JP2024030509A - 複合フィルタ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】通過特性が悪化するのを防止しながら、減衰特性及びアイソレーション特性を改善することが可能な複合フィルタ装置を提供する。【解決手段】複合フィルタ装置１００は、圧電基板と、送信フィルタ１０と、受信フィルタ２０と、第１容量素子４０と、第２容量素子５０とを備える。送信フィルタ１０は、基準電位電極Ｇ１３ａに接続された並列腕共振子Ｐ１３を有する。受信フィルタ２０は、基準電位電極Ｇ２１ａに接続された並列腕共振子Ｐ２２を有する。第１容量素子４０は、受信フィルタ２０内の信号線２３と基準電位電極Ｇ１３ａとの間に接続されている。第２容量素子５０は、受信フィルタ２０内の信号線２３と基準電位電極Ｇ２１ａとに接続されている。【選択図】図１

Description

本開示は、複合フィルタ装置に関する。
従来、複合フィルタ装置が知られている。このような複合フィルタ装置は、例えば、特許文献１に開示されている。
上記特許文献１の複合フィルタ装置は、高域側フィルタ及び低域側フィルタを含む。高域側フィルタ及び低域側フィルタは、共通の圧電基板上に形成されている。高域側フィルタ及び低域側フィルタは、それぞれ、ラダー型フィルタとして構成されている。高域側フィルタの並列腕の一端は、第１の導電材を介して、接地電位に接続されている。また、低域側フィルタの並列腕の一端は、第１の導電材とは別個に配置された第２の導電材を介して、接地電位に接続されている。
特開２０１５－０７０４８９号公報
本開示は、通過特性が悪化するのを防止しながら、減衰特性及びアイソレーション特性を改善することが可能な複合フィルタ装置を提供することを目的とする。
本開示の一の態様に係る複合フィルタ装置は、第１基準電位電極及び第２基準電位電極が配置された圧電基板と、第１の通過帯域を有する第１弾性波フィルタと、前記第１の通過帯域よりも高い第２の通過帯域を有する第２弾性波フィルタと、前記第１基準電位電極に一端が接続された第１容量素子と、前記第２基準電位電極に一端が接続された第２容量素子と、を備え、前記第１弾性波フィルタは、前記圧電基板上に配置された第１並列腕共振子であって、前記第１基準電位電極に接続された第１並列腕共振子を含み、前記第２弾性波フィルタは、前記圧電基板上に配置された第２並列腕共振子であって、前記第２基準電位電極に接続された第２並列腕共振子と、複数の直列腕共振子とを含み、前記第１容量素子の他端は、前記複数の直列腕共振子を接続する信号線に接続されており、前記第２容量素子の他端は、前記複数の直列腕共振子を接続する信号線に接続されている。
上記の構成によれば、通過特性が悪化するのを防止しながら、減衰特性及びアイソレーション特性を改善することが可能な複合フィルタ装置を提供することができる。
図１は、一実施形態による複合フィルタ装置１００の回路図である。 図２は、一実施形態による複合フィルタ装置１００の平面図である。 図３は、一実施形態による共振子Ｓ１１１の構成を模式的に示した図である。 図４は、圧電基板３０上における第１容量素子４０と第２容量素子５０との配置位置を説明するための図である。 図５は、一実施形態による第１容量素子４０の構成を模式的に示す図である。 図６は、一実施形態による第２容量素子５０の構成を模式的に示す図である。 図７は、一実施形態の実施例による送信フィルタ１０の通過特性と比較例による送信フィルタの通過特性とを示す図である。 図８は、一実施形態の実施例による受信フィルタ２０の通過特性と比較例による受信フィルタの通過特性とを示す図である。 図９は、一実施形態の実施例による送信フィルタ１０の減衰特性と比較例による送信フィルタの減衰特性とを示す図である。 図１０は、一実施形態の実施例による受信フィルタ２０の減衰特性と比較例による受信フィルタの減衰特性とを示す図である。 図１１は、一実施形態の実施例による複合フィルタ装置１００のアイソレーション特性と比較例による複合フィルタ装置のアイソレーション特性とを示す図である。 図１２は、一実施形態の第１変形例による複合フィルタ装置２００の構成を示す図である。 図１３Ａは、一実施形態の第２変形例による第１容量素子３４０の構成を示す断面図である。 図１３Ｂは、一実施形態の第２変形例による第１容量素子３４０の構成を示す平面図である。 図１４は、一実施形態の第３変形例による第１容量素子４４０の構成を示す図である。 図１５は、一実施形態の第４変形例による複合フィルタ装置５００の構成を示す図である。
第１の通過帯域を有する第１弾性波フィルタ、及び第１の通過帯域よりも高い第２の通過帯域を有する第２弾性波フィルタが形成された圧電基板を有する複合フィルタ装置では、第２弾性波フィルタの減衰特性及びアイソレーション特性を改善することが望まれている。
そこで、第２弾性波フィルタと基準電位との間に容量素子を設けることにより、第２弾性波フィルタの減衰特性及びアイソレーション特性を改善することが考えられる。しかしながら、この容量素子を設けることに起因して、第１弾性波フィルタにおける第１の通過帯域のインピーダンスの容量性成分、及び第２弾性波フィルタにおける第２の通過帯域のインピーダンスの容量性成分の両方が増大してしまう。この結果、複合フィルタ装置の通過特性が悪化してしまうという問題点がある。
本願発明者はこのような課題に鑑み、通過特性が悪化するのを防止しながら、減衰特性及びアイソレーション特性を改善することが可能な複合フィルタ装置を想到した。
以下、本開示の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本開示は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本開示の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。また、以下の説明において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、実施形態および変形例に記載された各構成は、本開示の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。また、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
（複合フィルタ装置１００の全体構成）
図１は、本実施形態による複合フィルタ装置１００の回路図である。複合フィルタ装置１００は、送信フィルタ１０と、受信フィルタ２０と、を備える。本実施形態では、複合フィルタ装置１００は、デュプレクサである。受信フィルタ２０の通過帯域は、送信フィルタ１０の通過帯域よりも高い周波数帯域である。複合フィルタ装置１００を、７００ＭＨｚから６ＧＨｚ帯の通信を対象に用いることができる。例えば、複合フィルタ装置１００を、３ＧＰＰ（登録商標）（Third Generation Partnership Project）規格により規定された周波数帯域を対象に用いることができる。
図１に示すように、複合フィルタ装置１００は、アンテナ（図示せず）に接続されるアンテナ端子１と、送信端子２と、受信端子３とを備える。また、送信フィルタ１０は、アンテナ端子１と送信端子２との間に配置されている。受信フィルタ２０は、アンテナ端子１と受信端子３との間に配置されている。図１に示すように、送信フィルタ１０及び受信フィルタ２０は、それぞれ、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子からなるラダー回路を含む。
また、複合フィルタ装置１００は、図１に示すように、基準電位端子Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ１３、Ｇ２１、及びＧ２２を含む。基準電位端子Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ１３、Ｇ２１、及びＧ２２は、それぞれ、グラウンドバンプであり、配線を介してグラウンドの電位に接続されている。基準電位端子Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ１３、Ｇ２１、及びＧ２２を含む。基準電位端子Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ１３、Ｇ２１、及びＧ２２は、例えば、Ａｕやはんだから構成されるバンプや、導電性接着剤などの導電性の接続部材から構成される。
本実施形態では、複合フィルタ装置１００は、第１容量素子４０及び第２容量素子５０を含む。第１容量素子４０は、受信フィルタ２０内の信号線２３と、基準電位端子Ｇ１３との間に配置されている。第２容量素子５０は、受信フィルタ２０内の信号線２３と、基準電位端子Ｇ２１との間に配置されている。第１容量素子４０及び第２容量素子５０により、複合フィルタ装置１００における通過特性が悪化するのを防止しながら、受信フィルタ２０の減衰特性及びアイソレーション特性を改善することができる。
図２は、本実施形態による複合フィルタ装置１００の平面図である。説明の便宜上、図２中での方向を示すために、Ｘ軸およびＹ軸を規定する。図２に示すＸ軸は、図２の紙面において水平な軸である。図２の紙面でＸ軸に沿って左から右への向きをＸ１方向、右から左への向きをＸ２方向とする。以下の説明では、Ｘ軸に沿う方向であって左右の向きを問わない方向を、「Ｘ方向」と称することがある。同様に、図２の紙面でＹ軸に沿って下から上への向きをＹ１方向、上から下への向きをＹ２方向とする。Ｙ軸に沿う方向であって上下の向きを問わない方向を、「Ｙ方向」と称することがある。図３以降においても同様である。図２に示すように、複合フィルタ装置１００は、圧電基板３０を含む。圧電基板３０は、例えば、ＬｉＴｉＯ３及びＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶からなる。なお、圧電基板３０は、圧電単結晶に限られず、圧電セラミックスにより構成されてもよい。また、圧電基板３０は、支持基板上に圧電性薄膜が配置された積層構造体であってもよい。送信フィルタ１０及び受信フィルタ２０は、圧電基板３０上に配置されている。
図２に示すように、圧電基板３０上には、アンテナ端子１に接続されるアンテナ電極１ａと、送信端子２に接続される送信電極２ａと、受信端子３に接続される受信電極３ａとが形成されている。また、圧電基板３０上には、基準電位端子Ｇ１１、Ｇ１２、及びＧ１３にそれぞれ接続される基準電位電極Ｇ１１ａ、Ｇ１２ａ、及びＧ１３ａが形成されている。また、圧電基板３０上には、基準電位端子Ｇ２１及びＧ２２にそれぞれ接続される基準電位電極Ｇ２１ａ及びＧ２２ａが形成されている。アンテナ電極１ａ、送信電極２ａ、受信電極３ａ、及び基準電位電極Ｇ１１ａ、Ｇ１２ａ、Ｇ１３ａ、Ｇ２１ａ及びＧ２２ａは、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ又はこれらを主体とする合金などからなる金属材料により構成されている。
図２に示すように、送信電極２ａ、基準電位電極Ｇ１３ａ、Ｇ２１ａ、受信電極３ａは、Ｙ２方向においてこの順に、互いに間隔を空けて圧電基板３０上に配置されている。また、基準電位電極Ｇ１１ａは、送信電極２ａから見てＸ１方向に位置している。そして、基準電位電極Ｇ１１ａ、Ｇ１２ａ、アンテナ電極１ａ、及び基準電位電極Ｇ２２ａは、Ｙ２方向においてこの順に、互いに間隔を空けて圧電基板３０上に配置されている。
（送信フィルタ１０の構成）
送信フィルタ１０は、図１に示すように、直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、及びＳ１４と、並列腕共振子Ｐ１１、Ｐ１２、及びＰ１３と、を含む。直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１４、及び並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１３は、それぞれ、弾性表面波共振子により構成されている。なお、図１では、直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、及びＳ１４と、並列腕共振子Ｐ１１、Ｐ１２、及びＰ１３とのそれぞれを、１つの共振子として図示しているが、これに限られない。すなわち、直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、及びＳ１４と、並列腕共振子Ｐ１１、Ｐ１２、及びＰ１３との各々が、複数の弾性表面波共振子により構成されてもよい。すなわち、図１では、説明のために、複数の弾性表面波共振子の互いの間に、他の共振子を有する信号経路への分岐点を含まずに、複数の弾性表面波共振子が直列接続された共振子群、を１つの共振子としてまとめて表記している。なお、各弾性表面波共振子の構成（対数、交差幅、及びピッチなど）は、互いに異なっていてもよい。
直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１４は、図１に示すように、送信端子２とアンテナ端子１との間で直列に接続されている。また、送信フィルタ１０は、信号線１１、１２、及び１３を含む。ここで、「信号線」とは、入出力端子を結ぶ信号経路上の配線のうち、複数の直列腕共振子を互いに直接に接続する配線を意味する。「複数の直列腕共振子を互いに直接に接続する」とは、互いに接続される複数（例えば、２つ）の直列腕共振子の間に、他の共振子が直列に接続されていないことを意味する。信号線１１は、直列腕共振子Ｓ１１と直列腕共振子Ｓ１２とを直接に接続する配線である。信号線１２は、直列腕共振子Ｓ１２と直列腕共振子Ｓ１３とを直接に接続する配線である。信号線１３は、直列腕共振子Ｓ１３と直列腕共振子Ｓ１４とを直接に接続する配線である。そして、並列腕共振子Ｐ１１の一端は、基準電位端子Ｇ１１に接続されている。並列腕共振子Ｐ１１の他端は、信号線１１に接続されている。並列腕共振子Ｐ１２の一端は、基準電位端子Ｇ１２に接続されている。並列腕共振子Ｐ１２の他端は、信号線１２に接続されている。並列腕共振子Ｐ１３の一端は、基準電位端子Ｇ１３に接続されている。並列腕共振子Ｐ１３の他端は、信号線１３に接続されている。すなわち、送信フィルタ１０には、ラダー型の不平衡回路が構成されている。信号線１１～１３は、送信フィルタ１０におけるＨＯＴ線である。
ここで、図２では、説明のために、各共振子を、矩形状の枠（□）に×の記号を記載してものとして図示している。また、図２に示す各共振子には、図３を示して後述するＩＤＴ電極６１と反射器６２及び６３とが含まれている。なお、共振子は、図３の例に限られず、共振子に、反射器６２及び６３が設けられていなくてもよい。図２に示すように、送信フィルタ１０は、圧電基板３０上において、受信フィルタ２０から見てＹ１方向に位置している。直列腕共振子Ｓ１１は、例えば、共振子Ｓ１１１、Ｓ１１２、Ｓ１１３、及びＳ１１４を含む。共振子Ｓ１１１、Ｓ１１２、Ｓ１１３、及びＳ１１４は、Ｙ２方向においてこの順に並んで圧電基板３０上に配置されている。共振子Ｓ１１ａは、送信電極２ａに接続されている。共振子Ｓ１１１、Ｓ１１２、Ｓ１１３、及びＳ１１４は、直列に接続されている。
並列腕共振子Ｐ１１は、例えば、共振子Ｐ１１１及びＰ１１２を含む。共振子Ｐ１１１及びＰ１１２は、共振子Ｓ１１４から見てＹ２方向の位置において、Ｘ方向に並んで配置されている。共振子Ｐ１１１は、共振子Ｓ１１４及び共振子Ｐ１１２に接続されている。共振子Ｐ１１２は、基準電位電極Ｇ１１ａに接続されている。
直列腕共振子Ｓ１２は、例えば、共振子Ｓ１２１、Ｓ１２２、Ｓ１２３、及びＳ１２４を含む。共振子Ｓ１２１は、共振子Ｐ１１１及びＰ１１２から見てＹ２方向に位置している。共振子Ｓ１２１、Ｓ１２２、Ｓ１２３、及びＳ１２４は、Ｙ２方向に並んで配置されている。共振子Ｓ１２１は、共振子Ｓ１１４及び共振子Ｐ１１１に接続されている。共振子Ｓ１２１、Ｓ１２２、Ｓ１２３、及びＳ１２４は、この順に直列に接続されている。
並列腕共振子Ｐ１２は、共振子Ｓ１２４及び基準電位電極Ｇ１２ａに接続されている。並列腕共振子Ｐ１２は、共振子Ｓ１２４から見てＹ２方向に位置している。なお、並列腕共振子Ｐ１２及びＰ１３、及び直列腕共振子Ｓ１３及びＳ１４は、図示しないが互いに直列に接続された複数の共振子を含む。
直列腕共振子Ｓ１３は、共振子Ｓ１２４、及び並列腕共振子Ｐ１２に接続されている。直列腕共振子Ｓ１３は、共振子Ｓ１２４から見てＹ２方向で、かつ、並列腕共振子Ｐ１２から見てＸ２方向に位置している。
並列腕共振子Ｐ１３は、直列腕共振子Ｓ１３及び基準電位電極Ｇ１３ａに接続されている。並列腕共振子Ｐ１３は、直列腕共振子Ｓ１３から見てＹ２方向に位置している。
直列腕共振子Ｓ１４は、直列腕共振子Ｓ１３、並列腕共振子Ｐ１３、及びアンテナ電極１ａに接続されている。直列腕共振子Ｓ１４は、並列腕共振子Ｐ１２から見てＹ２方向に位置している。
（受信フィルタ２０の構成）
受信フィルタ２０は、図１に示すように、直列腕共振子Ｓ２１ａ、Ｓ２１ｂ、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５ａ、及びＳ２５ｂと、並列腕共振子Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３ａ、Ｐ２３ｂ、Ｐ２４、及びＰ２５と、を含む。直列腕共振子Ｓ２１ａ～Ｓ２５ｂ、及び並列腕共振子Ｐ２１～Ｐ２５は、それぞれ、弾性表面波共振子により構成されている。なお、図１では、直列腕共振子Ｓ２１ａ、Ｓ２１ｂ、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５ａ、及びＳ２５ｂと、並列腕共振子Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３ａ、Ｐ２３ｂ、Ｐ２４、及びＰ２５とのそれぞれを、１つの共振子として図示しているが、これに限られない。すなわち、直列腕共振子Ｓ２１ａ、Ｓ２１ｂ、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５ａ、及びＳ２５ｂと、並列腕共振子Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２４、及びＰ２５との各々が、複数の弾性表面波共振子により構成されてもよい。すなわち、図１では、説明のために、複数の弾性表面波共振子の互いの間に、他の共振子を有する信号経路への分岐点を含まずに、複数の弾性表面波共振子が直列接続された共振子群、を１つの共振子としてまとめて表記している。なお、各弾性表面波共振子の構成（対数、交差幅、及びピッチなど）は、互いに異なっていてもよい。
直列腕共振子Ｓ２１ａ、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、及びＳ２５ａは、図１に示すように、受信端子３とアンテナ端子１との間で直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ２１ａ及びＳ２１ｂは、並列に接続されている。直列腕共振子Ｓ２５ａ及びＳ２５ｂは、並列に接続されている。
また、受信フィルタ２０は、信号線２１、２２、２３、及び２４を含む。信号線２１は、直列腕共振子Ｓ２１ａ及びＳ２１ｂと直列腕共振子Ｓ２２とを直接に接続する配線である。信号線２２は、直列腕共振子Ｓ２２と直列腕共振子Ｓ２３とを直接に接続する配線である。信号線２３は、直列腕共振子Ｓ２３と直列腕共振子Ｓ２４とを直接に接続する配線である。信号線２４は、直列腕共振子Ｓ２４と直列腕共振子Ｓ２５ａ及びＳ２５ｂとを直接に接続する配線である。並列腕共振子Ｐ２１の一端は、基準電位端子Ｇ２１に接続されている。並列腕共振子Ｐ２１の他端は、信号線２１に接続されている。並列腕共振子Ｐ２２の一端は、基準電位端子Ｇ２１に接続されている。並列腕共振子Ｐ２２の他端は、信号線２２に接続されている。並列腕共振子Ｐ２３ａの一端は、並列腕共振子Ｐ２３ｂに接続されている。並列腕共振子Ｐ２３ａの他端は、信号線２３に接続されている。並列腕共振子Ｐ２３ｂの一端は、が基準電位端子Ｇ２２に接続されている。並列腕共振子Ｐ２３ｂの他端は、並列腕共振子Ｐ２３ａに接続されている。並列腕共振子Ｐ２４の一端は、基準電位端子Ｇ２２に接続されている。並列腕共振子Ｐ２４の他端は、信号線２４に接続されている。すなわち、受信フィルタ２０には、ラダー型の不平衡回路を含む。信号線２１～２４は、受信フィルタ２０におけるＨＯＴ線である。
図２に示すように、受信フィルタ２０は、圧電基板３０上に配置されている。直列腕共振子Ｓ２１ｂは、圧電基板３０上に形成された素子のうちＹ２方向における最端部に配置されている。直列腕共振子Ｓ２１ａ及びＳ２１ｂは、Ｘ方向に並んで配置されている。直列腕共振子Ｓ２１ａ及びＳ２１ｂは共に、受信電極３ａに接続されている。
並列腕共振子Ｐ２１は、直列腕共振子Ｓ２１ｂから見てＹ１方向に位置している。並列腕共振子Ｐ２１は、直列腕共振子Ｓ２１ａ及びＳ２１ｂと、基準電位電極Ｇ２１ａとに接続されている。
直列腕共振子Ｓ２２は、直列腕共振子Ｓ２１ｂから見てＹ１方向で、かつ、並列腕共振子Ｐ２１と直列腕共振子Ｓ２１ａの間に位置している。直列腕共振子Ｓ２２は、直列腕共振子Ｓ２１ａ及びＳ２１ｂと、並列腕共振子Ｐ２１及びＰ２２とに接続されている。
並列腕共振子Ｐ２２は、並列腕共振子Ｐ２１から見てＹ１方向に位置している。並列腕共振子Ｐ２２は、並列腕共振子Ｐ２１と、直列腕共振子Ｓ２２と、基準電位電極Ｇ２１ａとに接続されている。
直列腕共振子Ｓ２３は、並列腕共振子Ｐ２２から見てＹ１方向に位置している。直列腕共振子Ｓ２３は、直列腕共振子Ｓ２２と、並列腕共振子Ｐ２２とに接続されている。
並列腕共振子Ｐ２３ａは、直列腕共振子Ｓ２２から見てＹ１方向に位置している。並列腕共振子Ｐ２３ａは、並列腕共振子Ｐ２３ａと、直列腕共振子Ｓ２３とに接続されている。並列腕共振子Ｐ２３ｂは、並列腕共振子Ｐ２３ａから見てＸ１方向に位置している。並列腕共振子Ｐ２３ｂは、基準電位電極Ｇ２２ａに接続されている。
直列腕共振子Ｓ２４は、直列腕共振子Ｓ２３から見てＹ１方向に位置している。直列腕共振子Ｓ２４は、直列腕共振子Ｓ２３と、並列腕共振子Ｐ２３ａとに接続されている。
並列腕共振子Ｐ２４は、並列腕共振子Ｐ２３ｂから見てＹ１方向に位置している。並列腕共振子Ｐ２４は、並列腕共振子Ｐ２３ｂと、直列腕共振子Ｓ２４と、基準電位電極Ｇ２２ａとに接続されている。
直列腕共振子Ｓ２５ａは、共振子Ｓ２５１ａ及びＳ２５１ｂを含む。共振子Ｓ２５１ａ及びＳ２５１ｂは、並列腕共振子Ｐ２４から見てＹ１方向に位置している。共振子Ｓ２５１ａ及びＳ２５１ｂは、直列に接続されている。共振子Ｓ２５１ａは、アンテナ電極１ａ、及び直列腕共振子Ｓ１４に接続されている。共振子Ｓ２５１ｂは、並列腕共振子Ｐ２４及び直列腕共振子Ｓ２４に接続されている。直列腕共振子Ｓ２５ａは、アンテナ電極１ａと隣り合って配置されている。
直列腕共振子Ｓ２５ｂは、直列腕共振子Ｓ２４から見てＹ１方向に位置している。直列腕共振子Ｓ２５ｂは、アンテナ電極１ａ、直列腕共振子Ｓ１４、及び共振子Ｓ２５１ｂに接続されている。
（共振子Ｓ１１１の構成）
図３は、本実施形態による共振子Ｓ１１１の構成を模式的に示した図である。共振子Ｓ１１１は、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極６１と、ＩＤＴ電極６１から見てＸ２方向に配置された反射器６２と、ＩＤＴ電極６１から見てＸ１方向に配置された反射器６３とを備える。例えば、ＩＤＴ電極６１と、反射器６２及び６３とは、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ又はこれらを主体とする合金などからなる金属材料により構成されている。ＩＤＴ電極６１は、複数の電極指６１ａと複数の電極指６１ｂとが互いに入り込んだ一対の櫛歯電極と、バスバー６１ｃ及び６１ｄとを含む。複数の電極指６１ａは、バスバー６１ｃからＹ２方向に延びている。複数の電極指６１ｂは、バスバー６１ｄからＹ１方向に延びている。これにより、圧電基板３０上に発生する弾性波は、Ｘ方向に伝搬する。なお、共振子Ｓ１１１以外の他の共振子（送信フィルタ１０における各共振子、及び受信フィルタ２０における各共振子）においても、電極指は、Ｙ１方向又はＹ２方向に延びている。また、共振子Ｓ１１１以外の他の共振子は、共振子Ｓ１１１に対して、電極指の本数、電極指のＹ方向の長さ、電極指の幅、及び電極指と電極指との間隔等の各パラメータは異なるものの、基本的な構成は共振子Ｓ１１１と同様であるため、説明及び図示を省略する。
（第１容量素子４０及び第２容量素子５０の構成）
図１に示すように、第１容量素子４０は、受信フィルタ２０内の信号線２３と、基準電位端子Ｇ１３との間に配置されている。第２容量素子５０は、受信フィルタ２０内の信号線２３と、基準電位端子Ｇ２１との間に配置されている。第１容量素子４０及び第２容量素子５０と、信号線２３とが接続する箇所を接続点２３ａとする。なお、「接続点２３ａ」とは、図１の回路図上の説明のために「点」として表現したものである。すなわち、第１容量素子４０と信号線２３との接続箇所と、第２容量素子５０と信号線２３との接続箇所とが、同一の位置に限られず、異なる位置であってもよい。
第１容量素子４０が複合フィルタ装置１００内に配置されることにより、図１に示すように、第１容量素子４０、送信フィルタ１０の並列腕共振子Ｐ１３、直列腕共振子Ｓ１４、受信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２５ａ及びＳ２５ｂ、直列腕共振子Ｓ２４、及び接続点２３ａを含む閉回路が形成される。ここで、送信フィルタ１０の通過帯域を、Ｒ１とする。受信フィルタ２０の通過帯域を、Ｒ２とする。上記の閉回路が形成されることにより、送信フィルタ１０における通過帯域Ｒ２（例えば、２３５０ＭＨｚ～２３６０ＭＨｚ）の極位置が変化して減衰特性を変化させることができる。
また、第２容量素子５０が、受信フィルタ２０の信号線２３（ＨＯＴ線）と基準電位端子Ｇ２１との間に接続されることにより、第２容量素子５０、直列腕共振子Ｓ２３、及び並列腕共振子Ｐ２２を含む閉回路と、第２容量素子５０、直列腕共振子Ｓ２３及びＳ２２、及び並列腕共振子Ｐ２１を含む閉回路と、が形成される。これにより、これらの共振子うちの一部の共振子の容量値が変化し、受信フィルタ２０における通過帯域以外の帯域における減衰特性を変化させることが可能になる。
また、第１容量素子４０と第２容量素子５０とが受信フィルタ２０の信号線２３に接続される。これにより、送信フィルタ１０及び受信フィルタ２０のそれぞれのインピーダンス特性を調整することができるので、通過特性の変化が抑制するのが容易となる。この結果、通過特性の悪化を防止しながら、送信フィルタ１０における相手帯域の減衰特性、受信フィルタ２０における通過帯域以外の帯域における減衰特性、受信フィルタ２０の通過帯域におけるアイソレーション特性を改善することができる。
ここで、第１容量素子４０が接続される信号線と、第２容量素子５０が接続される信号線とが異なる場合には、第１容量素子４０が信号線に接続される箇所と第２容量素子５０が信号線に接続される箇所との間に共振子が含まれる。この場合、通過特性に影響を与えない範囲における、減衰特性の調整可能な帯域範囲が制限されてしまう。これに対して、図１の構成では、第１容量素子４０と第２容量素子５０とが共に接続点２３ａに接続される。これにより、減衰特性の調整可能な帯域範囲を拡大することができる。また、送信フィルタ１０及び受信フィルタ２０のそれぞれのインピーダンス特性を調整しやすくなるので、通過特性の変化を抑制するのが容易となる。
図２に示すように、第１容量素子４０と第２容量素子５０とは、圧電基板３０上に配置されている。例えば、第１容量素子４０と第２容量素子５０とは、平面視で送信フィルタ１０と受信フィルタ２０との間に配置されている。第１容量素子４０は、基準電位電極Ｇ１３ａに接続されている。
図４は、圧電基板３０上における第１容量素子４０と第２容量素子５０との配置位置を説明するための図である。図４に示すように、第１容量素子４０と第２容量素子５０とは、圧電基板３０上において平面視で隣り合って配置されている。「第１容量素子４０と第２容量素子５０とは、隣り合って配置されている」とは、第１容量素子４０と第２容量素子５０との間に共振子等の他の素子が配置されていないことを意味し、第１容量素子４０と第２容量素子５０との間に配線または空間が形成されている状態を含む概念である。また、第１容量素子４０と第２容量素子５０とは、配線２３ｂを介して接続されている。配線２３ｂは、接続点２３ａに接続されている。これにより、第１容量素子と第２容量素子とが離れて配置されている場合に比べて、第１容量素子４０と第２容量素子５０とを接続する配線２３ｂの抵抗及びインダクタンスが増大するのを抑制することができる。この結果、配線２３ｂが複合フィルタ装置１００の特性に影響を及ぼすのを防止することができる。
また、第２容量素子５０と基準電位電極Ｇ２１ａとは、平面視で隣り合って配置されている。また、第２容量素子５０と基準電位電極Ｇ２１ａとは、接続されている。これにより、第２容量素子と基準電位電極とが離れて配置されている場合に比べて、第２容量素子５０と基準電位電極Ｇ２１ａとを接続する配線の抵抗及びインダクタンスが増大するのを抑制することができる。この結果、第２容量素子５０と基準電位電極Ｇ２１ａとを接続する配線が複合フィルタ装置１００の特性に影響を及ぼすのを防止することができる。
また、図４に示すように、第１容量素子４０と第２容量素子５０とが接続された接続点２３ａは、第２容量素子５０と直列腕共振子Ｓ２３との間に配置されている。また、第１容量素子４０と第２容量素子５０とは、圧電基板３０上における平面視において、受信フィルタ２０の直列腕共振子Ｓ２３と送信フィルタ１０の並列腕共振子Ｐ１３との間に配置されている。例えば、第１容量素子４０と第２容量素子５０とは、直列腕共振子Ｓ２３から見てＹ１方向に配置されている。また、第１容量素子４０と第２容量素子５０とは、並列腕共振子Ｐ１３から見てＹ２方向に配置されている。これにより、第１容量素子４０に接続される並列腕共振子Ｐ１３と、第１容量素子４０及び第２容量素子５０が接続される直列腕共振子Ｓ２３とが、それぞれ、第１容量素子４０及び第２容量素子５０に近接して配置された状態となる。この結果、第１容量素子４０と並列腕共振子Ｐ１３とを接続する配線の抵抗及びインダクタンスが増大するのを抑制することができる。また、第２容量素子５０と直列腕共振子Ｓ２３とを接続する配線の抵抗及びインダクタンスが増大するのを抑制することができる。なお、本実施形態では、第１容量素子４０と第２容量素子５０とを、平面視において、直列腕共振子Ｓ２３と並列腕共振子Ｐ１３との間に配置する例を示したが、本開示はこの例に限られない。例えば、第１容量素子４０と第２容量素子５０とを、平面視において、直列腕共振子Ｓ２４と並列腕共振子Ｐ１３との間に配置してもよい。この場合、第２容量素子５０と直列腕共振子Ｓ２４とを接続する配線の抵抗及びインダクタンスが増大するのを抑制することができる。
図５は、本実施形態による第１容量素子４０の構成を模式的に示す図である。図６は、本実施形態による第２容量素子５０の構成を模式的に示す図である。図５に示すように、本実施形態では、第１容量素子４０は、ＩＤＴ電極４１を含む。例えば、ＩＤＴ電極４１は、ＩＤＴ電極６１と同一の材料から構成されている。例えば、ＩＤＴ電極４１は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ又はこれらを主体とする合金などからなる金属材料により構成されている。ＩＤＴ電極４１は、複数の電極指４１ａと複数の電極指４１ｂとが互いに入り込んだ一対の櫛歯電極と、バスバー４１ｃ及び４１ｄとを含む。複数の電極指４１ａは、バスバー４１ｃからＸ１方向に延びている。複数の電極指４１ｂは、バスバー４１ｄからＸ２方向に延びている。すなわち、ＩＤＴ電極４１の電極指４１ａ及び４１ｂが延びる方向は、ＩＤＴ電極６１の電極指６１ａ及び６１ｂが延びる方向（Ｙ１方向又はＹ２方向）に対して交差している。本実施形態では、ＩＤＴ電極４１の電極指４１ａ及び４１ｂが延びる方向は、ＩＤＴ電極６１の電極指６１ａ及び６１ｂが延びる方向に対して直交している。
図６に示すように、本実施形態では、第２容量素子５０は、ＩＤＴ電極５１を含む。例えば、ＩＤＴ電極５１は、ＩＤＴ電極６１と同一の材料から構成されている。例えば、ＩＤＴ電極５１は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ又はこれらを主体とする合金などからなる金属材料により構成されている。ＩＤＴ電極５１は、複数の電極指５１ａと複数の電極指５１ｂとが互いに入り込んだ一対の櫛歯電極と、バスバー５１ｃ及び５１ｄとを含む。複数の電極指５１ａは、バスバー５１ｃからＸ１方向に延びている。複数の電極指５１ｂは、バスバー５１ｄからＸ２方向に延びている。すなわち、ＩＤＴ電極５１の電極指５１ａ及び５１ｂが延びる方向は、ＩＤＴ電極６１の電極指６１ａ及び６１ｂが延びる方向に対して交差している。本実施形態では、ＩＤＴ電極５１の電極指５１ａ及び５１ｂが延びる方向は、ＩＤＴ電極６１の電極指６１ａ及び６１ｂが延びる方向に対して直交している。
また、本実施形態では、第１容量素子４０の電気容量は、第２容量素子５０の電気容量よりも大きい。例えば、第１容量素子４０の電気容量は、第２容量素子５０の電気容量の１倍よりも大きく、２倍未満の大きさに設定されている。図５に示すように、第１容量素子４０の電気容量は、ＩＤＴ電極４１における電極指４１ａと電極指４１ｂとのＸ方向に重なる長さＬ１に比例する。また、第１容量素子４０の電気容量は、電極指４１ａと電極指４１ｂとのＸ方向の距離Ｄ１（ギャップ）に反比例する。また、第１容量素子４０の電気容量は、電極指４１ａ及び４１ｂの対数（櫛歯の本数）に比例する。また、第１容量素子４０の電気容量は、ＩＤＴ電極４１における電極指４１ａ及び４１ｂの厚み（Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向の長さ）に比例する。また、図６に示すように、第２容量素子５０の電気容量は、ＩＤＴ電極５１における電極指５１ａと電極指５１ｂとのＸ方向に重なる長さＬ２に比例する。また、第２容量素子５０の電気容量は、電極指５１ａと電極指５１ｂとのＸ方向の距離Ｄ２（ギャップ）に反比例する。また、第２容量素子５０の電気容量は、電極指５１ａ及び５１ｂの対数（櫛歯の本数）に比例する。また、第２容量素子５０の電気容量は、ＩＤＴ電極５１における電極指５１ａ及び５１ｂの厚み（Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向の長さ）に比例する。例えば、ＩＤＴ電極４１の厚みとＩＤＴ電極５１の厚みとが等しく、ＩＤＴ電極４１の櫛歯の本数とＩＤＴ電極５１の櫛歯の本数とが等しい場合、長さＬ１を長さＬ２よりも大きいか、又は、距離Ｄ１を距離Ｄ２よりも小さい場合、第１容量素子４０の電気容量は、第２容量素子５０の電気容量よりも大きいものとなる。なお、これに限られず、ＩＤＴ電極４１の厚みをＩＤＴ電極５１の厚みよりも大きくして、第１容量素子４０の電気容量を第２容量素子５０の電気容量よりも大きくしてもよい。また、ＩＤＴ電極４１の櫛歯の本数をＩＤＴ電極５１の櫛歯の本数よりも多くして、第１容量素子４０の電気容量を第２容量素子５０の電気容量よりも大きくしてもよい。
これにより、圧電基板３０上でＸ１方向又はＸ２方向に伝搬する各共振子からの弾性波が、ＩＤＴ電極４１及び５１に影響を及ぼすのを防止することができる。また、ＩＤＴ電極４１及び５１による他の共振子への影響を防止することができるので、送信フィルタ１０の通過特性及び受信フィルタ２０の通過特性に影響を及ぼすのを防止することができる。また、第１容量素子４０がＩＤＴ電極４１を含み、第２容量素子５０がＩＤＴ電極５１を含むので、送信フィルタ１０及び受信フィルタ２０のＩＤＴ電極を製造する際に、送信フィルタ１０及び受信フィルタ２０のＩＤＴ電極を同じ工程で同じ材料により製造することができる。この結果、複合フィルタ装置１００の製造工程数を削減することができる。
（本実施形態の実施例と比較例との比較結果）
図７～図１１を参照して、本実施形態の複合フィルタ装置１００の特性をシミュレーションによって求めた結果を、比較例による結果と比較しながら説明する。
本実施形態の一実施例として、送信フィルタ１０の通過帯域Ｒ１が２３０５ＭＨｚ～２３１５ＭＨｚとなり、かつ、受信フィルタ２０の通過帯域Ｒ２が２３５０ＭＨｚ～２３６０ＭＨｚとなるように、複合フィルタ装置１００を構成した。また、比較例は、本実施例による複合フィルタ装置１００から、第１容量素子４０及び第２容量素子５０を除いたものである。なお、比較例は、本実施例による複合フィルタ装置１００の効果を確認するために構成したものであり、従来の技術ではない。
図７は、本実施例による送信フィルタ１０の通過特性と比較例による送信フィルタの通過特性とを示す図である。図７に示すように、本実施例による送信フィルタ１０の通過特性と比較例による送信フィルタの通過特性とを、シミュレーションにより求めた。図７に示すように、本実施例による送信フィルタ１０では、比較例による送信フィルタに対して、送信フィルタ１０の通過帯域Ｒ２の減衰の極位置が変化した。これにより、通過帯域Ｒ２のうちの少なくとも一部の周波数帯において、本実施例による減衰が、比較例に比べて大きくなった。また、送信フィルタの通過帯域Ｒ１は、本実施例による結果と比較例による結果とは同一の値となった。従って、本実施例によれば、第１容量素子４０及び第２容量素子５０を設けることにより、送信フィルタ１０の通過特性を維持しながら、送信フィルタ１０の相手帯の減衰を大きくすることができることが分かった。
図８は、本実施例による受信フィルタ２０の通過特性と比較例による受信フィルタの通過特性とを示す図である。図８に示すように、本実施例による受信フィルタ２０の通過特性と比較例による受信フィルタの通過特性とを、シミュレーションにより求めた。図８に示すように、受信フィルタの通過帯域Ｒ２において、本実施例による受信フィルタ２０の減衰は、比較例による受信フィルタの減衰に比べて、大きくはならなかった。すなわち、本実施例によれば、第１容量素子４０及び第２容量素子５０を複合フィルタ装置１００に設ける場合でも、受信フィルタ２０の通過特性が維持されることが分かった。
図９は、本実施例による送信フィルタ１０の減衰特性と比較例による送信フィルタの減衰特性とを示す図である。図９に示すように、本実施例による送信フィルタ１０の減衰特性と比較例による送信フィルタの減衰特性とを、シミュレーションにより求めた。図９に示すように、通過帯域Ｒ２よりも高い周波数帯域において、本実施例による送信フィルタ１０の減衰特性の極位置が、比較例による送信フィルタの減衰特性の極位置に対して、低周波側にシフトした。また、本実施例による送信フィルタ１０の減衰が、比較例による送信フィルタの減衰よりも大きく低下している帯域はなく、本実施例による送信フィルタ１０の減衰特性は、比較例による送信フィルタの減衰特性に対して悪化していないことが分かった。
図１０は、本実施例による受信フィルタ２０の減衰特性と比較例による受信フィルタの減衰特性とを示す図である。図１０に示すように、本実施例による受信フィルタ２０の減衰特性と比較例による受信フィルタの減衰特性とを、シミュレーションにより求めた。図１０に示すように、通過帯域Ｒ１及びＲ２以外の帯域において、本実施例による受信フィルタ２０の減衰が、比較例による送信フィルタの減衰よりも大きくなった。従って、本実施例による受信フィルタ２０の減衰特性は、比較例による受信フィルタの減衰特性よりも改善していることが分かった。
図１１は、本実施例による複合フィルタ装置１００のアイソレーション特性と比較例による複合フィルタ装置のアイソレーション特性とを示す図である。図１１に示すように、本実施例による複合フィルタ装置１００のアイソレーション特性と比較例による複合フィルタ装置のアイソレーション特性とを、シミュレーションにより求めた。図１１に示すように、通過帯域Ｒ１では、本実施例による複合フィルタ装置１００の減衰は、比較例による複合フィルタ装置の減衰に対して小さくならなかった。従って、通過帯域Ｒ１では、本実施例による複合フィルタ装置１００のアイソレーション特性は、比較例による複合フィルタ装置のアイソレーション特性に対して悪化していないことが分かった。そして、通過帯域Ｒ２では、本実施例による複合フィルタ装置１００の減衰は、比較例による複合フィルタ装置の減衰に対して大きくなった。従って、通過帯域Ｒ２では、本実施例による複合フィルタ装置１００のアイソレーション特性は、比較例による複合フィルタ装置のアイソレーション特性に対して改善していることが分かった。
上記の結果から、本実施例による複合フィルタ装置１００では、比較例による複合フィルタに対して、送信フィルタ１０及び受信フィルタ２０の通過特性が悪化するのを防止しながら、受信フィルタ２０の減衰特性及びアイソレーション特性を改善できることが分かった。
［本実施形態の変形例］
（第１変形例）
上記実施形態では、第１容量素子４０及び第２容量素子５０を、共通の信号線２３（接続点２３ａ）に接続する例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、図１２に示すように、第１変形例による複合フィルタ装置２００は、信号線２２に第１容量素子２４０が接続され、信号線２３に第２容量素子２５０が接続されていてもよい。この構成によっても、第１容量素子２４０により、図１２に示すように、第１容量素子２４０、送信フィルタ１０内のアンテナ側の共振子、受信フィルタ２０のアンテナ側の共振子を含む閉回路が形成される。これにより、送信フィルタ１０における通過帯域Ｒ２（受信フィルタ２０の通過帯域）の極位置が変化して減衰特性を変化させることができる。また、第２容量素子２５０が、受信フィルタ２０の信号線２３（ＨＯＴ線）と基準電位電極Ｇ２１ａとの間に接続されることにより、第２容量素子２５０、直列腕共振子Ｓ２３、及び並列腕共振子Ｐ２２を含む閉回路と、第２容量素子２５０、直列腕共振子Ｓ２３及びＳ２２、及び並列腕共振子Ｐ２１を含む閉回路と、が形成される。これにより、これらの共振子のうちの一部の共振子の容量値が変化し、受信フィルタ２０における通過帯域以外の帯域における減衰特性を変化させることが可能になる。そして、第１容量素子２４０と第２容量素子２５０とが共に受信フィルタ２０のＨＯＴ線（信号線２２又は２３）に接続されるので、送信フィルタ１０及び受信フィルタ２０のインピーダンスの調整が容易になる。この結果、通過特性の悪化を防止しながら、送信フィルタ１０における相手帯域の減衰特性、受信フィルタ２０における通過帯域以外の帯域における減衰特性、受信フィルタ２０の通過帯域におけるアイソレーション特性を改善することができる。
（第２変形例）
上記実施形態では、第１容量素子４０及び第２容量素子５０の両方を、ＩＤＴ電極から構成する例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、第２変形例による複合フィルタ装置には、誘電体３０３を含む第１容量素子３４０が設けられている。第１容量素子３４０は、例えば、圧電基板３０上に形成されている。そして、図１３Ａに示すように、電極３０１及び３０２と、電極３０１及び３０２の間に配置された誘電体３０３とを含む。これにより、電極３０１及び３０２間に電気容量が形成される。なお、第２変形例による複合フィルタ装置には、電極３０１及び３０２と、電極３０１及び３０２の間に配置された誘電体３０３とを含む、第２容量素子３５０が設けられていてもよい。この場合、第１容量素子３４０の容量は、電極間隔ｔ１（誘電体３０３の厚み）と、図１３Ｂに示すように、電極３０１と電極３０２とが平面視で重なる面積Ｓ１により定まる。なお、図１３Ｂでは、電極３０１と電極３０２とが重なった部分を、ハッチングにより図示している。また、第２容量素子３５０の容量は、電極間隔ｔ２（誘電体３０３の厚み）と、電極３０１と電極３０２とが平面視で重なる面積Ｓ２により定まる。なお、図１３Ａでは、電極間隔ｔ１と電極間隔ｔ２とを等しく記載し、図１３Ｂでは、面積Ｓ１と面積Ｓ２とを等しく記載しているが、本開示はこれに限らない。第１実施形態のように、第１容量素子３４０の電気容量が、第２容量素子３５０の電気容量よりも大きくなるように、電極間隔ｔ１が電極間隔ｔ２よりも小さいか、又は、面積Ｓ１が面積Ｓ２よりも大きくてもよい。また、第１容量素子３４０の電気容量が、第２容量素子３５０の電気容量よりも小さくなるように、電極間隔ｔ１が電極間隔ｔ２よりも大きいか、又は、面積Ｓ１が面積Ｓ２よりも小さくてもよい。
（第３変形例）
上記実施形態では、第１容量素子４０及び第２容量素子５０には、反射器を設けない例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、図１４に示すように、第３変形例による複合フィルタ装置は、ＩＤＴ電極４１の両側に反射器４０１及び４０２が配置された第１容量素子４４０を備える。なお、第３変形例による複合フィルタ装置は、反射器４０１及び４０２を有する第２容量素子４５０を備えてもよい。
（第４変形例）
上記実施形態では、複合フィルタ装置１００をデュプレクサとして構成する例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、図１５に示すように、第４変形例による複合フィルタ装置５００は、送信フィルタ１０と、受信フィルタ２０と、１つ又は複数のフィルタ５０１～５０３とを含む。すなわち、複合フィルタ装置５００は、マルチプレクサとして構成されてもよい。
（その他の変形例）
以上、実施の形態及び変形例を説明したが、上述した実施の形態及び変形例は本開示を実施するための例示に過ぎない。よって、本開示は上述した実施の形態及び変形例に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態及び変形例を適宜変形して実施することが可能である。
（１）上記実施形態では、複合フィルタ装置に、送信フィルタと受信フィルタとを設ける例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、複合フィルタ装置を、互いに通過帯域が異なる複数の送信フィルタのみから構成してもよいし、複合フィルタ装置を、互いに通過帯域が異なる複数の受信フィルタのみから構成してもよい。
（２）上記実施形態では、基準電位を、グラウンドの電位とする例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、基準電位を、グラウンドの電位とは異なる所定の一定の電位に設定してもよい。
（３）上記実施形態では、複合フィルタ装置を、３ＧＰＰ規格に規定された周波数帯にて使用される移動体通信を対象に用いる例を示したが、本開示はこれに限られない。すなわち、３ＧＰＰ規格の他の周波数帯域に用いてもよい。例えば、テレビジョン放送の周波数帯域に用いてもよい。
（４）上記実施形態では、第１容量素子及び第２容量素子の電極指が延びる方向を、共振子の電極指が延びる方向に直交させる例を示したが、本開示はこれに限られない。第１容量素子及び第２容量素子の電極指が延びる方向を、共振子の電極指が延びる方向に対して、０度よりも大きく９０度未満の角度で交差させてもよい。また、第１容量素子及び第２容量素子の電極指が延びる方向と、共振子の電極指が延びる方向とが同じ方向であってもよい。
（５）上記実施形態では、第１容量素子と第２容量素子とを圧電基板上で隣り合って配置する例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、第１容量素子と第２容量素子との間に、共振子が配置されていてもよい。
（６）上記実施形態では、第１容量素子の電気容量が、第２容量素子の電気容量よりも大きい例を示したが、本開示はこれに限られない。すなわち、第１容量素子の電気容量が、第２容量素子の電気容量以下であってもよい。
上述した複合フィルタ装置は、以下のように説明することもできる。
第１の構成に係る複合フィルタ装置は、第１基準電位電極及び第２基準電位電極が配置された圧電基板と、第１の通過帯域を有する第１弾性波フィルタと、前記第１の通過帯域よりも高い第２の通過帯域を有する第２弾性波フィルタと、前記第１基準電位電極に一端が接続された第１容量素子と、前記第２基準電位電極に一端が接続された第２容量素子と、を備え、前記第１弾性波フィルタは、前記圧電基板上に配置された第１並列腕共振子であって、前記第１基準電位電極に接続された第１並列腕共振子を含み、前記第２弾性波フィルタは、前記圧電基板上に配置された第２並列腕共振子であって、前記第２基準電位電極に接続された第２並列腕共振子と、複数の直列腕共振子とを含み、前記第１容量素子の他端は、前記複数の直列腕共振子を接続する信号線に接続されており、前記第２容量素子の他端は、前記複数の直列腕共振子を接続する信号線に接続されている（第１の構成）。
上記第１の構成によれば、第１容量素子によって、第１弾性波フィルタの一部の容量値が変化して、第１の通過帯域よりも高周波数側の帯域において、第１弾性波フィルタの減衰特性を局所的に変化させることができる。また、第２容量素子によって、第２弾性波フィルタの一部に対して並列に容量が加わるため、第２弾性波フィルタの減衰特性を局所的に変化させることができる。そして、第１容量素子と第２容量素子とが共に第２弾性波フィルタ内の複数の直列腕共振子を接続する信号線に接続されることにより、減衰特性を調整することができる帯域を拡大することができる。また、第１容量素子と第２容量素子とが接続されることにより、第１弾性波フィルタのインピーダンス特性と第２弾性波フィルタのインピーダンス特性とを、それぞれ調整することができる。この結果、第１弾性波フィルタ及び第２弾性波フィルタのうちの一方のインピーダンス特性の調整の影響が、他方の通過特性に影響を及ぼすのを防止することができる。これらの結果、通過特性が悪化するのを防止しながら、減衰特性及びアイソレーション特性を改善することができる。
第１の構成において、前記複数の直列腕共振子は、第１直列腕共振子と、前記第１直列腕共振子に直接に接続された第２直列腕共振子と、を含んでもよい。前記第１容量素子の他端及び前記第２容量素子の他端は、前記第１直列腕共振子と前記第２直列腕共振子との間に接続されていてもよい。（第２の構成）。
第２の構成において、前記第１容量素子と前記第２容量素子とは、平面視において、前記第１直列腕共振子及び前記第２直列腕共振子のいずれか一方と前記第１並列腕共振子との間に配置されてもよい（第３の構成）。
第１～第３の構成のいずれか１つにおいて、第１弾性波フィルタ及び第２弾性波フィルタの少なくとも一方は、第１ＩＤＴ電極を含んでもよい。第１容量素子及び第２容量素子の少なくとも一方は、第２ＩＤＴ電極を含んでもよい（第４の構成）。
第４の構成において、第２ＩＤＴ電極の電極指が延びる方向は、第１ＩＤＴ電極の櫛歯が延びる方向に対して交差してもよい（第５の構成）。
第１～第５の構成のいずれか１つにおいて、第１容量素子と第２容量素子とは、平面視で隣り合って配置されてもよい（第６の構成）。
第６の構成において、第２容量素子と第２基準電位電極とは、平面視で隣り合って配置されていてもよい（第７の構成）。
第１～第７の構成のいずれか１つにおいて、第１容量素子の電気容量は、第２容量素子の電気容量よりも大きく構成されてもよい（第８の構成）。
第１～第８の構成のいずれか１つにおいて、第１弾性波フィルタは、送信フィルタであってもよい。第２弾性波フィルタは、受信フィルタであってもよい（第９の構成）。
１０…送信フィルタ、２０…受信フィルタ、２１～２４…信号線、２３ａ…接続点、３０…圧電基板、４０，２４０，３４０，４４０…第１容量素子、４１…第１容量素子のＩＤＴ電極、５１…第２容量素子のＩＤＴ電極、６１…共振子のＩＤＴ電極、４１ａ，４１ｂ…第１容量素子の電極指、５１ａ，５１ｂ…第２容量素子の電極指、６１ａ，６１ｂ…共振子の電極指、５０，２５０，３５０，４５０…第２容量素子、１００，２００，５００…複合フィルタ装置、Ｇ１１～Ｇ１３，Ｇ２１，Ｇ２２…基準電位端子、Ｐ１１～Ｐ１３，Ｐ２１～Ｐ２５…並列腕共振子、Ｓ１１～Ｓ１４，Ｓ２１ａ～Ｓ２５ｂ…直列腕共振子

Claims (9)

  1. 第１基準電位電極及び第２基準電位電極が配置された圧電基板と、
    第１の通過帯域を有する第１弾性波フィルタと、
    前記第１の通過帯域よりも高い第２の通過帯域を有する第２弾性波フィルタと、
    前記第１基準電位電極に一端が接続された第１容量素子と、
    前記第２基準電位電極に一端が接続された第２容量素子と、を備え、
    前記第１弾性波フィルタは、前記圧電基板上に配置された第１並列腕共振子であって、前記第１基準電位電極に接続された第１並列腕共振子を含み、
    前記第２弾性波フィルタは、前記圧電基板上に配置された第２並列腕共振子であって、前記第２基準電位電極に接続された第２並列腕共振子と、複数の直列腕共振子とを含み、
    前記第１容量素子の他端は、前記複数の直列腕共振子を接続する信号線に接続されており、
    前記第２容量素子の他端は、前記複数の直列腕共振子を接続する信号線に接続されている、複合フィルタ装置。
  2. 前記複数の直列腕共振子は、第１直列腕共振子と、前記第１直列腕共振子に直接に接続された第２直列腕共振子と、を含み、
    前記第１容量素子の他端及び前記第２容量素子の他端は、前記第１直列腕共振子と前記第２直列腕共振子との間に接続されている、請求項１に記載の複合フィルタ装置。
  3. 前記第１容量素子と前記第２容量素子とは、平面視において、前記第１直列腕共振子及び前記第２直列腕共振子のいずれか一方と前記第１並列腕共振子との間に配置されている、請求項２に記載の複合フィルタ装置。
  4. 前記第１弾性波フィルタ及び前記第２弾性波フィルタの少なくとも一方は、第１ＩＤＴ電極を含み、
    前記第１容量素子及び前記第２容量素子の少なくとも一方は、第２ＩＤＴ電極を含む、請求項１に記載の複合フィルタ装置。
  5. 前記第２ＩＤＴ電極の電極指が延びる方向は、前記第１ＩＤＴ電極の電極指が延びる方向に対して交差している、請求項４に記載の複合フィルタ装置。
  6. 前記第１容量素子と前記第２容量素子とは、平面視で隣り合って配置されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の複合フィルタ装置。
  7. 前記第２容量素子と前記第２基準電位電極とは、平面視で隣り合って配置されている、請求項６に記載の複合フィルタ装置。
  8. 前記第１容量素子の電気容量は、前記第２容量素子の電気容量よりも大きい、請求項１～５のいずれか１項に記載の複合フィルタ装置。
  9. 前記第１弾性波フィルタは、送信フィルタであり、
    前記第２弾性波フィルタは、受信フィルタである、請求項１～５のいずれか１項に記載の複合フィルタ装置。
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