JP6493630B2 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。

従来、弾性波装置が携帯電話機などに広く用いられている。下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、同一の圧電基板において、周波数特性が互いに異なる２つの弾性表面波素子が構成されている。圧電基板上には、各弾性表面波素子におけるＩＤＴ電極を覆うように、絶縁膜が設けられている。２つの弾性表面波素子における絶縁膜の膜厚を互いに異ならせることにより、各弾性波装置の周波数特性が調整されている。

特開２０００−３４１０６８号公報

弾性波装置においては、ＩＤＴ電極の電極指の線幅や膜厚の製造ばらつきにより、周波数特性にばらつきが生じる。これにより、挿入損失や、帯域外減衰量などのフィルタ特性が劣化することがある。

特許文献１に記載の弾性波装置のように、複数の弾性表面波素子を有する場合、弾性表面波素子間で、製造時において周波数のばらつき方は異なる。そのため、弾性表面波素子毎に個別に周波数調整を行うことが必要であった。従って、特に、複数の帯域通過型フィルタを有する弾性波装置などの製造工程が煩雑であった。

本発明の目的は、同一の圧電基板に構成された複数の帯域通過型フィルタの周波数調整を容易に行うことができる、弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜とを有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜とを有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記複数の第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、全ての前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。

本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜とを有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜とを有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第１の弾性波共振子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第２の弾性波共振子を有し、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。

本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜とを有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜とを有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第３の弾性波共振子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第４の弾性波共振子を有し、前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。

本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜とを有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜とを有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第１の弾性波共振子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第４の弾性波共振子を有し、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記第１の弾性波共振子の前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第４の弾性波共振子の前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第３の弾性波共振子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第２の弾性波共振子を有し、前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１，第２の帯域通過型フィルタが受信フィルタである。

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第１，第２の帯域通過型フィルタが送信フィルタである。

本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１，第２の誘電体膜が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。この場合には、生産性をより一層高めることができ、かつ第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。

本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極及び前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が多層膜構造である。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のある広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程とが備えられており、前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成し、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程のうち少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程がさらに備えられている。

本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程とが備えられており、前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第１の弾性波共振子の前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第２の弾性波共振子の前記第２のＩＤＴ電極を形成し、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程がさらに備えられている。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程とを備え、前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程がさらに備えられている。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程とを備え、前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程がさらに備えられている。

本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記第１のＩＤＴ電極形成工程及び前記第２のＩＤＴ電極形成工程を同時に行い、かつ前記第１の誘電体膜形成工程及び前記第２の誘電体膜形成工程を同時に行う。この場合には、生産性をより一層高めることができ、かつ第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整をより一層容易に行うことができる。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程及び前記第１，第２の誘電体膜形成工程のうち同時に行う工程を、堆積法により行う。

本発明によれば、同一の圧電基板に構成された複数の帯域通過型フィルタの周波数調整を容易に行うことができる、弾性波装置及びその製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図２は、本発明の第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタの一部を模式的に抜き出して示す、弾性波装置の模式的断面図である。 図５は、ＩＤＴ電極のデューティと周波数の加工依存性との関係を示す図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の模式的断面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的回路図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。

弾性波装置１は、互いに通過帯域が異なる第１〜第４の帯域通過型フィルタ３Ａ〜３Ｄを有する。本実施形態では、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは受信フィルタであり、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄは送信フィルタである。

第１の帯域通過型フィルタ３Ａ及び第３の帯域通過型フィルタ３Ｃは、同じ通信バンドの受信フィルタ及び送信フィルタである。より具体的には、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、第１の受信帯域及び第１の送信帯域を含む第１の通信バンドのうち、第１の受信帯域を通過帯域とする。第３の帯域通過型フィルタ３Ｃは、第１の通信バンドのうちの他方である、第１の送信帯域を通過帯域とする。

同様に、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂ及び第４の帯域通過型フィルタ３Ｄは、同じ通信バンドの受信フィルタ及び送信フィルタである。より具体的には、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、第２の受信帯域及び第２の送信帯域を含む第２の通信バンドのうち、第２の受信帯域を通過帯域とする。第４の帯域通過型フィルタ３Ｄは、第２の通信バンドのうちの他方である、第２の送信帯域を通過帯域とする。

本実施形態では、第１の受信帯域はＢａｎｄ４の受信帯域であり、２１１０ＭＨｚ以上、２１５５ＭＨｚ以下である。第１の送信帯域はＢａｎｄ４の送信帯域であり、１７１０ＭＨｚ以上、１７５５ＭＨｚ以下である。第２の受信帯域はＢａｎｄ２５の受信帯域であり、１９３０ＭＨｚ以上、１９９５ＭＨｚ以下である。第２の送信帯域はＢａｎｄ２５の送信帯域であり、１８５０ＭＨｚ以上、１９１５ＭＨｚである。なお、第１，第２の受信帯域及び第１，第２の送信帯域は、上記に限定されない。

弾性波装置１は、アンテナに接続されるアンテナ端子４を有する。本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ３Ａと第３の帯域通過型フィルタ３Ｃとがアンテナ端子４に共通接続されており、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂと第４の帯域通過型フィルタ３Ｄとがアンテナ端子４に共通接続されている。すなわち、第１〜第４の帯域通過型フィルタ３Ａ〜３Ｄは、アンテナ端子４に共通接続されている。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは、同じアンテナ端子に共通接続されていなくともよい。第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄも、同じアンテナ端子に共通接続されていなくともよい。

ここで、第１の送信帯域における第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、第１の受信帯域における第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とする。第１の帯域通過型フィルタ３Ａの通過帯域の中心周波数をｆ１とする。第２の送信帯域における第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、第２の受信帯域における第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とする。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの通過帯域の中心周波数をｆ２とする。このとき、本実施形態では、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＝１６．６５％であり、｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２＝０．７６％である。このように、弾性波装置１においては、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２である。これは、第１の送信帯域と第１の受信帯域との周波数の間隔が、第２の送信帯域と第２の受信帯域との周波数の間隔よりも広いことを示す。

図１中の破線Ａは、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂが同一チップ内において構成されていることを示す。破線Ｂは、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄが同一チップ内において構成されていることを示す。ここで、本明細書において、同一チップ内において構成されているとは、同じ圧電基板上において構成されていることをいう。なお、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄは、同一チップ内において構成されていなくともよい。

以下において、本実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂのより具体的な構成を説明する。

図２は、第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。図３は、本実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。なお、図２において、後述する弾性波共振子及び縦結合共振子型弾性波フィルタは、矩形や多角形に対角線を加えた略図により示す。

図２に示すように、本実施形態の弾性波装置は圧電基板７を有する。圧電基板７は、例えば、ＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３などの圧電単結晶や、適宜の圧電セラミックスからなる。第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは、圧電基板７上において構成されている。圧電基板７上には、グラウンド電位に接続される複数のグラウンド端子８が設けられている。

図３に示すように、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、複数の弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ３及び複数の縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２を有する。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、複数の弾性波共振子Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｐ１１及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１を有する。他方、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄの回路構成は、特に限定されない。

図４は、第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタの一部を模式的に抜き出して示す、弾性波装置の模式的断面図である。なお、図４は模式的に示すものであり、図２中の特定の部分の断面図には相当しない。後述する図６（ａ）及び図６（ｂ）、図７〜図９も同様である。

第１の帯域通過型フィルタの弾性波共振子Ｓａは、圧電基板７上に設けられた第１のＩＤＴ電極９Ａを有する。第１のＩＤＴ電極９Ａの弾性波伝搬方向両側には、反射器１５Ａ，１５Ａが配置されている。第１のＩＤＴ電極９Ａ及び反射器１５Ａ，１５Ａを覆うように、圧電基板７上に第１の誘電体膜１６Ａが設けられている。

第２の帯域通過型フィルタの弾性波共振子Ｓｂは、圧電基板７上に設けられた第２のＩＤＴ電極９Ｂを有する。第２のＩＤＴ電極９Ｂの弾性波伝搬方向両側には、反射器１５Ｂ，１５Ｂが配置されている。第２のＩＤＴ電極９Ｂ及び反射器１５Ｂ，１５Ｂを覆うように、圧電基板７上に第２の誘電体膜１６Ｂが設けられている。第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂは、例えば、ＳｉＯ_２などの適宜の誘電体からなる。

第１の帯域通過型フィルタは、図４に示す第１のＩＤＴ電極９Ａ以外にも、複数の第１のＩＤＴ電極９Ａを有する。図３に示す各弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ３及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２は、それぞれ第１のＩＤＴ電極９Ａ及び第１の誘電体膜１６Ａを有する。第２の帯域通過型フィルタも、複数の第２のＩＤＴ電極９Ｂを有する。各弾性波共振子Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｐ１１及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１は、それぞれ第２のＩＤＴ電極９Ｂ及び第２の誘電体膜１６Ｂを有する。なお、各第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂの電極指の対数、電極指ピッチや交叉幅などはそれぞれ異なっていてもよく、目的とするフィルタ特性に応じて適宜選択すればよい。

本実施形態では、弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ３における第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティは０．６８であり、縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２における第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティは０．６４である。第１の帯域通過型フィルタ３Ａの複数の第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティの平均値は０．６７である。他方、弾性波共振子Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｐ１１及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１における第２のＩＤＴ電極９Ｂのデューティはいずれも０．６である。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの複数の第２のＩＤＴ電極９Ｂのデューティの平均値は０．６である。これを下記の表１に示す。

なお、本明細書において、複数の弾性波共振子間の比較に際してのデューティの平均値とは、各ＩＤＴ電極の電極指の本数に基づく加重平均値である。例えば、電極指の本数がＸ本、デューティがＤｘであるＩＤＴ電極、電極指の本数がＹ本、デューティがＤｙであるＩＤＴ電極及び電極指の本数がＺ本、デューティがＤｚであるＩＤＴ電極のデューティの加重平均値は、下記の通りである。デューティの加重平均値＝（Ｘ×Ｄｘ＋Ｙ×Ｄｙ＋Ｚ×Ｄｚ）／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）と表すことができる。

第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂにおいては、図４に示す第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂも同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。なお、本明細書における同じ膜厚においては、同一工程において形成された際のばらつき程度の差は許容される。

本実施形態の特徴は、以下の構成にある。１）上記第１，第２の通信バンドが、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２の関係にある。２）第１の帯域通過型フィルタ３Ａの複数の第１のＩＤＴ電極９Ａのデューティの加重平均値が、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの複数の第２のＩＤＴ電極９Ｂのデューティの加重平均値よりも大きい。３）第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂ及び第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂのうち少なくとも一方が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。これらの特徴を有することにより、同一の圧電基板７に構成された第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。

これを、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの構成の詳細と共に、以下において説明する。

図３に示すように、弾性波装置１は、第１の帯域通過型フィルタ３Ａに接続されている第１の端子５を有する。ここで、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、入力端及び出力端を有する。本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ３Ａの入力端側が上記アンテナ端子４側に位置し、出力端側が第１の端子５側に位置する。入力端と出力端とを接続する直列腕に弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ３及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２が配置されている。縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２は、弾性波共振子Ｓ１と弾性波共振子Ｓ２との間に、互いに並列に接続されている。弾性波共振子Ｓ１は、アンテナ端子４と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２との間に接続されている。弾性波共振子Ｓ２，Ｓ３は、第１の端子５と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１，Ｄ２との間に、互いに直列に接続されている。

弾性波装置１は、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂに接続されている第２の端子６を有する。ここで、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、入力端及び出力端を有する。本実施形態では、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの入力端側がアンテナ端子４側に位置し、出力端側が第２の端子６側に位置する。入力端と出力端とを接続する直列腕に、弾性波共振子Ｓ１１〜Ｓ１３及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１が配置されている。弾性波共振子Ｓ１１〜Ｓ１３は、アンテナ端子４と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ１１との間に互いに直列に接続されている。直列腕とグラウンド電位との間に弾性波共振子Ｐ１１が接続されている。より具体的には、弾性波共振子Ｐ１１は、アンテナ端子４と弾性波共振子Ｓ１１との間の接続点とグラウンド電位との間に接続されている。

アンテナ端子４とグラウンド電位との間には、インピーダンス調整用のインダクタＬが接続されている。なお、本実施形態においては、図２中の各端子における破線の円形で示す部分に、はんだやビアホール電極、引き回し配線などが接続される。それによって、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは外部に電気的に接続される。

ここで、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、第１の受信帯域においては挿入損失が小さく、かつ第１の送信帯域においては、帯域外減衰量が小さいことが望ましい。同様に、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、第２の受信帯域においては挿入損失が小さく、かつ第２の送信帯域においては、帯域外減衰量が小さいことが望ましい。このようなフィルタ特性を制御するため、詳細は後述するが、弾性波装置１の製造工程において周波数調整が行われる。

本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ３Ａにおける全ての第１のＩＤＴ電極のデューティが、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの全ての第２のＩＤＴ電極よりも大きい。これにより、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの周波数の加工依存性が異ならされている。下記の図５において、ＩＤＴ電極のデューティと周波数の加工依存性との関係を示す。

図５の関係を求める際、ＩＤＴ電極のデューティが異なる複数の帯域通過型フィルタを作製した。ＩＤＴ電極の電極膜厚、誘電体膜厚が同じであり、かつ電極指の幅（デューティ）が異なる複数の帯域通過型フィルタも作製した。上記複数の帯域通過型フィルタは全て同じ通過帯域とし、Ｂａｎｄ２５とした。各帯域通過型フィルタの周波数特性を測定し、電極指の幅の変化量に対する周波数の変化量を、各デューティにおいて求めた。それによって、ＩＤＴ電極の各デューティにおける周波数の加工依存性を求めた。

図５は、ＩＤＴ電極のデューティと周波数の加工依存性との関係を示す図である。

図５に示すように、ＩＤＴ電極のデューティが大きいほど、周波数の加工依存性が小さくなることがわかる。本実施形態では、全ての第１のＩＤＴ電極のデューティが全ての第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。よって、第１の帯域通過型フィルタの周波数の加工依存性は、第２の帯域通過型フィルタの周波数の加工依存性よりも小さい。

なお、ある局面では、複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、複数の第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きければよい。この場合においても、第２の帯域通過型フィルタの周波数の加工依存性より、第１の帯域通過型フィルタの周波数の加工依存性を小さくすることができる。もっとも、本実施形態のように、全ての第１のＩＤＴ電極のデューティが全ての第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きいことがより好ましい。

上述したように、本実施形態においては、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２の関係にある。第２の送信帯域及び第２の受信帯域の周波数の間隔は、第１の送信帯域及び第１の受信帯域の周波数の間隔よりも狭い。そのため、図３に示す第２の帯域通過型フィルタ３Ｂにおいては、第２の受信帯域における挿入損失を小さくすることと、第２の送信帯域における帯域外減衰量を大きくすることとの両立のため、高い精度で周波数調整を行う必要がある。他方、第１の帯域通過型フィルタ３Ａにおいては、第１の受信帯域における挿入損失を小さくすることと、第１の送信帯域における帯域外減衰量を大きくすることとの両立は、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂよりも容易である。

ここで、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂよりも、第１の帯域通過型フィルタ３Ａにおける周波数の加工依存性は小さい。そのため、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの周波数調整の条件において第１の帯域通過型フィルタ３Ａの周波数調整を行ったとしても、上記両立を容易に達成し得る。

弾性波装置１の製造工程においては、例えば、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの周波数調整の条件で、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの周波数調整を同時に行う。それによって、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂにおいて、挿入損失を十分に高くすることができ、かつ第４の帯域通過型フィルタ３Ｄの通過帯域における帯域外減衰量を十分に大きくすることができる。さらに、第１の帯域通過型フィルタ３Ａも、上記周波数調整後において、挿入損失は十分に高く、かつ第３の帯域通過型フィルタ３Ｃの通過帯域における帯域外減衰量は十分に大きい。本実施形態では、このように、同一の圧電基板７における第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。

以下において、弾性波装置１の製造方法の一例と共に、本実施形態の効果をさらに詳細に説明する。

図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。なお、実際は周波数が異なるフィルタを実現するために電極指ピッチ、デューティが異なるが、本模式図では簡略化のため電極指ピッチ、デューティは一律とした。

図６（ａ）に示すように、圧電基板７を用意する。次に、第１のＩＤＴ電極形成工程及び第２のＩＤＴ電極工程を行う。より具体的には、圧電基板７上に第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂを同時に形成する。反射器１５Ａ，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｂも、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂと同時に形成する。第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは、例えば、スパッタリング法や蒸着法などの堆積法により形成することができる。このように、同じ材料を用いて、第１のＩＤＴ電極形成工程及び第２のＩＤＴ電極形成工程を同時に行う。これにより、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同じ材料からなり、かつ同じ膜厚となる。

このとき、第１，第２の帯域通過型フィルタの第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂが全て形成されている。第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同時に形成されているため、電極指の幅の所望の値からのずれは同程度となる。

次に、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を行う。周波数調整に際し、例えば、第２のＩＤＴ電極９Ｂの電極指の幅が所定の幅となるように、エッチングなどを行う。このとき、第２の帯域通過型フィルタの周波数調整の条件において、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う。そのため、第２のＩＤＴ電極９Ｂの電極指の幅が変化すると同時に、第１のＩＤＴ電極９Ａの電極指の幅も変化する。第１の帯域通過型フィルタにおいては周波数の加工依存性が低いため、この場合においても、フィルタ特性を十分なものとすることができる。加えて、本実施形態では、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂの電極指の幅の所望の値からのずれは同程度である。よって、第１，第２の帯域通過型フィルタを上記条件において同時に周波数調整するに際し、第２の帯域通過型フィルタだけでなく、第１の帯域通過型フィルタのフィルタ特性の制御も行い易い。このように、第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を容易に行うことができる。

次に、図６（ｂ）に示すように、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂ及び反射器１５Ａ，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｂを覆うように、同じ材料を用いて、圧電基板７上に第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂを形成する。このように、第１の誘電体膜形成工程と第２の誘電体膜形成工程とを同時に行う。それによって、同じ材料からなり、かつ同じ膜厚である第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂを形成する。第１，第２の誘電体膜形成工程は、例えば、スパッタリング法などの堆積法により行うことができる。これにより、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂによる第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数への影響を同程度とすることができる。従って、フィルタ特性を容易に制御することができる。

なお、第３，第４の帯域通過型フィルタは、第１，第２の帯域通過型フィルタとは異なる圧電基板において構成すればよい。例えば、圧電基板上に複数のＩＤＴ電極及び反射器を形成することにより、第３，第４の帯域通過型フィルタを構成することができる。

上述したように、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂ及び第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂのうち少なくとも一方が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなっていればよい。例えば、図７に示す第１の実施形態の第１の変形例のように、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，３９Ｂの膜厚や材料が異なっていてもよい。第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂは同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。第１の変形例では、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，３９Ｂは互いに異なる工程において形成されており、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂは同時に形成されている。

他方、図８に示す第１の実施形態の第２の変形例のように、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，４６Ｂの膜厚や材料が異なっていてもよい。第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる。第２の変形例においては、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは同時に形成されており、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，４６Ｂは互いに異なる工程において形成されている。

もっとも、図４に示す本実施形態のように、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂが同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、第１，第２の誘電体膜１６Ａ，１６Ｂが同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなることがより好ましい。すなわち、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１，第２のＩＤＴ電極形成工程を同時に行い、かつ第１，第２の誘電体膜形成工程を同時に行うことがより好ましい。それによって、生産性をより一層高めることができ、かつフィルタ特性をより一層容易に制御することができる。

図９に示す第１の実施形態の第３の変形例のように、第１，第２の誘電体膜５６Ａ，５６Ｂは、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂを埋め込むように設けられている第１の層５６Ａａ，５６Ｂａを有していてもよい。第１，第２の誘電体膜５６Ａ，５６Ｂは、第１の層５６Ａａ，５６Ｂａ以外に、第１の層５６Ａａ，５６Ｂａ上に設けられている第２の層５６Ａｂ，５６Ｂｂを有していてもよい。第１の層５６Ａａ，５６Ｂａは、例えば、ＳｉＯ_２などからなる。第２の層５６Ａｂ，５６Ｂｂは、例えば、ＳｉＮなどからなる。このように、第１，第２の誘電体膜の形態は、特に限定されず、多層膜構造であってもよい。なお、第１，第２のＩＤＴ電極も多層膜構造であってもよい。

図１０は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。

弾性波装置２１は、第１，第２の通信バンド、第１〜第４の帯域通過型フィルタ２３Ａ〜２３Ｄの回路構成及び第１，第２のＩＤＴ電極のデューティが第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置２１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

本実施形態では、第１の受信帯域はＢａｎｄ２０の受信帯域であり、７９１ＭＨｚ以上、８２１ＭＨｚ以下である。第１の送信帯域はＢａｎｄ２０の送信帯域であり、８３２ＭＨｚ以上、８６２ＭＨｚ以下である。第２の受信帯域はＢａｎｄ８の受信帯域であり、９２５ＭＨｚ以上、９６０ＭＨｚ以下である。第２の送信帯域はＢａｎｄ８の送信帯域であり、８８０ＭＨｚ以上、９１５ＭＨｚである。

弾性波装置２１においては、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＝１．３６％であり、｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２＝１．０６％である。このように、第１の実施形態と同様に、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２である。

第２の帯域通過型フィルタ２３Ｂは、直列腕に配置された弾性波共振子Ｓ２１及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ２１，Ｄ２２を有する。縦結合共振子型弾性波フィルタＤ２１と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ２２との間に、弾性波共振子Ｓ２１が接続されている。

第１の帯域通過型フィルタ２３Ａは、直列腕に配置された弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２及び縦結合共振子型弾性波フィルタＤ３１を有する。弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２は、アンテナ端子４と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ３１との間に、互いに直列に接続されている。弾性波共振子Ｓ３１と弾性波共振子Ｓ３２との間の接続点とグラウンド電位との間には、弾性波共振子Ｐ３１が接続されている。弾性波共振子Ｓ３２と縦結合共振子型弾性波フィルタＤ３１との間の接続点とグラウンド電位との間には、弾性波共振子Ｐ３２が接続されている。

なお、上記弾性波共振子Ｓ２１は、第２の帯域通過型フィルタ２３Ｂの直列トラップである。弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２は、第１の帯域通過型フィルタ２３Ａの直列トラップである。弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２は、第１の帯域通過型フィルタ２３Ａの並列トラップである。

弾性波共振子Ｓ２１の第２のＩＤＴ電極のデューティは０．５０であり、縦結合共振子型弾性波フィルタＤ２１，Ｄ２２の第２のＩＤＴ電極のデューティは０．５５である。第２の帯域通過型フィルタ２３Ｂのデューティの加重平均値は０．５３である。他方、弾性波共振子Ｓ３１，Ｓ３２，Ｐ３１，Ｐ３２の第１のＩＤＴ電極のデューティは０．５２であり、縦結合共振子型弾性波フィルタＤ３１の第１のＩＤＴ電極のデューティは０．５７である。第１の帯域通過型フィルタ２３Ａのデューティの加重平均値は０．５４である。これを下記の表２に示す。

本実施形態では、第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい。よって、本実施形態においても、第１，第２の帯域通過型フィルタ２３Ａ，２３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。

図１１は、第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的回路図である。

本変形例においては、第１の帯域通過型フィルタ６３Ａは図１０に示した第２の実施形態における第２の帯域通過型フィルタ２３Ｂの回路構成を有する。他方、第２の帯域通過型フィルタ６３Ｂは第２の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ２３Ａの回路構成を有する。加えて、本変形例の弾性波装置６１では、第１の帯域通過型フィルタ６３Ａの直列トラップである弾性波共振子Ｓ６１のデューティが、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置６１は第２の実施形態の弾性波装置２１と同様の構成を有する。

より具体的には、弾性波共振子Ｓ６１のデューティが、第２の帯域通過型フィルタ６３Ｂの並列トラップである弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２のデューティよりも大きい。

ここで、本発明における第１の弾性波共振子は、第１の帯域通過型フィルタの直列腕に配置されている弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子である。第２の弾性波共振子は、第２の帯域通過型フィルタの直列腕に配置されている弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子である。第３の弾性波共振子は、第１の帯域通過型フィルタの直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子である。第４の弾性波共振子は、第２の帯域通過型フィルタの直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子である。上記弾性波共振子Ｓ６１は本発明における第１の弾性波共振子であり、上記弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２は本発明における第４の弾性波共振子である。

ここで、帯域通過型フィルタの通過帯域における低域側の特性には、並列トラップのインピーダンス特性が大きく寄与する傾向がある。通過帯域における高域側の特性には、直列トラップのインピーダンス特性が大きく寄与する傾向がある。弾性波装置６１においては、第２の受信帯域の低域側に第２の送信帯域が位置する。よって、第２の帯域通過型フィルタ６３Ｂにおいて、並列トラップである弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２のインピーダンス特性が、第２の送信帯域における帯域外減衰量などに大きく寄与する。第２の送信帯域及び第２の受信帯域の周波数の間隔は、第１の送信帯域及び第１の受信帯域の周波数の間隔よりも狭い。そのため、弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２においては、特に周波数調整を高い精度で行うことが好ましい。

他方、第１の受信帯域の高域側に第１の送信帯域が位置する。よって、直列トラップである弾性波共振子Ｓ６１の特性が第１の送信帯域における帯域外減衰量などに大きく寄与する。また、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２の関係にあるため、弾性波共振子Ｓ６１のフィルタ特性は、弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２のフィルタ特性よりも容易に十分とすることができる。

本変形例では、全ての第１の弾性波共振子である弾性波共振子Ｓ６１のデューティが、全ての第４の弾性波共振子である弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２のデューティよりも大きい。よって、第１の実施形態における製造工程と同様に、第１，第２の帯域通過型フィルタ６３Ａ，６３Ｂの周波数調整を同時に行うことができる。従って、第１，第２の帯域通過型フィルタ６３Ａ，６３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。

なお、ある特定の局面では、第１の弾性波共振子のデューティの加重平均値が第４の弾性波共振子のデューティの加重平均値よりも大きければよい。この場合においても、第１，第２の帯域通過型フィルタ６３Ａ，６３Ｂの周波数調整を容易に行うことができる。もっとも、弾性波装置６１のように、全ての第１の弾性波共振子のデューティが、全ての第４の弾性波共振子のデューティよりも大きいことがより好ましい。

上記弾性波装置６１の製造に際しては、上述した弾性波装置１の製造方法における第２のＩＤＴ電極形成工程以外の工程は、弾性波装置１の製造方法と同様に行うことができる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極形成工程において、弾性波共振子Ｓ６１の第１のＩＤＴ電極のデューティよりもデューティの加重平均値が小さい、弾性波共振子Ｐ３１，Ｐ３２の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。なお、弾性波装置が本発明における第１，第４の弾性波共振子をそれぞれ複数有する場合は、第１の弾性波共振子の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、第４の弾性波共振子の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。

他方、第３の帯域通過型フィルタの通過帯域が第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも高域側に位置し、第４の帯域通過型フィルタの通過帯域が第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも高域側に位置する場合の好ましい例を示す。ここで、上述したように、第１の弾性波共振子は第１の帯域通過型フィルタの直列トラップであり、第２の弾性波共振子は第２の帯域通過型フィルタの直列トラップである。この場合には、第１の帯域通過型フィルタの直列トラップである第１の弾性波共振子のデューティの加重平均値が第２の帯域通過型フィルタの直列トラップである第２の弾性波共振子のデューティの加重平均値よりも大きいことが好ましい。全ての第１の弾性波共振子のデューティが全ての第２の弾性波共振子のデューティよりも大きいことがより好ましい。

上記弾性波装置の製造に際しては、上述した弾性波装置１の製造方法における第２のＩＤＴ電極形成工程以外の工程は、弾性波装置１の製造方法と同様に行うことができる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極形成工程において、第１の弾性波共振子の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、第２の弾性波共振子の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。

第３の帯域通過型フィルタの通過帯域が第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置し、第４の帯域通過型フィルタの通過帯域が第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置する場合の好ましい例を示す。ここで、上述したように、第３の弾性波共振子は第１の帯域通過型フィルタの並列トラップであり、第４の弾性波共振子は第２の帯域通過型フィルタの並列トラップである。この場合には、第１の帯域通過型フィルタの並列トラップである第３の弾性波共振子のデューティの加重平均値が第２の帯域通過型フィルタの並列トラップである第４の弾性波共振子のデューティの加重平均値よりも大きいことが好ましい。全ての第３の弾性波共振子のデューティが全ての第４の弾性波共振子のデューティよりも大きいことがより好ましい。

上記弾性波装置の製造に際しては、上述した弾性波装置１の製造方法における第２のＩＤＴ電極形成工程以外の工程は、弾性波装置１の製造方法と同様に行うことができる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極形成工程において、第３の弾性波共振子の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、第４の弾性波共振子の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。

第３の帯域通過型フィルタの通過帯域が第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置し、第４の帯域通過型フィルタの通過帯域が第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも高域側に位置する場合の好ましい例を示す。この場合には、第１の帯域通過型フィルタの並列トラップである第３の弾性波共振子のデューティの加重平均値が第２の帯域通過型フィルタの直列トラップである第２の弾性波共振子のデューティの加重平均値よりも大きいことが好ましい。全ての第３の弾性波共振子のデューティが全ての第２の弾性波共振子のデューティよりも大きいことがより好ましい。

上記弾性波装置の製造に際しては、上述した弾性波装置１の製造方法における第２のＩＤＴ電極形成工程以外の工程は、弾性波装置１の製造方法と同様に行うことができる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極形成工程において、第３の弾性波共振子の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、第２の弾性波共振子の第２のＩＤＴ電極を形成すればよい。

第１，第２の実施形態及び各変形例においては、第１，第２の帯域通過型フィルタが受信フィルタである例を示した。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタは、送信フィルタであってもよい。あるいは、第１，第２の帯域通過型フィルタのうち一方が受信フィルタであり、他方が送信フィルタであってもよい。本発明の弾性波装置は、第３，第４の帯域通過型フィルタを有しなくともよい。この場合においても、例えば、実装基板に実装され、第３，第４の帯域通過型フィルタに相当する素子に接続される場合などにおいて、本発明を好適に適用することができる。

１…弾性波装置
３Ａ〜３Ｄ…第１〜第４の帯域通過型フィルタ
４…アンテナ端子
５，６…第１，第２の端子
７…圧電基板
８…グラウンド端子
９Ａ，９Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
１５Ａ，１５Ｂ…反射器
１６Ａ，１６Ｂ…第１，第２の誘電体膜
２１…弾性波装置
２３Ａ〜２３Ｄ…第１〜第４の帯域通過型フィルタ
３９Ｂ…第２のＩＤＴ電極
４６Ｂ…第２の誘電体膜
５６Ａ，５６Ｂ…第１，第２の誘電体膜
５６Ａａ，５６Ｂａ…第１の層
５６Ａｂ，５６Ｂｂ…第２の層
６１…弾性波装置
６３Ａ，６３Ｂ…第１，第２の帯域通過型フィルタ
Ｓ１〜Ｓ３，Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ３１，Ｓ３２，Ｓ６１，Ｓａ，Ｓｂ，Ｐ１１，Ｐ３１，Ｐ３２…弾性波共振子
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ１１，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３１…縦結合共振子型弾性波フィルタ
Ｌ…インダクタ

Claims (20)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
   を備え、
   前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
   前記複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記複数の第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。
2. 全ての前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
3. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
   を備え、
   前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
   前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
   前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第１の弾性波共振子を有し、
   前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第２の弾性波共振子を有し、
   前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。
4. 全ての前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項３に記載の弾性波装置。
5. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
   を備え、
   前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
   前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
   前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第３の弾性波共振子を有し、
   前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第４の弾性波共振子を有し、
   前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。
6. 全ての前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項５に記載の弾性波装置。
7. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
   を備え、
   前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
   前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
   前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第１の弾性波共振子を有し、
   前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第４の弾性波共振子を有し、
   前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。
8. 全ての前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項７に記載の弾性波装置。
9. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第１のＩＤＴ電極と、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第１の誘電体膜と、を有し、かつ第１の送信帯域及び第１の受信帯域を含む第１の通信バンドのうち、前記第１の送信帯域または前記第１の受信帯域を通過帯域とする、第１の帯域通過型フィルタと、
   前記圧電基板上に設けられた複数の第２のＩＤＴ電極と、前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第２の誘電体膜と、を有し、かつ前記第１の通信バンドとは異なる第２の送信帯域及び第２の受信帯域を含む第２の通信バンドのうち、前記第２の送信帯域または前記第２の受信帯域を通過帯域とする、第２の帯域通過型フィルタと、
   を備え、
   前記第１，第２のＩＤＴ電極、または前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域の前記第１の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ１とし、前記第１の受信帯域の前記第１の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ１とし、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ１とし、前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域の前記第２の受信帯域に最も近い端部の周波数をＴｘ２とし、前記第２の受信帯域の前記第２の送信帯域に最も近い端部の周波数をＲｘ２とし、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をｆ２としたときに、｜Ｔｘ１−Ｒｘ１｜／ｆ１＞｜Ｔｘ２−Ｒｘ２｜／ｆ２であり、
   前記第１の通信バンドにおいて、前記第１の送信帯域及び前記第１の受信帯域のうち前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
   前記第２の通信バンドにおいて、前記第２の送信帯域及び前記第２の受信帯域のうち前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
   前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第３の弾性波共振子を有し、
   前記第２の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第２の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも１つである、第２の弾性波共振子を有し、
   前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値が、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりも大きい、記載の弾性波装置。
10. 全ての前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項９に記載の弾性波装置。
11. 前記第１，第２の帯域通過型フィルタが受信フィルタである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
12. 前記第１，第２の帯域通過型フィルタが送信フィルタである、請求項１〜１０のいずれかの１項に記載の弾性波装置。
13. 前記第１，第２のＩＤＴ電極が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第１，第２の誘電体膜が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
14. 前記第１，第２のＩＤＴ電極及び前記第１，第２の誘電体膜の少なくとも一方が多層膜構造である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
15. 請求項１または２に記載の弾性波装置の製造方法であって、
    前記圧電基板を用意する工程と、
    前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、
    前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、
    前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、
    前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程と、
    を備え、
    前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記複数の第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成し、
    前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
    前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。
16. 請求項３または４に記載の弾性波装置の製造方法であって、
    前記圧電基板を用意する工程と、
    前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、
    前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、
    前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、
    前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程と、
    を備え、
    前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第２の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、
    前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
    前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。
17. 請求項５または６に記載の弾性波装置の製造方法であって、
    前記圧電基板を用意する工程と、
    前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、
    前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、
    前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、
    前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程と、
    を備え、
    前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第３の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、
    前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
    前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。
18. 請求項７または８に記載の弾性波装置の製造方法であって、
    前記圧電基板を用意する工程と、
    前記圧電基板上に前記複数の第１のＩＤＴ電極を形成する、第１のＩＤＴ電極形成工程と、
    前記圧電基板上に前記複数の第２のＩＤＴ電極を形成する、第２のＩＤＴ電極形成工程と、
    前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第１の誘電体膜を積層する、第１の誘電体膜形成工程と、
    前記複数の第２のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第２の誘電体膜を積層する、第２の誘電体膜形成工程と、
    を備え、
    前記第２のＩＤＴ電極形成工程において、前記第１の弾性波共振子が有する前記第１のＩＤＴ電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第４の弾性波共振子が有する前記第２のＩＤＴ電極を形成し、
    前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程、または前記第１，第２の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
    前記第１，第２の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。
19. 前記第１のＩＤＴ電極形成工程及び前記第２のＩＤＴ電極形成工程を同時に行い、かつ前記第１の誘電体膜形成工程及び前記第２の誘電体膜形成工程を同時に行う、請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
20. 前記第１，第２のＩＤＴ電極形成工程及び前記第１，第２の誘電体膜形成工程のうち同時に行う工程を、堆積法により行う、請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。

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