WO2021153736A1 - 弾性波デバイスおよびそれを備えたラダー型フィルタ - Google Patents

弾性波デバイスおよびそれを備えたラダー型フィルタ Download PDF

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WO2021153736A1
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reflector
elastic wave
electrode
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中村　健太郎
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters

Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave device and a ladder type filter provided with the elastic wave device, and more specifically, to a technique for miniaturizing the elastic wave device.
  • Patent Document 1 discloses a filter device composed of a plurality of surface acoustic wave (SAW) resonators.
  • SAW surface acoustic wave
  • a surface acoustic wave resonator (Interdigital Transducer: IDT) is formed in order to suppress leakage of a signal propagated in the surface acoustic wave resonator from the resonator. ) Reflectors are placed at both ends of the electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • the filter device using the surface acoustic wave resonator as described above may be used, for example, in a mobile terminal represented by a mobile phone or a smartphone.
  • a mobile terminal represented by a mobile phone or a smartphone.
  • devices constituting the mobile terminal such as a filter device, are also required to be further miniaturized and reduced in height.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-176335
  • a configuration has been proposed to reduce the overall size.
  • simply sharing the reflector will lower the frequency characteristics of the entire device, and it is possible that the desired characteristics cannot be achieved. There is sex.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to realize miniaturization of an elastic wave device formed by a plurality of resonators while suppressing a decrease in frequency characteristics of the device. That is.
  • the elastic wave device includes a substrate having a piezoelectric layer, first resonators and second resonators arranged on the substrate, and a shared reflector.
  • the second resonator is arranged adjacent to the first resonator on the substrate, and has different frequency characteristics from the first resonator.
  • the common reflector is arranged between the first resonator and the second resonator on the substrate, and functions as a reflector for both the first resonator and the second resonator.
  • the first resonator includes a first IDT electrode in which the electrode fingers are formed at the first pitch.
  • the second resonator includes a second IDT electrode in which the electrode fingers are formed at a second pitch.
  • the lower limit frequency of the blocking region of the shared reflector is the same as the lower limit frequency of the blocking region of the first resonator and the lower limit frequency of the blocking region of the second resonator, or the lower limit frequency of the blocking region of the first resonator and the second. It is between the lower limit frequency of the resonator blocking region.
  • the upper limit frequency of the blocking region of the shared reflector is the same as the upper limit frequency of the blocking region of the first resonator and the upper limit frequency of the blocking region of the second resonator, or the upper limit frequency of the blocking region of the first resonator and the second. It is between the upper limit frequency of the resonator blocking region.
  • the elastic wave device includes a substrate having a piezoelectric layer, first resonators and second resonators arranged on the substrate, and a shared reflector.
  • the second resonator is arranged adjacent to the first resonator on the substrate, and has different frequency characteristics from the first resonator.
  • the common reflector is arranged between the first resonator and the second resonator on the substrate, and functions as a reflector for both the first resonator and the second resonator.
  • the first resonator includes a first IDT electrode in which the electrode fingers are formed at the first pitch.
  • the second resonator includes a second IDT electrode in which the electrode fingers are formed at a second pitch.
  • the values obtained by multiplying the pitch of the electrode fingers, the duty of the electrode fingers, and the thickness of the electrode fingers are the first value, the second value, and the third value, respectively. If so, the first value is the same as the second and third values, or is between the second and third values.
  • a shared reflector that functions as both reflectors is arranged between two elastic wave resonators (first resonator and second resonator), each containing an IDT electrode. Will be done. Then, the lower limit frequency of the blocking region in the shared reflector is set between the lower limit frequencies of the blocking region of the two resonators, and the upper limit frequency of the blocking region in the shared reflector is the upper limit of the blocking region of the two resonators. Set between frequencies. With such a configuration, the signal from the IDT of any resonator is reflected by the shared reflector. Therefore, it is possible to realize miniaturization while suppressing a decrease in the frequency characteristics of the elastic wave device.
  • FIG. It is a top view of the elastic wave device of the comparative example. It is a top view of the filter apparatus including the elastic wave device in Embodiment 1 and the comparative example. It is a figure for demonstrating the detailed structure of the part of region RG1 of FIG. 5 (b). It is a figure for demonstrating the detailed structure of the part of region RG2 of FIG. 5 (b). It is a figure for demonstrating the frequency characteristic of the elastic wave device of the comparative example.
  • FIG. It is a figure for demonstrating the frequency characteristic of the elastic wave device of Embodiment 1.
  • FIG. It is a figure which shows an example of the specification of the elastic wave device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a top view of the elastic wave device which concerns on the modification 1.
  • FIG. It is sectional drawing of the elastic wave device which concerns on Embodiment 2.
  • FIG. It is a figure which shows an example of the specification of the elastic wave device which concerns on Embodiment 2.
  • FIG. It is sectional drawing of the elastic wave device which concerns on Embodiment 3.
  • FIG. It is a figure which shows an example of the specification of the elastic wave device which concerns on Embodiment 3.
  • FIG. It is sectional drawing of the elastic wave device which concerns on Embodiment 4.
  • FIG. It is a figure which shows another example of the arrangement of the dielectric layer.
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a filter device 10 formed by an elastic wave device according to the first embodiment.
  • the filter device 10 is, for example, a filter device used in a transmission side circuit of a communication device, and is a ladder type filter connected between a transmission terminal TX and an antenna terminal ANT.
  • the filter device 10 filters the signal received by the transmission terminal TX and outputs it from the antenna terminal ANT.
  • the filter device 10 includes series arm resonance portions S1 to S5 connected in series between the transmission terminal TX and the antenna terminal ANT, and parallel arm resonance portions P1 to P4.
  • Each resonance portion of the series arm resonance portions S1 to S5 and the parallel arm resonance portions P1 to P4 includes at least one elastic wave resonator.
  • each resonance portion of the series arm resonance portions S1 and S5 and the parallel arm resonance portions P1 to P4 is composed of one elastic wave resonator, and each resonance portion of the series arm resonance portions S2 to S4 is 2. It is composed of two elastic wave resonators.
  • the series arm resonance portion S2 includes elastic wave resonators S21 and S22 connected in series.
  • the series arm resonance portion S3 includes elastic wave resonators S31 and S32 connected in series.
  • the series arm resonance portion S4 includes elastic wave resonators S41 and S42 connected in series.
  • the number of elastic wave resonators included in each resonance portion is not limited to this, and is appropriately selected according to the characteristics of the filter device.
  • an elastic surface wave (SAW) resonator can be used as the surface acoustic wave resonator.
  • One end of the parallel arm resonance portion P1 is connected to a connection point between the series arm resonance portion S1 and the series arm resonance portion S2, and the other end is connected to the ground potential.
  • One end of the parallel arm resonance portion P2 is connected to a connection point between the series arm resonance portion S2 and the series arm resonance portion S3, and the other end is connected to the ground potential.
  • One end of the parallel arm resonance portion P3 is connected to a connection point between the series arm resonance portion S3 and the series arm resonance portion S4, and the other end is connected to the ground potential.
  • One end of the parallel arm resonance portion P4 is connected to a connection point between the series arm resonance portion S4 and the series arm resonance portion S5, and the other end is connected to the ground potential.
  • FIG. 2 is a top view of a portion of the elastic wave device 100 in which a shared reflector is formed between adjacent resonators.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion between adjacent resonators.
  • the elastic wave device 100 includes two adjacent elastic wave resonators 101 and 102 and a shared reflector REF12.
  • the elastic wave resonators 101 and 102 included in the elastic wave device 100 are the resonators included in any of the series arm resonance portions S1 to S5 and the parallel arm resonance portions P1 to P4 in the filter device 10 described with reference to FIG. handle.
  • Surface acoustic wave resonators 101 and 102 are SAW resonators including an IDT electrode.
  • the elastic wave resonator 101 includes an IDT electrode IDT1 and reflectors REF1-1 and REF1-2 arranged at both ends of the IDT electrode IDT1.
  • the elastic wave resonator 102 includes an IDT electrode IDT2 and reflectors REF2-1 and REF2-2 arranged at both ends of the IDT electrode IDT2.
  • the IDT electrode surface acoustic waves propagate in the direction orthogonal to the extending direction of the opposing electrode fingers.
  • the reflector is used to reflect the surface acoustic waves leaking from the end of the IDT electrode and confine it in the IDT electrode. Thereby, the Q value of the elastic wave resonator can be increased.
  • the IDT electrode and the reflector formed by each elastic wave resonator are formed on the substrate 105 having the piezoelectric layer 110.
  • the substrate 105 includes a low sound velocity layer 121, a high sound velocity layer 122, and a support layer 130.
  • the support layer 130 is, for example, a semiconductor substrate made of silicon (Si).
  • the hypersonic layer 122, the low sound velocity layer 121, and the piezoelectric layer 110 are laminated in this order on the support layer 130 in the positive direction of the Z axis of FIG.
  • the piezoelectric layer 110 is formed of, for example, a piezoelectric single crystal material such as lithium tantalate (LiTaO 3 ) or lithium niobate (LiNbO 3 ), or a piezoelectric laminated material composed of aluminum nitride (AlN), LiTaO 3 or LiNbO 3. Will be done.
  • An IDT electrode and a reflector, which are functional elements, are formed on the upper surface of the piezoelectric layer 110 (the surface in the positive direction of the Z axis).
  • lithium tantalate (LT) is used as the piezoelectric layer 110.
  • IDT electrodes and reflectors are made of, for example, a single metal consisting of at least one of aluminum, copper, silver, gold, titanium, tungsten, platinum, chromium, nickel and molybdenum, or a material such as an alloy containing these as main components. There is.
  • the low-pitched sound layer 121 is made of a material in which the bulk wave sound velocity propagating through the low-pitched sound layer 121 is lower than the bulk wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer 110.
  • the low sound velocity layer 121 is made of silicon dioxide (SiO 2 ).
  • the bass velocity layer 121 is not limited to silicon dioxide, and may be formed of, for example, other dielectrics such as glass, silicon oxynitride, and tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, boron, etc. to silicon dioxide. good.
  • the hypersonic layer 122 is made of a material in which the bulk wave sound velocity propagating in the hypersonic layer 122 is higher than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer 110.
  • the hypersonic layer 122 is made of silicon nitride (SiN).
  • the treble speed layer 122 is not limited to silicon nitride, and may be formed of a material such as aluminum nitride, aluminum oxide (alumina), silicon oxynitride, silicon carbide, diamond-like carbon (DLC), and diamond.
  • the low sound speed layer 121 and the high sound speed layer 122 function as a reflection layer (mirror layer) 120. That is, the surface acoustic wave leaking from the piezoelectric layer 110 toward the support layer 130 is reflected by the high sound velocity layer 122 due to the difference in the propagating sound velocity, and is confined in the low sound velocity layer 121. In this way, the loss of acoustic energy of the surface acoustic wave propagated by the reflective layer 120 is suppressed, so that the surface acoustic wave can be efficiently propagated.
  • a reflection layer 120 mirror layer
  • the reflection layer 120 includes a plurality of low sound speed layers 121 and high sound speed layers 122.
  • the configuration may be arranged alternately.
  • the reflector REF1-1 of the elastic wave resonator 101 is arranged at the end of the IDT electrode IDT1 on the elastic wave resonator 102 side.
  • the reflector REF1-2 is arranged at an end opposite to the reflector REF1-1 with respect to the IDT electrode IDT1.
  • the electrode fingers of the reflectors REF1-1 and REF1-2 are formed at the same pitch as the electrode fingers of the IDT electrode IDT1.
  • the reflector REF2-1 of the elastic wave resonator 102 is arranged at the end of the IDT electrode IDT2 on the elastic wave resonator 101 side.
  • the reflector REF2-2 is arranged at an end opposite to the reflector REF2-1 with respect to the IDT electrode IDT2.
  • the electrode fingers of the reflectors REF2-1 and REF2-2 are formed at the same pitch as the electrode fingers of the IDT electrode IDT2.
  • the shared reflector REF12 is arranged between the reflector REF1-1 of the elastic wave resonator 101 and the reflector REF2-1 of the elastic wave resonator 102.
  • the sum of the number of electrode fingers of the reflector REF1-1 and the number of electrode fingers of the shared reflector REF12 is set to the same number as the number of electrode fingers of the reflector REF1-2.
  • the sum of the number of electrode fingers of the reflector REF2-1 and the number of electrode fingers of the shared reflector REF12 is set to the same number as the number of electrode fingers of the reflector REF2-2.
  • the length of the electrode finger of the common reflector REF12 is longer than the crossing width of the electrode finger in the IDT electrode included in the elastic wave resonator 101 and the elastic wave resonator 102.
  • the frequency characteristic of the shared reflector REF12 has an intermediate frequency characteristic between the frequency characteristic of the elastic wave resonator 101 and the frequency characteristic of the elastic wave resonator 102. With such a configuration, the shared reflector REF12 functions as a reflector for both the elastic wave resonator 101 and the elastic wave resonator 102.
  • At least a part of the electrode fingers of the shared reflector REF12 is the pitch of the electrode fingers of the IDT electrode IDT1 and the reflectors REF1-1 and REF1-2 in the elastic wave resonator 101 (first pitch: PT1). ) And the pitch between the IDT electrode IDT2 in the elastic wave resonator 102 and the pitch of the electrode fingers of the reflectors REF2-1 and REF2-2 (second pitch: PT2) to obtain intermediate frequency characteristics. It has been realized.
  • the pitch of the electrode fingers is the distance between the centers of the adjacent electrode fingers.
  • the frequency characteristics can be measured by bringing the contact pins connected to the network analyzer into contact with each resonator and the wiring connected to the reflector as little as possible.
  • the entire electrode finger may be formed at an intermediate pitch, or the pitch is gradually changed from the elastic wave resonator 101 toward the elastic wave resonator 102. There may be. Further, the pitch may be changed stepwise from the elastic wave resonator 101 toward the elastic wave resonator 102.
  • the reflector REF1-1 in the elastic wave resonator 101 and the reflector REF2-1 in the elastic wave resonator 102 are not always indispensable, and the IDT electrode IDT1 of the elastic wave resonator 101 and the IDT electrode IDT2 of the elastic wave resonator 102
  • the configuration may be such that only the shared reflector REF12 is arranged between the two.
  • the number of electrode fingers of the shared reflector REF12 is preferably the same as the number of electrode fingers of the reflector REF1-2 and the reflector REF2-2.
  • FIG. 4 is a top view of an adjacent resonator in the elastic wave device 100 # of the comparative example.
  • the elastic wave device 100 # includes two adjacent elastic wave resonators 101 # and 102 #.
  • reflectors (REF1-2, REF2-2) having the same shape are arranged at both ends of the IDT electrodes of each elastic wave resonator. That is, in each elastic wave resonator, the number of electrode fingers of the reflectors arranged at both ends is the same. Therefore, for example, when the number of electrode fingers of each reflector REF1-2 and REF2-2 is 20, the total number of electrode fingers of the reflector arranged between the two IDT electrodes is 40.
  • the number of electrode fingers of each reflector REF1-1 and REF2-1 is eight, and the number of electrode fingers of the shared reflector REF12 is twelve.
  • the total number of electrode fingers of the reflector REF1-1 and the shared reflector REF12, and the total number of electrode fingers of the reflector REF2-1 and the shared reflector REF12 are 20, respectively, and the reflectors REF1-2 and REF2-2 The number is the same as the number of electrode fingers.
  • the total number of electrode fingers of the reflector arranged between the two IDT electrodes is as small as 28.
  • the distance between the two IDT electrodes can be narrowed while maintaining the number of electrode fingers that function as reflectors for each elastic wave resonator and suppressing the decrease in reflectance.
  • the elastic wave device 100 can be miniaturized as compared with the elastic wave device 100 # of the comparative example.
  • FIG. 5 is a plan view of a filter device including an elastic wave device according to a comparative example and the first embodiment.
  • FIG. 5A shows a case where the configuration of the elastic wave device of the comparative example is included
  • FIG. 5B shows a case where the configuration of the elastic wave device of the first embodiment is included.
  • the portion between the series arm resonance portion S2 (elastic wave resonators S21, S22) and the parallel arm resonance portion P1 (region RG1 in FIG. 5B), and the series arm resonance portion S4 (elastic wave resonance).
  • the configuration of the first embodiment is applied to the portion (region RG2 in FIG. 5B) between the child S41, S42) and the parallel arm resonance portion P4.
  • the width W1 of the filter device 10 # is limited by the length of the portion where the elastic wave resonators are arranged adjacent to each other. Therefore, as in the filter device 10 of FIG. 5B, by arranging elastic wave resonators adjacent to each other in the regions RG1 and RG2 using a shared reflector, the width W2 of the filter device 10 can be compared. It can be made narrower than in the case of (W2 ⁇ W1).
  • FIGS. 6 and 7 are diagrams for explaining the detailed configuration of the regions RG1 and RG2 in FIG. 5B, respectively.
  • a reflector is shared between a parallel arm resonator composed of one elastic wave resonator and a series arm resonator composed of two elastic wave resonators. It has a structure of
  • the elastic wave resonator S21 is configured to include an IDT electrode IDT_S21 and reflectors REF_S21-1 and REF_S21-2
  • the elastic wave resonator S22 includes an IDT electrode IDT_S22 and a reflector. It is configured to include REF_S22-1 and REF_S22-2.
  • the elastic wave resonator constituting the parallel arm resonance portion P1 includes an IDT electrode IDT_P1 and reflectors REF_P1-1 and REF_P1-2.
  • the shared reflector REF_A is arranged so as to face the reflectors REF_S21-1, REF_S22-1, and REF_P1-1.
  • the reflectors REF_S21-1 and REF_S22-1 are arranged adjacent to each other on the first end side of the shared reflector REF_A, and the reflector REF_P1-1 is arranged on the second end side of the shared reflector REF_A. ing.
  • the length of the electrode finger of the common reflector REF_A is longer than the length of the electrode finger of the reflector REF_P1-1, and the length of the electrode finger of the reflector REF_S21-1 and the length of the electrode finger of the reflector REF_S22-1. It is set to be longer than the sum of.
  • the distance from the end of the reflectors REF_S21-2 and REF_S22-2 to the end of the reflector REF_P1-2 is as compared with the case where the reflectors are individually arranged for each elastic wave resonator.
  • the length can be shortened.
  • the elastic wave resonator S41 includes an IDT electrode IDT_S41 and reflectors REF_S41-1 and REF_S41-2
  • the elastic wave resonator S42 includes an IDT electrode IDT_S42 and a reflector. It is configured to include REF_S42-1 and REF_S42-2.
  • the elastic wave resonator constituting the parallel arm resonance portion P4 includes an IDT electrode IDT_P4 and reflectors REF_P4-1 and REF_P4A-2.
  • the shared reflector REF_B is arranged so as to face the reflectors REF_S41-1, REF_S42-1, and REF_P4-1.
  • the reflectors REF_S41-1 and REF_S42-1 are arranged adjacent to each other on the first end side of the shared reflector REF_B, and the reflector REF_P4-1 is arranged on the second end side of the shared reflector REF_B. ing.
  • the length of the electrode finger of the common reflector REF_B is longer than the length of the electrode finger of the reflector REF_P4-1, and the length of the electrode finger of the reflector REF_S41-1 and the length of the electrode finger of the reflector REF_S42-1. It is set to be longer than the sum of.
  • the distance from the ends of the reflectors REF_S41-2 and REF_S42-2 to the ends of the reflectors REF_P4-2 The length can be shortened.
  • FIGS. 8 and 9 the frequency characteristic of the reflectance coefficient of the reflector is shown in the upper row, and the frequency characteristic of the impedance of the resonator is shown in the lower row.
  • the solid line LN10 and the solid line LN20 indicate the series arm resonator, and the broken line LN11 and the broken line LN21 indicate the parallel arm resonator.
  • the ladder type filter as shown in FIG. 1 it is generally designed so that the resonance frequency of the series arm resonator and the antiresonance frequency of the parallel arm resonator substantially match. .. That is, in the reflector of the series arm resonator, the blocking region in which the reflectance coefficient gradually approaches 1 is between frequencies f2 and f4 (region AR10). On the other hand, in the reflector of the parallel arm resonator, the blocking region where the reflectance coefficient gradually approaches 1 is between frequencies f1 and f3 (region AR11).
  • the reflectance coefficient of the shared reflector is, for example, It becomes like the one-dot chain line LN12 in FIG.
  • the blocking region for the series arm resonator is expanded to the range of frequencies f2 to f31 (region AR16).
  • the blocking region for the parallel arm resonator is extended to the frequency range f11 to f3 (region AR17), as shown in FIG. 9B.
  • the lower limit frequency of the blocking region of the shared reflector is between the lower limit frequency of the blocking region of the first resonator and the lower limit frequency of the blocking region of the second resonator
  • the upper limit frequency of the blocking region of the shared reflector is , It is between the upper limit frequency of the blocking region of the first resonator and the upper limit frequency of the blocking region of the second resonator. Therefore, as compared with the case where the electrode finger pitch of the shared reflector is unified to the electrode finger pitch of either resonator, the blocking range in the filter device can be expanded, and as a result, deterioration of the filter characteristics can be suppressed. Can be done.
  • the "blocking region” indicates a frequency range having a reflection coefficient higher than 70% of the peak value of the reflection coefficient.
  • the lower limit frequency of the blocking region corresponds to the resonance frequency of each resonator.
  • the upper limit frequency of the blocking region corresponds to the frequency at which the stopband ripple (regions RG10 and RG11 in FIG. 8) begins to appear in the impedance characteristics of each resonator.
  • the intensity of the surface acoustic wave excited is maximum in the central region of the IDT electrode, and decreases monotonically in the region of the reflectors at both ends as the distance from the central region increases. Therefore, the farther the common reflector is from the IDT electrode, the smaller the effect of the decrease in reflectance even if the electrode finger pitch is different from the electrode finger pitch of the IDT electrode. Therefore, by setting the electrode finger pitch in the shared reflector from the electrode finger pitch of one resonator to the electrode finger pitch of the other resonator gradually or stepwise, the frequencies f1 to 9 in FIG. 9 are set. It is possible to secure the reflectance between f11 and the frequencies f31 to f4, and the influence of the decrease in reflectance can be further reduced.
  • the series arm resonator and the parallel arm resonator are adjacent to each other by using a shared reflector as shown in FIG. 9, the high frequency side and low frequency side ranges of the blocking region are not a little narrowed. Therefore, in the ladder type filter, in order to maintain the steepness of the attenuation characteristic at the end of the passband as the entire filter, a resonator forming the attenuation pole on the highest frequency side and an attenuation pole on the lowest frequency side are formed. It is preferable not to use a shared reflector for the resonator.
  • the damping pole on the high frequency side is formed by the series arm resonator
  • the damping pole on the low frequency side is formed by the parallel arm resonator. Therefore, in the series arm resonator including a plurality of series arm resonators, the series arm resonator (third) in which the electrode finger pitch is set narrower than that of the series arm resonator (first resonator) using the shared reflector. It is preferable to include a resonator).
  • the parallel arm resonator including a plurality of parallel arm resonators
  • the shared reflector is arranged between the two adjacent and the elastic wave resonator (first resonator, second resonator), and at least a part of the electrode finger pitch of the shared reflector is set to the second.
  • the pitch between the electrode finger pitch of the IDT electrode of the 1 resonator and the electrode finger pitch of the IDT electrode of the second resonator is lowered. It is possible to realize the miniaturization of the elastic wave device while suppressing the above.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of specifications of the elastic wave device 100 according to the first embodiment.
  • the IDT electrode pair of the resonator 1 is 130 pairs, and the number of electrode fingers is 261.
  • the number of pairs of IDT electrodes of the resonator 2 is 90 pairs, and the number of pairs is 181.
  • the wavelength is 1.60700 ⁇ m, and the resonance frequency is 2358.11 MHz.
  • the number of IDTs of the common reflector is eight, and the number of IDTs of the reflectors arranged between the common reflector and each IDT electrode is ten.
  • the duty of each resonator is 0.5. Further, the film thicknesses of the electrode fingers of the resonator 1 and the resonator 2 are the same.
  • the wavelength of the shared reflector gradually increases from 1.5495 ⁇ m to 1.90700 ⁇ m from the resonator 1 toward the resonator 2.
  • the wavelength of the shared reflector electrode finger pitch
  • the resonator 1 and the resonator 2 have the same film thickness and duty of the electrode fingers, the frequency of the resonator 2 having a large electrode finger pitch is lower than the frequency of the resonator 1.
  • FIG. 11 is a top view of the elastic wave device 100A according to the first modification.
  • the elastic wave device 100A includes elastic wave resonators 101A and 102A having the same configuration as in FIG. 2, and a shared reflector REF12A arranged between elastic wave resonators 101A and 102A.
  • the elastic wave resonator 101A includes an IDT electrode IDT1A and reflectors REF1A-1 and REF1A-2.
  • the elastic wave resonator 102A includes an IDT electrode IDT2A and reflectors REF2A-1 and REF2A-2.
  • the elastic wave device 100A has a configuration in which the centers of the two elastic wave resonators 101A and 102A in the propagation direction of the elastic surface waves are offset and do not overlap. Specifically, it passes through the center of the crossing width of the electrode finger of the elastic wave resonator 101A, passes through the center of the crossing width of the virtual line CL1 orthogonal to the electrode finger, and the electrode finger of the elastic wave resonator 102A, and passes through the electrode.
  • the virtual line CL2 orthogonal to the finger is offset in the extending direction of the electrode finger.
  • the electrode finger of the shared reflector REF12A has a length facing both the electrode finger of the reflector REF1A-1 in the elastic wave resonator 101A and the electrode finger of the reflector REF2A-1 in the elastic wave resonator 102A. ing.
  • the configuration is also applied to the regions RG1 and RG2 of the filter device 10 described in FIGS. 6 and 7.
  • FIG. 12 is a top view of the elastic wave device 100B according to the second modification.
  • the elastic wave device 100B includes elastic wave resonators 101B and 102B and shared reflectors REF12B arranged between elastic wave resonators 101B and 102B. Similar to the first modification, the elastic wave resonator 101B and the elastic wave resonator 102B are arranged at offset positions.
  • the elastic wave resonator 101B includes an IDT electrode IDT1B and reflectors REF1B-1 and REF1B-2 arranged at both ends of the IDT electrode IDT1B.
  • the elastic wave resonator 102B includes an IDT electrode IDT2B and reflectors REF2B-1 and REF2B-2 arranged at both ends of the IDT electrode IDT2B.
  • the shared reflector REF12B is arranged between the reflector REF1B-1 and the reflector REF2B-1.
  • the sum of the number of electrode fingers of the reflector REF1B-1 and the number of electrode fingers of the shared reflector REF12B is the same as the number of electrode fingers of the reflector REF1B-2.
  • the sum of the number of electrode fingers of the reflector REF2B-1 and the number of electrode fingers of the shared reflector REF12B is the same as the number of electrode fingers of the reflector REF2B-2.
  • the electrode fingers of the elastic wave resonators 101B and 102B and the common reflector REF12B are obliquely connected to the bus bar.
  • the angle between the electrode finger and the bus bar is greater than 0 ° and less than 90 °.
  • an elastic surface wave In a surface acoustic wave resonator, an elastic surface wave generally propagates in a direction orthogonal to the electrode finger. That is, as shown in FIG. 12, in the elastic wave resonator 101B, the elastic surface wave propagates in the direction of arrow RA1, and in the elastic wave resonator 102B, the elastic surface wave propagates in the direction of arrow RA2.
  • the propagation direction of the elastic surface wave in one elastic wave resonator can be changed to the other elastic wave resonator. It can be outside the cross-width region of the electrode fingers in the IDT electrode of. Therefore, when the surface acoustic wave leaks from the common reflector, the influence on the other surface acoustic wave resonator can be further reduced.
  • the duty of the electrode fingers of the shared reflector is set to an intermediate duty, so that the frequency characteristics of the shared reflector can be improved.
  • the configuration to be adjusted will be described.
  • the duty of the electrode finger is the ratio of the electrode finger to the pitch of the electrode finger (width of the electrode finger).
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the elastic wave device 100C according to the second embodiment.
  • the elastic wave device 100C includes an elastic wave resonators 101C and 102C and a shared reflector REF12C arranged between the elastic wave resonators 101C and 102C.
  • the shared reflector REF12C includes a reflector REF1C-1 arranged at one end of the IDT electrode IDT1C of the elastic wave resonator 101C and a reflector REF2C-1 arranged at one end of the IDT electrode IDT2C of the elastic wave resonator 102C. It is placed between and. In the elastic wave device 100C, the electrode finger pitch of the elastic wave resonator 101C and the electrode finger pitch of the elastic wave resonator 102C are the same pitch.
  • the duty (first duty) of the IDT electrode and the electrode finger of the reflector in the elastic wave resonator 101C is set to DT1
  • the duty (second duty) of the electrode finger of the IDT electrode and the reflector in the elastic wave resonator 102C. Is set to DT2 (DT2> DT1).
  • at least a part of the electrode fingers in the shared reflector REF12C is formed with an intermediate duty between the first duty DT1 and the second duty DT2 described above.
  • the duty of the electrode finger of the shared reflector REF12C is set so as to gradually or gradually increase from the elastic wave resonator 101C toward the elastic wave resonator 102C.
  • the frequency characteristic of the shared reflector is set to 2 by setting the duty to an intermediate duty for at least a part of the electrode fingers of the shared reflector. It can be set to a frequency characteristic between the frequency characteristics of one elastic wave resonator. As a result, it is possible to realize miniaturization of the elastic wave device while suppressing a decrease in the frequency characteristics of the elastic wave device as in the first embodiment.
  • both the pitch and duty of the electrode fingers in the shared reflector may be set to intermediate values.
  • FIG. 14 is a diagram showing an example of specifications of the elastic wave device 100C according to the second embodiment.
  • the logarithm of each IDT electrode of the resonator 1 and the resonator 2 is 130 pairs, and the number of electrode fingers is 261.
  • the number of IDTs of the common reflector is eight, and the number of IDTs of the reflectors arranged between the common reflector and each IDT electrode is ten.
  • the resonance frequency of the resonator 1 is 2453.39 MHz, and the resonance frequency of the resonator 2 is 2446.86 MHz.
  • the film thicknesses of the electrode fingers of the resonator 1 and the resonator 2 are the same.
  • the duty of the resonator 1 is set to 0.5
  • the duty of the resonator 2 is set to 0.55.
  • the duty in the common reflector gradually changes from 0.5 to 0.55 from the resonator 1 toward the resonator 2.
  • the duty of the shared reflector is set to an intermediate duty between the duties of the two resonators, it is possible to realize miniaturization of the elastic wave device while suppressing a decrease in the frequency characteristics of the elastic wave device. Can be done. Since the resonator 1 and the resonator 2 have the same electrode finger pitch and electrode finger film thickness, the frequency of the resonator 2 having a large duty is lower than the frequency of the resonator 1.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the elastic wave device 100D according to the third embodiment.
  • the elastic wave device 100D includes an elastic wave resonators 101D and 102D and a shared reflector REF12D arranged between the elastic wave resonators 101D and 102D.
  • the shared reflector REF12D includes a reflector REF1D-1 arranged at one end of the IDT electrode IDT1D of the elastic wave resonator 101D and a reflector REF2D-1 arranged at one end of the IDT electrode IDT2D of the elastic wave resonator 102D. It is placed between and.
  • the pitch and duty of the electrode fingers of the elastic wave resonator 101D are the same as the pitch and duty of the electrode fingers of the elastic wave resonator 102D, but the electrodes of the two elastic wave resonators 101D and 102D.
  • the film thickness of the fingers is different. Specifically, the film thickness of the electrode finger of the elastic wave resonator 101D (first electrode finger film thickness) is set to ET1, and the film thickness of the electrode finger of the elastic wave resonator 102D (second electrode finger film thickness). ) Is set to ET2 (ET2> ET1).
  • the film thickness of at least a part of the electrode fingers in the shared reflector REF12D is formed to be an intermediate film thickness between the first electrode finger film thickness ET1 and the second electrode finger film thickness ET2.
  • the film thickness of at least a part of the electrode fingers in the shared reflector REF12D is thicker than the first electrode finger film thickness ET1 and thinner than the second electrode finger film thickness ET2.
  • the film thickness of the electrode finger of the shared reflector REF12D is set so as to gradually or gradually increase from the elastic wave resonator 101D toward the elastic wave resonator 102D.
  • the frequency characteristics of the shared reflector can be set by setting the film thickness to an intermediate level for at least a part of the electrode fingers of the shared reflector. Can be set to a frequency characteristic between the frequency characteristics of two elastic wave resonators. As a result, it is possible to realize miniaturization of the elastic wave device while suppressing a decrease in the frequency characteristics of the elastic wave device as in the first embodiment.
  • the pitch and / or duty of the electrode fingers of the common reflector is also intermediate. It may be set to a value.
  • FIG. 16 is a diagram showing an example of specifications of the elastic wave device 100D according to the third embodiment.
  • the IDT electrode pair of the resonator 1 is 130 pairs, and the number of electrode fingers is 261.
  • the number of pairs of IDT electrodes of the resonator 2 is 90 pairs, and the number of electrode fingers is 181.
  • the number of IDTs of the common reflector is eight, and the number of IDTs of the reflectors arranged between the common reflector and each IDT electrode is ten.
  • the resonance frequency of the resonator 1 is 2453.39 MHz, and the resonance frequency of the resonator 2 is 2442.24 MHz.
  • the duty of the IDT electrode is 0.5.
  • the film thickness of the electrode finger in the resonator 1 is set to 121 nm
  • the film thickness of the electrode finger in the resonator 2 is set to 131 nm.
  • the thickness gradually increases from 121 nm to 131 nm from the resonator 1 toward the resonator 2.
  • a dielectric layer may be placed on the IDT electrodes and reflectors to protect the functional elements on the substrate.
  • the frequency characteristics of the elastic wave resonator also change depending on the thickness of the protective dielectric layer.
  • the film thickness of the dielectric layer is set to an intermediate film thickness, which is shared. A configuration for adjusting the frequency characteristics of the reflector will be described.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the elastic wave device 100E according to the fourth embodiment.
  • the elastic wave device 100E is arranged on the elastic wave resonators 101E and 102E, the shared reflectors REF12E arranged between the elastic wave resonators 101E and 102E, and the elastic wave resonators 101E and 102E and the shared reflectors REF12E. Includes a dielectric layer 140.
  • the shared reflector REF12E includes a reflector REF1E-1 arranged at one end of the IDT electrode IDT1E of the elastic wave resonator 101E and a reflector REF2E-1 arranged at one end of the IDT electrode IDT2E of the elastic wave resonator 102E. It is placed between and.
  • the pitch, duty, and film thickness of the IDT electrodes and reflectors of the elastic wave resonators 101E and 102E and the electrode fingers in the shared reflector REF12E are set to the same values.
  • the dielectric layer 140 is made of a material such as silicon dioxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide (alumina), silicon nitride, silicon carbide, diamond-like carbon (DLC), and diamond. Yes, it may be formed of a compound in which fluorine, carbon, boron or the like is added to silicon dioxide.
  • the dielectric layer 140 is arranged so as to cover the functional elements (IDT electrodes, reflectors) arranged on the piezoelectric layer 110 of the substrate 105.
  • the film thickness (first dielectric film thickness) of the dielectric layer 140 arranged in the region of the elastic wave resonator 101E is set to FT1, and the dielectric layer arranged in the region of the elastic wave resonator 102E.
  • the film thickness of 140 (second dielectric film thickness) is set to FT2 (FT1 ⁇ FT2).
  • the dielectric layer 140 is made of a material having a bulk wave sound velocity slower than the resonance frequency of the elastic wave resonator (silicon dioxide, glass, tantalum oxide, niobium oxide, tellurium oxide, etc.), it is placed on the electrode finger.
  • the thicker the arranged dielectric layer the larger the mass when the electrode finger vibrates, and therefore the lower the resonance frequency of the resonator. Therefore, in the configuration of FIG. 17, the resonance frequency of the elastic wave resonator 102E is lower than the resonance frequency of the elastic wave resonator 101E.
  • the dielectric layer 140 is formed of a material having a bulk wave sound velocity faster than the resonance frequency of the elastic resonator (glass, silicon nitride, aluminum nitride, alumina, silicon oxynitride, silicon carbide, DLC, diamond, etc.).
  • the thicker the dielectric layer the higher the resonance frequency of the resonator.
  • the film thicknesses FT1 and FT2 of the dielectric layer 140 are defined as the distance from the upper surface of the electrode finger of the IDT electrode and the reflector to the surface of the dielectric layer 140. Further, in the dielectric layer 140, as shown in FIG. 18, the position of the upper surface of the dielectric in the portion with the electrode finger and the position of the upper surface of the dielectric in the portion without the electrode finger may be different.
  • the film thickness of at least a part of the dielectric layer 140 arranged in the region of the shared reflector REF12E is an intermediate film thickness between the first dielectric film thickness FT1 and the second dielectric film thickness FT2. Is formed of.
  • the film thickness of at least a part of the dielectric layer 140 arranged in the region of the common reflector REF12E is thinner than the first dielectric film thickness FT1 and thicker than the second dielectric film thickness FT2.
  • the film thickness of the dielectric layer 140 arranged in the region of the shared reflector REF12E is set so as to gradually or gradually decrease from the elastic wave resonator 101E toward the elastic wave resonator 102E. ..
  • the thickness of the protective dielectric layer arranged in the region of the adjacent elastic wave resonator is different, at least a part of the dielectric layer arranged in the region of the common reflector is intermediate.
  • the frequency characteristic of the shared reflector can be set to the frequency characteristic between the frequency characteristics of the two elastic wave resonators. As a result, it is possible to realize miniaturization of the elastic wave device while suppressing a decrease in the frequency characteristics of the elastic wave device as in the first embodiment.
  • the pitch, duty and / or film thickness of the electrode fingers of the two elastic wave resonators are different in addition to the film thickness of the dielectric layer, the pitch, duty and / or of the electrode fingers of the common reflector
  • the film thickness may also be set to an intermediate value.
  • the resonance frequency of the resonator, the frequency of the blocking region (upper limit frequency, lower limit frequency), and the frequency of the reflector (upper limit frequency, lower limit frequency) are the pitch of the electrode finger, the duty of the electrode finger, and the thickness of the electrode finger.
  • the thickness of the piezoelectric layer, and the thickness of the dielectric layer show the same dependence tendency. As described above, the larger the respective parameters of the electrode finger pitch, the electrode finger duty, and the electrode finger thickness, the lower the resonance frequency of each resonator tends to be.
  • the fourth value of the shared reflector REF12 is the fifth value and the elasticity of the elastic wave resonator 101. It is set so as to be between the sixth value of the wave resonator 102.
  • the 7th value of the shared reflector REF12 is the 8th value of the elastic wave resonator 101. Is set to be between the 9th value of the elastic wave resonator 102 and the 9th value of the elastic wave resonator 102.

Abstract

弾性波デバイス（１００）は、圧電層（１１０）を有する基板（１０５）と、上記基板上に配置された第１共振子（１０１）および第２共振子（１０２）と、共用反射器（ＲＥＦ１２）とを備える。第２共振子は、上記基板上において第１共振子に隣接して配置されており、第１共振子と周波数特性が異なっている。共用反射器は、上記基板上において第１共振子と第２共振子との間に配置され、第１共振子および第２共振子の双方の反射器として機能する。第１共振子は、電極指が第１ピッチで形成された第１ＩＤＴ電極（ＩＤＴ１）を含む。第２共振子は、電極指が第２ピッチで形成された第２ＩＤＴ電極（ＩＤＴ２）を含む。共用反射器の阻止域の下限周波数は、第１共振子の阻止域の下限周波数と第２共振子の阻止域の下限周波数との間にある。共用反射器の阻止域の上限周波数は、第１共振子の阻止域の上限周波数と第２共振子の阻止域の上限周波数との間にある。

Description

弾性波デバイスおよびそれを備えたラダー型フィルタ
　本開示は、弾性波デバイスおよびそれを備えたラダー型フィルタに関し、より特定的には、弾性波デバイスを小型化するための技術に関する。
　特開平１０－３０３６９１号公報（特許文献１）には、複数の弾性表面波（Surface　Acoustic　Wave：ＳＡＷ）共振子により構成されたフィルタ装置が開示されている。一般的に、このようなフィルタ装置においては、弾性表面波共振子において伝播される信号が共振子から漏れ出すことを抑制するために、弾性表面波共振子を形成する櫛歯（Interdigital　Transducer：ＩＤＴ）電極の両端に反射器が配置される。
特開平１０－３０３６９１号公報 特開２００２－１７６３３５号公報
　上記のような弾性表面波共振子を用いたフィルタ装置は、たとえば、携帯電話あるいはスマートフォンに代表される携帯端末に用いられる場合がある。携帯端末においては、小型化および薄型化のニーズが依然として高く、それに伴って、フィルタ装置のような、当該携帯端末を構成する機器についてもさらなる小型化および低背化が求められている。
　このような課題に対して、たとえば特開２００２－１７６３３５号公報（特許文献２）においては、隣接する弾性表面波共振子についてＩＤＴ電極間に配置される反射器を共用することにより、弾性波デバイス全体の小型化を図る構成が提案されている。しかしながら、デバイスの構成によっては、隣接する弾性表面波共振子の周波数特性が異なるため、単に反射器を共用するだけでは、かえってデバイス全体の周波数特性が低下してしまい、所望の特性が実現できない可能性がある。
　本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、複数の共振子により形成される弾性波デバイスにおいて、デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ小型化を実現することである。
　本開示の第１の局面に係る弾性波デバイスは、圧電層を有する基板と、上記基板上に配置された第１共振子および第２共振子と、共用反射器とを備える。第２共振子は、上記基板上において第１共振子に隣接して配置されており、第１共振子と周波数特性が異なっている。共用反射器は、上記基板上において第１共振子と第２共振子との間に配置され、第１共振子および第２共振子の双方の反射器として機能する。第１共振子は、電極指が第１ピッチで形成された第１ＩＤＴ電極を含む。第２共振子は、電極指が第２ピッチで形成された第２ＩＤＴ電極を含む。共用反射器の阻止域の下限周波数は、第１共振子の阻止域の下限周波数と第２共振子の阻止域の下限周波数と同じ、もしくは、第１共振子の阻止域の下限周波数と第２共振子の阻止域の下限周波数との間にある。共用反射器の阻止域の上限周波数は、第１共振子の阻止域の上限周波数と第２共振子の阻止域の上限周波数と同じ、もしくは、第１共振子の阻止域の上限周波数と第２共振子の阻止域の上限周波数との間にある。
　本開示の第２の局面に係る弾性波デバイスは、圧電層を有する基板と、上記基板上に配置された第１共振子および第２共振子と、共用反射器とを備える。第２共振子は、上記基板上において第１共振子に隣接して配置されており、第１共振子と周波数特性が異なっている。共用反射器は、上記基板上において第１共振子と第２共振子との間に配置され、第１共振子および第２共振子の双方の反射器として機能する。第１共振子は、電極指が第１ピッチで形成された第１ＩＤＴ電極を含む。第２共振子は、電極指が第２ピッチで形成された第２ＩＤＴ電極を含む。共用反射器、第１共振子および第２共振子について、電極指のピッチ、電極指のデューティ、および電極指の厚みを掛け合わせた値を、それぞれ第１値、第２値および第３値とした場合、第１値は、第２値と第３値と同じ、もしくは、第２値と第３値との間にある。
　本開示に係る弾性波デバイスによれば、各々がＩＤＴ電極を含む２つの弾性波共振子（第１共振子，第２共振子）の間に、双方の反射器として機能する共用反射器が配置される。そして、当該共用反射器における阻止域の下限周波数は、２つの共振子の阻止域の下限周波数の間に設定され、共用反射器における阻止域の上限周波数は、２つの共振子の阻止域の上限周波数の間に設定される。このような構成とすることによって、いずれの共振子のＩＤＴからの信号も共用反射器によって反射される。したがって、弾性波デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ小型化を実現することができる。
本実施の形態１に係る弾性波デバイスにより形成されるフィルタ装置の回路構成である。 本実施の形態１に係る弾性波デバイスの基本構成を説明するための上面図である。 実施の形態１に係る弾性波デバイスの断面図である。 比較例の弾性波デバイスの上面図である。 実施の形態１および比較例における弾性波デバイスを含むフィルタ装置の平面図である。 図５（ｂ）の領域ＲＧ１の部分の詳細構成を説明するための図である。 図５（ｂ）の領域ＲＧ２の部分の詳細構成を説明するための図である。 比較例の弾性波デバイスの周波数特性を説明するための図である。 実施の形態１の弾性波デバイスの周波数特性を説明するための図である。 実施の形態１に係る弾性波デバイスの仕様の一例を示す図である。 変形例１に係る弾性波デバイスの上面図である。 変形例２に係る弾性波デバイスの上面図である。 実施の形態２に係る弾性波デバイスの断面図である。 実施の形態２に係る弾性波デバイスの仕様の一例を示す図である。 実施の形態３に係る弾性波デバイスの断面図である。 実施の形態３に係る弾性波デバイスの仕様の一例を示す図である。 実施の形態４に係る弾性波デバイスの断面図である。 誘電体層の配置の他の例を示す図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
　［実施の形態１］
　（フィルタ装置の構成）
　図１は、実施の形態１に従う弾性波デバイスにより形成されるフィルタ装置１０の回路構成を示す図である。フィルタ装置１０は、たとえば、通信装置の送信側回路に用いられるフィルタ装置であり、送信用端子ＴＸとアンテナ端子ＡＮＴとの間に接続されたラダー型フィルタである。フィルタ装置１０は、送信用端子ＴＸで受けた信号をフィルタリングしてアンテナ端子ＡＮＴから出力する。
　フィルタ装置１０は、送信用端子ＴＸとアンテナ端子ＡＮＴとの間に直列接続された直列腕共振部Ｓ１～Ｓ５と、並列腕共振部Ｐ１～Ｐ４とを含む。直列腕共振部Ｓ１～Ｓ５および並列腕共振部Ｐ１～Ｐ４の各共振部は、少なくとも１つの弾性波共振子を含んで構成される。図１の例においては、直列腕共振部Ｓ１，Ｓ５および並列腕共振部Ｐ１～Ｐ４の各共振部は１つの弾性波共振子で構成され、直列腕共振部Ｓ２～Ｓ４の各共振部は２つの弾性波共振子で構成される。直列腕共振部Ｓ２は、直列接続された弾性波共振子Ｓ２１，Ｓ２２を含んで構成される。直列腕共振部Ｓ３は、直列接続された弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２を含んで構成される。直列腕共振部Ｓ４は、直列接続された弾性波共振子Ｓ４１，Ｓ４２を含んで構成される。なお、各共振部に含まれる弾性波共振子の数はこれに限定されず、フィルタ装置の特性に合わせて適宜選択される。弾性波共振子としては、弾性表面波（ＳＡＷ）共振子を用いることができる。
　並列腕共振部Ｐ１の一方端は、直列腕共振部Ｓ１と直列腕共振部Ｓ２との間の接続点と接続されており、他方端は接地電位に接続されている。並列腕共振部Ｐ２の一方端は、直列腕共振部Ｓ２と直列腕共振部Ｓ３との間の接続点と接続されており、他方端は接地電位に接続されている。並列腕共振部Ｐ３の一方端は、直列腕共振部Ｓ３と直列腕共振部Ｓ４との間の接続点と接続されており、他方端は接地電位に接続されている。並列腕共振部Ｐ４の一方端は、直列腕共振部Ｓ４と直列腕共振部Ｓ５との間の接続点と接続されており、他方端は接地電位に接続されている。
　（弾性波デバイスの構成）
　次に、図２および図３を用いて、本実施の形態１に係る弾性波デバイス１００の基本構成について説明する。図２は、弾性波デバイス１００において、隣接共振子間に共用反射器が形成される部分の上面図である。また、図３は、隣接共振子間の部分の断面図である。
　図２および図３を参照して、弾性波デバイス１００は、隣接した２つの弾性波共振子１０１，１０２と、共用反射器ＲＥＦ１２とを含む。弾性波デバイス１００に含まれる弾性波共振子１０１，１０２は、図１で説明したフィルタ装置１０における、直列腕共振部Ｓ１～Ｓ５および並列腕共振部Ｐ１～Ｐ４のいずれかに含まれる共振子に対応する。
　弾性波共振子１０１，１０２は、ＩＤＴ電極を含んで構成されるＳＡＷ共振子である。具体的には、弾性波共振子１０１は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１と、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１の両端に配置された反射器ＲＥＦ１－１，ＲＥＦ１－２とを含む。弾性波共振子１０２は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２と、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２の両端に配置された反射器ＲＥＦ２－１，ＲＥＦ２－２とを含む。
　ＩＤＴ電極においては、対向する電極指の延在方向に直交する方向に弾性表面波が伝播する。反射器は、ＩＤＴ電極の端部から漏れ出た弾性表面波を反射してＩＤＴ電極内に閉じ込めるために用いられる。これによって、弾性波共振子のＱ値を高めることができる。
　図３に示されるように、各弾性波共振子の構成するＩＤＴ電極および反射器は、圧電層１１０を有する基板１０５上に形成されている。基板１０５は、圧電層１１０に加えて、低音速層１２１、高音速層１２２および支持層１３０とを含む。
　支持層１３０は、たとえばシリコン（Ｓｉ）で形成された半導体基板である。支持層１３０上には、図３のＺ軸の正方向に向かって、高音速層１２２、低音速層１２１および圧電層１１０が順に積層されている。
　圧電層１１０は、たとえば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）のような圧電単結晶材料、あるいは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３からなる圧電積層材料により形成される。圧電層１１０の上面（Ｚ軸の正方向の面）には、機能素子であるＩＤＴ電極および反射器が形成されている。なお、図３の例においては、圧電層１１０として、タンタル酸リチウム（ＬＴ）が用いられている。
　ＩＤＴ電極および反射器は、たとえばアルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、ニッケル、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金などの材料で形成されている。
　低音速層１２１は、当該低音速層１２１を伝播するバルク波音速が、圧電層１１０を伝播するバルク波音速よりも低速となる材料で形成されている。図３の例においては、低音速層１２１は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成されている。しかしながら、低音速層１２１は二酸化ケイ素に限らず、たとえば、ガラス、酸窒化シリコン、酸化タンタルなどの他の誘電体、あるいは二酸化ケイ素にフッ素、炭素、ホウ素などを加えた化合物などで形成されてもよい。
　また、高音速層１２２は、当該高音速層１２２を伝播するバルク波音速が、圧電層１１０を伝播する弾性波音速よりも高速となる材料で形成されている。図３の例においては、高音速層１２２は窒化ケイ素（ＳｉＮ）で形成されている。しかしながら、高音速層１２２は窒化ケイ素に限らず、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ダイヤモンドなどの材料で形成されてもよい。
　圧電層１１０の下方に、低音速層１２１および高音速層１２２を積層する構成とすることによって、低音速層１２１および高音速層１２２は反射層（ミラー層）１２０として機能する。すなわち、圧電層１１０から支持層１３０の方向に漏洩した弾性表面波は、伝播する音速の差によって高音速層１２２で反射され、低音速層１２１内に閉じ込められる。このように、反射層１２０により伝播される弾性表面波の音響エネルギの損失が抑制されるため、効率よく弾性表面波を伝播することができる。なお、図３においては、反射層１２０として、低音速層１２１および高音速層１２２がそれぞれ１層形成される例について説明したが、反射層１２０は複数の低音速層１２１および高音速層１２２が交互に配置された構成であってもよい。
　再び図２を参照して、弾性波共振子１０１の反射器ＲＥＦ１－１は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１における弾性波共振子１０２側の端部に配置されている。反射器ＲＥＦ１－２は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１に対して、反射器ＲＥＦ１－１と反対側の端部に配置されている。反射器ＲＥＦ１－１，ＲＥＦ１－２の電極指は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１の電極指と同じピッチで形成されている。
　また、弾性波共振子１０２の反射器ＲＥＦ２－１は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２における弾性波共振子１０１側の端部に配置されている。反射器ＲＥＦ２－２は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２に対して、反射器ＲＥＦ２－１と反対側の端部に配置されている。反射器ＲＥＦ２－１，ＲＥＦ２－２の電極指は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２の電極指と同じピッチで形成されている。
　共用反射器ＲＥＦ１２は、弾性波共振子１０１の反射器ＲＥＦ１－１および弾性波共振子１０２の反射器ＲＥＦ２－１の間に配置される。反射器ＲＥＦ１－１の電極指の数と共用反射器ＲＥＦ１２の電極指の数との和は、反射器ＲＥＦ１－２の電極指の数と同じ数に設定される。同様に、反射器ＲＥＦ２－１の電極指の数と共用反射器ＲＥＦ１２の電極指の数との和は、反射器ＲＥＦ２－２の電極指の数と同じ数に設定される。共用反射器ＲＥＦ１２の電極指の長さは、弾性波共振子１０１および弾性波共振子１０２に含まれるＩＤＴ電極における電極指の交叉幅以上の長さとなっている。
　共用反射器ＲＥＦ１２の周波数特性は、弾性波共振子１０１の周波数特性および弾性波共振子１０２の周波数特性の間の中間的な周波数特性を有している。このような構成とすることによって、共用反射器ＲＥＦ１２は、弾性波共振子１０１および弾性波共振子１０２の双方の反射器として機能する。
　実施の形態１においては、共用反射器ＲＥＦ１２の電極指の少なくとも一部を、弾性波共振子１０１におけるＩＤＴ電極ＩＤＴ１および反射器ＲＥＦ１－１，ＲＥＦ１－２の電極指のピッチ（第１ピッチ：ＰＴ１）と、弾性波共振子１０２におけるＩＤＴ電極ＩＤＴ２および反射器ＲＥＦ２－１，ＲＥＦ２－２の電極指のピッチ（第２ピッチ：ＰＴ２）との間のピッチで形成することによって中間的な周波数特性を実現している。ここで、電極指のピッチとは、隣接する電極指の中心間距離である。
　なお、周波数特性は、各共振子および反射器に接続される配線を極力含まない状態で、ネットワークアナライザに接続されたコンタクトピンを接触させることによって測定することができる。
　なお、共用反射器ＲＥＦ１２においては、電極指の全体が中間的なピッチで形成されていてもよいし、弾性波共振子１０１から弾性波共振子１０２に向かって徐々にピッチが変更される構成であってもよい。また、弾性波共振子１０１から弾性波共振子１０２に向かって段階的にピッチが変更される構成であってもよい。
　弾性波共振子１０１における反射器ＲＥＦ１－１および弾性波共振子１０２における反射器ＲＥＦ２－１は必ずしも必須ではなく、弾性波共振子１０１のＩＤＴ電極ＩＤＴ１と、弾性波共振子１０２のＩＤＴ電極ＩＤＴ２との間に、共用反射器ＲＥＦ１２のみが配置される構成であってもよい。この場合、共用反射器ＲＥＦ１２の電極指の数は、反射器ＲＥＦ１－２および反射器ＲＥＦ２－２の電極指の数と同じとすることが好ましい。
　図４は、比較例の弾性波デバイス１００＃における隣接共振子の上面図である。弾性波デバイス１００＃は、隣接した２つの弾性波共振子１０１＃，１０２＃を含む。弾性波デバイス１００＃においては、各弾性波共振子のＩＤＴ電極の両端に、同一形状の反射器（ＲＥＦ１－２，ＲＥＦ２－２）が配置されている。すなわち、各弾性波共振子において、両端に配置される反射器の電極指の数は同じである。したがって、たとえば、各反射器ＲＥＦ１－２，ＲＥＦ２－２の電極指の数が２０本である場合、２つのＩＤＴ電極間に配置される反射器の電極指の総数は４０本となる。
　一方、実施の形態１の弾性波デバイス１００においては、たとえば、各反射器ＲＥＦ１－１，ＲＥＦ２－１の電極指の数を８本とし、共用反射器ＲＥＦ１２の電極指の数を１２本とすると、反射器ＲＥＦ１－１および共用反射器ＲＥＦ１２の電極指の総数、ならびに、反射器ＲＥＦ２－１および共用反射器ＲＥＦ１２の電極指の総数はそれぞれ２０本となり、反射器ＲＥＦ１－２，ＲＥＦ２－２の電極指の数と同数となる。しかしながら、２つのＩＤＴ電極間に配置される反射器の電極指の総数は２８本と少なくなる。したがって、各弾性波共振子に対して反射器として機能する電極指の数を維持して反射率の低下を抑制しつつ、２つのＩＤＴ電極間の間隔を狭くすることができる。これにより、比較例の弾性波デバイス１００＃と比較して、弾性波デバイス１００を小型化することができる。
　図５は、比較例および実施の形態１における弾性波デバイスを含むフィルタ装置の平面図である。図５（ａ）は比較例の弾性波デバイスの構成を含む場合を示し、図５（ｂ）は実施の形態１の弾性波デバイスの構成を含む場合を示している。図５（ａ），（ｂ）においては、外部端子（ＴＸ，ＡＮＴ，ＧＮＤ）と、各共振部（Ｓ１～Ｓ５，Ｐ１～Ｐ４）と、これらの共振部間を接続する配線部１５の配置が示されている。このうち、直列腕共振部Ｓ２（弾性波共振子Ｓ２１，Ｓ２２）と並列腕共振部Ｐ１との間の部分（図５（ｂ）の領域ＲＧ１）、および、直列腕共振部Ｓ４（弾性波共振子Ｓ４１，Ｓ４２）と並列腕共振部Ｐ４との間の部分（図５（ｂ）の領域ＲＧ２）に、本実施の形態１の構成が適用されている。
　図５（ａ）に示されるように、フィルタ装置１０＃の幅Ｗ１は、弾性波共振子が隣接して配置される部分の長さによって制限される。そのため、図５（ｂ）のフィルタ装置１０のように、領域ＲＧ１，ＲＧ２の部分において、共用反射器を用いて弾性波共振子を隣接配置することによって、フィルタ装置１０の幅Ｗ２を、比較例の場合よりも狭くすることができる（Ｗ２＜Ｗ１）。
　図６および図７は、それぞれ、図５（ｂ）の領域ＲＧ１，ＲＧ２の部分の詳細構成を説明するための図である。図６および図７のいずれにおいても、１つの弾性波共振子で構成される並列腕共振部と、２つの弾性波共振子で構成される直列腕共振部との間で、反射器が共有される構成となっている。
　図６を参照して、弾性波共振子Ｓ２１は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ＿Ｓ２１、および反射器ＲＥＦ＿Ｓ２１－１，ＲＥＦ＿Ｓ２１－２を含んで構成されており、弾性波共振子Ｓ２２は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ＿Ｓ２２、および反射器ＲＥＦ＿Ｓ２２－１，ＲＥＦ＿Ｓ２２－２を含んで構成されている。また、並列腕共振部Ｐ１を構成する弾性波共振子は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ＿Ｐ１、および反射器ＲＥＦ＿Ｐ１－１，ＲＥＦ＿Ｐ１－２を含んで構成されている。そして、これらの３つの弾性波共振子において、反射器ＲＥＦ＿Ｓ２１－１，ＲＥＦ＿Ｓ２２－１，ＲＥＦ＿Ｐ１－１に対向するように、共用反射器ＲＥＦ＿Ａが配置されている。
　反射器ＲＥＦ＿Ｓ２１－１，ＲＥＦ＿Ｓ２２－１は、共用反射器ＲＥＦ＿Ａの第１端部側に互いに隣接して配置されており、反射器ＲＥＦ＿Ｐ１－１は共用反射器ＲＥＦ＿Ａの第２端部側に配置されている。共用反射器ＲＥＦ＿Ａの電極指の長さは、反射器ＲＥＦ＿Ｐ１－１の電極指の長さよりも長く、かつ、反射器ＲＥＦ＿Ｓ２１－１の電極指の長さと反射器ＲＥＦ＿Ｓ２２－１の電極指の長さとの和よりも長くなるように設定される。
　このような構成とすることによって、各弾性波共振子に個別に反射器を配置する場合に比べて、反射器ＲＥＦ＿Ｓ２１－２，ＲＥＦ＿Ｓ２２－２の端部から反射器ＲＥＦ＿Ｐ１－２の端部までの長さを短縮することができる。
　図７を参照して、弾性波共振子Ｓ４１は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ＿Ｓ４１、および反射器ＲＥＦ＿Ｓ４１－１，ＲＥＦ＿Ｓ４１－２を含んで構成されており、弾性波共振子Ｓ４２は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ＿Ｓ４２、および反射器ＲＥＦ＿Ｓ４２－１，ＲＥＦ＿Ｓ４２－２を含んで構成されている。また、並列腕共振部Ｐ４を構成する弾性波共振子は、ＩＤＴ電極ＩＤＴ＿Ｐ４、および反射器ＲＥＦ＿Ｐ４－１，ＲＥＦ＿Ｐ４Ａ－２を含んで構成されている。そして、これらの３つの弾性波共振子において、反射器ＲＥＦ＿Ｓ４１－１，ＲＥＦ＿Ｓ４２－１，ＲＥＦ＿Ｐ４－１に対向するように、共用反射器ＲＥＦ＿Ｂが配置されている。
　反射器ＲＥＦ＿Ｓ４１－１，ＲＥＦ＿Ｓ４２－１は、共用反射器ＲＥＦ＿Ｂの第１端部側に互いに隣接して配置されており、反射器ＲＥＦ＿Ｐ４－１は共用反射器ＲＥＦ＿Ｂの第２端部側に配置されている。共用反射器ＲＥＦ＿Ｂの電極指の長さは、反射器ＲＥＦ＿Ｐ４－１の電極指の長さよりも長く、かつ、反射器ＲＥＦ＿Ｓ４１－１の電極指の長さと反射器ＲＥＦ＿Ｓ４２－１の電極指の長さとの和よりも長くなるように設定される。
　このような構成とすることによって、各弾性波共振子に個別に反射器を配置する場合に比べて、反射器ＲＥＦ＿Ｓ４１－２，ＲＥＦ＿Ｓ４２－２の端部から反射器ＲＥＦ＿Ｐ４－２の端部までの長さを短縮することができる。
　次に、図８および図９を用いて、隣接する弾性波共振子において共用反射器を用いる場合の反射特性について説明する。図８および図９（ａ），（ｂ）の各々においては、上段に反射器の反射係数の周波数特性が示され、下段に共振子のインピーダンスの周波数特性が示されている。図８および図９において、実線ＬＮ１０および実線ＬＮ２０は直列腕共振子を示しており、破線ＬＮ１１および破線ＬＮ２１は並列腕共振子を示している。
　図８を参照して、図１に示したようなラダー型フィルタにおいては、一般的に、直列腕共振子の共振周波数と並列腕共振子の反共振周波数とが略一致するように設計される。すなわち、直列腕共振子の反射器において反射係数が１に漸近する阻止域は、周波数ｆ２～ｆ４の間（領域ＡＲ１０）となる。一方、並列腕共振子の反射器において反射係数が１に漸近する阻止域は、周波数ｆ１～ｆ３の間（領域ＡＲ１１）となる。
　そのため、直列腕共振子と並列腕共振子の反射器を共用し、反射器の電極指のピッチを、どちらか一方の共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチに設定した場合には、周波数ｆ２～ｆ４の範囲（領域ＡＲ１５）については反射率が確保できるものの、周波数ｆ１～ｆ２の範囲あるいは周波数ｆ３～ｆ４の範囲については反射率が大きく低下し得る。そうすると、この反射率が低下する領域において、一方の共振子からの弾性表面波が反射されずに他方の共振子に漏れ出してしまうため、フィルタ特性の劣化が生じ得る。
　一方で、本願実施の形態１のように、共用反射器の電極指ピッチの少なくとも一部を２つの共振子の電極指ピッチの中間のピッチに設定した場合、共用反射器の反射係数は、たとえば図９における一点鎖線ＬＮ１２のようになる。そうすると、図９（ａ）に示されるように、直列腕共振子についての阻止域は、周波数ｆ２～ｆ３１の範囲（領域ＡＲ１６）に拡大される。同様に、並列腕共振子についての阻止域は、図９（ｂ）に示されるように、周波数ｆ１１～ｆ３の範囲（領域ＡＲ１７）に拡大される。すなわち、共用反射器の阻止域の下限周波数は、第１共振子の阻止域の下限周波数と第２共振子の阻止域の下限周波数との間になり、共用反射器の阻止域の上限周波数は、第１共振子の阻止域の上限周波数と第２共振子の阻止域の上限周波数との間になる。したがって、共用反射器の電極指ピッチをどちらか一方の共振子の電極指ピッチに統一した場合に比べて、フィルタ装置における阻止範囲を拡大することができ、結果としてフィルタ特性の劣化を抑制することができる。
　なお、実施の形態１において「阻止域」とは、反射係数のピーク値の７０％の値よりも高い反射係数を有する周波数範囲を示す。実施の形態１において、阻止域の下限周波数は、各共振子の共振周波数に対応する。また、阻止域の上限周波数は、各共振子のインピーダンス特性において、ストップバンドリプル（図８における領域ＲＧ１０，ＲＧ１１）が出現し始める周波数に対応する。
　各共振子において、励振される弾性表面波の強度は、ＩＤＴ電極の中央領域で最大となり、両端の反射器の領域内では上記中央領域からの距離が遠くなるにしたがって単調に減少する。そのため、共用反射器においてＩＤＴ電極からの距離が遠いほど、電極指ピッチがＩＤＴ電極の電極指ピッチと異なっていても反射率の低下の影響が小さくなる。したがって、共用反射器における電極指ピッチを、一方の共振子の電極指ピッチから他方の共振子の電極指ピッチまで、徐々にあるいは段階的に変化させて設定することによって、図９における周波数ｆ１～ｆ１１および周波数ｆ３１～ｆ４の間の反射率を確保することが可能となり、反射率低下の影響をさらに低減できる。
　なお、図９のように直列腕共振子および並列腕共振子を共用反射器を用いて隣接させる場合、阻止域の高周波数側および低周波数側の範囲が少なからず狭められてしまう。そのため、ラダー型フィルタにおいて、フィルタ全体としての通過帯域端部での減衰特性の急峻性を維持させるために、最も高周波数側の減衰極を形成する共振子および最も低周波数側の減衰極を形成する共振子については、共用反射器を用いないほうが好ましい。
　一般的に、ラダー側フィルタにおいては、高周波数側の減衰極は直列腕共振子によって形成され、低周波数側の減衰極は並列腕共振子によって形成される。そのため、複数の直列腕共振子を含む直列腕共振部においては、共用反射器を用いる直列腕共振子（第１共振子）よりもさらに電極指ピッチが狭く設定された直列腕共振子（第３共振子）を含むようにすることが好ましい。
　また、複数の並列腕共振子を含む並列腕共振部においては、共用反射器を用いる並列腕共振子（第２共振子）よりもさらに電極指ピッチが広く設定された並列腕共振子（第４共振子）を含むようにすることが好ましい。
　以上のように、隣接する２つおよび弾性波共振子（第１共振子，第２共振子）の間に共用反射器を配置し、当該共用反射器の電極指ピッチの少なくとも一部を、第１共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチと、第２共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチの間のピッチに設定して、中間的な周波数特性とすることによって、弾性波デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ、弾性波デバイスの小型化を実現することが可能となる。
　図１０は、実施の形態１に係る弾性波デバイス１００の仕様の一例を示す図である。当該実施例においては、共振子１のＩＤＴ電極の対数は１３０対であり、電極指の本数は２６１本である。また、波長（＝電極指ピッチ×２）は１．５４９５μｍであり、共振周波数は２４５３．３９ＭＨｚである。一方、共振子２のＩＤＴ電極の対数は９０対であり、本数は１８１本である。また、波長は１．６０７００μｍであり、共振周波数は２３５８．１１ＭＨｚである。共用反射器のＩＤＴ本数は８本であり、共用反射器と各ＩＤＴ電極との間に配置された反射器のＩＤＴ本数は１０本である。なお、各共振子において、デューティはいずれも０．５である。また、共振器１および共振器２の電極指の膜厚はいずれも同じである。
　当該実施例においては、共用反射器の波長は、共振子１から共振子２に向かって、１．５４９５μｍから１．９０７００μｍへ徐々に長くなっている。このように、共用反射器の波長（電極指ピッチ）を、２つの共振子の波長（電極指ピッチ）の中間的なピッチとすることによって、弾性波デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ、弾性波デバイスの小型化を実現することができる。なお、共振器１および共振器２は電極指の膜厚およびデューティが同じであるため、電極指ピッチが大きい共振子２の周波数の方が、共振器１の周波数に比べて低くなる。
　（変形例１）
　図２で示した実施の形態１の弾性波デバイス１００においては、隣接して配置される２つの弾性波共振子が、弾性表面波の伝播方向の中心が一致するように、すなわちＩＤＴ電極の交叉幅の中心を通り電極指に直交する方向が一致するように配置されている構成について説明した。しかしながら、２つの弾性波共振子において弾性表面波の伝播方向の中心は異なっていてもよい。
　図１１は、変形例１に係る弾性波デバイス１００Ａの上面図である。弾性波デバイス１００Ａは、図２と同様の構成を有する弾性波共振子１０１Ａ，１０２Ａと、弾性波共振子１０１Ａ，１０２Ａの間に配置された共用反射器ＲＥＦ１２Ａとを含む。弾性波共振子１０１Ａは、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１Ａと、反射器ＲＥＦ１Ａ－１，ＲＥＦ１Ａ－２とを含む。弾性波共振子１０２Ａは、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２Ａと、反射器ＲＥＦ２Ａ－１，ＲＥＦ２Ａ－２とを含む。
　弾性波デバイス１００Ａにおいては、２つの弾性波共振子１０１Ａ，１０２Ａにおける弾性表面波の伝播方向の中心がオフセットして重ならない構成となっている。具体的には、弾性波共振子１０１Ａの電極指の交叉幅の中心を通り、当該電極指に直交する仮想線ＣＬ１と、弾性波共振子１０２Ａの電極指の交叉幅の中心を通り、当該電極指に直交する仮想線ＣＬ２とが、電極指の延伸方向にオフセットしている。
　共用反射器ＲＥＦ１２Ａの電極指は、弾性波共振子１０１Ａにおける反射器ＲＥＦ１Ａ－１の電極指、および、弾性波共振子１０２Ａにおける反射器ＲＥＦ２Ａ－１の電極指の双方に対向する長さを有している。
　なお、当該構成は、図６および図７で前述したフィルタ装置１０の領域ＲＧ１，ＲＧ２にも適用されている。
　このように、隣接する弾性波共振子における弾性表面波の伝播方向が重ならない場合であっても、各共振子の電極指に対向するような長さの電極指を有する共用反射器を用いることによって、弾性波デバイスの小型化とともに、基板上における機能素子の配置の自由度を高めることができる。また、仮に共用反射器から弾性表面波がリークした場合であっても、リークした弾性表面波は相手方の弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の交叉幅中心から外れた領域に進入することになるため、弾性表面波の伝播方向にオフセットがなく重なっている場合に比べて相手方の弾性波共振子への影響を低減することができる。
　（変形例２）
　実施の形態１および変形例１の弾性波デバイスにおいては、ＩＤＴ電極および反射器における電極指が、電極指に接続されたバスバーに対して直交する方向に延在する構成について説明した。変形例２の弾性波デバイスにおいては、ＩＤＴ電極および反射器の電極指が、バスバーに対して傾斜配置された構成について説明する。
　図１２は、変形例２に係る弾性波デバイス１００Ｂの上面図である。弾性波デバイス１００Ｂにおいては、弾性波共振子１０１Ｂ，１０２Ｂと、弾性波共振子１０１Ｂ，１０２Ｂの間に配置された共用反射器ＲＥＦ１２Ｂとを含む。変形例１と同様に、弾性波共振子１０１Ｂと弾性波共振子１０２Ｂとは、オフセットした位置に配置されている。
　弾性波共振子１０１Ｂは、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１Ｂと、ＩＤＴ電極ＩＤＴ１Ｂの両端に配置された反射器ＲＥＦ１Ｂ－１，ＲＥＦ１Ｂ－２とを含む。弾性波共振子１０２Ｂは、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２Ｂと、ＩＤＴ電極ＩＤＴ２Ｂの両端に配置された反射器ＲＥＦ２Ｂ－１，ＲＥＦ２Ｂ－２とを含む。
　共用反射器ＲＥＦ１２Ｂは、反射器ＲＥＦ１Ｂ－１と反射器ＲＥＦ２Ｂ－１との間に配置されている。反射器ＲＥＦ１Ｂ－１の電極指の数と共用反射器ＲＥＦ１２Ｂの電極指の数の和は、反射器ＲＥＦ１Ｂ－２の電極指の数と同じである。また、反射器ＲＥＦ２Ｂ－１の電極指の数と共用反射器ＲＥＦ１２Ｂの電極指の数の和は、反射器ＲＥＦ２Ｂ－２の電極指の数と同じである。弾性波デバイス１００Ｂにおいて、弾性波共振子１０１Ｂ，１０２Ｂおよび共用反射器ＲＥＦ１２Ｂの電極指は、バスバーに対して斜めに接続されている。電極指とバスバーとのなす角は、０°より大きく９０°より小さい。
　弾性波共振子においては、一般的に電極指に直交する方向に弾性表面波が伝播する。すなわち、図１２に示されるように、弾性波共振子１０１Ｂにおいては矢印ＲＡ１の方向に弾性表面波が伝播し、弾性波共振子１０２Ｂにおいては矢印ＲＡ２の方向に弾性表面波が伝播する。このように、隣接する弾性波共振子をオフセット配置し、さらにバスバーに対して電極指を傾斜配置することによって、一方の弾性波共振子における弾性表面波の伝播方向を、他方の弾性波共振子のＩＤＴ電極における電極指の交叉幅領域外とすることができる。したがって、共用反射器から弾性表面波がリークした場合における他方の弾性波共振子への影響をさらに低減することができる。
　［実施の形態２］
　実施の形態１においては、隣接する弾性波共振子の電極指ピッチが異なる構成の場合に、共用反射器の電極指のピッチを中間的なピッチにすることによって、共用反射器の周波数特性を調整する構成について説明した。
　実施の形態２においては、隣接する弾性波共振子の電極指のデューティが異なる構成の場合に、共用反射器の電極指のデューティを中間的なデューティとすることによって、共用反射器の周波数特性を調整する構成について説明する。なお、電極指のデューティとは、電極指のピッチに対する電極指の占める割合（電極指の幅）である。
　図１３は、実施の形態２に係る弾性波デバイス１００Ｃの断面図である。弾性波デバイス１００Ｃは、弾性波共振子１０１Ｃ，１０２Ｃと、弾性波共振子１０１Ｃ，１０２Ｃの間に配置された共用反射器ＲＥＦ１２Ｃとを含む。
　共用反射器ＲＥＦ１２Ｃは、弾性波共振子１０１ＣのＩＤＴ電極ＩＤＴ１Ｃの一方端に配置された反射器ＲＥＦ１Ｃ－１と、弾性波共振子１０２ＣのＩＤＴ電極ＩＤＴ２Ｃの一方端に配置された反射器ＲＥＦ２Ｃ－１との間に配置されている。なお、弾性波デバイス１００Ｃにおいては、弾性波共振子１０１Ｃの電極指ピッチおよび弾性波共振子１０２Ｃの電極指ピッチは同じピッチである。
　弾性波共振子１０１ＣにおけるＩＤＴ電極および反射器の電極指のデューティ（第１デューティ）はＤＴ１に設定されており、弾性波共振子１０２ＣにおけるＩＤＴ電極および反射器の電極指のデューティ（第２デューティ）はＤＴ２（ＤＴ２＞ＤＴ１）に設定されている。そして、共用反射器ＲＥＦ１２Ｃにおける電極指の少なくとも一部は、上記の第１デューティＤＴ１および第２デューティＤＴ２の間の中間的なデューティで形成されている。好ましくは、共用反射器ＲＥＦ１２Ｃの電極指のデューティは、弾性波共振子１０１Ｃから弾性波共振子１０２Ｃに向かって徐々に、あるいは段階的に大きくなるように設定される。
　このように、隣接する弾性波共振子における電極指のデューティが異なる場合には、共用反射器の少なくとも一部の電極指について中間的なデューティに設定することによって、共用反射器の周波数特性を２つの弾性波共振子の周波数特性の間の周波数特性に設定することができる。これにより、実施の形態１と同様に、弾性波デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ、弾性波デバイスの小型化を実現することができる。
　なお、２つの弾性波共振子における電極指のピッチおよびデューティが異なる場合には、共用反射器における電極指のピッチおよびデューティの双方を、中間的な値に設定するようにしてもよい。
　図１４は、実施の形態２に係る弾性波デバイス１００Ｃの仕様の一例を示す図である。当該実施例においては、共振子１および共振子２の各々のＩＤＴ電極の対数は１３０対であり、電極指の本数は２６１本である。また、共振子１および共振子２の各々についての波長（＝ピッチ×２）はいずれも１．５４９５μｍである。共用反射器のＩＤＴ本数は８本であり、共用反射器と各ＩＤＴ電極との間に配置された反射器のＩＤＴ本数は１０本である。共振子１の共振周波数は２４５３．３９ＭＨｚであり、共振子２の共振周波数は２４４６．８６ＭＨｚである。なお、共振器１および共振器２の電極指の膜厚はいずれも同じである。
　当該実施例においては、共振子１のデューティは０．５にされており、共振子２のデューティは０．５５に設定されている。共用反射器におけるデューティは、共振子１から共振子２に向かって、０．５から０．５５へ徐々に変化している。このように、共用反射器のデューティを、２つの共振子のデューティの中間的なデューティとすることによって、弾性波デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ、弾性波デバイスの小型化を実現することができる。なお、共振器１および共振器２は電極指ピッチおよび電極指膜厚が同じであるため、デューティが大きい共振子２の周波数の方が、共振器１の周波数に比べて低くなる。
　［実施の形態３］
　実施の形態３においては、隣接する弾性波共振子の電極指の膜厚が異なる構成の場合に、共用反射器の電極指の膜厚を中間的な膜厚とすることによって、共用反射器の周波数特性を調整する構成について説明する。
　図１５は、実施の形態３に係る弾性波デバイス１００Ｄの断面図である。弾性波デバイス１００Ｄは、弾性波共振子１０１Ｄ，１０２Ｄと、弾性波共振子１０１Ｄ，１０２Ｄの間に配置された共用反射器ＲＥＦ１２Ｄとを含む。
　共用反射器ＲＥＦ１２Ｄは、弾性波共振子１０１ＤのＩＤＴ電極ＩＤＴ１Ｄの一方端に配置された反射器ＲＥＦ１Ｄ－１と、弾性波共振子１０２ＤのＩＤＴ電極ＩＤＴ２Ｄの一方端に配置された反射器ＲＥＦ２Ｄ－１との間に配置されている。
　弾性波デバイス１００Ｄおいては、弾性波共振子１０１Ｄの電極指のピッチおよびデューティは弾性波共振子１０２Ｄの電極指のピッチおよびデューティと同じであるが、２つの弾性波共振子１０１Ｄ，１０２Ｄの電極指の膜厚が異なっている。具体的には、弾性波共振子１０１Ｄの電極指の膜厚（第１電極指膜厚）はＥＴ１に設定されており、弾性波共振子１０２Ｄの電極指の膜厚（第２電極指膜厚）はＥＴ２（ＥＴ２＞ＥＴ１）に設定されている。
　そして、共用反射器ＲＥＦ１２Ｄにおける電極指の少なくとも一部の膜厚は、上記の第１電極指膜厚ＥＴ１および第２電極指膜厚ＥＴ２の間の中間的な膜厚で形成されている。言い換えれば、共用反射器ＲＥＦ１２Ｄにおける電極指の少なくとも一部の膜厚は、第１電極指膜厚ＥＴ１よりも厚く、かつ、第２電極指膜厚ＥＴ２よりも薄い。好ましくは、共用反射器ＲＥＦ１２Ｄの電極指の膜厚は、弾性波共振子１０１Ｄから弾性波共振子１０２Ｄに向かって徐々に、あるいは段階的に厚くなるように設定される。
　このように、隣接する弾性波共振子における電極指の膜厚が異なる場合には、共用反射器の少なくとも一部の電極指について中間的な膜厚に設定することによって、共用反射器の周波数特性を２つの弾性波共振子の周波数特性の間の周波数特性に設定することができる。これにより、実施の形態１と同様に、弾性波デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ、弾性波デバイスの小型化を実現することができる。
　なお、２つの弾性波共振子において、電極指の膜厚に加えて、電極指のピッチおよび／またはデューティが異なる場合には、共用反射器の電極指のピッチおよび／またはデューティについても中間的な値に設定するようにしてもよい。
　図１６は、実施の形態３に係る弾性波デバイス１００Ｄの仕様の一例を示す図である。当該実施例においては、共振子１のＩＤＴ電極の対数は１３０対であり、電極指の本数は２６１本である。一方、共振子２のＩＤＴ電極の対数は９０対であり、電極指の本数は１８１本である。共振子１および共振子２の各々についての波長（＝ピッチ×２）はいずれも１．５４９５μｍである。共用反射器のＩＤＴ本数は８本であり、共用反射器と各ＩＤＴ電極との間に配置された反射器のＩＤＴ本数は１０本である。共振子１の共振周波数は２４５３．３９ＭＨｚであり、共振子２の共振周波数は２４４２．２４ＭＨｚである。なお、共振子１および共振子２において、ＩＤＴ電極のデューティはいずれも０．５である。
　当該実施例においては、共振子１における電極指の膜厚は１２１ｎｍに設定されており、共振子２における電極指の膜厚は１３１ｎｍに設定されている。共振子１から共振子２に向かって、１２１ｎｍから１３１ｎｍへ徐々に厚くなっている。このように、共用反射器における電極指膜厚を、２つの共振子における電極指膜厚の中間的な膜厚とすることによって、弾性波デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ、弾性波デバイスの小型化を実現することができる。なお、共振器１および共振器２は電極指ピッチおよびデューティが同じであるため、電極指膜厚が厚い共振器２の周波数の方が、共振器１の周波数に比べて低くなる。
　［実施の形態４］
　弾性波デバイスにおいては、基板上の機能素子を保護するために、ＩＤＴ電極および反射器上に誘電体層が配置される場合がある。弾性波共振子の周波数特性は、この保護用の誘電体層の厚みによっても変化する。
　実施の形態４においては、隣接する弾性波共振子において、保護用の誘電体層の膜厚が異なる構成の場合に、当該誘電体層の膜厚を中間的な膜厚とすることによって、共用反射器の周波数特性を調整する構成について説明する。
　図１７は、実施の形態４に係る弾性波デバイス１００Ｅの断面図である。弾性波デバイス１００Ｅは、弾性波共振子１０１Ｅ，１０２Ｅと、弾性波共振子１０１Ｅ，１０２Ｅの間に配置された共用反射器ＲＥＦ１２Ｅと、弾性波共振子１０１Ｅ，１０２Ｅおよび共用反射器ＲＥＦ１２Ｅ上に配置された誘電体層１４０とを含む。
　共用反射器ＲＥＦ１２Ｅは、弾性波共振子１０１ＥのＩＤＴ電極ＩＤＴ１Ｅの一方端に配置された反射器ＲＥＦ１Ｅ－１と、弾性波共振子１０２ＥのＩＤＴ電極ＩＤＴ２Ｅの一方端に配置された反射器ＲＥＦ２Ｅ－１との間に配置されている。弾性波デバイス１００Ｅにおいては、弾性波共振子１０１Ｅ，１０２ＥのＩＤＴ電極および反射器、ならびに共用反射器ＲＥＦ１２Ｅにおける電極指のピッチ、デューティおよび膜厚は同じ値に設定されている。
　誘電体層１４０は、たとえば二酸化ケイ素、ガラス、酸窒化シリコン、酸化タンタル、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム(アルミナ）、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ダイヤモンドなどの材料であり、二酸化ケイ素にフッ素、炭素、ホウ素などを加えた化合物などで形成されてもよい。誘電体層１４０は、基板１０５の圧電層１１０上に配置された機能素子（ＩＤＴ電極，反射器）を覆うように配置されている。弾性波共振子１０１Ｅの領域に配置されている誘電体層１４０の膜厚（第１誘電体膜厚）はＦＴ１に設定されており、弾性波共振子１０２Ｅの領域に配置されている誘電体層１４０の膜厚（第２誘電体膜厚）はＦＴ２（ＦＴ１＜ＦＴ２）に設定されている。誘電体層１４０を弾性波共振子の共振周波数の音速よりも遅いバルク波音速を有する材料（二酸化ケイ素、ガラス、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化テルルなど）で形成した場合には、電極指上に配置された誘電体層が厚くなるほど、電極指が振動する際の質量が大きくなるため、共振器の共振周波数は低くなる。そのため、図１７の構成においては、弾性波共振子１０２Ｅの共振周波数は、弾性波共振子１０１Ｅの共振周波数よりも低くなる。
　一方、誘電体層１４０を弾性共振子の共振周波数の音速よりも速いバルク波音速を有する材料（ガラス、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナ、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、ＤＬＣ、ダイヤモンドなど）で形成した場合には、誘電体層が厚くなるほど、共振器の共振周波数は高くなる。
　なお、実施の形態４においては、誘電体層１４０の膜厚ＦＴ１，ＦＴ２は、ＩＤＴ電極および反射器の電極指の上面から誘電体層１４０の表面までの距離として定義される。また、誘電体層１４０は、図１８に示されるように、電極指のある部分における誘電体の上面の位置と、電極指のない部分における誘電体の上面の位置とが異なっていてもよい。
　そして、共用反射器ＲＥＦ１２Ｅの領域に配置された誘電体層１４０の少なくとも一部の膜厚は、上記の第１誘電体膜厚ＦＴ１および第２誘電体膜厚ＦＴ２の間の中間的な膜厚で形成されている。言い換えれば、共用反射器ＲＥＦ１２Ｅの領域に配置された誘電体層１４０の少なくとも一部の膜厚は、第１誘電体膜厚ＦＴ１よりも薄く、かつ、第２誘電体膜厚ＦＴ２よりも厚い。好ましくは、共用反射器ＲＥＦ１２Ｅの領域に配置された誘電体層１４０の膜厚は、弾性波共振子１０１Ｅから弾性波共振子１０２Ｅに向かって徐々に、あるいは段階的に薄くなるように設定される。
　このように、隣接する弾性波共振子の領域に配置された保護用の誘電体層の膜厚が異なる場合には、共用反射器の領域に配置された誘電体層の少なくとも一部を中間的な膜厚に設定することによって、共用反射器の周波数特性を２つの弾性波共振子の周波数特性の間の周波数特性に設定することができる。これにより、実施の形態１と同様に、弾性波デバイスの周波数特性の低下を抑制しつつ、弾性波デバイスの小型化を実現することができる。
　なお、２つの弾性波共振子において、誘電体層の膜厚に加えて、電極指のピッチ、デューティおよび／または膜厚が異なる場合には、共用反射器の電極指のピッチ、デューティおよび／または膜厚についても中間的な値に設定するようにしてもよい。
　また、一般に、共振子の共振周波数、阻止域の周波数（上限周波数，下限周波数）、および反射器の周波数（上限周波数，下限周波数）は、電極指のピッチ、電極指のデューティ、電極指の厚み、圧電体層の厚み、および誘電体層の厚みの各パラメータに対して同様の依存傾向を示す。上述のように、電極指のピッチ、電極指のデューティ、および電極指厚みの各パラメータが大きいほど、各共振子の共振周波数は低くなる傾向にある。そのため、共用反射器ＲＥＦ１２（ＲＥＦ１２Ｃ，ＲＥＦ１２Ｄ，ＲＥＦ１２Ｅ）および弾性波共振子１０１（１０１Ｃ，１０１Ｄ，１０１Ｅ），１０２（１０２Ｃ，１０２Ｄ，１０２Ｅ）について、電極指のピッチ、電極指のデューティ、および電極指の厚みを掛け合わせた値（＝電極指ピッチ×電極指デューティ×電極指厚み）を、それぞれ第１値、第２値および第３値とすると、共用反射器ＲＥＦ１２の第１値は、弾性波共振子１０１の第２値と弾性波共振子１０２の第３値との間になるように設定される。
　さらに、弾性波共振子１０１、弾性波共振子１０２および共用反射器ＲＥＦ１２を覆い、弾性波共振子の共振周波数の音速よりも遅いバルク波音速を有する材料からなる誘電体層を備える場合には、この誘電体層厚みが大きいほど、各共振子の共振周波数は低くなる傾向にある。そのため、共用反射器ＲＥＦ１２および弾性波共振子１０１，１０２について、電極指のピッチ、電極指のデューティ、電極指の厚み、および、誘電体層の厚みを掛け合わせた値（＝電極指ピッチ×電極指デューティ×電極指厚み×誘電体層厚み）を、それぞれ第４値、第５値および第６値とすると、共用反射器ＲＥＦ１２の第４値は、弾性波共振子１０１の第５値と弾性波共振子１０２の第６値との間になるように設定される。
　もしくは、弾性波共振子１０１、弾性波共振子１０２および共用反射器ＲＥＦ１２を覆い、弾性波共振子の共振周波数の音速よりも速いバルク波音速を有する材料からなる誘電体層を備える場合には、この誘電体層厚みが大きいほど、各共振子の共振周波数は高くなる傾向にある。そのため、共用反射器ＲＥＦ１２および弾性波共振子１０１，１０２について、電極指のピッチ、電極指のデューティ、電極指の厚み、および、誘電体層の厚みの逆数を掛け合わせた値（＝電極指ピッチ×電極指デューティ×電極指厚み／誘電体層厚み）を、それぞれ第７値、第８値および第９値とすると、共用反射器ＲＥＦ１２の第７値は、弾性波共振子１０１の第８値と弾性波共振子１０２の第９値との間になるように設定される。
　なお、第１値～第３値、第４値～第６値、および第７値～第９値の関係が成立するためには、各パラメータがほぼ線形的に変化する領域を用いることが必要となるため、各弾性波共振子のデューティが０．６５以下であることの条件が必要となる。
　今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１０，１０＃　フィルタ装置、１５　配線部、１００，１００Ａ～１００Ｅ，１００＃　弾性波デバイス、１０１，１０１Ａ～１０１Ｅ，１０１＃，１０２，１０２Ａ～１０２Ｅ，１０２＃，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ３１，Ｓ３２，Ｓ４１，Ｓ４２　弾性波共振子、１０５　基板、１１０　圧電層、１２０　反射層、１２１　低音速層、１２２　高音速層、１３０　支持層、１４０　誘電体層、ＡＮＴ　アンテナ端子、ＩＤＴ１，ＩＤＴ１Ａ～ＩＤＴ１Ｅ，ＩＤＴ２，ＩＤＴ２Ａ～ＩＤＴ２Ｅ　ＩＤＴ電極、Ｐ１～Ｐ４　並列腕共振部、ＲＥＦ１，ＲＥＦ１Ａ～ＲＥＦ１Ｅ，ＲＥＦ２，ＲＥＦ２Ａ～ＲＥＦ２Ｅ，ＲＥＦ＿Ｐ１，ＲＥＦ＿Ｐ４，ＲＥＦ＿Ｓ２１，ＲＥＦ＿Ｓ２２，ＲＥＦ＿Ｓ４１，ＲＥＦ＿Ｓ４２　反射器、ＲＥＦ１２，ＲＥＦ１２Ａ～ＲＥＦ１２Ｅ，ＲＥＦ＿Ａ，ＲＥＦ＿Ｂ　共用反射器、Ｓ１～Ｓ５　直列腕共振部、ＴＸ　送信用端子。

Claims (20)

  1. 　圧電層を有する基板と、
    　前記基板上に配置された第１共振子と、
    　前記基板上において前記第１共振子に隣接して配置され、前記第１共振子と周波数特性が異なる第２共振子と、
    　前記基板上において前記第１共振子と前記第２共振子との間に配置され、前記第１共振子および前記第２共振子の双方の反射器として機能する共用反射器とを備え、
    　前記第１共振子は、電極指が第１ピッチで形成された第１ＩＤＴ（Interdigital　Transducer）電極を含み、
    　前記第２共振子は、電極指が第２ピッチで形成された第２ＩＤＴ電極を含み、
    　前記共用反射器の阻止域の下限周波数は、前記第１共振子の阻止域の下限周波数と前記第２共振子の阻止域の下限周波数と同じ、もしくは、前記第１共振子の阻止域の下限周波数と前記第２共振子の阻止域の下限周波数との間にあり、
    　前記共用反射器の阻止域の上限周波数は、前記第１共振子の阻止域の上限周波数と前記第２共振子の阻止域の上限周波数と同じ、もしくは、前記第１共振子の阻止域の上限周波数と前記第２共振子の阻止域の上限周波数との間にある、弾性波デバイス。
  2. 　前記第２ピッチは、前記第１ピッチよりも狭く、
    　前記共用反射器の電極指の少なくとも一部は、前記第１ピッチおよび前記第２ピッチの間のピッチで形成される、請求項１に記載の弾性波デバイス。
  3. 　前記共用反射器の電極指のピッチは、前記第１共振子から前記第２共振子に向かって徐々に狭くなる、請求項２に記載の弾性波デバイス。
  4. 　前記共用反射器の電極指のピッチは、前記第１共振子から前記第２共振子に向かって段階的に狭くなる、請求項２に記載の弾性波デバイス。
  5. 　前記第１共振子における電極指のデューティは第１デューティであり、前記第２共振子における電極指のデューティは前記第１デューティよりも大きい第２デューティであり、
    　前記共用反射器の電極指の少なくとも一部は、前記第１デューティおよび前記第２デューティの間のデューティで形成される、請求項１に記載の弾性波デバイス。
  6. 　前記共用反射器の電極指のデューティは、前記第１共振子から前記第２共振子に向かって徐々に大きくなる、請求項５に記載の弾性波デバイス。
  7. 　前記共用反射器の電極指のデューティは、前記第１共振子から前記第２共振子に向かって段階的に大きくなる、請求項５に記載の弾性波デバイス。
  8. 　前記第１共振子の電極指の厚みは、前記第２共振子の電極指の厚みよりも薄く、
    　前記共用反射器の少なくとも一部の電極指の厚みは、前記第１共振子の電極指の厚みよりも厚く、かつ、前記第２共振子の電極指の厚みよりも薄い、請求項１に記載の弾性波デバイス。
  9. 　前記第１共振子、前記第２共振子、および前記共用反射器の上に配置された誘電体層をさらに備え、
    　前記第１共振子の領域に配置された前記誘電体層の厚みは、前記第２共振子の領域に配置された前記誘電体層の厚みよりも厚く、
    　前記共用反射器の領域に配置された前記誘電体層の少なくとも一部は、前記第１共振子の領域に配置された前記誘電体層の厚みよりも薄く、かつ、前記第２共振子の領域に配置された前記誘電体層の厚みよりも厚い、請求項１に記載の弾性波デバイス。
  10. 　前記第１共振子および前記第２共振子の各々は、
    　　当該共振子に含まれるＩＤＴ電極と前記共用反射器との間に配置された第１反射器と、
    　　当該ＩＤＴ電極に対して、前記第１反射器と反対の端部に配置された第２反射器とを含み、
    　前記第１共振子の第１反射器の電極指は、前記第１ピッチで形成され、
    　前記第２共振子の第１反射器の電極指は、前記第２ピッチで形成される、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  11. 　前記第１反射器および前記共用反射器の電極指の数の和は、前記第２反射器の電極指の数と同じである、請求項１０に記載の弾性波デバイス。
  12. 　前記共用反射器の電極指の長さは、各共振子のＩＤＴ電極における電極指の交叉幅以上である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  13. 　前記第１ＩＤＴ電極の交叉幅の中心を通り、前記第１ＩＤＴ電極の電極指に直交する第１仮想線と、前記第２ＩＤＴ電極の交叉幅の中心を通り、前記第２ＩＤＴ電極の電極指に直交する第２仮想線とは重ならない、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  14. 　各ＩＤＴ電極および各反射器は、電極指が接続されたバスバーを含み、
    　各ＩＤＴ電極および各反射器において、電極指とバスバーとのなす角は０°より大きく９０°より小さい、請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  15. 　前記基板は、前記圧電層が配置される反射層をさらに含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  16. 　圧電層を有する基板と、
    　前記基板上に配置された第１共振子と、
    　前記基板上において前記第１共振子に隣接して配置され、前記第１共振子と周波数特性が異なる第２共振子と、
    　前記基板上において前記第１共振子と前記第２共振子との間に配置され、前記第１共振子および前記第２共振子の双方の反射器として機能する共用反射器とを備え、
    　前記第１共振子は、電極指が第１ピッチで形成された第１ＩＤＴ電極を含み、
    　前記第２共振子は、電極指が第２ピッチで形成された第２ＩＤＴ電極を含み、
    　前記共用反射器、前記第１共振子および前記第２共振子について、電極指のピッチ、電極指のデューティ、および電極指の厚みを掛け合わせた値を、それぞれ第１値、第２値および第３値とした場合、前記第１値は、前記第２値と前記第３値と同じ、もしくは、前記第２値と前記第３値との間にある、弾性波デバイス。
  17. 　前記第１共振子、前記第２共振子および前記共用反射器を覆うように配置された誘電体層をさらに備え、
    　前記誘電体層は、前記第１共振子および前記第２共振子の共振周波数の音速よりも遅いバルク波音速を有する材料により形成されており、
    　前記共用反射器、前記第１共振子および前記第２共振子について、電極指のピッチ、電極指のデューティ、電極指の厚み、および、誘電体層の厚みを掛け合わせた値を、それぞれ第４値、第５値および第６値とした場合、前記第４値は、前記第５値と前記第６値と同じ、もしくは、前記第５値と前記第６値との間にある、請求項１６に記載の弾性波デバイス。
  18. 　前記第１共振子、前記第２共振子および前記共用反射器を覆うように配置された誘電体層をさらに備え、
    　前記誘電体層は、前記第１共振子および前記第２共振子の共振周波数の音速よりも速いバルク波音速を有する材料により形成されており、
    　前記共用反射器、前記第１共振子および前記第２共振子について、電極指のピッチ、電極指のデューティ、電極指の厚み、および、誘電体層の厚みの逆数を掛け合わせた値を、それぞれ第７値、第８値および第９値とした場合、前記第７値は、前記第８値と前記第９値と同じ、もしくは、前記第８値と前記第９値との間にある、請求項１６に記載の弾性波デバイス。
  19. 　請求項１～１８のいずれか１項に記載の弾性波デバイスを含むラダー型フィルタであって、
    　前記第１共振子を含む複数の直列腕共振子と、
    　前記第２共振子を含む複数の並列腕共振子とを備え、
    　前記複数の直列腕共振子は、前記第１共振子よりも電極指のピッチが狭い第３共振子をさらに含む、ラダー型フィルタ。
  20. 　請求項１～１８のいずれか１項に記載の弾性波デバイスを含むラダー型フィルタであって、
    　前記第１共振子を含む複数の直列腕共振子と、
    　前記第２共振子を含む複数の並列腕共振子とを備え、
    　前記複数の並列腕共振子は、前記第２共振子よりも電極指のピッチが広い第４共振子をさらに含む、ラダー型フィルタ。
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