JP2006521211A - マイクロエレクトロメカニカルシステム(mems)デバイスならびにそれを生成するシステムおよび方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0064—Packages or encapsulation for protecting against electromagnetic or electrostatic interferences
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
- B81C1/00158—Diaphragms, membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
- B81C2201/019—Bonding or gluing multiple substrate layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/027—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
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- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の実施例に従う縮小基板MEMSデバイスは、パッケージング部分の間に結合された膜を含むこともできる。本発明の実施例に従うプロセスは、第1のパッケージング部分、支持基板を含むMEMSデバイスとを結合するステップ、該支持基板を除去するステップ、および、第2のパッケージング部分と前記MEMSデバイスとを結合するステップを含むこともできる。
Description
Claims (45)
- デバイスであって、
第1および第2の面を有する膜と、
前記第1の膜の前記第1の面に接着された第1のパッケージング部分と、
前記第2の膜の前記第2の面に接着された第2のパッケージング部分とを備え、
前記第1および第2のパッケージング部分と、前記膜とのいずれも実質的な支持基板を含まないことを特徴とするデバイス。 - 前記第1のパッケージング部分は、キャップおよびシールリングを備えていることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第2のパッケージング部分は、キャップおよびシールリングを備えていることを特徴とする、請求項2に記載のデバイス。
- 前記膜と関連する導体をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 圧電薄膜共振器フィルタを備えることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 圧電薄膜共振器高周波フィルタを備えることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1および第2のパッケージング部分と、前記膜とのいずれも相当量のシリコンを含まないことを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記膜は、圧電材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記膜は、窒化アルミニウムを含むことを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1のパッケージング部分は、絶縁材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1のパッケージング部分は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第2のパッケージング部分は、絶縁材料を含むことを特徴とする、請求項10に記載のデバイス。
- 前記第2のパッケージング部分は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項11に記載のデバイス。
- デバイスであって、
第1および第2の面を有する支持基板除去膜と、
前記膜の第1の面に直接接着された第1のパッケージング部分と、
前記膜の第2の面に直接接着された第2のパッケージング部分と、
を備えていることを特徴とするデバイス。 - 前記膜は、圧電材料を含むことを特徴とする、請求項14に記載のデバイス。
- 前記膜は、窒化アルミニウムを含むことを特徴とする、請求項14に記載のデバイス。
- 前記第1のパッケージング部分は、絶縁材料を含むことを特徴とする、請求項14に記載のデバイス。
- 前記第1のパッケージング部分は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項14に記載のデバイス。
- 前記第2のパッケージング部分は、絶縁材料を含むことを特徴とする、請求項17に記載のデバイス。
- 前記第2のパッケージング部分は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項18に記載のデバイス。
- 圧電薄膜共振器フィルタを備えることを特徴とする、請求項14に記載のデバイス。
- プロセスであって、マイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスの第1のパッケージング部分と、膜の第1の面とを接着するステップを含み、該膜は、前記第1の面の反対の第2の面に支持基板が取り付けられていることを特徴とするプロセス。
- 前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項22に記載のプロセス。
- 前記膜の前記第2の面に前記デバイスの第2のパッケージング部分を接着するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項23に記載のプロセス。
- 前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板全体を実質的に除去するステップを含むことを特徴とする、請求項23に記載のプロセス。
- 前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板の少なくとも一部をエッチングするステップを含むことを特徴とする、請求項23に記載のプロセス。
- 前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板の少なくとも一部を研磨するステップを含むことを特徴とする、請求項23に記載のプロセス。
- 前記支持基板は、シリコンを含むことを特徴とする、請求項23に記載のプロセス。
- 前記第1のパッケージング部分は、キャップおよびシールリングを備えていることを特徴とする、請求項22に記載のプロセス。
- 前記第2のパッケージング部分は、キャップおよびシールリングを備えていることを特徴とする、請求項24に記載のデバイス。
- プロセスであって、第1のパッケージング部分を、1つまたはそれ以上のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスの膜を載せるウェーハに接着するステップを含むことを特徴とするプロセス。
- 前記ウェーハから、支持基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項31に記載のプロセス。
- 前記第1のパッケージング部分の反対側の前記ウェーハに第2のパッケージング部分を取り付けるステップをさらに含むことを特徴とする、クレーム23に記載のプロセス。
- 前記ウェーハを、1つまたはそれ以上の別々のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスに切断するステップをさらに含むことを特徴とする、クレーム33に記載のプロセス。
- 前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板全体を実質的に除去するステップを含むことを特徴とする、請求項32に記載のプロセス。
- 前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板の少なくとも一部をエッチングするステップを含むことを特徴とする、請求項32に記載のプロセス。
- 前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板の少なくとも一部を研磨するステップを含むことを特徴とする、請求項32に記載のプロセス。
- 前記支持基板は、シリコンを含むことを特徴とする、請求項32に記載のプロセス。
- 製造システムであって、1つまたはそれ以上のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスの膜を載せるウェーハから、支持基板の少なくとも一部を除去することが可能な除去ユニットを含むことを特徴とする製造システム。
- 前記1つまたはそれ以上のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスのパッケージング部分を、前記膜に結合させることが可能な結合ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項39に記載のシステム。
- 前記1つまたはそれ以上のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスは、複数のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスを載せるウェーハを含む請求項40に記載のシステムであって、前記ウェーハを切断することが可能な切断ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項40に記載のシステム。
- 前記パッケージ部分を生成することが可能なキャップ生成ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項40に記載のシステム。
- 前記支持基板は、シリコンを含むことを特徴とする、請求項39に記載のシステム。
- 前記除去ユニットは、前記支持基板の少なくとも一部を研磨することが可能な研磨ユニットを含むことを特徴とする、請求項39に記載のシステム。
- 前記除去ユニットは、前記支持基板の少なくとも一部をエッチングすることが可能なエッチングデバイスを含むことを特徴とする、請求項39に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/401,963 US6894383B2 (en) | 2003-03-31 | 2003-03-31 | Reduced substrate micro-electro-mechanical systems (MEMS) device and system for producing the same |
PCT/US2004/007701 WO2004094302A1 (en) | 2003-03-31 | 2004-03-31 | Micro-electro-mechanical systems (mems) device and system and method of producing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006521211A true JP2006521211A (ja) | 2006-09-21 |
JP4352052B2 JP4352052B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=32989568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005518904A Expired - Fee Related JP4352052B2 (ja) | 2003-03-31 | 2004-03-31 | マイクロエレクトロメカニカルシステム(mems)デバイスならびにそれを生成するシステムおよび方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6894383B2 (ja) |
EP (1) | EP1608589A1 (ja) |
JP (1) | JP4352052B2 (ja) |
CN (1) | CN1764595B (ja) |
TW (1) | TWI267490B (ja) |
WO (1) | WO2004094302A1 (ja) |
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WO2022209860A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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-
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- 2003-03-31 US US10/401,963 patent/US6894383B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-30 TW TW093108756A patent/TWI267490B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-31 WO PCT/US2004/007701 patent/WO2004094302A1/en active Application Filing
- 2004-03-31 JP JP2005518904A patent/JP4352052B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-31 CN CN2004800081681A patent/CN1764595B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-31 EP EP04724936A patent/EP1608589A1/en not_active Withdrawn
- 2004-12-09 US US11/007,238 patent/US20050101139A1/en not_active Abandoned
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JP7246775B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-03-28 | 中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司 | Baw共振器のパッケージングモジュールおよびパッケージング方法 |
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JP4352052B2 (ja) | 2009-10-28 |
TWI267490B (en) | 2006-12-01 |
CN1764595A (zh) | 2006-04-26 |
US6894383B2 (en) | 2005-05-17 |
EP1608589A1 (en) | 2005-12-28 |
US20050101139A1 (en) | 2005-05-12 |
WO2004094302A1 (en) | 2004-11-04 |
TW200422251A (en) | 2004-11-01 |
CN1764595B (zh) | 2010-08-18 |
US20040188786A1 (en) | 2004-09-30 |
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