KR20230147700A - 탄성파 장치 - Google Patents

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KR20230147700A
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타케시 나카오
세이지 카이
히사시 야마자키
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있는 탄성파 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치(10)는 지지 기판을 포함하는 지지 부재와, 지지 부재 상에 마련되어 있고 대향하는 제1 주면(14a) 및 제2 주면을 가지는 압전층(14)을 포함하는 압전성 기판(12)과, 압전층(14)의 제1 주면(14a) 또는 제2 주면에 마련되어 있고, 적어도 1쌍의 전극을 가지는 적어도 하나의 기능 전극과, 압전성 기판(12) 상에 기능 전극을 둘러싸도록 마련되어 있는 제1 지지체(18)와, 압전성 기판(12) 상에 마련되어 있고 제1 지지체(18)에 둘러싸여 있는 부분에 배치되어 있는 적어도 하나의 제2 지지체(19)와, 제1 지지체(18) 상 및 제2 지지체(19) 상에 마련되어 있는 뚜껑부를 포함한다. 이웃하는 전극끼리 대향하는 방향을 전극 대향방향으로 하고 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 이웃하는 전극끼리가 겹치는 영역이 교차 영역(E)이며, 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 제2 지지체(19)의 적어도 일부가 교차 영역(E)과 겹치도록 배치되어 있다.

Description

탄성파 장치
본 발명은 탄성파 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파 장치는 휴대전화기의 필터 등에 널리 이용되고 있다. 예를 들면, 하기의 특허문헌 1에서는 판파로서의 램파를 이용한 탄성파 장치가 개시되어 있다. 이 탄성파 장치에서는 지지체 상에 압전 기판이 마련되어 있다. 압전 기판은 LiNbO3 또는 LiTaO3로 이루어진다. 압전 기판의 윗면에 IDT(Interdigital Transducer) 전극이 마련되어 있다. IDT 전극의 한쪽 전위에 접속되는 복수개의 전극지(電極指)와, 다른 쪽 전위에 접속되는 복수개의 전극지 사이에 전압이 인가된다. 이로써, 램파가 여진(勵振)된다. 이 IDT 전극의 양측에는 반사기가 마련되어 있다. 그로써, 램파를 이용한 탄성파 공진자가 구성되어 있다.
일본 공개특허공보 특개2012-257019호
특허문헌 1에 기재된 바와 같은 탄성파 장치에서는 압전 기판의 표면을 전파하는 불요파가 생기는 경우가 있다. 상기 불요파의 영향에 의해 탄성파 장치의 전기적 특성이 열화(劣化)될 우려가 있다.
본 발명의 목적은 불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있는 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는 지지 기판을 포함하는 지지 부재와, 상기 지지 부재 상에 마련되어 있고 대향하는 제1 주면(主面) 및 제2 주면을 가지는 압전층을 포함하는 압전성 기판과, 상기 압전층의 상기 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 마련되어 있고 적어도 1쌍의 전극을 가지는 적어도 하나의 기능 전극과, 상기 압전성 기판 상에 상기 기능 전극을 둘러싸도록 마련되어 있는 제1 지지체와, 상기 압전성 기판 상에 마련되어 있고 상기 제1 지지체에 둘러싸여 있는 부분에 배치되어 있는 적어도 하나의 제2 지지체와, 상기 제1 지지체 상 및 상기 제2 지지체 상에 마련되어 있는 뚜껑부를 포함하며, 이웃하는 상기 전극끼리 대향하는 방향을 전극 대향방향으로 하고 상기 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 이웃하는 상기 전극끼리 겹치는 영역이 교차 영역이며, 상기 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 상기 제2 지지체의 적어도 일부가 상기 교차 영역과 겹치도록 배치되어 있다.
본 발명에 따르면 불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있는 탄성파 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 약도적 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태의 제1 변형예에 따른 탄성파 장치의, 도 1에 상당하는 부분을 나타내는 모식적 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태의 제2 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 평면도이다.
도 5은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
도 9(a)는 두께 전단 모드의 벌크파를 이용하는 탄성파 장치의 외관을 나타내는 약도적 사시도이며, 도 9(b)는 압전층 상의 전극 구조를 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 9(a) 중의 A-A선을 따르는 부분의 단면도이다.
도 11(a)는 탄성파 장치의 압전막을 전파하는 램파를 설명하기 위한 모식적 정면 단면도이고, 도 11(b)는 탄성파 장치에서의, 압전막을 전파하는 두께 전단 모드의 벌크파를 설명하기 위한 모식적 정면 단면도이다.
도 12는 두께 전단 모드의 벌크파의 진폭방향을 나타내는 도면이다.
도 13은 두께 전단 모드의 벌크파를 이용하는 탄성파 장치의 공진 특성을 나타내는 도면이다.
도 14는 이웃하는 전극의 중심간 거리를 p, 압전층의 두께를 d로 한 경우의 d/p와 공진자로서의 비대역의 관계를 나타내는 도면이다.
도 15는 두께 전단 모드의 벌크파를 이용하는 탄성파 장치의 평면도이다.
도 16은 스퓨리어스(spurious)가 나타나 있는 참고예의 탄성파 장치의 공진 특성을 나타내는 도면이다.
도 17은 비대역과, 스퓨리어스의 크기로서의 180도로 규격화된 스퓨리어스의 임피던스의 위상 회전량의 관계를 나타내는 도면이다.
도 18은 d/2p와, 메탈라이제이션(Metallization) 비(MR)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 19는 d/p를 한없이 0에 가까워지게 한 경우의 LiNbO3의 오일러 각(0°, θ, ψ)에 대한 비대역의 맵을 나타내는 도면이다.
도 20은 램파를 이용하는 탄성파 장치를 설명하기 위한 부분 컷아웃 사시도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 약도적 정면 단면도이다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 평면도이다. 도 1에서는 후술할 IDT 전극을, 직사각형에 2개의 대각선을 그은 약도에 의해 나타낸다. 도 2에서는 후술할 유전체막을 생략하고 있다. 한편, 도 1은 도 2 중의 Ⅰ-Ⅰ선을 따르는 부분을 약도적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(10)는 압전성 기판(12)과, 기능 전극으로서의 IDT 전극(11)을 가진다. 압전성 기판(12)은 지지 부재(13)와 압전층(14)을 가진다. 본 실시형태에서는, 지지 부재(13)는 지지 기판(16)과 중간층(15)을 포함한다. 지지 기판(16) 상에 중간층(15)이 마련되어 있다. 중간층(15) 상에 압전층(14)이 마련되어 있다. 다만, 지지 부재(13)는 지지 기판(16)에 의해서만 구성되어 있어도 된다.
지지 기판(16)의 재료로는 예를 들면, 실리콘 등의 반도체나, 산화알루미늄 등의 세라믹스 등을 사용할 수 있다. 중간층(15)의 재료로는 산화규소 또는 오산화탄탈 등의 적절한 유전체를 사용할 수 있다. 압전층(14)은 예를 들면, LiTaO3층 등의 탄탈산리튬층, 또는 LiNbO3층 등의 니오브산리튬층이다.
압전층(14)은 제1 주면(14a) 및 제2 주면(14b)을 가진다. 제1 주면(14a) 및 제2 주면(14b)은 서로 대향하고 있다. 제1 주면(14a) 및 제2 주면(14b) 중, 제2 주면(14b)이 지지 부재(13) 측에 위치하고 있다.
지지 부재(13)에는 제1 공동부(空洞部)(10a)가 마련되어 있다. 보다 구체적으로는 중간층(15)에 오목부가 마련되어 있다. 중간층(15) 상에 오목부를 막도록 압전층(14)이 마련되어 있다. 이로써, 제1 공동부(10a)가 구성되어 있다. 한편 제1 공동부(10a)는 중간층(15) 및 지지 기판(16)에 마련되어 있어도 되고, 혹은 지지 기판(16)에만 마련되어 있어도 된다. 지지 부재(13)에는 적어도 하나의 제1 공동부(10a)가 마련되어 있으면 된다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 압전층(14)의 제1 주면(14a)에는 복수개의 IDT 전극(11)이 마련되어 있다. 이로써, 복수개의 탄성파 공진자가 구성되어 있다. 복수개의 탄성파 공진자는 제1 공진자(10A) 및 제2 공진자(10B)를 포함한다. 본 실시형태에서의 탄성파 장치(10)는 필터 장치이다. 한편, 탄성파 장치(10)는 적어도 하나의 IDT 전극(11)을 가지고 있으면 된다. 본 발명에 따른 탄성파 장치는 적어도 하나의 탄성파 공진자를 포함하고 있으면 된다.
도 1로 돌아가서, 평면에서 봤을 때 IDT 전극(11)의 적어도 일부가 제1 공동부(10a)와 겹쳐 있다. 보다 구체적으로는, 평면에서 봤을 때 각 탄성파 공진자의 IDT 전극(11)이 별개의 제1 공동부(10a)와 겹쳐 있어도 되고, 동일한 제1 공동부(10a)와 겹쳐 있어도 된다. 본 명세서에서 평면에서 봤을 때란, 도 1에서의 상방에 상당하는 방향으로부터 보는 것을 말한다. 또한 평면에서 봤을 때란, 후술할 제1 지지체(18) 및 뚜껑부(25)가 적층되어 있는 방향을 따라 보는 것을 말한다. 한편, 도 1에서 예를 들면, 지지 기판(16) 및 압전층(14) 중, 압전층(14) 측이 상방이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(11)은 제1 버스바(28A) 및 제2 버스바(28B)와, 복수개의 제1 전극지(29A) 및 복수개의 제2 전극지(29B)를 가진다. 제1 버스바(28A) 및 제2 버스바(28B)는 서로 대향하고 있다. 복수개의 제1 전극지(29A)의 일단(一端)은 각각 제1 버스바(28A)에 접속되어 있다. 복수개의 제2 전극지(29B)의 일단은 각각 제2 버스바(28B)에 접속되어 있다. 복수개의 제1 전극지(29A) 및 복수개의 제2 전극지(29B)는 서로 맞물려 있다. 제1 전극지(29A) 및 제2 전극지(29B)는 본 발명에서의 전극이다. IDT 전극(11)은 단층의 금속막으로 이루어져 있어도 되고, 적층 금속막으로 이루어져 있어도 된다.
이하에서는 이웃하는 제1 전극지(29A) 및 제2 전극지(29B)가 서로 대향하는 방향을 전극 대향방향으로 한다. 복수개의 제1 전극지(29A) 및 복수개의 제2 전극지(29B)가 연장되는 방향을 전극 연장방향으로 한다. 본 실시형태에서는 전극 대향방향 및 전극 연장방향은 서로 직교하고 있다. 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 이웃하는 제1 전극지(29A) 및 제2 전극지(29B)가 겹치는 영역이 교차 영역(E)이다.
압전층(14)의 제1 주면(14a)에는 제1 지지체(18) 및 복수개의 제2 지지체(19)가 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 제1 지지체(18) 및 제2 지지체(19)는 각각 복수개의 금속층의 적층체이다. 제1 지지체(18)는 프레임 모양의 형상을 가진다. 한편, 제2 지지체(19)는 기둥 모양의 형상을 가진다. 제1 지지체(18)는 복수개의 IDT 전극(11) 및 복수개의 제2 지지체(19)를 둘러싸도록 마련되어 있다. 보다 구체적으로는 제1 지지체(18)는 개구부(18c)를 가진다. 복수개의 IDT 전극(11) 및 복수개의 제2 지지체(19)는 개구부(18c) 내에 위치하고 있다. 복수개의 제2 지지체(19) 중, 1쌍의 제2 지지체(19)는 전극 대향방향에서 제1 공진자(10A)의 IDT 전극(11)을 끼우도록 배치되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 압전층(14) 및 제1 지지체(18) 사이에는 프레임 형상의 전극층(17A)이 마련되어 있다. 전극층(17A)은 제1 지지체(18)와 동일하게, 평면에서 봤을 때 복수개의 IDT 전극(11) 및 복수개의 제2 지지체(19)를 둘러싸고 있다. 다만, 전극층(17A)은 마련되어 있지 않아도 된다. 제1 지지체(18) 상 및 복수개의 제2 지지체(19) 상에 개구부(18c)를 막도록 뚜껑부(25)가 마련되어 있다. 그로써, 압전성 기판(12), 전극층(17A), 제1 지지체(18) 및 뚜껑부(25)에 의해 둘러싸인 제2 공동부(10b)가 마련되어 있다. 복수개의 IDT 전극(11) 및 복수개의 제2 지지체(19)는 제2 공동부(10b) 내에 배치되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 특징은 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 제2 지지체(19)의 적어도 일부가 IDT 전극(11)의 교차 영역(E)과 겹치도록 배치되어 있는 것에 있다. 그로써, 불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있다. 이를 이하에서 설명한다. 한편, 이하에서는 제1 버스바(28A) 및 제2 버스바(28B)를 단순히 버스바로 기재하는 경우가 있다. 마찬가지로, 제1 전극지(29A) 및 제2 전극지(29B)를 단순히 전극지로 기재하는 경우가 있다.
IDT 전극(11)은 복수개의 여진 영역(C)을 가진다. IDT 전극(11)에 교류 전압을 인가함으로써 복수개의 여진 영역(C)에서 탄성파가 여진된다. 본 실시형태에서는, 예를 들면 두께 전단 1차 모드 등의 두께 전단 모드의 벌크파를 이용 가능하게 각 탄성파 공진자가 구성되어 있다. 여진 영역(C)은 교차 영역(E)과 동일하게 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 이웃하는 전극지끼리 겹치는 영역이다. 한편, 각 여진 영역(C)은 각각 1쌍의 전극지 사이의 영역이다. 보다 상세하게는, 여진 영역(C)은 한쪽 전극지의 전극 대향방향에서의 중심으로부터 다른 쪽 전극지의 전극 대향방향에서의 중심까지의 영역이다. 따라서, 교차 영역(E)은 복수개의 여진 영역(C)을 포함한다.
탄성파 공진자에서는 메인 모드가 여진됨과 함께 불요파가 여진되는 경우가 있다. 불요파에는 압전성 기판의 표면을 전파하는 파가 포함된다.
이에 반해 본 실시형태에서는, 교차 영역(E)의 전극 대향방향에서의 연장선 상에 제2 지지체(19)가 마련되어 있다. 그 때문에, 압전성 기판(12)의 표면을 전파하는 불요파가 제2 지지체(19)에 충돌하게 된다. 그로써, 불요파를 산란시킬 수 있고, 탄성파 장치(10)의 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있다. 한편, 제2 지지체(19)의 적어도 일부가 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 어느 하나의 탄성파 공진자에 대하여 교차 영역(E)과 겹치도록 배치되어 있으면 된다.
본 실시형태에서는, 특히 제1 공진자(10A)의 전극 대향방향에서의 연장선 상에 위치하는 탄성파 공진자에 불요파가 도달하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 탄성파 장치(10)의 전기적 특성의 열화를 보다 확실하게 억제할 수 있다.
이하에서 본 실시형태의 구성을 더 상세하게 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 압전성 기판(12) 상에는 IDT 전극(11)을 덮도록 유전체막(24)이 마련되어 있다. 이로써, IDT 전극(11)이 파손되기 어렵다. 유전체막(24)에는 예를 들면, 산화규소, 질화규소 또는 산질화규소 등을 사용할 수 있다. 유전체막(24)이 산화규소로 이루어지는 경우에는 주파수 온도 특성을 개선할 수 있다. 한편, 유전체막(24)이 질화규소 등으로 이루어지는 경우에는 유전체막(24)을 주파수 조정막으로서 이용할 수 있다. 한편, 유전체막(24)은 마련되어 있지 않아도 된다.
압전층(14) 및 유전체막(24)에는 연속적으로 관통 구멍(20)이 마련되어 있다. 관통 구멍(20)은 제1 공동부(10a)에 연장되도록 마련되어 있다. 관통 구멍(20)은 탄성파 장치(10) 제조 시에 중간층(15) 내의 희생층을 제거하기 위해 이용된다. 다만, 관통 구멍(20)은 반드시 마련되어 있지 않아도 된다.
뚜껑부(25)는 뚜껑부 본체(26)와 절연체층(27A) 및 절연체층(27B)을 가진다. 뚜껑부 본체(26)는 제1 주면(26a) 및 제2 주면(26b)을 가진다. 제1 주면(26a) 및 제2 주면(26b)은 서로 대향하고 있다. 제1 주면(26a) 및 제2 주면(26b) 중 제2 주면(26b)이 압전성 기판(12) 측에 위치하고 있다. 제1 주면(26a)에 절연체층(27A)이 마련되어 있다. 제2 주면(26b)에 절연체층(27B)이 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 뚜껑부 본체(26)는 실리콘을 주성분으로 한다. 뚜껑부 본체(26)의 재료는 상기에 한정되지 않지만, 실리콘 등의 반도체를 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 본 명세서에서 주성분이란, 차지하는 비율이 50 중량%를 초과하는 성분을 말한다. 한편, 절연체층(27A) 및 절연체층(27B)은 예를 들면, 산화규소층이다.
뚜껑부(25)에는 언더 범프 메탈(21A)이 마련되어 있다. 보다 구체적으로는 뚜껑부(25)에 관통 구멍이 마련되어 있다. 상기 관통 구멍은 제2 지지체(19)에 연장되도록 마련되어 있다. 상기 관통 구멍 내에 언더 범프 메탈(21A)이 마련되어 있다. 언더 범프 메탈(21A)의 일단은 제2 지지체(19)에 접속되어 있다. 언더 범프 메탈(21A)의 타단(他端)에 접속되도록 전극 패드(21B)가 마련되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는 언더 범프 메탈(21A) 및 전극 패드(21B)는 일체로 마련되어 있다. 다만, 언더 범프 메탈(21A) 및 전극 패드(21B)는 별체로 마련되어 있어도 된다. 전극 패드(21B)에는 범프(22)가 접합되어 있다.
보다 상세하게는 전극 패드(21B)의 바깔둘레 가장자리 부근을 덮도록 절연체층(27A)이 마련되어 있다. 전극 패드(21B)에서의 절연체층(27A)에 덮여 있지 않은 부분에 범프(22)가 접합되어 있다. 한편, 절연체층(27A)은 전극 패드(21B) 및 뚜껑부 본체(26) 사이에 연장되어 있어도 된다. 또한, 절연체층(27A)은 언더 범프 메탈(21A) 및 뚜껑부 본체(26) 사이에 연장되어 있어도 된다. 절연체층(27A) 및 절연체층(27B)은 뚜껑부 본체(26)의 관통 구멍을 통해 일체로 마련되어 있어도 상관없다.
상기와 같이, 본 실시형태에서는 제1 지지체(18) 및 제2 지지체(19)는 각각 복수개의 금속층의 적층체이다. 보다 구체적으로는, 제1 지지체(18)는 제1 부분(18a)과 제2 부분(18b)을 가진다. 제1 부분(18a) 및 제2 부분(18b) 중, 제1 부분(18a)이 뚜껑부(25) 측에 위치하고 제2 부분(18b)이 압전성 기판(12) 측에 위치하고 있다. 마찬가지로, 제2 지지체(19)도 제1 부분(19a)과 제2 부분(19b)을 가진다. 제1 부분(19a) 및 제2 부분(19b) 중, 제1 부분(19a)이 뚜껑부(25) 측에 위치하고 제2 부분(19b)이 압전성 기판(12) 측에 위치하고 있다. 각각의 제1 부분(18a) 및 제1 부분(19a)은, 예를 들면 Au 등으로 이루어진다. 각각의 제2 부분(18b) 및 제2 부분(19b)은, 예를 들면 Al 등으로 이루어진다. 본 명세서에서 어느 부재가 어느 재료로 이루어진다란, 탄성파 장치의 전기적 특성이 열화되지 않을 정도의 미량의 불순물이 포함되는 경우를 포함한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는 전극 연장방향에서 이웃하는 탄성파 공진자는 버스바를 공유하고 있다. 공유되고 있는 버스바는 한쪽 탄성파 공진자에서는 제1 버스바가 되고, 다른 쪽 탄성파 공진자에서는 제2 버스바가 된다.
압전성 기판(12) 상에는 복수개의 배선 전극(23)이 마련되어 있다. 복수개의 배선 전극(23) 중 일부는 IDT 전극(11)끼리를 접속하고 있다. 복수개의 배선 전극(23) 중 다른 일부는 IDT 전극(11) 및 제2 지지체(19)를 전기적으로 접속하고 있다. 보다 구체적으로는, 도 1에 나타내는 바와 같이 압전성 기판(12) 상에 도전막(17B)이 마련되어 있다. 도전막(17B) 상에 제2 지지체(19)가 마련되어 있다. 따라서, 배선 전극(23)은 도전막(17B)을 사이에 두고 제2 지지체(19)에 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 복수개의 IDT 전극(11)은 배선 전극(23), 도전막(17B), 제2 지지체(19), 언더 범프 메탈(21A), 전극 패드(21B) 및 범프(22)를 사이에 두고 외부에 전기적으로 접속된다.
복수개의 제2 지지체(19)는 언더 범프 메탈(21A)에 접속되어 있지 않은 제2 지지체(19)를 포함한다. 언더 범프 메탈(21A)에 접속되어 있는지 여부에 관계 없이 제2 지지체(19)의 적어도 일부가 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 IDT 전극(11)의 교차 영역(E)과 겹치도록 배치되어 있으면 된다. 그로써, 불요파를 산란시킬 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 지지체(19)는 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 적어도 하나의 탄성파 공진자에 대하여, 교차 영역(E)과 겹치도록 배치되어 있으면 된다. 전극 대향방향으로부터 보았을 때에, 제2 지지체(19)가 상기 제2 지지체(19)와 가장 거리가 짧은 탄성파 공진자의 교차 영역(E)과 겹치도록 마련되어 있는 것이 바람직하다. 그로써, 불요파를 효과적으로 산란시킬 수 있다.
본 실시형태에서의 기능 전극은 IDT 전극(11)이다. 한편, 기능 전극은 적어도 1쌍의 전극지를 가지고 있으면 된다. 이 경우에는 두께 전단 모드의 벌크파를 이용할 수 있다.
한편, 탄성파 장치(10)의 복수개의 탄성파 공진자는 예를 들면, 판파를 이용 가능하게 구성되어 있어도 된다. 각 탄성파 공진자가 판파를 이용하는 경우에는 IDT 전극(11)의 교차 영역(E)이 여진 영역이다. 이 경우, 압전층(14)의 재료로는 예를 들면, 니오브산리튬, 탄탈산리튬, 산화아연, 질화알루미늄, 수정, 또는 PZT(티탄산지르콘산연) 등을 사용할 수 있다.
이하에서 본 실시형태에서의 바람직한 구성을 나타낸다.
1쌍의 제2 지지체(19)가 전극 대향방향에서 탄성파 공진자를 끼우도록 배치되어 있는 것이 바람직하다. 한편, 쌍방의 제2 지지체(19) 각각의 적어도 일부가 전극 대향방향으로부터 보아 교차 영역(E)과 겹치도록 배치되어 있는 것이 바람직하다. 그로써, 불요파를 효과적으로 산란시킬 수 있다.
다만, 탄성파 공진자를 끼우도록 배치되어 있는 제2 지지체(19)는 1쌍에 한정되지 않고, 2쌍 이상이어도 된다. 혹은 상기 제2 지지체(19)는 1.5쌍 등이어도 된다. 탄성파 공진자가 1.5쌍의 제2 지지체(19)에 끼워져 있다란, 전극 대향방향에서의 한쪽에 2개의 제2 지지체(19)가 배치되어 있고, 다른 쪽에 하나의 제2 지지체(19)가 배치되어 있음으로써 끼워져 있어 있는 것을 말한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 복수개의 탄성파 공진자는 제1 공진자(10A) 및 제2 공진자(10B)를 포함한다. 제1 공진자(10A) 및 제2 공진자(10B)는 전극 대향방향에서 인접하고 있다. 제1 공진자(10A) 및 제2 공진자(10B) 사이에 제2 지지체(19)가 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 제1 공진자(10A) 및 제2 공진자(10B) 각각의 IDT 전극(11)에서 발생한 열을 제2 지지체(19)를 통해 외부로 방출할 수 있다. 따라서, 방열성을 높일 수 있다. 또한, 각 탄성파 공진자에서 발생한 불요파가 인접하는 탄성파 공진자에 도달하기 어렵다. 한편, 제2 지지체(19)는 전극 연장방향에서, 탄성파 공진자 사이에 배치되어 있어도 상관없다.
한편으로 적어도 하나의 제2 지지체(19)가 탄성파 공진자와 제1 지지체(18) 사이에 마련되어 있으면서 복수개의 탄성파 공진자 사이에 마련되지 않는 것이 바람직하다. 이 경우에는 탄성파 공진자로부터 누설된 불요파를 제2 지지체(19)에 의해 효과적으로 산란시킬 수 있다.
여기서, 거리(L1)를, 제1 공진자(10A)를 끼우는 제2 지지체(19) 중 한쪽 제2 지지체(19)와, 제1 공진자(10A)에서의 교차 영역(E)의 전극 대향방향의 한쪽 가장자리에 위치하는 전극지 사이의 거리로 한다. 거리(L2)를 다른 쪽 제2 지지체(19)와 상기 교차 영역(E)의 다른 쪽 가장자리에 위치하는 전극지 사이의 거리로 한다. 본 실시형태와 같이, L1≠L2인 것이 바람직하다. 그로써, 불요파가 각 제2 지지체(19)에 연장될 때의 위상을 서로 어긋나게 할 수 있다. 따라서, 불요파를 효과적으로 산란시킬 수 있다.
상기 도전막(17B) 및 배선 전극(23)은 동일한 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 도전막(17B)에 배선 전극(23)이 접속되어 있는 경우, 도전막(17B) 및 배선 전극(23)이 일체로 마련되어 있는 것이 바람직하다. 그로써, 생산성을 높일 수 있다. 한편, 도전막(17B)은 배선 전극(23)에 접속되어 있지 않아도 된다. 예를 들면, 본 실시형태에서는 언더 범프 메탈(21A)에 접속되어 있지 않은 제2 지지체(19) 및 압전성 기판(12) 사이에 마련된 도전막(17B)은 배선 전극(23)에는 접속되어 있지 않다.
도 1로 돌아가서, 압전성 기판(12), 제1 지지체(18) 및 뚜껑부(25)가 적층 되어 있는 방향을 따르는 치수를 높이로 했을 때에, 제2 공동부(10b)의 높이가 제1 공동부(10a)의 높이보다도 높은 것이 바람직하다. 이 경우에는 압전층(14)이 제1 공동부(10a) 측으로부터 제2 공동부(10b) 측으로 볼록 형상으로 변형되었을 때에도 뚜껑부(25)에 압전층(14)이 달라붙기 어렵다.
다만, 제1 공동부(10a) 및 제2 공동부(10b)의 높이 관계는 상기에 한정되지 않는다. 도 3에 나타내는 제1 실시형태의 제1 변형예에서는 제1 공동부(10a)의 높이가 제2 공동부(10b)의 높이보다도 높다. 이 경우에는 압전층(14)이 제2 공동부(10b) 측으로부터 제1 공동부(10a) 측으로 볼록 형상으로 변형되었을 때에도 지지 부재(13)에 압전층(14)이 달라붙기 어렵다. 또한, 제1 실시형태와 동일하게 불요파를 산란시킬 수 있고, 불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있다.
제1 실시형태에서는 제1 공진자(10A)를 끼우는 제2 지지체(19)의 중앙끼리를 잇는 선이 전극 대향방향과 평행이다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 4에 나타내는 제1 실시형태의 제2 변형예에서는 제1 공진자(10A)를 끼우는 제2 지지체(19)의 배치는 비대칭이다. 상기 비대칭이란, 평면에서 봤을 때 교차 영역(E)의 전극 대향방향에서의 중앙을 지나 전극 연장방향으로 연장되는 축을 대칭축(F)으로 했을 때에, 복수개의 제2 지지체(19)의 배치가 선대칭이 아닌 것을 말한다. 본 변형예에서도 불요파를 산란시킬 수 있고, 불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있다.
한편, 본 변형예에서는 보다 구체적으로는 한쪽 제2 지지체(19)가 교차 영역(E)의 전극 연장방향에서의 중앙보다도 한쪽 버스바 측에 배치되어 있다. 다른 쪽 제2 지지체(19)는 상기 중앙보다도 다른 쪽 버스바 측에 배치되어 있다. 이에 추가로, 제1 실시형태와 동일하게 L1≠L2이다. 즉, 본 변형예에서는 제1 공진자(10A)를 끼우고 있는 1쌍의 제2 지지체(19)의 배치는 전극 대향방향 및 전극 연장방향 쌍방에서 비대칭이다. 다만, 상기 1쌍의 제2 지지체(19)의 배치가 비대칭인 경우, 상기 배치는 전극 대향방향 및 전극 연장방향 중 적어도 하나에서 비대칭이면 된다. 그로써, 불요파를 효과적으로 산란시킬 수 있다.
1쌍의 제2 지지체(19) 중심끼리의 배치가 전극 대향방향 및 전극 연장방향 중 적어도 하나에서 비대칭인 것이 바람직하다. 이 경우에는 불요파를 보다 확실하게, 효과적으로 산란시킬 수 있다.
본 변형예에서는 제1 공진자(10A)를 끼우고 있는 각 제2 지지체(19)의 일부가 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 교차 영역(E)과 겹치도록 배치되어 있다. 상기 각 제2 지지체(19)의 다른 일부는 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 교차 영역(E)과 겹쳐 있지 않다. 이 경우에도 불요파를 산란시킬 수 있다.
또한, 본 변형예에서는 제2 지지체(19) 및 제1 공진자(10A) 사이에 배선 전극(23)이 마련되어 있다. 이 경우에는 방열성을 높일 수 있다. 상기 배선 전극(23)에 의해, 제2 지지체(19)가 제1 공진자(10A)에 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 그로써, 방열성을 효과적으로 높일 수 있다.
한편, 도 1에 나타내는 바와 같이 제1 실시형태에서는 제1 지지체(18) 및 복수개의 제2 지지체(19)는 압전성 기판(12)에서의 압전층(14) 상에 마련되어 있다. 다만, 제1 지지체(18)의 적어도 일부가 압전성 기판(12)에서의 압전층(14)이 마련되어 있지 않은 부분에 마련되어 있어도 된다. 마찬가지로, 제2 지지체(19)의 적어도 일부가 압전성 기판(12)에서의 압전층(14)이 마련되어 있지 않은 부분에 마련되어 있어도 된다. 예를 들면, 제1 지지체(18) 또는 제2 지지체(19)의 적어도 일부가 중간층(15) 상 또는 지지 기판(16) 상에 마련되어 있어도 된다.
제1 실시형태에서는 제1 지지체(18) 및 복수개의 제2 지지체(19)는 금속층의 적층체이다. 한편, 제1 지지체(18)의 제1 부분(18a) 및 제2 지지체(19)의 제1 부분(19a)은 수지로 이루어져 있어도 된다. 이 경우에도 제2 지지체(19)의 제2 부분(19b)이 금속을 포함하기 때문에 불요파를 산란시킬 수 있다. 따라서, 불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있다. 제2 지지체(19)의 제1 부분(19a)이 수지로 이루어지는 경우에는 제1 부분(19a)을 관통하도록 언더 범프 메탈(21A)이 마련되어 있으면 된다.
뚜껑부 본체(26)는 반도체를 주성분으로 한다. 한편, 뚜껑부(25)는 수지로 이루어져 있어도 된다. 또한, 제1 지지체(18)의 제1 부분(18a) 및 제2 지지체(19)의 제1 부분(19a)이 수지로 이루어지는 경우에는 제1 부분(18a), 제1 부분(19a) 및 뚜껑부(25)는 동일한 수지 재료에 의해 일체로 마련되어 있는 것이 바람직하다. 그로써, 생산성을 높일 수 있다.
제1 실시형태에서는 IDT 전극(11)은 압전층(14)의 제1 주면(14a)에 마련되어 있다. 다만, IDT 전극(11)은 압전층(14)의 제2 주면(14b)에 마련되어 있어도 된다. 이 경우, IDT 전극(11)은 예를 들면, 제1 공동부(10a) 내에 위치하고 있다.
도 5는 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 평면도이다. 도 6은 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태는 복수개의 탄성파 공진자의 배치 및 복수개의 제2 지지체(19)의 배치에서 제1 실시형태와 다르다. 상기의 점 이외에는 본 실시형태의 탄성파 장치(30)는 제1 실시형태의 탄성파 장치(10)와 동일한 구성을 가진다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(30)는 래더(ladder)형 필터이다. 탄성파 장치(30)는 입력 단자(32) 및 출력 단자(33)와, 복수개의 직렬암(serial arm) 공진자와, 복수개의 병렬암(parallel arm) 공진자를 가진다. 입력 단자(32) 및 출력 단자(33)는 예를 들면, 전극 패드로서 구성되어 있어도 되고, 배선으로서 구성되어 있어도 된다. 탄성파 장치(30)에서는 입력 단자(32)로부터 신호가 입력된다.
탄성파 장치(30)의 복수개의 직렬암 공진자 및 복수개의 병렬암 공진자는 각각 분할형 탄성파 공진자이다. 복수개의 직렬암 공진자는, 구체적으로는 직렬암 공진자(S1a), 직렬암 공진자(S1b), 직렬암 공진자(S2a) 및 직렬암 공진자(S2b)이다. 직렬암 공진자(S1a) 및 직렬암 공진자(S1b)는 하나의 직렬암 공진자가 병렬 분할된 공진자이다. 마찬가지로, 직렬암 공진자(S2a) 및 직렬암 공진자(S2b)는 하나의 직렬암 공진자가 병렬 분할된 공진자이다. 입력 단자(32) 및 출력 단자(33) 사이에 직렬암 공진자(S1a) 및 직렬암 공진자(S1b), 그리고 직렬암 공진자(S2a) 및 직렬암 공진자(S2b)가 서로 직렬로 접속되어 있다.
복수개의 병렬암 공진자는, 구체적으로는, 병렬암 공진자(P1a), 병렬암 공진자(P1b), 병렬암 공진자(P2a) 및 병렬암 공진자(P2b)이다. 병렬암 공진자(P1a) 및 병렬암 공진자(P1b)는 하나의 병렬암 공진자가 병렬 분할된 공진자이다. 마찬가지로, 병렬암 공진자(P2a) 및 병렬암 공진자(P2b)는 하나의 병렬암 공진자가 병렬 분할된 공진자이다. 직렬암 공진자(S1a) 및 직렬암 공진자(S2a) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P1a) 및 병렬암 공진자(P1b)가 서로 병렬로 접속되어 있다. 출력 단자(33)와 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P2a) 및 병렬암 공진자(P2b)가 서로 병렬로 접속되어 있다.
한편, 탄성파 장치(30)의 회로 구성은 상기에 한정되지 않는다. 각 직렬암 공진자 및 각 병렬암 공진자는 직렬 분할된 공진자이어도 된다. 혹은 각 직렬암 공진자 및 각 병렬암 공진자는 분할형 공진자가 아니어도 된다. 탄성파 장치(30)가 래더형 필터인 경우, 복수개의 공진자가 적어도 하나의 직렬암 공진자 및 적어도 하나의 병렬암 공진자를 포함하고 있으면 된다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 복수개의 병렬암 공진자가 각각 제2 지지체(19)에 접속되어 있다. 본 실시형태에서는, 복수개의 병렬암 공진자는 제2 지지체(19)를 사이에 두고 그라운드 전위에 접속된다.
본 실시형태에서는, 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 직렬암 공진자(S1a) 및 병렬암 공진자(P1a) 각각의 IDT 전극(11)의 교차 영역(E)과 겹치도록 각 제2 지지체(19)가 배치되어 있다. 그로써, 제1 실시형태와 동일하게 불요파를 산란시킬 수 있고, 불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있다.
탄성파 장치(30)에서는 직렬암 공진자(S1a)를 전극 대향방향에서 끼우도록 1쌍의 제2 지지체(19)가 마련되어 있다. 그로써, 직렬암 공진자(S1a)에서 발생하는 열을 효과적으로 방열할 수 있다. 한편으로 병렬암 공진자(P1a)의 전극 대향방향에서의 편측에 제2 지지체(19)가 마련되어 있다. 그로써, 제2 지지체(19)가 배치되는 부분을 줄일 수 있고 압전성 기판(12)의 면적을 작게 할 수 있다. 이와 같은 구성은 직렬암 공진자(S1a)가 병렬암 공진자(P1a)에 비해 내전력성을 요구하는 회로 구성에서 특히 적합하다. 구체적으로는 탄성파 장치(30) 전체적으로 내전력성을 높일 수 있으면서 탄성파 장치(30)를 소형으로 할 수 있다.
한편, 회로 상에서 직렬암 공진자(S1a)는 복수개의 탄성파 공진자 중 입력 단자(32)에 가장 가까운 탄성파 공진자 중 하나이다. 이 경우에는, 직렬암 공진자(S1a)는 내전력성이 특히 요구되기 쉽다.
상기와 같이, 직렬암 공진자(S1a)를 끼우도록 제2 지지체(19)를 배치함으로써 방열성을 효과적으로 높일 수 있다. 제2 지지체(19)에 의해 직렬암 공진자(S1a)를 끼우는 방향은 전극 대향방향에 한정되지 않는다. 예를 들면, 복수개의 제2 지지체(19)는 직렬암 공진자(S1a)를 전극 연장방향에서 끼우고 있어도 된다. 혹은 복수개의 제2 지지체(19)는 전극 대향방향 및 전극 연장방향 모두와 교차하는 방향에서 직렬암 공진자(S1a)를 끼우고 있어도 된다.
본 실시형태에서는 직렬암 공진자(S1a) 및 직렬암 공진자(S1b) 사이에 제2 지지체(19)가 마련되어 있다. 이와 같이 분할형 공진자 사이에 제2 지지체(19)가 배치되어 있다. 이로써, 방열성을 효과적으로 높일 수 있다. 한편, 직렬암 공진자(S1a) 및 직렬암 공진자(S1b) 사이에 복수개의 제2 지지체(19)가 마련되어 있어도 된다.
도 7은 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 평면도이다. 도 8은 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태는 복수개의 탄성파 공진자의 배치 및 복수개의 제2 지지체(19)의 배치에서 제2 실시형태와 다르다. 한편, 도 8에 나타내는 바와 같이 본 실시형태는, 회로 구성으로서는 복수개의 병렬암 공진자의 배치가 제2 실시형태와 다르다. 상기의 점 이외에는, 본 실시형태의 탄성파 장치(40)는 제2 실시형태의 탄성파 장치(30)와 동일한 구성을 가진다.
탄성파 장치(40)에서는 입력 단자(32)와 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P1a) 및 병렬암 공진자(P1b)가 서로 병렬로 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S1a) 및 직렬암 공진자(S2a) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P2a) 및 병렬암 공진자(P2b)가 서로 병렬로 접속되어 있다.
본 실시형태에서는, 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 직렬암 공진자(S1a) 및 병렬암 공진자(P1a) 각각의 IDT 전극(11)의 교차 영역(E)과 겹치도록 각 제2 지지체(19)가 배치되어 있다. 그로써, 제2 실시형태와 동일하게 불요파를 산란시킬 수 있고, 불요파에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있다.
탄성파 장치(40)에서는 병렬암 공진자(P1a)를 전극 대향방향에서 끼우도록 1쌍의 제2 지지체(19)가 마련되어 있다. 그로써, 병렬암 공진자(P1a)에서 발생하는 열을 효과적으로 방열할 수 있다. 한편으로 직렬암 공진자(S1a)의 전극 대향방향에서의 편측에 제2 지지체(19)가 마련되어 있다. 그로써, 제2 지지체(19)가 배치되는 부분을 줄일 수 있고, 압전성 기판(12)의 면적을 작게 할 수 있다. 이와 같은 구성은 병렬암 공진자(P1a)가 직렬암 공진자(S1a)에 비해 내전력성을 요구하는 회로 구성에서 특히 적합하다. 구체적으로는, 탄성파 장치(40) 전체적으로 내전력성을 높일 수 있으면서 탄성파 장치(30)를 소형으로 할 수 있다.
한편, 회로 상에서 병렬암 공진자(P1a)는 복수개의 탄성파 공진자 중 입력 단자(32)에 가장 가까운 탄성파 공진자 중 하나이다. 이 경우에는, 병렬암 공진자(P1a)는 내전력성이 특히 요구되기 쉽다.
이하에서 두께 전단 모드 및 판파를 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 예에서의 전극은 상기 전극지에 상당한다. 이하의 예에서의 지지 부재는 본 발명에서의 지지 기판에 상당한다.
도 9(a)는 두께 전단 모드의 벌크파를 이용하는 탄성파 장치의 외관을 나타내는 약도적 사시도이고, 도 9(b)는 압전층 상의 전극 구조를 나타내는 평면도이며, 도 10은 도 9(a) 중의 A-A선을 따르는 부분의 단면도이다.
탄성파 장치(1)는 LiNbO3로 이루어지는 압전층(2)을 가진다. 압전층(2)은 LiTaO3로 이루어지는 것이어도 된다. LiNbO3나 LiTaO3의 커트 각은 Z커트이지만, 회전 Y커트나 X커트이어도 된다. 압전층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 두께 전단 모드를 효과적으로 여진하기 위해서는 40㎚ 이상, 1000㎚ 이하인 것이 바람직하고, 50㎚ 이상, 1000㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 압전층(2)은 대향하는 제1, 제2 주면(2a, 2b)을 가진다. 제1 주면(2a) 상에 전극(3) 및 전극(4)이 마련되어 있다. 여기서 전극(3)이 "제1 전극"의 일례이고, 전극(4)이 "제2 전극"의 일례이다. 도 9(a) 및 도 9(b)에서는 복수개의 전극(3)이 제1 버스바(5)에 접속되어 있다. 복수개의 전극(4)은 제2 버스바(6)에 접속되어 있다. 복수개의 전극(3) 및 복수개의 전극(4)은 서로 맞물려 있다. 전극(3) 및 전극(4)은 직사각형 형상을 가지며 길이방향을 가진다. 이 길이방향과 직교하는 방향에서 전극(3)과 이웃하는 전극(4)이 대향하고 있다. 전극(3, 4)의 길이방향, 및 전극(3, 4)의 길이방향과 직교하는 방향은 모두 압전층(2)의 두께방향에 교차하는 방향이다. 이 때문에, 전극(3)과 이웃하는 전극(4)은 압전층(2)의 두께방향에 교차하는 방향에서 대향하고 있다고도 할 수 있다. 또한, 전극(3, 4)의 길이방향이 도 9(a) 및 도 9(b)에 나타내는 전극(3, 4)의 길이방향에 직교하는 방향과 교체되어도 된다. 즉, 도 9(a) 및 도 9(b)에서 제1 버스바(5) 및 제2 버스바(6)가 연장되는 방향으로 전극(3, 4)을 연장시켜도 된다. 그 경우, 제1 버스바(5) 및 제2 버스바(6)는 도 9(a) 및 도 9(b)에서 전극(3, 4)이 연장되어 있는 방향으로 연장되게 된다. 그리고 한쪽 전위에 접속되는 전극(3)과 다른 쪽 전위에 접속되는 전극(4)이 이웃하는 1쌍의 구조가 상기 전극(3, 4)의 길이방향과 직교하는 방향으로 복수쌍 마련되어 있다. 여기서 전극(3)과 전극(4)이 이웃한다란, 전극(3)과 전극(4)이 직접 접촉하도록 배치되어 있는 경우가 아니라 전극(3)과 전극(4)이 간격을 사이에 두고 배치되어 있는 경우를 가리킨다. 또한, 전극(3)과 전극(4)이 이웃하는 경우, 전극(3)과 전극(4) 사이에는 다른 전극(3, 4)을 포함하는 핫 전극이나 그라운드 전극에 접속되는 전극은 배치되지 않는다. 이 쌍수는 정수쌍일 필요는 없고, 1.5쌍이나 2.5쌍 등이어도 된다. 전극(3, 4) 사이의 중심간 거리, 즉 피치는 1㎛ 이상, 10㎛ 이하의 범위가 바람직하다. 또한, 전극(3, 4)의 폭, 즉 전극(3, 4)의 대향방향의 치수는 50㎚ 이상, 1000㎚ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 150㎚ 이상, 1000㎚ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 한편, 전극(3, 4) 사이의 중심간 거리란, 전극(3)의 길이방향과 직교하는 방향에서의 전극(3)의 치수(폭 치수)의 중심과, 전극(4)의 길이방향과 직교하는 방향에서의 전극(4)의 치수(폭 치수)의 중심을 이은 거리가 된다.
또한, 탄성파 장치(1)에서는 Z커트의 압전층을 이용하고 있기 때문에 전극(3, 4)의 길이방향과 직교하는 방향은 압전층(2)의 분극방향에 직교하는 방향이 된다. 압전층(2)으로서 다른 커트 각의 압전체를 이용한 경우에는 이에 한정되지 않는다. 여기서, "직교"란 엄밀하게 직교하는 경우에만 한정되지 않고, 대략 직교(전극(3, 4)의 길이방향과 직교하는 방향과 분극방향이 이루는 각도가 예를 들면 90°±10°의 범위 내)이어도 된다.
압전층(2)의 제2 주면(2b) 측에는 절연층(7)을 사이에 두고 지지 부재(8)가 적층되어 있다. 절연층(7) 및 지지 부재(8)는 프레임 모양의 형상을 가지며, 도 10에 나타내는 바와 같이, 관통 구멍(7a, 8a)을 가진다. 그로써, 공동부(9)가 형성되어 있다. 공동부(9)는 압전층(2)의 여진 영역(C)의 진동을 방해하지 않기 위해 마련되어 있다. 따라서, 상기 지지 부재(8)는 적어도 1쌍의 전극(3, 4)이 마련되어 있는 부분과 겹치지 않는 위치에서 제2 주면(2b)에 절연층(7)을 사이에 두고 적층되어 있다. 한편, 절연층(7)은 마련되어 있지 않아도 된다. 따라서, 지지 부재(8)는 압전층(2)의 제2 주면(2b)에 직접 또는 간접적으로 적층될 수 있다.
절연층(7)은 산화규소로 이루어진다. 다만, 산화규소 외에 산질화규소, 알루미나 등의 적절한 절연성 재료를 사용할 수 있다. 지지 부재(8)는 Si로 이루어진다. Si의 압전층(2) 측의 면에서의 면 방위는 (100)이나 (110)이어도 되고, (111)이어도 된다. 지지 부재(8)를 구성하는 Si는 저항률 4㏀㎝ 이상의 고저항인 것이 바람직하다. 물론, 지지 부재(8)에 대해서도 적절한 절연성 재료나 반도체 재료를 사용하여 구성할 수 있다.
지지 부재(8)의 재료로는 예를 들면, 산화알루미늄, 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정 등의 압전체, 알루미나, 마그네시아, 사파이어, 질화규소, 질화알루미늄, 탄화규소, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포스테라이트 등의 각종 세라믹, 다이아몬드, 유리 등의 유전체, 질화갈륨 등의 반도체 등을 사용할 수 있다.
상기 복수개의 전극(3, 4) 및 제1, 제2 버스바(5, 6)는 Al, AlCu 합금 등의 적절한 금속 혹은 합금으로 이루어진다. 본 실시형태에서는, 전극(3, 4) 및 제1, 제2 버스바(5, 6)는 Ti막 상에 Al막을 적층한 구조를 가진다. 한편, Ti막 이외의 밀착층을 이용해도 된다.
구동 시에는 복수개의 전극(3)과 복수개의 전극(4) 사이에 교류 전압을 인가한다. 보다 구체적으로는, 제1 버스바(5)와 제2 버스바(6) 사이에 교류 전압을 인가한다. 그로써, 압전층(2)에서 여진되는 두께 전단 모드의 벌크파를 이용한, 공진 특성을 얻는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 탄성파 장치(1)에서는 압전층(2)의 두께를 d, 복수쌍의 전극(3, 4) 중 어느 하나의 이웃하는 전극(3, 4)의 중심간 거리를 p로 한 경우, d/p는 0.5 이하로 되어 있다. 그 때문에, 상기 두께 전단 모드의 벌크파가 효과적으로 여진되고 양호한 공진 특성을 얻을 수 있다. 보다 바람직하게는 d/p는 0.24 이하이며, 그 경우에는 한층 더 양호한 공진 특성을 얻을 수 있다.
탄성파 장치(1)에서는 상기 구성을 포함하기 때문에, 소형화를 도모하고자 하여 전극(3, 4)의 쌍수를 작게 했다고 해도 Q값의 저하가 발생하기 어렵다. 이는 양측의 반사기에서의 전극지 개수를 적게 해도 전파 로스가 적기 때문이다. 또한, 상기 전극지 개수를 적게 할 수 있는 것은 두께 전단 모드의 벌크파를 이용하고 있는 것에 의한다. 탄성파 장치에서 이용한 램파와 상기 두께 전단 모드의 벌크파의 차이를 도 11(a) 및 도 11(b)를 참조하여 설명한다.
도 11(a)는 일본 공개특허공보 특개2012-257019호에 기재된 바와 같은 탄성파 장치의 압전막을 전파하는 램파를 설명하기 위한 모식적 정면 단면도이다. 여기서는 압전막(201) 안을 화살표로 나타내는 바와 같이 파가 전파한다. 여기서, 압전막(201)에서는 제1 주면(201a)과 제2 주면(201b)이 대향하고 있고, 제1 주면(201a)과 제2 주면(201b)을 잇는 두께방향이 Z방향이다. X방향은 IDT 전극의 전극지가 늘어서 있는 방향이다. 도 11(a)에 나타내는 바와 같이, 램파에서는 파가 도시와 같이 X방향으로 전파해 간다. 판파이기 때문에 압전막(201)이 전체적으로 진동하긴 하지만, 파는 X방향으로 전파하기 때문에 양측에 반사기를 배치하여 공진 특성을 얻고 있다. 그 때문에, 파의 전파 로스가 발생하고, 소형화를 도모한 경우, 즉 전극지의 쌍수를 적게 한 경우 Q값이 저하된다.
이에 반해, 도 11(b)에 나타내는 바와 같이 탄성파 장치(1)에서는 진동 변위는 두께 전단 방향이기 때문에, 파는 압전층(2)의 제1 주면(2a)과 제2 주면(2b)을 잇는 방향, 즉 Z방향으로 거의 전파하고 공진한다. 즉, 파의 X방향 성분이 Z방향 성분에 비해 현저히 작다. 그리고 이 Z방향의 파의 전파에 의해 공진 특성이 얻어지기 때문에 반사기의 전극지 개수를 적게 해도 전파 손실은 발생하기 어렵다. 또한, 소형화를 진행시키고자 하여 전극(3, 4)으로 이루어지는 전극 쌍의 쌍수를 줄였다고 해도 Q값의 저하가 발생하기 어렵다.
한편, 두께 전단 모드의 벌크파의 진폭방향은 도 12에 나타내는 바와 같이 압전층(2)의 여진 영역(C)에 포함되는 제1 영역(451)과, 여진 영역(C)에 포함되는 제2 영역(452)에서 반대가 된다. 도 12에서는 전극(3)과 전극(4) 사이에 전극(4)이 전극(3)보다도 고전위가 되는 전압이 인가된 경우의 벌크파를 모식적으로 나타내고 있다. 제1 영역(451)은 여진 영역(C) 중, 압전층(2)의 두께방향에 직교하고 압전층(2)을 2분하는 가상 평면(VP1)과 제1 주면(2a) 사이의 영역이다. 제2 영역(452)은 여진 영역(C) 중, 가상 평면(VP1)과 제2 주면(2b) 사이의 영역이다.
상기와 같이, 탄성파 장치(1)에서는 전극(3)과 전극(4)으로 이루어지는 적어도 1쌍의 전극이 배치되어 있지만, X방향으로 파를 전파시키는 것은 아니기 때문에, 이 전극(3, 4)으로 이루어지는 전극 쌍의 쌍수는 복수쌍일 필요는 없다. 즉, 적어도 1쌍의 전극이 마련되어 있기만 하면 된다.
예를 들면, 상기 전극(3)이 핫 전위에 접속되는 전극이고, 전극(4)이 그라운드 전위에 접속되는 전극이다. 다만, 전극(3)이 그라운드 전위에, 전극(4)이 핫 전위에 접속되어도 된다. 본 실시형태에서는 적어도 1쌍의 전극은 상기와 같이, 핫 전위에 접속되는 전극 또는 그라운드 전위에 접속되는 전극이고, 플로팅 전극은 마련되어 있지 않다.
도 13은 도 10에 나타내는 탄성파 장치의 공진 특성을 나타내는 도면이다. 한편, 이 공진 특성을 얻은 탄성파 장치(1)의 설계 파라미터는 이하와 같다.
압전층(2): 오일러 각(0°, 0°, 90°)의 LiNbO3, 두께=400㎚.
전극(3)과 전극(4)의 길이방향과 직교하는 방향으로 보았을 때에 전극(3)과 전극(4)이 겹치는 영역, 즉 여진 영역(C)의 길이=40㎛, 전극(3, 4)으로 이루어지는 전극의 쌍수=21쌍, 전극간 중심 거리=3㎛, 전극(3, 4)의 폭=500㎚, d/p=0.133.
절연층(7): 1㎛ 두께의 산화규소막.
지지 부재(8): Si.
한편, 여진 영역(C)의 길이란 여진 영역(C)의 전극(3, 4)의 길이방향을 따르는 치수이다.
본 실시형태에서는 전극(3, 4)으로 이루어지는 전극 쌍의 전극간 거리는 복수쌍에서 모두 동일하게 했다. 즉, 전극(3)과 전극(4)을 등(等)피치로 배치했다.
도 13으로부터 분명한 바와 같이, 반사기를 가지지 않음에도 불구하고 비대역이 12.5%인 양호한 공진 특성이 얻어지고 있다.
한편, 상기 압전층(2)의 두께를 d, 전극(3)과 전극(4)의 중심간 거리를 p로 한 경우, 전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는 d/p는 0.5 이하, 보다 바람직하게는 0.24 이하이다. 이를, 도 14를 참조하여 설명한다.
도 13에 나타낸 공진 특성을 얻은 탄성파 장치와 동일하게, 단 d/p를 변화시키고 복수개의 탄성파 장치를 얻었다. 도 14는 이 d/p와, 탄성파 장치의 공진자로서의 비대역의 관계를 나타내는 도면이다.
도 14로부터 분명한 바와 같이, d/p＞0.5에서는 d/p를 조정해도 비대역은 5% 미만이다. 이에 반해, d/p≤0.5인 경우에는 그 범위 내에서 d/p를 변화시키면 비대역을 5% 이상으로 할 수 있고, 즉 높은 결합 계수를 가지는 공진자를 구성할 수 있다. 또한, d/p가 0.24 이하인 경우에는 비대역을 7% 이상으로 높일 수 있다. 또한, d/p를 이 범위 내로 조정하면 한층 더 비대역이 넓은 공진자를 얻을 수 있고, 한층 더 높은 결합 계수를 가지는 공진자를 실현할 수 있다. 따라서, d/p를 0.5 이하로 함으로써 상기 두께 전단 모드의 벌크파를 이용한, 높은 결합 계수를 가지는 공진자를 구성할 수 있음을 알 수 있다.
도 15는 두께 전단 모드의 벌크파를 이용하는 탄성파 장치의 평면도이다. 탄성파 장치(80)에서는 압전층(2)의 제1 주면(2a) 상에서 전극(3)과 전극(4)을 가지는 1쌍의 전극이 마련되어 있다. 한편, 도 15 중의 K가 교차 폭이 된다. 전술한 바와 같이, 본 발명의 탄성파 장치에서는 전극의 쌍수는 1쌍이어도 된다. 이 경우에도 상기 d/p가 0.5 이하이면, 두께 전단 모드의 벌크파를 효과적으로 여진할 수 있다.
탄성파 장치(1)에서는 바람직하게는 복수개의 전극(3, 4)에서 어느 하나의 이웃하는 전극(3, 4)이 대향하고 있는 방향으로 보았을 때에 겹치는 영역인 여진 영역(C)에 대한, 상기 이웃하는 전극(3, 4)의 메탈라이제이션 비(MR)가 MR≤1.75(d/p)+0.075를 만족하는 것이 바람직하다. 그 경우에는 스퓨리어스를 효과적으로 작게 할 수 있다. 이를 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 도 16은 상기 탄성파 장치(1)의 공진 특성의 일례를 나타내는 참고도이다. 화살표(B)로 나타내는 스퓨리어스가 공진 주파수와 반공진 주파수 사이에 나타나 있다. 한편, d/p=0.08이면서 LiNbO3의 오일러 각(0°, 0°, 90°)으로 했다. 또한, 상기 메탈라이제이션 비(MR)=0.35로 했다.
메탈라이제이션 비(MR)를 도 9(b)를 참조하여 설명한다. 도 9(b)의 전극 구조에서 1쌍의 전극(3, 4)에 착안한 경우, 이 1쌍의 전극(3, 4)만이 마련된다고 가정한다. 이 경우, 일점쇄선으로 둘러싸인 부분이 여진 영역(C)이 된다. 이 여진 영역(C)이란, 전극(3)과 전극(4)을 전극(3, 4)의 길이방향과 직교하는 방향, 즉 대향방향으로 보았을 때에 전극(3)에서의 전극(4)과 겹치는 영역, 전극(4)에서의 전극(3)과 겹치는 영역, 및 전극(3)과 전극(4) 사이의 영역에서의 전극(3)과 전극(4)이 겹치는 영역이다. 그리고 이 여진 영역(C)의 면적에 대한 여진 영역(C) 내의 전극(3, 4)의 면적이 메탈라이제이션 비(MR)가 된다. 즉, 메탈라이제이션 비(MR)는 메탈라이제이션 부분의 면적의 여진 영역(C)의 면적에 대한 비이다.
한편, 복수쌍의 전극이 마련되어 있는 경우, 여진 영역 면적의 합계에 대한 전체 여진 영역에 포함되어 있는 메탈라이제이션 부분의 비율을 MR로 하면 된다.
도 17은 본 실시형태에 따라 다수개의 탄성파 공진자를 구성한 경우의 비대역과, 스퓨리어스의 크기로서의 180도로 규격화된 스퓨리어스의 임피던스의 위상 회전량의 관계를 나타내는 도면이다. 한편, 비대역에 대해서는 압전층의 막 두께나 전극의 치수를 다양하게 변경하고, 조정했다. 또한, 도 17은 Z커트의 LiNbO3로 이루어지는 압전층을 이용한 경우의 결과인데, 다른 커트 각의 압전층을 이용한 경우에도 동일한 경향이 된다.
도 17 중의 타원(J)으로 둘러싸여 있는 영역에서는 스퓨리어스가 1.0으로 커져 있다. 도 17로부터 분명한 바와 같이, 비대역이 0.17을 초과하면, 즉 17%를 초과하면 스퓨리어스 레벨이 1 이상의 큰 스퓨리어스가 비대역을 구성하는 파라미터를 변화시켰다 해도 통과 대역 내에 나타난다. 즉, 도 16에 나타내는 공진 특성과 같이, 화살표(B)로 나타내는 큰 스퓨리어스가 대역 내에 나타난다. 따라서, 비대역은 17% 이하인 것이 바람직하다. 이 경우에는 압전층(2)의 막 두께나 전극(3, 4)의 치수 등을 조정함으로써 스퓨리어스를 작게 할 수 있다.
도 18은 d/2p와 메탈라이제이션 비(MR)와 비대역의 관계를 나타내는 도면이다. 상기 탄성파 장치에서 d/2p와 MR이 다른 다양한 탄성파 장치를 구성하고, 비대역을 측정했다. 도 18의 파선(D) 우측의 해칭을 그어서 나타낸 부분이 비대역이 17% 이하인 영역이다. 이 해칭을 그은 영역과 긋지 않은 영역의 경계는 MR=3.5(d/2p)+0.075로 나타내진다. 즉, MR=1.75(d/p)+0.075이다. 따라서, 바람직하게는 MR≤1.75(d/p)+0.075이다. 그 경우에는 비대역을 17% 이하로 하기 쉽다. 보다 바람직하게는 도 18 중의 일점쇄선(D1)으로 나타내는 MR=3.5(d/2p)+0.05의 우측 영역이다. 즉, MR≤1.75(d/p)+0.05이면 비대역을 확실하게 17% 이하로 할 수 있다.
도 19는 d/p를 한없이 0에 가까워지게 한 경우의 LiNbO3의 오일러 각(0°,θ, ψ)에 대한 비대역의 맵을 나타내는 도면이다. 도 19의 해칭을 그어서 나타낸 부분이 적어도 5% 이상의 비대역이 얻어지는 영역이고, 상기 영역의 범위를 근사하면 하기의 식(1), 식(2) 및 식(3)으로 나타내지는 범위가 된다.
(0°±10°, 0°~20°, 임의의 ψ)…식(1)
(0°±10°, 20°~80°, 0°~60°(1-(θ-50)2/900)1/2) 또는 (0°±10°, 20°~80°,[180°-60°(1-(θ-50)2/900)1/2]~180°)…식(2)
(0°±10°, [180°-30°(1-(ψ-90)2/8100)1/2]~180°,임의의 ψ)…식(3)
따라서, 상기 식(1), 식(2) 또는 식(3)의 오일러 각 범위의 경우, 비대역을 충분히 넓게 할 수 있어 바람직하다. 압전층(2)이 탄탈산리튬층인 경우도 동일하다.
도 20은 램파를 이용하는 탄성파 장치를 설명하기 위한 부분 컷아웃 사시도이다.
탄성파 장치(81)는 지지 기판(82)을 가진다. 지지 기판(82)에는 윗면으로 열린 오목부가 마련되어 있다. 지지 기판(82) 상에 압전층(83)이 적층되어 있다. 그로써, 공동부(9)가 구성되어 있다. 이 공동부(9)의 상방에서 압전층(83) 상에 IDT 전극(84)이 마련되어 있다. IDT 전극(84)의 탄성파 전파 방향 양측에 반사기(85, 86)가 마련되어 있다. 도 20에서 공동부(9)의 바깔둘레 가장자리를 파선으로 나타낸다. 여기서는, IDT 전극(84)은 제1, 제2 버스바(84a, 84b)와, 복수개의 제1 전극지(84c) 및 복수개의 제2 전극지(84d)를 가진다. 복수개의 제1 전극지(84c)는 제1 버스바(84a)에 접속되어 있다. 복수개의 제2 전극지(84d)는 제2 버스바(84b)에 접속되어 있다. 복수개의 제1 전극지(84c)와 복수개의 제2 전극지(84d)는 서로 맞물려 있다.
탄성파 장치(81)에서는 상기 공동부(9) 상의 IDT 전극(84)에 교류 전계를 인가함으로써 판파로서의 램파가 여진된다. 그리고 반사기(85, 86)가 양측에 마련되어 있기 때문에 상기 램파에 의한 공진 특성을 얻을 수 있다.
이와 같이 본 발명의 탄성파 장치는 판파를 이용하는 것이어도 된다. 이 경우, 상기 제1~3 실시형태 또는 각 변형예에서의 압전층 상에, 도 20에 나타내는 IDT 전극(84), 반사기(85) 및 반사기(86)가 마련되어 있으면 된다.
두께 전단 모드의 벌크파를 이용하는 탄성파 공진자를 가지는 제1~3 실시형태 또는 각 변형예의 탄성파 장치에서는, 상기와 같이 d/p가 0.5 이하인 것이 바람직하고, 0.24 이하인 것이 보다 바람직하다. 그로써, 한층 더 양호한 공진 특성을 얻을 수 있다. 또한, 두께 전단 모드의 벌크파를 이용하는 탄성파 공진자를 가지는 제1~3 실시형태 또는 각 변형예의 탄성파 장치에서는, 상기와 같이, MR≤1.75(d/p)+0.075를 만족하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 스퓨리어스를 보다 확실하게 억제할 수 있다.
두께 전단 모드의 벌크파를 이용하는 탄성파 공진자를 가지는 제1~3 실시형태 또는 각 변형예의 탄성파 장치에서의 압전층은 니오브산리튬층 또는 탄탈산리튬층인 것이 바람직하다. 그리고 상기 압전층을 구성하고 있는 니오브산리튬 또는 탄탈산리튬의 오일러 각(φ, θ, ψ)이 상기의 식(1), 식(2) 또는 식(3)의 범위에 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 비대역을 충분히 넓게 할 수 있다
1: 탄성파 장치 2: 압전층
2a, 2b: 제1, 제2 주면 3, 4: 전극
5, 6: 제1, 제2 버스바 7: 절연층
7a: 관통 구멍 8: 지지 부재
8a: 관통 구멍 9: 공동부
10: 탄성파 장치 10A, 10B: 제1, 제2 공진자
10a, 10b: 제1, 제2 공동부 11: IDT 전극
12: 압전성 기판 13: 지지 부재
14: 압전층 14a, 14b: 제1, 제2 주면
15: 중간층 16: 지지 기판
17A: 전극층 17B: 도전막
18: 제1 지지체 18a, 18b: 제1, 제2 부분
18c: 개구부 19: 제2 지지체
19a, 19b: 제1, 제2 부분 20: 관통 구멍
21A: 언더 범프 메탈 21B: 전극 패드
22: 범프 23: 배선 전극
24: 유전체막 25: 뚜껑부
26: 뚜껑부 본체 26a, 26b: 제1, 제2 주면
27A, 27B: 절연체층 28A, 28B: 제1, 제2 버스바
29A, 29B…: 제1, 제2 전극지 30: 탄성파 장치
32: 입력 단자 33: 출력 단자
40: 탄성파 장치 80, 81: 탄성파 장치
82: 지지 기판 83: 압전층
84: IDT 전극 84a, 84b: 제1, 제2 버스바
84c, 84d: 제1, 제2 전극지 85, 86: 반사기
201: 압전막 201a, 201b: 제1, 제2 주면
451, 452: 제1, 제2 영역 C: 여진 영역
E: 교차 영역 P1a, P1b, P2a, P2b: 병렬암 공진자
S1a, S1b, S2a, S2b: 직렬암 공진자 VP1: 가상 평면

Claims (25)

  1. 지지 기판을 포함하는 지지 부재와, 상기 지지 부재 상에 마련되고 서로 대향하는 제1 주면(主面) 및 제2 주면을 가지는 압전층을 포함하는 압전성 기판과,
    상기 압전층의 상기 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 마련되며, 적어도 1쌍의 전극을 가지는 적어도 하나의 기능 전극과,
    상기 압전성 기판 상에, 상기 기능 전극을 둘러싸도록 마련되는 제1 지지체와,
    상기 압전성 기판 상에 마련되고 상기 제1 지지체에 둘러싸인 부분에 배치되는 적어도 하나의 제2 지지체와,
    상기 제1 지지체 상 및 상기 제2 지지체 상에 마련되는 뚜껑부를 포함하며,
    이웃하는 상기 전극끼리 대향하는 방향을 전극 대향방향으로 하고, 상기 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 이웃하는 상기 전극끼리 겹치는 영역이 교차 영역이며,
    상기 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 상기 제2 지지체의 적어도 일부가 상기 교차 영역과 겹치도록 배치되는, 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    복수개의 상기 기능 전극을 포함하고,
    상기 기능 전극을 각각 가지는 복수개의 공진자가 구성되며,
    2개의 상기 공진자 사이에 적어도 하나의 상기 제2 지지체가 배치되는, 탄성파 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수개의 공진자가 분할형인 복수개의 공진자를 포함하고,
    분할형인 2개의 상기 공진자 사이에 적어도 하나의 상기 제2 지지체가 배치되는, 탄성파 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수개의 상기 기능 전극을 포함하고,
    상기 기능 전극을 각각 가지는 복수개의 공진자가 구성되며,
    상기 압전성 기판 상에서의, 2개의 상기 공진자 사이 이외의 부분에 적어도 하나의 상기 제2 지지체가 배치되는, 탄성파 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 제2 지지체가 상기 기능 전극에 전기적으로 접속되는, 탄성파 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수개의 상기 기능 전극과,
    복수개의 상기 제2 지지체를 포함하고,
    상기 기능 전극을 각각 가지는 복수개의 공진자가 구성되며,
    하나의 상기 공진자를 끼우도록, 적어도 1쌍의 상기 제2 지지체가 배치되는, 탄성파 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수개의 공진자가 적어도 하나의 직렬암(serial arm) 공진자 및 적어도 하나의 병렬암(parallel arm) 공진자를 포함하고,
    하나의 상기 직렬암 공진자를 끼우도록, 적어도 1쌍의 상기 제2 지지체가 배치되는, 탄성파 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 복수개의 공진자가 적어도 하나의 직렬암 공진자 및 적어도 하나의 병렬암 공진자를 포함하고,
    하나의 상기 병렬암 공진자를 끼우도록, 적어도 1쌍의 상기 제2 지지체가 배치되는, 탄성파 장치.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    신호가 입력되는 입력 단자에 가장 가까운 상기 공진자를 끼우도록, 적어도 1쌍의 상기 제2 지지체가 배치되는, 탄성파 장치.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공진자의 상기 교차 영역의 상기 전극 대향방향에서의 중앙을 지나면서 상기 전극 대향방향과 직교하는 방향으로 연장되는 축을 대칭축으로 했을 때에, 상기 공진자를 끼우도록 마련된 상기 적어도 1쌍의 제2 지지체가 선대칭이 되지 않도록 배치되는, 탄성파 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 제2 지지체 및 적어도 하나의 상기 공진자 사이에 배선 전극이 마련되는, 탄성파 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 부재에 적어도 하나의 제1 공동부(空洞部)가 마련되고, 상기 제1 공동부가 평면에서 봤을 때 상기 기능 전극의 적어도 일부와 겹치며,
    상기 압전성 기판, 상기 제1 지지체 및 상기 뚜껑부에 의해 둘러싸인 제2 공동부가 마련되고,
    상기 압전성 기판, 상기 제1 지지체 및 상기 뚜껑부가 적층되는 방향을 따르는 치수를 높이로 했을 때에, 상기 제1 공동부의 높이가 상기 제2 공동부의 높이보다도 높은, 탄성파 장치.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 부재에 적어도 하나의 제1 공동부가 마련되고, 상기 제1 공동부가 평면에서 봤을 때 상기 기능 전극의 적어도 일부와 겹치며,
    상기 압전성 기판, 상기 제1 지지체 및 상기 뚜껑부에 의해 둘러싸인 제2 공동부가 마련되고,
    상기 압전성 기판, 상기 제1 지지체 및 상기 뚜껑부가 적층되는 방향을 따르는 치수를 높이로 했을 때에, 상기 제2 공동부의 높이가 상기 제1 공동부의 높이보다도 높은, 탄성파 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 부재가 상기 지지 기판 및 상기 압전층 사이에 마련되는 중간층을 포함하는, 탄성파 장치.
  15. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 지지 부재가 상기 지지 기판 및 상기 압전층 사이에 마련되는 중간층을 포함하고, 상기 제1 공동부의 적어도 일부가 상기 중간층에 마련되는, 탄성파 장치.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 뚜껑부가 반도체를 주성분으로 하는 뚜껑부 본체를 포함하는, 탄성파 장치.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전층이 탄탈산리튬층 또는 니오브산리튬층인, 탄성파 장치.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기능 전극이 서로 대향하는 제1, 제2 버스바(busbar)와, 상기 제1 버스바에 접속된 1개 이상의 제1 전극지(電極指)와, 상기 제2 버스바에 접속된 1개 이상의 제2 전극지를 가지는, 탄성파 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기능 전극이 상기 제1 전극지 및 상기 제2 전극지를 각각 복수개 가지는 IDT 전극인, 탄성파 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    판파를 이용 가능하게 구성되는, 탄성파 장치.
  21. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    두께 전단 모드의 벌크파를 이용 가능하게 구성되는, 탄성파 장치.
  22. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 압전층의 두께를 d, 이웃하는 상기 제1 전극지 및 상기 제2 전극지의 중심간 거리를 p로 한 경우, d/p가 0.5 이하인, 탄성파 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    d/p가 0.24 이하인, 탄성파 장치.
  24. 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극 대향방향으로부터 보았을 때에 이웃하는 상기 제1 전극지 및 상기 제2 전극지가 겹치는 영역이 여진(勵振) 영역이고,
    상기 여진 영역에 대한, 상기 1개 이상의 제1 전극지 및 상기 1개 이상의 제2 전극지의 메탈라이제이션(Metallization) 비를 MR로 했을 때에, MR≤1.75(d/p)+0.075를 만족하는, 탄성파 장치.
  25. 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전층이 탄탈산리튬층 또는 니오브산리튬층이고,
    상기 압전층을 구성하는 니오브산리튬 또는 탄탈산리튬의 오일러 각(φ, θ, ψ)이 이하의 식(1), 식(2) 또는 식(3)의 범위에 있는, 탄성파 장치.
    (0°±10°, 0°~20°, 임의의 ψ)…식(1)
    (0°±10°, 20°~80°, 0°~60°(1-(θ-50)2/900)1/2) 또는 (0°±10°, 20°~80°, [180°-60°(1-(θ-50)2/900)1/2]~180°)…식(2)
    (0°±10°, [180°-30°(1-(ψ-90)2/8100)1/2]~180°, 임의의 ψ)…식(3)
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