WO2022209860A1

WO2022209860A1 - 弾性波装置

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Publication number: WO2022209860A1
Application number: PCT/JP2022/011662
Authority: WO
Inventors: 誠二甲斐; 央山崎; 武志中尾; 卓哉小柳
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-03-31
Filing date: 2022-03-15
Publication date: 2022-10-06
Also published as: US20240007076A1; KR20230148205A

Abstract

圧電層の支持部材に対するスティッキングを抑制することができる、弾性波装置を提供する。　本発明に係る弾性波装置１０は、支持基板１６を含む支持部材１３と、支持部材１３上に設けられている圧電層１４とを含む圧電性基板１２と、圧電層１４上に設けられている機能電極と、少なくとも１つの支持体と、蓋部２５とを備える。少なくとも１つの支持体のうち１つの支持体が、圧電性基板１２上に機能電極を囲むように設けられており、該支持体上に蓋部２５が設けられている。支持部材１３に、第１空洞部１０ａが設けられている。第１空洞部１０ａが、平面視において、機能電極の少なくとも一部と重なっている。圧電性基板１２と、圧電性基板１２及び蓋部２５の間に設けられた支持体と、蓋部２５とにより囲まれた第２空洞部１０ｂが設けられている。圧電性基板１２と、圧電性基板１２及び蓋部２５の間に設けられた支持体と、蓋部２５とが積層されている方向を高さ方向とし、高さ方向に沿う寸法を高さとしたときに、第１空洞部１０ａの高さが第２空洞部１０ｂの高さよりも高い。

Description

弾性波装置

　本発明は、弾性波装置に関する。

　従来、弾性波装置は、携帯電話器のフィルタなどに広く用いられている。例えば、下記の特許文献１に記載の弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板上に設けられた支持部材と、支持部材上に設けられたカバー部材とを有する。この弾性波装置においては、圧電基板、支持部材及びカバー部材により囲まれた中空空間が設けられている。該中空空間に臨むように、圧電基板上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が設けられている。

　下記の特許文献２では、支持部材の上方に凹部が設けられている。凹部を覆うように、支持部材上に圧電薄膜が設けられている。すなわち、支持部材側に中空空間が設けられている。圧電薄膜における、凹部を覆っている部分に、ＩＤＴ電極が設けられている。

特開２０１０－２７８９７２号公報特開２０１７－２２４８９０号公報

　特許文献２に記載のような弾性波装置において、特許文献１に記載のようなパッケージ構造が用いられることがある。しかしながら、このような弾性波装置においては、圧電薄膜が支持部材側に設けられた中空空間側に反り、圧電薄膜が支持部材に張り付く、スティッキングが生じるおそれがある。

　本発明の目的は、圧電層の支持部材に対するスティッキングを抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。

　本発明に係る弾性波装置は、支持基板を含む支持部材と、前記支持部材上に設けられている圧電層とを含む圧電性基板と、前記圧電層上に設けられている機能電極と、少なくとも１つの支持体と、蓋部とを備え、前記少なくとも１つの支持体のうち１つの支持体が、前記圧電性基板上に前記機能電極を囲むように設けられており、該支持体上に蓋部が設けられており、前記支持部材に、第１空洞部が設けられており、前記第１空洞部が、平面視において、前記機能電極の少なくとも一部と重なっており、前記圧電性基板と、前記圧電性基板及び前記蓋部の間に設けられた前記支持体と、前記蓋部とにより囲まれた第２空洞部が設けられており、前記圧電性基板と、前記圧電性基板及び前記蓋部の間に設けられた前記支持体と、前記蓋部とが積層されている方向を高さ方向とし、前記高さ方向に沿う寸法を高さとしたときに、前記第１空洞部の高さが前記第２空洞部の高さよりも高い。

　本発明によれば、圧電層の支持部材に対するスティッキングを抑制することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の、圧電性基板上の構成を示す模式的平面図である。図３は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の、図１に相当する部分を示す略図的断面図である。図４は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の、図１に相当する部分を示す略図的断面図である。図５は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の、圧電性基板上の構成を示す模式的断面図である。図６は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例に係る弾性波装置の、図１に相当する部分を示す略図的平面図である。図７は、本発明の第１の実施形態の第５の変形例に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。図８は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の、圧電性基板上の構成を示す模式的平面図である。図９は、本発明の第２の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の、圧電性基板上の構成を示す模式的平面図である。図１０は、本発明の第２の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の、圧電性基板上の構成を示す模式的平面図である。図１１は、本発明の第３の実施形態における第１の支持体付近を示す模式的断面図である。図１２は、本発明の第３の実施形態の変形例における第１の支持体付近を示す模式的断面図である。図１３は、本発明の第４の実施形態における、第１の支持体及び第３の支持体付近を示す模式的断面図である。図１４は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の、図１に相当する部分を示す略図的断面図である。図１５は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の、図１に示す部分に相当する部分を示す略図的断面図である。図１６（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１６（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図である。図１７は、図１６（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。図１８（ａ）は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図であり、図１８（ｂ）は、弾性波装置における、圧電膜を伝搬する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。図１９は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。図２０は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の共振特性を示す図である。図２１は、隣り合う電極の中心間距離をｐ、圧電層の厚みをｄとした場合のｄ／ｐと共振子としての比帯域との関係を示す図である。図２２は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。図２３は、スプリアスが現れている参考例の弾性波装置の共振特性を示す図である。図２４は、比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。図２５は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲとの関係を示す図である。図２６は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図２７は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の、圧電性基板上の構成を示す模式的平面図である。図１においては、後述するＩＤＴ電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。図１以外の略図的断面図においても同様である。図２においては、後述する誘電体膜を省略している。図２以外の模式的平面図においても同様である。なお、図１は、図２中のＩ－Ｉ線に沿う部分を略図的に示す断面図である。

　図１に示すように、弾性波装置１０は、圧電性基板１２と、機能電極としてのＩＤＴ電極１１とを有する。圧電性基板１２は、支持部材１３と、圧電層１４とを有する。本実施形態では、支持部材１３は支持基板１６と、中間層１５とを含む。支持基板１６上に中間層１５が設けられている。中間層１５上に圧電層１４が設けられている。もっとも、支持部材１３は支持基板１６のみにより構成されていてもよい。

　圧電層１４は第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂを有する。第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂは互いに対向している。第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂのうち、第２の主面１４ｂが支持部材１３側に位置している。

　支持基板１６の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。中間層１５の材料としては、酸化ケイ素または五酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。圧電層１４の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。なお、圧電層１４は、ＬｉＴａＯ_３層などのタンタル酸リチウム層、またはＬｉＮｂＯ_３層などのニオブ酸リチウム層であることが好ましい。

　支持部材１３には、第１空洞部１０ａが設けられている。より具体的には、中間層１５に凹部が設けられている。中間層１５上に、凹部を塞ぐように、圧電層１４が設けられている。これにより、第１空洞部１０ａが構成されている。なお第１空洞部１０ａは、中間層１５及び支持基板１６に設けられていてもよく、あるいは、支持基板１６のみに設けられていてもよい。支持部材１３には、少なくとも１つの第１空洞部１０ａが設けられていればよい。

　図２に示すように、圧電層１４の第１の主面１４ａには、複数のＩＤＴ電極１１が設けられている。これにより、複数の弾性波共振子が構成されている。本実施形態における弾性波装置１０はフィルタ装置である。なお、弾性波装置１０は、少なくとも１つのＩＤＴ電極１１を有していればよい。本発明に係る弾性波装置は、少なくとも１つの弾性波共振子を含んでいればよい。

　平面視において、ＩＤＴ電極１１の少なくとも一部が第１空洞部１０ａと重なっている。より具体的には、図２に示すように、本実施形態では、複数の第１空洞部１０ａが設けられている。平面視において、各弾性波共振子のＩＤＴ電極１１が、別個の第１空洞部１０ａと重なっている。もっとも、複数のＩＤＴ電極１１が同じ第１空洞部１０ａと重なっていてもよい。本明細書において平面視とは、図１における上方に相当する方向から見ることをいう。さらに、平面視とは、後述する第１の支持体１８及び蓋部２５が積層されている方向に沿って見ることをいう。なお、図１において、例えば、支持基板１６及び圧電層１４のうち、圧電層１４側が上方である。

　圧電層１４の第１の主面１４ａには、第１の支持体１８及び複数の第２の支持体１９が設けられている。本実施形態では、第１の支持体１８及び第２の支持体１９はそれぞれ、複数の金属層の積層体である。第１の支持体１８は枠状の形状を有する。他方、第２の支持体１９は柱状の形状を有する。第１の支持体１８は、複数のＩＤＴ電極１１及び複数の第２の支持体１９を囲むように設けられている。より具体的には、第１の支持体１８は開口部１８ｃを有する。複数のＩＤＴ電極１１及び複数の第２の支持体１９は、開口部１８ｃ内に位置している。なお、少なくとも１つの第２の支持体１９が設けられていればよい。

　図１に示すように、圧電層１４及び第１の支持体１８の間には、枠状の電極層１７Ａが設けられている。電極層１７Ａは、第１の支持体１８と同様に、平面視において、複数のＩＤＴ電極１１及び複数の第２の支持体１９を囲んでいる。もっとも、電極層１７Ａは設けられていなくともよい。第１の支持体１８上及び複数の第２の支持体１９上に、開口部１８ｃを塞ぐように、蓋部２５が設けられている。それによって、圧電性基板１２、電極層１７Ａ、第１の支持体１８及び蓋部２５により囲まれた第２空洞部１０ｂが設けられている。複数のＩＤＴ電極１１及び複数の第２の支持体１９は、第２空洞部１０ｂ内に配置されている。

　本実施形態の特徴は、圧電性基板１２、第１の支持体１８及び蓋部２５が積層されている方向を高さ方向とし、高さ方向に沿う寸法を高さとしたときに、第１空洞部１０ａの高さが第２空洞部１０ｂの高さよりも高いことにある。それによって、圧電層１４が第２空洞部１０ｂ側から第１空洞部１０ａ側に凸状に変形した際においても、支持部材１３に圧電層１４が張り付く、スティッキングを抑制することができる。

　以下において、本実施形態の構成のさらなる詳細を説明する。

　図１に示すように、圧電性基板１２上には、ＩＤＴ電極１１を覆うように、誘電体膜２４が設けられている。これにより、ＩＤＴ電極１１が破損し難い。誘電体膜２４には、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素などを用いることができる。誘電体膜２４が酸化ケイ素からなる場合には、周波数温度特性を改善することができる。他方、誘電体膜２４が窒化ケイ素などからなる場合には、誘電体膜２４を周波数調整膜として用いることができる。なお、誘電体膜２４は設けられていなくともよい。

　圧電層１４及び誘電体膜２４には、連続して貫通孔２０が設けられている。貫通孔２０は、第１空洞部１０ａに至るように設けられている。貫通孔２０は、弾性波装置１０の製造に際し、中間層１５内の犠牲層を除去するために用いられる。もっとも、貫通孔２０は必ずしも設けられていなくともよい。

　蓋部２５は、蓋部本体２６と、絶縁体層２７Ａ及び絶縁体層２７Ｂとを有する。蓋部本体２６は第１の主面２６ａ及び第２の主面２６ｂを有する。第１の主面２６ａ及び第２の主面２６ｂは互いに対向している。第１の主面２６ａ及び第２の主面２６ｂのうち第２の主面２６ｂが圧電性基板１２側に位置している。第１の主面２６ａに絶縁体層２７Ａが設けられている。第２の主面２６ｂに絶縁体層２７Ｂが設けられている。本実施形態においては、蓋部本体２６はシリコンを主成分とする。蓋部本体２６の材料は上記に限定されないが、シリコンなどの半導体を主成分とすることが好ましい。本明細書において主成分とは、占める割合が５０重量％を超える成分をいう。他方、絶縁体層２７Ａ及び絶縁体層２７Ｂは、例えば、酸化ケイ素層である。

　蓋部２５には、アンダーバンプメタルとしての、ビア電極２１Ａが設けられている。より具体的には、蓋部２５に貫通孔が設けられている。該貫通孔は第２の支持体１９に至るように設けられている。該貫通孔内に、ビア電極２１Ａが設けられている。ビア電極２１Ａの一端は第２の支持体１９に接続されている。ビア電極２１Ａの他端に接続されるように、電極パッド２１Ｂが設けられている。なお、本実施形態では、ビア電極２１Ａ及び電極パッド２１Ｂは一体として設けられている。もっとも、ビア電極２１Ａ及び電極パッド２１Ｂは別体として設けられていてもよい。電極パッド２１Ｂにはバンプ２２が接合されている。

　より詳細には、電極パッド２１Ｂの外周縁付近を覆うように、絶縁体層２７Ａが設けられている。電極パッド２１Ｂにおける、絶縁体層２７Ａに覆われていない部分に、バンプ２２が接合されている。本明細書において外周縁とは、平面視における外周縁である。なお、絶縁体層２７Ａは、電極パッド２１Ｂ及び蓋部本体２６の間に至っていてもよい。さらに、絶縁体層２７Ａは、ビア電極２１Ａ及び蓋部本体２６の間に至っていてもよい。絶縁体層２７Ａ及び絶縁体層２７Ｂは、蓋部本体２６の貫通孔を介して、一体として設けられていても構わない。

　図２に示すように、圧電性基板１２上には、複数の配線電極２３が設けられている。複数の配線電極２３のうち一部は、ＩＤＴ電極１１同士を接続している。複数の配線電極２３のうち他の一部は、ＩＤＴ電極１１及び第２の支持体１９を電気的に接続している。より具体的には、図１に示すように圧電性基板１２上に、導電膜１７Ｂが設けられている。導電膜１７Ｂ上に第２の支持体１９が設けられている。よって、配線電極２３は、導電膜１７Ｂを介して、第２の支持体１９に電気的に接続されている。そして、複数のＩＤＴ電極１１は、配線電極２３、導電膜１７Ｂ、第２の支持体１９、ビア電極２１Ａ、電極パッド２１Ｂ及びバンプ２２を介して、外部に電気的に接続される。なお、複数の第２の支持体１９は、ビア電極２１Ａに接続されていない第２の支持体１９を含んでいてもよい。

　第１の支持体１８は、第１部分１８ａと、第２部分１８ｂとを有する。第１部分１８ａ及び第２部分１８ｂのうち、第１部分１８ａが蓋部２５側に位置し、第２部分１８ｂが圧電性基板１２側に位置している。すなわち、第２部分１８ｂは、第１部分１８ａよりも、高さ方向において圧電層１４側に位置している。本実施形態においては、第２部分１８ｂは積層体である。より具体的には、第２部分１８ｂは第１の層１８ｄ及び第２の層１８ｅを有する。一方で、第１部分１８ａは単層の金属層である。

　第１の支持体１８において、第１部分１８ａと、第２部分１８ｂの第１の層１８ｄとは同じ金属からなる。第１部分１８ａ及び第１の層１８ｄは接合されている。これにより、第１部分１８ａ及び第１の層１８ｄによって、第１の一体部が構成されている。他方、第１の層１８ｄと第２の層１８ｅとは、互いに異なる金属からなる。

　第１の支持体１８と同様に、第２の支持体１９は、第１部分１９ａと、第２部分１９ｂとを有する。第１部分１９ａ及び第２部分１９ｂのうち、第１部分１９ａが蓋部２５側に位置し、第２部分１９ｂが圧電性基板１２側に位置している。本実施形態においては、第２部分１９ｂは積層体である。より具体的には、第２部分１９ｂは第１の層１９ｄ及び第２の層１９ｅを有する。一方で、第１部分１９ａは単層の金属層である。

　第２の支持体１９において、第１部分１９ａと、第２部分１９ｂの第１の層１９ｄとは同じ金属からなる。第１部分１９ａ及び第１の層１９ｄは接合されている。これにより、第１部分１９ａ及び第１の層１９ｄによって、第２の一体部が構成されている。他方、第１の層１９ｄと第２の層１９ｅとは、互いに異なる金属からなる。

　なお、第１の一体部においては、明確な接合界面は設けられていないが、各断面図においては、接合界面を便宜上記載している。第２の一体部も同様である。

　第１の一体部及び第２の一体部はそれぞれ、例えばＡｕなどからなる。第１の支持体１８及び第２の支持体１９のそれぞれの第２部分１８ｂの第２の層１８ｅ、及び第２部分１９ｂの第２の層１９ｅは、例えばＡｌなどからなる。本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波装置の電気的特性が劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。

　なお、第１の支持体１８において、第１部分１８ａと、第２部分１８ｂの第１の層１８ｄとは、同じ金属からなっていなくともよい。同様に、第２の支持体１９において、第１部分１９ａと、第２部分１９ｂの第１の層１９ｄとは、同じ金属からなっていなくともよい。第１の支持体１８及び第２の支持体１９のそれぞれの第２部分１８ｂ及び第２部分１９ｂは、積層体ではなくともよい。

　以下において、本実施形態における好ましい構成を示す。

　図１に示すように、配線電極２３が、圧電層１４上における、平面視において第１空洞部１０ａと重なっている部分、及び平面視において第１空洞部１０ａと重なっていない部分にわたり設けられていることが好ましい。それによって、圧電層１４が第２空洞部１０ｂ側から第１空洞部１０ａ側にたわむことを抑制できる。従って、圧電層１４の支持部材１３に対するスティッキングを効果的に抑制することができる。

　第１の支持体１８の第１部分１８ａ及び第２部分１８ｂは、互いに別種の金属を含んでいることが好ましい。同様に、第２の支持体１９の第１部分１９ａ及び第２部分１９ｂは、互いに別種の金属を含んでいることが好ましい。これらの場合には、圧電層１４に応力が集中し難い。よって、圧電層１４が第２空洞部１０ｂ側から第１空洞部１０ａ側にたわむことを抑制できる。従って、圧電層１４の支持部材１３に対するスティッキングをより一層抑制することができる。

　もっとも、第１の支持体１８の第１部分１８ａ及び第２部分１８ｂは、互いに別種の金属を含んでいなくても構わない。第２の支持体１９の第１部分１９ａ及び第２部分１９ｂは、互いに別種の金属を含んでいなくても構わない。これらの場合には、圧電層１４が第２空洞部１０ｂ側から第１空洞部１０ａ側にたわみ易くなるため、本発明が特に好適である。

　図２に示すように、平面視における第２空洞部１０ｂの面積が、平面視における第１空洞部１０ａの面積よりも大きいことが好ましい。それによって、弾性波の励振を阻害せずして、弾性波装置１０の脆弱性を低減させることができる。

　なお、平面視における第１空洞部１０ａの面積は、具体的には、平面視における第１空洞部１０ａの総面積をいう。複数の第１空洞部１０ａが設けられている場合には、平面視における複数の第１空洞部１０ａの面積の合計が、平面視における第１空洞部１０ａの面積である。

　他方、平面視における第２空洞部１０ｂの面積とは、第１の支持体１８に囲まれた部分の平面視における面積である。なお、本実施形態では、第１の支持体１８に囲まれた部分に、少なくとも１つの第２の支持体１９が設けられている。この場合には、平面視における第２空洞部１０ｂの面積は、第１の支持体１８に囲まれた部分の平面視における面積から、第２の支持体１９の平面視における面積を引いた面積である。以下においては、第１空洞部１０ａ及び第２空洞部１０ｂの平面視における面積を、単に面積と記載することがある。

　第２の支持体１９は、平面視において、第１空洞部１０ａと重ならないように配置されていることが好ましい。それによって、第２の支持体１９が設けられている箇所の脆弱性をより確実に低減させることができる。

　上記導電膜１７Ｂ及び配線電極２３は、同じ材料からなることが好ましい。導電膜１７Ｂに配線電極２３が接続されている場合、導電膜１７Ｂ及び配線電極２３が一体として設けられていることが好ましい。これにより、生産性を高めることができる。なお、導電膜１７Ｂは配線電極２３に接続されていなくともよい。

　ところで、図１に示すように、第１の実施形態においては、第１の支持体１８及び複数の第２の支持体１９は、圧電性基板１２における圧電層１４上に設けられている。もっとも、第１の支持体１８の少なくとも一部が、圧電性基板１２における、圧電層１４が設けられていない部分に設けられていてもよい。同様に、第２の支持体１９の少なくとも一部が、圧電性基板１２における、圧電層１４が設けられていない部分に設けられていてもよい。例えば、第１の支持体１８または第２の支持体１９の少なくとも一部が、中間層１５上または支持基板１６上に設けられていてもよい。

　以下において、第１の実施形態の第１～第４変形例を示す。第１～第４の変形例は、誘電体膜の配置、ＩＤＴ電極の配置、第２の支持体の配置または配線電極の配置のみにおいて、第１の実施形態と異なる。第１～第４の変形例においても、圧電層の支持部材に対するスティッキングを抑制することができる。加えて、弾性波の励振を阻害せずして、弾性波装置の脆弱性を低減させることができる。

　図３に示す第１の変形例においては、誘電体膜２４は圧電層１４の第２の主面１４ｂに設けられており、かつ第１の主面１４ａには設けられていない。誘電体膜２４は、第１空洞部１０ａ内に位置している。誘電体膜２４は、中間層１５と一体として設けられていてもよい。あるいは、誘電体膜２４及び中間層１５は別体として設けられていてもよい。

　図４に示す第２の変形例においては、誘電体膜２４は、圧電層１４の第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂの双方に設けられている。誘電体膜２４は、圧電層１４の第１の主面１４ａ及び第２の主面１４ｂのうち少なくとも一方における、平面視において第１空洞部１０ａと重なる部分に少なくとも一部が設けられていることが好ましい。この場合には、圧電層１４が第２空洞部１０ｂ側から第１空洞部１０ａ側にたわみ易くなるため、本発明が特に好適である。

　図５に示す第３の変形例においては、ＩＤＴ電極１１は、圧電層１４の第２の主面１４ｂに設けられている。誘電体膜２４は、ＩＤＴ電極１１を覆うように、第２の主面１４ｂに設けられている。

　図６に示す第４の変形例においては、少なくとも１対の第２の支持体１９がＩＤＴ電極１１を挟むように配置されている。この場合、圧電層１４が第２空洞部１０ｂ側から第１空洞部１０ａ側にたわみ易くなるため、本発明が特に好適である。加えて、ＩＤＴ電極１１において生じた熱を、少なくとも１対の第２の支持体１９を介して外部に放出することができる。よって、放熱性を高めることができる。

　図６に示すように、少なくとも１つの第２の支持体１９が、第１の支持体１８とＩＤＴ電極１１との間に設けられていることが好ましい。この場合、該第２の支持体１９は、複数のＩＤＴ電極１１に挟まれていない。よって、該第２の支持体１９を介して、１つのＩＤＴ電極１１において生じた熱を効率的に放熱することができる。この構成は、該ＩＤＴ電極１１が特に耐電力性を求められる場合などに好適である。

　第１の実施形態においては、蓋部本体２６は半導体を主成分とする。そして、蓋部２５及び第１の支持体１８は別体として構成されている。なお、蓋部本体２６は樹脂からなっていてもよい。例えば、図７に示す第１の実施形態の第５の変形例においては、第１の支持体１８Ａ及び蓋部本体２６Ａが樹脂からなり、かつ第１の支持体１８Ａと蓋部本体２６Ａとが一体として構成されている。

　言い換えれば、樹脂層に凹部が設けられることにより、第１の支持体１８Ａ及び蓋部本体２６Ａが構成されている。該凹部は、平面視において、ＩＤＴ電極１１と重なっている。該凹部は、圧電層１４により塞がれている。これにより、第２空洞部が設けられている。図７中の一点鎖線は、第１の支持体１８Ａ及び蓋部本体２６Ａの境界線である。

　なお、蓋部本体２６Ａ上には、第１の実施形態と同様に、絶縁体層２７Ａが設けられている。他方、本変形例では、上記絶縁体層２７Ｂは設けられていない。さらに、第２の支持体は設けられていない。もっとも、例えば、樹脂からなる少なくとも１つの第２の支持体が、第１の支持体１８Ａ及び蓋部本体２６Ａと一体として設けられていてもよい。あるいは、少なくとも１つの第２の支持体が、第１の実施形態と同様に設けられていてもよい。

　蓋部本体２６Ａ及び第１の支持体１８Ａを、ビア電極２１Ａが貫通している。そして、ビア電極２１Ａの一端が、導電膜１７Ｃに接続されている。導電膜１７Ｃは２層の金属層からなる。もっとも、導電膜１７Ｃは、第１の実施形態と同様に、単層の金属層からなっていてもよい。

　本変形例においても、第１空洞部１０ａの高さは第２空洞部の高さよりも高い。加えて、第２空洞部の面積は、第１空洞部１０ａの面積よりも大きい。従って、第１の実施形態と同様に、圧電層１４の支持部材１３に対するスティッキングを抑制することができる。加えて、弾性波の励振を阻害せずして、弾性波装置の脆弱性を低減させることができる。

　第１～第５の変形例の構成は、本発明の第１の実施形態以外の構成にも適用することができる。

　図８は、第２の実施形態に係る弾性波装置の、圧電性基板上の構成を示す模式的平面図である。

　本実施形態は、第２の支持体１９、ＩＤＴ電極１１及び第１空洞部１０ａの配置、並びに配線の引き回しにおいて第１の実施形態と異なる。本実施形態は、第２の支持体１９と形状が異なる第２の支持体３９が設けられている点においても第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。

　第２の支持体３９は壁状の形状を有する。より具体的には、第２の支持体３９は、平面視において、矩形状の形状を有する。なお、壁状の形状の第２の支持体３９は、平面視において、任意の一方向に延びる形状の部分を含んでいればよい。第２の支持体３９は、平面視において、曲線状の部分を含んでいてもよい。

　本実施形態では、柱状の形状の第２の支持体１９は、具体的には、円柱状である。もっとも、第２の支持体１９は角柱状などであってもよい。

　本発明における第２の支持体は、壁状の形状及び柱状の形状のうち一方の形状を有していてもよい。第１の実施形態では、第２の支持体として、柱状の形状の第２の支持体１９のみが設けられていた。本実施形態では、第２の支持体として、壁状の形状の第２の支持体３９及び柱状の形状の第２の支持体１９の双方が設けられている。一方で、第２の支持体として、壁状の形状の第２の支持体３９のみが設けられていてもよい。

　壁状の形状の第２の支持体３９が設けられている場合には、蓋部をより確実に支持することができる。よって、例えば、蓋部が樹脂からなる場合に、第２の支持体３９が設けられた構成が好適である。

　本実施形態においても、第１空洞部１０ａの高さは第２空洞部１０ｂの高さよりも高い。加えて、第２空洞部１０ｂの面積は、第１空洞部１０ａの面積よりも大きい。従って、第１の実施形態と同様に、圧電層１４の支持部材１３に対するスティッキングを抑制することができる。加えて、弾性波の励振を阻害せずして、弾性波装置の脆弱性を低減させることができる。

　本実施形態では、第２の支持体３９は、複数の金属層の積層体からなる。もっとも、第２の支持体３９は樹脂からなっていてもよい。この例を、以下の第２の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例により示す。第１の変形例及び第２の変形例においても、第２の実施形態と同様に、圧電層１４の支持部材１３に対するスティッキングを抑制することができる。加えて、弾性波の励振を阻害せずして、弾性波装置の脆弱性を低減させることができる。

　図９に示す第１の変形例においては、樹脂からなる第２の支持体３９Ａが、２本の配線電極２３上にわたり設けられている。より具体的には、一方の配線電極２３上から圧電層１４上を経て、他方の配線電極２３上に、第２の支持体３９Ａが設けられている。２本の配線電極２３は互いに異なる電位に接続される。この場合においても、第２の支持体３９Ａが樹脂からなるため、弾性波装置の電気的特性に影響を与え難い。加えて、第２の支持体３９Ａを設ける部分として、配線電極２３上の部分を用いることができるため、弾性波装置の小型化を容易に進めることができる。

　図１０に示す第２の変形例においては、３つの第２の支持体３９Ａが設けられている。１つの第２の支持体３９Ａは第１の変形例と同様に設けられている。他の２つの第２の支持体３９Ａはそれぞれ、同じ配線電極２３上及び圧電層１４上にわたり設けられている。

　本変形例では、平面視において、同じ配線電極２３上に設けられた２つの第２の支持体３９Ａの間に、第３空洞部３０ｃが設けられている。第３空洞部３０ｃは、第１空洞部１０ａと同様に、支持部材１３に設けられている。第３空洞部３０ｃは第１空洞部１０ａとは接続されていない。第３空洞部３０ｃは独立して設けられている。

　平面視において、第３空洞部３０ｃは、ＩＤＴ電極１１と重なっていない。平面視において、第３空洞部３０ｃは、配線電極２３と重なっている。これにより、配線電極２３の寄生容量を小さくし易い。

　他方、平面視において、第３空洞部３０ｃは、第２の支持体３９Ａとは重なっていない。それによって、第３空洞部３０ｃが設けられている部分においても、脆弱性をより確実に低減させることができる。

　図１１は、第３の実施形態における第１の支持体付近を示す模式的断面図である。

　本実施形態は、第１の支持体４８の構成が第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態は第１の実施形態と同様の構成を有する。よって、本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、第１空洞部の高さが第２空洞部の高さよりも高い。従って、圧電層の支持部材に対するスティッキングを抑制することができる。

　第１の支持体４８においては、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂの双方が積層体である。具体的には、第１部分４８ａは第１の層４８ｇ、第２の層４８ｈ及び第３の層４８ｉを有する。第２部分４８ｂは、第１の層４８ｄ、第２の層４８ｅ及び第３の層４８ｆを有する。もっとも、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂの層数は２層であってもよく、３層以上であってもよい。

　第１部分４８ａにおいては、第１の層４８ｇ、第２の層４８ｈ及び第３の層４８ｉの順序で積層されている。第１の層４８ｇが、第１部分４８ａにおける第２部分４８ｂに最も近い部分である。同様に、第２部分４８ｂにおいては、第１の層４８ｄ、第２の層４８ｅ及び第３の層４８ｆの順序で積層されている。第１の層４８ｄが、第２部分４８ｂにおける第１部分４８ａに最も近い部分である。第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂのそれぞれの第１の層４８ｇ及び第１の層４８ｄにより、第１の一体部が構成されている。

　なお、第１の実施形態と同様に、第１の支持体４８は枠状の形状を有する。本実施形態では、第１部分４８ａの第１の層４８ｇ、及び第２部分４８ｂの第１の層４８ｄの幅が互いに異なる。これにより、平面視において、第１部分４８ａの第１の層４８ｇの面積、及び第２部分４８ｂの第１の層４８ｄの面積が互いに異なる。なお、第１の支持体４８の各部分の幅とは、以下の通りである。すなわち、該幅は、圧電性基板１２、第１の支持体４８及び蓋部２５が積層されている方向、及び第１の支持体４８が圧電性基板１２上において延びている方向の双方と直交する方向に沿う、第１の支持体４８の各部分の寸法である。

　第１の支持体４８が上記構成を有することにより、第１の支持体４８の強度をより確実に高めることができる。より詳細には、弾性波装置の製造に際し、例えば、第１の支持体４８の第１部分４８ａが蓋部２５上に形成される。他方、第１の支持体４８の第２部分４８ｂが圧電性基板１２上に形成される。その後、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂが接合される。

　第１の支持体４８の第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂを接合する際には、実際には、位置ずれが生じることもある。これに対して、本実施形態では、平面視において、第１部分４８ａの面積及び第２部分４８ｂの面積が互いに異なる。具体的には、平面視において、第１部分４８ａの第１の層４８ｇの面積、及び第２部分４８ｂの第１の層４８ｄの面積が互いに異なる。それによって、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂの接合面積を一定にし易い。

　より具体的には、第１部分４８ａの第１の層４８ｇ、及び第２部分４８ｂの第１の層４８ｄのうち、幅が広い層における外周縁の内側に、他方の層が位置していれば、位置ずれが生じたとしても、接合面積を一定にすることができる。従って、第１の支持体４８の強度をより確実に高めることができる。なお、本明細書に記載された各実施形態における第１の支持体及び第２の支持体を含む支持体においては、隣接する層のうち、平面視における面積が大きい層の外周縁の内側に、面積が小さい層が位置している。

　以下においては、第１の支持体４８の各部分の平面視における面積を、単に面積と記載する。第２部分４８ｂでは、第１の層４８ｄの面積よりも、第１の層４８ｄ以外の全ての層の面積が大きい。そのため、第１の層４８ｄの面積よりも第２の層４８ｅの面積が大きい。それによって、第１の層４８ｄの全ての部分を、第２の層４８ｅ上に容易に形成することができる。これにより、第１の層４８ｄの平面精度を高めることができる。よって、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂの接合強度をより確実に高めることができ、かつ気密封止をより確実に行うことができる。しかも、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂの間に、Ｓｎなどからなる接合剤を設けずとも、気密封止をより確実に行うことができる。従って、生産性を効果的に高めることができる。

　同様に、第１部分４８ａにおいても、第１の層４８ｇの面積よりも、第１の層４８ｇ以外の全ての層の面積が大きい。よって、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂの接合強度をより一層確実に高めることができ、かつ気密封止をより一層確実に行うことができる。

　図１１に示すように、第１の一体部を構成している層から遠い層ほど、面積が大きいことが好ましい。より具体的には、第１部分４８ａの第３の層４８ｉの面積が第２の層４８ｈの面積よりも大きく、第２の層４８ｈの面積が第１の層４８ｇの面積よりも大きいことが好ましい。第２部分４８ｂの第３の層４８ｆの面積が第２の層４８ｅの面積よりも大きく、第２の層４８ｅの面積が第１の層４８ｄの面積よりも大きいことが好ましい。これにより、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂのそれぞれの、第１の層４８ｇ及び第１の層４８ｄの平面精度をより確実に高めることができる。よって、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂの接合面積のばらつきをより確実に、効果的に小さくすることができる。

　第１の一体部はＡｕからなることが好ましい。この場合には、電気抵抗を小さくすることができる。

　第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂのうち一方が積層体であってもよい。この場合には、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂのうち、第１の接合部を構成している部分の面積が小さい方が積層体であることが好ましい。それによって、第１部分４８ａ及び第２部分４８ｂの接合面積を小さくすることができ、弾性波装置を容易に小型にすることができる。

　ところで、第２部分４８ｂにおいて、第１の層４８ｄの面積よりも、第１の層４８ｄ以外の少なくとも１層の面積が大きくてもよい。第１部分４８ａにおいても同様である。図１２に示す第３の実施形態の変形例においては、第２部分４８ｘの各層の面積は、第３の層４８ｆ、第１の層４８ｊ及び第２の層４８ｅの順序において大きい。第１の層４８ｊは、第２の層４８ｅを覆うように、第３の層４８ｆ上に設けられている。この場合においても、第１の層４８ｊを第３の層４８ｆ上に容易に形成することができ、かつ第１の層４８ｊにおける第２の層４８ｅ上に位置している部分において、平面精度を高めることができる。加えて、本変形例においても、第３の実施形態と同様に、圧電層の支持部材に対するスティッキングを抑制することができる。

　本発明においては、第１の支持体４８のような枠状の支持体は、少なくとも１つ設けられていればよい。第３の実施形態においては、圧電性基板１２及び蓋部２５の間に設けられた第１の支持体４８の構成を示した。なお、少なくとも１つの枠状の支持体は、支持基板及び圧電層の間に設けられた支持体を含んでいてもよい。以下において、支持基板及び圧電層の間に設けられた枠状の支持体を第３の支持体とする。第３の支持体が第１の支持体４８と同様に構成された例を、第４の実施形態により示す。

　図１３は、第４の実施形態における、第１の支持体及び第３の支持体付近を示す模式的断面図である。

　本実施形態は、支持部材５３が中間層を有さず、第３の支持体５８を有する点において、第３の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第３の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。

　第３の支持体５８は、支持基板１６上に設けられている。第３の支持体５８上に圧電層１４が設けられている。第３の支持体５８は枠状の形状を有する。本実施形態では、第１空洞部５０ａは、圧電層１４、第３の支持体５８及び支持基板１６により囲まれた空洞部である。第３の支持体５８の高さは、第１の支持体４８の高さよりも高い。よって、本実施形態においても、第１空洞部５０ａの高さは第２空洞部１０ｂの高さよりも高い。従って、圧電層１４の支持部材５３に対するスティッキングを抑制することができる。

　なお、支持部材５３は、少なくとも１つの第４の支持体を有していても構わない。この場合、第４の支持体は、例えば、平面視において上記第２の支持体と重なるように配置されている。第４の支持体は、支持基板１６上に設けられている。第４の支持体上に圧電層が設けられている。

　第３の支持体５８は、サイズ以外においては、第１の支持体４８と同様に構成されている。具体的には、第３の支持体５８は、第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂを有する。第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂのうち、第１部分５８ａが支持基板１６側に位置し、第２部分５８ｂが圧電層１４側に位置している。すなわち、第２部分５８ｂは、高さ方向において、第１部分５８ａよりも圧電層１４側に位置している。

　第３の支持体５８においては、第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂの双方が積層体である。具体的には、第１部分５８ａは第１の層５８ｇ、第２の層５８ｈ及び第３の層５８ｉを有する。第２部分５８ｂは、第１の層５８ｄ、第２の層５８ｅ及び第３の層５８ｆを有する。もっとも、第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂの層数は２層であってもよく、３層以上であってもよい。

　第１部分５８ａにおいては、第１の層５８ｇ、第２の層５８ｈ及び第３の層５８ｉの順序で積層されている。第１の層５８ｇが、第１部分５８ａにおける第２部分５８ｂに最も近い部分である。同様に、第２部分５８ｂにおいては、第１の層５８ｄ、第２の層５８ｅ及び第３の層５８ｆの順序で積層されている。第１の層５８ｄが、第２部分５８ｂにおける第１部分５８ａに最も近い部分である。第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂのそれぞれの第１の層５８ｇ及び第１の層５８ｄは、同じ材料からなる。第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂのそれぞれの第１の層５８ｇ及び第１の層５８ｄにより、第１の一体部が構成されている。

　以下においては、第３の支持体５８の各部分の平面視における面積を、単に面積と記載する。第２部分５８ｂでは、第１の層５８ｄの面積よりも、第１の層５８ｄ以外の全ての層の面積が大きい。もっとも、第１の層５８ｄの面積よりも、第１の層５８ｄ以外の少なくとも１層の面積が大きくてもよい。それによって、第１の層５８ｄの平面精度を高めることができる。よって、第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂの接合強度をより確実に高めることができ、かつ気密封止をより確実に行うことができる。

　同様に、第１部分５８ａにおいても、第１の層５８ｇの面積よりも、第１の層５８ｇ以外の全ての層の面積が大きい。もっとも、第１の層５８ｇの面積よりも、第１の層５８ｇ以外の少なくとも１層の面積が大きくてもよい。それによって、第１の層５８ｇの平面精度を高めることができる。

　第１の一体部を構成している層から遠い層ほど、面積が大きいことが好ましい。より具体的には、第１部分５８ａの第３の層５８ｉ面積が第２の層５８ｈの面積よりも大きく、第２の層５８ｈの面積が第１の層５８ｇの面積よりも大きいことが好ましい。第２部分５８ｂの第３の層５８ｆの面積が第２の層５８ｅの面積よりも大きく、第２の層５８ｅの面積が第１の層５８ｄの面積よりも大きいことが好ましい。これにより、第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂのそれぞれの、第１の層５８ｇ及び第１の層５８ｄの平面精度をより確実に高めることができる。よって、第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂの接合面積のばらつきをより確実に、効果的に小さくすることができる。

　第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂのうち一方が積層体であってもよい。この場合には、第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂのうち、接合部を構成している部分の面積が小さい方が積層体であることが好ましい。それによって、第１部分５８ａ及び第２部分５８ｂの接合面積を小さくすることができ、弾性波装置を容易に小型にすることができる。

　第３の支持体５８のサイズ及び配置を調整することによって、第１空洞部５０ａの面積を第２空洞部１０ｂの面積よりも小さくしてもよい。なお、第１空洞部５０ａの面積は、上記第４の支持体が設けられている場合には、第３の支持体５８に囲まれた部分の平面視における面積から、第４の支持体の平面視における面積を引いた面積である。例えば、第４の支持体を壁状の形状とすることにより、第１空洞部５０ａの面積を小さくしてもよい。それによって、弾性波の励振を妨げずして、弾性波装置の脆弱性を低減させることができる。

　もっとも、第３の支持体５８の高さが第１の支持体４８の高さよりも高ければよい。第１の支持体４８及び第３の支持体５８の双方が設けられている構成において、第１空洞部５０ａ及び第２空洞部１０ｂの面積が同じであっても構わない。例えば、第３の支持体５８における少なくとも１層の厚みが、第１の支持体４８における少なくとも１層の厚みよりも厚いことにより、第３の支持体５８の高さが第１の支持体４８の高さよりも高くなっていてもよい。あるいは、第３の支持体５８の層数が第１の支持体４８の層数よりも多いことにより、第３の支持体５８の高さが第１の支持体４８の高さよりも高くなっていてもよい。

　なお、支持基板１６及び第３の支持体５８の間、または圧電層１４及び第３の支持体５８の間に、誘電体などからなる中間層が設けられていてもよい。このように、支持部材５３は、中間層を含んでいてもよい。

　図１４は、第５の実施形態に係る弾性波装置の、図１に相当する部分を示す略図的断面図である。

　本実施形態は、第２の支持体６９の構成において第１の実施形態と異なる。本実施形態は、図１４に示す第２の支持体６９がビア電極に接続されていない点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。

　第１の実施形態と同様に、第１の支持体１８において、第１部分１８ａ、及び第２部分１８ｂの第１の層１８ｄによって第１の一体部が構成されている。第２の支持体６９において、第１部分１９ａ、及び第２部分１９ｂの第１の層１９ｄによって第２の一体部が構成されている。

　本実施形態では、１つの第２の支持体６９における、第２の一体部の上記第１の層１９ｄの部分の幅が、第１の支持体１８の第１の一体部の最も狭い部分の幅よりも狭い。このように、少なくとも１つの第２の支持体６９における第２の一体部の少なくとも一部の幅が、第１の一体部の幅よりも狭ければよい。それによって、弾性波装置を容易に小型にすることができる。なお、第２の支持体６９の各部分の幅とは、圧電性基板１２、第２の支持体６９及び蓋部２５が積層されている方向と直交する方向に沿う、第２の支持体６９の各部分の寸法である。

　第２の一体部における、第１の一体部の幅よりも狭い部分の幅が、１μｍ以上であることが好ましい。それによって、第２の支持体６９の電気抵抗を低くすることができ、第２の支持体６９を配線として用いることができる。第２の一体部における、第１の一体部の幅よりも狭い部分の幅が、１６μｍ未満であることが好ましい。それによって、弾性波装置をより確実に小型にすることができる。

　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１空洞部１０ａの高さが第２空洞部１０ｂの高さよりも高い。従って、圧電層１４の支持部材１３に対するスティッキングを抑制することができる。

　第１～第５の実施形態または各変形例における各弾性波共振子は、例えば、厚み滑り１次モードなどの厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。なお、各弾性波共振子は、板波を利用可能に構成されていてもよく、あるいは、厚み滑りモードのバルク波以外のバルク波を利用可能に構成されていてもよい。以下において、弾性波共振子がＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）素子である場合の例を示す。

　図１５は、第６の実施形態に係る弾性波装置の、図１に示す部分に相当する部分を示す略図的断面図である。

　本実施形態は、機能電極が上部電極７１Ａ及び下部電極７１Ｂを有する点において第１の実施形態と異なる。本実施形態は、上記誘電体膜２４が設けられていない点においても第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置７０は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。

　上部電極７１Ａは圧電層１４の第１の主面１４ａに設けられている。下部電極７１Ｂは圧電層１４の第２の主面１４ｂに設けられている。上部電極７１Ａ及び下部電極７１Ｂは、圧電層１４を挟み互いに対向している。上部電極７１Ａ及び下部電極７１Ｂは互いに異なる電位に接続される。上部電極７１Ａ及び下部電極７１Ｂが互いに対向している領域が、励振領域である。上部電極７１Ａ及び下部電極７１Ｂ間に交流電界を印加することにより、励振領域において弾性波が励振される。

　本実施形態では、導電膜１７Ｂ、配線電極２３及び上部電極７１Ａは一体として設けられている。もっとも、導電膜１７Ｂ、配線電極２３及び上部電極７１Ａは、それぞれ別体として設けられていても構わない。

　励振電極としての上部電極７１Ａまたは下部電極７１Ｂを覆うように、図１に示した誘電体膜２４が設けられていてもよい。この場合には、上部電極７１Ａまたは下部電極７１Ｂが破損し難い。

　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１空洞部１０ａの高さが第２空洞部１０ｂの高さよりも高い。それによって、圧電層１４が第２空洞部１０ｂ側から第１空洞部１０ａ側に凸状に変形した際においても、圧電層１４の支持部材１３に対するスティッキングを抑制することができる。

　以下において、厚み滑りモード及び板波の詳細を説明する。なお、上記ＩＤＴ電極１１は、後述するＩＤＴ電極の構成を有する。ＩＤＴ電極における「電極」は、本発明における電極指に相当する。以下の例における支持部材は、本発明における支持基板に相当する。

　図１６（ａ）は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１６（ｂ）は、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図１７は、図１６（ａ）中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。

　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ_３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３のカット角は、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、４０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）では、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交叉する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交叉する方向において対向しているともいえる。また、電極３，４の長さ方向が図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）において、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）において電極３，４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。

　また、弾性波装置１では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°の範囲内）でもよい。

　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図１７に示すように、貫通孔７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。

　絶縁層７は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。支持部材８を構成するＳｉは、抵抗率４ｋΩｃｍ以上の高抵抗であることが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。

　支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。

　上記複数の電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。

　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。

　弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側の反射器における電極指の本数を少なくしても、伝搬ロスが少ないためである。また、上記電極指の本数を少なくできるのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して説明する。

　図１８（ａ）は、日本公開特許公報　特開２０１２－２５７０１９号公報に記載のような弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。ここでは、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図１８（ａ）に示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。

　これに対して、図１８（ｂ）に示すように、弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器の電極指の本数を少なくしても、伝搬損失は生じ難い。さらに、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。

　なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図１９に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図１９では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。

　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要はない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。

　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。本実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。

　図２０は、図１７に示す弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。

　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ_３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に見たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。

　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。

　本実施形態では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。

　図２０から明らかなように、反射器を有しないにも関わらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。

　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、本実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図２１を参照して説明する。

　図２０に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図２１は、このｄ／ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。

　図２１から明らかなように、ｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。

　図２２は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の平面図である。弾性波装置８０では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図２２中のＫが交叉幅となる。前述したように、本発明の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。

　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に見たときに重なっている領域である励振領域Ｃに対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図２３及び図２４を参照して説明する。図２３は、上記弾性波装置１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。

　メタライゼーション比ＭＲを、図１６（ｂ）を参照して説明する。図１６（ｂ）の電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線で囲まれた部分が励振領域Ｃとなる。この励振領域Ｃとは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に見たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域Ｃの面積に対する比である。

　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。

　図２４は本実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図２４は、ＺカットのＬｉＮｂＯ_３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。

　図２４中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図２４から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図２３に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。

　図２５は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図２５の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図２５中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。

　図２６は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図２６のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。

　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）

　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。圧電層２がタンタル酸リチウム層である場合も同様である。

　図２７は、ラム波を利用する弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。

　弾性波装置８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図２７において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１，第２のバスバー８４ａ，８４ｂと、複数本の第１の電極指８４ｃ及び複数本の第２の電極指８４ｄとを有する。複数本の第１の電極指８４ｃは、第１のバスバー８４ａに接続されている。複数本の第２の電極指８４ｄは、第２のバスバー８４ｂに接続されている。複数本の第１の電極指８４ｃと、複数本の第２の電極指８４ｄとは間挿し合っている。

　弾性波装置８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器８５，８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。

　このように、本発明の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。この場合、上記第１～第５の実施形態または各変形例における圧電層上に、図２７に示すＩＤＴ電極８４、反射器８５及び反射器８６が設けられていればよい。

　厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波共振子を有する第１～第５の実施形態または各変形例の弾性波装置においては、上記のように、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましく、０．２４以下であることがより好ましい。それによって、より一層良好な共振特性を得ることができる。さらに、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波共振子を有する第１～第５の実施形態または各変形例の弾性波装置においては、上記のように、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。この場合には、スプリアスをより確実に抑制することができる。

　厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波共振子を有する第１～第５の実施形態または各変形例の弾性波装置における圧電層は、ニオブ酸リチウム層またはタンタル酸リチウム層であることが好ましい。そして、該圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、上記の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にあることが好ましい。この場合、比帯域を十分に広くすることができる。

１…弾性波装置
２…圧電層
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３，４…電極
５，６…第１，第２のバスバー
７…絶縁層
７ａ…貫通孔
８…支持部材
８ａ…貫通孔
９…空洞部
１０…弾性波装置
１０ａ，１０ｂ…第１，第２空洞部
１１…ＩＤＴ電極
１２…圧電性基板
１３…支持部材
１４…圧電層
１４ａ，１４ｂ…第１，第２の主面
１５…中間層
１６…支持基板
１７Ａ…電極層
１７Ｂ，１７Ｃ…導電膜
１８，１８Ａ…第１の支持体
１８ａ，１８ｂ…第１，第２部分
１８ｃ…開口部
１８ｄ，１８ｅ…第１，第２の層
１９…第２の支持体
１９ａ，１９ｂ…第１，第２部分
１９ｄ，１９ｅ…第１，第２の層
２０…貫通孔
２１Ａ…ビア電極
２１Ｂ…電極パッド
２２…バンプ
２３…配線電極
２４…誘電体膜
２５…蓋部
２６，２６Ａ…蓋部本体
２６ａ，２６ｂ…第１，第２の主面
２７Ａ，２７Ｂ…絶縁体層
３０ｃ…第３空洞部
３９，３９Ａ…第２の支持体
４８…第１の支持体
４８ａ，４８ｂ…第１，第２部分
４８ｄ～４８ｆ，４８ｇ～４８ｉ…第１～第３の層
４８ｊ…第１の層
４８ｘ…第２部分
５０ａ…第１空洞部
５３…支持部材
５８…第３の支持体
５８ａ，５８ｂ…第１，第２部分
５８ｄ～５８ｆ，５８ｇ～５８ｉ…第１～第３の層
６９…第２の支持体
７０…弾性波装置
７１Ａ…上部電極
７１Ｂ…下部電極
８０，８１…弾性波装置
８２…支持基板
８３…圧電層
８４…ＩＤＴ電極
８４ａ，８４ｂ…第１，第２のバスバー
８４ｃ，８４ｄ…第１，第２の電極指
８５，８６…反射器
２０１…圧電膜
２０１ａ，２０１ｂ…第１，第２の主面
４５１，４５２…第１，第２領域
Ｃ…励振領域
ＶＰ１…仮想平面

Claims

　支持基板を含む支持部材と、前記支持部材上に設けられている圧電層と、を含む圧電性基板と、
　前記圧電層上に設けられている機能電極と、
　少なくとも１つの支持体と、
　蓋部と、
を備え、
　前記少なくとも１つの支持体のうち１つの支持体が、前記圧電性基板上に前記機能電極を囲むように設けられており、該支持体上に蓋部が設けられており、
　前記支持部材に、第１空洞部が設けられており、前記第１空洞部が、平面視において、前記機能電極の少なくとも一部と重なっており、
　前記圧電性基板と、前記圧電性基板及び前記蓋部の間に設けられた前記支持体と、前記蓋部とにより囲まれた第２空洞部が設けられており、
　前記圧電性基板と、前記圧電性基板及び前記蓋部の間に設けられた前記支持体と、前記蓋部とが積層されている方向を高さ方向とし、前記高さ方向に沿う寸法を高さとしたときに、前記第１空洞部の高さが前記第２空洞部の高さよりも高い、弾性波装置。
　前記圧電層上に設けられている配線電極をさらに備え、
　前記配線電極の少なくとも一部が、平面視において前記第１空洞部と重なっている、請求項１に記載の弾性波装置。
　前記配線電極が、前記圧電層上における、平面視において前記第１空洞部と重なっている部分、及び平面視において前記第１空洞部と重なっていない部分にわたり設けられている、請求項２に記載の弾性波装置。
　前記圧電層が対向し合う第１の主面及び第２の主面を有し、
　前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方における、平面視において前記第１空洞部と重なる部分に少なくとも一部が設けられている、誘電体膜をさらに備える、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち、前記第２の主面が前記支持部材側に位置し、前記誘電体膜が前記第２の主面に設けられている、請求項４に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体と前記蓋部とが別体として構成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記蓋部が半導体を主成分とする蓋部本体を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体及び前記蓋部が樹脂からなり、前記支持体と前記蓋部とが一体として構成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記支持体が、第１部分と、前記第１部分よりも前記高さ方向において前記圧電層側に設けられている第２部分と、を有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記第１部分及び前記第２部分が別種の金属を含む、請求項９に記載の弾性波装置。
　前記支持体において、前記第１部分における最も前記第２部分側に位置している部分と、前記第２部分における最も前記第１部分側に位置している部分とが同じ材料からなり、
　前記第１部分における最も前記第２部分側に位置している部分と、前記第２部分における最も前記第１部分側に位置している部分とが一体となっている、一体部が構成されており、
　平面視において、前記第１部分における最も前記第２部分側に位置している部分の面積と、前記第２部分における最も前記第１部分側に位置している部分の面積とが異なる、請求項９または１０に記載の弾性波装置。
　前記第１部分及び前記第２部分のうち少なくとも一方が積層体であり、
　平面視において、前記積層体における前記一体部を構成している層の面積よりも、前記積層体における該層以外の少なくとも１層の面積が大きい、請求項１１に記載の弾性波装置。
　前記積層体において、前記一体部を構成している層の面積よりも、前記積層体における該層以外の全ての層の面積が大きい、請求項１２に記載の弾性波装置。
　前記積層体において、前記一体部を構成している層から遠い層ほど、平面視における面積が大きい、請求項１３に記載の弾性波装置。
　前記第１の支持体の前記積層体の層数が少なくとも３層である、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記第１部分及び前記第２部分のうち、前記一体部を構成している部分の平面視における面積が小さい方が、前記積層体である、請求項１２～１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記第１部分及び前記第２部分の双方が前記積層体である、請求項１２～１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記一体部がＡｕからなる、請求項１１～１７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体が第１の支持体であり、
　前記圧電性基板上に設けられており、かつ前記第２空洞部内に配置されている少なくとも１つの第２の支持体をさらに備え、
　前記第１の支持体及び前記第２の支持体がそれぞれ、前記蓋部側に設けられている第１部分と、前記圧電性基板側に設けられている第２部分と、を有し、
　前記第１の支持体の前記第１部分における最も前記第２部分側に位置している部分と、前記第２部分における最も前記第１部分側に位置している部分とが一体となっている、第１の一体部が構成されており、
　前記第２の支持体の前記第１部分における最も前記第２部分側に位置している部分と、前記第２部分における最も前記第１部分側に位置している部分とが一体となっている、第２の一体部が構成されており、
　前記圧電性基板、前記第１の支持体及び前記蓋部が積層されている方向、及び前記第１の支持体が前記圧電性基板上において延びている方向の双方と直交する方向に沿う、前記第１の支持体の各部分の寸法を前記第１の支持体の各部分の幅とし、前記圧電性基板、前記第２の支持体及び前記蓋部が積層されている方向と直交する方向に沿う、前記第２の支持体の各部分の寸法を前記第２の支持体の各部分の幅としたときに、少なくとも１つの前記第２の支持体における前記第２の一体部の少なくとも一部の幅が、前記第１の一体部の幅よりも狭い、請求項９～１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記第２の支持体が、前記機能電極と電気的に接続されている、請求項１９に記載の弾性波装置。
　前記第２の一体部の幅が、１μｍ以上、１６μｍ未満である、請求項１９または２０に記載の弾性波装置。
　平面視における前記第２空洞部の面積が、平面視における前記第１空洞部の面積よりも大きい、請求項１～２１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体が第１の支持体であり、
　前記圧電性基板上に設けられており、かつ前記第２空洞部内に配置されている少なくとも１つの第２の支持体をさらに備え、
　平面視において、前記第２の支持体が前記第１空洞部と重なっておらず、
　平面視における前記第２空洞部の面積が、前記第１の支持体に囲まれた部分の面積から、前記第２の支持体の面積を引いた面積である、請求項２２に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体が第１の支持体であり、
　前記圧電性基板上に設けられており、かつ前記第２空洞部内に配置されている少なくとも１つの第２の支持体をさらに備え、
　少なくとも１つの前記第２の支持体が、前記第１の支持体と前記機能電極との間に設けられている、請求項１～２３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体が第１の支持体であり、
　前記圧電性基板上に設けられており、かつ前記第２空洞部内に配置されている複数の第２の支持体をさらに備え、
　前記複数の第２の支持体が、前記機能電極を挟むように設けられている少なくとも１対の第２の支持体を含む、請求項１～２４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体が第１の支持体であり、
　前記圧電性基板上に設けられており、かつ前記第２空洞部内に配置されている少なくとも１つの第２の支持体をさらに備え、
　前記第２の支持体が、前記蓋部側に設けられている第１部分と、前記圧電性基板側に設けられている第２部分と、を有し、前記第１部分及び前記第２部分が別種の金属を含む、請求項１～２５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体が第１の支持体であり、
　前記圧電性基板上に設けられており、かつ前記第２空洞部内に配置されている少なくとも１つの第２の支持体をさらに備え、
　前記第２の支持体が、壁状の形状及び柱状の形状のうち一方の形状を有する、請求項１～２６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板上に設けられている配線電極をさらに備え、
　前記支持部材に、前記第１空洞部と接続されていない第３空洞部が設けられており、前記第３空洞部が、平面視において、前記配線電極と重なっており、かつ前記第２の支持体及び前記機能電極と重なっていない、請求項２７に記載の弾性波装置。
　前記少なくとも１つの支持体が、前記圧電性基板及び前記蓋部側の間に設けられた前記支持体のみである、請求項１～２８に記載の弾性波装置。
　前記少なくとも１つの支持体が、前記支持基板及び前記圧電層の間に設けられた支持体をさらに含む、請求項１～２７に記載の弾性波装置。
　前記支持部材が、前記支持基板及び前記圧電層の間に設けられている中間層を含む、請求項１～３０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記支持部材が、前記支持基板及び前記圧電層の間に設けられている中間層を含み、
　前記第１空洞部の少なくとも一部が前記中間層に設けられている、請求項１～２９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電層が、タンタル酸リチウム層またはニオブ酸リチウム層である、請求項１～３２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記機能電極が、対向する第１，第２のバスバーと、前記第１のバスバーに接続された第１の電極指と、前記第２のバスバーに接続された第２の電極指と、を有する、請求項１～３３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記機能電極は、前記第１の電極指と、前記第２の電極指とをそれぞれ複数本有するＩＤＴ電極である、請求項３４に記載の弾性波装置。
　板波を利用可能に構成されている、請求項３５に記載の弾性波装置。
　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項３４または３５に記載の弾性波装置。
　前記圧電層の厚みをｄ、隣り合う前記第１，第２の電極指同士の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項３４または３５に記載の弾性波装置。
　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項３８に記載の弾性波装置。
　隣り合う前記第１，第２の電極指同士が対向する方向から見たときに、隣り合う前記第１，第２の電極指同士が重なり合う領域が励振領域であり、前記励振領域に対する、前記複数の電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項３８または３９に記載の弾性波装置。
　前記圧電層が、タンタル酸リチウム層またはニオブ酸リチウム層であり、
　前記圧電層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項３７～４０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）^２／９００）^１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）^２／８１００）^１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　前記圧電層が、対向し合う第１の主面及び第２の主面を有し、
　前記機能電極が、前記圧電層の前記第１の主面に設けられている上部電極と、前記第２の主面に設けられている下部電極と、を有し、前記上部電極及び前記下部電極が、前記圧電層を挟み互いに対向している、請求項１～３３のいずれか１項に記載の弾性波装置。