方向において並んでいる。さらに、圧電性基板２上における上記各ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に、１対の反射器８Ａ及び反射器８Ｂが設けられている。より具体的には、１対の反射器８Ａ及び反射器８Ｂは、弾性波伝搬方向において、第１のＩＤＴ電極７Ａ、第２のＩＤＴ電極７Ｂ及び第３のＩＤＴ電極７Ｃを挟むように配置されている。図１に示す第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂも同様に、第１～第３のＩＤＴ電極及び１対の反射器を有する。なお、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂは３ＩＤＴ型に限定されず、例えば、５ＩＤＴ型や７ＩＤＴ型などであってもよい。
　本実施形態においては、直列トラップＳ１、並列トラップＰ１、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ９Ｂの各ＩＤＴ電極及び各反射器はＰｔ膜と、Ｐｔ膜上に積層したＡｌＣｕ膜の積層金属膜からなる。なお、本明細書においては、ある部材がある材料からなるとは、弾性波装置の電気的特性が劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。各ＩＤＴ電極において、Ｐｔ膜の厚みの電極指ピッチに対する割合いは、０．２５％超、４．２５％以下である。電極指ピッチとは、隣り合う電極指同士の中心間距離である。もっとも、各ＩＤＴ電極及び各反射器の材料及び厚みの電極指ピッチに対する割合いは上記に限定されない。
　以下において、第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ１Ａと、第１の比較例及び第２の比較例とを比較することにより、第１の実施形態の効果の詳細を説明する。なお、第１の比較例は、縦結合共振子型弾性波フィルタのみにより構成された帯域通過型フィルタである。第２の比較例の帯域通過型フィルタはラダー型フィルタである。
　図５は、第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ、第１の比較例及び第２の比較例の減衰量周波数特性を示す図である。なお、図５中の帯域Ｗは通過帯域を示す。図５に示す例においては、各帯域通過型フィルタの通過帯域は２１１０～２２００ＭＨｚである。すなわち、ｆ１Ｌ＝２１１０ＭＨｚであり、ｆ１Ｈ＝２２００ＭＨｚである。
　図５に示すように、第１の比較例では、通過帯域近傍の減衰量が小さくなっていることがわかる。第２の比較例では、通過帯域近傍における減衰量は、第１の比較例よりも大きい。これに対して、さらに第１の実施形態では、通過帯域近傍の広い範囲において、第２の比較例よりも減衰量を大きくすることができている。具体的には、第１の実施形態では、例えば、２２５０～２４００ＭＨｚ付近において、減衰量を大きくすることができている。これは、第１の実施形態においては、縦結合共振子型弾性波フィルタと、直列トラップＳ１及び並列トラップＰ１のうち少なくとも一方とが接続されていることによる。
　図６は、第１の比較例及び第２の比較例の反射特性を示す図である。
　図６中の矢印Ａ１及び矢印Ａ２により示すように、第１の比較例及び第２の比較例の反射特性においては、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内に、高次モードスプリアスを示すスパイクが生じている。上記のように、この高次モードはセザワ波である。ラダー型フィルタである第２の比較例において、スパイクのピークは－１．４４ｄＢとなっている。縦結合共振子型弾性波フィルタである第１の比較例においては、スパイクのピークは－０．８８ｄＢとなっている。なお、第１の実施形態においては、スパイクのピークが第１の比較例と同等となることがわかっている。そのため、第１の実施形態では、スパイクのピークは－０．８８ｄＢ程度である。従って、第１の実施形態においては、第２の比較例よりも、高次モードを－０．５６ｄＢ程度抑制することができる。
　以上より、第１の実施形態の第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおいては、高次モードスプリアスを抑制することができ、かつ第１の通過帯域Ｆ１近傍の減衰量を大きくできることがわかる。なお、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの第２の通過帯域Ｆ２は、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内のいずれかの周波数を含む。そして、第１の帯域通過型フィルタ１Ａのｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４において生じる高次モードスプリアスを抑制できるため、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂにおける挿入損失を小さくすることができる。
　本実施形態のように、第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおいて、縦結合共振子型弾性波フィルタに、ラダー型回路が接続されていることが好ましい。それによって、第１の通過帯域Ｆ１外の減衰量を効果的に大きくすることができる。
　図７は、第２の実施形態に係る複合フィルタ装置の第１の帯域通過型フィルタの略図的正面断面図である。
　本実施形態は、圧電性基板２２が積層基板である点において第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の複合フィルタ装置は第１の実施形態の複合フィルタ装置１０と同様の構成を有する。
　圧電性基板２２は、支持基板２３と、高音速材料層としての高音速膜２４と、低音速膜２５と、圧電体層２６とを含む。支持基板２３上に高音速膜２４が設けられている。高音速膜２４上に低音速膜２５が設けられている。低音速膜２５上に圧電体層２６が設けられている。圧電体層２６上に、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９Ａ、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２９Ｂ、直列トラップＳ２１及び並列トラップＰ２１の各ＩＤＴ電極及び各反射器が設けられている。
　低音速膜２５は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜２５を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層２６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。他方、高音速材料層は相対的に高音速な層である。高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層２６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。
　本実施形態においては、メインモードとしてＳＨ波を利用している。すなわち本実施形態では、メインモードとしてＳＨ波を利用可能に構成されている。なお、本明細書においては、圧電体層が、カット角３０°以上、６０°以下のタンタル酸リチウムからなる場合に、ＳＨ波を利用可能に構成されているものとする。第１の帯域通過型フィルタ２１Ａでは、以下の周波数の範囲内においてスプリアスが生じる。ｆ１Ｌ×１．２６～ｆ１Ｈ×１．３４、ｆ１Ｌ×１．４０～ｆ１Ｈ×１．４５、ｆ１Ｌ×１．４７～ｆ１Ｈ×１．５１、ｆ１Ｌ×１．８７～ｆ１Ｈ×１．８８、及び、ｆ１Ｌ×２．２０～ｆ１Ｈ×２．３７。
　本実施形態の特徴は、以下の４）～６）の構成を有することにある。４）圧電性基板２２が高音速材料層としての高音速膜２４と、高音速膜２４上に設けられている圧電体層２６とを含み、ＳＨ波を利用していること。５）縦結合共振子型弾性波フィルタが複数の共振子のうち最も共通接続端子３側に配置されていること。６）第２の通過帯域が、ｆ１Ｌ×１．２６～ｆ１Ｈ×１．３４、ｆ１Ｌ×１．４０～ｆ１Ｈ×１．４５、ｆ１Ｌ×１．４７～ｆ１Ｈ×１．５１、ｆ１Ｌ×１．８７～ｆ１Ｈ×１．８８、または、ｆ１Ｌ×２．２０～ｆ１Ｈ×２．３７の範囲内のいずれかの周波数を含むこと。
　第１の帯域通過型フィルタ２１Ａが、４）の構成の圧電性基板２２を有する場合にも、第１の実施形態と同様、スプリアスが生じる。５）の構成は、第１の実施形態の上記２）の構成と同様である。これにより、第１の帯域通過型フィルタ２１Ａにおいてスプリアスを抑制することができる。よって、第２の通過帯域が、上記の範囲内のいずれかの周波数を含んでいても、第２の帯域通過型フィルタの挿入損失を小さくすることができる。さらに、第１の通過帯域近傍における、第１の帯域通過型フィルタ２１Ａの減衰量を大きくすることができる。
　本実施形態における圧電性基板２２の層構成は、以下の通りである。
　圧電体層２６；材料…ＬｉＴａＯ３、カット角…３０°～５５°、厚み…４００ｎｍ～６００ｎｍ
　低音速膜２５；材料…ＳｉＯ２、厚み…３００ｎｍ～７３５ｎｍ
　高音速膜２４；材料…ＳｉＮ、厚み…２００ｎｍ～９００ｎｍ
　支持基板２３；材料…Ｓｉ、面方位…（１００）または（１１１）
　なお、圧電体層２６のカット角及び材料は上記に限定されない。圧電体層２６の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることもできる。
　低音速膜２５の材料としては、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることもできる。
　高音速材料層の材料としては、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることもできる。
　支持基板２３の材料及び面方位は上記に限定されない。支持基板２３の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることもできる。
　圧電性基板２２においては、高音速材料層としての高音速膜２４、低音速膜２５及び圧電体層２６がこの順序において積層されている。それによって、圧電体層２６側に弾性波を効果的に閉じ込めることができる。
　本実施形態では、圧電体層２６は、高音速材料層としての高音速膜２４上に、低音速膜２５を介して間接的に設けられている。もっとも、圧電体層２６は、高音速材料層上に直接的に設けられていてもよい。
　例えば、圧電性基板は、支持基板、高音速膜及び圧電体層の積層体であってもよい。あるいは、高音速材料層は高音速支持基板であってもよい。この場合、例えば、圧電性基板は、高音速支持基板、低音速膜及び圧電体層の積層体であってもよく、高音速支持基板及び圧電体層の積層体であってもよい。これらの場合においても、第２の実施形態と同様に、第１の帯域通過型フィルタのスプリアスを抑制することができ、第２の帯域通過型フィルタにおける挿入損失を小さくすることができ、かつ第１の通過帯域近傍における、第１の帯域通過型フィルタの減衰量を大きくすることができる。さらに、弾性波のエネルギーを圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。
　第１の実施形態及び第２の実施形態においては、複合フィルタ装置はデュプレクサである。もっとも、これに限定されず、本発明に係る複合フィルタ装置は、第１の帯域通過型フィルタ及び第２の帯域通過型フィルタを含むマルチプレクサなどであってもよい。
１Ａ，１Ｂ…第１，第２の帯域通過型フィルタ
２…圧電性基板
３…共通接続端子
４…信号端子
５…ＩＤＴ電極
６Ａ，６Ｂ…反射器
７Ａ～７Ｃ…第１～第３のＩＤＴ電極
８Ａ，８Ｂ…反射器
９Ａ，９Ｂ…第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ
１０…複合フィルタ装置
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２１Ａ…第１の帯域通過型フィルタ
２２…圧電性基板
２３…支持基板
２４…高音速膜
２５…低音速膜
２６…圧電体層
２９Ａ，２９Ｂ…第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ
Ｐ１，Ｐ２１…並列トラップ
Ｓ１，Ｓ２１…直列トラップ

Claims (4)

  1. 　ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板において構成されている複数の共振子と、を有し、レイリー波を利用可能に構成されており、第１の通過帯域を有する第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記第１の通過帯域よりも高域側に位置する第２の通過帯域を有する、第２の帯域通過型フィルタと、
    　前記第１の帯域通過型フィルタ及び前記第２の帯域通過型フィルタが共通接続されている共通接続端子と、
    を備え、
    　前記第１の帯域通過型フィルタの前記複数の共振子が縦結合共振子型弾性波フィルタと、縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の共振子と、を含み、前記縦結合共振子型弾性波フィルタが前記複数の共振子のうち最も前記共通接続端子側に配置されており、
    　前記第１の通過帯域の低域側の端部の周波数をｆ１Ｌ、高域側の端部の周波数をｆ１Ｈとしたときに、前記第２の通過帯域が、ｆ１Ｌ×１．２～ｆ１Ｈ×１．４の範囲内のいずれかの周波数を含む、複合フィルタ装置。
  2. 　圧電性基板と、前記圧電性基板において構成されている複数の共振子と、を有し、ＳＨ波を利用可能に構成されており、第１の通過帯域を有する第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記第１の通過帯域よりも高域側に位置する第２の通過帯域を有する、第２の帯域通過型フィルタと、
    　前記第１の帯域通過型フィルタ及び前記第２の帯域通過型フィルタが共通接続されている共通接続端子と、
    を備え、
    　前記圧電性基板が、高音速材料層と、前記高音速材料層上に設けられている圧電体層と、を含み、前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、
    　前記第１の帯域通過型フィルタの前記複数の共振子が縦結合共振子型弾性波フィルタと、縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の共振子と、を含み、前記縦結合共振子型弾性波フィルタが前記複数の共振子のうち最も前記共通接続端子側に配置されており、
    　前記第１の通過帯域の低域側の端部の周波数をｆ１Ｌ、高域側の端部の周波数をｆ１Ｈとしたときに、前記第２の通過帯域が、
    ｆ１Ｌ×１．２６～ｆ１Ｈ×１．３４、
    ｆ１Ｌ×１．４０～ｆ１Ｈ×１．４５、
    ｆ１Ｌ×１．４７～ｆ１Ｈ×１．５１、
    ｆ１Ｌ×１．８７～ｆ１Ｈ×１．８８、または、
    ｆ１Ｌ×２．２０～ｆ１Ｈ×２．３７
    の範囲内のいずれかの周波数を含む、複合フィルタ装置。
  3. 　前記複数の共振子が、ラダー型回路を構成している複数の共振子を含み、前記ラダー型回路が前記縦結合共振子型弾性波フィルタに接続されている、請求項１または２に記載の複合フィルタ装置。
  4. 　前記第１の帯域通過型フィルタが送信フィルタである、請求項１～３のいずれか１項に記載の複合フィルタ装置。
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