CN117099309A - 弹性波装置 - Google Patents

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CN117099309A
CN117099309A CN202280025668.4A CN202280025668A CN117099309A CN 117099309 A CN117099309 A CN 117099309A CN 202280025668 A CN202280025668 A CN 202280025668A CN 117099309 A CN117099309 A CN 117099309A
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elastic wave
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resonators
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中尾武志
甲斐诚二
山崎央
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

提供一种弹性波装置,能够抑制由无用波引起的电特性的劣化。本发明涉及的弹性波装置(10)具备:压电性基板(12),包括支承构件和压电层(14),支承构件包括支承基板,压电层(14)设置在支承构件上且具有相对置的第1主面(14a)和第2主面;至少一个功能电极,设置在压电层(14)的第1主面(14a)或第2主面,具有至少一对电极;第1支承体(18),设置在压电性基板(12)上,使得包围功能电极;至少一个第2支承体(19),设置在压电性基板(12)上,配置在被第1支承体(18)包围的部分;以及盖部,设置在第1支承体(18)上和第2支承体(19)上。将相邻的电极彼此对置的方向设为电极对置方向,在从电极对置方向观察时,相邻的电极彼此相互重叠的区域是交叉区域(E),将至少一对电极延伸的方向设为电极延伸方向时,在从电极延伸方向观察时、以及在从电极对置方向观察时,第2支承体(19)都被配置为不与交叉区域(E)重叠。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及弹性波装置。
背景技术
以往,弹性波装置广泛被用于便携式电话机的滤波器等。例如,在下述的专利文献1中,公开了利用作为板波的兰姆(Lamb)波的弹性波装置。在该弹性波装置中,在支承体上设置有压电基板。压电基板包括LiNbO3或者LiTaO3。在压电基板的上表面设置有IDT(Interdigital Transducer,叉指换能器)电极。在IDT电极的连接于一个电位的多个电极指与连接于另一个电位的多个电极指之间施加电压。由此,激励兰姆波。在该IDT电极的两侧设置有反射器。据此,构成了利用兰姆波的弹性波谐振器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-257019号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1所记载的那样的弹性波装置中,有时产生在压电基板的表面传播的无用波。由于该无用波的影响,弹性波装置的电特性有可能劣化。
本发明的目的在于提供能够抑制由无用波引起的电特性的劣化的弹性波装置。
用于解决问题的手段
本发明涉及的弹性波装置具备:压电性基板,其包括支承构件和压电层,所述支承构件包括支承基板,所述压电层设置在所述支承构件上并且具有相对置的第1主面和第2主面;至少一个功能电极,其设置在所述压电层的所述第1主面或者所述第2主面,并且具有至少一对电极;第1支承体,其设置在所述压电性基板上,使得包围所述功能电极;至少一个第2支承体,其设置在所述压电性基板上,并且配置在被所述第1支承体包围的部分;以及盖部,其设置在所述第1支承体上和所述第2支承体上,将相邻的所述电极彼此对置的方向设为电极对置方向,在从所述电极对置方向观察时,相邻的所述电极彼此相互重叠的区域是交叉区域,将所述至少一对电极延伸的方向设为电极延伸方向时,在从所述电极延伸方向观察时、以及在从所述电极对置方向观察时,所述第2支承体都被配置为不与所述交叉区域重叠。
发明效果
根据本发明,能够提供能够抑制由无用波引起的电特性的劣化的弹性波装置。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。
图2是沿着图1中的I-I线的简图式剖视图。
图3是沿着图1中的II-II线的简图式剖视图。
图4是示出在从电极延伸方向观察时、以及在从电极对置方向观察时与交叉区域不重叠的位置的示意性俯视图。
图5是示出本发明的第1实施方式的变形例涉及的弹性波装置的相当于图2的部分的简图式剖视图。
图6是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。
图7是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的电路图。
图8是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。
图9是本发明的第4实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。
图10是本发明的第4实施方式涉及的弹性波装置的电路图。
图11的(a)是示出利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的外观的简图式立体图,图11的(b)是示出压电层上的电极构造的俯视图。
图12是沿着图11的(a)中的A-A线的部分的剖视图。
图13的(a)是用于说明在弹性波装置的压电膜传播的兰姆波的示意性主视剖视图,图13的(b)是用于说明弹性波装置中的在压电膜传播的厚度剪切模式的体波的示意性主视剖视图。
图14是示出厚度剪切模式的体波的振幅方向的图。
图15是示出利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的谐振特性的图。
图16是示出将相邻的电极的中心间距离设为p、将压电层的厚度设为d的情况下的d/p和作为谐振器的分数带宽的关系的图。
图17是利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的俯视图。
图18是示出出现杂散的参考例的弹性波装置的谐振特性的图。
图19是示出分数带宽和作为杂散的大小的以180度进行了标准化的杂散的阻抗的相位旋转量的关系的图。
图20是示出d/2p和金属化比MR的关系的图。
图21是示出使d/p无限接近于0的情况下的分数带宽相对于LiNbO3的欧拉角(0°,θ,ψ)的映射的图。
图22是用于说明利用兰姆波的弹性波装置的部分切除立体图。
具体实施方式
以下,参照附图来说明本发明的具体的实施方式,由此使本发明变得清楚。
另外,预先指出本说明书所记载的各实施方式是例示性的,在不同的实施方式间能够进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。图2是沿着图1中的I-I线的简图式剖视图。图3是沿着图1中的II-II线的简图式剖视图。在图1中,省略了后述的电介质膜。在图2中,通过对矩形添加了2条对角线的简图,示出后述的IDT电极。在其他简图式剖视图中也是同样的。
如图1以及图2所示,弹性波装置10具有压电性基板12和作为功能电极的IDT电极11。如图2所示,压电性基板12具有支承构件13和压电层14。在本实施方式中,支承构件13包括支承基板16和中间层15。在支承基板16上设置有中间层15。在中间层15上设置有压电层14。不过,支承构件13也可以仅由支承基板16构成。
作为支承基板16的材料,例如,能够使用硅等的半导体、氧化铝等的陶瓷等。作为中间层15的材料,能够使用氧化硅或者五氧化二钽等的适当的电介质。压电层14例如是LiTaO3层等的钽酸锂层、或者LiNbO3层等的铌酸锂层。
压电层14具有第1主面14a和第2主面14b。第1主面14a和第2主面14b相互对置。第1主面14a和第2主面14b中的第2主面14b位于支承构件13侧。
在支承构件13设置有第1空洞部10a。更具体而言,在中间层15设置有凹部。在中间层15上设置有压电层14,使得堵塞凹部。由此,构成了第1空洞部10a。另外,第1空洞部10a也可以设置在中间层15以及支承基板16,或者,还可以仅设置在支承基板16。在支承构件13,只要设置有至少一个第1空洞部10a即可。
如图1所示,在压电层14的第1主面14a设置有多个IDT电极11。由此,构成了多个弹性波谐振器。具体而言,在本实施方式中,构成了6个弹性波谐振器。多个弹性波谐振器包括第1谐振器10A以及第2谐振器10B。本实施方式中的弹性波装置10是滤波器装置。另外,弹性波装置10只要具有至少一个IDT电极11即可。本发明涉及的弹性波装置只要包括至少一个弹性波谐振器即可。
如图2所示,在俯视下,IDT电极11的至少一部分与第1空洞部10a重叠。更具体而言,在俯视下,各弹性波谐振器的IDT电极11可以与不同的第1空洞部10a重叠,也可以与相同的第1空洞部10a重叠。在本说明书中,所谓俯视,是指从相当于图2中的上方的方向观察。而且,所谓俯视,是指沿着后述的第1支承体18和盖部25被层叠的方向观察。另外,在图1中,例如,支承基板16和压电层14中的压电层14侧为上方。
返回到图1,IDT电极11具有第1汇流条28A和第2汇流条28B、以及多个第1电极指29A和多个第2电极指29B。第1汇流条28A和第2汇流条28B相互对置。多个第1电极指29A的一端分别连接于第1汇流条28A。多个第2电极指29B的一端分别连接于第2汇流条28B。多个第1电极指29A和多个第2电极指29B相互交错对插。第1电极指29A和第2电极指29B是本发明中的电极。IDT电极11可以包括单层的金属膜,也可以包括层叠金属膜。
以下,将相邻的第1电极指29A和第2电极指29B相互对置的方向设为电极对置方向。将多个第1电极指29A和多个第2电极指29B延伸的方向设为电极延伸方向。在本实施方式中,电极对置方向以及电极延伸方向相互正交。在从电极对置方向观察时,相邻的第1电极指29A和第2电极指29B相互重叠的区域是交叉区域E。
在压电层14的第1主面14a设置有第1支承体18和多个第2支承体19。在本实施方式中,第1支承体18和第2支承体19分别是多个金属层的层叠体。第1支承体18具有框状的形状。另一方面,第2支承体19具有柱状的形状。第1支承体18设置为包围多个IDT电极11和多个第2支承体19。更具体而言,第1支承体18具有开口部18c。多个IDT电极11和多个第2支承体19位于开口部18c内。
例如,多个第2支承体19中的一个第2支承体19位于第1谐振器10A附近。具体而言,该第2支承体19位于图4中的影线所示的区域。在图4中,被虚线夹着并且没有附加影线的区域是在从电极延伸方向观察时或者在从电极对置方向观察时与交叉区域E重叠的区域。另一方面,由影线示出的区域是在从电极延伸方向观察时以及在从电极对置方向观察时都不与交叉区域E重叠的区域。
如图3所示,在压电层14和第1支承体18之间设置有框状的电极层17A。与第1支承体18同样地,电极层17A在俯视下包围多个IDT电极11和多个第2支承体19。不过,也可以不设置电极层17A。在第1支承体18上以及多个第2支承体19上,设置有盖部25,使得堵塞开口部18c。据此,设置有由压电性基板12、电极层17A、第1支承体18以及盖部25包围的第2空洞部10b。多个IDT电极11以及多个第2支承体19配置在第2空洞部10b内。
如图1所示,本实施方式的特征在于,在从电极延伸方向观察时、以及在从电极对置方向观察时,第2支承体19都配置为不与交叉区域E重叠。据此,能够抑制由无用波引起的电特性的劣化。以下对此进行说明。另外,以下,有时将第1汇流条28A以及第2汇流条28B仅记载为汇流条。同样地,有时将第1电极指29A以及第2电极指29B仅记载为电极指。
IDT电极11具有多个激励区域C。通过对IDT电极11施加交流电压,从而在多个激励区域C激励弹性波。在本实施方式中,各弹性波谐振器被构成为能够利用例如厚度剪切一次模式等厚度剪切模式的体波。与交叉区域E同样地,激励区域C是在从电极对置方向观察时相邻的电极指彼此相互重叠的区域。另外,各激励区域C分别是一对电极指间的区域。更详细而言,激励区域C是从一个电极指的电极对置方向上的中心到另一个电极指的电极对置方向上的中心为止的区域。因此,交叉区域E包括多个激励区域C。
在弹性波谐振器中,有时在激励主模式的同时激励无用波。无用波包括在压电性基板的表面传播的波。该无用波主要在电极延伸方向或者电极对置方向上传播。
与此相对,在本实施方式中,在从电极延伸方向观察时、以及在从电极对置方向观察时,第2支承体19都被配置为不与交叉区域E重叠。因此,在压电性基板12的表面传播的无用波不易与第2支承体19碰撞。据此,能够抑制无用波在第2支承体19被反射并且到达产生了无用波的弹性波谐振器的情况。因此,能够抑制由无用波引起的弹性波装置10的电特性的劣化。另外,只要第2支承体19的至少一部分在从电极延伸方向观察时以及在从电极对置方向观察时被配置为对于任意一个弹性波谐振器不与交叉区域E重叠即可。
优选在从电极延伸方向观察时、以及在从电极对置方向观察时,第2支承体19都设置为不与和该第2支承体19距离最短的弹性波谐振器的交叉区域E重叠。据此,能够有效地抑制第2支承体19对无用波的反射。
不过,更优选包括第1谐振器10A以及第2谐振器10B的全部弹性波谐振器中的交叉区域E与第2支承体19的位置关系如上所述。即,更优选在从电极延伸方向观察时、以及在从电极对置方向观察时,全部第2支承体19都配置为不与全部交叉区域E重叠。据此,能够更可靠地抑制由无用波引起的弹性波装置10的电特性的劣化。
以下,说明本实施方式的结构的进一步的详细情况。
如图2所示,在压电性基板12上设置有电介质膜24,使得覆盖IDT电极11。由此,IDT电极11不易破损。对于电介质膜24,例如,能够使用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等。在电介质膜24包括氧化硅的情况下,能够改善频率温度特性。另一方面,在电介质膜24包括氮化硅等的情况下,能够将电介质膜24用作频率调整膜。另外,也可以不设置电介质膜24。
在压电层14以及电介质膜24,连续地设置有贯通孔20。贯通孔20被设置为到达第1空洞部10a。在制造弹性波装置10时,为了除去中间层15内的牺牲层而使用贯通孔20。不过,贯通孔20也可以未必设置。
盖部25具有盖部主体26以及绝缘体层27A和绝缘体层27B。盖部主体26具有第1主面26a和第2主面26b。第1主面26a和第2主面26b相互对置。第1主面26a和第2主面26b中的第2主面26b位于压电性基板12侧。在第1主面26a设置有绝缘体层27A。在第2主面26b设置有绝缘体层27B。在本实施方式中,盖部主体26以硅为主成分。盖部主体26的材料不限于上述,但是优选以硅等半导体为主成分。在本说明书中,所谓主成分,是指占的比例超过50重量%的成分。另一方面,绝缘体层27A和绝缘体层27B例如是氧化硅层。
如图3所示,在盖部25设置有凸块下金属21A。更具体而言,在盖部25设置有贯通孔。该贯通孔被设置为到达第2支承体19。在该贯通孔内设置有凸块下金属21A。凸块下金属21A的一端与第2支承体19连接。设置有电极焊盘21B,使得与凸块下金属21A的另一端连接。另外,在本实施方式中,凸块下金属21A和电极焊盘21B被设置为一体。不过,凸块下金属21A和电极焊盘21B也可以设置为分体。凸块22与电极焊盘21B接合。
更详细而言,设置有绝缘体层27A,使得覆盖电极焊盘21B的外周缘附近。凸块22与电极焊盘21B中的未被绝缘体层27A覆盖的部分接合。另外,绝缘体层27A也可以到达电极焊盘21B和盖部主体26之间。而且,绝缘体层27A也可以到达凸块下金属21A和盖部主体26之间。绝缘体层27A和绝缘体层27B也可以经由盖部主体26的贯通孔而被设置为一体。
如上所述,在本实施方式中,第1支承体18和第2支承体19分别是多个金属层的层叠体。更具体而言,第1支承体18具有第1部分18a和第2部分18b。第1部分18a和第2部分18b中的第1部分18a位于盖部25侧,第2部分18b位于压电性基板12侧。同样地,第2支承体19也具有第1部分19a和第2部分19b。第1部分19a和第2部分19b中的第1部分19a位于盖部25侧,第2部分19b位于压电性基板12侧。各个第1部分18a和第1部分19a例如包括Au等。各个第2部分18b和第2部分19b例如包括Al等。在本说明书中,所谓某构件包括某材料,包括含有弹性波装置的电特性不劣化的程度的微量的杂质的情况。
如图1所示,在本实施方式中,在电极延伸方向上相邻的弹性波谐振器共享汇流条。被共享的汇流条在一个弹性波谐振器中成为第1汇流条,在另一个弹性波谐振器中成为第2汇流条。
在压电性基板12上设置有多个布线电极23。多个布线电极23中的一部分将IDT电极11彼此连接。多个布线电极23中的另一部分将IDT电极11和第2支承体19电连接。更具体而言,如图3所示,在压电性基板12上设置有导电膜17B。在导电膜17B上设置有第2支承体19。由此,布线电极23经由导电膜17B与第2支承体19电连接。而且,多个IDT电极11经由布线电极23、导电膜17B、第2支承体19、凸块下金属21A、电极焊盘21B以及凸块22与外部电连接。
另外,多个第2支承体19也可以包括不与凸块下金属21A连接的第2支承体19。
本实施方式中的功能电极是IDT电极11。另外,功能电极只要具有至少一对电极指即可。在该情况下,能够利用厚度剪切模式的体波。
另一方面,弹性波装置10的多个弹性波谐振器例如也可以构成为能够利用板波。在各弹性波谐振器利用板波的情况下,IDT电极11的交叉区域E是激励区域。在该情况下,作为压电层14的材料,例如,能够使用铌酸锂、钽酸锂、氧化锌、氮化铝、石英或者PZT(锆钛酸铅)等。
以下,示出本实施方式中的优选结构。
优选至少一个第2支承体19设置在弹性波谐振器与第1支承体18之间,并且设置在多个弹性波谐振器之间。在该情况下,易于抑制设置有第2支承体19所引起的无用波的反射。
优选上述导电膜17B和布线电极23包括相同的材料。在布线电极23与导电膜17B连接的情况下,优选导电膜17B和布线电极23被设置为一体。据此,能够提高生产率。另外,导电膜17B也可以未必与布线电极23连接。
如图2所示,在将沿着压电性基板12、第1支承体18以及盖部25被层叠的方向的尺寸设为高度时,优选第2空洞部10b的高度比第1空洞部10a的高度高。在该情况下,即使在压电层14从第1空洞部10a侧向第2空洞部10b侧变形为凸状时,压电层14也不易贴附于盖部25。
不过,第1空洞部10a和第2空洞部10b的高度关系不限于上述。在图5所示的第1实施方式的变形例中,第1空洞部10a的高度比第2空洞部10b的高度高。在该情况下,即使在压电层14从第2空洞部10b侧向第1空洞部10a侧变形为凸状时,压电层14也不易贴附于支承构件13。并且,与第1实施方式同样地,能够使无用波散射,能够抑制由无用波引起的电特性的劣化。
另外,如图3所示,在第1实施方式中,第1支承体18以及多个第2支承体19设置在压电性基板12中的压电层14上。不过,第1支承体18的至少一部分也可以设置在压电性基板12中的未设置压电层14的部分。同样地,第2支承体19的至少一部分也可以设置在压电性基板12中的未设置压电层14的部分。例如,第1支承体18或者第2支承体19的至少一部分也可以设置在中间层15上或者支承基板16上。
在第1实施方式中,第1支承体18以及多个第2支承体19是金属层的层叠体。另外,第1支承体18以及第2支承体19也可以包括树脂。在该情况下,也能够抑制第2支承体19对无用波的反射。由此,能够抑制由无用波引起的电特性的劣化。在第2支承体19包括树脂的情况下,只要设置有凸块下金属21A使得贯穿第2支承体19即可
盖部主体26以半导体为主成分。另外,盖部25也可以包括树脂。而且,在第1支承体18以及第2支承体19包括树脂的情况下,优选第1支承体18、第2支承体19以及盖部25由相同的树脂材料设置为一体。据此,能够提高生产率。
在第1实施方式中,IDT电极11设置在压电层14的第1主面14a。不过,IDT电极11也可以设置在压电层14的第2主面14b。在该情况下,IDT电极11例如位于第1空洞部10a内。
图6是第2实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。图7是第2实施方式涉及的弹性波装置的电路图。
如图6所示,本实施方式在多个弹性波谐振器的配置以及多个第2支承体19的配置上与第1实施方式不同。另外,本实施方式在电路结构上也与第1实施方式不同。在上述方面以外,本实施方式的弹性波装置30具有与第1实施方式的弹性波装置10同样的结构。
在本实施方式中,第2支承体19也被配置为在从电极延伸方向观察时以及在从电极对置方向观察时都不与各弹性波谐振器的IDT电极11的交叉区域E重叠。由此,与第1实施方式同样地,能够抑制无用波的反射,能够抑制由无用波引起的电特性的劣化。
如图7所示,弹性波装置30是梯型滤波器。弹性波装置30具有输入端子32和输出端子33、多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器。输入端子32和输出端子33例如可以构成为电极焊盘,也可以构成为布线。在弹性波装置30中,从输入端子32输入信号。
弹性波装置30的多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器分别是分割型弹性波谐振器。具体而言,多个串联臂谐振器是串联臂谐振器S1 a、串联臂谐振器S1b、串联臂谐振器S2a以及串联臂谐振器S2b。串联臂谐振器S1a和串联臂谐振器S1b是将一个串联臂谐振器并联分割的谐振器。同样地,串联臂谐振器S2a和串联臂谐振器S2b是将一个串联臂谐振器并联分割的谐振器。串联臂谐振器S1a和串联臂谐振器S1b以及串联臂谐振器S2a和串联臂谐振器S2b相互串联地连接在输入端子32和输出端子33之间。
具体而言,多个并联臂谐振器是并联臂谐振器P1a、并联臂谐振器P1b、并联臂谐振器P2a以及并联臂谐振器P2b。并联臂谐振器P1a和并联臂谐振器P1b是将一个并联臂谐振器并联分割的谐振器。同样地,并联臂谐振器P2a和并联臂谐振器P2b是将一个并联臂谐振器并联分割的谐振器。并联臂谐振器P1a和并联臂谐振器P1b相互并联地连接在输入端子32与接地电位之间。并联臂谐振器P2a和并联臂谐振器P2b相互并联地连接在串联臂谐振器S1a和串联臂谐振器S2a之间的连接点与接地电位之间。
另外,弹性波装置30的电路结构不限于上述。各串联臂谐振器和各并联臂谐振器也可以是串联分割的谐振器。或者,各串联臂谐振器和各并联臂谐振器也可以不是分割型谐振器。在弹性波装置30是梯型滤波器的情况下,多个谐振器只要包括至少一个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器即可。
如图6所示,多个并联臂谐振器分别与第2支承体19连接。在本实施方式中,多个并联臂谐振器经由第2支承体19连接于接地电位。
另外,串联臂谐振器S1b和并联臂谐振器P1b在电极延伸方向上彼此相邻。串联臂谐振器S1b和并联臂谐振器P1b与并联臂谐振器P1a在电极对置方向上彼此相邻。而且,在串联臂谐振器S1b和并联臂谐振器P1b与并联臂谐振器P1a之间设置有第2支承体19。据此,能够使从串联臂谐振器S1b、并联臂谐振器P1b和并联臂谐振器P1a各自的IDT电极11产生的热经由第2支承体19释放到外部。由此,能够提高散热性。另外,通过在至少两个弹性波谐振器之间配置第2支承体19,能够提高散热性。
连结串联臂谐振器S1b和并联臂谐振器P1a的线F1在与电极延伸方向及电极对置方向都交叉的方向上延伸。第2支承体19位于线F1上。同样地,连结并联臂谐振器P1b和并联臂谐振器P1a的线F2在与电极延伸方向及电极对置方向都交叉的方向上延伸。该第2支承体19位于线F2上。而且,该第2支承体19在从电极延伸方向观察时以及在从电极对置方向观察时,都不与串联臂谐振器S1b和并联臂谐振器P1b各自的交叉区域E重叠。另一方面,该第2支承体19在从电极对置方向观察时,与并联臂谐振器P1a的交叉区域E重叠。
在该情况下,也能够抑制在串联臂谐振器S1b和并联臂谐振器P1b中产生的无用波被第2支承体19反射的情况。由此,能够抑制由无用波引起的电特性的劣化。
而且,在本实施方式中,在第2支承体19与串联臂谐振器S1b及并联臂谐振器P1b之间设置有布线电极23。在该情况下,能够提高散热性。
图8是第3实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。
本实施方式在多个弹性波谐振器的配置以及多个第2支承体19的配置上与第2实施方式不同。在上述方面以外,本实施方式的弹性波装置40具有与第2实施方式的弹性波装置30同样的结构。
如图8所示,在本实施方式中,第2支承体19也配置为在从电极延伸方向观察时以及在从电极对置方向观察时都不与各弹性波谐振器的IDT电极11的交叉区域E重叠。据此,与第2实施方式同样地,能够抑制第2支承体19对无用波的反射,能够抑制由无用波引起的电特性的劣化。
在本实施方式中,多个第2支承体19被配置为在电极对置方向上夹着并联臂谐振器P1a。由此,能够有效地提高散热性。优选该多个第2支承体19分别被配置为在从电极延伸方向观察时以及在从电极对置方向观察时都不与并联臂谐振器P1a的交叉区域E重叠。据此,能够更可靠地抑制无用波的反射。
被配置为夹着并联臂谐振器P1a的第2支承体19是1.5对。所谓在电极对置方向上被1.5对第2支承体19夹着,是指通过在电极对置方向上的一方配置两个第2支承体19、在另一方配置一个第2支承体19从而被夹着。另外,被配置为夹着弹性波谐振器的第2支承体19不限于1.5对,也可以是一对,也可以是两对以上。
在本实施方式中,夹着并联臂谐振器P1a的多个第2支承体19的配置是非对称的。所谓上述非对称,是指在俯视下,将通过交叉区域E的电极对置方向上的中央并且在电极延伸方向上延伸的轴设为对称轴G时,多个第2支承体19的配置不是线对称。
具体而言,夹着并联臂谐振器P1a的1.5对第2支承体19中的一对第2支承体19在电极延伸方向上没有夹着并联臂谐振器P1a的交叉区域E。而且,一个第2支承体19比另一个第2支承体19在电极延伸方向上靠近交叉区域E。如此,在电极对置方向上是非对称的。
此外,上述一对第2支承体19在电极对置方向上也是非对称的。更具体而言,将距离L1设为夹着并联臂谐振器P1a的第2支承体19中的一个第2支承体19与图8中的直线H1之间的距离。直线H1是并联臂谐振器Pla中的位于交叉区域E的电极对置方向的一端的电极指的电极延伸方向的延长线。将距离L2设为另一个第2支承体19与图8中的直线H2之间的距离。直线H2是位于上述交叉区域E的另一端的电极指的电极延伸方向的延长线。如图8所示,L1≠L2。
即,在本实施方式中,夹着并联臂谐振器P1a的上述一对第2支承体19的配置,在电极对置方向以及电极延伸方向上都是非对称的。另外,在上述一对第2支承体19的配置是非对称的情况下,只要该配置在电极对置方向以及电极延伸方向中的至少一方是非对称的即可。在该情况下,即使无用波的一部分到达了各第2支承体19,也能够使无用波的相位相互错开。因此,能够抑制无用波对电特性的影响。
优选上述一对第2支承体19的中心彼此的配置在电极对置方向以及电极延伸方向中的至少一方是非对称的。在该情况下,能够抑制无用波对电特性的影响。
另外,在本实施方式中,夹着并联臂谐振器P1a的上述1.5对第2支承体19中的另一对第2支承体19的配置也在电极对置方向以及电极延伸方向上都是非对称的。由此,能够抑制无用波对电特性的影响,并且进一步提高散热性。
如图8所示,夹着并联臂谐振器P1a的1.5对第2支承体19中的一对第2支承体19在电极对置方向上夹着并联臂谐振器P1a。另一方面,该1.5对第2支承体19中的另一对第2支承体19在与电极对置方向以及电极延伸方向都交叉的方向上夹着并联臂谐振器P1a。另外,夹着并联臂谐振器Pla的一对第2支承体19也可以在电极延伸方向上夹着并联臂谐振器P1a。
另一方面,如图8所示,第2支承体19设置在串联臂谐振器S1a的电极对置方向上的单侧。串联臂谐振器S1a未被多个第2支承体19夹着。据此,能够减少配置第2支承体19的部分,能够减小压电性基板12的面积。这种结构在并联臂谐振器P1a比串联臂谐振器S1a更被要求耐功率性的电路结构中尤其适合。具体而言,能够提高弹性波装置40的作为整体的耐功率性,并且能够使弹性波装置30变得小型。
另外,在电路上,并联臂谐振器P1a是多个弹性波谐振器中的最靠近输入端子32的弹性波谐振器的一个。在该情况下,并联臂谐振器P1a尤其易于被要求耐功率性。
图9是第4实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。图10是第4实施方式涉及的弹性波装置的电路图。
如图9所示,本实施方式在多个弹性波谐振器的配置以及多个第2支承体19的配置上与第2实施方式不同。另外,如图10所示,作为电路结构,本实施方式在多个并联臂谐振器的配置上与第2实施方式不同。在上述方面以外,本实施方式的弹性波装置50具有与第2实施方式的弹性波装置30同样的结构。
在弹性波装置50中,并联臂谐振器P1a和并联臂谐振器P1b相互并联地连接在串联臂谐振器S1a和串联臂谐振器S2a之间的连接点与接地电位之间。并联臂谐振器P2a和并联臂谐振器P2b相互并联地连接在输出端子33与接地电位之间。
返回到图9,在本实施方式中,在从电极延伸方向观察时、以及在从电极对置方向观察时,第2支承体19都被配置为不与多个弹性波谐振器的IDT电极11的交叉区域E重叠。据此,与第2实施方式同样地,能够抑制第2支承体19对无用波的反射,能够抑制由无用波引起的电特性的劣化。
在弹性波装置50中,设置有多个第2支承体19,使得夹着串联臂谐振器S1a。据此,能够将在串联臂谐振器S1a中产生的热有效地散热。另一方面,第2支承体19设置在并联臂谐振器P1a的电极对置方向上的单侧。并联臂谐振器P1a未被多个第2支承体19夹着。据此,能够减少配置第2支承体19的部分,能够减小压电性基板12的面积。这种结构在串联臂谐振器S1a比并联臂谐振器P1a更被要求耐功率性的电路构成中尤其适合。具体而言,能够提高弹性波装置50的作为整体的耐功率性,并且能够使弹性波装置50变得小型。
另外,在电路上,串联臂谐振器S1a是多个弹性波谐振器中的最靠近输入端子32的弹性波谐振器之一。在该情况下,串联臂谐振器S1a尤其易于被要求耐功率性。
在本实施方式中,在夹着串联臂谐振器S1a的多个第2支承体19中的一对第2支承体19中,也是L1≠L2。即,该一对第2支承体19至少在电极对置方向上是非对称的。由此,即使无用波的一部分到达了各第2支承体19,也能够使无用波的相位相互错开。因此,能够抑制无用波对电特性的影响。
以下,说明厚度剪切模式以及板波的详细情况。另外,以下的例子中的电极相当于上述电极指。以下的例子中的支承构件相当于本发明中的支承基板。
图11的(a)是示出利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的外观的简图式立体图,图11的(b)是示出压电层上的电极构造的俯视图,图12是沿着图11的(a)中的A-A线的部分的剖视图。
弹性波装置1具有包括LiNbO3的压电层2。压电层2也可以包括LiTaO3。LiNbO3、LiTaO3的切割角是Z切割,但是也可以是旋转Y切割、X切割。压电层2的厚度没有特别限定,但是为了有效地激励厚度剪切模式,优选为40nm以上且1000nm以下,更优选为50nm以上且1000nm以下。压电层2具有相对置的第1主面2a、第2主面2b。在第1主面2a上设置有电极3以及电极4。这里,电极3是“第1电极”的一例,电极4是“第2电极”的一例。在图11的(a)以及图11的(b)中,多个电极3与第1汇流条5连接。多个电极4与第2汇流条6连接。多个电极3和多个电极4相互交错对插。电极3和电极4具有矩形形状,具有长度方向。在与该长度方向正交的方向上,电极3与相邻的电极4对置。电极3、电极4的长度方向以及与电极3、电极4的长度方向正交的方向都是与压电层2的厚度方向交叉的方向。因此,也可以说电极3与相邻的电极4在与压电层2的厚度方向交叉的方向上对置。此外,电极3、电极4的长度方向也可以替换为与图11的(a)以及图11的(b)所示的电极3、电极4的长度方向正交的方向。即,也可以使电极3、电极4在图11的(a)以及图11的(b)中第1汇流条5以及第2汇流条6延伸的方向上延伸。在该情况下,第1汇流条5以及第2汇流条6变得在图11的(a)以及图11的(b)中电极3、电极4延伸的方向上延伸。而且,连接到一个电位的电极3和连接到另一个电位的电极4相邻的一对构造,在与上述电极3、电极4的长度方向正交的方向上设置有多对。这里,所谓电极3和电极4相邻,不是指电极3和电极4配置为直接接触的情况,而是指电极3和电极4隔着间隔而配置的情况。此外,在电极3和电极4相邻的情况下,在电极3与电极4之间,不配置包括其他电极3、电极4在内的与信号电极、接地电极连接的电极。该对数不需要是整数对,也可以是1.5对、2.5对等。电极3、电极4间的中心间距离即间距优选1μm以上且10μm以下的范围。此外,电极3、电极4的宽度、即电极3、电极4的对置方向的尺寸优选为50nm以上且1000nm以下的范围,更优选为150nm以上且1000nm以下的范围。另外,所谓电极3、电极4间的中心间距离,成为将与电极3的长度方向正交的方向上的电极3的尺寸(宽度尺寸)的中心和与电极4的长度方向正交的方向上的电极4的尺寸(宽度尺寸)的中心连结的距离。
此外,在弹性波装置1中,由于使用了Z切割的压电层,所以与电极3、电极4的长度方向正交的方向成为与压电层2的极化方向正交的方向。在使用其他切割角的压电体作为压电层2的情况下,不限于此。这里,所谓“正交”,不是仅限于严格正交的情况,也可以是大致正交(与电极3、电极4的长度方向正交的方向和极化方向所成的角度例如在90°±10°的范围内)。
在压电层2的第2主面2b侧,隔着绝缘层7层叠有支承构件8。绝缘层7以及支承构件8具有框状的形状,如图12所示,具有贯通孔7a、贯通孔8a。据此,形成有空洞部9。空洞部9是为了不妨碍压电层2的激励区域C的振动而设置的。因此,上述支承构件8在不与设置有至少一对电极3、电极4的部分重叠的位置隔着绝缘层7层叠在第2主面2b。另外,也可以不设置绝缘层7。因此,支承构件8可以直接或间接地层叠在压电层2的第2主面2b。
绝缘层7包括氧化硅。不过,除了氧化硅之外,能够使用氮氧化硅、矾土等的适当的绝缘性材料。支承构件8包括Si。Si的压电层2侧的面中的面方位可以是(100)、(110),也可以是(111)。构成支承构件8的Si为电阻率4kΩcm以上的高电阻为宜。不过,对于支承构件8,也能够使用适当的绝缘性材料、半导体材料来构成。
作为支承构件8的材料,例如,能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化镁、蓝宝石、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、玻璃等电介质、氮化镓等半导体等。
上述多个电极3、电极4以及第1汇流条5、第2汇流条6包括A1、AlCu合金等适当的金属或合金。在本实施方式中,电极3、电极4以及第1汇流条5、第2汇流条6具有在Ti膜上层叠有Al膜的构造。另外,也可以使用Ti膜以外的密接层。
在驱动时,在多个电极3与多个电极4之间施加交流电压。更具体而言,在第1汇流条5与第2汇流条6之间施加交流电压。据此,能够得到利用了在压电层2中激励的厚度剪切模式的体波的谐振特性。此外,在弹性波装置1中,在将压电层2的厚度设为d,将多对电极3、电极4中的任意相邻的电极3、电极4的中心间距离设为p的情况下,d/p设为0.5以下。因此,可有效地激励上述厚度剪切模式的体波,能够得到良好的谐振特性。更优选的是d/p为0.24以下,在该情况下,能够得到更加良好的谐振特性。
在弹性波装置1中,由于具备上述结构,所以即使要实现小型化而减小了电极3、电极4的对数,也不易产生Q值的降低。这是因为即使减少了两侧的反射器中的电极指的根数,传播损耗也少。此外,能够减少上述电极指的根数是由于利用了厚度剪切模式的体波。参照图13的(a)以及图13的(b)来说明在弹性波装置中利用的兰姆波和上述厚度剪切模式的体波的差异。
图13的(a)是用于说明在日本公开特许公报特开2012-257019号公报中记载的那样的弹性波装置的压电膜传播的兰姆波的示意性主视剖视图。这里,波在压电膜201中如箭头所示那样传播。这里,在压电膜201中,第1主面201a和第2主面201b对置,连结第1主面201a和第2主面201b的厚度方向是Z方向。X方向是IDT电极的电极指排列的方向。如图13的(a)所示,对于兰姆波,波如图示那样在X方向上传播下去。因为是板波,所以虽然压电膜201作为整体而振动,但是波在X方向上传播,因此在两侧配置反射器,从而得到了谐振特性。因此,产生波的传播损耗,在实现了小型化的情况下,即在减少了电极指的对数的情况下,Q值降低。
与此相对,如图13的(b)所示,在弹性波装置1中,因为振动位移是厚度剪切方向,所以波大致在连结压电层2的第1主面2a和第2主面2b的方向即Z方向上传播,谐振。即,波的X方向分量与Z方向分量相比明显小。而且,由于通过该Z方向的波的传播而得到谐振特性,所以即使减少了反射器的电极指的根数,也不易产生传播损耗。而且,即使要推进小型化而减少了包括电极3、电极4的电极对的对数,也不易产生Q值的降低。
另外,如图14所示,厚度剪切模式的体波的振幅方向在压电层2的激励区域C所包括的第1区域451和激励区域C所包括的第2区域452中变得相反。在图14中,示意性地示出了在电极3与电极4之间施加了电极4与电极3相比成为高电位的电压的情况下的体波。第1区域451是激励区域C中的、与压电层2的厚度方向正交并且将压电层2分为两部分的假想平面VP1与第1主面2a之间的区域。第2区域452是激励区域C中的假想平面VP1与第2主面2b之间的区域。
如上所述,在弹性波装置1中,配置有包括电极3和电极4的至少一对电极,但是由于不是使波在X方向上传播,所以包括该电极3、电极4的电极对的对数不需要有多对。即,只要设置有至少一对电极即可。
例如,上述电极3是连接于信号电位的电极,电极4是连接于接地电位的电极。不过,也可以电极3连接于接地电位,电极4连接于信号电位。在本实施方式中,如上所述,至少一对电极是连接于信号电位的电极或者连接于接地电位的电极,没有设置浮置电极。
图15是示出图12所示的弹性波装置的谐振特性的图。另外,得到该谐振特性的弹性波装置1的设计参数如以下所述。
压电层2:欧拉角(0°,0°,90°)的LiNbO3,厚度=400nm。
在从与电极3和电极4的长度方向正交的方向观察时,电极3和电极4重叠的区域即激励区域C的长度=40μm,包括电极3、电极4的电极的对数=21对,电极间中心距离=3μm,电极3、电极4的宽度=500nm,d/p=0.133。
绝缘层7:1μm的厚度的氧化硅膜。
支承构件8:Si。
另外,所谓激励区域C的长度,是指激励区域C的沿着电极3、电极4的长度方向的尺寸。
在本实施方式中,包括电极3、电极4的电极对的电极间距离设为在多对中全部相等。即,以等间距配置了电极3和电极4。
由图15可知,尽管不具有反射器,也得到了分数带宽为12.5%的良好的谐振特性。
另外,在将上述压电层2的厚度设为d,将电极3和电极4的电极的中心间距离设为p的情况下,如前所述,在本实施方式中,d/p为0.5以下,更优选为0.24以下。参照图16对此进行说明。
与得到图15所示的谐振特性的弹性波装置同样地,但是使d/p变化,得到了多个弹性波装置。图16是示出该d/p和作为弹性波装置的谐振器的分数带宽的关系的图。
由图16可知,若d/p>0.5,则即使调整d/p,分数带宽也不足5%。与此相对,在d/p≤0.5的情况下,若在该范围内使d/p变化,则能够使分数带宽为5%以上,即,能够构成具有高耦合系数的谐振器。此外,在d/p为0.24以下的情况下,能够将分数带宽提高到7%以上。而且,若在该范围内调整d/p,则能够得到分数带宽更宽的谐振器,能够实现具有更高的耦合系数的谐振器。因此,可知通过使d/p为0.5以下,能够构成利用了上述厚度剪切模式的体波的具有高耦合系数的谐振器。
图17是利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的俯视图。在弹性波装置80中,在压电层2的第1主面2a上,设置有具有电极3和电极4的一对电极。另外,图17中的K成为交叉宽度。如前所述,在本发明的弹性波装置中,电极的对数也可以是1对。在该情况下,若上述d/p为0.5以下,则也能够有效地激励厚度剪切模式的体波。
在弹性波装置1中,优选的是,在多个电极3、电极4中,任意相邻的电极3、电极4相对于上述相邻的电极3、电极4在对置的方向上观察时重叠的区域即激励区域C的金属化比MR满足MR≤1.75(d/p)+0.075为宜。在该情况下,能够有效地减小杂散。参照图18以及图19对此进行说明。图18是示出上述弹性波装置1的谐振特性的一例的参考图。在谐振频率与反谐振频率之间出现箭头B所示的杂散。另外,设d/p=0.08,并且设LiNbO3的欧拉角(0°,0°,90°)。此外,设上述金属化比MR=0.35。
参照图11的(b)来说明金属化比MR。在图11的(b)的电极构造中,关注于一对电极3、电极4的情况下,设仅设置有该一对电极3、电极4。在该情况下,由单点划线包围的部分成为激励区域C。该激励区域C是在与电极3、电极4的长度方向正交的方向即对置方向上观察电极3和电极4时电极3中的与电极4相互重叠的区域、电极4中的与电极3相互重叠的区域、以及电极3与电极4之间的区域中的电极3和电极4相互重叠的区域。而且,激励区域C内的电极3、电极4的面积相对于该激励区域C的面积成为金属化比MR。即,金属化比MR是金属化部分的面积相对于激励区域C的面积的比。
另外,在设置有多对电极的情况下,只要将全部激励区域所包括的金属化部分相对于激励区域的面积的合计的比例设为MR即可。
图19是示出按照本实施方式构成了许多弹性波谐振器的情况下的分数带宽和作为杂散的大小的以180度进行了标准化的杂散的阻抗的相位旋转量的关系的图。另外,对于分数带宽,对压电层的膜厚、电极的尺寸进行了各种变更、调整。此外,图19是使用了包括Z切割的LiNbO3的压电层的情况下的结果,但是在使用了其他切割角的压电层的情况下,也成为同样的倾向。
在图19中的由椭圆J包围的区域中,杂散变大为1.0。由图19可知,若分数带宽超过0.17,即,若超过17%,则即使使构成分数带宽的参数变化,在通带内也出现杂散电平为1以上的大的杂散。即,如图18所示的谐振特性那样,在频带内出现箭头B所示的大的杂散。由此,优选分数带宽为17%以下。在该情况下,通过调整压电层2的膜厚、电极3、电极4的尺寸等,能够减小杂散。
图20是示出d/2p、金属化比MR和分数带宽的关系的图。在上述弹性波装置中,构成d/2p、MR不同的各种各样的弹性波装置,测定了分数带宽。图20的虚线D的右侧的附加影线而示出的部分是分数带宽为17%以下的区域。该附加了影线的区域和未附加影线的区域的边界用MR=3.5(d/2p)+0.075表示。即,MR=1.75(d/p)+0.075。因此,优选MR≤1.75(d/p)+0.075。在该情况下,容易使分数带宽为17%以下。更优选的是,图20中的单点划线D1所示的MR=3.5(d/2p)+0.05的右侧的区域。即,若MR≤1.75(d/p)+0.05,则能够可靠地使分数带宽为17%以下。
图21是示出使d/p无限接近于0的情况下的分数带宽相对于LiNbP3的欧拉角(0°,θ,ψ)的映射的图。图21的附加影线而示出的部分是得到至少5%以上的分数带宽的区域,若对该区域的范围进行近似,则成为由下述的式(1)、式(2)以及式(3)表示的范围。
(0°±10°,0°~20°,任意的ψ)...式(1)
(0°±10°,20°~80°,0°~60°(1-(θ-50)2/900)1/2)或者(0°±10°,20°~80°,[180°-60°(1-(θ-50)2/900)1/2]~180°)...式(2)
(0°±10°,[180°-30°(1-(ψ-90)2/8100)1/2]~180°,任意的ψ)...式(3)
因此,在上述式(1)、式(2)或者式(3)的欧拉角范围的情况下,能够充分地使分数带宽变宽,是优选的。在压电层2为钽酸锂层的情况下也是同样的。
图22是用于说明利用兰姆波的弹性波装置的部分切除立体图。
弹性波装置81具有支承基板82。在支承基板82设置有在上表面敞开的凹部。在支承基板82上层叠有压电层83。据此,构成了空洞部9。在该空洞部9的上方,在压电层83上设置有IDT电极84。在IDT电极84的弹性波传播方向两侧设置有反射器85、反射器86。在图22中,用虚线示出空洞部9的外周缘。这里,IDT电极84具有第1汇流条84a、第2汇流条84b以及多根第1电极指84c和多根第2电极指84d。多根第1电极指84c与第1汇流条84a连接。多根第2电极指84d与第2汇流条84b连接。多根第1电极指84c和多根第2电极指84d交错对插。
在弹性波装置81中,通过对上述空洞部9上的IDT电极84施加交流电场,从而激励作为板波的兰姆波。而且,由于在两侧设置有反射器85、反射器86,所以能够得到基于上述兰姆波的谐振特性。
如此,本发明的弹性波装置也可以是利用板波的弹性波装置。在该情况下,只要在上述第1实施方式~第4实施方式或者变形例中的压电层上设置图22所示的IDT电极84、反射器85以及反射器86即可。
在具有利用厚度剪切模式的体波的弹性波谐振器的第1实施方式~第4实施方式或者变形例的弹性波装置中,如上所述,d/p优选为0.5以下,更优选为0.24以下。据此,能够得到更良好的谐振特性。而且,在具有利用厚度剪切模式的体波的弹性波谐振器的第1实施方式~第4实施方式或者变形例的弹性波装置中,如上所述,优选满足MR≤1.75(d/p)+0.075。在该情况下,能够更可靠地抑制杂散。
具有利用厚度剪切模式的体波的弹性波谐振器的第1实施方式~第4实施方式或者变形例的弹性波装置中的压电层优选为铌酸锂层或者钽酸锂层。而且,构成该压电层的铌酸锂或者钽酸锂的欧拉角(θ,ψ)优选处于上述式(1)、式(2)或者式(3)的范围。在该情况下,能够充分地使分数带宽变宽。
附图标记说明
1...弹性波装置
2...压电层
2a、2b...第1主面、第2主面
3、4...电极
5、6...第1汇流条、第2汇流条
7...绝缘层
7a...贯通孔
8...支承构件
8a...贯通孔
9...空洞部
10...弹性波装置
10A、10B...第1谐振器、第2谐振器
10a、10b...第1空洞部、第2空洞部
11...IDT电极
12...压电性基板
13...支承构件
14...压电层
14a、14b...第1主面、第2主面
15...中间层
16...支承基板
17A...电极层
17B...导电膜
18...第1支承体
18a、18b...第1部分、第2部分
18c...开口部
19...第2支承体
19a、19b...第1部分、第2部分
20...贯通孔
21A...凸块下金属
21B...电极焊盘
22...凸块
23...布线电极
24...电介质膜
25...盖部
26...盖部主体
26a、26b...第1主面、第2主面
27A、27B...绝缘体层
28A、28B...第1汇流条、第2汇流条
29A、29B...第1电极指、第2电极指
30...弹性波装置
32...输入端子
33...输出端子
40、50、80、81...弹性波装置
82...支承基板
83...压电层
84...IDT电极
84a、84b...第1汇流条、第2汇流条
84c、84d...第1电极指、第2电极指
85、86...反射器
201...压电膜
201a、201b...第1主面、第2主面
451、452...第1区域、第2区域
C...激励区域
E...交叉区域
Pla、Plb、P2a、P2b...并联臂谐振器
S1a、S1b、S2a、S2b...串联臂谐振器
VP1...假想平面。

Claims (24)

1.一种弹性波装置,具备:
压电性基板,其包括支承构件和压电层,所述支承构件包括支承基板,所述压电层设置在所述支承构件上并且具有相对置的第1主面和第2主面;
至少一个功能电极,其设置在所述压电层的所述第1主面或者所述第2主面,并且具有至少一对电极;
第1支承体,其设置在所述压电性基板上,使得包围所述功能电极;
至少一个第2支承体,其设置在所述压电性基板上,并且配置在被所述第1支承体包围的部分;以及
盖部,其设置在所述第1支承体上和所述第2支承体上,
将相邻的所述电极彼此对置的方向设为电极对置方向,在从所述电极对置方向观察时,相邻的所述电极彼此相互重叠的区域是交叉区域,
将所述至少一对电极延伸的方向设为电极延伸方向时,在从所述电极延伸方向观察时、以及在从所述电极对置方向观察时,所述第2支承体都被配置为不与所述交叉区域重叠。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置具备多个所述功能电极,
构成了分别具有所述功能电极的多个谐振器,
至少一个所述第2支承体配置在两个所述谐振器之间。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置,其中,
所述多个谐振器包括分割型的多个谐振器,
至少一个所述第2支承体配置在分割型的两个所述谐振器之间。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置具备多个所述功能电极,
构成了分别具有所述功能电极的多个谐振器,
至少一个所述第2支承体配置在所述压电性基板上的除了两个所述谐振器之间以外的部分。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的弹性波装置,其中,
至少一个所述第2支承体与所述功能电极电连接。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置具备多个所述功能电极和多个所述第2支承体,
构成了分别具有所述功能电极的多个谐振器,
至少一对所述第2支承体被配置为夹着一个所述谐振器。
7.根据权利要求6所述的弹性波装置,其中,
所述多个谐振器包括至少一个串联臂谐振器以及至少一个并联臂谐振器,
至少一对所述第2支承体被配置为夹着一个所述串联臂谐振器。
8.根据权利要求6所述的弹性波装置,其中,
所述多个谐振器包括至少一个串联臂谐振器以及至少一个并联臂谐振器,
至少一对所述第2支承体被配置为夹着一个所述并联臂谐振器。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的弹性波装置,其中,
至少一对所述第2支承体被配置为夹着最靠近输入信号的输入端的所述谐振器。
10.根据权利要求6~9中任一项所述的弹性波装置,其中,
在将通过所述谐振器的所述交叉区域的所述电极对置方向上的中央并且在与所述电极对置方向正交的方向上延伸的轴设为对称轴时,设置为夹着所述谐振器的所述至少一对第2支承体被配置为不成为线对称。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述支承构件设置有至少一个第1空洞部,所述第1空洞部在俯视下与所述功能电极的至少一部分重叠,
设置有由所述压电性基板、所述第1支承体和所述盖部包围的第2空洞部,
在将沿着所述压电性基板、所述第1支承体和所述盖部被层叠的方向的尺寸设为高度时,所述第1空洞部的高度比所述第2空洞部的高度高。
12.根据权利要求1~10中任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述支承构件设置有至少一个第1空洞部,所述第1空洞部在俯视下与所述功能电极的至少一部分重叠,
设置有由所述压电性基板、所述第1支承体和所述盖部包围的第2空洞部,
在将沿着所述压电性基板、所述第1支承体和所述盖部被层叠的方向的尺寸设为高度时,所述第2空洞部的高度比所述第1空洞部的高度高。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述支承构件包括设置在所述支承基板和所述压电层之间的中间层。
14.根据权利要求11或12所述的弹性波装置,其中,
所述支承构件包括设置在所述支承基板和所述压电层之间的中间层,所述第1空洞部的至少一部分设置在所述中间层。
15.根据权利要求1~14中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述盖部包括以半导体为主成分的盖部主体。
16.根据权利要求1~15中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电层是钽酸锂层或者铌酸锂层。
17.根据权利要求1~16中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述功能电极具有:相互对置的第1汇流条、第2汇流条;与所述第1汇流条连接的一个以上的第1电极指;以及与所述第2汇流条连接并且与所述第1电极指对置的一个以上的第2电极指。
18.根据权利要求17所述的弹性波装置,其中,
所述功能电极是分别具有多个所述第1电极指和所述第2电极指的IDT电极。
19.根据权利要求18所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置构成为能够利用板波。
20.根据权利要求17或18所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置构成为能够利用厚度剪切模式的体波。
21.根据权利要求17或18所述的弹性波装置,其中,
在将所述压电层的厚度设为d、将相邻的所述第1电极指和所述第2电极指的中心间距离设为p的情况下,d/p为0.5以下。
22.根据权利要求21所述的弹性波装置,其中,
d/p为0.24以下。
23.根据权利要求20~22中任一项所述的弹性波装置,其中,
在从所述电极对置方向观察时,相邻的所述第1电极指和所述第2电极指相互重叠的区域是激励区域,
在将所述一个以上的第1电极指和所述一个以上的第2电极指相对于所述激励区域的金属化比设为MR时,满足MR≤1.75(d/p)+0.075。
24.根据权利要求20~23中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电层是钽酸锂层或者铌酸锂层,
构成所述压电层的铌酸锂或者钽酸锂的欧拉角处于以下的式(1)、式(2)或者式(3)的范围,
(0°±10°,0°~20°,任意的ψ)...式(1)
(0°±10°,20°~80°,0°~60°(1-(θ-50)2/900)1/2)或者(0°±10°,20°~80°,[180°-60°(1-(θ-50)2/900)1/2]~180°)...式(2)
(0°±10°,[180°-30°(1-(ψ-90)2/8100)1/2]~180°,任意的ψ)...式(3)。
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