JP2018207290A - 弾性波共振子および弾性波フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】リフレクタ電極の反射率の低下が抑制された弾性波共振子を提供する。【解決手段】圧電基板１と、電極指３ａ、３ｂを有するＩＤＴ電極３と、電極指４ａを有するリフレクタ電極４と、を備える。圧電基板１上の一部の領域に、更に、第１誘電体膜２が形成され、ＩＤＴ電極３の全ての電極指３ａ、３ｂが、第１誘電体膜２を介して圧電基板１上に形成される。リフレクタ電極４の少なくとも1本の電極指４ａが、第１誘電体膜２を介さず、直接に圧電基板１上に形成される。【選択図】図１

Description

本発明は、圧電基板上にＩＤＴ電極とリフレクタ電極とが形成された弾性波共振子に関する。また、本発明は、本発明の弾性波共振子を備えた弾性波フィルタに関する。

従来から、移動体通信機器などに使用されるフィルタを構成する共振子として、圧電基板上にＩＤＴ電極と１対のリフレクタ電極とが形成された弾性波共振子が広く使用されている。

このような構造からなる弾性波共振子において、電気機械結合係数を小さくするために、圧電基板とＩＤＴ電極およびリフレクタ電極との間に、誘電体膜を介在させる場合がある。

例えば、特許文献１（特開２００５-２６０９０９号公報）に、圧電基板上に誘電体膜が形成され、その誘電体膜上にＩＤＴ電極とリフレクタ電極とが形成された弾性波共振子が開示されている。図８に、特許文献１に開示された弾性波共振子（弾性表面波素子）１０００を示す。

弾性波共振子１０００は、圧電基板１０１を備えている。圧電基板１０１の主面に、誘電体膜（絶縁性材料層）１０２が形成されている。そして、誘電体膜１０２上に、ＩＤＴ電極（くし歯状電極部）１０３が形成されている。また、誘電体膜１０２上であって、弾性波が進行する方向におけるＩＤＴ電極１０３の両側に、それぞれリフレクタ電極（反射器）１０４が形成されている。なお、特許文献１では、弾性波共振子１０００を、ラダー型の弾性波フィルタ（バンドパスフィルタ）の直列椀共振子として使用している。

弾性波共振子１０００は、圧電基板１０１上に誘電体膜１０２を形成し、誘電体膜１０２上にＩＤＴ電極１０３とリフレクタ電極１０４とを形成したことによって、電気機械結合係数が小さくなっている。そして、その結果、弾性波共振子１０００を使って構成した弾性波フィルタは、通過帯域外の周波数において、急峻かつ十分な減衰が得られている。

特開２００５-２６０９０９号公報

しかし、特許文献１に開示された弾性波共振子１０００には、圧電基板１０１上に誘電体膜１０２を形成し、誘電体膜１０２上にＩＤＴ電極１０３とリフレクタ電極１０４とを形成したことによって、リフレクタ電極１０４の反射率が低下し、波の閉じ込め効果が低下してしまい、リターンロスが大きくなってしまうという問題があった。

すなわち、弾性波共振子１０００は、誘電体膜１０２を形成せず、圧電基板１０１上に、直接に、同等のＩＤＴ電極１０３とリフレクタ電極１０４とを形成した弾性波共振子に比べて、リターンロスが大きいという問題があった。

また、弾性波共振子１０００は、誘電体膜１０２を形成せず、圧電基板１０１上に、直接に、ＩＤＴ電極１０３とリフレクタ電極１０４とを形成した弾性波共振子と同等のリターンロスに抑えるためには、リフレクタ電極１０４の電極指の本数を増やさなければならず、大型化してしまうという問題があった。

本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の弾性波共振子は、圧電基板と、圧電基板上に形成された、電極指を有するＩＤＴ電極と、圧電基板上であって弾性波が進行する方向におけるＩＤＴ電極の両側に形成された、それぞれ電極指を有するリフレクタ電極と、を備え、圧電基板上の一部の領域に更に第１誘電体膜が形成され、ＩＤＴ電極の全ての電極指が、第１誘電体膜を介して圧電基板上に形成され、リフレクタ電極の少なくとも1本の電極指が、第１誘電体膜を介さず、直接に圧電基板上に形成されたものとした。

リフレクタ電極の全ての電極指が、第１誘電体膜を介さず、直接に圧電基板上に形成されていてもよい。この場合には、より効果的にリターンロスを抑制することができる。

ＩＤＴ電極とリフレクタ電極との間のギャップの大きさを、ＩＤＴ電極の電極指相互間のギャップの大きさよりも小さくすることも好ましい。この場合には、共振点よりも低い側の周波数に発生する場合がある、大きなリターンロスを抑制することができる。

ＩＤＴ電極上およびリフレクタ電極上に、更に第２誘電体膜を形成することも好ましい。この場合には、第２誘電体膜を温度補償に用いることができ、周波数温度特性を改善することができる。

また、第２誘電体膜上に、更に第３誘電体膜が形成されることも好ましい。この場合には、第３誘電体膜を、周波数調整に用いることができる。

第１誘電体膜と第２誘電体膜とが同じ材料で形成されていることも好ましい。なお、第１誘電体膜と第２誘電体膜との材質には、例えば、ＳｉＯ_２を用いることができる。

圧電基板に、ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３などの圧電単結晶を使用することも好ましい。

ＩＤＴ電極およびリフレクタ電極は、それぞれ、１層または複数層の電極層によって構成され、電極層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、または、これらの合金から選ばれる材料で形成されることも好ましい。第１誘電体膜（第１誘電体膜および第２誘電体膜）が、例えば、ＳｉＯ_２で形成された場合、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、または、これらの合金は、ＳｉＯ_２よりも十分に大きな密度を備えており、ＩＤＴ電極およびリフレクタ電極が、それぞれ良好に機能するからである。

本発明の弾性波共振子を使って、弾性波フィルタを作製することができる。なお、本発明の弾性波フィルタを使って、デュプレクサなどのマルチプレクサを作製してもよい。

本発明の弾性波共振子は、ＩＤＴ電極の全ての電極指が第１誘電体膜を介して圧電基板上に形成されているため、電気機械結合係数が小さい。

また、本発明の弾性波共振子は、リフレクタ電極の少なくとも1本の電極指が、第１誘電体膜を介さず、直接に圧電基板上に形成されているため、リフレクタ電極の反射率の低下が抑制されている。したがって、本発明の弾性波共振子は、リターンロスが小さい。

本発明の弾性波フィルタは、本発明の弾性波共振子を使用しているため、インサーションロスが小さく、かつ、通過帯域外の周波数において、急峻かつ十分な減衰が得られる。

第１実施形態にかかる弾性波共振子１００を示す分解平面図である。 図２（Ａ）は、弾性波共振子１００の断面図である。図２（Ｂ）は、弾性波共振子１００の要部断面図である。 比較例にかかる弾性波共振子１１００を示す分解平面図である。 図４（Ａ）は、インピーダンス周波数特性を示すグラフである。図４（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、リターンロス周波数特性を示すグラフである。 第２実施形態にかかる弾性波共振子２００の要部断面図である。 図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、リターンロス周波数特性を示すグラフである。 第３実施形態にかかる弾性波フィルタの回路図である。 特許文献１に開示された弾性波共振子１０００の断面図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。

［第１実施形態］
図１、図２（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかる弾性波共振子１００を示す。ただし、図１は、後述する第２誘電体膜５と第３誘電体膜６とを省略して示した、弾性波共振子１００の分解平面図である。図２（Ａ）は、弾性波共振子１００の断面図であり、図１の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。図２（Ｂ）は弾性波共振子１００の要部断面図であり、図２（Ａ）の破線Ｙで囲んだ部分を示している。なお、図１、図２（Ａ）、（Ｂ）は、模式的に示したものであり、図示された電極指３ａ、３ｂ、４ａの本数が、明細書の説明の本数と一致していない場合がある。

弾性波共振子１００は、圧電基板１を備えている。本実施形態においては、圧電基板１に、−１１°Ｙカット伝搬のＬｉＮｂＯ_３からなる圧電単結晶の基板を使用した。ただし、圧電基板１の材質は任意であり、ＬｉＴａＯ_３などからなる他の圧電単結晶の基板を使用してもよいし、圧電セラミックスの基板を使用してもよい。また、圧電基板１が圧電単結晶である場合のカット角も任意であり、上記のものには限られない。

圧電基板１の上側の主面の一部の領域に、第１誘電体膜２が形成されている。本実施形態においては、第１誘電体膜２にＳｉＯ_２を使用し、膜厚を１０ｎｍとした。ただし、第１誘電体膜２の材質は任意であり、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、Ｔａ_２Ｏ_５など、他の材質を使用してもよい。また、膜厚も任意であり、増減させることができる。

第１誘電体膜２上に、ＩＤＴ電極３が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極３は、第１誘電体膜２を介して、圧電基板１上に形成されている。

弾性波共振子１００は、１ポート型共振子であり、ＩＤＴ電極３の個数は１つである。ＩＤＴ電極３は、くし歯状に配置された第１グループの複数の電極指３ａと、くし歯状に配置された第２グループの複数の電極指３ｂとが、噛み合わされた構造からなる。本実施形態のＩＤＴ電極３は、３０対の電極指３ａ、３ｂを備えている。ただし、電極指３ａ、３ｂの対数は任意であり、増減させることができる。

本実施形態においては、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂの幅を、それぞれ、３７５ｎｍとした。また、図２（Ｂ）に示すように、電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさを、３７５ｎｍとした。したがって、ＩＤＴ電極３の電極ピッチは７５０ｎｍであり、デューティーは０．５である。ただし、これらの値は任意であり、それぞれ増減させることができる。

本実施形態においては、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂは、それぞれ、図２（Ｂ）に示すように、５層の電極層１０ａ〜１０ｅによって構成されている。第１層の電極層１０ａは、膜厚１０ｎｍのＮｉＣｒからなる。第２層の電極層１０ｂは、膜厚３０ｎｍのＰｔからなる。第３層の電極層１０ｃは、膜厚１０ｎｍのＴｉからなる。第４層の電極層１０ｄは、膜厚１５０ｎｍのＡｌからなる。第５層の電極層１０ｅは、膜厚１０ｎｍのＴｉからなる。ただし、電極指３ａ、３ｂの構造、材質、厚みなどは任意であり、それぞれ変更することができる。

圧電基板１の第１誘電体膜２が形成されていない領域に、リフレクタ電極４が形成されている。リフレクタ電極４は、弾性波が進行する方向（図１、図２（Ａ）、（Ｂ）における左右方向）における、ＩＤＴ電極３の両側に、それぞれ１つ形成されている。リフレクタ電極４は、少なくとも１本の電極指４ａを備えており、全ての電極指４ａが圧電基板１に直接に形成されている。リフレクタ電極４の電極指４ａの本数は、所望する反射率に応じて、任意に設定することができる。

本実施形態においては、リフレクタ電極４の電極指４ａの幅を、３７５ｎｍとした。また、複数の電極指４ａを備える場合は、図２（Ｂ）に示すように、電極指４ａ相互間のギャップＧ_Ｃの大きさを、３７５ｎｍとした。したがって、複数の電極指４ａを備える場合、リフレクタ電極４の電極ピッチは７５０ｎｍであり、デューティーは０．５である。ただし、これらの値は任意であり、それぞれ増減させることができる。

また、本実施形態においては、図２（Ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさを、３７５ｎｍとした。すなわち、本実施形態においては、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさと、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさとを等しく設定しており、いずれも３７５ｎｍにしている。

本実施形態においては、図２（Ｂ）に示すように、リフレクタ電極４の電極指４ａを、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂと同一の５層の電極層１０ａ〜１０ｅによって構成した。すなわち、リフレクタ電極４の電極指４ａの電極層１０ａ〜１０ｅは、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂの電極層１０ａ〜１０ｅと、同一の工程において、同時に形成されたものである。リフレクタ電極４の電極指４ａも、膜厚１０ｎｍのＮｉＣｒからなる第１層の電極層１０ａと、膜厚３０ｎｍのＰｔからなる第２層の電極層１０ｂと、膜厚１０ｎｍのＴｉからなる第３層の電極層１０ｃと、膜厚１５０ｎｍのＡｌからなる第４層の電極層１０ｄと、膜厚１０ｎｍのＴｉからなる第５層の電極層１０ｅとの５層が積層されたものからなる。ただし、電極指４ａの構造、材質、厚みなどは任意であり、それぞれ変更することができる。

図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極３およびリフレクタ電極４の上に、第２誘電体膜５が形成されている。本実施形態においては、第２誘電体膜５に、第１誘電体膜２と同じＳｉＯ_２を使用し、膜厚を５１０ｎｍとした。ただし、第２誘電体膜５の材質、膜厚は任意である。

第２誘電体膜５は、温度補償用に設けられたものである。すなわち、弾性波共振子１００は、第２誘電体膜５を設けたことによって、周波数温度特性が改善されている。

更に、第２誘電体膜５の上に、第３誘電体膜６が形成されている。本実施形態においては、第３誘電体膜６にＳｉＮを使用し、膜厚を３０ｎｍとした。ただし、第３誘電体膜６の材質、膜厚は任意である。

第３誘電体膜６は、周波数調整用に設けられたものである。すなわち、弾性波共振子１００は、第３誘電体膜６を削ることにより、周波数を調整することができる。

弾性波共振子１００は、ＩＤＴ電極３の全ての電極指３ａ、３ｂが、第１誘電体膜２を介して圧電基板１上に形成されているため、電気機械結合係数が小さい。したがって弾性波共振子１００を使って作製した弾性波フィルタは、通過帯域近傍の周波数において、急峻かつ十分な減衰を得ることができる。

また、弾性波共振子１００は、リフレクタ電極４の電極指４ａが、第１誘電体膜２を介さず、直接に圧電基板１上に形成されているため、リフレクタ電極４の反射率の低下が抑制されている。弾性波共振子１００において、反射率の低下が抑制されていることを確認するために、次の実験をおこなった。

まず、リフレクタ電極４の電極指４ａの本数が異なる３種類の弾性波共振子１００を作製した。具体的には、電極指４ａの本数が１５本の弾性波共振子１００Ａと、電極指４ａの本数が１１本の弾性波共振子１００Ｂと、電極指４ａの本数が６本の弾性波共振子１００Ｃとを作製した。また、比較のために、図３に示す、比較例にかかる弾性波共振子１１００を作製した。比較例にかかる弾性波共振子１１００は、圧電基板１の主面の全面に第１誘電体膜２を形成し、第１誘電体膜２上に、ＩＤＴ電極３と、リフレクタ電極４とを形成したものである。すなわち、弾性波共振子１１００は、リフレクタ電極４の電極指４ａも、第１誘電体膜２を介して圧電基板１上に形成されている。なお、弾性波共振子１１００のリフレクタ電極４の電極指４ａの本数は、弾性波共振子１００Ａと同じ１５本にした。

弾性波共振子１００Ａ、弾性波共振子１００Ｂ、弾性波共振子１００Ｃ、弾性波共振子１１００、それぞれについて、インピーダンス周波数特性を測定した。測定結果を図４（Ａ）に示す。図４（Ａ）から分かるよう、弾性波共振子１００Ａ、弾性波共振子１００Ｂ、弾性波共振子１００Ｃ、弾性波共振子１１００は、相互に近似したインピーダンス周波数特性を示している。

また、弾性波共振子１００Ａ、弾性波共振子１００Ｂ、弾性波共振子１００Ｃ、弾性波共振子１１００、それぞれについて、リターンロス周波数特性を測定した。測定結果を図４（Ｂ）に示す。また、図４（Ｃ）に、共振点付近のリターンロス周波数特性を拡大して示す。

図４（Ｂ）から分かるように、弾性波共振子１００Ａ（１５本）、および、弾性波共振子１００Ｂ（１１本）は、共振点付近におけるリターンロスが、比較例の弾性波共振子１１００（１５本）に比べて、大幅に小さくなっている。また、弾性波共振子１００Ｃ（６本）であっても、弾性波共振子１１００（１５本）よりも、共振点付近におけるリターンロスが僅かに小さくなっている。

弾性波共振子１００は、リフレクタ電極４の反射率が大きくなったことにより、波の閉じ込め効果が改善されて、リターンロスが抑制されたものと考えられる。

以上より、第１実施形態にかかる弾性波共振子１００は、リフレクタ電極４の電極指４ａを、第１誘電体膜２を介さず直接に圧電基板１上に形成したことによって、リフレクタ電極４の反射率が改善され、リターンロスが抑制されていることが確認できた。

なお、弾性波共振子１００は、共振点付近のリターンロスが抑制されているため、特に、ラダー型フィルタの直列椀共振子に使用することが効果的であると考えられる。

弾性波共振子１００は、弾性波共振子の製造に広く一般的に用いられている、成膜技術、フォトリソグラフィー技術などを用いて製造することができる。

［第２実施形態］
図５に、第２実施形態にかかる弾性波共振子２００を示す。ただし、図５は、弾性波共振子２００の要部断面図である。

第２実施形態にかかる弾性波共振子２００は、上述した第１実施形態にかかる弾性波共振子１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、弾性波共振子１００は、図２（Ｂ）に示したように、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさと、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさとが等しく、いずれも３７５ｎｍであった。これに対し、弾性波共振子２００は、図５に示すように、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさは変更せず、３７５ｎｍのままとしたが、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさを、３７５ｎｍよりも小さくした。弾性波共振子２００の他の構成は、弾性波共振子１００と同じにした。

弾性波共振子２００が、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさを、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさよりも小さくした目的は、共振周波数よりも低い側の周波数において発生する場合がある、大きなリターンロスを抑制することにある。すなわち、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさが、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさと等しいと、共振周波数よりも低い側の周波数において、大きなリターンロスが発生する場合がある。そして、このリターンロスが、弾性波共振子を使って構成した弾性波フィルタのフィルタ特性に悪影響を与える場合がある。

そこで、弾性波共振子２００は、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさを、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさよりも小さくすることによって、この大きなリターンロスを抑制した。リターンロス抑制の効果は、次の実験から明らかである。

まず、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさが、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさ（３７５ｎｍ）よりも小さい、２種類の弾性波共振子２００を作製した。具体的には、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさが３４５ｎｍの弾性波共振子２００Ａと、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさが３１５ｎｍの弾性波共振子２００Ｂとを作製した。また、比較のために、第１実施形態において作製した、ＩＤＴ電極３の電極指３ａ、３ｂ相互間のギャップＧ_Ａの大きさが３７５ｎｍであり、ＩＤＴ電極３とリフレクタ電極４との間のギャップＧ_Ｂの大きさも３７５ｎｍであり、両者が等しい弾性波共振子１００Ａを用意した。

なお、弾性波共振子２００Ａ、弾性波共振子２００Ｂ、弾性波共振子１００Ａは、いずれも、リフレクタ電極４の電極指４ａ相互間のギャップＧ_Ｃは３７５ｎｍである。

弾性波共振子２００Ａ、弾性波共振子２００Ｂ、弾性波共振子１００Ａ、それぞれについて、リターンロス周波数特性を測定した。測定結果を図６（Ａ）に示す。また、共振周波数よりも低い、２４２０ＭＨｚ〜２４５０ＭＨｚのリターンロス周波数特性を、図６（Ｂ）に拡大して示す。更に、共振周波数付近の、２４５０ＭＨｚ〜２４９０ＭＨｚのリターンロス周波数特性を、図６（Ｃ）に拡大して示す。

図６（Ａ）、（Ｂ）から分かるように、弾性波共振子１００Ａは、共振周波数よりも低い２４３５ＭＨｚ付近に、非常に大きなリターンロスが発生している。これに対し、弾性波共振子２００Ａ（Ｇ_Ｂ＝３４５ｎｍ）は、リターンロスの発生する周波数が少し共振周波数側にシフトしたうえで、リターンロスが大幅に抑制されている。更に、弾性波共振子２００Ｂ（Ｇ_Ｂ＝３１５ｎｍ）においては、大きなリターンロスそのものが消滅している。

以上の結果より、第２実施形態にかかる弾性波共振子２００において、共振周波数よりも低い周波数に発生する大きなリターンロスが抑制できていることが確認できた。

［第３実施形態］
図７に、第３実施形態にかかる弾性波フィルタ３００を示す。ただし、図７は、弾性波フィルタ３００の回路図である。

弾性波フィルタ３００はラダー型フィルタであり、直列椀に２つの直列椀共振子Ｓ１、Ｓ２が挿入され、２つの並列椀にそれぞれ並列腕共振子Ｐ１、Ｐ２が挿入されている。

弾性波フィルタ３００は、２つの直列椀共振子Ｓ１、Ｓ２に、それぞれ、第１実施形態にかかる弾性波共振子１００を使用したことを特徴としている。

弾性波フィルタ３００は、２つの直列椀共振子Ｓ１、Ｓ２に、電気機械結合係数が小さい弾性波共振子１００を使用しているため、通過帯域外の周波数において、急峻かつ十分な減衰が得られている。

また、弾性波フィルタ３００は、直列椀共振子Ｓ１、Ｓ２に、共振点付近のリターンロスが抑制された弾性波共振子１００を使用しているため、インサーションロスが小さい。

以上、第１実施形態にかかる弾性波共振子１００、第２実施形態にかかる弾性波共振子２００、第３実施形態にかかる弾性波フィルタ３００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。

例えば、弾性波共振子１００、２００では、両方のリフレクタ電極４の全ての電極指４ａを、第１誘電体膜２を介さず直接に圧電基板１上に形成したが、この構成に変更を加えてもよい。例えば、リフレクタ電極４の電極指４ａのうち、一部のものを圧電基板１上に形成し、残りのものを第１誘電体膜２上に形成するようにしてもよい。また、１対のリフレクタ電極４のうち、一方のものを圧電基板１上に形成し、他方のものを第１誘電体膜２上に形成するようにしてもよい。

また、弾性波共振子１００、２００は、１つのＩＤＴ電極３を備えた１ポート型共振子であったが、これに代えて、縦結合型共振子を構成してもよい。

また、弾性波フィルタ３００はラダー型フィルタであったが、弾性波フィルタの種類は任意であり、他の種類のものであってもよい。例えば、単一のフィルタではなく、デュプレクサなどのマルチプレクサであってもよい。

１・・・圧電基板
２・・・第１誘電体膜
３・・・ＩＤＴ電極
３ａ、３ｂ・・・電極指
４・・・リフレクタ電極
４ａ・・・電極指
５・・・第２誘電体膜
６・・・第３誘電体膜

Claims (10)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に形成された、電極指を有するＩＤＴ電極と、
   前記圧電基板上であって弾性波が進行する方向における前記ＩＤＴ電極の両側に形成された、それぞれ電極指を有するリフレクタ電極と、を備えた弾性波共振子であって、
   前記圧電基板上の一部の領域に更に第１誘電体膜が形成され、
   前記ＩＤＴ電極の全ての前記電極指が、前記第１誘電体膜を介して前記圧電基板上に形成され、
   前記リフレクタ電極の少なくとも1本の前記電極指が、前記第１誘電体膜を介さず、直接に前記圧電基板上に形成された、弾性波共振子。
2. 前記リフレクタ電極の全ての前記電極指が、前記第１誘電体膜を介さず、直接に前記圧電基板上に形成された、請求項１に記載された弾性波共振子。
3. 前記ＩＤＴ電極と前記リフレクタ電極との間のギャップの大きさが、前記ＩＤＴ電極の前記電極指相互間のギャップの大きさよりも小さい、請求項１または２に記載された弾性波共振子。
4. 前記ＩＤＴ電極上および前記リフレクタ電極上に、更に第２誘電体膜が形成された、請求項１ないし３のいずれか1項に記載された弾性波共振子。
5. 前記第２誘電体膜上に、更に第３誘電体膜が形成された、請求項４に記載された弾性波共振子。
6. 前記第１誘電体膜と第２誘電体膜とが同じ材料で形成された、請求項４または５に記載された弾性波共振子。
7. 前記第１誘電体膜と第２誘電体膜とがＳｉＯ_２で形成された、請求項６に記載された弾性波共振子。
8. 前記圧電基板がＬｉＮｂＯ_３またはＬｉＴａＯ_３の圧電単結晶からなる、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された弾性波共振子。
9. 前記ＩＤＴ電極および前記リフレクタ電極が、それぞれ、１層または複数層の電極層によって構成され、
   前記電極層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、または、これらの合金から選ばれる材料で形成された、請求項１ないし８のいずれか１項に記載された弾性波共振子。
10. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載された弾性波共振子を備えた、弾性波フィルタ。
    

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