WO2023140362A1 - 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 - Google Patents

弾性波装置および弾性波装置の製造方法 Download PDF

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WO2023140362A1
WO2023140362A1 PCT/JP2023/001755 JP2023001755W WO2023140362A1 WO 2023140362 A1 WO2023140362 A1 WO 2023140362A1 JP 2023001755 W JP2023001755 W JP 2023001755W WO 2023140362 A1 WO2023140362 A1 WO 2023140362A1
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WO
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wave device
elastic wave
piezoelectric layer
electrode
electrodes
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Application number
PCT/JP2023/001755
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English (en)
French (fr)
Inventor
毅 山根
和則 井上
直弘 野竹
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave device including a piezoelectric layer (piezoelectric layer) and a method of manufacturing the elastic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an elastic wave device that uses plate waves.
  • An acoustic wave device described in Patent Document 1 includes a support, a piezoelectric substrate, and an IDT electrode.
  • the support is provided with a cavity.
  • a piezoelectric substrate is provided on the support so as to overlap the cavity.
  • the IDT electrode is provided on the piezoelectric substrate so as to overlap the cavity.
  • plate waves are excited by IDT electrodes.
  • the edge of the cavity does not include a straight portion extending parallel to the propagation direction of the Lamb waves excited by the IDT electrodes.
  • An object of the present disclosure is to provide an elastic wave device and a method of manufacturing an elastic wave device that can suppress the occurrence of cracks in the intermediate layer of the support while reducing the manufacturing cost.
  • An elastic wave device includes: a support substrate including a support member and an intermediate layer provided on the support member; a piezoelectric layer provided on the intermediate layer; a functional electrode provided on the piezoelectric layer, The piezoelectric layer is having a through hole penetrating the piezoelectric layer in a stacking direction of the supporting member, the intermediate layer, and the piezoelectric layer;
  • the support substrate is a cavity provided at a position overlapping with a part of the functional electrode in the stacking direction;
  • a concave portion is provided at a position that at least partially overlaps with the through hole in the stacking direction of the hollow portion and is recessed in a direction away from the piezoelectric layer.
  • a method for manufacturing an elastic wave device includes: a support substrate including a support member and an intermediate layer provided on the support member; a piezoelectric layer provided on the intermediate layer; and a functional electrode provided on the piezoelectric layer;
  • a method for manufacturing an acoustic wave device comprising: a recess provided at a position and recessed in a direction away from the piezoelectric layer from the cavity, the method comprising: When forming the through hole, the sacrificial layer surrounded by the piezoelectric layer and the support substrate is penetrated in the stacking direction, The sacrificial layer is removed through the through hole to form the cavity.
  • an elastic wave device and a method for manufacturing an elastic wave device that can suppress the occurrence of cracks in the intermediate layer of the support while suppressing the manufacturing cost.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing the appearance of elastic wave devices of first and second aspects
  • FIG. FIG. 4 is a plan view showing an electrode structure on the piezoelectric layer; Sectional drawing of the part which follows the AA line in FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of a conventional elastic wave device.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view for explaining waves of the elastic wave device of the present disclosure;
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a bulk wave when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode so that the potential of the second electrode is higher than that of the first electrode.
  • FIG. 3 is a diagram showing resonance characteristics of an elastic wave device according to an embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between d/2p and the fractional bandwidth as a resonator of an acoustic wave device; The top view of another elastic wave device concerning one embodiment of this indication.
  • FIG. 2 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of an elastic wave device;
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious when a large number of acoustic wave resonators are configured; 4 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth;
  • FIG. 4 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0;
  • 1 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device according to an embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of an elastic wave device according to an embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 14 is a first diagram for explaining an example of a method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a second diagram for explaining an example of a method for manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a third diagram for explaining an example of a method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a fourth diagram for explaining an example of a method of manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 14 is a fifth diagram for explaining an example of a method for manufacturing the elastic wave device of FIG. 13;
  • FIG. 4 is a partial cross-sectional view of an elastic wave device that does not have recesses;
  • the elastic wave devices of the first, second, and third aspects of the present disclosure include, for example, a piezoelectric layer made of lithium niobate or lithium tantalate, and a first electrode and a second electrode that face each other in a direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer.
  • the first electrode and the second electrode are adjacent electrodes, and d/p is 0.5 or less, where d is the thickness of the piezoelectric layer and p is the center-to-center distance between the first electrode and the second electrode.
  • Lamb waves are used as plate waves. Then, resonance characteristics due to the Lamb wave can be obtained.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric layer made of lithium niobate or lithium tantalate, and an upper electrode and a lower electrode facing each other in the thickness direction of the piezoelectric layer with the piezoelectric layer interposed therebetween, and utilizes bulk waves.
  • FIG. 1A is a schematic perspective view showing the appearance of an elastic wave device according to one embodiment of the first and second aspects
  • FIG. 1B is a plan view showing an electrode structure on a piezoelectric layer
  • FIG. 2 is a cross-sectional view along line AA in FIG. 1A.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may consist of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut in this embodiment, but may be rotational Y-cut or X-cut.
  • the Y-propagation and X-propagation ⁇ 30° propagation orientations are preferred.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, it is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness-shear primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has first and second main surfaces 2a and 2b facing each other. Electrodes 3 and 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of the "first electrode” and the electrode 4 is an example of the "second electrode”.
  • the multiple electrodes 3 are multiple first electrode fingers connected to a first busbar 5 .
  • the multiple electrodes 4 are multiple second electrode fingers connected to the second bus bar 6 .
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other.
  • the electrodes 3 and 4 have a rectangular shape and a length direction.
  • the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in a direction perpendicular to the length direction.
  • These electrodes 3 and 4, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 constitute an IDT (Interdigital Transducer) electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • Both the length direction of the electrodes 3 and 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 are directions crossing the thickness direction of the piezoelectric layer 2 . Therefore, it can be said that the electrode 3 and the adjacent electrode 4 face each other in the direction intersecting the thickness direction of the piezoelectric layer 2 .
  • the length direction of the electrodes 3 and 4 may be interchanged with the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrodes 3 and 4 may extend in the direction in which the first busbar 5 and the second busbar 6 extend. In that case, the first busbar 5 and the second busbar 6 extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B.
  • a plurality of pairs of adjacent electrodes 3 connected to one potential and electrodes 4 connected to the other potential are provided in a direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 .
  • the electrodes 3 and 4 are adjacent to each other, not when the electrodes 3 and 4 are arranged so as to be in direct contact, but when the electrodes 3 and 4 are arranged with a gap therebetween.
  • the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, no electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrodes 3 and 4, is arranged between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the logarithms need not be integer pairs, but may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the center-to-center distance or pitch between the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 is the distance connecting the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode 3 and the center of the width dimension of the electrode 4 in the direction perpendicular to the length direction of the electrode 4.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 refers to the average value of the center-to-center distances of the adjacent electrodes 3 and 4 among the 1.5 or more pairs of electrodes 3 and 4.
  • the width of the electrodes 3 and 4, that is, the dimension in the facing direction of the electrodes 3 and 4 is preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrodes 3 and 4 is the distance between the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4.
  • the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric layer 2 .
  • “perpendicular” is not limited to being strictly perpendicular, but may be substantially perpendicular (the angle between the direction perpendicular to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is, for example, 90° ⁇ 10°).
  • a supporting member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 with an insulating layer 7 interposed therebetween.
  • the insulating layer 7 and the support member 8 have a frame shape and, as shown in FIG. 2, have openings 7a and 8a.
  • a cavity 9 is thereby formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to disturb the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2 . Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b with the insulating layer 7 interposed therebetween at a position not overlapping the portion where at least one pair of electrodes 3 and 4 are provided. Note that the insulating layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 can be directly or indirectly laminated to the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 .
  • the insulating layer 7 is made of silicon oxide. However, in addition to silicon oxide, suitable insulating materials such as silicon oxynitride and alumina can be used.
  • the support member 8 is made of Si. The plane orientation of the surface of Si on the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111). Preferably, high-resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable. However, the supporting member 8 can also be constructed using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • Examples of materials for the support member 8 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz crystal; various ceramics such as alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite; dielectrics such as diamond and glass; and semiconductors such as gallium nitride.
  • piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz crystal
  • various ceramics such as alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite
  • dielectrics such as diamond and glass
  • semiconductors such as gallium nitride.
  • the plurality of electrodes 3, 4 and the first and second bus bars 5, 6 are made of appropriate metals or alloys such as Al, AlCu alloys.
  • the electrodes 3 and 4 and the first and second bus bars 5 and 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. Note that an adhesion layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the multiple electrodes 3 and the multiple electrodes 4 . More specifically, an AC voltage is applied between the first busbar 5 and the second busbar 6 . As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using a thickness-shear primary mode bulk wave excited in the piezoelectric layer 2 .
  • d/p is 0.5 or less, where d is the thickness of the piezoelectric layer 2 and p is the center-to-center distance between any one of the pairs of electrodes 3 and 4 adjacent to each other.
  • d/p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the center-to-center distance p between the adjacent electrodes 3 and 4 is the average distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment has the above configuration, even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to reduce the size, the Q value is unlikely to decrease. This is because the resonator does not require reflectors on both sides, and the propagation loss is small. The reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness-shlip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic front cross-sectional view for explaining Lamb waves propagating through a piezoelectric film of a conventional elastic wave device.
  • a conventional elastic wave device is described, for example, in Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2012-257019).
  • FIG. 3A in the conventional acoustic wave device, waves propagate through the piezoelectric film 201 as indicated by arrows.
  • the first main surface 201a and the second main surface 201b face each other, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction.
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are arranged. As shown in FIG.
  • the wave propagates in the X direction as shown. Since it is a plate wave, although the piezoelectric film 201 as a whole vibrates, since the wave propagates in the X direction, reflectors are arranged on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, a wave propagation loss occurs, and the Q value decreases when miniaturization is attempted, that is, when the logarithm of the electrode fingers is decreased.
  • the wave propagates and resonates substantially in the direction connecting the first main surface 2a and the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2, that is, in the Z direction. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. Further, since resonance characteristics are obtained by propagating waves in the Z direction, no reflector is required. Therefore, no propagation loss occurs when propagating to the reflector. Therefore, even if the number of electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 is reduced in an attempt to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude direction of the bulk wave of the thickness shear primary mode is opposite between the first region 451 included in the excitation region C of the piezoelectric layer 2 and the second region 452 included in the excitation region C, as shown in FIG. FIG. 4 schematically shows bulk waves when a voltage is applied between the electrodes 3 and 4 so that the potential of the electrode 4 is higher than that of the electrode 3 .
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between the first main surface 2a and a virtual plane VP1 that is perpendicular to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and bisects the piezoelectric layer 2 .
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • the elastic wave device 1 at least one pair of electrodes consisting of the electrodes 3 and 4 is arranged, but since the waves are not propagated in the X direction, the number of electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 does not necessarily need to be plural. That is, it is sufficient that at least one pair of electrodes is provided.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • electrode 3 may also be connected to ground potential and electrode 4 to hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential, as described above, and no floating electrodes are provided.
  • FIG. 5 is a diagram showing resonance characteristics of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 with this resonance characteristic are as follows.
  • the number of pairs of electrodes consisting of the electrodes 3 and 4 21 pairs
  • the center distance between the electrodes 3 ⁇ m
  • the width of the electrodes 3 and 4 500 nm
  • d/p 0.133.
  • Insulating layer 7 Silicon oxide film with a thickness of 1 ⁇ m.
  • Support member 8 Si.
  • the length of the excitation region C is the dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the inter-electrode distances of the electrode pairs consisting of the electrodes 3 and 4 are all the same in a plurality of pairs. That is, the electrodes 3 and 4 were arranged at equal pitches.
  • d/p is 0.5 or less, more preferably 0.24 or less. This will be explained with reference to FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between this d/2p and the fractional bandwidth of the acoustic wave device as a resonator.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and p is the center-to-center distance between adjacent electrodes 3 and 4 in the case of one pair of electrodes. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of adjacent electrodes 3 and 4 should be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer if the piezoelectric layer 2 has variations in thickness, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view of another elastic wave device according to one embodiment of the present disclosure.
  • a pair of electrodes having electrode 3 and electrode 4 is provided on first main surface 2 a of piezoelectric layer 2 .
  • K in FIG. 7 is the intersection width.
  • the number of pairs of electrodes may be one. Even in this case, if the above d/p is 0.5 or less, it is possible to effectively excite the bulk wave in the primary mode of thickness shear.
  • the metallization ratio MR of the adjacent electrodes 3 and 4 with respect to the excitation region which is the overlapping region when viewed in the direction in which one of the adjacent electrodes 3 and 4 faces each other, satisfies MR ⁇ 1.75 (d/p)+0.075.
  • the region where the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers overlap is the excitation region (intersection region), and when the metallization ratio of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers to the excitation region is MR, it is preferable to satisfy MR ⁇ 1.75 (d/p)+0.075. In that case, spurious can be effectively reduced.
  • FIG. 8 is a reference diagram showing an example of resonance characteristics of the acoustic wave device 1.
  • a spurious signal indicated by an arrow B appears between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
  • d/p 0.08 and the Euler angles of LiNbO 3 (0°, 0°, 90°).
  • the metallization ratio MR was set to 0.35.
  • the metallization ratio MR will be explained with reference to FIG. 1B.
  • the portion surrounded by the dashed-dotted line C is the excitation region.
  • the excitation regions are regions in which the electrodes 3 and 4 overlap, regions in which the electrodes 4 overlap the electrodes 3, and regions between the electrodes 3 and 4 in which the electrodes 3 and 4 overlap.
  • the area of the electrodes 3 and 4 in the excitation region C with respect to the area of this excitation region is the metallization ratio MR. That is, the metallization ratio MR is the ratio of the area of the metallization portion to the area of the drive region.
  • MR may be the ratio of the metallization portion included in the entire excitation region to the total area of the excitation region.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the fractional bandwidth and the amount of phase rotation of the spurious impedance normalized by 180 degrees as the magnitude of the spurious when a large number of elastic wave resonators are configured according to this embodiment.
  • the ratio band was adjusted by changing the film thickness of the piezoelectric layer and the dimensions of the electrodes.
  • FIG. 9 shows the results when a Z-cut LiNbO 3 piezoelectric layer is used, but the same tendency is obtained when piezoelectric layers with other cut angles are used.
  • the spurious is as large as 1.0.
  • the fractional band exceeds 0.17, that is, exceeds 17%, a large spurious with a spurious level of 1 or more appears in the passband even if the parameters constituting the fractional band are changed. That is, as in the resonance characteristics shown in FIG. 8, a large spurious component indicated by arrow B appears within the band. Therefore, the specific bandwidth is preferably 17% or less. In this case, by adjusting the film thickness of the piezoelectric layer 2 and the dimensions of the electrodes 3 and 4, the spurious response can be reduced.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between d/2p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • various elastic wave devices having different d/2p and MR were constructed, and the fractional bandwidth was measured.
  • the hatched portion on the right side of the dashed line D in FIG. 10 is the area where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • FIG. 11 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth with respect to the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p is infinitely close to 0.
  • the hatched portion in FIG. 11 is a region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained, and the range of the region is approximated by the following formulas (1), (2), and (3).
  • the fractional band can be sufficiently widened, which is preferable.
  • FIG. 12 is a partially cutaway perspective view for explaining an elastic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • the elastic wave device 81 has a support substrate 82 .
  • the support substrate 82 is provided with a concave portion that is open on the upper surface.
  • a piezoelectric layer 83 is laminated on the support substrate 82 .
  • a hollow portion 9 is thereby formed.
  • An IDT electrode 84 is provided on the piezoelectric layer 83 above the cavity 9 .
  • Reflectors 85 and 86 are provided on both sides of the IDT electrode 84 in the elastic wave propagation direction.
  • the outer periphery of the hollow portion 9 is indicated by broken lines.
  • the IDT electrode 84 has first and second bus bars 84a and 84b, an electrode 84c as a plurality of first electrode fingers and an electrode 84d as a plurality of second electrode fingers.
  • the multiple electrodes 84c are connected to the first bus bar 84a.
  • the multiple electrodes 84d are connected to the second bus bar 84b.
  • the multiple electrodes 84c and the multiple electrodes 84d are interposed.
  • a Lamb wave as a plate wave is excited by applying an AC electric field to the IDT electrodes 84 on the cavity 9. Since the reflectors 85 and 86 are provided on both sides, the resonance characteristics due to the Lamb wave can be obtained.
  • the elastic wave device of the present disclosure may utilize plate waves.
  • FIG. 13 to 22 An elastic wave device 1 according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 13 to 22.
  • FIG. 13 to 22 the description of the content overlapping with the elastic wave devices of the first to fourth aspects will be omitted as appropriate.
  • the contents described below for the elastic wave devices of the first to fourth aspects can be applied.
  • the acoustic wave device 1 includes a support substrate 110, a piezoelectric layer 2, and functional electrodes 120.
  • the support substrate 110 includes a support member 8 and an insulating layer (an example of an intermediate layer) 7 provided on the support member 8 .
  • the piezoelectric layer 2 is provided on the insulating layer 7 in the stacking direction Z of the support member 8 , the insulating layer 7 and the piezoelectric layer 2 .
  • the piezoelectric layer 2 has a through-hole 21 passing through the piezoelectric layer 2 in the stacking direction Z.
  • the functional electrode 120 is provided on the piezoelectric layer 2 in the stacking direction Z.
  • the functional electrode 120 is provided on the piezoelectric layer 2 and positioned between two wiring electrodes 130 spaced apart in a direction intersecting the stacking direction Z (for example, the Y direction).
  • the functional electrode 120 is an IDT electrode having a plurality of electrode fingers.
  • the plurality of electrode fingers of the functional electrode 120 each extend along the Y direction and are positioned with gaps along the X direction.
  • Each electrode finger of the functional electrode 120 is connected to one of the two wiring electrodes 130 .
  • the support substrate 110 has a hollow portion 9 and a concave portion 111.
  • the cavity 9 is provided at a position (see FIG. 13) overlapping with a part of the functional electrode 120 in the stacking direction Z.
  • the concave portion 111 is provided at a position at least partially overlapping the through hole 21 in the stacking direction Z of the hollow portion 9 , and is recessed in the direction away from the piezoelectric layer 2 in the stacking direction Z.
  • the support substrate 110 has the hollow portion 9, and the hollow portion 9 has the concave portion 111 that is recessed so as to protrude from the hollow portion 9 toward the support member 8 in the stacking direction Z.
  • the cavity 9 is provided in the insulating layer 7 and located in the insulating layer 7 .
  • the recess 111 is recessed down to the support member 8, and the surface of the support member 8 is exposed.
  • FIG. 15 An example of a method for manufacturing the elastic wave device 1 of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 15 to 21.
  • FIG. 15 An example of a method for manufacturing the elastic wave device 1 of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 15 to 21.
  • a sacrificial layer 91 is deposited on the piezoelectric layer 2 as shown in FIG.
  • the sacrificial layer 91 is formed, for example, by depositing a sacrificial layer material on the entire surface of the piezoelectric layer 2, patterning the surface with a resist, and then removing the resist after etching the exposed sacrificial layer.
  • the insulating layer 7 is formed on the piezoelectric layer 2 with the sacrificial layer 91 formed thereon, and is flattened by grinding. Thereby, the sacrificial layer 91 is embedded in the insulating layer 7 .
  • the supporting member 8 is joined to the insulating layer 7 in which the sacrificial layer 91 is embedded to form a laminate member 200 .
  • the piezoelectric layer 2 of the laminated member 200 is ground and thinned, and the functional electrode 120 and the wiring electrode 130 are formed on the thinned piezoelectric layer 2 by lift-off to form the laminated member 210 .
  • a laminated member 220 is formed by forming a through hole 21 in the piezoelectric layer 2 of the laminated member 210 and forming a concave portion 111 in the insulating layer 7 .
  • the through hole 21 is formed, the sacrificial layer 91 surrounded by the piezoelectric layer 2 and the support substrate 110 (insulating layer 7 as an example in this embodiment) is penetrated in the stacking direction Z.
  • the through holes 21 and the recesses 111 are formed by, for example, resist patterning, dry etching of the piezoelectric layer 2, the sacrificial layer 91 and the insulating layer 7, and removal of the resist.
  • the sacrificial layer 91 is removed through the through holes 21 to form the cavity 9 in the laminated member 220 to form the elastic wave device 1 .
  • the cavity 9 is formed by removing the sacrificial layer 91 by resist patterning, etching and resist removal.
  • a membrane portion is formed in the piezoelectric layer 2 by forming the cavity portion 9 .
  • the membrane part forms, for example, a part of the piezoelectric layer 2 that at least partially overlaps the cavity 9 in the stacking direction Z.
  • a functional electrode 120 is positioned in the membrane portion to form an excitation region.
  • the etchant can reach the bottom surface of the sacrificial layer 91 from the start of etching, so the sacrificial layer 91 can be efficiently removed. As a result, the manufacturing cost of the elastic wave device 1 can be reduced.
  • a crack 300 may occur in the insulating layer 7 at a position at least partially overlapping the sacrificial layer removing opening 121 in the stacking direction Z.
  • the above configuration can suppress the occurrence of cracks 300 at positions at least partially overlapping the through holes 21 of the insulating layer 7 .
  • the elastic wave device 1 can also be configured as follows.
  • the concave portion 111 is not limited to being recessed to the surface of the support member 8, and may be recessed to the inside of the support member 8 as shown in FIG. 20, for example.
  • the bottom surface of the recessed portion 111 does not have to reach the support member 8, and the bottom surface does not have to reach the support member 8, for example, as shown in FIG. That is, the surface of the support member 8 does not have to be exposed from the bottom surface of the recess 111 .
  • the concave portion 111 in FIG. 21 is recessed to a position closer to the piezoelectric layer 2 than the support member 8 of the insulating layer 7 , and the bottom surface is composed of the insulating layer 7 .
  • the cavity 9 is not limited to being located in the insulating layer 7, and may be located across the insulating layer 7 and the support member 8, for example.
  • At least part of the configuration of the elastic wave device 1 of the present disclosure may be added to the elastic wave devices of the first to fourth aspects, and at least part of the configurations of the elastic wave devices of the first to fourth aspects may be added to the elastic wave device 1 of the present disclosure.
  • the elastic wave device of the first aspect is a support substrate including a support member and an intermediate layer provided on the support member; a piezoelectric layer provided on the intermediate layer; a functional electrode provided on the piezoelectric layer, The piezoelectric layer is having a through hole penetrating the piezoelectric layer in a stacking direction of the supporting member, the intermediate layer, and the piezoelectric layer;
  • the support substrate is a cavity provided at a position overlapping with a part of the functional electrode in the stacking direction;
  • a concave portion is provided at a position that at least partially overlaps with the through hole in the stacking direction of the hollow portion and is recessed in a direction away from the piezoelectric layer.
  • the elastic wave device of the second aspect is the elastic wave device of the first aspect,
  • the cavity is located in the intermediate layer.
  • the elastic wave device of the third aspect is the elastic wave device of the first aspect,
  • the cavity is provided across the intermediate layer and the support member.
  • the elastic wave device of the fourth aspect is the elastic wave device of the first aspect,
  • the recess is recessed to the support member.
  • the elastic wave device of the fifth aspect is the elastic wave device of the fourth aspect,
  • the recess is recessed to the inside of the support member.
  • the elastic wave device of the sixth aspect is the elastic wave device of the first aspect,
  • the recess is recessed to a position closer to the piezoelectric layer than the support member of the intermediate layer.
  • the elastic wave device of the seventh aspect is the elastic wave device of any one of the first to sixth aspects,
  • the functional electrodes are IDT electrodes.
  • the elastic wave device of the eighth aspect is the elastic wave device of the seventh aspect, the piezoelectric layer contains lithium niobate or lithium tantalate, the IDT electrode has a first electrode finger and a second electrode finger facing each other in a direction intersecting the stacking direction; the first electrode finger and the second electrode finger are adjacent electrodes; Where d is the thickness of the piezoelectric layer and p is the center-to-center distance between the first electrode finger and the second electrode finger, d/p is 0.5 or less.
  • the elastic wave device of the ninth aspect is the elastic wave device of the eighth aspect, d/p is 0.24 or less.
  • the elastic wave device of the tenth aspect is the elastic wave device of the eighth aspect or the ninth aspect,
  • a metallization ratio MR which is a ratio of the area of the first electrode fingers and the second electrode fingers in the excitation region to the excitation region, which is the region where the first electrode fingers and the second electrode fingers overlap, satisfies MR ⁇ 1.75 (d/p)+0.075 in the direction crossing the stacking direction.
  • the elastic wave device of the eleventh aspect is the elastic wave device of any one of the eighth aspect to the tenth aspect,
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate or lithium tantalate are within the range of the following formula (1), formula (2) or formula (3).
  • Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60° (1-( ⁇ -50) 2/900 ) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180°-60° (1-( ⁇ -50) 2/900 ) 1/2 ] to 180°) Equation (2)
  • Equation (3) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] ⁇ 180°, arbitrary ⁇ ) Equation (3)
  • the elastic wave device of the twelfth aspect is the elastic wave device of any one of the seventh to eleventh aspects, the piezoelectric layer contains lithium niobate or lithium tantalate, It is configured to be able to utilize bulk waves in the thickness-shlip mode.
  • the elastic wave device of the thirteenth aspect is the elastic wave device of any one of the first to seventh aspects, It is configured to be able to use plate waves.
  • a method for manufacturing an elastic wave device includes: a support substrate including a support member and an intermediate layer provided on the support member; a piezoelectric layer provided on the intermediate layer; and a functional electrode provided on the piezoelectric layer;
  • a method for manufacturing an acoustic wave device comprising: a recess provided at a position and recessed in a direction away from the piezoelectric layer from the cavity, the method comprising: When forming the through hole, the sacrificial layer surrounded by the piezoelectric layer and the support substrate is penetrated in the stacking direction, The sacrificial layer is removed through the through hole to form the cavity.

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Abstract

弾性波装置が、支持部材と前記支持部材上に設けられた中間層とを含む支持基板と、中間層上に設けられた圧電体層と、圧電体層上に設けられた機能電極とを備える。圧電体層が、圧電体層を支持部材、中間層および圧電体層の積層方向に貫通する貫通穴を有する。支持基板が、積層方向において機能電極の一部と重なる位置に設けられた空洞部と、空洞部の積層方向において貫通穴と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、圧電体層から離れる方向に窪む凹部とを有している。

Description

弾性波装置および弾性波装置の製造方法
　本開示は、圧電層（圧電体層）を備える弾性波装置および弾性波装置の製造方法に関する。
　例えば、特許文献１には、板波を利用する弾性波装置が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置は、支持体と、圧電基板と、ＩＤＴ電極とを備えている。支持体には、空洞部が設けられている。圧電基板は、支持体の上に空洞部と重なるように設けられている。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に空洞部と重なるように設けられている。弾性波装置では、ＩＤＴ電極により板波が励振される。空洞部の端縁部は、ＩＤＴ電極により励振される板波の伝搬方向と平行に延びる直線部を含まない。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　近年、製造コストを低減しつつ、支持体の中間層におけるクラックの発生を抑制できる弾性波装置が求められている。
　本開示は、製造コストを低減しつつ、支持体の中間層におけるクラックの発生を抑制できる弾性波装置および弾性波装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一態様の弾性波装置は、
　支持部材と前記支持部材上に設けられた中間層とを含む支持基板と、
　前記中間層上に設けられた圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
を備え、
　前記圧電体層が、
　前記圧電体層を前記支持部材、前記中間層および前記圧電体層の積層方向に貫通する貫通穴を有し、
　前記支持基板が、
　前記積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置に設けられた空洞部と、
　前記空洞部の前記積層方向において前記貫通穴と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、前記圧電体層から離れる方向に窪む凹部と
を有している。
　本開示の一態様の弾性波装置の製造方法は、
　支持部材と前記支持部材上に設けられた中間層とを含む支持基板と、前記中間層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記圧電体層が、前記圧電体層を前記支持部材、前記中間層および前記圧電体層の積層方向に貫通する貫通穴を有し、前記支持基板が、前記積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置に設けられた空洞部と、前記積層方向において前記貫通穴と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、前記空洞部から前記圧電体層から離れる方向に窪む凹部とを有している、弾性波装置の製造方法であって、
　前記貫通穴を形成する際に、前記圧電体層および前記支持基板で囲まれた犠牲層を前記積層方向に貫通させ、
　前記貫通穴を介して前記犠牲層を除去し、前記空洞部を形成する。
　本開示によれば、製造コストを抑制しつつ、支持体の中間層におけるクラックの発生を抑制できる弾性波装置および弾性波装置の製造方法を提供できる。
第１，第２の態様の弾性波装置の外観を示す略図的斜視図。 圧電層上の電極構造を示す平面図。 図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図。 従来の弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図。 本開示の弾性波装置の波を説明するための模式的正面断面図。 第１の電極と第２の電極との間に、第２の電極が第１の電極よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を示す模式図。 本開示の一実施形態に係る弾性波装置の共振特性を示す図。 ｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図。 本開示の一実施形態に係る別の弾性波装置の平面図。 弾性波装置の共振特性の一例を示す参考図。 多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図。 ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図。 ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図。 本開示の一実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図。 本開示の一実施形態の弾性波装置の一例を示す平面図。 図１３のXIV-XIV線に沿った断面図。 図１３の弾性波装置の製造方法の一例を説明するための第１の図。 図１３の弾性波装置の製造方法の一例を説明するための第２の図。 図１３の弾性波装置の製造方法の一例を説明するための第３の図。 図１３の弾性波装置の製造方法の一例を説明するための第４の図。 図１３の弾性波装置の製造方法の一例を説明するための第５の図。 図１３の弾性波装置の第１の変形例を示す断面図。 図１３の弾性波装置の第２の変形例を示す断面図。 凹部を有していない弾性波装置の部分断面図。
　以下、本開示の一例を添付図面に従って説明する。以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本開示、本開示の適用物、または、本開示の用途を制限することを意図するものではない。図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは必ずしも合致していない。
　図１Ａ～図１２を参照して、本開示の基礎となる第１～第４の態様の弾性波装置について説明する。
　本開示における第１，第２，第３の態様の弾性波装置は、例えば、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる圧電層と、圧電層の厚み方向に交差する方向において対向する第１電極及び第２電極とを備える。
　第１の態様の弾性波装置では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。
　また、第２の態様の弾性波装置では、第１電極及び前記第２電極は隣り合う電極同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極及び第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。それによって、第１，第２の態様では、小型化を進めた場合であっても、Ｑ値を高めることができる。
　また、第３の態様の弾性波装置では、板波としてのラム波が利用される。そして、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　本開示における第４の態様の弾性波装置は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる圧電層と、圧電層を挟んで圧電層の厚み方向に対向する上部電極及び下部電極とを備え、バルク波を利用する。
　以下、図面を参照しつつ、第１～第４の態様の弾性波装置の具体的な実施形態を説明することにより、本開示を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１Ａは、第１，第２の態様についての一実施形態に係る弾性波装置の外観を示す略図的斜視図であり、図１Ｂは、圧電層上の電極構造を示す平面図であり、図２は、図１Ａ中のＡ－Ａ線に沿う部分の断面図である。
　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、本実施形態では、Ｚカットであるが、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている複数の第１の電極指である。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている複数の第２の電極指である。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。
　電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、隣りの電極４とが対向している。これら複数の電極３，４、及び第１のバスバー５，第２のバスバー６によりＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｕｄｕｃｅｒ）電極が構成されている。電極３，４の長さ方向、及び、電極３，４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、隣りの電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。
　また、電極３，４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極３，４の長さ方向に直交する方向と入れ替わってもよい。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３，４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極３，４が延びている方向に延びることとなる。
　そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３，４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。
　また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３，４を含む、ホット電極やグランド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。電極３，４間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。さらに、電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３，４を一対の電極組とし、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３，４の中心間距離は、１．５対以上の電極３，４のうち隣り合う電極３，４それぞれの中心間距離の平均値を指す。また、電極３，４の幅、すなわち電極３，４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３，４間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、本実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３，４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３，４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、絶縁層７を介して支持部材８が積層されている。絶縁層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ，８ａを有する。それによって、空洞部９が形成されている。空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３，４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに絶縁層７を介して積層されている。なお、絶縁層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　絶縁層７は、酸化ケイ素からなる。もっとも、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料を用いることができる。支持部材８は、Ｓｉからなる。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、電極３，４及び第１，第２のバスバー５，６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３，４のうちいずれかの隣り合う電極３，４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、本実施形態のように電極３，４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３，４を１対の電極組とし、電極３，４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３，４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離となる。
　本実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３，４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　従来の弾性波装置で利用したラム波と、上記厚み滑り１次モードのバルク波の相違を、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。
　図３Ａは、従来の弾性波装置の圧電膜を伝搬するラム波を説明するための模式的正面断面図である。従来の弾性波装置については、例えば、特許文献１（特開２０１２－２５７０１９号公報）に記載されている。図３Ａに示すように、従来の弾性波装置においては、圧電膜２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電膜２０１では、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとが対向しており、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電膜２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、本実施形態の弾性波装置１では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３，４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃに含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図４は、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示している。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　上記のように、弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３，４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。本実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、本開示の一実施形態の弾性波装置の共振特性を示す図である。なお、この共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３、厚み＝４００ｎｍ。
　電極３と電極４の長さ方向と直交する方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域、すなわち励振領域Ｃの長さ＝４０μｍ、電極３，４からなる電極の対数＝２１対、電極間中心距離＝３μｍ、電極３，４の幅＝５００ｎｍ、ｄ／ｐ＝０．１３３。
　絶縁層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３，４の長さ方向に沿う寸法である。
　本実施形態では、電極３，４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、前述したように、本実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、このｄ／２ｐと、弾性波装置の共振子としての比帯域との関係を示す図である。
　図６から明らかなように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、本開示の第２の態様の弾性波装置のように、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、前述したように、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３，４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３，４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、本開示の一実施形態に係る別の弾性波装置の平面図である。弾性波装置３１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置３１では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　弾性波装置１では、好ましくは、複数の電極３，４において、いずれかの隣り合う電極３，４が対向している方向に視たときに重なっている領域である励振領域に対する、上記隣り合う電極３，４のメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが望ましい。つまり、隣り合う複数の第１電極指と複数の第２電極指とが対向している方向に視たときに複数の第１電極指と複数の第２電極指とが重なっている領域が励振領域（交差領域）であり、励振領域に対する、複数の第１電極指及び複数の第２電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。その場合には、スプリアスを効果的に小さくすることができる。
　これを、図８及び図９を参照して説明する。図８は、上記弾性波装置１の共振特性の一例を示す参考図である。矢印Ｂで示すスプリアスが、共振周波数と反共振周波数との間に現れている。なお、ｄ／ｐ＝０．０８として、かつＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，０°，９０°）とした。また、上記メタライゼーション比ＭＲ＝０．３５とした。
　メタライゼーション比ＭＲを、図１Ｂを参照して説明する。図１Ｂの電極構造において、１対の電極３，４に着目した場合、この１対の電極３，４のみが設けられるとする。この場合、一点鎖線Ｃで囲まれた部分が励振領域となる。この励振領域とは、電極３と電極４とを、電極３，４の長さ方向と直交する方向すなわち対向方向に視たときに電極３における電極４と重なり合っている領域、電極４における電極３と重なり合っている領域、及び、電極３と電極４との間の領域における電極３と電極４とが重なり合っている領域である。そして、この励振領域の面積に対する、励振領域Ｃ内の電極３，４の面積が、メタライゼーション比ＭＲとなる。すなわち、メタライゼーション比ＭＲは、メタライゼーション部分の面積の励振領域の面積に対する比である。
　なお、複数対の電極が設けられている場合、励振領域の面積の合計に対する全励振領域に含まれているメタライゼーション部分の割合をＭＲとすればよい。
　図９は本実施形態に従って、多数の弾性波共振子を構成した場合の比帯域と、スプリアスの大きさとしての１８０度で規格化されたスプリアスのインピーダンスの位相回転量との関係を示す図である。なお、比帯域については、圧電層の膜厚や電極の寸法を種々変更し、調整した。また、図９は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図９中の楕円Ｊで囲まれている領域では、スプリアスが１．０と大きくなっている。図９から明らかなように、比帯域が０．１７を超えると、すなわち１７％を超えると、スプリアスレベルが１以上の大きなスプリアスが、比帯域を構成するパラメータを変化させたとしても、通過帯域内に現れる。すなわち、図８に示す共振特性のように、矢印Ｂで示す大きなスプリアスが帯域内に現れる。よって、比帯域は１７％以下であることが好ましい。この場合には、圧電層２の膜厚や電極３，４の寸法などを調整することにより、スプリアスを小さくすることができる。
　図１０は、ｄ／２ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。上記弾性波装置において、ｄ／２ｐと、ＭＲが異なる様々な弾性波装置を構成し、比帯域を測定した。図１０の破線Ｄの右側のハッチングを付して示した部分が、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、ＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０７５で表される。すなわち、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。従って、好ましくは、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５である。その場合には、比帯域を１７％以下としやすい。より好ましくは、図１０中の一点鎖線Ｄ１で示すＭＲ＝３．５（ｄ／２ｐ）＋０．０５の右側の領域である。すなわち、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であれば、比帯域を確実に１７％以下にすることができる。
　図１１は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図１１のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）で表される範囲となる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　従って、上記式（１）、式（２）または式（３）のオイラー角範囲の場合、比帯域を十分に広くすることができ、好ましい。
　図１２は、本開示の一実施形態に係る弾性波装置を説明するための部分切り欠き斜視図である。弾性波装置８１は、支持基板８２を有する。支持基板８２には、上面に開いた凹部が設けられている。支持基板８２上に圧電層８３が積層されている。それによって、空洞部９が構成されている。この空洞部９の上方において圧電層８３上に、ＩＤＴ電極８４が設けられている。ＩＤＴ電極８４の弾性波伝搬方向両側に、反射器８５，８６が設けられている。図１２において、空洞部９の外周縁を破線で示す。ここでは、ＩＤＴ電極８４は、第１，第２のバスバー８４ａ，８４ｂと、複数本の第１の電極指としての電極８４ｃ及び複数本の第２の電極指としての電極８４ｄとを有する。複数本の電極８４ｃは、第１のバスバー８４ａに接続されている。複数本の電極８４ｄは、第２のバスバー８４ｂに接続されている。複数本の電極８４ｃと、複数本の電極８４ｄとは間挿し合っている。
　弾性波装置８１では、上記空洞部９上のＩＤＴ電極８４に、交流電界を印加することにより、板波としてのラム波が励振される。そして、反射器８５，８６が両側に設けられているため、上記ラム波による共振特性を得ることができる。
　このように、本開示の弾性波装置は、板波を利用するものであってもよい。
　図１３～図２２を参照して、本開示の一実施形態の弾性波装置１について説明する。本実施形態においては、第１～第４の態様の弾性波装置と重複する内容については適宜、説明を省略する。以下、第１～第４の態様の弾性波装置について説明した内容を適用することができる。
　図１３および図１４に示すように、弾性波装置１は、支持基板１１０と、圧電層２と、機能電極１２０とを備える。支持基板１１０は、支持部材８と支持部材８上に設けられた絶縁層（中間層の一例）７とを含む。圧電層２は、支持部材８、絶縁層７および圧電層２の積層方向Ｚにおける絶縁層７上に設けられている。圧電層２は、圧電層２を積層方向Ｚに貫通する貫通穴２１を有している。機能電極１２０は、積層方向Ｚにおける圧電層２上に設けられている。機能電極１２０は、圧電層２上に設けられ、積層方向Ｚに交差する方向（例えば、Y方向）において間隔を空けて配置された２つの配線電極１３０の間に位置している。
　本実施形態では、機能電極１２０は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である。機能電極１２０の複数の電極指は、それぞれＹ方向に沿って延びており、Ｘ方向に沿って隙間を空けて位置している。機能電極１２０の各電極指は、２つの配線電極１３０のいずれかに接続されている。
　図１４に示すように、支持基板１１０は、空洞部９と、凹部１１１とを有している。空洞部９は、積層方向Ｚにおいて機能電極１２０の一部と重なる位置（図１３参照）に設けられている。凹部１１１は、空洞部９の積層方向Ｚにおいて貫通穴２１と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、積層方向Ｚにおいて圧電層２から離れる方向に窪んでいる。言い換えると、支持基板１１０が、空洞部９を有し、空洞部９が、積層方向Ｚにおいて空洞部９から支持部材８に向かって凸となるように窪んでいる凹部１１１を有している。本実施形態では、空洞部９は、絶縁層７に設けられ、絶縁層７に位置している。凹部１１１は、支持部材８まで窪んでおり、支持部材８の表面が露出している。
　図１５～図２１を参照して、本開示の弾性波装置１の製造方法の一例を説明する。
　図１５に示すように、圧電層２に犠牲層９１を成膜する。犠牲層９１は、例えば、犠牲層材料を圧電層２表面全面に成膜後、その表面をレジストパターニングし、その後、露出した犠牲層をエッチング後のレジスト除去により形成される。
　図１６に示すように、犠牲層９１が成膜された圧電層２に絶縁層７を成膜し、研削により平坦化する。これにより、犠牲層９１が絶縁層７に埋め込まれる。
　図１７に示すように、犠牲層９１が埋め込まれた絶縁層７に支持部材８を接合して、積層部材２００を形成する。
　図１８に示すように、積層部材２００の圧電層２を研削して薄化すると共に、リフトオフより機能電極１２０および配線電極１３０を薄化した圧電層２上に形成して、積層部材２１０を形成する。
　図１９に示すように、積層部材２１０の圧電層２に貫通穴２１を形成し、絶縁層７に凹部１１１を形成して、積層部材２２０を形成する。貫通穴２１を形成する際に、圧電層２および支持基板１１０（本実施形態では、一例として絶縁層７）で囲まれた犠牲層９１を積層方向Ｚに貫通させる。貫通穴２１および凹部１１１は、例えば、レジストパターニング、圧電層２、犠牲層９１および絶縁層７のドライエッチングおよびレジスト除去により形成される。
　図１４に示すように、貫通穴２１を介して犠牲層９１を除去し、積層部材２２０に空洞部９を形成して、弾性波装置１を形成する。空洞部９は、レジストパターニング、エッチングおよびレジスト除去により犠牲層９１を除去することで形成される。空洞部９を形成することにより、圧電層２にメンブレン部が形成される。メンブレン部は、例えば、積層方向Ｚにおいて少なくとも部分的に空洞部９を重なる圧電層２の一部を構成している。メンブレン部には、機能電極１２０が位置し、励振領域を形成する。
　このように、本開示の弾性波装置１では、前記構成により、犠牲層９１を除去して空洞部９を形成するときに、エッチング開始時から、エッチング液を犠牲層９１の底面に到達させることができるので、犠牲層９１を効率よく除去できる。その結果、弾性波装置１の製造コストを低減させることができる。
　凹部１１１を有していない弾性波装置１００（図２２参照）では、基板実装のためリフローなどの加熱処理を行うと、積層方向Ｚにおいて犠牲層除去用開口穴１２１と少なくとも一部が重なる位置の絶縁層７にクラック３００が発生する場合がある。本開示の弾性波装置１では、前記構成により、絶縁層７の貫通穴２１と少なくとも一部が重なる位置におけるクラック３００の発生を抑制できる。
　弾性波装置１は、次のように構成することもできる。
　凹部１１１は、支持部材８の表面まで窪む場合に限らず、例えば、図２０に示すように、支持部材８の内部まで窪んでいてもよい。
　凹部１１１は、底面が支持部材８に到達している場合に限らず、例えば、図２１に示すように、底面が支持部材８に到達していなくてもよい。つまり、凹部１１１の底面から支持部材８の表面が露出していなくてもよい。図２１の凹部１１１は、絶縁層７の支持部材８よりも圧電層２に近い位置まで窪んでおり、底面が絶縁層７で構成されている。
　空洞部９は、絶縁層７に位置している場合に限らず、例えば、絶縁層７および支持部材８に亘って位置していてもよい。
　第１～第４の態様の弾性波装置に、本開示の弾性波装置１の構成の少なくとも一部を追加してもよいし、本開示の弾性波装置１に、第１～第４態様の弾性波装置の構成の少なくとも一部を追加してもよい。
　以上、図面を参照して本開示における種々の実施形態を詳細に説明したが、最後に、本開示の種々の態様について説明する。
　第１態様の弾性波装置は、
　支持部材と前記支持部材上に設けられた中間層とを含む支持基板と、
　前記中間層上に設けられた圧電体層と、
　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
を備え、
　前記圧電体層が、
　前記圧電体層を前記支持部材、前記中間層および前記圧電体層の積層方向に貫通する貫通穴を有し、
　前記支持基板が、
　前記積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置に設けられた空洞部と、
　前記空洞部の前記積層方向において前記貫通穴と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、前記圧電体層から離れる方向に窪む凹部と
を有している。
　第２態様の弾性波装置は、第１態様の弾性波装置において、
　前記空洞部が前記中間層に位置している。
　第３態様の弾性波装置は、第１態様の弾性波装置において、
　前記空洞部が、前記中間層および前記支持部材にわたって設けられている。
　第４態様の弾性波装置は、第１態様の弾性波装置において、
　前記凹部が前記支持部材まで窪んでいる。
　第５態様の弾性波装置は、第４態様の弾性波装置において、
　前記凹部が前記支持部材の内部まで窪んでいる。
　第６態様の弾性波装置は、第１態様の弾性波装置において、
　前記凹部が前記中間層の前記支持部材よりも前記圧電体層に近い位置まで窪んでいる。
　第７態様の弾性波装置は、第１態様～第６態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記機能電極がＩＤＴ電極である。
　第８態様の弾性波装置は、第７態様の弾性波装置において、
　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含み、
　前記ＩＤＴ電極が、前記積層方向に交差する方向において対向する第１電極指および第２電極指を有し、
　前記第１電極指および前記第２電極指は隣り合う電極同士であり、
　前記圧電体層の厚みをｄ、前記第１電極指および前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。
　第９態様の弾性波装置は、第８態様の弾性波装置において、
　ｄ／ｐが０．２４以下である。
　第１０態様の弾性波装置は、第８態様または第９態様の弾性波装置において、
　前記積層方向に交差する方向において、前記第１電極指および前記第２電極指が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記第１電極指および前記第２電極指の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす。
　第１１態様の弾性波装置は、第８態様～第１０態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　第１２態様の弾性波装置は、第７態様～第１１態様のいずれかの弾性波装置において、
　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含み、
　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている。
　第１３態様の弾性波装置は、第１態様～第７態様のいずれかの弾性波装置において、
　板波を利用可能に構成されている。
　第１４態様の弾性波装置の製造方法は、
　支持部材と前記支持部材上に設けられた中間層とを含む支持基板と、前記中間層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記圧電体層が、前記圧電体層を前記支持部材、前記中間層および前記圧電体層の積層方向に貫通する貫通穴を有し、前記支持基板が、前記積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置に設けられた空洞部と、前記積層方向において前記貫通穴と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、前記空洞部から前記圧電体層から離れる方向に窪む凹部とを有している、弾性波装置の製造方法であって、
　前記貫通穴を形成する際に、前記圧電体層および前記支持基板で囲まれた犠牲層を前記積層方向に貫通させ、
　前記貫通穴を介して前記犠牲層を除去し、前記空洞部を形成する。
　前記様々な実施形態または変形例のうちの任意の実施形態または変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。また、実施形態同士の組み合わせまたは実施例同士の組み合わせまたは実施形態と実施例との組み合わせが可能であると共に、異なる実施形態または実施例の中の特徴同士の組み合わせも可能である。
　本開示は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本開示の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。

Claims (14)

  1. 　支持部材と前記支持部材上に設けられた中間層とを含む支持基板と、
    　前記中間層上に設けられた圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられた機能電極と
    を備え、
    　前記圧電体層が、
    　前記圧電体層を前記支持部材、前記中間層および前記圧電体層の積層方向に貫通する貫通穴を有し、
    　前記支持基板が、
    　前記積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置に設けられた空洞部と、
    　前記空洞部の前記積層方向において前記貫通穴と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、前記圧電体層から離れる方向に窪む凹部と
    を有している、弾性波装置。
  2. 　前記空洞部が前記中間層に位置している、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記空洞部が、前記中間層および前記支持部材にわたって設けられている、請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　前記凹部が前記支持部材まで窪んでいる、請求項１に記載の弾性波装置。
  5. 　前記凹部が前記支持部材の内部まで窪んでいる、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記凹部が前記中間層の前記支持部材よりも前記圧電体層に近い位置まで窪んでいる、請求項１に記載の弾性波装置。
  7. 　前記機能電極がＩＤＴ電極である、請求項１から６のいずれか１つに記載の弾性波装置。
  8. 　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含み、
    　前記ＩＤＴ電極が、前記積層方向に交差する方向において対向する第１電極指および第２電極指を有し、
    　前記第１電極指および前記第２電極指は隣り合う電極同士であり、
    　前記圧電体層の厚みをｄ、前記第１電極指および前記第２電極指との中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記積層方向に交差する方向において、前記第１電極指および前記第２電極指が重なり合っている領域である励振領域に対する、前記励振領域内の前記第１電極指および前記第２電極指の面積の割合であるメタライゼーション比ＭＲが、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項８または９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項８から１０のいずれか１つに記載の弾性波装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  12. 　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含み、
    　厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成されている、請求項７から１１のいずれか１つに記載の弾性波装置。
  13. 　板波を利用可能に構成されている、請求項１から７のいずれか１つに記載の弾性波装置。
  14. 　支持部材と前記支持部材上に設けられた中間層とを含む支持基板と、前記中間層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた機能電極とを含み、前記圧電体層が、前記圧電体層を前記支持部材、前記中間層および前記圧電体層の積層方向に貫通する貫通穴を有し、前記支持基板が、前記積層方向において前記機能電極の一部と重なる位置に設けられた空洞部と、前記積層方向において前記貫通穴と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、前記空洞部から前記圧電体層から離れる方向に窪む凹部とを有している、弾性波装置の製造方法であって、
    　前記貫通穴を形成する際に、前記圧電体層および前記支持基板で囲まれた犠牲層を前記積層方向に貫通させ、
    　前記貫通穴を介して前記犠牲層を除去し、前記空洞部を形成する、弾性波装置の製造方法。
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