CN109643982A - 弹性波装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够容易进行构成于同一压电基板的多个带通型滤波器的频率调整的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：第1带通型滤波器，构成于压电基板(7)，具有多个第1IDT电极(9A)和第1电介质膜(16A)，将第1发送频带或者第1接收频带设为通带；和第2带通型滤波器，构成于压电基板(7)，具有多个第2IDT电极(9B)和第2电介质膜(16B)，将第2发送频带或者第2接收频带设为通带。第1、第2IDT电极(9A、9B)或者第1、第2电介质膜(16A、16B)的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料。将第1发送频带的端部的频率设为Tx1，将第1接收频带的端部的频率设为Rx1，将第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，将第2发送频带的端部的频率设为Tx2，将第2接收频带中的端部的频率设为Rx2，将第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1—Rx1|/f1>|Tx2‑Rx2|/f2，多个第1IDT电极(9A)的占空比的加权平均值比多个第2IDT电极(9B)的占空比的加权平均值大。

Description

弹性波装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及弹性波装置及其制造方法。
背景技术
以往，弹性波装置被广泛用于移动电话机等。在下述的专利文献1所述的弹性波装置中，在同一压电基板，构成频率特性相互不同的2个声表面波元件。在压电基板上，设置绝缘膜，以使得覆盖各声表面波元件中的IDT电极。通过使2个声表面波元件中的绝缘膜的膜厚相互不同，可调整各弹性波装置的频率特性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2000-341068号公报
发明内容
-发明要解决的课题-
在弹性波装置中，由于IDT电极的电极指的线宽、膜厚的制造偏差，频率特性产生偏差。由此，插入损耗、频带外衰减量等的滤波器特性可能劣化。
如专利文献1所述的弹性波装置那样，在具有多个声表面波元件的情况下，在声表面波元件间，制造时频率的偏差方式不同。因此，需要按照每个声表面波元件来独立地进行频率调整。因此，特别是具有多个带通型滤波器的弹性波装置等的制造工序繁琐。
本发明的目的在于，提供一种能够容易地进行构成于同一压电基板的多个带通型滤波器的频率调整的弹性波装置及其制造方法。
-解决课题的手段-
在本发明所涉及的弹性波装置的某个广泛方面，具备：压电基板；第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2，所述多个第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述多个第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
在本发明所涉及的弹性波装置的另一特定的方面，全部所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第2IDT电极的占空比。在该情况下，能够进一步容易进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。
在本发明所涉及的弹性波装置的另一广泛方面，具备：压电基板；第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2，在所述第1通信频带中，相比于所述第1发送频带以及所述第1接收频带之中的所述第1带通型滤波器的通带，另一个通带位于高频侧，在所述第2通信频带中，相比于所述第2发送频带以及所述第2接收频带之中的所述第2带通型滤波器的通带，另一个通带位于高频侧，所述第1带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第1弹性波谐振器，所述第1弹性波谐振器是被配置于将所述第1带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个，所述第2带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第2弹性波谐振器，所述第2弹性波谐振器是被配置于将所述第2带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个，所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，全部所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比。在该情况下，能够进一步容易进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。
在本发明所涉及的弹性波装置的另一广泛方面，具备：压电基板；第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2，在所述第1通信频带中，相比于所述第1发送频带以及所述第1接收频带之中的所述第1带通型滤波器的通带，另一个通带位于低频侧，在所述第2通信频带中，相比于所述第2发送频带以及所述第2接收频带之中的所述第2带通型滤波器的通带，另一个通带位于低频侧，所述第1带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第3弹性波谐振器，所述第3弹性波谐振器是被连接于将所述第1带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个，所述第2带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第4弹性波谐振器，所述第4弹性波谐振器是被连接于将所述第2带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个，所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，全部所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比。在该情况下，能够进一步容易进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。
在本发明所涉及的弹性波装置的另一广泛方面，具备：压电基板；第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2，在所述第1通信频带中，相比于所述第1发送频带以及所述第1接收频带之中的所述第1带通型滤波器的通带，另一个通带位于高频侧，在所述第2通信频带中，相比于所述第2发送频带以及所述第2接收频带之中的所述第2带通型滤波器的通带，另一个通带位于低频侧，所述第1带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第1弹性波谐振器，所述第1弹性波谐振器是被配置于将所述第1带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个，所述第2带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第4弹性波谐振器，所述第4弹性波谐振器是被连接于将所述第2带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个，所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，全部所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比。在该情况下，能够进一步容易进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，具备：压电基板；第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2，在所述第1通信频带中，相比于所述第1发送频带以及所述第1接收频带之中的所述第1带通型滤波器的通带，另一个通带位于低频侧，在所述第2通信频带中，相比于所述第2发送频带以及所述第2接收频带之中的所述第2带通型滤波器的通带，另一个通带位于高频侧，所述第1带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第3弹性波谐振器，所述第3弹性波谐振器是被连接于将所述第1带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个，所述第2带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第2弹性波谐振器，所述第2弹性波谐振器是被配置于将所述第2带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个，所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，全部所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，所述第1、第2带通型滤波器是接收滤波器。
在本发明所涉及的弹性波装置的其他一特定的方面，所述第1、第2带通型滤波器是发送滤波器。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，所述第1、第2IDT电极是相同的膜厚，并且包含相同的材料，所述第1、第2电介质膜是相同的膜厚，并且包含相同的材料。在该情况下，能够进一步提高生产性，并且能够进一步容易进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，所述第1、第2IDT电极以及所述第1、第2电介质膜的至少一方是多层膜构造。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的某个广泛方面，一种按照本发明而构成的弹性波装置的制造方法，具备：准备所述压电基板的工序；第1IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第1IDT电极；第2IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第2IDT电极；第1电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第1电介质膜以使得覆盖所述多个第1IDT电极；和第2电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第2电介质膜以使得覆盖所述多个第2IDT电极，在所述第2IDT电极形成工序中，形成占空比的加权平均值小于所述多个第1IDT电极的占空比的加权平均值的所述多个第2IDT电极，使用相同的材料来同时进行所述第1、第2IDT电极形成工序、或者所述第1、第2电介质膜形成工序的至少一方，所述弹性波装置的制造方法还具备同时进行所述第1、第2带通型滤波器的频率调整的工序。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的另一广泛方面，一种按照本发明而构成的弹性波装置的制造方法，具备：准备所述压电基板的工序；第1IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第1IDT电极；第2IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第2IDT电极；第1电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第1电介质膜以使得覆盖所述多个第1IDT电极；和第2电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第2电介质膜以使得覆盖所述多个第2IDT电极，在所述第2IDT电极形成工序中，形成占空比的加权平均值小于所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值的、所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极，使用相同的材料来同时进行所述第1、第2IDT电极形成工序、或者所述第1、第2电介质膜形成工序的至少一方，所述弹性波装置的制造方法还具备同时进行所述第1、第2带通型滤波器的频率调整的工序。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的另一广泛方面，一种按照本发明而构成的弹性波装置的制造方法，具备：准备所述压电基板的工序；第1IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第1IDT电极；第2IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第2IDT电极；第1电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第1电介质膜以使得覆盖所述多个第1IDT电极；和第2电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第2电介质膜以使得覆盖所述多个第2IDT电极，在所述第2IDT电极形成工序中，形成占空比的加权平均值小于所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值的、所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极，使用相同的材料来同时进行所述第1、第2IDT电极形成工序、或者所述第1、第2电介质膜形成工序的至少一方，所述弹性波装置的制造方法还具备同时进行所述第1、第2带通型滤波器的频率调整的工序。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的又一广泛方面，一种按照本发明而构成的弹性波装置的制造方法，具备：准备所述压电基板的工序；第1IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第1IDT电极；第2IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第2IDT电极；第1电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第1电介质膜以使得覆盖所述多个第1IDT电极；和第2电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第2电介质膜以使得覆盖所述多个第2IDT电极，在所述第2IDT电极形成工序中，形成占空比的加权平均值小于所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值的、所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极，使用相同的材料来同时进行所述第1、第2IDT电极形成工序、或者所述第1、第2电介质膜形成工序的至少一方，所述弹性波装置的制造方法还具备同时进行所述第1、第2带通型滤波器的频率调整的工序。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的另一特定的方面，同时进行所述第1IDT电极形成工序以及所述第2IDT电极形成工序，并且同时进行所述第1电介质膜形成工序以及所述第2电介质膜形成工序。在该情况下，能够进一步提高生产性，并且能够进一步容易进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。
在本发明所涉及的弹性波装置的制造方法的又一特定的方面，通过沉积法来进行所述第1、第2IDT电极形成工序以及所述第1、第2电介质膜形成工序之中同时进行的工序。
-发明效果-
根据本发明，能够提供能够容易进行构成于同一压电基板的多个带通型滤波器的频率调整的弹性波装置及其制造方法。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的示意图。
图2是表示本发明的第1实施方式中的第1、第2带通型滤波器的电极构造的略图性的俯视图。
图3是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的示意性的电路图。
图4是将本发明的第1实施方式中的第1、第2带通型滤波器的一部分示意性地提取并表示的弹性波装置的示意性的剖视图。
图5是表示IDT电极的占空比与频率的加工依赖性的关系的图。
图6的(a)以及图6的(b)是用于对第1实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法进行说明的示意性的剖视图。
图7是本发明的第1实施方式的第1变形例所涉及的弹性波装置的示意性的剖视图。
图8是本发明的第1实施方式的第2变形例所涉及的弹性波装置的示意性的剖视图。
图9是本发明的第1实施方式的第3变形例所涉及的弹性波装置的示意性的剖视图。
图10是本发明的第2实施方式所涉及的弹性波装置的示意性的电路图。
图11是本发明的第2实施方式的变形例所涉及的弹性波装置的示意性的电路图。
具体实施方式
以下，通过参照附图并对本发明的具体实施方式进行说明，从而使本发明清楚明了。
另外指出，本说明书中所述的各实施方式是示例性的，在不同的实施方式之间，能够进行结构的局部置换或者组合。
图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的示意图。
弹性波装置1具有通带相互不同的第1～第4带通型滤波器3A～3D。在本实施方式中，第1、第2带通型滤波器3A、3B是接收滤波器，第3、第4带通型滤波器3C、3D是发送滤波器。
第1带通型滤波器3A以及第3带通型滤波器3C是相同的通信频带的接收滤波器以及发送滤波器。更具体而言，第1带通型滤波器3A将包含第1接收频带以及第1发送频带的第1通信频带之中的、第1接收频带设为通带。第3带通型滤波器3C将第1通信频带之中的另一个即第1发送频带设为通带。
同样地，第2带通型滤波器3B以及第4带通型滤波器3D是相同的通信频带的接收滤波器以及发送滤波器。更具体而言，第2带通型滤波器3B将包含第2接收频带以及第2发送频带的第2通信频带之中的、第2接收频带设为通带。第4带通型滤波器3D将第2通信频带之中的另一个即第2发送频带设为通带。
在本实施方式中，第1接收频带是Band4的接收频带，是2110MHz以上且2155MHz以下。第1发送频带是Band4的发送频带，是1710MHz以上且1755MHz以下。第2接收频带是Band25的接收频带，是1930MHz以上且1995MHz以下。第2发送频带是Band25的发送频带，是1850MHz以上且1915MHz。另外，第1、第2接收频带以及第1、第2发送频带并不限定于上述。
弹性波装置1具有与天线连接的天线端子4。在本实施方式中，第1带通型滤波器3A和第3带通型滤波器3C被共用连接于天线端子4，第2带通型滤波器3B和第4带通型滤波器3D被共用连接于天线端子4。即，第1～第4带通型滤波器3A～3D被共用连接于天线端子4。另外，第1、第2带通型滤波器3A、3B也可以不被共用连接于相同的天线端子。第3、第4带通型滤波器3C、3D也可以不被共用连接于相同的天线端子。
这里，将第1发送频带中的最接近于第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将第1接收频带中的最接近于第1发送频带的端部的频率设为Rx1。将第1带通型滤波器3A的通带的中心频率设为f1。将第2发送频带中的最接近于第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将第2接收频带中的最接近于第2发送频带的端部的频率设为Rx2。将第2带通型滤波器3B的通带的中心频率设为f2。此时，在本实施方式中，|Tx1-Rx1|/f1＝16.65％，|Tx2-Rx2|/f2＝0.76％。这样，在弹性波装置1中，|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2。这表示第1发送频带与第1接收频带的频率的间隔比第2发送频带与第2接收频带的频率的间隔宽。
图1中的虚线A表示第1、第2带通型滤波器3A、3B在同一芯片内构成。虚线B表示第3、第4带通型滤波器3C、3D在同一芯片内构成。这里，在本说明书中，所谓在同一芯片内构成，是指在相同的压电基板上构成。另外，第3、第4带通型滤波器3C、3D也可以不在同一芯片内构成。
以下，对本实施方式中的第1、第2带通型滤波器3A、3B的更加具体的结构进行说明。
图2是表示第1实施方式中的第1、第2带通型滤波器的电极构造的略图性的俯视图。图3是本实施方式所涉及的弹性波装置的示意性的电路图。另外，在图2中，通过对矩形、多边形附加对角线的略图来表示后述的弹性波谐振器以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器。
如图2所示，本实施方式的弹性波装置具有压电基板7。压电基板7例如包含LiNbO3、LiTaO3等的压电单晶、适当的压电陶瓷。第1、第2带通型滤波器3A、3B在压电基板7上构成。在压电基板7上，设置与接地电位连接的多个接地端子8。
如图3所示，第1带通型滤波器3A具有多个弹性波谐振器S1～S3以及多个纵耦合谐振器型弹性波滤波器D1、D2。第2带通型滤波器3B具有多个弹性波谐振器S11～S13、P11以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器D11。另一方面，第3、第4带通型滤波器3C、3D的电路结构并不被特别限定。
图4是将第1实施方式中的第1、第2带通型滤波器的一部分示意性地抽出来表示的弹性波装置的示意性的剖视图。另外，图4是示意性地表示，并不相当于图2中的特定的部分的剖视图。后述的图6的(a)以及图6的(b)、图7～图9也相同。
第1带通型滤波器的弹性波谐振器Sa具有在压电基板7上设置的第1IDT电极9A。在第1IDT电极9A的弹性波传播方向两侧，配置反射器15A、15A。在压电基板7上设置第1电介质膜16A，以使得覆盖第1IDT电极9A以及反射器15A、15A。
第2带通型滤波器的弹性波谐振器Sb具有在压电基板7上设置的第2IDT电极9B。在第2IDT电极9B的弹性波传播方向两侧，配置反射器15B、15B。在压电基板7上设置第2电介质膜16B，以使得覆盖第2IDT电极9B以及反射器15B、15B。第1、第2电介质膜16A、16B例如包含SiO2等适当的电介质。
第1带通型滤波器除了图4所示的第1IDT电极9A以外，还具有多个第1IDT电极9A。图3所示的各弹性波谐振器S1～S3以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器D1、D2分别具有第1IDT电极9A以及第1电介质膜16A。第2带通型滤波器也具有多个第2IDT电极9B。各弹性波谐振器S11～S13、P11以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器D11分别具有第2IDT电极9B以及第2电介质膜16B。另外，各第1、第2IDT电极9A、9B的电极指的对数、电极指间距、交叉宽度等也可以分别不同，只要根据作为目的的滤波器特性来适当地选择即可。
在本实施方式中，弹性波谐振器S1～S3中的第1IDT电极9A的占空比为0.68，纵耦合谐振器型弹性波滤波器D1、D2中的第1IDT电极9A的占空比为0.64。第1带通型滤波器3A的多个第1IDT电极9A的占空比的平均值为0.67。另一方面，弹性波谐振器S11～S13、P11以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器D11中的第2IDT电极9B的占空比均为0.6。第2带通型滤波器3B的多个第2IDT电极9B的占空比的平均值为0.6。下述的表1对此进行表示。
另外，在本说明书中，所谓多个弹性波谐振器间的比较时的占空比的平均值，是指基于各IDT电极的电极指的根数的加权平均值。例如，电极指的根数为X根、占空比为Dx的IDT电极、电极指的根数为Y根、占空比为Dy的IDT电极以及电极指的根数为Z根、占空比为Dz的IDT电极的占空比的加权平均值如下。能够表示为占空比的加权平均值＝(X×Dx+Y×Dy+Z×Dz)/(X+Y+Z)。
[表1]
在第1、第2带通型滤波器3A、3B中，图4所示的第1、第2IDT电极9A、9B是相同的膜厚，并且包含相同的材料。第1、第2电介质膜16A、16B也是相同的膜厚，并且包含相同的材料。另外，在本说明书中的相同的膜厚中，允许形成于同一工序时的偏差程度的差。
本实施方式的特征在于以下的结构。1)上述第1、第2通信频带处于|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2的关系。2)第1带通型滤波器3A的多个第1IDT电极9A的占空比的加权平均值比第2带通型滤波器3B的多个第2IDT电极9B的占空比的加权平均值大。3)第1、第2IDT电极9A、9B以及第1、第2电介质膜16A、16B之中的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料。通过具有这些特征，能够容易地进行构成于同一压电基板7的第1、第2带通型滤波器3A、3B的频率调整。
以下，将此与第1、第2带通型滤波器3A、3B的结构的详细一起进行说明。
如图3所示，弹性波装置1具有与第1带通型滤波器3A连接的第1端子5。这里，第1带通型滤波器3A具有输入端以及输出端。在本实施方式中，第1带通型滤波器3A的输入端侧位于上述天线端子4侧，输出端侧位于第1端子5侧。在将输入端与输出端连接的串联臂配置弹性波谐振器S1～S3以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器D1、D2。纵耦合谐振器型弹性波滤波器D1、D2在弹性波谐振器S1与弹性波谐振器S2之间，被相互串联连接。弹性波谐振器S1被连接于天线端子4与纵耦合谐振器型弹性波滤波器D1、D2之间。弹性波谐振器S2、S3在第1端子5与纵耦合谐振器型弹性波滤波器D1、D2之间，被相互串联连接。
弹性波装置1具有与第2带通型滤波器3B连接的第2端子6。这里，第2带通型滤波器3B具有输入端以及输出端。在本实施方式中，第2带通型滤波器3B的输入端侧位于天线端子4侧，输出端侧位于第2端子6侧。在将输入端与输出端连接的串联臂，配置弹性波谐振器S11～S13以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器D11。弹性波谐振器S11～S13在天线端子4与纵耦合谐振器型弹性波滤波器D11之间被相互串联连接。在串联臂与接地电位之间连接弹性波谐振器P11。更具体而言，弹性波谐振器P11被连接于天线端子4与弹性波谐振器S11之间的连接点和接地电位之间。
在天线端子4与接地电位之间，连接阻抗调整用的电感器L。另外，在本实施方式中，在图2中的各端子处的虚线的圆形所示的部分，连接焊料、通孔电极、绕回布线等。由此，第1、第2带通型滤波器3A、3B与外部电连接。
这里，第1带通型滤波器3A最好在第1接收频带，插入损耗较小，并且在第1发送频带，频带外衰减量较小。同样地，第2带通型滤波器3B最好在第2接收频带，插入损耗较小，并且在第2发送频带，频带外衰减量较小。为了控制这样的滤波器特性，详细后述，在弹性波装置1的制造工序中进行频率调整。
在本实施方式中，第1带通型滤波器3A中的全部第1IDT电极的占空比大于第2带通型滤波器3B的全部第2IDT电极。由此，第1、第2带通型滤波器3A、3B的频率的加工依赖性不同。在下述的图5中，表示IDT电极的占空比与频率的加工依赖性的关系。
在求取图5的关系时，制作IDT电极的占空比不同的多个带通型滤波器。也制作IDT电极的电极膜厚、电介质膜厚相同并且电极指的宽度(占空比)不同的多个带通型滤波器。上述多个带通型滤波器全部设为相同的通带，设为Band25。对各带通型滤波器的频率特性进行测定，在各占空比中求取相对于电极指的宽度的变化量的频率的变化量。由此，求取IDT电极的各占空比中的频率的加工依赖性。
图5是表示IDT电极的占空比与频率的加工依赖性的关系的图。
如图5所示可知，IDT电极的占空比越大，频率的加工依赖性越小。在本实施方式中，全部第1IDT电极的占空比大于全部第2IDT电极的占空比。因此，第1带通型滤波器的频率的加工依赖性比第2带通型滤波器的频率的加工依赖性小。
另外，在某个方面，只要多个第1IDT电极的占空比的加权平均值大于多个第2IDT电极的占空比的加权平均值即可。在这种情况下，也能够使第1带通型滤波器的频率的加工依赖性小于第2带通型滤波器的频率的加工依赖性。并且，优选如本实施方式那样，优选全部第1IDT电极的占空比大于全部第2IDT电极的占空比。
如上所述，在本实施方式中，处于|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2的关系。第2发送频带以及第2接收频带的频率的间隔比第1发送频带以及第1接收频带的频率的间隔窄。因此，在图3所示的第2带通型滤波器3B中，为了兼顾减小第2接收频带中的插入损耗和增大第2发送频带中的频带外衰减量，需要以高精度进行频率调整。另一方面，在第1带通型滤波器3A中，比第2带通型滤波器3B更容易兼顾减小第1接收频带中的插入损耗和增大第1发送频带中的频带外衰减量。
这里，第1带通型滤波器3A中的频率的加工依赖性比第2带通型滤波器3B小。因此，即使在第2带通型滤波器3B的频率调整的条件下进行第1带通型滤波器3A的频率调整，也能够容易实现上述兼顾。
在弹性波装置1的制造工序中，例如，在第2带通型滤波器3B的频率调整的条件下，同时进行第1、第2带通型滤波器3A、3B的频率调整。由此，在第2带通型滤波器3B中，能够充分提高插入损耗，并且能够充分增大第4带通型滤波器3D的通带中的频带外衰减量。进一步地，第1带通型滤波器3A也在上述频率调整后，插入损耗足够高，并且第3带通型滤波器3C的通带中的频带外衰减量足够大。在本实施方式中，能够这样容易地进行同一压电基板7中的第1、第2带通型滤波器3A、3B的频率调整。
以下，与弹性波装置1的制造方法的一个例子一起，对本实施方式的效果进一步详细地进行说明。
图6的(a)以及图6的(b)是用于对第1实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法进行说明的示意性的剖视图。另外，虽然实际为了实现频率不同的滤波器而电极指间距、占空比不同，但在本示意图中为了简化，电极指间距、占空比设为一致。
如图6的(a)所示，准备压电基板7。接下来，进行第1IDT电极形成工序以及第2IDT电极工序。更具体而言，在压电基板7上同时形成第1、第2IDT电极9A、9B。反射器15A、15A、15B、15B也与第1、第2IDT电极9A、9B同时形成。第1、第2IDT电极9A、9B例如能够通过溅射法、蒸镀法等的沉积法形成。这样，使用相同的材料，同时进行第1IDT电极形成工序以及第2IDT电极形成工序。由此，第1、第2IDT电极9A、9B包含相同的材料，并且为相同的膜厚。
此时，第1、第2带通型滤波器的第1、第2IDT电极9A、9B被全部形成。由于第1、第2IDT电极9A、9B被同时形成，因此电极指的宽度的从希望值的偏离为相同程度。
接下来，进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。在频率调整时，例如，进行蚀刻等，以使得第2IDT电极9B的电极指的宽度为规定的宽度。此时，在第2带通型滤波器的频率调整的条件下，同时进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。因此，与2IDT电极9B的电极指的宽度变化同时地，第1IDT电极9A的电极指的宽度也变化。由于在第1带通型滤波器中频率的加工依赖性较低，因此在这种情况下，也能够使滤波器特性充分。并且，在本实施方式中，第1、第2IDT电极9A、9B的电极指的宽度从希望值的偏离为相同程度。因此，在上述条件下对第1、第2带通型滤波器同时进行频率调整时，不仅第2带通型滤波器，而且第1带通型滤波器的滤波器特性的控制也容易进行。这样，能够容易地进行第1、第2带通型滤波器的频率调整。
接下来，如图6的(b)所示，使用相同的材料，在压电基板7上形成第1、第2电介质膜16A、16B，以使得覆盖第1、第2IDT电极9A、9B以及反射器15A、15A、15B、15B。这样，同时进行第1电介质膜形成工序和第2电介质膜形成工序。由此，形成包含相同的材料并且相同的膜厚的第1、第2电介质膜16A、16B。第1、第2电介质膜形成工序例如能够通过溅射法等的沉积法来进行。由此，能够将基于第1、第2电介质膜16A、16B的对第1、第2带通型滤波器的频率的影响设为相同程度。因此，能够容易地控制滤波器特性。
另外，第3、第4带通型滤波器只要在与第1、第2带通型滤波器不同的压电基板构成即可。例如，通过在压电基板上形成多个IDT电极以及反射器，能够构成第3、第4带通型滤波器。
如上所述，第1、第2IDT电极9A、9B以及第1、第2电介质膜16A、16B之中的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料即可。例如，如图7所示的第1实施方式的第1变形例那样，第1、第2IDT电极9A、39B的膜厚、材料也可以不同。第1、第2电介质膜16A、16B是相同的膜厚，并且包含相同的材料。在第1变形例中，第1、第2IDT电极9A、39B在相互不同的工序中形成，第1、第2电介质膜16A、16B被同时形成。
另一方面，如图8所示的第1实施方式的第2变形例那样，第1、第2电介质膜16A、46B的膜厚、材料也可以不同。第1、第2IDT电极9A、9B是相同的膜厚，并且包含相同的材料。在第2变形例中，第1、第2IDT电极9A、9B被同时形成，第1、第2电介质膜16A、46B在相互不同的工序中形成。
并且，如图4所示的本实施方式那样，第1、第2IDT电极9A、9B是相同的膜厚，并且包含相同的材料，更加优选第1、第2电介质膜16A、16B是相同的膜厚，并且包含相同的材料。即，如图6的(a)以及图6的(b)所示，更加优选同时进行第1、第2IDT电极形成工序，并且通过进行第1、第2电介质膜形成工序。由此，能够进一步提高生产性，并且能够进一步容易地控制滤波器特性。
如图9所示的第1实施方式的第3变形例那样，第1、第2电介质膜56A、56B也可以具有被设置为埋入第1、第2IDT电极9A、9B的第1层56Aa、56Ba。第1、第2电介质膜56A、56B除了第1层56Aa、56Ba以外，也可以具有被设置在第1层56Aa、56Ba上的第2层56Ab、56Bb。第1层56Aa、56Ba例如包含SiO2等。第2层56Ab、56Bb例如包含SiN等。这样，第1、第2电介质膜的形态并不被特别限定，也可以是多层膜构造。另外，第1、第2IDT电极也可以是多层膜构造。
图10是第2实施方式所涉及的弹性波装置的示意性的电路图。
弹性波装置21的第1、第2通信频带、第1～第4带通型滤波器23A～23D的电路结构以及第1、第2IDT电极的占空比与第1实施方式不同。除上述点以外，弹性波装置21具有与第1实施方式的弹性波装置1相同的结构。
在本实施方式中，第1接收频带是Band20的接收频带，是791MHz以上且821MHz以下。第1发送频带是Band20的发送频带，是832MHz以上且862MHz以下。第2接收频带是Band8的接收频带，是925MHz以上且960MHz以下。第2发送频带是Band8的发送频带，是880MHz以上且915MHz。
在弹性波装置21中，|Tx1-Rx1|/f1＝1.36％，|Tx2-Rx2|/f2＝1.06％。这样，与第1实施方式同样地，|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2。
第2带通型滤波器23B具有被配置于串联臂的弹性波谐振器S21以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器D21、D22。在纵耦合谐振器型弹性波滤波器D21与纵耦合谐振器型弹性波滤波器D22之间，连接弹性波谐振器S21。
第1带通型滤波器23A具有被配置于串联臂的弹性波谐振器S31、S32以及纵耦合谐振器型弹性波滤波器D31。弹性波谐振器S31、S32在天线端子4与纵耦合谐振器型弹性波滤波器D31之间，被相互串联连接。在弹性波谐振器S31与弹性波谐振器S32之间的连接点和接地电位之间，连接弹性波谐振器P31。在弹性波谐振器S32与纵耦合谐振器型弹性波滤波器D31之间的连接点和接地电位之间，连接弹性波谐振器P32。
另外，上述弹性波谐振器S21是第2带通型滤波器23B的串联陷波器。弹性波谐振器S31、S32是第1带通型滤波器23A的串联陷波器。弹性波谐振器P31、P32是第1带通型滤波器23A的并联陷波器。
弹性波谐振器S21的第2IDT电极的占空比是0.50，纵耦合谐振器型弹性波滤波器D21、D22的第2IDT电极的占空比是0.55。第2带通型滤波器23B的占空比的加权平均值是0.53。另一方面，弹性波谐振器S31、S32、P31、P32的第1IDT电极的占空比是0.52，纵耦合谐振器型弹性波滤波器D31的第1IDT电极的占空比是0.57。第1带通型滤波器23A的占空比的加权平均值是0.54。下述的表2对比进行表示。
[表2]
在本实施方式中，第1IDT电极的占空比的加权平均值比第2IDT电极的占空比的加权平均值大。因此，在本实施方式中，也能够容易地进行第1、第2带通型滤波器23A、23B的频率调整。
图11是第2实施方式的变形例所涉及的弹性波装置的示意性的电路图。
在本变形例中，第1带通型滤波器63A具有图10示出的第2实施方式中的第2带通型滤波器23B的电路结构。另一方面，第2带通型滤波器63B具有第2实施方式中的第1带通型滤波器23A的电路结构。并且，在本变形例的弹性波装置61中，第1带通型滤波器63A的串联陷波器即弹性波谐振器S61的占空比与第2实施方式不同。在上述点以外，弹性波装置61具有与第2实施方式的弹性波装置21相同的结构。
更具体而言，弹性波谐振器S61的占空比大于第2带通型滤波器63B的并联陷波器即弹性波谐振器P31、P32的占空比。
这里，本发明中的第1弹性波谐振器是被配置于第1带通型滤波器的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器。第2弹性波谐振器是被配置于第2带通型滤波器的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器。第3弹性波谐振器是被连接于第1带通型滤波器的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器。第4弹性波谐振器是被连接于第2带通型滤波器的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器。上述弹性波谐振器S61是本发明中的第1弹性波谐振器，上述弹性波谐振器P31、P32是本发明中的第4弹性波谐振器。
这里，存在并联陷波器的阻抗特性较大程度地有助于带通型滤波器的通带中的低频侧的特性的趋势。存在串联陷波器的阻抗特性较大程度地有助于通带中的高频侧的特性的趋势。在弹性波装置61中，第2发送频带位于第2接收频带的低频侧。因此，在第2带通型滤波器63B中，并联陷波器即弹性波谐振器P31、P32的阻抗特性较大程度地有助于第2发送频带中的频带外衰减量等。第2发送频带以及第2接收频带的频率的间隔比第1发送频带以及第1接收频带的频率的间隔窄。因此，在弹性波谐振器P31、P32中，特别优选以高精度进行频率调整。
另一方面，第1发送频带位于第1接收频带的高频侧。因此，串联陷波器即弹性波谐振器S61的特性较大程度地有助于第1发送频带中的频带外衰减量等。此外，由于处于|Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2的关系，因此弹性波谐振器S61的滤波器特性能够比弹性波谐振器P31、P32的滤波器特性更容易充分。
在本变形例中，全部第1弹性波谐振器即弹性波谐振器S61的占空比大于全部第4弹性波谐振器即弹性波谐振器P31、P32的占空比。因此，与第1实施方式中的制造工序同样地，能够同时进行第1、第2带通型滤波器63A、63B的频率调整。因此，能够容易进行第1、第2带通型滤波器63A、63B的频率调整。
另外，在某个特定的方面，只要第1弹性波谐振器的占空比的加权平均值比第4弹性波谐振器的占空比的加权平均值大即可。在这种情况下，也能够容易进行第1、第2带通型滤波器63A、63B的频率调整。并且，优选如弹性波装置61那样，全部第1弹性波谐振器的占空比大于全部第4弹性波谐振器的占空比。
在上述弹性波装置61的制造时，上述的弹性波装置1的制造方法中的第2IDT电极形成工序以外的工序能够与弹性波装置1的制造方法同样地进行。更具体而言，在第2IDT电极形成工序中，形成相比于弹性波谐振器S61的第1IDT电极的占空比，占空比的加权平均值更小的弹性波谐振器P31、P32的第2IDT电极即可。另外，在弹性波装置分别具有多个本发明中的第1、第4弹性波谐振器的情况下，形成相比于第1弹性波谐振器的第1IDT电极的占空比的加权平均值，占空比的加权平均值更小的第4弹性波谐振器的第2IDT电极即可。
另一方面，表示了第3带通型滤波器的通带位于比第1带通型滤波器的通带更靠高频侧的位置、第4带通型滤波器的通带位于比第2带通型滤波器的通带更靠高频侧的位置的情况下的优选例。这里，如上所述，第1弹性波谐振器是第1带通型滤波器的串联陷波器，第2弹性波谐振器是第2带通型滤波器的串联陷波器。在该情况下，优选第1带通型滤波器的串联陷波器即第1弹性波谐振器的占空比的加权平均值比第2带通型滤波器的串联陷波器即第2弹性波谐振器的占空比的加权平均值大。更加优选全部第1弹性波谐振器的占空比大于全部第2弹性波谐振器的占空比。
在上述弹性波装置的制造时，上述的弹性波装置1的制造方法中的第2IDT电极形成工序以外的工序能够与弹性波装置1的制造方法同样地进行。更具体而言，在第2IDT电极形成工序中，形成相比于第1弹性波谐振器的第1IDT电极的占空比的加权平均值，占空比的加权平均值较小的第2弹性波谐振器的第2IDT电极即可。
表示了第3带通型滤波器的通带位于比第1带通型滤波器的通带更靠低频侧的位置、第4带通型滤波器的通带位于比第2带通型滤波器的通带更靠低频侧的位置的情况下的优选例。这里，如上所述，第3弹性波谐振器是第1带通型滤波器的并联陷波器，第4弹性波谐振器是第2带通型滤波器的并联陷波器。该情况下，优选第1带通型滤波器的并联陷波器即第3弹性波谐振器的占空比的加权平均值比第2带通型滤波器的并联陷波器即第4弹性波谐振器的占空比的加权平均值大。更加优选全部第3弹性波谐振器的占空比大于全部第4弹性波谐振器的占空比。
在上述弹性波装置的制造时，上述的弹性波装置1的制造方法中的第2IDT电极形成工序以外的工序能够与弹性波装置1的制造方法同样地进行。更具体而言，在第2IDT电极形成工序中，形成相比于第3弹性波谐振器的第1IDT电极的占空比的加权平均值，占空比的加权平均值较小的第4弹性波谐振器的第2IDT电极即可。
表示了第3带通型滤波器的通带位于比第1带通型滤波器的通带更靠低频侧的位置、第4带通型滤波器的通带位于比第2带通型滤波器的通带更靠高频侧的位置的情况下的优选例。在该情况下，优选第1带通型滤波器的并联陷波器即第3弹性波谐振器的占空比的加权平均值比第2带通型滤波器的串联陷波器即第2弹性波谐振器的占空比的加权平均值大。更加优选全部第3弹性波谐振器的占空比大于全部第2弹性波谐振器的占空比。
在上述弹性波装置的制造时，上述的弹性波装置1的制造方法中的第2IDT电极形成工序以外的工序能够与弹性波装置1的制造方法同样地进行。更具体而言，在第2IDT电极形成工序中，形成相比于第3弹性波谐振器的第1IDT电极的占空比的加权平均值，占空比的加权平均值较小的第2弹性波谐振器的第2IDT电极。
在第1、第2实施方式以及各变形例中，表示了第1、第2带通型滤波器是接收滤波器的例子。另外，第1、第2带通型滤波器也可以是发送滤波器。或者，也可以第1、第2带通型滤波器之中的一方是接收滤波器，另一方是发送滤波器。本发明的弹性波装置也可以不具有第3、第4带通型滤波器。在这种情况下，例如，在被安装于安装基板并与相当于第3、第4带通型滤波器的元件连接等情况下，能够适当地应用本发明。
-符号说明-
1...弹性波装置
3A～3D...第1～第4带通型滤波器
4...天线端子
5、6...第1、第2端子
7...压电基板
8...接地端子
9A、9B...第1、第2IDT电极
15A、15B...反射器
16A、16B...第1、第2电介质膜
21...弹性波装置
23A～23D...第1～第4带通型滤波器
39B...第2IDT电极
46B...第2电介质膜
56A、56B...第1、第2电介质膜
56Aa、56Ba...第1层
56Ab、56Bb...第2层
61...弹性波装置
63A、63B...第1、第2带通型滤波器
S1～S3、S11～S13、S21、S31、S32、S61、Sa、Sb、P11、P31、P32...弹性波谐振器
D1、D2、D11、D21、D22、D31...纵耦合谐振器型弹性波滤波器
L...电感器。

Claims (20)

1.一种弹性波装置，具备：
压电基板；
第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和
第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，
所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，
在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1＞|Tx2-Rx2|/f2，
所述多个第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述多个第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
全部所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第2IDT电极的占空比。
3.一种弹性波装置，具备：
压电基板；
第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和
第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，
所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，
在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1＞|Tx2-Rx2|/f2，
在所述第1通信频带中，相比于所述第1发送频带以及所述第1接收频带之中的所述第1带通型滤波器的通带，另一个通带位于高频侧，
在所述第2通信频带中，相比于所述第2发送频带以及所述第2接收频带之中的所述第2带通型滤波器的通带，另一个通带位于高频侧，
所述第1带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第1弹性波谐振器，所述第1弹性波谐振器是被配置于将所述第1带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个，
所述第2带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第2弹性波谐振器，所述第2弹性波谐振器是被配置于将所述第2带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个，
所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
全部所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比。
5.一种弹性波装置，具备：
压电基板；
第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和
第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，
所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，
在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1＞|Tx2-Rx2|/f2，
在所述第1通信频带中，相比于所述第1发送频带以及所述第1接收频带之中的所述第1带通型滤波器的通带，另一个通带位于低频侧，
在所述第2通信频带中，相比于所述第2发送频带以及所述第2接收频带之中的所述第2带通型滤波器的通带，另一个通带位于低频侧，
所述第1带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第3弹性波谐振器，所述第3弹性波谐振器是被连接于将所述第1带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个，
所述第2带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第4弹性波谐振器，所述第4弹性波谐振器是被连接于将所述第2带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个，
所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，
全部所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比。
7.一种弹性波装置，具备：
压电基板；
第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和
第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，
所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，
在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1＞|Tx2-Rx2|/f2，
在所述第1通信频带中，相比于所述第1发送频带以及所述第1接收频带之中的所述第1带通型滤波器的通带，另一个通带位于高频侧，
在所述第2通信频带中，相比于所述第2发送频带以及所述第2接收频带之中的所述第2带通型滤波器的通带，另一个通带位于低频侧，
所述第1带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第1弹性波谐振器，所述第1弹性波谐振器是被配置于将所述第1带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个，
所述第2带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第4弹性波谐振器，所述第4弹性波谐振器是被连接于将所述第2带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个，
所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
8.根据权利要求7所述的弹性波装置，其中，
全部所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比。
9.一种弹性波装置，具备：
压电基板；
第1带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第1IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第1IDT电极的第1电介质膜，并且将包含第1发送频带以及第1接收频带的第1通信频带之中的所述第1发送频带或者所述第1接收频带设为通带；和
第2带通型滤波器，具有被设置在所述压电基板上的多个第2IDT电极、和被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述多个第2IDT电极的第2电介质膜，并且将与所述第1通信频带不同的包含第2发送频带以及第2接收频带的第2通信频带之中的所述第2发送频带或者所述第2接收频带设为通带，
所述第1、第2IDT电极、或者所述第1、第2电介质膜的至少一方是相同的膜厚，并且包含相同的材料，
在所述第1通信频带中，将所述第1发送频带的最接近于所述第1接收频带的端部的频率设为Tx1，将所述第1接收频带的最接近于所述第1发送频带的端部的频率设为Rx1，将所述第1带通型滤波器的通带的中心频率设为f1，在所述第2通信频带中，将所述第2发送频带的最接近于所述第2接收频带的端部的频率设为Tx2，将所述第2接收频带的最接近于所述第2发送频带的端部的频率设为Rx2，将所述第2带通型滤波器的通带的中心频率设为f2，此时，|Tx1-Rx1|/f1＞|Tx2-Rx2|/f2，
在所述第1通信频带中，相比于所述第1发送频带以及所述第1接收频带之中的所述第1带通型滤波器的通带，另一个通带位于低频侧，
在所述第2通信频带中，相比于所述第2发送频带以及所述第2接收频带之中的所述第2带通型滤波器的通带，另一个通带位于高频侧，
所述第1带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第3弹性波谐振器，所述第3弹性波谐振器是被连接于将所述第1带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂与接地电位之间的弹性波谐振器之中的至少一个，
所述第2带通型滤波器具有输入端以及输出端，并具有第2弹性波谐振器，所述第2弹性波谐振器是被配置于将所述第2带通型滤波器的所述输入端以及所述输出端连接的串联臂的弹性波谐振器之中的至少一个，
所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值比所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比的加权平均值大。
10.根据权利要求9所述的弹性波装置，其中，
全部所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比大于全部所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极的占空比。
11.根据权利要求1～10的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1、第2带通型滤波器是接收滤波器。
12.根据权利要求1～10的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1、第2带通型滤波器是发送滤波器。
13.根据权利要求1～12的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1、第2IDT电极是相同的膜厚，并且包含相同的材料，
所述第1、第2电介质膜是相同的膜厚，并且包含相同的材料。
14.根据权利要求1～13的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1、第2IDT电极以及所述第1、第2电介质膜的至少一方是多层膜构造。
15.一种弹性波装置的制造方法，是权利要求1或2所述的弹性波装置的制造方法，具备：
准备所述压电基板的工序；
第1IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第1IDT电极；
第2IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第2IDT电极；
第1电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第1电介质膜以使得覆盖所述多个第1IDT电极；和
第2电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第2电介质膜以使得覆盖所述多个第2IDT电极，
在所述第2IDT电极形成工序中，形成占空比的加权平均值小于所述多个第1IDT电极的占空比的加权平均值的所述多个第2IDT电极，
使用相同的材料来同时进行所述第1、第2IDT电极形成工序、或者所述第1、第2电介质膜形成工序的至少一方，
所述弹性波装置的制造方法还具备同时进行所述第1、第2带通型滤波器的频率调整的工序。
16.一种弹性波装置的制造方法，是权利要求3或者4所述的弹性波装置的制造方法，具备：
准备所述压电基板的工序；
第1IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第1IDT电极；
第2IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第2IDT电极；
第1电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第1电介质膜以使得覆盖所述多个第1IDT电极；和
第2电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第2电介质膜以使得覆盖所述多个第2IDT电极，
在所述第2IDT电极形成工序中，形成占空比的加权平均值小于所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值的、所述第2弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极，
使用相同的材料来同时进行所述第1、第2IDT电极形成工序、或者所述第1、第2电介质膜形成工序的至少一方，
所述弹性波装置的制造方法还具备同时进行所述第1、第2带通型滤波器的频率调整的工序。
17.一种弹性波装置的制造方法，是权利要求5或者6所述的弹性波装置的制造方法，所述弹性波装置的制造方法具备：
准备所述压电基板的工序；
第1IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第1IDT电极；
第2IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第2IDT电极；
第1电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第1电介质膜以使得覆盖所述多个第1IDT电极；和
第2电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第2电介质膜以使得覆盖所述多个第2IDT电极，
在所述第2IDT电极形成工序中，形成占空比的加权平均值小于所述第3弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值的、所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极，
使用相同的材料来同时进行所述第1、第2IDT电极形成工序、或者所述第1、第2电介质膜形成工序的至少一方，
所述弹性波装置的制造方法还具备同时进行所述第1、第2带通型滤波器的频率调整的工序。
18.一种弹性波装置的制造方法，是权利要求7或者8所述的弹性波装置的制造方法，具备：
准备所述压电基板的工序；
第1IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第1IDT电极；
第2IDT电极形成工序，在所述压电基板上形成所述多个第2IDT电极；
第1电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第1电介质膜以使得覆盖所述多个第1IDT电极；和
第2电介质膜形成工序，在所述压电基板上层叠所述第2电介质膜以使得覆盖所述多个第2IDT电极，
在所述第2IDT电极形成工序中，形成占空比的加权平均值小于所述第1弹性波谐振器所具有的所述第1IDT电极的占空比的加权平均值的、所述第4弹性波谐振器所具有的所述第2IDT电极，
使用相同的材料来同时进行所述第1、第2IDT电极形成工序、或者所述第1、第2电介质膜形成工序的至少一方，
所述弹性波装置的制造方法还具备同时进行所述第1、第2带通型滤波器的频率调整的工序。
19.根据权利要求15～18的任意一项所述的弹性波装置的制造方法，其中，
同时进行所述第1IDT电极形成工序以及所述第2IDT电极形成工序，并且同时进行所述第1电介质膜形成工序以及所述第2电介质膜形成工序。
20.根据权利要求15～19的任意一项所述的弹性波装置的制造方法，其中，
通过沉积法来进行所述第1、第2IDT电极形成工序以及所述第1、第2电介质膜形成工序之中同时进行的工序。
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