WO2023204250A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2023204250A1
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electrode
wave device
elastic wave
piezoelectric layer
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Inventor
淳司 山内
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • Patent Document 1 discloses a support in which a cavity is formed, a piezoelectric substrate provided on the support so as to overlap with the cavity, and a piezoelectric substrate provided on the piezoelectric substrate so as to overlap with the cavity.
  • An acoustic wave device is provided with an IDT (Interdigital Transducer) electrode provided, and a plate wave is excited by the IDT electrode, wherein an edge of the cavity portion is provided with a plate wave excited by the IDT electrode.
  • An elastic wave device is disclosed that does not include a straight portion extending parallel to the propagation direction of the wave.
  • the thermal stress applied to the piezoelectric layer of the resonator section, where functional electrodes such as IDT electrodes are provided, is large, and this may cause cracks to occur in the piezoelectric layer of the resonator section or deteriorate the temperature characteristics. was there.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of the process of forming a sacrificial layer on a piezoelectric substrate.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of the process of forming the intermediate layer.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing an example of the process of joining the support substrate to the intermediate layer.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing an example of the process of thinning the piezoelectric substrate.
  • FIG. 20 is a plan view of another example of an elastic wave device that utilizes thickness-shear mode bulk waves.
  • FIG. 21 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG. 12.
  • FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the fractional band and the amount of phase rotation of spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of spurious when a large number of elastic wave resonators are configured according to the present embodiment. It is.
  • FIG. 23 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • FIG. 24 is a diagram showing a map of fractional bands with respect to Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is brought as close to 0 as possible.
  • FIG. 25 is a partially cutaway perspective view for explaining an example of an elastic wave device that uses Lamb waves.
  • the elastic wave device 10 shown in FIG. 1 includes a support member 20, a piezoelectric layer 21, and a functional electrode 22.
  • the piezoelectric layer 21 is provided on one main surface of the support member 20 so as to cover the cavity 23.
  • the functional electrode 22 is provided so that at least a portion thereof overlaps with the cavity 23 when viewed from the thickness direction of the piezoelectric layer 21 (vertical direction in FIG. 1).
  • the functional electrode 22 may be provided so that the entirety thereof overlaps with the cavity 23, or a part of the functional electrode 22 may be provided so as to overlap with the cavity 23. .
  • the portion of the piezoelectric layer located in the region overlapping with the cavity when viewed from the thickness direction is also referred to as a "membrane portion.”
  • the stress applied to the membrane part 21M when lithium niobate (LN) or lithium tantalate (LT) is used as the material of the piezoelectric layer 21 and crystal is used as the material of the support member 20 is calculated using Femtet (manufactured by Murata Software Co., Ltd.). ) was calculated using a simulation calculation.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of the process of forming a sacrificial layer on a piezoelectric substrate.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of the process of forming the intermediate layer.
  • the surface of the intermediate layer 32 is planarized.
  • a support substrate 31 made of crystal is bonded to the intermediate layer 32. Thereby, the support member 20 is formed.
  • a functional electrode 22 and a wiring electrode 24 are formed on one main surface of the piezoelectric layer 21.
  • the functional electrode 22 and the wiring electrode 24 can be formed by, for example, a lift-off method.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of, for example, LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 is, for example, a Z cut, but may also be a rotational Y cut or an X cut.
  • the propagation directions of Y propagation and X propagation are ⁇ 30°.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but in order to effectively excite the thickness shear mode, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b that face each other.
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to strictly orthogonal, but approximately orthogonal (for example, the angle between the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is 90° ⁇ 10°) But that's fine.
  • a support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an intermediate layer (also called a bonding layer) 7 interposed therebetween.
  • the intermediate layer 7 and the support substrate 8 have a frame-like shape, and have openings 7a and 8a, as shown in FIG. Thereby, a cavity 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to hinder the vibration of the excitation region C (see FIG. 13) of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support substrate 8 is laminated on the second main surface 2b with the intermediate layer 7 interposed therebetween at a position that does not overlap with the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the intermediate layer 7 may not be provided. Therefore, the support substrate 8 can be laminated directly or indirectly on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • d/p is preferably 0.5 or less, More preferably it is 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 20 is a plan view of another example of an elastic wave device that utilizes bulk waves in thickness-shear mode.
  • FIG. 21 is a reference diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device shown in FIG. 12.
  • a spurious signal indicated by arrow B appears between the resonant frequency and the anti-resonant frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • MR may be the ratio of the metallized portion included in all the excitation regions to the total area of the excitation regions.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more will affect the pass band even if the parameters constituting the fractional band are changed. Appear within. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 21, a large spurious signal indicated by arrow B appears within the band. Therefore, it is preferable that the fractional band is 17% or less. In this case, by adjusting the thickness of the piezoelectric layer 2, the dimensions of the electrodes 3 and 4, etc., the spurious can be reduced.
  • FIG. 23 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional band.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed and the fractional bands were measured.

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Abstract

弾性波装置１０は、一方主面に空洞部２３を有する支持部材２０と、空洞部２３を覆うように支持部材２０の上記一方主面に設けられた圧電層２１と、圧電層２１の少なくとも一方の主面に設けられ、圧電層２１の厚み方向から見て、少なくとも一部が空洞部２３と重なるように設けられた機能電極２２と、を備える。支持部材２０は、水晶からなる支持基板３１を含む。上記水晶の方位角（φ，θ，ψ）が、（任意のφ，－６０°～－１２０°又は６０°～１２０°，任意のψ）の範囲にある。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　特許文献１には、空洞部が形成された支持体と、上記支持体の上に上記空洞部と重なるように設けられている圧電基板と、上記圧電基板の上に上記空洞部と重なるように設けられているＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極と、を備え、上記ＩＤＴ電極により板波が励振される弾性波装置であって、上記空洞部の端縁部は、上記ＩＤＴ電極により励振される板波の伝搬方向と平行に延びる直線部を含まない、弾性波装置が開示されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　特許文献１に記載されているような弾性波装置では、圧電層の材料としてニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウム、支持部材の材料としてシリコン（Ｓｉ）が用いられるのが一般的である。
　しかしながら、ＩＤＴ電極等の機能電極が設けられている共振子部の圧電層にかかる熱応力が大きく、これにより、共振子部の圧電層にクラックが発生したり、温度特性が悪化したりするおそれがあった。
　本発明は、共振子部に発生するクラックを抑制し、また、温度特性を向上させることが可能な弾性波装置を提供することを目的とする。
　本発明の弾性波装置は、一方主面に空洞部を有する支持部材と、上記空洞部を覆うように上記支持部材の上記一方主面に設けられた圧電層と、上記圧電層の少なくとも一方の主面に設けられ、上記圧電層の厚み方向から見て、少なくとも一部が上記空洞部と重なるように設けられた機能電極と、を備える。上記支持部材は、水晶からなる支持基板を含む。上記水晶の方位角（φ，θ，ψ）が、（任意のφ，－６０°～－１２０°又は６０°～１２０°，任意のψ）の範囲にある。
　本発明によれば、共振子部に発生するクラックを抑制し、また、温度特性を向上させることが可能な弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の弾性波装置の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、シミュレーション計算に用いた模式図の一例である。 図３Ａ及び図３Ｂは、方位角（φ，θ，ψ）＝（０°，０°，９０°）であるＺカットのニオブ酸リチウム（ＬＮ）を用い、水晶の方位角（φ，θ，ψ）＝（９０°，９０°，０°）をベースに、θ及びφを変化させたときのメンブレン部にかかる応力（最小主応力）の平均値を示すグラフである。 図４Ａ及び図４Ｂは、カット角が４２°Ｙのタンタル酸リチウム（ＬＴ）を用い、水晶の方位角（φ，θ，ψ）＝（９０°，９０°，０°）をベースに、θ及びφを変化させたときのメンブレン部にかかる応力（最小主応力）の平均値を示すグラフである。 図５は、圧電基板上に犠牲層を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６は、中間層を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。 図７は、中間層に支持基板を接合する工程の一例を模式的に示す断面図である。 図８は、圧電基板を薄化する工程の一例を模式的に示す断面図である。 図９は、機能電極及び配線電極を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。 図１０は、貫通孔を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。 図１１は、犠牲層を除去する工程の一例を模式的に示す断面図である。 図１２は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の一例の外観を示す略図的斜視図である。 図１３は、図１２に示す弾性波装置の圧電層上の電極構造を示す平面図である。 図１４は、図１２中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。 図１５は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。 図１６は、弾性波装置の圧電層を伝播する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。 図１７は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。 図１８は、図１２に示す弾性波装置の共振特性の一例を示す図である。 図１９は、隣り合う電極の中心間距離をｐ、圧電層の厚みをｄとした場合のｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。 図２０は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の別の一例の平面図である。 図２１は、図１２に示す弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。 図２２は、本実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。 図２３は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。 図２４は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。 図２５は、ラム波を利用する弾性波装置の一例を説明するための部分切り欠き斜視図である。
　以下、本発明の弾性波装置について説明する。
　本発明の弾性波装置は、第１、第２及び第３の態様において、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムからなる圧電層と、圧電層の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極及び第２電極とを備える。
　第１の態様では、厚み滑り１次モード等の厚み滑りモードのバルク波が利用されている。また、第２の態様では、第１電極及び前記第２電極は隣り合う電極同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極及び第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。それによって、第１及び第２の態様では、小型化を進めた場合であっても、Ｑ値を高めることができる。
　また、第３の態様では、板波としてのラム波が利用される。そして、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　以下に示す図面は模式的なものであり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品とは異なる場合がある。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である。また、各実施形態を特に区別しない場合、単に「本発明の弾性波装置」という。
　図１は、本発明の弾性波装置の一例を模式的に示す断面図である。
　図１に示す弾性波装置１０は、支持部材２０と、圧電層２１と、機能電極２２と、を備える。
　支持部材２０は、空洞部２３を一方主面（図１では上側の主面）に有する。
　圧電層２１は、空洞部２３を覆うように支持部材２０の一方主面に設けられている。
　圧電層２１は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯｘ）又はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯｘ）からなる。その場合、圧電層２１は、ＬｉＮｂＯ３又はＬｉＴａＯ３から構成されてもよい。
　機能電極２２は、圧電層２１の少なくとも一方の主面に設けられている。図１に示す例では、圧電層２１の一方の主面（図１では上側の主面）に機能電極２２が設けられている。
　機能電極２２は、圧電層２１の厚み方向（図１では上下方向）から見て、少なくとも一部が空洞部２３と重なるように設けられている。圧電層２１の厚み方向から見て、機能電極２２の全部が空洞部２３と重なるように設けられていてもよく、機能電極２２の一部が空洞部２３と重なるように設けられていてもよい。
　なお、空洞部２３はエネルギー閉じ込め層の一例であり、他の一例として音響反射層であってもよい。音響反射層は、第１音響インピーダンスを有する第１層と、第１層に積層され、第１音響インピーダンスよりも高い第２音響インピーダンスを有する第２層と、含む。音響反射層では、第１層と第２層とが交互に積層されることが好ましい。
　機能電極２２は、例えば、圧電層２１の一方の主面に設けられたＩＤＴ電極である。なお、機能電極２２には、２層配線等の配線電極２４が接続されている。
　支持部材２０は、水晶からなる支持基板３１を含む。
　支持部材２０は、支持基板３１と圧電層２１との間に設けられた中間層（誘電層、絶縁層、接合層ともいう）３２を更に含むことが好ましい。このように、支持部材２０は、圧電層２１が設けられた一方主面に中間層３２を有してもよい。
　中間層３２は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）からなる。
　空洞部２３は、支持部材２０を厚み方向（図１では上下方向）に貫通してもよく、貫通しなくてもよい。例えば、中間層３２を厚み方向に貫通するように空洞部２３が設けられていてもよく、中間層３２を厚み方向に貫通しないように空洞部２３が設けられていてもよい。
　弾性波装置１０では、水晶の方位角（φ，θ，ψ）が、（任意のφ，－６０°～－１２０°又は６０°～１２０°，任意のψ）の範囲にあることを特徴としている。好ましくは、水晶の方位角（φ，θ，ψ）が、（任意のφ，－８０°～－１００°又は８０°～１００°，任意のψ）の範囲にある。
　例えば、支持基板３１の材料として一般的なＳｉの線膨張係数α１１は３．３５×１０－６／℃であり、圧電層２１の材料として用いられるＬｉＮｂＯ３の線膨張係数α１１（１．５４×１０－５／℃）又はＬｉＴａＯ３の線膨張係数α１１（１．６１×１０－５／℃）に比べて非常に小さい。このように、支持部材２０におけるＳｉの線膨張係数が圧電層２１におけるＬｉＮｂＯ３又はＬｉＮｂＯ３の線膨張係数と大きく異なることにより、熱応力が大きくなる。
　一方、水晶の線膨張係数α１１は、７．４８×１０－６／℃であるため、Ｓｉの線膨張係数α１１の２倍以上の値である。また、水晶の線膨張係数α３３は、１．３７４×１０－５／℃であり、ＬｉＮｂＯ３の線膨張係数α３３（７．５×１０－６／℃）又はＬｉＴａＯ３の線膨張係数α３３（４．１×１０－６／℃）により近い値となる。
　水晶の線膨張係数は、カット角（方位角）によって変化するため、本発明者は、支持部材２０の材料として水晶を用い、水晶の方位角を所定の範囲とすることにより、図１に示すメンブレン部２１Ｍにかかる熱応力が小さくなることを見出した。メンブレン部２１Ｍにかかる熱応力が小さくなることにより、メンブレン部２１Ｍに発生するクラックを抑制し、また、温度特性を向上させることができると考えられる。
　本明細書では、厚み方向から見て空洞部と重なる領域に位置する圧電層の部分を「メンブレン部」とも称する。
　以下、圧電層２１の材料としてニオブ酸リチウム（ＬＮ）又はタンタル酸リチウム（ＬＴ）を用い、支持部材２０の材料として水晶を用いた場合のメンブレン部２１Ｍにかかる応力を、Ｆｅｍｔｅｔ（ムラタソフトウェア社製）を用いたシミュレーション計算により算出した。
　図２は、シミュレーション計算に用いた模式図の一例である。
　具体的には、メンブレン部の中央部かつ圧電層の厚みの中心の最小応力（引張応力）を算出した。
　水晶のカット角（方位角）により、線膨張係数が変化するため、方位角を変化させたときの、応力の傾向を確認した。
　圧電層（ＬＮ又はＬＴ）の結晶軸を（Ｘｐ，Ｙｐ，Ｚｐ）、方位角を（φｐ，θｐ，ψｐ）とし、水晶の結晶軸を（Ｘ，Ｙ，Ｚ）、方位角を（φ，θ，ψ）とした。
　上記シミュレーション計算において、圧電層と水晶とは、（φｐ，θｐ，ψｐ）が（０°，０°，０°）であり、（φ，θ，ψ）が（０°，０°，０°）であるときに、（Ｘｐ，Ｙｐ，Ｚｐ）と（Ｘ，Ｙ，Ｚ）とが一致するように積層されている。
　図３Ａ及び図３Ｂは、方位角（φ，θ，ψ）＝（０°，０°，９０°）であるＺカットのニオブ酸リチウム（ＬＮ）を用い、水晶の方位角（φ，θ，ψ）＝（９０°，９０°，０°）をベースに、θ及びφを変化させたときのメンブレン部にかかる応力（最小主応力）の平均値を示すグラフである。図３Ａ及び図３Ｂには、比較のために、支持部材がＳｉである場合の応力を合わせて示す。
　支持部材を水晶とすることにより、Ｓｉの場合よりも応力が小さいことが確認できる。
　６０°≦θ≦１２０°のとき、応力の値がより小さくなり、θ＝９０°のとき、応力の値が最も小さくなることが確認できる。これは、６０°≦θ≦１２０°のとき、水晶の線膨張係数がＬＮにより近くなることによるものと考えられる。
　これに対して、φを変化させても、応力の値は変化しないため、φは応力にほぼ影響しないことがわかる。
　図４Ａ及び図４Ｂは、カット角が４２°Ｙのタンタル酸リチウム（ＬＴ）を用い、水晶の方位角（φ，θ，ψ）＝（９０°，９０°，０°）をベースに、θ及びφを変化させたときのメンブレン部にかかる応力（最小主応力）の平均値を示すグラフである。図４Ａ及び図４Ｂには、比較のために、支持部材がＳｉである場合の応力を合わせて示す。
　圧電層の材料としてＬＴを用いた場合にも、支持部材を水晶とすることにより、Ｓｉの場合よりも応力が小さいことが確認できる。
　ＬＴの場合にも、６０°≦θ≦１２０°のとき、応力の値がより小さくなり、θ＝９０°のとき、応力の値が最も小さくなることが確認できる。
　以上より、圧電層がニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムからなる場合には、水晶の方位角において、６０°≦θ≦１２０°のとき、応力の値がより小さくなることが確認できる。
　また、水晶の結晶の対称性より、（φ，θ，ψ）＝（φ±π，－θ，ψ±π）という等価な方位が存在するため、水晶の方位角のθが、－６０°≦θ≦－１２０°の場合にも、６０°≦θ≦１２０°の場合と同様に、応力の値が小さくなる。
　したがって、水晶の方位角（φ，θ，ψ）が、（任意のφ，－６０°～－１２０°又は６０°～１２０°，任意のψ）の範囲にある場合に、メンブレン部にかかる熱応力が小さくなり、これにより、メンブレン部に発生するクラックを抑制し、また、温度特性を向上させることができると考えられる。
　θとして好ましくは－８０°～－１００°又は８０°～１００°である。したがって、水晶の方位角（φ，θ，ψ）が、（任意のφ，－８０°～－１００°又は８０°～１００°，任意のψ）の範囲にあることが好ましい。
　本発明の弾性波装置は、例えば、以下の方法により製造される。
　図５は、圧電基板上に犠牲層を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。
　図５に示すように、圧電基板４１上に犠牲層５０を形成する。
　圧電基板４１としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３又はＬｉＴａＯ３等からなる基板が用いられる。
　犠牲層５０の材料としては、後述するエッチングにより除去され得る適宜の材料が用いられる。例えば、ＺｎＯ等が用いられる。
　犠牲層５０は、例えば、以下の方法により形成することができる。まず、スパッタリング法によりＺｎＯ膜を形成する。その後、レジスト塗布、露光及び現像をこの順に行う。次に、ウェットエッチングを行うことにより、犠牲層５０のパターンを形成する。なお、犠牲層５０は、他の方法により形成されてもよい。
　図６は、中間層を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。
　図６に示すように、必要に応じて、犠牲層５０を覆うように中間層３２を形成した後、中間層３２の表面を平坦化する。
　中間層３２として、例えば、ＳｉＯ２膜等が形成される。中間層３２は、例えば、スパッタリング法等により形成することができる。中間層３２の平坦化は、例えば、化学的機械研磨（ＣＭＰ）等により行うことができる。
　図７は、中間層に支持基板を接合する工程の一例を模式的に示す断面図である。
　図７に示すように、水晶からなる支持基板３１を中間層３２に接合する。これにより、支持部材２０が形成される。
　図８は、圧電基板を薄化する工程の一例を模式的に示す断面図である。
　図８に示すように、圧電基板４１を薄化する。これにより、圧電層２１が形成される。圧電基板４１の薄化は、例えば、スマートカット法、研磨等により行うことができる。
　図９は、機能電極及び配線電極を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。
　図９に示すように、圧電層２１の一方主面上に、機能電極２２及び配線電極２４を形成する。機能電極２２及び配線電極２４は、例えば、リフトオフ法等により形成することができる。
　図１０は、貫通孔を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。
　図１０に示すように、圧電層２１に貫通孔５１を形成する。貫通孔５１は、犠牲層５０に至るように形成される。貫通孔５１は、例えば、ドライエッチング法等により形成することができる。貫通孔５１は、エッチングホールとして利用される。
　図１１は、犠牲層を除去する工程の一例を模式的に示す断面図である。
　図１１に示すように、貫通孔５１を利用して、犠牲層５０を除去する。犠牲層５０の材料がＺｎＯである場合、例えば、酢酸、リン酸及び水の混合溶液（酢酸：リン酸：水＝１：１：１０）を用いたウェットエッチングにより犠牲層５０を除去することができる。
　犠牲層５０が除去されることで、支持部材２０に空洞部２３が形成される。
　以上により、弾性波装置１０が得られる。
　なお、本発明の弾性波装置を製造する方法は、犠牲層を用いる方法に限定されず、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
　以下において、支持基板の材料が水晶に限定されない弾性波装置を例として用いて、厚み滑りモード及び板波を利用する弾性波装置の詳細を説明する。なお、以下においては、機能電極がＩＤＴ電極である場合の例を用いて説明する。
　図１２は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の一例の外観を示す略図的斜視図である。図１３は、図１２に示す弾性波装置の圧電層上の電極構造を示す平面図である。図１４は、図１２中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、例えば、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３又はＬｉＴａＯ３のカット角は、例えばＺカットであるが、回転Ｙカット又はＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑りモードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。圧電層２は、対向し合う第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する。圧電層２の第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１２及び図１３では、複数の電極３が、第１のバスバー電極５に接続されている複数の第１の電極指である。複数の電極４は、第２のバスバー電極６に接続されている複数の第２の電極指である。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。これら複数の電極３、電極４、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６によりＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が構成されている。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。また、電極３，４の長さ方向が図１２及び図１３に示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１２及び図１３において、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、図１２及び図１３において電極３，４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極又はグランド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対又は２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。さらに、電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３，４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３，４の中心間距離は、１．５対以上の電極３，４のうち隣り合う電極３，４それぞれの中心間距離の平均値を指す。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。
　本実施形態において、Ｚカットの圧電層を用いる場合、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、中間層（接合層とも呼ばれる）７を介して支持基板８が積層されている。中間層７及び支持基板８は、枠状の形状を有し、図１４に示すように、開口部７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃ（図１３参照）の振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持基板８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、中間層７は設けられずともよい。従って、支持基板８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　中間層７は、例えば、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持基板８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）又は（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持基板８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持基板８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３、電極４、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、電極３、電極４、第１のバスバー電極５及び第２のバスバー電極６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー電極５と第２のバスバー電極６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑りモードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑りモードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。なお、本実施形態のように電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３，４を１対の電極組とした場合に電極３，４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３，４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離となる。
　本実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑りモードのバルク波を利用していることによる。従来の弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑りモードのバルク波の相違を、図１５及び図１６を参照して説明する。
　図１５は、弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。図１５に示すように、特許文献１（日本公開特許公報　特開２０１２－２５７０１９号公報）に記載のような弾性波装置では、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図１５に示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図１６は、弾性波装置の圧電層を伝播する厚み滑りモードのバルク波を説明するための模式的正面断面図である。図１６に示すように、本実施形態の弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　図１７は、厚み滑りモードのバルク波の振幅方向を示す図である。厚み滑りモードのバルク波の振幅方向は、図１７に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図１７では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグランド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグランド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。本実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグランド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図１８は、図１２に示す弾性波装置の共振特性の一例を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持基板８：Ｓｉ基板。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　弾性波装置１では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図１８から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、本実施形態では、好ましくはｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図１９を参照して説明する。
　図１８に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図１９は、隣り合う電極の中心間距離をｐ、圧電層の厚みをｄとした場合のｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図１９から明らかなように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑りモードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、前述したように、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３，４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層の厚みｄについては、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図２０は、厚み滑りモードのバルク波を利用する弾性波装置の別の一例の平面図である。
　弾性波装置６１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図２０中のＫが交差幅となる。前述したように、本実施形態の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑りモードのバルク波を効果的に励振することができる。
　本実施形態の弾性波装置では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域に対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。これを、図２１及び図２２を参照して説明する。
　図２１は、図１２に示す弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１３を参照して説明する。図１３の電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線Ｃで囲まれた部分が励振領域となる。この励振領域とは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域の面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域の面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図２２は、本実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図２２は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図２２中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図２２から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図２１に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図２３は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。
　図２３の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図２３中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図２４は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。
　図２４のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができるため好ましい。
　図２５は、ラム波を利用する弾性波装置の一例を説明するための部分切り欠き斜視図である。
　弾性波装置８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図２５において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１のバスバー電極８４ａと、第２のバスバー電極８４ｂと、複数本の第１の電極指としての電極８４ｃと、複数本の第２の電極指としての電極８４ｄとを有する。複数本の電極８４ｃは、第１のバスバー電極８４ａに接続されている。複数本の電極８４ｄは、第２のバスバー電極８４ｂに接続されている。複数本の電極８４ｃと、複数本の電極８４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器８５，８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　このように、本発明の弾性波装置は、ラム波等の板波を利用するものであってもよい。
　１　弾性波装置
　２　圧電層
　２ａ　圧電層の第１の主面
　２ｂ　圧電層の第２の主面
　３　第１電極
　４　第２電極
　５　第１のバスバー電極
　６　第２のバスバー電極
　７　中間層
　７ａ　開口部
　８　支持基板
　８ａ　開口部
　９　空洞部
　１０　弾性波装置
　２０　支持部材
　２１　圧電層
　２１Ｍ　メンブレン部
　２２　機能電極
　２３　空洞部
　２４　配線電極
　３１　支持基板
　３２　中間層
　４１　圧電基板
　５０　犠牲層
　５１　貫通孔
　６１　弾性波装置
　８１　弾性波装置
　８２　支持基板
　８３　圧電層
　８４　ＩＤＴ電極
　８４ａ　第１のバスバー電極
　８４ｂ　第２のバスバー電極
　８４ｃ　第１電極（第１電極指）
　８４ｄ　第２電極（第２電極指）
　８５、８６　反射器
　２０１　圧電膜
　２０１ａ　圧電膜の第１の主面
　２０１ｂ　圧電膜の第２の主面
　４５１　第１領域
　４５２　第２領域
　Ｃ　励振領域
　ＶＰ１　仮想平面

Claims (14)

  1. 　一方主面に空洞部を有する支持部材と、
    　前記空洞部を覆うように前記支持部材の前記一方主面に設けられた圧電層と、
    　前記圧電層の少なくとも一方の主面に設けられ、前記圧電層の厚み方向から見て、少なくとも一部が前記空洞部と重なるように設けられた機能電極と、
    を備え、
    　前記支持部材は、水晶からなる支持基板を含み、
    　前記水晶の方位角（φ，θ，ψ）が、（任意のφ，－６０°～－１２０°又は６０°～１２０°，任意のψ）の範囲にある、
    　弾性波装置。
  2. 前記水晶の方位角（φ，θ，ψ）が、（任意のφ，－８０°～－１００°又は８０°～１００°，任意のψ）の範囲にある、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記支持部材は、前記支持基板と前記圧電層との間に設けられた中間層を更に含む、
    　請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記中間層は、酸化ケイ素を含む、
    請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記圧電層は、ニオブ酸リチウムからなる、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記圧電層は、タンタル酸リチウムからなる、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記機能電極は、１以上の第１電極と、前記１以上の第１電極が接続された第１のバスバー電極と、１以上の第２電極と、前記１以上の第２電極が接続された第２のバスバー電極と、を有する、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記圧電層の厚みは、前記１以上の第１電極と前記１以上の第２電極のうち、隣り合う第１電極と第２電極との間の中心間距離をｐとした場合に２ｐ以下である、
    　請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記圧電層の厚みをｄ、前記１以上の第１電極と前記１以上の第２電極のうち、隣り合う第１電極と第２電極との間の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐ≦０．５である、
    　請求項７に記載の弾性波装置。
  11. 　ｄ／ｐ≦０．２４である、
    　請求項１０に記載の弾性波装置。
  12. 　前記１以上の第１電極と前記１以上の第２電極のうち、隣り合う第１電極と第２電極とが対向している方向に視たときに重なっている励振領域の面積に対する、前記隣り合う第１電極と第２電極との面積の割合であるメタライゼーション比をＭＲ、前記圧電層の厚みをｄ、前記隣り合う第１電極と第２電極との中心間距離をｐとした場合、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である、
    　請求項７～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５である、
    　請求項１２に記載の弾性波装置。
  14. 　前記ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）又は式（３）の範囲にある、
    　請求項５～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
     
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