WO2023210764A1 - 弾性波素子および弾性波装置 - Google Patents

弾性波素子および弾性波装置 Download PDF

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WO2023210764A1
WO2023210764A1 PCT/JP2023/016709 JP2023016709W WO2023210764A1 WO 2023210764 A1 WO2023210764 A1 WO 2023210764A1 JP 2023016709 W JP2023016709 W JP 2023016709W WO 2023210764 A1 WO2023210764 A1 WO 2023210764A1
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WO
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electrode
layer
acoustic wave
piezoelectric layer
electrodes
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Application number
PCT/JP2023/016709
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English (en)
French (fr)
Inventor
克也 大門
優太 石井
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave element and an elastic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave device that uses plate waves.
  • the elastic wave device described in Patent Document 1 includes a support, a piezoelectric substrate, and an IDT electrode.
  • the support body is provided with a cavity.
  • the piezoelectric substrate is provided on the support body so as to overlap with the cavity.
  • the IDT electrode is provided on the piezoelectric substrate so as to overlap with the cavity.
  • a plate wave is excited by an IDT electrode.
  • the present disclosure aims to improve heat dissipation in an acoustic wave element and an acoustic wave device.
  • An acoustic wave element includes: a support member; a piezoelectric layer provided on the support member; and an electrode pattern provided on the piezoelectric layer,
  • the electrode pattern includes a functional electrode and a wiring electrode,
  • the supporting member is provided with an energy trapping layer at a position overlapping with the functional electrode in the stacking direction of the supporting member and the piezoelectric layer,
  • the electrode pattern penetrates the piezoelectric layer and is drawn out onto the support member.
  • Plan view showing the electrode structure on the piezoelectric layer A cross-sectional view of the portion along line AA in Figure 1A
  • a schematic front sectional view for explaining waves of the elastic wave device of the present disclosure A schematic diagram showing a bulk wave when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode such that the second electrode has a higher potential than the first electrode.
  • a diagram showing resonance characteristics of an elastic wave device according to a first embodiment of the present disclosure A diagram showing the relationship between d/2p and the fractional band as a resonator of an elastic wave device A plan view of another elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure Reference diagram showing an example of resonance characteristics of an elastic wave device A diagram showing the relationship between the fractional band when a large number of elastic wave resonators are configured and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious.
  • a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band A diagram showing a map of the fractional band with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO3 when d/p is brought as close to 0 as possible
  • a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device according to a first embodiment of the present disclosure A schematic plan view showing an elastic wave device according to a second embodiment of the present disclosure Enlarged view of region R in Figure 13
  • a schematic plan view showing an elastic wave device according to a first modification of the second embodiment of the present disclosure A schematic cross-sectional view similar to FIG.
  • FIG. 15 of the elastic wave device according to the first modification of the second embodiment of the present disclosure A schematic sectional view similar to FIG. 15 of an elastic wave device according to a second modification of the second embodiment of the present disclosure
  • Acoustic wave devices include a piezoelectric layer containing lithium niobate or lithium tantalate, a first electrode and a second electrode facing each other in a direction crossing the thickness direction of the piezoelectric layer. and an electrode.
  • the elastic wave device of the first aspect utilizes a bulk wave in a thickness shear mode.
  • the first electrode and the second electrode are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer is d, and the distance between the centers of the first electrode and the second electrode is p.
  • d/p is 0.5 or less.
  • Lamb waves are used as plate waves. It is possible to obtain resonance characteristics due to the Lamb wave described above.
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric layer containing lithium niobate or lithium tantalate, and an upper electrode and a lower electrode that face each other in the thickness direction of the piezoelectric layer with the piezoelectric layer in between, and Take advantage of.
  • FIG. 1A is a schematic perspective view showing the appearance of an acoustic wave device according to a first embodiment of the first and second aspects
  • FIG. 1B is a plan view showing an electrode structure on a piezoelectric layer.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion taken along line AA in FIG. 1A.
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 containing lithium niobate (LiNbO 3 ).
  • the piezoelectric layer 2 may contain lithium tantalate (LiTaO 3 ).
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 is a Z cut in this embodiment, it may be a rotational Y cut or an X cut.
  • a propagation orientation of Y propagation and X propagation ⁇ 30° is preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness shear mode.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b that face each other.
  • An electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • electrode 3 is an example of a "first electrode”
  • electrode 4 is an example of a "second electrode”.
  • the plurality of electrodes 3 are a plurality of first electrode fingers connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are a plurality of second electrode fingers connected to the second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interposed with each other.
  • the electrode 3 and the electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to this length direction.
  • These plurality of electrodes 3, 4, first bus bar 5, and second bus bar 6 constitute an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 are both directions that intersect the thickness direction of the piezoelectric layer 2. Therefore, it can be said that the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 will extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • Electrode 3 and electrode 4 are adjacent to each other are provided in a direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4.
  • electrode 3 and electrode 4 are adjacent to each other are arranged so as to be in direct contact with each other, but when electrode 3 and electrode 4 are arranged with a gap between them. refers to
  • the number of pairs of electrodes need not be an integer pair, but may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4, that is, the pitch, is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 refers to the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3, and the width dimension of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4.
  • the distance between the center of is 1 It refers to the average value of the distance between the centers of adjacent electrodes 3 and 4 among 5 or more pairs of electrodes 3 and 4.
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the opposing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the distance between the centers of the electrodes 3 and 4 refers to the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. This is the distance between the center of the dimension (width dimension).
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This is not the case when a piezoelectric material having a different cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°) But that's fine.
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer 7 in between.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape, and have openings 7a and 8a, as shown in FIG. Thereby, a cavity 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 in between, at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the insulating layer 7 contains silicon oxide.
  • Support member 8 contains Si.
  • the plane orientation of the Si surface on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • Si has a high resistivity of 4 k ⁇ or more.
  • the support member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Examples of materials for the support member 8 include aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, and star.
  • Various ceramics such as tite and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as gallium nitride, etc. can be used.
  • the material of the plurality of electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 is an appropriate metal or alloy such as Al or AlCu alloy.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. Thereby, it is possible to obtain resonance characteristics using the thickness shear mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2.
  • d/p 0. It is considered to be 5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness shear mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrodes 3 and 4 when there is a plurality of at least one of the electrodes 3 and 4 as in this embodiment, that is, when the electrodes 3 and 4 are one pair of electrodes and there are 1.5 or more pairs of electrodes 3 and 4, adjacent
  • the distance p between the centers of the electrodes 3 and 4 is the average distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4.
  • the elastic wave device 1 of this embodiment has the above configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to achieve miniaturization, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides and has little propagation loss. Further, the reason why the reflector is not required is because the bulk wave in the thickness shear mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic front sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of a conventional acoustic wave device.
  • a conventional elastic wave device is described in, for example, Japanese Patent Publication No. 2012157019.
  • waves propagate in the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b are opposite to each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. It is.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are lined up. As shown in FIG.
  • the wave propagates in the X direction as shown. Since it is a plate wave, the piezoelectric film 201 vibrates as a whole, but since the wave propagates in the X direction, reflectors are placed on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, wave propagation loss occurs, and when miniaturization is attempted, that is, when the number of logarithms of electrode fingers is reduced, the Q value decreases.
  • the vibration displacement is in the thickness-slip direction, so the waves are generated between the first principal surface 2a and the second principal surface of the piezoelectric layer 2. It propagates almost in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Since resonance characteristics are obtained by the propagation of waves in the Z direction, a reflector is not required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • FIG. 4 schematically shows a bulk wave when a voltage is applied between electrode 3 and electrode 4 such that electrode 4 has a higher potential than electrode 3.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second principal surface 2b.
  • the elastic wave device 1 As mentioned above, in the elastic wave device 1, at least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 are arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the elastic wave device 1 is made up of the electrodes 3 and 4. There does not necessarily have to be a plurality of pairs of electrodes. That is, it is only necessary that at least one pair of electrodes be provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • Electrode 3 may be connected to ground potential and electrode 4 to hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrode is provided.
  • FIG. 5 is a diagram showing resonance characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 that obtained this resonance characteristic are as follows.
  • the logarithm of electrodes consisting of electrodes 3 and 4 21 pairs
  • center distance between electrodes 3 ⁇ m
  • width of electrodes 3 and 4 500 nm
  • d/p 0.133.
  • Insulating layer 7 silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 were all made equal in multiple pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is preferably 0.5 or less, as described above. is 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between d/2p and the fractional band of the resonator of the elastic wave device.
  • the at least one pair of electrodes may be one pair, and in the case of one pair of electrodes, the above p is the distance between the centers of adjacent electrodes 3 and 4. Furthermore, in the case of 1.5 or more pairs of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrodes 3 and 4 may be set to p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer if the piezoelectric layer 2 has thickness variations, a value obtained by averaging the thicknesses may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view of another elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • a pair of electrodes including an electrode 3 and an electrode 4 are provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above-mentioned d/p is 0.5 or less, bulk waves in the thickness shear mode can be excited effectively.
  • the above-mentioned adjacent it is desirable that the metallization ratio MR of the electrodes 3 and 4 satisfies MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075. That is, when viewed in the direction in which the adjacent first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers are facing each other, the region where the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers overlap is excited. region (intersection region), and when the metallization ratio of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers with respect to the excitation region is MR, MR ⁇ 1.75 (d/p) + 0.075. It is preferable to meet the requirements. In that case, spurious can be effectively reduced.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device 1.
  • a spurious signal indicated by arrow B appears between the resonant frequency and the anti-resonant frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the area surrounded by the dashed line C becomes the excitation region.
  • This excitation region is the region where the electrode 3 overlaps the electrode 4 when the electrode 3 and the electrode 4 are viewed in a direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4, that is, in a direction in which they face each other. and a region between electrodes 3 and 4 where electrodes 3 and 4 overlap.
  • the area of the electrodes 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of this excitation region is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallized portion to the area of the excitation region.
  • MR may be the ratio of the metallized portion included in all the excitation regions to the total area of the excitation regions.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the fractional band and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious when a large number of elastic wave resonators are configured according to the present embodiment. be. Note that the specific band was adjusted by variously changing the thickness of the piezoelectric layer and the dimensions of the electrode. Furthermore, although FIG. 9 shows the results when a Z-cut piezoelectric layer containing LiNbO 3 is used, the same tendency occurs when piezoelectric layers with other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters that make up the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrodes 3 and 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed and the fractional bands were measured.
  • the hatched area on the right side of the broken line D in FIG. 10 is a region where the fractional band is 17% or less.
  • the fractional band can be reliably set to 17% or less.
  • FIG. 11 is a diagram showing a map of the fractional band with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • the hatched area in FIG. 11 is the area where a fractional band of at least 5% is obtained, and the range of this area can be approximated by the following equations (1), (2), and (3). ).
  • the fractional band can be made sufficiently wide, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining the elastic wave device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the elastic wave device 81 has a support substrate 82 .
  • the support substrate 82 is provided with an open recess on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 83 is laminated on the support substrate 82 . Thereby, a cavity 9 is formed.
  • An IDT electrode 84 is provided on the piezoelectric layer 83 above the cavity 9 .
  • Reflectors 85 and 86 are provided on both sides of the IDT electrode 84 in the elastic wave propagation direction. In FIG. 12, the outer periphery of the cavity 9 is indicated by a broken line.
  • the IDT electrode 84 includes first and second bus bars 84a and 84b, an electrode 84c as a plurality of first electrode fingers, and an electrode 84d as a plurality of second electrode fingers.
  • the plurality of electrodes 84c are connected to the first bus bar 84a.
  • the plurality of electrodes 84d are connected to the second bus bar 84b.
  • the plurality of electrodes 84c and the plurality of electrodes 84d are interposed with each other.
  • the elastic wave device 81 by applying an alternating current electric field to the IDT electrode 84 on the cavity 9, a Lamb wave as a plate wave is excited. Since the reflectors 85 and 86 are provided on both sides, the resonance characteristic due to the Lamb wave described above can be obtained.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an elastic wave device 100 according to a second embodiment of the present disclosure.
  • the elastic wave device 100 includes a plurality of (15 in this embodiment) elastic wave elements 101A to 101O.
  • the elastic wave device 100 also includes a wiring section 102 and a plurality of bumps 103A to 103I.
  • one of the plurality of acoustic wave elements 101A to 101O may be simply referred to as the elastic wave element 101 when there is no need to distinguish between them.
  • the plurality of bumps 103A to 103I one of them may be simply referred to as bump 103.
  • the wiring section 102 is electrically connected to the acoustic wave element 101. Furthermore, a bump 103 electrically connected to the wiring portion 102 is provided on the wiring portion 102 . The acoustic wave element 101 and the bumps 103 are electrically connected by the wiring section 102 . The wiring section 102 electrically connects the plurality of acoustic wave elements 101. Further, the wiring section 102 electrically connects the plurality of bumps 103.
  • FIG. 14 is an enlarged view of region R in FIG. 13.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of the acoustic wave element 101 taken along line AA in FIG. Referring to FIGS. 14 and 15, the acoustic wave element 101 includes a support member 110, a piezoelectric layer 120, and an electrode pattern 130.
  • the support member 110 has a support substrate 111 and an intermediate layer 112.
  • the support member 110 is composed of a laminate including a support substrate 111 containing Si and an intermediate layer 112 laminated on the support substrate 111 and containing SiOx.
  • the intermediate layer 112 of this embodiment includes SiO 2 . Note that the support member 110 only needs to have the support substrate 111 and does not need to have the intermediate layer 112.
  • Intermediate layer 112 may be referred to herein as bonding layer 112.
  • the support member 110 is a substrate having a thickness in the stacking direction D11.
  • the "lamination direction” is the thickness direction of the support member 110, and means the lamination direction in which the support member 110 and the piezoelectric layer 120 are laminated.
  • An intermediate layer 112 is provided on the main surface of the support substrate 111 facing the piezoelectric layer 120 in the stacking direction D11.
  • the support member 110 is provided with a cavity 140.
  • Cavity 140 is provided between support member 110 and piezoelectric layer 120. That is, the cavity 140 is a space defined by the support member 110 and the piezoelectric layer 120.
  • the cavity 140 is provided in the intermediate layer 112. Specifically, in the intermediate layer 112, a recessed portion is provided that opens on the surface opposite to the surface in contact with the support substrate 111.
  • a cavity 140 is formed by covering the recess with the piezoelectric layer 120.
  • the cavity 140 may be referred to as a space 140.
  • the cavity 140 of this embodiment is an example of an energy confinement layer according to the present disclosure. Note that in this specification, the energy confinement layer may be referred to as an energy confinement section.
  • the cavity 140 only needs to be provided in a part of the support member 110.
  • the cavity 140 may be provided in the support substrate 111.
  • the piezoelectric layer 120 is provided on the support member 110.
  • the piezoelectric layer 120 is stacked on one side (upper side in FIG. 15) of the support member 110 in the stacking direction D11.
  • the piezoelectric layer 120 is provided on the intermediate layer 112.
  • the piezoelectric layer 120 is provided on the surface of the intermediate layer 112 opposite to the surface in contact with the support substrate 111.
  • piezoelectric layer 120 may be referred to as piezoelectric layer 120. Note that if the support member 110 does not have the intermediate layer 112, the piezoelectric layer 120 may be provided on the support substrate 111.
  • a portion of the piezoelectric layer 120 located in a region overlapping with the cavity portion 140 when viewed in plan in the stacking direction D11 is referred to as a membrane portion 121.
  • viewed in plan in the stacking direction D11 means viewing from the stacking direction of the support member 110 and the piezoelectric layer 120.
  • in the lamination direction of the support member and the piezoelectric layer according to the present disclosure means “as viewed from above in the lamination direction D11" in this specification.
  • the cavity 140 may be provided in the support member 110 at a position overlapping at least a portion of the electrode pattern 130 when viewed in plan in the stacking direction D11.
  • the piezoelectric layer 120 includes, for example, LiNbOx or LiTaOx. In other words, piezoelectric layer 120 includes lithium niobate or lithium tantalate. The thickness of piezoelectric layer 120 is thinner than the thickness of intermediate layer 112.
  • the electrode pattern 130 includes a functional electrode 150 and two wiring electrodes 160A and 160B.
  • Functional electrode 150 and wiring electrodes 160A and 160B are electrically connected.
  • the functional electrode 150 and the wiring electrodes 160A and 160B are arranged to partially overlap when viewed in plan in the stacking direction D11.
  • the functional electrode 150 is an IDT electrode.
  • the functional electrode 150 includes a first electrode 151 and a second electrode 152 arranged side by side in the first direction D12.
  • the first electrode 151 and the second electrode are connected to different potentials.
  • the first electrode 151 includes a first bus bar 151a and a plurality of first electrode fingers 151b.
  • the second electrode 152 includes a second bus bar 152a and a plurality of second electrode fingers 152b.
  • the first direction D12 is a direction that intersects the lamination direction D11 in which the support member 110 and the piezoelectric layer 120 are laminated in the plane direction of the piezoelectric layer 120.
  • the plane direction of the piezoelectric layer 120 is the direction in which the surface of the piezoelectric layer 120 extends when viewed in plan in the stacking direction D11.
  • the first bus bar 151a and the second bus bar 152a are arranged to face each other in the first direction D12. Further, the first bus bar 151a and the second bus bar 152a extend in a second direction D13 orthogonal to the first direction D12.
  • the second direction D13 is a direction perpendicular to the first direction D12 when viewed from above in the stacking direction D11. In other words, the second direction D13 is a direction perpendicular to the first direction D12 in the surface direction of the piezoelectric layer 120. Further, the second direction D13 is a direction in which the plurality of first electrode fingers 151b and the plurality of second electrode fingers 152b are lined up. That is, the second direction D13 is a facing direction in which the adjacent plurality of first electrode fingers 151b and the plurality of second electrode fingers 152b are opposed to each other.
  • the plurality of first electrode fingers 151b and the plurality of second electrode fingers 152b extend in the first direction D12, and are arranged to overlap when viewed from the second direction D13 orthogonal to the first direction D12.
  • Each of the plurality of first electrode fingers 151b faces one of the plurality of second electrode fingers 152b in the second direction D13.
  • each of the plurality of second electrode fingers 152b faces one of the plurality of first electrode fingers 151b in the second direction D13.
  • the base ends of the plurality of first electrode fingers 151b are connected to the first bus bar 151a.
  • the base ends of the plurality of second electrode fingers 152b are connected to the second bus bar 152a.
  • the plurality of first electrode fingers 151b and the plurality of second electrode fingers 152b are arranged adjacent to each other and facing each other. Furthermore, when viewed from the second direction D13, the plurality of first electrode fingers 151b and the plurality of second electrode fingers 152b are arranged to overlap with each other. That is, the plurality of first electrode fingers 151b and the plurality of second electrode fingers 152b are arranged alternately in the second direction D13. Specifically, adjacent first electrode fingers 151b and second electrode fingers 152b are arranged to face each other, forming a pair of electrode sets. In the functional electrode 150, a plurality of electrode sets are arranged side by side in the second direction D13.
  • the region where the plurality of first electrode fingers 151b and the plurality of second electrode fingers 152b are arranged to overlap in the second direction D13 is an excitation region C1. That is, the excitation region C1 has a plurality of first electrode fingers 151b and a plurality of second electrode fingers 151b and a plurality of second electrode fingers 152b when viewed in a direction in which adjacent first electrode fingers 151b and second electrode fingers 152b face each other, that is, in a second direction D13. This is the area where the electrode fingers 152b overlap. In this specification, the excitation region C1 may be referred to as an intersection region C1.
  • Each IDT electrode is provided on the piezoelectric layer 120 at a position overlapping with the cavity 140 when viewed in plan in the stacking direction D11.
  • the cavity 140 is provided at a position overlapping with the first bus bar 151a, the second bus bar 152a, the plurality of first electrode fingers 151b, and the plurality of second electrode fingers 152b when viewed in plan in the stacking direction D11.
  • the IDT electrode is provided on the membrane portion 121.
  • the IDT electrode may be provided on at least a portion of the membrane portion 121 when viewed in plan in the stacking direction D11.
  • the wiring electrode 160A is electrically connected to the first electrode 151, and the wiring electrode 160B is electrically connected to the second electrode 152.
  • the wiring electrode 160 constitutes a part of the wiring section 102 for electrically connecting between the plurality of acoustic wave elements 101 or between the acoustic wave elements 101 and the bumps 103.
  • the wiring electrode 160 is provided integrally with the wiring section 102.
  • the wiring electrode 160 is connected to the functional electrode 150, penetrates the piezoelectric layer 120, and is drawn out onto the support member 110.
  • the wiring electrode 160 includes a base portion 161 disposed on the functional electrode 150 and an extension portion 162 that extends through the piezoelectric layer 120 and is drawn out onto the support member 110.
  • the base 161 of the wiring electrode 160A is arranged on the first bus bar 151a of the first electrode 151. Thereby, the wiring electrode 160A is electrically connected to the first electrode 151.
  • the base 161 of the wiring electrode 160B is arranged on the second bus bar 152a of the second electrode 152. Thereby, the wiring electrode 160B is electrically connected to the second electrode 152.
  • the extending portion 162 of this embodiment extends in the stacking direction D11 through the piezoelectric layer 120 and the bonding layer 112, and is drawn out onto the support substrate 111. That is, the wiring electrode 160 extends in the stacking direction D11 so as to penetrate the piezoelectric layer 120 and the bonding layer 112, and is drawn out onto the support substrate 111. Thereby, the wiring electrode 160 is in contact with the support substrate 111. Further, the wiring electrode 160 is in thermal contact with the support substrate 111. Note that the wiring electrode 160 may penetrate the piezoelectric layer 120 and be drawn out onto the bonding layer 112. That is, the wiring electrode 160 being drawn out onto the support member 110 refers to the manner in which the wiring electrode 160 is drawn out onto the support substrate 111 and the manner in which the wiring electrode 160 is drawn out onto the bonding layer 112. include.
  • the support member 110 the piezoelectric layer 120 provided on the support member 110, and the electrode pattern 130 provided on the piezoelectric layer 120 are provided.
  • the electrode pattern 130 includes a functional electrode 150 and a wiring electrode 160.
  • the support member 110 is provided with a cavity 140 at a position overlapping the functional electrode 150 in the stacking direction D11 of the support member 110 and the piezoelectric layer 120.
  • the electrode pattern 130 penetrates the piezoelectric layer 120 and is drawn out onto the support member 110.
  • the wiring electrode 160 of the electrode pattern 130 penetrates the piezoelectric layer 120 and is drawn out onto the support member 110
  • the present invention is not limited to this.
  • the functional electrode 150 of the electrode pattern 130 may penetrate the piezoelectric layer 120 and be drawn out onto the support member 110.
  • the first bus bar 151a and the second bus bar 152a may penetrate the piezoelectric layer 120 and be drawn out onto the support member 110.
  • the cavity portion 140 is provided at a position overlapping the first bus bar 151a and the second bus bar 152a when viewed in plan in the stacking direction D11, but the present invention is not limited to this.
  • the cavity 140 when viewed in plan in the stacking direction D11, the cavity 140 may be provided at a position that does not overlap with the first bus bar 151a and the second bus bar 152a.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of an elastic wave device 100A according to modification 1.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view similar to FIG. 15 of the elastic wave device 100A of Modification Example 1.
  • bumps 103A to 103C are connected to the same potential.
  • regions of the wiring portion 102 that are connected to the bumps 103A to 103C and have the same potential as the bumps 103A to 103C are shown with dotted hatching.
  • the first electrodes 151 (shown in FIG. 17) of the acoustic wave elements 101B to 101F are electrically connected to a region of the wiring section 102 that has the same potential as the bumps 103 to 103C.
  • the first electrodes 151 of the acoustic wave elements 101B to 101F are connected to the same potential.
  • the wiring electrodes 160A of the acoustic wave elements 101B to 101F are drawn out onto the support member 110.
  • the wiring electrode 160B connected to a different potential from the bumps 103A to 103C is not drawn out onto the support member 110. That is, the wiring electrode 160B of Modification 1 does not have the extending portion 162 (shown in FIG. 15).
  • the electrode patterns 130 of the acoustic wave elements 101A and 101G to 101O in which neither the first electrode 151 nor the second electrode 152 are connected to the same potential as the bumps 103A to 103C are , is not pulled out onto the support member 110.
  • the first electrodes 151 electrically connected to the wiring electrode 160A drawn out on the support member 110 are connected to the same potential.
  • Heat dissipation can also be improved in the elastic wave device 100A and the acoustic wave element 101 of the elastic wave device 100A.
  • the wiring electrode 160A electrically connected to the first electrode 151 of the plurality of acoustic wave elements 101B to 101F penetrates the piezoelectric layer 120 and is drawn out onto the support member 110.
  • the first electrodes 151 of the plurality of acoustic wave elements 101B to 101F are connected to the same potential. Thereby, deterioration of insulation resistance can be suppressed. If a plurality of electrodes connected to mutually different potentials are electrically connected to the support substrate 111, a current flows between these electrodes via the support substrate 111, so that the elastic wave device 100A and the acoustic wave element At 101, the insulation resistance deteriorates.
  • the first electrodes 151 electrically connected to the support substrate 111 are connected to the same potential, so that the first electrodes 151 are electrically connected to the support member 110. No current flows between the first electrodes 151. As a result, deterioration of insulation resistance in the acoustic wave device 100A and the acoustic wave element 101 can be suppressed.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view similar to FIG. 15 of the elastic wave device 100B of Modification Example 2.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view similar to FIG. 15 of the elastic wave device 100B of Modification Example 2.
  • an insulator layer 170 is provided between the electrode pattern 130 and the support member 110. Specifically, an insulator layer 170 is provided between the wiring electrode 160 and the support substrate 111. More specifically, an insulator layer 170 is provided between the supporting substrate 111 and the extending portion 162 of the wiring electrode 160 drawn out onto the supporting substrate 111 . The insulator layer 170 electrically insulates the support substrate 111 and the electrode pattern 130. Insulator layer 170 includes, for example, SiO 2 . The insulator layer 170 may be provided integrally with the bonding layer 112. The wiring electrode 160 is in thermal contact with the support substrate 111 via the insulator layer 170. Further, the thickness t1 of the insulator layer 170 is thinner than the thickness t2 of the functional electrode 150.
  • heat dissipation can also be improved.
  • an insulator layer 170 is provided between the electrode pattern 130 and the support member 110. Thereby, deterioration of insulation resistance in the acoustic wave device 100B and the acoustic wave element 101 can be suppressed. If both the first electrode 151 and the second electrode 152, which are connected to different potentials, are electrically connected to the support substrate 111, the support substrate 111 is connected between the first electrode 151 and the second electrode 152. Since a current flows through the elastic wave element 101, the insulation resistance of the acoustic wave element 101 deteriorates.
  • an insulator layer 170 is provided between the wiring electrodes 160A, 160B and the support substrate 111, and the first electrode 151, the second electrode 152 and the support substrate 111 are electrically insulated. Therefore, no current flows between the first electrode 151 and the second electrode 152 via the support substrate 111. As a result, deterioration of the insulation resistance of the acoustic wave element 101 can be suppressed.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view similar to FIG. 15 of an elastic wave device 100C according to modification 3.
  • an acoustic reflective layer 180 is provided in the intermediate layer 112 of the acoustic wave element 101 of Modification 3.
  • the intermediate layer 112 is composed of an acoustic reflective layer 180.
  • the acoustic reflection layer 180 includes a first layer 181 having a first acoustic impedance, and a second layer 182 laminated on the first layer 181 and having a second acoustic impedance higher than the first acoustic impedance.
  • first layers 181 and second layers 182 are alternately stacked.
  • the acoustic reflection layer 180 of Modification 3 is an example of an energy confinement layer according to the present disclosure.
  • heat dissipation can also be improved.
  • the acoustic wave device of the present disclosure includes a support member, a piezoelectric layer provided on the support member, and an electrode pattern provided on the piezoelectric layer, and the electrode pattern includes functional electrodes and wiring.
  • an electrode the support member is provided with an energy trapping layer at a position overlapping with the functional electrode in the lamination direction of the support member and the piezoelectric layer, and the electrode pattern is formed on the piezoelectric layer. and is drawn out to the support member.
  • the energy confinement layer may be a cavity.
  • the energy confinement layer may be an acoustic reflection layer, and the acoustic reflection layer is laminated to a first layer having a first acoustic impedance and the first layer. and a second layer having a second acoustic impedance higher than the first acoustic impedance.
  • an insulating layer may be provided between the electrode pattern and the support member.
  • the thickness of the insulator layer may be thinner than the thickness of the functional electrode.
  • the wiring electrode may penetrate the piezoelectric layer and be in contact with the support member.
  • the support member may include a support substrate and an intermediate layer provided on the support substrate.
  • the energy confinement layer may be provided in the intermediate layer.
  • the piezoelectric layer may include lithium niobate or lithium tantalate.
  • the functional electrode is arranged in line with the first electrode in a direction intersecting the lamination direction, and the functional electrode It may be an IDT electrode having a second electrode connected to a different potential from the potential to which the electrode is connected.
  • the elastic wave device of the present disclosure includes a plurality of acoustic wave elements according to (10), and the wiring electrode is electrically connected to the first electrode or the first electrode of the plurality of elastic wave elements. penetrates the piezoelectric layer and is drawn out onto the support member, and the first electrodes of the plurality of acoustic wave elements are connected to the same potential.
  • the IDT electrode includes a plurality of first electrode fingers extending in a first direction intersecting the lamination direction, and a plurality of first electrode fingers extending perpendicularly to the first direction.
  • a plurality of second electrode fingers may be provided which face any one of the plurality of first electrode fingers in a second direction and extend in the first direction, and the thickness of the piezoelectric layer is d, and the When the center-to-center distance between the first electrode finger and the second electrode finger is p, d/p may be 0.5 or less.
  • the IDT electrode includes a plurality of first electrode fingers extending in a first direction intersecting the lamination direction, and a plurality of first electrode fingers extending perpendicularly to the first direction.
  • a plurality of second electrode fingers may be provided that face any one of the plurality of first electrode fingers in a second direction and extend in the first direction, and the film thickness of the piezoelectric layer is d, and the plurality of When the center-to-center distance between adjacent first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers is p, in the second direction, the distance between the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers is p.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate or lithium tantalate , ⁇ ) may be within the range of equation (1), equation (2), or equation (3) below.
  • Acoustic wave device 101 Acoustic wave element 102 Wiring section 103 Bump 110 Support member 111 Support substrate 112 Intermediate layer (bonding layer) 120 Piezoelectric layer (piezoelectric layer) 121 Membrane part 130 Electrode pattern 140 Cavity part (energy trapping layer) 150 Functional electrode 151 First electrode 151a First bus bar 151b First electrode finger 152 Second electrode 152a Second bus bar 152b Second electrode finger 160 Wiring layer 161 Base 162 Extension portion 170 Insulator layer 180 Acoustic reflection layer (energy confinement layer) ) 181 1st layer 182 2nd layer

Landscapes

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Abstract

本開示の弾性波素子は、支持部材と、支持部材に設けられた圧電体層と、圧電体層に設けられた電極パターンとを備える。電極パターンは、機能電極と配線電極とを含む。支持部材には、支持部材と圧電体層との積層方向において、機能電極と重なる位置にエネルギー閉じ込め層が設けられている。電極パターンは、圧電体層を貫通して、支持部材に引き出されている。

Description

弾性波素子および弾性波装置
　本開示は、弾性波素子および弾性波装置に関する。
　例えば、特許文献１には、板波を利用する弾性波装置が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置は、支持体と、圧電基板と、ＩＤＴ電極とを備えている。支持体には、空洞部が設けられている。圧電基板は、支持体の上に空洞部と重なるように設けられている。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に空洞部と重なるように設けられている。弾性波装置では、ＩＤＴ電極により板波が励振される。
特開２０１２－１５７０１９号公報
　本開示は、弾性波素子および弾性波装置において放熱性の向上を図ることを目的とする。
　本開示の一態様の弾性波素子は、
　支持部材と、
　前記支持部材に設けられた圧電体層と、
　前記圧電体層に設けられた電極パターンと
　を備え、
　前記電極パターンは、機能電極と配線電極とを含み、
　前記支持部材には、前記支持部材と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極と重なる位置にエネルギー閉じ込め層が設けられており、
　前記電極パターンは、前記圧電体層を貫通して、前記支持部材上に引き出されている。
第１，第２の態様の弾性波装置の外観を示す略図的斜視図 圧電層上の電極構造を示す平面図 図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図 従来の弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図 本開示の弾性波装置の波を説明するための模式的正面断面図 第１の電極と第２の電極との間に、第２の電極が第１の電極よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を示す模式図 本開示の第１の実施形態に係る弾性波装置の共振特性を示す図 ｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図 本開示の第１の実施形態に係る別の弾性波装置の平面図 弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図 多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図 ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図 ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図 本開示の第１の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図 本開示の第２の実施形態に係る弾性波装置を示す概略平面図 図１３中の領域Ｒの拡大図 図１４の弾性波装置を図１４中のＡ－Ａ線で切断した概略断面図 本開示の第２の実施形態の第１変形例に係る弾性波装置を示す概略平面図 本開示の第２の実施形態の第１変形例に係る弾性波装置の図１５と同様の概略断面図 本開示の第２の実施形態の第２変形例に係る弾性波装置の弾性波装置の図１５と同様の概略断面図 本開示の第２の実施形態の第３変形例に係る弾性波装置の弾性波装置の図１５と同様の概略断面図
　本開示における第１，第２，第３の態様の弾性波装置は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む圧電層と、圧電層の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極および第２電極とを備える。
　第１の態様の弾性波装置では、厚み滑りモードのバルク波が利用されている。
　また、第２の態様の弾性波装置では、第１電極および前記第２電極は隣り合う電極同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極および第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。それによって、第１，第２の態様では、小型化を進めた場合であっても、Ｑ値を高めることができる。
　また、第３の態様の弾性波装置では、板波としてのラム波が利用される。上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　本開示における第４の態様の弾性波装置は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む圧電層と、圧電層を挟んで圧電層の厚み方向に対向する上部電極および下部電極とを備え、バルク波を利用する。
　以下、図面を参照しつつ、第１～第４の態様の弾性波装置の具体的な実施形態を説明することにより、本開示を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
（第１の実施形態）
　図１Ａは、第１，第２の態様についての第１の実施形態に係る弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１Ｂは、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図２は、図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を含む圧電層２を有する。圧電層２は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を含むものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３のカット角は、本実施形態では、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬およびＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３および電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１Ａおよび図１Ｂでは、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている複数の第１の電極指である。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている複数の第２の電極指である。複数の電極３および複数の電極４は、互いに間挿し合っている。
　電極３および電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。これら複数の電極３，４、および第１のバスバー５，第２のバスバー６によりＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成されている。電極３，４の長さ方向、および、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。
　また、電極３，４の長さ方向が図１Ａおよび図１Ｂに示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａおよび図１Ｂにおいて、第１のバスバー５および第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４が延びてもよい。その場合、第１のバスバー５および第２のバスバー６は、図１Ａおよび図１Ｂにおいて電極３，４が延びている方向に延びることとなる。
　一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。
　また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグランド電極に接続される電極は配置されない。電極３，４からなら電極対の対数は、整数対である必要はなく、１．５対または２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。さらに、電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３，４を一対の電極組とし、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３，４の中心間距離は、１．５対以上の電極３，４のうち隣り合う電極３，４それぞれの中心間距離の平均値を指す。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、本実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７および支持部材８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられなくてもよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素を含む。絶縁層７の材料としては、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉを含む。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３，４および第１，第２のバスバー５，６の材料は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金である。本実施形態では、電極３，４および第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、本実施形態のように電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３，４を１対の電極組とし、電極３，４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３，４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離となる。
　本実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。
　従来の弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明する。
　図３Ａは、従来の弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。従来の弾性波装置については、例えば、日本公開特許公報　特開２０１２１５７０１９号公報に記載されている。図３Ａに示すように、従来の弾性波装置においては、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、本実施形態の弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図４は、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示している。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえいればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。本実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、本開示の第１の実施形態に係る弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　本実施形態では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２４％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、本実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、このｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図６から明らかなように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、本開示の第２の態様の弾性波装置のように、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、前述したように、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３，４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、本開示の第１の実施形態に係る別の弾性波装置の平面図である。弾性波装置３１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置３１では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域に対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。すなわち、隣り合う複数の第１電極指と複数の第２電極指とが対向している方向に視たときに複数の第１電極指と複数の第２電極指とが重なっている領域が励振領域（交差領域）であり、励振領域に対する、複数の第１電極指および複数の第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。
　これを、図８および図９を参照して説明する。図８は、上記弾性波装置１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線Ｃで囲まれた部分が励振領域となる。この励振領域とは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、および、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。この励振領域の面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域の面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は本実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３を含む圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）および式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の第１の実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。弾性波装置８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図１２において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１，第２のバスバー８４ａ，８４ｂと、複数本の第１の電極指としての電極８４ｃおよび複数本の第２の電極指としての電極８４ｄとを有する。複数本の電極８４ｃは、第１のバスバー８４ａに接続されている。複数本の電極８４ｄは、第２のバスバー８４ｂに接続されている。複数本の電極８４ｃと、複数本の電極８４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。反射器８５，８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　このように、本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。
（第２の実施形態）
　第２の実施形態の弾性波装置について説明する。第２の実施形態においては、第１の実施形態と重複する内容については適宜、説明を省略する。第２の実施形態においては、第１の実施形態で説明した内容を適用することができる。
　図１３は、本開示の第２の実施形態に係る弾性波装置１００を示す概略平面図である。図１３に示すように、弾性波装置１００は、複数（本実施形態では、１５個）の弾性波素子１０１Ａ～１０１Ｏを備える。また、弾性波装置１００は、配線部１０２と、複数のバンプ１０３Ａ～１０３Ｉとを備える。以下の説明において、複数の弾性波素子１０１Ａ～１０１Ｏのそれぞれを特に区別する必要がない場合、これらのうちの１つを単に弾性波素子１０１という場合がある。同様に、複数のバンプ１０３Ａ～１０３Ｉのそれぞれを特に区別する必要がない場合、これらのうちの１つを単にバンプ１０３という場合がある。
　配線部１０２は、弾性波素子１０１に電気的に接続されている。また、配線部１０２上には、配線部１０２に電気的に接続されたバンプ１０３が設けられている。配線部１０２により、弾性波素子１０１とバンプ１０３とが電気的に接続されている。配線部１０２は、複数の弾性波素子１０１の間を電気的に接続している。また、配線部１０２は、複数のバンプ１０３の間を電気的に接続している。
　図１４は、図１３の領域Ｒの拡大図である。図１５は、弾性波素子１０１を図１４中のＡ－Ａ線で切断した概略断面図である。図１４および図１５を参照すると、弾性波素子１０１は、支持部材１１０と、圧電層１２０と、電極パターン１３０とを備える。
　図１５に示すように、支持部材１１０は、支持基板１１１および中間層１１２を有する。例えば、支持部材１１０は、Ｓｉを含む支持基板１１１と、支持基板１１１に積層され、ＳｉＯｘを含む中間層１１２との積層体から構成されている。本実施形態の中間層１１２は、ＳｉＯ２を含む。なお、支持部材１１０は、支持基板１１１を有していればよく、中間層１１２を有していなくてもよい。本明細書では、中間層１１２は接合層１１２と称してもよい。
　支持部材１１０は、積層方向Ｄ１１に厚みを有する基板である。本明細書では、「積層方向」とは、支持部材１１０の厚み方向であり、支持部材１１０と圧電層１２０とが積層する積層方向を意味する。支持基板１１１において圧電層１２０と積層方向Ｄ１１に対向する主面に中間層１１２が設けられている。
　支持部材１１０には、空洞部１４０が設けられている。空洞部１４０は、支持部材１１０と圧電層１２０との間に設けられている。すなわち、空洞部１４０は、支持部材１１０と圧電層１２０とによって画定される空間である。本実施形態では、空洞部１４０は、中間層１１２に設けられている。具体的には、中間層１１２において支持基板１１１と接する面と反対側の面に開口する凹部が設けられている。当該凹部が圧電層１２０で覆われることによって、空洞部１４０が形成されている。本明細書では、空洞部１４０を空間部１４０と称してもよい。本実施形態の空洞部１４０は、本開示に係るエネルギー閉じ込め層の一例である。なお、本明細書では、エネルギー閉じ込め層をエネルギー閉じ込め部と称してもよい。
　なお、空洞部１４０は、支持部材１１０の一部に設けられていればよい。支持部材１１０が中間層１１２を有していない場合、空洞部１４０は支持基板１１１に設けられていてもよい。
　圧電層１２０は、支持部材１１０上に設けられている。圧電層１２０は、支持部材１１０の積層方向Ｄ１１の一方側（図１５において上側）に積層されている。本実施形態では、圧電層１２０は、中間層１１２上に設けられている。具体的には、中間層１１２において支持基板１１１と接する面と反対側の面に圧電層１２０が設けられている。本明細書では、圧電層１２０は、圧電体層１２０と称してもよい。なお、支持部材１１０が中間層１１２を有していない場合、圧電層１２０は、支持基板１１１上に設けられてもよい。
　本明細書では、積層方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１４０と重なる領域に位置する圧電層１２０の部分をメンブレン部１２１と称する。なお、「積層方向Ｄ１１に平面視して」とは、支持部材１１０と圧電層１２０との積層方向から見ることを意味する。なお、本開示に係る「支持部材と圧電体層との積層方向において」は、本明細書における「積層方向Ｄ１１に平面視して」を意味する。
　空洞部１４０は、積層方向Ｄ１１に平面視して電極パターン１３０の少なくとも一部と重なる位置で支持部材１１０に設けられていればよい。
　圧電層１２０は、例えば、ＬｉＮｂＯｘまたはＬｉＴａＯｘを含む。言い換えると、圧電層１２０は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む。圧電層１２０の厚みは中間層１１２の厚みよりも薄い。
　図１４に示すように、電極パターン１３０は、機能電極１５０と、２つの配線電極１６０Ａ，１６０Ｂとを備える。機能電極１５０と配線電極１６０Ａ，１６０Ｂとは電気的に接続されている。機能電極１５０と配線電極１６０Ａ，１６０Ｂとは積層方向Ｄ１１に平面視して、部分的に重なって配置されている。
　本実施形態では、機能電極１５０は、ＩＤＴ電極である。機能電極１５０は、第１方向Ｄ１２に並んで配置された第１電極１５１および第２電極１５２を備える。第１電極１５１と第２電極とは互いに異なる電位に接続されている。第１電極１５１は、第１バスバー１５１ａと、複数の第１電極指１５１ｂとを備える。第２電極１５２は、第２バスバー１５２ａと複数の第２電極指１５２ｂとを備える。第１方向Ｄ１２は、圧電層１２０の面方向において、支持部材１１０と圧電層１２０とが積層する積層方向Ｄ１１と交差する方向である。圧電層１２０の面方向とは、積層方向Ｄ１１に平面視して、圧電層１２０の表面が延びる方向である。
　第１バスバー１５１ａと第２バスバー１５２ａとは、第１方向Ｄ１２において対向して配置されている。また、第１バスバー１５１ａと第２バスバー１５２ａとは、第１方向Ｄ１２と直交する第２方向Ｄ１３に延びている。第２方向Ｄ１３は、積層方向Ｄ１１に平面視して、第１方向Ｄ１２と直交する方向である。言い換えれば、第２方向Ｄ１３は、圧電層１２０の面方向において、第１方向Ｄ１２と直交する方向である。また、第２方向Ｄ１３は、複数の第１電極指１５１ｂと複数の第２電極指１５２ｂとが並ぶ方向である。すなわち、第２方向Ｄ１３は、隣り合う複数の第１電極指１５１ｂと複数の第２電極指１５２ｂとが対向している対向方向である。
　複数の第１電極指１５１ｂおよび複数の第２電極指１５２ｂは、第１方向Ｄ１２に延びており、且つ、第１方向Ｄ１２と直交する第２方向Ｄ１３から見て重なり合って配置されている。複数の第１電極指１５１ｂのそれぞれは、第２方向Ｄ１３において複数の第２電極指１５２ｂのいずれかと対向している。同様に、複数の第２電極指１５２ｂのそれぞれは、第２方向Ｄ１３において複数の第１電極指１５１ｂのいずれかと対向している。本実施形態において、複数の第１電極指１５１ｂの基端は、第１バスバー１５１ａに接続されている。本実施形態において、複数の第２電極指１５２ｂの基端は、第２バスバー１５２ａに接続されている。
　積層方向Ｄ１１から見て、複数の第１電極指１５１ｂおよび複数の第２電極指１５２ｂは、互いに隣り合って対向して配置されている。また、第２方向Ｄ１３から見て、複数の第１電極指１５１ｂおよび複数の第２電極指１５２ｂは、互いに重なって配置されている。すなわち、複数の第１電極指１５１ｂおよび複数の第２電極指１５２ｂは、第２方向Ｄ１３において互い違いに配置されている。具体的には、隣り合う第１電極指１５１ｂと第２電極指１５２ｂとが対向して配置され、一対の電極組を構成している。機能電極１５０においては、複数の電極組が第２方向Ｄ１３に並んで配置されている。
　複数の第１電極指１５１ｂおよび複数の第２電極指１５２ｂが第２方向Ｄ１３に重なり合って配置される領域は、励振領域Ｃ１となっている。すなわち、励振領域Ｃ１は、隣り合う第１電極指１５１ｂと第２電極指１５２ｂとが対向する方向、すなわち、第２方向Ｄ１３に見たときに、複数の第１電極指１５１ｂおよび複数の第２電極指１５２ｂが重なっている領域である。本明細書では、励振領域Ｃ１を交差領域Ｃ１と称してもよい。
　各ＩＤＴ電極は、積層方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１４０と重なる位置で圧電層１２０上に設けられている。具体的には、空洞部１４０は、積層方向Ｄ１１に平面視して、第１バスバー１５１ａ、第２バスバー１５２ａ、複数の第１電極指１５１ｂおよび複数の第２電極指１５２ｂと重なる位置に設けられている。言い換えると、ＩＤＴ電極は、メンブレン部１２１に設けられている。なお、ＩＤＴ電極は、積層方向Ｄ１１に平面視して、メンブレン部１２１の少なくとも一部に設けられていればよい。
　図１５に示すように、配線電極１６０Ａは、第１電極１５１に電気的に接続されており、配線電極１６０Ｂは、第２電極１５２に電気的に接続されている。以下の説明において、配線電極１６０Ａ、１６０Ｂを特に区別する必要がない場合、これらのうちの１つを単に配線電極１６０という場合がある。配線電極１６０は、複数の弾性波素子１０１間、または弾性波素子１０１とバンプ１０３との間を電気的に接続するための配線部１０２の一部を構成している。言い換えれば、配線電極１６０は、配線部１０２と一体に設けられている。
　配線電極１６０は、機能電極１５０と接続されるとともに、圧電層１２０を貫通して、支持部材１１０上に引き出されている。配線電極１６０は、機能電極１５０上に配置された基部１６１と、圧電層１２０を貫通して延び、支持部材１１０上に引き出された延在部１６２とを備える。
　配線電極１６０Ａの基部１６１は、第１電極１５１の第１バスバー１５１ａ上に配置されている。これにより、配線電極１６０Ａは、第１電極１５１に電気的に接続されている。配線電極１６０Ｂの基部１６１は、第２電極１５２の第２バスバー１５２ａ上に配置されている。これにより、配線電極１６０Ｂは、第２電極１５２に電気的に接続されている。
　本実施形態の延在部１６２は、圧電層１２０および接合層１１２を貫通して積層方向Ｄ１１に延び、支持基板１１１上に引き出されている。つまり、配線電極１６０は、圧電層１２０および接合層１１２を貫通するように積層方向Ｄ１１に延び、支持基板１１１上に引き出されている。これにより、配線電極１６０は、支持基板１１１に接している。また、配線電極１６０は、支持基板１１１に熱的に接触している。なお、配線電極１６０が圧電層１２０を貫通して、接合層１１２上に引き出されてもよい。すなわち、配線電極１６０が支持部材１１０上に引き出されているとは、配線電極１６０が支持基板１１１上に引き出されている態様と、配線電極１６０が接合層１１２上に引き出されている態様とを含む。
　本実施形態の弾性波素子１０１によれば、支持部材１１０と、支持部材１１０上に設けられた圧電層１２０と、圧電層１２０に設けられた電極パターン１３０とを備える。電極パターン１３０は、機能電極１５０と配線電極１６０とを含む。支持部材１１０には、支持部材１１０と圧電層１２０との積層方向Ｄ１１において、機能電極１５０と重なる位置に空洞部１４０が設けられている。電極パターン１３０は、圧電層１２０を貫通して、支持部材１１０上に引き出されている。
　このような弾性波素子１０１により、弾性波装置１００および弾性波素子１０１において放熱性の向上を図ることができる。電極パターン１３０が支持部材１１０上に引き出されているため、電極パターン１３０の熱を支持部材１１０に逃がすことができる。その結果、電極パターン１３０が支持部材１１０上に引き出されていない場合と比較して、弾性波装置１００および弾性波素子１０１において放熱性の向上を図ることができる。
　なお、本実施形態では、電極パターン１３０のうち配線電極１６０が圧電層１２０を貫通して支持部材１１０上に引き出されている態様について説明したが、これに限定されない。例えば、電極パターン１３０のうち機能電極１５０が圧電層１２０を貫通して、支持部材１１０上に引き出されてもよい。具体的には、第１バスバー１５１ａおよび第２バスバー１５２ａが圧電層１２０を貫通して、支持部材１１０上に引き出されてもよい。
　また、本実施形態では、積層方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１４０が第１バスバー１５１ａおよび第２バスバー１５２ａと重なる位置に設けられている例について説明したが、これに限定されない。例えば、積層方向Ｄ１１に平面視して、空洞部１４０は、第１バスバー１５１ａおよび第２バスバー１５２ａと重ならない位置に設けられていてもよい。
　以下、第２の実施形態の変形例について説明する。
＜変形例１＞
　図１６は、変形例１の弾性波装置１００Ａの概略平面図である。図１７は、変形例１の弾性波装置１００Ａを切断した図１５と同様の概略断面図である。
　図１６に示す変形例１では、バンプ１０３Ａ～１０３Ｃが同じ電位に接続されている。図１６において、配線部１０２のうち、バンプ１０３Ａ～１０３Ｃに接続され、バンプ１０３Ａ～１０３Ｃと同じ電位となる領域に点ハッチングを付して示している。変形例１では、弾性波素子１０１Ｂ～１０１Ｆの第１電極１５１（図１７に示す）が、配線部１０２のうちバンプ１０３～１０３Ｃと同じ電位の領域に電気的に接続されている。これにより、弾性波素子１０１Ｂ～１０１Ｆの第１電極１５１が互いに同じ電位に接続されている。
　図１７に示すように、弾性波素子１０１Ｂ～１０１Ｆの配線電極１６０Ａは、支持部材１１０上に引き出されている。一方で、弾性波素子１０１Ｂ～１０１Ｆにおいて、バンプ１０３Ａ～１０３Ｃと異なる電位に接続されている配線電極１６０Ｂは、支持部材１１０上に引き出されていない。すなわち、変形例１の配線電極１６０Ｂは延在部１６２（図１５に示す）を有していない。また、複数の弾性波素子１０１Ａ～１０１Ｏのうち、第１電極１５１および第２電極１５２のいずれもバンプ１０３Ａ～１０３Ｃと同じ電位に接続されていない弾性波素子１０１Ａ，１０１Ｇ～１０１Ｏの電極パターン１３０は、支持部材１１０上に引き出されていない。変形例１において、支持部材１１０上に引き出された配線電極１６０Ａと電気的に接続された第１電極１５１は、互いに同じ電位に接続されている。
　このような弾性波装置１００Ａおよび弾性波装置１００Ａの弾性波素子１０１においても、放熱性の向上を図ることができる。
　変形例１の弾性波装置１００Ａによれば、複数の弾性波素子１０１Ｂ～１０１Ｆの第１電極１５１に電気的に接続された配線電極１６０Ａが圧電層１２０を貫通して、支持部材１１０上に引き出されており、複数の弾性波素子１０１Ｂ～１０１Ｆの第１電極１５１は、互いに同じ電位に接続されている。これにより、絶縁抵抗の劣化を抑制することができる。仮に、互いに異なる電位に接続された複数の電極が支持基板１１１に電気的に接続される場合、これらの電極の間で支持基板１１１を介して電流が流れるため、弾性波装置１００Ａおよび弾性波素子１０１において絶縁抵抗が劣化する。これに対して、変形例１の弾性波装置１００Ａでは、支持基板１１１と電気的に接続された第１電極１５１が互いに同じ電位に接続されているので、支持部材１１０と電気的に接続された第１電極１５１間で電流が流れることがない。その結果、弾性波装置１００Ａおよび弾性波素子１０１において絶縁抵抗の劣化を抑制することができる。
＜変形例２＞
　図１８は、変形例２の弾性波装置１００Ｂを切断した図１５と同様の概略断面図である。
　図１８に示すように、変形例２の弾性波素子１０１では、電極パターン１３０と支持部材１１０との間には、絶縁体層１７０が設けられている。具体的には、配線電極１６０と、支持基板１１１との間には、絶縁体層１７０が設けられている。さらに具体的には、支持基板１１１上に引き出された配線電極１６０の延在部１６２と、支持基板１１１との間には、絶縁体層１７０が設けられている。絶縁体層１７０は、支持基板１１１と電極パターン１３０とを電気的に絶縁する。絶縁体層１７０は、例えば、ＳｉＯ２を含む。絶縁体層１７０は、接合層１１２と一体に設けられてもよい。配線電極１６０は、絶縁体層１７０を介して、支持基板１１１と熱的に接触している。また、絶縁体層１７０の厚みｔ１は、機能電極１５０の厚みｔ２よりも薄い。
　変形例２の弾性波装置１００Ｂおよび弾性波装置１００Ｂの弾性波素子１０１においても、放熱性の向上を図ることができる。
　変形例２の弾性波装置１００Ｂによれば、電極パターン１３０と支持部材１１０との間には、絶縁体層１７０が設けられている。これにより、弾性波装置１００Ｂおよび弾性波素子１０１において絶縁抵抗の劣化を抑制することができる。仮に、互いに異なる電位に接続された第１電極１５１および第２電極１５２の両方が支持基板１１１に電気的に接続される場合、第１電極１５１と第２電極１５２との間で支持基板１１１を介して電流が流れるため、弾性波素子１０１の絶縁抵抗が劣化する。これに対して、変形例２の弾性波素子１０１では、配線電極１６０Ａ，１６０Ｂと支持基板１１１との間に絶縁体層１７０が設けられており、第１電極１５１および第２電極１５２と支持基板１１１とが電気的に絶縁されている。このため、第１電極１５１と第２電極１５２との間で支持基板１１１を介して電流が流れることがない。その結果、弾性波素子１０１の絶縁抵抗の劣化を抑制することができる。
＜変形例３＞
　図１９は、変形例３の弾性波装置１００Ｃを切断した図１５と同様の概略断面図である。
　図１９に示すように、変形例３の弾性波素子１０１の中間層１１２には、音響反射層１８０が設けられている。変形例３では、中間層１１２が音響反射層１８０から構成されている。音響反射層１８０は、第１音響インピーダンス有する第１層１８１と、第１層１８１に積層され、第１音響インピーダンスよりも高い第２音響インピーダンスを有する第２層１８２とを含む。図１９に示す例では、第１層１８１と第２層１８２とが交互に積層されている。変形例３の音響反射層１８０は、本開示に係るエネルギー閉じ込め層の一例である。
　変形例３の弾性波装置１００Ｃおよび弾性波装置１００Ｃの弾性波素子１０１においても、放熱性の向上を図ることができる。
（他の実施形態）
　以上のように、本出願において開示する技術の例示として、上記実施形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施形態にも適用可能である。
（実施形態の概要）
　（１）本開示の弾性波素子は、支持部材と、前記支持部材に設けられた圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極パターンとを備え、前記電極パターンは、機能電極と配線電極とを含み、前記支持部材には、前記支持部材と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極と重なる位置にエネルギー閉じ込め層が設けられており、前記電極パターンは、前記圧電体層を貫通して、前記支持部材に引き出されている。
　（２）（１）の弾性波素子において、前記エネルギー閉じ込め層は、空洞部であってもよい。
　（３）（１）の弾性波素子において、前記エネルギー閉じ込め層は、音響反射層であってもよく、前記音響反射層は、第１音響インピーダンスを有する第１層と、前記第１層に積層され、前記第１音響インピーダンスよりも高い第２音響インピーダンスを有する第２層とを含んでもよい。
　（４）（１）から（３）のいずれかの弾性波素子において、前記電極パターンと前記支持部材との間には、絶縁体層が設けられていてもよい。
　（５）（４）の弾性波素子において、前記絶縁体層の厚みは、前記機能電極の厚みよりも薄くてもよい。
　（６）（１）から（５）のいずれかの弾性波素子において、前記配線電極は、前記圧電体層を貫通して、前記支持部材と接してもよい。
　（７）（１）から（６）のいずれかの弾性波素子において、前記支持部材は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた中間層とを含んでもよい。
　（８）（７）の弾性波素子において、前記エネルギー閉じ込め層は、前記中間層に設けられていてもよい。
　（９）（１）から（８）のいずれかの弾性波素子において、前記圧電体層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含んでもよい。
　（１０）（１）から（９）のいずれかの弾性波素子において、前記機能電極は、第１電極と、前記積層方向と交差する方向において前記第１電極と並んで配置され、前記第１電極が接続される電位と異なる電位に接続される第２電極とを有するＩＤＴ電極であってもよい。
　（１１）本開示の弾性波装置は、（１０）に記載の弾性波素子を複数備え、前記複数の弾性波素子の前記第１電極または前記第１電極に電気的に接続された前記配線電極が前記圧電体層を貫通して、前記支持部材上に引き出されており、前記複数の弾性波素子の前記第１電極は、互いに同じ電位に接続されている。
　（１２）（１０）の弾性波素子または（１１）の弾性波装置において、前記ＩＤＴ電極は、前記積層方向に交差する第１方向に延びる複数の第１電極指と、前記第１方向に直交する第２方向において前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第１方向に延びる複数の第２電極指とを有してもよく、前記圧電体層の膜厚をｄ、前記第１電極指と前記第２電極指との間の中心間距離をｐとする場合、ｄ／ｐが０．５以下であってもよい。
　（１３）（１０）の弾性波素子または（１１）の弾性波装置において、前記ＩＤＴ電極は、前記積層方向に交差する第１方向に延びる複数の第１電極指と、前記第１方向に直交する第２方向において前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第１方向に延びる複数の第２電極指とを有してもよく、前記圧電体層の膜厚をｄ、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指との隣り合う電極指同士の間の中心間距離をｐとする場合において、前記第２方向において、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが重なり合っている領域である励振領域の面積に対する、前記励振領域内の前記複数の第１電極指の面積と前記複数の第２電極指の面積との合計面積の割合であるメタライゼーション比をＭＲとする場合、ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たしてもよい。
　（１４）（９）または（９）を直接または間接的に引用する（１０）から（１３）の弾性波素子または弾性波装置において、前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にあってもよい。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　１００　弾性波装置
　１０１　弾性波素子
　１０２　配線部
　１０３　バンプ
　１１０　支持部材
　１１１　支持基板
　１１２　中間層（接合層）
　１２０　圧電層（圧電体層）
　１２１　メンブレン部
　１３０　電極パターン
　１４０　空洞部（エネルギー閉じ込め層）
　１５０　機能電極
　１５１　第１電極
　１５１ａ　第１バスバー
　１５１ｂ　第１電極指
　１５２　第２電極
　１５２ａ　第２バスバー
　１５２ｂ　第２電極指
　１６０　配線層
　１６１　基部
　１６２　延在部
　１７０　絶縁体層
　１８０　音響反射層（エネルギー閉じ込め層）
　１８１　第１層
　１８２　第２層

Claims (14)

  1. 　支持部材と、
    　前記支持部材に設けられた圧電体層と、
    　前記圧電体層に設けられた電極パターンと
    　を備え、
    　前記電極パターンは、機能電極と配線電極とを含み、
    　前記支持部材には、前記支持部材と前記圧電体層との積層方向において、前記機能電極と重なる位置にエネルギー閉じ込め層が設けられており、
    　前記電極パターンは、前記圧電体層を貫通して、前記支持部材に引き出されている、弾性波素子。
  2. 　前記エネルギー閉じ込め層は、空洞部である、請求項１に記載の弾性波素子。
  3. 　前記エネルギー閉じ込め層は、音響反射層であり、
    　前記音響反射層は、
    　　第１音響インピーダンスを有する第１層と、
    　　前記第１層に積層され、前記第１音響インピーダンスよりも高い第２音響インピーダンスを有する第２層と
    　を含む、請求項１に記載の弾性波素子。
  4. 　前記電極パターンと前記支持部材との間には、絶縁体層が設けられている、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  5. 　前記絶縁体層の厚みは、前記機能電極の厚みよりも薄い、請求項４に記載の弾性波素子。
  6. 　前記配線電極は、前記圧電体層を貫通して、前記支持部材と接している、請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  7. 　前記支持部材は、
    　　支持基板と、
    　　前記支持基板上に設けられた中間層と
    　を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  8. 　前記エネルギー閉じ込め層は、前記中間層に設けられている、請求項７に記載の弾性波素子。
  9. 　前記圧電体層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムである、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  10. 　前記機能電極は、第１電極と、前記積層方向と交差する方向において前記第１電極と並んで配置され、前記第１電極が接続される電位と異なる電位に接続される第２電極とを有するＩＤＴ電極である、請求項１から９のいずれか１項に記載の弾性波素子。
  11. 　請求項１０に記載の弾性波素子を複数備え、
    　前記複数の弾性波素子の前記第１電極または前記第１電極に電気的に接続された前記配線電極が前記圧電体層を貫通して、前記支持部材上に引き出されており、
    　前記複数の弾性波素子の前記第１電極は、互いに同じ電位に接続されている、弾性波装置。
  12. 　前記ＩＤＴ電極は、前記積層方向に交差する第１方向に延びる複数の第１電極指と、前記第１方向に直交する第２方向において前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第１方向に延びる複数の第２電極指とを有し、
    　前記圧電体層の膜厚をｄ、前記第１電極指と前記第２電極指との間の中心間距離をｐとする場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項１０に記載の弾性波素子。
  13. 　前記ＩＤＴ電極は、前記積層方向に交差する第１方向に延びる複数の第１電極指と、前記第１方向に直交する第２方向において前記複数の第１電極指のいずれかと対向し、前記第１方向に延びる複数の第２電極指とを有し、
    　前記圧電体層の膜厚をｄ、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指との隣り合う電極指同士の間の中心間距離をｐとする場合において、
    　前記第２方向において、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが重なり合っている領域である励振領域の面積に対する、前記励振領域内の前記複数の第１電極指の面積と前記複数の第２電極指の面積との合計面積の割合であるメタライゼーション比をＭＲとする場合、ＭＲが以下の式を満たす、請求項１０に記載の弾性波素子。
    　ＭＲ≦１．７５×（ｄ／ｐ）＋０．０７５
  14. 　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項９に記載の弾性波素子。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
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