WO2018043496A1 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents

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潤平 安田
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device and a manufacturing method thereof.
  • frequency characteristics vary due to manufacturing variations in line width and film thickness of electrode fingers of IDT electrodes.
  • filter characteristics such as insertion loss and out-of-band attenuation may be deteriorated.
  • the frequency variation method differs between the surface acoustic wave elements during manufacturing. Therefore, it is necessary to individually adjust the frequency for each surface acoustic wave element. Therefore, the manufacturing process of an acoustic wave device having a plurality of band-pass filters is particularly complicated.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device and a method for manufacturing the same that can easily adjust the frequency of a plurality of band-pass filters formed on the same piezoelectric substrate.
  • a piezoelectric substrate a plurality of first IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of first IDT electrodes.
  • first communication band including the first transmission band and the first reception band, and the first transmission band or the first reception band.
  • the second transmission band including the second transmission band and the second reception band different from the first communication band.
  • a second band-pass type filter having the second reception band as a pass band.
  • the frequency of the end of the first transmission band closest to the first reception band is Tx1
  • the frequency of the end of the first reception band closest to the first transmission band is Rx1
  • the center frequency of the pass band of the first band-pass filter is f1
  • the frequency of the end closest to the second reception band of the second transmission band is Tx2
  • the center frequency of the passband of the second bandpass filter is f2
  • the weighted average value of the duty of the plurality of first IDT electrode is larger than the weighted average value of the duty of the plurality of second IDT electrode.
  • the duty of all the first IDT electrodes is larger than the duty of all the second IDT electrodes. In this case, the frequency adjustment of the first and second band pass filters can be performed more easily.
  • the piezoelectric substrate, the plurality of first IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of first IDT electrodes The first transmission band or the first reception out of the first communication bands including the first transmission band and the first reception band, and the first dielectric band provided on the first dielectric film.
  • a first band-pass filter having a band as a pass band, a plurality of second IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of second IDT electrodes
  • a second transmission band of a second communication band including a second transmission band and a second reception band, the second transmission band being different from the first communication band.
  • a second band-pass type filter whose pass band is the band or the second reception band.
  • at least one of the first and second IDT electrodes or the first and second dielectric films is made of the same material and in the first communication band.
  • the frequency of the end of the first transmission band closest to the first reception band is Tx1
  • the frequency of the end of the first reception band closest to the first transmission band is Rx1
  • the center frequency of the pass band of the first band-pass filter is f1
  • the frequency of the end closest to the second reception band of the second transmission band is Tx2
  • the center frequency of the passband of the second bandpass filter is f2
  • the other pass band of the first transmission band and the first reception band is located higher than the pass band of the first band pass filter.
  • the other pass band is higher than the pass band of the second band-pass filter.
  • the first band-pass filter has an input end and an output end, and is arranged in a series arm connecting the input end and the output end of the first band-pass filter.
  • the second band-pass filter has an input end and an output end, and has the second band-pass filter. Connecting the input end and the output end of the pass filter
  • the second elastic wave resonator which is at least one of the elastic wave resonators arranged in the series arm, has a duty cycle of the first IDT electrode included in the first elastic wave resonator.
  • the weighted average value is larger than the weighted average value of the duty of the second IDT electrode of the second acoustic wave resonator.
  • all the second elastic wave resonators have the duty ratios of the first IDT electrodes included in all the first elastic wave resonators.
  • the duty of the second IDT electrode is larger. In this case, the frequency adjustment of the first and second band pass filters can be performed more easily.
  • the piezoelectric substrate, the plurality of first IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of first IDT electrodes The first transmission band or the first reception out of the first communication bands including the first transmission band and the first reception band, and the first dielectric band provided on the first dielectric film.
  • a first band-pass filter having a band as a pass band, a plurality of second IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of second IDT electrodes
  • a second transmission band of a second communication band including a second transmission band and a second reception band, the second transmission band being different from the first communication band.
  • a second band-pass type filter whose pass band is the band or the second reception band.
  • at least one of the first and second IDT electrodes or the first and second dielectric films is made of the same material and in the first communication band.
  • the frequency of the end of the first transmission band closest to the first reception band is Tx1
  • the frequency of the end of the first reception band closest to the first transmission band is Rx1
  • the center frequency of the pass band of the first band-pass filter is f1
  • the frequency of the end closest to the second reception band of the second transmission band is Tx2
  • the center frequency of the passband of the second bandpass filter is f2
  • the other pass band is located on the lower band side than the pass band of the first band pass filter among the first transmission band and the first reception band.
  • the other pass band of the second transmission band and the second reception band is on the lower band side than the pass band of the second band-pass filter.
  • the first arm of the first band-pass filter has an input end and an output end, and the series arm and the ground potential connecting the input end and the output end of the first band-pass filter
  • a third elastic wave resonator which is at least one of the elastic wave resonators connected between the first and second bandpass filters, the second bandpass filter having an input end and an output end ,
  • the input end and front of the second bandpass filter A fourth elastic wave resonator, which is at least one of the elastic wave resonators connected between the series arm connecting the output terminals and the ground potential, and the third elastic wave
  • the weighted average value of the duty of the first IDT electrode included in the wave resonator is larger than the weighted average value of the duty of the second IDT electrode included in the fourth acoustic wave resonator.
  • all the fourth elastic wave resonators have the duty of the first IDT electrode included in all the third elastic wave resonators.
  • the duty of the second IDT electrode is larger. In this case, the frequency adjustment of the first and second band pass filters can be performed more easily.
  • the piezoelectric substrate, the plurality of first IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of first IDT electrodes The first transmission band or the first reception out of the first communication bands including the first transmission band and the first reception band, and the first dielectric band provided on the first dielectric film.
  • a first band-pass filter having a band as a pass band, a plurality of second IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate so as to cover the plurality of second IDT electrodes
  • a second transmission band of a second communication band including a second transmission band and a second reception band, the second transmission band being different from the first communication band.
  • a second band-pass type filter whose pass band is the band or the second reception band.
  • at least one of the first and second IDT electrodes or the first and second dielectric films is made of the same material and in the first communication band.
  • the frequency of the end of the first transmission band closest to the first reception band is Tx1
  • the frequency of the end of the first reception band closest to the first transmission band is Rx1
  • the center frequency of the pass band of the first band-pass filter is f1
  • the frequency of the end closest to the second reception band of the second transmission band is Tx2
  • the center frequency of the passband of the second bandpass filter is f2
  • the other pass band of the first transmission band and the first reception band is located higher than the pass band of the first band pass filter.
  • the other pass band of the second transmission band and the second reception band is on the lower band side than the pass band of the second band-pass filter.
  • the first band-pass filter has an input end and an output end, and is arranged in a series arm connecting the input end and the output end of the first band-pass filter.
  • the second band-pass filter has an input end and an output end, and has the second band-pass filter. Connecting the input end and the output end of the pass filter
  • the first acoustic wave resonator has a fourth acoustic wave resonator, which is at least one of the acoustic wave resonators connected between the series arm and the ground potential.
  • the weighted average value of the duty of the IDT electrode is larger than the weighted average value of the duty of the second IDT electrode of the fourth acoustic wave resonator.
  • the duty of the first IDT electrode of all the first elastic wave resonators is the first of all the fourth elastic wave resonators. 2 is larger than the duty of the IDT electrode. In this case, the frequency adjustment of the first and second band pass filters can be performed more easily.
  • the piezoelectric substrate, the plurality of first IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate, and the plurality of first IDT electrodes are covered.
  • the center frequency of the passband of the first bandpass filter is f1, and the frequency of the end closest to the second reception band of the second transmission band in the second communication band is Tx2.
  • the other pass band of the first transmission band and the first reception band is lower than the pass band of the first band-pass filter.
  • the second communication band has a pass band other than the pass band of the second band-pass filter in the second transmission band and the second reception band in the second communication band.
  • the first band-pass filter has an input end and an output end, and connects the input end and the output end of the first band-pass filter
  • a third acoustic wave resonator that is at least one of the acoustic wave resonators connected between the arm and the ground potential
  • the second band-pass filter includes an input end and an output Having an end
  • the second bandpass filter A third elastic wave resonator having a second elastic wave resonator that is at least one of the elastic wave resonators arranged in a series arm connecting the input end and the output end;
  • the weighted average value of the duty of the first IDT electrode included in the second IDT electrode is larger than the weighted average value of the duty of the second IDT electrode included in the second acoustic wave resonator.
  • all the second elastic wave resonators have duty ratios of the first IDT electrodes included in all the third elastic wave resonators.
  • the duty of the second IDT electrode is larger.
  • the first and second band-pass filters are reception filters.
  • the first and second band-pass filters are transmission filters.
  • the first and second IDT electrodes have the same film thickness and are made of the same material, and the first and second dielectric films are the same. It is a film thickness and consists of the same material. In this case, the productivity can be further increased, and the frequency adjustment of the first and second band-pass filters can be performed more easily.
  • At least one of the first and second IDT electrodes and the first and second dielectric films has a multilayer structure.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device configured according to the present invention, comprising: preparing the piezoelectric substrate; and A first IDT electrode forming step for forming one IDT electrode; a second IDT electrode forming step for forming the plurality of second IDT electrodes on the piezoelectric substrate; and the plurality of first IDTs.
  • the method further includes the step of simultaneously adjusting the frequency of the first and second band-pass filters.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device configured according to the present invention, comprising: preparing the piezoelectric substrate; and A first IDT electrode forming step of forming a first IDT electrode; a second IDT electrode forming step of forming the plurality of second IDT electrodes on the piezoelectric substrate; and the plurality of first IDT electrodes.
  • the method further includes performing at least one of the same materials at the same time and simultaneously adjusting the frequency of the first and second bandpass filters.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device configured according to the present invention, comprising: preparing the piezoelectric substrate; and A first IDT electrode forming step for forming the first IDT electrode, a second IDT electrode forming step for forming the plurality of second IDT electrodes on the piezoelectric substrate, and the plurality of first IDT electrodes.
  • the method further includes the step of simultaneously performing at least one of the steps using the same material and simultaneously adjusting the frequency of the first and second band-pass filters.
  • a method for manufacturing an acoustic wave device configured according to the present invention, comprising: preparing the piezoelectric substrate; and A first IDT electrode forming step for forming the first IDT electrode, a second IDT electrode forming step for forming the plurality of second IDT electrodes on the piezoelectric substrate, and the plurality of first IDT electrodes.
  • a second dielectric film forming step of laminating the second dielectric film thereon wherein the first IDT included in the first acoustic wave resonator in the second IDT electrode forming step.
  • the method further includes the step of simultaneously performing at least one of the steps using the same material and simultaneously adjusting the frequency of the first and second band-pass filters.
  • the first IDT electrode formation step and the second IDT electrode formation step are performed simultaneously, and the first dielectric film formation step and The second dielectric film forming step is performed simultaneously.
  • the productivity can be further increased, and the frequency adjustment of the first and second band-pass filters can be performed more easily.
  • the step of simultaneously performing the first and second IDT electrode forming steps and the first and second dielectric film forming steps is done by the deposition method.
  • an elastic wave device and a method for manufacturing the same that can easily adjust the frequency of a plurality of bandpass filters configured on the same piezoelectric substrate.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing the electrode structure of the first and second band-pass filters in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic circuit diagram of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device that schematically shows a part of the first and second band-pass filters in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the duty of the IDT electrode and the processing dependency of the frequency.
  • FIG. 6A and FIG. 6B are schematic cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic circuit diagram of an acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic circuit diagram of an acoustic wave device according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device 1 includes first to fourth band-pass filters 3A to 3D having different pass bands.
  • the first and second bandpass filters 3A and 3B are reception filters
  • the third and fourth bandpass filters 3C and 3D are transmission filters.
  • the first band-pass filter 3A and the third band-pass filter 3C are a reception filter and a transmission filter of the same communication band. More specifically, the first band-pass filter 3A uses the first reception band as the pass band among the first communication bands including the first reception band and the first transmission band. The third band-pass filter 3C uses the first transmission band, which is the other of the first communication bands, as a pass band.
  • the second bandpass filter 3B and the fourth bandpass filter 3D are a reception filter and a transmission filter of the same communication band. More specifically, the second band-pass filter 3B uses the second reception band as the pass band among the second communication bands including the second reception band and the second transmission band. The fourth band-pass filter 3D uses the second transmission band, which is the other of the second communication bands, as a pass band.
  • the first reception band is the Band4 reception band, which is 2110 MHz or more and 2155 MHz or less.
  • the first transmission band is a Band4 transmission band, which is not less than 1710 MHz and not more than 1755 MHz.
  • the second reception band is the Band 25 reception band, which is 1930 MHz or more and 1995 MHz or less.
  • the second transmission band is a Band 25 transmission band, which is 1850 MHz or more and 1915 MHz.
  • the first and second reception bands and the first and second transmission bands are not limited to the above.
  • the elastic wave device 1 has an antenna terminal 4 connected to an antenna.
  • the first band-pass filter 3A and the third band-pass filter 3C are commonly connected to the antenna terminal 4, and the second band-pass filter 3B and the fourth band-pass filter 3C are connected.
  • 3D is commonly connected to the antenna terminal 4. That is, the first to fourth band-pass filters 3A to 3D are commonly connected to the antenna terminal 4.
  • the first and second band pass filters 3A and 3B may not be commonly connected to the same antenna terminal.
  • the third and fourth bandpass filters 3C and 3D may not be commonly connected to the same antenna terminal.
  • the frequency of the end closest to the first reception band in the first transmission band is Tx1
  • the frequency of the end closest to the first transmission band in the first reception band is Rx1.
  • f1 be the center frequency of the pass band of the first band-pass filter 3A.
  • the frequency at the end closest to the second reception band in the second transmission band is Tx2, and the frequency at the end closest to the second transmission band in the second reception band is Rx2.
  • f2 be the center frequency of the pass band of the second band pass filter 3B.
  • /f1 16.65% and
  • /f2 0.76%.
  • a broken line A in FIG. 1 indicates that the first and second band-pass filters 3A and 3B are configured in the same chip.
  • a broken line B indicates that the third and fourth band-pass filters 3C and 3D are configured in the same chip.
  • being configured in the same chip means being configured on the same piezoelectric substrate.
  • the third and fourth band-pass filters 3C and 3D do not have to be configured in the same chip.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing the electrode structures of the first and second band-pass filters in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic circuit diagram of the acoustic wave device according to the present embodiment.
  • an acoustic wave resonator and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter, which will be described later, are schematically illustrated by adding a diagonal line to a rectangle or a polygon.
  • the acoustic wave device of this embodiment has a piezoelectric substrate 7.
  • the piezoelectric substrate 7 is made of, for example, a piezoelectric single crystal such as LiNbO 3 or LiTaO 3 or an appropriate piezoelectric ceramic.
  • the first and second band pass filters 3 ⁇ / b> A and 3 ⁇ / b> B are configured on the piezoelectric substrate 7.
  • a plurality of ground terminals 8 connected to the ground potential are provided on the piezoelectric substrate 7.
  • the first bandpass filter 3A includes a plurality of acoustic wave resonators S1 to S3 and a plurality of longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D1 and D2.
  • the second bandpass filter 3B includes a plurality of acoustic wave resonators S11 to S13, P11 and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D11.
  • the circuit configurations of the third and fourth band-pass filters 3C and 3D are not particularly limited.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device that schematically shows a part of the first and second band-pass filters in the first embodiment. Note that FIG. 4 is schematically shown and does not correspond to a cross-sectional view of a specific portion in FIG. The same applies to FIGS. 6A and 6B and FIGS.
  • the elastic wave resonator Sa of the first band-pass filter has a first IDT electrode 9A provided on the piezoelectric substrate 7. Reflectors 15A and 15A are disposed on both sides of the first IDT electrode 9A in the elastic wave propagation direction. A first dielectric film 16A is provided on the piezoelectric substrate 7 so as to cover the first IDT electrode 9A and the reflectors 15A and 15A.
  • the elastic wave resonator Sb of the second bandpass filter has a second IDT electrode 9B provided on the piezoelectric substrate 7. Reflectors 15B and 15B are disposed on both sides of the second IDT electrode 9B in the elastic wave propagation direction.
  • a second dielectric film 16B is provided on the piezoelectric substrate 7 so as to cover the second IDT electrode 9B and the reflectors 15B and 15B.
  • the first and second dielectric films 16A and 16B are made of an appropriate dielectric such as SiO 2 , for example.
  • the first band-pass filter has a plurality of first IDT electrodes 9A in addition to the first IDT electrode 9A shown in FIG.
  • Each of the acoustic wave resonators S1 to S3 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D1, D2 shown in FIG. 3 includes a first IDT electrode 9A and a first dielectric film 16A, respectively.
  • the second bandpass filter also has a plurality of second IDT electrodes 9B.
  • Each of the acoustic wave resonators S11 to S13, P11 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D11 includes a second IDT electrode 9B and a second dielectric film 16B, respectively.
  • the number of electrode fingers of each of the first and second IDT electrodes 9A and 9B, the electrode finger pitch, the crossing width, and the like may be different from each other, and may be appropriately selected according to the target filter characteristics.
  • the duty of the first IDT electrode 9A in the acoustic wave resonators S1 to S3 is 0.68
  • the duty of the first IDT electrode 9A in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D1 and D2 is 0. .64.
  • the average value of the duty of the plurality of first IDT electrodes 9A of the first bandpass filter 3A is 0.67.
  • the duty of the second IDT electrode 9B in each of the acoustic wave resonators S11 to S13, P11 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D11 is 0.6.
  • the average value of the duty of the plurality of second IDT electrodes 9B of the second band-pass filter 3B is 0.6. This is shown in Table 1 below.
  • the average value of the duty in the comparison between a plurality of acoustic wave resonators is a weighted average value based on the number of electrode fingers of each IDT electrode.
  • an IDT electrode with X electrode fingers and a duty of Dx an IDT electrode with Y electrode fingers and a Dy IDT electrode, and an IDT electrode with an electrode finger number of Z and a duty of Dz
  • the weighted average value of the duty is as follows.
  • the weighted average value of duty (X ⁇ Dx + Y ⁇ Dy + Z ⁇ Dz) / (X + Y + Z).
  • the first and second IDT electrodes 9A and 9B shown in FIG. 4 have the same film thickness and are made of the same material.
  • the first and second dielectric films 16A and 16B have the same film thickness and are made of the same material. Note that, in the same film thickness in this specification, a difference in the degree of variation when formed in the same process is allowed.
  • the feature of this embodiment is the following configuration. 1)
  • the first and second communication bands have a relationship of
  • the weighted average value of the duty of the plurality of first IDT electrodes 9A of the first bandpass filter 3A is the weighted average value of the duty of the plurality of second IDT electrodes 9B of the second bandpass filter 3B. Bigger than.
  • At least one of the first and second IDT electrodes 9A and 9B and the first and second dielectric films 16A and 16B has the same film thickness and is made of the same material. By having these characteristics, it is possible to easily adjust the frequency of the first and second band-pass filters 3A and 3B configured on the same piezoelectric substrate 7.
  • the acoustic wave device 1 has a first terminal 5 connected to the first bandpass filter 3A.
  • the first band-pass filter 3A has an input end and an output end.
  • the input end side of the first band-pass filter 3A is located on the antenna terminal 4 side, and the output end side is located on the first terminal 5 side.
  • Elastic wave resonators S1 to S3 and longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D1 and D2 are arranged on a series arm connecting the input end and the output end.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D1 and D2 are connected in parallel to each other between the acoustic wave resonator S1 and the acoustic wave resonator S2.
  • the acoustic wave resonator S1 is connected between the antenna terminal 4 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D1 and D2.
  • the acoustic wave resonators S2 and S3 are connected in series between the first terminal 5 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D1 and D2.
  • the acoustic wave device 1 has a second terminal 6 connected to the second bandpass filter 3B.
  • the second bandpass filter 3B has an input end and an output end.
  • the input end side of the second band-pass filter 3B is located on the antenna terminal 4 side
  • the output end side is located on the second terminal 6 side.
  • the acoustic wave resonators S11 to S13 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D11 are arranged on the series arm connecting the input end and the output end.
  • the acoustic wave resonators S11 to S13 are connected in series between the antenna terminal 4 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D11.
  • An elastic wave resonator P11 is connected between the series arm and the ground potential. More specifically, the acoustic wave resonator P11 is connected between a connection point between the antenna terminal 4 and the acoustic wave resonator S11 and the ground potential.
  • An inductor L for impedance adjustment is connected between the antenna terminal 4 and the ground potential.
  • solder, via-hole electrodes, routing wirings, and the like are connected to the portions indicated by broken-line circles in the terminals in FIG. Thereby, the first and second band-pass filters 3A and 3B are electrically connected to the outside.
  • the first band-pass filter 3A has a small insertion loss in the first reception band and a small out-of-band attenuation in the first transmission band.
  • the second band-pass filter 3B has a small insertion loss in the second reception band and a small out-of-band attenuation in the second transmission band.
  • the duty of all the first IDT electrodes in the first band-pass filter 3A is larger than that of all the second IDT electrodes in the second band-pass filter 3B.
  • the processing dependence of the frequency of the 1st, 2nd band pass type filters 3A and 3B is differentiated.
  • FIG. 5 below shows the relationship between the duty of the IDT electrode and the processing dependency of the frequency.
  • a plurality of band-pass filters having different IDT electrode duties were produced.
  • a plurality of band-pass filters having the same electrode film thickness and dielectric film thickness of the IDT electrode and different electrode finger widths (duties) were also produced.
  • the plurality of bandpass filters are all set to the same passband, and Band25.
  • the frequency characteristics of each band-pass filter were measured, and the amount of change in frequency relative to the amount of change in electrode finger width was determined at each duty. Thereby, the processing dependency of the frequency at each duty of the IDT electrode was obtained.
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the duty of the IDT electrode and the processing dependency of the frequency.
  • the greater the duty of the IDT electrode the smaller the frequency processing dependency.
  • the duty of all the first IDT electrodes is larger than the duty of all the second IDT electrodes. Therefore, the processing dependency of the frequency of the first bandpass filter is smaller than the processing dependency of the frequency of the second bandpass filter.
  • the weighted average value of the duty of the plurality of first IDT electrodes may be larger than the weighted average value of the duty of the plurality of second IDT electrodes.
  • the processing dependency of the frequency of the first bandpass filter can be made smaller than the processing dependency of the frequency of the second bandpass filter.
  • the duty of all the first IDT electrodes is larger than the duty of all the second IDT electrodes as in this embodiment.
  • the processing dependency of the frequency in the first band-pass filter 3A is smaller than that in the second band-pass filter 3B. Therefore, even if the frequency adjustment of the first bandpass filter 3A is performed under the condition of the frequency adjustment of the second bandpass filter 3B, the above-mentioned compatibility can be easily achieved.
  • the frequency adjustment of the first and second band-pass filters 3A and 3B is simultaneously performed under the condition of the frequency adjustment of the second band-pass filter 3B.
  • the insertion loss can be made sufficiently high, and the out-of-band attenuation in the passband of the fourth bandpass filter 3D can be made sufficiently large.
  • the first band-pass filter 3A also has a sufficiently high insertion loss after the frequency adjustment, and the out-of-band attenuation in the pass band of the third band-pass filter 3C is sufficiently large.
  • the frequency adjustment of the first and second band-pass filters 3A and 3B on the same piezoelectric substrate 7 can be easily performed in this way.
  • FIG. 6A and FIG. 6B are schematic cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the electrode finger pitch and duty are different in order to realize filters having different frequencies, but in this schematic diagram, the electrode finger pitch and duty are uniform for simplification.
  • a piezoelectric substrate 7 is prepared.
  • a first IDT electrode formation step and a second IDT electrode step are performed. More specifically, the first and second IDT electrodes 9A and 9B are simultaneously formed on the piezoelectric substrate 7.
  • the reflectors 15A, 15A, 15B, and 15B are also formed simultaneously with the first and second IDT electrodes 9A and 9B.
  • the first and second IDT electrodes 9A and 9B can be formed by, for example, a deposition method such as a sputtering method or a vapor deposition method. As described above, the first IDT electrode formation step and the second IDT electrode formation step are simultaneously performed using the same material. Thereby, the first and second IDT electrodes 9A and 9B are made of the same material and have the same film thickness.
  • the frequency of the first and second band pass filters is adjusted.
  • etching is performed so that the width of the electrode finger of the second IDT electrode 9B becomes a predetermined width.
  • the frequency adjustment of the first and second band pass filters is simultaneously performed under the condition of the frequency adjustment of the second band pass filter. Therefore, the width of the electrode finger of the second IDT electrode 9B changes, and at the same time, the width of the electrode finger of the first IDT electrode 9A also changes. Since the first band-pass filter has low processing dependency on the frequency, the filter characteristics can be sufficient even in this case.
  • the deviation of the electrode finger widths of the first and second IDT electrodes 9A and 9B from a desired value is approximately the same.
  • the same material is used on the piezoelectric substrate 7 so as to cover the first and second IDT electrodes 9A, 9B and the reflectors 15A, 15A, 15B, 15B.
  • First and second dielectric films 16A and 16B are formed.
  • the first dielectric film forming step and the second dielectric film forming step are performed simultaneously.
  • the first and second dielectric films 16A and 16B made of the same material and having the same film thickness are formed.
  • the first and second dielectric film forming steps can be performed by a deposition method such as sputtering.
  • the influence of the first and second dielectric films 16A and 16B on the frequencies of the first and second band-pass filters can be made comparable. Accordingly, the filter characteristics can be easily controlled.
  • the third and fourth band-pass filters may be configured on a piezoelectric substrate different from the first and second band-pass filters.
  • the third and fourth band-pass filters can be configured by forming a plurality of IDT electrodes and reflectors on the piezoelectric substrate.
  • the film thickness and material of the first and second IDT electrodes 9A and 39B may be different as in the first modification of the first embodiment shown in FIG.
  • the first and second dielectric films 16A and 16B have the same film thickness and are made of the same material.
  • the first and second IDT electrodes 9A and 39B are formed in different steps, and the first and second dielectric films 16A and 16B are formed simultaneously.
  • the film thickness and material of the first and second dielectric films 16A and 46B may be different as in the second modification of the first embodiment shown in FIG.
  • the first and second IDT electrodes 9A and 9B have the same film thickness and are made of the same material.
  • the first and second IDT electrodes 9A and 9B are formed at the same time, and the first and second dielectric films 16A and 46B are formed in different steps.
  • the first and second IDT electrodes 9A and 9B have the same film thickness and are made of the same material, and the first and second dielectric films 16A and 16B have the same thickness. More preferably, they have the same film thickness and are made of the same material. That is, as shown in FIGS. 6A and 6B, the first and second IDT electrode forming steps are simultaneously performed, and the first and second dielectric film forming steps are simultaneously performed. preferable. Thereby, productivity can be further improved and filter characteristics can be controlled more easily.
  • the first and second dielectric films 56A and 56B are provided so as to embed the first and second IDT electrodes 9A and 9B.
  • the first layers 56Aa and 56Ba may be included.
  • the first and second dielectric films 56A and 56B may include second layers 56Ab and 56Bb provided on the first layers 56Aa and 56Ba in addition to the first layers 56Aa and 56Ba. Good.
  • the first layers 56Aa and 56Ba are made of, for example, SiO 2 .
  • the second layers 56Ab and 56Bb are made of, for example, SiN.
  • the form of the first and second dielectric films is not particularly limited, and may be a multilayer structure.
  • the first and second IDT electrodes may also have a multilayer film structure.
  • FIG. 10 is a schematic circuit diagram of the acoustic wave device according to the second embodiment.
  • the acoustic wave device 21 is different from the first embodiment in the circuit configuration of the first and second communication bands, the first to fourth band-pass filters 23A to 23D, and the duty of the first and second IDT electrodes. . Except for the above points, the elastic wave device 21 has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the first reception band is the Band 20 reception band, which is 791 MHz or more and 821 MHz or less.
  • the first transmission band is the Band 20 transmission band, which is 832 MHz or more and 862 MHz or less.
  • the second reception band is a Band 8 reception band, which is 925 MHz or more and 960 MHz or less.
  • the second transmission band is a Band 8 transmission band, which is 880 MHz or more and 915 MHz.
  • the second band-pass filter 23B has an acoustic wave resonator S21 and longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D21 and D22 arranged in series arms.
  • An acoustic wave resonator S21 is connected between the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D21 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D22.
  • the first band-pass filter 23A includes acoustic wave resonators S31 and S32 and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D31 arranged in series arms.
  • the acoustic wave resonators S31 and S32 are connected in series between the antenna terminal 4 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D31.
  • An elastic wave resonator P31 is connected between a connection point between the elastic wave resonator S31 and the elastic wave resonator S32 and the ground potential.
  • An elastic wave resonator P32 is connected between a connection point between the elastic wave resonator S32 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter D31 and the ground potential.
  • the elastic wave resonator S21 is a series trap of the second band-pass filter 23B.
  • the acoustic wave resonators S31 and S32 are series traps of the first band-pass filter 23A.
  • the acoustic wave resonators P31 and P32 are parallel traps of the first band-pass filter 23A.
  • the duty of the second IDT electrode of the acoustic wave resonator S21 is 0.50
  • the duty of the second IDT electrodes of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters D21 and D22 is 0.55
  • the weighted average value of the duty of the second bandpass filter 23B is 0.53.
  • the duty of the first IDT electrode of the acoustic wave resonators S31, S32, P31, and P32 is 0.52
  • the duty of the first IDT electrode of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter D31 is 0.57. is there.
  • the weighted average value of the duty of the first band-pass filter 23A is 0.54. This is shown in Table 2 below.
  • the weighted average value of the duty of the first IDT electrode is larger than the weighted average value of the duty of the second IDT electrode. Therefore, also in the present embodiment, the frequency adjustment of the first and second bandpass filters 23A and 23B can be easily performed.
  • FIG. 11 is a schematic circuit diagram of an acoustic wave device according to a modification of the second embodiment.
  • the first band-pass filter 63A has the circuit configuration of the second band-pass filter 23B in the second embodiment shown in FIG.
  • the second band-pass filter 63B has the circuit configuration of the first band-pass filter 23A in the second embodiment.
  • the duty of the elastic wave resonator S61 that is a series trap of the first bandpass filter 63A is different from that of the second embodiment. Except for the above points, the elastic wave device 61 has the same configuration as the elastic wave device 21 of the second embodiment.
  • the duty of the acoustic wave resonator S61 is larger than the duty of the acoustic wave resonators P31 and P32 which are parallel traps of the second bandpass filter 63B.
  • the first elastic wave resonator in the present invention is at least one elastic wave resonator among the elastic wave resonators arranged in the series arm of the first band-pass filter.
  • the second elastic wave resonator is at least one elastic wave resonator among the elastic wave resonators arranged in the series arm of the second band-pass filter.
  • the third elastic wave resonator is at least one of the elastic wave resonators connected between the series arm of the first band-pass filter and the ground potential.
  • the fourth elastic wave resonator is at least one of the elastic wave resonators connected between the series arm of the second bandpass filter and the ground potential.
  • the elastic wave resonator S61 is a first elastic wave resonator according to the present invention
  • the elastic wave resonators P31 and P32 are fourth elastic wave resonators according to the present invention.
  • the impedance characteristic of the parallel trap tends to greatly contribute to the low band side characteristic in the pass band of the band pass filter.
  • the impedance characteristics of the series trap tend to greatly contribute to the high band side characteristics in the passband.
  • the second transmission band is located on the low frequency side of the second reception band. Therefore, in the second band-pass filter 63B, the impedance characteristics of the acoustic wave resonators P31 and P32 that are parallel traps greatly contribute to the out-of-band attenuation amount in the second transmission band.
  • the frequency interval between the second transmission band and the second reception band is narrower than the frequency interval between the first transmission band and the first reception band. Therefore, in the acoustic wave resonators P31 and P32, it is particularly preferable to perform frequency adjustment with high accuracy.
  • the first transmission band is located on the high frequency side of the first reception band. Therefore, the characteristics of the acoustic wave resonator S61, which is a series trap, greatly contributes to the out-of-band attenuation in the first transmission band. Further, since the relationship of
  • the duty of the elastic wave resonator S61 that is all the first elastic wave resonators is larger than the duty of the elastic wave resonators P31 and P32 that are all the fourth elastic wave resonators. Therefore, similarly to the manufacturing process in the first embodiment, the frequency adjustment of the first and second band-pass filters 63A and 63B can be performed simultaneously. Therefore, the frequency adjustment of the first and second band-pass filters 63A and 63B can be easily performed.
  • the weighted average value of the duty of the first elastic wave resonator may be larger than the weighted average value of the duty of the fourth elastic wave resonator. Even in this case, the frequency adjustment of the first and second band-pass filters 63A and 63B can be easily performed. However, as in the elastic wave device 61, it is more preferable that the duty of all the first elastic wave resonators is larger than the duty of all the fourth elastic wave resonators.
  • steps other than the second IDT electrode forming step in the method for manufacturing the elastic wave device 1 described above can be performed in the same manner as the method for manufacturing the elastic wave device 1. More specifically, in the second IDT electrode formation step, the second IDTs of the acoustic wave resonators P31 and P32 whose weighted average value is smaller than the duty of the first IDT electrode of the acoustic wave resonator S61. An electrode may be formed.
  • the elastic wave device has a plurality of first and fourth elastic wave resonators according to the present invention, the duty weight is higher than the weighted average value of the duty of the first IDT electrode of the first elastic wave resonator. What is necessary is just to form the 2nd IDT electrode of a 4th elastic wave resonator with a small average value.
  • the pass band of the third band pass filter is positioned higher than the pass band of the first band pass filter
  • the pass band of the fourth band pass filter is the second band pass filter.
  • the first elastic wave resonator is a series trap of the first band-pass filter
  • the second elastic wave resonator is a series trap of the second band-pass filter.
  • the weighted average value of the duty of the first elastic wave resonator that is the series trap of the first band-pass filter is the second elastic wave resonator that is the series trap of the second band-pass filter. It is preferable to be larger than the weighted average value of the duty. It is more preferable that the duty of all the first acoustic wave resonators is larger than the duty of all the second acoustic wave resonators.
  • the steps other than the second IDT electrode forming step in the method of manufacturing the elastic wave device 1 described above can be performed in the same manner as the method of manufacturing the elastic wave device 1. More specifically, in the second IDT electrode formation step, the second elastic wave resonance, in which the weighted average value of the duty is smaller than the weighted average value of the duty of the first IDT electrode of the first elastic wave resonator. A child second IDT electrode may be formed.
  • the pass band of the third band pass filter is located on the lower side of the pass band of the first band pass filter, and the pass band of the fourth band pass filter is passed through the second band pass filter.
  • the third elastic wave resonator is a parallel trap of the first band-pass filter
  • the fourth elastic wave resonator is a parallel trap of the second band-pass filter.
  • the weighted average value of the duty of the third elastic wave resonator that is the parallel trap of the first band-pass filter is the fourth elastic wave resonator that is the parallel trap of the second band-pass filter. It is preferable to be larger than the weighted average value of the duty. It is more preferable that the duty of all the third elastic wave resonators is larger than the duty of all the fourth elastic wave resonators.
  • the steps other than the second IDT electrode forming step in the method of manufacturing the elastic wave device 1 described above can be performed in the same manner as the method of manufacturing the elastic wave device 1. More specifically, in the second IDT electrode formation step, the fourth elastic wave resonance, in which the weighted average value of the duty is smaller than the weighted average value of the duty of the first IDT electrode of the third elastic wave resonator. A child second IDT electrode may be formed.
  • the pass band of the third band pass filter is located on the lower side of the pass band of the first band pass filter, and the pass band of the fourth band pass filter is passed through the second band pass filter.
  • the weighted average value of the duty of the third elastic wave resonator that is a parallel trap of the first band-pass filter is the second elastic wave resonator that is a series trap of the second band-pass filter. It is preferable to be larger than the weighted average value of the duty. It is more preferable that the duty of all the third elastic wave resonators is larger than the duty of all the second elastic wave resonators.
  • the steps other than the second IDT electrode forming step in the method of manufacturing the elastic wave device 1 described above can be performed in the same manner as the method of manufacturing the elastic wave device 1. More specifically, in the second IDT electrode formation step, the second elastic wave resonance, in which the weighted average value of the duty is smaller than the weighted average value of the duty of the first IDT electrode of the third elastic wave resonator. A child second IDT electrode may be formed.
  • the first and second band-pass filters are reception filters.
  • the first and second band pass filters may be transmission filters.
  • one of the first and second band pass filters may be a reception filter and the other may be a transmission filter.
  • the elastic wave device of the present invention may not have the third and fourth band-pass filters.
  • the present invention can be suitably applied in the case where the device is mounted on a mounting substrate and connected to an element corresponding to the third and fourth band-pass filters.
  • elastic wave devices 63A, 63B first, second Band-pass filters S1 to S3, S11 to S13, S21, S31, S32, S61, Sa, Sb, P11, P31, P32... Acoustic wave resonators D1, D2, D11, D21, D22, D31.
  • Child type elastic wave filter L ... Inductor

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Abstract

同一の圧電基板に構成された複数の帯域通過型フィルタの周波数調整を容易に行うことができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、圧電基板７に構成されており、複数の第１のＩＤＴ電極９Ａと、第１の誘電体膜１６Ａとを有し、第１の送信帯域または第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、圧電基板７に構成されており、複数の第２のＩＤＴ電極９Ｂと、第２の誘電体膜１６Ｂとを有し、第２の送信帯域または第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備える。第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂ、または第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂの少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。第１の送信帯域の端部の周波数をＴｘ１とし、第１の受信帯域の端部の周波数をＲｘ１とし、第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、第２の送信帯域の端部の周波数をＴｘ２とし、第２の受信帯域における端部の周波数をＲｘ２とし、第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、複数の第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティの加重平均値が、複数の第２のＩＤＴ電極９Ｂのデューティの加重平均値よりも大きい。

Description

弾性波装置及びその製造方法
　本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。
　従来、弾性波装置が携帯電話機などに広く用いられている。下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、同一の圧電基板において、周波数特性が互いに異なる２つの弾性表面波素子が構成されている。圧電基板上には、各弾性表面波素子におけるＩＤＴ電極を覆うように、絶縁膜が設けられている。２つの弾性表面波素子における絶縁膜の膜厚を互いに異ならせることにより、各弾性波装置の周波数特性が調整されている。
特開２０００－３４１０６８号公報
　弾性波装置においては、ＩＤＴ電極の電極指の線幅や膜厚の製造ばらつきにより、周波数特性にばらつきが生じる。これにより、挿入損失や、帯域外減衰量などのフィルタ特性が劣化することがある。
　特許文献１に記載の弾性波装置のように、複数の弾性表面波素子を有する場合、弾性表面波素子間で、製造時において周波数のばらつき方は異なる。そのため、弾性表面波素子毎に個別に周波数調整を行うことが必要であった。従って、特に、複数の帯域通過型フィルタを有する弾性波装置などの製造工程が煩雑であった。
　本発明の目的は、同一の圧電基板に構成された複数の帯域通過型フィルタの周波数調整を容易に行うことができる、弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜とを有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜とを有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記複数の第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、全ての前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜とを有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜とを有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第１の弾性波共振子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第２の弾性波共振子を有し、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜とを有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜とを有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第３の弾性波共振子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第４の弾性波共振子を有し、前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜とを有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜とを有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第１の弾性波共振子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第４の弾性波共振子を有し、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記第１の弾性波共振子の前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第４の弾性波共振子の前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第３の弾性波共振子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第２の弾性波共振子を有し、前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１，第２の帯域通過型フィルタが受信フィルタである。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第１，第２の帯域通過型フィルタが送信フィルタである。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１，第２の誘電体膜が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。この場合には、生産性をより一層高めることができ、かつ第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極及び前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が多層膜構造である。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法のある広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程とが備えられており、前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成し、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程のうち少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程がさらに備えられている。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程とが備えられており、前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第１の弾性波共振子の前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第２の弾性波共振子の前記第２のＩＤＴ電極を形成し、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程がさらに備えられている。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程とを備え、前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程がさらに備えられている。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程とを備え、前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程がさらに備えられている。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記第１のＩＤＴ電極形成工程及び前記第２のＩＤＴ電極形成工程を同時に行い、かつ前記第１の誘電体膜形成工程及び前記第２の誘電体膜形成工程を同時に行う。この場合には、生産性をより一層高めることができ、かつ第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。
　本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程及び前記第１，第２の誘電体膜形成工程のうち同時に行う工程を、堆積法により行う。
　本発明によれば、同一の圧電基板に構成された複数の帯域通過型フィルタの周波数調整を容易に行うことができる、弾性波装置及びその製造方法を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図２は、本発明の第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタの一部を模式的に抜き出して示す、弾性波装置の模式的断面図である。 図５は、ＩＤＴ電極のデューティと周波数の加工依存性との関係を示す図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の模式的断面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的回路図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
　弾性波装置１は、互いに通過帯域が異なる第１～第４の帯域通過型フィルタ３Ａ～３Ｄを有する。本実施形態では、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは受信フィルタであり、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄは送信フィルタである。
　第１の帯域通過型フィルタ３Ａ及び第３の帯域通過型フィルタ３Ｃは、同じ通信バンドの受信フィルタ及び送信フィルタである。より具体的には、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、第１の受信帯域及び第１の送信帯域を含む第１の通信バンドのうち、第１の受信帯域を通過帯域とする。第３の帯域通過型フィルタ３Ｃは、第１の通信バンドのうちの他方である、第１の送信帯域を通過帯域とする。
　同様に、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂ及び第４の帯域通過型フィルタ３Ｄは、同じ通信バンドの受信フィルタ及び送信フィルタである。より具体的には、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、第２の受信帯域及び第２の送信帯域を含む第２の通信バンドのうち、第２の受信帯域を通過帯域とする。第４の帯域通過型フィルタ３Ｄは、第２の通信バンドのうちの他方である、第２の送信帯域を通過帯域とする。
　本実施形態では、第１の受信帯域はＢａｎｄ４の受信帯域であり、２１１０ＭＨｚ以上、２１５５ＭＨｚ以下である。第１の送信帯域はＢａｎｄ４の送信帯域であり、１７１０ＭＨｚ以上、１７５５ＭＨｚ以下である。第２の受信帯域はＢａｎｄ２５の受信帯域であり、１９３０ＭＨｚ以上、１９９５ＭＨｚ以下である。第２の送信帯域はＢａｎｄ２５の送信帯域であり、１８５０ＭＨｚ以上、１９１５ＭＨｚである。なお、第１，第２の受信帯域及び第１，第２の送信帯域は、上記に限定されない。
　弾性波装置１は、アンテナに接続されるアンテナ端子４を有する。本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ３Ａと第３の帯域通過型フィルタ３Ｃとがアンテナ端子４に共通接続されており、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂと第４の帯域通過型フィルタ３Ｄとがアンテナ端子４に共通接続されている。すなわち、第１～第４の帯域通過型フィルタ３Ａ～３Ｄは、アンテナ端子４に共通接続されている。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは、同じアンテナ端子に共通接続されていなくともよい。第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄも、同じアンテナ端子に共通接続されていなくともよい。
　ここで、第１の送信帯域における第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、第１の受信帯域における第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とする。第１の帯域通過型フィルタ３Ａの通過帯域の中心周波数をｆ１とする。第２の送信帯域における第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、第２の受信帯域における第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とする。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの通過帯域の中心周波数をｆ２とする。このとき、本実施形態では、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＝１６．６５％であり、｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２＝０．７６％である。このように、弾性波装置１においては、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２である。これは、第１の送信帯域と第１の受信帯域との周波数の間隔が、第２の送信帯域と第２の受信帯域との周波数の間隔よりも広いことを示す。
　図１中の破線Ａは、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂが同一チップ内において構成されていることを示す。破線Ｂは、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄが同一チップ内において構成されていることを示す。ここで、本明細書において、同一チップ内において構成されているとは、同じ圧電基板上において構成されていることをいう。なお、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄは、同一チップ内において構成されていなくともよい。
　以下において、本実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂのより具体的な構成を説明する。
　図２は、第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。図３は、本実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。なお、図２において、後述する弾性波共振子及び縦結合共振子型弾性波フィルタは、矩形や多角形に対角線を加えた略図により示す。
　図２に示すように、本実施形態の弾性波装置は圧電基板７を有する。圧電基板７は、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶や、適宜の圧電セラミックスからなる。第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは、圧電基板７上において構成されている。圧電基板７上には、グラウンド電位に接続される複数のグラウンド端子８が設けられている。
　図３に示すように、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、複数の弾性波共振子Ｓ１～Ｓ３及び複数の縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２を有する。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、複数の弾性波共振子Ｓ１１～Ｓ１３，Ｐ１１及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１を有する。他方、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄの回路構成は、特に限定されない。
　図４は、第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタの一部を模式的に抜き出して示す、弾性波装置の模式的断面図である。なお、図４は模式的に示すものであり、図２中の特定の部分の断面図には相当しない。後述する図６（ａ）及び図６（ｂ）、図７～図９も同様である。
　第１の帯域通過型フィルタの弾性波共振子Ｓａは、圧電基板７上に設けられた第１のＩＤＴ電極９Ａを有する。第１のＩＤＴ電極９Ａの弾性波伝搬方向両側には、反射器１５Ａ，１５Ａが配置されている。第１のＩＤＴ電極９Ａ及び反射器１５Ａ，１５Ａを覆うように、圧電基板７上に第１の誘電体膜１６Ａが設けられている。
　第２の帯域通過型フィルタの弾性波共振子Ｓｂは、圧電基板７上に設けられた第２のＩＤＴ電極９Ｂを有する。第２のＩＤＴ電極９Ｂの弾性波伝搬方向両側には、反射器１５Ｂ，１５Ｂが配置されている。第２のＩＤＴ電極９Ｂ及び反射器１５Ｂ，１５Ｂを覆うように、圧電基板７上に第２の誘電体膜１６Ｂが設けられている。第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂは、例えば、ＳｉＯ２などの適宜の誘電体からなる。
　第１の帯域通過型フィルタは、図４に示す第１のＩＤＴ電極９Ａ以外にも、複数の第１のＩＤＴ電極９Ａを有する。図３に示す各弾性波共振子Ｓ１～Ｓ３及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２は、それぞれ第１のＩＤＴ電極９Ａ及び第１の誘電体膜１６Ａを有する。第２の帯域通過型フィルタも、複数の第２のＩＤＴ電極９Ｂを有する。各弾性波共振子Ｓ１１～Ｓ１３，Ｐ１１及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１は、それぞれ第２のＩＤＴ電極９Ｂ及び第２の誘電体膜１６Ｂを有する。なお、各第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂの電極指の対数、電極指ピッチや交叉幅などはそれぞれ異なっていてもよく、目的とするフィルタ特性に応じて適宜選択すればよい。
　本実施形態では、弾性波共振子Ｓ１～Ｓ３における第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティは０．６８であり、縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２における第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティは０．６４である。第１の帯域通過型フィルタ３Ａの複数の第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティの平均値は０．６７である。他方、弾性波共振子Ｓ１１～Ｓ１３，Ｐ１１及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１における第２のＩＤＴ電極９Ｂのデューティはいずれも０．６である。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの複数の第２のＩＤＴ電極９Ｂのデューティの平均値は０．６である。これを下記の表１に示す。
　なお、本明細書において、複数の弾性波共振子間の比較に際してのデューティの平均値とは、各ＩＤＴ電極の電極指の本数に基づく加重平均値である。例えば、電極指の本数がＸ本、デューティがＤｘであるＩＤＴ電極、電極指の本数がＹ本、デューティがＤｙであるＩＤＴ電極及び電極指の本数がＺ本、デューティがＤｚであるＩＤＴ電極のデューティの加重平均値は、下記の通りである。デューティの加重平均値＝（Ｘ×Ｄｘ＋Ｙ×Ｄｙ＋Ｚ×Ｄｚ）／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）と表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂにおいては、図４に示す第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂも同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。なお、本明細書における同じ膜厚においては、同一工程において形成された際のばらつき程度の差は許容される。
　本実施形態の特徴は、以下の構成にある。１）上記第１，第２の通信バンドが、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２の関係にある。２）第１の帯域通過型フィルタ３Ａの複数の第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティの加重平均値が、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの複数の第２のＩＤＴ電極９Ｂのデューティの加重平均値よりも大きい。３）第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂ及び第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂのうち少なくとも一方が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。これらの特徴を有することにより、同一の圧電基板７に構成された第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。
　これを、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの構成の詳細と共に、以下において説明する。
　図３に示すように、弾性波装置１は、第１の帯域通過型フィルタ３Ａに接続されている第１の端子５を有する。ここで、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、入力端及び出力端を有する。本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ３Ａの入力端側が上記アンテナ端子４側に位置し、出力端側が第１の端子５側に位置する。入力端と出力端とを接続する直列腕に弾性波共振子Ｓ１～Ｓ３及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２が配置されている。縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２は、弾性波共振子Ｓ１と弾性波共振子Ｓ２との間に、互いに並列に接続されている。弾性波共振子Ｓ１は、アンテナ端子４と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２との間に接続されている。弾性波共振子Ｓ２，Ｓ３は、第１の端子５と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２との間に、互いに直列に接続されている。
　弾性波装置１は、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂに接続されている第２の端子６を有する。ここで、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、入力端及び出力端を有する。本実施形態では、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの入力端側がアンテナ端子４側に位置し、出力端側が第２の端子６側に位置する。入力端と出力端とを接続する直列腕に、弾性波共振子Ｓ１１～Ｓ１３及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１が配置されている。弾性波共振子Ｓ１１～Ｓ１３は、アンテナ端子４と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１との間に互いに直列に接続されている。直列腕とグラウンド電位との間に弾性波共振子Ｐ１１が接続されている。より具体的には、弾性波共振子Ｐ１１は、アンテナ端子４と弾性波共振子Ｓ１１との間の接続点とグラウンド電位との間に接続されている。
　アンテナ端子４とグラウンド電位との間には、インピーダンス調整用のインダクタＬが接続されている。なお、本実施形態においては、図２中の各端子における破線の円形で示す部分に、はんだやビアホール電極、引き回し配線などが接続される。それによって、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは外部に電気的に接続される。
　ここで、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、第１の受信帯域においては挿入損失が小さく、かつ第１の送信帯域においては、帯域外減衰量が小さいことが望ましい。同様に、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、第２の受信帯域においては挿入損失が小さく、かつ第２の送信帯域においては、帯域外減衰量が小さいことが望ましい。このようなフィルタ特性を制御するため、詳細は後述するが、弾性波装置１の製造工程において周波数調整が行われる。
　本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ３Ａにおける全ての第１のＩＤＴ電極のデューティが、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの全ての第２のＩＤＴ電極よりも大きい。これにより、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの周波数の加工依存性が異ならされている。下記の図５において、ＩＤＴ電極のデューティと周波数の加工依存性との関係を示す。
　図５の関係を求める際、ＩＤＴ電極のデューティが異なる複数の帯域通過型フィルタを作製した。ＩＤＴ電極の電極膜厚、誘電体膜厚が同じであり、かつ電極指の幅（デューティ）が異なる複数の帯域通過型フィルタも作製した。上記複数の帯域通過型フィルタは全て同じ通過帯域とし、Ｂａｎｄ２５とした。各帯域通過型フィルタの周波数特性を測定し、電極指の幅の変化量に対する周波数の変化量を、各デューティにおいて求めた。それによって、ＩＤＴ電極の各デューティにおける周波数の加工依存性を求めた。
　図５は、ＩＤＴ電極のデューティと周波数の加工依存性との関係を示す図である。
　図５に示すように、ＩＤＴ電極のデューティが大きいほど、周波数の加工依存性が小さくなることがわかる。本実施形態では、全ての第１のＩＤＴ電極のデューティが全ての第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。よって、第１の帯域通過型フィルタの周波数の加工依存性は、第２の帯域通過型フィルタの周波数の加工依存性よりも小さい。
　なお、ある局面では、複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、複数の第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きければよい。この場合においても、第２の帯域通過型フィルタの周波数の加工依存性より、第１の帯域通過型フィルタの周波数の加工依存性を小さくすることができる。もっとも、本実施形態のように、全ての第１のＩＤＴ電極のデューティが全ての第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きいことがより好ましい。
　上述したように、本実施形態においては、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２の関係にある。第２の送信帯域及び第２の受信帯域の周波数の間隔は、第１の送信帯域及び第１の受信帯域の周波数の間隔よりも狭い。そのため、図３に示す第２の帯域通過型フィルタ３Ｂにおいては、第２の受信帯域における挿入損失を小さくすることと、第２の送信帯域における帯域外減衰量を大きくすることとの両立のため、高い精度で周波数調整を行う必要がある。他方、第１の帯域通過型フィルタ３Ａにおいては、第１の受信帯域における挿入損失を小さくすることと、第１の送信帯域における帯域外減衰量を大きくすることとの両立は、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂよりも容易である。
　ここで、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂよりも、第１の帯域通過型フィルタ３Ａにおける周波数の加工依存性は小さい。そのため、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの周波数調整の条件において第１の帯域通過型フィルタ３Ａの周波数調整を行ったとしても、上記両立を容易に達成し得る。
　弾性波装置１の製造工程においては、例えば、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの周波数調整の条件で、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの周波数調整を同時に行う。それによって、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂにおいて、挿入損失を十分に高くすることができ、かつ第４の帯域通過型フィルタ３Ｄの通過帯域における帯域外減衰量を十分に大きくすることができる。さらに、第１の帯域通過型フィルタ３Ａも、上記周波数調整後において、挿入損失は十分に高く、かつ第３の帯域通過型フィルタ３Ｃの通過帯域における帯域外減衰量は十分に大きい。本実施形態では、このように、同一の圧電基板７における第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。
　以下において、弾性波装置１の製造方法の一例と共に、本実施形態の効果をさらに詳細に説明する。
　図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。なお、実際は周波数が異なるフィルタを実現するために電極指ピッチ、デューティが異なるが、本模式図では簡略化のため電極指ピッチ、デューティは一律とした。
　図６（ａ）に示すように、圧電基板７を用意する。次に、第１のＩＤＴ電極形成工程及び第２のＩＤＴ電極工程を行う。より具体的には、圧電基板７上に第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂを同時に形成する。反射器１５Ａ，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｂも、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂと同時に形成する。第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは、例えば、スパッタリング法や蒸着法などの堆積法により形成することができる。このように、同じ材料を用いて、第１のＩＤＴ電極形成工程及び第２のＩＤＴ電極形成工程を同時に行う。これにより、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同じ材料からなり、かつ同じ膜厚となる。
　このとき、第１，第２の帯域通過型フィルタの第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂが全て形成されている。第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同時に形成されているため、電極指の幅の所望の値からのずれは同程度となる。
　次に、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を行う。周波数調整に際し、例えば、第２のＩＤＴ電極９Ｂの電極指の幅が所定の幅となるように、エッチングなどを行う。このとき、第２の帯域通過型フィルタの周波数調整の条件において、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う。そのため、第２のＩＤＴ電極９Ｂの電極指の幅が変化すると同時に、第１のＩＤＴ電極９Ａの電極指の幅も変化する。第１の帯域通過型フィルタにおいては周波数の加工依存性が低いため、この場合においても、フィルタ特性を十分なものとすることができる。加えて、本実施形態では、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂの電極指の幅の所望の値からのずれは同程度である。よって、第１，第２の帯域通過型フィルタを上記条件において同時に周波数調整するに際し、第２の帯域通過型フィルタだけでなく、第１の帯域通過型フィルタのフィルタ特性の制御も行い易い。このように、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を容易に行うことができる。
　次に、図６（ｂ）に示すように、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂ及び反射器１５Ａ，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｂを覆うように、同じ材料を用いて、圧電基板７上に第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂを形成する。このように、第１の誘電体膜形成工程と第２の誘電体膜形成工程とを同時に行う。それによって、同じ材料からなり、かつ同じ膜厚である第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂを形成する。第１，第２の誘電体膜形成工程は、例えば、スパッタリング法などの堆積法により行うことができる。これにより、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂによる第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数への影響を同程度とすることができる。従って、フィルタ特性を容易に制御することができる。
　なお、第３，第４の帯域通過型フィルタは、第１，第２の帯域通過型フィルタとは異なる圧電基板において構成すればよい。例えば、圧電基板上に複数のＩＤＴ電極及び反射器を形成することにより、第３，第４の帯域通過型フィルタを構成することができる。
　上述したように、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂ及び第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂのうち少なくとも一方が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなっていればよい。例えば、図７に示す第１の実施形態の第１の変形例のように、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，３９Ｂの膜厚や材料が異なっていてもよい。第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂは同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。第１の変形例では、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，３９Ｂは互いに異なる工程において形成されており、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂは同時に形成されている。
　他方、図８に示す第１の実施形態の第２の変形例のように、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，４６Ｂの膜厚や材料が異なっていてもよい。第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。第２の変形例においては、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同時に形成されており、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，４６Ｂは互いに異なる工程において形成されている。
　もっとも、図４に示す本実施形態のように、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂが同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂが同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなることがより好ましい。すなわち、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１，第２のＩＤＴ電極形成工程を同時に行い、かつ第１，第２の誘電体膜形成工程を同時に行うことがより好ましい。それによって、生産性をより一層高めることができ、かつフィルタ特性をより一層容易に制御することができる。
　図９に示す第１の実施形態の第３の変形例のように、第１，第２の誘電体膜５６Ａ，５６Ｂは、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂを埋め込むように設けられている第１の層５６Ａａ，５６Ｂａを有していてもよい。第１，第２の誘電体膜５６Ａ，５６Ｂは、第１の層５６Ａａ，５６Ｂａ以外に、第１の層５６Ａａ，５６Ｂａ上に設けられている第２の層５６Ａｂ，５６Ｂｂを有していてもよい。第１の層５６Ａａ，５６Ｂａは、例えば、ＳｉＯ２などからなる。第２の層５６Ａｂ，５６Ｂｂは、例えば、ＳｉＮなどからなる。このように、第１，第２の誘電体膜の形態は、特に限定されず、多層膜構造であってもよい。なお、第１，第２のＩＤＴ電極も多層膜構造であってもよい。
　図１０は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。
　弾性波装置２１は、第１，第２の通信バンド、第１～第４の帯域通過型フィルタ２３Ａ～２３Ｄの回路構成及び第１，第２のＩＤＴ電極のデューティが第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置２１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　本実施形態では、第１の受信帯域はＢａｎｄ２０の受信帯域であり、７９１ＭＨｚ以上、８２１ＭＨｚ以下である。第１の送信帯域はＢａｎｄ２０の送信帯域であり、８３２ＭＨｚ以上、８６２ＭＨｚ以下である。第２の受信帯域はＢａｎｄ８の受信帯域であり、９２５ＭＨｚ以上、９６０ＭＨｚ以下である。第２の送信帯域はＢａｎｄ８の送信帯域であり、８８０ＭＨｚ以上、９１５ＭＨｚである。
　弾性波装置２１においては、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＝１．３６％であり、｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２＝１．０６％である。このように、第１の実施形態と同様に、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２である。
　第２の帯域通過型フィルタ２３Ｂは、直列腕に配置された弾性波共振子Ｓ２１及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ２１，Ｄ２２を有する。縦結合共振子型弾性波フィルタＤ２１と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ２２との間に、弾性波共振子Ｓ２１が接続されている。
　第１の帯域通過型フィルタ２３Ａは、直列腕に配置された弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ３１を有する。弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２は、アンテナ端子４と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ３１との間に、互いに直列に接続されている。弾性波共振子Ｓ３１と弾性波共振子Ｓ３２との間の接続点とグラウンド電位との間には、弾性波共振子Ｐ３１が接続されている。弾性波共振子Ｓ３２と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ３１との間の接続点とグラウンド電位との間には、弾性波共振子Ｐ３２が接続されている。
　なお、上記弾性波共振子Ｓ２１は、第２の帯域通過型フィルタ２３Ｂの直列トラップである。弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２は、第１の帯域通過型フィルタ２３Ａの直列トラップである。弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２は、第１の帯域通過型フィルタ２３Ａの並列トラップである。
　弾性波共振子Ｓ２１の第２のＩＤＴ電極のデューティは０．５０であり、縦結合共振子型弾性波フィルタＤ２１，Ｄ２２の第２のＩＤＴ電極のデューティは０．５５である。第２の帯域通過型フィルタ２３Ｂのデューティの加重平均値は０．５３である。他方、弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２，Ｐ３１，Ｐ３２の第１のＩＤＴ電極のデューティは０．５２であり、縦結合共振子型弾性波フィルタＤ３１の第１のＩＤＴ電極のデューティは０．５７である。第１の帯域通過型フィルタ２３Ａのデューティの加重平均値は０．５４である。これを下記の表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本実施形態では、第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。よって、本実施形態においても、第１，第２の帯域通過型フィルタ２３Ａ，２３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。
　図１１は、第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的回路図である。
　本変形例においては、第１の帯域通過型フィルタ６３Ａは図１０に示した第２の実施形態における第２の帯域通過型フィルタ２３Ｂの回路構成を有する。他方、第２の帯域通過型フィルタ６３Ｂは第２の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ２３Ａの回路構成を有する。加えて、本変形例の弾性波装置６１では、第１の帯域通過型フィルタ６３Ａの直列トラップである弾性波共振子Ｓ６１のデューティが、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置６１は第２の実施形態の弾性波装置２１と同様の構成を有する。
　より具体的には、弾性波共振子Ｓ６１のデューティが、第２の帯域通過型フィルタ６３Ｂの並列トラップである弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２のデューティよりも大きい。
　ここで、本発明における第１の弾性波共振子は、第１の帯域通過型フィルタの直列腕に配置されている弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子である。第２の弾性波共振子は、第２の帯域通過型フィルタの直列腕に配置されている弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子である。第３の弾性波共振子は、第１の帯域通過型フィルタの直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子である。第４の弾性波共振子は、第２の帯域通過型フィルタの直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子である。上記弾性波共振子Ｓ６１は本発明における第１の弾性波共振子であり、上記弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２は本発明における第４の弾性波共振子である。
　ここで、帯域通過型フィルタの通過帯域における低域側の特性には、並列トラップのインピーダンス特性が大きく寄与する傾向がある。通過帯域における高域側の特性には、直列トラップのインピーダンス特性が大きく寄与する傾向がある。弾性波装置６１においては、第２の受信帯域の低域側に第２の送信帯域が位置する。よって、第２の帯域通過型フィルタ６３Ｂにおいて、並列トラップである弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２のインピーダンス特性が、第２の送信帯域における帯域外減衰量などに大きく寄与する。第２の送信帯域及び第２の受信帯域の周波数の間隔は、第１の送信帯域及び第１の受信帯域の周波数の間隔よりも狭い。そのため、弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２においては、特に周波数調整を高い精度で行うことが好ましい。
　他方、第１の受信帯域の高域側に第１の送信帯域が位置する。よって、直列トラップである弾性波共振子Ｓ６１の特性が第１の送信帯域における帯域外減衰量などに大きく寄与する。また、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２の関係にあるため、弾性波共振子Ｓ６１のフィルタ特性は、弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２のフィルタ特性よりも容易に十分とすることができる。
　本変形例では、全ての第１の弾性波共振子である弾性波共振子Ｓ６１のデューティが、全ての第４の弾性波共振子である弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２のデューティよりも大きい。よって、第１の実施形態における製造工程と同様に、第１，第２の帯域通過型フィルタ６３Ａ，６３Ｂの周波数調整を同時に行うことができる。従って、第１，第２の帯域通過型フィルタ６３Ａ，６３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。
　なお、ある特定の局面では、第１の弾性波共振子のデューティの加重平均値が第４の弾性波共振子のデューティの加重平均値よりも大きければよい。この場合においても、第１，第２の帯域通過型フィルタ６３Ａ，６３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。もっとも、弾性波装置６１のように、全ての第１の弾性波共振子のデューティが、全ての第４の弾性波共振子のデューティよりも大きいことがより好ましい。
　上記弾性波装置６１の製造に際しては、上述した弾性波装置１の製造方法における第２のＩＤＴ電極形成工程以外の工程は、弾性波装置１の製造方法と同様に行うことができる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極形成工程において、弾性波共振子Ｓ６１の第１のＩＤＴ電極のデューティよりもデューティの加重平均値が小さい、弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。なお、弾性波装置が本発明における第１，第４の弾性波共振子をそれぞれ複数有する場合は、第１の弾性波共振子の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、第４の弾性波共振子の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。
　他方、第３の帯域通過型フィルタの通過帯域が第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも高域側に位置し、第４の帯域通過型フィルタの通過帯域が第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも高域側に位置する場合の好ましい例を示す。ここで、上述したように、第１の弾性波共振子は第１の帯域通過型フィルタの直列トラップであり、第２の弾性波共振子は第２の帯域通過型フィルタの直列トラップである。この場合には、第１の帯域通過型フィルタの直列トラップである第１の弾性波共振子のデューティの加重平均値が第２の帯域通過型フィルタの直列トラップである第２の弾性波共振子のデューティの加重平均値よりも大きいことが好ましい。全ての第１の弾性波共振子のデューティが全ての第２の弾性波共振子のデューティよりも大きいことがより好ましい。
　上記弾性波装置の製造に際しては、上述した弾性波装置１の製造方法における第２のＩＤＴ電極形成工程以外の工程は、弾性波装置１の製造方法と同様に行うことができる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極形成工程において、第１の弾性波共振子の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、第２の弾性波共振子の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。
　第３の帯域通過型フィルタの通過帯域が第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置し、第４の帯域通過型フィルタの通過帯域が第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置する場合の好ましい例を示す。ここで、上述したように、第３の弾性波共振子は第１の帯域通過型フィルタの並列トラップであり、第４の弾性波共振子は第２の帯域通過型フィルタの並列トラップである。この場合には、第１の帯域通過型フィルタの並列トラップである第３の弾性波共振子のデューティの加重平均値が第２の帯域通過型フィルタの並列トラップである第４の弾性波共振子のデューティの加重平均値よりも大きいことが好ましい。全ての第３の弾性波共振子のデューティが全ての第４の弾性波共振子のデューティよりも大きいことがより好ましい。
　上記弾性波装置の製造に際しては、上述した弾性波装置１の製造方法における第２のＩＤＴ電極形成工程以外の工程は、弾性波装置１の製造方法と同様に行うことができる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極形成工程において、第３の弾性波共振子の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、第４の弾性波共振子の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。　
　第３の帯域通過型フィルタの通過帯域が第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置し、第４の帯域通過型フィルタの通過帯域が第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも高域側に位置する場合の好ましい例を示す。この場合には、第１の帯域通過型フィルタの並列トラップである第３の弾性波共振子のデューティの加重平均値が第２の帯域通過型フィルタの直列トラップである第２の弾性波共振子のデューティの加重平均値よりも大きいことが好ましい。全ての第３の弾性波共振子のデューティが全ての第２の弾性波共振子のデューティよりも大きいことがより好ましい。
　上記弾性波装置の製造に際しては、上述した弾性波装置１の製造方法における第２のＩＤＴ電極形成工程以外の工程は、弾性波装置１の製造方法と同様に行うことができる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極形成工程において、第３の弾性波共振子の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、第２の弾性波共振子の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。
　第１，第２の実施形態及び各変形例においては、第１，第２の帯域通過型フィルタが受信フィルタである例を示した。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタは、送信フィルタであってもよい。あるいは、第１，第２の帯域通過型フィルタのうち一方が受信フィルタであり、他方が送信フィルタであってもよい。本発明の弾性波装置は、第３，第４の帯域通過型フィルタを有しなくともよい。この場合においても、例えば、実装基板に実装され、第３，第４の帯域通過型フィルタに相当する素子に接続される場合などにおいて、本発明を好適に適用することができる。
１…弾性波装置
３Ａ～３Ｄ…第１～第４の帯域通過型フィルタ
４…アンテナ端子
５，６…第１，第２の端子
７…圧電基板
８…グラウンド端子
９Ａ，９Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
１５Ａ，１５Ｂ…反射器
１６Ａ，１６Ｂ…第１，第２の誘電体膜
２１…弾性波装置
２３Ａ～２３Ｄ…第１～第４の帯域通過型フィルタ
３９Ｂ…第２のＩＤＴ電極
４６Ｂ…第２の誘電体膜
５６Ａ，５６Ｂ…第１，第２の誘電体膜
５６Ａａ，５６Ｂａ…第１の層
５６Ａｂ，５６Ｂｂ…第２の層
６１…弾性波装置
６３Ａ，６３Ｂ…第１，第２の帯域通過型フィルタ
Ｓ１～Ｓ３，Ｓ１１～Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ３１，Ｓ３２，Ｓ６１，Ｓａ，Ｓｂ，Ｐ１１，Ｐ３１，Ｐ３２…弾性波共振子
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ１１，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３１…縦結合共振子型弾性波フィルタ
Ｌ…インダクタ

Claims (20)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
    を備え、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
    　前記複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記複数の第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。
  2. 　全ての前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
    を備え、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
    　前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
    　前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第１の弾性波共振子を有し、
    　前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第２の弾性波共振子を有し、
    　前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。
  4. 　全ての前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
    を備え、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
    　前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
    　前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第３の弾性波共振子を有し、
    　前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第４の弾性波共振子を有し、
    　前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。
  6. 　全ての前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
    を備え、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
    　前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
    　前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第１の弾性波共振子を有し、
    　前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第４の弾性波共振子を有し、
    　前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。
  8. 　全ての前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
    を備え、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１－Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２－Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
    　前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
    　前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
    　前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第３の弾性波共振子を有し、
    　前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第２の弾性波共振子を有し、
    　前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、記載の弾性波装置。
  10. 　全ての前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記第１，第２の帯域通過型フィルタが受信フィルタである、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　前記第１，第２の帯域通過型フィルタが送信フィルタである、請求項１～１０のいずれかの１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記第１，第２のＩＤＴ電極が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１，第２の誘電体膜が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記第１，第２のＩＤＴ電極及び前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が多層膜構造である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　請求項１または２に記載の弾性波装置の製造方法であって、
    　前記圧電基板を用意する工程と、
    　前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、
    　前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、
    　前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、
    　前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程と、
    を備え、
    　前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成し、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
    　前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。
  16. 　請求項３または４に記載の弾性波装置の製造方法であって、
    　前記圧電基板を用意する工程と、
    　前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、
    　前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、
    　前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、
    　前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程と、
    を備え、
    　前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
    　前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。
  17. 　請求項５または６に記載の弾性波装置の製造方法であって、
    　前記圧電基板を用意する工程と、
    　前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、
    　前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、
    　前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、
    　前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程と、
    を備え、
    　前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
    　前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。
  18. 　請求項７または８に記載の弾性波装置の製造方法であって、
    　前記圧電基板を用意する工程と、
    　前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、
    　前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、
    　前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、
    　前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程と、
    を備え、
    　前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、
    　前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
    　前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。
  19. 　前記第１のＩＤＴ電極形成工程及び前記第２のＩＤＴ電極形成工程を同時に行い、かつ前記第１の誘電体膜形成工程及び前記第２の誘電体膜形成工程を同時に行う、請求項１５～１８のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
  20. 　前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程及び前記第１，第２の誘電体膜形成工程のうち同時に行う工程を、堆積法により行う、請求項１５～１９のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
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