CN116508261A - 弹性波装置及梯型滤波器 - Google Patents
弹性波装置及梯型滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116508261A CN116508261A CN202180076839.1A CN202180076839A CN116508261A CN 116508261 A CN116508261 A CN 116508261A CN 202180076839 A CN202180076839 A CN 202180076839A CN 116508261 A CN116508261 A CN 116508261A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- elastic wave
- wave device
- bus bar
- conductive layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02858—Means for compensation or elimination of undesirable effects of wave front distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02881—Means for compensation or elimination of undesirable effects of diffraction of wave beam
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
Abstract
提供一种弹性波装置,在为弹性波谐振器的情况下能够缩窄分数带宽,在用于带通型滤波器的情况下能够缩窄带宽或者提高陡度。在弹性波装置(1)中,在支承基板(2)上直接或间接地层叠有压电层(5),在压电层(5)上设置有IDT电极(6),交叉区域(K)具有中央区域(C)、第一边缘区域(E1)及第二边缘区域(E2),第一导电层(4A)及第二导电层(4B)被设置为,设置于压电层(5)的第二主面(5b)侧,在俯视下,与第一边缘区域(E1)及第二边缘区域(E2)中的至少一部分重叠,并且与第一汇流条(7b)及第二汇流条(8b)中的至少一部分重叠。
Description
技术领域
本发明涉及弹性波装置及具有该弹性波装置的梯型滤波器,该弹性波装置的IDT电极的交叉区域具有中央区域、以及位于中央区域的两个外侧的第一边缘区域和第二边缘区域。
背景技术
在下述的专利文献1所记载的弹性波装置中,在支承基板上层叠有氧化硅膜、声速调整膜、压电膜及IDT电极。IDT电极具有多根第一电极指与第二电极指沿着弹性波传播方向重合的交叉区域。交叉区域具有中央区域、以及配置在第一电极指和第二电极指的延伸方向两个外侧的第一边缘区域和第二边缘区域。在专利文献1中,通过设置声速调整膜而实现了声速的调整。该声速调整膜未层叠在IDT电极上。因此,能够高精度地调整声速,并且也能够抑制声损耗。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2020/184466号
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1所记载的弹性波装置中,能够高精度地调整声速,并且能够抑制声损耗,但例如在谐振器的情况下,不能够容易地缩窄分数带宽。另外,在具有多个这样的弹性波装置的带通型滤波器中,有时难以缩窄带宽、提高陡度。
本发明的目的在于,提供一种弹性波装置及梯型滤波器,在为弹性波谐振器的情况下能够缩窄分数带宽,在用于带通型滤波器的情况下能够缩窄带宽或者提高陡度。
用于解决问题的手段
本发明的弹性波装置具备:支承基板;压电层,其直接或间接地层叠在所述支承基板上,具有相对置的第一主面及第二主面,所述第二主面侧位于所述支承基板侧;以及IDT电极,其设置在所述压电层的所述第一主面上,所述IDT电极具有第一梳形电极和第二梳形电极,所述第一梳形电极具有多根第一电极指和第一汇流条,所述第二梳形电极具有多根第二电极指和第二汇流条,所述多根第二电极指与所述多根第一电极指相互交错对插,所述第一电极指和所述第二电极指在与所述第一电极指及第二电极指正交的方向上重合的区域是交叉区域,所述交叉区域具有中央区域、第一边缘区域以及第二边缘区域,所述中央区域位于所述第一电极指及第二电极指的延伸方向中央,所述第一边缘区域位于所述中央区域的所述第一电极指及第二电极指的延伸方向外侧,并且位于所述第一汇流条侧,所述第二边缘区域位于所述中央区域的所述第一电极指及第二电极指的延伸方向外侧,并且位于所述第二汇流条侧,所述第一汇流条与所述第一边缘区域之间是第一间隙区域,所述第二汇流条与所述第二边缘区域之间是第二间隙区域,所述弹性波装置还具备导电层,所述导电层配置为设置于所述压电层的所述第二主面侧,在俯视下,与所述第一边缘区域及第二边缘区域中的至少一部分重叠,并且与所述第一汇流条及第二汇流条中的至少一部分重叠。
本发明的梯型滤波器具有至少一个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器,所述串联臂谐振器中的至少一个是按照本发明而构成的弹性波装置。
本发明的梯型滤波器的另一方式具有多个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器,所述多个串联臂谐振器中的谐振频率最低的谐振器是按照本发明而构成的弹性波装置。
发明效果
根据本发明的弹性波装置,能够缩窄弹性波谐振器中的分数带宽,在具有本发明的弹性波装置的梯型滤波器中,在滤波器特性中能够缩窄带宽,并且能够提高陡度。
附图说明
图1的(a)是本发明的第一实施方式的弹性波装置的俯视图,图1的(b)是图1的(a)中的沿着A-A线的部分的剖视图。
图2是示出第一实施方式的弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。
图3是示出实施例1及比较例1的各弹性波装置的阻抗-频率特性的图。
图4是本发明的第二实施方式的弹性波装置的俯视图。
图5是本发明的第三实施方式的弹性波装置的俯视图。
图6是本发明的第三实施方式的变形例的弹性波装置的俯视图。
图7的(a)是本发明的第四实施方式的弹性波装置的俯视图,图7的(b)是图7的(a)中的沿着B-B线的部分的剖视图。
图8是将图7的(a)中的沿着C-C线的部分放大示出的剖视图。
图9是示出实施例2及比较例1的各弹性波装置的阻抗-频率特性的图。
图10是本发明的第五实施方式的弹性波装置的俯视图。
图11是本发明的第六实施方式的弹性波装置的俯视图。
图12是本发明的第七实施方式的弹性波装置的主视剖视图。
图13是用于说明本发明的第八实施方式的弹性波装置的主视剖视图。
图14是作为本发明的第九实施方式的梯型滤波器的电路图。
图15是用于说明在图14所示的梯型滤波器中使用的并联臂谐振器的俯视剖视图。
图16是示出图14所示的梯型滤波器中的串联臂谐振器及并联臂谐振器的阻抗-频率特性的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的具体实施方式进行说明,由此使本发明变得清楚。
需要说明的是,本说明书所记载的各实施方式是例示性的,预先指出在不同的实施方式之间能够进行结构的部分置换或组合。
图1的(a)是本发明的第一实施方式的弹性波装置的俯视图,图1的(b)是沿着图1的(a)中的A-A线的部分的剖视图。
弹性波装置1具有支承基板2。在本实施方式中,支承基板2具有Si基板2A及高声速膜2B,但也可以是由其他绝缘材料、半导体材料构成的单层的基板。在Si支承基板2A上层叠有包括氮化硅的高声速膜2B。在高声速膜2B上层叠有包括氧化硅的低声速膜3。在低声速膜3上层叠有第一导电层4A及第二导电层4B。在第一导电层4A及第二导电层4B上层叠有包括LiTaO3的压电层5。需要说明的是,低声速膜3是本发明的中间层。不过,中间层也可以是具有低声速膜3的层叠膜。
压电层5具有相对置的第一主面5a和第二主面5b。在第一主面5a上层叠有IDT电极6。压电层5从第二主面5b侧层叠于第一导电层4A及第二导电层4B。低声速膜3包括低声速材料。在低声速材料传播的体波的声速比在压电层5传播的体波的声速低。高声速膜2B包括高声速材料。在高声速材料传播的体波的声速比在压电层5传播的弹性波的声速高。
IDT电极6具有第一梳形电极7和第二梳形电极8。第一梳形电极7具有多根第一电极指7a和第一汇流条7b。第一电极指7a的一端与第一汇流条7b相连。
第二梳形电极8具有多根第二电极指8a和第二汇流条8b。第二电极指8a的一端与第二汇流条8b相连。
多根第一电极指7a与多根第二电极指8a彼此相互交错对插。第一电极指7a朝向第二汇流条8b侧延伸,第二电极指8a朝向第一汇流条7b侧延伸。第一电极指7a与第二电极指8a平行地配置。
图2是示意性示出弹性波装置1的电极构造的俯视图。在弹性波装置1中,在IDT电极6的弹性波传播方向两侧设置有反射器9、10。由此,构成单端口型弹性波谐振器。
在弹性波装置1中,通过在第一梳形电极7与第二梳形电极8之间施加交流电压而激励弹性波。在该情况下,弹性波沿着与多根第一电极指7a及多根第二电极指8a的延伸方向正交的方向传播。在沿着与第一电极指7a及第二电极指8a的延伸方向正交的方向即弹性波传播方向观察时,第一电极指7a与第二电极指8a重合的区域是交叉区域K。交叉区域K是使弹性波激励的区域。该交叉区域K具有中央区域C、以及配置在第一电极指7a及第二电极指8a延伸的方向外侧的第一边缘区域E1和第二边缘区域E2。第一边缘区域E1相对于中央区域C位于第一汇流条7b侧。第二边缘区域E2相对于中央区域C位于第二汇流条8b侧。
IDT电极6包括适当的金属或合金。在本实施方式中,包括Ti膜/Al膜/Ti膜的层叠体。
第一边缘区域E1与第一汇流条7b之间是第一间隙区域G1,第二边缘区域E2与第二汇流条8b之间是第二间隙区域G2。
弹性波装置1的特征在于,设置有第一导电层4A及第二导电层4B作为导电层。第一导电层4A及第二导电层4B设置在压电层5的第二主面5b侧。需要说明的是,第二主面5b侧不限定于直接层叠于第二主面5b的结构,也包括隔着其他层间接地层叠于第二主面5b的构造。
第一导电层4A及第二导电层4B分别与第一边缘区域E1及第二边缘区域E2中的至少一部分重叠。此外,第一导电层4A及第二导电层4B配置为分别与第一汇流条7b及第二汇流条8b中的至少一部分重叠。需要说明的是,第一导电层4A及第二导电层4B未与第一汇流条7b及第二汇流条8b电连接。
如图1的(a)所示,在第一边缘区域E1侧,第一导电层4A设置为从第一边缘区域E1到达第一汇流条7b的下方。即,第一导电层4A设置为也到达第一间隙区域G1。同样地,在第二边缘区域E2侧,第二导电层4B也设置为从第二边缘区域E2超过第二间隙区域G2而到达第二汇流条8b的下方。第一导电层4A、第二导电层4B未设置于中央区域C。
需要说明的是,如图1的(a)所示,第一导电层4A及第二导电层4B从IDT电极6的弹性波传播方向一端侧朝向另一端侧延伸。优选的是,第一导电层4A及第二导电层4B设置为包括在弹性波传播方向上从交叉区域K的一端侧到另一端侧的区域。
在弹性波装置1中,设置有上述第一导电层4A及第二导电层4B,由于第一导电层4A及第二导电层4B的质量附加效应,声速在第一边缘区域E1及第二边缘区域E2相比于在中央区域C而下降。而且,第一间隙区域G1及第二间隙区域G2的声速比第一边缘区域E1及第二边缘区域E2的声速高。因此,能够通过活塞模式来抑制横模。此外,上述第一导电层4A、第二导电层4B隔着压电层5而与第一汇流条7b或第二汇流条8b重合。因此,在第一汇流条7b或第二汇流条8b与第一导电层4A或第二导电层4B之间形成有电容。因此,能够减小分数带宽。通过说明以下的实施例1及比较例1的特性而使其变得清楚。
作为上述第一实施方式的弹性波装置1的实施例1,制作出以下的弹性波装置。
支承基板2:Si基板2A设为(100)面。高声速膜2B是膜厚900nm的氮化硅膜
低声速膜3:膜厚600nm的氧化硅膜
第一导电层4A及第二导电层4B:膜厚6nm的Pt膜
压电层5:膜厚600nm的LiTaO3膜
IDT电极6:Ti膜/Al膜/Ti膜的层叠体,膜厚从压电层5侧依次为12nm/140nm/12nm
交叉宽度=40μm
中央区域C的长度=37.6μm
第一边缘区域E1及第二边缘区域E2的第一电极指7a及第二电极指8a的延伸方向的尺寸:1.2μm
第一汇流条7b及第二汇流条8b的面积=4×10-8m2
第一导电层4A与第一汇流条7b以及第二导电层4B与第二汇流条8b隔着压电层5而重叠的面积=1.5×108m2
IDT电极6中的电极指间距=1μm,电极指的对数=100对
在IDT电极6的弹性波传播方向上设置有反射器(未图示)。由此,作为单端口型的弹性波谐振器,构成了实施例1的弹性波装置。
为了比较,除了将Pt膜仅配置于第一边缘区域E1及第二边缘区域E2的下方之外,与实施例1同样地制作出比较例1的弹性波装置。
需要说明的是,设计谐振频率为1955MHz。
从图3中可清楚,根据实施例1,与比较例1相比,分数带宽变窄。这被认为是基于在上述第一导电层4A及第二导电层4B与第一汇流条7b或第二汇流条8b之间形成有并联电容。因此,可知根据弹性波装置1,能够提供不但可以抑制横模而且分数带宽较窄的弹性波谐振器。因此,可知在使用这样的弹性波装置构成了带通型滤波器的情况下,能够缩窄滤波器特性中的带宽,或者提高滤波器特性的陡度。
图4是本发明的第二实施方式的弹性波装置的俯视图。
在弹性波装置11中,第一导电层4A的平面形状与弹性波装置1的情况不同。即,在第一边缘区域E1侧,第一导电层4A设置于第一边缘区域E1,具有沿着弹性波传播方向延伸的第一部分4a、在第一汇流条7b的下方沿着弹性波传播方向延伸的第二部分4b、以及第三部分4c,该第三部分4c是在比交叉区域K靠弹性波传播方向外侧将第一部分4a与第二部分4b连结的连结部分。在第二边缘区域E2中,设置有具有同样的构造的第二导电层4B。
这样,第一导电层4A、第二导电层4B也可以不存在于第一间隙区域G1、第二间隙区域G2的下方。
另外,在弹性波装置11中,第一导电层4A的第二部分4b的内侧端缘与第一汇流条7b的内侧端缘7b1相比,相对于交叉区域K位于第一电极指7a及第二电极指8a的延伸方向外侧。在第二汇流条8b的下方,第二导电层4B的第二部分4b的内侧端缘与第二汇流条8b的内侧端缘8b1相比,相对于交叉区域K也位于第一电极指7a及第二电极指8a的延伸方向外侧。
这样,隔着压电层5而与第一汇流条7b或第二汇流条8b重合的导电层部分也可以不存在于第一汇流条7b、第二汇流条8b的整个面的下方。
另外,第二部分4b设置为到达第一汇流条7b的外侧端缘7b2或第二汇流条8b的外侧端缘8b2的下方,但也可以位于比外侧端缘7b2、外侧端缘8b2靠交叉区域K侧的位置。
即,如果导电层配置为与第一汇流条及第二汇流条中的至少一部分重叠,则能够与第一汇流条、第二汇流条之间形成电容。
另外,第一导电层4A及第二导电层4B的整个区域无需隔着压电层5而层叠于第一边缘区域E1及第二边缘区域E2的全部,与第一边缘区域E1及第二边缘区域E2中的至少一部分重叠即可。
图5是本发明的第三实施方式的弹性波装置的俯视图。在弹性波装置31中,IDT电极6具有第一梳形电极37和第二梳形电极38。第一梳形电极37具有多根第一电极指37a和第一汇流条37b。在弹性波装置31中,第一汇流条37b具有位于内侧的内侧汇流条37b1、位于外侧的外侧汇流条37b3、以及将内侧汇流条37b1与外侧汇流条37b3连结的连结部37b2。需要说明的是,内侧是指交叉区域K侧。在弹性波传播方向上,连结部37b2之间为开口部37c。第二梳齿电极38也同样地具有多根第二电极指38a和第二汇流条38b。第二汇流条38b也与第一汇流条37b同样地具有内侧汇流条38b1、外侧汇流条38b3及连结部38b2。另外,多个开口部38c沿着弹性波传播方向而设置。
除了该第一汇流条37b及第二汇流条38b如上述那样构成之外,弹性波装置31与弹性波装置1同样地构成。这样,在本发明中,第一汇流条、第二汇流条也可以具有包括内侧汇流条、外侧汇流条以及连结部的结构。在该情况下,也能够通过设置第一导电层4A及第二导电层4B而缩窄分数带宽。
图6是本发明的第三实施方式的变形例的弹性波装置的俯视图。如图6所示,在本变形例的弹性波装置31A中,第一导电层4A及第二导电层4B的与交叉区域K相反的一侧的端缘位于比第一汇流条37b及第二汇流条38b的相对于交叉区域K为外侧的端缘靠交叉区域K侧的位置。
这样,第一导电层及第二导电层的与交叉区域K相反的一侧的端缘相比于第一汇流条及第二汇流条的外侧端缘,也可以为内侧。
图7的(a)是本发明的第四实施方式的弹性波装置的俯视图,图7的(b)是图7的(a)中的沿着B-B线的部分的剖视图。图8是将图7的(a)中的沿着C-C线的部分放大示出的剖视图。
在弹性波装置41中,在第一汇流条7b侧,第一导电层4A具有第一部分4d,该第一部分4d隔着压电层5而与第一汇流条7b重叠,并且到达第一间隙区域G1及第一边缘区域E1的中途。第二部分4e在第二边缘区域E2被设置为与该第一部分4d平行地延伸。该第一部分4d与第二部分4e通过第三部分4f而连结。第三部分4f沿着第一电极指7a及第二电极指8a的延伸方向延伸,并且位于交叉区域K的弹性波传播方向外侧。
与第二汇流条8b重合的第二导电层4B也同样地具有第一部分4d、第二部分4e以及第三部分4f。第二部分4e在第一边缘区域E1内沿着弹性波传播方向延伸。
第一导电层4A通过通孔电极42而与第一汇流条7b电连接。通孔电极42如图8中的局部放大剖视图所示那样设置为贯穿压电层5。在第二汇流条8b侧,第二汇流条8b也通过通孔电极42而与第二导电层4B电连接。
这样,在本发明中,第一导电层4A也可以还具有与第二边缘区域E2重叠的部分,即第二部分4e,同样地,第二导电层4B也可以还具有与第一边缘区域E1重叠的部分。
需要说明的是,在第一边缘区域E1中,第一导电层4A的第一部分4d与第二导电层4B的第二部分4e在与弹性波传播方向正交的方向上隔开。
同样地,第一导电层4A的第二部分4e与第二导电层4B的第一部分4d在第二边缘区域E2中隔开。
如上所述,在第二部分4e设置于第一导电层4A及第二导电层4B的情况下,通过电容的进一步的附加,能够更进一步有效地缩窄分数带宽。
作为上述第四实施方式的弹性波装置,构成实施例2的弹性波装置。
图9示出实施例2的弹性波装置和上述的比较例1的弹性波装置的阻抗-频率特性。
从图9中可清楚,可知与比较例1相比,根据实施例2,能够充分地减小分数带宽。
图10是本发明的第五实施方式的弹性波装置的俯视图。在第五实施方式的弹性波装置51中,第一导电层4A及第二导电层4B的第一部分4d的宽度,即,沿着第一电极指7a及第二电极指8a的延伸方向的尺寸比弹性波装置41的情况细。与图4所示的弹性波装置11同样地,第一部分4d的宽度比第一汇流条7b、第二汇流条8b的宽度窄。这样,第一部分4d的宽度无需在第一电极指7a及第二电极指8a的延伸方向上与第一汇流条7b或第二汇流条8b的整个区域重叠。第一导电层4A及第二导电层4B的第一部分4d相对于交叉区域K也可以位于比第一汇流条7b的内侧端缘7b1、第二汇流条8b的内侧端缘8b1靠外侧的位置。另外,第一导电层4A及第二导电层4B的第一部分4d的外侧端缘也可以位于比第一汇流条7b的外侧端缘7b2、第二汇流条8b的外侧端缘8b2靠内侧的位置。
弹性波装置51在其他方面与弹性波装置41同样地构成。因此,在本实施方式中,也能够有效地缩窄分数带宽。
图11是本发明的第六实施方式的弹性波装置的俯视图,图12是第七实施方式的弹性波装置的主视剖视图。在弹性波装置61中,第一汇流条7b及第二汇流条8b分别经由通孔电极42而与第一导电层4A及第二导电层4B电连接。关于其他结构,弹性波装置61与第一实施方式的弹性波装置1同样地构成。
这样,即便在具有与第一实施方式的弹性波装置1同样的电极构造的情况下,第一导电层4A及第二导电层4B也可以与第一汇流条7b或第二汇流条8b电连接。在该情况下,也在第一边缘区域E1中,在第一导电层4A与第二电极指8a之间形成电容。另外,在第二边缘区域E2中,在第二导电层4B与第一电极指7a之间形成电容。因此,在弹性波装置61中也能够缩窄分数带宽。
在图1的(b)中,支承基板2具有在Si基板2A上层叠有高声速膜2B的构造。不过,在由高声速材料构成了支承基板2的情况下,能够如图12所示的第七实施方式那样省略高声速膜。
在弹性波装置71中,支承基板2是包括高声速材料的高声速支承基板。因此,除了省略了高声速膜之外,与图1的(b)所示的弹性波装置1相同。
图13是用于说明本发明的第八实施方式的弹性波装置的主视剖视图。在图13中,示出与针对第一实施方式的图1的(b)相同的部分。弹性波装置81与弹性波装置1的不同之处在于,第一导电层4A未与压电层5的第二主面5b直接接触,而是层叠在低声速膜3与支承基板2之间。这样,第一导电层4A也可以间接地层叠于压电层5。关于其他结构,弹性波装置81与弹性波装置1相同。
在本发明中,导电层也可以如上述那样间接地层叠于压电层。即便在该情况下,也能够通过并联电容的附加,有效地缩窄分数带宽。
图14是作为本发明的第九实施方式的梯型滤波器的电路图。在梯型滤波器91中,在连结输入端IN与输出端OUT的串联臂中,串联臂谐振器S1~S4相互串联地连接。而且,在连结串联臂与接地电位的三个并联臂分别连接有并联臂谐振器P1~P3。
在梯型滤波器91中,串联臂谐振器S1~S4具有与图1的(a)所示的弹性波装置1同样的构造。与此相对,并联臂谐振器P1~P3具有图15所示的构造。图15是用于说明在上述梯型滤波器中使用的并联臂谐振器的俯视剖视图。
在弹性波装置92中,与上述的比较例1同样地,在第一边缘区域E1及第二边缘区域E2中,在压电层5的下方设置有质量附加膜93、93。质量附加膜93包括Pt膜。
上述串联臂谐振器S1~S4及并联臂谐振器P1~P3的设计参数除了上述构造的差异之外都是相同的。即,串联臂谐振器S1~S4与实施例1同样地构成。并联臂谐振器P1~P3除了上述之外与实施例1相同。
图16示出上述串联臂谐振器及并联臂谐振器的阻抗-频率特性。从图16中可清楚,与并联臂谐振器相比,串联臂谐振器由本发明的弹性波装置构成,因此分数带宽缩窄。
在梯型滤波器91中,串联臂谐振器S1~S4是按照本发明而构成的弹性波装置,因此,能够缩窄串联臂谐振器中的分数带宽。因此,能够提高通带高频侧的陡度。
需要说明的是,优选的是,在本发明的梯型滤波器中,具有多个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器,所述多个串联臂谐振器中的谐振频率最低的谐振器是按照本发明而构成的弹性波装置。
附图标记说明
1…弹性波装置;
2…支承基板;
2A…Si基板;
2B…高声速膜;
3…低声速膜;
4A、4B…第一导电层、第二导电层;
4a、4d…第一部分;
4b、4e…第二部分;
4c、4f…第三部分;
5…压电层;
5a、5b…第一主面、第二主面;
6…IDT电极;
7…第一梳形电极;
7a…第一电极指;
7b…第一汇流条;
7b1…内侧端缘;
7b2…外侧端缘;
8…第二梳形电极;
8a…第二电极指;
8b…第二汇流条;
8b1…内侧端缘;
8b2…外侧端缘;
9、10…反射器;
11、31、31A、41、51、61、71、81、92…弹性波装置;
37…第一梳形电极;
37a…第一电极指;
37b…第一汇流条;
37b1…内侧汇流条;
37b2…连结部;
37b3…外侧汇流条;
37c…开口部;
38…第二梳形电极;
38b…第二汇流条;
38b1…内侧汇流条;
38b2…连结部;
38b3…外侧汇流条;
38c…开口部;
42…通孔电极;
91…梯型滤波器;
93…质量附加膜;
K…交叉区域;
C…中央区域;
E1、E2…第一边缘区域、第二边缘区域;
G1、G2…第一间隙区域、第二间隙区域;
P1~P3…并联臂谐振器;
S1~S4…串联臂谐振器。
Claims (13)
1.一种弹性波装置,具备:
支承基板;
压电层,其直接或间接地层叠在所述支承基板上,具有相对置的第一主面及第二主面,所述第二主面侧位于所述支承基板侧;以及
IDT电极,其设置在所述压电层的所述第一主面上,
所述IDT电极具有第一梳形电极和第二梳形电极,所述第一梳形电极具有多根第一电极指和第一汇流条,所述第二梳形电极具有多根第二电极指和第二汇流条,所述多根第二电极指与所述多根第一电极指相互交错对插,
所述第一电极指和所述第二电极指在与所述第一电极指及第二电极指正交的方向上重合的区域是交叉区域,所述交叉区域具有中央区域、第一边缘区域以及第二边缘区域,所述中央区域位于所述第一电极指及第二电极指的延伸方向中央,所述第一边缘区域位于所述中央区域的所述第一电极指及第二电极指的延伸方向外侧,并且位于所述第一汇流条侧,所述第二边缘区域位于所述中央区域的所述第一电极指及第二电极指的延伸方向外侧,并且位于所述第二汇流条侧,所述第一汇流条与所述第一边缘区域之间是第一间隙区域,所述第二汇流条与所述第二边缘区域之间是第二间隙区域,
所述弹性波装置还具备导电层,所述导电层配置为设置于所述压电层的所述第二主面侧,在俯视下,与所述第一边缘区域及第二边缘区域中的至少一部分重叠,并且与所述第一汇流条及第二汇流条中的至少一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述导电层包括:
第一导电层,其具有与所述第一汇流条的至少一部分重叠的部分以及与所述第一边缘区域重叠的部分;以及
第二导电层,其具有与所述第二汇流条的至少一部分重叠的部分以及与所述第二边缘区域重叠的部分。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置,其中,
所述第一导电层还具有与所述第二边缘区域重叠的部分,
所述第二导电层还具有与所述第一边缘区域重叠的部分。
4.根据权利要求2或3所述的弹性波装置,其中,
所述第一导电层还具有在俯视下与所述第一间隙区域重叠的部分,
所述第二导电层还具有在俯视下与所述第二间隙区域重叠的部分。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述导电层与所述第一汇流条或所述第二汇流条的至少一者电连接。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述导电层未与所述第一汇流条及所述第二汇流条电连接。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置还具备层叠在所述压电层与所述支承基板之间的中间层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述导电层层叠于所述压电层的所述第二主面。
9.根据权利要求7所述的弹性波装置,其中,
所述导电层设置在所述中间层内以及所述中间层与所述支承基板之间的界面中的一方。
10.根据权利要求9所述的弹性波装置,其中,
所述中间层具有低声速膜,所述低声速膜包括所传播的体波的声速比在所述压电层传播的体波的声速低的低声速材料。
11.根据权利要求10所述的弹性波装置,其中,
所述支承基板具有Si基板和高声速膜,所述高声速膜层叠在所述Si基板上,包括所传播的体波的声速比在所述压电层传播的弹性波的声速高的高声速材料。
12.一种梯型滤波器,其中,
所述梯型滤波器具有至少一个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器,所述串联臂谐振器中的至少一个是权利要求1至11中任一项所述的弹性波装置。
13.一种梯型滤波器,其中,
所述梯型滤波器具有多个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器,所述多个串联臂谐振器中的谐振频率最低的谐振器是权利要求1至11中任一项所述的弹性波装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-210371 | 2020-12-18 | ||
JP2020210371 | 2020-12-18 | ||
PCT/JP2021/045960 WO2022131237A1 (ja) | 2020-12-18 | 2021-12-14 | 弾性波装置及びラダー型フィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116508261A true CN116508261A (zh) | 2023-07-28 |
Family
ID=82059473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180076839.1A Pending CN116508261A (zh) | 2020-12-18 | 2021-12-14 | 弹性波装置及梯型滤波器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230261634A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2022131237A1 (zh) |
KR (1) | KR20230091164A (zh) |
CN (1) | CN116508261A (zh) |
WO (1) | WO2022131237A1 (zh) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6954799B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2021-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP7001172B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2022-01-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びラダー型フィルタ |
KR102448414B1 (ko) | 2019-03-13 | 2022-09-27 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
JP7176622B2 (ja) * | 2019-04-12 | 2022-11-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2021
- 2021-12-14 WO PCT/JP2021/045960 patent/WO2022131237A1/ja active Application Filing
- 2021-12-14 CN CN202180076839.1A patent/CN116508261A/zh active Pending
- 2021-12-14 JP JP2022570001A patent/JPWO2022131237A1/ja active Pending
- 2021-12-14 KR KR1020237017596A patent/KR20230091164A/ko unknown
-
2023
- 2023-04-21 US US18/137,631 patent/US20230261634A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230091164A (ko) | 2023-06-22 |
JPWO2022131237A1 (zh) | 2022-06-23 |
US20230261634A1 (en) | 2023-08-17 |
WO2022131237A1 (ja) | 2022-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102479702B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
KR102472455B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
JP6380558B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP4798319B1 (ja) | 弾性波装置 | |
CN112534718B (zh) | 弹性波装置以及梯型滤波器 | |
US20220216846A1 (en) | Acoustic wave device | |
US20230370047A1 (en) | Acoustic wave device | |
CN117652097A (zh) | 弹性波装置及滤波器装置 | |
CN115298958A (zh) | 弹性波装置 | |
CN114270707A (zh) | 弹性波装置 | |
US20220224305A1 (en) | Acoustic wave device | |
CN114424458A (zh) | 弹性波装置 | |
WO2020262388A1 (ja) | フィルタ装置 | |
KR20220044321A (ko) | 탄성파 필터 | |
CN113940000A (zh) | 弹性波装置 | |
US8222973B2 (en) | Elastic wave resonator, ladder filter and duplexer | |
CN117678158A (zh) | 弹性波装置 | |
CN116508261A (zh) | 弹性波装置及梯型滤波器 | |
CN115298959A (zh) | 弹性波装置 | |
CN114208035A (zh) | 弹性波滤波器 | |
CN113474995A (zh) | 弹性波装置 | |
JP7132841B2 (ja) | 弾性表面波素子、分波器および通信装置 | |
WO2023085347A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2023140354A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024043300A1 (ja) | 弾性波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |