JP6627816B2 - マルチプレクサおよび高周波フロントエンドモジュール - Google Patents

マルチプレクサおよび高周波フロントエンドモジュール Download PDF

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Description

本発明は、複数のフィルタを有するマルチプレクサ、および、このマルチプレクサを備える高周波フロントエンドモジュールに関する。
近年の携帯電話には、一端末で複数の周波数帯域および複数の無線方式、いわゆるマルチバンド化およびマルチモード化に対応することが要求されている。これに対応すべく、１つのアンテナの直下には、複数の無線搬送周波数を有する高周波信号を分波するマルチプレクサが配置される。マルチプレクサを構成する複数の帯域通過フィルタとしては、通過帯域内における低損失性および通過帯域周辺における通過特性の急峻性を特徴とする弾性波フィルタ等が用いられる。
この弾性波フィルタの一例として、特許文献１には、５つのＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）部を有する縦結合型の弾性波フィルタが開示されている。この弾性波フィルタでは、５つのＩＤＴ部が弾性波の伝搬方向に沿って圧電基板上に配置されている。
国際公開第２０１３／０６９２２５号
特許文献１に開示された弾性波フィルタでは、５つのＩＤＴ部のうちの第１のＩＤＴ電極、第３のＩＤＴ電極および第５のＩＤＴ電極が一方の入力側の端子（不平衡端子）に共通接続され、第２のＩＤＴ電極および第４のＩＤＴ電極が、異なる他方の出力側の端子（平衡端子）にそれぞれ接続されている。また、特許文献１の段落［００２５］の記載では、第１および第５のＩＤＴ電極の電極指のピッチは１．０５８２μｍ、第２および第４のＩＤＴ電極の電極指のピッチは、１．０５６９μｍ、第３のＩＤＴ電極の電極指のピッチは１．０６１２μｍとなっている。すなわち、最大の電極指のピッチを有するＩＤＴ電極（特許文献１の場合、第３のＩＤＴ電極）が、入力側端子に接続されている。
前述したマルチバンド化等に対応するためには、複数のフィルタを有するマルチプレクサが用いられる。これに関して発明者は、マルチプレクサのフィルタとして上記に示すような電極指のピッチを有する弾性波フィルタを用いた場合、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることがあることに気付いた。
そこで、本発明は、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いる場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第１端子および第２端子と、前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、前記第２フィルタは、縦結合型の弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、前記複数のＩＤＴ部における所定の一組のＩＤＴ電極の一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、前記所定の一組のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向に配置された他の一組のＩＤＴ電極の他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に、複数の前記他方のＩＤＴ電極が接続され、複数の前記他方のＩＤＴ電極のうち少なくとも１つのＩＤＴ電極は、複数の前記ＩＤＴ電極のうち前記電極指のメインピッチが最大であり、かつ、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極と異なるＩＤＴ電極と比べて前記電極指のメインピッチが異なる。
このように、他方のＩＤＴ電極の少なくとも１つについて、電極指のメインピッチが最大となるようにすることで、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、前記一方のＩＤＴ電極の少なくとも１つは、複数の前記ＩＤＴ電極のうち前記電極指のメインピッチが最小であってもよい。
このように、一方のＩＤＴ電極の少なくとも１つについて、電極指のメインピッチが最小となるようにすることで、第１フィルタの通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を、第１フィルタの通過帯域よりも高周波側であって、第２フィルタの低周波側ストップバンドの帯域内に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、本発明の他の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第１端子および第２端子と、前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、前記第２フィルタは、縦結合型の弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、前記複数のＩＤＴ部における所定の一組のＩＤＴ電極の一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、前記所定の一組のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向に配置された他の一組のＩＤＴ電極の他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、前記一方のＩＤＴ電極が有する前記電極指のピッチの総平均は、前記他方のＩＤＴ電極が有する前記電極指のピッチの総平均よりも小さく、前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に、複数の前記他方のＩＤＴ電極が接続され、複数の前記他方のＩＤＴ電極のうち少なくとも１つのＩＤＴ電極は、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極と異なるＩＤＴ電極と比べて前記電極指のメインピッチが異なる。
このように、一方のＩＤＴ電極が有する電極指のピッチの総平均を、他方のＩＤＴ電極が有する電極指のピッチの総平均よりも小さくすることで、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、本発明の他の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第１端子および第２端子と、前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、前記第２フィルタは、縦結合型の弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、前記複数のＩＤＴ部における所定の一組のＩＤＴ電極の一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、前記所定の一組のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向に配置された他の一組のＩＤＴ電極の他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、それぞれの前記ＩＤＴ電極において前記電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最大の前記平均値を有するＩＤＴ電極が前記他方のＩＤＴ電極中に存在し、前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に、複数の前記他方のＩＤＴ電極が接続され、複数の前記他方のＩＤＴ電極のうち少なくとも１つのＩＤＴ電極は、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極と異なるＩＤＴ電極と比べて前記電極指のメインピッチが異なる。
このように、それぞれのＩＤＴ電極において電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最大の平均値を有するＩＤＴ電極が他方のＩＤＴ電極中に存在することで、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、それぞれの前記ＩＤＴ電極において前記電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最小の前記平均値を有するＩＤＴ電極が前記一方のＩＤＴ電極中に存在してもよい。
このように、最小の平均値を有するＩＤＴ電極が一方のＩＤＴ電極中に存在することで、第１フィルタの通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を、第１フィルタの通過帯域よりも高周波側であって、第２フィルタの低周波側ストップバンドの帯域内に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、前記一方のＩＤＴ電極と前記共通端子との間に、前記第２フィルタと異なる回路素子が接続されていてもよい。
このように、一方のＩＤＴ電極と共通端子との間に、第２フィルタと異なる回路素子が接続されている場合であっても、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、第２フィルタは、３以上の奇数の前記ＩＤＴ部を有し、前記一方のＩＤＴ電極の数は、前記他方のＩＤＴ電極の数より少なくてもよい。
これによれば、第１フィルタの通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を、容易に高周波側に移動させることができ、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、前記第２フィルタは、５以上の前記ＩＤＴ部を有していてもよい。
これによれば、第１フィルタおよび第２フィルタそれぞれの周波数通過帯域を広げることができる。
また、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタは、互いに受信フィルタであってもよい。
これによれば、弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる、複数の受信フィルタからなるマルチプレクサを提供することができる。
また、前記第１フィルタが前記共通端子に接続されているときに、前記第２フィルタが前記共通端子に接続されていてもよい。
これによれば、第１フィルタの通過帯域に第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波が発生する場合であっても、上記不要波を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、本発明の他の態様に係る高周波フロントエンドモジュールは、上記マルチプレクサを備えている。
このように、高周波フロントエンドモジュールのマルチプレクサにおいて、他方のＩＤＴ電極の少なくとも１つが、電極指のメインピッチが最大となるようにすることで、第１フィルタの周波数通過帯域に発生する第２フィルタのリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタの通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、高周波フロントエンドモジュールにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
本発明は、マルチプレクサまたは高周波フロントエンドモジュールにおいて弾性波フィルタを用いる場合に、同じマルチプレクサまたは高周波フロントエンドモジュールを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
実施の形態に係るマルチプレクサを含む通信装置の回路構成図である。 実施の形態に係るマルチプレクサの挿入損失（通過特性）を示す模式図である。 実施の形態に係るマルチプレクサであって、第１フィルタおよび第２フィルタを有するマルチプレクサを示す回路構成図である。 図２に示すマルチプレクサの第２フィルタを示す模式的平面図である。 図２に示す第２フィルタのＩＤＴ部を模式的に表す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 比較例に係るマルチプレクサの第２フィルタを示す模式的平面図である。 第１フィルタの周波数通過帯域における挿入損失を示す図である。 第１フィルタの周波数通過帯域における、第２フィルタのリターンロスを示す図である。 実施の形態に係るマルチプレクサを含む高周波フロントエンドモジュールの回路構成図である。 その他の形態に係るマルチプレクサの第２フィルタ側の構成を示す模式的平面図である。
以下、本発明の実施の形態について、実施の形態および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
（実施の形態）
［１．マルチプレクサの全体構成］
図１Ａは、実施の形態に係るマルチプレクサ１を含む通信装置９の回路構成図である。図１Ｂは、実施の形態に係るマルチプレクサ１の挿入損失（通過特性）を示す模式図である。
通信装置９は、図１Ａに示されるように、マルチプレクサ１と、高周波信号処理回路であるＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）４とを備える。マルチプレクサ１は、共通端子１５を介して、アンテナ素子２に接続される。
図１Ａは、マルチプレクサ１の一例として、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格のＢａｎｄ２５（送信通過帯域：１８５０−１９１５ＭＨｚ、受信通過帯域：１９３０−１９９５ＭＨｚ）、および、Ｂａｎｄ６６（送信通過帯域：１７１０−１７８０ＭＨｚ、受信通過帯域：２１１０−２２００ＭＨｚ）に適用されるクワッドプレクサを示している。
マルチプレクサ１は、送信側フィルタ１０１、１０３と、受信側フィルタ１０２、１０４と、共通端子１５と、送信入力端子１０６、１０８と、受信出力端子１０７、１０９とを備える。送信側フィルタ１０１、１０３および受信側フィルタ１０２、１０４は、それぞれの引き出し線が束ねられて共通端子１５に接続されている。
送信側フィルタ１０１、１０３のそれぞれは、ＲＦＩＣ４で生成された送信波を、それぞれの送信入力端子１０６、１０８を経由して入力し、各送信通過帯域でフィルタリングして共通端子１５へ出力する帯域通過フィルタである。
受信側フィルタ１０２、１０４のそれぞれは、共通端子１５から入力された受信波を入力し、各受信通過帯域でフィルタリングしてそれぞれの受信出力端子１０７、１０９へ出力する帯域通過フィルタである。
ここで、本実施の形態のマルチプレクサ１の要旨を把握するため、図１Ａのマルチプレクサ１に含まれる任意の２つのフィルタに着目する。そして、着目した２つのフィルタのそれぞれを、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２と呼ぶ。
図２は、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２を含むマルチプレクサ１Ａを示す回路構成図である。
図２に示されるように、第１フィルタ１１は、共通端子１５と第１端子１６とを結ぶ経路上に配置されている。第２フィルタ１２は、共通端子１５と第２端子１７とを結ぶ経路上に配置されている。少なくとも、第１フィルタ１１が共通端子１５に接続されてフィルタリングを行っているとき、第２フィルタ１２は共通端子１５に接続されている。
第２フィルタ１２は、通過帯域の周波数が第１フィルタ１１よりも高い。本実施の形態では、一例として、第１フィルタ１１をＢａｎｄ２５の受信通過帯域（Ｂａｎｄ２５Ｒｘ）のフィルタとし、第２フィルタ１２をＢａｎｄ６６の受信通過帯域（Ｂａｎｄ６６Ｒｘ）のフィルタとして説明する。
［２．第２フィルタのＩＤＴ部の構造］
図３は、マルチプレクサ１Ａの第２フィルタ１２を示す模式的平面図である。
第２フィルタ１２は、縦結合型の弾性波フィルタであって、複数のＩＤＴ部２１１、２１２、２１３、２１４および２１５を有している。なお、第１フィルタ１１は、直列共振子および並列共振子を有するラダー型のフィルタであってもよいし、縦結合型の弾性波フィルタであってもよい。
第２フィルタ１２を説明する前に、第２フィルタ１２を構成するＩＤＴ部２１１〜２１５の構造について、ＩＤＴ部２１１〜２１５と共通するＩＤＴ部２２を用いて説明する。
図４は、ＩＤＴ部２２を模式的に表す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。なお、ＩＤＴ部２２は、弾性波フィルタの典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。
ＩＤＴ部２２は、櫛形形状を有するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極２２ａおよび２２ｂとで構成されている。
図４の（ａ）に示すように、圧電基板３２６の上には、互いに対向する一組のＩＤＴ電極２２ａおよび２２ｂが形成されている。ＩＤＴ電極２２ａは、互いに平行な複数の電極指２２２ａと、複数の電極指２２２ａを接続するバスバー電極２２１ａとで構成されている。また、ＩＤＴ電極２２ｂは、互いに平行な複数の電極指２２２ｂと、複数の電極指２２２ｂを接続するバスバー電極２２１ｂとで構成されている。複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂは、弾性波の伝搬方向と直交する方向に沿って形成されている。すなわち、電極指２２２ａおよび２２２ｂは、弾性波の伝搬方向に並んで形成されている。
また、複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂ、ならびに、バスバー電極２２１ａおよび２２１ｂで構成されるＩＤＴ電極２２ａおよび２２ｂは、図４の（ｂ）に示すように、密着層３２３と主電極層３２４との積層構造となっている。
密着層３２３は、圧電基板３２６と主電極層３２４との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。密着層３２３の膜厚は、例えば、１２ｎｍである。
主電極層３２４は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。主電極層３２４の膜厚は、例えば１６２ｎｍである。
保護層３２５は、ＩＤＴ電極２２ａおよび２２ｂを覆うように形成されている。保護層３２５は、主電極層３２４を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。
圧電基板３２６は、例えば、所定のカット角を有するＬｉＴａＯ３圧電単結晶、ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶、または圧電セラミックスからなる。
ここで、ＩＤＴ部２２の設計パラメータについて説明する。弾性表面波共振子の波長とは、図４の（ｂ）に示すＩＤＴ２２を構成する複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂの繰り返しピッチλで規定される。また、ＩＤＴ電極の交叉幅Ｌは、図４の（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極２２ａの電極指２２２ａとＩＤＴ電極２２ｂの電極指２２２ｂとを弾性波の伝搬方向から見た場合の重複する電極指長さである。また、デューティー比Ｄは、複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂのライン幅占有率であり、複数の電極指２２２ａおよび２２２ｂのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合である。より具体的には、デューティー比は、ＩＤＴ電極２２ａおよび２２ｂを構成する電極指２２２ａおよび２２２ｂのライン幅をＷとし、隣り合う電極指２２２ａと電極指２２２ｂとの間のスペース幅をＳとした場合、Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）で定義される。
［３．実施の形態における第２フィルタの構成］
前述したように、第２フィルタ１２は、縦結合型の弾性波フィルタであって、図３に示すように複数のＩＤＴ部２１１〜２１５を有している。また、第２フィルタ１２は、反射器２２０および２２１と、第１ポート２３０および第２ポート２４０とを備えている。第１ポート２３０は、共通端子１５および第２端子１７のうち、複数のＩＤＴ部２１１〜２１５から見て共通端子１５側に設けられている。第２ポート２４０は、共通端子１５および第２端子１７のうち、複数のＩＤＴ部２１１〜２１５から見て第２端子１７側に設けられている。
この第２フィルタ１２では、例えば、共通端子１５から高周波信号が入力されると、共通端子１５と基準端子（グランド）との間で電位差が生じ、これにより、圧電基板３２６が歪むことで弾性表面波が発生する。ここで、ＩＤＴ部２１１〜２１５のそれぞれの電極指のピッチλと、通過帯域の波長とを略一致させておくことで、第２フィルタ１２を用いて、通過させたい周波数成分を有する高周波信号を通過させることができる。
第２フィルタ１２のＩＤＴ部２１１は、互いに対向する一組のＩＤＴ電極２１１ａおよび２１１ｂを有している。同様に、ＩＤＴ部２１２〜２１５のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極２１２ａおよび２１２ｂと、２１３ａおよび２１３ｂと、２１４ａおよび２１４ｂと、２１５ａおよび２１５ｂとを有している。ＩＤＴ部２１１〜２１５は縦結合するように弾性波の伝搬方向に沿って順に配置されている。すなわち、ＩＤＴ部２１２および２１４は、ＩＤＴ部２１３を上記伝搬方向に挟み込むように配置され、ＩＤＴ部２１１および２１５は、ＩＤＴ部２１２〜２１４を上記伝搬方向に挟み込むように配置されている。反射器２２０および２２１は、ＩＤＴ部２１１〜２１５を上記伝搬方向に挟み込むように配置されている。
ＩＤＴ部２１２および２１４は、第１ポート２３０と基準端子（グランド）との間に並列接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極２１２ａおよび２１４ａは、基準端子に接続されている。また、ＩＤＴ電極２１２ｂおよび２１４ｂは、第１ポート２３０を介して、共通端子１５および第２端子１７のうちの共通端子１５側に接続されている。
ＩＤＴ部２１１、２１３および２１５は、第２ポート２４０と基準端子との間に並列接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極２１１ａ、２１３ａおよび２１５ａは、基準端子に接続されている。また、ＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂおよび２１５ｂは、第２ポート２４０を介して、共通端子１５および第２端子１７のうちの第２端子１７側に接続されている。
このように第２フィルタ１２では、複数のＩＤＴ部２１１〜２１５のうち、一方のＩＤＴ電極２１２ｂおよび２１４ｂは共通端子１５側に接続され、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂおよび２１５ｂは第２端子１７側に接続されている。すなわち、一方のＩＤＴ電極２１２ｂおよび２１４ｂの接続先は共通端子１５であり、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂおよび２１５ｂの接続先は第２端子１７である。
ここで、表１に、ＩＤＴ部２１１〜２１５の設計パラメータ（電極指のメインピッチλｍ、交叉幅Ｌ、ＩＤＴ対数Ｎ、デューティー比Ｄ）を示す。
Figure 0006627816
なお、反射器２２０および２２１の電極指のピッチは、１．８５５μｍであり、ＩＤＴ部２１１〜２１５の電極指のメインピッチλ１〜λ５より大きい。
また、表１に示す電極指のメインピッチλｍは、それぞれのＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂの中央部における電極指のピッチである。メインピッチλｍは、ＩＤＴ電極２１１ｂを例に挙げて説明すると、ＩＤＴ電極２１１ｂの全ての電極指のうちの５０％以上を占める電極指によりそれぞれ形成されるピッチである。縦結合型の弾性波フィルタでは、隣に位置するＩＤＴ電極２１２ｂとの結合度を調整するために、ＩＤＴ電極２１１ｂの両端部における電極指のピッチを中央部よりも小さくすることがある。そのため、電極指のピッチλは、ＩＤＴ電極２１１ｂの全体で見た場合に、弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極２１１ｂの中央部と、両端部とで異なる値となる。したがって、本実施の形態では、ＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂの電極指のピッチλを比較する場合、メインピッチλｍで比較する場合もある。
本実施の形態では、表１に示すように、それぞれの電極指のメインピッチλｍが以下の関係を有している。
（λ２＝λ４）＜（λ１＝λ５）＜λ３
すなわち、共通端子１５に接続されている一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂの電極指のメインピッチλ２、λ４と、第２端子１７に接続されている他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂの電極指のメインピッチλ１、λ３、λ５とが異なっている。
また、複数のＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂのそれぞれのメインピッチλ１〜λ５のうち、第２端子１７に接続されている他方のＩＤＴ電極２１３ｂの電極指のメインピッチλ３が、最大となっている。また、メインピッチλ１〜λ５のうち、共通端子１５に接続されているＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂのメインピッチλ２、λ４が、最小となっている。
また、本実施の形態では、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂが有する複数の電極指のピッチλの総平均は、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂが有する複数の電極指のピッチλの総平均よりも小さい。複数の電極指のピッチλの総平均は、ＩＤＴ電極の中央部および端部を含む電極指のピッチλを加重平均することで求められる。本実施の形態では、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂの電極指のピッチの総平均は、１．７８９μｍであり、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂの電極指のピッチの総平均は、１．８１９μｍである。
また、本実施の形態では、それぞれのＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂにおいて、複数の電極指のピッチλの平均値を求めた場合に、最大の平均値を有するＩＤＴ電極が、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂのいずれかの中に存在する。複数の電極指のピッチλの平均値とは、ＩＤＴ電極の中央部および端部を含む電極指のピッチλの加重平均をＩＤＴ電極ごとに求めた値である。本実施の形態では、最大の平均値を有するＩＤＴ電極はＩＤＴ電極２１３ｂであり、最小の平均値を有するＩＤＴ電極は、ＩＤＴ電極２１２ｂおよび２１４ｂである。
［４．比較例における第２フィルタの構成］
図５は、比較例に係るマルチプレクサの第２フィルタ５５２を示す模式的平面図である。
第２フィルタ５５２は、図５に示すように、複数のＩＤＴ部５１１〜５１５と、反射器２２０および２２１と、第１ポート２３０および第２ポート２４０とを備えている。
ＩＤＴ部５１１は、互いに対向する一組のＩＤＴ電極５１１ａおよび５１１ｂを有している。同様に、ＩＤＴ部５１２〜５１５のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極５１２ａおよび５１２ｂと、５１３ａおよび５１３ｂと、５１４ａおよび５１４ｂと、５１５ａおよび５１５ｂとを有している。ＩＤＴ部５１１〜５１５は縦結合するように弾性波の伝搬方向に沿って順に配置されている。
ＩＤＴ部５１１、５１３および５１５は、第１ポート２３０と基準端子（グランド）との間に並列接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極５１１ａ、５１３ａおよび５１５ａは、基準端子に接続されている。また、ＩＤＴ電極５１１ｂ、５１３ｂおよび５１５ｂは、第１ポート２３０を介して共通端子１５に接続されている。
ＩＤＴ部５１２および５１４は、第２ポート２４０と基準端子との間に並列接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極５１２ａおよび５１４ａは、基準端子に接続されている。また、ＩＤＴ電極５１２ｂおよび５１４ｂは、第２ポート２４０を介して第２端子１７に接続されている。
このように、比較例の第２フィルタ５５２では、複数のＩＤＴ部５１１〜５１５のうち、一方のＩＤＴ電極５１１ｂ、５１３ｂおよび５１５ｂは共通端子１５に接続され、他方のＩＤＴ電極５１２ｂおよび５１４ｂは第２端子１７に接続されている。
ここで、表２に、比較例のＩＤＴ部５１１〜５１５の設計パラメータを示す。
Figure 0006627816
なお、反射器２２０および２２１の電極指のピッチは、１．８６１μｍであり、ＩＤＴ部５１１の電極指のメインピッチλ１より大きく、ＩＤＴ部５１３の電極指のメインピッチλ３より小さい。
比較例では、表２に示すように、電極指のメインピッチλｍが以下の関係を有している。
（λ２＝λ４）＜（λ１＝λ５）＜λ３
比較例における電極指のメインピッチλｍの大小関係は、実施の形態と同じである。ただし、比較例では、ＩＤＴ電極５１１ｂ、５１３ｂ、５１５ｂが共通端子１５に接続され、ＩＤＴ電極５１２ｂ、５１４ｂが第２端子１７に接続されている点で、本実施の形態と異なっている。
［５．実施の形態および比較例の周波数特性］
以下、本実施の形態および比較例におけるマルチプレクサの周波数特性について説明する。
図６は、第１フィルタ１１の周波数通過帯域における挿入損失を示す図である。実施の形態に対応する評価回路としては、図６の（ａ）に示すように、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２の一方の引き出しを互いに束ねた回路を用いた。比較例に対応する評価回路としては、実施の形態の第２フィルタ１２を比較例の第２フィルタ５５２に置き換えた回路を用いた。
図６の（ｂ）は、１８５０ＭＨｚから２０５０ＭＨｚにおいて、実施の形態および比較例のそれぞれの挿入損失（通過特性）を示す図である。図６の（ｂ）に示すように、比較例では、Ｂａｎｄ２５Ｒｘの帯域内である１９７５ＭＨｚ付近において、挿入損失が大きくなっている。それに対し、実施の形態では、比較例に比べて１９７５ＭＨｚ付近における挿入損失が小さくなっている。この違いについて、図７を参照して説明する。
図７は、第１フィルタ１１の周波数通過帯域における、第２フィルタ１２（または５５２）のリターンロスを示す図である。実施の形態に対応する評価回路としては、図７の（ａ）に示すように、第１フィルタ１１および第２フィルタ１２の束ねを解除し、第２フィルタ１２のみで構成される回路を用いた。比較例に対応する評価回路としては、比較例の第２フィルタ５５２のみで構成される回路を用いた。
図７の（ｂ）は、１８５０ＭＨｚから２０５０ＭＨｚにおいて、実施の形態および比較例のそれぞれのリターンロスを示す図である。図７の（ｂ）に示すように、比較例では、Ｂａｎｄ２５Ｒｘの帯域内である１９７５ＭＨｚ付近において、リターンロスが大きくなる不要波が発生している。これは、比較例の第２フィルタ５５２において、１９７５ＭＨｚで入力された信号が十分に反射されずに一部が吸収されていることを示している。比較例では、この不要波が１９７５Ｍｚ付近に存在するため、図６の（ｂ）で示すように、１９７５ＭＨｚ付近における挿入損失が大きくなっていると考えられる。
それに対し、実施の形態では、Ｂａｎｄ２５Ｒｘの帯域内においてリターンロスが小さい。これは、ＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂの電極指のピッチλを変えることで、第１フィルタ１１の周波数通過帯域（Ｂａｎｄ２５Ｒｘ）に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を、通過帯域外に移動させているからである。具体的には、第２端子１７に接続されるＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂの電極指のメインピッチλｍを大きく、または、共通端子１５に接続されるＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂの電極指のメインピッチλｍを小さくすることで、上記不要波の位置を第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波側に移動させることができるからである。これにより、実施の形態の第２フィルタ１２を用いたマルチプレクサ１Ａでは、第１フィルタ１１の通過帯域において、挿入損失が大きくなることを抑制することができる。
［６．まとめ］
以上、本実施の形態に係るマルチプレクサ１Ａは、共通端子１５、第１端子１６および第２端子１７と、共通端子１５と第１端子１６とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタ１１と、共通端子１５と第２端子１７とを結ぶ経路上に配置され、第１フィルタ１１より高い通過帯域周波数を有する第２フィルタ１２とを備えている。
第２フィルタ１２は、弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部２１１〜２１５を有している。複数のＩＤＴ部２１１〜２１５のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、複数のＩＤＴ部２１１〜２１５を構成する複数のＩＤＴ電極のうち、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂは、共通端子１５および第２端子１７のうちの共通端子１５側に接続され、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂは、共通端子１５および第２端子１７のうちの第２端子１７側に接続されている。一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂおよび他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂのそれぞれは、圧電基板３２６の表面に形成され、弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有している。一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂと他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂとでは、弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指のメインピッチλｍが異なり、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂの少なくとも１つは、複数のＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂのうちの電極指のメインピッチλｍが最大である。
この構成によれば、第１フィルタ１１の周波数通過帯域に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタ１１の通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサ１Ａにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂの少なくとも１つは、複数のＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂのうちの電極指のメインピッチλｍが最小であってもよい。
これによれば、第１フィルタ１１の通過帯域に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を、第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波側であって、第２フィルタ１２の低周波側ストップバンドの帯域内に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサ１Ａにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、本実施の形態に係るマルチプレクサ１Ａは、一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂが有する電極指のピッチλの総平均は、他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂが有する電極指のピッチλの総平均よりも小さい。
また、本実施の形態に係るマルチプレクサ１Ａは、それぞれのＩＤＴ電極２１１ｂ〜２１５ｂにおいて電極指のピッチλの平均値を求めた場合に、最大の平均値を有するＩＤＴ電極が他方のＩＤＴ電極２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂ中に存在する。
この構成によれば、第１フィルタ１１の周波数通過帯域に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタ１１の通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサ１Ａにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
（その他の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ１、１Ａについて説明したが、本発明は、上記実施の形態には限定されない。例えば、上記実施の形態に次のような変形を施した態様も、本発明に含まれ得る。
図８は、マルチプレクサ１Ｂを含む高周波フロントエンドモジュール８を示す回路構成図である。図８に示す高周波フロントエンドモジュール８では、入力された信号を増幅するため、第１端子１６とＲＦＩＣ４との間、および、第２端子１７とＲＦＩＣ４との間にそれぞれＬＮＡ（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）３が設けられている。また、アンテナ素子２との接続状態を切り替えるため、第１フィルタ１１と共通端子１５との間、および、第２フィルタ１２と共通端子１５との間にマルチポートスイッチ５が設けられている。マルチポートスイッチ５は、同時にＯＮ／ＯＦＦすることができるスイッチであり、第１フィルタ１１が共通端子１５に接続されているとき、すなわち、第１フィルタ１１が信号処理をしている場合に、第２フィルタ１２も共通端子１５に接続されるようにすることができる。
このような回路構成を有する高周波フロントエンドモジュール８においても上記実施の形態と同様に、マルチプレクサ１Ａの一部として弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、本実施の形態では、マルチプレクサ１Ａの第１フィルタ１１および第２フィルタ１２の両方が受信フィルタである例を説明したが、それに限られず、両方が送信フィルタであってもよいし、一方が受信フィルタでもう一方が送信フィルタであってもよい。具体的には、Ｂａｎｄ６６Ｒｘの帯域通過フィルタを第２フィルタ１２とし、Ｂａｎｄ２５ＴｘおよびＢａｎｄ６６Ｔｘの帯域通過フィルタのいずれかを第１フィルタ１１としてもよい。また、Ｂａｎｄ２５Ｒｘの帯域通過フィルタを第２フィルタ１２とし、Ｂａｎｄ６６ＴｘおよびＢａｎｄ２５Ｔｘの帯域通過フィルタのいずれかを第１フィルタ１１としてもよい。また、Ｂａｎｄ２５Ｔｘの通過帯域フィルタを第２フィルタ１２とし、Ｂａｎｄ６６Ｔｘの帯域通過フィルタを第１フィルタ１１としてもよい。
また、例えば、上記実施の形態に次のような変形を施した態様も、本発明に含まれ得る。
図９は、その他の形態に係るマルチプレクサの第２フィルタ１２側の構成を示す模式的平面図である。
この形態に係るマルチプレクサでは、第２フィルタ１２の一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂと共通端子１５との間に回路素子３５０が接続されている。具体的には、第１ポート２３０と共通端子１５との間に、第２フィルタ１２と異なる回路素子３５０が直列接続されている。この回路素子３５０は、例えば、インダクタ、キャパシタ、スイッチ、ＬＣ共振子または弾性波共振子などである。例えば、ＬＣ共振子および弾性波共振子は、直列共振子であってもよいし、並列共振子であってもよいし、直列共振子および並列共振子の両方を含む共振子であってもよい。回路素子３５０は、周波数トラップのため、または、インピーダンス整合のために設けられていてもよい。
本発明では、上記のように一方のＩＤＴ電極２１２ｂ、２１４ｂと共通端子１５との間に回路素子３５０が接続されている場合であっても、第１フィルタ１１の周波数通過帯域に発生する第２フィルタ１２のリターンロスが大きくなる不要波の位置を第１フィルタ１１の通過帯域外に移動させることが可能となる。これにより、マルチプレクサ１Ａにおいて弾性波フィルタを用いた場合に、同じマルチプレクサを構成する他のフィルタの通過特性を低下させることを抑制することができる。
また、上記実施の形態では、マルチプレクサ１、１Ａ、高周波フロントエンドモジュール８として、ＩＤＴ電極を有する弾性表面波フィルタを例示した。しかしながら、本発明に係るマルチプレクサ１、１Ａおよび高周波フロントエンドモジュール８を構成する各フィルタは、弾性境界波を用いた弾性波フィルタであってもよい。これによっても、上記実施の形態に係るマルチプレクサ等が有する効果と同様の効果が奏される。
また、弾性表面波フィルタを構成する圧電基板３２６は、高音速支持基板と、低音速膜と、圧電膜とがこの順で積層された積層構造であってもよい。圧電膜は、例えば、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸から５０°回転した軸を法線とする面で切断したタンタル酸リチウム単結晶、またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。圧電膜は、例えば、厚みが６００ｎｍである。高音速支持基板は、低音速膜、圧電膜ならびにＩＤＴ電極を支持する基板である。高音速支持基板は、さらに、圧電膜を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電膜および低音速膜が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板は、例えば、シリコン基板であり、厚みは、例えば２００μｍである。低音速膜は、圧電膜を伝搬するバルク波よりも、低音速膜中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電膜と高音速支持基板との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜であり、厚みは、例えば６７０ｎｍである。この積層構造によれば、圧電基板３２６を単層で使用している構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。
本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できる低損失のマルチプレクサおよび高周波フロントエンドモジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、１Ａ、１Ｂ マルチプレクサ
２ アンテナ素子
３ ＬＮＡ
４ ＲＦＩＣ（高周波信号処理回路）
５ マルチポートスイッチ
８ 高周波フロントエンドモジュール
９ 通信装置
１１ 第１フィルタ
１２ 第２フィルタ
１５ 共通端子
１６ 第１端子
１７ 第２端子
２２ ＩＤＴ部
２２ａ、２２ｂ ＩＤＴ電極
１０１、１０３ 送信側フィルタ
１０２、１０４ 受信側フィルタ
１０６、１０８ 送信入力端子
１０７、１０９ 受信出力端子
２１１、２１２、２１３、２１４、２１５ ＩＤＴ部
２１１ｂ、２１３ｂ、２１５ｂ 他方のＩＤＴ電極
２１２ｂ、２１４ｂ 一方のＩＤＴ電極
２２０、２２１ 反射器
２２１ａ、２２１ｂ バスバー電極
２２２ａ、２２２ｂ 電極指
２３０ 第１ポート
２４０ 第２ポート
３２６ 圧電基板
３５０ 回路素子
５１１、５１２、５１３、５１４、５１５ ＩＤＴ部（比較例）
５１１ｂ、５１３ｂ、５１５ｂ 一方のＩＤＴ電極（比較例）
５１２ｂ、５１４ｂ 他方のＩＤＴ電極（比較例）
５５２ 第２フィルタ（比較例）
λ 電極指のピッチ
λｍ、λ１、λ２、λ３、λ４、λ５ 電極指のメインピッチ

Claims (11)

  1. 共通端子、第１端子および第２端子と、
    前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、
    前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、
    前記第２フィルタは、縦結合型の弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、
    前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、
    前記複数のＩＤＴ部における所定の一組のＩＤＴ電極の一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、前記所定の一組のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向に配置された他の一組のＩＤＴ電極の他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、
    前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、
    前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、
    前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に、複数の前記他方のＩＤＴ電極が接続され、
    複数の前記他方のＩＤＴ電極のうち少なくとも１つのＩＤＴ電極は、複数の前記ＩＤＴ電極のうち前記電極指のメインピッチが最大であり、かつ、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極と異なるＩＤＴ電極と比べて前記電極指のメインピッチが異なる
    マルチプレクサ。
  2. 前記一方のＩＤＴ電極の少なくとも１つは、複数の前記ＩＤＴ電極のうち前記電極指のメインピッチが最小である
    請求項１に記載のマルチプレクサ。
  3. 共通端子、第１端子および第２端子と、
    前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、
    前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、
    前記第２フィルタは、縦結合型の弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、
    前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、
    前記複数のＩＤＴ部における所定の一組のＩＤＴ電極の一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、前記所定の一組のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向に配置された他の一組のＩＤＴ電極の他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、
    前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、
    前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、
    前記一方のＩＤＴ電極が有する前記電極指のピッチの総平均は、前記他方のＩＤＴ電極が有する前記電極指のピッチの総平均よりも小さく、
    前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に、複数の前記他方のＩＤＴ電極が接続され、
    複数の前記他方のＩＤＴ電極のうち少なくとも１つのＩＤＴ電極は、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極と異なるＩＤＴ電極と比べて前記電極指のメインピッチが異なる
    マルチプレクサ。
  4. 共通端子、第１端子および第２端子と、
    前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ経路上に配置された第１フィルタと、
    前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ経路上に配置され、前記第１フィルタより高い通過帯域周波数を有する第２フィルタと、を備え、
    前記第２フィルタは、縦結合型の弾性波フィルタであって、弾性波の伝搬方向に沿って配置された複数のＩＤＴ部を有し、
    前記複数のＩＤＴ部のそれぞれは、互いに対向する一組のＩＤＴ電極で構成され、
    前記複数のＩＤＴ部における所定の一組のＩＤＴ電極の一方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記共通端子側に接続され、前記所定の一組のＩＤＴ電極に対して前記伝搬方向に配置された他の一組のＩＤＴ電極の他方のＩＤＴ電極が前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に接続され、
    前記一方のＩＤＴ電極および前記他方のＩＤＴ電極のそれぞれは、圧電基板の表面に形成され、前記弾性波の伝搬方向に並ぶ複数の電極指を有し、
    前記一方のＩＤＴ電極と前記他方のＩＤＴ電極とでは、前記電極指のメインピッチが異なり、
    それぞれの前記ＩＤＴ電極において前記電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最大の前記平均値を有するＩＤＴ電極が前記他方のＩＤＴ電極中に存在し、
    前記共通端子および前記第２端子のうちの前記第２端子側に、複数の前記他方のＩＤＴ電極が接続され、
    複数の前記他方のＩＤＴ電極のうち少なくとも１つのＩＤＴ電極は、前記少なくとも１つのＩＤＴ電極と異なるＩＤＴ電極と比べて前記電極指のメインピッチが異なる
    マルチプレクサ。
  5. それぞれの前記ＩＤＴ電極において前記電極指のピッチの平均値を求めた場合に、最小の前記平均値を有するＩＤＴ電極が前記一方のＩＤＴ電極中に存在する
    請求項４に記載のマルチプレクサ。
  6. 前記一方のＩＤＴ電極と前記共通端子との間に、前記第２フィルタと異なる回路素子が接続されている
    請求項１〜５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  7. 前記第２フィルタは、３以上の奇数の前記ＩＤＴ部を有し、
    前記一方のＩＤＴ電極の数は、前記他方のＩＤＴ電極の数より少ない
    請求項１〜６のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  8. 前記第２フィルタは、５以上の前記ＩＤＴ部を有する
    請求項１〜７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  9. 前記第１フィルタおよび前記第２フィルタは、互いに受信フィルタである
    請求項１〜８のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  10. 前記第１フィルタが前記共通端子に接続されているときに、前記第２フィルタが前記共通端子に接続されている
    請求項１〜９のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載のマルチプレクサを備える高周波フロントエンドモジュール。
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