KR20220044321A - 탄성파 필터 - Google Patents
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Abstract
소형화를 진행한 경우라도 횡모드 리플의 억제와 필터 특성의 급준성 향상을 양립시킬 수 있는 탄성파 필터를 제공한다.
압전 기판과, 압전 기판 상에 구성되어 있는 IDT 전극을 가지는 복수개의 탄성파 공진자를 포함하고, 각 탄성파 공진자가 맞물리는 제1, 제2 전극지를 가지며, 제1 전극지와 제2 전극지가 탄성파 전파방향에서 겹치는 영역을 교차 영역으로 했을 때에, 교차 영역이 중앙 영역과 중앙 영역의 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양 외측에 배치된 제1, 제2 에지 영역을 가지며, 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 중앙 영역에서의 음속보다도 낮고, 복수개의 탄성파 공진자가 제1, 제2 에지 영역에서의 폭이 중앙 영역에서의 폭보다도 큰 제1 탄성파 공진자와, 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 중앙 영역에서의 음속보다도 낮아지도록, 음속 저하막이 적층되는 구성 및 중앙 영역에 음속을 높이는 음속 향상막이 적층되는 구성 중 적어도 하나를 포함하는 제2 탄성파 공진자를 가지는, 탄성파 필터.
압전 기판과, 압전 기판 상에 구성되어 있는 IDT 전극을 가지는 복수개의 탄성파 공진자를 포함하고, 각 탄성파 공진자가 맞물리는 제1, 제2 전극지를 가지며, 제1 전극지와 제2 전극지가 탄성파 전파방향에서 겹치는 영역을 교차 영역으로 했을 때에, 교차 영역이 중앙 영역과 중앙 영역의 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양 외측에 배치된 제1, 제2 에지 영역을 가지며, 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 중앙 영역에서의 음속보다도 낮고, 복수개의 탄성파 공진자가 제1, 제2 에지 영역에서의 폭이 중앙 영역에서의 폭보다도 큰 제1 탄성파 공진자와, 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 중앙 영역에서의 음속보다도 낮아지도록, 음속 저하막이 적층되는 구성 및 중앙 영역에 음속을 높이는 음속 향상막이 적층되는 구성 중 적어도 하나를 포함하는 제2 탄성파 공진자를 가지는, 탄성파 필터.
Description
본 발명은 복수개의 탄성파 공진자를 가지는 대역 통과형 탄성파 필터에 관한 것이다.
종래, 복수개의 탄성파 공진자를 가지는 대역 통과형 탄성파 필터가 다양하게 제안되고 있다. 예를 들면 하기의 특허문헌 1에 기재된 래더(ladder)형 필터에서는 직렬암(serial arm) 공진자 및 병렬암(parallel arm) 공진자가 탄성파 공진자로 이루어진다.
또한, 하기의 특허문헌 2에서는 탄성파 공진자에서 피스톤 모드를 형성하고, 횡모드의 리플(ripple)을 억제하는 구조가 개시되어 있다. 보다 상세하게는, IDT 전극에서 다른 전위에 접속되는 전극지(電極指)들이 탄성파 전파방향으로 겹쳐 있는 영역을 교차 영역으로 한다. 이 교차 영역이 탄성파 전파방향과 직교하는 방향의 중앙에 위치하는 중앙 영역과, 중앙 영역의 탄성파 전파방향과 직교하는 방향 양측에 마련된 제1, 제2 에지(edge) 영역을 가진다. 제1, 제2 에지 영역의 음속을 중앙 영역의 음속보다도 낮게 함으로써 피스톤 모드가 생성되어 있다.
상기 음속 차를 마련하는 구조로서, 1) 제1, 제2 에지 영역의 폭을 중앙 영역보다도 넓힌 폭 확대부로 하는 구조, 혹은 2) 제1, 제2 에지 영역에 음속 저하막을 적층한 구조가 개시되어 있다.
특허문헌 1에 기재된 바와 같은, 복수개의 탄성파 공진자를 가지는 탄성파 필터에서 특허문헌 2에 기재된 피스톤 모드를 이용한 구조를 적용하면, 횡모드에 의한 리플을 억제할 수 있다. 그러나 탄성파 필터의 모든 탄성파 공진자에서 제1, 제2 에지 영역을 폭 확대부로 한 구조를 이용하면, 특히 탄성파 필터의 소형화를 도모한 경우에 횡모드에 의한 리플을 충분히 억제할 수 없는 경우가 있었다. 또한, 모든 탄성파 공진자에서 제1, 제2 에지 영역에 음속 저하막을 적층한 구조를 이용하면, 탄성파 필터의 통과 대역 단부(端部)에서의 필터 특성의 급준성이 충분히 높아지지 않는 경우가 있었다.
본 발명의 목적은 소형화를 진행한 경우라도 횡모드 리플의 억제와 필터 특성의 급준성 향상을 양립할 수 있는 탄성파 필터를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터는 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 구성되고 맞물리는 제1, 제2 전극지를 가지는 IDT 전극을 가지는 복수개의 탄성파 공진자를 포함하며, 탄성파 전파방향에서 상기 제1 전극지와 상기 제2 전극지가 겹치는 영역을 교차 영역으로 했을 때에, 교차 영역이 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 중앙에 위치하는 중앙 영역과, 중앙 영역의 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양 외측에 배치된 제1, 제2 에지 영역을 가지며, 상기 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 상기 중앙 영역에서의 음속보다도 낮고, 상기 복수개의 탄성파 공진자가, 상기 제1, 제2 에지 영역에서의 제1 전극지의 폭 및 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나가 상기 중앙 영역에서의 제1 전극지의 폭 및 제 2 전극지의 폭 중 적어도 하나보다도 큰 제1 탄성파 공진자와, 상기 제1, 제2 에지 영역에 음속 저하막이 적층되는 구성 및 상기 중앙 영역에 음속을 높이는 음속 향상막이 적층되는 구성 중 적어도 하나를 포함하는 제2 탄성파 공진자를 가진다.
본 발명에 따른 탄성파 필터의 다른 넓은 국면에서는 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 구성되고 맞물리는 제1, 제2 전극지를 가지는 IDT 전극을 가지는 복수개의 탄성파 공진자를 포함하며, 탄성파 전파방향에서 상기 제1 전극지와 상기 제2 전극지가 겹치는 영역을 교차 영역으로 했을 때에, 교차 영역이 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 중앙에 위치하는 중앙 영역과, 중앙 영역의 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양 외측에 배치된 제1, 제2 에지 영역을 가지며, 상기 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 상기 중앙 영역에서의 음속보다도 낮고, 상기 복수개의 탄성파 공진자가, 상기 제1, 제2 에지 영역에서의 제1 전극지의 폭 및 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나가 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 전극지의 폭 및 상기 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나보다도 큰 제1 탄성파 공진자와, 상기 제1, 제2 에지 영역에 오산화탄탈, 산화하프늄, 오산화니오브, 산화텅스텐, 및 산화규소로 이루어지는 절연막, 또는 Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, Ta, Mg, Fe, Ru 또는 이들 금속 중 어느 하나를 주체로 하는 합금이 적층되는 구성 및 상기 중앙 영역에 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화규소 및 산화규소로 이루어지는 군에서 선택된 재료로 이루어지는 막이 적층되는 구성 중 적어도 하나를 포함하는 제2 탄성파 공진자를 가진다.
본 발명에 따르면, 소형화를 진행한 경우라도 횡모드 리플의 억제와 필터 특성의 급준성 향상을 양립할 수 있는 탄성파 필터를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 필터의 회로도이다.
도 2(a)는 제1 실시형태의 탄성파 필터의 탄성파 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이며, 도 2(b)는 탄성파 공진자의 정면 단면도이다.
도 3은 제1 탄성파 공진자의 IDT 전극을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 제2 탄성파 공진자의 IDT 전극의 전극 구조를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5(a)는 제1, 제2 탄성파 공진자의 공진 특성을 나타내는 도면이며, 도 5(b)는 도 5(a) 중의 원(A)으로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 6은 실시예 1 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6 중의 화살표(B)로 나타내는 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 1 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시예 2 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8 중의 화살표(C)로 나타내는 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 2 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 필터를 가지는 듀플렉서의 회로도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 필터를 가지는 듀플렉서의 회로도이다.
도 12(a)~도 12(d)는 제2 탄성파 공진자의 전극 구조의 변형예를 설명하기 위한 부분 정면 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 필터에 이용되는 제2 탄성파 공진자의 IDT 전극을 나타내는 평면도이다.
도 2(a)는 제1 실시형태의 탄성파 필터의 탄성파 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이며, 도 2(b)는 탄성파 공진자의 정면 단면도이다.
도 3은 제1 탄성파 공진자의 IDT 전극을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 제2 탄성파 공진자의 IDT 전극의 전극 구조를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5(a)는 제1, 제2 탄성파 공진자의 공진 특성을 나타내는 도면이며, 도 5(b)는 도 5(a) 중의 원(A)으로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 6은 실시예 1 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6 중의 화살표(B)로 나타내는 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 1 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시예 2 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8 중의 화살표(C)로 나타내는 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 2 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 필터를 가지는 듀플렉서의 회로도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 필터를 가지는 듀플렉서의 회로도이다.
도 12(a)~도 12(d)는 제2 탄성파 공진자의 전극 구조의 변형예를 설명하기 위한 부분 정면 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 필터에 이용되는 제2 탄성파 공진자의 IDT 전극을 나타내는 평면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써, 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 필터의 회로도이다. 탄성파 필터(1)는 복수개의 탄성파 공진자를 가지는 래더형 필터이다. 탄성파 필터(1)에서는 입력 단자(2)와 출력 단자(3)를 잇는 직렬암에 복수개의 직렬암 공진자(S1, S2-1, S2-2, S3, S4)가 마련되어 있다. 또한, 직렬암과 그라운드 전위를 잇는 복수개의 병렬암이 마련되어 있다. 복수개의 병렬암에서는 각각 병렬암 공진자(P1, P2 또는 P3)가 마련되어 있다.
직렬암 공진자(S1, S2-1, S2-2, S3, S4) 그리고 병렬암 공진자(P1~P3)는 각각 탄성파 공진자로 이루어진다.
탄성파 필터(1)의 특징은 복수개의 탄성파 공진자가 이하의 제1 탄성파 공진자와 제2 탄성파 공진자를 가지는 점에 있다. 한편, 복수개의 탄성파 공진자는 제1 탄성파 공진자 및 제2 탄성파 공진자와는 다른 구조의 탄성파 공진자를 가져도 된다.
제1, 제2 탄성파 공진자는 피스톤 모드를 형성하고, 횡모드의 리플을 억제하는 구조를 가진다. 탄성파 공진자는 압전 기판과, 압전 기판 상에 구성되어 있는 IDT 전극을 가진다. 본 명세서에서는 IDT 전극의 제1 전극지와 제2 전극지가 탄성파 전파방향에서 겹쳐 있는 영역을 교차 영역으로 한다. 이 교차 영역이 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 중앙에 위치하는 중앙 영역과, 중앙 영역의 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양 외측에 배치된 제1, 제2 에지 영역을 가진다. 제1, 제2 탄성파 공진자에서는 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 중앙 영역에서의 음속보다도 낮다. 그로써, 피스톤 모드가 형성되고, 횡모드의 리플이 억압이 도모된다.
중앙 영역에서의 음속과, 제1, 제2 에지 영역에서의 음속의 음속 차를 실현하기 위해, 제1, 제2 탄성파 공진자는 하기의 구조를 가진다.
제1 탄성파 공진자에서는 제1, 제2 에지 영역에서의 제1, 제2 전극지의 폭이 중앙 영역에서의 제1, 제2 전극지의 폭보다도 크다. 즉, 제1, 제2 에지 영역이 폭 확대부로 되어 있다. 한편, 본 발명에서는 제1, 제2 에지 영역에서의 제1 전극지의 폭 및 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나가 중앙 영역에서의 제1 전극지의 폭 및 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나보다도 크면 된다.
한편, 제2 탄성파 공진자에서는 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 중앙 영역에서의 음속보다도 낮아지도록, 제1, 제2 에지 영역에 음속 저하막이 적층되는 구성 및 중앙 영역에 음속을 높이는 음속 향상막이 적층되는 구성 중 적어도 하나를 포함한다.
상기와 같이, 제1 탄성파 공진자와 제2 탄성파 공진자에서는 제1, 제2 에지 영역의 음속과 중앙 영역의 음속의 음속 차를 실현시키는 구성이 다르다. 이를 보다 구체적으로 설명한다.
도 2(a)는 제1 실시형태의 탄성파 필터의 탄성파 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이며, 도 2(b)는 그의 정면 단면도이다. 전술한 직렬암 공진자(S1, S2-1, S2-2, S3 및 S4) 그리고 병렬암 공진자(P1, P2 및 P3)는 모두 이와 같은 구조를 가진다.
도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 탄성파 공진자(4)는 IDT 전극(5)과 반사기(6, 7)를 가진다. 그로써, 1포트형 탄성파 공진자가 구성되어 있다.
IDT 전극(5)은 복수개의 제1 전극지(5a)와, 복수개의 제2 전극지(5b)를 가진다. 복수개의 제1 전극지(5a)와 복수개의 제2 전극지(5b)가 서로 맞물려 있다. 제1 전극지(5a)와 제2 전극지(5b)가 연장되는 방향과 직교하는 방향이 탄성파 전파방향이다. 탄성파 전파방향에서 보았을 때에, 제1 전극지(5a)와 제2 전극지(5b)가 겹치는 영역이 전술한 교차 영역이다.
도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 탄성파 공진자(4)에서는 IDT 전극(5) 및 반사기(6, 7)는 압전 기판(8) 상에 마련되어 있다. 여기서, 압전 기판(8)은 특별히 한정되지 않는데, 지지 기판(8a), 고음속 재료층(8b), 저음속막(8c) 및 압전막(8d)을 가지는 적층 기판이다. 다만, 압전 기판(8)은 LiNbO3 등으로 이루어지는 단일 압전 기판이어도 된다.
본 실시형태에서는 압전막(8d)은 LiTaO3로 이루어진다. 한편, 지지 기판(8a)은 Si나 알루미나 등의 적절한 절연성 재료 혹은 반도체 재료로 이루어진다. 본 실시형태에서는 지지 기판(8a)은 Si로 이루어진다.
고음속 재료층(8b)은 고음속 재료로 이루어진다. 여기서 고음속 재료란, 전파하는 벌크파의 음속이 압전막(8d)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 높은 재료를 말한다. 고음속 재료로는 예를 들면 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, 실리콘, 사파이어, 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정, 알루미나, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포스테라이트, 마그네시아, DLC(다이아몬드상 카본(diamond-like carbon))막 또는 다이아몬드, 상기 재료를 주성분으로 하는 매질, 상기 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 매질 등의 다양한 재료를 사용할 수 있다.
저음속막(8c)은 저음속 재료로 이루어진다. 저음속 재료란, 전파하는 벌크파의 음속이 압전막(8d)을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮은 재료를 말한다. 저음속 재료로는 예를 들면 산화규소, 유리, 산질화규소, 산화탄탈, 또한 산화규소에 불소나 탄소나 붕소, 수소, 혹은 실라놀기를 첨가한 화합물, 상기 재료를 주성분으로 하는 매질 등의 다양한 재료를 사용할 수 있다.
상기 복합 기판으로 이루어지는 압전 기판(8)을 사용함으로써 Q값을 높일 수 있다.
도 2(b)에서는 고음속 재료층(8b)을 가지는 압전 기판(8)을 이용했지만, 고음속 재료층(8b) 및 지지 기판(8a) 대신에, 고음속 재료로 이루어지는 지지 기판을 이용해도 된다. 즉, 고음속 재료에 의해 지지 기판(8a) 및 고음속 재료층(8b)를 일체적으로 구성해도 된다.
또한, 저음속막(8c)이 마련되지 않아도 된다. 즉, 고음속 재료층(8b) 상에 압전막(8d)이 직접 적층되어도 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 제1 탄성파 공진자와 제2 탄성파 공진자가 이용된다.
제1 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)에서는 직렬암 공진자(S3)가 제1 탄성파 공진자로 이루어진다. 나머지 탄성파 공진자, 즉 직렬암 공진자(S1, S2-1, S2-2, S4) 및 병렬암 공진자(P1~P3)는 제2 탄성파 공진자로 이루어진다.
제1 탄성파 공진자로서 이하의 탄성파 공진자를 준비했다.
압전 기판(8)의 구성, Si 기판 상에 고음속 재료층(8b)으로서 질화규소막, 저음속막(8c)으로서 산화규소막, 압전막(8d)으로서 LiTaO3막의 적층 구조, 두께는 질화규소막=900㎚, 산화규소막=673㎚, LiTaO3막=600㎚로 했다. 한편, IDT 전극(5) 및 반사기(6, 7)는 Al을 메인 전극층으로 한다. Al막의 두께는 145㎚로 했다.
제1 탄성파 공진자에서의 IDT 전극의 전극 구조(11)를 도 3에 평면도로 나타낸다. IDT 전극(5)에서는 교차 영역(D)이 중앙 영역(F)과 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)을 가진다. 제1 전극지(5a) 및 제2 전극지(5b)는 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)에서는 폭 확대부(5a1, 5a2, 5b1, 5b2)로 되어 있다. 폭 확대부(5a1, 5a2, 5b1, 5b2)의 폭은 중앙 영역(F)에서의 폭보다도 두껍게 되어 있다. 여기서 폭이란, 제1, 제2 전극지(5a, 5b)에서 탄성파 전파방향을 따르는 치수를 말하는 것으로 한다.
제1 탄성파 공진자에서는 IDT 전극의 중앙 영역의 전극지 피치로 정해지는 파장(λ)은 2㎛로 했다. 또한 중앙 영역에서의 듀티는 0.45로 했다. 제1, 제2 에지 영역에서의 듀티는 0.73으로 했다.
제1 탄성파 공진자에서는 중앙 영역(F)의 듀티가 0.45이며, 제2 탄성파 공진자에서는 중앙 영역(F)의 듀티는 0.5이다. 제1 탄성파 공진자와 제2 탄성파 공진자에서는 교차 폭을 작게 함으로써 용량을 조정한다.
도 4는 제2 탄성파 공진자의 IDT 전극의 전극 구조(21)를 설명하기 위한 평면도이다. 제2 탄성파 공진자는 제1 탄성파 공진자와 IDT 전극의 전극 구조가 다른 것을 제외하고는 마찬가지로 구성했다. 도 4에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(5A)에서는 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)에서 음속 저하막(22b, 22a)이 적층되어 있다. 음속 저하막(22b, 22a)은 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)에서 탄성파 전파방향을 따라 연장되도록 마련되어 있다. 음속 저하막(22a, 22b)은 여기서는 오산화탄탈로 이루어진다. 물론, 음속 저하막(22a, 22b)은 질량을 부가하고 음속을 저하시키는 한, 다른 절연성 재료로 이루어지는 것이어도 된다. 또한, 음속 저하막(22a, 22b)은 제1, 제2 전극지(5a, 5b)를 단락시키지 않도록 마련되는 경우에는 금속 등으로 이루어지는 것이어도 된다.
제2 탄성파 공진자에서는 IDT 전극의 파장은 2㎛로 하고, 중앙 영역 및 제1, 제2 에지 영역에서의 듀티는 0.50으로 했다.
제1 탄성파 공진자와 제2 탄성파 공진자의 공진 특성을 도 5(a) 및 도 5(b)를 참조하여 설명한다.
도 5(a)의 실선은 제1 탄성파 공진자의 공진 특성을 나타내고, 파선은 제2 탄성파 공진자의 공진 특성을 나타낸다. 도 5(b)는 도 5(a) 중의 원(A)으로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는 도면이다.
제1 탄성파 공진자에 비해, 제2 탄성파 공진자에서는 제1, 제2 전극지에 폭 확대부를 마련할 필요는 없다. 따라서, 중앙 영역에서의 듀티를 크게 한 경우라도, 제1, 제2 에지 영역과 중앙 영역의 음속 차를 크게 하는 것이 용이하다. 중앙 영역에서의 듀티가 커지면, 제1 전극지와 제2 전극지 사이의 용량이 커진다. 그 때문에 탄성파 공진자의 소형화를 진행할 수 있다. 이에 반해, 제1 탄성파 공진자에서는 중앙 영역의 듀티가 커진 경우, 제1, 제2 에지 영역과 중앙 영역의 음속 차를 크게 하는 것이 어렵다. 따라서, 제2 탄성파 공진자인 편이 제1, 제2 에지 영역과 중앙 영역의 음속 차를 유지하면서 중앙 영역에서의 듀티를 크게 설계할 수 있으므로, 탄성파 공진자의 소형화 및 탄성파 공진자를 가지는 탄성파 필터의 소형화와 횡모드 리플의 억압의 양립을 진행시키기 쉽다.
그러나 도 5(a) 및 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 제1 탄성파 공진자에 비해 제2 탄성파 공진자에서는 비대역이 커진다. 따라서, 제2 탄성파 공진자만으로 이루어지는 탄성파 필터, 예를 들면 래더형 필터를 구성한 경우, 필터 특성의 급준성이 충분하지 않다는 문제가 있었다. 급준성을 개선하기 위해서는 IDT 전극에 가중치를 부여하는 것을 생각할 수 있다. 그러나 그 경우에는 통과 특성이 열화(劣化)된다는 문제가 있다.
도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 제2 탄성파 공진자의 비대역은 3.9%인 것에 반해, 제1 탄성파 공진자의 비대역은 3.8%이다. 즉, 제2 탄성파 공진자 쪽이 비대역이 크다.
중앙 영역의 듀티를 작게 하면, 통상 비대역은 커진다. 중앙 영역의 듀티를 크게 하면, 통상 비대역은 작아진다. 제1 탄성파 공진자에서는 제2 탄성파 공진자에 비해 중앙 영역의 듀티를 작게 하고 있음에도 불구하고, 비대역이 작아져 있다. 즉, 제1 탄성파 공진자에서는 횡모드 리플의 억압에 대해서는 제2 탄성파 공진자보다도 불리하지만, 제2 탄성파 공진자에 비해 비대역을 작게 하기 쉽다. 따라서, 제1 탄성파 공진자를 이용함으로써 비대역을 좁혀 필터 특성의 급준성을 높일 수 있다. 한편, 제2 탄성파 공진자를 이용함으로써 탄성파 필터의 소형화를 진행한 경우라도 횡모드 리플을 효과적으로 억압할 수 있다.
즉, 본 발명의 탄성파 필터는 상기 제1 탄성파 공진자와 제2 탄성파 공진자를 가지기 때문에, 소형화를 진행한 경우라도 횡모드 리플의 억제와 필터 특성의 급준성 향상을 양립시킬 수 있다. 이를 구체적인 실시예에 기초하여 설명한다.
상기와 같이, 바람직하게는 제1 탄성파 공진자에서의 IDT 전극의 중앙 영역에서의 듀티보다도 제2 탄성파 공진자에서의 IDT 전극의 중앙 영역에서의 듀티 쪽이 크다. 그로써 소형화를 효과적으로 진행할 수 있다.
(실시예 1 및 비교예 1)
도 1에 나타낸 탄성파 필터(1)에 대한 실시예 1과, 비교를 위한 비교예 1의 탄성파 필터를 준비했다. 실시예 1에서의 압전 기판(8)의 구성은 전술한 제1, 제2 탄성파 공진자와 마찬가지로 했다. 실시예 1에서는 Band25Tx용 탄성파 필터를 구성했다. 중심 주파수는 1822.5㎒이다. 직렬암 공진자(S1, S2-1, S2-2, S3 및 S4) 그리고 병렬암 공진자(P1~P3)의 설계 파라미터는 하기의 표 1에 나타내는 대로 했다.
실시예 1의 탄성파 필터에서는 직렬암 공진자(S3)를 제1 탄성파 공진자로 하고, 나머지 직렬암 공진자(S1, S2-1, S2-2, S4) 및 병렬암 공진자(P1~P3)가 제2 탄성파 공진자로 이루어진다. 제1, 제2 탄성파 공진자의 IDT 전극의 구조는 전술한 제1, 제2 탄성파 공진자의 IDT 전극(5)과 마찬가지로 했다.
한편, 직렬암 공진자(S3)는 복수개의 직렬암 공진자(S1, S2-1, S2-2, S3 및 S4) 중 반공진 주파수가 가장 낮은 탄성파 공진자이다.
비교예 1로서, 직렬암 공진자(S3)도 제2 탄성파 공진자로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1의 탄성파 필터를 준비했다.
도 6의 실선이 실시예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내고, 파선이 비교예의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타낸다. 또한, 도 7은 도 6의 화살표(B)로 나타내는 부분 중, 좌측 감쇠량의 스케일로 표현되는 부분을 확대하여 나타내는 부분이다.
도 6 및 도 7로부터 분명한 바와 같이, 비교예 1의 탄성파 필터에 비해 실시예 1의 탄성파 필터에 따르면, 통과 대역 고역(高域) 측에서의 필터 특성의 급준성이 높아져 있다. 보다 구체적으로는 감쇠량이 3㏈에서 감쇠량이 35㏈로 증대될 때까지의 주파수 범위인 3㏈-35㏈ 급준성이 비교예 1에서는 9.3㎒이었던 것에 반해, 실시예 1에서는 9.1㎒이었다.
따라서, 실시예 1의 래더형 필터에서는 직렬암 공진자(S3)가 제1 탄성파 공진자이기 때문에, 상기와 같이 필터 특성의 급준성을 효과적으로 높이는 것이 가능하다. 또한, 상기 제1, 제2 탄성파 공진자를 가지기 때문에, 피스톤 모드의 형성에 의해 횡모드 리플의 억압이 도모된다. 따라서, 실시예 1의 탄성파 필터에서는 소형화를 진행한 경우라도, 횡모드 리플의 억제와 필터 특성의 급준성을 양립시킬 수 있는 것을 알 수 있다.
(실시예 2 및 비교예 1)
실시예 2로서, 비교예 1의 래더형 필터 중 병렬암 공진자(P1)만을 제1 탄성파 공진자로 한 것을 제외하고는 비교예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2의 래더형 필터를 준비했다. 한편, 실시예 2의 래더형 필터의 병렬암 공진자(P1)는 상기와 같이 제1 탄성파 공진자로 이루어지고, 그 제1 탄성파 공진자의 구성은 전술한 도 5(a) 및 도 5(b)로 나타낸 제1 탄성파 공진자와 마찬가지로 구성했다.
도 8은 실시예 2 및 비교예 1의 탄성파 필터의 감쇠량-주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 9는 도 8 중의 화살표(C)로 나타내는 부분 중, 좌측 감쇠량의 스케일로 표현되는 부분을 확대하여 나타내는 도면이다. 실선이 실시예 2의 특성을, 파선이 비교예 1의 특성을 나타낸다.
도 8 및 도 9로부터 분명한 바와 같이, 비교예 1에 비해 실시예 2의 탄성파 필터에서는 통과 대역 저역(低域) 측에서의 급준성이 높아져 있다. 보다 구체적으로는 3㏈-20㏈ 급준성이 비교예 1에서는 15.2㎒인 것에 반해, 실시예 2에서는 15.0㎒이다. 한편, 3㏈-20㏈ 급준성은 감쇠량이 3㏈인 주파수와 감쇠량이 20㏈인 주파수 사이의 주파수 차이다.
한편, 병렬암 공진자(P1)는 표 1에 나타낸 바와 같이, 복수개의 병렬암 공진자(P1~P3) 중 공진 주파수가 가장 높은 탄성파 공진자이다.
실시예 2의 탄성파 필터에서는 상기와 같이 병렬암 공진자(P1)가 제1 탄성파 공진자이기 때문에, 필터 특성의 급준성을 효과적으로 높일 수 있다. 따라서, 실시예 2에서도, 소형화를 진행한 경우라도 횡모드 리플의 억압을 효과적으로 도모할 수 있으면서 필터 특성의 급준성을 높일 수 있다.
실시예 1과 같이, 중심 주파수보다도 높은 반공진 주파수를 가지는 복수개의 직렬암 공진자 중, 반공진 주파수가 가장 낮은 직렬암 공진자가 제1 탄성파 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다. 반공진 주파수가 가장 낮은 직렬암 공진자가 통과 대역 고역 측의 급준성에 가장 크게 영향을 주기 때문이다. 그러나 그 밖의 직렬암 공진자(S1, S2-1, S2-2, S4)에 대해서도, 적어도 1개의 탄성파 공진자가 제1 탄성파 공진자이어도 된다. 그로써, 통과 대역 고역 측의 급준성을 한층 더 높일 수 있다. 보다 바람직하게는 제1 탄성파 공진자에 의해 모든 직렬암 공진자가 구성되어 있으면, 통과 대역 고역 측의 급준성은 한층 더 높일 수 있다.
한편, 실시예 2에 나타낸 바와 같이, 중심 주파수보다도 낮은 공진 주파수를 가지는 복수개의 상기 병렬암 공진자 중, 공진 주파수가 가장 높은 병렬암 공진자(P1)가 제1 탄성파 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다. 공진 주파수가 가장 높은 병렬암 공진자가 통과 대역 저역 측의 급준성에 가장 크게 영향을 주기 때문이다. 그러나 다른 병렬암 공진자(P2, P3)에 대해서도, 적어도 1개가 제1 탄성파 공진자이어도 된다. 그 경우, 통과 대역 저역 측의 급준성을 한층 더 높일 수 있다.
한편, 복수개의 직렬암 공진자 및 복수개의 병렬암 공진자를 가지는 탄성파 필터에서 복수개의 직렬암 공진자가 제1 탄성파 공진자 및 제2 탄성파 공진자를 가지며, 복수개의 병렬암 공진자가 제1 탄성파 공진자 및 제2 탄성파 공진자를 가져도 된다. 예를 들면, 실시예 1의 직렬암의 구성과 실시예 2의 병렬암의 구성이 채용되어도 된다. 이와 같이, 복수개의 탄성파 공진자에서의 제1 탄성파 공진자와 제2 탄성파 공진자의 배치는 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 탄성파 필터는 래더형 필터에 한정되지 않고, 복수개의 탄성파 공진자를 가지는 대역 통과형 필터에 널리 적용할 수 있다. 예를 들면, 종결합 공진자형 탄성파 필터에 직렬암 공진자 및/또는 병렬암 공진자가 전기적으로 접속된 대역 통과형 필터에서의 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자에 본 발명을 적용해도 된다.
도 10은 제2 실시형태에 따른 탄성파 필터를 가지는 듀플렉서의 회로도이다.
듀플렉서(31)에서는 안테나 단자(32)에 제2 실시형태의 탄성파 필터(33) 및 종결합 공진자형 탄성파 필터(34)가 접속되어 있다. 탄성파 필터(33)는 송신 필터이며, 송신 단자(36)와 공통 단자(35) 사이에 접속되어 있다. 종결합 공진자형 탄성파 필터(34)는 수신 필터이다. 종결합 공진자형 탄성파 필터(34)는 공통 단자(35)와 수신 단자(37) 사이에 접속되어 있다. 이와 같은 듀플렉서에서 제2 실시형태의 탄성파 필터(33)를 송신 필터로 이용한 경우, 송신 필터의 소형화를 진행한 경우라도 횡모드 리플의 억제와 필터 특성의 급준성을 높일 수 있다.
또한, 복수개의 직렬암 공진자(S1~S4) 및 병렬암 공진자(P1~P4) 중, 안테나 단자(32)로부터 가장 먼 탄성파 공진자가 제1 탄성파 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다. 안테나 단자(32)로부터 가장 먼 탄성파 공진자란, 복수개의 직렬암 공진자(S1~S4) 중 직렬암 공진자(S1)이다. 또한, 병렬암 공진자(P1~P4) 중 병렬암 공진자(P1)이다. 직렬암 공진자(S1) 및 병렬암 공진자(P1) 중 적어도 하나가 제1 탄성파 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다. 제1 탄성파 공진자는 제2 탄성파 공진자와 달리 음속 저하막을 부가하지 않기 때문에, 제2 탄성파 공진자에 비해 음속 저하막의 응력에 의한 압전막의 분극 반전이 생기기 어려우며 내전력성도 높다. 따라서, 큰 전력이 인가되기 쉽고, 전압에 의한 부하가 걸리기 쉬운 송신 단자에 가장 가까운 직렬암 공진자(S1) 또는 병렬암 공진자(P1)를 제1 탄성파 공진자로 함으로써, 탄성파 필터(33)의 압전막의 분극 반전을 발생시키기 어렵게 할 수 있고, 또한 내전력성도 높일 수 있다.
또한, 복수개의 직렬암 공진자(S1~S4) 및 병렬암 공진자(P1~P4) 중, 안테나 단자(32)로부터 가장 가까운 탄성파 공진자가 제1 탄성파 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다. 안테나 단자(32)로부터 가장 가까운 탄성파 공진자란, 복수개의 직렬암 공진자(S1~S4) 중 직렬암 공진자(S4)이다. 직렬암 공진자(S4)가 제1 탄성파 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다. 제2 탄성파 공진자의 듀티를 크게 함으로써 소형화를 도모한 경우, 듀플렉서(31)의 선형성이 악화된다는 문제가 있다. 그러나 선형성이 가장 악화되기 쉬우며 안테나 단자에 가장 가까운 탄성파 공진자를 제1 탄성파 공진자로 하고, 듀티를 제2 탄성파 공진자보다도 작게 함으로써, 듀플렉서(31)의 선형성 악화를 억제할 수 있다.
한편, 탄성파 필터(33)를 수신 필터로 이용해도 된다. 그 경우, 복수개의 직렬암 공진자(S1~S4) 및 병렬암 공진자(P1~P4) 중, 안테나 단자(32)로부터 가장 먼 탄성파 공진자가 제1 탄성파 공진자인 것이 바람직하다. 즉, 직렬암 공진자(S1) 및 병렬암 공진자(P1) 중 적어도 하나가 제1 탄성파 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다. 제1 탄성파 공진자는 제2 탄성파 공진자와 달리 음속 저하막을 부가하지 않기 때문에, 제2 탄성파 공진자에 비해 음속 저하막의 응력에 의한 압전막의 분극 반전이 생기기 어렵다. 따라서, 전압에 의한 부하의 걸리기 쉬운, 수신 단자에 가장 가까운 직렬암 공진자(S1) 또는 병렬암 공진자(P1)를 제1 탄성파 공진자로 함으로써, 탄성파 필터(33)의 압전막의 분극 반전을 발생시키기 어렵게 할 수 있다.
도 11은 제3 실시형태에 따른 탄성파 필터를 가지는 듀플렉서의 회로도이다.
듀플렉서(41)에서는 안테나 단자(32)와 탄성파 필터(33) 사이에 이상 회로(42)가 접속되어 있다. 그 밖의 회로 구성 자체는, 듀플렉서(41)는 듀플렉서(31)와 마찬가지이다. 이와 같은 이상 회로(42)를 가지는 듀플렉서(41)에서, 탄성파 필터(33)로서 본 발명의 실시형태의 탄성파 필터를 이용해도 된다.
도 12(a)~도 12(d)는 제2 탄성파 공진자의 전극 구조의 변형예를 설명하기 위한 부분 정면 단면도이다. 도 12(a)는 도 4에 나타낸 탄성파 공진자의 제2 에지 영역(E2)을 통과하고, 탄성파 전파방향을 따르는 절단면을 나타낸다. 전술한 바와 같이, 음속 저하막(22a)이 제2 에지 영역에서 탄성파 전파방향으로 연장되도록 마련되어 있다.
도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 음속 저하막(23a)이 제1, 제2 에지 영역에서 제1, 제2 전극지(5a, 5b)와 압전막(8d) 사이에 배치되어 있어도 된다. 또한, 도 12(c)에 나타내는 바와 같이, 음속 저하막(24a)이 제1 전극지(5a) 및 제2 전극지(5b) 상에 적층되어 있어도 된다. 이 경우, 음속 저하막(24a)으로서 금속 재료 등을 사용해도 된다.
또한 도 12(d)에 나타내는 바와 같이, 음속 저하막(25a)을 제1, 제2 전극지(5a, 5b)와 압전막(8d) 사이에 적층해도 된다. 이 경우, 음속 저하막(25a)으로서 금속 재료 등을 사용해도 된다.
한편, 산화규소는 도 12(a) 및 도 12(c)에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 전극지(5a, 5b) 상에 마련되는 경우에는 음속 저하막으로서 기능한다. 한편, 도 12(b) 및 도 12(d)에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 전극지(5a, 5b)의 아래에 마련되는 경우에는 산화규소가 음속 향상막으로서 작용한다.
상기와 같이, 제2 탄성파 공진자에서의 음속 저하막에 대해서는 다양한 형태로 제1, 제2 에지 영역에 배치할 수 있고, 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 13은 제4 실시형태에 따른 탄성파 필터에 이용되는 제2 탄성파 공진자의 전극 구조(51)를 나타내는 평면도이다. 여기서는 교차 영역(D) 중 중앙 영역(F)에서 제1, 제2 전극지(5a, 5b)를 덮도록 음속 향상막(52)이 적층되어 있다. 음속 향상막(52)을 중앙 영역(F)에 마련함으로써, 중앙 영역(F)에서의 음속을 높일 수 있다. 이와 같이, 중앙 영역(F)에 음속 향상막을 마련해도 된다. 이 경우, 음속 향상막(52)은 제1, 제2 전극지(5a, 5b)와 압전막(8d) 사이에 적층되어 있어도 된다.
상기 음속 향상막(52)으로서 기능할 수 있는 재료는 예를 들면, Al2O3, AlN, SiN, SiOX 등을 들 수 있다.
또한, 상기 음속 향상막(52)과 음속 저하막을 병용해도 된다. 즉, 제1, 제2 에지 영역에서 음속 저하막을 배치하고, 중앙 영역에 음속 향상막(52)을 배치해도 된다.
한편, 상기 제1 압전 공진자 및 제2 압전 공진자는 동일한 압전 기판 상에 구성되어 있어도 된다. 또한, 제1 압전 공진자의 압전 기판과 제2 압전 기판이 다른 압전 기판에 구성되어 있어도 된다.
1: 탄성파 필터
2: 입력 단자
3: 출력 단자
4: 탄성파 공진자
5: IDT 전극
5A: IDT 전극
5a: 제1 전극지
5b: 제2 전극지
5a1, 5a2, 5b1, 5b2: 폭 확대부
6, 7: 반사기
8: 압전 기판
8a: 지지 기판
8b: 고음속 재료층
8c: 저음속막
8d: 압전막
11: 전극 구조
21: 전극 구조
22a, 22b, 23a, 24a, 25a: 음속 저하막
31: 듀플렉서
32: 안테나 단자
33: 탄성파 필터
34: 종결합 공진자형 탄성파 필터
35: 공통 단자
36: 송신 단자
37: 수신 단자
41: 듀플렉서
42: 이상 회로
51: 전극 구조
52: 음속 향상막
P1, P2, P3, P4: 병렬암 공진자
S1, S2, S2-1, S2-2, S3, S4: 직렬암 공진자
2: 입력 단자
3: 출력 단자
4: 탄성파 공진자
5: IDT 전극
5A: IDT 전극
5a: 제1 전극지
5b: 제2 전극지
5a1, 5a2, 5b1, 5b2: 폭 확대부
6, 7: 반사기
8: 압전 기판
8a: 지지 기판
8b: 고음속 재료층
8c: 저음속막
8d: 압전막
11: 전극 구조
21: 전극 구조
22a, 22b, 23a, 24a, 25a: 음속 저하막
31: 듀플렉서
32: 안테나 단자
33: 탄성파 필터
34: 종결합 공진자형 탄성파 필터
35: 공통 단자
36: 송신 단자
37: 수신 단자
41: 듀플렉서
42: 이상 회로
51: 전극 구조
52: 음속 향상막
P1, P2, P3, P4: 병렬암 공진자
S1, S2, S2-1, S2-2, S3, S4: 직렬암 공진자
Claims (18)
- 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 구성되고 맞물리는 제1, 제2 전극지(電極指)를 가지는 IDT 전극을 가지는 복수개의 탄성파 공진자를 포함하며,
탄성파 전파방향에서 상기 제1 전극지와 상기 제2 전극지가 겹치는 영역을 교차 영역으로 했을 때에, 교차 영역이 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 중앙에 위치하는 중앙 영역과, 중앙 영역의 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양 외측에 배치된 제1, 제2 에지(edge) 영역을 가지며, 상기 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 상기 중앙 영역에서의 음속보다도 낮고,
상기 복수개의 탄성파 공진자가,
상기 제1, 제2 에지 영역에서의 제1 전극지의 폭 및 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나가 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 전극지의 폭 및 상기 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나보다도 큰 제1 탄성파 공진자와,
상기 제1, 제2 에지 영역에 음속 저하막이 적층되는 구성 및 상기 중앙 영역에 음속을 높이는 음속 향상막이 적층되는 구성 중 적어도 하나를 포함하는 제2 탄성파 공진자를 가지는, 탄성파 필터. - 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 구성되고 맞물리는 제1, 제2 전극지(電極指)를 가지는 IDT 전극을 가지는 복수개의 탄성파 공진자를 포함하며,
탄성파 전파방향에서 상기 제1 전극지와 상기 제2 전극지가 겹치는 영역을 교차 영역으로 했을 때에, 교차 영역이 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 중앙에 위치하는 중앙 영역과, 중앙 영역의 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양 외측에 배치된 제1, 제2 에지(edge) 영역을 가지며, 상기 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 상기 중앙 영역에서의 음속보다도 낮고,
상기 복수개의 탄성파 공진자가,
상기 제1, 제2 에지 영역에서의 제1 전극지의 폭 및 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나가 상기 중앙 영역에서의 상기 제1 전극지의 폭 및 상기 제2 전극지의 폭 중 적어도 하나보다도 큰 제1 탄성파 공진자와,
상기 제1, 제2 에지 영역에 오산화탄탈, 산화하프늄, 오산화니오브, 산화텅스텐, 및 산화규소로 이루어지는 절연막, 또는 Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, Ta, Mg, Fe, Ru 또는 이들 금속 중 어느 하나를 주체로 하는 합금이 적층되는 구성 및 상기 중앙 영역에 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화규소 및 산화규소로 이루어지는 군에서 선택된 재료로 이루어지는 막이 적층되는 구성 중 적어도 하나를 포함하는 제2 탄성파 공진자를 가지는, 탄성파 필터. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 탄성파 공진자에서의 상기 IDT 전극의 상기 중앙 영역에서의 듀티보다도 상기 제2 탄성파 공진자에서의 상기 IDT 전극의 상기 중앙 영역에서의 듀티 쪽이 큰, 탄성파 필터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수개의 탄성파 공진자는 직렬암(serial arm) 공진자와 병렬암(parallel arm) 공진자를 가지는, 탄성파 필터. - 제4항에 있어서,
상기 직렬암 공진자가 복수개 배치되고, 상기 병렬암 공진자가 복수개 배치되는, 탄성파 필터. - 제5항에 있어서,
래더(ladder)형 필터인, 탄성파 필터. - 제6항에 있어서,
상기 래더형 필터의 통과 대역의 중심 주파수보다도 높은 반공진 주파수를 가지는 복수개의 상기 직렬암 공진자 중, 반공진 주파수가 가장 낮은 상기 직렬암 공진자가 상기 제1 탄성파 공진자인, 탄성파 필터. - 제6항에 있어서,
상기 래더형 필터의 통과 대역의 중심 주파수보다도 낮은 공진 주파수를 가지는 복수개의 상기 병렬암 공진자 중, 공진 주파수가 가장 높은 상기 병렬암 공진자가 상기 제1 탄성파 공진자인, 탄성파 필터. - 제5항 또는 제6항에 있어서,
공통 단자를 추가로 포함하고,
복수개의 상기 직렬암 공진자 중, 상기 공통 단자에 가장 가까운 상기 직렬암 공진자가 상기 제1 탄성파 공진자인, 탄성파 필터. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
안테나 단자와 송신 단자를 가지는 송신 필터이며,
상기 복수개의 탄성파 공진자 중, 상기 안테나 단자로부터 가장 먼 상기 탄성파 공진자가 상기 제1 탄성파 공진자인, 탄성파 필터. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
안테나 단자와 수신 단자를 가지는 수신 필터이며,
상기 복수개의 탄성파 공진자 중, 상기 안테나 단자로부터 가장 먼 상기 탄성파 공진자가 상기 제1 탄성파 공진자인, 탄성파 필터. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수개의 탄성파 공진자가 상기 제1 탄성파 공진자 및 상기 제2 탄성파 공진자와는 다른 구조를 가지는 탄성파 공진자를 추가로 포함하는, 탄성파 필터. - 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 직렬암 공진자 또는 상기 병렬암 공진자에 전기적으로 접속된 종결합 공진자형 탄성파 필터를 추가로 포함하는, 탄성파 필터. - 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 탄성파 공진자와 상기 제2 탄성파 공진자가 동일한 압전 기판에 구성되는, 탄성파 필터. - 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 압전 기판이 고음속 재료층과, 상기 고음속 재료층 상에 직접 또는 간접적으로 적층된 압전막을 가지며, 상기 고음속 재료층이, 전파하는 벌크파의 음속이 상기 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 높은 고음속 재료로 이루어지는, 탄성파 필터. - 제15항에 있어서,
상기 고음속 재료층과 상기 압전막 사이에 적층된 저음속막을 추가로 포함하며,
상기 저음속막을 전파하는 벌크파의 음속이 상기 압전막을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮은, 탄성파 필터. - 제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 고음속 재료층의 상기 압전막과는 반대 측에 적층된 지지 기판을 추가로 포함하는, 탄성파 필터. - 제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 고음속 재료층이 고음속 재료로 이루어지는 지지 기판인, 탄성파 필터.
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |