WO2024004862A1 - フィルタ装置および通信装置 - Google Patents

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WO2024004862A1
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filter
resonator
filter device
electrode fingers
electrode
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俊哉 木村
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京セラ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to a filter device and a communication device.
  • Patent Document 1 discloses an acoustic wave element in which the direction in which the tips of the electrode fingers are connected and the direction in which the electrode fingers are arranged form an inclined angle.
  • the elastic wave element corresponds to a resonator.
  • a filter device includes a first filter having at least one first resonator and at least one second resonator, and has a fractional bandwidth that is smaller than that of the first filter. and a small second filter, the first resonator having a first IDT electrode including a plurality of first electrode fingers, and a direction connecting the tips of the plurality of first electrode fingers and a direction connecting the tips of the plurality of first electrode fingers.
  • the arrangement direction of the first electrode fingers forms an inclination angle ⁇ 1
  • the second resonator has a second IDT electrode including a plurality of second electrode fingers, and the tips of the plurality of second electrode fingers and the direction in which the plurality of second electrode fingers are arranged form an inclination angle ⁇ 2, and the inclination angle ⁇ 1 is larger than the inclination angle ⁇ 2.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a filter device according to the present disclosure.
  • FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a first resonator.
  • FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a second resonator.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a resonator.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a communication device according to the present disclosure.
  • 5A and 5B are five graphs showing examples of characteristics of a resonator.
  • 3 is two graphs comparing filter characteristics of a filter device according to Example 1 and a filter device according to a comparative example.
  • 3 is two graphs comparing filter characteristics of a filter device according to Example 2 and a filter device according to a comparative example.
  • a filter device including a filter A and a filter B whose fractional bandwidth is smaller than that of the filter A may be configured by using a plurality of acoustic wave elements according to Patent Document 1.
  • the peak frequency of the stopband spurious in the elastic wave element of the filter A is within the passband of the filter A, so that the filter characteristics may deteriorate. Stopband spurious means spurious outside the passband.
  • filter characteristics can be improved.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a filter device 101 according to the present disclosure.
  • the filter device 101 includes a first filter 1 and a second filter 2.
  • the filter device 101 may be a multiplexer in which the first filter 1 and the second filter 2 are connected to a common terminal 3.
  • the second filter 2 has a smaller fractional bandwidth than the first filter 1.
  • the first filter 1 has at least one first resonator 4.
  • the first filter 1 has five sets of series resonator parts 5 connected in series with each other, and four sets of parallel resonator parts 6 connected in parallel with these five sets of series resonator parts 5. .
  • Each of the five series resonator sections 5 includes three series resonators 7 connected to each other in series.
  • Each of the four parallel resonator sections 6 includes two parallel resonators 8 connected in series.
  • the number of series resonator sections 5 is not limited to 5, and may be 1 or more and 4 or less, or 6 or more.
  • the number of parallel resonator sections 6 is not limited to four, and may be greater than or equal to 1 and less than or equal to 3, or greater than or equal to 5.
  • the number of series resonators 7 included in each series resonator section 5 is not limited to three, and may be one, two, or four or more.
  • the number of parallel resonators 8 included in each parallel resonator section 6 is not limited to two, and may be one or three or more.
  • the second filter 2 has at least one second resonator 9.
  • the second filter 2 has five sets of series resonator parts 10 connected in series with each other, and four sets of parallel resonator parts 11 connected in parallel with these five sets of series resonator parts 10. .
  • Each of the five series resonator sections 10 includes three series resonators 12 connected to each other in series.
  • Each of the four parallel resonator sections 11 includes two parallel resonators 13 connected in series.
  • the number of series resonator sections 10 is not limited to 5, and may be 1 or more and 4 or less, or 6 or more.
  • the number of parallel resonator sections 11 is not limited to four, and may be greater than or equal to 1 and less than or equal to 3, or greater than or equal to 5.
  • the number of series resonators 12 included in each series resonator section 10 is not limited to three, and may be one, two, or four or more.
  • the number of parallel resonators 13 included in each parallel resonator section 11 is not limited to two, and may be one or three or more.
  • the first filter 1 has a plurality of resonators, and all the resonators provided in the first filter 1 may each be the first resonators 4.
  • the resonator corresponds to an elastic wave resonator. Thereby, the space of the first filter 1 can be saved.
  • the second filter 2 has a plurality of resonators, and all the resonators provided in the second filter 2 may each be the second resonators 9.
  • the resonator corresponds to an elastic wave resonator. Thereby, the space of the second filter 2 can be saved.
  • Each of the first filter 1 and the second filter 2 is a ladder type filter
  • each of the first resonator 4 and the second resonator 9 may be a parallel resonator provided in the corresponding ladder type filter.
  • the parallel resonator provided in the ladder type filter corresponding to the first resonator 4 corresponds to one parallel resonator 8
  • the parallel resonator provided in the ladder type filter corresponding to the second resonator 9 corresponds to one parallel resonator 8.
  • the resonant frequency of the first resonator 4 may be the lowest among the resonant frequencies of all the parallel resonators 8 provided in the first filter 1.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the first resonator 4.
  • the first resonator 4 has a first IDT electrode 14 and a reflector electrode 15.
  • IDT is an abbreviation for interdigital transducer.
  • the first IDT electrode 14 includes bus bars 16 and 17, a plurality of first electrode fingers 18 connected to the bus bar 16, a plurality of electrode fingers 19 connected to the bus bar 17, and a plurality of first dummy electrodes 20 connected to the bus bar 16. , and a plurality of dummy electrodes 21 connected to the bus bar 17.
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of electrode fingers 19 are arranged alternately.
  • One first dummy electrode 20 is arranged between two adjacent first electrode fingers 18, and one dummy electrode 21 is arranged between two adjacent electrode fingers 19.
  • a direction 22 connecting the tips of the plurality of first electrode fingers 18 and an arrangement direction 23 of the plurality of first electrode fingers 18 form an inclination angle ⁇ 1.
  • the arrangement direction 23 of the plurality of first electrode fingers 18 is a direction perpendicular to the longitudinal direction of the first electrode fingers 18 in the plane of the first resonator 4 shown in FIG. It coincides with the propagation direction of the excited elastic wave.
  • the propagation direction of the elastic wave may be defined by the Euler angle of the piezoelectric single crystal forming the piezoelectric layer 38, which will be described later.
  • FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of the second resonator 9.
  • the second resonator 9 has a second IDT electrode 24 and a reflector electrode 25.
  • the second IDT electrode 24 includes bus bars 26 and 27, a plurality of second electrode fingers 28 connected to the bus bar 26, a plurality of electrode fingers 29 connected to the bus bar 27, and a plurality of second dummy electrodes 30 connected to the bus bar 26. , and a plurality of dummy electrodes 31 connected to the bus bar 27.
  • the plurality of second electrode fingers 28 and the plurality of electrode fingers 29 are arranged alternately.
  • One second dummy electrode 30 is arranged between two adjacent second electrode fingers 28, and one dummy electrode 31 is arranged between two adjacent electrode fingers 29.
  • a direction 32 connecting the tips of the plurality of second electrode fingers 28 and an arrangement direction 33 of the plurality of second electrode fingers 28 form an inclination angle ⁇ 2.
  • the arrangement direction 33 of the plurality of second electrode fingers 28 is a direction perpendicular to the longitudinal direction of the second electrode fingers 28 within the plane of the second resonator 9 shown in FIG. This coincides with the propagation direction of the excited elastic wave.
  • the propagation direction of the elastic wave may be defined by the Euler angle of the piezoelectric single crystal forming the piezoelectric layer 38, which will be described later.
  • the tilt angle ⁇ 1 is larger than the tilt angle ⁇ 2.
  • the inclination angle ⁇ 1 may be based on either the direction 22 connecting the tips of the plurality of first electrode fingers 18 or the arrangement direction 23 of the plurality of first electrode fingers 18, and is greater than or equal to 0° and less than or equal to 180°.
  • the inclination angle ⁇ 2 may be based on either the direction 32 connecting the tips of the plurality of second electrode fingers 28 or the arrangement direction 33 of the plurality of second electrode fingers 28, and is greater than or equal to 0° and less than or equal to 180°.
  • Each of the inclination angles ⁇ 1 and ⁇ 2 is expressed as an absolute value of the angle.
  • the first resonator 4 is a series resonator 7 provided in the first filter 1, and the first IDT electrode 14 may have a plurality of first dummy electrodes 20.
  • the duty of the plurality of first dummy electrodes 20 may be greater than the duty of the plurality of first electrode fingers 18 at the intersection of the plurality of first electrode fingers 18. Since the first dummy electrode 20 is wide, the filter characteristics of the first filter 1 are improved.
  • the first dummy electrode 20 has a signal confinement function in the cross direction.
  • the intersecting direction is parallel to the longitudinal direction of the first electrode finger 18.
  • the intersection of the plurality of first electrode fingers 18 is a portion where the plurality of first electrode fingers 18 face each other in the arrangement direction 23 of the plurality of first electrode fingers 18 .
  • the second IDT electrode 24 may have a plurality of second dummy electrodes 30.
  • the duty of the plurality of second dummy electrodes 30 may be greater than the duty of the plurality of second electrode fingers 28 at the intersection of the plurality of second electrode fingers 28. Since the second dummy electrode 30 is wide, the filter characteristics of the second filter 2 are improved.
  • the second dummy electrode 30 has a signal confinement function in the cross direction.
  • the intersecting direction is parallel to the longitudinal direction of the second electrode fingers 28.
  • the intersection of the plurality of second electrode fingers 28 is a portion where the plurality of second electrode fingers 28 face each other in the arrangement direction 33 of the plurality of second electrode fingers 28 .
  • the duty is the ratio of the width of the target member to the pitch of the target member.
  • the duty may be an average value of the duty at a plurality of locations.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the resonator 34.
  • the resonator 34 may have a one-to-one correspondence with either the first resonator 4 or the second resonator 9.
  • the resonator 34 has a support substrate 35 , a low sound velocity film 36 , a high sound velocity film 37 , a piezoelectric layer 38 , and an electrode section 39 .
  • the resonator 34 has a support substrate 35, a low sound velocity film 36, a high sound velocity film 37, a piezoelectric layer 38, and an electrode section 39 laminated in this order.
  • the support substrate 35 supports the piezoelectric layer 38.
  • the electrode section 39 may include the electrode fingers of the first IDT electrode 14 and the electrode of the reflector electrode 15, or may include the electrode fingers of the second IDT electrode 24 and the electrode of the reflector electrode 25.
  • the support substrate 35 may include a so-called high-sonic material having a sound speed faster than the sound speed of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer 38. Elastic waves correspond to bulk waves.
  • the material of the support substrate 35 is, for example, silicon, and may also be sapphire, crystal, AlN, or the like.
  • Various materials may be used for the support substrate 35, including a low sonic velocity material.
  • An acoustic reflection film formed by laminating a plurality of low acoustic impedance materials and high acoustic impedance materials may be provided between the piezoelectric layer 38 and the support substrate 35.
  • a low acoustic impedance material is, for example, SiO2 .
  • a high acoustic impedance material is, for example, HfO2 .
  • the low sound velocity film 36 is provided between the piezoelectric layer 38 and the support substrate 35.
  • An example of the material for the low sound velocity film 36 is SiO 2 .
  • the high sonic velocity film 37 is provided between the piezoelectric layer 38 and the low sonic velocity film 36.
  • An example of the material for the high-sonic membrane 37 is Al 2 O 3 .
  • the piezoelectric layer 38 may be made of lithium tantalate.
  • Lithium tantalate can be written as LiTaO3 .
  • the material of the piezoelectric layer 38 is not limited to lithium tantalate.
  • Examples of materials for the piezoelectric layer 38 other than lithium tantalate include various piezoelectric materials including lithium niobate and quartz. Lithium niobate can be written as LiNbO3 .
  • the thickness of the piezoelectric layer 38 may be twice or less the pitch of the IDT electrodes.
  • the IDT electrode is the first IDT electrode 14 when the resonator 34 is the first resonator 4, and the second IDT electrode 24 when the resonator 34 is the second resonator 9.
  • the pitch of an IDT electrode is the pitch of a plurality of electrode fingers included in the IDT electrode.
  • the thickness of the piezoelectric layer 38 may be equal to or less than the wavelength ⁇ of the elastic wave excited by the IDT electrode.
  • the thickness of the piezoelectric layer 38 may be twice or less the pitch of the first IDT electrodes 14.
  • the filter device 101 may be a multimode filter.
  • the multimode filter is a so-called DMS filter.
  • One first resonator 4 may correspond to one series resonator 7 and one parallel resonator 8, but one set of series resonator section 5 and one set of parallel resonator It may correspond to either part 6.
  • the series resonator section 5 and the parallel resonator section 6 may be regarded as a series resonator and a parallel resonator, respectively.
  • One second resonator 9 may correspond to one series resonator 12 and one parallel resonator 13, but one set of series resonator section 10 and one set of parallel resonators It may correspond to either part 11.
  • the series resonator section 10 and the parallel resonator section 11 may be regarded as a series resonator and a parallel resonator, respectively.
  • FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of the communication device 102 according to the present disclosure.
  • the communication device 102 includes a filter device 101.
  • the communication device 102 including the filter device 101 is also included in the scope of the present disclosure.
  • the communication device 102 may perform wireless communication using radio waves.
  • the filter device 101 may be used as a filter for a duplexer, for example.
  • FIG. 6 shows five graphs showing examples of the characteristics of the resonator 34.
  • the configuration of the resonator 34 was as follows.
  • Material of piezoelectric layer 38 Lithium tantalate Thickness of piezoelectric layer 38: 0.5 ⁇ m Material of high-sonic membrane 37: Al 2 O 3 Thickness of high-sonic membrane 37: 0.01 nm Material of low sound velocity membrane 36: SiO 2 Thickness of low sound velocity membrane 36: 0.3 ⁇ m Material of support substrate 35: Silicon Electrical resistivity of support substrate 35: 10 k ⁇ cm IDT electrode pitch: 1.03 ⁇ m IDT electrode structure: 1400 angstrom thick AlCu layered on 60 angstrom thick Ti Cross width: 20 x wavelength ⁇ Number of electrode fingers: 250 Electrode finger duty: 0.5 The crossing width is the width of the range where electrode fingers overlap in the propagation direction of the elastic wave, and the unit of the crossing width is the same as the unit of the wavelength ⁇ .
  • the electrode finger is a general term for the first electrode finger 18 and the electrode finger 19 when the resonator 34 is the first resonator 4, and the second electrode finger 28 and the electrode when the resonator 34 is the second resonator 9. This is a general term for fingers 29.
  • the inclination angle of the resonator 34 corresponding to either of the inclination angles ⁇ 1 and ⁇ 2 is defined as the inclination angle ⁇ .
  • FIG. 7 is two graphs comparing the filter characteristics of the filter device according to Example 1 and the filter device according to the comparative example.
  • FIG. 8 is two graphs comparing the filter characteristics of the filter device according to the second embodiment and the filter device according to the comparative example.
  • the filter device according to Example 1, the filter device according to Example 2, and the filter device according to the comparative example each have the same configuration as the filter device 101, but have different combinations of inclination angles ⁇ 1 and ⁇ 2.
  • the fractional bandwidth of the first filter 1 is 4.9%
  • the fractional bandwidth of the second filter 2 is 4.9%. is 3.5%, which is smaller than the fractional bandwidth of the first filter 1.
  • the combinations of the inclination angles ⁇ 1 and ⁇ 2 of the filter device according to Example 1, the filter device according to Example 2, and the filter device according to the comparative example are as follows.
  • the lowest frequency among the plurality of peak frequencies included in the stopband spurious in the parallel resonator 8 does not exist within the passband of the first filter 1.
  • Parallel resonator 8 corresponds to first resonator 4 .
  • the filter characteristics are improved compared to the filter device according to the comparative example.
  • the lowest frequency among the plurality of peak frequencies included in the stopband spurious in the parallel resonator 8 does not exist within the passband of the first filter 1.
  • Parallel resonator 8 corresponds to first resonator 4 .
  • the filter characteristics are improved compared to the filter device according to the comparative example.
  • the tilt angle ⁇ 1 is not unified, while in the filter device according to the second embodiment, the tilt angles ⁇ 1 and ⁇ 2 are unified. In order to optimize the layout, it is better that the inclination angles ⁇ 1 and ⁇ 2 are the same.
  • the inclination angle ⁇ 1 may be greater than 6° and less than or equal to 12°. Thereby, the merits of the filter device according to each of Examples 1 and 2 can be obtained over the filter device according to the comparative example. If the inclination angle ⁇ 1 exceeds 12°, the excitation characteristics of the first resonator 4 may deteriorate and the loss may increase.
  • the inclination angle ⁇ 2 may be greater than 0° and less than or equal to 6°. Thereby, deterioration of filter characteristics due to resonance loss can be reduced.
  • resonance loss please refer to the frequency-phase characteristics at 1780 to 1880 MHz shown in FIG. 6.
  • the upper limit frequency f1 that can be passed by the first filter 1 may be lower than the peak frequency f2 included in the stopband spurious in the first resonator 4.
  • the first filter 1 has a separate upper limit frequency f0 of the passband determined by its specifications.
  • the upper limit frequency f0 is set as a frequency that is approximately 8% lower than the upper limit frequency f1, taking into account the frequency of stop band spurious at the upper limit frequency f1, temperature characteristics, manufacturing tolerances, and the like.
  • the upper limit frequency f1 may be 95% or more of the peak frequency f2.
  • the stopband spurious in the first resonator 4 includes a plurality of peaks, the lowest frequency among the plurality of peak frequencies may be set as the peak frequency f2.
  • An aspect of the present disclosure is that the tilt angle is changed depending on the fractional bandwidth of the filter.
  • a filter device includes a first filter having at least one first resonator and at least one second resonator, and has a fractional bandwidth that is smaller than that of the first filter. and a small second filter, the first resonator having a first IDT electrode including a plurality of first electrode fingers, and a direction connecting the tips of the plurality of first electrode fingers and a direction connecting the tips of the plurality of first electrode fingers.
  • the arrangement direction of the first electrode fingers forms an inclination angle ⁇ 1
  • the second resonator has a second IDT electrode including a plurality of second electrode fingers, and the tips of the plurality of second electrode fingers and the direction in which the plurality of second electrode fingers are arranged form an inclination angle ⁇ 2, and the inclination angle ⁇ 1 is larger than the inclination angle ⁇ 2.
  • the upper limit frequency f1 that can be passed by the first filter is lower than the peak frequency f2 included in the stop band spurious in the first resonator.
  • the upper limit frequency f1 is 95% or more of the peak frequency f2.
  • the inclination angle ⁇ 1 is greater than 6° and less than or equal to 12°.
  • the inclination angle ⁇ 2 is greater than 0° and less than or equal to 6°.
  • all the resonators provided in the first filter are the first resonators.
  • all the resonators provided in the second filter are the second resonators.
  • the first resonator is a series resonator provided in the first filter
  • the first IDT electrode includes a plurality of It has a first dummy electrode
  • the duty of the plurality of first dummy electrodes is greater than the duty of the plurality of first electrode fingers at the intersection of the plurality of first electrode fingers.
  • the second IDT electrode has a plurality of second dummy electrodes, and the duty of the plurality of second dummy electrodes is: The duty is greater than the duty of the plurality of second electrode fingers at the intersection of the plurality of second electrode fingers.
  • the first resonator includes a piezoelectric layer and a support substrate that supports the piezoelectric layer, and The thickness of the piezoelectric layer is twice or less the pitch of the first IDT electrodes.
  • a filter device in the tenth aspect, includes a low sound velocity film between the piezoelectric layer and the support substrate.
  • the filter device according to Aspect 12 of the present disclosure is the same as Aspect 11, and includes a high sonic velocity film between the piezoelectric layer and the low sonic velocity film.
  • the piezoelectric layer is made of lithium tantalate.
  • a filter device is a multiplexer according to any one of the aspects 1 to 13, in which the first filter and the second filter are connected to a common terminal.
  • each of the first filter and the second filter is a ladder type filter, and the first resonator and the second resonator Each is a parallel resonator provided in a corresponding ladder filter.
  • the resonant frequency of the first resonator is the lowest among the resonant frequencies of all the parallel resonators provided in the first filter.
  • a communication device includes the filter device according to any one of aspects 1 to 16 above.
  • First filter 2 Second filter 3 Terminal 4 First resonator 5 Series resonator section 6 Parallel resonator section 7 Series resonator 8 Parallel resonator 9 Second resonator 10 Series resonator section 11 Parallel resonator section 12 Series Resonator 13 Parallel resonator 14 First IDT electrode 15 Reflector electrode 16 Bus bar 17 Bus bar 18 First electrode finger 19 Electrode finger 20 First dummy electrode 21 Dummy electrode 24 Second IDT electrode 25 Reflector electrode 26 Bus bar 27 Bus bar 28 Second electrode Finger 29 Electrode finger 30 Second dummy electrode 31 Dummy electrode 34 Resonator 35 Support substrate 36 Low sound velocity film 37 High sound velocity film 38 Piezoelectric layer 39 Electrode section 101 Filter device 102 Communication device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

フィルタ特性を改善する。第１共振子は、傾斜角度θ１をなしており、第２共振子は、傾斜角度θ２をなしており、傾斜角度θ１は、傾斜角度θ２より大きい。

Description

フィルタ装置および通信装置
　本開示は、フィルタ装置および通信装置に関する。
　特許文献１には、電極指の先端を結ぶ方向と、電極指の配列方向とが傾斜角度をなしている弾性波素子が開示されている。弾性波素子は、共振子に対応する。
日本国公開特許公報「特開２０２０－１０２６６２号公報」
　本開示の一態様に係るフィルタ装置は、少なくとも１つの第１共振子を有している第１フィルタと、少なくとも１つの第２共振子を有しており、前記第１フィルタより比帯域幅が小さい第２フィルタとを備えており、前記第１共振子は、複数の第１電極指を含む第１ＩＤＴ電極を有しており、前記複数の第１電極指の先端を結ぶ方向と前記複数の第１電極指の配列方向とが傾斜角度θ１をなしており、前記第２共振子は、複数の第２電極指を含む第２ＩＤＴ電極を有しており、前記複数の第２電極指の先端を結ぶ方向と前記複数の第２電極指の配列方向とが傾斜角度θ２をなしており、前記傾斜角度θ１は、前記傾斜角度θ２より大きい。
本開示に係るフィルタ装置の概略構成を示す回路図である。 第１共振子の概略構成を示す平面図である。 第２共振子の概略構成を示す平面図である。 共振子の概略構成を示す断面図である。 本開示に係る通信装置の概略構成を示すブロック図である。 共振子の特性の一例を示す５つのグラフである。 実施例１に係るフィルタ装置および比較例に係るフィルタ装置のフィルタ特性を対比する２つのグラフである。 実施例２に係るフィルタ装置および比較例に係るフィルタ装置のフィルタ特性を対比する２つのグラフである。
　特許文献１に係る弾性波素子を複数用いて、フィルタＡと、フィルタＡより比帯域幅が小さいフィルタＢとを備えているフィルタ装置を構成する場合がある。この場合に、フィルタ装置においては、フィルタＡの弾性波素子におけるストップバンドスプリアスのピーク周波数が、フィルタＡの通過帯域内に存在することに起因して、フィルタ特性が悪化するおそれがある。ストップバンドスプリアスとは、通過帯域外のスプリアスを意味する。
　本開示の一態様によれば、フィルタ特性を改善できる。
　本開示を実施するための形態について説明する。説明の便宜上、先に説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない場合がある。
　図１は、本開示に係るフィルタ装置１０１の概略構成を示す回路図である。フィルタ装置１０１は、第１フィルタ１および第２フィルタ２を備えている。フィルタ装置１０１は、第１フィルタ１および第２フィルタ２が共通の端子３に接続されたマルチプレクサであってもよい。第２フィルタ２は、第１フィルタ１より比帯域幅が小さい。
　第１フィルタ１は、少なくとも１つの第１共振子４を有している。第１フィルタ１は、互いに直列に接続された５組の直列共振子部５、およびこれら５組の直列共振子部５と並列に接続された４組の並列共振子部６を有している。５組の直列共振子部５それぞれは、互いに直列に接続された３個の直列共振子７を含んでいる。４組の並列共振子部６それぞれは、互いに直列に接続された２個の並列共振子８を含んでいる。
　直列共振子部５の組数は５に限定されず、１以上４以下または６以上であってもよい。並列共振子部６の組数は４に限定されず、１以上３以下または５以上であってもよい。各直列共振子部５に含まれる直列共振子７の個数は３に限定されず、１、２、または４以上であってもよい。各並列共振子部６に含まれる並列共振子８の個数は２に限定されず、１または３以上であってもよい。
　第２フィルタ２は、少なくとも１つの第２共振子９を有している。第２フィルタ２は、互いに直列に接続された５組の直列共振子部１０、およびこれら５組の直列共振子部１０と並列に接続された４組の並列共振子部１１を有している。５組の直列共振子部１０それぞれは、互いに直列に接続された３個の直列共振子１２を含んでいる。４組の並列共振子部１１それぞれは、互いに直列に接続された２個の並列共振子１３を含んでいる。
　直列共振子部１０の組数は５に限定されず、１以上４以下または６以上であってもよい。並列共振子部１１の組数は４に限定されず、１以上３以下または５以上であってもよい。各直列共振子部１０に含まれる直列共振子１２の個数は３に限定されず、１、２、または４以上であってもよい。各並列共振子部１１に含まれる並列共振子１３の個数は２に限定されず、１または３以上であってもよい。
　第１フィルタ１は、複数の共振子を有しており、第１フィルタ１に設けられた全ての共振子それぞれが第１共振子４であってもよい。当該共振子は、弾性波共振子に対応する。これにより、第１フィルタ１の省スペース化が可能である。
　第２フィルタ２は、複数の共振子を有しており、第２フィルタ２に設けられた全ての共振子それぞれが第２共振子９であってもよい。当該共振子は、弾性波共振子に対応する。これにより、第２フィルタ２の省スペース化が可能である。
　第１フィルタ１および第２フィルタ２それぞれは、ラダー型フィルタであり、第１共振子４および第２共振子９それぞれは、対応するラダー型フィルタに設けられた並列共振子であってもよい。第１共振子４に対応するラダー型フィルタに設けられた並列共振子は、１個の並列共振子８に対応し、第２共振子９に対応するラダー型フィルタに設けられた並列共振子は、１個の並列共振子１３に対応する。この場合、第１共振子４の共振周波数は、第１フィルタ１に設けられた全ての並列共振子８それぞれの共振周波数の中で最も低くてもよい。
　図２は、第１共振子４の概略構成を示す平面図である。第１共振子４は、第１ＩＤＴ電極１４および反射器電極１５を有している。ＩＤＴは、interdigital transducerの略である。第１ＩＤＴ電極１４は、バスバー１６および１７、バスバー１６に接続された複数の第１電極指１８、バスバー１７に接続された複数の電極指１９、バスバー１６に接続された複数の第１ダミー電極２０、ならびにバスバー１７に接続された複数のダミー電極２１を有している。複数の第１電極指１８と複数の電極指１９とは、互い違いに配置されている。隣り合う２個の第１電極指１８の間に第１ダミー電極２０が１個配置されており、隣り合う２個の電極指１９の間にダミー電極２１が１個配置されている。第１共振子４は、複数の第１電極指１８の先端を結ぶ方向２２と複数の第１電極指１８の配列方向２３とが傾斜角度θ１をなしている。複数の第１電極指１８の配列方向２３は、図２に示す第１共振子４の平面内における第１電極指１８の長手方向と垂直な方向であり、換言すれば、第１ＩＤＴ電極１４により励振される弾性波の伝搬方向と一致する。当該弾性波の伝搬方向は、後述する圧電体層３８を構成する圧電単結晶のオイラー角によって規定されてもよい。
　図３は、第２共振子９の概略構成を示す平面図である。第２共振子９は、第２ＩＤＴ電極２４および反射器電極２５を有している。第２ＩＤＴ電極２４は、バスバー２６および２７、バスバー２６に接続された複数の第２電極指２８、バスバー２７に接続された複数の電極指２９、バスバー２６に接続された複数の第２ダミー電極３０、ならびにバスバー２７に接続された複数のダミー電極３１を有している。複数の第２電極指２８と複数の電極指２９とは、互い違いに配置されている。隣り合う２個の第２電極指２８の間に第２ダミー電極３０が１個配置されており、隣り合う２個の電極指２９の間にダミー電極３１が１個配置されている。第２共振子９は、複数の第２電極指２８の先端を結ぶ方向３２と複数の第２電極指２８の配列方向３３とが傾斜角度θ２をなしている。複数の第２電極指２８の配列方向３３は、図３に示す第２共振子９の平面内における第２電極指２８の長手方向と垂直な方向であり、換言すれば、第２ＩＤＴ電極２４により励振される弾性波の伝搬方向と一致する。当該弾性波の伝搬方向は、後述する圧電体層３８を構成する圧電単結晶のオイラー角によって規定されてもよい。
　傾斜角度θ１は、傾斜角度θ２より大きい。傾斜角度θ１は、複数の第１電極指１８の先端を結ぶ方向２２と複数の第１電極指１８の配列方向２３とのどちらを基準としてもよく、かつ０°以上１８０°以下である。傾斜角度θ２は、複数の第２電極指２８の先端を結ぶ方向３２と複数の第２電極指２８の配列方向３３とのどちらを基準としてもよく、かつ０°以上１８０°以下である。傾斜角度θ１およびθ２それぞれは、角度の絶対値表記である。
　第１共振子４は、第１フィルタ１に設けられた直列共振子７であり、第１ＩＤＴ電極１４は、複数の第１ダミー電極２０を有していてもよい。この場合、複数の第１ダミー電極２０のデューティは、複数の第１電極指１８の交差部における複数の第１電極指１８のデューティより大きくてもよい。第１ダミー電極２０が幅広であることによって、第１フィルタ１のフィルタ特性が改善される。
　第１ダミー電極２０は、交差方向における信号閉じ込め機能を有している。当該交差方向は、第１電極指１８の長手方向と平行である。複数の第１電極指１８の交差部とは、複数の第１電極指１８の配列方向２３に、複数の第１電極指１８が対向している部分である。
　第２ＩＤＴ電極２４は、複数の第２ダミー電極３０を有していてもよい。この場合、複数の第２ダミー電極３０のデューティは、複数の第２電極指２８の交差部における複数の第２電極指２８のデューティより大きくてもよい。第２ダミー電極３０が幅広であることによって、第２フィルタ２のフィルタ特性が改善される。
　第２ダミー電極３０は、交差方向における信号閉じ込め機能を有している。当該交差方向は、第２電極指２８の長手方向と平行である。複数の第２電極指２８の交差部とは、複数の第２電極指２８の配列方向３３に、複数の第２電極指２８が対向している部分である。
　デューティとは、対象部材のピッチに対する対象部材の幅の比率である。場所によってデューティが異なる場合、デューティは、複数の位置におけるデューティの平均値としてもよい。
　図４は、共振子３４の概略構成を示す断面図である。共振子３４は、第１共振子４および第２共振子９のいずれかと１対１に対応してもよい。
　共振子３４は、支持基板３５、低音速膜３６、高音速膜３７、圧電体層３８、および電極部３９を有している。共振子３４は、支持基板３５、低音速膜３６、高音速膜３７、圧電体層３８、および電極部３９が、この順に積層されたものである。支持基板３５は、圧電体層３８を支持する。電極部３９は、第１ＩＤＴ電極１４の電極指および反射器電極１５の電極を含んでいてもよいし、第２ＩＤＴ電極２４の電極指および反射器電極２５の電極を含んでいてもよい。
　支持基板３５は、圧電体層３８を伝搬する弾性波の音速より速い音速を有する、いわゆる高音速材料を含んでいてもよい。弾性波は、バルク波に対応する。支持基板３５の材料は、例えばシリコンであり、サファイア、水晶、およびＡｌＮなどであってもよい。
　支持基板３５は、低音速材料を含む、種々の材料が用いられてもよい。圧電体層３８と支持基板３５との間に、複数の低音響インピーダンス材料と高音響インピーダンス材料とを積層した音響反射膜を設けてもよい。低音響インピーダンス材料は、例えばＳｉＯ２である。高音響インピーダンス材料は、例えばＨｆＯ２である。
　低音速膜３６は、圧電体層３８と支持基板３５との間に設けられている。低音速膜３６の材料の一例として、ＳｉＯ２が挙げられる。高音速膜３７は、圧電体層３８と低音速膜３６との間に設けられている。高音速膜３７の材料の一例として、Ａｌ２Ｏ３が挙げられる。
　圧電体層３８は、タンタル酸リチウムによって構成されていてもよい。タンタル酸リチウムは、ＬｉＴａＯ３と表記できる。圧電体層３８の材料は、タンタル酸リチウムに限定されない。タンタル酸リチウム以外の圧電体層３８の材料の一例として、ニオブ酸リチウムおよび水晶をはじめとする、種々の圧電材料が挙げられる。ニオブ酸リチウムは、ＬｉＮｂＯ３と表記できる。
　圧電体層３８の厚みは、ＩＤＴ電極のピッチの２倍以下であってもよい。ＩＤＴ電極とは、共振子３４が第１共振子４である場合第１ＩＤＴ電極１４であり、共振子３４が第２共振子９である場合第２ＩＤＴ電極２４である。ＩＤＴ電極のピッチとは、当該ＩＤＴ電極に含まれる複数の電極指のピッチである。換言すれば、圧電体層３８の厚みは、当該ＩＤＴ電極により励振される弾性波の波長λ以下であってもよい。共振子３４が第１共振子４である場合、圧電体層３８の厚みは、第１ＩＤＴ電極１４のピッチの２倍以下であってもよい。
　フィルタ装置１０１は、多重モード型フィルタであってもよい。多重モード型フィルタは、いわゆる、ＤＭＳ型フィルタである。
　１個の第１共振子４は、１個の直列共振子７および１個の並列共振子８のいずれかと対応するとしてもよいが、１組の直列共振子部５および１組の並列共振子部６のいずれかと対応するとしてもよい。換言すれば、直列共振子部５および並列共振子部６を、それぞれ、直列共振子および並列共振子とみなしてもよい。
　１個の第２共振子９は、１個の直列共振子１２および１個の並列共振子１３のいずれかと対応するとしてもよいが、１組の直列共振子部１０および１組の並列共振子部１１のいずれかと対応するとしてもよい。換言すれば、直列共振子部１０および並列共振子部１１を、それぞれ、直列共振子および並列共振子とみなしてもよい。
　図５は、本開示に係る通信装置１０２の概略構成を示すブロック図である。通信装置１０２は、フィルタ装置１０１を備えている。フィルタ装置１０１を備えている通信装置１０２についても、本開示の範疇に含まれる。通信装置１０２は、電波を利用した無線通信を行うものであってもよい。通信装置１０２において、フィルタ装置１０１は例えば、分波器のフィルタに利用されてもよい。
　〔実施例〕
　以下、フィルタ装置１０１における、傾斜角度θ１およびθ２に対するフィルタ特性について議論する。図６は、共振子３４の特性の一例を示す５つのグラフである。共振子３４の構成は、以下のとおりとした。
　　圧電体層３８の材料：タンタル酸リチウム
　　圧電体層３８の厚み：０．５μｍ
　　高音速膜３７の材料：Ａｌ２Ｏ３
　　高音速膜３７の厚み：０．０１ｎｍ
　　低音速膜３６の材料：ＳｉＯ２
　　低音速膜３６の厚み：０．３μｍ
　　支持基板３５の材料：シリコン
　　支持基板３５の電気抵抗率：１０ｋΩｃｍ
　　ＩＤＴ電極のピッチ：１．０３μｍ
　　ＩＤＴ電極の構成：厚み６０オングストロームのＴｉの上に、厚み１４００オングストロームのＡｌＣｕが積層されてなる構造
　　交差幅：２０×波長λ
　　電極指の本数：２５０本
　　電極指のデューティ：０．５
　交差幅とは、弾性波の伝搬方向において、電極指が重なる範囲の幅であり、交差幅の単位は、波長λの単位と同一である。電極指とは、共振子３４が第１共振子４である場合第１電極指１８および電極指１９の総称であり、共振子３４が第２共振子９である場合第２電極指２８および電極指２９の総称である。
　傾斜角度θ１およびθ２のいずれかに対応する共振子３４の傾斜角度を、傾斜角度θとする。
　図６に示す、１７８０～１８８０ＭＨｚにおける周波数－位相特性によれば、傾斜角度θが６°、８°、１０°と大きくなるほど、共振ロスに起因して共振子３４の特性が悪化していることが分かる。
　図６に示す、１８５０～１９５０ＭＨｚにおける周波数－位相特性によれば、傾斜角度θが０°、２°、４°、６°と大きくなるほど、横モードスプリアスが低減されていることが分かる。
　図６に示す、１９８０～２０８０ＭＨｚにおける周波数－位相特性によれば、下記（１）および（２）が分かる。
　（１）傾斜角度θが０°、２°、４°、６°と大きくなるほど、共振子３４におけるストップバンドスプリアスが低周波側にて大きくなる傾向が顕著になる。
　（２）傾斜角度θが６°、８°、１０°と大きくなるほど、共振子３４におけるストップバンドスプリアスが高周波側にて大きくなる傾向が顕著になる。
　図７は、実施例１に係るフィルタ装置および比較例に係るフィルタ装置のフィルタ特性を対比する２つのグラフである。図８は、実施例２に係るフィルタ装置および比較例に係るフィルタ装置のフィルタ特性を対比する２つのグラフである。
　実施例１に係るフィルタ装置、実施例２に係るフィルタ装置、および比較例に係るフィルタ装置は、それぞれフィルタ装置１０１と同一の構成であり、傾斜角度θ１およびθ２の組み合わせが互いに異なる。実施例１に係るフィルタ装置、実施例２に係るフィルタ装置、および比較例に係るフィルタ装置それぞれの、第１フィルタ１の比帯域幅は４．９％であり、第２フィルタ２の比帯域幅は第１フィルタ１の比帯域幅より小さい３．５％である。
　実施例１に係るフィルタ装置、実施例２に係るフィルタ装置、および比較例に係るフィルタ装置それぞれの、傾斜角度θ１およびθ２の組み合わせは、下記のとおりである。
　（実施例１に係るフィルタ装置）
　　傾斜角度θ１：直列共振子７が６°、並列共振子８が１０°
　　傾斜角度θ２：直列共振子１２および並列共振子１３共に６°
　（実施例２に係るフィルタ装置）
　　傾斜角度θ１：直列共振子７および並列共振子８共に１０°
　　傾斜角度θ２：直列共振子１２および並列共振子１３共に６°
　（比較例に係るフィルタ装置）
　　傾斜角度θ１：直列共振子７および並列共振子８共に６°
　　傾斜角度θ２：直列共振子１２および並列共振子１３共に６°
　図７によれば、比較例に係るフィルタ装置においては、並列共振子８におけるストップバンドスプリアスに含まれる複数のピーク周波数のうち最も低い周波数が第１フィルタ１の通過帯域内に存在することに起因して、フィルタ特性が悪化するおそれがある。並列共振子８は、第１共振子４に対応する。
　図７によれば、実施例１に係るフィルタ装置においては、並列共振子８におけるストップバンドスプリアスに含まれる複数のピーク周波数のうち最も低い周波数が第１フィルタ１の通過帯域内に存在していない。並列共振子８は、第１共振子４に対応する。実施例１に係るフィルタ装置においては、比較例に係るフィルタ装置に対して、フィルタ特性が改善されている。
　図８によれば、実施例２に係るフィルタ装置においては、並列共振子８におけるストップバンドスプリアスに含まれる複数のピーク周波数のうち最も低い周波数が第１フィルタ１の通過帯域内に存在していない。並列共振子８は、第１共振子４に対応する。実施例２に係るフィルタ装置においては、比較例に係るフィルタ装置に対して、フィルタ特性が改善されている。
　実施例１に係るフィルタ装置では傾斜角度θ１が統一されていない一方、実施例２に係るフィルタ装置では傾斜角度θ１およびθ２それぞれが統一されている。レイアウトの最適化を図るためには、傾斜角度θ１およびθ２それぞれが統一されているほうがよい。
　傾斜角度θ１は、６°より大きく、かつ１２°以下であってもよい。これにより、比較例に係るフィルタ装置に対する各実施例１および２に係るフィルタ装置のメリットが受けられる。傾斜角度θ１が１２°を超えると、第１共振子４の励振特性が悪化してロスが大きくなるおそれがある。
　傾斜角度θ２は、０°より大きく、かつ６°以下であってもよい。これにより、共振ロスに起因するフィルタ特性の悪化を低減することができる。共振ロスについては、図６に示す、１７８０～１８８０ＭＨｚにおける周波数－位相特性を参照されたい。
　第１フィルタ１の通過可能な上限周波数ｆ１は、第１共振子４におけるストップバンドスプリアスに含まれるピーク周波数ｆ２より低くてもよい。これらとは別に、第１フィルタ１の仕様上、定められる通過帯域の上限周波数ｆ０を別途有する。上限周波数ｆ０は、上限周波数ｆ１におけるストップバンドスプリアスの周波数や、温度特性及び製造公差等を考慮し、上限周波数ｆ１より、８％程度、低い周波数として設定される。上限周波数ｆ１は、ピーク周波数ｆ２の９５％以上であってもよい。第１共振子４におけるストップバンドスプリアスに複数のピークが含まれる場合、複数のピーク周波数のうち最も低い周波数をピーク周波数ｆ２としてもよい。
　本開示は、フィルタの比帯域幅に応じて、傾斜角度を変えるという側面がある。
　〔まとめ〕
　本開示の態様１に係るフィルタ装置は、少なくとも１つの第１共振子を有している第１フィルタと、少なくとも１つの第２共振子を有しており、前記第１フィルタより比帯域幅が小さい第２フィルタとを備えており、前記第１共振子は、複数の第１電極指を含む第１ＩＤＴ電極を有しており、前記複数の第１電極指の先端を結ぶ方向と前記複数の第１電極指の配列方向とが傾斜角度θ１をなしており、前記第２共振子は、複数の第２電極指を含む第２ＩＤＴ電極を有しており、前記複数の第２電極指の先端を結ぶ方向と前記複数の第２電極指の配列方向とが傾斜角度θ２をなしており、前記傾斜角度θ１は、前記傾斜角度θ２より大きい。
　本開示の態様２に係るフィルタ装置は、前記態様１において、前記第１フィルタの通過可能な上限周波数ｆ１は、前記第１共振子におけるストップバンドスプリアスに含まれるピーク周波数ｆ２より低い。
　本開示の態様３に係るフィルタ装置は、前記態様２において、前記上限周波数ｆ１は、前記ピーク周波数ｆ２の９５％以上である。
　本開示の態様４に係るフィルタ装置は、前記態様１から３のいずれかにおいて、前記傾斜角度θ１は、６°より大きく、かつ１２°以下である。
　本開示の態様５に係るフィルタ装置は、前記態様１から４のいずれかにおいて、前記傾斜角度θ２は、０°より大きく、かつ６°以下である。
　本開示の態様６に係るフィルタ装置は、前記態様１から５のいずれかにおいて、前記第１フィルタに設けられた全ての共振子それぞれが前記第１共振子である。
　本開示の態様７に係るフィルタ装置は、前記態様１から６のいずれかにおいて、前記第２フィルタに設けられた全ての共振子それぞれが前記第２共振子である。
　本開示の態様８に係るフィルタ装置は、前記態様１から７のいずれかにおいて、前記第１共振子は、前記第１フィルタに設けられた直列共振子であり、前記第１ＩＤＴ電極は、複数の第１ダミー電極を有しており、前記複数の第１ダミー電極のデューティは、前記複数の第１電極指の交差部における前記複数の第１電極指のデューティより大きい。
　本開示の態様９に係るフィルタ装置は、前記態様１から８のいずれかにおいて、前記第２ＩＤＴ電極は、複数の第２ダミー電極を有しており、前記複数の第２ダミー電極のデューティは、前記複数の第２電極指の交差部における前記複数の第２電極指のデューティより大きい。
　本開示の態様１０に係るフィルタ装置は、前記態様１から９のいずれかにおいて、前記第１共振子は、圧電体層と、前記圧電体層を支持する支持基板とを有しており、前記圧電体層の厚みは、前記第１ＩＤＴ電極のピッチの２倍以下である。
　本開示の態様１１に係るフィルタ装置は、前記態様１０において、前記圧電体層と前記支持基板との間に、低音速膜を有している。
　本開示の態様１２に係るフィルタ装置は、前記態様１１において、前記圧電体層と前記低音速膜との間に、高音速膜を有している。
　本開示の態様１３に係るフィルタ装置は、前記態様１０から１２のいずれかにおいて、前記圧電体層は、タンタル酸リチウムによって構成されている。
　本開示の態様１４に係るフィルタ装置は、前記態様１から１３のいずれかにおいて、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタが共通の端子に接続されたマルチプレクサである。
　本開示の態様１５に係るフィルタ装置は、前記態様１から１４のいずれかにおいて、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタそれぞれは、ラダー型フィルタであり、前記第１共振子および前記第２共振子それぞれは、対応するラダー型フィルタに設けられた並列共振子である。
　本開示の態様１６に係るフィルタ装置は、前記態様１５において、前記第１共振子の共振周波数は、前記第１フィルタに設けられた全ての並列共振子それぞれの共振周波数の中で最も低い。
　本開示の態様１７に係る通信装置は、前記態様１から１６のいずれかのフィルタ装置を備えている。
　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。
１　第１フィルタ
２　第２フィルタ
３　端子
４　第１共振子
５　直列共振子部
６　並列共振子部
７　直列共振子
８　並列共振子
９　第２共振子
１０　直列共振子部
１１　並列共振子部
１２　直列共振子
１３　並列共振子
１４　第１ＩＤＴ電極
１５　反射器電極
１６　バスバー
１７　バスバー
１８　第１電極指
１９　電極指
２０　第１ダミー電極
２１　ダミー電極
２４　第２ＩＤＴ電極
２５　反射器電極
２６　バスバー
２７　バスバー
２８　第２電極指
２９　電極指
３０　第２ダミー電極
３１　ダミー電極
３４　共振子
３５　支持基板
３６　低音速膜
３７　高音速膜
３８　圧電体層
３９　電極部
１０１　フィルタ装置
１０２　通信装置

Claims (17)

  1. 　少なくとも１つの第１共振子を有している第１フィルタと、
    　少なくとも１つの第２共振子を有しており、前記第１フィルタより比帯域幅が小さい第２フィルタとを備えており、
    　前記第１共振子は、複数の第１電極指を含む第１ＩＤＴ電極を有しており、前記複数の第１電極指の先端を結ぶ方向と前記複数の第１電極指の配列方向とが傾斜角度θ１をなしており、
    　前記第２共振子は、複数の第２電極指を含む第２ＩＤＴ電極を有しており、前記複数の第２電極指の先端を結ぶ方向と前記複数の第２電極指の配列方向とが傾斜角度θ２をなしており、
    　前記傾斜角度θ１は、前記傾斜角度θ２より大きい、フィルタ装置。
  2. 　前記第１フィルタの通過可能な上限周波数ｆ１は、前記第１共振子におけるストップバンドスプリアスに含まれるピーク周波数ｆ２より低い、請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 　前記上限周波数ｆ１は、前記ピーク周波数ｆ２の９５％以上である、請求項２に記載のフィルタ装置。
  4. 　前記傾斜角度θ１は、６°より大きく、かつ１２°以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  5. 　前記傾斜角度θ２は、０°より大きく、かつ６°以下である、請求項１から４のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  6. 　前記第１フィルタに設けられた全ての共振子それぞれが前記第１共振子である、請求項１から５のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  7. 　前記第２フィルタに設けられた全ての共振子それぞれが前記第２共振子である、請求項１から６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  8. 　前記第１共振子は、前記第１フィルタに設けられた直列共振子であり、
    　前記第１ＩＤＴ電極は、複数の第１ダミー電極を有しており、
    　前記複数の第１ダミー電極のデューティは、前記複数の第１電極指の交差部における前記複数の第１電極指のデューティより大きい、請求項１から７のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  9. 　前記第２ＩＤＴ電極は、複数の第２ダミー電極を有しており、
    　前記複数の第２ダミー電極のデューティは、前記複数の第２電極指の交差部における前記複数の第２電極指のデューティより大きい、請求項１から８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  10. 　前記第１共振子は、圧電体層と、前記圧電体層を支持する支持基板とを有しており、
    　前記圧電体層の厚みは、前記第１ＩＤＴ電極のピッチの２倍以下である、請求項１から９のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  11. 　前記圧電体層と前記支持基板との間に、低音速膜を有している、請求項１０に記載のフィルタ装置。
  12. 　前記圧電体層と前記低音速膜との間に、高音速膜を有している、請求項１１に記載のフィルタ装置。
  13. 　前記圧電体層は、タンタル酸リチウムによって構成されている、請求項１０から１２のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  14. 　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタが共通の端子に接続されたマルチプレクサである、請求項１から１３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  15. 　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタそれぞれは、ラダー型フィルタであり、
    　前記第１共振子および前記第２共振子それぞれは、対応するラダー型フィルタに設けられた並列共振子である、請求項１から１４のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  16. 　前記第１共振子の共振周波数は、前記第１フィルタに設けられた全ての並列共振子それぞれの共振周波数の中で最も低い、請求項１５に記載のフィルタ装置。
  17. 　請求項１から１６のいずれか１項に記載のフィルタ装置を備えている通信装置。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012140831A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 パナソニック株式会社 弾性波素子と、これを用いたアンテナ共用器
WO2015064238A1 (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 京セラ株式会社 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置
WO2016121818A1 (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 京セラ株式会社 フィルタ，分波器および通信装置
WO2020025182A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 RF360 Europe GmbH Radio frequency filter
JP2020102662A (ja) * 2018-12-19 2020-07-02 京セラ株式会社 弾性波素子
WO2020179905A1 (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 株式会社村田製作所 フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2021100280A (ja) * 2018-11-14 2021-07-01 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012140831A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 パナソニック株式会社 弾性波素子と、これを用いたアンテナ共用器
WO2015064238A1 (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 京セラ株式会社 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置
WO2016121818A1 (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 京セラ株式会社 フィルタ，分波器および通信装置
WO2020025182A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 RF360 Europe GmbH Radio frequency filter
JP2021100280A (ja) * 2018-11-14 2021-07-01 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
JP2020102662A (ja) * 2018-12-19 2020-07-02 京セラ株式会社 弾性波素子
WO2020179905A1 (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 株式会社村田製作所 フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

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