WO2024038831A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2024038831A1
WO2024038831A1 PCT/JP2023/029304 JP2023029304W WO2024038831A1 WO 2024038831 A1 WO2024038831 A1 WO 2024038831A1 JP 2023029304 W JP2023029304 W JP 2023029304W WO 2024038831 A1 WO2024038831 A1 WO 2024038831A1
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WO
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electrode
wave device
finger
electrode finger
fingers
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Application number
PCT/JP2023/029304
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English (en)
French (fr)
Inventor
翔 永友
直弘 野竹
昌和 三村
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • the elastic wave device is, for example, an elastic wave resonator, and is used, for example, in a ladder type filter.
  • a ladder filter In order to obtain good characteristics in a ladder filter, it is necessary to increase the capacitance ratio between the plurality of elastic wave resonators. In this case, it is necessary to increase the capacitance of some of the elastic wave resonators in the ladder filter.
  • This configuration is a configuration in which an electrode connected to a reference potential is arranged between an electrode connected to an input potential and an electrode connected to an output potential.
  • the present inventors have found that in the above configuration, the electrical resistance of the electrode connected to the reference potential tends to increase. Therefore, when an elastic wave device is used in a filter device, the electrical resistance of the elastic wave device tends to become high.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device that can promote miniaturization of the filter device and lower the electrical resistance.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer, a first bus bar provided on the piezoelectric layer, and a plurality of first electrode fingers each having one end connected to the first bus bar.
  • a first comb-shaped electrode connected to an input potential, a second bus bar provided on the piezoelectric layer, and one end of which is connected to the second bus bar;
  • a second comb-shaped electrode has a first electrode finger and a plurality of second electrode fingers intercalated with each other, and is connected to an output potential, and the first electrode finger and the second electrode finger are connected to the output potential.
  • a plurality of third electrode fingers each provided on the piezoelectric layer so as to be lined up with the first electrode finger and the second electrode finger in the line direction, and the third electrode fingers adjacent to each other.
  • a reference potential electrode the reference potential electrode having a plurality of connection electrodes connecting the first comb-shaped electrode and the second comb-shaped electrode, at least a portion of which is connected to the reference potential; and in the case where the order in which the first electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger are lined up starts from the first electrode finger, the first electrode finger, The third electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger are arranged in one cycle, and the reference potential electrode is connected to a reference potential at a plurality of potential connections at at least three locations. has a department.
  • an acoustic wave device that can promote miniaturization of the filter device and lower the electrical resistance.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a reference example elastic wave device.
  • FIG. 6 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 6 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 10(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 10(a).
  • FIG. 12(a) is a schematic front sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric film of an acoustic wave device
  • FIG. 12(b) is a thickness slip that propagates through the piezoelectric film in the acoustic wave device.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining a mode of bulk waves.
  • FIG. 13 is a diagram showing the amplitude direction of the bulk wave in the thickness shear mode.
  • FIG. 14 is a diagram showing the resonance characteristics of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 15 is a diagram showing the relationship between d/p and the fractional band of a resonator, where p is the distance between the centers of adjacent electrodes, and d is the thickness of the piezoelectric layer.
  • FIG. 16 is a plan view of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 17 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device of the reference example in which spurious signals appear.
  • FIG. 18 is a diagram showing the relationship between the fractional band and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 19 is a diagram showing the relationship between d/2p and metallization ratio MR.
  • FIG. 20 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 21 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • FIG. 22 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device that uses Lamb waves.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG. In FIG. 2, each electrode is shown with hatching.
  • a reference potential symbol schematically indicates that a reference potential electrode, which will be described later, is connected to the reference potential.
  • electrodes may be hatched and reference potential symbols may be used.
  • the elastic wave device 10 shown in FIG. 1 is configured to be able to utilize a thickness shear mode.
  • the elastic wave device 10 is an acoustic coupling filter. The configuration of the elastic wave device 10 will be explained below.
  • the elastic wave device 10 has a piezoelectric substrate 12 and a functional electrode 11.
  • the piezoelectric substrate 12 is a substrate having piezoelectricity.
  • the piezoelectric substrate 12 includes a support member 13 and a piezoelectric layer 14.
  • the support member 13 includes a support substrate 16 and an insulating layer 15.
  • An insulating layer 15 is provided on the support substrate 16.
  • a piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15.
  • the support member 13 may be composed only of the support substrate 16. Note that the support member 13 does not necessarily have to be provided.
  • the piezoelectric layer 14 has a first main surface 14a and a second main surface 14b.
  • the first main surface 14a and the second main surface 14b are opposed to each other.
  • the second main surface 14b is located on the support member 13 side.
  • the functional electrode 11 has a pair of comb-shaped electrodes and a reference potential electrode 19.
  • Reference potential electrode 19 is connected to a reference potential.
  • the pair of comb-shaped electrodes is a first comb-shaped electrode 17 and a second comb-shaped electrode 18.
  • the first comb-shaped electrode 17 is connected to an input potential.
  • the second comb-shaped electrode 18 is connected to the output potential.
  • the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the first comb-shaped electrode 17 includes a first bus bar 22 and a plurality of first electrode fingers 25 . One end of each of the plurality of first electrode fingers 25 is connected to the first bus bar 22 .
  • the second comb-shaped electrode 18 includes a second bus bar 23 and a plurality of second electrode fingers 26 . One end of each of the plurality of second electrode fingers 26 is connected to the second bus bar 23 .
  • the first bus bar 22 and the second bus bar 23 face each other.
  • the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers 26 are inserted into each other.
  • the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are arranged alternately in a direction perpendicular to the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 extend.
  • the reference potential electrode 19 has a meandering shape. Specifically, the reference potential electrode 19 includes a plurality of connection electrodes 24 and a plurality of third electrode fingers 27 . The plurality of connection electrodes 24 and the plurality of third electrode fingers 27 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14. Adjacent third electrode fingers 27 are connected to each other by a connecting electrode 24. By repeating this structure, the reference potential electrode 19 has a meandering shape.
  • the plurality of third electrode fingers 27 extend parallel to the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers.
  • a plurality of third electrode fingers 27 are provided so as to line up with the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 in the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are lined up. . Therefore, the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 are lined up in one direction.
  • the direction in which the first electrode finger 25, second electrode finger 26, and third electrode finger 27 extend is referred to as the electrode finger extension direction, and the direction orthogonal to the electrode finger extension direction is referred to as the electrode finger orthogonal direction.
  • the electrode finger arrangement direction is parallel to the electrode finger orthogonal direction.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 may be collectively referred to simply as an electrode finger.
  • One third electrode finger 27 is located at one end in the direction perpendicular to the electrode fingers in a region where a plurality of electrode fingers are provided.
  • a plurality of third electrode fingers 27 other than the one third electrode finger 27 are provided between the first electrode finger 25 and the second electrode finger 26. Therefore, in this embodiment, a plurality of third electrode fingers 27 other than the one third electrode finger 27 are provided between the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18.
  • the single third electrode finger 27 is not located between the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18. In this embodiment, the single third electrode finger 27 is adjacent to only the second electrode finger 26 of the first electrode finger 25 and the second electrode finger 26.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first embodiment.
  • the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is, starting from the first electrode finger 25, the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27. This is the order in which one period is Therefore, the order in which the plurality of electrode fingers are arranged is: first electrode finger 25, third electrode finger 27, second electrode finger 26, third electrode finger 27, first electrode finger 25, third electrode finger. The second electrode finger 27, the second electrode finger 26, and so on. If the input potential is IN, the output potential is OUT, and the reference potential is GND, and the order of the multiple electrode fingers is expressed as the order of connected potentials, then IN, GND, OUT, GND, IN, GND, OUT, etc. followed by.
  • the third electrode finger 27 is located at one end in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the electrode finger located at the other end in the direction perpendicular to the electrode fingers is the first electrode finger 25 .
  • the electrode finger located at the end in the direction orthogonal to the electrode finger is any type of electrode finger among the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27. It may be.
  • the tips of two adjacent third electrode fingers 27 on the first bus bar 22 side or the tips on the second bus bar 23 side are connected by the connection electrode 24.
  • the third electrode fingers 27 other than both ends in the electrode finger orthogonal direction have both the tip portion on the first bus bar 22 side and the tip portion on the second bus bar 23 side.
  • One connection electrode 24 is connected to each.
  • the third electrode finger 27 is connected to third electrode fingers 27 on both sides by each connection electrode 24 .
  • the reference potential electrode 39 has a meandering shape.
  • the third electrode finger 27 at one end in the electrode finger orthogonal direction is not provided between the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18.
  • all parts of the reference potential electrode 19 may be provided between the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18. At least a portion of the reference potential electrode 19 may be provided between the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18.
  • the reference potential symbol indicates that the reference potential electrode 19 is connected to the reference potential.
  • the portion of the reference potential electrode 19 that is connected to the reference potential is a potential connection portion.
  • the reference potential electrode 19 has a plurality of potential connections. More specifically, the reference potential electrode 19 has a first potential connection portion 28A, a second potential connection portion 28B, and a third potential connection portion 28C as three potential connection portions. Note that the number of potential connection parts is not limited to three.
  • the reference potential electrode 19 only needs to have at least three potential connections.
  • the first potential connection portion 28A is located at one end of the plurality of third electrode fingers 27 in the direction perpendicular to the electrode fingers. More specifically, the first potential connection portion 28A is configured as a part of the third electrode finger 27. Although not shown, at least one connection wiring is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14. The first potential connection portion 28A is connected to the connection wiring. The first potential connection portion 28A is connected to a reference potential via a connection wiring.
  • the first potential connection portion 28A is located at one end of the plurality of third electrode fingers 27 in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the second potential connection portion 28B is located at the other end of the plurality of third electrode fingers 27 in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the second potential connection portion 28B is connected to the reference potential via a connection wiring.
  • the third potential connection portion 28C is located in a portion between the two third electrode fingers 27 at both ends in the electrode finger orthogonal direction among the plurality of third electrode fingers 27 of the reference potential electrode 19. There is. Specifically, the third potential connection portion 28C is connected to the connection electrode 24 that connects the central two third electrode fingers 27 in the electrode finger arrangement direction among the plurality of third electrode fingers 27. positioned. More specifically, the connection electrode 24 connects the tips of adjacent third electrode fingers 27 on the second bus bar 23 side. The third potential connection portion 28C is configured as a part of the connection electrode 24. The third potential connection portion 28C is connected to the reference potential via a connection wiring.
  • each potential connection part is not limited to the above.
  • the first potential connection portion 28A, the second potential connection portion 28B, and the third potential connection portion 28C are connected to different connection wirings.
  • the plurality of potential connection parts may be connected to the same connection wiring.
  • connection wiring may be electrically connected to a reference potential outside the acoustic wave device 10.
  • the connection wiring may be electrically connected to the mounting board via another wiring, an electrode pad, a conductive bonding agent, or the like.
  • the connection wiring may be electrically connected to an external reference potential via a mounting board or the like.
  • the conductive bonding agent is, for example, a bump or a conductive adhesive.
  • the elastic wave device 10 is an elastic wave resonator configured to utilize thickness-shear mode bulk waves. As shown in FIG. 2, the elastic wave device 10 has a plurality of excitation regions C. In the plurality of excitation regions C, bulk waves in thickness shear mode and elastic waves in other modes are excited. Note that in FIG. 2, only two excitation regions C among the plurality of excitation regions C are shown.
  • Some of the plurality of excitation regions C among all the excitation regions C are regions where adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 overlap when viewed from a direction perpendicular to the electrode fingers, and where adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 overlap. This is the area between the centers of the first electrode finger 25 and the third electrode finger 27 that meet.
  • the remaining plurality of excitation regions C are regions where adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 overlap when viewed from the direction perpendicular to the electrode fingers, and where adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 overlap. This is the area between the centers of the third electrode fingers 27.
  • These excitation regions C are lined up in the direction perpendicular to the electrode fingers. Note that the excitation region C is a region of the piezoelectric layer 14 defined based on the configuration of the functional electrode 11.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1) A third electrode finger 27 of the reference potential electrode 19 is provided between the first electrode finger 25 of the first comb-shaped electrode 17 and the second electrode finger 26 of the second comb-shaped electrode 18. To be there. 2) The reference potential electrode 19 has a plurality of potential connections at at least three locations. Thereby, when the elastic wave device 10 is used as a filter device, the filter device can be made smaller and the electrical resistance of the acoustic wave device 10 can be lowered. This will be explained below.
  • FIG. 4 shows an example of the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device 10.
  • FIG. 4 is a diagram showing the transmission characteristics and reflection characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment. Note that FIG. 4 shows the results of FEM (Finite Element Method) simulation.
  • the elastic wave device 10 is an acoustic coupling filter. More specifically, as shown in FIG. 2, the acoustic wave device 10 has an excitation region C located between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27, and an excitation region C located between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27; It has an excitation region C located between the centers of the finger 26 and the third electrode finger 27. In these excitation regions C, elastic waves of a plurality of modes including a bulk wave of a thickness-shear mode are excited. By combining these modes, a filter waveform can be suitably obtained even in one elastic wave device 10.
  • a filter waveform can be suitably obtained even when the number of elastic wave resonators configuring the filter device is one or a small number. Therefore, it is possible to further downsize the filter device.
  • the reference potential electrode 19 has three potential connection portions. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 19 can be lowered, and the electrical resistance of the acoustic wave device 10 can be lowered. The details will be explained below by comparing this embodiment and a reference example.
  • the reference example shown in FIG. 5 differs from the first embodiment in the configuration of the reference potential electrode 109.
  • the reference potential electrode 109 has only two potential connections 108.
  • the reference potential electrode 109 includes a plurality of connection electrodes 24 and a plurality of third electrode fingers 27, as in the first embodiment.
  • the reference potential electrode 109 has a meandering shape.
  • the two potential connection portions 108 are located at two third electrode fingers 27 at both ends in the direction orthogonal to the plurality of third electrode fingers 27 .
  • the elastic wave device 100 of the reference example has a pair of comb-shaped electrodes. A part of the reference potential electrode 109 is provided between the pair of comb-shaped electrodes.
  • the reference potential electrode 109 includes a plurality of connection electrodes 24 and a plurality of third electrode fingers 27 between both potential connection parts 108 . Therefore, the length of the portion of the reference potential electrode 109 between the two potential connection portions 108 is long. Furthermore, the plurality of third electrode fingers 27 other than one and the plurality of connection electrodes 24 are provided between the pair of comb-shaped electrodes. Therefore, the widths of the plurality of third electrode fingers 27 and the plurality of connection electrodes 24 are narrow. Therefore, the electrical resistance of the reference potential electrode 109 is high.
  • the length of the reference potential electrode 109 is the total length of the plurality of third electrode fingers 27 and the length of the plurality of connection electrodes 24.
  • the length of the third electrode finger 27 is the dimension of the third electrode finger 27 along the electrode finger extending direction.
  • the length of the connection electrode 24 is a dimension along the direction in which the connection electrode 24 extends. In the reference example and the first embodiment, the direction in which the connection electrode 24 extends is parallel to the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the width of the third electrode finger 27 is a dimension of the third electrode finger 27 along the direction perpendicular to the electrode finger.
  • the width of the connection electrode 24 is a dimension along the direction perpendicular to the direction in which the connection electrode 24 extends. Also in the reference potential electrode according to the present invention, each of the above lengths and each width is defined in the same manner.
  • the reference potential electrode 19 has three potential connection portions. Therefore, at least one potential connection portion is located between two third electrode fingers 27 at both ends of the plurality of third electrode fingers 27 of the reference potential electrode 19 in the direction orthogonal to the electrode fingers. are doing. Thereby, the length of the portion of the reference potential electrode 19 between the potential connection portions can be shortened.
  • the reference potential electrode 19 has two parts between the potential connections.
  • the portion between one potential connection portion is a portion between the first potential connection portion 28A and the third potential connection portion 28C.
  • the portion between the other potential connection portions is a portion between the second potential connection portion 28B and the third potential connection portion 28C.
  • the electrical resistance of the elastic wave device 10 referred to here is a so-called series resistance.
  • the series resistance of the elastic wave device 10 is the electrical resistance of the elastic wave device 10 when the elastic wave device 10 is connected in series with another element when the elastic wave device 10 is used in a filter device.
  • two third electrode fingers 27 at both ends in the direction perpendicular to the electrode fingers are located at both ends in the direction perpendicular to the electrode fingers of the second comb-shaped electrode 18. It is located on the outside in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • Each of the connection wirings connected to the first potential connection part 28A and the second potential connection part 28B passes outside the both ends of the second comb-shaped electrode 18 in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the third potential connection portion 28C has a higher potential in the direction perpendicular to the electrode fingers than both ends of the first comb-shaped electrode 17 in the direction perpendicular to the electrode fingers and both ends of the second comb-shaped electrode 18 in the direction perpendicular to the electrode fingers. It is located inside.
  • the second bus bar 23 is divided into two divided bus bar sections 23A and 23B.
  • the divided bus bar portions 23A and the divided bus bar portions 23B face each other with a gap in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the connection wiring connected to the third potential connection part 28C passes between the divided busbar part 23A and the divided busbar part 23B, and is connected to the reference potential.
  • each potential connection part is not particularly limited.
  • the first potential connection portion 28A and the second potential connection portion 28B are located at two third electrode fingers 27 at both ends in the direction orthogonal to the plurality of third electrode fingers 27.
  • the connection wiring of the first potential connection part 28A and the second potential connection part 28B can be easily connected to the reference potential.
  • connection wiring has a portion located outside the first comb-shaped electrode 17 and the second comb-shaped electrode 18, and does not contribute to the excitation of the elastic wave. Therefore, the width of the connection wiring can be increased. Therefore, the electrical resistance of the connection wiring can be easily lowered.
  • the support member 13 consists of a support substrate 16 and an insulating layer 15.
  • the piezoelectric substrate 12 is a laminate of a support substrate 16, an insulating layer 15, and a piezoelectric layer 14. That is, the piezoelectric layer 14 and the support member 13 overlap when viewed from the direction in which the first main surface 14a and the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other.
  • the piezoelectric layer 14 is, for example, a lithium niobate layer, such as a LiNbO 3 layer, or a lithium tantalate layer, such as a LiTaO 3 layer.
  • a recess is provided in the insulating layer 15.
  • a piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15 so as to close the recess. This forms a hollow section.
  • This hollow part is the hollow part 10a.
  • the support member 13 and the piezoelectric layer 14 are arranged such that a part of the support member 13 and a part of the piezoelectric layer 14 face each other with the cavity 10a in between.
  • the recess in the support member 13 may be provided across the insulating layer 15 and the support substrate 16.
  • the recess provided only in the support substrate 16 may be closed by the insulating layer 15.
  • the recess may be provided in the piezoelectric layer 14.
  • the cavity 10a may be a through hole provided in the support member 13.
  • the cavity 10a is the acoustic reflection part in the present invention.
  • the acoustic reflection portion can effectively confine the energy of the elastic wave to the piezoelectric layer 14 side.
  • the acoustic reflecting portion may be provided at a position in the support member 13 that overlaps at least a portion of the functional electrode 11 in plan view. More specifically, in plan view, at least a portion of each of the first electrode finger 25, second electrode finger 26, and third electrode finger 27 only needs to overlap with the acoustic reflecting portion. In plan view, it is preferable that the plurality of excitation regions C overlap with the acoustic reflection section.
  • planar view refers to viewing along the lamination direction of the support member 13 and the piezoelectric layer 14 from a direction corresponding to the upper side in FIG.
  • the piezoelectric layer 14 side is the upper side.
  • planar view is synonymous with viewing from the direction facing the main surface.
  • the main surface opposing direction is a direction in which the first main surface 14a and the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other. More specifically, the principal surface opposing direction is, for example, the normal direction of the first principal surface 14a.
  • the acoustic reflection portion may be an acoustic reflection film such as an acoustic multilayer film, which will be described later.
  • an acoustic reflective film may be provided on the surface of the support member.
  • the distance between the centers of adjacent pairs of first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the distance between adjacent pairs of second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 are determined.
  • the distance between centers is the same in all cases.
  • d/p is preferably 0.5 or less. More preferably, d/p is 0.24 or less. Thereby, bulk waves in thickness shear mode are suitably excited.
  • the distance between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the distance between centers of adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 may not be constant. .
  • the distance between the centers of adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the center distance between adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 is the longest.
  • the distance is p.
  • d/p is preferably 0.5 or less, more preferably 0.24 or less.
  • the elastic wave device of the present invention does not necessarily have to be configured to be able to utilize the thickness shear mode.
  • intersection region E includes a plurality of excitation regions C.
  • the elastic wave device according to the present invention may be configured to be able to utilize plate waves.
  • the excitation region is the crossover region E.
  • the crossover region E is a region of the piezoelectric layer 14 defined based on the configuration of the functional electrode 11.
  • the intersecting region E can also be said to be a region where adjacent first electrode fingers 25 and second electrode fingers 26 overlap when viewed from a direction perpendicular to the electrode fingers.
  • connection electrode 24 of the reference potential electrode 19 is provided outside the excitation region C in the direction in which the electrode fingers extend.
  • all adjacent third electrode fingers 27 of the reference potential electrode 19 are connected to each other by the connection electrode 24 .
  • all adjacent third electrode fingers 27 do not necessarily need to be connected by the connection electrodes 24.
  • the second busbar 23 has a divided busbar portion 23A and a divided busbar portion 23B.
  • the first bus bar 22 is not divided.
  • the configurations of the first bus bar 22 and the second bus bar 23 are not limited to the above. However, it is preferable that at least one of the first bus bar 22 and the second bus bar 23 is divided and has a plurality of divided bus bar parts. Thereby, a configuration can be provided in which the connection wiring connected to the potential connection portions passes between the divided busbar portions. Therefore, the connection wiring can be easily connected to the reference potential.
  • piezoelectric layer 14 is a lithium niobate layer.
  • the material for the piezoelectric layer 14 LiNbO 3 with a rotated Y cut is used.
  • the fractional band of the acoustic wave device 10 depends on the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate used in the piezoelectric layer 14.
  • the fractional band is expressed by (
  • FIG. 6 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • the hatched region R in FIG. 6 is the region where a fractional band of at least 2% or more can be obtained.
  • the range of region R is approximated, it becomes the range expressed by the following equations (1), (2), and (3).
  • ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within a range of 0° ⁇ 10°
  • the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 6.
  • the piezoelectric layer 14 is a lithium tantalate layer
  • the relationship between ⁇ and ⁇ at the Euler angle (within a range of 0° ⁇ 10°, ⁇ , ⁇ ) and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. be.
  • the Euler angle is in the range of the above formula (1), formula (2), or formula (3).
  • the fractional band can be made sufficiently wide.
  • the elastic wave device 10 can be suitably used as a filter device.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the reference potential electrode 39 has five potential connection parts.
  • This embodiment also differs from the first embodiment in that the first busbar 32 is divided into three divided busbar sections 32A, 32B, and 32C.
  • the divided busbar portions 32A and the divided busbar portions 32B face each other with a gap in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the divided bus bar portion 32B and the divided bus bar portion 32C face each other with a gap in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the elastic wave device 30 of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the second bus bar 23 has two divided bus bar sections 23A and 23B, similarly to the first embodiment.
  • the five potential connection portions of the reference potential electrode 39 are a first potential connection portion 38A, a second potential connection portion 38B, and three third potential connection portions.
  • the three third potential connection parts are a third potential connection part 38C, a third potential connection part 38D, and a third potential connection part 38E.
  • the first potential connection portion 38A and the second potential connection portion 38B are located at two third electrode fingers 27 at both ends in the direction perpendicular to the electrode fingers, among the plurality of third electrode fingers 27.
  • the three third potential connections are located in the reference potential electrode 39 between the two third electrode fingers 27 . More specifically, the third potential connection portion 38C is located on the connection electrode 24 that connects the tips of adjacent third electrode fingers 27 on the second bus bar 23 side. On the other hand, the third potential connection portion 38D and the third potential connection portion 38E are each located on the connection electrode 24 that connects the tips of the adjacent third electrode fingers 27 on the first bus bar 32 side. ing.
  • the third potential connection portion 38C is located between the third potential connection portion 38D and the third potential connection portion 38E. More specifically, the third potential connection portion 38C is the connection electrode 24 that connects the central two third electrode fingers 27 in the direction perpendicular to the electrode fingers among the plurality of third electrode fingers 27. It is located in However, the position of each potential connection part is not limited to the above.
  • Each of the five potential connection parts is connected to a reference potential via a connection wiring.
  • each of the connection wirings connected to the first potential connection part 38A and the second potential connection part 38B is more connected to the electrode fingers than both ends of the second comb-shaped electrode 18 in the direction perpendicular to the electrode fingers. passing through the outside in the direction.
  • connection wiring connected to the third potential connection portion 38D passes between the divided bus bar portion 32A and the divided bus bar portion 32B of the first bus bar 32.
  • the connection wiring connected to the third potential connection portion 38E passes between the divided bus bar portion 32B and the divided bus bar portion 32C of the first bus bar 32.
  • the reference potential electrode 39 has five potential connection parts. Thereby, the length of the portion between the potential connection portions can be effectively shortened. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 39 can be effectively lowered, and the electrical resistance of the acoustic wave device 30 can be effectively lowered.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the third embodiment.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that in the reference potential electrode 49, some third electrode fingers 27 among all adjacent third electrode fingers 27 are not connected to each other by the connecting electrode 24. Different from the form. Other than the above points, the elastic wave device 40 of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the reference potential electrode 49 has a plurality of electrode parts. Specifically, the plurality of electrode parts of this embodiment are a first electrode part 46A, a second electrode part 46B, and a third electrode part 46C. Each electrode section includes a plurality of third electrode fingers 27 and at least one connection electrode 24. The electrode parts are not connected to each other by the connecting electrode 24. That is, the reference potential electrode 49 is divided into a plurality of electrode parts.
  • Each electrode part has a potential connection part.
  • the first electrode section 46A is located at one end of the plurality of electrode sections in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the first electrode section 46A has a first potential connection section 28A.
  • the second electrode section 46B is located at the other end of the plurality of electrode sections in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the second electrode section 46B has a second potential connection section 28B.
  • the third electrode section 46C is located between the first electrode section 46A and the second electrode section 46B.
  • the third electrode section 46C has a third potential connection section 28C.
  • Each electrode section is connected to a reference potential at each potential connection section. More specifically, each electrode portion is connected to a reference potential via a connection wiring connected to each potential connection portion.
  • each electrode portion has an end portion.
  • the end of the electrode portion is the end of the third electrode finger 27 that is not connected to the connection electrode 24 or the connection wiring.
  • the reference potential electrode 49 is divided into a plurality of electrode parts. Therefore, the length of each electrode portion is shorter than the total length of all the third electrode fingers 27 and all the connection electrodes 24 of the reference potential electrode 49. Therefore, in each electrode part, the length from the potential connection part to the end of the electrode part is short. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 49 can be effectively lowered, and the electrical resistance of the acoustic wave device 40 can be effectively lowered.
  • the length of the electrode section is the total length of all the third electrode fingers 27 and the length of all the connection electrodes 24 in the electrode section.
  • FIG. 9 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the fourth embodiment.
  • This embodiment is different from the second embodiment in that, in the reference potential electrode 59, some third electrode fingers 27 among all adjacent third electrode fingers 27 are not connected to each other by the connecting electrode 24. Different from the form. Specifically, the reference potential electrode 59 is divided into five electrode parts. Other than the above points, the elastic wave device 50 of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 30 of the second embodiment.
  • first bus bar 32 and the second bus bar 23 each have a plurality of divided bus bar parts, similarly to the second embodiment. More specifically, the first busbar 32 has three divided busbar sections 32A, 32B, and 32C. The second busbar 23 has two divided busbar sections 23A and 23B.
  • the reference potential electrode 59 has five potential connection portions arranged similarly to the second embodiment. Specifically, the five potential connection parts are a first potential connection part 38A, a second potential connection part 38B, and three third potential connection parts. Specifically, the three third potential connection parts are a third potential connection part 38C, a third potential connection part 38D, and a third potential connection part 38E.
  • the reference potential electrode 59 has five electrode parts.
  • the five electrode parts of this embodiment are a first electrode part 56A, a second electrode part 56B, and three third electrode parts.
  • the three third electrode parts are a third electrode part 56C, a third electrode part 56D, and a third electrode part 56E.
  • the first electrode section 56A is located at one end of the plurality of electrode sections in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the first electrode section 56A has a first potential connection section 38A.
  • the second electrode section 56B is located at the other end of the plurality of electrode sections in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the second electrode portion 56B has a second potential connection portion 38B.
  • the third electrode part 56C, the third electrode part 56D, and the third electrode part 56E are located between the first electrode part 56A and the second electrode part 56B. Further, the third electrode section 56C is located between the third electrode section 56D and the third electrode section 56E.
  • the third electrode section 56C has a third potential connection section 38C.
  • the third electrode portion 56D has a third potential connection portion 38D.
  • the third electrode portion 56E has a third potential connection portion 38E.
  • Each electrode part is connected to a reference potential via a connection wiring connected to each potential connection part.
  • each of the connection wirings connected to the first potential connection part 38A and the second potential connection part 38B is more connected to the electrode fingers than both ends of the second comb-shaped electrode 18 in the direction perpendicular to the electrode fingers. passing through the outside in the direction.
  • connection wiring connected to the third potential connection portion 38C passes between the divided bus bar portion 23A and the divided bus bar portion 23B of the second bus bar 23.
  • the connection wiring connected to the third potential connection portion 38D passes between the divided bus bar portion 32A and the divided bus bar portion 32B of the first bus bar 32.
  • the connection wiring connected to the third potential connection portion 38E passes between the divided bus bar portion 32B and the divided bus bar portion 32C of the first bus bar 32.
  • the number of electrode parts of the reference potential electrode 59 and the number of potential connection parts are not limited to the above.
  • the number of divisions of the first bus bar 32 and the second bus bar 23 is not limited to the above.
  • the reference potential electrode 59 is divided into a plurality of electrode parts. Therefore, the length of each electrode portion is shorter than the total length of all the third electrode fingers 27 and all the connection electrodes 24 of the reference potential electrode 59. Therefore, in each electrode part, the length from the potential connection part to the end of the electrode part is short. Thereby, the electrical resistance of the reference potential electrode 59 can be effectively lowered, and the electrical resistance of the acoustic wave device 50 can be effectively lowered.
  • the functional electrode is an IDT electrode.
  • the IDT electrode does not have a third electrode finger.
  • the "electrode" in the IDT electrode described below corresponds to an electrode finger.
  • the support member in the following examples corresponds to the support substrate in the present invention.
  • the reference potential may be referred to as ground potential.
  • FIG. 10(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 10(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 10(a).
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut, it may be a rotational Y cut or an X cut.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but in order to effectively excite the thickness shear mode, it is preferably 40 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 50 nm or more and 1000 nm or less.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. An electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • electrode 3 is an example of a "first electrode”
  • electrode 4 is an example of a "second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are connected to a second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interposed with each other.
  • Electrode 3 and electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to this length direction.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 are both directions that intersect with the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 10(a) and 10(b). That is, in FIGS. 10(a) and 10(b), the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 will extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 10(a) and 10(b).
  • Electrode 3 and electrode 4 are adjacent does not mean that electrode 3 and electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but when electrode 3 and electrode 4 are arranged with a gap between them. refers to Further, when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is arranged between the electrode 3 and the electrode 4. This logarithm does not need to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4, that is, the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the opposing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 50 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the distance between the centers of the electrodes 3 and 4 refers to the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. This is the distance between the center of the dimension (width dimension).
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This is not the case when a piezoelectric material having a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°). (within range).
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer 7 in between.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape, and have through holes 7a and 8a, as shown in FIG. Thereby, a cavity 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 in between, at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, other than silicon oxide, an appropriate insulating material such as silicon oxynitride or alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of the Si surface on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). It is desirable that the Si constituting the support member 8 has a high resistivity of 4 k ⁇ cm or more. However, the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Examples of materials for the support member 8 include aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and star.
  • Various ceramics such as tite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, etc. can be used.
  • the plurality of electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 are made of a suitable metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Thereby, it is possible to obtain resonance characteristics using the thickness shear mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2.
  • d/p is 0. It is considered to be 5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness shear mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the elastic wave device 1 Since the elastic wave device 1 has the above-mentioned configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to downsize the device, the Q value is unlikely to decrease. This is because even if the number of electrode fingers in the reflectors on both sides is reduced, the propagation loss is small. Furthermore, the number of electrode fingers can be reduced because the bulk waves in the thickness shear mode are used. The difference between the Lamb wave used in the elastic wave device and the thickness-shear mode bulk wave will be explained with reference to FIGS. 12(a) and 12(b).
  • FIG. 12(a) is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of an acoustic wave device as described in Japanese Patent Publication No. 2012-257019.
  • waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b are opposite to each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. It is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are lined up.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the piezoelectric film 201 vibrates as a whole, but since the wave propagates in the X direction, reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, that is, when the number of logarithms of electrode fingers is reduced, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness-slip direction, so the waves are generated between the first main surface 2a and the second main surface of the piezoelectric layer 2.
  • 2b that is, the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since resonance characteristics are obtained by the propagation of waves in the Z direction, propagation loss is unlikely to occur even if the number of electrode fingers of the reflector is reduced. Furthermore, even if the number of pairs of electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • FIG. 13 schematically shows a bulk wave when a voltage is applied between electrode 3 and electrode 4 such that electrode 4 has a higher potential than electrode 3.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 As mentioned above, in the elastic wave device 1, at least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 are arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the elastic wave device 1 is made up of the electrodes 3 and 4. There is no need for a plurality of pairs of electrodes. That is, it is only necessary that at least one pair of electrodes be provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrode is provided.
  • FIG. 14 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG. 11. Note that the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained this resonance characteristic are as follows.
  • Insulating layer 7 silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distances between the electrode pairs made up of the electrodes 3 and 4 were all equal in multiple pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, as described above. Preferably it is 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG. 15.
  • FIG. 15 is a diagram showing the relationship between this d/p and the fractional band of the resonator of the elastic wave device.
  • FIG. 16 is a plan view of an elastic wave device that utilizes bulk waves in thickness-shear mode.
  • a pair of electrodes including an electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 16 is the crossover width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above-mentioned d/p is 0.5 or less, bulk waves in the thickness shear mode can be excited effectively.
  • the above-mentioned adjacent to the excitation region C which is a region where any of the adjacent electrodes 3, 4 overlap when viewed in the opposing direction.
  • the metallization ratio MR of the matching electrodes 3 and 4 satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be explained with reference to FIGS. 17 and 18.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 10(b).
  • the excitation region C is a region where electrode 3 overlaps electrode 4 when electrode 3 and electrode 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of electrodes 3 and 4, that is, in a direction in which they face each other. 3, and a region between electrodes 3 and 4 where electrodes 3 and 4 overlap.
  • the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallized portion to the area of the excitation region C.
  • MR may be the ratio of the metallized portion included in all the excitation regions to the total area of the excitation regions.
  • FIG. 18 shows the relationship between the fractional band and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious when a large number of elastic wave resonators are configured according to the configuration of the elastic wave device 1.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters that make up the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristic shown in FIG. 17, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrodes 3 and 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 19 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed and the fractional bands were measured.
  • the hatched area on the right side of the broken line D in FIG. 19 is a region where the fractional band is 17% or less.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 20 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • a plurality of hatched regions R are regions where a fractional band of 2% or more can be obtained. Note that when ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within the range of 0° ⁇ 5°, the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional band is the same as the relationship shown in FIG. 20.
  • ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer is within the range of 0° ⁇ 5°, and ⁇ and ⁇ are If it is within any of the ranges R, the ratio band can be made sufficiently wide, which is preferable.
  • FIG. 21 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • an acoustic multilayer film 82 is laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the acoustic multilayer film 82 has a laminated structure of low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e with relatively low acoustic impedance and high acoustic impedance layers 82b, 82d with relatively high acoustic impedance.
  • the bulk wave in the thickness shear mode can be confined within the piezoelectric layer 2 without using the cavity 9 in the acoustic wave device 1.
  • the elastic wave device 81 by setting the above-mentioned d/p to 0.5 or less, resonance characteristics based on a bulk wave in the thickness shear mode can be obtained.
  • the number of laminated low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and high acoustic impedance layers 82b, 82d is not particularly limited. It is sufficient that at least one high acoustic impedance layer 82b, 82d is disposed farther from the piezoelectric layer 2 than the low acoustic impedance layer 82a, 82c, 82e.
  • the low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and the high acoustic impedance layers 82b, 82d can be made of any appropriate material as long as the above acoustic impedance relationship is satisfied.
  • examples of the material for the low acoustic impedance layers 82a, 82c, and 82e include silicon oxide and silicon oxynitride.
  • examples of the material for the high acoustic impedance layers 82b and 82d include alumina, silicon nitride, and metal.
  • FIG. 22 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device that utilizes Lamb waves.
  • the elastic wave device 91 has a support substrate 92.
  • the support substrate 92 is provided with an open recess on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 93 is laminated on the support substrate 92 .
  • An IDT electrode 94 is provided on the piezoelectric layer 93 above the cavity 9 .
  • Reflectors 95 and 96 are provided on both sides of the IDT electrode 94 in the elastic wave propagation direction.
  • the outer peripheral edge of the cavity 9 is shown by a broken line.
  • the IDT electrode 94 includes first and second bus bars 94a and 94b, a plurality of first electrode fingers 94c, and a plurality of second electrode fingers 94d.
  • the plurality of first electrode fingers 94c are connected to the first bus bar 94a.
  • the plurality of second electrode fingers 94d are connected to the second bus bar 94b.
  • the plurality of first electrode fingers 94c and the plurality of second electrode fingers 94d are inserted into each other.
  • the elastic wave device 91 by applying an alternating current electric field to the IDT electrode 94 on the cavity 9, a Lamb wave as a plate wave is excited. Since the reflectors 95 and 96 are provided on both sides, the resonance characteristic due to the Lamb wave described above can be obtained.
  • the elastic wave device of the present invention may utilize plate waves.
  • an IDT electrode 94, a reflector 95, and a reflector 96 are provided on the main surface corresponding to the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 shown in FIG. 1 and the like.
  • a pair of comb-shaped electrodes and a plurality of third electrode fingers are provided on the first main surface 14a.
  • a pair of comb-shaped electrodes and a plurality of third electrodes are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 in the first to fourth embodiments.
  • the finger and the reflector 95 and reflector 96 are provided.
  • the pair of comb-shaped electrodes and the plurality of third electrode fingers may be sandwiched between the reflector 95 and the reflector 96 in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • an acoustic multilayer film 82 shown in FIG. 21 may be provided as an acoustic reflection film between the support member and the piezoelectric layer.
  • the support member and the piezoelectric layer may be arranged such that at least a portion of the support member and at least a portion of the piezoelectric layer face each other with the acoustic multilayer film 82 in between.
  • low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers may be alternately laminated.
  • the acoustic multilayer film 82 may be an acoustic reflection section in an elastic wave device.
  • d/p is preferably 0.5 or less, and preferably 0.24 or less. is more preferable. Thereby, even better resonance characteristics can be obtained.
  • MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075 is satisfied as described above. is preferred. More specifically, when MR is the metallization ratio of the first electrode finger and the third electrode finger, and the second electrode finger and the third electrode finger with respect to the excitation region, MR ⁇ 1.75. It is preferable to satisfy (d/p)+0.075. In this case, spurious components can be suppressed more reliably.

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Abstract

フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供する。　本発明に係る弾性波装置１０は、圧電層１４と、圧電層１４上に設けられており、第１のバスバー２２と、第１のバスバー２２に一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指２５とを有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極１７と、圧電層１４上に設けられており、第２のバスバー２３と、第２のバスバー２３に一端がそれぞれ接続されており、複数の第１の電極指２５と間挿し合っている複数の第２の電極指２６とを有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極１８と、第１の電極指２５及び第２の電極指２６が並ぶ方向において、第１の電極指２５及び第２の電極指２６と並ぶように、それぞれ圧電層１４上に設けられている複数の第３の電極指２７と、隣り合う第３の電極指２７同士を接続している複数の接続電極２４とを有し、かつ第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８の間に少なくとも一部が設けられており、基準電位に接続される、基準電位電極１９とを備える。第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７が並んでいる順序が、第１の電極指２５から開始した場合において、第１の電極指２５、第３の電極指２７、第２の電極指２６及び第３の電極指２７を１周期とする順序である。基準電位電極１９が、基準電位に接続される、少なくとも３箇所の複数の電位接続部（第１～第３の電位接続部２８Ａ～２８Ｃ）を有する。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。近年においては、下記の特許文献１に記載のような、厚み滑りモードのバルク波を用いた弾性波装置が提案されている。この弾性波装置においては、支持体上に圧電層が設けられている。圧電層上に、対となる電極が設けられている。対となる電極は圧電層上において互いに対向しており、かつ互いに異なる電位に接続される。上記電極間に交流電圧を印加することにより、厚み滑りモードのバルク波を励振させている。
米国特許第１０４９１１９２号明細書
　弾性波装置とは、例えば弾性波共振子であり、例えばラダー型フィルタに用いられる。ラダー型フィルタにおいて良好な特性を得るためには、複数の弾性波共振子間において、静電容量比を大きくする必要がある。この場合、ラダー型フィルタにおける一部の弾性波共振子の静電容量を大きくする必要がある。
　弾性波共振子の静電容量を大きくするためには、例えば、弾性波共振子を大型にすることを要する。よって、当該弾性波共振子をラダー型フィルタに用いる場合には、ラダー型フィルタが大型になりがちである。特に、静電容量の小さい厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波共振子を有するラダー型フィルタは大型化してしまう。
　本発明者らは、弾性波装置の構成を以下の構成とすることにより、弾性波装置がフィルタ装置に用いられた場合に、大型化せずして好適なフィルタ波形を得られることを見出した。当該構成とは、入力電位に接続される電極、及び出力電位に接続される電極の間に、基準電位に接続される電極を配置する構成である。
　しかしながら、本発明者らは、上記構成においては、基準電位に接続される電極の電気抵抗が高くなり易いことを見出した。そのため、弾性波装置をフィルタ装置に用いるに際し、弾性波装置の電気抵抗が高くなり易い。
　本発明の目的は、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電層と、前記圧電層上に設けられており、第１のバスバーと、前記第１のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指とを有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極と、前記圧電層上に設けられており、第２のバスバーと、前記第２のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指とを有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極と、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が並ぶ方向において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層上に設けられている複数の第３の電極指と、隣り合う前記第３の電極指同士を接続している複数の接続電極とを有し、かつ前記第１の櫛形電極及び前記第２の櫛形電極の間に少なくとも一部が設けられており、基準電位に接続される、基準電位電極とを備え、前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が並んでいる順序が、前記第１の電極指から開始した場合において、前記第１の電極指、前記第３の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指を１周期とする順序であり、前記基準電位電極が、基準電位に接続される、少なくとも３箇所の複数の電位接続部を有する。
　本発明によれば、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ電気抵抗を低くすることができる、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における第１～第３の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の通過特性及び反射特性を示す図である 図５は、参考例の弾性波装置の模式的平面図である。 図６は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図９は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１０（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１０（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図である。 図１１は、図１０（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。 図１２（ａ）は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図であり、図１２（ｂ）は、弾性波装置における、圧電膜を伝搬する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。 図１３は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。 図１４は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の共振特性を示す図である。 図１５は、隣り合う電極の中心間距離をｐ、圧電層の厚みをｄとした場合のｄ／ｐと共振子としての比帯域との関係を示す図である。 図１６は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。 図１７は、スプリアスが現れている参考例の弾性波装置の共振特性を示す図である。 図１８は、比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。 図１９は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲとの関係を示す図である。 図２０は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。 図２１は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。 図２２は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。なお、図１は、図２中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。図２においては、各電極を、ハッチングを付して示す。図２においては、基準電位の記号により、後述する基準電位電極が基準電位に接続されることを模式的に示している。図２以外の模式的平面図においても同様に、電極にハッチングを付し、基準電位の記号を用いることがある。
　図１に示す弾性波装置１０は、厚み滑りモードを利用可能に構成されている。弾性波装置１０は音響結合型フィルタである。以下において、弾性波装置１０の構成を説明する。
　弾性波装置１０は、圧電性基板１２と、機能電極１１とを有する。圧電性基板１２は圧電性を有する基板である。具体的には、圧電性基板１２は、支持部材１３と、圧電層１４とを有する。本実施形態では、支持部材１３は、支持基板１６と、絶縁層１５とを含む。支持基板１６上に絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５上に圧電層１４が設けられている。もっとも、支持部材１３は支持基板１６のみにより構成されていてもよい。なお、支持部材１３は必ずしも設けられていなくともよい。
　圧電層１４は第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂを有する。第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂは互いに対向している。第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂのうち、第２の主面１４ｂが支持部材１３側に位置している。
　図２に示すように、機能電極１１は、１対の櫛形電極と、基準電位電極１９とを有する。基準電位電極１９は基準電位に接続される。１対の櫛形電極は、具体的には、第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８である。第１の櫛形電極１７は入力電位に接続される。第２の櫛形電極１８は出力電位に接続される。
　第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８は、圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられている。第１の櫛形電極１７は、第１のバスバー２２と、複数の第１の電極指２５とを有する。複数の第１の電極指２５の一端はそれぞれ、第１のバスバー２２に接続されている。第２の櫛形電極１８は、第２のバスバー２３と、複数の第２の電極指２６とを有する。複数の第２の電極指２６の一端はそれぞれ、第２のバスバー２３に接続されている。
　第１のバスバー２２及び第２のバスバー２３は互いに対向している。複数の第１の電極指２５と複数の第２の電極指２６とは互いに間挿し合っている。第１の電極指２５及び第２の電極指２６が延びる方向と直交する方向において、第１の電極指２５及び第２の電極指２６は交互に並んでいる。
　基準電位電極１９はミアンダ状の形状を有する。具体的には、基準電位電極１９は、複数の接続電極２４と、複数の第３の電極指２７とを有する。複数の接続電極２４及び複数の第３の電極指２７は、圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられている。隣り合う第３の電極指２７同士が、接続電極２４により接続されている。この構造が繰り返されることにより、基準電位電極１９の形状が、ミアンダ状の形状とされている。
　より詳細には、複数の第３の電極指２７は、複数の第１の電極指２５及び複数の第２の電極指と平行に延びている。第１の電極指２５及び第２の電極指２６が並ぶ方向において、第１の電極指２５及び第２の電極指２６と並ぶように、複数の第３の電極指２７がそれぞれ設けられている。よって、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７は、一方向において並んでいる。
　以下においては、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７が延びる方向を電極指延伸方向とし、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向とする。第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７が並んでいる方向を電極指配列方向としたときに、電極指配列方向は、電極指直交方向と平行である。本明細書においては、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７をまとめて、単に電極指と記載することがある。
　１本の第３の電極指２７は、複数の電極指が設けられている領域において、電極指直交方向における一方端部に位置している。上記１本の第３の電極指２７以外の複数の第３の電極指２７は、第１の電極指２５及び第２の電極指２６の間に設けられている。よって、本実施形態では、上記１本の第３の電極指２７以外の複数の第３の電極指２７は、第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８の間に設けられている。他方、上記１本の第３の電極指２７は、第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８の間には位置していない。上記１本の第３の電極指２７は、本実施形態では、第１の電極指２５及び第２の電極指２６のうち、第２の電極指２６のみと隣接している。
　図３は、第１の実施形態における第１～第３の電極指付近を示す模式的正面断面図である。
　複数の電極指が並んでいる順序は、第１の電極指２５から開始した場合において、第１の電極指２５、第３の電極指２７、第２の電極指２６及び第３の電極指２７を１周期とする順序である。よって、複数の電極指が並んでいる順序は、第１の電極指２５、第３の電極指２７、第２の電極指２６、第３の電極指２７、第１の電極指２５、第３の電極指２７、第２の電極指２６…というように続く。入力電位をＩＮ、出力電位をＯＵＴ、基準電位をＧＮＤにより表わし、複数の電極指の順序を接続される電位の順序として表わすと、ＩＮ、ＧＮＤ、ＯＵＴ、ＧＮＤ、ＩＮ、ＧＮＤ、ＯＵＴ…というように続く。
　本実施形態では、複数の電極指が設けられている領域において、電極指直交方向における一方端部に位置している電極指は、第３の電極指２７である。該領域において、電極指直交方向における他方端部に位置している電極指は、第１の電極指２５である。なお、該領域において、電極指直交方向における端部に位置している電極指は、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７のうちいずれの種類の電極指であってもよい。
　図２に示すように、隣接する２本の第３の電極指２７の、第１のバスバー２２側の先端部同士、または第２のバスバー２３側の先端部同士が、接続電極２４により接続されている。例えば、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における両端以外の第３の電極指２７は、第１のバスバー２２側の先端部及び第２のバスバー２３側の先端部の双方に、１つずつの接続電極２４が接続されている。該第３の電極指２７は、各接続電極２４により、両隣の第３の電極指２７と接続されている。この構造が繰り返されることにより、基準電位電極３９の形状が、ミアンダ状の形状とされている。
　本実施形態では、複数の第３の電極指のうち、電極指直交方向における一方端の第３の電極指２７は、第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８の間には設けられていない。もっとも、基準電位電極１９の全ての部分が、第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８の間に設けられていてもよい。第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８の間に、基準電位電極１９の少なくとも一部が設けられていればよい。
　図２においては、基準電位の記号により、基準電位電極１９が基準電位に接続されることを示している。基準電位電極１９における基準電位に接続される部分は、電位接続部である。基準電位電極１９は複数の電位接続部を有する。より具体的には、基準電位電極１９は３箇所の電位接続部としての、第１の電位接続部２８Ａ、第２の電位接続部２８Ｂ及び第３の電位接続部２８Ｃを有する。なお、電位接続部は３箇所に限定されない。基準電位電極１９は、少なくとも３箇所の電位接続部を有していればよい。
　第１の電位接続部２８Ａは、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における一方端の第３の電極指２７に位置している。より具体的には、第１の電位接続部２８Ａが、該第３の電極指２７の一部として構成されている。なお、図示しないが、圧電層１４の第１の主面１４ａには、少なくとも１つの接続配線が設けられている。第１の電位接続部２８Ａは、接続配線に接続されている。第１の電位接続部２８Ａは、接続配線を介して基準電位に接続される。
　上記のように、第１の電位接続部２８Ａは、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における一方端の第３の電極指２７に位置している。他方、第２の電位接続部２８Ｂは、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における他方端の第３の電極指２７に位置している。第２の電位接続部２８Ｂは、接続配線を介して、基準電位に接続される。
　第３の電位接続部２８Ｃは、基準電位電極１９の、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における両端の２本の第３の電極指２７の間の部分に位置している。具体的には、第３の電位接続部２８Ｃは、複数の第３の電極指２７のうち、電極指配列方向における中央の２本の第３の電極指２７を接続している接続電極２４に位置している。より具体的には、該接続電極２４は、隣り合う第３の電極指２７の第２のバスバー２３側の先端部同士を接続している。第３の電位接続部２８Ｃは、該接続電極２４の一部として構成されている。第３の電位接続部２８Ｃは、接続配線を介して、基準電位に接続される。
　なお、各電位接続部の位置は上記に限定されない。本実施形態では、第１の電位接続部２８Ａ、第２の電位接続部２８Ｂ及び第３の電位接続部２８Ｃは、互いに異なる接続配線に接続されている。もっとも、複数の電位接続部は、同じ接続配線に接続されていてもよい。
　接続配線は、弾性波装置１０の外部の基準電位に電気的に接続されればよい。例えば、弾性波装置１０が実装基板に実装される場合には、接続配線が、他の配線、電極パッドや導電性接合剤などを介して、実装基板に電気的に接続されていればよい。この場合には、接続配線は、実装基板などを介して、外部の基準電位に電気的に接続されればよい。なお、導電性接合剤は、例えば、バンプや導電性接着剤である。
　弾性波装置１０は、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成された弾性波共振子である。図２に示すように、弾性波装置１０は、複数の励振領域Ｃを有する。複数の励振領域Ｃにおいて、厚み滑りモードのバルク波や、他のモードの弾性波が励振される。なお、図２においては、複数の励振領域Ｃのうち２つの励振領域Ｃのみを示している。
　全ての励振領域Ｃのうち一部の複数の励振領域Ｃは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間の領域である。残りの複数の励振領域Ｃは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間の領域である。これらの励振領域Ｃが、電極指直交方向において並んでいる。なお、励振領域Ｃは、機能電極１１の構成に基づいて定義される、圧電層１４の領域である。
　本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）第１の櫛形電極１７の第１の電極指２５と、第２の櫛形電極１８の第２の電極指２６との間に、基準電位電極１９の第３の電極指２７が設けられていること。２）基準電位電極１９が、少なくとも３箇所の複数の電位接続部を有すること。それによって、弾性波装置１０がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ弾性波装置１０の電気抵抗を低くすることができる。これを以下において説明する。
　弾性波装置１０の通過特性及び反射特性の一例を図４により示す。
　図４は、第１の実施形態に係る弾性波装置の通過特性及び反射特性を示す図である。なお、図４は、ＦＥＭ（Ｆｉｎｉｔｅ　Ｅｌｅｍｅｎｔ　Ｍｅｔｈｏｄ）シミュレーションによる結果を示す。
　図４に示すように、１個の弾性波装置１０においても、フィルタ波形を好適に得られることがわかる。弾性波装置１０は音響結合型フィルタである。より詳細には、図２に示すように、弾性波装置１０は、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間に位置する励振領域Ｃと、隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間に位置する励振領域Ｃとを有する。これらの励振領域Ｃにおいて、厚み滑りモードのバルク波を含む複数のモードの弾性波が励振される。これらのモードを結合させることにより、１個の弾性波装置１０においても、フィルタ波形を好適に得ることができる。
　弾性波共振子として弾性波装置１０をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置を構成する弾性波共振子が１個、あるいは少ない個数でもフィルタ波形を好適に得ることができる。よって、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
　加えて、図２に示すように、本実施形態においては、基準電位電極１９は３箇所の電位接続部を有する。これにより、基準電位電極１９の電気抵抗を低くすることができ、弾性波装置１０の電気抵抗を低くすることができる。この詳細を、本実施形態及び参考例を比較することにより、以下において説明する。
　図５に示す参考例は、基準電位電極１０９の構成において第１の実施形態と異なる。具体的には、基準電位電極１０９は、２箇所のみの電位接続部１０８を有する。基準電位電極１０９は、第１の実施形態と同様に、複数の接続電極２４と、複数の第３の電極指２７とを有する。基準電位電極１０９は、ミアンダ状の形状を有する。２箇所の電位接続部１０８は、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における両端の２本の第３の電極指２７に位置している。なお、参考例の弾性波装置１００は、１対の櫛形電極を有する。１対の櫛形電極の間に、基準電位電極１０９の一部が設けられている。
　基準電位電極１０９においては、双方の電位接続部１０８の間に、複数の接続電極２４及び複数の第３の電極指２７が含まれている。そのため、基準電位電極１０９における、２箇所の電位接続部１０８間の部分の長さは長い。さらに、１本以外の複数の第３の電極指２７、及び複数の接続電極２４は、１対の櫛形電極の間に設けられている。そのため、複数の第３の電極指２７及び複数の接続電極２４の幅は狭い。よって、基準電位電極１０９の電気抵抗が高い。
　なお、基準電位電極１０９の長さは、複数の第３の電極指２７の長さ及び複数の接続電極２４の長さの合計である。第３の電極指２７の長さとは、第３の電極指２７の電極指延伸方向に沿う寸法である。接続電極２４の長さとは、接続電極２４が延びる方向に沿う寸法である。参考例や第１の実施形態では、接続電極２４が延びる方向は、電極指直交方向と平行である。第３の電極指２７の幅は、第３の電極指２７の電極指直交方向に沿う寸法である。接続電極２４の幅は、接続電極２４が延びる方向と直交する方向に沿う寸法である。本発明における基準電位電極においても、上記の各長さ及び各幅は同様に定義される。
　参考例に対して、図２に示す第１の実施形態では、基準電位電極１９が３箇所の電位接続部を有する。そのため、少なくとも１箇所の電位接続部は、基準電位電極１９の、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における両端の２本の第３の電極指２７の間の部分に位置している。それによって、基準電位電極１９における、電位接続部間の部分の長さを短くすることができる。
　より詳細には、基準電位電極１９は、電位接続部間の部分を２つ有する。一方の電位接続部間の部分は、第１の電位接続部２８Ａ及び第３の電位接続部２８Ｃの間の部分である。他方の電位接続部間の部分は、第２の電位接続部２８Ｂ及び第３の電位接続部２８Ｃの間の部分である。これにより、電位接続部間の部分が１つである場合よりも、各電位接続部間の部分の長さを短くすることができる。それによって、基準電位電極１９の電気抵抗を低くすることができる。従って、弾性波装置１０の電気抵抗を低くすることができる。
　なお、ここでいう弾性波装置１０の電気抵抗は、いわゆる直列抵抗である。弾性波装置１０の直列抵抗は、弾性波装置１０がフィルタ装置に用いられる場合において、弾性波装置１０が他の素子と直列に接続される際の、弾性波装置１０の電気抵抗である。
　以下において、第１の実施形態の構成をより詳細に説明する。
　図２に示すように、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における両端の２本の第３の電極指２７は、第２の櫛形電極１８の電極指直交方向における両端部よりも、電極指直交方向において外側に位置している。第１の電位接続部２８Ａ及び第２の電位接続部２８Ｂに接続されている各接続配線は、第２の櫛形電極１８の上記両端部よりも、電極指直交方向における外側を通っている。
　一方で、第３の電位接続部２８Ｃは、第１の櫛形電極１７の電極指直交方向における両端部、及び第２の櫛形電極１８の電極指直交方向における両端部よりも、電極指直交方向において内側に位置している。ここで、第１の実施形態では、第２のバスバー２３が、２つの分割バスバー部２３Ａ及び分割バスバー部２３Ｂに分割されている。分割バスバー部２３Ａ及び分割バスバー部２３Ｂは、電極指直交方向において、ギャップを隔てて互いに対向している。第３の電位接続部２８Ｃに接続されている接続配線は、分割バスバー部２３Ａ及び分割バスバー部２３Ｂの間を通り、基準電位に接続される。
　各電位接続部の位置は特に限定されない。もっとも、第１の電位接続部２８Ａ及び第２の電位接続部２８Ｂは、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における両端の２本の第３の電極指２７に位置していることが好ましい。それによって、第１の電位接続部２８Ａ及び第２の電位接続部２８Ｂの接続配線を、基準電位に容易に接続することができる。
　なお、接続配線は、第１の櫛形電極１７及び第２の櫛形電極１８の外側に位置している部分を有し、かつ弾性波の励振には寄与しない。よって、接続配線の幅を広くすることができる。従って、接続配線の電気抵抗を容易に低くすることができる。
　図１に示すように、支持部材１３は、支持基板１６と絶縁層１５とからなる。圧電性基板１２は、支持基板１６と、絶縁層１５と、圧電層１４との積層体である。すなわち、圧電層１４及び支持部材１３は、圧電層１４の第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂが対向している方向から見たときに、重なっている。
　支持基板１６の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層１５の材料としては、酸化ケイ素または酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。圧電層１４は、例えば、ＬｉＮｂＯ３層などのニオブ酸リチウム層またはＬｉＴａＯ３層などのタンタル酸リチウム層である。
　絶縁層１５には凹部が設けられている。絶縁層１５上に、凹部を塞ぐように、圧電層１４が設けられている。これにより、中空部が構成されている。この中空部が空洞部１０ａである。第１の実施形態では、支持部材１３の一部及び圧電層１４の一部が、空洞部１０ａを挟み互いに対向するように、支持部材１３と圧電層１４とが配置されている。もっとも、支持部材１３における凹部は、絶縁層１５及び支持基板１６にわたり設けられていてもよい。あるいは、支持基板１６のみに設けられた凹部が、絶縁層１５により塞がれていてもよい。凹部は圧電層１４に設けられていても構わない。なお、空洞部１０ａは、支持部材１３に設けられた貫通孔であってもよい。
　空洞部１０ａは、本発明における音響反射部である。音響反射部により、弾性波のエネルギーを圧電層１４側に効果的に閉じ込めることができる。音響反射部は、平面視において、支持部材１３における、機能電極１１の少なくとも一部と重なる位置に設けられていればよい。より具体的には、平面視において、第１の電極指２５、第２の電極指２６及び第３の電極指２７のそれぞれの少なくとも一部が、音響反射部と重なっていればよい。平面視において、複数の励振領域Ｃが、音響反射部と重なっていることが好ましい。
　本明細書において平面視とは、図１における上方に相当する方向から、支持部材１３及び圧電層１４の積層方向に沿って見ることをいう。なお、図１においては、例えば、支持基板１６側及び圧電層１４側のうち、圧電層１４側が上方である。さらに、本明細書において平面視は、主面対向方向から見ることと同義であるとする。主面対向方向とは、圧電層１４の第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂが対向し合う方向である。より具体的には、主面対向方向は、例えば、第１の主面１４ａの法線方向である。
　なお、音響反射部は、後述する、音響多層膜などの音響反射膜であってもよい。例えば、支持部材の表面上に、音響反射膜が設けられていてもよい。
　第１の実施形態では、隣り合う複数対の第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間距離と、隣り合う複数対の第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間距離とは、いずれも同じである。この場合、圧電層１４の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましい。ｄ／ｐが０．２４以下であることがより好ましい。これにより、厚み滑りモードのバルク波が好適に励振される。
　もっとも、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間距離と、隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間距離とは、一定ではなくともよい。この場合には、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７の中心間距離、並びに隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７の中心間距離のうち、最も長い距離をｐとすることが好ましい。この場合において、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましく、ｄ／ｐが０．２４以下であることがより好ましい。なお、本発明の弾性波装置は、必ずしも厚み滑りモードを利用可能に構成されていなくともよい。
　図２に示すように、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第１の電極指２５及び第３の電極指２７、または隣り合う第２の電極指２６及び第３の電極指２７が重なり合っている領域が、交叉領域Ｅである。交叉領域Ｅは、複数の励振領域Ｃを含む。本発明に係る弾性波装置は、板波を利用可能に構成されていてもよい。この場合には、励振領域は交叉領域Ｅである。なお、交叉領域Ｅは、機能電極１１の構成に基づいて定義される、圧電層１４の領域である。
　なお、機能電極１１において、基準電位電極１９を除いた構成は、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極の構成と同様である。交叉領域Ｅは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第１の電極指２５及び第２の電極指２６が重なり合っている領域であるともいえる。
　基準電位電極１９の各接続電極２４は、励振領域Ｃの、電極指延伸方向における外側に設けられている。第１の実施形態では、基準電位電極１９において、全ての隣り合う第３の電極指２７同士が、接続電極２４により接続されている。もっとも、必ずしも、全ての隣り合う第３の電極指２７が、接続電極２４により接続されていなくともよい。
　第２のバスバー２３は、分割バスバー部２３Ａ及び分割バスバー部２３Ｂを有する。他方、第１のバスバー２２は分割されていない。なお、第１のバスバー２２及び第２のバスバー２３の構成は上記に限定されない。もっとも、第１のバスバー２２及び第２のバスバー２３のうち少なくとも一方が分割されており、かつ複数の分割バスバー部を有することが好ましい。それによって、電位接続部に接続されている接続配線が、分割バスバー部間を通っている構成とすることができる。よって、該接続配線を基準電位に容易に接続することができる。
　第１の実施形態においては、圧電層１４はニオブ酸リチウム層である。具体的には、圧電層１４の材料として、回転ＹカットのＬｉＮｂＯ３が用いられている。この場合、弾性波装置１０の比帯域は、圧電層１４に用いられているニオブ酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）に依存する。比帯域とは、共振周波数をｆｒ、反共振周波数をｆａとしたときに、（｜ｆａ－ｆｒ｜／ｆｒ）×１００［％］により表される。
　ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合における、弾性波装置１０の比帯域と、圧電層１４のオイラー角（φ，θ，ψ）との関係を導出した。なお、オイラー角におけるφは０°とした。
　図６は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。
　図６のハッチングを付して示した領域Ｒが、少なくとも２％以上の比帯域が得られる領域である。領域Ｒの範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。なお、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±１０°以内の範囲である場合には、θ及びψと、比帯域との関係は、図６に示す関係と同様である。圧電層１４がタンタル酸リチウム層である場合も、オイラー角（０°±１０°の範囲内，θ，ψ）におけるθ及びψと、比帯域との関係は、図６に示す関係と同様である。
　（０°±１０°の範囲内，０°～２５°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°の範囲内，２５°～１００°，０°～７５°［（１－（θ－５０）２／２５００）］１／２　または　１８０°－７５°［（１－（θ－５０）２／２５００）］１／２～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°の範囲内，１８０°－４０°［（１－（ψ－９０）２／８１００）］１／２～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角の範囲であることが好ましい。それによって、比帯域を十分に広くすることができる。これにより、弾性波装置１０をフィルタ装置に好適に用いることができる。
　図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　本実施形態は、基準電位電極３９が５箇所の電位接続部を有する点において、第１の実施形態と異なる。本実施形態は、第１のバスバー３２が、３つの分割バスバー部３２Ａ、分割バスバー部３２Ｂ及び分割バスバー部３２Ｃに分割されている点においても、第１の実施形態と異なる。分割バスバー部３２Ａ及び分割バスバー部３２Ｂは、電極指直交方向において、ギャップを隔てて互いに対向している。分割バスバー部３２Ｂ及び分割バスバー部３２Ｃは、電極指直交方向において、ギャップを隔てて互いに対向している。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置３０は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。なお、第２のバスバー２３は、第１の実施形態と同様に、２つの分割バスバー部２３Ａ及び分割バスバー部２３Ｂを有する。
　基準電位電極３９の５箇所の電位接続部は、具体的には、第１の電位接続部３８Ａ、第２の電位接続部３８Ｂ及び３箇所の第３の電位接続部である。３箇所の第３の電位接続部は、具体的には、第３の電位接続部３８Ｃ、第３の電位接続部３８Ｄ及び第３の電位接続部３８Ｅである。第１の電位接続部３８Ａ及び第２の電位接続部３８Ｂは、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における両端の２本の第３の電極指２７に位置している。
　一方で、３箇所の第３の電位接続部は、基準電位電極３９における、該２本の第３の電極指２７の間の部分に位置している。より具体的には、第３の電位接続部３８Ｃは、隣り合う第３の電極指２７の第２のバスバー２３側の先端部同士を接続している接続電極２４に位置している。他方、第３の電位接続部３８Ｄ及び第３の電位接続部３８Ｅはそれぞれ、隣り合う第３の電極指２７の第１のバスバー３２側の先端部同士を接続している接続電極２４に位置している。
　第３の電位接続部３８Ｃは、第３の電位接続部３８Ｄ及び第３の電位接続部３８Ｅの間に位置している。第３の電位接続部３８Ｃは、より具体的には、複数の第３の電極指２７のうち、電極指直交方向における中央の２本の第３の電極指２７を接続している接続電極２４に位置している。もっとも、各電位接続部の位置は上記に限定されない。
　５箇所の電位接続部はそれぞれ、接続配線を介して基準電位に接続される。具体的には、第１の電位接続部３８Ａ及び第２の電位接続部３８Ｂに接続されている各接続配線は、第２の櫛形電極１８の電極指直交方向における両端部よりも、電極指直交方向において外側を通っている。
　第３の電位接続部３８Ｄに接続されている接続配線は、第１のバスバー３２の分割バスバー部３２Ａ及び分割バスバー部３２Ｂの間を通っている。第３の電位接続部３８Ｅに接続されている接続配線は、第１のバスバー３２の分割バスバー部３２Ｂ及び分割バスバー部３２Ｃの間を通っている。
　本実施形態においては、基準電位電極３９が５箇所の電位接続部を有する。これにより、電位接続部間の部分の長さを効果的に短くすることができる。それによって、基準電位電極３９の電気抵抗を効果的に低くすることができ、弾性波装置３０の電気抵抗を効果的に低くすることができる。
　図８は、第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　本実施形態は、基準電位電極４９において、全ての隣り合う第３の電極指２７のうち一部の第３の電極指２７同士が、接続電極２４により接続されていない点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置４０は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。
　基準電位電極４９は複数の電極部を有する。本実施形態の複数の電極部は、具体的には、第１の電極部４６Ａ、第２の電極部４６Ｂ及び第３の電極部４６Ｃである。各電極部は、複数の第３の電極指２７及び少なくとも１つの接続電極２４を含む。電極部同士は、互いに接続電極２４により接続されていない。すなわち、基準電位電極４９は、複数の電極部に分割されている。
　各電極部は電位接続部を有する。具体的には、第１の電極部４６Ａは、複数の電極部のうち、電極指直交方向における一方端に位置している。第１の電極部４６Ａは第１の電位接続部２８Ａを有する。第２の電極部４６Ｂは、複数の電極部のうち、電極指直交方向における他方端に位置している。第２の電極部４６Ｂは第２の電位接続部２８Ｂを有する。第３の電極部４６Ｃは、第１の電極部４６Ａ及び第２の電極部４６Ｂの間に位置している。第３の電極部４６Ｃは第３の電位接続部２８Ｃを有する。
　各電極部は、各電位接続部において、基準電位に接続される。より具体的には、各電極部は、各電位接続部に接続されている接続配線を介して、基準電位に接続される。
　基準電位電極４９においては、各電極部が端部を有する。電極部の端部とは、第３の電極指２７の、接続電極２４または接続配線などに接続されていない端部である。
　本実施形態では、基準電位電極４９は複数の電極部に分割されている。そのため、基準電位電極４９の全ての第３の電極指２７及び全ての接続電極２４の長さの合計と比較して、各電極部の長さは短い。よって、各電極部において、電位接続部から電極部の端部までの長さは短い。これにより、基準電位電極４９の電気抵抗を効果的に低くすることができ、弾性波装置４０の電気抵抗を効果的に低くすることができる。なお、電極部の長さは、電極部における全ての第３の電極指２７の長さ及び全ての接続電極２４の長さの合計である。
　図９は、第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　本実施形態は、基準電位電極５９において、全ての隣り合う第３の電極指２７のうち一部の第３の電極指２７同士が、接続電極２４により接続されていない点において、第２の実施形態と異なる。具体的には、基準電位電極５９は５個の電極部に分割されている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置５０は第２の実施形態の弾性波装置３０と同様の構成を有する。
　なお、第１のバスバー３２及び第２のバスバー２３はそれぞれ、第２の実施形態と同様に、複数の分割バスバー部を有する。より具体的には、第１のバスバー３２は、３つの分割バスバー部３２Ａ、分割バスバー部３２Ｂ及び分割バスバー部３２Ｃを有する。第２のバスバー２３は、２つの分割バスバー部２３Ａ及び分割バスバー部２３Ｂを有する。
　基準電位電極５９は、第２の実施形態と同様に配置された、５箇所の電位接続部を有する。５箇所の電位接続部は、具体的には、第１の電位接続部３８Ａ、第２の電位接続部３８Ｂ及び３箇所の第３の電位接続部である。３箇所の第３の電位接続部は、具体的には、第３の電位接続部３８Ｃ、第３の電位接続部３８Ｄ及び第３の電位接続部３８Ｅである。
　本実施形態においては、基準電位電極５９は５個の電極部を有する。本実施形態の５個の電極部は、具体的には、第１の電極部５６Ａ、第２の電極部５６Ｂ及び３個の第３の電極部である。３個の第３の電極部は、具体的には、第３の電極部５６Ｃ、第３の電極部５６Ｄ及び第３の電極部５６Ｅである。
　第１の電極部５６Ａは、複数の電極部のうち、電極指直交方向における一方端に位置している。第１の電極部５６Ａは第１の電位接続部３８Ａを有する。第２の電極部５６Ｂは、複数の電極部のうち、電極指直交方向における他方端に位置している。第２の電極部５６Ｂは第２の電位接続部３８Ｂを有する。
　第３の電極部５６Ｃ、第３の電極部５６Ｄ及び第３の電極部５６Ｅは、第１の電極部５６Ａ及び第２の電極部５６Ｂの間に位置している。さらに、第３の電極部５６Ｃは、第３の電極部５６Ｄ及び第３の電極部５６Ｅの間に位置している。第３の電極部５６Ｃは第３の電位接続部３８Ｃを有する。第３の電極部５６Ｄは第３の電位接続部３８Ｄを有する。第３の電極部５６Ｅは第３の電位接続部３８Ｅを有する。
　各電極部は、各電位接続部に接続されている接続配線を介して、基準電位に接続される。具体的には、第１の電位接続部３８Ａ及び第２の電位接続部３８Ｂに接続されている各接続配線は、第２の櫛形電極１８の電極指直交方向における両端部よりも、電極指直交方向において外側を通っている。
　第３の電位接続部３８Ｃに接続されている接続配線は、第２のバスバー２３の分割バスバー部２３Ａ及び分割バスバー部２３Ｂの間を通っている。第３の電位接続部３８Ｄに接続されている接続配線は、第１のバスバー３２の分割バスバー部３２Ａ及び分割バスバー部３２Ｂの間を通っている。第３の電位接続部３８Ｅに接続されている接続配線は、第１のバスバー３２の分割バスバー部３２Ｂ及び分割バスバー部３２Ｃの間を通っている。
　なお、基準電位電極５９の電極部の個数、及び電位接続部の箇所数は上記に限定されない。同様に、第１のバスバー３２及び第２のバスバー２３の分割数も上記に限定されない。
　本実施形態では、基準電位電極５９は複数の電極部に分割されている。そのため、基準電位電極５９の全ての第３の電極指２７及び全ての接続電極２４の長さの合計と比較して、各電極部の長さは短い。よって、各電極部において、電位接続部から電極部の端部までの長さは短い。これにより、基準電位電極５９の電気抵抗を効果的に低くすることができ、弾性波装置５０の電気抵抗を効果的に低くすることができる。
　以下において、機能電極がＩＤＴ電極である例を用いて、厚み滑りモードの詳細を説明する。なお、ＩＤＴ電極は第３の電極指を有しない。後述するＩＤＴ電極における「電極」は、電極指に相当する。以下の例における支持部材は、本発明における支持基板に相当する。以下においては、基準電位をグラウンド電位と記載することもある。
　図１０（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１０（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図１１は、図１０（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、４０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交叉する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交叉する方向において対向しているともいえる。また、電極３，４の長さ方向が図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において電極３，４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、弾性波装置１では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°の範囲内）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図１１に示すように、貫通孔７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。支持部材８を構成するＳｉは、抵抗率４ｋΩｃｍ以上の高抵抗であることが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。
　支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。弾性波装置１では、電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側の反射器における電極指の本数を少なくしても、伝搬ロスが少ないためである。また、上記電極指の本数を少なくできるのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）を参照して説明する。
　図１２（ａ）は、日本公開特許公報　特開２０１２－２５７０１９号公報に記載のような弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。ここでは、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図１２（ａ）に示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図１２（ｂ）に示すように、弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器の電極指の本数を少なくしても、伝搬損失は生じ難い。さらに、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図１３に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図１３では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要はない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。弾性波装置１では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図１４は、図１１に示す弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に見たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　弾性波装置１では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図１４から明らかなように、反射器を有しないにも関わらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、弾性波装置１では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図１５を参照して説明する。
　図１４に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図１５は、このｄ／ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図１５から明らかなように、ｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　図１６は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。弾性波装置８０では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図１６中のＫが交叉幅となる。前述したように、本発明の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に見たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図１７及び図１８を参照して説明する。図１７は、上記弾性波装置１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１０（ｂ）を参照して説明する。図１０（ｂ）の電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に見たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図１８は弾性波装置１の構成に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図１８は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図１８中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図１８から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図１７に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１９は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図１９の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１９中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図２０は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図２０において示す、ハッチングを付して示した複数の領域Ｒがそれぞれ、２％以上の比帯域が得られる領域である。なお、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±５°の範囲内である場合には、θ及びψと比帯域との関係は、図２０に示す関係と同様である。圧電層がタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなる場合においても、オイラー角（０°±５°の範囲内，θ，ψ）におけるθ及びψと、ＢＷとの関係は、図２０に示す関係と同様である。
　従って、圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±５°の範囲内であり、θ及びφが、図２０に示す複数の領域Ｒのいずれかの範囲内であれば、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図２１は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置８１では、圧電層２の第２の主面２ｂに音響多層膜８２が積層されている。音響多層膜８２は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄとの積層構造を有する。音響多層膜８２を用いた場合、弾性波装置１における空洞部９を用いずとも、厚み滑りモードのバルク波を圧電層２内に閉じ込めることができる。弾性波装置８１においても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑りモードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜８２においては、その低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅ及び高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄの積層数は特に限定されない。低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅよりも、少なくとも１層の高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄが圧電層２から遠い側に配置されておりさえすればよい。
　上記低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅ及び高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅの材料としては、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素または金属などを挙げることができる。
　図２２は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
　弾性波装置９１は、支持基板９２を有する。支持基板９２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板９２上に圧電層９３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層９３上に、ＩＤＴ電極９４が設けられている。ＩＤＴ電極９４の弾性波伝搬方向両側に、反射器９５，９６が設けられている。図２２において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極９４は、第１，第２のバスバー９４ａ，９４ｂと、複数本の第１の電極指９４ｃ及び複数本の第２の電極指９４ｄとを有する。複数本の第１の電極指９４ｃは、第１のバスバー９４ａに接続されている。複数本の第２の電極指９４ｄは、第２のバスバー９４ｂに接続されている。複数本の第１の電極指９４ｃと、複数本の第２の電極指９４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置９１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極９４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器９５，９６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　このように、本発明の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。なお、図２２に示す例では、図１などに示す圧電層１４の第１の主面１４ａに相当する主面に、ＩＤＴ電極９４、反射器９５及び反射器９６が設けられている。一方で、本発明の弾性波装置では、第１の主面１４ａに１対の櫛形電極及び複数の第３の電極指が設けられている。本発明の弾性波装置が板波を利用するものである場合、第１～第４の実施形態における圧電層１４の第１の主面１４ａに、１対の櫛形電極及び複数の第３の電極指と、上記反射器９５及び反射器９６とが設けられていればよい。この場合、１対の櫛形電極及び複数の第３の電極指を、電極指直交方向において、反射器９５及び反射器９６が挟んでいればよい。
　第１～第４の実施形態の弾性波装置においては、例えば、支持部材及び圧電層の間に、音響反射膜としての、図２１に示す音響多層膜８２が設けられていてもよい。具体的には、支持部材の少なくとも一部及び圧電層の少なくとも一部が、音響多層膜８２を挟み互いに対向するように、支持部材と圧電層とが配置されていてもよい。この場合、音響多層膜８２において、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とが交互に積層されていればよい。音響多層膜８２が、弾性波装置における音響反射部であってもよい。
　厚み滑りモードのバルク波を利用する第１～第４の実施形態における弾性波装置においては、上記のように、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましく、０．２４以下であることがより好ましい。それによって、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　さらに、厚み滑りモードのバルク波を利用する第１～第４の実施形態における弾性波装置の励振領域においては、上記のように、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。より具体的には、励振領域に対する、第１の電極指及び第３の電極指、並びに第２の電極指及び第３の電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。この場合には、スプリアスをより確実に抑制することができる。
１…弾性波装置
２…圧電層
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３，４…電極
５，６…第１，第２のバスバー
７…絶縁層
７ａ…貫通孔
８…支持部材
８ａ…貫通孔
９…空洞部
１０…弾性波装置
１０ａ…空洞部
１１…機能電極
１２…圧電性基板
１３…支持部材
１４…圧電層
１４ａ，１４ｂ…第１，第２の主面
１５…絶縁層
１６…支持基板
１７，１８…第１，第２の櫛形電極
１９…基準電位電極
２２，２３…第１，第２のバスバー
２３Ａ，２３Ｂ…分割バスバー部
２４…接続電極
２５～２７…第１～第３の電極指
２８Ａ，２８Ｂ…第１，第２の電位接続部
２８Ｃ…第３の電位接続部
３０…弾性波装置
３２…第１のバスバー
３２Ａ～３２Ｃ…分割バスバー部
３８Ａ，３８Ｂ…第１，第２の電位接続部
３８Ｃ～３８Ｅ…第３の電位接続部
３９…基準電位電極
４０…弾性波装置
４６Ａ～４６Ｃ…第１～第３の電極部
４９…基準電位電極
５０…弾性波装置
５６Ａ，５６Ｂ…第１，第２の電極部
５６Ｃ～５６Ｅ…第３の電極部
５９…基準電位電極
８０，８１…弾性波装置
８２…音響多層膜
８２ａ，８２ｃ，８２ｅ…低音響インピーダンス層
８２ｂ，８２ｄ…高音響インピーダンス層
９１…弾性波装置
９２…支持基板
９３…圧電層
９４…ＩＤＴ電極
９４ａ，９４ｂ…第１，第２のバスバー
９４ｃ，９４ｄ…第１，第２の電極指
９５，９６…反射器
１００…弾性波装置
１０８…電位接続部
１０９…基準電位電極
２０１…圧電膜
２０１ａ，２０１ｂ…第１，第２の主面
４５１，４５２…第１，第２領域
Ｃ…励振領域
Ｅ…交叉領域
Ｒ…領域
ＶＰ１…仮想平面

Claims (14)

  1. 　圧電層と、
    　前記圧電層上に設けられており、第１のバスバーと、前記第１のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第１の電極指と、を有し、入力電位に接続される第１の櫛形電極と、
    　前記圧電層上に設けられており、第２のバスバーと、前記第２のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指と、を有し、出力電位に接続される第２の櫛形電極と、
    　前記第１の電極指及び前記第２の電極指が並ぶ方向において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層上に設けられている複数の第３の電極指と、隣り合う前記第３の電極指同士を接続している複数の接続電極と、を有し、かつ前記第１の櫛形電極及び前記第２の櫛形電極の間に少なくとも一部が設けられており、基準電位に接続される、基準電位電極と、
    を備え、
    　前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が並んでいる順序が、前記第１の電極指から開始した場合において、前記第１の電極指、前記第３の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指を１周期とする順序であり、
    　前記基準電位電極が、基準電位に接続される、少なくとも３箇所の複数の電位接続部を有する、弾性波装置。
  2. 　前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、前記基準電位電極の前記複数の電位接続部が、前記複数の第３の電極指のうち前記電極指直交方向における両端の２本の第３の電極指と、該２本の第３の電極指の間の部分とに位置している、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記基準電位電極において、全ての隣り合う前記第３の電極指同士が、前記接続電極により接続されている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記基準電位電極において、全ての隣り合う前記第３の電極指のうち一部の第３の電極指同士が、前記接続電極により接続されておらず、前記基準電位電極が、互いに前記接続電極により接続されていない、複数の電極部を有し、
    　各前記電極部が前記電位接続部を有する、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記圧電層上に設けられており、前記基準電位電極の前記電位接続部に接続されている接続配線をさらに備え、
    　前記電位接続部が、前記接続配線を介して基準電位に接続され、
    　前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち少なくとも一方が分割されており、かつ複数の分割バスバー部を有し、
    　前記分割バスバー部間を、前記接続配線が通っている、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記圧電層に積層されている支持部材をさらに備え、
    　前記支持部材及び前記圧電層の積層方向に沿って見た平面視において、前記支持部材における、前記複数の第１の電極指、前記複数の第２の電極指及び前記複数の第３の電極指と重なる位置に音響反射部が形成されており、
    　隣り合う前記第１の電極指及び前記第３の電極指の中心間距離、並びに、隣り合う前記第２の電極指及び前記第３の電極指の中心間距離のうち、最も長い距離をｐとした場合において、前記圧電層の厚みをｄとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記音響反射部が空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、請求項８または９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、請求項８または９に記載の弾性波装置。
  12. 　前記第１の電極指、前記第２の電極指及び前記第３の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う前記第１の電極指及び前記第３の電極指が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記第１の電極指及び前記第３の電極指の中心間の領域、並びに、隣り合う前記第２の電極指及び前記第３の電極指が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記第２の電極指及び前記第３の電極指の中心間の領域が励振領域であり、
    　前記励振領域に対する、前記第１の電極指及び前記第３の電極指、並びに前記第２の電極指及び前記第３の電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項８～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１３に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°の範囲内，０°～２５°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°の範囲内，２５°～１００°，０°～７５°［（１－（θ－５０）２／２５００）］１／２　または　１８０°－７５°［（１－（θ－５０）２／２５００）］１／２～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°の範囲内，１８０°－４０°［（１－（ψ－９０）２／８１００）］１／２～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
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