WO2021200677A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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康政 谷口
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an example of an elastic wave device as a BAW (Bulk Acoustic Wave) element.
  • an upper electrode is provided on one main surface of the piezoelectric layer, and a lower electrode is provided on the other main surface.
  • a reflective layer is laminated on the other main surface of the piezoelectric layer so as to cover the lower electrode.
  • the reflective layer includes a dielectric layer made of SiO 2 or the like and a conductor layer made of tungsten or the like.
  • the conductor layer has an extension that extends out of the active region.
  • Patent Document 2 discloses an elastic wave device used as a series arm resonator or a parallel arm resonator of a ladder type filter.
  • a piezoelectric layer is provided on the acoustic reflection layer.
  • An IDT electrode is provided on the piezoelectric layer.
  • the acoustic reflection layer includes a dielectric layer and a metal layer.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of suppressing IMD.
  • the elastic wave devices having the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator, which are electrically connected to each other are opposed to each other.
  • a piezoelectric layer having a main surface and a second main surface, a first upper electrode provided on the first main surface, and a second upper portion provided on the first main surface.
  • the electrode, the first lower electrode provided on the second main surface of the piezoelectric layer so as to overlap the first upper electrode in plan view, and the second upper electrode in plan view.
  • a second lower electrode provided on the second main surface of the piezoelectric layer is provided so as to overlap the electrode, and the first upper electrode and the first lower portion are provided in a plan view.
  • the portion where the electrodes overlap is the first resonator portion, and in plan view, the portion where the second upper electrode and the second lower electrode overlap is the second resonator portion, and is viewed in plan view.
  • the first acoustic is provided on the second main surface of the piezoelectric layer so as to overlap the first resonator portion and cover at least a part of the first lower electrode.
  • the reflective film is provided on the second main surface of the piezoelectric layer so as to overlap the second resonator portion in a plan view and to cover at least a part of the second lower electrode.
  • the first acoustic reflection film includes at least one layer of the first metal layer
  • the second acoustic reflection film includes at least one layer of the second metal.
  • the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator share the piezoelectric layer, and the first elastic wave resonator is the first upper electrode.
  • the first lower electrode and the first acoustic reflection film are included, and the second elastic wave resonator includes the second upper electrode, the second lower electrode, and the second acoustic reflection film.
  • the portion where only the first upper electrode of the first upper electrode and the first lower electrode overlaps with the first metal layer in a plan view is the first overlapping portion.
  • the portion of only the second upper electrode of the second upper electrode and the second lower electrode that overlaps with the second metal layer in a plan view is the second overlapping portion, and the first The area when the resonator portion is viewed in a plan view is smaller than the area when the second resonator portion is viewed in a plan view, and the area when the first overlapping portion is viewed in a plan view is the area when the second overlapping portion is viewed in a plan view. Is larger than the area when viewed in a plan view.
  • an elastic wave device having a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator that are electrically connected to each other without interposing other elements.
  • a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other, a first IDT electrode provided on the first main surface and having a plurality of electrode fingers, and the above.
  • a second IDT electrode provided on the first main surface and having a plurality of electrode fingers, and a first IDT electrode provided on the first main surface and connected to the first IDT electrode.
  • a wiring electrode and a second wiring electrode provided on the first main surface and connected to the second IDT electrode are provided, and the first wiring electrode is provided when viewed from the elastic wave propagation direction.
  • the portion where the adjacent electrode fingers of the IDT electrodes overlap each other is the first resonator portion, and the adjacent electrode fingers of the second IDT electrode overlap each other when viewed from the direction of elastic wave propagation.
  • the portion is a second resonator portion, and in a plan view, the first acoustic reflection film provided on the second main surface of the piezoelectric layer so as to overlap the first resonator portion.
  • a second acoustic reflection film provided on the second main surface of the piezoelectric layer is further provided so as to overlap the second resonator portion in a plan view.
  • the acoustic reflection film includes at least one layer of the first metal layer, the second acoustic reflection film contains at least one layer of the second metal layer, and the first elastic wave resonator and the second elastic wave.
  • the resonator shares the piezoelectric layer, the first elastic wave resonator includes the first IDT electrode and the first acoustic reflection film, and the second elastic wave resonator includes the first acoustic reflection film.
  • the portion including the second IDT electrode and the second acoustic reflection film, and the portion where the first wiring electrode and the first metal layer overlap in a plan view is the first overlapping portion.
  • the portion where the second wiring electrode and the second metal layer overlap is the second overlapping portion, and the area when the first resonator portion is viewed in a plan view is the plane of the second resonator portion. It is smaller than the area when viewed in a plan view, and the area when the first overlapping portion is viewed in a plan view is larger than the area when the second overlapping portion is viewed in a plan view.
  • IMD can be suppressed.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front sectional view of a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view of a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing IMD3 of the elastic wave device of the first embodiment and the comparative example of the present invention.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front sectional view of a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view of an elastic wave device according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic front sectional view of a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 10 is a ladder type filter.
  • the elastic wave device 10 has a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the elastic wave device 10 is, for example, a filter device for WiFi.
  • the application of the elastic wave device 10 is not limited to the above.
  • the pass band of the elastic wave device 10 is not particularly limited.
  • the elastic wave device 10 has an antenna terminal 12, a first elastic wave resonator 1A, and a second elastic wave resonator 1B.
  • the antenna terminal 12 is connected to the antenna. Due to the circuit configuration of the elastic wave device 10, a series arm is connected to the antenna terminal 12.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are series arm resonators, respectively.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are electrically connected to each other without interposing other elements. More specifically, the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are resonators divided in series. In other words, the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are in series with each other on the path connecting the antenna terminal 12 and the other terminal 14 without a parallel arm resonator in between. It is connected to the.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B may be parallel arm resonators divided in series. In this case, the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are in series with each other on the path connecting the antenna terminal 12 and the other terminal 14 and the ground potential. It is connected. However, the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B may be separate resonators.
  • FIG. 2 is a front sectional view of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the first embodiment.
  • the elastic wave device 10 has a piezoelectric layer 2.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b.
  • the first main surface 2a and the second main surface 2b face each other.
  • the first main surface 2a side is upward and the second main surface 2b side is downward.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B share the piezoelectric layer 2.
  • a first upper electrode 3A and a second upper electrode 3B are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • a first lower electrode 4A and a second lower electrode 4B are provided on the second main surface 2b.
  • a first acoustic reflection film 5A is provided on the second main surface 2b so as to cover the first lower electrode 4A.
  • a second acoustic reflection film 5B is provided on the second main surface 2b so as to cover the second lower electrode 4B.
  • the first acoustic reflection film 5A has a plurality of first low acoustic impedance layers and a plurality of first high acoustic impedance layers.
  • the low acoustic impedance layer is a layer having a relatively low acoustic impedance.
  • the high acoustic impedance layer is a layer having a relatively high acoustic impedance. More specifically, the acoustic impedance of the first low acoustic impedance layer is lower than the acoustic impedance of the first high acoustic impedance layer.
  • the plurality of first low acoustic impedance layers are the first low acoustic impedance layer 6a, the first low acoustic impedance layer 6b, and the first low acoustic impedance layer 6c shown in FIG. ..
  • the plurality of first high acoustic impedance layers are a first high acoustic impedance layer 7a and a first high acoustic impedance layer 7b.
  • the plurality of first low acoustic impedance layers and the plurality of first high acoustic impedance layers are alternately laminated.
  • the first low acoustic impedance layer and the first high acoustic impedance layer may be provided at least one by one.
  • the second acoustic reflection film 5B has a plurality of second low acoustic impedance layers and a plurality of second high acoustic impedance layers.
  • the acoustic impedance of the second low acoustic impedance layer is lower than the acoustic impedance of the second high acoustic impedance layer.
  • the plurality of second low acoustic impedance layers are the second low acoustic impedance layer 8a, the second low acoustic impedance layer 8b, and the second low acoustic impedance layer 8c shown in FIG. ..
  • the plurality of high acoustic impedance layers are a second high acoustic impedance layer 9a and a second high acoustic impedance layer 9b.
  • the plurality of second low acoustic impedance layers and the plurality of second high acoustic impedance layers are alternately laminated.
  • the second low acoustic impedance layer and the second high acoustic impedance layer may be provided at least one by one.
  • the periphery of the first acoustic reflection film 5A and the second acoustic reflection film 5B is covered with the intermediate layer 15.
  • the circumference is a circumference in a direction orthogonal to the thickness direction of the first acoustic reflection film 5A and the second acoustic reflection film 5B.
  • the alternate long and short dash line in FIG. 2 shows the boundary between the first acoustic reflection film 5A and the intermediate layer 15, and the boundary between the second acoustic reflection film 5B and the intermediate layer 15.
  • the intermediate layer 15 is made of an appropriate dielectric material.
  • the intermediate layer 15 may be made of the same material as the first low acoustic impedance layer and the second low acoustic impedance layer.
  • the first elastic wave resonator 1A is a resonator including a first upper electrode 3A, a first lower electrode 4A, and a first acoustic reflection film 5A.
  • the second elastic wave resonator 1B is a resonator including a second upper electrode 3B, a second lower electrode 4B, and a second acoustic reflection film 5B.
  • the portion where the first upper electrode 3A and the first lower electrode 4A overlap is the first resonator portion A.
  • the portion where the second upper electrode 3B and the second lower electrode 4B overlap is the second resonator portion B.
  • the area when the first resonator portion A is viewed in a plane is smaller than the area when the second resonator portion B is viewed in a plane.
  • the plan view means the direction seen from above in FIG.
  • the first acoustic reflection film 5A may cover at least a part of the first lower electrode 4A so as to overlap the first resonator portion A in a plan view.
  • the second acoustic reflection film 5B may cover at least a part of the second lower electrode 4B so as to overlap the second resonator portion B in a plan view.
  • the first high acoustic impedance layer 7a and the first high acoustic impedance layer 7b in the first acoustic reflection film 5A are first metal layers.
  • the second high acoustic impedance layer 9a and the second high acoustic impedance layer 9b in the second acoustic reflection film 5B are second metal layers.
  • the first acoustic reflection film 5A may include at least one first metal layer.
  • the second acoustic reflection film 5B may include at least one second metal layer.
  • a connection electrode 13 is provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • the connection electrode 13 electrically connects the first upper electrode 3A and the second upper electrode 3B.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are electrically connected.
  • the first upper electrode 3A is an electrode that overlaps at least one of the first lower electrode 4A and the first acoustic reflection film 5A in a plan view.
  • the second upper electrode 3B is an electrode that overlaps at least one of the second lower electrode 4B and the second acoustic reflection film 5B in a plan view.
  • connection electrode 13 is an electrode that does not overlap the first lower electrode 4A, the second lower electrode 4B, the first acoustic reflection film 5A, and the second acoustic reflection film 5B in a plan view.
  • the alternate long and short dash line in FIG. 2 is also a line indicating the boundary between the connection electrode 13 and the first upper electrode 3A and the second upper electrode 3B.
  • FIG. 3 is a plan view of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the first embodiment.
  • the first overlapping portion and the second overlapping portion which will be described later, are shown by hatching.
  • wiring for connecting the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B and other resonators and the like is omitted. The same applies to the plan views other than FIG.
  • first upper electrode 3A of the first upper electrode 3A and the first lower electrode 4A overlaps with the first metal layer in a plan view.
  • overlapping portion C the portion where only the second upper electrode 3B of the second upper electrode 3B and the second lower electrode 4B overlaps with the second metal layer in a plan view.
  • the areas of the first resonator portion A, the second resonator portion B, the first overlapping portion C, and the second overlapping portion D are, respectively, in a plan view unless otherwise specified. It is the area when it is done.
  • the feature of this embodiment is that the area when the first resonator portion A is viewed in a plane is smaller than the area when the second resonator portion B is viewed in a plane, and the first overlapping portion C is viewed in a plane. The area is larger than the area when the second overlapping portion D is viewed in a plan view. Thereby, IMD can be suppressed.
  • IMD can be suppressed.
  • the fact that the first upper electrode 3A overlaps with the first upper electrode 3A in a plan view means that the first upper electrode 3A of the first upper electrode 3A and the first lower electrode 4A It means that it overlaps with the electrode.
  • the fact that it overlaps with the second upper electrode 3B in a plan view means that it overlaps only the second upper electrode 3B of the second upper electrode 3B and the second lower electrode 4B.
  • the elastic wave device 10 has a plurality of resonators electrically connected to the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B. More specifically, the first elastic wave resonator 1A, the second elastic wave resonator 1B, the series arm resonator S3, the series arm resonator S4, and the series arm resonator S5 are connected in series with each other. ..
  • a parallel arm resonator P1 and a parallel arm resonator P2 are connected between the connection point between the antenna terminal 12 and the first elastic wave resonator 1A and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P1 and the parallel arm resonator P2 are connected in series with each other.
  • a parallel arm resonator P3 is connected between the connection point between the second elastic wave resonator 1B and the series arm resonator S3 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P4 is connected between the connection point between the series arm resonator S3 and the series arm resonator S4 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P5 and a parallel arm resonator P6 are connected between the series arm resonator S5 and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P5 and the parallel arm resonator P6 are connected in series with each other.
  • the circuit configuration of the elastic wave device 10 is not limited to the above.
  • at least one resonator other than the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B may be provided.
  • the resonator may be electrically connected to the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B.
  • the resonator may be a BAW element or a SAW (Surface Acoustic Wave) element.
  • the resonator may be a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the piezoelectric layer 2 shown in FIG. 2 is an aluminum nitride layer. More specifically, the piezoelectric layer 2 is an AlN layer.
  • the material of the piezoelectric layer 2 is not limited to the above, and for example, lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, quartz, or PZT (lead zirconate titanate) can be used.
  • the first upper electrode 3A, the second upper electrode 3B, the first lower electrode 4A and the second lower electrode 4B are tungsten electrodes.
  • the material of each of the above electrodes is not limited to this.
  • Each first high acoustic impedance layer and each second high acoustic impedance layer is a tungsten layer.
  • the material of each first high acoustic impedance layer and each second high acoustic impedance layer is not limited to the above, and for example, a metal such as platinum or molybdenum or a dielectric such as aluminum nitride or silicon nitride may be used. You can also.
  • Each first low acoustic impedance layer and each second low acoustic impedance layer is a silicon oxide layer. More specifically, each of the above layers is a SiO 2 layer.
  • the material of each first low acoustic impedance layer and each second low acoustic impedance layer is not limited to the above, and for example, a metal such as aluminum can be used.
  • the first low acoustic impedance layer may be the first metal layer.
  • the second low acoustic impedance layer may be a second metal layer.
  • the layer located closest to the piezoelectric layer 2 side and covering the first lower electrode 4A is a dielectric layer.
  • the second acoustic reflection film 5B the layer located closest to the piezoelectric layer 2 side and covering the second lower electrode 4B is a dielectric layer.
  • the same material as the material of the plurality of first low acoustic impedance layers and the plurality of second low acoustic impedance layers is used for the intermediate layer 15.
  • the intermediate layer 15 is a SiO 2 layer.
  • a material different from the materials of the plurality of first low acoustic impedance layers and the plurality of second low acoustic impedance layers may be used for the intermediate layer 15.
  • the comparative example is different from the first embodiment in that the area when the first overlapping portion C is viewed in a plane is smaller than the area when the second overlapping portion D is viewed in a plane.
  • the IMDs of the elastic wave device having the configuration of the first embodiment and the comparative example were compared. More specifically, IMD3 (third-order IMD) when two waves of the Band 1 transmission signal and the Band 1 reception signal were input from the antenna terminal of the elastic wave device was compared.
  • FIG. 4 is a diagram showing IMD3 of the elastic wave device of the first embodiment and the comparative example.
  • the area of the first resonator portion of the first elastic wave resonator is smaller than the area of the second resonator portion of the second elastic wave resonator.
  • the capacitance of the first elastic wave resonator is smaller than the capacitance of the second elastic wave resonator.
  • the smaller the capacitance the more likely IMD is to occur.
  • IMD is likely to occur in the first elastic wave resonator, and IMD in the first elastic wave resonator cannot be suppressed.
  • the area of the first overlapping portion C is larger than the area of the second overlapping portion D.
  • the second overlapping portion D is a portion in which only the second upper electrode 3B of the second upper electrode 3B and the second lower electrode 4B overlaps with the second metal layer in a plan view.
  • the capacitance of the first overlapping portion C is also added.
  • the capacity of the first overlapping portion C is, so to speak, a compensation capacity.
  • the compensation capacitance of the second overlapping portion D is added in the second elastic wave resonator 1B.
  • the compensation capacitance added in the first elastic wave resonator 1A is the second elastic wave resonator 1B. It is larger than the compensation capacity added in.
  • IMD is effectively suppressed in the first elastic wave resonator 1A. Therefore, in the first embodiment, the IMD can be suppressed even in the elastic wave device 10 as a whole.
  • the area of the first resonator portion A is smaller than the area of the second resonator portion B as in the present embodiment, the area of the first overlapping portion C is set. It may be larger than the area of the region of the second overlapping portion D. Thereby, IMD can be suppressed.
  • the present invention is particularly suitable when the resonator is divided in series.
  • the first acoustic reflection film 5A of the first elastic wave resonator 1A has a plurality of first metal layers.
  • the plurality of first metal layers are entirely overlapped with each other.
  • the plurality of first metal layers may have portions that do not overlap each other.
  • the portion where at least one first metal layer and the first upper electrode 3A overlap is the first overlapping portion C.
  • the portion where at least one second metal layer and the second upper electrode 3B overlap is the second overlapping portion D.
  • the area of the portion where the first metal layer on the piezoelectric layer 2 side and the first upper electrode 3A overlap is the second second on the piezoelectric layer 2 side in the plan view. It is preferably larger than the area of the portion where the metal layer and the second upper electrode 3B overlap. Thereby, IMD can be suppressed more reliably.
  • first modification and a second modification of the first embodiment will be shown.
  • the circuit configuration is different from that of the first embodiment.
  • IMD can be suppressed as in the first embodiment.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are connected in parallel with each other. More specifically, the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are resonators divided in parallel. In other words, the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are connected in parallel to each other on the path connecting the antenna terminal 12 and the other terminal 14.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B may be parallel arm resonators divided in parallel.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are parallel to each other on the path connecting the antenna terminal 12 and the other terminal 14 and the ground potential. It is connected.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B may be separate resonators.
  • the present invention is particularly suitable when the resonator is divided in parallel.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are the resonators arranged closest to the antenna terminal 12.
  • the resonators arranged closest to the antenna terminal 12 are the parallel arm resonator closest to the antenna end among one or more parallel arm resonators, and the series closest to the antenna end among one or more series arm resonators. Refers to at least one of the arm resonators.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are resonators divided in series. Therefore, both the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are resonators arranged closest to the antenna terminal 12.
  • the elastic wave device when used for a multiplexer or the like, the influence of the IMD of the resonator arranged on the antenna terminal 12 side most on other filter devices is particularly large. Therefore, when the elastic wave device of this modification is used as a multiplexer or the like, the influence of the IMD on the elastic wave device and the filter device commonly connected to the antenna terminal 12 can be effectively suppressed.
  • the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are resonators divided in series, as in the first embodiment. IMD is effectively suppressed in the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B. Therefore, the first elastic wave resonator 1A or the second elastic wave resonator 1B may be arranged closest to the antenna terminal 12. In this case, the influence of IMD on the other filters can be effectively suppressed.
  • the first overlapping portion C is located closer to the connecting electrode 13 than the first lower electrode 4A in a plan view.
  • the second overlapping portion D is located closer to the connecting electrode 13 than the second lower electrode 4B in a plan view.
  • the arrangement of the first overlapping portion C and the second overlapping portion D is not limited to this.
  • the outer peripheral edge of the first upper electrode 23A is located around the outer peripheral edge of the first lower electrode 4A in a plan view. ..
  • the first overlapping portion C is located around the first lower electrode 4A in a plan view.
  • the outer peripheral edge of the second upper electrode 23B is located around the outer peripheral edge of the second lower electrode 4B in a plan view.
  • the second overlapping portion D is located around the second lower electrode 4B in a plan view.
  • the first upper electrode and the second upper electrode are connected in the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator.
  • the first lower electrode and the second lower electrode may be electrically connected.
  • FIG. 8 is a schematic front sectional view of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator in the elastic wave apparatus according to the second embodiment.
  • the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator are shown by a schematic diagram in which two diagonal lines are added to a rectangle.
  • the first elastic wave resonator 31A and the second elastic wave resonator 31B shown in FIGS. 8 and 9 are SAW elements, and the first overlapping portion C and the second overlapping portion C.
  • the arrangement of D is different from that of the first embodiment.
  • the elastic wave device 30 of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the first elastic wave resonator 31A and the second elastic wave resonator 31B are electrically connected to each other without interposing other elements.
  • the first elastic wave resonator 31A and the second elastic wave resonator 31B share the piezoelectric layer 2.
  • a first IDT electrode 33A and a second IDT electrode 33B are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • An elastic wave is excited by applying an AC voltage to the first IDT electrode 33A.
  • a pair of reflectors 34A and reflectors 34B are provided on both sides of the first IDT electrode 33A in the elastic wave propagation direction on the first main surface 2a.
  • a pair of reflectors 34C and 34Ds are provided on both sides of the second IDT electrode 33B on the first main surface 2a in the elastic wave propagation direction.
  • the first IDT electrode 33A has a first bus bar 35A, a second bus bar 36A, a plurality of first electrode fingers 37A, and a plurality of second electrode fingers 38A.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 37A is connected to the first bus bar 35A.
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 38A is connected to the second bus bar 36A.
  • the plurality of first electrode fingers 37A and the plurality of second electrode fingers 38A are interleaved with each other.
  • the second IDT electrode 33B also has a first bus bar 35B, a second bus bar 36B, a plurality of first electrode fingers 37B and a plurality of second electrode fingers 38B.
  • the first elastic wave resonator 31A is a resonator including a first IDT electrode 33A, a reflector 34A, a reflector 34B, and a first acoustic reflector film 5A.
  • the second elastic wave resonator 31B is a resonator including a second IDT electrode 33B, a reflector 34C, a reflector 34D, and a second acoustic reflector film 5B.
  • the region where the adjacent first electrode fingers 37A and the second electrode fingers 38A overlap when viewed from the elastic wave propagation direction is the first crossing region.
  • the first crossing region is the first resonator portion A.
  • the region where the first electrode finger 37B and the second electrode finger 38B that are adjacent to each other when viewed from the elastic wave propagation direction overlap is the second crossing region.
  • the second crossing region is the second resonator portion B.
  • the area when the first resonator portion A is viewed in a plane is smaller than the area when the second resonator portion B is viewed in a plane.
  • the first acoustic reflection film 5A overlaps with the first resonator portion A.
  • the second acoustic reflection film 5B overlaps with the second resonator portion B.
  • the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2 has a first wiring electrode 43A and a first wiring electrode 44A, and a second wiring electrode 43B and a second wiring electrode. 44B is provided.
  • the first wiring electrode 43A and the first wiring electrode 44A are connected to the first IDT electrode 33A. More specifically, the first wiring electrode 43A is connected to the first bus bar 35A of the first IDT electrode 33A.
  • the first wiring electrode 44A is connected to the second bus bar 36A of the first IDT electrode 33A.
  • the second wiring electrode 43B and the second wiring electrode 44B are connected to the second IDT electrode 33B. More specifically, the second wiring electrode 43B is connected to the first bus bar 35B of the second IDT electrode 33B.
  • the second wiring electrode 44B is connected to the second bus bar 36B of the second IDT electrode 33B.
  • connection electrode 13 is provided on the first main surface 2a.
  • the connection electrode 13 electrically connects the first wiring electrode 44A and the second wiring electrode 43B.
  • the first elastic wave resonator 31A and the second elastic wave resonator 31B are electrically connected.
  • the connection electrode 13 is an electrode that does not overlap the first acoustic reflection film 5A and the second acoustic reflection film 5B in a plan view.
  • the alternate long and short dash line in FIG. 9 is a line indicating the boundary between the connection electrode 13 and the first wiring electrode 44A and the second wiring electrode 43B.
  • the region where the first wiring electrode 43A and the first wiring electrode 44A and the first metal layer in the first acoustic reflection film 5A overlap is the first overlapping. Part C. More specifically, in a plan view, the region where the first wiring electrode 43A and the first wiring electrode 44A and the first high acoustic impedance layer overlap is the first overlapping portion C. On the other hand, in a plan view, the region where the second wiring electrode 43B and the second wiring electrode 44B and the second metal layer in the second acoustic reflection film 5B overlap is the second overlapping portion D. .. More specifically, in a plan view, the region where the second wiring electrode 43B and the second wiring electrode 44B and the second high acoustic impedance layer overlap is the second overlapping portion D. Twice
  • the area when the first resonator portion A is viewed in a plane is smaller than the area when the second resonator portion B is viewed in a plane, and the area of the first overlapping portion C is set.
  • the area of the second overlapping portion D is larger than the area when viewed in a plan view.
  • Connection electrode 14 ... Terminal 15 ... Intermediate layers 23A, 23B ... First and second upper electrodes 30 ... Elastic wave devices 31A, 31B ... First and second elastic wave resonators 33A, 33B ... First and second IDT electrodes 34A to 34D ... Reflectors 35A, 35B ... First bus bars 36A, 36B ... Second Bus bars 37A, 37B ... First electrode fingers 38A, 38B ... Second electrode fingers 43A, 44A ... First wiring electrodes 43B, 44B ... Second wiring electrodes A, B ... First, second resonators C, D ... 1st and 2nd overlapping portions P1 to P6 ... Parallel arm resonators S3 to S5 ... Series arm resonators

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Abstract

ＩＭＤを抑制することができる、弾性波装置を提供する。　本発明の弾性波装置１０は、圧電体層２と、第１，第２の上部電極３Ａ，３Ｂと、第１，第２の下部電極４Ａ，４Ｂと、第１，第２の音響反射膜５Ａ，５Ｂとを備える。平面視において、第１の上部電極３Ａ及び第１の下部電極４Ａが重なっている部分が第１の共振子部Ａであり、第２の上部電極３Ｂ及び第２の下部電極４Ｂが重なっている部分が第２の共振子部Ｂである。第１の音響反射膜５Ａが第１の金属層を含み、第２の音響反射膜５Ｂが第２の金属層を含む。第１の上部電極３Ａのみが平面視において第１の金属層と重なっている部分が第１の重なり部Ｃであり、第２の上部電極３Ｂのみが平面視において第２の金属層と重なっている部分が第２の重なり部Ｄである。第１の共振子部Ａを平面視した場合の面積が第２の共振子部Ｂを平面視した場合の面積よりも小さく、第１の重なり部Ｃを平面視した場合の面積が第２の重なり部Ｄを平面視した場合の面積よりも大きい。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）素子としての弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、圧電層の一方主面上に上部電極が設けられており、他方主面上に下部電極が設けられている。圧電層の他方主面上には、下部電極を覆うように、反射層が積層されている。反射層は、ＳｉＯ２などからなる誘電体層と、タングステンなどからなる導体層とを含む。導体層は、アクティブ領域の外に延びている延長部を有する。
　下記の特許文献２においては、ラダー型フィルタの直列腕共振子または並列腕共振子として用いられる弾性波装置が開示されている。この弾性波装置においては、音響反射層上に圧電層が設けられている。圧電層上にＩＤＴ電極が設けられている。音響反射層は、誘電体層と、金属層とを含む。
米国特許出願公開第２０１４／０２７３８８１号明細書 国際公開第２０１８／２３５６０５号
　近年、弾性波装置のフィルタ特性のさらなる改善が求められている。しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載のような弾性波装置においては、ＩＭＤ（Ｉｎｔｅｒｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）を十分に抑制することができないおそれがある。
　本発明の目的は、ＩＭＤを抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、互いに電気的に接続されている、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子を有する弾性波装置であって、対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、前記第１の主面に設けられている第１の上部電極と、前記第１の主面に設けられている第２の上部電極と、平面視において、前記第１の上部電極と重なるように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第１の下部電極と、平面視において、前記第２の上部電極と重なるように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２の下部電極とが備えられており、平面視において、前記第１の上部電極及び前記第１の下部電極が重なっている部分が第１の共振子部であり、平面視において、前記第２の上部電極及び前記第２の下部電極が重なっている部分が第２の共振子部であり、平面視において、前記第１の共振子部と重なるように、かつ前記第１の下部電極の少なくとも一部を覆うように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第１の音響反射膜と、平面視において、前記第２の共振子部と重なるように、かつ前記第２の下部電極の少なくとも一部を覆うように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２の音響反射膜とがさらに備えられており、前記第１の音響反射膜が少なくとも一層の第１の金属層を含み、前記第２の音響反射膜が少なくとも一層の第２の金属層を含み、前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が、前記圧電体層を共有しており、前記第１の弾性波共振子が、前記第１の上部電極、前記第１の下部電極及び前記第１の音響反射膜を含み、前記第２の弾性波共振子が、前記第２の上部電極、前記第２の下部電極及び前記第２の音響反射膜を含み、前記第１の上部電極及び前記第１の下部電極のうちの前記第１の上部電極のみが、平面視において前記第１の金属層と重なっている部分が第１の重なり部であり、前記第２の上部電極及び前記第２の下部電極のうちの前記第２の上部電極のみが、平面視において前記第２の金属層と重なっている部分が第２の重なり部であり、前記第１の共振子部を平面視した場合の面積が前記第２の共振子部を平面視した場合の面積よりも小さく、前記第１の重なり部を平面視した場合の面積が前記第２の重なり部を平面視した場合の面積よりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、他の素子を介さずに互いに電気的に接続されている第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子を有する弾性波装置であって、対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、前記第１の主面に設けられており、複数の電極指を有する第１のＩＤＴ電極と、前記第１の主面に設けられており、複数の電極指を有する第２のＩＤＴ電極と、前記第１の主面に設けられており、前記第１のＩＤＴ電極に接続されている第１の配線電極と、前記第１の主面に設けられており、前記第２のＩＤＴ電極に接続されている第２の配線電極とが備えられており、弾性波伝搬方向から見て、前記第１のＩＤＴ電極の隣り合う前記電極指同士が重なり合っている部分が第１の共振子部であり、弾性波伝搬方向から見て、前記第２のＩＤＴ電極の隣り合う前記電極指同士が重なり合っている部分が第２の共振子部であり、平面視において、前記第１の共振子部と重なるように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第１の音響反射膜と、平面視において、前記第２の共振子部と重なるように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２の音響反射膜とがさらに備えられており、前記第１の音響反射膜が少なくとも一層の第１の金属層を含み、前記第２の音響反射膜が少なくとも一層の第２の金属層を含み、前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が、前記圧電体層を共有しており、前記第１の弾性波共振子が、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第１の音響反射膜を含み、前記第２の弾性波共振子が、前記第２のＩＤＴ電極及び前記第２の音響反射膜を含み、平面視において、前記第１の配線電極及び前記第１の金属層が重なっている部分が第１の重なり部であり、前記第２の配線電極及び前記第２の金属層が重なっている部分が第２の重なり部であり、前記第１の共振子部を平面視した場合の面積が前記第２の共振子部を平面視した場合の面積よりも小さく、前記第１の重なり部を平面視した場合の面積が前記第２の重なり部を平面視した場合の面積よりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置によれば、ＩＭＤを抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の正面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態及び比較例の弾性波装置のＩＭＤ３を示す図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の回路図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の回路図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の平面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の略図的正面断面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。
　弾性波装置１０はラダー型フィルタである。弾性波装置１０は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有する。本実施形態においては、弾性波装置１０は、例えば、ＷｉＦｉ用のフィルタ装置である。もっとも、弾性波装置１０の用途は上記に限定されない。弾性波装置１０の通過帯域は特に限定されるものではない。
　弾性波装置１０は、アンテナ端子１２、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂを有する。アンテナ端子１２はアンテナに接続される。弾性波装置１０の回路構成上、アンテナ端子１２に直列腕が接続されている。第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、それぞれ直列腕共振子である。第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、他の素子を介さずに互いに電気的に接続されている。より具体的には、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、直列分割された共振子である。言い換えれば、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、間に並列腕共振子を介さずに、アンテナ端子１２と他の端子１４とを結ぶ経路上において、互いに直列に接続されている。
　なお、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、直列分割された並列腕共振子であってもよい。この場合、アンテナ端子１２と他の端子１４とを結ぶ経路上のノードと、グラウンド電位とを結ぶ経路上において、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂが互いに直列に接続されている。もっとも、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、別個の共振子であってもよい。
　図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の正面断面図である。
　弾性波装置１０は圧電体層２を有する。圧電体層２は第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する。第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂは対向し合っている。本明細書においては、第１の主面２ａ側を上方とし、第２の主面２ｂ側を下方とする。第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、圧電体層２を共有している。
　圧電体層２の第１の主面２ａには、第１の上部電極３Ａ及び第２の上部電極３Ｂが設けられている。第２の主面２ｂには、第１の下部電極４Ａ及び第２の下部電極４Ｂが設けられている。さらに、第２の主面２ｂには、第１の下部電極４Ａを覆うように、第１の音響反射膜５Ａが設けられている。第２の主面２ｂには、第２の下部電極４Ｂを覆うように、第２の音響反射膜５Ｂが設けられている。
　第１の音響反射膜５Ａは、複数の第１の低音響インピーダンス層及び複数の第１の高音響インピーダンス層を有する。なお、低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。より具体的には、第１の低音響インピーダンス層の音響インピーダンスは、第１の高音響インピーダンス層の音響インピーダンスよりも低い。本実施形態においては、複数の第１の低音響インピーダンス層は、図２に示す、第１の低音響インピーダンス層６ａ、第１の低音響インピーダンス層６ｂ及び第１の低音響インピーダンス層６ｃである。複数の第１の高音響インピーダンス層は、第１の高音響インピーダンス層７ａ及び第１の高音響インピーダンス層７ｂである。複数の第１の低音響インピーダンス層及び複数の第１の高音響インピーダンス層は、交互に積層されている。なお、第１の低音響インピーダンス層及び第１の高音響インピーダンス層は、少なくとも１層ずつ設けられていればよい。
　第２の音響反射膜５Ｂは、複数の第２の低音響インピーダンス層及び複数の第２の高音響インピーダンス層を有する。第２の低音響インピーダンス層の音響インピーダンスは、第２の高音響インピーダンス層の音響インピーダンスよりも低い。本実施形態においては、複数の第２の低音響インピーダンス層は、図２に示す、第２の低音響インピーダンス層８ａ、第２の低音響インピーダンス層８ｂ及び第２の低音響インピーダンス層８ｃである。複数の高音響インピーダンス層は、第２の高音響インピーダンス層９ａ及び第２の高音響インピーダンス層９ｂである。複数の第２の低音響インピーダンス層及び複数の第２の高音響インピーダンス層は、交互に積層されている。なお、第２の低音響インピーダンス層及び第２の高音響インピーダンス層は、少なくとも１層ずつ設けられていればよい。
　第１の音響反射膜５Ａ及び第２の音響反射膜５Ｂの周囲は、中間層１５により覆われている。なお、上記周囲は、第１の音響反射膜５Ａ及び第２の音響反射膜５Ｂの厚み方向と直交する方向における周囲である。図２中の一点鎖線は、第１の音響反射膜５Ａと中間層１５との境界、及び第２の音響反射膜５Ｂと中間層１５との境界を示す。中間層１５は、適宜の誘電体からなる。なお、中間層１５は、第１の低音響インピーダンス層及び第２の低音響インピーダンス層と同じ材料からなっていてもよい。
　第１の弾性波共振子１Ａは、第１の上部電極３Ａ、第１の下部電極４Ａ及び第１の音響反射膜５Ａを含む共振子である。第２の弾性波共振子１Ｂは、第２の上部電極３Ｂ、第２の下部電極４Ｂ及び第２の音響反射膜５Ｂを含む共振子である。平面視において、第１の上部電極３Ａ及び第１の下部電極４Ａが重なっている部分が、第１の共振子部Ａである。平面視において、第２の上部電極３Ｂ及び第２の下部電極４Ｂが重なっている部分が、第２の共振子部Ｂである。第１の共振子部Ａを平面視した場合の面積は第２の共振子部Ｂを平面視した場合の面積よりも小さい。本明細書において、平面視とは、図２における上方から見る方向をいう。
　第１の音響反射膜５Ａは、平面視において第１の共振子部Ａと重なるように、第１の下部電極４Ａの少なくとも一部を覆っていればよい。第２の音響反射膜５Ｂは、平面視において第２の共振子部Ｂと重なるように、第２の下部電極４Ｂの少なくとも一部を覆っていればよい。
　第１の音響反射膜５Ａにおける第１の高音響インピーダンス層７ａ及び第１の高音響インピーダンス層７ｂは、第１の金属層である。第２の音響反射膜５Ｂにおける第２の高音響インピーダンス層９ａ及び第２の高音響インピーダンス層９ｂは、第２の金属層である。なお、第１の音響反射膜５Ａは、第１の金属層を少なくとも１層含んでいればよい。第２の音響反射膜５Ｂは、第２の金属層を少なくとも１層含んでいればよい。
　図２に示すように、圧電体層２の第１の主面２ａには、接続電極１３が設けられている。接続電極１３は、第１の上部電極３Ａ及び第２の上部電極３Ｂを電気的に接続している。これにより、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂが電気的に接続されている。第１の上部電極３Ａは、平面視において、第１の下部電極４Ａ及び第１の音響反射膜５Ａのうちの少なくとも一方に重なっている電極であるとする。第２の上部電極３Ｂは、平面視において、第２の下部電極４Ｂ及び第２の音響反射膜５Ｂのうちの少なくとも一方に重なっている電極であるとする。接続電極１３は、平面視において、第１の下部電極４Ａ、第２の下部電極４Ｂ、第１の音響反射膜５Ａ及び第２の音響反射膜５Ｂに重なっていない電極である。図２中の一点鎖線は、接続電極１３と、第１の上部電極３Ａ及び第２の上部電極３Ｂとの境界を示す線でもある。
　図３は、第１の実施形態に係る弾性波装置における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の平面図である。図３においては、後述する第１の重なり部及び第２の重なり部をハッチングにより示す。図３では、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂと、他の共振子などとを接続する配線は省略している。図３以外の平面図においても同様である。
　図２及び図３に示すように、第１の上部電極３Ａ及び第１の下部電極４Ａのうちの第１の上部電極３Ａのみが、平面視において第１の金属層と重なっている部分を第１の重なり部Ｃとする。第２の上部電極３Ｂ及び第２の下部電極４Ｂのうちの第２の上部電極３Ｂのみが、平面視において第２の金属層と重なっている部分を第２の重なり部Ｄとする。本明細書においては、第１の共振子部Ａ、第２の共振子部Ｂ、第１の重なり部Ｃ及び第２の重なり部Ｄの面積は、特に断りのない場合は、それぞれ、平面視した場合の面積である。
　本実施形態の特徴は、第１の共振子部Ａを平面視した場合の面積が第２の共振子部Ｂを平面視した場合の面積よりも小さく、かつ第１の重なり部Ｃを平面視した場合の面積が第２の重なり部Ｄを平面視した場合の面積よりも大きいことにある。それによって、ＩＭＤを抑制することができる。この効果の詳細を、本実施形態の回路構成の詳細などと共に説明する。なお、以下において、平面視において第１の上部電極３Ａと重なっているとは、特に断りのない場合には、第１の上部電極３Ａ及び第１の下部電極４Ａのうち第１の上部電極３Ａのみと重なっていることをいう。平面視において第２の上部電極３Ｂと重なっているとは、特に断りのない場合には、第２の上部電極３Ｂ及び第２の下部電極４Ｂのうち第２の上部電極３Ｂのみと重なっていることをいう。
　図１に示すように、弾性波装置１０は、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂに電気的に接続されている複数の共振子を有する。より具体的には、第１の弾性波共振子１Ａ、第２の弾性波共振子１Ｂ、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５が、互いに直列に接続されている。
　アンテナ端子１２及び第１の弾性波共振子１Ａの間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２が接続されている。並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２は互いに直列に接続されている。第２の弾性波共振子１Ｂ及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。直列腕共振子Ｓ５とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ５及び並列腕共振子Ｐ６が接続されている。並列腕共振子Ｐ５及び並列腕共振子Ｐ６は互いに直列に接続されている。なお、弾性波装置１０の回路構成は上記に限定されない。例えば、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂ以外の、少なくとも１個の共振子が設けられていてもよい。この場合、該共振子が第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂに電気的に接続されていればよい。共振子は、ＢＡＷ素子であってもよく、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）素子であってもよい。あるいは、共振子は、縦結合共振子型弾性波フィルタであってもよい。
　なお、本実施形態においては、図２に示す圧電体層２は窒化アルミニウム層である。より具体的には、圧電体層２はＡｌＮ層である。なお、圧電体層２の材料は上記に限定されず、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることもできる。
　第１の上部電極３Ａ、第２の上部電極３Ｂ、第１の下部電極４Ａ及び第２の下部電極４Ｂは、タングステン電極である。もっとも、上記各電極の材料はこれに限定されない。
　各第１の高音響インピーダンス層及び各第２の高音響インピーダンス層は、タングステン層である。なお、各第１の高音響インピーダンス層及び各第２の高音響インピーダンス層の材料は上記に限定されず、例えば、白金またはモリブデンなどの金属や、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの誘電体を用いることもできる。
　各第１の低音響インピーダンス層及び各第２の低音響インピーダンス層は酸化ケイ素層である。より具体的には、上記各層はＳｉＯ２層である。なお、各第１の低音響インピーダンス層及び各第２の低音響インピーダンス層の材料は上記に限定されず、例えば、アルミニウムなどの金属を用いることもできる。第１の低音響インピーダンス層が第１の金属層であってもよい。同様に、第２の低音響インピーダンス層が第２の金属層であってもよい。もっとも、第１の音響反射膜５Ａにおける、最も圧電体層２側に位置する層であり、かつ第１の下部電極４Ａを覆っている層は、誘電体層である。同様に、第２の音響反射膜５Ｂにおける、最も圧電体層２側に位置する層であり、かつ第２の下部電極４Ｂを覆っている層は、誘電体層である。
　本実施形態においては、中間層１５には、複数の第１の低音響インピーダンス層及び複数の第２の低音響インピーダンス層の材料と同じ材料が用いられている。具体的には、中間層１５はＳｉＯ２層である。もっとも、中間層１５には、複数の第１の低音響インピーダンス層及び複数の第２の低音響インピーダンス層の材料とは異なる材料が用いられてもよい。
　本実施形態と比較例とを比較することにより、本実施形態の効果を以下において説明する。
　比較例は、第１の重なり部Ｃを平面視した場合の面積が第２の重なり部Ｄを平面視した場合の面積よりも小さい点において、第１の実施形態と異なる。第１の実施形態の構成を有する弾性波装置と比較例とのＩＭＤを比較した。より具体的には、弾性波装置のアンテナ端子から、Ｂａｎｄ１の送信信号及びＢａｎｄ１の受信信号を２波入力した際の、ＩＭＤ３（３次のＩＭＤ）を比較した。
　図４は、第１の実施形態及び比較例の弾性波装置のＩＭＤ３を示す図である。
　図４に示すように、第１の実施形態においては、比較例よりもＩＭＤ３が抑制されていることがわかる。これは以下の理由による。第１の実施形態及び比較例においては、第１の弾性波共振子の第１の共振子部の面積は、第２の弾性波共振子の第２の共振子部の面積よりも小さい。この場合、第１の弾性波共振子の容量は、第２の弾性波共振子の容量よりも小さい。弾性波共振子においては、容量が小さいほどＩＭＤは生じ易い。比較例においては、第１の弾性波共振子においてＩＭＤが生じ易く、第１の弾性波共振子におけるＩＭＤを抑制することができていない。
　これに対して、第１の実施形態においては、第１の重なり部Ｃの面積が第２の重なり部Ｄの面積よりも大きい。上記のように、第１の重なり部Ｃは、第１の上部電極３Ａ及び第１の下部電極４Ａのうちの第１の上部電極３Ａのみが、平面視において第１の金属層と重なっている部分である。第２の重なり部Ｄは、第２の上部電極３Ｂ及び第２の下部電極４Ｂのうちの第２の上部電極３Ｂのみが、平面視において第２の金属層と重なっている部分である。第１の弾性波共振子１Ａにおいては、第１の共振子部Ａの容量に加えて、第１の重なり部Ｃの容量も付加される。第１の重なり部Ｃの容量は、いわば補償用容量である。同様に、第２の弾性波共振子１Ｂにおいても、第２の共振子部Ｂの容量に加えて、第２の重なり部Ｄの補償用容量が付加される。ここで、第１の重なり部Ｃの面積は第２の重なり部Ｄの面積よりも大きいため、第１の弾性波共振子１Ａにおいて付加される補償用容量は、第２の弾性波共振子１Ｂにおいて付加される補償用容量よりも大きい。これにより、第１の弾性波共振子１ＡにおいてＩＭＤが効果的に抑制される。従って、第１の実施形態においては、弾性波装置１０全体としても、ＩＭＤを抑制することができる。
　共振子を直列分割する場合において、本実施形態のように、第１の共振子部Ａの面積が第２の共振子部Ｂの面積よりも小さい場合に、第１の重なり部Ｃの面積を第２の重なり部Ｄの領域の面積よりも大きくすればよい。それによって、ＩＭＤを抑制することができる。このように、共振子を直列分割する場合において、本発明は特に好適である。
　図２に示すように、第１の弾性波共振子１Ａの第１の音響反射膜５Ａは、複数の第１の金属層を有する。平面視において、複数の第１の金属層は、互いに全面が重なり合っている。もっとも、平面視において、複数の第１の金属層は、互いに重なり合っていない部分を有していてもよい。この場合においても、平面視において、少なくとも１層の第１の金属層と、第１の上部電極３Ａとが重なっている部分は、第１の重なり部Ｃである。同様に、平面視において、少なくとも１層の第２の金属層と、第２の上部電極３Ｂとが重なっている部分は、第２の重なり部Ｄである。なお、平面視において、最も圧電体層２側の第１の金属層と、第１の上部電極３Ａとが重なっている部分の面積が、平面視において、最も圧電体層２側の第２の金属層と、第２の上部電極３Ｂとが重なっている部分の面積よりも大きいことが好ましい。それによって、ＩＭＤをより確実に抑制することができる。
　以下において、第１の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例を示す。第１の変形例及び第２の変形例においては、第１の実施形態と回路構成が異なる。第１の変形例及び第２の変形例においても、第１の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。
　図５に示す第１の変形例においては、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、互いに並列に接続されている。より具体的には、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは並列分割された共振子である。言い換えれば、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、アンテナ端子１２と他の端子１４を結ぶ経路上において、互いに並列に接続されている。
　なお、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、並列分割された並列腕共振子であってもよい。この場合、アンテナ端子１２と他の端子１４とを結ぶ経路上のノードと、グラウンド電位とを結ぶ経路上において、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂが互いに並列に接続されている。なお、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、別個の共振子であってもよい。もっとも、共振子を並列分割する場合において、本発明は特に好適である。
　図６に示す第２の変形例においては、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂが最もアンテナ端子１２側に配置された共振子である。最もアンテナ端子１２側に配置された共振子とは、１以上の並列腕共振子のうち最もアンテナ端に近い並列腕共振子、及び、１以上の直列腕共振子中で最もアンテナ端に近い直列腕共振子のうちの少なくとも一方を指す。なお、本変形例においては、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは直列分割された共振子である。そのため、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂの双方が、最もアンテナ端子１２側に配置された共振子である。
　ここで、弾性波装置がマルチプレクサなどに用いられた場合、最もアンテナ端子１２側に配置された共振子のＩＭＤによる、他のフィルタ装置に対する影響は特に大きい。よって、本変形例の弾性波装置をマルチプレクサなどに用いた場合、該弾性波装置とアンテナ端子１２に共通接続されたフィルタ装置に対する、ＩＭＤによる影響を効果的に抑制することができる。
　なお、本変形例においては、第１の実施形態と同様に、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは直列分割された共振子である。第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂにおいて、ＩＭＤが効果的に抑制される。そのため、第１の弾性波共振子１Ａまたは第２の弾性波共振子１Ｂが、最もアンテナ端子１２側に配置されていればよい。この場合には、上記他のフィルタに対する、ＩＭＤによる影響を効果的に抑制することができる。
　ところで、第１の実施形態においては、第１の重なり部Ｃは、平面視において、第１の下部電極４Ａよりも接続電極１３側に位置している。第２の重なり部Ｄは、平面視において、第２の下部電極４Ｂよりも接続電極１３側に位置している。もっとも、第１の重なり部Ｃ及び第２の重なり部Ｄの配置はこれに限られない。例えば、図７に示す、第１の実施形態の第３の変形例においては、第１の上部電極２３Ａの外周縁は、平面視において、第１の下部電極４Ａの外周縁の周囲に位置する。これにより、第１の重なり部Ｃは、平面視において、第１の下部電極４Ａの周囲に位置する。同様に第２の上部電極２３Ｂの外周縁は、平面視において、第２の下部電極４Ｂの外周縁の周囲に位置する。これにより、第２の重なり部Ｄは、平面視において、第２の下部電極４Ｂの周囲に位置する。
　第１の実施形態及びその変形例では、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子において、第１の上部電極及び第２の上部電極が接続されている。なお、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子において、第１の下部電極及び第２の下部電極が電気的に接続されていてもよい。
　図８は、第２の実施形態に係る弾性波装置における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の略図的正面断面図である。図９は、第２の実施形態に係る弾性波装置における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の平面図である。図８においては、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
　本実施形態においては、図８及び図９に示す第１の弾性波共振子３１Ａ及び第２の弾性波共振子３１ＢがＳＡＷ素子である点、並びに第１の重なり部Ｃ及び第２の重なり部Ｄの配置において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置３０は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。
　第１の弾性波共振子３１Ａ及び第２の弾性波共振子３１Ｂは、他の素子を介さずに互いに電気的に接続されている。第１の弾性波共振子３１Ａ及び第２の弾性波共振子３１Ｂは圧電体層２を共有している。図９に示すように、圧電体層２の第１の主面２ａには、第１のＩＤＴ電極３３Ａ及び第２のＩＤＴ電極３３Ｂが設けられている。第１のＩＤＴ電極３３Ａに交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。第２のＩＤＴ電極３３Ｂにおいても同様である。第１の主面２ａにおける、第１のＩＤＴ電極３３Ａの弾性波伝搬方向両側に、一対の反射器３４Ａ及び反射器３４Ｂが設けられている。第１の主面２ａにおける第２のＩＤＴ電極３３Ｂの弾性波伝搬方向両側に、一対の反射器３４Ｃ及び反射器３４Ｄが設けられている。
　第１のＩＤＴ電極３３Ａは、第１のバスバー３５Ａ、第２のバスバー３６Ａ、複数の第１の電極指３７Ａ及び複数の第２の電極指３８Ａを有する。複数の第１の電極指３７Ａの一端は、それぞれ第１のバスバー３５Ａに接続されている。複数の第２の電極指３８Ａの一端は、それぞれ第２のバスバー３６Ａに接続されている。複数の第１の電極指３７Ａ及び複数の第２の電極指３８Ａは、互いに間挿し合っている。同様に、第２のＩＤＴ電極３３Ｂも、第１のバスバー３５Ｂ、第２のバスバー３６Ｂ、複数の第１の電極指３７Ｂ及び複数の第２の電極指３８Ｂを有する。
　第１の実施形態と同様に、圧電体層２の第２の主面２ｂに、第１の音響反射膜５Ａ、第２の音響反射膜５Ｂ及び中間層１５が設けられている。第１の弾性波共振子３１Ａは、第１のＩＤＴ電極３３Ａ、反射器３４Ａ、反射器３４Ｂ及び第１の音響反射膜５Ａを含む共振子である。第２の弾性波共振子３１Ｂは、第２のＩＤＴ電極３３Ｂ、反射器３４Ｃ、反射器３４Ｄ及び第２の音響反射膜５Ｂを含む共振子である。
　第１のＩＤＴ電極３３Ａにおいて、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う第１の電極指３７Ａ及び第２の電極指３８Ａが重なり合っている領域が第１の交叉領域である。本実施形態においては、第１の交叉領域は第１の共振子部Ａである。一方で、第２のＩＤＴ電極３３Ｂにおいて、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う第１の電極指３７Ｂ及び第２の電極指３８Ｂが重なり合っている領域が第２の交叉領域である。第２の交叉領域は第２の共振子部Ｂである。第１の共振子部Ａを平面視した場合の面積は第２の共振子部Ｂを平面視した場合の面積よりも小さい。
　平面視において、第１の音響反射膜５Ａは第１の共振子部Ａと重なっている。平面視において、第２の音響反射膜５Ｂは第２の共振子部Ｂと重なっている。
　図８及び図９に示すように、圧電体層２の第１の主面２ａには、第１の配線電極４３Ａ及び第１の配線電極４４Ａ並びに第２の配線電極４３Ｂ及び第２の配線電極４４Ｂが設けられている。第１の配線電極４３Ａ及び第１の配線電極４４Ａは、第１のＩＤＴ電極３３Ａに接続されている。より具体的には、第１の配線電極４３Ａは、第１のＩＤＴ電極３３Ａの第１のバスバー３５Ａに接続されている。第１の配線電極４４Ａは、第１のＩＤＴ電極３３Ａの第２のバスバー３６Ａに接続されている。他方、第２の配線電極４３Ｂ及び第２の配線電極４４Ｂは、第２のＩＤＴ電極３３Ｂに接続されている。より具体的には、第２の配線電極４３Ｂは、第２のＩＤＴ電極３３Ｂの第１のバスバー３５Ｂに接続されている。第２の配線電極４４Ｂは、第２のＩＤＴ電極３３Ｂの第２のバスバー３６Ｂに接続されている。
　さらに、第１の主面２ａには、接続電極１３が設けられている。接続電極１３は、第１の配線電極４４Ａ及び第２の配線電極４３Ｂを電気的に接続している。これにより、第１の弾性波共振子３１Ａ及び第２の弾性波共振子３１Ｂは電気的に接続されている。なお、接続電極１３は、平面視において、第１の音響反射膜５Ａ及び第２の音響反射膜５Ｂに重なっていない電極である。図９中の一点鎖線は、接続電極１３と、第１の配線電極４４Ａ及び第２の配線電極４３Ｂとの境界を示す線である。
　本実施形態においては、平面視において、第１の配線電極４３Ａ及び第１の配線電極４４Ａと、第１の音響反射膜５Ａにおける第１の金属層とが重なっている領域が、第１の重なり部Ｃである。より具体的には、平面視において、第１の配線電極４３Ａ及び第１の配線電極４４Ａと、第１の高音響インピーダンス層とが重なっている領域が、第１の重なり部Ｃである。他方、平面視において、第２の配線電極４３Ｂ及び第２の配線電極４４Ｂと、第２の音響反射膜５Ｂにおける第２の金属層とが重なっている領域が、第２の重なり部Ｄである。より具体的には、平面視において、第２の配線電極４３Ｂ及び第２の配線電極４４Ｂと、第２の高音響インピーダンス層とが重なっている領域が、第２の重なり部Ｄである。　
　弾性波装置３０においては、第１の共振子部Ａを平面視した場合の面積は第２の共振子部Ｂを平面視した場合の面積よりも小さく、かつ第１の重なり部Ｃの面積を平面視した場合は第２の重なり部Ｄを平面視した場合の面積よりも大きい。それによって、第１の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。
１Ａ，１Ｂ…第１，第２の弾性波共振子
２…圧電体層
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３Ａ，３Ｂ…第１，第２の上部電極
４Ａ，４Ｂ…第１，第２の下部電極
５Ａ，５Ｂ…第１，第２の音響反射膜
６ａ，６ｂ，６ｃ…第１の低音響インピーダンス層
７ａ，７ｂ…第１の高音響インピーダンス層
８ａ，８ｂ，８ｃ…第２の低音響インピーダンス層
９ａ，９ｂ…第２の高音響インピーダンス層
１０…弾性波装置
１２…アンテナ端子
１３…接続電極
１４…端子
１５…中間層
２３Ａ，２３Ｂ…第１，第２の上部電極
３０…弾性波装置
３１Ａ，３１Ｂ…第１，第２の弾性波共振子
３３Ａ，３３Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
３４Ａ～３４Ｄ…反射器
３５Ａ，３５Ｂ…第１のバスバー
３６Ａ，３６Ｂ…第２のバスバー
３７Ａ，３７Ｂ…第１の電極指
３８Ａ，３８Ｂ…第２の電極指
４３Ａ，４４Ａ…第１の配線電極
４３Ｂ，４４Ｂ…第２の配線電極
Ａ，Ｂ…第１，第２の共振子部
Ｃ，Ｄ…第１，第２の重なり部
Ｐ１～Ｐ６…並列腕共振子
Ｓ３～Ｓ５…直列腕共振子

Claims (6)

  1. 　互いに電気的に接続されている、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子を有する弾性波装置であって、
    　対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、
    　前記第１の主面に設けられている第１の上部電極と、
    　前記第１の主面に設けられている第２の上部電極と、
    　平面視において、前記第１の上部電極と重なるように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第１の下部電極と、
    　平面視において、前記第２の上部電極と重なるように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２の下部電極と、
    を備え、
    　平面視において、前記第１の上部電極及び前記第１の下部電極が重なっている部分が第１の共振子部であり、平面視において、前記第２の上部電極及び前記第２の下部電極が重なっている部分が第２の共振子部であり、
    　平面視において、前記第１の共振子部と重なるように、かつ前記第１の下部電極の少なくとも一部を覆うように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第１の音響反射膜と、
    　平面視において、前記第２の共振子部と重なるように、かつ前記第２の下部電極の少なくとも一部を覆うように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２の音響反射膜と、
    をさらに備え、
    　前記第１の音響反射膜が少なくとも一層の第１の金属層を含み、前記第２の音響反射膜が少なくとも一層の第２の金属層を含み、
    　前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が、前記圧電体層を共有しており、前記第１の弾性波共振子が、前記第１の上部電極、前記第１の下部電極及び前記第１の音響反射膜を含み、前記第２の弾性波共振子が、前記第２の上部電極、前記第２の下部電極及び前記第２の音響反射膜を含み、
    　前記第１の上部電極及び前記第１の下部電極のうちの前記第１の上部電極のみが、平面視において前記第１の金属層と重なっている部分が第１の重なり部であり、前記第２の上部電極及び前記第２の下部電極のうちの前記第２の上部電極のみが、平面視において前記第２の金属層と重なっている部分が第２の重なり部であり、
    　前記第１の共振子部を平面視した場合の面積が前記第２の共振子部を平面視した場合の面積よりも小さく、前記第１の重なり部を平面視した場合の面積が前記第２の重なり部を平面視した場合の面積よりも大きい、弾性波装置。
  2. 　他の素子を介さずに互いに電気的に接続されている第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子を有する弾性波装置であって、
    　対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、
    　前記第１の主面に設けられており、複数の電極指を有する第１のＩＤＴ電極と、
    　前記第１の主面に設けられており、複数の電極指を有する第２のＩＤＴ電極と、
    　前記第１の主面に設けられており、前記第１のＩＤＴ電極に接続されている第１の配線電極と、
    　前記第１の主面に設けられており、前記第２のＩＤＴ電極に接続されている第２の配線電極と、
    を備え、
    　弾性波伝搬方向から見て、前記第１のＩＤＴ電極の隣り合う前記電極指同士が重なり合っている部分が第１の共振子部であり、弾性波伝搬方向から見て、前記第２のＩＤＴ電極の隣り合う前記電極指同士が重なり合っている部分が第２の共振子部であり、
    　平面視において、前記第１の共振子部と重なるように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第１の音響反射膜と、
    　平面視において、前記第２の共振子部と重なるように、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２の音響反射膜と、
    をさらに備え、
    　前記第１の音響反射膜が少なくとも一層の第１の金属層を含み、前記第２の音響反射膜が少なくとも一層の第２の金属層を含み、
    　前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が、前記圧電体層を共有しており、前記第１の弾性波共振子が、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第１の音響反射膜を含み、前記第２の弾性波共振子が、前記第２のＩＤＴ電極及び前記第２の音響反射膜を含み、
    　平面視において、前記第１の配線電極及び前記第１の金属層が重なっている部分が第１の重なり部であり、前記第２の配線電極及び前記第２の金属層が重なっている部分が第２の重なり部であり、
    　前記第１の共振子部を平面視した場合の面積が前記第２の共振子部を平面視した場合の面積よりも小さく、前記第１の重なり部を平面視した場合の面積が前記第２の重なり部を平面視した場合の面積よりも大きい、弾性波装置。
  3. 　前記第１の音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが低い、少なくとも１層の第１の低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い、少なくとも１層の第１の高音響インピーダンス層と、を有し、前記第１の低音響インピーダンス層及び前記第１の高音響インピーダンス層が交互に積層されており、
    　少なくとも１層の前記第１の高音響インピーダンス層が前記第１の金属層であり、
    　前記第２の音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが低い、少なくとも１層の第２の低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い、少なくとも１層の第２の高音響インピーダンス層と、を有し、前記第２の低音響インピーダンス層及び前記第２の高音響インピーダンス層が交互に積層されており、
    　少なくとも１層の前記第２の高音響インピーダンス層が前記第２の金属層である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が、互いに直列に接続されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が、互いに並列に接続されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子に電気的に接続されており、かつアンテナに電気的に接続されるアンテナ端子と、
    　前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子と電気的に接続されている、少なくとも１個の共振子と、
    をさらに備え、
    　前記第１の弾性波共振子、前記第２の弾性波共振子及び前記少なくとも１個の共振子のうち、前記第１の弾性波共振子または前記第２の弾性波共振子が、最も前記アンテナ端子側に配置されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023248558A1 (ja) * 2022-06-22 2023-12-28 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004173191A (ja) * 2002-11-22 2004-06-17 Fujitsu Media Device Kk フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路
JP2006339873A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、フィルタ及び電圧制御発振器
WO2018235731A1 (ja) * 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP2018207376A (ja) * 2017-06-07 2018-12-27 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
WO2019065666A1 (ja) * 2017-09-27 2019-04-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019065669A1 (ja) * 2017-09-27 2019-04-04 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
WO2020009121A1 (ja) * 2018-07-03 2020-01-09 株式会社村田製作所 弾性波装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004173191A (ja) * 2002-11-22 2004-06-17 Fujitsu Media Device Kk フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路
JP2006339873A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、フィルタ及び電圧制御発振器
JP2018207376A (ja) * 2017-06-07 2018-12-27 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
WO2018235731A1 (ja) * 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2019065666A1 (ja) * 2017-09-27 2019-04-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019065669A1 (ja) * 2017-09-27 2019-04-04 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
WO2020009121A1 (ja) * 2018-07-03 2020-01-09 株式会社村田製作所 弾性波装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023248558A1 (ja) * 2022-06-22 2023-12-28 株式会社村田製作所 弾性波装置

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