WO2024085127A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2024085127A1
WO2024085127A1 PCT/JP2023/037479 JP2023037479W WO2024085127A1 WO 2024085127 A1 WO2024085127 A1 WO 2024085127A1 JP 2023037479 W JP2023037479 W JP 2023037479W WO 2024085127 A1 WO2024085127 A1 WO 2024085127A1
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WO
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elastic wave
electrode
wave resonator
electrode fingers
electrode finger
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PCT/JP2023/037479
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English (en)
French (fr)
Inventor
克也 大門
翔 永友
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device having multiple elastic wave resonators.
  • acoustic wave devices have been widely used in filters for mobile phones and the like.
  • an acoustic wave device using bulk waves in thickness shear mode has been proposed, as described in Patent Document 1 below.
  • a piezoelectric layer is provided on a support.
  • a pair of electrodes is provided on the piezoelectric layer.
  • the pair of electrodes face each other on the piezoelectric layer and are connected to different potentials.
  • An elastic wave device is, for example, an elastic wave resonator such as an elastic wave resonator.
  • Elastic wave resonators are used, for example, in ladder-type filters. To obtain good characteristics in a ladder-type filter, it is necessary to increase the capacitance ratio between multiple elastic wave resonators. In this case, it is necessary to increase the capacitance of some of the elastic wave resonators in the ladder-type filter.
  • This configuration is a configuration in which an electrode connected to a potential different from the input potential and the output potential, such as a reference potential, is placed between an electrode connected to an input potential and an electrode connected to an output potential.
  • the object of the present invention is to provide an elastic wave device that can reduce the size of a filter device and increase its power resistance.
  • a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator are provided, and each of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator includes a piezoelectric film including a piezoelectric layer made of lithium niobate, a first comb electrode provided on the piezoelectric layer, having a first bus bar and a plurality of first electrode fingers each having one end connected to the first bus bar, and connected to an input potential, a second comb electrode provided on the piezoelectric layer, having a second bus bar and a plurality of second electrode fingers each having one end connected to the second bus bar and interdigitated with the plurality of first electrode fingers, and connected to an output potential, and a first electrode finger and a second electrode finger arranged such that the first electrode fingers and the second electrode fingers are aligned when viewed in a plane.
  • the piezoelectric resonator has a plurality of third electrode fingers arranged on the piezoelectric layer so as to be aligned with the first electrode fingers and the second electrode fingers in the direction, a connection electrode connecting adjacent third electrode fingers, and a third electrode connected to a reference potential, and in each of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator, the order in which the first electrode fingers, the second electrode fingers, and the third electrode fingers are arranged when viewed in a plane is an order in which, starting from the first electrode fingers, the first electrode fingers, the third electrode fingers, the second electrode fingers, and the third electrode fingers form one period, and each of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator is a split resonator in which one elastic wave resonator is divided in series.
  • a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator are provided, each of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator including a piezoelectric film including a piezoelectric layer made of lithium niobate, a first comb electrode provided on the piezoelectric layer, having a first bus bar and a plurality of first electrode fingers each having one end connected to the first bus bar, and connected to an input potential, a second comb electrode provided on the piezoelectric layer, having a second bus bar and a plurality of second electrode fingers each having one end connected to the second bus bar and interdigitated with the plurality of first electrode fingers, and connected to an output potential, and a first electrode finger and a second electrode finger arranged such that the first electrode fingers and the second electrode fingers are aligned when viewed in a plane.
  • the piezoelectric resonator has a plurality of third electrode fingers arranged on the piezoelectric layer so as to be aligned with the first electrode fingers and the second electrode fingers in the direction, a connection electrode connecting adjacent third electrode fingers, and a third electrode connected to a reference potential, and in each of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator, the order in which the first electrode fingers, the second electrode fingers, and the third electrode fingers are arranged when viewed in a plane is an order in which, starting from the first electrode fingers, the first electrode fingers, the third electrode fingers, the second electrode fingers, and the third electrode fingers form one period, and each of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator is a split resonator in which one elastic wave resonator is split in parallel.
  • the present invention provides an elastic wave device that can reduce the size of a filter device and increase its power resistance.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional front view of a first acoustic wave resonator according to a first preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a first acoustic wave resonator according to a first preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic front cross-sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a second acoustic wave resonator according to the first preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing the transmission characteristic in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth versus Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p approaches 0 as close as possible.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of a first acoustic wave resonator according to a modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing transmission characteristics in the first and second embodiments of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing transmission characteristics in the first and third embodiments of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing transmission characteristics in the first and fourth embodiments of the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram showing transmission characteristics in the first and fifth embodiments of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional front view of a first acoustic wave resonator according to a ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic front cross-sectional view of a second acoustic wave resonator according to a ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram showing transmission characteristics in the first and ninth embodiments of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a tenth preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of a second acoustic wave resonator according to a tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a modified example of the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a diagram showing transmission characteristics in the first and tenth embodiments of the present invention.
  • FIG. 20 is a diagram showing transmission characteristics in the tenth embodiment of the present invention and its modified example.
  • FIG. 21 is a schematic plan view of an elastic wave device according to an eleventh preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 23 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a twelfth preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a thirteenth preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 is a schematic front cross-sectional view showing the vicinity of first to third electrode fingers of a first acoustic wave resonator according to a thirteenth preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 26( a ) is a schematic perspective view showing the appearance of an acoustic wave device that utilizes bulk waves in thickness shear mode
  • FIG. 26( b ) is a plan view showing an electrode structure on a piezoelectric layer.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG.
  • Figure 28(a) is a schematic cross-sectional front view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of an elastic wave device
  • Figure 28(b) is a schematic cross-sectional front view for explaining bulk waves in thickness shear mode propagating through a piezoelectric film in an elastic wave device.
  • FIG. 29 is a diagram showing the amplitude direction of a bulk wave in thickness shear mode.
  • FIG. 30 is a diagram showing the resonance characteristics of an elastic wave device that utilizes bulk waves in thickness shear mode.
  • FIG. 31 is a diagram showing the relationship between d/p and the fractional bandwidth of a resonator, where p is the center-to-center distance between adjacent electrodes and d is the thickness of the piezoelectric layer.
  • FIG. 29 is a diagram showing the amplitude direction of a bulk wave in thickness shear mode.
  • FIG. 30 is a diagram showing the resonance characteristics of an elastic wave device that utilizes bulk waves in thickness shear mode.
  • FIG. 31 is a diagram
  • FIG. 32 is a plan view of an elastic wave device utilizing bulk waves in thickness shear mode.
  • FIG. 33 is a diagram showing the resonance characteristics of the elastic wave device of the reference example in which a spurious response appears.
  • FIG. 34 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • FIG. 35 is a diagram showing the relationship between d/2p and the metallization ratio MR.
  • FIG. 36 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth versus Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p approaches 0 as close as possible.
  • FIG. 37 is a front cross-sectional view of an acoustic wave device having an acoustic multilayer film.
  • FIG. 38 is a partially cutaway perspective view illustrating an elastic wave device that utilizes Lamb waves.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 10 is used as part of a filter device.
  • the elastic wave device 10 has a plurality of elastic wave resonators.
  • the elastic wave device according to the present invention may also be a filter device.
  • the configuration of the elastic wave device 10 is described below.
  • the elastic wave device 10 has one first elastic wave resonator 10A and one second elastic wave resonator 10B.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are each an acoustically coupled filter.
  • the first elastic wave resonator 10A has a functional electrode 11.
  • the second elastic wave resonator 10B has a functional electrode 31.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are electrically connected. Specifically, in the elastic wave device 10, the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are connected in series with each other.
  • the feature of this embodiment is that the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are each split resonators formed by splitting one elastic wave resonator in series.
  • two elastic wave resonators are split resonators when the difference in resonant frequency between one elastic wave resonator and the other elastic wave resonator connected to each other in series or parallel is 1% or less relative to the resonant frequency of both elastic wave resonators.
  • the filter device can be made smaller and its power resistance can be increased. This will be described in detail below, along with the details of this embodiment.
  • the elastic wave device 10 has a piezoelectric substrate 12.
  • the piezoelectric substrate 12 is a substrate having piezoelectric properties.
  • the piezoelectric substrate 12 has a piezoelectric layer 14 as a piezoelectric film.
  • the piezoelectric layer 14 is a layer made of a piezoelectric body.
  • a piezoelectric film is a film having piezoelectric properties, and does not necessarily refer to a film made of a piezoelectric body.
  • the piezoelectric film is a single layer piezoelectric layer 14, which is a film made of a piezoelectric body.
  • the piezoelectric film may be a laminated film including the piezoelectric layer 14.
  • the piezoelectric substrate 12 is a laminate including a piezoelectric layer 14.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B share the piezoelectric substrate 12.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B share the piezoelectric layer 14 as a piezoelectric film.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view of the first elastic wave resonator in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the first elastic wave resonator in the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line I-I in FIG. 3.
  • each electrode is shown hatched.
  • electrodes may be hatched in schematic plan views other than FIG. 3.
  • wiring connected to the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are omitted.
  • the first acoustic wave resonator 10A shown in FIG. 2 has a piezoelectric substrate 12 and a functional electrode 11 as described above.
  • the piezoelectric substrate 12 has a support member 13 and a piezoelectric layer 14 as a piezoelectric film.
  • the support member 13 includes a support substrate 16 and an insulating layer 15.
  • the insulating layer 15 is provided on the support substrate 16.
  • the piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15.
  • the support member 13 may be composed of only the support substrate 16.
  • the piezoelectric layer 14 has a first principal surface 14a and a second principal surface 14b.
  • the first principal surface 14a and the second principal surface 14b face each other.
  • the piezoelectric layer 14 and the support member 13 overlap when viewed from the direction in which the first principal surface 14a and the second principal surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other.
  • the second principal surface 14b is located on the support member 13 side.
  • a functional electrode 11 is provided on the first principal surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the material of the support substrate 16 may be, for example, a semiconductor such as silicon, or a ceramic such as aluminum oxide.
  • the material of the insulating layer 15 may be an appropriate dielectric such as silicon oxide or tantalum oxide.
  • the piezoelectric layer 14 may be, for example, a lithium niobate layer such as a LiNbO3 layer.
  • a certain member being made of a certain material includes the case where the member contains a trace amount of impurities that do not significantly deteriorate the electrical characteristics of the acoustic wave device.
  • the insulating layer 15 has a plurality of recesses.
  • a piezoelectric layer 14 is provided on the insulating layer 15 as a piezoelectric film so as to cover the plurality of recesses. This forms a plurality of hollows. These hollows are the hollows 10a and 10b shown in FIG. 1.
  • the support member 13 and the piezoelectric film are arranged so that a part of the support member 13 and a part of the piezoelectric film face each other with the hollows 10a and 10b in between.
  • the recesses in the support member 13 may be provided across the insulating layer 15 and the support substrate 16.
  • the recesses provided only in the support substrate 16 may be covered by the insulating layer 15.
  • the recesses may be provided in the piezoelectric layer 14, for example.
  • the hollows 10a and 10b may be through holes provided in the support member 13.
  • the cavity 10a and the cavity 10b are acoustic reflection parts in the present invention.
  • the cavity 10a as an acoustic reflection part can effectively confine the energy of the elastic waves of the first elastic wave resonator 10A to the piezoelectric layer 14 side.
  • the cavity 10a is provided in a position on the support member 13 that overlaps with at least a portion of the functional electrode 11 in a plan view.
  • the cavity 10b as an acoustic reflection part can effectively confine the energy of the elastic waves of the second elastic wave resonator 10B to the piezoelectric layer 14 side.
  • the cavity 10b is provided in a position on the support member 13 that overlaps with at least a portion of the functional electrode 31 in a plan view.
  • a planar view refers to a view from a direction corresponding to the top in FIG. 2, along the stacking direction of the support member 13 and the piezoelectric film.
  • the piezoelectric layer 14 side is the top.
  • a planar view is synonymous with a view from the principal surface opposing direction.
  • the principal surface opposing direction is the direction in which the first principal surface 14a and the second principal surface 14b of the piezoelectric layer 14 face each other. More specifically, the principal surface opposing direction is, for example, the normal direction of the first principal surface 14a.
  • the functional electrode 11 has a pair of comb electrodes and a third electrode 19.
  • the pair of comb electrodes is specifically a first comb electrode 17 and a second comb electrode 18.
  • the first comb electrode 17 is connected to an input potential.
  • the second comb electrode 18 is connected to an output potential.
  • the third electrode 19 is connected to a reference potential.
  • the third electrode 19 is a reference potential electrode. Note that the third electrode 19 does not necessarily have to be connected to the reference potential.
  • the third electrode 19 may be connected to a potential different from the first comb electrode 17 and the second comb electrode 18. However, it is preferable that the third electrode 19 is connected to the reference potential.
  • the first comb electrode 17 and the second comb electrode 18 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the first comb electrode 17 has a first bus bar 22 and a plurality of first electrode fingers 25. One end of each of the plurality of first electrode fingers 25 is connected to the first bus bar 22.
  • the second comb electrode 18 has a second bus bar 23 and a plurality of second electrode fingers 26. One end of each of the plurality of second electrode fingers 26 is connected to the second bus bar 23.
  • the first bus bar 22 and the second bus bar 23 face each other.
  • the multiple first electrode fingers 25 and the multiple second electrode fingers 26 are interdigitated with each other.
  • the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are arranged alternately in a direction perpendicular to the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 extend.
  • the third electrode 19 has a third bus bar 24 as a connection electrode and a plurality of third electrode fingers 27.
  • the plurality of third electrode fingers 27 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the plurality of third electrode fingers 27 are electrically connected to each other by the third bus bar 24.
  • a plurality of third electrode fingers 27 are provided so as to be aligned with the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 in the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are aligned.
  • the first electrode fingers 25, the second electrode fingers 26, and the third electrode fingers 27 are aligned in one direction.
  • the plurality of third electrode fingers 27 extend parallel to the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers 26.
  • the direction in which the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 extend is referred to as the electrode finger extension direction, and the direction perpendicular to the electrode finger extension direction is referred to as the electrode finger orthogonal direction.
  • the electrode finger arrangement direction is parallel to the electrode finger orthogonal direction.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 may be collectively referred to simply as electrode fingers.
  • the first bus bar 22 and the second bus bar 23 may be collectively referred to simply as bus bars.
  • FIG. 4 is a schematic front cross-sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers in the first embodiment.
  • the order in which the multiple electrode fingers are arranged is such that, starting from the first electrode finger 25, one period consists of the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27. Therefore, the order in which the multiple electrode fingers are arranged is the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, the third electrode finger 27, the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, and so on. If the input potential is represented by IN, the output potential by OUT, and the reference potential by GND, and the order of the multiple electrode fingers is represented as the order of the potentials to be connected, then the order is IN, GND, OUT, GND, IN, GND, OUT, and so on.
  • the electrode fingers located at both ends in the direction perpendicular to the electrode fingers are both third electrode fingers 27.
  • the electrode fingers located at the ends in the direction perpendicular to the electrode fingers may be any type of electrode finger among the first electrode fingers 25, the second electrode fingers 26, and the third electrode fingers 27.
  • the third busbar 24 which serves as a connection electrode for the third electrode 19, electrically connects the multiple third electrode fingers 27 together.
  • the third busbar 24 is located in the region between the first busbar 22 and the tips of the multiple second electrode fingers 26.
  • the multiple first electrode fingers 25 are also located in this region.
  • the third busbar 24 and the multiple first electrode fingers 25 are electrically insulated from each other by the insulating film 29A.
  • the third busbar 24 includes a plurality of first connection electrodes 24A and one second connection electrode 24B.
  • Each first connection electrode 24A connects the tips of two adjacent third electrode fingers 27.
  • the first connection electrode 24A and the two third electrode fingers 27 form a U-shaped electrode.
  • the multiple first connection electrodes 24A are connected to each other by a second connection electrode 24B.
  • An insulating film 29A is provided between this second connection electrode 24B and the multiple first electrode fingers 25.
  • an insulating film 29A is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 so as to cover a portion of the first electrode fingers 25.
  • the insulating film 29A is provided in the region between the first bus bar 22 and the tips of the second electrode fingers 26.
  • the insulating film 29A has a band-like shape.
  • the insulating film 29A does not reach the first connection electrode 24A of the third electrode 19.
  • a second connection electrode 24B is provided on the insulating film 29A and the multiple first connection electrodes 24A.
  • the second connection electrode 24B has a bar portion 24a and multiple protrusions 24b. Each protrusion 24b extends from the bar portion 24a toward each first connection electrode 24A. Each protrusion 24b is connected to each first connection electrode 24A.
  • the multiple third electrode fingers 27 are electrically connected to each other by the first connection electrode 24A and the second connection electrode 24B.
  • the third busbar 24 is located in the region between the first busbar 22 and the tips of the second electrode fingers 26. Therefore, the tips of the second electrode fingers 26 each face the third busbar 24 across a gap g1 in the electrode finger extension direction. On the other hand, the tips of the first electrode fingers 25 each face the second busbar 23 across a gap g2 in the electrode finger extension direction.
  • the third busbar 24 may be located in the region between the second busbar 23 and the tips of the first electrode fingers 25. In this case, the tips of the first electrode fingers 25 face the third busbar 24 across a gap. On the other hand, the tips of the second electrode fingers 26 face the first busbar 22 across a gap.
  • the third electrode 19 is a reference potential electrode
  • the tips of the first electrode fingers 25 are each opposed, across a gap, to an electrode that is at a potential different from that of the electrode fingers and is connected to a potential that is one of the input potential, the output potential, and the reference potential, in the electrode finger extension direction.
  • the tips of the second electrode fingers 26 are each opposed, across a gap, to an electrode that is at a potential different from that of the electrode fingers and is connected to a potential that is one of the input potential, the output potential, and the reference potential, in the electrode finger extension direction.
  • the dimension of these gaps along the electrode finger extension direction is the gap length.
  • the gap length of gap g1 and the gap length of gap g2 are the same.
  • the gap length of gap g1 and the gap length of gap g2 may be different from each other.
  • the first elastic wave resonator 10A is an elastic wave resonator configured to be able to utilize bulk waves in thickness shear mode. As shown in FIG. 3, the first elastic wave resonator 10A has multiple excitation regions C. In the multiple excitation regions C, bulk waves in thickness shear mode and elastic waves in other modes are excited. Note that FIG. 3 shows only two of the multiple excitation regions C.
  • a portion of all the excitation regions C are regions where the adjacent first electrode finger 25 and third electrode finger 27 overlap when viewed from the electrode finger orthogonal direction, and are regions between the centers of the adjacent first electrode finger 25 and third electrode finger 27.
  • the remaining excitation regions C are regions where the adjacent second electrode finger 26 and third electrode finger 27 overlap when viewed from the electrode finger orthogonal direction, and are regions between the centers of the adjacent second electrode finger 26 and third electrode finger 27. These excitation regions C are lined up in the electrode finger orthogonal direction.
  • the configuration of the functional electrode 11, excluding the third electrode 19, is the same as that of an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • the intersection region E is the region where the adjacent first electrode finger 25 and third electrode finger 27, or the adjacent second electrode finger 26 and third electrode finger 27 overlap when viewed from the electrode finger orthogonal direction.
  • the intersection region E includes multiple excitation regions C.
  • the intersection region E and excitation region C of the first acoustic wave resonator 10A are regions of the piezoelectric layer 14 that are defined based on the configuration of the functional electrode 11.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the second elastic wave resonator in the first embodiment. Note that FIG. 5 omits wiring connected to the second elastic wave resonator 10B and the first elastic wave resonator 10A.
  • the second acoustic wave resonator 10B is configured to be able to utilize bulk waves in thickness shear mode.
  • the second acoustic wave resonator 10B is an acoustically coupled filter.
  • the second acoustic wave resonator 10B shares the piezoelectric substrate 12 with the first acoustic wave resonator 10A.
  • the second acoustic wave resonator 10B has the above-mentioned functional electrode 31. More specifically, the functional electrode 31 is provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14 in the piezoelectric substrate 12.
  • the configuration of the functional electrode 31 of the second acoustic wave resonator 10B is basically the same as the configuration of the functional electrode 11 of the first acoustic wave resonator 10A.
  • the second elastic wave resonator 10B includes a first interdigital electrode, a second interdigital electrode, and a third electrode, separate from the first elastic wave resonator 10A.
  • the first interdigital electrode of the second elastic wave resonator 10B is referred to as the fourth interdigital electrode.
  • the second interdigital electrode of the second elastic wave resonator 10B is referred to as the fifth interdigital electrode.
  • the third electrode of the second elastic wave resonator 10B is referred to as the sixth electrode.
  • the fourth comb electrode is connected to the input potential.
  • the fifth comb electrode is connected to the output potential.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are connected in series with each other. Specifically, the fourth comb electrode is connected to the output potential of the first elastic wave resonator 10A.
  • the sixth electrode of the second acoustic wave resonator 10B is connected to a reference potential.
  • the sixth electrode is a reference potential electrode. Note that the sixth electrode does not necessarily have to be connected to a reference potential. The sixth electrode only needs to be connected to a potential different from that of the fourth comb electrode and the fifth comb electrode. However, it is preferable that the sixth electrode be connected to a reference potential.
  • the fourth comb electrode and the fifth comb electrode are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the fourth comb electrode has a fourth bus bar 32 as a first bus bar and a plurality of fourth electrode fingers 35 as a plurality of first electrode fingers. One end of each of the plurality of fourth electrode fingers 35 is connected to the fourth bus bar 32.
  • the fourth bus bar 32 in the second elastic wave resonator 10B is shared with the first elastic wave resonator 10A.
  • the fourth bus bar 32 is the second bus bar 23 in the first elastic wave resonator 10A shown in FIG. 1.
  • the second bus bar 23 of the first elastic wave resonator 10A and the fourth bus bar 32 of the second elastic wave resonator 10B may be provided separately.
  • the fifth comb electrode has a fifth bus bar 33 as a second bus bar and a plurality of fifth electrode fingers 36 as a plurality of second electrode fingers. One end of each of the plurality of fifth electrode fingers 36 is connected to the fifth bus bar 33.
  • the fourth bus bar 32 and the fifth bus bar 33 face each other.
  • the multiple fourth electrode fingers 35 and the multiple fifth electrode fingers 36 are interdigitated with each other. In a direction perpendicular to the direction in which the fourth electrode fingers 35 and the fifth electrode fingers 36 extend, the fourth electrode fingers 35 and the fifth electrode fingers 36 are arranged alternately.
  • the sixth electrode has a sixth bus bar 34 as a connection electrode and a plurality of sixth electrode fingers 37 as a plurality of third electrode fingers.
  • the plurality of sixth electrode fingers 37 are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the plurality of sixth electrode fingers 37 are electrically connected to each other by the sixth bus bar 34.
  • the sixth bus bar 34 is configured in the same manner as the third bus bar 24 of the first acoustic wave resonator 10A.
  • the sixth bus bar has a first connection electrode and a second connection electrode.
  • a plurality of sixth electrode fingers 37 are provided so as to be aligned with the fourth electrode fingers 35 and the fifth electrode fingers 36 in the direction in which the fourth electrode fingers 35 and the fifth electrode fingers 36 are aligned.
  • the fourth electrode fingers 35, the fifth electrode fingers 36, and the sixth electrode fingers 37 are aligned in one direction.
  • the plurality of sixth electrode fingers 37 extend parallel to the plurality of fourth electrode fingers 35 and the plurality of fifth electrode fingers 36.
  • the direction in which the fourth electrode finger 35, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37 extend is the electrode finger extension direction, and the direction perpendicular to the electrode finger extension direction is the electrode finger perpendicular direction.
  • the fourth electrode finger 35, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37 may be collectively referred to simply as a plurality of electrode fingers.
  • the order in which the multiple electrode fingers in the second elastic wave resonator 10B are arranged is such that, starting from the fourth electrode finger 35, one period includes the fourth electrode finger 35, the sixth electrode finger 37, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37. That is, in the second elastic wave resonator 10B, similarly to the first elastic wave resonator 10A, the order in which the multiple electrode fingers are arranged is such that, starting from the first electrode finger, one period includes the first electrode finger, the third electrode finger, the second electrode finger, and the third electrode finger.
  • the sixth bus bar 34 is located in the region between the fourth bus bar 32 and the tips of the fifth electrode fingers 36.
  • the sixth bus bar 34 and the fourth electrode fingers 35 are electrically insulated by the insulating film 29B.
  • the tips of the multiple fifth electrode fingers 36 each face the sixth bus bar 34 across a gap g4 in the electrode finger extension direction.
  • the tips of the multiple fourth electrode fingers 35 each face the fifth bus bar 33 across a gap g5 in the electrode finger extension direction.
  • the second elastic wave resonator 10B when the sixth electrode is a reference potential electrode, it is sufficient that the second elastic wave resonator 10B is configured as follows, similarly to the first elastic wave resonator 10A.
  • the tips of the multiple fourth electrode fingers 35 are each at a different potential from the electrode fingers and face an electrode across a gap in the electrode finger extension direction that is connected to a potential that is either an input potential, an output potential, or a reference potential.
  • the tips of the multiple fifth electrode fingers 36 are each at a different potential from the electrode fingers and face an electrode across a gap in the electrode finger extension direction that is connected to a potential that is either an input potential, an output potential, or a reference potential.
  • the dimension of these gaps along the electrode finger extension direction is the gap length of the second acoustic wave resonator 10B.
  • the gap length of gap g4 and the gap length of gap g5 are the same.
  • the gap length of gap g4 and the gap length of gap g5 may be different from each other.
  • the second elastic wave resonator 10B has a plurality of excitation regions and intersection regions, similar to the first elastic wave resonator 10A. Specifically, some of all the excitation regions are regions where the adjacent fourth electrode finger 35 and sixth electrode finger 37 overlap when viewed from the electrode finger orthogonal direction, and are regions between the centers of the adjacent fourth electrode finger 35 and sixth electrode finger 37. The remaining excitation regions are regions where the adjacent fifth electrode finger 36 and sixth electrode finger 37 overlap when viewed from the electrode finger orthogonal direction, and are regions between the centers of the adjacent fifth electrode finger 36 and sixth electrode finger 37. These excitation regions are lined up in the electrode finger orthogonal direction.
  • intersection area When viewed from the direction perpendicular to the electrode fingers, the area where the adjacent fourth electrode finger 35 and fifth electrode finger 36 overlap is the intersection area. However, the intersection area can also be said to be the area where the adjacent fourth electrode finger 35 and sixth electrode finger 37, or the adjacent fifth electrode finger 36 and sixth electrode finger 37 overlap when viewed from the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the intersection area and excitation area of the second acoustic wave resonator 10B are areas of the piezoelectric layer 14 that are defined based on the configuration of the functional electrode 31.
  • the filter device when the elastic wave device 10 is used in a filter device, the filter device can be made smaller and its power resistance can be increased. The details of this are described below.
  • one elastic wave resonator that is the source of multiple split resonators may be referred to as the original elastic wave resonator.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are formed by splitting the original elastic wave resonator in series.
  • a first elastic wave resonator 10A and a second elastic wave resonator 10B are configured, but the original elastic wave resonator is not configured.
  • the original elastic wave resonator is an acoustically coupled filter similar to the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B.
  • the original elastic wave resonator includes a first comb electrode, a second comb electrode, and a third electrode, similar to the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B.
  • An example of design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B is shown below.
  • Piezoelectric layer material: LiNbO 3 , Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ )...(0°, 0°, 90°), thickness...400 nm
  • First to third electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side The order of the first to third electrode fingers is represented by the potentials to which they are connected: IN, GND, OUT, GND, and this order is repeated. Center-to-center distance between adjacent electrode fingers: 1.4 ⁇ m Duty ratio: 0.3
  • Figure 6 shows the pass characteristics of the elastic wave device 10 when the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are split resonators in which an elastic wave resonator with the above design parameters is split in series.
  • FIG. 6 is a diagram showing the pass characteristic in the first embodiment. Note that FIG. 6 shows the S12 parameter.
  • the first elastic wave resonator 10A in the elastic wave device 10 is an acoustically coupled filter. More specifically, as shown in FIG. 3, the first elastic wave resonator 10A has an excitation region C located between the centers of the adjacent first electrode finger 25 and third electrode finger 27, and an excitation region C located between the centers of the adjacent second electrode finger 26 and third electrode finger 27. In these excitation regions C, elastic waves of multiple modes, including bulk waves in thickness shear mode, are excited. By coupling these modes, a filter waveform can be suitably obtained.
  • the second elastic wave resonator 10B can also provide a filter waveform, similar to the first elastic wave resonator 10A. Therefore, when the elastic wave device 10 is used in a filter device, a suitable filter waveform can be obtained even if the filter device includes a small number of elastic wave resonators. This allows for the miniaturization of the filter device to be promoted.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are each a split resonator in which one elastic wave resonator is divided in series.
  • the total area of the elastic wave resonators is increased. This reduces the power applied per unit area in the elastic wave resonator. This makes it possible to make the elastic wave resonator less susceptible to damage even when a large amount of power is applied. In this way, the power resistance can be increased.
  • IMD Intermodulation Distortion
  • a first signal potential wiring 28A, a second signal potential wiring 28B, and a reference potential wiring 28C are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the first signal potential wiring 28A is connected to the input potential.
  • the second signal potential wiring 28B is connected to the output potential.
  • the reference potential wiring 28C is connected to the reference potential.
  • the first bus bar 22 of the first elastic wave resonator 10A is connected to the first signal potential wiring 28A.
  • the fifth bus bar 33 of the second elastic wave resonator 10B is connected to the second signal potential wiring 28B.
  • the third bus bar 24, which serves as a connection electrode for the first elastic wave resonator 10A, and the sixth bus bar 34, which serves as a connection electrode for the second elastic wave resonator 10B, are connected to the reference potential wiring 28C.
  • the third bus bar 24 and the sixth bus bar 34 are connected to a reference potential via the reference potential wiring 28C.
  • the third bus bar 24 and the sixth bus bar 34 are connected to the same reference potential wiring 28C.
  • the third bus bar 24 and the sixth bus bar 34 may be connected to separate reference potential wirings 28C that are provided individually.
  • the first electrode fingers 25, the second electrode fingers 26, and the third electrode fingers 27 of the first elastic wave resonator 10A overlap with the cavity 10a as an acoustic reflector in a planar view.
  • the fourth electrode fingers 35, the fifth electrode fingers 36, and the sixth electrode fingers 37 of the second elastic wave resonator 10B overlap with the cavity 10b as an acoustic reflector in a planar view.
  • the multiple excitation regions C of the first elastic wave resonator 10A overlap with the cavity 10a serving as an acoustic reflector. This allows the energy of the elastic waves in the first elastic wave resonator 10A to be more reliably and effectively confined to the piezoelectric layer 14 side.
  • the multiple excitation regions C of the second elastic wave resonator 10B overlap with the cavity 10b serving as an acoustic reflector. This allows the energy of the elastic waves in the second elastic wave resonator 10B to be more reliably and effectively confined to the piezoelectric layer 14 side.
  • the acoustic reflection portion may be an acoustic reflection film such as an acoustic multilayer film, which will be described later.
  • the acoustic reflection film may be provided on the surface of the support member.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 of the first acoustic wave resonator 10A shown in FIG. 3 are made of a laminated metal film. Specifically, in the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27, a Ti layer, an AlCu layer, and a Ti layer are laminated in this order from the piezoelectric layer 14 side. Note that the materials of the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 are not limited to those mentioned above. Alternatively, the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 may be made of a single-layer metal film.
  • the fourth electrode finger 35, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37 of the second acoustic wave resonator 10B can be made of the same material as the electrode fingers of the first acoustic wave resonator 10A.
  • the center-to-center distance between adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27, and the center-to-center distance between adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27 in the first acoustic wave resonator 10A are defined as p1.
  • the center-to-center distance between adjacent first electrode fingers and third electrode fingers, and the center-to-center distance between adjacent second electrode fingers and third electrode fingers in the second acoustic wave resonator 10B are defined as p2.
  • the center-to-center distance between adjacent fourth electrode fingers 35 and sixth electrode fingers 37, and the center-to-center distance between adjacent fifth electrode fingers 36 and sixth electrode fingers 37 are both p2.
  • the center-to-center distance p1 between the adjacent first electrode finger 25 and third electrode finger 27 is the same as the center-to-center distance p1 between the adjacent second electrode finger 26 and third electrode finger 27.
  • the center-to-center distance p1 between the adjacent first electrode finger 25 and third electrode finger 27 and the center-to-center distance p1 between the adjacent second electrode finger 26 and third electrode finger 27 do not have to be constant.
  • the longest distance among the center-to-center distance p1 between the adjacent first electrode finger 25 and third electrode finger 27 and the center-to-center distance p1 between the adjacent second electrode finger 26 and third electrode finger 27 is set to p. Note that, when the center-to-center distance p1 between adjacent electrode fingers is constant as in this embodiment, the center-to-center distance p1 between any adjacent electrode fingers in the first elastic wave resonator 10A is the distance p.
  • the center-to-center distance p2 between the adjacent fourth electrode finger 35 and sixth electrode finger 37 is the same as the center-to-center distance p2 between the adjacent fifth electrode finger 36 and sixth electrode finger 37 in the second elastic wave resonator 10B.
  • the center-to-center distance p2 between the adjacent fourth electrode finger 35 and sixth electrode finger 37 and the center-to-center distance p2 between the adjacent fifth electrode finger 36 and sixth electrode finger 37 do not have to be constant.
  • the longest distance among the center-to-center distance p2 between the adjacent fourth electrode finger 35 and sixth electrode finger 37 and the center-to-center distance p2 between the adjacent fifth electrode finger 36 and sixth electrode finger 37 is set to p. Note that, when the center-to-center distance p2 between adjacent electrode fingers is constant as in this embodiment, the center-to-center distance p2 between any adjacent electrode fingers in the second elastic wave resonator 10B is the distance p.
  • d/p is 0.5 or less, and it is more preferable that d/p is 0.24 or less. This allows bulk waves in thickness shear mode to be suitably excited in each of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B.
  • the thickness d is the thickness of the piezoelectric layer 14.
  • the first elastic wave resonator of the present invention does not necessarily have to be configured to be capable of using bulk waves in thickness shear mode.
  • the first elastic wave resonator of the present invention may be configured to be capable of exciting plate waves.
  • the excitation region is the crossing region E shown in FIG. 3.
  • the second elastic wave resonator may be configured to be capable of exciting plate waves.
  • the piezoelectric layer 14 is made of lithium niobate.
  • the fractional bandwidth of the first elastic wave resonator 10A depends on the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate used in the piezoelectric layer 14. The same is true for the second elastic wave resonator 10B.
  • the fractional bandwidth is expressed as (
  • FIG. 7 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth versus Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p approaches 0 as close as possible.
  • the hatched region R in Figure 7 is the region where a relative bandwidth of at least 2% or more is obtained.
  • the range of region R can be approximated as the ranges expressed by the following formulas (1), (2), and (3). Note that when ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within the range of 0° ⁇ 10°, the relationship between ⁇ and ⁇ and the relative bandwidth is the same as that shown in Figure 7.
  • the Euler angles are within the range of the above formula (1), formula (2), or formula (3). This allows the relative bandwidth to be sufficiently wide. This allows the elastic wave device 10 including the first elastic wave resonator 10A to be suitably used in a filter device.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate constituting the piezoelectric layer 14 are within the range of the above formula (1), formula (2), or formula (3). This allows the elastic wave device 10 including the second elastic wave resonator 10B to be suitably used as a filter device.
  • the third electrode 19 has a third bus bar 24 as a connection electrode and a plurality of third electrode fingers 27.
  • the third electrode 19 is a comb-shaped electrode.
  • the third electrode 19 does not have to be a comb-shaped electrode.
  • the third electrode 19A of the first acoustic wave resonator 80A has a meandering shape.
  • an insulating film 29A is not provided on the piezoelectric layer 14.
  • the connection electrode 24C includes only a portion corresponding to the plurality of first connection electrodes 24A in the first embodiment.
  • the connection electrode 24C of this modification is not a third bus bar.
  • the third electrode 19A has a plurality of connection electrodes 24C located on the first bus bar 22 side and a plurality of connection electrodes 24C located on the second bus bar 23 side.
  • the tips of the first bus bar 22 side or the tips of the second bus bar 23 side of two adjacent third electrode fingers 27 are connected by the connection electrodes 24C.
  • the third electrode fingers 27 other than both ends in the electrode finger orthogonal direction have one connection electrode 24C connected to both the tips on the first bus bar 22 side and the tips on the second bus bar 23 side.
  • the third electrode finger 27 is connected to the adjacent third electrode fingers 27 on both sides by each connection electrode 24C. This structure is repeated, so that the shape of the third electrode 19A is a meandering shape.
  • the tips of the second electrode fingers 26 face the connection electrodes 24C across a gap g1 in the electrode finger extension direction. That is, the tips of the second electrode fingers 26 face an electrode across a gap g1 in the electrode finger extension direction that is at a different potential from the electrode fingers and is connected to one of the input potential, the output potential, and the reference potential. Specifically, the second electrode fingers 26 are connected to the output potential, and the connection electrode 24C is connected to the reference potential.
  • the dimension of the gap g1 between the tips of the second electrode fingers 26 and the connection electrode 24C in the electrode finger extension direction is the gap length.
  • the tips of the first electrode fingers 25 face the connection electrodes 24C across a gap g2 in the electrode finger extension direction. That is, the tips of the first electrode fingers 25 face an electrode across a gap g2 in the electrode finger extension direction that is at a different potential from the electrode fingers and is connected to one of the input potential, the output potential, and the reference potential. Specifically, the first electrode fingers 25 are connected to the input potential, and the connection electrode 24C is connected to the reference potential.
  • the dimension of the gap g2 between the tips of the first electrode fingers 25 and the connection electrode 24C in the electrode finger extension direction is the gap length.
  • the gap length of gap g1 and the gap length of gap g2 are the same. However, the gap length of gap g1 and the gap length of gap g2 may be different from each other.
  • the second elastic wave resonator is configured in the same manner as the first elastic wave resonator 80A. That is, the shape of the sixth electrode serving as the third electrode in the second elastic wave resonator is meandering.
  • the second elastic wave resonator and the first elastic wave resonator 80A are each split resonators in which one elastic wave resonator is split in series.
  • the cavity 10a and the cavity 10b are provided separately. Note that the cavity 10a and the cavity 10b may be provided integrally.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B may share the same cavity. A configuration in which the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B share the same cavity may also be adopted in forms of the present invention other than the first embodiment.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are each a split resonator in which one elastic wave resonator is split in series, and are acoustically coupled filters.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are each a split resonator in which one elastic wave resonator is split in series, and are acoustically coupled filters.
  • the total number of the first electrode fingers 25, the second electrode fingers 26, and the third electrode fingers 27 of the first elastic wave resonator 10A is the same as the total number of the fourth electrode fingers 35, the fifth electrode fingers 36, and the sixth electrode fingers 37 of the second elastic wave resonator 10B.
  • the total number of the first electrode fingers 25, the second electrode fingers 26, and the third electrode fingers 27 of the first elastic wave resonator 10A is different from the total number of the fourth electrode fingers 35, the fifth electrode fingers 36, and the sixth electrode fingers 37 of the second elastic wave resonator 10B.
  • the elastic wave device of the second embodiment is configured in the same way as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the filter characteristics were compared between the first and second embodiments.
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the second embodiment are as follows:
  • Piezoelectric layer material: LiNbO 3 , Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ )...(0°, 0°, 90°), thickness...400 nm
  • First to third electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side The order of the first to third electrode fingers is represented by the potentials to which they are connected: IN, GND, OUT, GND, and this order is repeated. Center-to-center distance between adjacent electrode fingers: 1.4 ⁇ m Duty ratio: 0.3
  • the number of electrode fingers of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B is as follows:
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the first embodiment are the same as the design parameters in the second embodiment.
  • the numbers of electrode fingers of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the first embodiment are as follows:
  • FIG. 9 is a diagram showing the pass characteristics in the first and second embodiments. Note that FIG. 9 shows the S12 pass characteristics. The same applies to FIGS. 10 to 12, 15, 19, and 20, which will be described later.
  • filter characteristics can be obtained similarly to the first embodiment.
  • the ripples caused by unwanted waves in the second embodiment are smaller than those in the first embodiment. In this way, in the second embodiment, the ripples in the frequency characteristics can be suppressed. This is for the following reasons.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B have different numbers of electrode fingers. This causes the frequencies at which unwanted waves are generated to differ between the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B. This reduces ripples caused by unwanted waves in the entire elastic wave device.
  • the center-to-center distance p1 between adjacent electrode fingers in the first elastic wave resonator 10A is the same as the center-to-center distance p2 between adjacent electrode fingers in the second elastic wave resonator 10B.
  • the center-to-center distance p1 between adjacent electrode fingers in the first elastic wave resonator 10A is different from the center-to-center distance p2 between adjacent electrode fingers in the second elastic wave resonator 10B.
  • the elastic wave device of the third embodiment is configured in the same way as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the center distance p1 and the center distance p2 are different from each other means that the absolute value of the difference between the center distance p1 and the center distance p2 is 1% or more for both the center distance p1 and the center distance p2.
  • the center distances p1 in one first elastic wave resonator are different from each other means that the absolute value of the difference between the center distances p1 is 1% or more for both the center distances p1.
  • the center distance p1 is constant and the center distance p2 is constant.
  • the filter characteristics were compared between the first and third embodiments.
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the third embodiment are as follows:
  • Piezoelectric layer material: LiNbO 3 , Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ )...(0°, 0°, 90°), thickness...400 nm
  • First to third electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side The order of the first to third electrode fingers is represented by the potentials to which they are connected: IN, GND, OUT, GND, and this order is repeated. Duty ratio: 0.3
  • center distance p1 and center distance p2 are as follows:
  • Center-to-center distance p1 between adjacent electrode fingers of the first acoustic wave resonator 1.34 ⁇ m
  • Center-to-center distance p2 between adjacent electrode fingers of the second acoustic wave resonator 1.36 ⁇ m
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the first embodiment are the same as the design parameters in the third embodiment.
  • the center-to-center distance p1 and the center-to-center distance p2 in the first embodiment are as follows:
  • Center-to-center distance p1 between adjacent electrode fingers of the first acoustic wave resonator 1.34 ⁇ m
  • Center-to-center distance p2 between adjacent electrode fingers of the second acoustic wave resonator 1.34 ⁇ m
  • FIG. 10 shows the pass characteristics in the first and third embodiments.
  • filter characteristics can be obtained similar to those of the first embodiment.
  • the ripples caused by unwanted waves in the third embodiment are smaller than those in the first embodiment. In this way, in the third embodiment, the ripples in the frequency characteristics can be suppressed.
  • the frequencies at which unwanted waves are generated are different in the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B.
  • ripples in the frequency characteristics of the elastic wave device can be suppressed.
  • the center-to-center distance p1 does not have to be constant. In this case, it is sufficient that the distance p in the first elastic wave resonator 10A and the center-to-center distance p2 in the second elastic wave resonator 10B are different from each other. As described above, the distance p in the first elastic wave resonator 10A is the longest distance among the center-to-center distance p1 between the adjacent first electrode fingers 25 and third electrode fingers 27 and the center-to-center distance p1 between the adjacent second electrode fingers 26 and third electrode fingers 27. When the center-to-center distance p1 is constant, all center-to-center distances p1 are the distance p.
  • the center-to-center distance p2 in the second elastic wave resonator 10B does not have to be constant. In this case, it is sufficient that the distance p in the second elastic wave resonator 10B and the center-to-center distance p1 in the first elastic wave resonator 10A are different from each other. On the other hand, when both the center-to-center distance p1 and the center-to-center distance p2 are not constant, it is sufficient that the distance p in the first elastic wave resonator 10A and the distance p in the second elastic wave resonator 10B are different from each other.
  • the duty ratio in the first elastic wave resonator 10A is the same as the duty ratio in the second elastic wave resonator 10B.
  • the duty ratio in the first elastic wave resonator 10A is different from the duty ratio in the second elastic wave resonator 10B.
  • “the duty ratios are different from each other” means that the absolute value of the difference between the duty ratios is 0.1 or more.
  • the elastic wave device of the fourth embodiment is configured in the same way as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the filter characteristics were compared between the first and fourth embodiments.
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the fourth embodiment are as follows:
  • Piezoelectric layer material: LiNbO 3 , Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ )...(0°, 0°, 90°), thickness...400 nm
  • First to third electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side The order of the first to third electrode fingers is represented by the potentials to which they are connected: IN, GND, OUT, GND, and this order is repeated. Center-to-center distance between adjacent electrode fingers: 1.4 ⁇ m
  • the duty ratios of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the fourth embodiment are as follows:
  • Duty ratio of the first acoustic wave resonator 0.3
  • Duty ratio of the second acoustic wave resonator 0.31
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the first embodiment are the same as the design parameters in the fourth embodiment.
  • the duty ratios of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the first embodiment are as follows:
  • Duty ratio of the first acoustic wave resonator 0.3
  • Duty ratio of the second acoustic wave resonator 0.3
  • FIG. 11 shows the pass characteristics in the first and fourth embodiments.
  • filter characteristics can be obtained similar to those of the first embodiment.
  • the ripples caused by unwanted waves in the fourth embodiment are smaller than those in the first embodiment. In this way, in the fourth embodiment, the ripples in the frequency characteristics can be suppressed.
  • the duty ratios of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are different from each other.
  • the frequencies at which unwanted waves are generated are different from each other in the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B.
  • the thicknesses of the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 of the first elastic wave resonator 10A are the same as the thicknesses of the fourth electrode finger 35, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37 of the second elastic wave resonator 10B.
  • the elastic wave device of the fifth embodiment is configured similarly to the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the electrode fingers having different thicknesses means that the absolute value of the difference between the thicknesses of the electrode fingers is 1% or more relative to the thickness of any of the electrode fingers.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 have the same thickness.
  • the fourth electrode finger 35, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37 have the same thickness.
  • the filter characteristics were compared between the first and fifth embodiments.
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the fifth embodiment are as follows:
  • Piezoelectric layer material: LiNbO 3 , Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ )...(0°, 0°, 90°), thickness...400 nm
  • the order of the first to third electrode fingers is represented by the potentials to which they are connected: IN, GND, OUT, GND, and this order is repeated.
  • the design parameters for the electrode fingers of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the fifth embodiment are as follows:
  • First to third electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side; te1: 404 nm
  • Fourth to sixth electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/400 nm/4 nm from the piezoelectric layer side; te2: 414 nm
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the first embodiment are the same as the design parameters in the fifth embodiment.
  • the design parameters related to the electrode fingers of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the first embodiment are as follows:
  • First to third electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side; te1: 404 nm
  • Fourth to sixth electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side; te2: 404 nm
  • FIG. 12 shows the pass characteristics in the first and fifth embodiments.
  • filter characteristics can be obtained similar to those of the first embodiment.
  • the ripples caused by unwanted waves in the fifth embodiment are smaller than those in the first embodiment. In this way, in the fifth embodiment, ripples in the frequency characteristics can be suppressed.
  • the gap lengths are different from each other means that the absolute value of the difference between the gap lengths divided by the electrode finger pitch is 0.02 or more.
  • the electrode finger pitch here is the center-to-center distance p1 in the first elastic wave resonator 10A and the center-to-center distance p2 in the second elastic wave resonator 10B.
  • the elastic wave device of the sixth embodiment is configured similarly to the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the gap length G1 of gap g1 and the gap length G1 of gap g2 are the same.
  • the gap length G2 of gap g4 and the gap length G2 of gap g5 are the same.
  • the frequencies at which unwanted waves are generated are different in the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B. This makes it possible to suppress ripples caused by unwanted waves in the frequency characteristics of the elastic wave device.
  • the configuration of the seventh embodiment will be described below.
  • the electrode fingers in the first elastic wave resonator 10A are the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27.
  • the electrode fingers in the second elastic wave resonator 10B are the fourth electrode finger 35 as the first electrode finger, the fifth electrode finger 36 as the second electrode finger, and the sixth electrode finger 37 as the third electrode finger.
  • the elastic wave device of the seventh embodiment is configured similarly to the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the width of the electrode fingers is the dimension of the electrode fingers along the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the widths of the electrode fingers are different from each other means that the absolute value of the difference between the widths of the electrode fingers is 1% or more relative to the width of any of the electrode fingers.
  • the frequencies at which unwanted waves are generated are different in the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B. This makes it possible to suppress ripples caused by unwanted waves in the frequency characteristics of the elastic wave device.
  • crossover width Ap1 the dimension of the crossover region E in the first elastic wave resonator 10A along the electrode finger extension direction
  • the dimension of the crossover region in the second elastic wave resonator 10B along the electrode finger extension direction is defined as crossover width Ap2
  • Ap1 Ap2.
  • Ap1 Ap2.
  • the crossover widths being different from each other means that the absolute value of the difference between the crossover widths is 1% or more for each crossover width.
  • the elastic wave device of the eighth embodiment is configured similarly to the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the second to eighth embodiments an example has been shown in which one of a plurality of parameters is different between the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator.
  • each of the configurations of the second to eighth embodiments can also be adopted in other aspects of the present invention. That is, in the present invention, at least one of the following parameters may be different between the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator.
  • the above parameters are the total number of the plurality of electrode fingers, the center-to-center distance between adjacent electrode fingers, the duty ratio, the thickness of the electrode fingers, the gap length, the width of the electrode fingers, and the cross width.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional front view of a first elastic wave resonator in the ninth embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional front view of a second elastic wave resonator in the ninth embodiment.
  • this embodiment differs from the first embodiment in that the first elastic wave resonator 40A has a dielectric film 48A. As shown in FIG. 14, this embodiment also differs from the first embodiment in that the second elastic wave resonator 40B has a dielectric film 48B.
  • the elastic wave device of this embodiment is configured similarly to the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • a dielectric film 48A is provided to cover the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 of the first acoustic wave resonator 40A.
  • a dielectric film 48B is provided to cover the fourth electrode finger 35, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37 of the second acoustic wave resonator 40B.
  • each electrode finger in the first acoustic wave resonator 40A has a first surface 11a, a second surface 11b, and a side surface 11c.
  • the first surface 11a and the second surface 11b face each other in the thickness direction of the electrode finger.
  • the second surface 11b is the surface on the piezoelectric layer 14 side.
  • the side surface 11c is connected to the first surface 11a and the second surface 11b.
  • the side surface 11c extends parallel to the normal direction of the second surface 11b.
  • the side surface 11c may extend at an angle with respect to the normal direction of the second surface 11b.
  • the dielectric film 48A covers the first surface 11a and the side surface 11c of each electrode finger.
  • each electrode finger in each embodiment other than the ninth embodiment also has a first surface, a second surface, and a side surface.
  • the thickness of the dielectric film 48A in the first elastic wave resonator 40A is td1 and the thickness of the dielectric film 48B in the second elastic wave resonator 40B is td2, td1 ⁇ td2.
  • the thickness of the dielectric film refers to the distance between the first surface of the electrode finger and the surface of the dielectric film.
  • the thicknesses of the dielectric films are different from each other means that the absolute value of the difference between the thicknesses of the dielectric films is 1% or more for each of the thicknesses of the dielectric films.
  • the first elastic wave resonator 40A and the second elastic wave resonator 40B are each a split resonator in which one elastic wave resonator is split in series, and are acoustically coupled filters.
  • the elastic wave device when used in a filter device, it is possible to reduce the size of the filter device and increase its power resistance.
  • the filter characteristics were compared between the first and ninth embodiments.
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 40A and the second elastic wave resonator 40B in the ninth embodiment are as follows:
  • Piezoelectric layer material: LiNbO 3 , Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ )...(0°, 0°, 90°), thickness...400 nm
  • First to third electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side The order of the first to third electrode fingers is represented by the potentials to which they are connected: IN, GND, OUT, GND, and this order is repeated.
  • the thicknesses of the dielectric films in the first elastic wave resonator 40A and the second elastic wave resonator 40B are as follows:
  • Thickness td1 of the dielectric film in the first acoustic wave resonator 180 nm
  • Thickness td2 of the dielectric film in the second acoustic wave resonator 178 nm
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in the first embodiment are the same as the design parameters in the ninth embodiment.
  • FIG. 15 shows the pass characteristics in the first and ninth embodiments.
  • filter characteristics can be obtained similar to those of the first embodiment.
  • the ripples caused by unwanted waves in the ninth embodiment are smaller than those in the first embodiment. In this way, in the ninth embodiment, ripples in the frequency characteristics can be suppressed.
  • td1 ⁇ td2.
  • the frequencies at which unwanted waves are generated are different in the first elastic wave resonator 40A and the second elastic wave resonator 40B.
  • ripples in the frequency characteristics of the elastic wave device can be suppressed.
  • td1 td2
  • td1 ⁇ td2 it is preferable that td1 ⁇ td2 is satisfied. This makes it possible to suppress ripples in the frequency characteristics of the elastic wave device, as described above.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a tenth embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of a second elastic wave resonator in the tenth embodiment. In FIG. 17, wiring connected to the second elastic wave resonator 50B and the first elastic wave resonator 10A are omitted.
  • this embodiment differs from the first embodiment in that the second elastic wave resonator 50B has a pair of reflectors 53C and 53D.
  • the elastic wave device of this embodiment is configured similarly to the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • Reflectors 53C and 53D are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14. Reflectors 53C and 53D face each other, sandwiching the area in which the fourth electrode finger 35, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37 are provided, in the direction perpendicular to the electrode fingers. On the other hand, the first acoustic wave resonator 10A does not have a reflector.
  • reflector 53C has a pair of reflector bus bars and a plurality of reflector electrode fingers 53c.
  • the pair of reflector bus bars is a first reflector bus bar 53a and a second reflector bus bar 53b.
  • the first reflector bus bar 53a and the second reflector bus bar 53b face each other.
  • One end of each of the plurality of reflector electrode fingers 53c is connected to the first reflector bus bar 53a.
  • the other end of each of the plurality of reflector electrode fingers 53c is connected to the second reflector bus bar 53b.
  • Reflector 53D is configured in the same manner as reflector 53C.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 50B are each a split resonator in which one elastic wave resonator is split in series, and are acoustically coupled filters.
  • the elastic wave device when used in a filter device, it is possible to reduce the size of the filter device and increase its power resistance.
  • the first elastic wave resonator 10A it is also possible for the first elastic wave resonator 10A to have a pair of reflectors and the second elastic wave resonator 50B to have no reflectors. Even in this case, when the elastic wave device is used in a filter device, the filter device can be made smaller and its power resistance can be increased.
  • the first elastic wave resonator 50A has a pair of reflectors 53A and 53B.
  • the reflectors 53A and 53B face each other in the direction perpendicular to the electrode fingers, sandwiching the region in which the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 are provided.
  • the second elastic wave resonator 50B has a pair of reflectors 53C and 53D, similar to the tenth embodiment.
  • the reflectors 53A and 53B in the first elastic wave resonator 50A are configured similarly to the reflector 53C in the second elastic wave resonator 50B.
  • the filter device can be made smaller and its power resistance can be increased.
  • the filter characteristics were compared between the first embodiment, the tenth embodiment, and the modified example of the tenth embodiment.
  • the design parameters of the original elastic wave resonators of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 50B in the tenth embodiment are as follows:
  • Piezoelectric layer material: LiNbO 3 , Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ )...(0°, 0°, 90°), thickness...400 nm
  • First to third electrode fingers layer structure: Ti layer/AlCu layer/Ti layer from the piezoelectric layer side; thickness: 10 nm/390 nm/4 nm from the piezoelectric layer side The order of the first to third electrode fingers is represented by the potentials to which they are connected: IN, GND, OUT, GND, and this order is repeated.
  • the design parameters of the first embodiment and the modified example of the tenth embodiment are the same as those of the tenth embodiment.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B do not have reflectors.
  • the first elastic wave resonator 50A and the second elastic wave resonator 50B each have a pair of reflectors.
  • FIG. 19 is a diagram showing the pass characteristics in the first embodiment and the tenth embodiment.
  • FIG. 20 is a diagram showing the pass characteristics in the tenth embodiment and its modified example.
  • the elastic wave device of the tenth embodiment can obtain filter characteristics similar to those of the first embodiment.
  • the tenth embodiment can reduce loss near the center of the passband.
  • the first embodiment does not include a reflector, so the elastic wave device 10 can be made smaller.
  • the configuration in which at least one of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator has a pair of reflectors can also be adopted in embodiments of the present invention other than the tenth embodiment and its variations.
  • the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator may be configured to be capable of using plate waves.
  • each of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator may have a pair of reflectors.
  • FIG. 21 is a schematic plan view of an elastic wave device according to an eleventh embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that one elastic wave resonator is divided in parallel.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are each split resonators in which one elastic wave resonator is divided in parallel.
  • the elastic wave device 60 of this embodiment is configured in the same way as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are acoustically coupled filters, as in the first embodiment. This allows a filter waveform to be obtained in each of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B. Therefore, when the elastic wave device 60 is used in a filter device, a suitable filter waveform can be obtained even if the filter device includes a small number of elastic wave resonators. This allows for the miniaturization of the filter device to be promoted.
  • the heat dissipation path can be increased by dividing the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B in parallel. This makes it possible to prevent the temperatures of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B from becoming too high during operation of the elastic wave device, making the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B less likely to be damaged. This can therefore improve power resistance.
  • a first signal potential wiring 28A, a second signal potential wiring 28B, and a reference potential wiring 28C are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the first signal potential wiring 28A is connected to the input potential.
  • the second signal potential wiring 28B is connected to the output potential.
  • the reference potential wiring 28C is connected to the reference potential.
  • the first bus bar 22 of the first elastic wave resonator 10A and the fourth bus bar 32 of the second elastic wave resonator 10B are commonly connected to the first signal potential wiring 28A.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are connected to the same input potential via the first signal potential wiring 28A.
  • the second bus bar 23 of the first elastic wave resonator 10A and the fifth bus bar 33 of the second elastic wave resonator 10B are commonly connected to the second signal potential wiring 28B.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are connected to the same output potential via the second signal potential wiring 28B. In this way, the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are connected in parallel with each other.
  • the third bus bar 24 of the first elastic wave resonator 10A and the sixth bus bar 34 of the second elastic wave resonator 10B are configured as one piece.
  • the third bus bar 24 and the sixth bus bar 34 are connected to a reference potential via the reference potential wiring 28C. This simplifies the wiring and effectively reduces the size of the filter device. Note that the third bus bar 24 and the sixth bus bar 34 do not necessarily have to be configured as one piece.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are arranged side by side in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the arrangement of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B is not limited to the above. It is sufficient that the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are connected in parallel to each other.
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 21.
  • the piezoelectric substrate 12 is provided with separate cavities 10a and 10b.
  • the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 of the first acoustic wave resonator 10A overlap with the cavity 10a in a planar view.
  • the fourth electrode finger 35 as the first electrode finger, the fifth electrode finger 36 as the second electrode finger, and the sixth electrode finger 37 as the third electrode finger of the second acoustic wave resonator 10B overlap with the cavity 10b in a planar view.
  • the cavity 10a and the cavity 10b may be provided as a single body.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B may share the same cavity.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B are each a split resonator in which one elastic wave resonator is split in parallel.
  • at least one of the following parameters may be different between the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B.
  • the above parameters are the total number of multiple electrode fingers, the center-to-center distance between adjacent electrode fingers, the duty ratio, the thickness of the electrode fingers, the gap length, the width of the electrode fingers, and the cross width. This makes it possible to suppress ripples caused by unwanted waves in the frequency characteristics of the elastic wave device 60.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B may have a dielectric film, as in the ninth embodiment.
  • the relationship between the thickness td1 of the dielectric film in the first elastic wave resonator 10A and the thickness td2 of the dielectric film in the second elastic wave resonator 10B is td1 ⁇ td2. This makes it possible to suppress ripples caused by unwanted waves in the frequency characteristics of the elastic wave device 60.
  • At least one of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B may have a pair of reflectors, as in the tenth embodiment or its modified examples. It is preferable that one of the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B has a pair of reflectors. This can suppress ripples on the low-frequency side of the passband and reduce loss near the center of the passband.
  • the third electrode 19 of the first elastic wave resonator 10A and the sixth electrode of the second elastic wave resonator 10B may have a meandering shape, as in the modified example of the first embodiment.
  • the first elastic wave resonator 10A and the second elastic wave resonator 10B may each be a split resonator in which one elastic wave resonator is split in parallel.
  • FIG. 23 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a twelfth embodiment.
  • This embodiment differs from the eleventh embodiment in that the first elastic wave resonator 70A and the second elastic wave resonator 70B have reflectors.
  • the elastic wave device of this embodiment is configured similarly to the elastic wave device 60 of the eleventh embodiment. As shown in FIG. 23, the first elastic wave resonator 70A and the second elastic wave resonator 70B are aligned in the orthogonal electrode finger direction.
  • the first elastic wave resonator 70A has a first reflector 73A.
  • the second elastic wave resonator 70B has a second reflector 73D.
  • the first elastic wave resonator 70A and the second elastic wave resonator 70B share a third reflector 73E.
  • the first reflector 73A, the second reflector 73D, and the third reflector 73E are provided on the first main surface 14a of the piezoelectric layer 14.
  • the third reflector 73E is provided between the region in which the first elastic wave resonator 70A has a plurality of electrode fingers and the region in which the second elastic wave resonator 70B has a plurality of electrode fingers.
  • the region in which the first elastic wave resonator 70A has a plurality of electrode fingers is specifically the region in which the first electrode finger 25, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 are provided.
  • the region in which the second elastic wave resonator 70B has a plurality of electrode fingers is specifically the region in which the fourth electrode finger 35 as the first electrode finger, the fifth electrode finger 36 as the second electrode finger, and the sixth electrode finger 37 as the third electrode finger are provided.
  • the first reflector 73A and the third reflector 73E face each other, sandwiching the region in which the multiple electrode fingers of the first acoustic wave resonator 70A are provided in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the second reflector 73D and the third reflector 73E face each other, sandwiching the region in which the multiple electrode fingers of the second acoustic wave resonator 70B are provided in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the first reflector 73A is configured similarly to the reflector 53A in the tenth embodiment. Specifically, the first reflector 73A has a first reflector bus bar, a second reflector bus bar, and a plurality of reflector electrode fingers. The second reflector 73D and the third reflector 73E are configured similarly.
  • the first reflector 73A, the second reflector 73D, and the third reflector 73E are provided, thereby making it possible to reduce loss within the passband.
  • the third reflector 73E is shared by the first elastic wave resonator 70A and the second elastic wave resonator 70B, making it possible to reduce the size of the elastic wave device.
  • first elastic wave resonator 70A and the second elastic wave resonator 70B are each a split resonator in which one elastic wave resonator is split in parallel, and are acoustically coupled filters.
  • the elastic wave device when used in a filter device, it is possible to reduce the size of the filter device and increase its power resistance.
  • the cavity 10a and the cavity 10b are provided separately. However, the cavity 10a and the cavity 10b may be provided as an integral part.
  • the first elastic wave resonator 70A and the second elastic wave resonator 70B may share the same cavity. In this case, all of the reflector electrode fingers in the third reflector 73E can be more reliably arranged to overlap with the cavity in a plan view. This makes it possible to more reliably improve the resonance characteristics of the first elastic wave resonator 70A and the second elastic wave resonator 70B.
  • FIG. 24 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a thirteenth embodiment.
  • FIG. 25 is a schematic front cross-sectional view showing the vicinity of the first to third electrode fingers of a first elastic wave resonator according to the thirteenth embodiment.
  • this embodiment differs from the first embodiment in that the third electrode 19 in the first elastic wave resonator 80A is provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14. As shown in FIG. 24, this embodiment also differs from the first embodiment in that the sixth electrode 39 in the second elastic wave resonator 80B is provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14. Furthermore, this embodiment also differs from the first embodiment in that the reference potential wiring 28C is provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
  • the arrangement of the third electrodes 19 in the first elastic wave resonator 80A is the same as the arrangement of the third electrodes 19 in the first elastic wave resonator 10A of the first embodiment.
  • a plurality of third electrode fingers 27 are provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 so as to be aligned with the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 in the direction in which the first electrode fingers 25 and the second electrode fingers 26 are aligned when viewed in a plan view.
  • the order in which the plurality of electrode fingers are aligned is such that, starting from the first electrode finger 25, the first electrode finger 25, the third electrode finger 27, the second electrode finger 26, and the third electrode finger 27 form one period.
  • the arrangement of the sixth electrodes 39 in the second elastic wave resonator 80B is the same as the arrangement of the sixth electrodes 39 in the second elastic wave resonator 10B of the first embodiment.
  • a plurality of sixth electrode fingers 37 are provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14 so as to be aligned with the fourth electrode finger 35 and the fifth electrode finger 36 in the direction in which the fourth electrode finger 35 and the fifth electrode finger 36 are aligned when viewed in a plan view.
  • the order in which the plurality of electrode fingers are aligned is such that, starting from the fourth electrode finger 35, one period includes the fourth electrode finger 35, the sixth electrode finger 37, the fifth electrode finger 36, and the sixth electrode finger 37.
  • the reference potential wiring 28C is provided on the second main surface 14b of the piezoelectric layer 14.
  • the third bus bar 24 of the third electrode 19 of the first elastic wave resonator 80A is connected to the reference potential wiring 28C.
  • the sixth bus bar 34 of the sixth electrode 39 of the second elastic wave resonator 80B is connected to the reference potential wiring 28C.
  • the first elastic wave resonator 80A and the second elastic wave resonator 80B are each a split resonator in which one elastic wave resonator is split in series, and are acoustically coupled filters.
  • the elastic wave device when used in a filter device, it is possible to reduce the size of the filter device and increase its power resistance.
  • each of the first elastic wave resonator 80A and the second elastic wave resonator 80B may be a split resonator in which a single elastic wave resonator is split in parallel.
  • the filter device when the elastic wave device is used in a filter device, the filter device can be made smaller and its power resistance can be increased.
  • the thickness shear mode will be described in detail using an example in which the functional electrode is an IDT electrode.
  • the "electrode" in the IDT electrode described below corresponds to an electrode finger.
  • the acoustic wave device in the following example is a single acoustic wave resonator.
  • the support member in the following example corresponds to the support substrate in the present invention.
  • the reference potential may also be referred to as the ground potential.
  • Figure 26(a) is a schematic perspective view showing the appearance of an elastic wave device that uses bulk waves in thickness shear mode
  • Figure 26(b) is a plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer
  • Figure 27 is a cross-sectional view of a portion along line A-A in Figure 26(a).
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3.
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3.
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 is Z-cut, but may be rotated Y-cut or X-cut.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but is preferably 40 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably 50 nm or more and 1000 nm or less, in order to effectively excite the thickness shear mode.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second principal surfaces 2a and 2b facing each other. An electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first principal surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of a "first electrode”
  • the electrode 4 is an example of a "second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to a first bus bar 5.
  • a plurality of electrodes 4 are connected to a second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other.
  • the electrodes 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode 3 faces the adjacent electrode 4 in a direction perpendicular to the length direction.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 are both directions intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the electrode 3 faces the adjacent electrode 4 in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIG. 26(a) and FIG. 26(b). That is, the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend in FIG. 26(a) and FIG. 26(b). In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIG. 26(a) and FIG. 26(b).
  • a plurality of pairs of structures in which an electrode 3 connected to one potential and an electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4.
  • the electrodes 3 and 4 are adjacent to each other, not to the case where the electrodes 3 and 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but to the case where the electrodes 3 and 4 are arranged with a gap therebetween.
  • no electrodes connected to hot electrodes or ground electrodes, including the other electrodes 3 and 4 are arranged between the electrodes 3 and 4.
  • the number of pairs does not need to be an integer number of pairs, and may be 1.5 pairs or 2.5 pairs.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4, i.e., the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the width of the electrodes 3 and 4, i.e., the dimension in the opposing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 50 nm or more and 1000 nm or less, and more preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between electrodes 3 and 4 is the distance between the center of the dimension (width dimension) of electrode 3 in a direction perpendicular to the length direction of electrode 3 and the center of the dimension (width dimension) of electrode 4 in a direction perpendicular to the length direction of electrode 4.
  • the elastic wave device 1 uses a Z-cut piezoelectric layer
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This does not apply when a piezoelectric material with a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “perpendicular” is not limited to strictly perpendicular, but may also be approximately perpendicular (the angle between the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is within a range of 90° ⁇ 10°, for example).
  • a support member 8 is laminated on the second principal surface 2b side of the piezoelectric layer 2 via an insulating layer 7.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape and have through holes 7a, 8a as shown in FIG. 27. This forms a cavity 9.
  • the cavity 9 is provided so as not to interfere with the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second principal surface 2b via the insulating layer 7 at a position that does not overlap with at least the portion where a pair of electrodes 3, 4 is provided. Note that the insulating layer 7 does not have to be provided. Therefore, the support member 8 can be laminated directly or indirectly on the second principal surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, in addition to silicon oxide, appropriate insulating materials such as silicon oxynitride and alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The surface orientation of the Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). The Si constituting the support member 8 desirably has a high resistivity of 4 k ⁇ cm or more. However, the support member 8 can also be made of an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Materials that can be used for the support member 8 include, for example, piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz crystal; various ceramics such as alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite; dielectric materials such as diamond and glass; and semiconductors such as gallium nitride.
  • piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz crystal
  • various ceramics such as alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite
  • dielectric materials such as diamond and glass
  • semiconductors such as gallium nitride.
  • the electrodes 3, 4 and the first and second bus bars 5, 6 are made of an appropriate metal or alloy, such as Al or an AlCu alloy.
  • the electrodes 3, 4 and the first and second bus bars 5, 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than a Ti film may also be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrodes 3 and the multiple electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6.
  • d/p is set to 0.5 or less. Therefore, the bulk waves in thickness shear mode are effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the elastic wave device 1 has the above configuration, even if the number of pairs of electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because there is little propagation loss even if the number of electrode fingers in the reflectors on both sides is reduced. In addition, the number of electrode fingers can be reduced because a bulk wave in thickness shear mode is used. The difference between the Lamb wave used in the elastic wave device and the bulk wave in thickness shear mode will be explained with reference to Figures 28(a) and 28(b).
  • FIG. 28(a) is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of an elastic wave device as described in Japanese Patent Publication JP2012-257019A.
  • waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by the arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b face each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrode are arranged.
  • the Lamb wave the wave propagates in the X direction as shown.
  • the piezoelectric film 201 vibrates as a whole, but the wave propagates in the X direction, so reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, i.e., when the number of pairs of electrode fingers is reduced, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness slip direction, so the wave propagates and resonates in the direction connecting the first principal surface 2a and the second principal surface 2b of the piezoelectric layer 2, i.e., the Z direction. That is, the X direction component of the wave is significantly smaller than the Z direction component. And because the resonance characteristics are obtained by the propagation of the wave in this Z direction, propagation loss is unlikely to occur even if the number of electrode fingers of the reflector is reduced. Furthermore, even if the number of electrode pairs consisting of electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to reduce the size, a decrease in the Q value is unlikely to occur.
  • FIG. 29 shows a schematic diagram of the bulk wave when a voltage is applied between electrodes 3 and 4 such that electrode 4 has a higher potential than electrode 3.
  • the first region 451 is a region in the excitation region C between an imaginary plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and divides the piezoelectric layer 2 in half, and the first principal surface 2a.
  • the second region 452 is a region in the excitation region C between the imaginary plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 at least one pair of electrodes consisting of electrode 3 and electrode 4 is arranged, but since waves are not propagated in the X direction, the number of electrode pairs consisting of electrodes 3 and 4 does not need to be multiple. In other words, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • electrode 4 is an electrode connected to a ground potential
  • electrode 3 may be connected to a ground potential
  • electrode 4 may be connected to a hot potential
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 30 shows the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG. 27.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained these resonance characteristics are as follows:
  • the length of the region where electrodes 3 and 4 overlap, i.e., excitation region C was 40 ⁇ m; the number of electrode pairs consisting of electrodes 3 and 4 was 21 pairs; the center distance between electrodes was 3 ⁇ m; the width of electrodes 3 and 4 was 500 nm; and d/p was 0.133.
  • Insulating layer 7 silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of electrodes 3 and 4 are all equal in the multiple pairs. In other words, electrodes 3 and 4 are arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, and more preferably 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG. 31.
  • Figure 32 is a plan view of an elastic wave device that utilizes bulk waves in thickness shear mode.
  • elastic wave device 90 a pair of electrodes, including electrode 3 and electrode 4, is provided on first main surface 2a of piezoelectric layer 2.
  • K in Figure 32 is the cross width.
  • the number of pairs of electrodes may be one pair. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, bulk waves in thickness shear mode can be effectively excited.
  • the metallization ratio MR of the adjacent electrodes 3, 4 with respect to an excitation region C which is a region where the adjacent electrodes 3, 4 overlap when viewed in a direction in which the electrodes 3, 4 face each other, satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075.
  • spurious signals can be effectively reduced.
  • FIG. 33 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device 1.
  • the metallization ratio MR is 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 26(b).
  • the area surrounded by the dashed line is the excitation region C.
  • This excitation region C refers to the area of electrode 3 overlapping with electrode 4 when electrodes 3 and 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of electrodes 3 and 4, i.e., in the opposing direction, the area of electrode 4 overlapping with electrode 3, and the area between electrodes 3 and 4 where electrodes 3 and 4 overlap.
  • the area of electrodes 3 and 4 in the excitation region C relative to the area of this excitation region C is the metallization ratio MR.
  • the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the excitation region C.
  • MR can be defined as the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region to the total area of the excitation region.
  • Fig. 34 is a diagram showing the relationship between the bandwidth ratio when a large number of elastic wave resonators are configured according to the configuration of elastic wave device 1 and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious.
  • the bandwidth ratio was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer and the dimensions of the electrodes in various ways.
  • Fig. 34 shows the results when a piezoelectric layer made of Z-cut LiNbO3 is used, the same tendency is observed when a piezoelectric layer with a different cut angle is used.
  • the spurious is large at 1.0.
  • the bandwidth fraction exceeds 0.17, i.e., exceeds 17%, large spurious with a spurious level of 1 or more appears within the passband, even if the parameters that make up the bandwidth fraction are changed.
  • large spurious indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the bandwidth fraction be 17% or less. In this case, the spurious can be reduced by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrodes 3 and 4, etc.
  • FIG. 35 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and bandwidth ratio.
  • Various elastic wave devices with different d/2p and MR were constructed in the above elastic wave device, and the bandwidth ratio was measured.
  • the hatched area to the right of the dashed line D in FIG. 35 is the area where the bandwidth ratio is 17% or less.
  • Fig. 36 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p approaches 0.
  • a plurality of hatched regions R are regions where a fractional bandwidth of 2% or more is obtained.
  • ⁇ in the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) is within the range of 0° ⁇ 5°, the relationship between ⁇ and ⁇ and the fractional bandwidth is the same as the relationship shown in Fig. 36.
  • the relative bandwidth can be sufficiently widened, which is preferable.
  • Figure 37 is a front cross-sectional view of an elastic wave device having an acoustic multilayer film.
  • an acoustic multilayer film 92 is laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the acoustic multilayer film 92 has a laminated structure of low acoustic impedance layers 92a, 92c, and 92e with relatively low acoustic impedance and high acoustic impedance layers 92b and 92d with relatively high acoustic impedance.
  • the thickness-shear mode bulk wave can be confined within the piezoelectric layer 2 without using the cavity 9 in the elastic wave device 1.
  • the elastic wave device 91 by setting the above d/p to 0.5 or less, it is possible to obtain resonance characteristics based on the thickness-shear mode bulk wave.
  • the number of layers of the low acoustic impedance layers 92a, 92c, and 92e and the high acoustic impedance layers 92b and 92d is not particularly limited. It is sufficient that at least one high acoustic impedance layer 92b or 92d is arranged farther from the piezoelectric layer 2 than the low acoustic impedance layers 92a, 92c, and 92e.
  • the low acoustic impedance layers 92a, 92c, 92e and the high acoustic impedance layers 92b, 92d can be made of any suitable material as long as the above acoustic impedance relationship is satisfied.
  • the low acoustic impedance layers 92a, 92c, 92e can be made of silicon oxide or silicon oxynitride.
  • the high acoustic impedance layers 92b, 92d can be made of alumina, silicon nitride, or metal.
  • Figure 38 is a partially cutaway perspective view illustrating an elastic wave device that uses Lamb waves.
  • the elastic wave device 101 has a support substrate 102.
  • the support substrate 102 has a recessed portion on its upper surface.
  • a piezoelectric layer 103 is laminated on the support substrate 102. This forms a cavity 9.
  • An IDT electrode 104 is provided on the piezoelectric layer 103 above the cavity 9. Reflectors 105 and 106 are provided on both sides of the IDT electrode 104 in the elastic wave propagation direction. In FIG. 38, the outer periphery of the cavity 9 is indicated by a dashed line.
  • the IDT electrode 104 has first and second bus bars 104a and 104b, a plurality of first electrode fingers 104c, and a plurality of second electrode fingers 104d.
  • the first electrode fingers 104c are connected to the first bus bar 104a.
  • the second electrode fingers 104d are connected to the second bus bar 104b.
  • the multiple first electrode fingers 104c and the multiple second electrode fingers 104d are interdigitated.
  • an AC electric field is applied to the IDT electrode 104 on the cavity 9, exciting a Lamb wave as a plate wave.
  • Reflectors 105 and 106 are provided on both sides, so that the resonance characteristics of the Lamb wave can be obtained.
  • the elastic wave resonator of the present invention may utilize plate waves.
  • an acoustic multilayer film 92 shown in FIG. 37 may be provided as an acoustic reflection film between the support member and the piezoelectric layer serving as the piezoelectric film.
  • the support member and the piezoelectric film may be arranged such that at least a part of the support member and at least a part of the piezoelectric film face each other with the acoustic multilayer film 92 in between. In this case, it is sufficient that the low acoustic impedance layers and the high acoustic impedance layers are alternately stacked in the acoustic multilayer film 92.
  • the acoustic multilayer film 92 may be an acoustic reflection part in the elastic wave device.
  • a plurality of acoustic multilayer films 92 may be provided individually.
  • the plurality of electrode fingers in the first elastic wave resonator and the plurality of electrode fingers in the second elastic wave resonator may overlap with different acoustic multilayer films 92 in a planar view.
  • the same acoustic multilayer film 92 may overlap with the plurality of electrode fingers in the first elastic wave resonator and the plurality of electrode fingers in the second elastic wave resonator in a planar view.
  • the multiple third electrode fingers of the first acoustic wave resonator and the multiple third electrode fingers of the second acoustic wave resonator may be embedded in the acoustic multilayer film 92.
  • d/p is preferably 0.5 or less, and more preferably 0.24 or less. This makes it possible to obtain even better resonance characteristics.
  • the second elastic wave resonator in the first to thirteenth embodiments and each of the modified examples that utilize bulk waves in thickness shear mode is preferably 0.5 or less, and more preferably 0.24 or less.
  • the excitation region of the first elastic wave resonator in the first to thirteenth embodiments and each modified example that utilizes bulk waves in thickness shear mode it is preferable to satisfy MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075 as described above. More specifically, when the metallization ratio of the first electrode fingers and third electrode fingers and the second electrode fingers and third electrode fingers to the excitation region is MR, it is preferable to satisfy MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. In this case, spurious can be more reliably suppressed. The same is true in the excitation region of the second elastic wave resonator in the first to thirteenth embodiments and each modified example that utilizes bulk waves in thickness shear mode.

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Abstract

フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる、弾性波装置を提供する。 本発明に係る弾性波装置10は、第1の弾性波共振子10Aと、第2の弾性波共振子10Bとを備える。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bはそれぞれ、ニオブ酸リチウムからなる圧電層14を含む圧電膜と、圧電層14上に設けられており、第1のバスバー(第1,第4のバスバー22,32)と、第1のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指(複数の第1,第4の電極指25,35)とを有し、入力電位に接続される第1の櫛形電極(第1,第4の櫛形電極)と、圧電層14上に設けられており、第2のバスバー(第2,第5のバスバー23,33)と、第2のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、複数の第1の電極指(複数の第1,第4の電極指25,35)と間挿し合っている複数の第2の電極指(複数の第2,第5の電極指26,36)とを有し、出力電位に接続される第2の櫛形電極(第2,第5の櫛形電極)と、平面視したときに、第1の電極指及び第2の電極指が並ぶ方向において、第1の電極指及び第2の電極指と並ぶように、それぞれ圧電層14上に設けられている複数の第3の電極指(複数の第3,第6の電極指27,37)と、隣り合う第3の電極指同士を接続している接続電極(第3,第6のバスバー24,34)とを有し、基準電位に接続される、第3の電極とを有する。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bのそれぞれにおいて、平面視したときに、第1の電極指、第2の電極指及び第3の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指から開始した場合において、第1の電極指、第3の電極指、第2の電極指及び第3の電極指を1周期とする順序である。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bがそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子である。

Description

弾性波装置
 本発明は、複数の弾性波共振子を有する弾性波装置に関する。
 従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。近年においては、下記の特許文献1に記載のような、厚み滑りモードのバルク波を用いた弾性波装置が提案されている。この弾性波装置においては、支持体上に圧電層が設けられている。圧電層上に、対となる電極が設けられている。対となる電極は圧電層上において互いに対向しており、かつ互いに異なる電位に接続される。上記電極間に交流電圧を印加することにより、厚み滑りモードのバルク波を励振させている。
米国特許第10491192号明細書
 弾性波装置とは、例えば弾性波共振子などの弾性波共振子である。弾性波共振子は、例えばラダー型フィルタに用いられる。ラダー型フィルタにおいて良好な特性を得るためには、複数の弾性波共振子間において、静電容量比を大きくする必要がある。この場合、ラダー型フィルタにおける一部の弾性波共振子の静電容量を大きくする必要がある。
 弾性波共振子の静電容量を大きくするためには、例えば、弾性波共振子を大型にすることを要する。よって、当該弾性波共振子をラダー型フィルタに用いる場合には、ラダー型フィルタが大型になりがちである。特に、静電容量の小さい厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波共振子を有するラダー型フィルタは大型化してしまう。
 本発明者らは、弾性波共振子の構成を以下の構成とすることにより、弾性波共振子がフィルタ装置に用いられた場合に、大型化せずして好適なフィルタ波形を得られることを見出した。当該構成とは、入力電位に接続される電極、及び出力電位に接続される電極の間に、基準電位などの、入力電位及び出力電位と異なる電位に接続される電極を配置する構成である。
 加えて、本発明者らは、単に上記構成を採用しても、耐電力性を十分に高められないおそれがあることも見出した。
 本発明の目的は、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる、弾性波装置を提供することにある。
 本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、第1の弾性波共振子と、第2の弾性波共振子とが備えられており、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、ニオブ酸リチウムからなる圧電層を含む圧電膜と、前記圧電層上に設けられており、第1のバスバーと、前記第1のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指とを有し、入力電位に接続される第1の櫛形電極と、前記圧電層上に設けられており、第2のバスバーと、前記第2のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指と間挿し合っている複数の第2の電極指とを有し、出力電位に接続される第2の櫛形電極と、平面視したときに、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が並ぶ方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層上に設けられている複数の第3の電極指と、隣り合う前記第3の電極指同士を接続している接続電極とを有し、基準電位に接続される、第3の電極とを有し、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、平面視したときに、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が並んでいる順序が、前記第1の電極指から開始した場合において、前記第1の電極指、前記第3の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指を1周期とする順序であり、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子である。
 本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、第1の弾性波共振子と、第2の弾性波共振子とが備えられており、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、ニオブ酸リチウムからなる圧電層を含む圧電膜と、前記圧電層上に設けられており、第1のバスバーと、前記第1のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指とを有し、入力電位に接続される第1の櫛形電極と、前記圧電層上に設けられており、第2のバスバーと、前記第2のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指と間挿し合っている複数の第2の電極指とを有し、出力電位に接続される第2の櫛形電極と、平面視したときに、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が並ぶ方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層上に設けられている複数の第3の電極指と、隣り合う前記第3の電極指同士を接続している接続電極とを有し、基準電位に接続される、第3の電極とを有し、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、平面視したときに、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が並んでいる順序が、前記第1の電極指から開始した場合において、前記第1の電極指、前記第3の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指を1周期とする順序であり、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、1つの弾性波共振子が並列分割された分割共振子である。
 本発明によれば、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる、弾性波装置を提供することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図2は、本発明の第1の実施形態における第1の弾性波共振子の模式的正面断面図である。 図3は、本発明の第1の実施形態における第1の弾性波共振子の模式的平面図である。 図4は、本発明の第1の実施形態における第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図5は、本発明の第1の実施形態における第2の弾性波共振子の模式的平面図である。 図6は、本発明の第1の実施形態における通過特性を示す図である。 図7は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。 図8は、本発明の第1の実施形態の変形例における第1の弾性波共振子の模式的平面図である。 図9は、本発明の第1の実施形態及び第2の実施形態における通過特性を示す図である。 図10は、本発明の第1の実施形態及び第3の実施形態における通過特性を示す図である。 図11は、本発明の第1の実施形態及び第4の実施形態における通過特性を示す図である。 図12は、本発明の第1の実施形態及び第5の実施形態における通過特性を示す図である。 図13は、本発明の第9の実施形態における第1の弾性波共振子の模式的正面断面図である。 図14は、本発明の第9の実施形態における第2の弾性波共振子の模式的正面断面図である。 図15は、本発明の第1の実施形態及び第9の実施形態における通過特性を示す図である。 図16は、本発明の第10の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図17は、本発明の第10の実施形態における第2の弾性波共振子の模式的平面図である。 図18は、本発明の第10の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図19は、本発明の第1の実施形態及び第10の実施形態における通過特性を示す図である。 図20は、本発明の第10の実施形態及びその変形例における通過特性を示す図である。 図21は、本発明の第11の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図22は、図21中のII-II線に沿う模式的断面図である。 図23は、本発明の第12の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図24は、本発明の第13の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図25は、本発明の第13の実施形態における第1の弾性波共振子の第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。 図26(a)は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図26(b)は、圧電層上の電極構造を示す平面図である。 図27は、図26(a)中のA-A線に沿う部分の断面図である。 図28(a)は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図であり、図28(b)は、弾性波装置における、圧電膜を伝搬する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。 図29は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。 図30は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の共振特性を示す図である。 図31は、隣り合う電極の中心間距離をp、圧電層の厚みをdとした場合のd/pと共振子としての比帯域との関係を示す図である。 図32は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。 図33は、スプリアスが現れている参考例の弾性波装置の共振特性を示す図である。 図34は、比帯域と、スプリアスの大きさとしての180度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。 図35は、d/2pと、メタライゼーション比MRとの関係を示す図である。 図36は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。 図37は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。 図38は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
 なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
 図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
 弾性波装置10は、フィルタ装置の一部として用いられる。弾性波装置10は複数の弾性波共振子を有する。もっとも、本発明に係る弾性波装置はフィルタ装置であってもよい。以下において、弾性波装置10の構成を説明する。
 弾性波装置10は、1つの第1の弾性波共振子10Aと、1つの第2の弾性波共振子10Bとを有する。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bはそれぞれ、音響結合型フィルタである。第1の弾性波共振子10Aは機能電極11を有する。第2の弾性波共振子10Bは機能電極31を有する。
 第1の弾性波共振子10Aと、第2の弾性波共振子10Bとは、電気的に接続されている。具体的には、弾性波装置10においては、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは互いに直列に接続されている。
 本実施形態の特徴は、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bがそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子であることにある。本明細書において、2つの弾性波共振子が分割共振子であるとは、互いに直列または並列に接続された、一方の弾性波共振子及び他方の弾性波共振子の共振周波数の差が、双方の弾性波共振子の共振周波数のいずれに対しても、1%以下である場合をいう。弾性波装置10が上記の構成を有することによって、弾性波装置10がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。この詳細を、本実施形態の詳細と共に、以下において説明する。
 図1に示すように、弾性波装置10は圧電性基板12を有する。圧電性基板12は圧電性を有する基板である。圧電性基板12は圧電膜としての圧電層14を有する。圧電層14は圧電体からなる層である。一方で、本明細書において圧電膜とは、圧電性を有する膜であって、必ずしも圧電体からなる膜を指すものではない。もっとも、本実施形態では、圧電膜は単層の圧電層14であり、圧電体からなる膜である。なお、本発明においては、圧電膜は、圧電層14を含む積層膜であってもよい。
 本実施形態では、圧電性基板12は、圧電層14を含む積層体である。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、圧電性基板12を共有している。そして、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、圧電膜としての圧電層14を共有している。
 図2は、第1の実施形態における第1の弾性波共振子の模式的正面断面図である。図3は、第1の実施形態における第1の弾性波共振子の模式的平面図である。なお、図2は、図3中のI-I線に沿う模式的断面図である。図3においては、各電極を、ハッチングを付して示す。図3以外の模式的平面図においても同様に、電極にハッチングを付すことがある。図3においては、第1の弾性波共振子10Aに接続された配線などや、第2の弾性波共振子10Bを省略している。
 図2に示す第1の弾性波共振子10Aは、上記のように、圧電性基板12と、機能電極11とを有する。圧電性基板12は、支持部材13と、圧電膜としての圧電層14とを有する。本実施形態では、支持部材13は、支持基板16と、絶縁層15とを含む。支持基板16上に絶縁層15が設けられている。絶縁層15上に圧電層14が設けられている。もっとも、支持部材13は支持基板16のみにより構成されていてもよい。
 圧電層14は第1の主面14a及び第2の主面14bを有する。第1の主面14a及び第2の主面14bは互いに対向している。圧電層14及び支持部材13は、圧電層14の第1の主面14a及び第2の主面14bが対向している方向から見たときに、重なっている。第1の主面14a及び第2の主面14bのうち、第2の主面14bが支持部材13側に位置している。圧電層14の第1の主面14aに、機能電極11が設けられている。
 支持基板16の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層15の材料としては、酸化ケイ素または酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。圧電層14は、例えば、LiNbO層などのニオブ酸リチウム層からなる。本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波装置の電気的特性が大幅に劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。
 絶縁層15には複数の凹部が設けられている。絶縁層15上に、複数の凹部を塞ぐように、圧電膜としての圧電層14が設けられている。これにより、複数の中空部が構成されている。これらの中空部が、図1に示した空洞部10a及び空洞部10bである。本実施形態では、支持部材13の一部及び圧電膜の一部が、空洞部10a及び空洞部10bを挟み互いに対向するように、支持部材13と圧電膜とが配置されている。もっとも、支持部材13における凹部は、絶縁層15及び支持基板16にわたり設けられていてもよい。あるいは、支持基板16のみに設けられた凹部が、絶縁層15により塞がれていてもよい。凹部は、例えば、圧電層14に設けられていても構わない。なお、空洞部10a及び空洞部10bは、支持部材13に設けられた貫通孔であってもよい。
 空洞部10a及び空洞部10bは、本発明における音響反射部である。音響反射部としての空洞部10aにより、第1の弾性波共振子10Aの弾性波のエネルギーを圧電層14側に効果的に閉じ込めることができる。空洞部10aは、平面視において、支持部材13における、機能電極11の少なくとも一部と重なる位置に設けられている。一方で、音響反射部としての空洞部10bにより、第2の弾性波共振子10Bの弾性波のエネルギーを圧電層14側に効果的に閉じ込めることができる。空洞部10bは、平面視において、支持部材13における、機能電極31の少なくとも一部と重なる位置に設けられている。
 本明細書において平面視とは、図2における上方に相当する方向から、支持部材13及び圧電膜の積層方向に沿って見ることをいう。なお、図2においては、例えば、支持基板16側及び圧電層14側のうち、圧電層14側が上方である。さらに、本明細書において平面視は、主面対向方向から見ることと同義であるとする。主面対向方向とは、圧電層14の第1の主面14a及び第2の主面14bが対向し合う方向である。より具体的には、主面対向方向は、例えば、第1の主面14aの法線方向である。
 図3に示すように、機能電極11は、1対の櫛形電極と、第3の電極19とを有する。1対の櫛形電極は、具体的には、第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18である。第1の櫛形電極17は入力電位に接続される。第2の櫛形電極18は出力電位に接続される。第3の電極19は、本実施形態においては、基準電位に接続される。本実施形態では、第3の電極19は基準電位電極である。なお、第3の電極19は、必ずしも基準電位に接続されなくともよい。第3の電極19は、第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18とは異なる電位に接続されればよい。もっとも、第3の電極19が基準電位に接続されることが好ましい。
 第1の櫛形電極17及び第2の櫛形電極18は、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。第1の櫛形電極17は、第1のバスバー22と、複数の第1の電極指25とを有する。複数の第1の電極指25の一端はそれぞれ、第1のバスバー22に接続されている。第2の櫛形電極18は、第2のバスバー23と、複数の第2の電極指26とを有する。複数の第2の電極指26の一端はそれぞれ、第2のバスバー23に接続されている。
 第1のバスバー22及び第2のバスバー23は互いに対向している。複数の第1の電極指25と複数の第2の電極指26とは互いに間挿し合っている。第1の電極指25及び第2の電極指26が延びる方向と直交する方向において、第1の電極指25及び第2の電極指26は交互に並んでいる。
 第3の電極19は、接続電極としての第3のバスバー24と、複数の第3の電極指27とを有する。複数の第3の電極指27は、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。複数の第3の電極指27同士は、第3のバスバー24により電気的に接続されている。
 平面視したときに、第1の電極指25及び第2の電極指26が並ぶ方向において、第1の電極指25及び第2の電極指26と並ぶように、複数の第3の電極指27がそれぞれ設けられている。よって、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27は、一方向において並んでいる。複数の第3の電極指27は、複数の第1の電極指25及び複数の第2の電極指26と平行に延びている。
 以下においては、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が延びる方向を電極指延伸方向とし、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向とする。第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が並んでいる方向を電極指配列方向としたときに、電極指配列方向は、電極指直交方向と平行である。本明細書では、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27をまとめて、単に電極指と記載することがある。第1のバスバー22及び第2のバスバー23をまとめて、単にバスバーと記載することがある。
 図4は、第1の実施形態における第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。
 平面視したときに、複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指25から開始した場合において、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26及び第3の電極指27を1周期とする順序である。よって、複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26、第3の電極指27、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26…というように続く。入力電位をIN、出力電位をOUT、基準電位をGNDにより表わし、複数の電極指の順序を接続される電位の順序として表わすと、IN、GND、OUT、GND、IN、GND、OUT…というように続く。
 本実施形態では、複数の電極指が設けられている領域において、電極指直交方向における両端部に位置している電極指は、いずれも第3の電極指27である。なお、該領域において、電極指直交方向における端部に位置している電極指は、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27のうちいずれの種類の電極指であってもよい。
 図3に示すように、第3の電極19の接続電極としての第3のバスバー24は、複数の第3の電極指27同士を電気的に接続している。具体的には、第3のバスバー24は、第1のバスバー22と、複数の第2の電極指26の先端との間の領域に位置している。この領域には、複数の第1の電極指25も位置している。もっとも、絶縁膜29Aによって、第3のバスバー24及び複数の第1の電極指25は、互いに電気的に絶縁されている。
 より具体的には、第3のバスバー24は、複数の第1の接続電極24Aと、1つの第2の接続電極24Bとを含む。各第1の接続電極24Aは、隣り合う2本の第3の電極指27の先端同士を接続している。第1の接続電極24A及び2本の第3の電極指27により、U字状の電極が構成されている。複数の第1の接続電極24A同士を、第2の接続電極24Bが接続している。この第2の接続電極24B及び複数の第1の電極指25の間に、絶縁膜29Aが設けられている。
 より詳細には、圧電層14の第1の主面14aに、複数の第1の電極指25の一部を覆うように、絶縁膜29Aが設けられている。絶縁膜29Aは、第1のバスバー22と、複数の第2の電極指26の先端との間の領域に設けられている。絶縁膜29Aは帯状の形状を有する。
 絶縁膜29Aは、第3の電極19の第1の接続電極24A上には至っていない。そして、絶縁膜29A上及び複数の第1の接続電極24A上にわたり、第2の接続電極24Bが設けられている。具体的には、第2の接続電極24Bは、バー部24aと、複数の突出部24bとを有する。バー部24aから、各突出部24bが、各第1の接続電極24Aに向かって延びている。各突出部24bは、各第1の接続電極24Aに接続されている。これにより、複数の第3の電極指27同士が、第1の接続電極24A及び第2の接続電極24Bによって、電気的に接続されている。
 本実施形態では、第3のバスバー24は、第1のバスバー22と、複数の第2の電極指26の先端との間の領域に位置している。そのため、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップg1を隔てて、第3のバスバー24と対向している。一方で、複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップg2を隔てて、第2のバスバー23と対向している。
 なお、第3のバスバー24は、第2のバスバー23と、複数の第1の電極指25の先端との間の領域に位置していてもよい。この場合、複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、ギャップを隔てて、第3のバスバー24と対向している。一方で、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、ギャップを隔てて、第1のバスバー22と対向している。
 これらのように、第1の弾性波共振子10Aにおいては、第3の電極19が基準電位電極である場合、以下のように構成されていればよい。複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかである電位に接続される電極と、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて対向していればよい。同様に、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかである電位に接続される電極と、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて対向していればよい。
 これらのギャップの、電極指延伸方向に沿う寸法をギャップ長とする。本実施形態では、ギャップg1のギャップ長、及びギャップg2のギャップ長は同じである。もっとも、ギャップg1のギャップ長、及びギャップg2のギャップ長は互いに異なっていてもよい。
 第1の弾性波共振子10Aは、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成された弾性波共振子である。図3に示すように、第1の弾性波共振子10Aは、複数の励振領域Cを有する。複数の励振領域Cにおいて、厚み滑りモードのバルク波や、他のモードの弾性波が励振される。なお、図3においては、複数の励振領域Cのうち2つの励振領域Cのみを示している。
 全ての励振領域Cのうち一部の複数の励振領域Cは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間の領域である。残りの複数の励振領域Cは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間の領域である。これらの励振領域Cが、電極指直交方向において並んでいる。
 機能電極11において、第3の電極19を除いた構成は、IDT(Interdigital Transducer)電極の構成と同様である。電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第2の電極指26が重なり合っている領域が交叉領域Eである。もっとも、交叉領域Eは、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27、または隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27が重なり合っている領域であるともいえる。交叉領域Eは複数の励振領域Cを含む。なお、第1の弾性波共振子10Aの交叉領域E及び励振領域Cは、機能電極11の構成に基づいて定義される、圧電層14の領域である。
 図5は、第1の実施形態における第2の弾性波共振子の模式的平面図である。なお、図5では、第2の弾性波共振子10Bに接続された配線などや、第1の弾性波共振子10Aを省略している。
 第2の弾性波共振子10Bは、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。第2の弾性波共振子10Bは音響結合型フィルタである。第2の弾性波共振子10Bは、圧電性基板12を第1の弾性波共振子10Aと共有している。第2の弾性波共振子10Bは上記機能電極31を有する。より具体的には、機能電極31は、圧電性基板12における圧電層14の第1の主面14aに設けられている。第2の弾性波共振子10Bの機能電極31の構成は、第1の弾性波共振子10Aの機能電極11の構成と、基本的には同様である。
 より具体的には、第2の弾性波共振子10Bは、第1の弾性波共振子10Aとは個別に、第1の櫛形電極と、第2の櫛形電極と、第3の電極とを含む。なお、以下においては、第2の弾性波共振子10Bの第1の櫛形電極は、第4の櫛形電極とする。第2の弾性波共振子10Bの第2の櫛形電極は、第5の櫛形電極とする。第2の弾性波共振子10Bの第3の電極は、第6の電極とする。
 第4の櫛形電極は入力電位に接続される。第5の櫛形電極は出力電位に接続される。なお、本実施形態では、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは互いに直列に接続されている。第4の櫛形電極は、具体的には、第1の弾性波共振子10Aの出力電位に接続される。
 第2の弾性波共振子10Bの第6の電極は、本実施形態においては、基準電位に接続される。本実施形態では、第6の電極は基準電位電極である。なお、第6の電極は、必ずしも基準電位に接続されなくともよい。第6の電極は、第4の櫛形電極及び第5の櫛形電極とは異なる電位に接続されればよい。もっとも、第6の電極が基準電位に接続されることが好ましい。
 第4の櫛形電極及び第5の櫛形電極は、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。第4の櫛形電極は、第1のバスバーとしての第4のバスバー32と、複数の第1の電極指としての複数の第4の電極指35とを有する。複数の第4の電極指35の一端はそれぞれ、第4のバスバー32に接続されている。
 なお、本実施形態では、第2の弾性波共振子10Bにおける第4のバスバー32は、第1の弾性波共振子10Aと共有されている。具体的には、第4のバスバー32は、図1に示す、第1の弾性波共振子10Aにおける第2のバスバー23である。もっとも、第1の弾性波共振子10Aの第2のバスバー23、及び第2の弾性波共振子10Bの第4のバスバー32は、個別に設けられていてもよい。
 図5に戻り、第5の櫛形電極は、第2のバスバーとしての第5のバスバー33と、複数の第2の電極指としての複数の第5の電極指36とを有する。複数の第5の電極指36の一端はそれぞれ、第5のバスバー33に接続されている。
 第4のバスバー32及び第5のバスバー33は互いに対向している。複数の第4の電極指35と複数の第5の電極指36とは互いに間挿し合っている。第4の電極指35及び第5の電極指36が延びる方向と直交する方向において、第4の電極指35及び第5の電極指36は交互に並んでいる。
 第6の電極は、接続電極としての第6のバスバー34と、複数の第3の電極指としての複数の第6の電極指37とを有する。複数の第6の電極指37は、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。複数の第6の電極指37同士は、第6のバスバー34により電気的に接続されている。第6のバスバー34は、第1の弾性波共振子10Aの第3のバスバー24と同様に構成されている。よって、第6のバスバーは、第1の接続電極及び第2の接続電極を有する。
 平面視したときに、第4の電極指35及び第5の電極指36が並ぶ方向において、第4の電極指35及び第5の電極指36と並ぶように、複数の第6の電極指37がそれぞれ設けられている。よって、第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37は、一方向において並んでいる。複数の第6の電極指37は、複数の第4の電極指35及び複数の第5の電極指36と平行に延びている。
 第2の弾性波共振子10Bにおいては、第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37が延びる方向が電極指延伸方向であり、電極指延伸方向と直交する方向が電極指直交方向である。以下においては、第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37をまとめて、単に複数の電極指と記載することがある。
 平面視したときに、第2の弾性波共振子10Bにおける複数の電極指が並んでいる順序は、第4の電極指35から開始した場合において、第4の電極指35、第6の電極指37、第5の電極指36及び第6の電極指37を1周期とする順序である。すなわち、第2の弾性波共振子10Bでは、第1の弾性波共振子10Aと同様に、複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指から開始した場合において、第1の電極指、第3の電極指、第2の電極指及び第3の電極指を1周期とする順序である。
 第6のバスバー34は、第4のバスバー32と、複数の第5の電極指36の先端との間の領域に位置している。なお、第6のバスバー34と、複数の第4の電極指35とは、絶縁膜29Bによって、電気的に絶縁されている。
 複数の第5の電極指36の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップg4を隔てて、第6のバスバー34と対向している。一方で、複数の第4の電極指35の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップg5を隔てて、第5のバスバー33と対向している。
 なお、第2の弾性波共振子10Bにおいては、第6の電極が基準電位電極である場合、第1の弾性波共振子10Aと同様に、以下のように構成されていればよい。複数の第4の電極指35の先端はそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかである電位に接続される電極と、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて対向していればよい。同様に、複数の第5の電極指36の先端はそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかである電位に接続される電極と、電極指延伸方向において、ギャップを隔てて対向していればよい。
 これらのギャップの、電極指延伸方向に沿う寸法が、第2の弾性波共振子10Bのギャップ長である。本実施形態では、ギャップg4のギャップ長、及びギャップg5のギャップ長は同じである。もっとも、ギャップg4のギャップ長、及びギャップg5のギャップ長は互いに異なっていてもよい。
 第2の弾性波共振子10Bは、第1の弾性波共振子10Aと同様に、複数の励振領域及び交叉領域を有する。具体的には、全ての励振領域のうち一部の複数の励振領域は、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第4の電極指35及び第6の電極指37が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第4の電極指35及び第6の電極指37の中心間の領域である。残りの複数の励振領域は、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第5の電極指36及び第6の電極指37が重なり合う領域であり、かつ隣り合う第5の電極指36及び第6の電極指37の中心間の領域である。これらの励振領域が、電極指直交方向において並んでいる。
 電極指直交方向から見たときに、隣り合う第4の電極指35及び第5の電極指36が重なり合っている領域が交叉領域である。もっとも、交叉領域は、電極指直交方向から見たときに、隣り合う第4の電極指35及び第6の電極指37、または隣り合う第5の電極指36及び第6の電極指37が重なり合っている領域であるともいえる。第2の弾性波共振子10Bの交叉領域及び励振領域は、機能電極31の構成に基づいて定義される、圧電層14の領域である。
 本実施形態においては、弾性波装置10がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。この詳細を以下において説明する。
 なお、以下においては、複数の分割共振子の元となる1つの弾性波共振子を、元の弾性波共振子と記載することがある。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、元の弾性波共振子が直列分割されることによって構成されている。
 弾性波装置10においては、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bが構成されているのであって、元の弾性波共振子は構成されていない。もっとも、便宜上、元の弾性波共振子が、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bと同様の、音響結合型フィルタであるとする。そして、元の弾性波共振子が、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bと同様に、第1の櫛形電極、第2の櫛形電極及び第3の電極を含むとする。以下において、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータの一例を示す。
 圧電層:材料…LiNbO、オイラー角(φ,ψ,θ)…(0°,0°、90°)、厚み…400nm
 第1~第3の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm
 第1~第3の電極指の順序を接続される電位により表わした順序:IN、GND、OUT、GNDの順序が繰り返される。
 隣り合う電極指同士の中心間距離:1.4μm
 デューティ比:0.3
 第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bが、上記の設計パラメータの弾性波共振子が直列分割された分割共振子である場合における、弾性波装置10の通過特性を図6により示す。
 図6は、第1の実施形態における通過特性を示す図である。なお、図6では、S12パラメータを示している。
 まず、図6に示すように、本実施形態の弾性波装置10において、フィルタ特性を得られていることがわかる。弾性波装置10における第1の弾性波共振子10Aは、音響結合型フィルタである。より詳細には、図3に示すように、第1の弾性波共振子10Aは、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間に位置する励振領域Cと、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間に位置する励振領域Cとを有する。これらの励振領域Cにおいて、厚み滑りモードのバルク波を含む複数のモードの弾性波が励振される。これらのモードを結合させることにより、フィルタ波形を好適に得ることができる。
 第2の弾性波共振子10Bにおいても、第1の弾性波共振子10Aと同様に、フィルタ波形を得ることができる。よって、弾性波装置10をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置を構成する弾性波共振子が少ない個数でも、フィルタ波形を好適に得ることができる。従って、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
 加えて、本実施形態においては、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bはそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子である。1つの弾性波共振子が複数の分割共振子に直列分割されることにより、弾性波共振子の合計の面積は大きくなる。それによって、弾性波共振子における単位面積当たりに加えられる電力が小さくなる。これにより、大きな電力が加えられた場合においても、弾性波共振子を破損し難くすることができる。このように、耐電力性を高くすることができる。さらに、IMD(Intermodulation Distortion)を抑制することもできる。
 以下において、本実施形態の構成をより詳細に説明する。
 図1に示すように、圧電層14の第1の主面14aには、第1の信号電位配線28Aと、第2の信号電位配線28Bと、基準電位配線28Cとが設けられている。第1の信号電位配線28Aは入力電位に接続される。第2の信号電位配線28Bは出力電位に接続される。基準電位配線28Cは基準電位に接続される。
 第1の信号電位配線28Aには、第1の弾性波共振子10Aの第1のバスバー22が接続されている。第2の信号電位配線28Bには、第2の弾性波共振子10Bの第5のバスバー33が接続されている。
 基準電位配線28Cには、第1の弾性波共振子10Aの接続電極としての第3のバスバー24と、第2の弾性波共振子10Bの接続電極としての第6のバスバー34とが接続されている。第3のバスバー24及び第6のバスバー34は、基準電位配線28Cを介して基準電位に接続される。本実施形態では、第3のバスバー24及び第6のバスバー34は同じ基準電位配線28Cに接続されている。なお、第3のバスバー24及び第6のバスバー34は、個別に設けられた別々の基準電位配線28Cに接続されていてもよい。
 第1の弾性波共振子10Aにおける複数の第1の電極指25、複数の第2の電極指26及び複数の第3の電極指27は、平面視において、音響反射部としての空洞部10aと重なっている。第2の弾性波共振子10Bにおける複数の第4の電極指35、複数の第5の電極指36及び複数の第6の電極指37は、平面視において、音響反射部としての空洞部10bと重なっている。
 本実施形態のように、平面視において、第1の弾性波共振子10Aの複数の励振領域Cが、音響反射部としての空洞部10aと重なっていることが好ましい。それによって、第1の弾性波共振子10Aにおける弾性波のエネルギーを、圧電層14側に、より確実に効果的に閉じ込めることができる。平面視において、第2の弾性波共振子10Bの複数の励振領域が、音響反射部としての空洞部10bと重なっていることが好ましい。それによって、第2の弾性波共振子10Bにおける弾性波のエネルギーを、圧電層14側に、より確実に効果的に閉じ込めることができる。
 なお、音響反射部は、後述する、音響多層膜などの音響反射膜であってもよい。例えば、支持部材の表面上に、音響反射膜が設けられていてもよい。
 図3に示す、第1の弾性波共振子10Aの第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27は、積層金属膜からなる。具体的には、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27において、圧電層14側から、Ti層、AlCu層及びTi層がこの順序で積層されている。なお、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27の材料は上記に限定されない。あるいは、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27は単層の金属膜からなっていてもよい。
 第2の弾性波共振子10Bの第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37には、第1の弾性波共振子10Aの各電極指と同様の材料を用いることができる。
 以下においては、第1の弾性波共振子10Aにおける、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離、並びに隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離をp1とする。第2の弾性波共振子10Bにおける、隣り合う第1の電極指及び第3の電極指の中心間距離、並びに隣り合う第2の電極指及び第3の電極指の中心間距離をp2とする。すなわち、隣り合う第4の電極指35及び第6の電極指37の中心間距離、並びに隣り合う第5の電極指36及び第6の電極指37の中心間距離がp2である。
 本実施形態では、第1の弾性波共振子10Aにおいて、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離p1と、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離p1とは同じである。もっとも、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離p1と、隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離p1とは、一定ではなくともよい。この場合には、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離p1、並びに隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離p1のうち、最も長い距離をpとする。なお、本実施形態のように、隣り合う電極指同士の中心間距離p1が一定である場合には、第1の弾性波共振子10Aにおけるいずれの隣り合う電極指同士の中心間距離p1も、距離pである。
 同様に、本実施形態では、第2の弾性波共振子10Bにおいて、隣り合う第4の電極指35及び第6の電極指37の中心間距離p2と、隣り合う第5の電極指36及び第6の電極指37の中心間距離p2とは同じである。もっとも、隣り合う第4の電極指35及び第6の電極指37の中心間距離p2と、隣り合う第5の電極指36及び第6の電極指37の中心間距離p2とは、一定ではなくともよい。この場合には、隣り合う第4の電極指35及び第6の電極指37の中心間距離p2、並びに隣り合う第5の電極指36及び第6の電極指37の中心間距離p2のうち、最も長い距離をpとする。なお、本実施形態のように、隣り合う電極指同士の中心間距離p2が一定である場合には、第2の弾性波共振子10Bにおけるいずれの隣り合う電極指同士の中心間距離p2も、距離pである。
 第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bのそれぞれにおいて、圧電膜の厚みをdとしたときに、d/pが0.5以下であることが好ましく、d/pが0.24以下であることがより好ましい。これにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bのそれぞれにおいて、厚み滑りモードのバルク波が好適に励振される。なお、本実施形態では、厚みdは圧電層14の厚みである。
 もっとも、本発明の第1の弾性波共振子は、必ずしも厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されていなくともよい。例えば、本発明の第1の弾性波共振子は、板波を励振可能に構成されていてもよい。この場合においては、励振領域は、図3に示す交叉領域Eである。同様に、第2の弾性波共振子は、板波を励振可能に構成されていてもよい。
 本実施形態においては、圧電層14はニオブ酸リチウムからなる。第1の弾性波共振子10Aの比帯域は、圧電層14に用いられているニオブ酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)に依存する。第2の弾性波共振子10Bにおいても同様である。なお、比帯域とは、共振周波数をfr、反共振周波数をfaとしたときに、(|fa-fr|/fr)×100[%]により表される。
 d/pを限りなく0に近づけた場合における、第1の弾性波共振子10Aの比帯域と、圧電層14のオイラー角(φ,θ,ψ)との関係を導出した。なお、オイラー角におけるφは0°とした。
 図7は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。
 図7のハッチングを付して示した領域Rが、少なくとも2%以上の比帯域が得られる領域である。領域Rの範囲を近似すると、下記の式(1)、式(2)及び式(3)で表される範囲となる。なお、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±10°以内の範囲である場合には、θ及びψと、比帯域との関係は、図7に示す関係と同様である。
 (0°±10°の範囲内,0°~25°,任意のψ)  …式(1)
 (0°±10°の範囲内,25°~100°,0°~75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2 または 180°-75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2~180°)  …式(2)
 (0°±10°の範囲内,180°-40°[(1-(ψ-90)/8100)]1/2~180°,任意のψ)  …式(3)
 上記式(1)、式(2)または式(3)のオイラー角の範囲であることが好ましい。それによって、比帯域を十分に広くすることができる。これにより、第1の弾性波共振子10Aを含む弾性波装置10を、フィルタ装置に好適に用いることができる。
 同様に、第2の弾性波共振子10Bにおいても、圧電層14を構成しているニオブ酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)が、上記式(1)、式(2)または式(3)の範囲にあることが好ましい。それによって、第2の弾性波共振子10Bを含む弾性波装置10を、フィルタ装置に好適に用いることができる。
 ところで、図3に示すように、第1の実施形態の第1の弾性波共振子10Aにおいては、第3の電極19は、接続電極としての第3のバスバー24と、複数の第3の電極指27とを有する。該第3の電極19は櫛形電極である。もっとも、第3の電極19は櫛形電極ではなくともよい。例えば、図8に示す第1の実施形態の変形例においては、第1の弾性波共振子80Aの第3の電極19Aは、ミアンダ状の形状を有する。本変形例では、圧電層14上に絶縁膜29Aは設けられていない。そして、接続電極24Cは、第1の実施形態における複数の第1の接続電極24Aに相当する部分のみを含む。本変形例の接続電極24Cは、第3のバスバーではない。
 より具体的には、第3の電極19Aは、第1のバスバー22側に位置している複数の接続電極24Cと、第2のバスバー23側に位置している複数の接続電極24Cとを有する。隣接する2本の第3の電極指27の、第1のバスバー22側の先端部同士、または第2のバスバー23側の先端部同士が、接続電極24Cにより接続されている。例えば、複数の第3の電極指27のうち、電極指直交方向における両端以外の第3の電極指27は、第1のバスバー22側の先端部及び第2のバスバー23側の先端部の双方に、1つずつの接続電極24Cが接続されている。該第3の電極指27は、各接続電極24Cにより、両隣の第3の電極指27と接続されている。この構造が繰り返されることにより、第3の電極19Aの形状が、ミアンダ状の形状とされている。
 本変形例においては、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップg1を隔てて、複数の接続電極24Cと対向している。すなわち、複数の第2の電極指26の先端はそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかである電位に接続される電極と、電極指延伸方向において、ギャップg1を隔てて対向している。具体的には、第2の電極指26は出力電位に接続され、接続電極24Cは基準電位に接続される。第2の電極指26の先端と接続電極24Cとの間のギャップg1の電極指延伸方向に沿う寸法は、ギャップ長である。
 同様に、複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、電極指延伸方向において、ギャップg2を隔てて、複数の接続電極24Cと対向している。すなわち、複数の第1の電極指25の先端はそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかである電位に接続される電極と、電極指延伸方向において、ギャップg2を隔てて対向している。具体的には、第1の電極指25は入力電位に接続され、接続電極24Cは基準電位に接続される。第1の電極指25の先端と接続電極24Cとの間のギャップg2の電極指延伸方向に沿う寸法は、ギャップ長である。
 本変形例では、ギャップg1のギャップ長、及びギャップg2のギャップ長は同じである。もっとも、ギャップg1のギャップ長、及びギャップg2のギャップ長は互いに異なっていてもよい。
 図示しないが、本変形例の弾性波装置においては、第2の弾性波共振子も、第1の弾性波共振子80Aと同様に構成されている。すなわち、第2の弾性波共振子における第3の電極としての第6の電極の形状は、ミアンダ状の形状とされている。該第2の弾性波共振子及び第1の弾性波共振子80Aはそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子である。これにより、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 図1に戻り、第1の実施形態では、空洞部10a及び空洞部10bは、個別に設けられている。なお、空洞部10a及び空洞部10bは一体として設けられていてもよい。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、同じ空洞部を共有していてもよい。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bが同じ空洞部を共有している構成は、第1の実施形態以外の本発明の形態に採用することもできる。
 以下において、第2~第8の実施形態の構成を説明する。第2~第8の実施形態の基本的な構成は、第1の実施形態と同様である。そのため、第2~第8の実施形態の説明には、第1の実施形態の説明に用いた図面及び符号を援用することとする。
 なお、第2~第8の実施形態においては、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bがそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子であり、かつ音響結合型フィルタである。それによって、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 第1の実施形態では、第1の弾性波共振子10Aの第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27の合計の本数と、第2の弾性波共振子10Bの第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37の合計の本数とは同じである。一方で、第2の実施形態においては、第1の弾性波共振子10Aの第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27の合計の本数と、第2の弾性波共振子10Bの第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37の合計の本数とが互いに異なる。上記の点以外においては、第2の実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 第1の実施形態及び第2の実施形態において、フィルタ特性を比較した。第2の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、以下の通りである。
 圧電層:材料…LiNbO、オイラー角(φ,ψ,θ)…(0°,0°、90°)、厚み…400nm
 第1~第3の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm
 第1~第3の電極指の順序を接続される電位により表わした順序:IN、GND、OUT、GNDの順序が繰り返される。
 隣り合う電極指同士の中心間距離:1.4μm
 デューティ比:0.3
 第2の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの電極指の本数は、以下の通りである。
 第1~第3の電極指の合計の本数:22本
 第4~第6の電極指の合計の本数:66本
 一方で、第1の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、第2の実施形態における設計パラメータと同様とした。第1の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの電極指の本数は、以下の通りである。
 第1~第3の電極指の合計の本数:44本
 第4~第6の電極指の合計の本数:44本
 図9は、第1の実施形態及び第2の実施形態における通過特性を示す図である。なお、図9では、S12通過特性を示している。後述する図10~図12、図15、図19及び図20においても同様である。
 図9に示すように、第2の実施形態の弾性波装置においては、第1の実施形態と同様に、フィルタ特性を得ることができている。加えて、図9中の矢印Fにより示す周波数付近において、第2の実施形態における不要波に起因するリップルが、第1の実施形態と比較して小さくなっている。このように、第2の実施形態においては、周波数特性におけるリップルを抑制することができる。これは以下の理由による。
 第2の実施形態では、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、電極指の本数が互いに異なる。これにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、不要波が生じる周波数が互いに異なる。それによって、弾性波装置全体として、不要波に起因するリップルが小さくなる。
 以下において、第3の実施形態の構成を説明する。上記の第1の実施形態では、第1の弾性波共振子10Aにおける隣り合う電極指同士の中心間距離p1と、第2の弾性波共振子10Bにおける隣り合う電極指同士の中心間距離p2とは同じである。一方で、第3の実施形態においては、第1の弾性波共振子10Aにおける隣り合う電極指同士の中心間距離p1と、第2の弾性波共振子10Bにおける隣り合う電極指同士の中心間距離p2とが互いに異なる。上記の点以外においては、第3の実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 なお、本明細書において、中心間距離p1及び中心間距離p2が互いに異なるとは、中心間距離p1及び中心間距離p2の差の絶対値が、中心間距離p1及び中心間距離p2のいずれに対しても1%以上であることをいう。1つの第1の弾性波共振子における中心間距離p1同士が互いに異なるとは、中心間距離p1同士の差の絶対値が、いずれの中心間距離p1に対しても1%以上であることをいう。1つの第2の弾性波共振子における中心間距離p2同士においても同様である。第3の実施形態においては、中心間距離p1は一定であり、中心間距離p2は一定である。
 第1の実施形態及び第3の実施形態において、フィルタ特性を比較した。第3の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、以下の通りである。
 圧電層:材料…LiNbO、オイラー角(φ,ψ,θ)…(0°,0°、90°)、厚み…400nm
 第1~第3の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm
 第1~第3の電極指の順序を接続される電位により表わした順序:IN、GND、OUT、GNDの順序が繰り返される。
 デューティ比:0.3
 第3の実施形態における、中心間距離p1及び中心間距離p2は、以下の通りである。
 第1の弾性波共振子の隣り合う電極指同士の中心間距離p1:1.34μm
 第2の弾性波共振子の隣り合う電極指同士の中心間距離p2:1.36μm
 一方で、第1の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、第3の実施形態における設計パラメータと同様とした。第1の実施形態における、中心間距離p1及び中心間距離p2は、以下の通りである。
 第1の弾性波共振子の隣り合う電極指同士の中心間距離p1:1.34μm
 第2の弾性波共振子の隣り合う電極指同士の中心間距離p2:1.34μm
 図10は、第1の実施形態及び第3の実施形態における通過特性を示す図である。
 図10に示すように、第3の実施形態の弾性波装置においては、第1の実施形態と同様に、フィルタ特性を得ることができている。加えて、図10中の矢印Fにより示す周波数付近において、第3の実施形態における不要波に起因するリップルが、第1の実施形態と比較して小さくなっている。このように、第3の実施形態においては、周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 第3の実施形態ではp1≠p2である。これにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、不要波が生じる周波数が互いに異なる。それによって、第3の実施形態において、弾性波装置の周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 なお、第1の弾性波共振子10Aにおいて、中心間距離p1は一定ではなくともよい。この場合には、第1の弾性波共振子10Aにおける上記距離pと、第2の弾性波共振子10Bにおける中心間距離p2とが互いに異なっていればよい。上記のように、第1の弾性波共振子10Aにおける距離pは、隣り合う第1の電極指25及び第3の電極指27の中心間距離p1、並びに隣り合う第2の電極指26及び第3の電極指27の中心間距離p1のうち、最も長い距離である。中心間距離p1が一定である場合には、いずれの中心間距離p1も距離pである。
 あるいは、第2の弾性波共振子10Bにおいて、中心間距離p2は一定ではなくともよい。この場合には、第2の弾性波共振子10Bにおける上記距離pと、第1の弾性波共振子10Aにおける中心間距離p1とが互いに異なっていればよい。他方、中心間距離p1及び中心間距離p2の双方が一定でない場合には、第1の弾性波共振子10Aにおける距離pと、第2の弾性波共振子10Bにおける距離pとが互いに異なっていればよい。
 以下において、第4の実施形態の構成を説明する。上記の第1の実施形態では、第1の弾性波共振子10Aにおけるデューティ比と、第2の弾性波共振子10Bにおけるデューティ比とは同じである。一方で、第4の実施形態においては、第1の弾性波共振子10Aにおけるデューティ比と、第2の弾性波共振子10Bにおけるデューティ比とが互いに異なる。本明細書において、デューティ比同士が互いに異なるとは、デューティ比同士の差の絶対値が、0.1以上であることをいう。上記の点以外においては、第4の実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 第1の実施形態及び第4の実施形態において、フィルタ特性を比較した。第4の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、以下の通りである。
 圧電層:材料…LiNbO、オイラー角(φ,ψ,θ)…(0°,0°、90°)、厚み…400nm
 第1~第3の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm
 第1~第3の電極指の順序を接続される電位により表わした順序:IN、GND、OUT、GNDの順序が繰り返される。
 隣り合う電極指同士の中心間距離:1.4μm
 第4の実施形態の、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおけるデューティ比は、以下の通りである。
 第1の弾性波共振子におけるデューティ比:0.3
 第2の弾性波共振子におけるデューティ比:0.31
 一方で、第1の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、第4の実施形態における設計パラメータと同様とした。第1の実施形態の、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおけるデューティ比は、以下の通りである。
 第1の弾性波共振子におけるデューティ比:0.3
 第2の弾性波共振子におけるデューティ比:0.3
 図11は、第1の実施形態及び第4の実施形態における通過特性を示す図である。
 図11に示すように、第4の実施形態の弾性波装置においては、第1の実施形態と同様に、フィルタ特性を得ることができている。加えて、図11中の矢印Fにより示す周波数付近において、第4の実施形態における不要波に起因するリップルが、第1の実施形態と比較して小さくなっている。このように、第4の実施形態においては、周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 第4の実施形態では、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおけるデューティ比が互いに異なる。これにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、不要波が生じる周波数が互いに異なる。それによって、第4の実施形態において、弾性波装置の周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 以下において、第5の実施形態の構成を説明する。上記の第1の実施形態では、第1の弾性波共振子10Aの第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27の厚みと、第2の弾性波共振子10Bの第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37の厚みとは同じである。すなわち、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27の厚みをte1、第2の弾性波共振子10Bの第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37の厚みをte2としたときに、te1=te2である。一方で、第5の実施形態では、te1≠te2である。上記の点以外においては、第5の実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 なお、本明細書において、電極指の厚み同士が互いに異なるとは、電極指の厚み同士の差の絶対値が、いずれの電極指の厚みに対しても1%以上であることをいう。第5の実施形態では、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27の厚みは同じである。第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37の厚みは同じである。
 第1の実施形態及び第5の実施形態において、フィルタ特性を比較した。第5の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、以下の通りである。
 圧電層:材料…LiNbO、オイラー角(φ,ψ,θ)…(0°,0°、90°)、厚み…400nm
 第1~第3の電極指の順序を接続される電位により表わした順序:IN、GND、OUT、GNDの順序が繰り返される。
 第5の実施形態の、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおける電極指に係る設計パラメータは、以下の通りである。
 第1~第3の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm、te1…404nm
 第4~第6の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/400nm/4nm、te2…414nm
 一方で、第1の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、第5の実施形態における設計パラメータと同様とした。第1の実施形態の、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおける電極指に係る設計パラメータ、以下の通りである。
 第1~第3の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm、te1…404nm
 第4~第6の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm、te2…404nm
 図12は、第1の実施形態及び第5の実施形態における通過特性を示す図である。
 図12に示すように、第5の実施形態の弾性波装置においては、第1の実施形態と同様に、フィルタ特性を得ることができている。加えて、図12中の矢印Fにより示す周波数付近において、第5の実施形態における不要波に起因するリップルが、第1の実施形態と比較して小さくなっている。このように、第5の実施形態においては、周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 第5の実施形態では、te1≠te2である。これにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、不要波が生じる周波数が互いに異なる。それによって、第5の実施形態において、弾性波装置の周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 以下において、第6の実施形態の構成を説明する。上記の第1の実施形態では、第1の弾性波共振子10Aにおけるギャップg1及びギャップg2のギャップ長をG1、第2の弾性波共振子10Bにおけるギャップg4及びギャップg5のギャップ長をG2としたときに、G1=G2である。一方で、第6の実施形態では、G1≠G2である。本明細書において、ギャップ長同士が互いに異なるとは、ギャップ長同士の差の絶対値を電極指ピッチにより割った値が0.02以上であることをいう。ここでいう電極指ピッチとは、第1の弾性波共振子10Aにおいては中心間距離p1であり、第2の弾性波共振子10Bにおいては中心間距離p2である。p1≠p2である場合には、上記電極指ピッチとして、中心間距離p1及び中心間距離p2の平均値を用いればよい。上記の点以外においては、第6の実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 なお、第6の実施形態では、ギャップg1のギャップ長G1及びギャップg2のギャップ長G1は同じである。ギャップg4のギャップ長G2及びギャップg5のギャップ長G2は同じである。
 第6の実施形態では、G1≠G2であることにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、不要波が生じる周波数が互いに異なる。それによって、弾性波装置の周波数特性における不要波に起因するリップルを抑制することができる。
 以下において、第7の実施形態の構成を説明する。上記の第1の実施形態では、第1の弾性波共振子10Aにおける各電極指の幅をw1、第2の弾性波共振子10Bにおける各電極指の幅をw2としたときに、w1=w2である。なお、第1の弾性波共振子10Aにおける各電極指は、具体的には、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27である。第2の弾性波共振子10Bにおける各電極指は、具体的には、第1の電極指としての第4の電極指35、第2の電極指としての第5の電極指36及び、第3の電極指としての第6の電極指37である。一方で、第7の実施形態では、w1≠w2である。上記の点以外においては、第7の実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 なお、電極指の幅とは、電極指の電極指直交方向に沿う寸法である。本明細書において、電極指の幅同士が互いに異なるとは、電極指の幅同士の差の絶対値が、いずれの電極指の幅に対しても1%以上であることをいう。
 第7の実施形態では、w1≠w2であることにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、不要波が生じる周波数が互いに異なる。それによって、弾性波装置の周波数特性における不要波に起因するリップルを抑制することができる。
 以下において、第8の実施形態の構成を説明する。上記の第1の実施形態では、第1の弾性波共振子10Aにおける交叉領域Eの電極指延伸方向に沿う寸法を交叉幅Ap1、第2の弾性波共振子10Bにおける交叉領域の電極指延伸方向に沿う寸法を交叉幅Ap2としたときに、Ap1=Ap2である。一方で、第8の実施形態では、Ap1≠Ap2である。本明細書において、交叉幅同士が互いに異なるとは、交叉幅同士の差の絶対値が、いずれの交叉幅に対しても1%以上であることをいう。上記の点以外においては、第8の実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 第8の実施形態では、Ap1≠Ap2であることにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、不要波が生じる周波数が互いに異なる。それによって、弾性波装置の周波数特性における不要波に起因するリップルを抑制することができる。
 第2~第8の実施形態においては、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子において、複数のパラメータのうち1つが互いに異なる例を示した。なお、第2~第8の実施形態のそれぞれの構成は、本発明の他の形態に採用することもできる。すなわち、本発明においては、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子において、以下のパラメータのうち少なくとも1つのパラメータが互いに異なっていてもよい。上記パラメータは、具体的には、複数の電極指の合計の本数、隣り合う電極指同士の中心間距離、デューティ比、電極指の厚み、ギャップ長、電極指の幅及び交叉幅である。
 図13は、第9の実施形態における第1の弾性波共振子の模式的正面断面図である。図14は、第9の実施形態における第2の弾性波共振子の模式的正面断面図である。
 図13に示すように、本実施形態は、第1の弾性波共振子40Aが誘電体膜48Aを有する点において、第1の実施形態と異なる。図14に示すように、本実施形態は、第2の弾性波共振子40Bが誘電体膜48Bを有する点においても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 図13に示すように、第1の弾性波共振子40Aにおける第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27を覆うように、誘電体膜48Aが設けられている。図14に示すように、第2の弾性波共振子40Bにおける、第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37を覆うように、誘電体膜48Bが設けられている。
 図13に示すように、第1の弾性波共振子40Aにおける各電極指は、第1の面11a、第2の面11b及び側面11cを有する。第1の面11a及び第2の面11bは、電極指の厚み方向において互いに対向している。第1の面11a及び第2の面11bのうち、第2の面11bが圧電層14側の面である。第1の面11a及び第2の面11bに側面11cが接続されている。図13に示す例では、側面11cは、第2の面11bの法線方向と平行に延びている。なお、側面11cは、第2の面11bの法線方向に対して傾斜して延びていてもよい。誘電体膜48Aは、各電極指の第1の面11a及び側面11cを覆っている。
 同様に、図14に示すように、第2の弾性波共振子40Bにおける第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37は、第1の面31a、第2の面31b及び側面31cを有する。誘電体膜48Bは、各電極指の第1の面31a及び側面31cを覆っている。なお、第9の実施形態以外の各実施形態における各電極指も、第1の面、第2の面及び側面を有することを指摘しておく。
 第1の弾性波共振子40Aにおける誘電体膜48Aの厚みをtd1、第2の弾性波共振子40Bにおける誘電体膜48Bの厚みをtd2としたときに、本実施形態では、td1≠td2である。なお、本明細書においては、誘電体膜の厚みとは、電極指の第1の面と、誘電体膜の表面との間の距離をいう。そして、本明細書において、誘電体膜の厚み同士が互いに異なるとは、誘電体膜の厚み同士の差の絶対値が、いずれの誘電体膜の厚みに対しても1%以上であることをいう。
 本実施形態では、第1の弾性波共振子40A及び第2の弾性波共振子40Bがそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子であり、かつ音響結合型フィルタである。それによって、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 加えて、本実施形態においては、td1≠td2であることによって、周波数特性における、不要波に起因するリップルを抑制することができる。この効果を以下において示す。
 第1の実施形態及び第9の実施形態において、フィルタ特性を比較した。第9の実施形態における、第1の弾性波共振子40A及び第2の弾性波共振子40Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、以下の通りである。
 圧電層:材料…LiNbO、オイラー角(φ,ψ,θ)…(0°,0°、90°)、厚み…400nm
 第1~第3の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm
 第1~第3の電極指の順序を接続される電位により表わした順序:IN、GND、OUT、GNDの順序が繰り返される。
 第9の実施形態の、第1の弾性波共振子40A及び第2の弾性波共振子40Bにおける誘電体膜の厚みは、以下の通りである。
 第1の弾性波共振子における誘電体膜の厚みtd1:180nm
 第2の弾性波共振子における誘電体膜の厚みtd2:178nm
 一方で、第1の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、第9の実施形態における設計パラメータと同様とした。もっとも、第1の実施形態においては、td1=td2=0である。すなわち、第1の実施形態においては、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは誘電体膜を有しない。
 図15は、第1の実施形態及び第9の実施形態における通過特性を示す図である。
 図15に示すように、第9の実施形態の弾性波装置においては、第1の実施形態と同様に、フィルタ特性を得ることができている。加えて、図15中の矢印Fにより示す周波数付近において、第9の実施形態における不要波に起因するリップルが、第1の実施形態と比較して小さくなっている。このように、第9の実施形態においては、周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 第9の実施形態では、td1≠td2である。これにより、第1の弾性波共振子40A及び第2の弾性波共振子40Bにおいて、不要波が生じる周波数が互いに異なる。それによって、第9の実施形態において、弾性波装置の周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 第9の実施形態におけるtd1≠td2である構成は、第9の実施形態以外の本発明の構成に採用することもできる。あるいは、本発明においては、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子の双方が誘電体膜を有する場合において、td1=td2であってもよい。もっとも、td1≠td2であることが好ましい。それによって、上記のように、弾性波装置の周波数特性におけるリップルを抑制することができる。
 図16は、第10の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図17は、第10の実施形態における第2の弾性波共振子の模式的平面図である。図17においては、第2の弾性波共振子50Bに接続された配線などや、第1の弾性波共振子10Aを省略している。
 図16及び図17に示すように、本実施形態は、第2の弾性波共振子50Bが1対の反射器53C及び反射器53Dを有する点において第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 反射器53C及び反射器53Dは、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。反射器53C及び反射器53Dは、第4の電極指35、第5の電極指36及び第6の電極指37が設けられている領域を、電極指直交方向において挟み互いに対向している。一方で、第1の弾性波共振子10Aは反射器を有しない。
 図17に示すように、反射器53Cは、1対の反射器バスバーと、複数の反射器電極指53cとを有する。1対の反射器バスバーは、具体的には、第1の反射器バスバー53a及び第2の反射器バスバー53bである。第1の反射器バスバー53a及び第2の反射器バスバー53bは互いに対向している。複数の反射器電極指53cの一端はそれぞれ、第1の反射器バスバー53aに接続されている。複数の反射器電極指53cの他端はそれぞれ、第2の反射器バスバー53bに接続されている。反射器53Dも、反射器53Cと同様に構成されている。
 本実施形態では、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子50Bがそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子であり、かつ音響結合型フィルタである。それによって、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 なお、第1の弾性波共振子10Aが1対の反射器を有し、かつ第2の弾性波共振子50Bが反射器を有していなくともよい。この場合においても、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 他方、図18に示す第10の実施形態の変形例においては、第1の弾性波共振子50Aは、1対の反射器53A及び反射器53Bを有する。反射器53A及び反射器53Bは、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が設けられている領域を、電極指直交方向において挟み互いに対向している。第2の弾性波共振子50Bは、第10の実施形態と同様に、1対の反射器53C及び反射器53Dを有する。なお、第1の弾性波共振子50Aにおける反射器53A及び反射器53Bは、第2の弾性波共振子50Bにおける反射器53Cと同様に構成されている。本変形例においても、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合に、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 第1の実施形態、第10の実施形態及び第10の実施形態の変形例において、フィルタ特性を比較した。第10の実施形態における、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子50Bの元の弾性波共振子の設計パラメータは、以下の通りである。
 圧電層:材料…LiNbO、オイラー角(φ,ψ,θ)…(0°,0°、90°)、厚み…400nm
 第1~第3の電極指:層構成…圧電層側からTi層/AlCu層/Ti層、厚み…圧電層側から10nm/390nm/4nm
 第1~第3の電極指の順序を接続される電位により表わした順序:IN、GND、OUT、GNDの順序が繰り返される。
 一方で、第1の実施形態及び第10の実施形態の変形例の設計パラメータは、第10の実施形態の設計パラメータと同様とした。もっとも、第1の実施形態においては、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bが反射器を有しない。他方、第10の実施形態の変形例においては、第1の弾性波共振子50A及び第2の弾性波共振子50Bがそれぞれ、1対の反射器を有する。
 図19は、第1の実施形態及び第10の実施形態における通過特性を示す図である。図20は、第10の実施形態及びその変形例における通過特性を示す図である。
 図19に示すように、第10の実施形態の弾性波装置においては、第1の実施形態と同様に、フィルタ特性を得ることができている。加えて、第10の実施形態にでは、通過帯域の中央付近において、ロスを小さくすることができている。他方、第1の実施形態では、反射器が設けられていないため、弾性波装置10を小型にすることができる。
 図20に示すように、第10の実施形態の変形例の弾性波装置においては、第10の実施形態と同様に、フィルタ特性を得ることができている。変形例では、通過帯域の中央付近において、ロスを効果的に小さくすることができている。他方、第10の実施形態では、通過帯域における低域側において、不要波に起因するリップルが、変形例と比較して小さくなっている。
 なお、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子のうち少なくとも一方が1対の反射器を有する構成は、第10の実施形態及びその変形例以外の本発明の形態に採用することもできる。もっとも、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子のうち一方が1対の反射器を有することが好ましい。それによって、第10の実施形態と同様に、通過帯域の低域側におけるリップルを抑制することができ、かつ通過帯域の中央付近のロスを小さくすることができる。
 本発明においては、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子は、板波を利用可能に構成されていてもよい。この場合、図18に示す第10の実施形態の変形例と同様に、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子がそれぞれ、1対の反射器を有していればよい。
 図21は、第11の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
 本実施形態は、1つの弾性波共振子が並列分割されている点において、第1の実施形態と異なる。本実施形態においては、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bがそれぞれ、1つの弾性波共振子が並列分割された分割共振子である。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置60は第1の実施形態の弾性波装置10と同様に構成されている。
 第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、第1の実施形態と同様に、音響結合型フィルタである。これにより、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bのそれぞれにおいて、フィルタ波形を得ることができる。よって、弾性波装置60をフィルタ装置に用いる場合に、フィルタ装置を構成する弾性波共振子が少ない個数でも、フィルタ波形を好適に得ることができる。従って、フィルタ装置の小型化を進めることができる。
 加えて、1つの弾性波共振子である場合と比較して、並列分割された第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bとされていることによって、放熱経路を増加させることができる。これにより、弾性波装置の動作時において、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの温度が高くなりすぎることを抑制でき、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bが破損し難い。従って、耐電力性を高めることができる。
 以下において、本実施形態の構成をより詳細に説明する。
 圧電層14の第1の主面14aには、第1の信号電位配線28Aと、第2の信号電位配線28Bと、基準電位配線28Cとが設けられている。第1の信号電位配線28Aは入力電位に接続される。第2の信号電位配線28Bは出力電位に接続される。基準電位配線28Cは基準電位に接続される。
 第1の弾性波共振子10Aの第1のバスバー22と、第2の弾性波共振子10Bの第4のバスバー32とは、第1の信号電位配線28Aに共通接続されている。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、第1の信号電位配線28Aを介して、同じ入力電位に接続される。
 第1の弾性波共振子10Aの第2のバスバー23と、第2の弾性波共振子10Bの第5のバスバー33とは、第2の信号電位配線28Bに共通接続されている。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、第2の信号電位配線28Bを介して、同じ出力電位に接続される。このように、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、互いに並列に接続されている。
 本実施形態では、第1の弾性波共振子10Aの第3のバスバー24と、第2の弾性波共振子10Bの第6のバスバー34とが一体として構成されている。第3のバスバー24及び第6のバスバー34は、基準電位配線28Cを介して基準電位に接続される。これにより、配線を単純化することができ、フィルタ装置の小型化を効果的に進めることができる。なお、第3のバスバー24及び第6のバスバー34は、必ずしも一体として構成されていなくともよい。
 第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、電極指直交方向において並んでいる。もっとも、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bの配置は上記に限定されない。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bが、互いに並列に接続されていればよい。
 図22は、図21中のII-II線に沿う模式的断面図である。
 圧電性基板12には、空洞部10a及び空洞部10bが個別に設けられている。第1の弾性波共振子10Aにおける第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が、平面視において、空洞部10aと重なっている。第2の弾性波共振子10Bにおける、第1の電極指としての第4の電極指35、第2の電極指としての第5の電極指36、及び第3の電極指としての第6の電極指37が、平面視において、空洞部10bと重なっている。
 なお、空洞部10a及び空洞部10bは一体として設けられていてもよい。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bは、同じ空洞部を共有していてもよい。
 本実施形態では、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bがそれぞれ、1つの弾性波共振子が並列分割された分割共振子である。この場合にも、第2~第8の実施形態と同様に、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bにおいて、以下のパラメータのうち少なくとも1つのパラメータが互いに異なっていてもよい。上記パラメータは、具体的には、複数の電極指の合計の本数、隣り合う電極指同士の中心間距離、デューティ比、電極指の厚み、ギャップ長、電極指の幅及び交叉幅である。それによって、弾性波装置60の周波数特性において、不要波に起因するリップルを抑制することができる。
 第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bが、第9の実施形態と同様に、誘電体膜を有していてもよい。このとき、第1の弾性波共振子10Aにおける誘電体膜の厚みtd1、及び第2の弾性波共振子10Bにおける誘電体膜の厚みtd2の関係が、td1≠td2であることが好ましい。それによって、弾性波装置60の周波数特性において、不要波に起因するリップルを抑制することができる。
 あるいは、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bのうち少なくとも一方が、第10の実施形態またはその変形例と同様に、1対の反射器を有していてもよい。第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bのうち一方が、1対の反射器を有することが好ましい。それによって、通過帯域の低域側におけるリップルを抑制することができ、かつ通過帯域の中央付近のロスを小さくすることができる。
 第1の弾性波共振子10Aの第3の電極19、及び第2の弾性波共振子10Bの第6の電極は、第1の実施形態の変形例と同様に、ミアンダ状の形状を有していてもよい。この場合において、第1の弾性波共振子10A及び第2の弾性波共振子10Bがそれぞれ、1つの弾性波共振子が並列分割された分割共振子であってもよい。
 図23は、第12の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
 本実施形態は、第1の弾性波共振子70A及び第2の弾性波共振子70Bが、反射器を有する点において第11の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第11の実施形態の弾性波装置60と同様に構成されている。なお、図23に示すように、第1の弾性波共振子70A及び第2の弾性波共振子70Bは、電極指直交方向において並んでいる。
 第1の弾性波共振子に70Aは第1の反射器73Aを有する。第2の弾性波共振子70Bは第2の反射器73Dを有する。第1の弾性波共振子70A及び第2の弾性波共振子70Bは第3の反射器73Eを共有している。第1の反射器73A、第2の反射器73D及び第3の反射器73Eは、圧電層14の第1の主面14aに設けられている。
 第3の反射器73Eは、第1の弾性波共振子70Aにおける複数の電極指が設けられている領域と、第2の弾性波共振子70Bにおける複数の電極指が設けられている領域との間に設けられている。第1の弾性波共振子70Aにおける複数の電極指が設けられている領域は、具体的には、第1の電極指25、第2の電極指26及び第3の電極指27が設けられている領域である。第2の弾性波共振子70Bにおける複数の電極指が設けられている領域は、具体的には、第1の電極指としての第4の電極指35、第2の電極指としての第5の電極指36、及び第3の電極指としての第6の電極指37が設けられている領域である。
 第1の反射器73A及び第3の反射器73Eは、第1の弾性波共振子70Aにおける複数の電極指が設けられている領域を、電極指直交方向において挟み互いに対向している。第2の反射器73D及び第3の反射器73Eは、第2の弾性波共振子70Bにおける複数の電極指が設けられている領域を、電極指直交方向において挟み互いに対向している。
 第1の反射器73Aは、第10の実施形態における反射器53Aと同様に構成されている。具体的には、第1の反射器73Aは、第1の反射器バスバー、第2の反射器バスバー及び複数の反射器電極指を有する。第2の反射器73D及び第3の反射器73Eも同様である。
 本実施形態においては、第1の反射器73A、第2の反射器73D及び第3の反射器73Eが設けられていることによって、通過帯域内のロスを小さくすることができる。加えて、第3の反射器73Eが第1の弾性波共振子70A及び第2の弾性波共振子70Bにおいて共有されていることにより、弾性波装置を小型にすることができる。
 さらに、第1の弾性波共振子70A及び第2の弾性波共振子70Bはそれぞれ、1つの弾性波共振子が並列分割された分割共振子であり、かつ音響結合型フィルタである。それによって、第11の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 図23に示すように、空洞部10a及び空洞部10bは個別に設けられている。もっとも、空洞部10a及び空洞部10bは一体として設けられていてもよい。第1の弾性波共振子70A及び第2の弾性波共振子70Bは、同じ空洞部を共有していてもよい。この場合には、第3の反射器73Eにおける全ての反射器電極指の配置を、より確実に、平面視において空洞部と重なった配置とすることができる。よって、第1の弾性波共振子70A及び第2の弾性波共振子70Bの共振特性をより確実に高くすることができる。
 図24は、第13の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図25は、第13の実施形態における第1の弾性波共振子の第1~第3の電極指付近を示す模式的正面断面図である。
 図24及び図25に示すように、本実施形態は、第1の弾性波共振子80Aにおける第3の電極19が、圧電層14の第2の主面14bに設けられている点において、第1の実施形態と異なる。図24に示すように、本実施形態は、第2の弾性波共振子80Bにおける第6の電極39が、圧電層14の第2の主面14bに設けられている点においても、第1の実施形態と異なる。さらに、本実施形態は、基準電位配線28Cが、圧電層14の第2の主面14bに設けられている点においても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
 平面視したときの、第1の弾性波共振子80Aにおける第3の電極19の配置は、第1の実施形態の第1の弾性波共振子10Aにおける第3の電極19の配置と同様である。具体的には、第1の弾性波共振子80Aでは、平面視したときに、第1の電極指25及び第2の電極指26が並ぶ方向において、第1の電極指25及び第2の電極指26と並ぶように、複数の第3の電極指27がそれぞれ圧電層14の第2の主面14bに設けられている。平面視したときに、複数の電極指が並んでいる順序は、第1の電極指25から開始した場合において、第1の電極指25、第3の電極指27、第2の電極指26及び第3の電極指27を1周期とする順序である。
 平面視したときの、第2の弾性波共振子80Bにおける第6の電極39の配置は、第1の実施形態の第2の弾性波共振子10Bにおける第6の電極39の配置と同様である。具体的には、第2の弾性波共振子80Bでは、平面視したときに、第4の電極指35及び第5の電極指36が並ぶ方向において、第4の電極指35及び第5の電極指36と並ぶように、複数の第6の電極指37がそれぞれ圧電層14の第2の主面14bに設けられている。平面視したときに、複数の電極指が並んでいる順序は、第4の電極指35から開始した場合において、第4の電極指35、第6の電極指37、第5の電極指36及び第6の電極指37を1周期とする順序である。
 基準電位配線28Cは、圧電層14の第2の主面14bに設けられている。該基準電位配線28Cに、第1の弾性波共振子80Aの第3の電極19における第3のバスバー24が接続されている。該基準電位配線28Cに、第2の弾性波共振子80Bの第6の電極39における第6のバスバー34が接続されている。
 第1の弾性波共振子80A及び第2の弾性波共振子80Bはそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子であり、かつ音響結合型フィルタである。それによって、第1の実施形態と同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 なお、第1の弾性波共振子80A及び第2の弾性波共振子80Bはそれぞれ、1つの弾性波共振子が並列分割された分割共振子であってもよい。この場合においても、第11の実施形態などと同様に、弾性波装置がフィルタ装置に用いられる場合において、フィルタ装置の小型化を進めることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。
 以下において、機能電極がIDT電極である例を用いて、厚み滑りモードの詳細を説明する。後述するIDT電極における「電極」は、電極指に相当する。以下の例における弾性波装置は、1つの弾性波共振子である。以下の例における支持部材は、本発明における支持基板に相当する。以下においては、基準電位をグラウンド電位と記載することもある。
 図26(a)は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図26(b)は、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図27は、図26(a)中のA-A線に沿う部分の断面図である。
 弾性波装置1は、LiNbOからなる圧電層2を有する。圧電層2は、LiTaOからなるものであってもよい。LiNbOやLiTaOのカット角は、Zカットであるが、回転YカットやXカットであってもよい。圧電層2の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、40nm以上、1000nm以下であることが好ましく、50nm以上、1000nm以下であることがより好ましい。圧電層2は、対向し合う第1,第2の主面2a,2bを有する。第1の主面2a上に、電極3及び電極4が設けられている。ここで電極3が「第1電極」の一例であり、電極4が「第2電極」の一例である。図26(a)及び図26(b)では、複数の電極3が、第1のバスバー5に接続されている。複数の電極4は、第2のバスバー6に接続されている。複数の電極3及び複数の電極4は、互いに間挿し合っている。電極3及び電極4は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極3と、隣りの電極4とが対向している。電極3,4の長さ方向、及び、電極3,4の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層2の厚み方向に交叉する方向である。このため、電極3と、隣りの電極4とは、圧電層2の厚み方向に交叉する方向において対向しているともいえる。また、電極3,4の長さ方向が図26(a)及び図26(b)に示す電極3,4の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図26(a)及び図26(b)において、第1のバスバー5及び第2のバスバー6が延びている方向に電極3,4を延ばしてもよい。その場合、第1のバスバー5及び第2のバスバー6は、図26(a)及び図26(b)において電極3,4が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極3と、他方電位に接続される電極4とが隣り合う1対の構造が、上記電極3,4の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極3と電極4とが隣り合うとは、電極3と電極4とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極3と電極4とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極3と電極4とが隣り合う場合、電極3と電極4との間には、他の電極3,4を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、1.5対や2.5対などであってもよい。電極3,4間の中心間距離すなわちピッチは、1μm以上、10μm以下の範囲が好ましい。また、電極3,4の幅、すなわち電極3,4の対向方向の寸法は、50nm以上、1000nm以下の範囲であることが好ましく、150nm以上、1000nm以下の範囲であることがより好ましい。なお、電極3,4間の中心間距離とは、電極3の長さ方向と直交する方向における電極3の寸法(幅寸法)の中心と、電極4の長さ方向と直交する方向における電極4の寸法(幅寸法)の中心とを結んだ距離となる。
 また、弾性波装置1では、Zカットの圧電層を用いているため、電極3,4の長さ方向と直交する方向は、圧電層2の分極方向に直交する方向となる。圧電層2として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交(電極3,4の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば90°±10°の範囲内)でもよい。
 圧電層2の第2の主面2b側には、絶縁層7を介して支持部材8が積層されている。絶縁層7及び支持部材8は、枠状の形状を有し、図27に示すように、貫通孔7a,8aを有する。それによって、空洞部9が形成されている。空洞部9は、圧電層2の励振領域Cの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材8は、少なくとも1対の電極3,4が設けられている部分と重ならない位置において、第2の主面2bに絶縁層7を介して積層されている。なお、絶縁層7は設けられずともよい。従って、支持部材8は、圧電層2の第2の主面2bに直接または間接に積層され得る。
 絶縁層7は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材8は、Siからなる。Siの圧電層2側の面における面方位は(100)や(110)であってもよく、(111)であってもよい。支持部材8を構成するSiは、抵抗率4kΩcm以上の高抵抗であることが望ましい。もっとも、支持部材8についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。
 支持部材8の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
 上記複数の電極3,4及び第1,第2のバスバー5,6は、Al、AlCu合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。弾性波装置1では、電極3,4及び第1,第2のバスバー5,6は、Ti膜上にAl膜を積層した構造を有する。なお、Ti膜以外の密着層を用いてもよい。
 駆動に際しては、複数の電極3と、複数の電極4との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第1のバスバー5と第2のバスバー6との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層2において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置1では、圧電層2の厚みをd、複数対の電極3,4のうちいずれかの隣り合う電極3,4の中心間距離をpとした場合、d/pは0.5以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、d/pは0.24以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
 弾性波装置1では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極3,4の対数を小さくしたとしても、Q値の低下が生じ難い。これは、両側の反射器における電極指の本数を少なくしても、伝搬ロスが少ないためである。また、上記電極指の本数を少なくできるのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図28(a)及び図28(b)を参照して説明する。
 図28(a)は、日本公開特許公報 特開2012-257019号公報に記載のような弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。ここでは、圧電膜201中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜201では、第1の主面201aと、第2の主面201bとが対向しており、第1の主面201aと第2の主面201bとを結ぶ厚み方向がZ方向である。X方向は、IDT電極の電極指が並んでいる方向である。図28(a)に示すように、ラム波では、波が図示のように、X方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜201が全体として振動するものの、波はX方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Q値が低下する。
 これに対して、図28(b)に示すように、弾性波装置1では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層2の第1の主面2aと第2の主面2bとを結ぶ方向、すなわちZ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のX方向成分がZ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このZ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器の電極指の本数を少なくしても、伝搬損失は生じ難い。さらに、小型化を進めようとして、電極3,4からなる電極対の対数を減らしたとしても、Q値の低下が生じ難い。
 なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図29に示すように、圧電層2の励振領域Cに含まれる第1領域451と、励振領域Cに含まれる第2領域452とで逆になる。図29では、電極3と電極4との間に、電極4が電極3よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第1領域451は、励振領域Cのうち、圧電層2の厚み方向に直交し圧電層2を2分する仮想平面VP1と、第1の主面2aとの間の領域である。第2領域452は、励振領域Cのうち、仮想平面VP1と、第2の主面2bとの間の領域である。
 上記のように、弾性波装置1では、電極3と電極4とからなる少なくとも1対の電極が配置されているが、X方向に波を伝搬させるものではないため、この電極3,4からなる電極対の対数は複数対ある必要はない。すなわち、少なくとも1対の電極が設けられてさえおればよい。
 例えば、上記電極3がホット電位に接続される電極であり、電極4がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極3がグラウンド電位に、電極4がホット電位に接続されてもよい。弾性波装置1では、少なくとも1対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
 図30は、図27に示す弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置1の設計パラメータは以下の通りである。
 圧電層2:オイラー角(0°,0°,90°)のLiNbO、厚み=400nm。
 電極3と電極4の長さ方向と直交する方向に見たときに、電極3と電極4とが重なっている領域、すなわち励振領域Cの長さ=40μm、電極3,4からなる電極の対数=21対、電極間中心距離=3μm、電極3,4の幅=500nm、d/p=0.133。
 絶縁層7:1μmの厚みの酸化ケイ素膜。
 支持部材8:Si。
 なお、励振領域Cの長さとは、励振領域Cの電極3,4の長さ方向に沿う寸法である。
 弾性波装置1では、電極3,4からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極3と電極4とを等ピッチで配置した。
 図30から明らかなように、反射器を有しないにも関わらず、比帯域が12.5%である良好な共振特性が得られている。
 ところで、上記圧電層2の厚みをd、電極3と電極4との電極の中心間距離をpとした場合、前述したように、弾性波装置1では、d/pは0.5以下、より好ましくは0.24以下である。これを、図31を参照して説明する。
 図30に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しd/pを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図31は、このd/pと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
 図31から明らかなように、d/p>0.5では、d/pを調整しても、比帯域は5%未満である。これに対して、d/p≦0.5の場合には、その範囲内でd/pを変化させれば、比帯域を5%以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、d/pが0.24以下の場合には、比帯域を7%以上と高めることができる。加えて、d/pをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、d/pを0.5以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
 図32は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。弾性波装置90では、圧電層2の第1の主面2a上において、電極3と電極4とを有する1対の電極が設けられている。なお、図32中のKが交叉幅となる。前述したように、本発明の弾性波装置では、電極の対数は1対であってもよい。この場合においても、上記d/pが0.5以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
 弾性波装置1では、好ましくは、複数の電極3,4において、いずれかの隣り合う電極3,4が対向している方向に見たときに重なっている領域である励振領域Cに対する、上記隣り合う電極3,4のメタライゼーション比MRが、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図33及び図34を参照して説明する。図33は、上記弾性波装置1の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Bで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、d/p=0.08として、かつLiNbOのオイラー角(0°,0°,90°)とした。また、上記メタライゼーション比MR=0.35とした。
 メタライゼーション比MRを、図26(b)を参照して説明する。図26(b)の電極構造において、1対の電極3,4に着目した場合、この1対の電極3,4のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Cとなる。この励振領域Cとは、電極3と電極4とを、電極3,4の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に見たときに電極3における電極4と重なり合っている領域、電極4における電極3と重なり合っている領域、及び、電極3と電極4との間の領域における電極3と電極4とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Cの面積に対する、励振領域C内の電極3,4の面積が、メタライゼーション比MRとなる。すなわち、メタライゼーション比MRは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Cの面積に対する比である。
 なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をMRとすればよい。
 図34は弾性波装置1の構成に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての180度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図34は、ZカットのLiNbOからなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
 図34中の楕円Jで囲まれている領域では、スプリアスが1.0と大きくなっている。図34から明らかなように、比帯域が0.17を超えると、すなわち17%を超えると、スプリアスレベルが1以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図33に示す共振特性のように、矢印Bで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は17%以下であることが好ましい。この場合には、圧電層2の膜厚や電極3,4の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
 図35は、d/2pと、メタライゼーション比MRと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、d/2pと、MRが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図35の破線Dの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が17%以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、MR=3.5(d/2p)+0.075で表される。すなわち、MR=1.75(d/p)+0.075である。従って、好ましくは、MR≦1.75(d/p)+0.075である。その場合には、比帯域を17%以下としやすい。より好ましくは、図35中の一点鎖線D1で示すMR=3.5(d/2p)+0.05の右側の領域である。すなわち、MR≦1.75(d/p)+0.05であれば、比帯域を確実に17%以下にすることができる。
 図36は、d/pを限りなく0に近づけた場合のLiNbOのオイラー角(0°,θ,ψ)に対する比帯域のマップを示す図である。図36において示す、ハッチングを付して示した複数の領域Rがそれぞれ、2%以上の比帯域が得られる領域である。なお、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±5°の範囲内である場合には、θ及びψと比帯域との関係は、図36に示す関係と同様である。圧電層がタンタル酸リチウム(LiTaO)からなる場合においても、オイラー角(0°±5°の範囲内,θ,ψ)におけるθ及びψと、BWとの関係は、図36に示す関係と同様である。
 従って、圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)におけるφが0°±5°の範囲内であり、θ及びφが、図36に示す複数の領域Rのいずれかの範囲内であれば、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
 図37は、音響多層膜を有する弾性波装置の正面断面図である。
 弾性波装置91では、圧電層2の第2の主面2bに音響多層膜92が積層されている。音響多層膜92は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層92a,92c,92eと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層92b,92dとの積層構造を有する。音響多層膜92を用いた場合、弾性波装置1における空洞部9を用いずとも、厚み滑りモードのバルク波を圧電層2内に閉じ込めることができる。弾性波装置91においても、上記d/pを0.5以下とすることにより、厚み滑りモードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜92においては、その低音響インピーダンス層92a,92c,92e及び高音響インピーダンス層92b,92dの積層数は特に限定されない。低音響インピーダンス層92a,92c,92eよりも、少なくとも1層の高音響インピーダンス層92b,92dが圧電層2から遠い側に配置されておりさえすればよい。
 上記低音響インピーダンス層92a,92c,92e及び高音響インピーダンス層92b,92dは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層92a,92c,92eの材料としては、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層92b,92dの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素または金属などを挙げることができる。
 図38は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。
 弾性波装置101は、支持基板102を有する。支持基板102には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板102上に圧電層103が積層されている。それによって、空洞部9が構成されている。この空洞部9の上方において圧電層103上に、IDT電極104が設けられている。IDT電極104の弾性波伝搬方向両側に、反射器105,106が設けられている。図38において、空洞部9の外周縁を破線で示す。ここでは、IDT電極104は、第1,第2のバスバー104a,104bと、複数本の第1の電極指104c及び複数本の第2の電極指104dとを有する。複数本の第1の電極指104cは、第1のバスバー104aに接続されている。複数本の第2の電極指104dは、第2のバスバー104bに接続されている。複数本の第1の電極指104cと、複数本の第2の電極指104dとは間挿し合っている。
 弾性波装置101では、上記空洞部9上のIDT電極104に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器105,106が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
 このように、本発明における弾性波共振子は、板波を利用するものであってもよい。
 第1~第13の実施形態及び各変形例の弾性波装置においては、例えば、支持部材及び圧電膜としての圧電層の間に、音響反射膜としての、図37に示す音響多層膜92が設けられていてもよい。具体的には、支持部材の少なくとも一部及び圧電膜の少なくとも一部が、音響多層膜92を挟み互いに対向するように、支持部材と圧電膜とが配置されていてもよい。この場合、音響多層膜92において、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とが交互に積層されていればよい。音響多層膜92が、弾性波装置における音響反射部であってもよい。この場合、例えば、複数の音響多層膜92が個別に設けられていてもよい。そして、第1の弾性波共振子における複数の電極指、及び第2の弾性波共振子における複数の電極指が、互いに異なる音響多層膜92と、平面視において重なっていてもよい。あるいは、同じ音響多層膜92と、第1の弾性波共振子における複数の電極指、及び第2の弾性波共振子における複数の電極指とが、平面視において重なっていてもよい。なお、第13の実施形態において音響多層膜92が設けられている場合、第1の弾性波共振子における複数の第3の電極指、及び第2の弾性波共振子における複数の第3の電極指が、音響多層膜92に埋め込まれていてもよい。
 厚み滑りモードのバルク波を利用する第1~第13の実施形態及び各変形例における第1の弾性波共振子においては、上記のように、d/pが0.5以下であることが好ましく、0.24以下であることがより好ましい。それによって、より一層良好な共振特性を得ることができる。厚み滑りモードのバルク波を利用する第1~第13の実施形態及び各変形例における第2の弾性波共振子においても同様である。
 さらに、厚み滑りモードのバルク波を利用する第1~第13の実施形態及び各変形例における第1の弾性波共振子の励振領域においては、上記のように、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが好ましい。より具体的には、励振領域に対する、第1の電極指及び第3の電極指、並びに第2の電極指及び第3の電極指のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たすことが好ましい。この場合には、スプリアスをより確実に抑制することができる。厚み滑りモードのバルク波を利用する第1~第13の実施形態及び各変形例における第2の弾性波共振子の励振領域においても同様である。
1…弾性波装置
2…圧電層
2a,2b…第1,第2の主面
3,4…電極
5,6…第1,第2のバスバー
7…絶縁層
7a…貫通孔
8…支持部材
8a…貫通孔
9…空洞部
10…弾性波装置
10A,10B…第1,第2の弾性波共振子
10C…第1の弾性波共振子
10a,10b…空洞部
11…機能電極
11a,11b…第1,第2の面
11c…側面
12…圧電性基板
13…支持部材
14…圧電層
14a,14b…第1,第2の主面
15…絶縁層
16…支持基板
17,18…第1,第2の櫛形電極
19,19A…第3の電極
22~24…第1~第3のバスバー
24A,24B…第1,第2の接続電極
24C…接続電極
24a…バー部
24b…突出部
25~27…第1~第3の電極指
28A,28B…第1,第2の信号電位配線
28C…基準電位配線
29A,29B…絶縁膜
31…機能電極
31a,31b…第1,第2の面
31c…側面
32~34…第4~第6のバスバー
35~37…第4~第6の電極指
39…第6の電極
40A,40B…第1,第2の弾性波共振子
48A,48B…誘電体膜
50A,50B…第1,第2の弾性波共振子
53A~53D…反射器
53a,53b…第1,第2の反射器バスバー
53c…複数の反射器電極指
60…弾性波装置
70A,70B…第1,第2の弾性波共振子
73A,73D,73E…第1,第2,第3の反射器
80A,80B…第1,第2の弾性波共振子
90,91…弾性波装置
92…音響多層膜
92a,92c,92e…低音響インピーダンス層
92b,92d…高音響インピーダンス層
101…弾性波装置
102…支持基板
103…圧電層
104…IDT電極
104a,104b…第1,第2のバスバー
104c,104d…第1,第2の電極指
105,106…反射器
201…圧電膜
201a,201b…第1,第2の主面
451,452…第1,第2領域
C…励振領域
E…交叉領域
g1,g2,g4,g5…ギャップ
R…領域
VP1…仮想平面

Claims (19)

  1.  第1の弾性波共振子と、
     第2の弾性波共振子と、
    を備え、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、ニオブ酸リチウムからなる圧電層を含む圧電膜と、前記圧電層上に設けられており、第1のバスバーと、前記第1のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指と、を有し、入力電位に接続される第1の櫛形電極と、前記圧電層上に設けられており、第2のバスバーと、前記第2のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指と間挿し合っている複数の第2の電極指と、を有し、出力電位に接続される第2の櫛形電極と、平面視したときに、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が並ぶ方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層上に設けられている複数の第3の電極指と、隣り合う前記第3の電極指同士を接続している接続電極と、を有し、基準電位に接続される、第3の電極と、を有し、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、平面視したときに、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が並んでいる順序が、前記第1の電極指から開始した場合において、前記第1の電極指、前記第3の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指を1周期とする順序であり、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、1つの弾性波共振子が直列分割された分割共振子である、弾性波装置。
  2.  第1の弾性波共振子と、
     第2の弾性波共振子と、
    を備え、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、ニオブ酸リチウムからなる圧電層を含む圧電膜と、前記圧電層上に設けられており、第1のバスバーと、前記第1のバスバーに一端がそれぞれ接続されている複数の第1の電極指と、を有し、入力電位に接続される第1の櫛形電極と、前記圧電層上に設けられており、第2のバスバーと、前記第2のバスバーに一端がそれぞれ接続されており、前記複数の第1の電極指と間挿し合っている複数の第2の電極指と、を有し、出力電位に接続される第2の櫛形電極と、平面視したときに、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が並ぶ方向において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指と並ぶように、それぞれ前記圧電層上に設けられている複数の第3の電極指と、隣り合う前記第3の電極指同士を接続している接続電極と、を有し、基準電位に接続される、第3の電極と、を有し、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、平面視したときに、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が並んでいる順序が、前記第1の電極指から開始した場合において、前記第1の電極指、前記第3の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指を1周期とする順序であり、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、1つの弾性波共振子が並列分割された分割共振子である、弾性波装置。
  3.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子が、前記電極指直交方向において並んでおり、
     前記第1の弾性波共振子が、前記圧電層上に設けられている第1の反射器を有し、前記第2の弾性波共振子が、前記圧電層上に設けられている第2の反射器を有し、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子が第3の反射器を共有しており、
     前記第3の反射器が、前記第1の弾性波共振子の前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が設けられている領域と、前記第2の弾性波共振子の前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が設けられている領域との間に設けられており、
     前記第1の反射器及び前記第3の反射器が、前記第1の弾性波共振子の前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が設けられている領域を挟み互いに対向しており、前記第2の反射器及び前記第3の反射器が、前記第2の弾性波共振子の前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が設けられている領域を挟み互いに対向している、請求項2に記載の弾性波装置。
  4.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のうち一方が、前記圧電層上に、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が設けられている領域を、前記電極指直交方向において挟むように設けられている1対の反射器を有し、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のうち他方が前記反射器を有しない、請求項1または2に記載の弾性波装置。
  5.  前記第1の弾性波共振子の前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指の合計の本数と、前記第2の弾性波共振子の前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指の合計の本数とが互いに異なる、請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  6.  前記第1の弾性波共振子における隣り合う前記第1の電極指及び前記第3の電極指の中心間距離、並びに隣り合う前記第3の電極指及び前記第2の電極指の中心間距離をp1とし、前記第2の弾性波共振子における隣り合う前記第1の電極指及び前記第3の電極指の中心間距離、並びに隣り合う前記第2の電極指及び前記第3の電極指の中心間距離をp2としたときに、p1≠p2である、請求項1~5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  7.  前記第1の弾性波共振子における前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指の幅をw1とし、前記第2の弾性波共振子における前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指の幅をw2としたときに、w1≠w2である、請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  8.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子がそれぞれ、前記圧電層上に前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指を覆うように設けられている誘電体膜を有し、
     前記第1の弾性波共振子の前記誘電体膜の厚みをtd1、前記第2の弾性波共振子の前記誘電体膜の厚みをtd2としたときに、td1≠td2である、請求項1~7のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  9.  前記第1の弾性波共振子の前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指の厚みをte1、前記第2の弾性波共振子の前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指の厚みをte2としたときに、te1≠te2である、請求項1~8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  10.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の先端がそれぞれ、該電極指と異なる電位であり、かつ入力電位、出力電位及び基準電位のうちいずれかの電位に接続される電極と、ギャップを隔てて対向しており、
     前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向を電極指延伸方向とし、前記ギャップの前記電極指延伸方向に沿う寸法をギャップ長とし、前記第1の弾性波共振子における前記ギャップ長をG1、前記第2の弾性波共振子における前記ギャップ長をG2としたときに、G1≠G2である、請求項1~9のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  11.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向を電極指延伸方向とし、前記電極指延伸方向と直交する方向から見たときに、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が重なり合っている領域が交叉領域であり、
     前記第1の弾性波共振子における前記交叉領域の、前記電極指延伸方向に沿う寸法を交叉幅Ap1、前記第2の弾性波共振子における前記交叉領域の、前記電極指延伸方向に沿う寸法を交叉幅Ap2としたときに、Ap1≠Ap2である、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  12.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれが、板波を利用可能に構成されている、請求項1~11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  13.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれが、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項1~11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  14.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれが、前記圧電膜に積層されている支持部材をさらに有し、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記支持部材及び前記圧電膜の積層方向に沿って見た平面視において、前記支持部材における、前記複数の第1の電極指、前記複数の第2の電極指及び前記複数の第3の電極指と重なる位置に音響反射部が形成されており、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、隣り合う前記第1の電極指及び前記第3の電極指の中心間距離、並びに、隣り合う前記第2の電極指及び前記第3の電極指の中心間距離のうち、最も長い距離をpとした場合において、前記圧電膜の厚みをdとした場合、d/pが0.5以下である、請求項1~11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  15.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、d/pが0.24以下である、請求項14に記載の弾性波装置。
  16.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記音響反射部が空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電膜の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電膜とが配置されている、請求項14または15に記載の弾性波装置。
  17.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電膜の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電膜とが配置されている、請求項14または15に記載の弾性波装置。
  18.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記第1の電極指、前記第2の電極指及び前記第3の電極指が延びる方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う前記第1の電極指及び前記第3の電極指が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域、並びに、隣り合う前記第2の電極指及び前記第3の電極指が、前記電極指直交方向において重なり合っている領域が励振領域であり、
     前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記励振領域に対する、前記第1の電極指及び前記第3の電極指、並びに前記第2の電極指及び前記第3の電極指のメタライゼーション比をMRとしたときに、MR≦1.75(d/p)+0.075を満たす、請求項14~17のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  19.  前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子のそれぞれにおいて、前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムのオイラー角(φ,θ,ψ)が、以下の式(1)、式(2)または式(3)の範囲にある、請求項1~18のいずれか1項に記載の弾性波装置。
     (0°±10°の範囲内,0°~25°,任意のψ)  …式(1)
     (0°±10°の範囲内,25°~100°,0°~75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2 または 180°-75°[(1-(θ-50)/2500)]1/2~180°)  …式(2)
     (0°±10°の範囲内,180°-40°[(1-(ψ-90)/8100)]1/2~180°,任意のψ)  …式(3)
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