CN117639719A - 复合滤波器装置 - Google Patents

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CN117639719A CN202311047970.2A CN202311047970A CN117639719A CN 117639719 A CN117639719 A CN 117639719A CN 202311047970 A CN202311047970 A CN 202311047970A CN 117639719 A CN117639719 A CN 117639719A
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Abstract

提供一种复合滤波器装置，能够防止通过特性恶化并且改善衰减特性及隔离特性。复合滤波器装置(100)具备压电基板、发送滤波器(10)、接收滤波器(20)、第一电容元件(40)以及第二电容元件(50)。发送滤波器(10)具有与基准电位电极(G13a)连接的并联臂谐振器(P13)。接收滤波器(20)具有与基准电位电极(G21a)连接的并联臂谐振器(P22)。第一电容元件(40)连接在接收滤波器(20)内的信号线(23)与基准电位电极(G13a)之间。第二电容元件(50)与接收滤波器(20)内的信号线(23)及基准电位电极(G21a)连接。

Description

复合滤波器装置
技术领域
本公开涉及复合滤波器装置。
背景技术
以往，已知有一种复合滤波器装置。例如在专利文献1中公开了这样的复合滤波器装置。
上述专利文献1的复合滤波器装置包括高频侧滤波器及低频侧滤波器。高频侧滤波器及低频侧滤波器形成在共同的压电基板上。高频侧滤波器及低频侧滤波器分别构成为梯型滤波器。高频侧滤波器的并联臂的一端经由第一导电材料而与接地电位连接。另外，低频侧滤波器的并联臂的一端经由与第一导电材料单独配置的第二导电材料而与接地电位连接。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-070489号公报
发明内容
发明要解决的课题
本公开的目的在于，提供一种能够防止通过特性恶化并且改善衰减特性及隔离特性的复合滤波器装置。
用于解决课题的手段
本公开的一方式的复合滤波器装置具备：压电基板，其配置有第一基准电位电极及第二基准电位电极；第一弹性波滤波器，其具有第一通带；第二弹性波滤波器，其具有比所述第一通带高的第二通带；第一电容元件，其一端与所述第一基准电位电极连接；以及第二电容元件，其一端与所述第二基准电位电极连接，所述第一弹性波滤波器包括配置在所述压电基板上且与所述第一基准电位电极连接的第一并联臂谐振器，所述第二弹性波滤波器包括第二并联臂谐振器以及多个串联臂谐振器，所述第二并联臂谐振器配置在所述压电基板上且与所述第二基准电位电极连接，所述第一电容元件的另一端与连接所述多个串联臂谐振器的信号线连接，所述第二电容元件的另一端与连接所述多个串联臂谐振器的信号线连接。
发明效果
根据上述的结构，能够提供能够防止通过特性恶化并且改善衰减特性及隔离特性的复合滤波器装置。
附图说明
图1是一实施方式的复合滤波器装置100的电路图。
图2是一实施方式的复合滤波器装置100的俯视图。
图3是示意性示出一实施方式的谐振器S111的结构的图。
图4是用于说明压电基板30上的第一电容元件40和第二电容元件50的配置位置的图。
图5是示意性示出一实施方式的第一电容元件40的结构的图。
图6是示意性示出一实施方式的第二电容元件50的结构的图。
图7是示出一实施方式的实施例的发送滤波器10的通过特性和比较例的发送滤波器的通过特性的图。
图8是示出一实施方式的实施例的接收滤波器20的通过特性和比较例的接收滤波器的通过特性的图。
图9是示出一实施方式的实施例的发送滤波器10的衰减特性和比较例的发送滤波器的衰减特性的图。
图10是示出一实施方式的实施例的接收滤波器20的衰减特性和比较例的接收滤波器的衰减特性的图。
图11是示出一实施方式的实施例的复合滤波器装置100的隔离特性和比较例的复合滤波器装置的隔离特性的图。
图12是示出一实施方式的第一变形例的复合滤波器装置200的结构的图。
图13A是示出一实施方式的第二变形例的第一电容元件340的结构的剖视图。
图13B是示出一实施方式的第二变形例的第一电容元件340的结构的俯视图。
图14是示出一实施方式的第三变形例的第一电容元件440的结构的图。
图15是示出一实施方式的第四变形例的复合滤波器装置500的结构的图。
附图标记说明
10…发送滤波器，20…接收滤波器，21～24…信号线，23a…连接点，30…压电基板，40、240、340、440…第一电容元件，41…第一电容元件的IDT电极，51…第二电容元件的IDT电极，61…谐振器的IDT电极，41a、41b…第一电容元件的电极指，51a、51b…第二电容元件的电极指，61a、61b…谐振器的电极指，50、250、350、450…第二电容元件，100、200、500…复合滤波器装置，G11～G13、G21、G22…基准电位端子，P11～P13、P21～P25…并联臂谐振器，S11～S14、S21a～S25b…串联臂谐振器。
具体实施方式
在具有形成了第一弹性波滤波器和第二弹性波滤波器的压电基板的复合滤波器装置中，期望改善第二弹性波滤波器的衰减特性及隔离特性，该第一弹性波滤波器具有第一通带，该第二弹性波滤波器具有比第一通带高的第二通带。
于是，考虑通过在第二弹性波滤波器与基准电位之间设置电容元件，来改善第二弹性波滤波器的衰减特性及隔离特性。但是，由于设置该电容元件，导致第一弹性波滤波器中的第一通带的阻抗的电容性分量及第二弹性波滤波器中的第二通带的阻抗的电容性分量的双方增大。其结果是，存在复合滤波器装置的通过特性恶化这样的问题点。
本申请发明人鉴于这样的课题，想到了能够防止通过特性恶化并且改善衰减特性及隔离特性的复合滤波器装置。
以下，基于附图对本公开的一实施方式进行说明。需要说明的是，本公开不限定于以下的实施方式，能够在满足本公开的结构的范围内适当进行设计变更。另外，在以下的说明中，针对相同部分或具有同样的功能的部分，在不同的附图之间共同地使用相同的标记，省略其重复说明。另外，实施方式和变形例所记载的各结构可以在不脱离本公开的主旨的范围内适当组合，也可以适当变更。另外，为了使说明容易理解，在以下参照的附图中，简化或示意化地示出结构，或者省略一部分结构构件。另外，各图所示的结构构件间的尺寸比不一定表示实际的尺寸比。
(复合滤波器装置100的整体结构)
图1是本实施方式的复合滤波器装置100的电路图。复合滤波器装置100具备发送滤波器10和接收滤波器20。在本实施方式中，复合滤波器装置100是双工器。接收滤波器20的通带是比发送滤波器10的通带高的频带。能够将700MHz至6GHz频带的通信作为对象来使用复合滤波器装置100。例如，能够将由3GPP(注册商标)(Third Generation PartnershipProject，第三代合作伙伴计划)标准规定的频带作为对象来使用复合滤波器装置100。
如图1所示，复合滤波器装置100具备与天线(未图示)连接的天线端子1、发送端子2、以及接收端子3。另外，发送滤波器10配置在天线端子1与发送端子2之间。接收滤波器20配置在天线端子1与接收端子3之间。如图1所示，发送滤波器10及接收滤波器20分别包括梯形电路，该梯形电路包括多个串联臂谐振器及多个并联臂谐振器。
另外，如图1所示，复合滤波器装置100包括基准电位端子G11、G12、G13、G21及G22。基准电位端子G11、G12、G13、G21及G22分别是接地凸起，经由布线而与接地电位连接。包括基准电位端子G11、G12、G13、G21及G22。基准电位端子G11、G12、G13、G21及G22例如由凸起、导电性粘接剂等导电性的连接构件构成，该凸起由Au、焊料构成。
在本实施方式中，复合滤波器装置100包括第一电容元件40及第二电容元件50。第一电容元件40配置在接收滤波器20内的信号线23与基准电位端子G13之间。第二电容元件50配置在接收滤波器20内的信号线23与基准电位端子G21之间。通过第一电容元件40及第二电容元件50，能够防止复合滤波器装置100中的通过特性恶化，并且改善接收滤波器20的衰减特性及隔离特性。
图2是本实施方式的复合滤波器装置100的俯视图。为了方便说明，规定X轴和Y轴，以表示图2中的方向。图2所示的X轴在图2的纸面中是水平轴。将在图2的纸面中沿着X轴从左向右的方向设为X1方向，将从右向左的方向设为X2方向。在以下的说明中，有时将沿着X轴的方向并且无关乎左右方向的方向称为“X方向”。同样地，将在图2的纸面中沿着Y轴从下向上的方向设为Y1方向，将从上向下的方向设为Y2方向。有时将沿着Y轴的方向并且无关乎上下方向的方向称为“Y方向”。在图3以后也相同。如图2所示，复合滤波器装置100包括压电基板30。压电基板30例如包括LiTiO3及LiNbO3等压电单晶。需要说明的是，压电基板30不限于压电单晶，也可以由压电陶瓷构成。另外，压电基板30也可以是在支承基板上配置有压电性薄膜的层叠构造体。发送滤波器10及接收滤波器20配置在压电基板30上。
如图2所示，在压电基板30上，形成有与天线端子1连接的天线电极1a、与发送端子2连接的发送电极2a、以及与接收端子3连接的接收电极3a。另外，在压电基板30上，形成有与基准电位端子G11、G12及G13分别连接的基准电位电极G11a、G12a及G13a。另外，在压电基板30上，形成有与基准电位端子G21及G22分别连接的基准电位电极G21a及G22a。天线电极1a、发送电极2a、接收电极3a及基准电位电极G11a、G12a、G13a、G21a及G22a例如由包括Al、Cu、Ag、Au、Pt或者以它们为主体的合金等的金属材料构成。
如图2所示，发送电极2a、基准电位电极G13a、G21a、接收电极3a在Y2方向上依次相互隔开间隔地配置在压电基板30上。另外，基准电位电极G11a在从发送电极2a观察时位于X1方向。而且，基准电位电极G11a、G12a、天线电极1a及基准电位电极G22a在Y2方向上依次相互隔开间隔地配置在压电基板30上。
(发送滤波器10的结构)
如图1所示，发送滤波器10包括串联臂谐振器S11、S12、S13及S14、以及并联臂谐振器P11、P12及P13。串联臂谐振器S11～S14及并联臂谐振器P11～P13分别由声表面波谐振器构成。需要说明的是，在图1中，将串联臂谐振器S11、S12、S13及S14、以及并联臂谐振器P11、P12及P13分别图示为一个谐振器，但不限于此。即，串联臂谐振器S11、S12、S13及S14和并联臂谐振器P1 1、P12及P13分别也可以由多个声表面波谐振器构成。即，在图1中，为了说明，将在多个声表面波谐振器彼此之间不包含向具有其他谐振器的信号路径分支的分支点且串联连接了多个声表面波谐振器的谐振器组统一表述为一个谐振器。需要说明的是，各声表面波谐振器的结构(对数、交叉宽度及间距等)也可以互不相同。
如图1所示，串联臂谐振器S11～S14在发送端子2与天线端子1之间串联连接。另外，发送滤波器10包括信号线11、12及13。这里，“信号线”是指，连结输入输出端子的信号路径上的布线中的、将多个串联臂谐振器相互直接连接的布线。“将多个串联臂谐振器相互直接连接”是指，在相互连接的多个(例如，两个)串联臂谐振器之间，没有串联连接其他谐振器。信号线11是将串联臂谐振器S11与串联臂谐振器S12直接连接的布线。信号线12是将串联臂谐振器S12与串联臂谐振器S13直接连接的布线。信号线13是将串联臂谐振器S13与串联臂谐振器S14直接连接的布线。而且，并联臂谐振器P11的一端与基准电位端子G11连接。并联臂谐振器P11的另一端与信号线11连接。并联臂谐振器P12的一端与基准电位端子G12连接。并联臂谐振器P12的另一端与信号线12连接。并联臂谐振器P13的一端与基准电位端子G1 3连接。并联臂谐振器P13的另一端与信号线13连接。即，在发送滤波器10中构成梯型的不平衡电路。信号线11～13是发送滤波器10中的HOT线。
这里，在图2中，为了说明，将各谐振器图示为在矩形状的框(口)中记载×记号。另外，在图2所示的各谐振器中，包括之后参照图3叙述的IDT电极61和反射器62及63。需要说明的是，谐振器不限于图3的例子，也可以在谐振器中不设置反射器62及63。如图2所示，发送滤波器10在压电基板30上在从接收滤波器20观察时位于Y1方向。串联臂谐振器S11例如包括谐振器S111、S112、S113及S114。谐振器S111、S112、S113及S114在Y2方向上依次排列地配置在压电基板30上。谐振器S111与发送电极2a连接。谐振器S111、S112、S113及S114串联连接。
并联臂谐振器P11例如包括谐振器P111及P112。谐振器P111及P112在从谐振器S114观察时在Y2方向的位置沿X方向排列配置。谐振器P111与谐振器S114及谐振器P112连接。谐振器P112与基准电位电极G11a连接。
串联臂谐振器S12例如包括谐振器S121、S122、S123及S124。谐振器S121在从谐振器P111及P112观察时位于Y2方向。谐振器S121、S122、S123及S124沿Y2方向排列配置。谐振器S121与谐振器S114及谐振器P111连接。谐振器S121、S122、S123及S124依次串联连接。
并联臂谐振器P12与谐振器S124及基准电位电极G12a连接。并联臂谐振器P12在从谐振器S124观察时位于Y2方向。需要说明的是，并联臂谐振器P12及P13、以及串联臂谐振器S13及S14包括相互串联连接的多个谐振器，对此未图示。
串联臂谐振器S13与谐振器S124及并联臂谐振器P12连接。串联臂谐振器S13在从谐振器S124观察时位于Y2方向，并且在从并联臂谐振器P12观察时位于X2方向。
并联臂谐振器P13与串联臂谐振器S13及基准电位电极G13a连接。并联臂谐振器P13在从串联臂谐振器S13观察时位于Y2方向。
串联臂谐振器S14与串联臂谐振器S13、并联臂谐振器P13及天线电极1a连接。串联臂谐振器S14在从并联臂谐振器P12观察时位于Y2方向。
(接收滤波器20的结构)
如图1所示，接收滤波器20包括串联臂谐振器S21a、S21b、S22、S23、S24、S25a及S25b、以及并联臂谐振器P21、P22、P23a、P23b及P24。串联臂谐振器S21a～S25b及并联臂谐振器P21～P24分别由声表面波谐振器构成。需要说明的是，在图1中，将串联臂谐振器S21a、S21b、S22、S23、S24、S25a及S25b、以及并联臂谐振器P21、P22、P23a、P23b及P24分别图示为一个谐振器，但不限于此。即，串联臂谐振器S21a、S21b、S22、S23、S24、S25a及S25b、以及并联臂谐振器P21、P22、P23及P24分别也可以由多个声表面波谐振器构成。即，在图1中，为了说明，将在多个声表面波谐振器彼此之间不包含向具有其他谐振器的信号路径分支的分支点且串联连接了多个声表面波谐振器的谐振器组统一表述为一个谐振器。需要说明的是，各声表面波谐振器的结构(对数、交叉宽度及间距等)也可以互不相同。
如图1所示，串联臂谐振器S21a、S22、S23、S24及S25a在接收端子3与天线端子1之间串联连接。串联臂谐振器S21a及S21b并联连接。串联臂谐振器S25a及S25b并联连接。
另外，接收滤波器20包括信号线21、22、23及24。信号线21是将串联臂谐振器S21a及S21b与串联臂谐振器S22直接连接的布线。信号线22是将串联臂谐振器S22与串联臂谐振器S23直接连接的布线。信号线23是将串联臂谐振器S23与串联臂谐振器S24直接连接的布线。信号线24是将串联臂谐振器S24与串联臂谐振器S25a及S25b直接连接的布线。并联臂谐振器P21的一端与基准电位端子G21连接。并联臂谐振器P21的另一端与信号线21连接。并联臂谐振器P22的一端与基准电位端子G21连接。并联臂谐振器P22的另一端与信号线22连接。并联臂谐振器P23a的一端与并联臂谐振器P23b连接。并联臂谐振器P23a的另一端与信号线23连接。并联臂谐振器P23b的一端与基准电位端子G22连接。并联臂谐振器P23b的另一端与并联臂谐振器P23a连接。并联臂谐振器P24的一端与基准电位端子G22连接。并联臂谐振器P24的另一端与信号线24连接。即，在接收滤波器20中包括梯型的不平衡电路。信号线21～24是接收滤波器20中的HOT线。
如图2所示，接收滤波器20配置在压电基板30上。串联臂谐振器S21b配置在形成于压电基板30上的元件中的Y2方向上的最端部。串联臂谐振器S21a及S21b在X方向上排列配置。串联臂谐振器S21a及S21b均与接收电极3a连接。
并联臂谐振器P21在从串联臂谐振器S21b观察时位于Y1方向。并联臂谐振器P21与串联臂谐振器S21a及S21b、以及基准电位电极G21a连接。
串联臂谐振器S22在从串联臂谐振器S21b观察时位于Y1方向，并且位于并联臂谐振器P21与串联臂谐振器S21a之间。串联臂谐振器S22与串联臂谐振器S21a及S21b、以及并联臂谐振器P21及P22连接。
并联臂谐振器P22在从并联臂谐振器P21观察时位于Y1方向。并联臂谐振器P22与并联臂谐振器P21、串联臂谐振器S22、以及基准电位电极G21a连接。
串联臂谐振器S23在从并联臂谐振器P22观察时位于Y1方向。串联臂谐振器S23与串联臂谐振器S22及并联臂谐振器P22连接。
并联臂谐振器P23a在从串联臂谐振器S22观察时位于Y1方向。并联臂谐振器P23a与并联臂谐振器P23b及串联臂谐振器S23连接。并联臂谐振器P23b在从并联臂谐振器P23a观察时位于X1方向。并联臂谐振器P23b与基准电位电极G22a连接。
串联臂谐振器S24在从串联臂谐振器S23观察时位于Y1方向。串联臂谐振器S24与串联臂谐振器S23及并联臂谐振器P23a连接。
并联臂谐振器P24在从并联臂谐振器P23b观察时位于Y1方向。并联臂谐振器P24与并联臂谐振器P23b、串联臂谐振器S24及基准电位电极G22a连接。
串联臂谐振器S25a包括谐振器S251a及S251b。谐振器S251a及S251b在从并联臂谐振器P24观察时位于Y1方向。谐振器S251a及S251b串联连接。谐振器S251a与天线电极1a及串联臂谐振器S14连接。谐振器S251b与并联臂谐振器P24及串联臂谐振器S24连接。串联臂谐振器S25a与天线电极1a相邻地配置。
串联臂谐振器S25b在从串联臂谐振器S24观察时位于Y1方向。串联臂谐振器S25b与天线电极1a、串联臂谐振器S14及谐振器S251b连接。
(谐振器S111的结构)
图3是示意性示出本实施方式的谐振器S111的结构的图。谐振器S111具备IDT(Inter Digital Transducer，叉指换能器)电极61、在从IDT电极61观察时配置于X2方向的反射器62、以及在从IDT电极61观察时配置于X1方向的反射器63。例如，IDT电极61和反射器62及63由包括A1、Cu、Ag、Au、Pt或者以它们为主体的合金等的金属材料构成。IDT电极61包括多个电极指61a与多个电极指61b相互进入的一对梳齿电极、以及汇流条61c及61d。多个电极指61a从汇流条61c向Y2方向延伸。多个电极指61b从汇流条61d向Y1方向延伸。由此，在压电基板30上产生的弹性波沿X方向传播。需要说明的是，在谐振器S111以外的其他谐振器(发送滤波器10中的各谐振器及接收滤波器20中的各谐振器)中，电极指也沿Y1方向或Y2方向延伸。另外，谐振器S111以外的其他谐振器，相对于谐振器S111，虽然电极指的根数、电极指的Y方向的长度、电极指的宽度及电极指与电极指的间隔等各参数不同，但基本结构与谐振器S111相同，因此，省略说明及图示。
(第一电容元件40及第二电容元件50的结构)
如图1所示，第一电容元件40配置在接收滤波器20内的信号线23与基准电位端子G13之间。第二电容元件50配置在接收滤波器20内的信号线23与基准电位端子G21之间。将第一电容元件40及第二电容元件50与信号线23连接的部位设为连接点23a。需要说明的是，“连接点23a”是为了图1的电路图上的说明而表现为“点”。即，第一电容元件40与信号线23的连接部位以及第二电容元件50与信号线23的连接部位不限于相同的位置，也可以是不同的位置。
通过将第一电容元件40配置在复合滤波器装置100内，如图1所示，形成包括第一电容元件40、发送滤波器10的并联臂谐振器P13、串联臂谐振器S14、接收滤波器20的串联臂谐振器S25a及S25b、串联臂谐振器S24及连接点23a的闭合电路。这里，将发送滤波器10的通带设为R1。将接收滤波器20的通带设为R2。通过形成上述的闭合电路，从而发送滤波器10中的通带R2(例如，2350MHz～2360MHz)的极位置发生变化，能够使衰减特性变化。
另外，通过将第二电容元件50连接在接收滤波器20的信号线23(HOT线)与基准电位端子G21之间，形成包括第二电容元件50、串联臂谐振器S23及并联臂谐振器P22的闭合电路、以及包括第二电容元件50、串联臂谐振器S23和S22及并联臂谐振器P21的闭合电路。由此，这些谐振器中的一部分谐振器的电容值发生变化，能够使接收滤波器20的通带以外的频带中的衰减特性变化。
另外，第一电容元件40及第二电容元件50与接收滤波器20的信号线23连接。由此，能够调整发送滤波器10及接收滤波器20各自的阻抗特性，因此，容易抑制通过特性的变化。其结果是，能够防止通过特性的恶化，并且改善发送滤波器10中的对方频带的衰减特性、接收滤波器20的通带以外的频带中的衰减特性、接收滤波器20的通带中的隔离特性。
这里，在连接第一电容元件40的信号线与连接第二电容元件50的信号线不同的情况下，在第一电容元件40连接到信号线的部位与第二电容元件50连接到信号线的部位之间包括谐振器。在该情况下，对通过特性不产生影响的范围内的可调整衰减特性的频带范围受到限制。与此相对，在图1的结构中，第一电容元件40及第二电容元件50均与连接点23a连接。由此，能够扩大可调整衰减特性的频带范围。另外，容易调整发送滤波器10及接收滤波器20各自的阻抗特性，因此，容易抑制通过特性的变化。
如图2所示，第一电容元件40和第二电容元件50配置在压电基板30上。例如，第一电容元件40和第二电容元件50在俯视下配置在发送滤波器10与接收滤波器20之间。第一电容元件40与基准电位电极G13a连接。
图4是用于说明压电基板30上的第一电容元件40和第二电容元件50的配置位置的图。如图4所示，第一电容元件40与第二电容元件50在压电基板30上在俯视下相邻地配置。“第一电容元件40与第二电容元件50相邻地配置”是指，在第一电容元件40与第二电容元件50之间未配置谐振器等其他元件，是包括在第一电容元件40与第二电容元件50之间形成有布线或空间的状态的概念。另外，第一电容元件40与第二电容元件50经由布线23b而连接。布线23b与连接点23a连接。由此，相比于第一电容元件与第二电容元件分离配置的情况，能够抑制将第一电容元件40与第二电容元件50连接的布线23b的电阻及电感增大。其结果是，能够防止布线23b对复合滤波器装置100的特性造成影响。
另外，第二电容元件50与基准电位电极G21a在俯视下相邻地配置。另外，第二电容元件50与基准电位电极G21a连接。由此，相比于第二电容元件与基准电位电极分离配置的情况，能够抑制将第二电容元件50与基准电位电极G21a连接的布线的电阻及电感增大。其结果是，能够防止将第二电容元件50与基准电位电极G21a连接的布线对复合滤波器装置100的特性造成影响。
另外，如图4所示，连接第一电容元件40与第二电容元件50的连接点23a配置在第二电容元件50与串联臂谐振器S23之间。另外，第一电容元件40与第二电容元件50在压电基板30上的俯视下配置在接收滤波器20的串联臂谐振器S23与发送滤波器10的并联臂谐振器P13之间。例如，第一电容元件40和第二电容元件50在从串联臂谐振器S23观察时配置于Y1方向。另外，第一电容元件40和第二电容元件50在从并联臂谐振器P13观察时配置于Y2方向。由此，与第一电容元件40连接的并联臂谐振器P13、以及连接第一电容元件40及第二电容元件50的串联臂谐振器S23分别成为接近第一电容元件40及第二电容元件50而配置的状态。其结果是，能够抑制将第一电容元件40与并联臂谐振器P13连接的布线的电阻及电感增大。另外，能够抑制将第二电容元件50与串联臂谐振器S23连接的布线的电阻及电感增大。需要说明的是，在本实施方式中，示出了在俯视下将第一电容元件40和第二电容元件50配置在串联臂谐振器S23与并联臂谐振器P13之间的例子，但本公开不限于该例。例如，也可以在俯视下将第一电容元件40和第二电容元件50配置在串联臂谐振器S24与并联臂谐振器P13之间。在该情况下，能够抑制将第二电容元件50与串联臂谐振器S24连接的布线的电阻及电感增大。
图5是示意性示出本实施方式的第一电容元件40的结构的图。图6是示意性示出本实施方式的第二电容元件50的结构的图。如图5所示，在本实施方式中，第一电容元件40包括IDT电极41。例如，IDT电极41由与IDT电极61相同的材料构成。例如，IDT电极41由包括Al、Cu、Ag、Au、Pt或者以它们为主体的合金等的金属材料构成。IDT电极41包括多个电极指41a与多个电极指41b相互进入的一对梳齿电极、以及汇流条41c及41d。多个电极指41a从汇流条41c向X1方向延伸。多个电极指41b从汇流条41d向X2方向延伸。即，IDT电极41的电极指41a及41b延伸的方向与IDT电极61的电极指61a及61b延伸的方向(Y1方向或Y2方向)交叉。在本实施方式中，IDT电极41的电极指41a及41b延伸的方向与IDT电极61的电极指61a及61b延伸的方向正交。
如图6所示，在本实施方式中，第二电容元件50包括IDT电极51。例如，IDT电极51由与IDT电极61相同的材料构成。例如，IDT电极51由包括A1、Cu、Ag、Au、Pt或者以它们为主体的合金等的金属材料构成。IDT电极51包括多个电极指51a与多个电极指51b相互进入的一对梳齿电极、以及汇流条51c及51d。多个电极指51a从汇流条51c向X1方向延伸。多个电极指51b从汇流条51d向X2方向延伸。即，IDT电极51的电极指51a及51b延伸的方向与IDT电极61的电极指61a及61b延伸的方向交叉。在本实施方式中，IDT电极51的电极指51a及51b延伸的方向与IDT电极61的电极指61a及61b延伸的方向正交。
另外，在本实施方式中，第一电容元件40的电容量比第二电容元件50的电容量大。例如，第一电容元件40的电容量被设定为比第二电容元件50的电容量的1倍大并且小于2倍的大小。如图5所示，第一电容元件40的电容量与IDT电极41中的电极指41a和电极指41b的在X方向上重叠的长度L1成比例。另外，第一电容元件40的电容量与电极指41a和电极指41b的X方向上的距离D1(间隙)成反比例。另外，第一电容元件40的电容量与电极指41a及41b的对数(梳齿的根数)成比例。另外，第一电容元件40的电容量与IDT电极41中的电极指41a及41b的厚度(与X轴及Y轴正交的方向的长度)成比例。另外，如图6所示，第二电容元件50的电容量与IDT电极51中的电极指51a和电极指51b的在X方向上重叠的长度L2成比例。另外，第二电容元件50的电容量与电极指51a和电极指51b的X方向上的距离D2(间隙)成反比例。另外，第二电容元件50的电容量与电极指51a及51b的对数(梳齿的根数)成比例。另外，第二电容元件50的电容量与IDT电极51中的电极指51a及51b的厚度(与X轴及Y轴正交的方向的长度)成比例。例如，在IDT电极41的厚度与IDT电极51的厚度相等且IDT电极41的梳齿的根数与IDT电极51的梳齿的根数相等的情况下，当使长度L1比长度L2大或者使距离D1比距离D2小时，第一电容元件40的电容量比第二电容元件50的电容量大。需要说明的是，不限于此，也可以使IDT电极41的厚度比IDT电极51的厚度大而使第一电容元件40的电容量比第二电容元件50的电容量大。另外，也可以使IDT电极41的梳齿的根数比IDT电极51的梳齿的根数多而使第一电容元件40的电容量比第二电容元件50的电容量大。
由此，能够防止在压电基板30上沿X1方向或X2方向传播的来自各谐振器的弹性波对IDT电极41及51造成影响。另外，能够防止IDT电极41及51对其他谐振器的影响，因此，能够防止对发送滤波器10的通过特性及接收滤波器20的通过特性造成影响。另外，由于第一电容元件40包括IDT电极41，第二电容元件50包括IDT电极51，因此，在制造发送滤波器10及接收滤波器20的IDT电极时，能够通过相同的工序并利用相同的材料来制造发送滤波器10及接收滤波器20的IDT电极。其结果是，能够削减复合滤波器装置100的制造工序数。
(本实施方式的实施例与比较例的比较结果)
参照图7～图11，比较通过仿真而求出本实施方式的复合滤波器装置100的特性的结果与比较例的结果来进行说明。
作为本实施方式的一实施例，将复合滤波器装置100构成为，发送滤波器10的通带R1成为2305MHz～2315MHz，并且接收滤波器20的通带R2成为2350MHz～2360MHz。另外，比较例是从本实施例的复合滤波器装置100去除了第一电容元件40及第二电容元件50而得到的。需要说明的是，比较例是为了确认本实施例的复合滤波器装置100的效果而构成的，不是现有技术。
图7是示出本实施例的发送滤波器10的通过特性和比较例的发送滤波器的通过特性的图。如图7所示，通过仿真求出了本实施例的发送滤波器10的通过特性和比较例的发送滤波器的通过特性。如图7所示，在本实施例的发送滤波器10中，相对于比较例的发送滤波器，发送滤波器10的通带R2的衰减的极位置发生了变化。由此，在通带R2中的至少一部分频带中，本实施例的衰减大于比较例的衰减。另外，发送滤波器的通带R1在本实施例的结果和比较例的结果中成为相同的值。因此，根据本实施例可知，通过设置第一电容元件40及第二电容元件50，能够维持发送滤波器10的通过特性，并且增大发送滤波器10的对方频带的衰减。
图8是示出本实施例的接收滤波器20的通过特性和比较例的接收滤波器的通过特性的图。如图8所示，通过仿真求出了本实施例的接收滤波器20的通过特性和比较例的接收滤波器的通过特性。如图8所示，在接收滤波器的通带R2中，本实施例的接收滤波器20的衰减与比较例的接收滤波器的衰减相比不会变大。即，根据本实施例可知，即便在将第一电容元件40及第二电容元件50设置于复合滤波器装置100的情况下，也维持了接收滤波器20的通过特性。
图9是示出本实施例的发送滤波器10的衰减特性和比较例的发送滤波器的衰减特性的图。如图9所示，通过仿真求出了本实施例的发送滤波器10的衰减特性和比较例的发送滤波器的衰减特性。如图9所示，在比通带R2高的频带中，本实施例的发送滤波器10的衰减特性的极位置相对于比较例的发送滤波器的衰减特性的极位置向低频侧偏移。另外，可知不存在本实施例的发送滤波器10的衰减与比较例的发送滤波器的衰减相比大幅下降的频带，本实施例的发送滤波器10的衰减特性相对于比较例的发送滤波器的衰减特性没有恶化。
图10是示出本实施例的接收滤波器20的衰减特性和比较例的接收滤波器的衰减特性的图。如图10所示，通过仿真求出了本实施例的接收滤波器20的衰减特性和比较例的接收滤波器的衰减特性。如图10所示，在通带R1及R2以外的频带中，本实施例的接收滤波器20的衰减大于比较例的发送滤波器的衰减。因此可知，本实施例的接收滤波器20的衰减特性与比较例的接收滤波器的衰减特性相比得到改善。
图11是示出本实施例的复合滤波器装置100的隔离特性和比较例的复合滤波器装置的隔离特性的图。如图11所示，通过仿真求出了本实施例的复合滤波器装置100的隔离特性和比较例的复合滤波器装置的隔离特性。如图11所示，在通带R1中，本实施例的复合滤波器装置100的衰减相对于比较例的复合滤波器装置的衰减不会变小。因此可知，在通带R1中，本实施例的复合滤波器装置100的隔离特性相对于比较例的复合滤波器装置的隔离特性没有恶化。而且，在通带R2中，本实施例的复合滤波器装置100的衰减相对于比较例的复合滤波器装置的衰减变大。因此可知，在通带R2中，本实施例的复合滤波器装置100的隔离特性相对于比较例的复合滤波器装置的隔离特性得到改善。
根据上述的结果可知，在本实施例的复合滤波器装置100中，相对于比较例的复合滤波器，能够防止发送滤波器10及接收滤波器20的通过特性恶化，并且改善接收滤波器20的衰减特性及隔离特性。
[本实施方式的变形例]
(第一变形例)
在上述实施方式中，示出了将第一电容元件40及第二电容元件50与共同的信号线23(连接点23a)连接的例子，但本公开不限于此。例如，如图12所示，第一变形例的复合滤波器装置200也可以是，第一电容元件240与信号线22连接，第二电容元件250与信号线23连接。即便根据该结构，也能够利用第一电容元件240，如图12所示那样形成包括第一电容元件240、发送滤波器10内的天线侧的谐振器、接收滤波器20的天线侧的谐振器的闭合电路。由此，发送滤波器10中的通带R2(接收滤波器20的通带)的极位置发生变化，能够使衰减特性变化。另外，通过将第二电容元件250连接到接收滤波器20的信号线23(HOT线)与基准电位电极G21a之间，形成包括第二电容元件250、串联臂谐振器S23及并联臂谐振器P22的闭合电路、以及包括第二电容元件250、串联臂谐振器S23和S22及并联臂谐振器P21的闭合电路。由此，这些谐振器中的一部分谐振器的电容值发生变化，能够使接收滤波器20的通带以外的频带中的衰减特性变化。而且，第一电容元件240和第二电容元件250均与接收滤波器20的HOT线(信号线22或23)连接，因此，发送滤波器10及接收滤波器20的阻抗的调整变得容易。其结果是，能够防止通过特性的恶化，并且改善发送滤波器10中的对方频带的衰减特性、接收滤波器20的通带以外的频带中的衰减特性、接收滤波器20的通带中的隔离特性。
(第二变形例)
在上述实施方式中，示出了由IDT电极构成第一电容元件40及第二电容元件50的双方的例子，但本公开不限于此。例如，如图13A及图13B所示，在第二变形例的复合滤波器装置中，设置有包括电介质303的第一电容元件340。第一电容元件340例如形成在压电基板30上。而且，如图13A所示，包括电极301及302、以及配置在电极301与302之间的电介质303。由此，在电极301与302之间形成电容量。需要说明的是，在第二变形例的复合滤波器装置中，也可以设置包括电极301及302、以及配置在电极301与302之间的电介质303的第二电容元件350。在该情况下，第一电容元件340的电容由电极间隔t1(电介质303的厚度)以及如图13B所示那样电极301与电极302在俯视下重叠的面积S1决定。需要说明的是，在图13B中，通过阴影线图示出电极301与电极302重叠的部分。另外，第二电容元件350的电容由电极间隔t2(电介质303的厚度)以及电极301与电极302在俯视下重叠的面积S2决定。需要说明的是，在图13A中，将电极间隔t1和电极间隔t2记载为相等，在图13B中，将面积S1和面积S2记载为相等，但本公开不限于此。也可以是电极间隔t1比电极间隔t2小或者面积S1比面积S2大，使得如第一实施方式那样，第一电容元件340的电容量比第二电容元件350的电容量大。另外，也可以是，电极间隔t1比电极间隔t2大或者面积S1比面积S2小，使得第一电容元件340的电容量比第二电容元件350的电容量小。
(第三变形例)
在上述实施方式中，示出了在第一电容元件40及第二电容元件50未设置反射器的例子，但本公开不限于此。例如，如图14所示，第三变形例的复合滤波器装置具备在IDT电极41的两侧配置有反射器401及402的第一电容元件440。需要说明的是，第三变形例的复合滤波器装置也可以具备具有反射器401及402的第二电容元件450。
(第四变形例)
在上述实施方式中，示出了将复合滤波器装置100构成为双工器的例子，但本公开不限于此。例如，如图15所示，第四变形例的复合滤波器装置500包括发送滤波器10、接收滤波器20、以及一个或多个滤波器501～503。即，复合滤波器装置500也可以构成为多工器。
(其他的变形例)
以上，说明了实施方式及变形例，但上述实施方式及变形例只不过是用于实施本公开的例示。因此，本公开不限定于上述实施方式及变形例，能够在不脱离其主旨的范围内对上述实施方式及变形例适当进行变形来实施。
(1)在上述实施方式中，示出了在复合滤波器装置设置发送滤波器和接收滤波器的例子，但本公开不限于此。例如，可以仅由通带互不相同的多个发送滤波器构成复合滤波器装置，也可以仅由通带互不相同的多个接收滤波器构成复合滤波器装置。
(2)在上述实施方式中，示出了将基准电位设为接地电位的例子，但本公开不限于此。例如，也可以将基准电位设定为与接地电位不同的规定的固定电位。
(3)在上述实施方式中，示出了将在由3GPP标准规定的频带中使用的移动体通信作为对象来使用复合滤波器装置的例子，但本公开不限于此。即，也可以用于3GPP标准的其他频带。例如，也可以用于电视广播的频带。
(4)在上述实施方式中，示出了使第一电容元件及第二电容元件的电极指延伸的方向与谐振器的电极指延伸的方向正交的例子，但本公开不限于此。也可以使第一电容元件及第二电容元件的电极指延伸的方向相对于谐振器的电极指延伸的方向以大于0度且小于90度的角度交叉。另外，也可以使第一电容元件及第二电容元件的电极指延伸的方向与谐振器的电极指延伸的方向为相同的方向。
(5)在上述实施方式中，示出了将第一电容元件与第二电容元件在压电基板上相邻地配置的例子，但本公开不限于此。例如，也可以在第一电容元件与第二电容元件之间配置谐振器。
(6)在上述实施方式中，示出了第一电容元件的电容量比第二电容元件的电容量大的例子，但本公开不限于此。即，第一电容元件的电容量也可以为第二电容元件的电容量以下。
也能够如以下那样说明上述的复合滤波器装置。
第一结构的复合滤波器装置具备：压电基板，其配置有第一基准电位电极及第二基准电位电极；第一弹性波滤波器，其具有第一通带；第二弹性波滤波器，其具有比所述第一通带高的第二通带；第一电容元件，其一端与所述第一基准电位电极连接；以及第二电容元件，其一端与所述第二基准电位电极连接，所述第一弹性波滤波器包括配置在所述压电基板上且与所述第一基准电位电极连接的第一并联臂谐振器，所述第二弹性波滤波器包括第二并联臂谐振器以及多个串联臂谐振器，所述第二并联臂谐振器配置在所述压电基板上且与所述第二基准电位电极连接，所述第一电容元件的另一端与连接所述多个串联臂谐振器的信号线连接，所述第二电容元件的另一端与连接所述多个串联臂谐振器的信号线连接。(第一结构)。
根据上述第一结构，通过第一电容元件，第一弹性波滤波器的一部分电容值发生变化，在比第一通带靠高频侧的频带中，能够使第一弹性波滤波器的衰减特性局部地变化。另外，通过第二电容元件，向第二弹性波滤波器的一部分并联地增加电容，因此，能够使第二弹性波滤波器的衰减特性局部地变化。而且，通过第一电容元件和第二电容元件均与连接第二弹性波滤波器内的多个串联臂谐振器的信号线连接，能够扩大可调整衰减特性的频带。另外，通过第一电容元件与第二电容元件连接，能够分别调整第一弹性波滤波器的阻抗特性和第二弹性波滤波器的阻抗特性。其结果是，能够防止第一弹性波滤波器及第二弹性波滤波器中的一方的阻抗特性的调整的影响对另一方的通过特性造成影响。这些结果是，能够防止通过特性恶化，并且改善衰减特性及隔离特性。
在第一结构中，所述多个串联臂谐振器也可以包括第一串联臂谐振器、以及与所述第一串联臂谐振器直接连接的第二串联臂谐振器。所述第一电容元件的另一端及所述第二电容元件的另一端也可以连接在所述第一串联臂谐振器与所述第二串联臂谐振器之间。(第二结构)。
在第二结构中，所述第一电容元件和所述第二电容元件也可以在俯视下配置在所述第一串联臂谐振器及所述第二串联臂谐振器中的任意一方与所述第一并联臂谐振器之间(第三结构)。
在第一结构～第三结构中的任一结构中，第一弹性波滤波器及第二弹性波滤波器中的至少一方也可以包括第一IDT电极。第一电容元件及第二电容元件中的至少一方也可以包括第二IDT电极(第四结构)。
在第四结构中，第二IDT电极的电极指延伸的方向也可以与第一IDT电极的梳齿延伸的方向交叉(第五结构)。
在第一结构～第五结构中的任一结构中，第一电容元件与第二电容元件也可以在俯视下相邻地配置(第六结构)。
在第六结构中，第二电容元件与第二基准电位电极也可以在俯视下相邻地配置(第七结构)。
在第一结构～第七结构中的任一结构中，第一电容元件的电容量也可以构成为比第二电容元件的电容量大(第八结构)。
在第一结构～第八结构中的任一结构中，第一弹性波滤波器也可以是发送滤波器。第二弹性波滤波器也可以是接收滤波器(第九结构)。

Claims (9)

1.一种复合滤波器装置，具备：
压电基板，其配置有第一基准电位电极及第二基准电位电极；
第一弹性波滤波器，其具有第一通带；
第二弹性波滤波器，其具有比所述第一通带高的第二通带；
第一电容元件，其一端与所述第一基准电位电极连接；以及
第二电容元件，其一端与所述第二基准电位电极连接，
所述第一弹性波滤波器包括配置在所述压电基板上且与所述第一基准电位电极连接的第一并联臂谐振器，
所述第二弹性波滤波器包括第二并联臂谐振器以及多个串联臂谐振器，所述第二并联臂谐振器配置在所述压电基板上且与所述第二基准电位电极连接，
所述第一电容元件的另一端与连接所述多个串联臂谐振器的信号线连接，
所述第二电容元件的另一端与连接所述多个串联臂谐振器的信号线连接。
2.根据权利要求1所述的复合滤波器装置，其中，
所述多个串联臂谐振器包括第一串联臂谐振器以及与所述第一串联臂谐振器直接连接的第二串联臂谐振器，
所述第一电容元件的另一端及所述第二电容元件的另一端连接在所述第一串联臂谐振器与所述第二串联臂谐振器之间。
3.根据权利要求2所述的复合滤波器装置，其中，
所述第一电容元件和所述第二电容元件在俯视下配置在所述第一串联臂谐振器及所述第二串联臂谐振器中的任意一方与所述第一并联臂谐振器之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的复合滤波器装置，其中，
所述第一弹性波滤波器及所述第二弹性波滤波器中的至少一方包括第一IDT电极，
所述第一电容元件及所述第二电容元件中的至少一方包括第二IDT电极。
5.根据权利要求4所述的复合滤波器装置，其中，
所述第二IDT电极的电极指延伸的方向与所述第一IDT电极的电极指延伸的方向交叉。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的复合滤波器装置，其中，
所述第一电容元件与所述第二电容元件在俯视下相邻地配置。
7.根据权利要求6所述的复合滤波器装置，其中，
所述第二电容元件与所述第二基准电位电极在俯视下相邻地配置。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的复合滤波器装置，其中，
所述第一电容元件的电容量比所述第二电容元件的电容量大。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的复合滤波器装置，其中，
所述第一弹性波滤波器是发送滤波器，
所述第二弹性波滤波器是接收滤波器。
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