KR20230091164A - 탄성파 장치 및 래더형 필터 - Google Patents

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카츠야 다이몬
쇼 나가토모
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

탄성파 공진자의 경우에 비대역을 좁힐 수 있고, 대역 통과형 필터에 이용한 경우에 대역폭을 좁히거나 급준성을 높일 수 있는 탄성파 장치를 제공한다. 지지 기판(2) 상에 직접 또는 간접적으로 압전층(5)이 적층되어 있고 압전층(5) 상에 IDT 전극(6)이 마련되어 있으며, 교차 영역(K)이 중앙 영역(C)과 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)을 가지며, 압전층(5)의 제2 주면(5b) 측에 마련되어 있고 평면에서 봤을 때 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)의 적어도 일부와 겹치면서 제1, 제2 버스바(7b, 8b)의 적어도 일부와 겹치도록 제1 및 제2 도전층(4A, 4B)이 마련되어 있는 탄성파 장치(1).

Description

탄성파 장치 및 래더형 필터
본 발명은 IDT 전극의 교차 영역이 중앙 영역과, 중앙 영역의 양 외측에 위치하고 있는 제1, 제2 에지(edge) 영역을 가지는 탄성파 장치 및 상기 탄성파 장치를 가지는 래더형 필터에 관한 것이다.
하기 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는 지지 기판 상에 산화규소막, 음속 조정막, 압전막 및 IDT 전극이 적층되어 있다. IDT 전극은 복수개의 제1 전극지(電極指)와 제2 전극지가 탄성파 전파 방향을 따라 겹쳐 있는 교차 영역을 가진다. 교차 영역이 중앙 영역과, 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양 외측에 배치된 제1, 제2 에지 영역을 가진다. 특허문헌 1에서는 음속 조정막을 마련함으로써 음속의 조정을 도모하고 있다. 이 음속 조정막은 IDT 전극 상에 적층되어 있지 않다. 그 때문에 음속을 고정밀도로 조정할 수 있으면서 음향 손실도 억제할 수 있다.
국제공개공보 WO2020/184466
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는 음속을 고정밀도로 조정할 수 있고 음향 손실을 억제할 수 있으나, 예를 들면 공진자의 경우, 비대역을 용이하게 좁힐 수 없었다. 또한 이와 같은 탄성파 장치를 복수개 가지는 대역 통과형 필터에서는 대역폭을 좁혀 급준성(急峻性)을 높이는 것이 어려운 경우가 있었다.
본 발명의 목적은 탄성파 공진자의 경우에 비대역을 좁힐 수 있고 대역 통과형 필터에 이용한 경우에 대역폭을 좁히거나 급준성을 높일 수 있는 탄성파 장치 및 래더형 필터를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 직접 또는 간접적으로 적층되어 있고 서로 대향하는 제1 및 제2 주면(主面)을 가지며, 상기 제2 주면 측이 상기 지지 기판 측에 위치하고 있는 압전층과, 상기 압전층의 상기 제1 주면 상에 마련된 IDT 전극을 포함하고, 상기 IDT 전극이 복수개의 제1 전극지와 제1 버스바(busbar)를 가지는 제1 빗형 전극과, 상기 복수개의 제1 전극지와 서로 맞물리는 복수개의 제2 전극지와 제2 버스바를 가지는 제2 빗형 전극을 가지며, 상기 제1 전극지와 상기 제2 전극지가 상기 제1 및 제2 전극지와 직교하는 방향에서 겹쳐 있는 영역이 교차 영역이고, 상기 교차 영역이, 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향 중앙에 위치하고 있는 중앙 영역과, 상기 중앙 영역의 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향 외측이고, 상기 제1 버스바 측에 위치하고 있는 제1 에지 영역과, 상기 중앙 영역의 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향 외측이고, 상기 제2 버스바 측에 위치하고 있는 제2 에지 영역을 가지며, 상기 제1 버스바와 상기 제1 에지 영역 사이가 제1 갭 영역이고, 상기 제2 버스바와 상기 제2 에지 영역 사이가 제2 갭 영역이며, 상기 압전층의 상기 제2 주면 측에 마련되어 있고 평면에서 봤을 때 상기 제1 및 제2 에지 영역의 적어도 일부와 겹쳐 있으면서 상기 제1 및 제2 버스바의 적어도 일부와 겹치도록 배치된 도전층을 더 포함한다.
본 발명에 따른 래더형 필터는 적어도 하나의 직렬암(serial arm) 공진자와 적어도 하나의 병렬암(parallel arm) 공진자를 가지며, 상기 직렬암 공진자의 적어도 하나가 본 발명에 따라 구성되어 있는 탄성파 장치이다.
본 발명에 따른 래더형 필터의 다른 양태는 복수개의 직렬암 공진자와 적어도 하나의 병렬암 공진자를 가지며, 상기 복수개의 직렬암 공진자 중 공진 주파수가 가장 낮은 공진자가 본 발명에 따라 구성되어 있는 탄성파 장치이다.
본 발명에 따른 탄성파 장치에 따르면 탄성파 공진자에서의 비대역을 좁힐 수 있고, 본 발명에 따른 탄성파 장치를 가지는 래더형 필터에서는 필터 특성에서 대역폭을 좁힐 수 있으면서 급준성을 높일 수 있다.
도 1(a)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이고, 도 1(b)는 도 1(a) 중의 A-A선을 따르는 부분의 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태의 탄성파 장치의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 3은 실시예 1 및 비교예 1의 각 탄성파 장치의 임피던스-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시형태의 변형예에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 7(a)는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이고, 도 7(b)는 도 7(a) 중의 B-B선을 따르는 부분의 단면도이다.
도 8은 도 7(a) 중의 C-C선을 따르는 부분을 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 9는 실시예 2 및 비교예 1의 각 탄성파 장치의 임피던스-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제6 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제7 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제8 실시형태에 따른 탄성파 장치를 설명하기 위한 정면 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제9 실시형태로서의 래더형 필터의 회로도이다.
도 15는 도 14에 나타낸 래더형 필터에 이용되고 있는 병렬암 공진자를 설명하기 위한 평면 단면도이다.
도 16은 도 14에 나타낸 래더형 필터에서의 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것으로 다른 실시형태 간에 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1(a)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이고, 도 1(b)는 도 1(a) 중의 A-A선을 따르는 부분의 단면도이다.
탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)을 가진다. 지지 기판(2)은 본 실시형태에서는 Si 기판(2A) 및 고음속막(2B)을 가지지만, 다른 절연 재료나 반도체 재료에 의해 구성된 단층 기판이어도 된다. Si 지지 기판(2A) 상에 질화규소로 이루어지는 고음속막(2B)이 적층되어 있다. 고음속막(2B) 상에 산화규소로 이루어지는 저음속막(3)이 적층되어 있다. 저음속막(3) 상에 제1, 제2 도전층(4A, 4B)이 적층되어 있다. 제1, 제2 도전층(4A, 4B) 상에 LiTaO3로 이루어지는 압전층(5)이 적층되어 있다. 한편, 저음속막(3)은 본 발명의 중간층이다. 다만, 중간층은 저음속막(3)을 가지는 적층막이어도 된다.
압전층(5)은 서로 대향하는 제1 주면(5a)과 제2 주면(5b)을 가진다. 제1 주면(5a) 상에 IDT 전극(6)이 적층되어 있다. 압전층(5)은 제2 주면(5b) 측으로부터 제1, 제2 도전층(4A, 4B)에 적층되어 있다. 저음속막(3)은 저음속 재료로 이루어진다. 저음속 재료를 전파하는 벌크파의 음속은 압전층(5)을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮다. 고음속막(2B)은 고음속 재료로 이루어진다. 고음속 재료를 전파하는 벌크파의 음속은 압전층(5)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 높다.
IDT 전극(6)은 제1 빗형 전극(7)과 제2 빗형 전극(8)을 가진다. 제1 빗형 전극(7)은 복수개의 제1 전극지(7a)와 제1 버스바(7b)를 가진다. 제1 전극지(7a)의 일단(一端)이 제1 버스바(7b)에 연결되어 있다.
제2 빗형 전극(8)은 복수개의 제2 전극지(8a)와 제2 버스바(8b)를 가진다. 제2 전극지(8a)의 일단이 제2 버스바(8b)에 연결되어 있다.
복수개의 제1 전극지(7a)와 복수개의 제2 전극지(8a)는 서로 맞물려 있다. 제1 전극지(7a)는 제2 버스바(8b) 측을 향하여 연장되어 있고, 제2 전극지(8a)는 제1 버스바(7b) 측을 향하여 연장되어 있다. 제1 전극지(7a)와 제2 전극지(8a)는 평행하게 배치되어 있다.
도 2는 탄성파 장치(1)의 전극 구조를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 탄성파 장치(1)에서는 IDT 전극(6)의 탄성파 전파 방향 양측에 반사기(9, 10)가 마련되어 있다. 그로써 1포트형 탄성파 공진자가 구성되어 있다.
탄성파 장치(1)에서는 제1 빗형 전극(7)과 제2 빗형 전극(8) 사이에 교류 전압을 인가함으로써 탄성파가 여진(勵振)된다. 이 경우, 복수개의 제1 전극지(7a)와 복수개의 제2 전극지(8a)가 연장되는 방향과 직교하는 방향으로 탄성파가 전파된다. 제1, 제2 전극지(7a, 8a)가 연장되는 방향과 직교하는 방향, 즉 탄성파 전파 방향으로 보았을 때, 제1 전극지(7a)와 제2 전극지(8a)가 겹쳐 있는 영역이 교차 영역(K)이다. 교차 영역(K)은 탄성파를 여진시키는 영역이다. 이 교차 영역(K)은 중앙 영역(C)과, 제1, 제2 전극지(7a, 8a)가 연장되는 방향 외측에 배치된 제1 에지 영역(E1)과, 제2 에지 영역(E2)을 가진다. 제1 에지 영역(E1)은 중앙 영역(C)에 대하여 제1 버스바(7b) 측에 위치하고 있다. 제2 에지 영역(E2)은 중앙 영역(C)에 대하여 제2 버스바(8b) 측에 위치하고 있다.
IDT 전극(6)은 적절한 금속 혹은 합금으로 이루어진다. 본 실시형태에서는 Ti막/Al막/Ti막의 적층체로 이루어진다.
제1 에지 영역(E1)과 제1 버스바(7b) 사이가 제1 갭 영역(G1)이고, 제2 에지 영역(E2)과 제2 버스바(8b) 사이가 제2 갭 영역(G2)이다.
탄성파 장치(1)의 특징은 도전층으로서 제1, 제2 도전층(4A, 4B)이 마련되어 있는 것에 있다. 제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 압전층(5)의 제2 주면(5b) 측에 마련되어 있다. 한편, 제2 주면(5b) 측이란, 제2 주면(5b)에 직접 적층되어 있는 구성에 한정되지 않고 제2 주면(5b)에 대하여 다른 층을 개재하여 간접적으로 적층되어 있는 구조도 포함하는 것으로 한다.
제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 각각 제1 및 제2 에지 영역(E1, E2)의 적어도 일부와 겹쳐 있다. 또한, 제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 각각 제1 및 제2 버스바(7b, 8b)의 적어도 일부와 겹치도록 배치되어 있다. 한편, 제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 제1, 제2 버스바(7b, 8b)에 전기적으로 접속되어 있지 않다.
도 1(a)에 나타내는 바와 같이 제1 에지 영역(E1) 측에서는, 제1 도전층(4A)은 제1 에지 영역(E1)으로부터 제1 버스바(7b)의 하방으로 연장되도록 마련되어 있다. 즉, 제1 도전층(4A)은 제1 갭 영역(G1)으로도 연장되도록 마련되어 있다. 마찬가지로 제2 에지 영역(E2) 측에서도 제2 도전층(4B)이 제2 에지 영역(E2)으로부터 제2 갭 영역(G2)을 넘어 제2 버스바(8b)의 하방으로 연장되도록 마련되어 있다. 제1 도전층(4A), 제2 도전층(4B)은 중앙 영역(C)에는 마련되어 있지 않다.
한편, 제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 도 1(a)에 나타내는 바와 같이 IDT 전극(6)의 탄성파 전파 방향 일단 측으로부터 타단(他端) 측을 향하여 연장되고 있다. 바람직하게는, 제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 탄성파 전파 방향에서 교차 영역(K)의 일단 측으로부터 타단 측까지의 영역을 포함하도록 마련된다.
탄성파 장치(1)에서는 상기 제1, 제2 도전층(4A, 4B)이 마련되어 있고, 제1, 제2 도전층(4A, 4B)의 질량 부가 효과에 의해 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)에서는 음속이 중앙 영역(C)에 비해 저하된다. 그리고 제1, 제2 갭 영역(G1, G2)의 음속은 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)의 음속보다도 높다. 그 때문에 피스톤 모드에 의해 횡모드를 억제할 수 있다. 또한, 상기 제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 제1 버스바(7b) 또는 제2 버스바(8b)와 압전층(5)을 개재하여 겹쳐 있다. 그 때문에 제1 버스바(7b) 또는 제2 버스바(8b)와 제1 도전층(4A) 또는 제2 도전층(4B) 사이에 용량이 형성된다. 따라서, 비대역을 작게 할 수 있다. 그것을 이하의 실시예 1 및 비교예 1의 특성을 설명함으로써 보다 분명하게 한다.
상기 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)의 실시예 1로서 이하의 탄성파 장치를 제작했다.
지지 기판(2); Si 기판(2A)은 (100)면으로 했다. 고음속막(2B)은 막 두께 900㎚의 질화규소막
저음속막(3); 막 두께 600㎚의 산화규소막
제1, 제2 도전층(4A, 4B); 막 두께 6㎚의 Pt막
압전층(5); 막 두께 600㎚의 LiTaO3막
IDT 전극(6); Ti막/Al막/Ti막의 적층체, 막 두께는 압전층(5) 측으로부터 순서대로 12㎚/140㎚/12㎚
교차 폭=40㎛
중앙 영역(C)의 길이=37.6㎛
제1, 제2 에지 영역(E1, E2)의 제1, 제2 전극지(7a, 8a)가 연장되는 방향의 치수; 1.2㎛
제1 버스바(7b) 및 제2 버스바(8b)의 면적=4×10-8㎡
제1 도전층(4A)과 제1 버스바(7b) 및 제2 도전층(4B)과 제2 버스바(8b)가 압전층(5)을 개재하여 겹치는 면적=1.5×108㎡
IDT 전극(6)에서의 전극지 피치=1㎛, 전극지의 쌍수=100쌍
IDT 전극(6)의 탄성파 전파 방향에는 반사기가 마련되어 있다(도시하지 않음). 그로써 1포트형 탄성파 공진자로서 실시예 1의 탄성파 장치를 구성했다.
비교를 위해 Pt막을 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)의 하방에만 배치한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1의 탄성파 장치를 제작했다.
한편, 설계 공진 주파수는 1955㎒이다.
도 3으로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1에 따르면 비교예 1에 비해 비대역이 좁게 되어 있다. 이는 상기 제1 및 제2 도전층(4A, 4B)과 제1 버스바(7b) 또는 제2 버스바(8b) 사이에 병렬 용량이 형성됨으로 인한 것이라고 생각된다. 따라서, 탄성파 장치(1)에 따르면 횡모드를 억압할 수 있을 뿐만 아니라, 비대역이 좁은 탄성파 공진자를 제공할 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 이와 같은 탄성파 장치를 이용하여 대역 통과형 필터를 구성한 경우, 필터 특성에서의 대역폭을 좁히거나 필터 특성의 급준성을 높일 수 있음을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
탄성파 장치(11)에서는 제1 도전층(4A)의 평면 형상이 탄성파 장치(1)의 경우와 다르다. 즉, 제1 에지 영역(E1) 측에서는, 제1 도전층(4A)은 제1 에지 영역(E1)에 마련되어 있고, 탄성파 전파 방향으로 연장되는 제1 부분(4a)과, 제1 버스바(7b)의 하방에서 탄성파 전파 방향으로 연장되는 제2 부분(4b)과, 교차 영역(K)보다도 탄성파 전파 방향 외측에서 제1 부분(4a)과 제2 부분(4b)을 연결하고 있는 연결 부분인 제3 부분(4c)을 가진다. 제2 에지 영역(E2)에서는 마찬가지 구조를 가지는 제2 도전층(4B)이 마련되어 있다.
이와 같이 제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 제1 갭 영역(G1)이나 제2 갭 영역(G2)의 하방에 존재하지 않아도 된다.
또한, 탄성파 장치(11)에서 제1 도전층(4A)의 제2 부분(4b)의 내측 끝 가장자리는 제1 버스바(7b)의 내측 끝 가장자리(7b1)보다도 교차 영역(K)에 대하여 제1, 제2 전극지(7a, 8a)가 연장되는 방향 외측에 위치하고 있다. 제2 버스바(8b)의 하방에서도 제2 도전층(4B)의 제2 부분(4b)의 내측 끝 가장자리는 제2 버스바(8b)의 내측 끝 가장자리(8b1)보다도 교차 영역(K)에 대하여 제1, 제2 전극지(7a, 8a)가 연장되는 방향 외측에 위치하고 있다.
이와 같이 제1 버스바(7b) 또는 제2 버스바(8b)와 압전층(5)을 개재하여 겹쳐 있는 도전층 부분은 제1 버스바(7b)나 제2 버스바(8b)의 전체 면의 하방에 존재하지 않아도 된다.
또한, 제2 부분(4b)은 제1 버스바(7b)의 외측 끝 가장자리(7b2) 또는 제2 버스바(8b)의 외측 끝 가장자리(8b2)의 하방으로 연장되도록 마련되어 있으나, 외측 끝 가장자리(7b2)나 외측 끝 가장자리(8b2)보다도 교차 영역(K) 측에 위치하고 있어도 된다.
즉, 도전층은 제1 및 제2 버스바의 적어도 일부에 겹치도록 배치되어 있으면, 제1 버스바나 제2 버스바 사이에 용량을 구성할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 에지 영역(E1, E2) 모두에 대하여 제1, 제2 도전층(4A, 4B)의 전체 영역이 압전층(5)을 개재하여 적층되어 있을 필요는 없고, 제1 및 제2 에지 영역(E1, E2)의 적어도 일부와 겹쳐 있으면 된다.
도 5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다. 탄성파 장치(31)에서는 IDT 전극(6)이 제1 빗형 전극(37)과 제2 빗형 전극(39)을 가진다. 제1 빗형 전극(37)은 복수개의 제1 전극지(37a)와 제1 버스바(37b)를 가진다. 탄성파 장치(31)에서 제1 버스바(37b)는 내측에 위치하고 있는 내측 버스바(37b1)와, 외측에 위치하고 있는 외측 버스바(37b3)와, 내측 버스바(37b1)와 외측 버스바(37b3)를 연결하고 있는 연결부(37b2)를 가진다. 한편, 내측이란 교차 영역(K) 측을 말한다. 탄성파 전파 방향에서 연결부(37b2) 사이는 개구부(37c)로 되어 있다. 제2 빗형 전극(38)도 마찬가지로 복수개의 제2 전극지(38a)와 제2 버스바(38b)를 가진다. 제2 버스바(38b)도 제1 버스바(37b)와 마찬가지로 내측 버스바(38b1), 외측 버스바(38b3) 및 연결부(38b2)를 가진다. 또한, 복수개의 개구부(38c)가 탄성파 전파 방향을 따라 마련되어 있다.
이 제1 버스바(37b) 및 제2 버스바(38b)가 상기와 같이 구성되어 있는 것을 제외하고는, 탄성파 장치(31)는 탄성파 장치(1)와 마찬가지로 구성되어 있다. 이와 같이 본 발명에서 제1, 제2 버스바는 내측 버스바와 외측 버스바와 연결부를 가지는 구성을 가지고 있어도 된다. 이 경우에서도 제1, 제2 도전층(4A, 4B)이 마련되어 있음으로써 비대역을 좁게 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시형태의 변형예에 따른 탄성파 장치의 평면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이 본 변형예에 따른 탄성파 장치(31A)에서는 제1, 제2 도전층(4A, 4B)의 교차 영역(K)에 대하여 반대 측의 끝 가장자리가 제1, 제2 버스바(37b, 38b)의 교차 영역(K)에 대하여 외측의 끝 가장자리보다도 교차 영역(K) 측에 위치하고 있다.
이와 같이 제1, 제2 도전층의 교차 영역(K)과는 반대 측의 끝 가장자리는 제1, 제2 버스바의 외측 끝 가장자리보다 내측이어도 된다.
도 7(a)는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이고, 도 7(b)는 도 7(a) 중의 B-B선을 따르는 부분의 단면도이다. 도 8은 도 7(a) 중의 C-C선을 따르는 부분을 확대하여 나타내는 단면도이다.
탄성파 장치(41)에서는, 제1 버스바(7b) 측에서 제1 도전층(4A)은 제1 버스바(7b)와 압전층(5)을 개재하여 겹쳐 있으면서, 제1 갭 영역(G1) 및 제1 에지 영역(E1) 도중으로 연장되는 제1 부분(4d)을 가진다. 이 제1 부분(4d)에 평행하게 연장되도록 제2 부분(4e)이 제2 에지 영역(E2)에 마련되어 있다. 이 제1 부분(4d)과 제2 부분(4e)이 제3 부분(4f)에 의해 연결되어 있다. 제3 부분(4f)은 제1, 제2 전극지(7a, 8a)가 연장되는 방향으로 연장되어 있고, 교차 영역(K)의 탄성파 전파 방향 외측에 위치하고 있다.
제2 버스바(8b)와 겹쳐 있는 제2 도전층(4B)도 마찬가지로 제1 부분(4d)과 제2 부분(4e)과 제3 부분(4f)을 가진다. 제2 부분(4e)은 제1 에지 영역(E1) 내에서 탄성파 전파 방향으로 연장되어 있다.
제1 도전층(4A)은 제1 버스바(7b)에 대하여 스루 홀(through-hole) 전극(42)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 스루 홀 전극(42)은 도 8에 부분 확대 단면도에서 나타내는 바와 같이 압전층(5)을 관통하도록 마련되어 있다. 제2 버스바(8b) 측에서도 제2 버스바(8b)가 스루 홀 전극(42)에 의해 제2 도전층(4B)에 전기적으로 접속되어 있다.
이와 같이 본 발명에서는 제1 도전층(4A)이 제2 에지 영역(E2)과 겹치는 부분인 제2 부분(4e)을 더 가지고 있어도 되고, 마찬가지로 제2 도전층(4B)이 제1 에지 영역(E1)과 겹치는 부분을 더 가지고 있어도 된다.
한편, 제1 에지 영역(E1)에서는 제1 도전층(4A)의 제1 부분(4d)과 제2 도전층(4B)의 제2 부분(4e)은 탄성파 전파 방향과 직교하는 방향에서 사이를 두고 있다.
마찬가지로 제1 도전층(4A)의 제2 부분(4e)과 제2 도전층(4B)의 제1 부분(4d)은 제2 에지 영역(E2)에서 사이를 두고 있다.
상기와 같이 제2 부분(4e)이 제1 도전층(4A) 및 제2 도전층(4B)에 마련되어 있는 경우, 용량의 추가적인 부가에 의해 비대역을 한층 더 효과적으로 좁힐 수 있다.
상기 제4 실시형태의 탄성파 장치로서 실시예 2의 탄성파 장치를 구성했다.
실시예 2의 탄성파 장치와 전술한 비교예 1의 탄성파 장치의 임피던스-주파수 특성을 도 9에 나타낸다.
도 9로부터 분명한 바와 같이, 비교예 1에 비해 실시예 2에 따르면 비대역을 충분히 작게 할 수 있음을 알 수 있다.
도 10은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다. 제5 실시형태의 탄성파 장치(51)에서는 제1, 제2 도전층(4A, 4B)의 제1 부분(4d)의 폭, 즉 제1, 제2 전극지(7a, 8a)가 연장되는 방향을 따른 치수가 탄성파 장치(41)의 경우보다도 가늘게 되어 있다. 도 4에 나타낸 탄성파 장치(11)와 마찬가지로 제1 부분(4d)의 폭이 제1 버스바(7b)나 제2 버스바(8b)의 폭보다 좁게 되어 있다. 이와 같이 제1 부분(4d)의 폭은 제1, 제2 전극지(7a, 8a)가 연장되는 방향에서 제1 버스바(7b) 또는 제2 버스바(8b)의 전체 영역과 겹칠 필요는 없다. 제1 버스바(7b)의 내측 끝 가장자리(7b1)나 제2 버스바(8b)의 내측 끝 가장자리(8b1)보다도 교차 영역(K)에 대하여 외측에 제1 및 제2 도전층(4A, 4B)의 제1 부분(4d)이 위치하고 있어도 된다. 또한, 제1, 제2 도전층(4A, 4B)의 제1 부분(4d)의 외측 끝 가장자리에 대해서도 제1 버스바(7b)의 외측 끝 가장자리(7b2)나 제2 버스바(8b)의 외측 끝 가장자리(8b2)보다도 내측에 위치하고 있어도 된다.
탄성파 장치(51)는 그 외의 점에서는 탄성파 장치(41)와 마찬가지로 구성되어 있다. 따라서, 본 실시형태에서도 비대역을 효과적으로 좁힐 수 있다.
도 11은 본 발명의 제6 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이고, 도 12는 제7 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면 단면도이다. 탄성파 장치(61)에서는 제1 버스바(7b) 및 제2 버스바(8b)가 각각 스루 홀 전극(42)을 개재하여 제1, 제2 도전층(4A, 4B)과 전기적으로 접속되어 있다. 기타 구성은, 탄성파 장치(61)는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 마찬가지로 구성되어 있다.
이와 같이 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 마찬가지의 전극 구조를 가지는 경우에도 제1, 제2 도전층(4A, 4B)은 제1 버스바(7b) 또는 제2 버스바(8b)에 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 이 경우에도, 제1 에지 영역(E1)에서는 제1 도전층(4A)과 제2 전극지(8a) 사이에서 용량이 형성된다. 또한, 제2 에지 영역(E2)에서는 제2 도전층(4B)과 제1 전극지(7a) 사이에서 용량이 형성되게 된다. 따라서, 탄성파 장치(61)에서도 비대역을 좁힐 수 있다.
도 1(b)에서 지지 기판(2)은 Si 기판(2A) 상에 고음속막(2B)을 적층한 구조를 가지고 있었다. 다만, 지지 기판(2)을 고음속 재료로 구성한 경우, 도 12에 나타내는 제7 실시형태와 같이 고음속막을 생략할 수 있다.
탄성파 장치(71)에서는 지지 기판(2)이 고음속 재료로 이루어지는 고음속 지지 기판이다. 그 때문에 고음속막이 생략되어 있는 것을 제외하고는 도 1(b)에 나타낸 탄성파 장치(1)와 마찬가지이다.
도 13은 본 발명의 제8 실시형태에 따른 탄성파 장치를 설명하기 위한 정면 단면도이다. 도 13에서는 제1 실시형태에 대한 도 1(b)와 동일한 부분이 나타나 있다. 탄성파 장치(81)가 탄성파 장치(1)와 다른 점은 제1 도전층(4A)이 압전층(5)의 제2 주면(5b)에 직접 접촉하고 있지 않고, 저음속막(3)과 지지 기판(2) 사이에 적층되어 있는 것에 있다. 이와 같이 제1 도전층(4A)은 압전층(5)에 간접적으로 적층되어 있어도 된다. 기타 구성은 탄성파 장치(81)는 탄성파 장치(1)와 마찬가지이다.
본 발명에서 도전층은 상기와 같이 압전층에 대하여 간접적으로 적층되어 있어도 된다. 이 경우에서도 병렬 용량의 부가에 의해 비대역을 효과적으로 좁힐 수 있다.
도 14는 본 발명의 제9 실시형태로서의 래더형 필터의 회로도이다. 래더형 필터(91)에서는 입력단(IN)과 출력단(OUT)을 잇는 직렬암에서 직렬암 공진자(S1~S4)가 서로 직렬로 접속되어 있다. 그리고 직렬암과 그라운드 전위를 잇는 3개의 병렬암에 각각 병렬암 공진자(P1~P3)가 접속되어 있다.
래더형 필터(91)에서 직렬암 공진자(S1~S4)는 도 1(a)에 나타낸 탄성파 장치(1)와 마찬가지 구조를 가진다. 이에 반해 병렬암 공진자(P1~P3)는 도 15에 나타내는 구조를 가진다. 도 15는 상기 래더형 필터에 이용되고 있는 병렬암 공진자를 설명하기 위한 평면 단면도이다.
탄성파 장치(92)에서는 전술한 비교예 1과 마찬가지로 제1, 제2 에지 영역(E1, E2)에서 압전층(5)의 하방에 질량 부가막(93, 93)이 마련되어 있다. 질량 부가막(93)은 Pt막으로 이루어진다.
상기 직렬암 공진자(S1~S4) 및 병렬암 공진자(P1~P3)의 설계 파라미터는 상기 구조의 차이를 별도로 하고 마찬가지로 했다. 즉, 직렬암 공진자(S1~S4)는 실시예 1과 동일하게 구성했다. 병렬암 공진자(P1~P3)는 상기와 같이 되는 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 했다.
도 16은 상기 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타낸다. 도 16으로부터 분명한 바와 같이, 병렬암 공진자에 비해 직렬암 공진자는 본 발명의 탄성파 장치에 의해 구성되어 있기 때문에 비대역이 좁아져 있다.
래더형 필터(91)에서는 직렬암 공진자(S1~S4)가 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치이기 때문에 직렬암 공진자에서의 비대역폭을 좁힐 수 있다. 그 때문에 통과 대역 고역(高域) 측의 급준성을 높일 수 있다.
한편, 바람직하게는, 본 발명의 래더형 필터에서는 복수개의 직렬암 공진자와 적어도 하나의 병렬암 공진자를 가지며, 상기 복수개의 직렬암 공진자 중 공진 주파수가 가장 낮은 공진자가 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치이다.
1: 탄성파 장치 2: 지지 기판
2A: Si 기판 2B: 고음속막
3: 저음속막 4A, 4B: 제1, 제2 도전층
4A, 4d: 제1 부분 4b, 4e: 제2 부분
4c, 4f: 제3 부분 5: 압전층
5a, 5b: 제1, 제2 주면 6: IDT 전극
7: 제1 빗형 전극 7a: 제1 전극지
7b: 제1 버스바 7b1: 내측 끝 가장자리
7b2: 외측 끝 가장자리 8: 제2 빗형 전극
8a: 제2 전극지 8b: 제2 버스바
8b1: 내측 끝 가장자리 8b2: 외측 끝 가장자리
9, 10: 반사기
11, 31, 31A, 41, 51, 61, 71, 81, 92: 탄성파 장치
37: 제1 빗형 전극 37a: 제1 전극지
37b: 제1 버스바 37b1: 내측 버스바
37b2: 연결부 37b3: 외측 버스바
37c: 개구부 38: 제2 빗형 전극
39b: 제2 버스바 38b1: 내측 버스바
38b2: 연결부 38b3: 외측 버스바
38c: 개구부 42: 스루 홀 전극
91: 래더형 필터 93: 질량 부가막
K: 교차 영역 C: 중앙 영역
E1, E2: 제1, 제2 에지 영역 G1, G2: 제1, 제2 갭 영역
P1~P3: 병렬암 공진자 S1~S4: 직렬암 공진자

Claims (13)

  1. 지지 기판과,
    상기 지지 기판 상에 직접 또는 간접적으로 적층되고 서로 대향하는 제1 및 제2 주면(主面)을 가지며, 상기 제2 주면 측이 상기 지지 기판 측에 위치하는 압전층과,
    상기 압전층의 상기 제1 주면 상에 마련된 IDT 전극을 포함하고,
    상기 IDT 전극이, 복수개의 제1 전극지(電極指)와 제1 버스바(busbar)를 가지는 제1 빗형 전극과, 상기 복수개의 제1 전극지와 서로 맞물리는 복수개의 제2 전극지와 제2 버스바를 가지는 제2 빗형 전극을 가지며,
    상기 제1 전극지와 상기 제2 전극지가, 상기 제1 및 제2 전극지와 직교하는 방향에서 겹치는 영역이 교차 영역이고, 상기 교차 영역이, 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향 중앙에 위치하는 중앙 영역과, 상기 중앙 영역의 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향 외측이고, 상기 제1 버스바 측에 위치하는 제1 에지(edge) 영역과, 상기 중앙 영역의 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향 외측이고, 상기 제2 버스바 측에 위치하는 제2 에지 영역을 가지며, 상기 제1 버스바와 상기 제1 에지 영역 사이가 제1 갭 영역이고, 상기 제2 버스바와 상기 제2 에지 영역 사이가 제2 갭 영역이며,
    상기 압전층의 상기 제2 주면 측에 마련되고 평면에서 봤을 때 상기 제1 및 제2 에지 영역의 적어도 일부와 겹치면서 상기 제1 및 제2 버스바의 적어도 일부와 겹치도록 배치된 도전층을 더 포함하는, 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도전층이 상기 제1 버스바의 적어도 일부에 겹치는 부분과 상기 제1 에지 영역과 겹치는 부분을 가지는 제1 도전층과,
    상기 제2 버스바의 적어도 일부에 겹치는 부분과 상기 제2 에지 영역과 겹치는 부분을 가지는 제2 도전층을 포함하는, 탄성파 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 도전층이 상기 제2 에지 영역과 겹치는 부분을 더 가지며,
    상기 제2 도전층이 상기 제1 에지 영역과 겹치는 부분을 더 가지는, 탄성파 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 도전층이 평면에서 봤을 때 상기 제1 갭 영역과 겹치는 부분을 더 가지며,
    상기 제2 도전층이 평면에서 봤을 때 상기 제2 갭 영역과 겹치는 부분을 더 가지는, 탄성파 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전층이 상기 제1 버스바 또는 상기 제2 버스바 중 적어도 하나에 전기적으로 접속되는, 탄성파 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전층이 상기 제1 버스바 및 상기 제2 버스바에 전기적으로 접속되지 않는, 탄성파 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전층과 상기 지지 기판 사이에 적층된 중간층을 더 포함하는, 탄성파 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전층이 상기 압전층의 상기 제2 주면에 적층되는, 탄성파 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 도전층이 상기 중간층 내 및 상기 중간층과 상기 지지 기판 사이의 계면 중 하나에 마련되는, 탄성파 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 중간층이, 전파하는 벌크파의 음속이 상기 압전층을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮은 저음속 재료로 이루어지는 저음속막을 가지는, 탄성파 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 지지 기판이 Si 기판과, 상기 Si 기판 상에 적층되고 전파하는 벌크파의 음속이 상기 압전층을 전파하는 탄성파의 음속보다 높은 고음속 재료로 이루어지는 고음속막을 가지는, 탄성파 장치.
  12. 적어도 하나의 직렬암(series arm) 공진자와 적어도 하나의 병렬암(parallel arm) 공진자를 가지며, 상기 직렬암 공진자의 적어도 하나가 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 탄성파 장치인, 래더형 필터.
  13. 복수개의 직렬암(series arm) 공진자와 적어도 하나의 병렬암(parallel arm) 공진자를 가지며, 상기 복수개의 직렬암 공진자 중 공진 주파수가 가장 낮은 공진자가 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 탄성파 장치인, 래더형 필터.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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