WO2023190654A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2023190654A1
WO2023190654A1 PCT/JP2023/012752 JP2023012752W WO2023190654A1 WO 2023190654 A1 WO2023190654 A1 WO 2023190654A1 JP 2023012752 W JP2023012752 W JP 2023012752W WO 2023190654 A1 WO2023190654 A1 WO 2023190654A1
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WO
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mass
electrode
electrode fingers
wave device
elastic wave
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/012752
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
克也 大門
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • the plate wave mode and its harmonics become strong unnecessary waves. Therefore, when the elastic wave device is used in a filter device, the filter characteristics may deteriorate.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device that can suppress unnecessary waves.
  • An elastic wave device includes a support member including a support substrate, a piezoelectric layer provided on the support member, a pair of bus bars provided on the piezoelectric layer and facing each other, and a plurality of an IDT electrode having electrode fingers, and a plurality of mass adding films provided on the plurality of electrode fingers;
  • An acoustic reflecting portion is provided in the supporting member at a position overlapping with at least a portion of the IDT electrode, and when the thickness of the piezoelectric layer is d and the distance between the centers of adjacent electrode fingers is p, d/ p is 0.5 or less, each of the plurality of electrode fingers has a base end connected to the bus bar and a tip end facing the base end, and the plurality of electrode fingers When viewed from a direction perpendicular to the electrode fingers, which is orthogonal to the direction in which the electrode fingers extend, the area where the adjacent electrode fingers overlap is an intersection area, and the intersection area includes a central area, and a first edge region and a second edge
  • a mass-adding film forming section is constituted by only the plurality of mass-adding films, and the thickness of at least a portion of the mass-adding film forming section is such that the thickness of at least a portion of the mass-adding film forming section is at least one of the direction orthogonal to the electrode finger and the direction in which the electrode finger extends. It's changing.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing admittance frequency characteristics in the third embodiment of the present invention and a comparative example.
  • FIG. 6 is a diagram showing admittance frequency characteristics in a region lower than the resonance frequency in the third embodiment of the present invention and a comparative example.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan
  • FIG. 7 is a diagram showing admittance frequency characteristics in a region higher than the anti-resonance frequency in the third embodiment of the present invention and a comparative example.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a circuit diagram of a filter device according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 13(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 13(a).
  • FIG. 15(a) is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through the piezoelectric film of an acoustic wave device
  • FIG. FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining a mode of bulk waves.
  • FIG. 16 is a diagram showing the amplitude direction of the bulk wave in the thickness shear mode.
  • FIG. 17 is a diagram showing the resonance characteristics of an elastic wave device that uses bulk waves in thickness-shear mode.
  • FIG. 18 is a diagram showing the relationship between d/p and the fractional band of a resonator, where p is the distance between the centers of adjacent electrodes, and d is the thickness of the piezoelectric layer.
  • FIG. 19 is a plan view of an elastic wave device that uses thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 20 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device of the reference example in which spurious signals appear.
  • FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the fractional band and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • FIG. 22 is a diagram showing the relationship between d/2p and metallization ratio MR.
  • FIG. 23 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 24 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • a mass-adding film which will be described later, is shown with hatching. The same applies to schematic plan views other than FIG. 1.
  • the acoustic wave device 10 includes a piezoelectric substrate 12 and an IDT electrode 11.
  • the piezoelectric substrate 12 includes a support member 13 and a piezoelectric layer 14.
  • the support member 13 includes a support substrate 16 and an insulating layer 15.
  • An insulating layer 15 is provided on the support substrate 16.
  • a piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15.
  • the support member 13 may be composed only of the support substrate 16.
  • the piezoelectric layer 14 has a first main surface 14a and a second main surface 14b.
  • the first main surface 14a and the second main surface 14b are opposed to each other.
  • the second main surface 14b is located on the support member 13 side.
  • the piezoelectric layer 14 is, for example, a lithium niobate layer, such as a LiNbO 3 layer, or a lithium tantalate layer, such as a LiTaO 3 layer.
  • a recess is provided in the insulating layer 15.
  • a piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15 so as to close the recess.
  • This hollow part is the hollow part 10a.
  • the support member 13 and the piezoelectric layer 14 are arranged such that a part of the support member 13 and a part of the piezoelectric layer 14 face each other with the cavity 10a in between.
  • the recess in the support member 13 may be provided across the insulating layer 15 and the support substrate 16.
  • the recess provided only in the support substrate 16 may be closed by the insulating layer 15.
  • the recess may be provided in the piezoelectric layer 14.
  • the cavity 10a may be a through hole provided in the support member 13.
  • the IDT electrode 11 is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14. In plan view, at least a portion of the IDT electrode 11 overlaps with the cavity 10a of the piezoelectric substrate 12. In this specification, planar view refers to viewing from a direction corresponding to the upper side in FIG. 2 along the lamination direction of the support member 13 and the piezoelectric layer 14. In addition, in FIG. 2, for example, of the support substrate 16 side and the piezoelectric layer 14 side, the piezoelectric layer 14 side is the upper side.
  • the IDT electrode 11 has a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers.
  • the pair of bus bars is a first bus bar 26 and a second bus bar 27.
  • the first bus bar 26 and the second bus bar 27 are opposed to each other.
  • the plurality of electrode fingers are a plurality of first electrode fingers 28 and a plurality of second electrode fingers 29.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 28 is connected to the first bus bar 26 .
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 29 is connected to the second bus bar 27 .
  • the plurality of first electrode fingers 28 and the plurality of second electrode fingers 29 are inserted into each other.
  • the IDT electrode 11 may be made of a single layer metal film or may be made of a laminated metal film.
  • first bus bar 26 and the second bus bar 27 may be simply referred to as bus bars.
  • the first electrode finger 28 and the second electrode finger 29 may be simply referred to as electrode fingers.
  • Each electrode finger has a distal end and a proximal end.
  • the base end portion is a portion of the electrode finger that is connected to the bus bar.
  • the direction perpendicular to the electrode finger extending direction is defined as the electrode finger orthogonal direction.
  • the electrode finger opposing direction is parallel to the electrode finger orthogonal direction.
  • an area where adjacent electrode fingers overlap is an intersection area F.
  • the crossover region F is a region of the piezoelectric layer 14 defined based on the configuration of the IDT electrode 11.
  • the intersecting region F has a central region H and a pair of edge regions.
  • the pair of edge regions face each other with the center region H in between in the electrode finger extending direction.
  • the pair of edge regions is a first edge region Ea and a second edge region Eb.
  • the first edge region Ea is located on the first bus bar 26 side.
  • the second edge region Eb is located on the second bus bar 27 side.
  • the area located between the intersection area F and the pair of bus bars is a pair of gap areas.
  • the pair of gap regions is a first gap region Ga and a second gap region Gb.
  • the first gap region Ga is located between the first bus bar 26 and the first edge region Ea.
  • the second gap region Gb is located between the second bus bar 27 and the second edge region Eb.
  • Each gap region, like the intersection region F, is a region of the piezoelectric layer 14 defined based on the configuration of the IDT electrode 11.
  • the elastic wave device 10 of this embodiment is an elastic wave resonator configured to be able to utilize thickness-shear mode bulk waves. More specifically, in the acoustic wave device 10, where d is the thickness of the piezoelectric layer 14 and p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers, d/p is 0.5 or less. Thereby, bulk waves in thickness shear mode are suitably excited. Note that when viewed from the direction perpendicular to the electrode fingers, the excitation region C is a region where adjacent electrode fingers overlap and is a region between the centers of the adjacent electrode fingers. That is, the intersection region F includes a plurality of excitation regions C. In each excitation region C, a thickness-shear mode bulk wave is excited.
  • the cavity 10a shown in FIG. 2 is an acoustic reflection section in the present invention.
  • the acoustic reflection portion can effectively confine the energy of the elastic wave to the piezoelectric layer 14 side.
  • the acoustic reflecting portion may be provided at a position in the support member that overlaps at least a portion of the IDT electrode in plan view.
  • an acoustic reflection film such as an acoustic multilayer film, which will be described later, may be provided as an acoustic reflection portion on the surface of the support member.
  • the mass adding film 17 is provided on the plurality of electrode fingers.
  • the plurality of mass-adding films 17 include a plurality of mass-adding films 17 having mutually different thicknesses.
  • a plurality of mass adding films 17 having the same thickness are given the same hatching.
  • a plurality of mass adding films 17 having mutually different thicknesses are given different hatching.
  • one mass adding film 17 is provided on every electrode finger.
  • the mass adding film 17 is continuously provided from the base end side to the distal end side of the electrode finger.
  • the mass adding film 17 may be a mass adding film provided intermittently from the base end side to the distal end side of the electrode finger.
  • the mass-adding film 17 includes a plurality of film portions lined up in the direction in which the electrode fingers extend.
  • Each of the plurality of mass adding films 17 of the elastic wave device 10 shown in FIG. 1 overlaps only the intersection region F in plan view.
  • the plurality of mass-adding films 17 may overlap with a region outside the intersecting region F in the electrode finger extending direction in plan view. It is sufficient that at least a portion of each of the plurality of mass adding films 17 overlaps with the central region H in plan view.
  • a mass-adding film forming section 18 is constituted by only the plurality of mass-adding films 17.
  • the mass-adding film forming section 18 includes a plurality of portions arranged in a direction perpendicular to the electrode fingers. Note that these portions are a plurality of mass adding films 17. Therefore, each portion of the mass-adding film forming section 18 extends in the direction in which the electrode fingers extend. It should be pointed out that the thickness of the mass-adding film forming portion 18 is not defined in the portion where the mass-adding film 17 is not provided.
  • a feature of this embodiment is that the thickness of the mass-adding film forming portion 18 changes in the direction orthogonal to the electrode fingers. Thereby, the frequencies at which unnecessary waves are excited can be dispersed, and the overall intensity of unnecessary waves can be reduced. That is, unnecessary waves can be suppressed.
  • the thickness of at least a portion of the mass-adding film forming portion 18 changes in at least one of the direction orthogonal to the electrode fingers and the direction in which the electrode fingers extend. Thereby, unnecessary waves can be suppressed.
  • the mass adding film 17 does not necessarily have to be provided on all electrode fingers.
  • the plurality of electrode fingers may include electrode fingers in which the mass adding film 17 is not provided.
  • the mass adding films 17 are provided on adjacent electrode fingers, and the thicknesses of the mass adding films 17 provided on adjacent electrode fingers are different from each other. More preferably, the mass adding film 17 is provided on all electrode fingers. Thereby, unnecessary waves can be effectively suppressed.
  • the mass adding film 17 overlaps the entire portion of the crossing region F from one end to the other end in the electrode finger extending direction in plan view. In this case, unnecessary waves can be suppressed more reliably.
  • the mass adding film 17 may overlap with at least one of the pair of gap regions in a plan view. Furthermore, the mass adding film 17 may overlap the area where the bus bar is provided in a plan view. That is, the mass adding film 17 may extend from above the electrode finger to above the bus bar.
  • the mass adding film 17 provided on the first electrode finger 28 includes a central region H, a first edge region Ea, a second edge region Eb, a first gap region Ga and a It overlaps with the area where the first bus bar 26 is provided.
  • the mass adding film 17 provided on the second electrode finger 29 has a central region H, a first edge region Ea, a second edge region Eb, a second gap region Gb, and It overlaps with the area where the second bus bar 27 is provided.
  • each mass adding film 17 only needs to overlap the central region H in plan view.
  • the IDT electrode 11 is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the IDT electrode 11 may be provided on the first main surface 14a or the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • a plurality of mass adding films 17 may be provided on a plurality of electrode fingers in the IDT electrode 11. Even when the IDT electrode 11 is provided on the second main surface 14b, unnecessary waves can be suppressed similarly to the first embodiment.
  • the material of the mass adding film 17 for example, an appropriate dielectric or an appropriate metal can be used.
  • the mass adding film 17 is made of a dielectric material, it is preferable that the density of the mass adding film 17 is higher than the density of silicon oxide.
  • the mass adding film 17 is made of tantalum oxide or the like. Thereby, the thickness of the mass adding film 17 can be reduced. Thereby, variations in the shape of the mass adding film 17 can be suppressed.
  • the mass adding film 17 may be made of silicon oxide.
  • the mass-adding film 17 is made of a suitable metal, the thickness of the mass-adding film 17 can be reduced, and variations in the shape of the mass-adding film 17 can be suppressed.
  • a certain member when a certain member is made of a certain material, it includes a case where a minute amount of impurity is included to the extent that the electrical characteristics of the acoustic wave device are not significantly deteriorated.
  • the thickness of each mass adding film 17 is constant. In this case, the thickness of at least one of the plurality of mass-adding films 17 may be different from the thickness of the other mass-adding films 17 .
  • FIG. 2 shows an example in which the plurality of mass adding films 17 have two thicknesses. However, the plurality of mass adding films 17 may have three or more thicknesses.
  • each mass adding film 17 is constant.
  • the width of the mass-adding film 17 is a dimension of the mass-adding film 17 along the direction perpendicular to the electrode fingers. Note that the width of the mass adding film 17 does not necessarily have to be constant.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the thickness of the mass-adding film forming portion 18A changes in the electrode finger extending direction. This embodiment also differs from the first embodiment in that the thickness of the mass-adding film forming portion 18A does not change in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • each mass-adding film 17A changes in the electrode finger extending direction.
  • the thickness of the mass-adding film forming portion 18A changes in the electrode finger extending direction.
  • the mass adding film 17A has a first portion 37a and a pair of second portions 37b.
  • the pair of second portions 37b are opposed to each other with the first portion 37a in between in the electrode finger extending direction.
  • the thickness of the first portion 37a and the thickness of the second portion 37b are different from each other.
  • the mass adding film 17A has a stepped portion at the boundary between the first portion 37a and the second portion 37b. That is, the thickness of the mass adding film 17A changes in stages. Therefore, the thickness of the mass-adding film forming portion 18A changes stepwise in the electrode finger extending direction. However, the thickness of the mass adding film 17A may change continuously. Specifically, for example, the surface of the mass adding film 17A may have an inclined portion. In this case, the thickness of the mass-adding film forming portion 18A changes continuously in the electrode finger extending direction.
  • the thickness of at least a portion of the mass-adding film forming portion 18A changes in the electrode finger extending direction. That is, it is sufficient that the thickness of at least a portion of at least one mass-adding film 17A changes in the electrode finger extending direction.
  • the plurality of mass-adding films 17A may include a mass-adding film 17A having a constant thickness. In this case, the thickness of a part of the mass-adding film forming part 18A changes in the electrode finger extending direction, and the other part of the thickness does not change in the electrode finger extending direction.
  • the first portions 37a of the plurality of mass adding films 17A are lined up in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the second portions 37b of the plurality of mass adding films 17A are lined up in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the first portion 37a and the second portion 37b of the different mass adding films 17A do not overlap. Therefore, the thickness of the mass-adding film forming portion 18A is constant in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the first portion 37a and the second portion 37b of the different mass adding films 17A may overlap.
  • the thickness of the mass-adding film forming portion 18A changes both in the direction in which the electrode finger extends and in the direction perpendicular to the electrode finger. Also in this case, unnecessary waves can be suppressed.
  • the mass adding film 17A is continuously provided from the base end side to the distal end side of the electrode finger.
  • the mass-adding film on the electrode finger in the present invention is one of a mass-adding film provided continuously from the base end side to the distal end side of the electrode finger, and a mass-adding film provided intermittently. That's fine.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the third embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in the configurations of the mass-adding film 17B and the mass-adding film forming section 18B.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the mass adding film 17B is provided intermittently from the proximal end side to the distal end side of the electrode finger. More specifically, the mass-adding film 17B includes a plurality of film portions lined up in the direction in which the electrode fingers extend. The membrane parts are not in contact with each other. More specifically, the plurality of membrane portions includes a first membrane portion 47A and a pair of second membrane portions 47B. The pair of second membrane portions 47B are opposed to each other with the first membrane portion 47A in between in the electrode finger extending direction.
  • each membrane part is constant.
  • the thickness of the first membrane portion 47A and the thickness of the second membrane portion 47B are different from each other. That is, the thickness of the mass-adding film 17B changes stepwise in the electrode finger extending direction. As a result, the thickness of the mass-adding film forming portion 18B changes in the electrode finger extending direction. Thereby, the frequencies at which unnecessary waves are excited can be dispersed, and the overall intensity of unnecessary waves can be reduced. That is, unnecessary waves can be suppressed. This effect will be specifically illustrated below by comparing this embodiment and a comparative example.
  • the comparative example differs from the third embodiment in that a mass-adding film is not provided.
  • admittance frequency characteristics were compared.
  • FIG. 5 is a diagram showing admittance frequency characteristics in the third embodiment and a comparative example.
  • FIG. 6 is a diagram showing admittance frequency characteristics in a region lower than the resonance frequency in the third embodiment and the comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram showing admittance frequency characteristics in a region higher than the anti-resonance frequency in the third embodiment and the comparative example. Note that FIGS. 6 and 7 each show the admittance frequency characteristics in the frequency range around the part surrounded by the dashed line in FIG. 5.
  • each mass-adding film 17B includes a plurality of film parts as in the third embodiment, at least a portion of at least one film part in each mass-adding film 17B must overlap the central region H in plan view.
  • the first membrane portions 47A of the plurality of mass adding membranes 17B are lined up in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the second membrane portions 47B of the plurality of mass adding membranes 17B are lined up in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • the first film portion 47A and the second film portion 47B of the different mass adding films 17B do not overlap. Therefore, the thickness of the mass-adding film forming portion 18B is constant in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the first film portion 47A and the second film portion 47B of the different mass adding films 17B may overlap.
  • the thickness of the mass-adding film forming portion 18B changes both in the direction in which the electrode finger extends and in the direction perpendicular to the electrode finger. Also in this case, unnecessary waves can be suppressed.
  • the number and arrangement of membrane portions in the mass-adding membrane 17B are not particularly limited.
  • the plurality of film portions of the mass adding film 17B may have three or more thicknesses.
  • both the mass adding film 17A shown in FIG. 3 and the mass adding film 17B shown in FIG. 4 may be provided. That is, the mass-adding film on at least one electrode finger may be the mass-adding film 17A provided continuously from the base end side to the distal end side. The mass-adding film on at least one electrode finger may be a mass-adding film 17B provided intermittently from the base end side to the distal end side.
  • the width of each electrode finger of the IDT electrode 11 is constant, the width of all electrode fingers is the same, and the center-to-center distance p between adjacent electrode fingers is constant. be.
  • the width of the electrode finger is a dimension of the electrode finger along the direction orthogonal to the electrode finger.
  • the center-to-center distance p is the electrode finger pitch.
  • the configuration of the IDT electrode 11 is not limited to the above.
  • fourth to sixth embodiments will be shown, which differ from the first embodiment only in the configuration of the IDT electrode.
  • the thickness of the mass-adding film forming portion changes in the direction orthogonal to the electrode finger. Thereby, unnecessary waves can be suppressed.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the fourth embodiment.
  • the center-to-center distance p in a part is different from the center-to-center distance p in other parts. Therefore, the frequencies at which unnecessary waves are excited can be effectively dispersed. In this case, it is sufficient that d/p ⁇ 0.5 holds true in any part of the IDT electrode 11A.
  • the center-to-center distance p of a plurality of portions may be different from the center-to-center distance p of other portions.
  • a plurality of portions having different center-to-center distances p may be arranged alternately in the direction orthogonal to the electrode fingers.
  • FIG. 9 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the fifth embodiment.
  • the widths of the plurality of electrode fingers are different from each other. More specifically, the width of the first electrode finger 28B and the width of the second electrode finger 29B are different from each other. On the other hand, the widths of the plurality of first electrode fingers 28B are the same. The widths of the plurality of second electrode fingers 29B are the same. However, the plurality of first electrode fingers 28B may have different widths from each other. Similarly, the plurality of second electrode fingers 29B may have different widths from each other.
  • the width of at least one electrode finger in the IDT electrode 11B is different from the width of the other electrode fingers. Therefore, the frequencies at which unnecessary waves are excited can be effectively dispersed.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the sixth embodiment.
  • the width of each electrode finger of the IDT electrode 11C is not constant. Specifically, the width of each electrode finger changes from the base end side to the distal end side. More specifically, the widths of all the first electrode fingers 28C and all the second electrode fingers 29C change so as to become narrower from the base end side to the distal end side.
  • the manner in which the width of the electrode fingers changes is not limited to the above.
  • the width of the electrode finger may change so that it becomes wider from the base end side to the distal end side.
  • the electrode finger has a portion where the width becomes narrower from the proximal end side to the distal end side, and a portion where the width becomes wider from the proximal end side to the distal end side. may include both.
  • the width of at least one electrode finger in the IDT electrode 11C changes from the base end side to the distal end side. Therefore, the frequencies at which unnecessary waves are excited can be effectively dispersed.
  • the IDT electrode may have the configurations of both the fourth embodiment and the fifth embodiment, or may have all the configurations of the fourth to sixth embodiments. .
  • FIG. 11 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the seventh embodiment.
  • This embodiment differs from the fourth embodiment in the position where each mass adding film 17 is provided.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the fourth embodiment.
  • the mass adding film 17 provided on the first electrode finger 28 has a central region H, a first edge region Ea, a second edge region Eb, and a second gap in plan view. It overlaps with area Gb. More specifically, the mass adding film 17 extends from above the first electrode finger 28 to above the piezoelectric layer 14 . A portion of the mass adding film 17 provided directly on the piezoelectric layer 14 overlaps with the second gap region Gb in plan view.
  • the mass adding film 17 provided on the second electrode finger 29 overlaps with the central region H, the first edge region Ea, the second edge region Eb, and the first gap region Ga in plan view. .
  • the mass adding film 17 extends from above the second electrode finger 29 to above the piezoelectric layer 14 .
  • a portion of the mass adding film 17 provided directly on the piezoelectric layer 14 overlaps with the first gap region Ga in plan view.
  • Each mass adding film 17 overlaps one of the pair of gap regions and the intersection region F in plan view. Note that the mass adding film 17 may overlap both gap regions and the intersection region F in plan view.
  • the thickness of the mass-adding film forming portion 18C changes in the direction orthogonal to the electrode finger, as in the first embodiment. Thereby, unnecessary waves can be suppressed.
  • the elastic wave device according to the present invention can be used, for example, in a filter device.
  • An example of this is illustrated by the eighth embodiment.
  • FIG. 12 is a circuit diagram of a filter device according to an eighth embodiment of the present invention.
  • the filter device 50 is a ladder type filter.
  • the filter device 50 includes a first signal terminal 52 and a second signal terminal 53, a plurality of series arm resonators, and a plurality of parallel arm resonators.
  • all series arm resonators and all parallel arm resonators are elastic wave resonators.
  • the first signal terminal 52 and the second signal terminal 53 may be configured as electrode pads, or may be configured as wiring, for example.
  • the first signal terminal 52 is an antenna terminal.
  • the antenna terminal is connected to the antenna.
  • the plurality of series arm resonators of the filter device 50 are a series arm resonator S1, a series arm resonator S2a, a series arm resonator S2b, and a series arm resonator S3.
  • the plurality of parallel arm resonators are a parallel arm resonator P1 and a parallel arm resonator P2.
  • a series arm resonator S1, a series arm resonator S2a, a series arm resonator S2b, and a series arm resonator S3 are connected in series between the first signal terminal 52 and the second signal terminal 53.
  • the series arm resonator S2a and the series arm resonator S2b are split-type elastic wave resonators. More specifically, the series arm resonator S2a and the series arm resonator S2b are elastic wave resonators divided in series.
  • a parallel arm resonator P1 is connected between the connection point between the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2a and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonator S2b and the series arm resonator S3 and the ground potential. Note that the circuit configuration of the filter device 50 is not limited to the above.
  • the series arm resonator S2a which is one of the split elastic wave resonators, is the elastic wave device according to the present invention.
  • the series arm resonator S2b which is the other elastic wave resonator of the split type elastic wave resonators, does not have the mass adding film in the present invention.
  • unnecessary waves can be suppressed.
  • the series arm resonator S2b included in the plurality of split elastic wave resonators does not have a mass adding film. Thereby, increase in insertion loss in the filter device 50 can be suppressed.
  • the filter device 50 only needs to include a plurality of segmented elastic wave resonators.
  • the plurality of split elastic wave resonators may be a plurality of series arm resonators divided in series, or may be a plurality of series arm resonators divided in parallel.
  • the plurality of split elastic wave resonators may be a plurality of parallel arm resonators divided in series, or may be a plurality of parallel arm resonators divided in parallel.
  • the plurality of split elastic wave resonators may be, for example, a plurality of elastic wave resonators divided in series or in parallel into three or more pieces. At least one of the plurality of split elastic wave resonators may be the elastic wave device according to the present invention. At least one other of the plurality of split elastic wave resonators does not need to have the mass adding film according to the present invention. Thereby, in the filter device 50, it is possible to suppress an increase in insertion loss, and it is possible to suppress deterioration of filter characteristics.
  • At least one elastic wave resonator in the filter device 50 may be an elastic wave device according to the present invention.
  • at least one of the elastic wave resonators other than the split-type elastic wave resonators may be the elastic wave device according to the present invention. Even in this case, unnecessary waves can be suppressed in the elastic wave resonator which is the elastic wave device according to the present invention. Thereby, deterioration of filter characteristics in the filter device 50 can be suppressed.
  • the thickness sliding mode will be explained below.
  • electrode in the IDT electrode described below corresponds to the electrode finger in the present invention.
  • support member in the following examples corresponds to the support substrate in the present invention.
  • FIG. 13(a) is a schematic perspective view showing the external appearance of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves
  • FIG. 13(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 13(a).
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a Z cut, it may be a rotational Y cut or an X cut.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but in order to effectively excite the thickness shear mode, it is preferably 40 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 50 nm or more and 1000 nm or less.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. An electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • electrode 3 is an example of a "first electrode”
  • electrode 4 is an example of a "second electrode”.
  • the plurality of electrodes 3 are a plurality of first electrode fingers connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are a plurality of second electrode fingers connected to the second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interposed with each other.
  • Electrode 3 and electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to this length direction.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 are both directions that intersect with the thickness direction of the piezoelectric layer 2. Therefore, it can be said that the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2. Further, the length direction of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 13(a) and 13(b). That is, in FIGS. 13(a) and 13(b), the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend.
  • first bus bar 5 and the second bus bar 6 will extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 13(a) and 13(b).
  • a plurality of pairs of structures in which an electrode 3 connected to one potential and an electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4.
  • electrode 3 and electrode 4 are adjacent does not mean that electrode 3 and electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but when electrode 3 and electrode 4 are arranged with a gap between them.
  • the electrode 3 and the electrode 4 when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is arranged between the electrode 3 and the electrode 4.
  • This logarithm does not need to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4, that is, the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the opposing direction of the electrodes 3 and 4, is preferably in the range of 50 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the distance between the centers of the electrodes 3 and 4 refers to the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. This is the distance between the center of the dimension (width dimension).
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This is not the case when a piezoelectric material having a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°). (within range).
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer 7 in between.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape, and have through holes 7a and 8a as shown in FIG. Thereby, a cavity 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 in between, at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, other than silicon oxide, an appropriate insulating material such as silicon oxynitride or alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of the Si surface on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). It is desirable that the Si constituting the support member 8 has a high resistivity of 4 k ⁇ cm or more. However, the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Examples of materials for the support member 8 include aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and star.
  • Various ceramics such as tite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, etc. can be used.
  • the plurality of electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 are made of a suitable metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Thereby, it is possible to obtain resonance characteristics using the thickness shear mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2.
  • d/p is 0. It is considered to be 5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness shear mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the elastic wave device 1 Since the elastic wave device 1 has the above-mentioned configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to downsize the device, the Q value is unlikely to decrease. This is because even if the number of electrode fingers in the reflectors on both sides is reduced, the propagation loss is small. Furthermore, the number of electrode fingers can be reduced because the bulk waves in the thickness shear mode are used. The difference between the Lamb wave used in the elastic wave device and the thickness-shear mode bulk wave will be explained with reference to FIGS. 15(a) and 15(b).
  • FIG. 15(a) is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of an acoustic wave device as described in Japanese Patent Publication No. 2012-257019.
  • waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b are opposite to each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. It is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are lined up.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the piezoelectric film 201 vibrates as a whole, but since the wave propagates in the X direction, reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, that is, when the number of logarithms of electrode fingers is reduced, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness-slip direction, so the waves are generated between the first principal surface 2a and the second principal surface of the piezoelectric layer 2.
  • 2b that is, the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since resonance characteristics are obtained by the propagation of waves in the Z direction, propagation loss is unlikely to occur even if the number of electrode fingers of the reflector is reduced. Furthermore, even if the number of pairs of electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • FIG. 16 schematically shows a bulk wave when a voltage is applied between electrode 3 and electrode 4 such that electrode 4 has a higher potential than electrode 3.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 As mentioned above, in the elastic wave device 1, at least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 are arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the elastic wave device 1 is made up of the electrodes 3 and 4. There is no need for a plurality of pairs of electrodes. That is, it is only necessary that at least one pair of electrodes be provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrode is provided.
  • FIG. 17 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG. 14. Note that the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained this resonance characteristic are as follows.
  • Insulating layer 7 silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distances between the electrode pairs made up of the electrodes 3 and 4 were all equal in multiple pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, as described above. Preferably it is 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 18 is a diagram showing the relationship between this d/p and the fractional band of the resonator of the elastic wave device.
  • FIG. 19 is a plan view of an elastic wave device that utilizes bulk waves in thickness-shear mode.
  • a pair of electrodes including an electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 19 is the crossover width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above-mentioned d/p is 0.5 or less, bulk waves in the thickness shear mode can be excited effectively.
  • the above-mentioned adjacent region with respect to the excitation region C which is a region where any of the adjacent electrodes 3, 4 overlap when viewed in the opposing direction.
  • the metallization ratio MR of the matching electrodes 3 and 4 satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced. This will be explained with reference to FIGS. 20 and 21.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 13(b).
  • the excitation region C is a region where electrode 3 overlaps electrode 4 when electrode 3 and electrode 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of electrodes 3 and 4, that is, in a direction in which they face each other. 3, and a region between electrodes 3 and 4 where electrodes 3 and 4 overlap.
  • the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallized portion to the area of the excitation region C.
  • MR may be the ratio of the metallized portion included in all the excitation regions to the total area of the excitation regions.
  • FIG. 21 shows the relationship between the fractional bandwidth when a large number of elastic wave resonators are configured according to the form of the elastic wave device 1, and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 21 shows the results when using a Z-cut piezoelectric layer made of LiNbO 3 , the same tendency occurs even when piezoelectric layers having other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters that make up the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristic shown in FIG. 20, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrodes 3 and 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 22 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed and the fractional bands were measured.
  • the hatched area on the right side of the broken line D in FIG. 22 is a region where the fractional band is 17% or less.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 23 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • the hatched areas in FIG. 23 are areas where a fractional band of at least 5% can be obtained, and the range of the area can be approximated by the following equations (1), (2), and (3). ).
  • the fractional band can be made sufficiently wide, which is preferable.
  • the piezoelectric layer 2 is a lithium tantalate layer.
  • FIG. 24 is a front sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • an acoustic multilayer film 82 is laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the acoustic multilayer film 82 has a laminated structure of low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e with relatively low acoustic impedance and high acoustic impedance layers 82b, 82d with relatively high acoustic impedance.
  • the bulk wave in the thickness shear mode can be confined within the piezoelectric layer 2 without using the cavity 9 in the acoustic wave device 1.
  • the elastic wave device 81 by setting the above-mentioned d/p to 0.5 or less, resonance characteristics based on a bulk wave in the thickness shear mode can be obtained.
  • the number of laminated low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and high acoustic impedance layers 82b, 82d is not particularly limited. It is sufficient that at least one high acoustic impedance layer 82b, 82d is disposed farther from the piezoelectric layer 2 than the low acoustic impedance layer 82a, 82c, 82e.
  • the low acoustic impedance layers 82a, 82c, 82e and the high acoustic impedance layers 82b, 82d can be made of any appropriate material as long as the above acoustic impedance relationship is satisfied.
  • examples of the material for the low acoustic impedance layers 82a, 82c, and 82e include silicon oxide and silicon oxynitride.
  • examples of the material for the high acoustic impedance layers 82b and 82d include alumina, silicon nitride, and metal.
  • an acoustic multilayer film 82 shown in FIG. 24 may be provided as an acoustic reflection film between the support member and the piezoelectric layer.
  • the support member and the piezoelectric layer may be arranged such that at least a portion of the support member and at least a portion of the piezoelectric layer face each other with the acoustic multilayer film 82 in between.
  • low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers may be alternately laminated.
  • the acoustic multilayer film 82 may be an acoustic reflection section in an elastic wave device.
  • d/p is preferably 0.5 or less, and preferably 0.24 or less. is more preferable. Thereby, even better resonance characteristics can be obtained. Furthermore, in the excitation region of the elastic wave devices of the first to seventh embodiments that utilize thickness-shear mode bulk waves, as described above, MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075 is satisfied. is preferred. In this case, spurious components can be suppressed more reliably.
  • the piezoelectric layer in the acoustic wave devices of the first to seventh embodiments that utilize thickness-shear mode bulk waves is preferably a lithium niobate layer or a lithium tantalate layer.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer are within the range of formula (1), formula (2), or formula (3) above. is preferred. In this case, the fractional band can be made sufficiently wide.
  • Second electrode fingers 37a, 37b First and second portions 47A, 47B... First and second membrane portions 50... Filter devices 52, 53... First and second signal terminals 80 , 81...Acoustic wave device 82...Acoustic multilayer films 82a, 82c, 82e...Low acoustic impedance layers 82b, 82d...High acoustic impedance layer 201...Piezoelectric films 201a, 201b...First and second principal surfaces 451, 452...th 1.
  • Second region C ...Excitation region Ea, Eb...First, second edge region F...Cross region Ga, Gb...First, second gap region H...Central region P1, P2...Parallel arm resonator S1 , S2a, S2b, S3...Series arm resonator VP1...Virtual plane

Landscapes

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Abstract

不要波を抑制することができる、弾性波装置を提供する。　本発明に係る弾性波装置１０は、支持基板を含む支持部材と、支持部材上に設けられている圧電層１４と、圧電層１４上に設けられており、対向し合う１対のバスバー（第１，第２のバスバー２６，２７）と、複数の電極指（複数の第１，第２の電極指２８，２９）とを有するＩＤＴ電極１１と、複数の電極指上に設けられている複数の質量付加膜１７とを備える。支持部材及び圧電層１４の積層方向に沿って見た平面視において、支持部材における、ＩＤＴ電極１１の少なくとも一部と重なる位置に音響反射部が設けられている。圧電層１４の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。複数の電極指がそれぞれ、バスバーに接続されている基端部、及び基端部と対向している先端部を有する。複数の電極指が延びる電極指延伸方向と直交する、電極指直交方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合っている領域が交叉領域Ｆである。交叉領域Ｆは、中央領域Ｈと、中央領域Ｈを電極指延伸方向において挟み互いに対向している第１のエッジ領域Ｅａ及び第２のエッジ領域Ｅｂとを含む。複数の質量付加膜１７の少なくとも一部がそれぞれ、平面視において中央領域Ｈと重なっている。電極指上の質量付加膜１７は、基端部側から先端部側にかけて、連続的に設けられた質量付加膜１７、及び断続的に設けられた質量付加膜１７のうち一方である。複数の質量付加膜１７のみにより質量付加膜形成部１８が構成されている。質量付加膜形成部１８の少なくとも一部の厚みが、電極指直交方向及び電極指延伸方向のうち少なくとも一方において変化している。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。近年においては、下記の特許文献１に記載のような、厚み滑りモードのバルク波を用いた弾性波装置が提案されている。この弾性波装置においては、支持体上に圧電層が設けられている。圧電層上に、対となる電極が設けられている。対となる電極は圧電層上において互いに対向しており、かつ互いに異なる電位に接続される。上記電極間に交流電圧を印加することにより、厚み滑りモードのバルク波を励振させている。
米国特許第１０４９１１９２号明細書
　特許文献１に記載の弾性波装置においては、板波モード及びその高調波が強勢な不要波となる。そのため、フィルタ装置に当該弾性波装置を用いた場合には、フィルタ特性が劣化するおそれがある。
　本発明の目的は、不要波を抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、支持基板を含む支持部材と、前記支持部材上に設けられている圧電層と、前記圧電層上に設けられており、対向し合う１対のバスバーと、複数の電極指とを有するＩＤＴ電極と、前記複数の電極指上に設けられている複数の質量付加膜とを備え、前記支持部材及び前記圧電層の積層方向に沿って見た平面視において、前記支持部材における、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部と重なる位置に音響反射部が設けられており、前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下であり、前記複数の電極指がそれぞれ、前記バスバーに接続されている基端部、及び前記基端部と対向している先端部を有し、前記複数の電極指が延びる電極指延伸方向と直交する、電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域が交叉領域であり、前記交叉領域が、中央領域と、前記中央領域を前記電極指延伸方向において挟み互いに対向している第１のエッジ領域及び第２のエッジ領域とを含み、前記複数の質量付加膜の少なくとも一部がそれぞれ、平面視において前記中央領域と重なっており、前記電極指上の前記質量付加膜が、前記基端部側から前記先端部側にかけて、連続的に設けられた前記質量付加膜、及び断続的に設けられた前記質量付加膜のうち一方であり、前記複数の質量付加膜のみにより質量付加膜形成部が構成されており、前記質量付加膜形成部の少なくとも一部の厚みが、前記電極指直交方向及び前記電極指延伸方向のうち少なくとも一方において変化している。
　本発明によれば、不要波を抑制することができる、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図２は、図１中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。 図３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図４は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図５は、本発明の第３の実施形態及び比較例における、アドミッタンス周波数特性を示す図である。 図６は、本発明の第３の実施形態及び比較例における、共振周波数よりも低域側においてのアドミッタンス周波数特性を示す図である。 図７は、本発明の第３の実施形態及び比較例における、反共振周波数よりも高域側においてのアドミッタンス周波数特性を示す図である。 図８は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図９は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１０は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１１は、本発明の第７の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１２は、本発明の第８の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図１３（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１３（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図である。 図１４は、図１３（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。 図１５（ａ）は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図であり、図１５（ｂ）は、弾性波装置における、圧電膜を伝搬する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。 図１６は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。 図１７は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の共振特性を示す図である。 図１８は、隣り合う電極の中心間距離をｐ、圧電層の厚みをｄとした場合のｄ／ｐと共振子としての比帯域との関係を示す図である。 図１９は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。 図２０は、スプリアスが現れている参考例の弾性波装置の共振特性を示す図である。 図２１は、比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。 図２２は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲとの関係を示す図である。 図２３は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。 図２４は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図２は、図１中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。なお、図１においては、後述する質量付加膜を、ハッチングを付して示している。図１以外の模式的平面図においても同様である。
　図１に示すように、弾性波装置１０は、圧電性基板１２と、ＩＤＴ電極１１とを有する。図２に示すように、圧電性基板１２は、支持部材１３と、圧電層１４とを有する。本実施形態では、支持部材１３は、支持基板１６と、絶縁層１５とを含む。支持基板１６上に絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５上に圧電層１４が設けられている。もっとも、支持部材１３は支持基板１６のみにより構成されていてもよい。
　圧電層１４は第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂを有する。第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂは互いに対向している。第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂのうち、第２の主面１４ｂが支持部材１３側に位置している。
　支持基板１６の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層１５の材料としては、酸化ケイ素または酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。圧電層１４は、例えば、ＬｉＮｂＯ３層などのニオブ酸リチウム層またはＬｉＴａＯ３層などのタンタル酸リチウム層である。
　図２に示すように、絶縁層１５に凹部が設けられている。絶縁層１５上に、凹部を塞ぐように、圧電層１４が設けられている。これにより、中空部が構成されている。この中空部が空洞部１０ａである。本実施形態では、支持部材１３の一部及び圧電層１４の一部が、空洞部１０ａを挟み互いに対向するように、支持部材１３と圧電層１４とが配置されている。もっとも、支持部材１３における凹部は、絶縁層１５及び支持基板１６にわたり設けられていてもよい。あるいは、支持基板１６のみに設けられた凹部が、絶縁層１５により塞がれていてもよい。凹部は圧電層１４に設けられていても構わない。なお、空洞部１０ａは、支持部材１３に設けられた貫通孔であってもよい。
　圧電層１４の第１の主面１４ａには、ＩＤＴ電極１１が設けられている。平面視において、ＩＤＴ電極１１の少なくとも一部が、圧電性基板１２の空洞部１０ａと重なっている。本明細書において平面視とは、図２における上方に相当する方向から、支持部材１３及び圧電層１４の積層方向に沿って見ることをいう。なお、図２においては、例えば、支持基板１６側及び圧電層１４側のうち、圧電層１４側が上方である。
　図１に示すように、ＩＤＴ電極１１は、１対のバスバーと、複数の電極指とを有する。１対のバスバーは、具体的には、第１のバスバー２６及び第２のバスバー２７である。第１のバスバー２６及び第２のバスバー２７は互いに対向している。複数の電極指は、具体的には、複数の第１の電極指２８及び複数の第２の電極指２９である。複数の第１の電極指２８の一端はそれぞれ、第１のバスバー２６に接続されている。複数の第２の電極指２９の一端はそれぞれ、第２のバスバー２７に接続されている。複数の第１の電極指２８及び複数の第２の電極指２９は互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極１１は、単層の金属膜からなっていてもよく、あるいは、積層金属膜からなっていてもよい。
　以下においては、第１のバスバー２６及び第２のバスバー２７を、単にバスバーと記載することがある。第１の電極指２８及び第２の電極指２９を、単に電極指と記載することがある。各電極指は先端部及び基端部を有する。基端部は、電極指における、バスバーに接続されている部分である。複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向としたときに、電極指延伸方向において、基端部及び先端部が互いに対向している。
　ここで、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向とする。なお、隣り合う電極指同士が互いに対向する方向を電極指対向方向としたときに、電極指対向方向は電極指直交方向と平行である。ＩＤＴ電極１１を電極指直交方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合う領域は交叉領域Ｆである。交叉領域Ｆは、ＩＤＴ電極１１の構成に基づいて定義される、圧電層１４の領域である。
　交叉領域Ｆは、中央領域Ｈと、１対のエッジ領域とを有する。１対のエッジ領域は、電極指延伸方向において、中央領域Ｈを挟み互いに対向している。１対のエッジ領域は、具体的には、第１のエッジ領域Ｅａ及び第２のエッジ領域Ｅｂである。第１のエッジ領域Ｅａは第１のバスバー２６側に位置している。第２のエッジ領域Ｅｂは第２のバスバー２７側に位置している。
　交叉領域Ｆと１対のバスバーとの間に位置する領域は、１対のギャップ領域である。１対のギャップ領域は、具体的には、第１のギャップ領域Ｇａ及び第２のギャップ領域Ｇｂである。第１のギャップ領域Ｇａは、第１のバスバー２６及び第１のエッジ領域Ｅａの間に位置している。第２のギャップ領域Ｇｂは、第２のバスバー２７及び第２のエッジ領域Ｅｂの間に位置している。各ギャップ領域は、交叉領域Ｆと同様に、ＩＤＴ電極１１の構成に基づいて定義される、圧電層１４の領域である。
　本実施形態の弾性波装置１０は、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成された弾性波共振子である。より具体的には、弾性波装置１０においては、圧電層１４の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。これにより、厚み滑りモードのバルク波が好適に励振される。なお、電極指直交方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合う領域であり、かつ隣り合う電極指同士の中心間の領域が励振領域Ｃである。すなわち、交叉領域Ｆは、複数の励振領域Ｃを含む。各励振領域Ｃにおいて、厚み滑りモードのバルク波が励振される。
　図２に示す空洞部１０ａは、本発明における音響反射部である。音響反射部により、弾性波のエネルギーを圧電層１４側に効果的に閉じ込めることができる。音響反射部は、平面視において、支持部材における、ＩＤＴ電極の少なくとも一部と重なる位置に設けられていればよい。例えば、支持部材の表面上に、音響反射部として、後述する、音響多層膜などの音響反射膜が設けられていてもよい。
　図１に戻り、複数の電極指上に、質量付加膜１７が設けられている。複数の質量付加膜１７は、厚みが互いに異なる複数の質量付加膜１７を含む。図１においては、厚みが同じ複数の質量付加膜１７に、同じハッチングを付している。他方、厚みが互いに異なる複数の質量付加膜１７に、互いに異なるハッチングを付している。
　本実施形態においては、全ての電極指上に１つずつ質量付加膜１７が設けられている。質量付加膜１７は、電極指の基端部側から先端部側にかけて、連続的に設けられている。なお、質量付加膜１７は、電極指の基端部側から先端部側にかけて、断続的に設けられた質量付加膜であってもよい。この場合には、質量付加膜１７は、電極指延伸方向に並ぶ複数の膜部分を含む。
　図１に示す弾性波装置１０の、複数の質量付加膜１７はそれぞれ、平面視において、交叉領域Ｆのみと重なっている。もっとも、複数の質量付加膜１７は、平面視において、電極指延伸方向における、交叉領域Ｆよりも外側の領域と重なっていてもよい。複数の質量付加膜１７の少なくとも一部がそれぞれ、平面視において中央領域Ｈと重なっていればよい。
　複数の質量付加膜１７のみにより、質量付加膜形成部１８が構成されている。質量付加膜形成部１８は、電極指直交方向に並ぶ複数の部分を含む。なお、これらの部分は、複数の質量付加膜１７である。よって、質量付加膜形成部１８の各部分は、電極指延伸方向に延びている。質量付加膜形成部１８の厚みは、質量付加膜１７が設けられていない部分においては定義されないことを指摘しておく。
　本実施形態の特徴は、質量付加膜形成部１８の厚みが、電極指直交方向において変化していることにある。それによって、不要波が励振される周波数を分散させることができ、不要波の全体としての強度を小さくすることができる。すなわち、不要波を抑制することができる。
　本発明においては、質量付加膜形成部１８の少なくとも一部の厚みが、電極指直交方向及び電極指延伸方向のうち少なくとも一方において変化していればよい。それによって、不要波を抑制することができる。
　なお、質量付加膜１７は、必ずしも全ての電極指上に設けられていなくともよい。複数の電極指は、質量付加膜１７が設けられていない電極指を含んでいてもよい。もっとも、隣り合う電極指上にそれぞれ質量付加膜１７が設けられており、かつ隣り合う電極指上に設けられている質量付加膜１７同士の厚みが互いに異なることが好ましい。全ての電極指上に質量付加膜１７が設けられていることがより好ましい。それによって、不要波を効果的に抑制することができる。
　質量付加膜１７は、平面視において、交叉領域Ｆの電極指延伸方向における一方端部から他方端部にわたる全ての部分と重なっていることが好ましい。この場合には、不要波をより確実に抑制することができる。
　質量付加膜１７は、１対のギャップ領域のうち、少なくとも一方のギャップ領域と、平面視において重なっていてもよい。さらに、質量付加膜１７は、平面視において、バスバーが設けられている領域と重なっていてもよい。すなわち、質量付加膜１７は、電極指上からバスバー上に至っていてもよい。
　この場合、第１の電極指２８上に設けられている質量付加膜１７は、平面視において、中央領域Ｈ、第１のエッジ領域Ｅａ、第２のエッジ領域Ｅｂ、第１のギャップ領域Ｇａ及び第１のバスバー２６が設けられている領域と重なっている。一方で、第２の電極指２９上に設けられている質量付加膜１７は、平面視において、中央領域Ｈ、第１のエッジ領域Ｅａ、第２のエッジ領域Ｅｂ、第２のギャップ領域Ｇｂ及び第２のバスバー２７が設けられている領域と重なっている。もっとも、上記のように、各質量付加膜１７は、平面視において中央領域Ｈと重なっていればよい。
　第１の実施形態では、ＩＤＴ電極１１は、圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられている。もっとも、ＩＤＴ電極１１は、圧電層１４の第１の主面１４ａまたは第２の主面１４ｂに設けられていればよい。複数の質量付加膜１７が、ＩＤＴ電極１１における複数の電極指上に設けられていればよい。ＩＤＴ電極１１が第２の主面１４ｂに設けられている場合においても、第１の実施形態と同様に、不要波を抑制することができる。
　質量付加膜１７の材料としては、例えば、適宜の誘電体または適宜の金属を用いることができる。質量付加膜１７が誘電体からなる場合、質量付加膜１７の密度が、酸化ケイ素の密度よりも高いことが好ましい。具体的には、例えば、質量付加膜１７が酸化タンタルなどからなることが好ましい。それによって、質量付加膜１７の厚みを薄くすることができる。これにより、質量付加膜１７の形状のばらつきを抑制することができる。なお、質量付加膜１７は酸化ケイ素からなっていてもよい。
　質量付加膜１７が適宜の金属からなっている場合にも、質量付加膜１７の厚みを薄くすることができ、質量付加膜１７の形状のばらつきを抑制することができる。なお、本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波装置の電気的特性が大きく劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。
　第１の実施形態においては、質量付加膜１７毎の厚みは一定である。この場合、複数の質量付加膜１７のうち少なくとも１つの質量付加膜１７の厚みが、他の質量付加膜１７の厚みと異なっていればよい。図２では、複数の質量付加膜１７の厚みが、２通りの厚みである例を示している。もっとも、複数の質量付加膜１７の厚みは、３通り以上の厚みであってもよい。
　図１に示すように、各質量付加膜１７の幅は一定である。質量付加膜１７の幅は、質量付加膜１７の電極指直交方向に沿う寸法である。なお、質量付加膜１７の幅は、必ずしも一定ではなくともよい。
　図３は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　本実施形態は、質量付加膜形成部１８Ａの厚みが、電極指延伸方向において変化している点において、第１の実施形態と異なる。本実施形態は、質量付加膜形成部１８Ａの厚みが、電極指直交方向において変化していない点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。
　質量付加膜１７Ａ毎の厚みは、電極指延伸方向において変化している。これにより、質量付加膜形成部１８Ａの厚みが電極指延伸方向において変化している。それによって、不要波が励振される周波数を分散させることができ、不要波の全体としての強度を小さくすることができる。すなわち、不要波を抑制することができる。なお、不要波を効果的に抑制するためには、質量付加膜１７Ａの厚みが電極指延伸方向において±５％以内で変化していればよい。
　以下において、質量付加膜形成部１８Ａの構成をより詳細に説明する。質量付加膜１７Ａは、第１の部分３７ａと、１対の第２の部分３７ｂとを有する。１対の第２の部分３７ｂは、電極指延伸方向において、第１の部分３７ａを挟み互いに対向している。第１の部分３７ａの厚みと、第２の部分３７ｂの厚みとは互いに異なる。
　質量付加膜１７Ａは、第１の部分３７ａ及び第２の部分３７ｂの境界において、段差部を有する。すなわち、質量付加膜１７Ａの厚みは、段階的に変化している。よって、質量付加膜形成部１８Ａの厚みは、電極指延伸方向において段階的に変化している。もっとも、質量付加膜１７Ａの厚みは、連続的に変化していてもよい。具体的には、例えば、質量付加膜１７Ａの表面は、傾斜部を有していてもよい。この場合、質量付加膜形成部１８Ａの厚みは、電極指延伸方向において連続的に変化している。
　質量付加膜形成部１８Ａの少なくとも一部の厚みが電極指延伸方向に変化していればよい。すなわち、少なくとも１つの質量付加膜１７Ａの少なくとも一部の厚みが、電極指延伸方向において変化していればよい。例えば、複数の質量付加膜１７Ａは、厚みが一定である質量付加膜１７Ａを含んでいてもよい。この場合、質量付加膜形成部１８Ａの一部の厚みが電極指延伸方向において変化しており、他の一部の厚みは電極指延伸方向において変化していない。
　本実施形態においては、電極指直交方向において、複数の質量付加膜１７Ａの第１の部分３７ａが並んでいる。同様に、電極指直交方向において、複数の質量付加膜１７Ａの第２の部分３７ｂが並んでいる。電極指直交方向から見たときに、互いに異なる質量付加膜１７Ａ同士の、第１の部分３７ａ及び第２の部分３７ｂは重なり合っていない。よって、質量付加膜形成部１８Ａの厚みは、電極指直交方向において一定である。
　もっとも、電極指直交方向から見たときに、互いに異なる質量付加膜１７Ａ同士の、第１の部分３７ａ及び第２の部分３７ｂが重なり合っていてもよい。この場合、質量付加膜形成部１８Ａの厚みは、電極指延伸方向及び電極指直交方向の双方において変化している。この場合にも、不要波を抑制することができる。
　本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、質量付加膜１７Ａは、電極指の基端部側から先端部側にかけて連続的に設けられている。なお、本発明における電極指上の質量付加膜は、電極指の基端部側から先端部側にかけて、連続的に設けられた質量付加膜、及び断続的に設けられた質量付加膜のうち一方であればよい。
　図４は、第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　本実施形態は、質量付加膜１７Ｂ及び質量付加膜形成部１８Ｂの構成において第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。
　質量付加膜１７Ｂは、電極指の基端部側から先端部側にかけて、断続的に設けられている。より具体的には、質量付加膜１７Ｂは、電極指延伸方向に並ぶ複数の膜部分を含む。膜部分同士は接触していない。より具体的には、複数の膜部分は第１の膜部分４７Ａと、１対の第２の膜部分４７Ｂとを含む。１対の第２の膜部分４７Ｂは、電極指延伸方向において、第１の膜部分４７Ａを挟み互いに対向している。
　膜部分毎の厚みは一定である。他方、第１の膜部分４７Ａの厚み及び第２の膜部分４７Ｂの厚みは互いに異なる。すなわち、質量付加膜１７Ｂの厚みは、電極指延伸方向において、段階的に変化している。これにより、質量付加膜形成部１８Ｂの厚みが電極指延伸方向において変化している。それによって、不要波が励振される周波数を分散させることができ、不要波の全体としての強度を小さくすることができる。すなわち、不要波を抑制することができる。この効果を、本実施形態及び比較例を比較することにより、以下において具体的に示す。
　比較例は、質量付加膜が設けられていない点において第３の実施形態と異なる。第３の実施形態及び比較例において、アドミッタンス周波数特性を比較した。
　図５は、第３の実施形態及び比較例における、アドミッタンス周波数特性を示す図である。図６は、第３の実施形態及び比較例における、共振周波数よりも低域側においてのアドミッタンス周波数特性を示す図である。図７は、第３の実施形態及び比較例における、反共振周波数よりも高域側においてのアドミッタンス周波数特性を示す図である。なお、図６及び図７はそれぞれ、図５中の一点鎖線により囲まれた部分付近の周波数域におけるアドミッタンス周波数特性を示す。
　比較例では、図５中の一点鎖線により囲まれた周波数域付近において、不要波が生じている。不要波は、共振周波数よりも低域側の周波数域、及び反共振周波数よりも高域側の周波数域において生じている。これらの不要波は、板波及びその高調波に起因する。図６及び図７に示すように、第３の実施形態においては、比較例よりも不要波が抑制されていることがわかる。
　第３の実施形態のように、各質量付加膜１７Ｂが複数の膜部分を含む場合、各質量付加膜１７Ｂにおける少なくとも１つの膜部分の少なくとも一部が、平面視において中央領域Ｈと重なっていればよい。
　第３の実施形態では、電極指直交方向において、複数の質量付加膜１７Ｂの第１の膜部分４７Ａが並んでいる。同様に、電極指直交方向において、複数の質量付加膜１７Ｂの第２の膜部分４７Ｂが並んでいる。電極指直交方向から見たときに、互いに異なる質量付加膜１７Ｂ同士の、第１の膜部分４７Ａ及び第２の膜部分４７Ｂは重なり合っていない。よって、質量付加膜形成部１８Ｂの厚みは、電極指直交方向において一定である。
　もっとも、電極指直交方向から見たときに、互いに異なる質量付加膜１７Ｂ同士の、第１の膜部分４７Ａ及び第２の膜部分４７Ｂが重なり合っていてもよい。この場合、質量付加膜形成部１８Ｂの厚みは、電極指延伸方向及び電極指直交方向の双方において変化している。この場合においても、不要波を抑制することができる。
　質量付加膜１７Ｂにおける膜部分の個数、及び配置は特に限定されない。例えば、質量付加膜１７Ｂの複数の膜部分の厚みが、３通り以上であってもよい。
　本発明においては、例えば、図３に示す質量付加膜１７Ａ及び図４に示す質量付加膜１７Ｂの双方が設けられていてもよい。すなわち、少なくとも１本の電極指上の質量付加膜が、基端部側から先端部側にかけて、連続的に設けられた質量付加膜１７Ａなどであってもよい。少なくとも１本の電極指上の質量付加膜が、基端部側から先端部側にかけて、断続的に設けられた質量付加膜１７Ｂなどであってもよい。
　第１～第３の実施形態においては、ＩＤＴ電極１１の各電極指の幅は一定であり、全ての電極指の幅は同じであり、かつ隣り合う電極指同士の中心間距離ｐは一定である。なお、電極指の幅は、電極指の電極指直交方向に沿う寸法である。中心間距離ｐは、言い換えると、電極指ピッチである。もっとも、ＩＤＴ電極１１の構成は上記に限定されない。
　以下において、ＩＤＴ電極の構成のみが第１の実施形態と異なる、第４～第６の実施形態を示す。第４～第６の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、質量付加膜形成部の厚みが電極指直交方向において変化している。それによって、不要波を抑制することができる。
　図８は、第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　第４の実施形態では、ＩＤＴ電極１１Ａにおいて、一部の中心間距離ｐが他の部分の中心間距離ｐと異なる。これにより、不要波が励振される周波数を効果的に分散させることができる。この場合、ＩＤＴ電極１１Ａにおける、いずれの部分においても、ｄ／ｐ≦０．５が成立していればよい。
　なお、ＩＤＴ電極１１Ａにおいて、複数の部分の中心間距離ｐが、他の部分の中心間距離ｐと異なっていてもよい。例えば、ＩＤＴ電極１１Ａにおいて、中心間距離ｐが互いに異なる複数の部分が、電極指直交方向において交互に並んでいてもよい。
　図９は、第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　第５の実施形態では、ＩＤＴ電極１１Ｂにおいて、複数の電極指の幅が互いに異なる。より具体的には、第１の電極指２８Ｂの幅と、第２の電極指２９Ｂの幅とが互いに異なる。他方、複数の第１の電極指２８Ｂ同士の幅は同じである。複数の第２の電極指２９Ｂ同士の幅は同じである。もっとも、複数の第１の電極指２８Ｂ同士において、互いに幅が異なっていてもよい。同様に、複数の第２の電極指２９Ｂ同士において、互いに幅が異なっていてもよい。
　なお、ＩＤＴ電極１１Ｂにおける少なくとも１本の電極指の幅が、他の電極指の幅と異なっていればよい。これにより、不要波が励振される周波数を効果的に分散させることができる。
　図１０は、第６の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　第６の実施形態では、ＩＤＴ電極１１Ｃの各電極指の幅が一定ではない。具体的には、各電極指の幅が、基端部側から先端部側にかけて変化している。より具体的には、全ての第１の電極指２８Ｃ及び全ての第２の電極指２９Ｃの幅は、基端部側から先端部側にかけて狭くなるように変化している。
　なお、電極指の幅の変化の態様は上記に限定されない。電極指の幅は、基端部側から先端部側にかけて広くなるように変化していてもよい。あるいは、電極指は、基端部側から先端部側にかけて、幅が狭くなるように変化している部分、及び基端部側から先端部側にかけて、幅が広くなるように変化している部分の双方を含んでいてもよい。
　ＩＤＴ電極１１Ｃにおける少なくとも１本の電極指の幅が、基端部側から先端部側にかけて変化していればよい。これにより、不要波が励振される周波数を効果的に分散させることができる。
　第４～第６の実施形態における構成はそれぞれ、他の実施形態の構成にも適用することができる。例えば、ＩＤＴ電極は、第４の実施形態及び第５の実施形態の双方の構成を有していてもよく、あるいは、第４～第６の実施形態の全ての構成を有していてもよい。
　図１１は、第７の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　本実施形態は、各質量付加膜１７が設けられている位置が、第４の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第４の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　より具体的には、第１の電極指２８上に設けられている質量付加膜１７は、平面視において、中央領域Ｈ、第１のエッジ領域Ｅａ、第２のエッジ領域Ｅｂ及び第２のギャップ領域Ｇｂと重なっている。より詳細には、該質量付加膜１７は、第１の電極指２８上から圧電層１４上に至っている。該質量付加膜１７の圧電層１４上に直接的に設けられている部分が、平面視において、第２のギャップ領域Ｇｂと重なっている。
　第２の電極指２９上に設けられている質量付加膜１７は、平面視において、中央領域Ｈ、第１のエッジ領域Ｅａ、第２のエッジ領域Ｅｂ及び第１のギャップ領域Ｇａと重なっている。該質量付加膜１７は、第２の電極指２９上から圧電層１４上に至っている。該質量付加膜１７の圧電層１４上に直接的に設けられている部分が、平面視において、第１のギャップ領域Ｇａと重なっている。
　各質量付加膜１７は、平面視において、１対のギャップ領域のうち一方のギャップ、及び交叉領域Ｆと重なっている。なお、質量付加膜１７は、平面視において、双方のギャップ領域、及び交叉領域Ｆと重なっていてもよい。
　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、質量付加膜形成部１８Ｃの厚みが電極指直交方向において変化している。それによって、不要波を抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置は、例えば、フィルタ装置に用いることができる。この例を、第８の実施形態により示す。
　図１２は、本発明の第８の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
　フィルタ装置５０はラダー型フィルタである。フィルタ装置５０は、第１の信号端子５２及び第２の信号端子５３と、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子とを有する。本実施形態においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子が弾性波共振子である。
　第１の信号端子５２及び第２の信号端子５３は、例えば、電極パッドとして構成されていてもよく、あるいは、配線として構成されていてもよい。本実施形態においては、第１の信号端子５２はアンテナ端子である。アンテナ端子はアンテナに接続される。
　フィルタ装置５０の複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２ａ、直列腕共振子Ｓ２ｂ及び直列腕共振子Ｓ３である。複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２である。
　第１の信号端子５２及び第２の信号端子５３の間に、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２ａ、直列腕共振子Ｓ２ｂ及び直列腕共振子Ｓ３が互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ２ｂは、分割型の弾性波共振子である。より具体的には、直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ２ｂは、直列分割された弾性波共振子である。
　直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２ａの間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２ｂ及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。なお、フィルタ装置５０の回路構成は上記に限定されない。
　本実施形態においては、分割型の弾性波共振子のうち一方の弾性波共振子である直列腕共振子Ｓ２ａが、本発明に係る弾性波装置である。分割型の弾性波共振子のうち他方の弾性波共振子である直列腕共振子Ｓ２ｂが、本発明における質量付加膜を有しない。直列腕共振子Ｓ２ａにおいては、不要波を抑制することができる。それによって、フィルタ装置５０におけるフィルタ特性の劣化を抑制することができる。加えて、複数の分割型の弾性波共振子に含まれる直列腕共振子Ｓ２ｂが、質量付加膜を有しない。それによって、フィルタ装置５０において挿入損失が大きくなることを抑制できる。
　フィルタ装置５０は、複数の分割型の弾性波共振子を含んでいればよい。複数の分割型の弾性波共振子は、直列分割された複数の直列腕共振子であってもよく、並列分割された複数の直列腕共振子であってもよい。あるいは、複数の分割型の弾性波共振子は、直列分割された複数の並列腕共振子であってもよく、並列分割された複数の並列腕共振子であってもよい。
　複数の分割型の弾性波共振子は、例えば、３つ以上に直列分割または並列分割された複数の弾性波共振子であってもよい。そして、複数の分割型の弾性波共振子のうち少なくとも１つが、本発明に係る弾性波装置であればよい。複数の分割型の弾性波共振子のうち他の少なくとも１つが、本発明における質量付加膜を有していなければよい。それによって、フィルタ装置５０において、挿入損失が大きくなることを抑制でき、かつフィルタ特性の劣化を抑制することができる。
　なお、フィルタ装置５０における少なくとも１つの弾性波共振子が、本発明に係る弾性波装置であればよい。例えば、分割型の弾性波共振子以外の弾性波共振子のうち、少なくとも１つが、本発明に係る弾性波装置であってもよい。この場合においても、本発明に係る弾性波装置である弾性波共振子において、不要波を抑制することができる。それによって、フィルタ装置５０におけるフィルタ特性の劣化を抑制することができる。
　以下において、厚み滑りモードの詳細を説明する。なお、後述するＩＤＴ電極における「電極」は、本発明における電極指に相当する。以下の例における支持部材は、本発明における支持基板に相当する。
　図１３（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１３（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図１４は、図１３（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、４０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）では、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている複数の第１の電極指である。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている複数の第２の電極指である。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交叉する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交叉する方向において対向しているともいえる。また、電極３，４の長さ方向が図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）において、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）において電極３，４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、弾性波装置１では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°の範囲内）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図１４に示すように、貫通孔７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。支持部材８を構成するＳｉは、抵抗率４ｋΩｃｍ以上の高抵抗であることが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。
　支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。弾性波装置１では、電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側の反射器における電極指の本数を少なくしても、伝搬ロスが少ないためである。また、上記電極指の本数を少なくできるのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）を参照して説明する。
　図１５（ａ）は、日本公開特許公報　特開２０１２－２５７０１９号公報に記載のような弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。ここでは、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図１５（ａ）に示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図１５（ｂ）に示すように、弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器の電極指の本数を少なくしても、伝搬損失は生じ難い。さらに、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図１６に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図１６では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要はない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。弾性波装置１では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図１７は、図１４に示す弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　弾性波装置１では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図１７から明らかなように、反射器を有しないにも関わらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、弾性波装置１では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図１８を参照して説明する。
　図１７に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図１８は、このｄ／ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図１８から明らかなように、ｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　図１９は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。弾性波装置８０では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図１９中のＫが交叉幅となる。前述したように、本発明の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図２０及び図２１を参照して説明する。図２０は、上記弾性波装置１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１３（ｂ）を参照して説明する。図１３（ｂ）の電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に見たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図２１は弾性波装置１の形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図２１は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図２１中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図２１から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図２０に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図２２は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図２２の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図２２中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図２３は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図２３のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。圧電層２がタンタル酸リチウム層である場合も同様である。
　図２４は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置８１では、圧電層２の第２の主面２ｂに音響多層膜８２が積層されている。音響多層膜８２は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄとの積層構造を有する。音響多層膜８２を用いた場合、弾性波装置１における空洞部９を用いずとも、厚み滑りモードのバルク波を圧電層２内に閉じ込めることができる。弾性波装置８１においても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑りモードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜８２においては、その低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅ及び高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄの積層数は特に限定されない。低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅよりも、少なくとも１層の高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄが圧電層２から遠い側に配置されておりさえすればよい。
　上記低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅ及び高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層８２ａ，８２ｃ，８２ｅの材料としては、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層８２ｂ，８２ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素または金属などを挙げることができる。
　第１～第７の実施形態の弾性波装置においては、例えば、支持部材及び圧電層の間に、音響反射膜としての、図２４に示す音響多層膜８２が設けられていてもよい。具体的には、支持部材の少なくとも一部及び圧電層の少なくとも一部が、音響多層膜８２を挟み互いに対向するように、支持部材と圧電層とが配置されていてもよい。この場合、音響多層膜８２において、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とが交互に積層されていればよい。音響多層膜８２が、弾性波装置における音響反射部であってもよい。
　厚み滑りモードのバルク波を利用する第１～第７の実施形態の弾性波装置においては、上記のように、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましく、０．２４以下であることがより好ましい。それによって、より一層良好な共振特性を得ることができる。さらに、厚み滑りモードのバルク波を利用する第１～第７の実施形態の弾性波装置における励振領域においては、上記のように、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。この場合には、スプリアスをより確実に抑制することができる。
　厚み滑りモードのバルク波を利用する第１～第７の実施形態の弾性波装置における圧電層は、ニオブ酸リチウム層またはタンタル酸リチウム層であることが好ましい。そして、該圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、上記の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にあることが好ましい。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。
１…弾性波装置
２…圧電層
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３，４…電極
５，６…第１，第２のバスバー
７…絶縁層
７ａ…貫通孔
８…支持部材
８ａ…貫通孔
９…空洞部
１０…弾性波装置
１０ａ…空洞部
１１，１１Ａ～１１Ｃ…ＩＤＴ電極
１２…圧電性基板
１３…支持部材
１４…圧電層
１４ａ，１４ｂ…第１，第２の主面
１５…絶縁層
１６…支持基板
１７，１７Ａ，１７Ｂ…質量付加膜
１８，１８Ａ～１８Ｃ…質量付加膜形成部
２６，２７…第１，第２のバスバー
２８，２８Ｂ，２８Ｃ…第１の電極指
２９，２９Ｂ，２９Ｃ…第２の電極指
３７ａ，３７ｂ…第１，第２の部分
４７Ａ，４７Ｂ…第１，第２の膜部分
５０…フィルタ装置
５２，５３…第１，第２の信号端子
８０，８１…弾性波装置
８２…音響多層膜
８２ａ，８２ｃ，８２ｅ…低音響インピーダンス層
８２ｂ，８２ｄ…高音響インピーダンス層
２０１…圧電膜
２０１ａ，２０１ｂ…第１，第２の主面
４５１，４５２…第１，第２領域
Ｃ…励振領域
Ｅａ，Ｅｂ…第１，第２のエッジ領域
Ｆ…交叉領域
Ｇａ，Ｇｂ…第１，第２のギャップ領域
Ｈ…中央領域
Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子
Ｓ１，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３…直列腕共振子
ＶＰ１…仮想平面

Claims (18)

  1. 　支持基板を含む支持部材と、
    　前記支持部材上に設けられている圧電層と、
    　前記圧電層上に設けられており、対向し合う１対のバスバーと、複数の電極指と、を有するＩＤＴ電極と、
    　前記複数の電極指上に設けられている複数の質量付加膜と、
    を備え、
    　前記支持部材及び前記圧電層の積層方向に沿って見た平面視において、前記支持部材における、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部と重なる位置に音響反射部が設けられており、
    　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下であり、
    　前記複数の電極指がそれぞれ、前記バスバーに接続されている基端部、及び前記基端部と対向している先端部を有し、
    　前記複数の電極指が延びる電極指延伸方向と直交する、電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域が交叉領域であり、前記交叉領域が、中央領域と、前記中央領域を前記電極指延伸方向において挟み互いに対向している第１のエッジ領域及び第２のエッジ領域と、を含み、前記複数の質量付加膜の少なくとも一部がそれぞれ、平面視において前記中央領域と重なっており、
    　前記電極指上の前記質量付加膜が、前記基端部側から前記先端部側にかけて、連続的に設けられた前記質量付加膜、及び断続的に設けられた前記質量付加膜のうち一方であり、
    　前記複数の質量付加膜のみにより質量付加膜形成部が構成されており、
    　前記質量付加膜形成部の少なくとも一部の厚みが、前記電極指直交方向及び前記電極指延伸方向のうち少なくとも一方において変化している、弾性波装置。
  2. 　前記質量付加膜形成部の少なくとも一部の厚みが、前記電極指直交方向において変化しており、
    　前記質量付加膜毎の厚みが一定であり、前記複数の質量付加膜のうち少なくとも１つの質量付加膜の厚みが、他の質量付加膜の厚みと異なる、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記質量付加膜形成部の少なくとも一部の厚みが、前記電極指延伸方向において変化しており、
    　少なくとも１つの前記質量付加膜において、少なくとも一部の厚みが、前記電極指延伸方向における他の部分の厚みと異なる、請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　少なくとも１本の前記電極指上の前記質量付加膜が、前記基端部側から前記先端部側にかけて、断続的に設けられた前記質量付加膜であり、該質量付加膜が前記電極指延伸方向に並ぶ複数の膜部分を含み、該複数の膜部分の厚みが互いに異なる、請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　少なくとも１本の前記電極指上の前記質量付加膜が、前記基端部側から前記先端部側にかけて、連続的に設けられた前記質量付加膜である、請求項２または３に記載の弾性波装置。
  6. 　前記質量付加膜が誘電体からなる、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記質量付加膜の密度が、酸化ケイ素の密度よりも高い、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記質量付加膜が金属からなる、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記ＩＤＴ電極において、少なくとも一部の前記中心間距離ｐが、他の部分の前記中心間距離ｐと異なる、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記複数の電極指のうち少なくとも１本の電極指の幅が、他の電極指の幅と異なる、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　少なくとも１本の前記電極指の幅が、前記基端部側から前記先端部にかけて変化している、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記電極指直交方向から見たときに、隣り合う前記電極指同士が重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の前記電極指直交方向における中心間の領域が励振領域であり、
    　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記圧電層が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる、請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１４に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  16. 　前記音響反射部が、空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、請求項１～１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電層とが配置されている、請求項１～１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 　分割型の弾性波共振子を含む複数の弾性波共振子を備え、
    　前記分割型の弾性波共振子のうち少なくとも１つが、請求項１～１７のいずれか１項に記載の弾性波装置であり、他の少なくとも１つが、前記弾性波装置の前記質量付加膜を有しない弾性波共振子である、フィルタ装置。
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