CN107483027B - 多工器以及高频前端模块 - Google Patents

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Abstract

提供一种多工器以及高频前端模块。在多工器中使用弹性波滤波器的情况下，抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。所述多工器具备：第1滤波器(11)，被配置于共用端子(15)与第1端子(16)之间；和第2滤波器(12)，被配置于共用端子(15)与第2端子(17)之间，具有比第1滤波器(11)高的通带频率，第2滤波器(12)具有被配置为纵耦合的多个IDT部(211～215)，构成IDT部(211～215)的多个IDT电极之中，一方的IDT电极(212b、214b)连接于共用端子(15)侧，另一方的IDT电极(211b、213b、215b)连接于第2端子(17)侧，在一方的IDT电极与另一方的IDT电极中，多个电极指的主间距(λm)不同，另一方的IDT电极的至少一个的电极指的主间距(λm)最大。

Description

多工器以及高频前端模块
技术领域
本发明涉及具有多个滤波器的多工器、以及具备该多工器的高频前端模块。
背景技术
近年来的移动电话中，一个终端中要求多个频带以及多种无线方式，即要求对应所谓的多频带化以及多模式化。为了与此对应，在一个天线的正下配置对具有多个无线传输频率的高频信号进行分波的多工器(multiplexer)。作为构成多工器的多个带通滤波器，使用以通带内的低损耗性以及通带周边的通过特性的陡峭性为特征的弹性波滤波器等。
作为该弹性波滤波器的一个例子，专利文献1中公开了具有5个IDT(InterDigitalTransducer)部的纵耦合型的弹性波滤波器。在该弹性波滤波器中，5个IDT部沿着弹性波的传播方向而被配置在压电基板上。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2013/069225号
在专利文献1中公开的弹性波滤波器中，5个IDT部之中的第1IDT电极、第3IDT电极以及第5IDT电极共用连接于一个输入侧的端子(不平衡端子)，第2IDT电极以及第4IDT电极分别连接于不同的另外的输出侧的端子(平衡端子)。此外，在专利文献1的第0025段的记载中，第1以及第5IDT电极的电极指的间距为1.0582μm，第2以及第4IDT电极的电极指的间距为1.0569μm，第3IDT电极的电极指的间距为1.0612μm。也就是说，具有最大的电极指的间距的IDT电极(专利文献1的情况下为第3IDT电极)连接于输入侧端子。
为了对应所述的多频带化等，使用具有多个滤波器的多工器。有关于此，发明人注意到，在使用上述所示的具有电极指的间距的弹性波滤波器来作为多工器的滤波器的情况下，可能会使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
发明内容
因此，本发明的目的在于，在多工器中使用弹性波滤波器的情况下，抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
为了实现上述目的，本发明的一方式的多工器具备：共用端子、第1端子以及第2端子；第1滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第1端子连结的路径上；和第2滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第2端子连结的路径上，具有比所述第1滤波器高的通带频率，所述第2滤波器是弹性波滤波器，具有沿着弹性波的传播方向配置的多个IDT部，所述多个IDT部分别由相互对置的一组IDT电极构成，构成所述多个IDT部的多个所述IDT电极之中，一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述共用端子侧，另一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述第2端子侧，所述一方的IDT电极以及所述另一方的IDT电极分别形成于压电基板的表面，具有在所述弹性波的传播方向排列的多个电极指，在所述一方的IDT电极与所述另一方的IDT电极中，所述电极指的主间距不同，多个所述IDT电极之中，所述另一方的IDT电极的至少一个的所述电极指的主间距最大。
这样，关于另一方的IDT电极的至少一个，通过使电极指的主间距最大，能够使第1滤波器的频率通带中产生的第2滤波器的回波损耗变大的无用波的位置向第1滤波器的通带外移动。由此，在多工器中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，也可以多个所述IDT电极之中，所述一方的IDT电极的至少一个的所述电极指的主间距最小。
这样，通过关于一方的IDT电极的至少一个，使电极指的主间距最小，能够使第1滤波器的通带中产生的第2滤波器的回波损耗变大的无用波的位置向比第1滤波器的通带更靠高频侧的位置、即第2滤波器的低频侧阻带的频带内移动。由此，在多工器中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，本发明的另一方式的多工器具备：共用端子、第1端子以及第2端子；第1滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第1端子连结的路径上；和第2滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第2端子连结的路径上，具有比所述第1滤波器高的通带频率，所述第2滤波器是弹性波滤波器，具有沿着弹性波的传播方向配置的多个IDT部，所述多个IDT部分别由相互对置的一组IDT电极构成，构成所述多个IDT部的多个所述IDT电极之中，一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述共用端子侧，另一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述第2端子侧，所述一方的IDT电极以及所述另一方的IDT电极分别形成于压电基板的表面，具有在所述弹性波的传播方向排列的多个电极指，在所述一方的IDT电极与所述另一方的IDT电极中，所述电极指的主间距不同，所述一方的IDT电极所具有的所述电极指的间距的总平均比所述另一方的IDT电极所具有的所述电极指的间距的总平均小。
这样，通过使一方的IDT电极所具有的电极指的间距的总平均比另一方的IDT电极所具有的电极指的间距的总平均小，能够使第1滤波器的频率通带中产生的第2滤波器的回波损耗变大的无用波的位置向第1滤波器的通带外移动。由此，在多工器中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，本发明的另一方式的多工器具备：共用端子、第1端子以及第2端子；第1滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第1端子连结的路径上；和第2滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第2端子连结的路径上，具有比所述第1滤波器高的通带频率，所述第2滤波器是弹性波滤波器，具有沿着弹性波的传播方向配置的多个IDT部，所述多个IDT部分别由相互对置的一组IDT电极构成，构成所述多个IDT部的多个所述IDT电极之中，一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述共用端子侧，另一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述第2端子侧，所述一方的IDT电极以及所述另一方的IDT电极分别形成于压电基板的表面，具有在所述弹性波的传播方向排列的多个电极指，在所述一方的IDT电极与所述另一方的IDT电极中，所述电极指的主间距不同，在各个所述IDT电极中求取出所述电极指的间距的平均值的情况下，具有最大的所述平均值的IDT电极存在于所述另一方的IDT电极中。
这样，在各个IDT电极中求取出电极指的间距的平均值的情况下，通过使具有最大的平均值的IDT电极存在于另一方的IDT电极中，能够使第1滤波器的频率通带中产生的第2滤波器的回波损耗变大的无用波的位置向第1滤波器的通带外移动。由此，在多工器中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，也可以在各个所述IDT电极中求取出所述电极指的间距的平均值的情况下，具有最小的所述平均值的IDT电极存在于所述一方的IDT电极中。
这样，通过使具有最小的平均值的IDT电极存在于一方的IDT电极中，能够使第1滤波器的通带中产生的第2滤波器的回波损耗变大的无用波的位置向比第1滤波器的通带更靠高频侧的位置、即第2滤波器的低频侧阻带的频带内移动。由此，在多工器中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，也可以在所述一方的IDT电极与所述共用端子之间，连接与所述第2滤波器不同的电路元件。
这样，即使在一方的IDT电极与共用端子之间连接与第2滤波器不同的电路元件的情况下，也能够使第1滤波器的频率通带中产生的第2滤波器的回波损耗变大的无用波的位置向第1滤波器的通带外移动。由此，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，所述第2滤波器也可以具有3个以上的奇数的所述IDT部，所述一方的IDT电极的数量比所述另一方的IDT电极的数量少。
由此，能够使第1滤波器的通带中产生的第2滤波器的回波损耗变大的无用波的位置容易向高频侧移动，在多工器中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，所述第2滤波器也可以具有5个以上的所述IDT部。
由此，能够扩宽第1滤波器以及第2滤波器各自的频率通带。
此外，也可以所述第1滤波器以及所述第2滤波器相互是接收滤波器。
由此，能够提供一种在使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低的、由多个接收滤波器所构成的多工器。
此外，也可以在所述第1滤波器连接于所述共用端子时，所述第2滤波器连接于所述共用端子。
由此，即使在第1滤波器的通带中产生第2滤波器的回波损耗变大的无用波的情况下，也能够是所述无用波向第1滤波器的通带外移动。由此，在多工器中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，本发明的其他方式的高频前端模块具备上述多工器。
这样，通过使高频前端模块的多工器中，另一方的IDT电极的至少一个的电极指的主间距最大，能够使第1滤波器的频率通带中产生的第2滤波器的回波损耗变大的无用波的位置向第1滤波器的通带外移动。由此，在高频前端模块中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
本发明在多工器或者高频前端模块中使用弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器或者高频前端模块的其他滤波器的通过特性降低。
附图说明
图1A是包含实施方式所涉及的多工器的通信装置的电路构成图。
图1B是表示实施方式所涉及的多工器的插入损耗(通过特性)的示意图。
图2是表示实施方式所涉及的多工器、即具有第1滤波器以及第2滤波器的多工器的电路构成图。
图3是表示图2所示的多工器的第2滤波器的示意性的俯视图。
图4是示意性地表示图2所示的第2滤波器的IDT部的图，(a)是俯视图，(b)是剖视图。
图5是表示比较例所涉及的多工器的第2滤波器的示意性的俯视图。
图6是表示第1滤波器的频率通带中的插入损耗的图。
图7是表示第1滤波器的频率通带中的第2滤波器的回波损耗的图。
图8是包含实施方式所涉及的多工器的高频前端模块的电路构成图。
图9是表示其他方式所涉及的多工器的第2滤波器侧的构成的示意性的俯视图。
-符号说明-
1、1A、1B多工器 2天线元件 3LNA 4RFIC(高频信号处理电路) 5多端口开关 8高频前端模块 9通信装置 11第1滤波器 12第2滤波器 15共用端子 16第1端子 17第2端子22IDT部 22a、22b IDT电极 101、103发送侧滤波器 102、104接收侧滤波器 106、108发送输入端子 107、109接收输出端子 211、212、213、214、215IDT部 211b、213b、215b另一方的IDT电极 212b、214b一方的IDT电极 220、221反射器 221a、221b汇流条电极 222a、222b电极指230第1端口 240第2端口 326压电基板 350电路元件 511、512、513、514、515IDT部(比较例) 511b、513b、515b一方的IDT电极(比较例) 512b、514b另一方的IDT电极(比较例) 552第2滤波器(比较例) λ电极指的间距 λm、λ1、λ2、λ3、λ4、λ5电极指的主间距。
具体实施方式
以下，使用实施方式以及附图来对本发明的实施方式详细进行说明。另外，以下说明的实施方式均表示包括性或者具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不是限定本发明的主旨。以下的实施方式中的构成要素之中，关于未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素而被说明。此外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比并不必严密。
(实施方式)
[1。多工器的整体构成]
图1A是包含实施方式所涉及的多工器1的通信装置9的电路构成图。图1B是表示实施方式所涉及的多工器1的插入损耗(通过特性)的示意图。
如图1A所示，通信装置9具备：多工器1、和作为高频信号处理电路的RFIC(RadioFrequencyIntegratedCircuit，射频集成电路)4。多工器1经由共用端子15而连接于天线元件2。
作为多工器1的一个例子，图1A表示被应用于LTE(LongTermEvolution，长期演进技术)标准的Band25(发送通带：1850-1915MHz，接收通带：1930-1995MHz)以及Band66(发送通带：1710-1780MHz，接收通带：2110-2200MHz)的四工器。
多工器1具备：发送侧滤波器101、103、接收侧滤波器102、104、共用端子15、发送输入端子106、108、接收输出端子107、109。发送侧滤波器101、103以及接收侧滤波器102、104各自的引出线被收束并连接于共用端子15。
发送侧滤波器101、103分别是经由各自的发送输入端子106、108来输入由RFIC4生成的发送波，并通过各发送通带来滤波并输出到共用端子15的带通滤波器。
接收侧滤波器102、104分别是输入从共用端子15输入的接收波，通过各接收通带来滤波并输出到各自的接收输出端子107、109的带通滤波器。
这里，为了掌握本实施方式的多工器1的主旨，着眼于图1A的多工器1中包含的任意的2个滤波器。并且，将着眼的2个滤波器分别称为第1滤波器11以及第2滤波器12。
图2是表示包含第1滤波器11以及第2滤波器12的多工器1A的电路构成图。
如图2所示，第1滤波器11被配置在将共用端子15与第1端子16连结的路径上。第2滤波器12被配置在将共用端子15与第2端子17连结的路径上。至少在第1滤波器11连接于共用端子15来进行滤波时，第2滤波器12连接于共用端子15。
第2滤波器12的通带的频率比第1滤波器11高。在本实施方式中，作为一个例子，将第1滤波器11设为Band25的接收通带(Band25Rx)的滤波器，将第2滤波器12设为Band66的接收通带(Band66Rx)的滤波器来进行说明。
[2。第2滤波器的IDT部的构造]
图3是表示多工器1A的第2滤波器12的示意性的俯视图。
第2滤波器12是纵耦合型的弹性波滤波器，具有多个IDT部211、212、213、214以及215。另外，第1滤波器11可以是具有串联谐振器以及并联谐振器的梯子型的滤波器，也可以是纵耦合型的弹性波滤波器。
在对第2滤波器12进行说明之前，使用与IDT部211～215共用的IDT部22来对构成第2滤波器12的IDT部211～215的构造进行说明。
图4是示意性地表示IDT部22的图，(a)是俯视图，(b)是剖视图。另外，IDT部22是用于对弹性波滤波器的典型构造进行说明的构造，构成电极的电极指的根数或长度等并不限定于此。
IDT部22由具有梳形形状的IDT(InterDigitalTransducer，叉指换能器)电极22a以及22b构成。
如图4的(a)所示，在压电基板326上，形成相互对置的一组IDT电极22a以及22b。IDT电极22a由相互平行的多个电极指222a、将多个电极指222a连接的汇流条电极221a构成。此外，IDT电极22b由相互平行的多个电极指222b、将多个电极指222b连接的汇流条电极221b构成。多个电极指222a以及222b沿着与弹性波的传播方向正交的方向而形成。也就是说，电极指222a以及222b在弹性波的传播方向并排形成。
此外，如图4的(b)所示，由多个电极指222a以及222b、以及汇流条电极221a以及221b构成的IDT电极22a以及22b为密接层323与主电极层324的层叠构造。
密接层323是用于提高压电基板326与主电极层324的密接性的层，作为材料，例如使用Ti。密接层323的膜厚例如为12nm。
作为材料，主电极层324例如使用含有1％的Cu的Al。主电极层324的膜厚例如为162nm。
保护层325形成为覆盖IDT电极22a以及22b。保护层325是以保护主电极层324不受外部环境影响、调整频率温度特性、以及提高耐湿性等为目的的层，例如，是以二氧化硅为主成分的膜。
压电基板326例如由具有规定的切角的LiTaO3压电单晶体、LiNbO3压电单晶体或者压电陶瓷构成。
这里，对IDT部22的设计参数进行说明。所谓声表面波谐振器的波长，通过图4的(b)所示的构成IDT22的多个电极指222a以及222b的反复间距λ而被规定。此外，如图4的(a)所示，IDT电极的交叉宽度L是指从弹性波的传播方向来观察IDT电极22a的电极指222a和IDT电极22b的电极指222b的情况下重复的电极指长度。此外，占空比D是指多个电极指222a以及222b的线宽占有率，是指多个电极指222a以及222b的线宽相对于多个电极指222a以及222b的线宽与空间宽度的加法值的比例。更具体而言，占空比在将构成IDT电极22a以及22b的电极指222a以及222b的线宽设为W、将相邻的电极指222a与电极指222b之间的空间宽度设为S的情况下，被定义为W/(W+S)。
[3。实施方式中的第2滤波器的构成]
如前面所述，第2滤波器12是纵耦合型的弹性波滤波器，具有图3所示多个IDT部211～215。此外，第2滤波器12具备：反射器220以及221、第1端口230以及第2端口240。第1端口230在共用端子15以及第2端子17之中，被设置于从多个IDT部211～215观察的共用端子15一侧。第2端口240在共用端子15以及第2端子17之中，被设置于从多个IDT部211～215观察的第2端子17一侧。
在该第2滤波器12中，例如，若从共用端子15输入高频信号，则在共用端子15与基准端子(接地)之间产生电位差，由此，由于压电基板326变形而产生声表面波。这里，通过使IDT部211～215各自的电极指的间距λ与通带的波长大致一致，能够使用第2滤波器12，使具有希望使其通过的频率成分的高频信号通过。
第2滤波器12的IDT部211具有相互对置的一组IDT电极211a以及211b。同样地，IDT部212～215分别具有：相互对置的一组IDT电极212a以及212b、213a以及213b、214a以及214b、215a以及215b。IDT部211～215如纵耦合那样沿着弹性波的传播方向而被依次配置。也就是说，IDT部212以及214被配置为在上述传播方向夹住IDT部213，IDT部211以及215被配置为在上述传播方向夹住IDT部212～214。反射器220以及221被配置为在上述传播方向夹住IDT部211～215。
IDT部212以及214在第1端口230与基准端子(接地)之间并联连接。具体而言，IDT电极212a以及214a连接于基准端子。此外，IDT电极212b以及214b经由第1端口230，连接于共用端子15以及第2端子17之中的共用端子15一侧。
IDT部211、213以及215在第2端口240与基准端子之间并联连接。具体而言，IDT电极211a、213a以及215a连接于基准端子。此外，IDT电极211b、213b以及215b经由第2端口240，连接于共用端子15以及第2端子17之中的第2端子17一侧。
这样在第2滤波器12中，多个IDT部211～215之中，一方的IDT电极212b以及214b连接于共用端子15一侧，另一方的IDT电极211b、213b以及215b连接于第2端子17一侧。也就是说，一方的IDT电极212b以及214b的连接对象是共用端子15，另一方的IDT电极211b、213b以及215b的连接对象是第2端子17。
这里，表1中表示IDT部211～215的设计参数(电极指的主间距λm、交叉宽度L、IDT对数N、占空比D)。
【表1】
Figure GDA0002501726800000101
另外，反射器220以及221的电极指的间距是1.855μm，比IDT部211～215的电极指的主间距λ1～λ5大。
此外，表1所示的电极指的主间距λm是各自的IDT电极211b～215b的中央部的电极指的间距。若以IDT电极211b举例进行说明，主间距λm是通过占据IDT电极211b的全部电极指之中的50％以上的电极指而分别形成的间距。在纵耦合型的弹性波滤波器中，为了调整与位于相邻位置的IDT电极212b的耦合度，存在使IDT电极211b的两端部的电极指的间距比中央部小的情况。因此，在IDT电极211b的整体观察的情况下，电极指的间距λ在弹性波的传播方向上的IDT电极211b的中央部与两端部为不同的值。因此，在本实施方式中，在对IDT电极211b～215b的电极指的间距λ进行比较的情况下，也存在通过主间距λm来进行比较的情况。
在本实施方式中，如表1所示，各个电极指的主间距λm具有以下的关系。
(λ2＝λ4)＜(λ1＝λ5)＜λ3
也就是说，连接于共用端子15的一方的IDT电极212b、214b的电极指的主间距λ2、λ4与连接于第2端子17的另一方的IDT电极211b、213b、215b的电极指的主间距λ1、λ3、λ5不同。
此外，多个IDT电极211b～215b各自的主间距λ1～λ5之中，连接于第2端子17的另一方的IDT电极213b的电极指的主间距λ3为最大。此外，主间距λ1～λ5之中，连接于共用端子15的IDT电极212b、214b的主间距λ2、λ4为最小。
此外，在本实施方式中，一方的IDT电极212b、214b所具有的多个电极指的间距λ的总平均比另一方的IDT电极211b、213b、215b所具有的多个电极指的间距λ的总平均小。多个电极指的间距λ的总平均通过对包含IDT电极的中央部以及端部的电极指的间距λ进行加重平均来求出。在本实施方式中，一方的IDT电极212b、214b的电极指的间距的总平均是1.789μm，另一方的IDT电极211b、213b、215b的电极指的间距的总平均是1.819μm。
此外，在本实施方式中，在各个IDT电极211b～215b中，对多个电极指的间距λ的平均值进行求取的情况下，具有最大的平均值的IDT电极存在于另一方的IDT电极211b、213b、215b的任意一个之中。所谓多个电极指的间距λ的平均值，是指按照每个IDT电极求取包含IDT电极的中央部以及端部的电极指的间距λ的加权平均的值。在本实施方式中，具有最大的平均值的IDT电极是IDT电极213b，具有最小的平均值的IDT电极是IDT电极212b以及214b。
[4.比较例中的第2滤波器的构成]
图5是表示比较例所涉及的多工器的第2滤波器552的示意性的俯视图。
如图5所示，第2滤波器552具备：多个IDT部511～515、反射器220以及221、第1端口230以及第2端口240。
IDT部511具有相互对置的一组IDT电极511a以及511b。同样地，IDT部512～515分别具有：相互对置的一组IDT电极512a以及512b、513a以及513b、514a以及514b、515a以及515b。IDT部511～515沿着弹性波的传播方向而被依次配置而被纵耦合。
IDT部511、513以及515被并联连接于第1端口230与基准端子(接地)之间。具体而言，IDT电极511a、513a以及515a连接于基准端子。此外，IDT电极511b、513b以及515b经由第1端口230而被连接于共用端子15。
IDT部512以及514被并联连接于第2端口240与基准端子之间。具体而言，IDT电极512a以及514a连接于基准端子。此外，IDT电极512b以及514b经由第2端口240而被连接于第2端子17。
这样，在比较例的第2滤波器552中，多个IDT部511～515之中，一方的IDT电极511b、513b以及515b连接于共用端子15，另一方的IDT电极512b以及514b连接于第2端子17。
这里，表2中表示比较例的IDT部511～515的设计参数。
【表2】
Figure GDA0002501726800000121
另外，反射器220以及221的电极指的间距是1.861μm，比IDT部511的电极指的主间距λ1大，比IDT部513的电极指的主间距λ3小。
在比较例中，如表2所示，电极指的主间距λm具有以下的关系。
(λ2＝λ4)＜(λ1＝λ5)＜λ3
比较例中的电极指的主间距λm的大小关系与实施方式相同。但是，在比较例中，在IDT电极511b、513b、515b连接于共用端子15、IDT电极512b、514b连接于第2端子17这方面，与本实施方式不同。
[5.实施方式以及比较例的频率特性]
以下，对本实施方式以及比较例中的多工器的频率特性进行说明。
图6是表示第1滤波器11的频率通带中的插入损耗的图。作为与实施方式对应的评价电路，如图6的(a)所示，使用将第1滤波器11以及第2滤波器12的一个的引出相互收束的电路。作为与比较例对应的评价电路，使用将实施方式的第2滤波器12置换为比较例的第2滤波器552的电路。
图6的(b)是表示1850MHz至2050MHz中，实施方式以及比较例各自的插入损耗(通过特性)的图。如图6的(b)所示，在比较例中，在作为Band25Rx的频带内的1975MHz附近，插入损耗变大。相对于此，在实施方式中，与比较例相比，1975MHz附近的插入损耗变小。针对此不同，参照图7来进行说明。
图7是表示第1滤波器11的频率通带中的第2滤波器12(或者552)的回波损耗的图。作为与实施方式对应的评价电路，如图7的(a)所示，使用解除了第1滤波器11以及第2滤波器12的收束并仅由第2滤波器12构成的电路。作为与比较例对应的评价电路，使用了仅由比较例的第2滤波器552构成的电路。
图7的(b)是表示在从1850MHz到2050MHz，实施方式以及比较例各自的回波损耗的图。如图7的(b)所示，在比较例中，在作为Band25Rx的频带内的1975MHz附近，产生回波损耗变大的无用波。这表示在比较例的第2滤波器552中，以1975MHz被输入的信号未被充分反射而一部分被吸收。在比较例中，由于该无用波存在于1975Mz附近，因此如图6的(b)所示，认为1975MHz附近的插入损耗变大。
与此相对地，在实施方式中，在Band25Rx的频带内，回波损耗较小。这是由于通过改变IDT电极211b～215b的电极指的间距λ，使在第1滤波器11的频率通带(Band25Rx)产生的第2滤波器12的回波损耗变大的无用波的位置向通带外移动。具体而言，由于通过增大连接于第2端子17的IDT电极211b、213b、215b的电极指的主间距λm或者减小连接于共用端子15的IDT电极212b、214b的电极指的主间距λm，能够使上述无用波的位置向比第1滤波器11的通带更靠高频侧的位置移动。由此，在使用了实施方式的第2滤波器12的多工器1A中，能够抑制在第1滤波器11的通带，插入损耗变大。
[6。总结]
以上，本实施方式所涉及的多工器1A具备：共用端子15、第1端子16以及第2端子17、被配置在将共用端子15与第1端子16连结的路径上的第1滤波器11、和被配置在将共用端子15与第2端子17连结的路径上并具有比第1滤波器11更高的通带频率的第2滤波器12。
第2滤波器12是弹性波滤波器，具有沿着弹性波的传播方向而被配置的多个IDT部211～215。多个IDT部211～215分别由相互对置的一组IDT电极构成，构成多个IDT部211～215的多个IDT电极之中，一方的IDT电极212b、214b连接于共用端子15以及第2端子17之中的共用端子15侧，另一方的IDT电极211b、213b、215b连接于共用端子15以及第2端子17之中的第2端子17侧。一方的IDT电极212b、214b以及另一方的IDT电极211b、213b、215b分别形成于压电基板326的表面，具有在弹性波的传播方向排列的多个电极指。在一方的IDT电极212b、214b和另一方的IDT电极211b、213b、215b中，在弹性波的传播方向排列的多个电极指的主间距λm不同，另一方的IDT电极211b、213b、215b的至少一个的多个IDT电极211b～215b之中的电极指的主间距λm最大。
根据该构成，能够使在第1滤波器11的频率通带产生的第2滤波器12的回波损耗变大的无用波的位置向第1滤波器11的通带外移动。由此，在多工器1A中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低的情况。
此外，一方的IDT电极212b、214b的至少一个的多个IDT电极211b～215b之中的电极指的主间距λm也可以最小。
由此，能够使第1滤波器11的通带中产生的第2滤波器12的回波损耗变大的无用波的位置向比第1滤波器11的通带更靠高频侧的位置、即第2滤波器12的低频侧阻带的频带内移动。由此，在多工器1A中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他滤波器的通过特性降低。
此外，本实施方式所涉及的多工器1A的一方的IDT电极212b、214b所具有的电极指的间距λ的总平均比另一方的IDT电极211b、213b、215b所具有的电极指的间距λ的总平均小。
此外，本实施方式所涉及的多工器1A在各个IDT电极211b～215b中求取电极指的间距λ的平均值的情况下，具有最大的平均值的IDT电极存在于另一方的IDT电极211b、213b、215b中。
根据该构成，能够使第1滤波器11的频率通带中产生的第2滤波器12的回波损耗变大的无用波的位置向第1滤波器11的通带外移动。由此，在多工器1A中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他的滤波器的通过特性降低。
(其他方式等)
以上，对本发明的实施方式所涉及的多工器1、1A进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，对上述实施方式实施了如下变形的方式也能够包含于本发明。
图8是表示包含多工器1B的高频前端模块8的电路构成图。在图8所示的高频前端模块8中，为了放大被输入的信号，在第1端子16与RFIC4之间、以及第2端子17与RFIC4之间分别设置LNA(LowNoiseAmplifier，低噪声放大器)3。此外，为了切换与天线元件2的连接状态，在第1滤波器11与共用端子15之间、以及第2滤波器12与共用端子15之间设置多端口开关5。多端口开关5是能够同时进行接通/断开的开关，在第1滤波器11连接于共用端子15时，即，第1滤波器11进行信号处理的情况下，第2滤波器12也能够连接于共用端子15。
在具有这样的电路构成的高频前端模块8中也与上述实施方式同样地，在使用弹性波滤波器作为多工器1A的一部分的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他的滤波器的通过特性降低。
此外，在本实施方式中，对多工器1A的第1滤波器11以及第2滤波器12这两者是接收滤波器的例子进行了说明，但并不局限于此，也可以两者是发送滤波器，还可以一者是接收滤波器另一者是发送滤波器。具体而言，也可以将Band66Rx的带通滤波器设为第2滤波器12，将Band25Tx以及Band66Tx的带通滤波器的任意一个设为第1滤波器11。此外，也可以将Band25Rx的带通滤波器设为第2滤波器12，将Band66Tx以及Band25Tx的带通滤波器的任意一个设为第1滤波器11。此外，也可以将Band25Tx的通带滤波器设为第2滤波器12，将Band66Tx的带通滤波器设为第1滤波器11。
此外，例如，对上述实施方式实施了如下变形的方式也能够包含于本发明。
图9是表示其他方式所涉及的多工器的第2滤波器12侧的构成的示意性的俯视图。
在该形态所涉及的多工器中，在第2滤波器12的一方的IDT电极212b、214b与共用端子15之间连接电路元件350。具体而言，在第1端口230与共用端子15之间，串联连接与第2滤波器12不同的电路元件350。该电路元件350例如是电感器、电容器、开关、LC谐振器或者弹性波谐振器等。例如，LC谐振器以及弹性波谐振器可以是串联谐振器，也可以是并联谐振器，还可以是包含串联谐振器以及并联谐振器这两者的谐振器。电路元件350也可以为了频率陷波或者阻抗匹配而被设置。
在本发明中，即使在如上述那样在一方的IDT电极212b、214b与共用端子15之间连接电路元件350的情况下，也能够使第1滤波器11的频率通带中产生的第2滤波器12的回波损耗变大的无用波的位置向第1滤波器11的通带外移动。由此，在多工器1A中使用了弹性波滤波器的情况下，能够抑制使构成相同的多工器的其他的滤波器的通过特性降低。
此外，在上述实施方式中，作为多工器1、1A、高频前端模块8，示例了具有IDT电极的声表面波滤波器。但是，构成本发明所涉及的多工器1、1A以及高频前端模块8的各滤波器也可以是使用了声界面波的弹性波滤波器。由此，也起到与上述实施方式所涉及的多工器等所具有的效果相同的效果。
此外，构成声表面波滤波器的压电基板326也可以是高声速支承基板、低声速膜、压电膜按照此顺序层叠而成的层叠构造。压电膜例如由50°Y切割X传播LiTaO3压电单晶体或者压电陶瓷(在将以X轴为中心轴从Y轴旋转了50°的轴设为法线的面切断的钽酸锂单晶体或者陶瓷，即声表面波在X轴方向传播的单晶体或者陶瓷)构成。压电膜例如厚度为600nm。高声速支承基板是支承低声速膜、压电膜以及IDT电极的基板。高声速支承基板还是高声速支承基板中的体波的声速比压电膜中传播的表面波、界面波的弹性波高速的基板，发挥作用以使得将弹性波限制于压电膜以及低声速膜层叠的部分，并发挥作用以使得不泄漏到高声速支承基板下方。高声速支承基板例如是硅衬底，厚度例如是200μm。低声速膜是低声速膜中的体波的声速比压电膜中传播的弹性波低速的膜，被配置于压电膜与高声速支承基板之间。通过该构造和弹性波本质上能量集中于低声速的介质的性质，声表面波能量向IDT电极外的泄漏被抑制。低声速膜例如是以二氧化硅为主成分的膜，厚度例如是670nm。根据该层叠构造，与以单层使用压电基板326的构造相比，能够大幅度提高谐振频率以及反谐振频率处的Q值。也就是说，由于能够构成Q值较高的声表面波谐振器，因此使用该声表面波谐振器，能够构成插入损耗较小的滤波器。
本发明作为能够应用于多频带化以及多模式化的频率规格的低损耗的多工器以及高频前端模块，能够广泛利用于移动电话等通信设备。

Claims (11)

1.一种多工器，具备：
共用端子、第1端子以及第2端子；
第1滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第1端子连结的路径上；和
第2滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第2端子连结的路径上，具有比所述第1滤波器高的通带频率，
所述第2滤波器是弹性波滤波器，具有沿着弹性波的传播方向配置的多个IDT部，
所述多个IDT部分别由相互对置的一组IDT电极构成，
构成所述多个IDT部的多个所述IDT电极之中，一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述共用端子侧，另一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述第2端子侧，
所述一方的IDT电极以及所述另一方的IDT电极分别形成于压电基板的表面，具有在所述弹性波的传播方向排列的多个电极指，
在所述共用端子及所述第2端子中的所述第2端子侧，连接多个所述另一方的IDT电极，
在所述一方的IDT电极与所述另一方的IDT电极中，所述电极指的主间距不同，
多个所述IDT电极之中，多个所述另一方的IDT电极的至少一个的IDT电极的所述电极指的主间距最大，且与不同于所述至少一个的IDT电极的IDT电极相比，所述电极指的主间距不同。
2.根据权利要求1所述的多工器，其中，
多个所述IDT电极之中，所述一方的IDT电极的至少一个的所述电极指的主间距最小。
3.一种多工器，具备：
共用端子、第1端子以及第2端子；
第1滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第1端子连结的路径上；和
第2滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第2端子连结的路径上，具有比所述第1滤波器高的通带频率，
所述第2滤波器是弹性波滤波器，具有沿着弹性波的传播方向配置的多个IDT部，
所述多个IDT部分别由相互对置的一组IDT电极构成，
构成所述多个IDT部的多个所述IDT电极之中，一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述共用端子侧，另一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述第2端子侧，
所述一方的IDT电极以及所述另一方的IDT电极分别形成于压电基板的表面，具有在所述弹性波的传播方向排列的多个电极指，
在所述共用端子及所述第2端子中的所述第2端子侧，连接多个所述另一方的IDT电极，
在所述一方的IDT电极与所述另一方的IDT电极中，所述电极指的主间距不同，
所述一方的IDT电极所具有的所述电极指的间距的总平均比所述另一方的IDT电极所具有的所述电极指的间距的总平均小，
多个所述另一方的IDT电极之中的至少一个的IDT电极与不同于所述至少一个的IDT电极的IDT电极相比，所述电极指的主间距不同。
4.一种多工器，具备：
共用端子、第1端子以及第2端子；
第1滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第1端子连结的路径上；和
第2滤波器，被配置在将所述共用端子与所述第2端子连结的路径上，具有比所述第1滤波器高的通带频率，
所述第2滤波器是弹性波滤波器，具有沿着弹性波的传播方向配置的多个IDT部，
所述多个IDT部分别由相互对置的一组IDT电极构成，
构成所述多个IDT部的多个所述IDT电极之中，一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述共用端子侧，另一方的IDT电极连接于所述共用端子以及所述第2端子之中的所述第2端子侧，
所述一方的IDT电极以及所述另一方的IDT电极分别形成于压电基板的表面，具有在所述弹性波的传播方向排列的多个电极指，
在所述共用端子及所述第2端子中的所述第2端子侧，连接多个所述另一方的IDT电极，
在所述一方的IDT电极与所述另一方的IDT电极中，所述电极指的主间距不同，
多个所述另一方的IDT电极之中的至少一个的IDT电极与不同于所述至少一个的IDT电极的IDT电极相比，所述电极指的主间距不同，
在各个所述IDT电极中求取出所述电极指的间距的平均值的情况下，具有最大的所述平均值的IDT电极存在于所述另一方的IDT电极中。
5.根据权利要求4所述的多工器，其中，
在各个所述IDT电极中求取出所述电极指的间距的平均值的情况下，具有最小的所述平均值的IDT电极存在于所述一方的IDT电极中。
6.根据权利要求1～5的任意一项所述的多工器，其中，
在所述一方的IDT电极与所述共用端子之间，连接与所述第2滤波器不同的电路元件。
7.根据权利要求1～5的任意一项所述的多工器，其中，
所述第2滤波器具有3个以上的奇数的所述IDT部，
所述一方的IDT电极的数量比所述另一方的IDT电极的数量少。
8.根据权利要求1～5的任意一项所述的多工器，其中，
所述第2滤波器具有5个以上的所述IDT部。
9.根据权利要求1～5的任意一项所述的多工器，其中，
所述第1滤波器以及所述第2滤波器相互是接收滤波器。
10.根据权利要求1～5的任意一项所述的多工器，其中，
在所述第1滤波器连接于所述共用端子时，所述第2滤波器连接于所述共用端子。
11.一种高频前端模块，
具备权利要求1～10的任意一项所述的多工器。
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