WO2019065666A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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elastic wave
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大村　正志
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates generally to elastic wave devices, and more particularly to an elastic wave device comprising a piezoelectric layer.
  • an elastic wave device an elastic wave device using a plate wave is known (see, for example, Patent Document 1).
  • the elastic wave device described in Patent Document 1 includes a support substrate, an acoustic reflection layer (acoustic impedance layer), a piezoelectric layer, and an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • the acoustic reflection layer of the elastic wave device described in Patent Document 1 includes a low acoustic impedance layer and a high acoustic impedance layer whose acoustic impedance is higher than that of the low acoustic impedance layer.
  • Patent Document 1 in order to efficiently reflect an elastic wave in the acoustic reflection layer, it is desirable that the acoustic impedance ratio, which is the ratio of the acoustic impedance of the high acoustic impedance layer to the acoustic impedance of the low acoustic impedance layer, be large. Is described. Further, Patent Document 1 discloses a combination of W (tungsten) and SiO 2 (silicon oxide) as a combination of materials that maximizes the acoustic impedance ratio.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of further enhancing the power resistance while suppressing the deterioration of the frequency characteristic.
  • An elastic wave device includes a substrate, a first acoustic impedance layer and a second acoustic impedance layer, a piezoelectric layer, a first IDT electrode, and a second IDT electrode.
  • the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer are formed on the substrate.
  • the piezoelectric layer is formed on the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer.
  • the first IDT electrode is formed on the piezoelectric layer, and partially overlaps the first acoustic impedance layer in a plan view from the thickness direction of the piezoelectric layer.
  • the second IDT electrode is formed on the piezoelectric layer, and partially overlaps the second acoustic impedance layer in plan view from the thickness direction.
  • the first IDT electrode and the second IDT electrode are connected in series to each other by a common bus bar shared with each other.
  • the first IDT electrode includes a first bus bar and the common bus bar facing each other, a plurality of electrode fingers connected to the first bus bar and extending toward the common bus bar, and the first bus bar connected to the common bus bar And a plurality of electrode fingers extending toward the
  • the second IDT electrode is connected to the common bus bar and the second bus bar facing each other, a plurality of electrode fingers connected to the common bus bar and extending toward the second bus bar, and the common bus bar connected to the second bus bar And a plurality of electrode fingers extending toward the Each of the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer includes at least one high acoustic impedance layer and at least one low acoustic impedance layer having an acoustic impedance lower than that of the at least one high acoustic impedance layer.
  • At least one of the at least one high acoustic impedance layer and the at least one low acoustic impedance layer is a conductive layer. At least a portion of the conductive layer in the first acoustic impedance layer and at least a portion of the conductive layer in the second acoustic impedance layer do not overlap the common bus bar in a plan view from the thickness direction.
  • the conductive layer in the first acoustic impedance layer and the conductive layer in the second acoustic impedance layer are electrically insulated.
  • the elastic wave device it is possible to further enhance the power resistance while suppressing the deterioration of the frequency characteristic.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view along line AA of FIG.
  • FIG. 3 is a plan view of an elastic wave device according to Comparative Example 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the above, taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 5 is a frequency characteristic diagram of the impedance of each of the elastic wave device according to the embodiment of the present invention and the elastic wave device according to the first comparative example.
  • FIG. 6 is a plan view of an elastic wave device according to a first modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the above elastic wave device.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view along line AA of FIG.
  • FIG. 3 is a plan view of an elastic wave device according to Comparative Example 1.
  • FIG. 4
  • FIG. 8 is a plan view of an elastic wave device according to a second modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 10 is a plan view of an elastic wave device according to Comparative Example 2.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the above, taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 12 is a frequency characteristic diagram of the impedance of the elastic wave device according to the second modification of the embodiment of the present invention and the elastic wave device according to the second comparison example.
  • FIG. 13 is a partially cutaway plan view of an elastic wave device according to a third modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a partially cut away plan view of an elastic wave device according to a fourth modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a fifth modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a partially cutaway plan view of an elastic wave device according to a sixth modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a partially cutaway plan view of an elastic wave device according to a seventh modified example of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a plan view with a part cut away of an elastic wave device relating to a modified example 8 of one embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a partially cutaway plan view of an elastic wave device according to a modified example 9 of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a modification 10 of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a partially cutaway cross-sectional view of an elastic wave device according to a
  • the elastic wave device 1 is an elastic wave device using a plate wave. As shown in FIGS. 1 and 2, the elastic wave device 1 includes a substrate 2, a first acoustic impedance layer 4A and a second acoustic impedance layer 4B, a piezoelectric layer 5, a first IDT electrode 7A and a second IDT electrode 7B. And. The first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are formed on the substrate 2. The piezoelectric layer 5 is formed on the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B.
  • the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are formed on the piezoelectric layer 5. That is, in the elastic wave device 1, the functional electrode 6 including the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B is formed on the piezoelectric layer 5.
  • the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are connected in series to each other by a common bus bar 70 shared with each other.
  • the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are aligned in a second direction D2 orthogonal to the thickness direction D1 of the substrate 2 (hereinafter, also referred to as a first direction D1).
  • a direction orthogonal to the first direction D1 and the second direction D2 is referred to as a third direction D3.
  • the third direction D3 is a direction along the propagation direction of the elastic wave (in the present embodiment, a plate wave).
  • the elastic wave device 1 is disposed on the other side of the first IDT electrode 7A and the two reflectors 9 disposed on the other side of the first IDT electrode 7A in the third direction D3. And further comprising two reflectors 10.
  • the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the reflectors 9 and the reflectors 10 are hatched with dots, but these hatchings do not represent a cross section, and the first IDT electrode 7A is not shown.
  • the second IDT electrode 7B, the reflectors 9 and the reflectors 10, and the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are simply attached to facilitate understanding.
  • the substrate 2 is a laminate including a first acoustic impedance layer 4A, a second acoustic impedance layer 4B, a piezoelectric layer 5, a first IDT electrode 7A and a second IDT electrode 7B.
  • a layer including the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B and interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 5 is referred to as an intermediate layer 3.
  • the substrate 2 has a first major surface 21 and a second major surface 22 opposite to each other in the thickness direction D1. The first major surface 21 and the second major surface 22 face each other.
  • the plan view shape of the substrate 2 (the outer peripheral shape when the substrate 2 is viewed in the thickness direction D1) is a rectangular shape, but is not limited to a rectangular shape, and may be, for example, a square shape.
  • the substrate 2 is, for example, a silicon substrate.
  • the thickness of the substrate 2 is preferably 10 ⁇ ( ⁇ : wavelength of elastic wave determined by 2 ⁇ T 1 which is an electrode finger pitch) ⁇ m or more and 180 ⁇ m or less.
  • any thickness such as 20 ⁇ m, 30 ⁇ m, 40 ⁇ m, 50 ⁇ m, 70 ⁇ m, 80 ⁇ m, 90 ⁇ m, 100 ⁇ m, 110 ⁇ m, 120 ⁇ m, 130 ⁇ m, 140 ⁇ m, 150 ⁇ m, 160 ⁇ m, 170 ⁇ m, 180 ⁇ m, etc. may be used.
  • asperities may be formed on the surface of the silicon substrate on the piezoelectric layer 5 side. Thereby, in the elastic wave device 1, the unnecessary wave can be scattered and the unnecessary wave can be reduced.
  • the height difference of the unevenness is preferably equal to or less than 1 ⁇ 4 ⁇ .
  • the contour shape of the unevenness is appropriately selected from a triangle, an arc, a rectangle and the like.
  • the resistivity of the silicon substrate is, for example, 100 ⁇ cm or more, preferably 1000 ⁇ cm or more, and more preferably 4000 ⁇ cm or more.
  • the surface orientation of the silicon substrate on the piezoelectric layer 5 side can be, for example, (100) surface, (111) surface, (110) surface, or (551) surface.
  • the propagation direction of the elastic wave can be set without being restricted by the plane direction of the silicon substrate.
  • the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are formed on the first major surface 21 of the substrate 2 as shown in FIG. ing.
  • the first acoustic impedance layer 4A faces the first IDT electrode 7A in the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the second acoustic impedance layer 4B faces the second IDT electrode 7B in the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the first acoustic impedance layer 4A has a function of suppressing the elastic wave excited by the first IDT electrode 7A from leaking to the substrate 2.
  • the second acoustic impedance layer 4B has a function of suppressing the elastic wave excited by the second IDT electrode 7B from leaking to the substrate 2.
  • the elastic wave device 1 further includes an insulating layer 30 interposed between the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B on the substrate 2.
  • the insulating layer 30 is formed on the substrate 2.
  • the insulating layer 30 is included in the above-described stack.
  • each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B a plurality of (three) low acoustic impedance layers 42 and a plurality (two) high acoustic impedance layers 41 are provided one by one in the thickness direction D1. It has a stacked structure alternately arranged.
  • the acoustic impedance of the low acoustic impedance layer 42 is lower than the acoustic impedance of the high acoustic impedance layer 41.
  • the first acoustic impedance layer 4 ⁇ / b> A and the second acoustic impedance layer 4 ⁇ / b> B are interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 5.
  • the two high acoustic impedance layers 41 are arranged in the order from the first main surface 21 of the substrate 2 to the high acoustic impedance layer 411. , And may be referred to as a high acoustic impedance layer 412.
  • the three low acoustic impedance layers 42 may be referred to as a low acoustic impedance layer 420, a low acoustic impedance layer 421, and a low acoustic impedance layer 422 in order of proximity to the first major surface 21 of the substrate 2.
  • the low acoustic impedance layer 420, the high acoustic impedance layer 411, the low acoustic impedance layer 421, the high acoustic impedance layer 412, and the low acoustic impedance layer 422 are arranged in this order.
  • each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B is an interface between the low acoustic impedance layer 422 and the high acoustic impedance layer 412, an interface between the low acoustic impedance layer 421 and the high acoustic impedance layer 411, At each of the interfaces between the acoustic impedance layer 411 and the low acoustic impedance layer 420, elastic waves (plate waves) from the piezoelectric layer 5 can be reflected.
  • the insulating layer 30 is a region other than the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B in the intermediate layer 3 interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 5 (the first acoustic impedance layer 4A And the second acoustic impedance layer 4B).
  • the insulating layer 30 is formed of the same material as the low acoustic impedance layer 42.
  • the insulating layer 30 has electrical insulation.
  • the material of the plurality of high acoustic impedance layers 41 is, for example, Pt (platinum).
  • the material of the plurality of low acoustic impedance layers 42 is, for example, SiO 2 (silicon oxide).
  • Each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B includes two conductive layers because each of the plurality of high acoustic impedance layers 41 is formed of Pt.
  • the low acoustic impedance layer 42 may not be a single layer, but may be a laminated structure having a plurality of layers of relatively low acoustic impedance materials. In addition, a stacked structure in which a metal layer made of titanium or nickel or the like is included between a plurality of layers may be employed. Surface roughness of the middle layer 3, the metal layer in the low acoustic impedance layer 42 having a plurality of layers, the surface of the low acoustic impedance layer 42 on the piezoelectric layer 5 side, and the surface on the substrate 2 side (for example, JIS B 0601-2001 Arithmetic mean roughness Ra) defined in ISO 4287-1997 etc.
  • nm is preferably as small as possible, specifically 100 nm or less.
  • the high acoustic impedance layer 41 may not be a single layer, but may be a laminated structure having a plurality of layers made of a material having a relatively high acoustic impedance.
  • a stacked structure in which a metal layer made of titanium or nickel or the like is included between a plurality of layers may be employed.
  • the surface roughness (for example, arithmetic average roughness Ra) of the metal layer in the high acoustic impedance layer 41 having a plurality of layers, the surface of the high acoustic impedance layer 41 on the piezoelectric layer 5 side, and the surface on the substrate 2 side is preferably as small as possible.
  • it is 100 nm or less, and is appropriately selected from, for example, 90 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm, 30 nm, 20 nm, 10 nm, 5 nm, 1 nm and the like.
  • the piezoelectric layer 5 is made of, for example, LiNbO 3 piezoelectric single crystal.
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 is equal to or less than 1 ⁇ , where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger pitch (2 ⁇ T1) of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B.
  • ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger pitch (2 ⁇ T1) of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B.
  • the electrode finger pitch (2 ⁇ T1) will be described in the section “(2.4) First IDT electrode, second IDT electrode and reflector” described later.
  • the wavelength of the elastic wave is 1.7 ⁇ m
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 is 340 nm.
  • the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B may be formed on either the plus surface or the minus surface in the polarization axis direction of the piezoelectric layer 5.
  • the main surface of the piezoelectric layer 5 on the side of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B may be a positive surface or a negative surface in the polarization axis direction of the piezoelectric layer 5.
  • the plus plane in the polarization axis direction means a plane in the direction in which the plus side of the polarization component in the piezoelectric layer 5 is directed.
  • the minus face in the polarization axis direction means a face in the direction in which the minus side of the polarization component in the piezoelectric layer 5 is directed.
  • the first IDT electrode 7 A, the second IDT electrode 7 B, the reflectors 9, and the reflectors 10 are formed on the piezoelectric layer 5. More specifically, the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the reflectors 9 and the reflectors 10 are formed on the main surface of the piezoelectric layer 5 opposite to the intermediate layer 3 side.
  • the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the reflectors 9 and the reflectors 10 have conductivity.
  • the material of the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the reflectors 9 and the reflectors 10 is, for example, Al.
  • the thicknesses of the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the reflectors 9, and the reflectors 10 are, for example, 85 nm.
  • the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are connected in series to each other by a common bus bar 70 shared with each other. Therefore, the functional electrode 6 includes the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B connected in series with each other.
  • the first IDT electrode 7A includes a first bus bar 71 and a common bus bar 70 facing each other, a plurality of electrode fingers 81 connected to the first bus bar 71, and a plurality of electrode fingers 82 connected to the common bus bar 70.
  • the second IDT electrode 7B includes a common bus bar 70 and a second bus bar 72 facing each other, a plurality of electrode fingers 81 connected to the common bus bar 70, and a plurality of electrode fingers 82 connected to the second bus bar 72. .
  • the first bus bar 71, the common bus bar 70, and the second bus bar 72 are elongated with the third direction D3 as the longitudinal direction.
  • the first bus bar 71 and the common bus bar 70 face each other in the second direction D2.
  • the plurality of electrode fingers 81 are connected to the first bus bar 71 and extend toward the common bus bar 70.
  • the plurality of electrode fingers 81 extend from the first bus bar 71 along the second direction D2.
  • the tips of the plurality of electrode fingers 81 are apart from the common bus bar 70.
  • the plurality of electrode fingers 81 have the same width in the third direction D3.
  • the plurality of electrode fingers 81 have the same length in the second direction D2.
  • the plurality of electrode fingers 82 are connected to the common bus bar 70 and extend toward the first bus bar 71.
  • the plurality of electrode fingers 82 extend from the common bus bar 70 along the second direction D2.
  • the tips of the plurality of electrode fingers 82 are apart from the first bus bar 71.
  • the plurality of electrode fingers 82 have the same width in the third direction D3. Further, the plurality of electrode fingers 82 have the same length in the second direction D2.
  • the width and length of the plurality of electrode fingers 82 are the same as the width and length of the plurality of electrode fingers 81, respectively.
  • the common bus bar 70 and the second bus bar 72 face each other in the second direction D2.
  • the plurality of electrode fingers 81 are connected to the common bus bar 70 and extend toward the second bus bar 72.
  • the plurality of electrode fingers 81 extend from the common bus bar 70 along the second direction D2.
  • the tips of the plurality of electrode fingers 81 and the second bus bar 72 are separated.
  • the plurality of electrode fingers 81 have the same width in the third direction D3.
  • the plurality of electrode fingers 81 have the same length in the second direction D2.
  • the plurality of electrode fingers 82 are connected to the second bus bar 72 and extend toward the common bus bar 70.
  • the plurality of electrode fingers 82 extend from the second bus bar 72 along the second direction D2.
  • the tips of the plurality of electrode fingers 82 are separated from the common bus bar 70.
  • the plurality of electrode fingers 82 have the same width in the third direction D3. Further, the plurality of electrode fingers 82 have the same length in the second direction D2.
  • the width and length of the plurality of electrode fingers 82 are the same as the width and length of the plurality of electrode fingers 81, respectively.
  • first IDT electrode 7A in the direction (third direction D3) in which the plurality of electrode fingers 81 and the plurality of electrode fingers 82 are orthogonal to the opposing direction (second direction D2) of the first bus bar 71 and the common bus bar 70, One by one alternately spaced apart from one another.
  • second IDT electrode 7B a direction (third direction D3) in which the plurality of electrode fingers 81 and the plurality of electrode fingers 82 are orthogonal to the opposing direction (second direction D2) of the common bus bar 70 and the second bus bar 72. , One by one, alternately spaced from one another.
  • each of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B the electrode finger 81 and the electrode finger 82 adjacent to each other in the third direction D3 are separated.
  • the electrode finger pitch (2 ⁇ T1) of each of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B is, as shown in FIG. 1, corresponding sides of the electrode finger 81 and the electrode finger 82 adjacent to each other in the third direction D3.
  • the value is twice the distance T1 between the left side of each of the electrode finger 81 and the electrode finger 82 parallel to the center line.
  • the value (duty ratio) obtained by dividing the electrode finger width T2 (see FIG. 1) by the distance T1 is 0.5.
  • the electrode finger width T2 is the width of the electrode finger 81 and the electrode finger 82.
  • the electrode finger pitch (2 ⁇ T1) of the first IDT electrode 7A and the electrode finger pitch (2 ⁇ T1) of the second IDT electrode 7B have the same value.
  • the plurality of electrode fingers 81 of the first IDT electrode 7A and the plurality of electrode fingers 82 of the second IDT electrode 7B are in line symmetry with the common bus bar 70 as an axis of symmetry. It is arranged. Further, in the functional electrode 6, the plurality of electrode fingers 82 of the first IDT electrode 7A and the plurality of electrode fingers 81 of the second IDT electrode 7B are arranged in line symmetry with the common bus bar 70 as an axis of symmetry. That is, the functional electrodes 6 in the elastic wave device 1 are line symmetrical with the center line of the common bus bar 70 along the third direction D3 as the axis of symmetry.
  • Each of the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B excites an elastic wave (plate wave) in a defined area 11 indicated by an alternate long and short dash line in FIG.
  • the defined area 11 is an area in which the plurality of electrode fingers 81 and the plurality of electrode fingers 82 overlap in the third direction D3.
  • the defined region 11 includes the sides of the electrode finger 81 and the electrode finger 82 located on both sides in the third direction D3 opposite to each other, the envelopes of the tips of the plurality of electrode fingers 81, and the tips of the plurality of electrode fingers 82 And the envelope of.
  • Each reflector 9 and each reflector 10 are grating reflectors.
  • One reflector 9 among the two reflectors 9 is disposed on one side (left side in FIG. 1) of the first IDT electrode 7A in the third direction D3.
  • One of the two reflectors 10 is disposed on the other side (right side in FIG. 1) of the first IDT electrode 7A in the third direction D3.
  • the reflector 9 and the reflector 10 corresponding to the first IDT electrode 7A reflect the elastic wave excited and propagated by the first IDT electrode 7A.
  • the remaining one of the two reflectors 9 is disposed on one side (left side in FIG. 1) of the second IDT electrode 7B in the third direction D3.
  • the remaining one of the two reflectors 10 is disposed on the other side (right side in FIG. 1) of the second IDT electrode 7B in the third direction D3.
  • the reflector 9 and the reflector 10 corresponding to the second IDT electrode 7B reflect the elastic wave excited and propagated by the second IDT electrode 7B.
  • the first IDT electrode 7A in a plan view from the thickness direction D1. Partially overlap the first acoustic impedance layer 4A, and the second IDT electrode 7B partially overlaps the second acoustic impedance layer 4B.
  • elastic wave device 1 at least a part (all in the present embodiment) of the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in first acoustic impedance layer 4A overlaps with common bus bar 70 in plan view from thickness direction D1. I did not. Further, in elastic wave device 1, at least a part (all in the present embodiment) of the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in second acoustic impedance layer 4 B is common bus bar 70 in plan view from thickness direction D 1. It does not overlap with. In the elastic wave device 1, the conductive layer in the first acoustic impedance layer 4A and the conductive layer in the second acoustic impedance layer 4B are electrically insulated. In the elastic wave device 1, a part of the insulating layer 30 is interposed between the conductive layer in the first acoustic impedance layer 4A and the conductive layer in the second acoustic impedance layer 4B.
  • the high acoustic impedance layer 41 (conductive layer) and the second acoustic impedance layer 4B in the first acoustic impedance layer 4A As shown in FIG. 1 in plan view from the thickness direction D1, the high acoustic impedance layer 41 (conductive layer) and the second acoustic impedance layer 4B in the first acoustic impedance layer 4A. And the high acoustic impedance layer 41 (conductive layer) in the width direction of the common bus bar 70 (the second direction D2).
  • the high acoustic impedance layer 41 (conductive layer) in the first acoustic impedance layer 4A is a first bus bar 71 of the first IDT electrode 7A in plan view from the thickness direction D1.
  • the high acoustic impedance layer 41 (conductive layer) in the second acoustic impedance layer 4B corresponds to the common bus bar 70 of the second IDT electrode 7B in plan view from the thickness direction D1. It is located between the two bus bars 72 and is separated from the common bus bar 70.
  • the entire area of the defined area 11 of the first IDT electrode 7A overlaps the conductive layer overlapping the first IDT electrode 7A.
  • the entire area of the defined region 11 of the second IDT electrode 7B overlaps the conductive layer overlapping the second IDT electrode 7B.
  • the area of the overlapping region with the conductive layer is the same.
  • the impedance of the elastic wave device 1 is the impedance of the first resonator including the first IDT electrode 7A, the piezoelectric layer 5 and the first acoustic impedance layer 4A, the second IDT electrode 7B, the piezoelectric layer 5 and the second acoustic impedance layer. And the impedance of the second resonator including 4B.
  • the elastic wave device 1 is configured such that the impedance of the elastic wave device of the reference example provided with a resonator including one IDT electrode, a piezoelectric layer, and one acoustic impedance layer is the same as the above-mentioned combined impedance.
  • the impedances of the first and second resonators are determined. Therefore, it can be said that the first resonator and the second resonator of the elastic wave device 1 are also divided resonators (series divided resonators) in which the resonator of the elastic wave device of the reference example is divided into two resonators.
  • the total area of the area of the first resonator and the area of the second resonator is made larger than the area of the resonator of the elastic wave device of the reference example.
  • the logarithm of the electrode finger 81 and the electrode finger 82 having different potentials is the electrode finger (corresponding to the electrode finger 81) and the electrode finger (corresponding to the electrode finger 82) of the IDT electrode of the elastic wave device of the reference example. (Equivalent) is more than the logarithm.
  • the elastic wave device 100 according to the comparative example 1 will be described based on FIGS. 3 and 4.
  • the elastic wave device 100 according to the comparative example 1 is different from the elastic wave device 1 according to the embodiment in the pattern of the acoustic impedance layer 4 in the intermediate layer 3.
  • the same components as those of the elastic wave device 1 according to the embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • one acoustic impedance layer 4 overlaps the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B in plan view from the thickness direction D1, and
  • the common bus bar 70 is also formed to overlap.
  • the frequency characteristic of the impedance of the elastic wave device 1 according to the embodiment is indicated by a solid line C1
  • the frequency characteristic of the impedance of the elastic wave device 100 according to the comparative example 1 is indicated by a broken line C2.
  • the frequency characteristics of the impedance shown in FIG. 5 are the measurement results.
  • the horizontal axis in FIG. 5 is frequency, and the vertical axis is 20 log when the impedance of the elastic wave device 1 according to the embodiment and the elastic wave device 100 according to the comparative example 1 is Z and the magnitude of the impedance is
  • the passband width is reduced compared to the case where the elastic wave device 100 according to comparative example 1 is applied to a ladder type filter. It becomes possible to suppress.
  • the elastic wave device 1 includes the substrate 2, the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B, the piezoelectric layer 5, the first IDT electrode 7A, and the second IDT electrode 7B. And.
  • the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B are formed on the substrate 2.
  • the piezoelectric layer 5 is formed on the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B.
  • the first IDT electrode 7A is formed on the piezoelectric layer 5 and partially overlaps the first acoustic impedance layer 4A in a plan view from the thickness direction D1 of the piezoelectric layer 5.
  • the second IDT electrode 7B is formed on the piezoelectric layer 5 and partially overlaps the second acoustic impedance layer 4B in plan view from the thickness direction D1.
  • the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are connected in series to each other by a common bus bar 70 shared with each other.
  • the first IDT electrode 7A is connected to the opposing first bus bar 71 and the common bus bar 70, a plurality of electrode fingers 81 connected to the first bus bar 71 and extending toward the common bus bar 70, and connected to the common bus bar 70.
  • the second IDT electrode 7B is connected to the common bus bar 70 and the second bus bar 72 facing each other, a plurality of electrode fingers 81 connected to the common bus bar 70 and extending toward the second bus bar 72, and the second bus bar 72 And a plurality of electrode fingers 82 extending toward the bus bar 70.
  • Each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B has a high acoustic impedance layer 41 and a low acoustic impedance layer 42 whose acoustic impedance is lower than that of the high acoustic impedance layer 41.
  • the high acoustic impedance layer 41 is a conductive layer for each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B. At least a portion of the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A and at least a portion of the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B are from the thickness direction D1. It does not overlap with the common bus bar 70 in plan view.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A and the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B are electrically insulated. Thereby, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, it is possible to further improve the power resistance while suppressing the deterioration of the frequency characteristic.
  • the elastic wave device 1 according to the embodiment includes the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B, and the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are connected in series to each other by the common bus bar 70 shared with each other.
  • the “common bus bar 70” is a component common to the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B, and the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are not connected via another wiring. It is a conductive bar in which the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are integrally formed. Thus, the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are electrically connected in series by the common bus bar 70.
  • the elastic wave device 1 as compared with the elastic wave device 100 including the acoustic impedance layer 4 overlapping the entire area of the common bus bar 70 in plan view as viewed in the thickness direction D1 as in Comparative Example 1, It becomes possible to improve frequency characteristics.
  • both ends of each of the first and second resonators are capacitively coupled via the parasitic capacitance, and the bandwidth is narrowed.
  • elastic wave device 1 concerning an embodiment, it can control that a zone width becomes narrow.
  • the plurality of high acoustic impedance layers 41 in each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B is at least one conductive layer (high acoustic impedance layer 41) Contains.
  • the acoustic impedance of the high acoustic impedance layer 41 and the low acoustic impedance layer 42 are It is possible to further increase the acoustic impedance ratio, which is the ratio to the acoustic impedance.
  • the first resonator is configured to include the first IDT electrode 7A, the piezoelectric layer 5 and the first acoustic impedance layer 4A.
  • a second resonator is configured to include the second IDT electrode 7B, the piezoelectric layer 5 and the second acoustic impedance layer 4B.
  • the combined impedance of the impedance of the first resonator and the impedance of the second resonator is a prescribed resonance including one IDT electrode, a piezoelectric layer, and one acoustic impedance layer.
  • the area of the region including the first resonator and the second resonator becomes larger than the area of the specified resonator, so the heat dissipation property is enhanced, and the frequency characteristic is improved. It is possible to improve the power resistance while suppressing the decrease.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A is common to the first bus bar 71 of the first IDT electrode 7A in plan view from the thickness direction D1. It is located between the bus bars 70.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B is located between the common bus bar 70 and the second bus bar 72 of the second IDT electrode 7B in plan view from the thickness direction D1. .
  • “same” is not limited to the case of strictly the same, and may be substantially the same (for example, the ratio of the second area to the first area is 100% ⁇ 10%).
  • the parasitic capacitance generated between the first IDT electrode 7A and the conductive layer in the first acoustic impedance layer 4A, and the conduction in the second IDT electrode 7B and the second acoustic impedance layer 4B It is possible to reduce the difference with the parasitic capacitance generated between layers. Therefore, in the elastic wave device 1 according to the embodiment, the occurrence of the ripple in the frequency characteristic of the impedance can be further suppressed. Moreover, in the elastic wave apparatus 1 which concerns on embodiment, power resistance can be improved more.
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 Is less than 1 ⁇ .
  • the elastic wave is a plate wave.
  • the above embodiment is only one of various embodiments of the present invention.
  • the above-mentioned embodiment can be variously changed according to design etc. if the object of the present invention can be achieved.
  • the elastic wave device 1b according to the first modification of the embodiment is elastic according to the embodiment in that a plurality of (five) functional electrodes 6 are provided on the piezoelectric layer 5, as shown in FIGS. It differs from the wave device 1.
  • the same components as those of the elastic wave device 1 according to the embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the elastic wave device 1b according to the first modification is a ladder type filter.
  • An elastic wave device 1b according to the first modification includes an input terminal 15, an output terminal 16, a series arm circuit 12 provided on a first path connecting the input terminal 15 and the output terminal 16, and a first path on a first path.
  • a plurality of (two) parallel arm circuits 13 and 14 provided on a second path connecting the node and the ground (ground terminals 17 and 18) are provided.
  • the series arm circuit 12 has a plurality (three) of series arm resonators S1.
  • Each of the plurality of parallel arm circuits 13 and 14 has a parallel arm resonator P1.
  • the ground terminals 17 and 18 may be shared as one ground.
  • each of the plurality of series arm resonators S1 and the plurality of parallel arm resonators P1 is the first IDT electrode 7A and the second IDT described in the embodiment with reference to FIGS. It is comprised by the resonator containing the electrode 7B, the piezoelectric material layer 5, the 1st acoustic impedance layer 4A, and the 2nd acoustic impedance layer 4B.
  • At least one series arm resonator S1 of the plurality of series arm resonators S1 includes the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the piezoelectric layer 5 and the first acoustic impedance layer. If it is a resonator including 4A and the second acoustic impedance layer 4B, the same effect as that of the embodiment can be obtained. Further, although the elastic wave device 1b according to the first modification includes the two parallel arm circuits 13 and 14, the number of parallel arm circuits is not limited to two, and may be one, for example. , May be three or more.
  • an elastic wave device 1c according to the second modification of the embodiment includes two first IDT electrodes 7A, and the second IDT electrode 7B is located between the two first IDT electrodes 7A. The point is different from the elastic wave device 1 according to the embodiment.
  • the same components as those of the elastic wave device 1 according to the embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the elastic wave device 1c according to the second modification of the two first IDT electrodes 7A and one second IDT electrode 7B, the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B are adjacent to each other in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 2. Are electrically connected to each other by a common bus bar 70 shared with each other. Therefore, the elastic wave device 1c according to the second modification includes the two common bus bars 70.
  • one common bus bar 70 is included in the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B in the middle of FIG. Further, one common bus bar 70 is included in the middle second IDT electrode 7B and the lower first IDT electrode 7A in FIG.
  • the elastic wave device 100c according to the second comparative example is different from the elastic wave device 1c according to the second modification in the pattern of the acoustic impedance layer 4 in the intermediate layer 3.
  • the same components as those of the elastic wave device 1c according to the second modification are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • one acoustic impedance layer 4 includes two first IDT electrodes 7A and one second IDT electrode 7B. And the two common bus bars 70.
  • the frequency characteristic of the impedance of the elastic wave device 1c according to the second modification is indicated by a solid line E1
  • the frequency characteristic of the impedance of the elastic wave device 100c according to the second comparative example is indicated by a broken line E2.
  • the frequency characteristics of the impedance shown in FIG. 12 are the measurement results.
  • the horizontal axis of FIG. 12 is frequency, and the vertical axis is 20 log when the impedance of the elastic wave device 1c according to the modification 2 and the elastic wave device 100c according to the comparative example 2 are Z and the magnitude of the impedance is
  • the plan view shape of the substrate 2 viewed from the thickness direction D1 of the substrate 2 is not limited to the rectangular shape, and may be, for example, a square shape.
  • the material of the substrate 2 is not limited to Si (silicon), and may be, for example, LiNbO 3 (lithium niobate), LiTaO 3 (lithium tantalate), quartz, glass or the like.
  • the number of high acoustic impedance layers 41 and low acoustic impedance layers 42 in each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B is not limited to two and three, but is two or more and three or more. It may be. Further, the number of high acoustic impedance layers 41 and the number of low acoustic impedance layers 42 are not limited, and may be the same or the number of low acoustic impedance layers 42 is one more than the number of high acoustic impedance layers 41. There may be fewer.
  • the material of the plurality of high acoustic impedance layers 41 is not limited to Pt (platinum), and may be W (tungsten), for example.
  • the plurality of high acoustic impedance layers 41 are not limited to the same material as each other, and may be different materials, for example.
  • the plurality of low acoustic impedance layers 42 are not limited to the same material as each other, and may be different materials, for example.
  • the material of the piezoelectric layer 5 is not limited to LiNbO 3, for example, it may be a LiTaO 3 or the like.
  • the material of the functional electrode 6, the reflectors 9 and the reflectors 10 is not limited to Al (aluminum), and may be an Al alloy. Moreover, the material of the functional electrode 6, each reflector 9 and each reflector 10 is, for example, Cu (copper), Pt (platinum), Au (gold), Ag (silver), Ti (titanium), Ni (nickel) Or Cr (chromium), Mo (molybdenum), W (tungsten), or an alloy mainly composed of any of these metals.
  • the functional electrode 6, the reflectors 9 and the reflectors 10 are not limited to a single layer structure, and may have a multilayer structure.
  • the reflectors 9 and the reflectors 10 are not essential components.
  • the parallel arm circuit is not limited to the configuration having the parallel arm resonator, and may have, for example, an inductor, a capacitor, and the like.
  • the elastic wave devices 1, 1b and 1c in an example in which the entire area of the defined region 11 of the first IDT electrode 7A overlaps the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A in plan view from the thickness direction D1.
  • a part of the defined area 11 may overlap the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in plan view from the thickness direction D1.
  • the entire region of the defined region 11 of the second IDT electrode 7B overlaps the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B in plan view from the thickness direction D1.
  • a part of the defined area 11 may overlap the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in plan view from the thickness direction D1.
  • each of the first acoustic impedance layer 4A and the second acoustic impedance layer 4B is not limited to the example in which the high acoustic impedance layer 41 is a conductive layer, and the low acoustic impedance layer 42 may be a conductive layer.
  • the common bus bar 70 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 2 At least one of the conductive layer in the first acoustic impedance layer 4A and the conductive layer in the second acoustic impedance layer 4B may partially overlap.
  • the functional electrode 6 may also include two or more IDT electrodes in addition to the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B.
  • the elastic wave device 1b includes at least two of the plurality of resonators (for example, the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the piezoelectric layer 5, the first acoustic impedance layer 4A, and the second acoustic impedance layer 4B).
  • the propagation directions of the respective resonators may be made different, as in the elastic wave device 1b according to the third modification shown in FIG. That is, assuming that the propagation direction of the elastic wave in the upper resonator in FIG. 13 is X1, and the propagation direction of the elastic wave in the lower resonator in FIG. 13 is X2, the propagation direction X2 is relative to the propagation direction X1.
  • ⁇ corresponding to the propagation direction can be set to 0 ° or more and less than 90 °. Thereby, in the elastic wave device 1b, the bandwidth can be adjusted.
  • the at least two resonators having different propagation orientations may have different propagation orientations, and may have the same configuration other than the propagation orientation, or may have different configurations other than the propagation orientation. It does not matter.
  • the elastic wave device 1 forms an inclination angle of ⁇ connecting the tips of the plurality of electrode fingers 81 with the propagation direction ⁇ ⁇ of the elastic wave.
  • the propagation direction ⁇ ⁇ of the elastic wave is the propagation direction of the elastic wave excited by the first IDT electrode 7A or the second IDT electrode 7B, and is defined by the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the piezoelectric layer 5 .
  • the direction in which the tips of the plurality of electrode fingers 82 are connected is parallel to the direction in which the tips of the plurality of electrode fingers 81 are connected.
  • ⁇ is 2 °, 4 °, 6 °, 8 °, 10 °, 12 °, 14 °, 16 °, 18 °, 20 °, 22 °, 22 °, 26 °, 28 °, 28 °, 30 °, 32 It is possible to set any angle from among 34 °, 36 °, 38 °, 40 °, 42 °, 44 °, 46 °, 48 ° and 50 °.
  • the elastic wave device 1 is provided with the dielectric layer 19 made of silicon oxide between the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B and the piezoelectric layer 5 as in the elastic wave device 1 according to the fifth modification shown in FIG. It may be done. In this case, the bandwidth can be adjusted.
  • the elastic wave device 1 may be configured such that the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B can form a piston mode as in the elastic wave device 1 according to the sixth modification shown in FIG.
  • the elastic wave apparatus 1 which concerns on the modification 6 is demonstrated.
  • the tip portion 81a of the electrode finger 81 is in the width direction compared to the central portion 81c.
  • the base end portion 81 b of the electrode finger 81 includes a wide width portion 811 having a large width direction dimension as compared with the central portion 81 c.
  • a gap 85 is formed between the electrode finger 81 and the common bus bar 70.
  • the tip portion 82a of the electrode finger 82 has a width compared to the central portion 82c.
  • the base end portion 82b of the electrode finger 82 includes a wide width portion 821 having a larger width direction size than the central portion 82c.
  • a gap 86 is formed between the electrode finger 82 and the first bus bar 71.
  • the first bus bar 71 has a plurality of openings 711 aligned along the length direction of the first bus bar 71.
  • the first bus bar 71 includes an inner bus bar portion 713, a central bus bar portion 714, and an outer bus bar portion 712.
  • the inner bus bar portion 713 is located closer to the electrode finger 81 than the opening 711.
  • the central bus bar portion 714 has the plurality of openings 711 described above.
  • the outer bus bar portion 712 is located on the opposite side of the inner bus bar portion 713 across the central bus bar portion 714.
  • the common bus bar 70 has a plurality of openings 701A.
  • the plurality of openings 701A are aligned along the longitudinal direction of the common bus bar 70.
  • the common bus bar 70 includes an inner bus bar portion 703A of the first IDT electrode 7A, a central bus bar portion 704A, and an outer bus bar portion 702A.
  • the tip portion 81a of the electrode finger 81 has a width compared to the central portion 81c.
  • the base end portion 81 b of the electrode finger 81 includes a wide width portion 811 having a larger width direction size than the central portion 81 c.
  • a gap 87 is formed between the electrode finger 81 and the second bus bar 72.
  • the tip portion 82a of the electrode finger 82 is compared to the central portion 82c.
  • the base end portion 82b of the electrode finger 82 includes a wide width portion 821 having a large width direction size compared to the central portion 82c.
  • a gap 88 is formed between the electrode finger 82 and the common bus bar 70.
  • the second bus bar 72 has a plurality of openings 721 aligned along the length direction of the second bus bar 72.
  • the second bus bar 72 includes an inner bus bar portion 723, a central bus bar portion 724, and an outer bus bar portion 722.
  • the inner bus bar portion 723 is positioned closer to the electrode finger 82 than the opening 721.
  • the central bus bar portion 724 has the plurality of openings 721 described above.
  • the outer bus bar portion 722 is located on the opposite side of the inner bus bar portion 723 across the central bus bar portion 724.
  • the common bus bar 70 has a plurality of openings 701B.
  • the plurality of openings 701B are aligned along the longitudinal direction of the common bus bar 70.
  • the common bus bar 70 includes an inner bus bar portion 703B of the second IDT electrode 7B, a central bus bar portion 704B, and an outer bus bar portion 702B.
  • FIG. 16 in a plan view from the thickness direction of elastic wave device 1, 11 regions A1 to A11 related to first IDT electrode 7A and 11 regions B1 to B11 related to second IDT electrode 7B are included. There is. However, the area A11 and the area B11 are common areas.
  • the eleven regions A1 to A11 include portions different from each other in the piezoelectric layer 5 and the first IDT electrode 7A.
  • the ten regions B1 to B10 include portions different from each other in the piezoelectric layer 5 and the second IDT electrode 7B.
  • the velocity (sound velocity) of the elastic wave propagating in each of the regions A1 to A11 and B1 to B10 is schematically shown.
  • a region A6 positioned at the center in the second direction D2 among the above-mentioned eleven regions A1 to A11 constitutes a first central region.
  • the first central region includes central portions 81 c of the plurality of electrode fingers 81 and central portions 82 c of the plurality of electrode fingers 82.
  • the first central region is a region in which central portions 81c of the plurality of electrode fingers 81 and central portions 82c of the plurality of electrode fingers 82 overlap in the third direction D3.
  • the regions A1 and A11 located at both ends of the second direction D2 among the above-mentioned eleven regions A1 to A11 constitute a first outer bus bar region.
  • the area A1 includes the outer bus bar portion 712 of the first bus bar 71.
  • Region A11 includes outer bus bar portion 702A of common bus bar 70. In the first outer bus bar region, the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the first central region.
  • the regions A2 and A10 positioned secondly from both ends of the second direction D2 constitute a first connection region.
  • Region A 2 includes a plurality of openings 711 of first bus bar 71.
  • Region A10 includes a plurality of openings 701A of common bus bar 70.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is faster than in the first outer bus bar region and the first central region.
  • Region A 3 includes inner bus bar portion 713 of first bus bar 71.
  • Region A9 includes inner bus bar portion 703A of common bus bar 70.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is later than in the first central region.
  • the regions A4 and A8, which are the fourth from the both ends of the second direction D2 constitute a first gap region.
  • the region A4 includes proximal end portions 81b of the plurality of electrode fingers 81 and a plurality of gaps 86.
  • the region A8 includes proximal ends 82b of the plurality of electrode fingers 82 and a plurality of gaps 85.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is faster than in the first inner bus bar region and the first central region.
  • the regions A5 and A7 positioned fifth from the both ends of the second direction D2 out of the above-described 11 regions A1 to A11 constitute the first wide region.
  • the region A5 includes a wide width portion 811 of the base end 81b of the plurality of electrode fingers 81 and a wide width portion 822 of the tip portions 82a of the plurality of electrode fingers 82.
  • the region A7 includes the wide width portion 812 of the tip end portion 81a of the plurality of electrode fingers 81 and the wide width portion 821 of the base end portion 82b of the plurality of electrode fingers 82.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the first central area.
  • the region B6 positioned at the center in the second direction D2 constitutes a second central region.
  • the second central region includes central portions 81 c of the plurality of electrode fingers 81 and central portions 82 c of the plurality of electrode fingers 82.
  • the second central region is a region in which central portions 81c of the plurality of electrode fingers 81 and central portions 82c of the plurality of electrode fingers 82 overlap in the third direction D3.
  • the regions B1 and B11 located at both ends of the second direction D2 among the above-mentioned eleven regions B1 to B11 constitute a second outer bus bar region.
  • Region B 1 includes outer bus bar portion 722 of second bus bar 72.
  • Region B11 includes outer bus bar portion 702B of common bus bar 70.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the second central region.
  • the regions B2 and B10 positioned second from the both ends of the second direction D2 out of the above-mentioned 11 regions B1 to B11 constitute a second connection region.
  • Region B 2 includes a plurality of openings 721 of second bus bar 72.
  • Region B10 includes a plurality of openings 701B of common bus bar 70.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is faster than in the second outer bus bar region and the second central region.
  • regions B3 and B9 which are the third from the both ends of second direction D2 among the above-mentioned 11 regions B1 to B11, constitute the second inner bus bar region doing.
  • the region B3 includes the inner bus bar portion 723 of the second bus bar 72.
  • Region B9 includes inner bus bar portion 703B of common bus bar 70.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is later than in the second central region.
  • the regions B4 and B8, which are the fourth from the both ends of the second direction D2 among the 11 regions B1 to B11, constitute a second gap region.
  • the region B4 includes proximal end portions 81b of the plurality of electrode fingers 81 and a plurality of gaps 87.
  • the region B ⁇ b> 8 includes proximal ends 82 b of the plurality of electrode fingers 82 and a plurality of gaps 88.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is faster than in the second inner bus bar region and the second central region.
  • the regions B5 and B7 positioned fifth from the both ends of the second direction D2 out of the above-described 11 regions B1 to B11 constitute the second wide region.
  • the region B5 includes a wide width portion 811 of the proximal end 81b of the plurality of electrode fingers 81 and a wide width portion 822 of the tip portions 82a of the plurality of electrode fingers 82.
  • the region B7 includes the wide portion 812 of the tip end portion 81a of the plurality of electrode fingers 81 and the wide portion 821 of the base end portion 82b of the plurality of electrode fingers 82.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the second central area.
  • the elastic wave device 1 since the second IDT electrode 7B is configured as described above, low sound velocity regions (region B5 and region B7) exist outside the second central region (region B6).
  • the high sound velocity area B2 and the high sound velocity area B10 exist outside the low sound velocity area. Therefore, in elastic wave device 1, it becomes possible to form piston mode and can control transverse mode ripple effectively.
  • the elastic wave device 1 In the elastic wave device 1 according to the sixth modification, at least one of each of the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A and the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B.
  • the portions do not overlap the common bus bar 70 in plan view from the thickness direction D1 (see FIG. 2) of the substrate 2 (see FIG. 2).
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A is a plan view from the thickness direction D1 (see FIG. 2) of the substrate 2 (see FIG.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B is a part of the region B1 in plan view from the thickness direction D1 (see FIG. 2) of the substrate 2 (see FIG. 2). It overlaps with B2 to B10 and part of the area B11.
  • acoustic energy can be confined more efficiently in the vicinity of the main surface of the piezoelectric layer 5.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A is the thickness direction D1 of the substrate 2 (see FIG. 2).
  • a part of the area A2, an area A3 to A9, and a part of the area A10 overlap.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B is a part of the region B2 in plan view from the thickness direction D1 (see FIG. 2) of the substrate 2 (see FIG. 2). It overlaps with B3 to B9 and part of the area B10.
  • acoustic energy can be efficiently confined in the vicinity of the main surface of the piezoelectric layer 5 and the influence of parasitic capacitance is more appropriate than that of the elastic wave device 1 according to the sixth modification. Can be suppressed.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A has a thickness direction D1 (see FIG. 2) of the substrate 2 (see FIG. 2).
  • a part of the area A3, an area A4 to A8, and a part of the area A9 overlap.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B is a part of the region B3 in plan view from the thickness direction D1 (see FIG. 2) of the substrate 2 (see FIG. 2).
  • B4 to B8 overlap with part of the area B9.
  • acoustic energy can be appropriately confined in the vicinity of the main surface of the piezoelectric layer 5 and the influence of parasitic capacitance is suppressed more than the elastic wave device 1 according to the seventh modification. be able to.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer 4A has a thickness direction D1 (see FIG. 2) of the substrate 2 (see FIG. 2).
  • a part of the area A4, an area A5 to A7, and a part of the area A8 overlap.
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer 4B is a part of the region B4 in a plan view from the thickness direction D1 (see FIG. 2) of the substrate 2 (see FIG. 2).
  • the acoustic energy can be confined to the minimum necessary and in the vicinity of the main surface of the piezoelectric layer 5 and the influence of the parasitic capacitance is more than that of the elastic wave device 1 according to the modification 8. It can be suppressed.
  • the elastic wave device 1 according to the modification 10 is, as shown in FIG. 20, a plurality of (two in the illustrated example) wiring layers 33A and 33B, an insulating layer 34, a spacer layer (support layer) 35, and a cover member 36 may further be provided.
  • the package PA1 in which the first IDT electrode 7A, the second IDT electrode 7B, the piezoelectric layer 5 and the intermediate layer 3 include the substrate 2, the insulating layer 34, the spacer layer 35 and the cover member 36. May be housed in
  • the wiring layer 33A is electrically connected to the first bus bar 71 of the first IDT electrode 7A.
  • the wiring layer 33B is electrically connected to the second bus bar 72 of the second IDT electrode 7B.
  • the insulating layer 34 is formed on the first major surface 21 of the substrate 2.
  • the insulating layer 34 surrounds the intermediate layer 3 and the piezoelectric layer 5.
  • the spacer layer 35 is at least partially formed on the insulating layer 34.
  • the spacer layer 35 surrounds the intermediate layer 3 and the piezoelectric layer 5 in a plan view from the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the cover member 36 is disposed on the spacer layer 35. In the elastic wave device 1, the spacer layer 35 is interposed between the insulating layer 34 and the circumferential portion of the cover member 36.
  • the cover member 36 is separated from the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B in the thickness direction D1.
  • the elastic wave device 1 according to the modification 10 includes a cover member 36, a spacer layer 35, an insulating layer 34, and a laminate on the substrate 2 (a laminate including the intermediate layer 3 and the piezoelectric layer 5). It has an enclosed space SP1.
  • the insulating layer 34 has electrical insulation.
  • the insulating layer 34 is formed on the first major surface 21 of the substrate 2 along the outer periphery of the substrate 2.
  • the insulating layer 34 surrounds the side surface of the intermediate layer 3 and the side surface of the piezoelectric layer 5. Here, a part of the insulating layer 34 overlaps the circumferential portion of the piezoelectric layer 5.
  • the side surface of the intermediate layer 3 and the side surface of the piezoelectric layer 5 are covered with an insulating layer 34.
  • the material of the insulating layer 34 is, for example, a synthetic resin such as epoxy resin or polyimide.
  • the wiring layer 33A overlaps a part of the first IDT electrode 7A, a part of the piezoelectric layer 5, and a part of the insulating layer 34 in the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • the wiring layer 33 B overlaps a part of the second IDT electrode 7 B, a part of the piezoelectric layer 5, and a part of the insulating layer 34 in the thickness direction D 1 of the substrate 2.
  • the spacer layer 35 surrounds the piezoelectric layer 5 in plan view.
  • the spacer layer 35 overlaps the insulating layer 34 in the thickness direction D1 of the substrate 2.
  • a part of the spacer layer 35 also covers a portion formed on the insulating layer 34 in each of the wiring layers 33A and 33B.
  • the spacer layer 35 has a first portion formed directly on the insulating layer 34 and a second portion formed indirectly on the insulating layer 34 via a part of the wiring layers 33A and 33B. including.
  • the spacer layer 35 has electrical insulation.
  • the material of the spacer layer 35 is, for example, a synthetic resin such as epoxy resin or polyimide.
  • the material of the spacer layer 35 preferably has the same main component as the material of the insulating layer 34, and more preferably the same material.
  • the cover member 36 is flat. The cover member 36 is separated from the first IDT electrode 7A and the second IDT electrode 7B in the thickness direction D1.
  • the elastic wave device 1 according to the modification 10 has a plurality of (two in the illustrated example) external connection electrodes 37A and 37B.
  • the external connection electrode 37A is electrically connected to the first bus bar 71 of the first IDT electrode 7A.
  • the wiring layer 33A described above electrically connects the external connection electrode 37A and the first IDT electrode 7A.
  • the external connection electrode 37B is electrically connected to the second bus bar 72 of the second IDT electrode 7B.
  • the wiring layer 33B described above electrically connects the external connection electrode 37B to the second IDT electrode 7B.
  • the external connection electrodes 37A, 37B are formed on the through electrode portions 38A, 38B penetrating the spacer layer 35 and the cover member 36 in the thickness direction D1 of the substrate 2 and 39A formed on the through electrode portions 38A, 38B. , 39B, and.
  • the spacer layer 35 is formed on the insulating layer 34.
  • the spacer layer 35 is formed on the first major surface 21 of the substrate 2
  • the layer 5 may be surrounded.
  • the configuration of the package PA1 of the elastic wave device 1 according to the modification 10 may be appropriately changed to be applied to the elastic wave device 1b according to the modification 1.
  • the spacer layer 35 is formed on the first main surface 21 of the substrate 2 and the wiring layer 33B to surround the piezoelectric layer 5.
  • the outer surface 351 of the spacer layer 35 has a recess 353.
  • the substrate 2 has electrical insulation.
  • the material of the substrate 2 is, for example, LiNbO 3 (lithium niobate), LiTaO 3 (lithium tantalate), quartz, glass or the like.
  • the elastic wave device 1 according to the modification 12 includes one or more intermediate support layers (second spacer layer) positioned between the cover member 36 and the substrate 2 inside the spacer layer 35 (first spacer layer). have.
  • a plurality of elastic wave devices 1 are provided as elastic wave devices, and a plurality of elastic wave devices 1 share a single substrate 2, and a resin layer connecting the spacer layers 35 of adjacent elastic wave devices 1. May be included.
  • the resin layer is the same material as the spacer layer 35, and is integrally formed with the spacer layer 35.
  • the elastic wave device 1 further includes a resin layer extending from the spacer layer 35 positioned inside the outer periphery of the rectangular substrate 2 to the corner portion of the substrate 2 in plan view from the thickness direction D1 of the substrate 2. May be
  • An elastic wave device (1; 1b; 1c) includes a substrate (2), a first acoustic impedance layer (4A) and a second acoustic impedance layer (4B), and a piezoelectric layer (5). , And a first IDT electrode (7A) and a second IDT electrode (7B). The first acoustic impedance layer (4A) and the second acoustic impedance layer (4B) are formed on the substrate (2). The piezoelectric layer (5) is formed on the first acoustic impedance layer (4A) and the second acoustic impedance layer (4B).
  • the first IDT electrode (7A) is formed on the piezoelectric layer (5), and partially overlaps the first acoustic impedance layer (4A) in plan view from the thickness direction (D1) of the piezoelectric layer (5) Do.
  • the second IDT electrode (7B) is formed on the piezoelectric layer (5), and partially overlaps the second acoustic impedance layer (4B) in plan view from the thickness direction (D1).
  • the first IDT electrode (7A) and the second IDT electrode (7B) are connected in series to each other by a common bus bar (70) shared with each other.
  • the first IDT electrode (7A) includes a first bus bar (71) and a common bus bar (70) facing each other, and a plurality of electrode fingers connected to the first bus bar (71) and extending toward the common bus bar (70) 81) and a plurality of electrode fingers (82) connected to the common bus bar (70) and extending toward the first bus bar (71).
  • the second IDT electrode (7B) includes a common bus bar (70) and a second bus bar (72) facing each other, and a plurality of electrode fingers connected to the common bus bar (70) and extending toward the second bus bar (72) 81) and a plurality of electrode fingers (82) connected to the second bus bar (72) and extending towards the common bus bar (70).
  • Each of the first acoustic impedance layer (4A) and the second acoustic impedance layer (4B) has at least one high acoustic impedance layer (41) and at least one acoustic impedance lower than the at least one high acoustic impedance layer (41) And one low acoustic impedance layer (42).
  • at least one of the at least one high acoustic impedance layer (41) and the at least one low acoustic impedance layer (42) is a conductive layer .
  • each of the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer (4A) and the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer (4B) It does not overlap with the common bus bar (70) in plan view from D1).
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer (4A) and the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer (4B) are electrically insulated.
  • the elastic wave device (1; 1b; 1c) according to the first aspect, it is possible to further enhance the power resistance while suppressing the deterioration of the frequency characteristic.
  • the at least one high acoustic impedance layer (41) includes a plurality of high acoustic impedance layers (41).
  • the at least one low acoustic impedance layer (42) comprises a plurality of low acoustic impedance layers (42).
  • a plurality of high acoustic impedance layers (41) and a plurality of low acoustic impedance layers (42) are alternately arranged in layers in the thickness direction (D1).
  • the elastic wave device (1; 1b; 1c) according to the third aspect is, in the second aspect, a plurality of high acoustic impedance layers in each of the first acoustic impedance layer (4A) and the second acoustic impedance layer (4B) (41) includes a conductive layer (high acoustic impedance layer 41).
  • the acoustic wave device (1; 1b; 1c) since it is not necessary to adopt a conductive material as the material of the low acoustic impedance layer (42), the acoustic wave device (1; 1b; 1c) It is possible to make the acoustic impedance ratio, which is the ratio of the impedance and the acoustic impedance of the low acoustic impedance layer (42), larger.
  • the elastic wave device (1; 1b; 1c) according to the fourth aspect is any one of the first to third aspects, wherein the first IDT electrode (7A; 7AA), the piezoelectric layer (5) and the first acoustic wave
  • the first resonator is configured to include the impedance layer (4A).
  • a second resonator is configured to include the second IDT electrode (7B; 7BB), the piezoelectric layer (5), and the second acoustic impedance layer (4B).
  • the combined impedance of the impedance of the first resonator and the impedance of the second resonator is a prescribed resonance including one IDT electrode, a piezoelectric layer, and one acoustic impedance layer. It is a divided resonator in which a specified resonator is divided into two resonators so as to have the same impedance as that of a child.
  • the area of the region including the first resonator and the second resonator is larger than the area of the specified resonator, so the heat dissipation is high. As a result, it is possible to enhance the power resistance while suppressing the deterioration of the frequency characteristic.
  • the elastic wave device (1; 1b; 1c) according to the fifth aspect is the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the first acoustic impedance layer (4A) according to any one of the first to fourth aspects
  • the first IDT electrode (7A; 7AA) is located between the first bus bar (71) and the common bus bar (70) in plan view from the thickness direction (D1).
  • the conductive layer (high acoustic impedance layer 41) in the second acoustic impedance layer (4B) is the second common bus bar (70) of the second IDT electrode (7B; 7BB) and the second in a plan view from the thickness direction (D1). It is located between the bus bars (72).
  • the elastic wave device (1; 1b; 1c) according to the fifth aspect, it is possible to further suppress the deterioration of the frequency characteristics.
  • the elastic wave device (1; 1b; 1c) is the first IDT electrode (7A; 7AA) in a plan view from the thickness direction (D1) in any one of the first to fifth aspects. And the area of the overlapping region of the first acoustic impedance layer (4A) and the conductive layer (high acoustic impedance layer 41), and the conductive layer (high) of the second IDT electrode (7B; 7BB) and the second acoustic impedance layer (4B). The area of the overlapping region with the acoustic impedance layer 41) is the same.
  • the occurrence of ripples in the frequency characteristics of impedance can be further suppressed.
  • An elastic wave device (1b) is a serial arm provided in a first path connecting the input terminal (15) and the output terminal (16) according to any one of the first to sixth aspects.
  • a circuit (12) and parallel arm circuits (13, 14) provided on a second path connecting a node on the first path and the ground.
  • the series arm circuit (12) has a plurality of series arm resonators (S1).
  • At least one series arm resonator (S1) of the plurality of series arm resonators (S1) includes a first IDT electrode (7A), a second IDT electrode (7B), a piezoelectric layer (5), and a first acoustic impedance layer (5). It is a resonator including 4A) and a second acoustic impedance layer (4B).
  • the elastic wave device (1b) according to the seventh aspect it is possible to further enhance the power resistance while suppressing the deterioration of the frequency characteristic.
  • the elastic wave apparatus (1b) which concerns on a 8th aspect is a 7th aspect
  • parallel arm circuit (13, 14) has a parallel arm resonator (P1).
  • the elastic wave device (1; 1b; 1c) according to the ninth aspect has the electrode finger pitch (2) of the first IDT electrode (7A) and the second IDT electrode (7B) in any one of the first to eighth aspects.
  • the wavelength of the elastic wave determined by ⁇ T1) is ⁇
  • the thickness of the piezoelectric layer (5) is 1 ⁇ or less.
  • a plate wave can be excited.
  • the elastic wave is a plate wave.
  • the elastic wave device (1; 1a; 1b) according to the tenth aspect can be used as an elastic wave device using plate waves.

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Abstract

周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高める。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）及び第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、互いに共有している共通バスバー（７０）により互いに直列接続されている。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々について、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）及び少なくとも１つの低音響インピーダンス層の少なくとも１つが導電層である。第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層の少なくとも一部と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層の少なくとも一部とが、圧電体層（５）の厚さ方向からの平面視において共通バスバー（７０）と重複していない。第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層とが電気的に絶縁されている。

Description

弾性波装置
　本発明は、一般に弾性波装置に関し、より詳細には、圧電体層を備える弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置として、板波を用いた弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載された弾性波装置は、支持基板と、音響反射層（音響インピーダンス層）と、圧電体層と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、を備えている。
　特許文献１に記載された弾性波装置の音響反射層は、低音響インピーダンス層と、低音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、を有している。
　特許文献１には、音響反射層において弾性波を効率的に反射させるには、高音響インピーダンス層の音響インピーダンスと、低音響インピーダンス層の音響インピーダンスとの比である音響インピーダンス比が大きいほうが望ましい旨が記載されている。また、特許文献１には、音響インピーダンス比が最大となる材料の組み合わせとして、Ｗ（タングステン）とＳｉＯ2（酸化ケイ素）との組み合わせが開示されている。
国際公開第２０１２／０８６４４１号
　ＩＤＴ電極を備える弾性波装置の分野においては、良好な周波数特性を維持しつつ耐電力性をより高めることが望まれている。
　本発明の目的は、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能な弾性波装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る弾性波装置は、基板と、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、圧電体層と、第１ＩＤＴ電極と、第２ＩＤＴ電極と、を備える。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層は、前記基板上に形成されている。前記圧電体層は、前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成されている。前記第１ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成され、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、前記第１音響インピーダンス層と一部重複する。前記第２ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成され、前記厚さ方向からの平面視において、前記第２音響インピーダンス層と一部重複する。前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極は、互いに共有している共通バスバーにより互いに直列接続されている。前記第１ＩＤＴ電極は、対向し合う第１バスバー及び前記共通バスバーと、前記第１バスバーに接続され前記共通バスバーに向かって延びている複数の電極指と、前記共通バスバーに接続され前記第１バスバーに向かって延びている複数の電極指と、を含む。前記第２ＩＤＴ電極は、対向し合う前記共通バスバー及び第２バスバーと、前記共通バスバーに接続され前記第２バスバーに向かって延びている複数の電極指と、前記第２バスバーに接続され前記共通バスバーに向かって延びている複数の電極指と、を含む。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層と、前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層と、を有する。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々について、前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層及び前記少なくとも１つの低音響インピーダンス層の少なくとも１つが導電層である。前記第１音響インピーダンス層における前記導電層の少なくとも一部と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層の少なくとも一部とが、前記厚さ方向からの平面視において前記共通バスバーと重複していない。前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とが電気的に絶縁されている。
　本発明の一態様に係る弾性波装置では、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。
図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、同上の弾性波装置に関し、図１のＡ－Ａ線断面図である。 図３は、比較例１に係る弾性波装置の平面図である。 図４は、同上の弾性波装置に関し、図３のＡ－Ａ線断面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置及び比較例１に係る弾性波装置それぞれのインピーダンスの周波数特性図である。 図６は、本発明の一実施形態の変形例１に係る弾性波装置の平面図である。 図７は、同上の弾性波装置の等価回路図である。 図８は、本発明の一実施形態の変形例２に係る弾性波装置の平面図である。 図９は、同上の弾性波装置に関し、図８のＡ－Ａ線断面図である。 図１０は、比較例２に係る弾性波装置の平面図である。 図１１は、同上の弾性波装置に関し、図１０のＡ－Ａ線断面図である。 図１２は、本発明の一実施形態の変形例２に係る弾性波装置及び比較例２に係る弾性波装置それぞれのインピーダンスの周波数特性図である。 図１３は、本発明の一実施形態の変形例３に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１４は、本発明の一実施形態の変形例４に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１５は、本発明の一実施形態の変形例５に係る弾性波装置の断面図である。 図１６は、本発明の一実施形態の変形例６に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１７は、本発明の一実施形態の変形例７に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１８は、本発明の一実施形態の変形例８に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１９は、本発明の一実施形態の変形例９に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図２０は、本発明の一実施形態の変形例１０に係る弾性波装置の断面図である。 図２１は、本発明の一実施形態の変形例１１に係る弾性波装置の一部切り欠いた断面図である。
　以下、実施形態に係る弾性波装置について、図面を参照して説明する。
　以下の実施形態等において参照する図１～４、６～１１、１３～２１は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態）
　（１）弾性波装置の全体構成
　以下、実施形態に係る弾性波装置１について、図面を参照して説明する。
　実施形態に係る弾性波装置１は、板波を利用する弾性波装置である。弾性波装置１は、図１及び２に示すように、基板２と、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂと、圧電体層５と、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂと、を備える。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２上に形成されている。圧電体層５は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂ上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、圧電体層５上に形成されている。つまり、弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとを含む機能電極６が、圧電体層５上に形成されている。
　第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、互いに共有している共通バスバー７０により互いに直列接続されている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１（以下、第１方向Ｄ１ともいう）に直交する第２方向Ｄ２において並んでいる。以下、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する方向を第３方向Ｄ３という。第３方向Ｄ３は、弾性波（本実施形態では、板波）の伝搬方向に沿った方向である。
　また、弾性波装置１は、第３方向Ｄ３において第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂそれぞれの一方側に１つずつ配置されている２つの反射器９と、他方側に１つずつ配置されている２つの反射器１０と、を更に備える。図１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、断面を表すものではなく、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０と、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂとの関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。
　（２）弾性波装置の各構成要素
　次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（２．１）基板
　基板２は、図２に示すように、第１音響インピーダンス層４Ａ、第２音響インピーダンス層４Ｂ、圧電体層５、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂを含む積層体を支持している。以下では、積層体のうち、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂを含み、基板２と圧電体層５との間に介在する層を、中間層３と称する。基板２は、その厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある第１主面２１及び第２主面２２を有する。第１主面２１及び第２主面２２は、互いに背向する。基板２の平面視形状（基板２を厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。基板２は、例えばシリコン基板である。基板２の厚さは、１０λ（λ：電極指ピッチである２×Ｔ１により定まる弾性波の波長）μｍ以上１８０μｍ以下が好適である。例えば２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ、１００μｍ、１１０μｍ、１２０μｍ、１３０μｍ、１４０μｍ、１５０μｍ、１６０μｍ、１７０μｍ、１８０μｍ等の任意の厚みとしてもよい。また、シリコン基板の圧電体層５側の面に凹凸が形成されていてもよい。これにより、弾性波装置１では、不要波が散乱し不要波を小さくすることができる。凹凸の高低差は１／４λ以下が好ましい。凹凸の輪郭形状は三角形、円弧、矩形などから適宜選択される。シリコン基板の抵抗率は例えば１００Ωｃｍ以上であり、１０００Ωｃｍ以上であるのが好ましく、４０００Ωｃｍ以上であるのが更に好ましい。シリコン基板の圧電体層５側の面方位は、例えば（１００）面、（１１１）面、（１１０）面、（５５１）面を使うことができる。ここにおいて、弾性波の伝搬方位は、シリコン基板の面方位に制約されずに設定することができる。
　（２．２）第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層
　第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、図２に示すように、基板２の第１主面２１上に形成されている。第１音響インピーダンス層４Ａは、基板２の厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａに対向する。第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１において第２ＩＤＴ電極７Ｂに対向する。第１音響インピーダンス層４Ａは、第１ＩＤＴ電極７Ａで励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。第２音響インピーダンス層４Ｂは、第２ＩＤＴ電極７Ｂで励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。また、弾性波装置１は、基板２上で第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとの間に介在している絶縁層３０を更に備える。絶縁層３０は、基板２上に形成されている。絶縁層３０は、上述の積層体に含まれている。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、複数（３つ）の低音響インピーダンス層４２と複数（２つ）の高音響インピーダンス層４１とが厚さ方向Ｄ１において一層ごとに交互に並んだ積層構造を有する。低音響インピーダンス層４２の音響インピーダンスは、高音響インピーダンス層４１の音響インピーダンスよりも低い。
　第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２と圧電体層５との間に介在している。以下では、説明の便宜上、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々において、２つの高音響インピーダンス層４１を、基板２の第１主面２１に近い順に、高音響インピーダンス層４１１、高音響インピーダンス層４１２と称することもある。また、３つの低音響インピーダンス層４２を、基板２の第１主面２１に近い順に、低音響インピーダンス層４２０、低音響インピーダンス層４２１、低音響インピーダンス層４２２と称することもある。
　第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々では、基板２側から、低音響インピーダンス層４２０、高音響インピーダンス層４１１、低音響インピーダンス層４２１、高音響インピーダンス層４１２及び低音響インピーダンス層４２２が、この順に並んでいる。したがって、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、低音響インピーダンス層４２２と高音響インピーダンス層４１２との界面、低音響インピーダンス層４２１と高音響インピーダンス層４１１との界面、高音響インピーダンス層４１１と低音響インピーダンス層４２０との界面のそれぞれにおいて、圧電体層５からの弾性波（板波）を反射することが可能である。本実施形態では、絶縁層３０は、基板２と圧電体層５との間に介在する中間層３において第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂ以外の領域（第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとを除いた領域）である。絶縁層３０は、低音響インピーダンス層４２と同じ材料により形成されている。絶縁層３０は、電気絶縁性を有する。
　第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々において、複数の高音響インピーダンス層４１の材料は、例えば、Ｐｔ（白金）である。複数の低音響インピーダンス層４２の材料は、例えば、ＳｉＯ2（酸化ケイ素）である。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、複数の高音響インピーダンス層４１の各々がＰｔにより形成されているので、２層の導電層を含んでいる。
　低音響インピーダンス層４２は単一の層ではなく、相対的に音響インピーダンスが低い材料からなる複数の層を有する積層構造であってもよい。また、複数の層の間にチタン又はニッケル等からなる金属層を有する積層構造であってもよい。中間層３、複数の層を有する低音響インピーダンス層４２における金属層、低音響インピーダンス層４２それぞれの圧電体層５側の面及び基板２側の面の表面粗さ（例えば、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１、ＩＳＯ　４２８７－１９９７等で規定されている算術平均粗さＲａ）は小さいほど好ましく、具体的には１００ｎｍ以下であり、例えば、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、１ｎｍ等から適宜選択される。
　同様に高音響インピーダンス層４１は単一の層ではなく、相対的に音響インピーダンスが高い材料からなる複数の層を有する積層構造であってもよい。また、複数の層の間にチタン又はニッケル等からなる金属層を有する積層構造であってもよい。複数の層を有する高音響インピーダンス層４１における金属層、高音響インピーダンス層４１の圧電体層５側の面及び基板２側の面の表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）は小さいほど好ましく、具体的には１００ｎｍ以下であり、例えば、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、１ｎｍ等から適宜選択される。
　（２．３）圧電体層
　圧電体層５は、例えば、ＬｉＮｂＯ3圧電単結晶からなる。
　圧電体層５の厚さは、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの電極指ピッチ（２×Ｔ１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、１λ以下である。これにより、弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂそれぞれによって板波が励振され、板波が伝搬する。電極指ピッチ（２×Ｔ１）については、後述の「（２．４）第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極及び反射器」の欄で説明する。本実施形態の弾性波装置１では、例えば、弾性波の波長が１．７μｍであり、圧電体層５の厚さが３４０ｎｍである。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは圧電体層５の分極軸方向におけるプラス面、マイナス面のどちらに形成されていてもよい。言い換えれば、圧電体層５における第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂ側の主面は、圧電体層５の分極軸方向におけるプラス面でもよいし、マイナス面でもよい。分極軸方向におけるプラス面とは、圧電体層５中の分極成分のプラス側が向いている方向に有る面をいう。分極軸方向におけるマイナス面とは、圧電体層５中の分極成分のマイナス側が向いている方向に有る面をいう。
　（２．４）第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極及び反射器
　第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０は、圧電体層５上に形成されている。より詳細には、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０は、圧電体層５の中間層３側とは反対の主面上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０は、導電性を有する。第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０の材料は、例えば、Ａｌである。第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０の厚さは、例えば、８５ｎｍである。
　第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、互いに共有している共通バスバー７０により互いに直列接続されている。したがって、機能電極６は、互いに直列接続された第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂを含んでいる。第１ＩＤＴ電極７Ａは、対向し合う第１バスバー７１及び共通バスバー７０と、第１バスバー７１に接続された複数の電極指８１と、共通バスバー７０に接続された複数の電極指８２と、を含む。第２ＩＤＴ電極７Ｂは、対向し合う共通バスバー７０及び第２バスバー７２と、共通バスバー７０に接続された複数の電極指８１と、第２バスバー７２に接続された複数の電極指８２と、を含む。
　第１バスバー７１、共通バスバー７０及び第２バスバー７２は、第３方向Ｄ３を長手方向とする長尺状である。
　第１ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１と共通バスバー７０とは第２方向Ｄ２において対向し合っている。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８１は、第１バスバー７１に接続され共通バスバー７０に向かって延びている。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８１は、第１バスバー７１から第２方向Ｄ２に沿って延びている。複数の電極指８１の先端と共通バスバー７０とは離れている。複数の電極指８１は、第３方向Ｄ３の幅が同じである。また、複数の電極指８１は、第２方向Ｄ２の長さが同じである。
　第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８２は、共通バスバー７０に接続され第１バスバー７１に向かって延びている。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８２は、共通バスバー７０から第２方向Ｄ２に沿って延びている。複数の電極指８２のそれぞれの先端は、第１バスバー７１とは離れている。複数の電極指８２は、第３方向Ｄ３の幅が同じである。また、複数の電極指８２は、第２方向Ｄ２の長さが同じである。複数の電極指８２の幅及び長さは、複数の電極指８１の幅及び長さそれぞれと同じである。
　第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、共通バスバー７０と第２バスバー７２とは第２方向Ｄ２において対向し合っている。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８１は、共通バスバー７０に接続され第２バスバー７２に向かって延びている。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８１は、共通バスバー７０から第２方向Ｄ２に沿って延びている。複数の電極指８１の先端と第２バスバー７２とは離れている。複数の電極指８１は、第３方向Ｄ３の幅が同じである。また、複数の電極指８１は、第２方向Ｄ２の長さが同じである。
　第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８２は、第２バスバー７２に接続され共通バスバー７０に向かって延びている。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８２は、第２バスバー７２から第２方向Ｄ２に沿って延びている。複数の電極指８２のそれぞれの先端は、共通バスバー７０とは離れている。複数の電極指８２は、第３方向Ｄ３の幅が同じである。また、複数の電極指８２は、第２方向Ｄ２の長さが同じである。複数の電極指８２の幅及び長さは、複数の電極指８１の幅及び長さそれぞれと同じである。
　第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８１と複数の電極指８２とが、第１バスバー７１と共通バスバー７０との対向方向（第２方向Ｄ２）に直交する方向（第３方向Ｄ３）において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８１と複数の電極指８２とが、共通バスバー７０と第２バスバー７２との対向方向（第２方向Ｄ２）に直交する方向（第３方向Ｄ３）において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々では、第３方向Ｄ３において隣り合う電極指８１と電極指８２とは離れている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々の電極指ピッチ（２×Ｔ１）は、図１に示すように、第３方向Ｄ３において隣り合う電極指８１と電極指８２との互いに対応する辺（図１では電極指８１及び電極指８２それぞれにおいて中心線に平行な左側の辺）間の距離Ｔ１の２倍の値である。電極指幅Ｔ２（図１参照）を距離Ｔ１で除した値（デューティ比）は、０．５である。電極指幅Ｔ２は、電極指８１及び電極指８２の幅である。
　第１ＩＤＴ電極７Ａの電極指ピッチ（２×Ｔ１）と第２ＩＤＴ電極７Ｂの電極指ピッチ（２×Ｔ１）とは、同じ値である。
　機能電極６では、図１に示すように、第１ＩＤＴ電極７Ａの複数の電極指８１と第２ＩＤＴ電極７Ｂの複数の電極指８２とが、共通バスバー７０を対称軸として、線対称となるように配置されている。また、機能電極６では、第１ＩＤＴ電極７Ａの複数の電極指８２と第２ＩＤＴ電極７Ｂの複数の電極指８１とが、共通バスバー７０を対称軸として、線対称となるように配置されている。つまり、弾性波装置１における機能電極６は、共通バスバー７０の第３方向Ｄ３に沿った中心線を対称軸として線対称である。
　第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々は、図１に一点鎖線で示す規定領域１１において、弾性波（板波）を励振する。規定領域１１は、複数の電極指８１と複数の電極指８２とが第３方向Ｄ３において重なる領域である。規定領域１１は、第３方向Ｄ３の両側にある電極指８１及び電極指８２それぞれにおいて互いに反対側に位置する辺と、複数の電極指８１の先端の包絡線と、複数の電極指８２の先端の包絡線と、で囲まれた領域である。
　各反射器９及び各反射器１０は、グレーティング反射器である。２つの反射器９のうち１つの反射器９は、第３方向Ｄ３において第１ＩＤＴ電極７Ａの一方側（図１では、左側）に配置されている。２つの反射器１０のうち１つの反射器１０は、第３方向Ｄ３において第１ＩＤＴ電極７Ａの他方側（図１では、右側）に配置されている。ここにおいて、第１ＩＤＴ電極７Ａに対応する反射器９及び反射器１０は、第１ＩＤＴ電極７Ａで励振されて伝搬された弾性波を反射する。２つの反射器９のうち残りの１つの反射器９は、第３方向Ｄ３において第２ＩＤＴ電極７Ｂの一方側（図１では、左側）に配置されている。２つの反射器１０のうち残りの１つの反射器１０は、第３方向Ｄ３において第２ＩＤＴ電極７Ｂの他方側（図１では、右側）に配置されている。ここにおいて第２ＩＤＴ電極７Ｂに対応する反射器９及び反射器１０は、第２ＩＤＴ電極７Ｂで励振されて伝搬された弾性波を反射する。
　（２．５）第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層のレイアウト
　実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極７Ａが第１音響インピーダンス層４Ａと一部重複し、第２ＩＤＴ電極７Ｂが第２音響インピーダンス層４Ｂと一部重複する。
　弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）の少なくとも一部（本実施形態では、全部）が、厚さ方向Ｄ１からの平面視において共通バスバー７０と重複していない。また、弾性波装置１では、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）の少なくとも一部（本実施形態では、全部）が、厚さ方向Ｄ１からの平面視において共通バスバー７０と重複していない。弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層とが電気的に絶縁されている。弾性波装置１では、絶縁層３０の一部が第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層との間に介在している。
　実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、図１に示すように、第１音響インピーダンス層４Ａにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）とが共通バスバー７０の幅方向（第２方向Ｄ２）で離れている。ここで、実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層４Ａにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）が、第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１と共通バスバー７０との間に位置し、共通バスバー７０から離れている。また、実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）が、第２ＩＤＴ電極７Ｂの共通バスバー７０と第２バスバー７２との間に位置し、共通バスバー７０から離れている。
　要するに、実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層４Ａにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）及び第２音響インピーダンス層４Ｂにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）が、共通バスバー７０と重なっていない。
　また、弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａの規定領域１１の全域が、当該第１ＩＤＴ電極７Ａに重なる導電層に重なっている。また、弾性波装置１では、第２ＩＤＴ電極７Ｂの規定領域１１の全域が、当該第２ＩＤＴ電極７Ｂに重なる導電層に重なっている。弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極７Ａと第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層との重なる領域の面積と、第２ＩＤＴ電極７Ｂと第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層との重なる領域の面積と、が同じである。
　（２．６）弾性波装置のインピーダンス
　弾性波装置１の周波数特性の一例として、弾性波装置１のインピーダンスの周波数特性について説明する。弾性波装置１のインピーダンスは、第１ＩＤＴ電極７Ａと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａとを含む第１共振子のインピーダンスと、第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第２音響インピーダンス層４Ｂとを含む第２共振子のインピーダンスと、の合成インピーダンスとなる。
　弾性波装置１は、１つのＩＤＴ電極と圧電体層と１つの音響インピーダンス層とを含む共振子を備えた参考例の弾性波装置のインピーダンスと上記の合成インピーダンスとが同じとなるように、第１共振子及び第２共振子のインピーダンスを決めてある。したがって、弾性波装置１の第１共振子及び第２共振子は、参考例の弾性波装置の共振子を２つの共振子に分割した分割共振子（直列分割共振子）ともいえる。弾性波装置１では、第１共振子の面積と第２共振子の面積との合計面積を参考例の弾性波装置の共振子の面積よりも大きくしてある。弾性波装置１では、互いに異なる電位を有する電極指８１と電極指８２との対数が、参考例の弾性波装置のＩＤＴ電極における電極指（電極指８１に相当）と電極指（電極指８２に相当）との対数よりも多くなっている。
　実施形態に係る弾性波装置１の周波数特性について説明する前に、比較例１に係る弾性波装置１００について、図３及び４に基づいて説明する。
　比較例１に係る弾性波装置１００は、実施形態に係る弾性波装置１とは中間層３における音響インピーダンス層４のパターンが相違する。比較例１に係る弾性波装置１００に関し、実施形態に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　比較例１に係る弾性波装置１００では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、図３に示すように、１つの音響インピーダンス層４が、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂに重なり、かつ、共通バスバー７０にも重なる大きさに形成されている。
　図５では、実施形態に係る弾性波装置１のインピーダンスの周波数特性を実線Ｃ１で示し、比較例１に係る弾性波装置１００のインピーダンスの周波数特性を破線Ｃ２で示してある。図５に示したインピーダンスの周波数特性は、実測結果である。図５の横軸は、周波数、縦軸は実施形態に係る弾性波装置１及び比較例１に係る弾性波装置１００のインピーダンスをＺとし、インピーダンスの大きさを｜Ｚ｜としたときの２０log｜Ｚ｜である。
　図５から分かるように、比較例１に係る弾性波装置１００のインピーダンスの周波数特性では共振周波数付近でリップルが発生しているのに対し、実施形態に係る弾性波装置１では、共振周波数付近でのリップルの発生が抑制されている。したがって、実施形態に係る弾性波装置１は、比較例１に係る弾性波装置１００と比べて周波数特性が向上している。
　また、実施形態に係る弾性波装置１では、例えば、ラダー型フィルタに適用した場合に、比較例１に係る弾性波装置１００をラダー型フィルタに適用する場合と比べて、通過帯域幅の減少を抑制することが可能となる。
　（３）効果
　実施形態に係る弾性波装置１は、基板２と、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂと、圧電体層５と、第１ＩＤＴ電極７Ａと、第２ＩＤＴ電極７Ｂと、を備える。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２上に形成されている。圧電体層５は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂ上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａは、圧電体層５上に形成され、圧電体層５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層４Ａと一部重複する。第２ＩＤＴ電極７Ｂは、圧電体層５上に形成され、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層４Ｂと一部重複する。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、互いに共有している共通バスバー７０により互いに直列接続されている。第１ＩＤＴ電極７Ａは、対向し合う第１バスバー７１及び共通バスバー７０と、第１バスバー７１に接続され共通バスバー７０に向かって延びている複数の電極指８１と、共通バスバー７０に接続され第１バスバー７１に向かって延びている複数の電極指８２と、を含む。第２ＩＤＴ電極７Ｂは、対向し合う共通バスバー７０及び第２バスバー７２と、共通バスバー７０に接続され第２バスバー７２に向かって延びている複数の電極指８１と、第２バスバー７２に接続され共通バスバー７０に向かって延びている複数の電極指８２と、を含む。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、高音響インピーダンス層４１と、高音響インピーダンス層４１よりも音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層４２と、を有する。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々について、高音響インピーダンス層４１が導電層である。第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）の少なくとも一部と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）の少なくとも一部とが、厚さ方向Ｄ１からの平面視において共通バスバー７０と重複していない。第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）とが電気的に絶縁されている。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。実施形態に係る弾性波装置１は、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂを有し、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂが、互いに共有している共通バスバー７０により互いに直列接続されているので、特許文献１に記載された弾性波装置のように１つのＩＤＴ電極しか備えていない構成と比べて、耐電力性をより高めることが可能となる。ここにおいて、「共通バスバー７０」は、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとに共通の構成要素であり、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとを別の配線を介して接続することなく第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとを一体に形成する導電バーである。これにより、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとは、共通バスバー７０により、電気的に直列接続されている。また、実施形態に係る弾性波装置１では、比較例１のように厚さ方向Ｄ１から見た平面視において共通バスバー７０の全域に重なる音響インピーダンス層４を備えた弾性波装置１００と比べて、周波数特性を向上させることが可能となる。
　ところで、１つの基板上に複数の共振子が存在する構成（共通バスバーを有さず、基板上に導電層を含む音響インピーダンス層が形成され、音響インピーダンス層上に圧電体層が形成され、圧電体層上に複数のＩＤＴ電極が互いに離れて形成されている構成）と比べて、比較例１のように共通バスバー７０と導電層とが重なる構成では、共通バスバー７０と音響インピーダンス層の導電層との間に寄生容量が発生する。このような寄生容量が発生すると、第１共振子及び第２共振子それぞれの両端間が寄生容量を介して容量結合してしまい、帯域幅が狭くなってしまう。これに対して、実施形態に係る弾性波装置１では、帯域幅が狭くなるのを抑制することができる。
　また、実施形態に係る弾性波装置１は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々における複数の高音響インピーダンス層４１が、少なくとも１層の導電層（高音響インピーダンス層４１）を含んでいる。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、低音響インピーダンス層４２の材料として導電性を有する材料を採用する必要がないので、高音響インピーダンス層４１の音響インピーダンスと、低音響インピーダンス層４２の音響インピーダンスとの比である音響インピーダンス比を、より大きくすることが可能となる。
　また、実施形態に係る弾性波装置１は、第１ＩＤＴ電極７Ａと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａとを含んで第１共振子が構成されている。第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第２音響インピーダンス層４Ｂとを含んで第２共振子が構成されている。第１共振子及び第２共振子は、第１共振子のインピーダンスと第２共振子のインピーダンスとの合成インピーダンスが、１つのＩＤＴ電極と圧電体層と１つの音響インピーダンス層とを含む規定の共振子のインピーダンスと同じとなるように規定の共振子を２つの共振子に分割した分割共振子である。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、第１共振子と第２共振子とを含む領域の面積が規定の共振子の面積よりも大きくなるので、放熱性が高くなり、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性を高めることが可能となる。
　また、実施形態に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１と共通バスバー７０との間に位置している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２ＩＤＴ電極７Ｂの共通バスバー７０と第２バスバー７２との間に位置している。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、周波数特性の低下を、より抑制することが可能となる。
　また、実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極７Ａと第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）との重なる領域の面積（第１面積）と、第２ＩＤＴ電極７Ｂと第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）との重なる領域の面積（第２面積）と、が同じである。ここにおいて、「同じ」とは、厳密に同じである場合のみに限定されず、略同じ（例えば、第１面積に対する第２面積の割合が１００％±１０％）でもよい。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａと第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層との間に発生する寄生容量と、第２ＩＤＴ電極７Ｂと第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層との間に発生する寄生容量と、の差を低減できる。よって、実施形態に係る弾性波装置１では、インピーダンスの周波数特性においてリップルが発生するのを、より抑制することが可能となる。また、実施形態に係る弾性波装置１では、耐電力性をより高めることができる。
　また、実施形態に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの電極指ピッチ（２×Ｔ１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、圧電体層５の厚さが、１λ以下である。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、板波を励振することができる。
　また、実施形態に係る弾性波装置１では、弾性波が板波である。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、板波を利用する弾性波装置として使用することが可能となる。
　上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　（４）変形例
　（４．１）変形例１
　実施形態の変形例１に係る弾性波装置１ｂは、図６及び７に示すように、圧電体層５上に複数（５つ）の機能電極６を備えている点で、実施形態に係る弾性波装置１と相違する。変形例１に係る弾性波装置１ｂに関し、実施形態に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例１に係る弾性波装置１ｂは、ラダー型フィルタである。変形例１に係る弾性波装置１ｂは、入力端子１５と、出力端子１６と、入力端子１５と出力端子１６とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕回路１２と、第１経路上のノードとグラウンド（グラウンド端子１７、１８）とを結ぶ第２経路上に設けられた複数（２つ）の並列腕回路１３、１４と、を備える。直列腕回路１２は、複数（３つ）の直列腕共振子Ｓ１を有する。複数の並列腕回路１３、１４の各々は、並列腕共振子Ｐ１を有する。グラウンド端子１７、１８は、１つのグラウンドとして共通化されていてもよい。
　変形例１に係る弾性波装置１ｂでは、複数の直列腕共振子Ｓ１及び複数の並列腕共振子Ｐ１の各々が、図１及び２を参照して実施形態で説明した第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとを含む共振子で構成されている。これにより、変形例１に係る弾性波装置１ｂでは、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。
　変形例１に係る弾性波装置１ｂでは、複数の直列腕共振子Ｓ１のうち少なくとも１つの直列腕共振子Ｓ１が、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとを含む共振子であれば、実施形態と同様の効果が得られる。また、変形例１に係る弾性波装置１ｂでは、２つの並列腕回路１３、１４を備えているが、並列腕回路の数は、２つに限らず、例えば、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
　（４．２）変形例２
　実施形態の変形例２に係る弾性波装置１ｃは、図８及び９に示すように、２つの第１ＩＤＴ電極７Ａを備え、２つの第１ＩＤＴ電極７Ａの間に第２ＩＤＴ電極７Ｂが位置している点で、実施形態に係る弾性波装置１と相違する。変形例２に係る弾性波装置１ｃに関し、実施形態に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例２に係る弾性波装置１ｃでは、２つの第１ＩＤＴ電極７Ａ及び１つの第２ＩＤＴ電極７Ｂのうち基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において隣り合う第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとが、互いに共有している共通バスバー７０により互いに電気的に接続されている。したがって、変形例２に係る弾性波装置１ｃは、２つの共通バスバー７０を含んでいる。
　変形例２に係る弾性波装置１ｃでは、図８の上の第１ＩＤＴ電極７Ａと真ん中の第２ＩＤＴ電極７Ｂとで１つの共通バスバー７０を含んでいる。また、図８の真ん中の第２ＩＤＴ電極７Ｂと下の第１ＩＤＴ電極７Ａとで１つの共通バスバー７０を含んでいる。
　変形例２に係る弾性波装置１ｃの周波数特性について説明する前に、比較例２に係る弾性波装置１００ｃについて、図１０及び１１に基づいて説明する。
　比較例２に係る弾性波装置１００ｃは、変形例２に係る弾性波装置１ｃとは中間層３における音響インピーダンス層４のパターンが相違する。比較例２に係る弾性波装置１００ｃに関し、変形例２に係る弾性波装置１ｃと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　比較例２に係る弾性波装置１００では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、図１０に示すように、１つの音響インピーダンス層４が、２つの第１ＩＤＴ電極７Ａと１つの第２ＩＤＴ電極７Ｂとに重なり、かつ、２つの共通バスバー７０にも重なる大きさに形成されている。
　図１２では、変形例２に係る弾性波装置１ｃのインピーダンスの周波数特性を実線Ｅ１で示し、比較例２に係る弾性波装置１００ｃのインピーダンスの周波数特性を破線Ｅ２で示してある。図１２に示したインピーダンスの周波数特性は、実測結果である。図１２の横軸は、周波数、縦軸は変形例２に係る弾性波装置１ｃ及び比較例２に係る弾性波装置１００ｃのインピーダンスをＺとし、インピーダンスの大きさを｜Ｚ｜としたときの２０log｜Ｚ｜である。
　図１２から分かるように、比較例２に係る弾性波装置１００ｃのインピーダンスの周波数特性では共振周波数付近でリップルが発生しているのに対し、変形例２に係る弾性波装置１ｃでは、共振周波数付近でのリップルの発生が抑制されている。したがって、変形例２に係る弾性波装置１ｃは、比較例２に係る弾性波装置１００ｃと比べて周波数特性が向上している。
　（４．３）その他の変形例
　基板２の厚さ方向Ｄ１から見た基板２の平面視形状は、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。また、基板２の材料は、Ｓｉ（シリコン）に限らず、例えば、ＬｉＮｂＯ3（リチウムニオベイト）、ＬｉＴａＯ3（リチウムタンタレート）、水晶、ガラス等であってもよい。
　第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとの各々における高音響インピーダンス層４１及び低音響インピーダンス層４２それぞれの数は、２つ及び３つに限らず、２つ以上及び３つ以上であってもよい。また、高音響インピーダンス層４１の数と低音響インピーダンス層４２の数とは異なる場合に限らず、同じであってもよいし低音響インピーダンス層４２の数が高音響インピーダンス層４１の数よりも１つ少なくてもよい。
　また、複数の高音響インピーダンス層４１の材料は、Ｐｔ（白金）に限らず、例えば、Ｗ（タングステン）等でもよい。
　また、複数の高音響インピーダンス層４１は、互いに同じ材料である場合に限らず、例えば、互いに異なる材料であってもよい。また、複数の低音響インピーダンス層４２は、互いに同じ材料である場合に限らず、例えば、互いに異なる材料であってもよい。
　圧電体層５の材料は、ＬｉＮｂＯ3に限らず、例えば、ＬｉＴａＯ3等でもよい。
　機能電極６、各反射器９及び各反射器１０の材料は、Ａｌ（アルミニウム）に限らず、Ａｌ合金でもよい。また、機能電極６、各反射器９及び各反射器１０の材料は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等であってもよい。また、機能電極６、各反射器９及び各反射器１０は、単層構造に限らず、多層構造であってもよい。
　弾性波装置１、１ｂ及び１ｃでは、各反射器９及び各反射器１０は必須の構成要素ではない。
　また、並列腕回路は、並列腕共振子を有する構成に限らず、例えば、インダクタ、コンデンサ等を有する構成であってもよい。
　弾性波装置１、１ｂ及び１ｃでは、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第１ＩＤＴ電極７Ａの規定領域１１の全域が第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なる例に限らず、厚さ方向Ｄ１からの平面視において規定領域１１のうちの一部の領域が導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なっていてもよい。また、弾性波装置１、１ｂ及び１ｃでは、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２ＩＤＴ電極７Ｂの規定領域１１の全域が第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なる例に限らず、厚さ方向Ｄ１からの平面視において規定領域１１のうちの一部の領域が導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なっていてもよい。また、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、高音響インピーダンス層４１が導電層である例に限らず、低音響インピーダンス層４２が導電層であってもよい。いずれにしても、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極７Ａに重なる第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層の少なくとも一部と、第２ＩＤＴ電極７Ｂに重なる第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層の少なくとも一部とが共通バスバー７０と重複しておらず、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層とが電気的に絶縁されていればよい。言い換えれば、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層とが電気的に絶縁されていれば、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、共通バスバー７０の一部に第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層との少なくとも一方が重複していてもよい。
　また、機能電極６は、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの他に２つ以上のＩＤＴ電極を備えていてもよい。
　弾性波装置１ｂは、複数の共振子のうち少なくとも２つの共振子（例えば、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとを含む直列腕共振子Ｓ１）に関して、図１３に示す変形例３に係る弾性波装置１ｂのように、それぞれの共振子の伝搬方位を異ならせてもよい。すなわち、図１３中の上の共振子における弾性波の伝搬方位をＸ１とし、図１３中の下の共振子における弾性波の伝搬方位をＸ２とすると、伝搬方位Ｘ２は、伝搬方位Ｘ１に対してβの角度をなしている。圧電体層５のオイラー角（φ,θ,ψ）において伝搬方位に相当するψは０°以上９０°未満とすることができる。これにより、弾性波装置１ｂでは、帯域幅を調整することができる。伝搬方位を異ならせる少なくとも２つの共振子は、伝搬方位が異なっていればよく、伝搬方位以外の他の構成が同じ共振子であっても構わないし、伝搬方位以外の他の構成が異なる共振子であっても構わない。
　弾性波装置１は、図１４に示す変形例４に係る弾性波装置１のように、弾性波の伝搬方向ψに対し、複数の電極指８１の先端を結ぶ方向がνの傾斜角度をなしていてもよい。ここにおいて、弾性波の伝搬方向ψは、第１ＩＤＴ電極７Ａ又は第２ＩＤＴ電極７Ｂにより励振される弾性波の伝搬方向であり、圧電体層５のオイラー角（φ，θ，ψ）により規定される。複数の電極指８２の先端を結ぶ方向は、複数の電極指８１の先端を結ぶ方向と平行である。νは例えば、２°,４°,６°,８°,１０°,１２°,１４°,１６°,１８°,２０°,２２°,２４°,２６°,２８°,３０°,３２°,３４°,３６°,３８°,４０°,４２°,４４°,４６°,４８°,５０°の中から任意の角度に設定できる。
　弾性波装置１は、図１５に示す変形例５に係る弾性波装置１のように第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５との間に酸化ケイ素からなる誘電体層１９が設けられていてもよい。この場合は帯域幅を調整できる。
　弾性波装置１は、図１６に示す変形例６に係る弾性波装置１のように第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂがピストンモードを形成できるように構成されていてもよい。以下、変形例６に係る弾性波装置１について説明する。
　第１ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１から電極指８１の延びる方向と直交する方向を電極指８１の幅方向としたときに、電極指８１の先端部８１ａが、中央部８１ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８１２を含み、電極指８１の基端部８１ｂが中央部８１ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８１１を含む。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、電極指８１と共通バスバー７０との間にギャップ８５が形成されている。
　また、第１ＩＤＴ電極７Ａでは、共通バスバー７０から電極指８２の延びる方向と直交する方向を電極指８２の幅方向としたときに、電極指８２の先端部８２ａが、中央部８２ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８２２を含み、電極指８２の基端部８２ｂが中央部８２ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８２１を含む。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、電極指８２と第１バスバー７１との間にギャップ８６が形成されている。
　また、第１ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１が、第１バスバー７１の長さ方向に沿って並んでいる複数の開口部７１１を有する。ここにおいて、第１バスバー７１は、内側バスバー部７１３と、中央バスバー部７１４と、外側バスバー部７１２と、を有する。内側バスバー部７１３は、開口部７１１よりも電極指８１側に位置している。中央バスバー部７１４は、上述の複数の開口部７１１を有する。外側バスバー部７１２は、内側バスバー部７１３に対して、中央バスバー部７１４を挟んで反対側に位置している。
　また、第１ＩＤＴ電極７Ａでは、共通バスバー７０が、複数の開口部７０１Ａを有する。複数の開口部７０１Ａは、共通バスバー７０の長手方向に沿って並んでいる。ここにおいて、共通バスバー７０は、第１ＩＤＴ電極７Ａの内側バスバー部７０３Ａと、中央バスバー部７０４Ａと、外側バスバー部７０２Ａと、を含む。
　また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、共通バスバー７０から電極指８１の延びる方向と直交する方向を電極指８１の幅方向としたときに、電極指８１の先端部８１ａが、中央部８１ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８１２を含み、電極指８１の基端部８１ｂが中央部８１ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８１１を含む。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、電極指８１と第２バスバー７２との間にギャップ８７が形成されている。
　また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、第２バスバー７２から電極指８２の延びる方向と直交する方向を電極指８２の幅方向としたときに、電極指８２の先端部８２ａが、中央部８２ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８２２を含み、電極指８２の基端部８２ｂが中央部８２ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８２１を含む。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、電極指８２と共通バスバー７０との間にギャップ８８が形成されている。
　また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、第２バスバー７２が、第２バスバー７２の長さ方向に沿って並んでいる複数の開口部７２１を有する。ここにおいて、第２バスバー７２は、内側バスバー部７２３と、中央バスバー部７２４と、外側バスバー部７２２と、を有する。内側バスバー部７２３は、開口部７２１よりも電極指８２側に位置している。中央バスバー部７２４は、上述の複数の開口部７２１を有する。外側バスバー部７２２は、内側バスバー部７２３に対して、中央バスバー部７２４を挟んで反対側に位置している。
　また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、共通バスバー７０が、複数の開口部７０１Ｂを有する。複数の開口部７０１Ｂは、共通バスバー７０の長手方向に沿って並んでいる。ここにおいて、共通バスバー７０は、第２ＩＤＴ電極７Ｂの内側バスバー部７０３Ｂと、中央バスバー部７０４Ｂと、外側バスバー部７０２Ｂと、を含む。
　図１６では、弾性波装置１の厚さ方向からの平面視で、第１ＩＤＴ電極７Ａに関連する１１個の領域Ａ１～Ａ１１及び第２ＩＤＴ電極７Ｂに関連する１１個の領域Ｂ１～Ｂ１１を含んでいる。ただし、領域Ａ１１と領域Ｂ１１とは共通の領域である。１１個の領域Ａ１～Ａ１１は、圧電体層５及び第１ＩＤＴ電極７Ａそれぞれにおいて互いに異なる部分を含んでいる。１０個の領域Ｂ１～Ｂ１０は、圧電体層５及び第２ＩＤＴ電極７Ｂそれぞれにおいて互いに異なる部分を含んでいる。図１６の右側には、各領域Ａ１～Ａ１１、Ｂ１～Ｂ１０それぞれを伝搬する弾性波の速度（音速）を模式的に示してある。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第２方向Ｄ２において中央に位置する領域Ａ６が、第１中央領域を構成している。第１中央領域は、複数の電極指８１の中央部８１ｃと複数の電極指８２の中央部８２ｃとを含む。第１中央領域は、複数の電極指８１の中央部８１ｃと複数の電極指８２の中央部８２ｃとが第３方向Ｄ３において重なる領域である。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれに位置する領域Ａ１、Ａ１１が、第１外側バスバー領域を構成している。領域Ａ１は、第１バスバー７１の外側バスバー部７１２を含む。領域Ａ１１は、共通バスバー７０の外側バスバー部７０２Ａを含む。第１外側バスバー領域では、第１中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて２番目に位置する領域Ａ２、Ａ１０が、第１連結領域を構成している。領域Ａ２は、第１バスバー７１の複数の開口部７１１を含む。領域Ａ１０は、共通バスバー７０の複数の開口部７０１Ａを含む。第１連結領域では、第１外側バスバー領域及び第１中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて３番目に位置する領域Ａ３、Ａ９が、第１内側バスバー領域を構成している。領域Ａ３は、第１バスバー７１の内側バスバー部７１３を含む。領域Ａ９は、共通バスバー７０の内側バスバー部７０３Ａを含む。第１内側バスバー領域では、第１中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて４番目に位置する領域Ａ４、Ａ８が、第１ギャップ領域を構成している。領域Ａ４は、複数の電極指８１の基端部８１ｂと複数のギャップ８６とを含む。領域Ａ８は、複数の電極指８２の基端部８２ｂと複数のギャップ８５とを含む。第１ギャップ領域では、第１内側バスバー領域及び第１中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて５番目に位置する領域Ａ５、Ａ７が、第１太幅領域を構成している。領域Ａ５は、複数の電極指８１の基端部８１ｂの太幅部８１１と複数の電極指８２の先端部８２ａの太幅部８２２とを含む。領域Ａ７は、複数の電極指８１の先端部８１ａの太幅部８１２と複数の電極指８２の基端部８２ｂの太幅部８２１とを含む。第１太幅領域では、第１中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａが上記のように構成されているため、第１中央領域（領域Ａ６）の外側に低音速の領域（領域Ａ５及び領域Ａ７）が存在し、低音速の領域の外側に高音速の領域Ａ２及び領域Ａ１０が存在している。したがって、弾性波装置１では、ピストンモードを形成することが可能となり、横モードリップルを効果的に抑制することができる。
　上述の１１個の領域Ｂ１～Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２において中央に位置する領域Ｂ６が、第２中央領域を構成している。第２中央領域は、複数の電極指８１の中央部８１ｃと複数の電極指８２の中央部８２ｃとを含む。第２中央領域は、複数の電極指８１の中央部８１ｃと複数の電極指８２の中央部８２ｃとが第３方向Ｄ３において重なる領域である。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１～Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれに位置する領域Ｂ１、Ｂ１１が、第２外側バスバー領域を構成している。領域Ｂ１は、第２バスバー７２の外側バスバー部７２２を含む。領域Ｂ１１は、共通バスバー７０の外側バスバー部７０２Ｂを含む。第２外側バスバー領域では、第２中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１～Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて２番目に位置する領域Ｂ２、Ｂ１０が、第２連結領域を構成している。領域Ｂ２は、第２バスバー７２の複数の開口部７２１を含む。領域Ｂ１０は、共通バスバー７０の複数の開口部７０１Ｂを含む。第２連結領域では、第２外側バスバー領域及び第２中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１～Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて３番目に位置する領域Ｂ３、Ｂ９が、第２内側バスバー領域を構成している。領域Ｂ３は、第２バスバー７２の内側バスバー部７２３を含む。領域Ｂ９は、共通バスバー７０の内側バスバー部７０３Ｂを含む。第２内側バスバー領域では、第２中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１～Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて４番目に位置する領域Ｂ４、Ｂ８が、第２ギャップ領域を構成している。領域Ｂ４は、複数の電極指８１の基端部８１ｂと複数のギャップ８７とを含む。領域Ｂ８は、複数の電極指８２の基端部８２ｂと複数のギャップ８８とを含む。第２ギャップ領域では、第２内側バスバー領域及び第２中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１～Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて５番目に位置する領域Ｂ５、Ｂ７が、第２太幅領域を構成している。領域Ｂ５は、複数の電極指８１の基端部８１ｂの太幅部８１１と複数の電極指８２の先端部８２ａの太幅部８２２とを含む。領域Ｂ７は、複数の電極指８１の先端部８１ａの太幅部８１２と複数の電極指８２の基端部８２ｂの太幅部８２１とを含む。第２太幅領域では、第２中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、第２ＩＤＴ電極７Ｂが上記のように構成されているため、第２中央領域（領域Ｂ６）の外側に低音速の領域（領域Ｂ５及び領域Ｂ７）が存在し、低音速の領域の外側に高音速の領域Ｂ２及び領域Ｂ１０が存在している。したがって、弾性波装置１では、ピストンモードを形成することが可能となり、横モードリップルを効果的に抑制することができる。
　変形例６に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）との各々の少なくとも一部が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において共通バスバー７０と重複していない。ここにおいて、弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ａ１の一部、領域Ａ２～Ａ１０、領域Ａ１１の一部に重複している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ｂ１の一部、領域Ｂ２～Ｂ１０、領域Ｂ１１の一部に重複している。図１６に示した弾性波装置１では、音響エネルギをより効率的に圧電体層５の主面近傍に閉じ込めることができる。
　これに対して、図１７に示す変形例７に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ａ２の一部、領域Ａ３～Ａ９、領域Ａ１０の一部に重複している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ｂ２の一部、領域Ｂ３～Ｂ９、領域Ｂ１０の一部に重複している。変形例７に係る弾性波装置１では、音響エネルギを効率的に圧電体層５の主面近傍に閉じ込めることができ、かつ、変形例６に係る弾性波装置１よりも寄生容量の影響を適度に抑制することができる。
　また、図１８に示す変形例８に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ａ３の一部、領域Ａ４～Ａ８、領域Ａ９の一部に重複している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ｂ３の一部、領域Ｂ４～Ｂ８、領域Ｂ９の一部に重複している。変形例８に係る弾性波装置１では、音響エネルギを適度に圧電体層５の主面近傍に閉じ込めることができ、かつ、変形例７に係る弾性波装置１よりも寄生容量の影響を抑制することができる。
　また、図１９に示す変形例９に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ａ４の一部、領域Ａ５～Ａ７、領域Ａ８の一部に重複している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ｂ４の一部、領域Ｂ５～Ｂ７、領域Ｂ８の一部に重複している。変形例９に係る弾性波装置１では、音響エネルギを必要最低限、圧電体層５の主面近傍に閉じ込めることができ、かつ、変形例８に係る弾性波装置１よりも寄生容量の影響を抑制することができる。
　変形例１０に係る弾性波装置１は、図２０に示すように、複数（図示例では２つ）の配線層３３Ａ、３３Ｂと、絶縁層３４と、スペーサ層（支持層）３５と、カバー部材３６と、を更に備えてもよい。変形例１０に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、圧電体層５及び中間層３が、基板２と絶縁層３４とスペーサ層３５とカバー部材３６とを含むパッケージＰＡ１に収容されていてもよい。配線層３３Ａは、第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１に電気的に接続されている。配線層３３Ｂは、第２ＩＤＴ電極７Ｂの第２バスバー７２に電気的に接続されている。絶縁層３４は、基板２の第１主面２１上に形成されている。絶縁層３４は、中間層３及び圧電体層５を囲んでいる。スペーサ層３５は、少なくとも一部が絶縁層３４上に形成されている。スペーサ層３５は、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において中間層３及び圧電体層５を囲んでいる。カバー部材３６は、スペーサ層３５上に配置されている。弾性波装置１では、スペーサ層３５が、絶縁層３４とカバー部材３６の周部との間に介在している。カバー部材３６は、厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂから離れている。
　変形例１０に係る弾性波装置１は、カバー部材３６と、スペーサ層３５と、絶縁層３４と、基板２上の積層体（中間層３と圧電体層５とを含む積層体）と、で囲まれた空間ＳＰ１を有する。
　絶縁層３４は、電気絶縁性を有する。絶縁層３４は、基板２の第１主面２１上において基板２の外周に沿って形成されている。絶縁層３４は、中間層３の側面及び圧電体層５の側面を囲んでいる。ここにおいて、絶縁層３４の一部は、圧電体層５の周部に重なっている。中間層３の側面及び圧電体層５の側面は、絶縁層３４により覆われている。絶縁層３４の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。
　配線層３３Ａは、基板２の厚さ方向Ｄ１において、第１ＩＤＴ電極７Ａの一部と圧電体層５の一部と絶縁層３４の一部とに重なっている。配線層３３Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１において、第２ＩＤＴ電極７Ｂの一部と圧電体層５の一部と絶縁層３４の一部とに重なっている。
　スペーサ層３５は、平面視において、圧電体層５を囲んでいる。スペーサ層３５は、基板２の厚さ方向Ｄ１において絶縁層３４に重なっている。スペーサ層３５の一部は、配線層３３Ａ、３３Ｂそれぞれにおいて絶縁層３４上に形成されている部分も覆っている。要するに、スペーサ層３５は、絶縁層３４上に直接形成されている第１部分と、絶縁層３４上に配線層３３Ａ、３３Ｂの一部を介して間接的に形成されている第２部分と、を含む。
　スペーサ層３５は、電気絶縁性を有する。スペーサ層３５の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。スペーサ層３５の材料は、絶縁層３４の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。
　カバー部材３６は、平板状である。カバー部材３６は、厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂから離れている。
　また、変形例１０に係る弾性波装置１は、複数（図示例では、２つ）の外部接続電極３７Ａ、３７Ｂを有する。外部接続電極３７Ａは、第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１に電気的に接続されている。上述の配線層３３Ａは、外部接続電極３７Ａと第１ＩＤＴ電極７Ａとを電気的に接続している。外部接続電極３７Ｂは、第２ＩＤＴ電極７Ｂの第２バスバー７２に電気的に接続されている。上述の配線層３３Ｂは、外部接続電極３７Ｂと第２ＩＤＴ電極７Ｂとを電気的に接続している。
　外部接続電極３７Ａ、３７Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層３５とカバー部材３６とを貫通している貫通電極部３８Ａ、３８Ｂと、貫通電極部３８Ａ、３８Ｂ上に形成されている３９Ａ、３９Ｂと、を含む。
　変形例１０に係る弾性波装置１では、スペーサ層３５が絶縁層３４上に形成されているが、これに限らず、スペーサ層３５が基板２の第１主面２１上に形成されて圧電体層５を囲んでいてもよい。変形例１０に係る弾性波装置１のパッケージＰＡ１の構成を適宜変更して変形例１に係る弾性波装置１ｂに適用してもよい。
　また、変形例１１に係る弾性波装置１では、図２１に示すように、スペーサ層３５が基板２の第１主面２１上及び配線層３３Ｂ上に形成されて圧電体層５を囲んでおり、スペーサ層３５の外面３５１に凹部３５３を有していている。図２１の構成では、基板２は、電気絶縁性を有する。ここにおいて、基板２の材料は、例えば、ＬｉＮｂＯ3（リチウムニオベイト）、ＬｉＴａＯ3（リチウムタンタレート）、水晶、ガラス等である。
　また、変形例１２に係る弾性波装置１は、スペーサ層３５（第１スペーサ層）の内側においてカバー部材３６と基板２との間に位置する１又は複数の中間支持層（第２スペーサ層）を有している。
　また、弾性波装置として、複数の弾性波装置１を有し、複数の弾性波装置１で１枚の基板２を共用しており、隣り合う弾性波装置１のスペーサ層３５間をつなぐ樹脂層を有してもよい。樹脂層は、スペーサ層３５と同じ材料であり、スペーサ層３５と一体に形成されている。また、弾性波装置１は、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、矩形状の基板２の外周よりも内側に位置するスペーサ層３５から基板２のコーナー部に至る樹脂層を備えていてもよい。　
　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、基板（２）と、第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）と、圧電体層（５）と、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）と、第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）と、を備える。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）は、基板（２）上に形成されている。圧電体層（５）は、第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）上に形成されている。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）は、圧電体層（５）上に形成され、圧電体層（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１音響インピーダンス層（４Ａ）と一部重複する。第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、圧電体層（５）上に形成され、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）と一部重複する。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）及び第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、互いに共有している共通バスバー（７０）により互いに直列接続されている。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）は、対向し合う第１バスバー（７１）及び共通バスバー（７０）と、第１バスバー（７１）に接続され共通バスバー（７０）に向かって延びている複数の電極指（８１）と、共通バスバー（７０）に接続され第１バスバー（７１）に向かって延びている複数の電極指（８２）と、を含む。第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、対向し合う共通バスバー（７０）及び第２バスバー（７２）と、共通バスバー（７０）に接続され第２バスバー（７２）に向かって延びている複数の電極指（８１）と、第２バスバー（７２）に接続され共通バスバー（７０）に向かって延びている複数の電極指（８２）と、を含む。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）と、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）と、を有する。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々について、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）及び少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）の少なくとも１つが導電層である。第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）との各々の少なくとも一部が、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において共通バスバー（７０）と重複していない。第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）とが電気的に絶縁されている。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。
　第２の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１の態様において、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）は、複数の高音響インピーダンス層（４１）を含む。少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）は、複数の低音響インピーダンス層（４２）を含む。複数の高音響インピーダンス層（４１）と複数の低音響インピーダンス層（４２）とが厚さ方向（Ｄ１）において一層ごとに交互に並んでいる。
　第２の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、共振特性を向上させることが可能となる。
　第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第２の態様において、第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々における複数の高音響インピーダンス層（４１）が、導電層（高音響インピーダンス層４１）を含む。
　第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、低音響インピーダンス層（４２）の材料として導電性を有する材料を採用する必要がないので、高音響インピーダンス層（４１）の音響インピーダンスと、低音響インピーダンス層（４２）の音響インピーダンスとの比である音響インピーダンス比を、より大きくすることが可能となる。
　第４の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１～３の態様のいずれか一つにおいて、第１ＩＤＴ電極（７Ａ；７ＡＡ）と圧電体層（５）と第１音響インピーダンス層（４Ａ）とを含んで第１共振子が構成されている。第２ＩＤＴ電極（７Ｂ；７ＢＢ）と圧電体層（５）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）とを含んで第２共振子が構成されている。第１共振子及び第２共振子は、第１共振子のインピーダンスと第２共振子のインピーダンスとの合成インピーダンスが、１つのＩＤＴ電極と圧電体層と１つの音響インピーダンス層とを含む規定の共振子のインピーダンスと同じとなるように規定の共振子を２つの共振子に分割した分割共振子である。
　第４の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、第１共振子と第２共振子とを含む領域の面積が規定の共振子の面積よりも大きくなるので、放熱性が高くなり、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性を高めることが可能となる。
　第５の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において第１ＩＤＴ電極（７Ａ；７ＡＡ）の第１バスバー（７１）と共通バスバー（７０）との間に位置している。また、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において第２ＩＤＴ電極（７Ｂ；７ＢＢ）の共通バスバー（７０）と第２バスバー（７２）との間に位置している。
　第５の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、周波数特性の低下を、より抑制することが可能となる。
　第６の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１ＩＤＴ電極（７Ａ；７ＡＡ）と第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）との重なる領域の面積と、第２ＩＤＴ電極（７Ｂ；７ＢＢ）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）との重なる領域の面積と、が同じである。
　第６の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、インピーダンスの周波数特性においてリップルが発生するのを、より抑制することが可能となる。
　第７の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第１～６の態様のいずれか一つにおいて、入力端子（１５）と出力端子（１６）とを結ぶ第１経路に設けられた直列腕回路（１２）と、第１経路上のノードとグラウンドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕回路（１３、１４）と、を備える。直列腕回路（１２）は、複数の直列腕共振子（Ｓ１）を有する。複数の直列腕共振子（Ｓ１）のうち少なくとも１つの直列腕共振子（Ｓ１）が、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）と第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）と圧電体層（５）と第１音響インピーダンス層（４Ａ）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）を含む共振子である。
　第７の態様に係る弾性波装置（１ｂ）では、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。
　第８の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第７の態様において、並列腕回路（１３、１４）は、並列腕共振子（Ｐ１）を有する。
　第９の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１～８の態様のいずれか一つにおいて、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）及び第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）の電極指ピッチ（２×Ｔ１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、圧電体層（５）の厚さが、１λ以下である。
　第９の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、板波を励振することができる。
　第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第９の態様において、弾性波が板波である。
　第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、板波を利用する弾性波装置として使用することが可能となる。
　１、１ｂ、１ｃ　弾性波装置
　１００、１００ｃ　弾性波装置
　２　基板
　２１　第１主面
　２２　第２主面
　３　中間層
　４Ａ　第１音響インピーダンス層
　４Ｂ　第２音響インピーダンス層
　４１　高音響インピーダンス層（導電層）
　４２　低音響インピーダンス層
　５　圧電体層
　６　機能電極
　７Ａ　第１ＩＤＴ電極
　７Ｂ　第２ＩＤＴ電極
　７０　共通バスバー
　７０１Ａ　開口部
　７０１Ｂ　開口部
　７０２Ａ、７０２Ｂ　外側バスバー部
　７０３Ａ、７０３Ｂ　内側バスバー部
　７０４Ａ、７０４Ｂ　中央バスバー部
　７１　第１バスバー
　７１１　開口部
　７１２　外側バスバー部
　７１３　内側バスバー部
　７１４　中央バスバー部
　７２　第２バスバー
　７２１　開口部
　７２２　外側バスバー部
　７２３　内側バスバー部
　７２４　中央バスバー部
　８１　電極指
　８１ａ　先端部
　８１ｂ　基端部
　８１ｃ　中央部
　８１１、８１２　太幅部
　８２　電極指
　８２ａ　先端部
　８２ｂ　基端部
　８２ｃ　中央部
　８２１、８２２　太幅部
　８５、８６、８７、８８　ギャップ
　９　反射器
　１０　反射器
　１１　規定領域
　１２　直列腕回路
　１３　並列腕回路
　１４　並列腕回路
　１５　入力端子
　１６　出力端子
　１７　グラウンド端子（グラウンド）
　１８　グラウンド端子（グラウンド）
　１９　誘電体層
　３３Ａ、３３Ｂ　配線層
　３４　絶縁層
　３５　スペーサ層
　３５１　外面
　３５３　凹部
　３６　カバー部材
　Ａ１～Ａ１１　領域
　Ｂ１～Ｂ１１　領域
　Ｔ１　距離
　Ｔ２　電極指幅
　Ｄ１　厚さ方向（第１方向）
　Ｄ２　第２方向
　Ｄ３　第３方向
　ＰＡ１　パッケージ
　ＳＰ１　空間
　Ｓ１　直列腕共振子
　Ｐ１　並列腕共振子

Claims (10)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成された、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成された圧電体層と、
    　前記圧電体層上に形成され、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、前記第１音響インピーダンス層と一部重複する第１ＩＤＴ電極と、
    　前記圧電体層上に形成され、前記厚さ方向からの平面視において、前記第２音響インピーダンス層と一部重複する第２ＩＤＴ電極と、
    　を備え、
    　前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極は、互いに共有している共通バスバーにより互いに直列接続されており、
    　前記第１ＩＤＴ電極は、
    　　対向し合う第１バスバー及び前記共通バスバーと、
    　　前記第１バスバーに接続され前記共通バスバーに向かって延びている複数の電極指と、
    　　前記共通バスバーに接続され前記第１バスバーに向かって延びている複数の電極指と、
    　を含み、　
    　前記第２ＩＤＴ電極は、
    　　対向し合う前記共通バスバー及び第２バスバーと、
    　　前記共通バスバーに接続され前記第２バスバーに向かって延びている複数の電極指と、
    　　前記第２バスバーに接続され前記共通バスバーに向かって延びている複数の電極指と、
    　を含み、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、
    　　少なくとも１つの高音響インピーダンス層と、
    　　前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層と、
    　を有し、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々について、前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層及び前記少なくとも１つの低音響インピーダンス層の少なくとも１つが導電層であり、
    　前記第１音響インピーダンス層における前記導電層の少なくとも一部と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層の少なくとも一部とが、前記厚さ方向からの平面視において前記共通バスバーと重複しておらず、
    　前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とが電気的に絶縁されている、
    　弾性波装置。
  2. 　前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層は、複数の高音響インピーダンス層を含み、
    　前記少なくとも１つの低音響インピーダンス層は、複数の低音響インピーダンス層を含み、
    　前記複数の高音響インピーダンス層と前記複数の低音響インピーダンス層とが前記厚さ方向において一層ごとに交互に並んでいる、
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々における前記複数の高音響インピーダンス層が、前記導電層を含む、
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１ＩＤＴ電極と前記圧電体層と前記第１音響インピーダンス層とを含んで第１共振子が構成され、
    　前記第２ＩＤＴ電極と前記圧電体層と前記第２音響インピーダンス層とを含んで第２共振子が構成され、
    　前記第１共振子及び前記第２共振子は、前記第１共振子のインピーダンスと前記第２共振子のインピーダンスとの合成インピーダンスが、１つのＩＤＴ電極と圧電体層と１つの音響インピーダンス層とを含む規定の共振子のインピーダンスと同じとなるように前記規定の共振子を２つの共振子に分割した分割共振子である
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１音響インピーダンス層における前記導電層は、前記厚さ方向からの平面視において前記第１ＩＤＴ電極の前記第１バスバーと前記共通バスバーとの間に位置し、
    　前記第２音響インピーダンス層における前記導電層は、前記厚さ方向からの平面視において前記第２ＩＤＴ電極の前記共通バスバーと前記第２バスバーとの間に位置している、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記厚さ方向からの平面視において、前記第１ＩＤＴ電極と前記第１音響インピーダンス層における前記導電層との重なる領域の面積と、前記第２ＩＤＴ電極と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層との重なる領域の面積と、が同じである、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  7. 　入力端子と出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕回路と、
    　前記第１経路上のノードとグラウンドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕回路と、を備え、
    　前記直列腕回路は、複数の直列腕共振子を有し、
    　前記複数の直列腕共振子のうち少なくとも１つの直列腕共振子が、前記第１ＩＤＴ電極と前記第２ＩＤＴ電極と前記圧電体層と前記第１音響インピーダンス層と前記第２音響インピーダンス層とを含む共振子である、
    　請求項１～６のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記並列腕回路は、並列腕共振子を有する、
    　請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる弾性波の波長をλとしたときに、前記圧電体層の厚さが、１λ以下である、
    　請求項１～８のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記弾性波が板波である、
    　請求項９に記載の弾性波装置。
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