KR20190025038A - 탄성파 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

동일한 압전 기판에 구성된 복수의 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있는, 탄성파 장치를 제공한다. 탄성파 장치(1)는, 압전 기판(7)에 구성되어 있으며, 복수의 제1 IDT 전극(9A)과, 제1 유전체막(16A)을 갖고, 제1 송신 대역 또는 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와, 압전 기판(7)에 구성되어 있으며, 복수의 제2 IDT 전극(9B)과, 제2 유전체막(16B)을 갖고, 제2 송신 대역 또는 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터를 구비한다. 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B) 또는 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어진다. 제1 송신 대역의 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 제1 수신 대역의 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 제2 송신 대역의 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 제2 수신 대역에 있어서의 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며, 복수의 제1 IDT 전극(9A)의 듀티의 가중 평균값이, 복수의 제2 IDT 전극(9B)의 듀티의 가중 평균값보다도 크다.

Description

탄성파 장치 및 그 제조 방법
본 발명은, 탄성파 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 탄성파 장치가 휴대 전화기 등에 널리 사용되고 있다. 하기의 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 동일한 압전 기판에 있어서, 주파수 특성이 서로 상이한 2개의 탄성 표면파 소자가 구성되어 있다. 압전 기판 위에는, 각 탄성 표면파 소자에 있어서의 IDT 전극을 덮도록, 절연막이 마련되어 있다. 2개의 탄성 표면파 소자에 있어서의 절연막의 막 두께를 서로 상이하게 함으로써, 각 탄성파 장치의 주파수 특성이 조정되어 있다.
일본 특허공개 제2000-341068호 공보
탄성파 장치에 있어서는, IDT 전극의 전극 핑거의 선 폭이나 막 두께의 제조 변동에 의해, 주파수 특성에 변동이 생긴다. 이에 의해, 삽입 손실이나, 대역 외 감쇠량 등의 필터 특성이 열화되는 경우가 있다.
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치와 같이, 복수의 탄성 표면파 소자를 갖는 경우, 탄성 표면파 소자 간에서, 제조 시에 있어서 주파수의 변동은 상이하다. 그 때문에, 탄성 표면파 소자마다 개별로 주파수 조정을 행하는 것이 필요하였다. 따라서, 특히, 복수의 대역 통과형 필터를 갖는 탄성파 장치 등의 제조 공정이 번잡하였다.
본 발명의 목적은, 동일한 압전 기판에 구성된 복수의 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있는, 탄성파 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어떤 넓은 국면에서는, 압전 기판과, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터를 구비하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극, 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며, 상기 복수의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 복수의 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 크다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 모든 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 크다. 이 경우에는, 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 보다 한층 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 넓은 국면에서는, 압전 기판과, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터를 구비하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역 및 상기 제1 수신 대역 중 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 고역측에 위치하고 있으며, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역 및 상기 제2 수신 대역 중 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 고역측에 위치하고 있으며, 상기 제1 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제1 탄성파 공진자를 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제2 탄성파 공진자를 갖고, 상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 크다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 모든 상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 크다. 이 경우에는, 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 보다 한층 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 넓은 국면에서는, 압전 기판과, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터를 구비하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역 및 상기 제1 수신 대역 중 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 저역측에 위치하고 있으며, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역 및 상기 제2 수신 대역 중 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 저역측에 위치하고 있으며, 상기 제1 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암과 접지 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제3 탄성파 공진자를 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암과 접지 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제4 탄성파 공진자를 갖고, 상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 크다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 모든 상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 크다. 이 경우에는, 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 보다 한층 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 넓은 국면에서는, 압전 기판과, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터를 구비하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역 및 상기 제1 수신 대역 중 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 고역측에 위치하고 있으며, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역 및 상기 제2 수신 대역 중 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 저역측에 위치하고 있으며, 상기 제1 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제1 탄성파 공진자를 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암과 접지 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제4 탄성파 공진자를 갖고, 상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 크다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 모든 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제4 탄성파 공진자의 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 크다. 이 경우에는, 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 보다 한층 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 압전 기판과, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와, 상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터를 구비하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며, 상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역 및 상기 제1 수신 대역 중 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 저역측에 위치하고 있으며, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역 및 상기 제2 수신 대역 중 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 고역측에 위치하고 있으며, 상기 제1 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암과 접지 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제3 탄성파 공진자를 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제2 탄성파 공진자를 갖고, 상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 크다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 모든 상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 크다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1, 제2 대역 통과형 필터가 수신 필터이다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1, 제2 대역 통과형 필터가 송신 필터이다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1, 제2 IDT 전극이 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1, 제2 유전체막이 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어진다. 이 경우에는, 생산성을 보다 한층 높일 수 있으며, 또한 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 보다 한층 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1, 제2 IDT 전극 및 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이 다층막 구조이다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 어떤 넓은 국면에서는, 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치의 제조 방법으로서, 상기 압전 기판을 준비하는 공정과, 상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제1 IDT 전극을 형성하는, 제1 IDT 전극 형성 공정과, 상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하는, 제2 IDT 전극 형성 공정과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제1 유전체막을 적층하는, 제1 유전체막 형성 공정과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제2 유전체막을 적층하는, 제2 유전체막 형성 공정이 구비되어 있으며, 상기 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 상기 복수의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정 또는 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정 중 적어도 한쪽을, 동일한 재료를 사용하여 동시에 행하고, 상기 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행하는 공정이 더 구비되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 다른 넓은 국면에서는, 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치의 제조 방법으로서, 상기 압전 기판을 준비하는 공정과, 상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제1 IDT 전극을 형성하는, 제1 IDT 전극 형성 공정과, 상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하는, 제2 IDT 전극 형성 공정과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제1 유전체막을 적층하는, 제1 유전체막 형성 공정과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제2 유전체막을 적층하는, 제2 유전체막 형성 공정이 구비되어 있으며, 상기 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 상기 제2 탄성파 공진자의 상기 제2 IDT 전극을 형성하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정 또는 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정의 적어도 한쪽을, 동일한 재료를 사용하여 동시에 행하고, 상기 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행하는 공정이 더 구비되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 또 다른 넓은 국면에서는, 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치의 제조 방법으로서, 상기 압전 기판을 준비하는 공정과, 상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제1 IDT 전극을 형성하는, 제1 IDT 전극 형성 공정과, 상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하는, 제2 IDT 전극 형성 공정과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제1 유전체막을 적층하는, 제1 유전체막 형성 공정과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제2 유전체막을 적층하는, 제2 유전체막 형성 공정을 구비하고, 상기 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극을 형성하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정 또는 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정의 적어도 한쪽을, 동일한 재료를 사용하여 동시에 행하고, 상기 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행하는 공정이 더 구비되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 또 다른 넓은 국면에서는, 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치의 제조 방법으로서, 상기 압전 기판을 준비하는 공정과, 상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제1 IDT 전극을 형성하는, 제1 IDT 전극 형성 공정과, 상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하는, 제2 IDT 전극 형성 공정과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제1 유전체막을 적층하는, 제1 유전체막 형성 공정과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제2 유전체막을 적층하는, 제2 유전체막 형성 공정을 구비하고, 상기 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극을 형성하고, 상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정 또는 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정의 적어도 한쪽을, 동일한 재료를 사용하여 동시에 행하고, 상기 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행하는 공정이 더 구비되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 IDT 전극 형성 공정 및 상기 제2 IDT 전극 형성 공정을 동시에 행하고, 또한 상기 제1 유전체막 형성 공정 및 상기 제2 유전체막 형성 공정을 동시에 행한다. 이 경우에는, 생산성을 보다 한층 높일 수 있으며, 또한 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 보다 한층 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정 및 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정 중 동시에 행하는 공정을, 퇴적법에 의해 행한다.
본 발명에 따르면, 동일한 압전 기판에 구성된 복수의 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있는, 탄성파 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 모식도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 제1, 제2 대역 통과형 필터의 전극 구조를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 3은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 회로도이다.
도 4는, 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 제1, 제2 대역 통과형 필터의 일부를 모식적으로 발출하여 나타내는, 탄성파 장치의 모식적 단면도이다.
도 5는, IDT 전극의 듀티와 주파수의 가공 의존성과의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는, 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적 단면도이다.
도 7은, 본 발명의 제1 실시 형태의 제1 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 제1 실시 형태의 제2 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 단면도이다.
도 9는, 본 발명의 제1 실시 형태의 제3 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 단면도이다.
도 10은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 회로도이다.
도 11은, 본 발명의 제2 실시 형태의 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 회로도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명함으로써, 본 발명을 명확하게 한다.
또한, 본 명세서에 기재된 각 실시 형태는, 예시적인 것이며, 다른 실시 형태 간에 있어서, 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능함을 지적해 둔다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 모식도이다.
탄성파 장치(1)는, 서로 통과 대역이 상이한 제1 내지 제4 대역 통과형 필터(3A 내지 3D)를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)는 수신 필터이며, 제3, 제4 대역 통과형 필터(3C, 3D)는 송신 필터이다.
제1 대역 통과형 필터(3A) 및 제3 대역 통과형 필터(3C)는, 동일한 통신 밴드의 수신 필터 및 송신 필터이다. 보다 구체적으로는, 제1 대역 통과형 필터(3A)는, 제1 수신 대역 및 제1 송신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 제1 수신 대역을 통과 대역으로 한다. 제3 대역 통과형 필터(3C)는, 제1 통신 밴드 중 다른 쪽인, 제1 송신 대역을 통과 대역으로 한다.
마찬가지로, 제2 대역 통과형 필터(3B) 및 제4 대역 통과형 필터(3D)는, 동일한 통신 밴드의 수신 필터 및 송신 필터이다. 보다 구체적으로는, 제2 대역 통과형 필터(3B)는, 제2 수신 대역 및 제2 송신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 제2 수신 대역을 통과 대역으로 한다. 제4 대역 통과형 필터(3D)는, 제2 통신 밴드 중 다른 쪽인, 제2 송신 대역을 통과 대역으로 한다.
본 실시 형태에서는, 제1 수신 대역은 Band4의 수신 대역이며, 2110㎒ 이상, 2155㎒ 이하이다. 제1 송신 대역은 Band4의 송신 대역이며, 1710㎒ 이상, 1755㎒ 이하이다. 제2 수신 대역은 Band25의 수신 대역이며, 1930㎒ 이상, 1995㎒ 이하이다. 제2 송신 대역은 Band25의 송신 대역이며, 1850㎒ 이상, 1915㎒이다. 또한, 제1, 제2 수신 대역 및 제1, 제2 송신 대역은, 상기로 한정되지 않는다.
탄성파 장치(1)는, 안테나에 접속되는 안테나 단자(4)를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 제1 대역 통과형 필터(3A)와 제3 대역 통과형 필터(3C)가 안테나 단자(4)에 공통 접속되어 있으며, 제2 대역 통과형 필터(3B)와 제4 대역 통과형 필터(3D)가 안테나 단자(4)에 공통 접속되어 있다. 즉, 제1 내지 제4 대역 통과형 필터(3A 내지 3D)는, 안테나 단자(4)에 공통 접속되어 있다. 또한, 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)는, 동일한 안테나 단자에 공통 접속되어 있지 않아도 된다. 제3, 제4 대역 통과형 필터(3C, 3D)도, 동일한 안테나 단자에 공통 접속되어 있지 않아도 된다.
여기서, 제1 송신 대역에 있어서의 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 제1 수신 대역에 있어서의 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 한다. 제1 대역 통과형 필터(3A)의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 한다. 제2 송신 대역에 있어서의 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 제2 수신 대역에 있어서의 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 한다. 제2 대역 통과형 필터(3B)의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 한다. 이때, 본 실시 형태에서는, |Tx1-Rx1|/f1=16.65％이며, |Tx2-Rx2|/f2=0.76％이다. 이와 같이, 탄성파 장치(1)에 있어서는, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이다. 이것은, 제1 송신 대역과 제1 수신 대역의 주파수의 간격이, 제2 송신 대역과 제2 수신 대역의 주파수의 간격보다도 넓음을 나타낸다.
도 1 중의 파선 A는, 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)가 동일 칩 내에 있어서 구성되어 있음을 나타낸다. 파선 B는, 제3, 제4 대역 통과형 필터(3C, 3D)가 동일 칩 내에 있어서 구성되어 있음을 나타낸다. 여기서, 본 명세서에 있어서, 동일 칩 내에 있어서 구성되어 있다라 함은, 동일한 압전 기판 위에 있어서 구성되어 있음을 의미한다. 또한, 제3, 제4 대역 통과형 필터(3C, 3D)는, 동일 칩 내에 있어서 구성되어 있지 않아도 된다.
이하에 있어서, 본 실시 형태에 있어서의 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)의 보다 구체적인 구성을 설명한다.
도 2는, 제1 실시 형태에 있어서의 제1, 제2 대역 통과형 필터의 전극 구조를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 3은, 본 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 회로도이다. 또한, 도 2에 있어서, 후술하는 탄성파 공진자 및 종결합 공진자형 탄성파 필터는, 직사각형이나 다각형에 대각선을 더한 개략도에 의해 나타낸다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 탄성파 장치는 압전 기판(7)을 갖는다. 압전 기판(7)은, 예를 들어 LiNbO3이나 LiTaO3 등의 압전 단결정이나, 적절한 압전 세라믹스로 이루어진다. 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)는, 압전 기판(7) 위에 있어서 구성되어 있다. 압전 기판(7) 위에는, 접지 전위에 접속되는 복수의 접지 단자(8)가 마련되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제1 대역 통과형 필터(3A)는, 복수의 탄성파 공진자 S1 내지 S3 및 복수의 종결합 공진자형 탄성파 필터 D1, D2를 갖는다. 제2 대역 통과형 필터(3B)는, 복수의 탄성파 공진자 S11 내지 S13, P11 및 종결합 공진자형 탄성파 필터 D11을 갖는다. 한편, 제3, 제4 대역 통과형 필터(3C, 3D)의 회로 구성은, 특별히 한정되지 않는다.
도 4는, 제1 실시 형태에 있어서의 제1, 제2 대역 통과형 필터의 일부를 모식적으로 발출하여 나타내는, 탄성파 장치의 모식적 단면도이다. 또한, 도 4는 모식적으로 나타내는 것이며, 도 2 중의 특정한 부분의 단면도에는 상당하지 않는다. 후술하는 도 6의 (a) 및 도 6의 (b), 도 7 내지 도 9도 마찬가지이다.
제1 대역 통과형 필터의 탄성파 공진자 Sa는, 압전 기판(7) 위에 마련된 제1 IDT 전극(9A)을 갖는다. 제1 IDT 전극(9A)의 탄성파 전반 방향 양측에는, 반사기(15A, 15A)가 배치되어 있다. 제1 IDT 전극(9A) 및 반사기(15A, 15A)를 덮도록, 압전 기판(7) 위에 제1 유전체막(16A)이 마련되어 있다.
제2 대역 통과형 필터의 탄성파 공진자 Sb는, 압전 기판(7) 위에 마련된 제2 IDT 전극(9B)을 갖는다. 제2 IDT 전극(9B)의 탄성파 전반 방향 양측에는, 반사기(15B, 15B)가 배치되어 있다. 제2 IDT 전극(9B) 및 반사기(15B, 15B)를 덮도록, 압전 기판(7) 위에 제2 유전체막(16B)이 설치되어 있다. 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)은, 예를 들어 SiO2 등의 적절한 유전체로 이루어진다.
제1 대역 통과형 필터는, 도 4에 도시한 제1 IDT 전극(9A) 이외에도, 복수의 제1 IDT 전극(9A)을 갖는다. 도 3에 도시한 각 탄성파 공진자 S1 내지 S3 및 종결합 공진자형 탄성파 필터 D1, D2는, 각각 제1 IDT 전극(9A) 및 제1 유전체막(16A)을 갖는다. 제2 대역 통과형 필터도, 복수의 제2 IDT 전극(9B)을 갖는다. 각 탄성파 공진자 S11 내지 S13, P11 및 종결합 공진자형 탄성파 필터 D11은, 각각 제2 IDT 전극(9B) 및 제2 유전체막(16B)을 갖는다. 또한, 각 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)의 전극 핑거의 쌍수, 전극 핑거 피치나 교차 폭 등은 각각 상이하여도 되며, 목적으로 하는 필터 특성에 따라서 적절히 선택하면 된다.
본 실시 형태에서는, 탄성파 공진자 S1 내지 S3에 있어서의 제1 IDT 전극(9A)의 듀티는 0.68이며, 종결합 공진자형 탄성파 필터 D1, D2에 있어서의 제1 IDT 전극(9A)의 듀티는 0.64이다. 제1 대역 통과형 필터(3A)의 복수의 제1 IDT 전극(9A)의 듀티의 평균값은 0.67이다. 한편, 탄성파 공진자 S11 내지 S13, P11 및 종결합 공진자형 탄성파 필터 D11에 있어서의 제2 IDT 전극(9B)의 듀티는 모두 0.6이다. 제2 대역 통과형 필터(3B)의 복수의 제2 IDT 전극(9B)의 듀티의 평균값은 0.6이다. 이것을 하기의 표 1에 나타낸다.
또한, 본 명세서에 있어서, 복수의 탄성파 공진자 간의 비교 시의 듀티 평균값은, 각 IDT 전극의 전극 핑거 개수에 기초하는 가중 평균값이다. 예를 들어, 전극 핑거의 개수가 X개, 듀티가 Dx인 IDT 전극, 전극 핑거의 개수가 Y개, 듀티가 Dy인 IDT 전극 및 전극 핑거의 개수가 Z개, 듀티가 Dz인 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값은, 하기와 같다. 듀티의 가중 평균값=(X×Dx+Y×Dy+Z×Dz)/(X+Y+Z)로 표시할 수 있다.
Figure pct00001
제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)에 있어서는, 도 4에 도시한 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)은 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어진다. 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)도 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어진다. 또한, 본 명세서에 있어서의 동일한 막 두께에 있어서는, 동일 공정에 있어서 형성되었을 때의 변형 정도의 차는 허용된다.
본 실시 형태의 특징은, 이하의 구성에 있다. 1) 상기 제1, 제2 통신 밴드가, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2의 관계에 있다. 2) 제1 대역 통과형 필터(3A)의 복수의 제1 IDT 전극(9A)의 듀티의 가중 평균값이, 제2 대역 통과형 필터(3B)의 복수의 제2 IDT 전극(9B)의 듀티의 가중 평균값보다도 크다. 3) 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B) 및 제1, 제2 유전체막(16A, 16B) 중 적어도 한쪽이 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어진다. 이들 특징을 가짐으로써, 동일한 압전 기판(7)에 구성된 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있다.
이것을, 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)의 구성의 상세와 함께, 이하에 있어서 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 탄성파 장치(1)는, 제1 대역 통과형 필터(3A)에 접속되어 있는 제1 단자(5)를 갖는다. 여기서, 제1 대역 통과형 필터(3A)는, 입력단 및 출력단을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 제1 대역 통과형 필터(3A)의 입력단측이 상기 안테나 단자(4)측에 위치하고, 출력단측이 제1 단자(5)측에 위치한다. 입력단과 출력단을 접속하는 직렬 암에 탄성파 공진자 S1 내지 S3 및 종결합 공진자형 탄성파 필터 D1, D2가 배치되어 있다. 종결합 공진자형 탄성파 필터 D1, D2는, 탄성파 공진자 S1과 탄성파 공진자 S2의 사이에, 서로 병렬로 접속되어 있다. 탄성파 공진자 S1은, 안테나 단자(4)와 종결합 공진자형 탄성파 필터 D1, D2의 사이에 접속되어 있다. 탄성파 공진자 S2, S3은, 제1 단자(5)와 종결합 공진자형 탄성파 필터 D1, D2의 사이에, 서로 직렬로 접속되어 있다.
탄성파 장치(1)는, 제2 대역 통과형 필터(3B)에 접속되어 있는 제2 단자(6)를 갖는다. 여기서, 제2 대역 통과형 필터(3B)는, 입력단 및 출력단을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 제2 대역 통과형 필터(3B)의 입력단측이 안테나 단자(4)측에 위치하고, 출력단측이 제2 단자(6)측에 위치한다. 입력단과 출력단을 접속하는 직렬 암에, 탄성파 공진자 S11 내지 S13 및 종결합 공진자형 탄성파 필터 D11이 배치되어 있다. 탄성파 공진자 S11 내지 S13은, 안테나 단자(4)와 종결합 공진자형 탄성파 필터 D11의 사이에 서로 직렬로 접속되어 있다. 직렬 암과 접지 전위의 사이에 탄성파 공진자 P11이 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 탄성파 공진자 P11은, 안테나 단자(4)와 탄성파 공진자 S11 사이의 접속점과 접지 전위의 사이에 접속되어 있다.
안테나 단자(4)와 접지 전위의 사이에는, 임피던스 조정용 인덕터 L이 접속되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 도 2 중의 각 단자에 있어서의 파선의 원형으로 나타내는 부분에, 땜납이나 비아 홀 전극, 배선 접속(와이어링 커넥션) 등이 접속된다. 그것에 의해, 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)는 외부에 전기적으로 접속된다.
여기서, 제1 대역 통과형 필터(3A)는, 제1 수신 대역에 있어서는 삽입 손실이 작으며, 또한 제1 송신 대역에 있어서는, 대역외 감쇠량이 작은 것이 바람직하다. 마찬가지로, 제2 대역 통과형 필터(3B)는, 제2 수신 대역에 있어서는 삽입 손실이 작으며, 또한 제2 송신 대역에 있어서는, 대역 외 감쇠량이 작은 것이 바람직하다. 이와 같은 필터 특성을 제어하기 위해서, 상세는 후술하지만, 탄성파 장치(1)의 제조 공정에 있어서 주파수 조정이 행해진다.
본 실시 형태에서는, 제1 대역 통과형 필터(3A)에 있어서의 모든 제1 IDT 전극의 듀티가, 제2 대역 통과형 필터(3B)의 모든 제2 IDT 전극보다도 크다. 이에 의해, 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)의 주파수의 가공 의존성이 다르게 되어 있다. 하기의 도 5에 있어서, IDT 전극의 듀티와 주파수의 가공 의존성과의 관계를 나타낸다.
도 5의 관계를 구할 때, IDT 전극의 듀티가 상이한 복수의 대역 통과형 필터를 제작하였다. IDT 전극의 전극 막 두께, 유전체막 두께가 동일하며, 또한 전극 핑거의 폭(듀티)이 상이한 복수의 대역 통과형 필터도 제작하였다. 상기 복수의 대역 통과형 필터는 전부 동일한 통과 대역으로 하고, Band25로 하였다. 각 대역 통과형 필터의 주파수 특성을 측정하고, 전극 핑거의 폭의 변화량에 대한 주파수의 변화량을, 각 듀티에 있어서 구하였다. 그것에 의해, IDT 전극의 각 듀티에 있어서의 주파수의 가공 의존성을 구하였다.
도 5는, IDT 전극의 듀티와 주파수의 가공 의존성과의 관계를 나타내는 도면이다.
도 5에 도시한 바와 같이, IDT 전극의 듀티가 클수록, 주파수의 가공 의존성이 작아짐을 알 수 있다. 본 실시 형태에서는, 모든 제1 IDT 전극의 듀티가 모든 제2 IDT 전극의 듀티보다도 크다. 따라서, 제1 대역 통과형 필터의 주파수 가공 의존성은, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 가공 의존성보다도 작다.
또한, 어떤 국면에서는, 복수의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 복수의 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 크면 된다. 이 경우에 있어서도, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 가공 의존성보다, 제1 대역 통과형 필터의 주파수 가공 의존성을 작게 할 수 있다. 무엇보다, 본 실시 형태와 같이, 모든 제1 IDT 전극의 듀티가 모든 제2 IDT 전극의 듀티보다도 큰 것이 보다 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2의 관계에 있다. 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역의 주파수의 간격은, 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역의 주파수의 간격보다도 좁다. 그 때문에, 도 3에 도시한 제2 대역 통과형 필터(3B)에 있어서는, 제2 수신 대역에 있어서의 삽입 손실을 작게 하는 것과, 제2 송신 대역에 있어서의 대역 외 감쇠량을 크게 하는 것의 양립을 위해, 높은 정밀도로 주파수 조정을 행할 필요가 있다. 한편, 제1 대역 통과형 필터(3A)에 있어서는, 제1 수신 대역에 있어서의 삽입 손실을 작게 하는 것과, 제1 송신 대역에 있어서의 대역 외 감쇠량을 크게 하는 것의 양립은, 제2 대역 통과형 필터(3B)보다도 용이하다.
여기서, 제2 대역 통과형 필터(3B)보다도, 제1 대역 통과형 필터(3A)에 있어서의 주파수의 가공 의존성은 작다. 그 때문에, 제2 대역 통과형 필터(3B)의 주파수 조정의 조건에 있어서 제1 대역 통과형 필터(3A)의 주파수 조정을 행하였다고 해도, 상기 양립을 용이하게 달성할 수 있다.
탄성파 장치(1)의 제조 공정에 있어서는, 예를 들어 제2 대역 통과형 필터(3B)의 주파수 조정의 조건에서, 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)의 주파수 조정을 동시에 행한다. 그것에 의해, 제2 대역 통과형 필터(3B)에 있어서, 삽입 손실을 충분히 높게 할 수 있으며, 또한 제4 대역 통과형 필터(3D)의 통과 대역에 있어서의 대역외 감쇠량을 충분히 크게 할 수 있다. 또한, 제1 대역 통과형 필터(3A)도, 상기 주파수 조정 후에 있어서, 삽입 손실은 충분히 높으며, 또한 제3 대역 통과형 필터(3C)의 통과 대역에 있어서의 대역 외 감쇠량은 충분히 크다. 본 실시 형태에서는, 이와 같이, 동일한 압전 기판(7)에 있어서의 제1, 제2 대역 통과형 필터(3A, 3B)의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있다.
이하에 있어서, 탄성파 장치(1)의 제조 방법의 일례와 함께, 본 실시 형태의 효과를 더욱 상세히 설명한다.
도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는, 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적 단면도이다. 또한, 실제는 주파수가 상이한 필터를 실현하기 위해서 전극 핑거 피치, 듀티가 상이하지만, 본 모식도에서는 간략화를 위해서 전극 핑거 피치, 듀티는 일률적으로 하였다.
도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 압전 기판(7)을 준비한다. 이어서, 제1 IDT 전극 형성 공정 및 제2 IDT 전극 공정을 행한다. 보다 구체적으로는, 압전 기판(7) 위에 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)을 동시에 형성한다. 반사기(15A, 15A, 15B, 15B)도, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)과 동시에 형성한다. 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)은, 예를 들어 스퍼터링법이나 증착법 등의 퇴적법에 의해 형성할 수 있다. 이와 같이, 동일한 재료를 사용하여, 제1 IDT 전극 형성 공정 및 제2 IDT 전극 형성 공정을 동시에 행한다. 이에 의해, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)은 동일한 재료로 이루어지며, 또한 동일한 막 두께로 된다.
이때, 제1, 제2 대역 통과형 필터의 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)이 모두 형성되어 있다. 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)은 동시에 형성되어 있기 때문에, 전극 핑거의 폭의 원하는 값으로부터의 어긋남은 동일 정도로 된다.
다음으로, 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 행한다. 주파수 조정에 있어서, 예를 들어 제2 IDT 전극(9B)의 전극 핑거의 폭이 소정의 폭이 되도록 에칭 등을 행한다. 이때, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정의 조건에 있어서, 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행한다. 그 때문에, 제2 IDT 전극(9B)의 전극 핑거의 폭이 변화함과 동시에, 제1 IDT 전극(9A)의 전극 핑거의 폭도 변화한다. 제1 대역 통과형 필터에 있어서는 주파수의 가공 의존성이 낮기 때문에, 이 경우에 있어서도, 필터 특성을 충분한 것으로 할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)의 전극 핑거의 폭의 원하는 값으로부터의 어긋남은 동일 정도이다. 따라서, 제1, 제2 대역 통과형 필터를 상기 조건에 있어서 동시에 주파수 조정할 때, 제2 대역 통과형 필터뿐만 아니라, 제1 대역 통과형 필터의 필터 특성의 제어도 행하기 쉽다. 이와 같이, 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있다.
다음으로, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B) 및 반사기(15A, 15A, 15B, 15B)를 덮도록, 동일한 재료를 사용하여, 압전 기판(7) 위에 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)을 형성한다. 이와 같이, 제1 유전체막 형성 공정과 제2 유전체막 형성 공정을 동시에 행한다. 그것에 의해, 동일한 재료로 이루어지며, 또한 동일한 막 두께인 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)을 형성한다. 제1, 제2 유전체막 형성 공정은, 예를 들어 스퍼터링법 등의 퇴적법에 의해 행할 수 있다. 이에 의해, 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)에 의한 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수에 대한 영향을 동일 정도로 할 수 있다. 따라서, 필터 특성을 용이하게 제어할 수 있다.
또한, 제3, 제4 대역 통과형 필터는, 제1, 제2 대역 통과형 필터와는 상이한 압전 기판에 있어서 구성하면 된다. 예를 들어, 압전 기판 위에 복수의 IDT 전극 및 반사기를 형성함으로써, 제3, 제4 대역 통과형 필터를 구성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B) 및 제1, 제2 유전체막(16A, 16B) 중 적어도 한쪽이 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어져 있으면 된다. 예를 들어, 도 7에 도시한 제1 실시 형태의 제1 변형예와 같이, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 39B)의 막 두께나 재료가 상이해도 된다. 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)은 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어진다. 제1 변형예에서는, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 39B)은 서로 다른 공정에 있어서 형성되어 있으며, 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)은 동시에 형성되어 있다.
한편, 도 8에 도시한 제1 실시 형태의 제2 변형예와 같이, 제1, 제2 유전체막(16A, 46B)의 막 두께나 재료가 상이해도 된다. 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)은 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어진다. 제2 변형예에 있어서는, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)은 동시에 형성되어 있고, 제1, 제2 유전체막(16A, 46B)은 서로 다른 공정에 있어서 형성되어 있다.
무엇보다, 도 4에 도시한 본 실시 형태와 같이, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)이 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고, 제1, 제2 유전체막(16A, 16B)이 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 즉, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정을 동시에 행하고, 또한 제1, 제2 유전체막 형성 공정을 동시에 행하는 것이 보다 바람직하다. 그것에 의해, 생산성을 보다 한층 높일 수 있으며, 또한 필터 특성을 보다 한층 용이하게 제어할 수 있다.
도 9에 도시한 제1 실시 형태의 제3 변형예와 같이, 제1, 제2 유전체막(56A, 56B)은, 제1, 제2 IDT 전극(9A, 9B)을 매립하도록 설치되어 있는 제1층(56Aa, 56Ba)을 갖고 있어도 된다. 제1, 제2 유전체막(56A, 56B)은, 제1층(56Aa, 56Ba) 이외에, 제1층(56Aa, 56Ba) 위에 설치되어 있는 제2층(56Ab, 56Bb)을 갖고 있어도 된다. 제1층(56Aa, 56Ba)은, 예를 들어 SiO2 등으로 이루어진다. 제2층(56Ab, 56Bb)은, 예를 들어 SiN 등으로 이루어진다. 이와 같이, 제1, 제2 유전체막의 형태는, 특별히 한정되지 않고 다층막 구조여도 된다. 또한, 제1, 제2 IDT 전극도 다층막 구조이어도 된다.
도 10은, 제2 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 회로도이다.
탄성파 장치(21)는, 제1, 제2 통신 밴드, 제1 내지 제4 대역 통과형 필터(23A 내지 23D)의 회로 구성 및 제1, 제2 IDT 전극의 듀티가 제1 실시 형태와 상이하다. 상기한 점 이외에 있어서는, 탄성파 장치(21)는, 제1 실시 형태의 탄성파 장치(1)와 마찬가지의 구성을 갖는다.
본 실시 형태에서는, 제1 수신 대역은 Band20의 수신 대역이며, 791㎒ 이상, 821㎒ 이하이다. 제1 송신 대역은 Band20의 송신 대역이며, 832㎒ 이상, 862㎒ 이하이다. 제2 수신 대역은 Band8의 수신 대역이며, 925㎒ 이상, 960㎒ 이하이다. 제2 송신 대역은 Band8의 송신 대역이며, 880㎒ 이상, 915㎒이다.
탄성파 장치(21)에 있어서는, |Tx1-Rx1|/f1=1.36％이며, |Tx2-Rx2|/f2=1.06％이다. 이와 같이, 제1 실시 형태와 마찬가지로, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이다.
제2 대역 통과형 필터(23B)는, 직렬 암에 배치된 탄성파 공진자 S21 및 종결합 공진자형 탄성파 필터 D21, D22를 갖는다. 종결합 공진자형 탄성파 필터 D21과 종결합 공진자형 탄성파 필터 D22의 사이에, 탄성파 공진자 S21이 접속되어 있다.
제1 대역 통과형 필터(23A)는, 직렬 암에 배치된 탄성파 공진자 S31, S32 및 종결합 공진자형 탄성파 필터 D31을 갖는다. 탄성파 공진자 S31, S32는, 안테나 단자(4)와 종결합 공진자형 탄성파 필터 D31의 사이에, 서로 직렬로 접속되어 있다. 탄성파 공진자 S31과 탄성파 공진자 S32의 사이의 접속점과 접지 전위의 사이에는, 탄성파 공진자 P31이 접속되어 있다. 탄성파 공진자 S32와 종결합 공진자형 탄성파 필터 D31의 사이의 접속점과 접지 전위의 사이에는, 탄성파 공진자 P32가 접속되어 있다.
또한, 상기 탄성파 공진자 S21은, 제2 대역 통과형 필터(23B)의 직렬 트랩이다. 탄성파 공진자 S31, S32는, 제1 대역 통과형 필터(23A)의 직렬 트랩이다. 탄성파 공진자 P31, P32는, 제1 대역 통과형 필터(23A)의 병렬 트랩이다.
탄성파 공진자 S21의 제2 IDT 전극의 듀티는 0.50이며, 종결합 공진자형 탄성파 필터 D21, D22의 제2 IDT 전극의 듀티는 0.55이다. 제2 대역 통과형 필터(23B)의 듀티의 가중 평균값은 0.53이다. 한편, 탄성파 공진자 S31, S32, P31, P32의 제1 IDT 전극의 듀티는 0.52이며, 종결합 공진자형 탄성파 필터 D31의 제1 IDT 전극의 듀티는 0.57이다. 제1 대역 통과형 필터(23A)의 듀티의 가중 평균값은 0.54이다. 이것을 하기의 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
본 실시 형태에서는, 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 크다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서도, 제1, 제2 대역 통과형 필터(23A, 23B)의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있다.
도 11은, 제2 실시 형태의 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 회로도이다.
본 변형예에 있어서는, 제1 대역 통과형 필터(63A)는 도 10에 도시한 제2 실시 형태에 있어서의 제2 대역 통과형 필터(23B)의 회로 구성을 갖는다. 한편, 제2 대역 통과형 필터(63B)는 제2 실시 형태에 있어서의 제1 대역 통과형 필터(23A)의 회로 구성을 갖는다. 또한, 본 변형예의 탄성파 장치(61)에서는, 제1 대역 통과형 필터(63A)의 직렬 트랩인 탄성파 공진자 S61의 듀티가, 제2 실시 형태와 상이하다. 상기 점 이외에 있어서는, 탄성파 장치(61)는 제2 실시 형태의 탄성파 장치(21)와 마찬가지의 구성을 갖는다.
보다 구체적으로는, 탄성파 공진자 S61의 듀티가, 제2 대역 통과형 필터(63B)의 병렬 트랩인 탄성파 공진자 P31, P32의 듀티보다도 크다.
여기서, 본 발명에 있어서의 제1 탄성파 공진자는, 제1 대역 통과형 필터의 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나의 탄성파 공진자이다. 제2 탄성파 공진자는, 제2 대역 통과형 필터의 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나의 탄성파 공진자이다. 제3 탄성파 공진자는, 제1 대역 통과형 필터의 직렬 암과 접지 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나의 탄성파 공진자이다. 제4 탄성파 공진자는, 제2 대역 통과형 필터의 직렬 암과 접지 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나의 탄성파 공진자이다. 상기 탄성파 공진자 S61은 본 발명에 있어서의 제1 탄성파 공진자이며, 상기 탄성파 공진자 P31, P32는 본 발명에 있어서의 제4 탄성파 공진자이다.
여기서, 대역 통과형 필터의 통과 대역에 있어서의 저역측의 특성에는, 병렬 트랩의 임피던스 특성이 크게 기여하는 경향이 있다. 통과 대역에 있어서의 고역측의 특성에는, 직렬 트랩의 임피던스 특성이 크게 기여하는 경향이 있다. 탄성파 장치(61)에 있어서는, 제2 수신 대역의 저역측에 제2 송신 대역이 위치한다. 따라서, 제2 대역 통과형 필터(63B)에 있어서, 병렬 트랩인 탄성파 공진자 P31, P32의 임피던스 특성이, 제2 송신 대역에 있어서의 대역 외 감쇠량 등에 크게 기여한다. 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역의 주파수의 간격은, 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역의 주파수의 간격보다도 좁다. 그 때문에, 탄성파 공진자 P31, P32에 있어서는, 특히 주파수 조정을 높은 정밀도로 행하는 것이 바람직하다.
한편, 제1 수신 대역의 고역측에 제1 송신 대역이 위치한다. 따라서, 직렬 트랩인 탄성파 공진자 S61의 특성이 제1 송신 대역에 있어서의 대역 외 감쇠량 등에 크게 기여한다. 또한, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2의 관계에 있기 때문에, 탄성파 공진자 S61의 필터 특성은, 탄성파 공진자 P31, P32의 필터 특성보다도 충분히 용이하게 할 수 있다.
본 변형예에서는, 모든 제1 탄성파 공진자인 탄성파 공진자 S61의 듀티가, 모든 제4 탄성파 공진자인 탄성파 공진자 P31, P32의 듀티보다도 크다. 따라서, 제1 실시 형태에 있어서의 제조 공정과 마찬가지로, 제1, 제2 대역 통과형 필터(63A, 63B)의 주파수 조정을 동시에 행할 수 있다. 따라서, 제1, 제2 대역 통과형 필터(63A, 63B)의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 어떤 특정한 국면에서는, 제1 탄성파 공진자의 듀티의 가중 평균값이 제4 탄성파 공진자의 듀티의 가중 평균값보다도 크면 된다. 이 경우에 있어서도, 제1, 제2 대역 통과형 필터(63A, 63B)의 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있다. 무엇보다, 탄성파 장치(61)와 같이, 모든 제1 탄성파 공진자의 듀티가, 모든 제4 탄성파 공진자의 듀티보다도 큰 것이 보다 바람직하다.
상기 탄성파 장치(61)의 제조 시에는, 상술한 탄성파 장치(1)의 제조 방법에 있어서의 제2 IDT 전극 형성 공정 이외의 공정은, 탄성파 장치(1)의 제조 방법과 마찬가지로 행할 수 있다. 보다 구체적으로는, 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 탄성파 공진자 S61의 제1 IDT 전극의 듀티보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 탄성파 공진자 P31, P32의 제2 IDT 전극을 형성하면 된다. 또한, 탄성파 장치가 본 발명에 있어서의 제1, 제4 탄성파 공진자를 각각 복수 갖는 경우에는, 제1 탄성파 공진자의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 제4 탄성파 공진자의 제2 IDT 전극을 형성하면 된다.
한편, 제3 대역 통과형 필터의 통과 대역이 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도 고역측에 위치하고, 제4 대역 통과형 필터의 통과 대역이 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도 고역측에 위치하는 경우의 바람직한 예를 나타낸다. 여기서, 상술한 바와 같이, 제1 탄성파 공진자는 제1 대역 통과형 필터의 직렬 트랩이며, 제2 탄성파 공진자는 제2 대역 통과형 필터의 직렬 트랩이다. 이 경우에는, 제1 대역 통과형 필터의 직렬 트랩인 제1 탄성파 공진자의 듀티의 가중 평균값이 제2 대역 통과형 필터의 직렬 트랩인 제2 탄성파 공진자의 듀티의 가중 평균값보다도 큰 것이 바람직하다. 모든 제1 탄성파 공진자의 듀티가 모든 제2 탄성파 공진자의 듀티보다도 큰 것이 보다 바람직하다.
상기 탄성파 장치의 제조 시에는, 상술한 탄성파 장치(1)의 제조 방법에 있어서의 제2 IDT 전극 형성 공정 이외의 공정은, 탄성파 장치(1)의 제조 방법과 마찬가지로 행할 수 있다. 보다 구체적으로는, 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 제1 탄성파 공진자의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 제2 탄성파 공진자의 제2 IDT 전극을 형성하면 된다.
제3 대역 통과형 필터의 통과 대역이 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도 저역측에 위치하고, 제4 대역 통과형 필터의 통과 대역이 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도 저역측에 위치하는 경우의 바람직한 예를 나타낸다. 여기서, 상술한 바와 같이, 제3 탄성파 공진자는 제1 대역 통과형 필터의 병렬 트랩이며, 제4 탄성파 공진자는 제2 대역 통과형 필터의 병렬 트랩이다. 이 경우에는, 제1 대역 통과형 필터의 병렬 트랩인 제3 탄성파 공진자의 듀티의 가중 평균값이 제2 대역 통과형 필터의 병렬 트랩인 제4 탄성파 공진자의 듀티의 가중 평균값보다도 큰 것이 바람직하다. 모든 제3 탄성파 공진자의 듀티가 모든 제4 탄성파 공진자의 듀티보다도 큰 것이 보다 바람직하다.
상기 탄성파 장치의 제조 시에는, 상술한 탄성파 장치(1)의 제조 방법에 있어서의 제2 IDT 전극 형성 공정 이외의 공정은, 탄성파 장치(1)의 제조 방법과 마찬가지로 행할 수 있다. 보다 구체적으로는, 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 제3 탄성파 공진자의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 제4 탄성파 공진자의 제2 IDT 전극을 형성하면 된다.
제3 대역 통과형 필터의 통과 대역이 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도 저역측에 위치하고, 제4 대역 통과형 필터의 통과 대역이 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도 고역측에 위치하는 경우의 바람직한 예를 나타낸다. 이 경우에는, 제1 대역 통과형 필터의 병렬 트랩인 제3 탄성파 공진자의 듀티의 가중 평균값이 제2 대역 통과형 필터의 직렬 트랩인 제2 탄성파 공진자의 듀티의 가중 평균값보다도 큰 것이 바람직하다. 모든 제3 탄성파 공진자의 듀티가 모든 제2 탄성파 공진자의 듀티보다도 큰 것이 보다 바람직하다.
상기 탄성파 장치의 제조 시에는, 상술한 탄성파 장치(1)의 제조 방법에 있어서의 제2 IDT 전극 형성 공정 이외의 공정은, 탄성파 장치(1)의 제조 방법과 마찬가지로 행할 수 있다. 보다 구체적으로는, 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 제3 탄성파 공진자의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 제2 탄성파 공진자의 제2 IDT 전극을 형성하면 된다.
제1, 제2 실시 형태 및 각 변형예에 있어서는, 제1, 제2 대역 통과형 필터가 수신 필터인 예를 나타내었다. 또한, 제1, 제2 대역 통과형 필터는, 송신 필터여도 된다. 또는, 제1, 제2 대역 통과형 필터 중 한쪽이 수신 필터이며, 다른 쪽이 송신 필터여도 된다. 본 발명의 탄성파 장치는, 제3, 제4 대역 통과형 필터를 갖지 않아도 된다. 이 경우에 있어서도, 예를 들어 실장 기판에 실장되고, 제3, 제4 대역 통과형 필터에 상당하는 소자에 접속되는 경우 등에 있어서, 본 발명을 적합하게 적용할 수 있다.
1: 탄성파 장치
3A 내지 3D: 제1 내지 제4 대역 통과형 필터
4: 안테나 단자
5, 6: 제1, 제2 단자
7: 압전 기판
8: 접지 단자
9A, 9B: 제1, 제2 IDT 전극
15A, 15B: 반사기
16A, 16B: 제1, 제2 유전체막
21: 탄성파 장치
23A 내지 23D: 제1 내지 제4 대역 통과형 필터
39B: 제2 IDT 전극
46B: 제2 유전체막
56A, 56B: 제1, 제2 유전체막
56Aa, 56Ba: 제1층
56Ab, 56Bb: 제2층
61: 탄성파 장치
63A, 63B: 제1, 제2 대역 통과형 필터
S1 내지 S3, S11 내지 S13, S21, S31, S32, S61, Sa, Sb, P11, P31, P32: 탄성파 공진자
D1, D2, D11, D21, D22, D31: 종결합 공진자형 탄성파 필터
L: 인덕터

Claims (20)

  1. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터
    를 구비하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극, 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며,
    상기 복수의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 복수의 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 큰, 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    모든 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 큰, 탄성파 장치.
  3. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터
    를 구비하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극, 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역 및 상기 제1 수신 대역 중 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 고역측에 위치하고 있으며,
    상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역 및 상기 제2 수신 대역 중 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 고역측에 위치하고 있으며,
    상기 제1 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제1 탄성파 공진자를 갖고,
    상기 제2 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제2 탄성파 공진자를 갖고,
    상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 큰, 탄성파 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    모든 상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 큰, 탄성파 장치.
  5. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터
    를 구비하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극, 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역 및 상기 제1 수신 대역 중 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 저역측에 위치하고 있으며,
    상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역 및 상기 제2 수신 대역 중 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 저역측에 위치하고 있으며,
    상기 제1 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암과 접지 전위의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제3 탄성파 공진자를 갖고,
    상기 제2 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암과 접지 전위와의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제4 탄성파 공진자를 갖고,
    상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 큰, 탄성파 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    모든 상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 큰, 탄성파 장치.
  7. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터
    를 구비하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역 및 상기 제1 수신 대역 중 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 고역측에 위치하고 있으며,
    상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역 및 상기 제2 수신 대역 중 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 저역측에 위치하고 있으며,
    상기 제1 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제1 탄성파 공진자를 갖고,
    상기 제2 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암과 접지 전위와의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제4 탄성파 공진자를 갖고,
    상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 큰, 탄성파 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    모든 상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 큰, 탄성파 장치.
  9. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제1 IDT 전극과, 상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제1 유전체막을 가지며, 또한 제1 송신 대역 및 제1 수신 대역을 포함하는 제1 통신 밴드 중, 상기 제1 송신 대역 또는 상기 제1 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제1 대역 통과형 필터와,
    상기 압전 기판 위에 마련된 복수의 제2 IDT 전극과, 상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록 상기 압전 기판 위에 마련된 제2 유전체막을 가지며, 또한 상기 제1 통신 밴드와는 상이한 제2 송신 대역 및 제2 수신 대역을 포함하는 제2 통신 밴드 중, 상기 제2 송신 대역 또는 상기 제2 수신 대역을 통과 대역으로 하는, 제2 대역 통과형 필터
    를 구비하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극 또는 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이, 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역의 상기 제1 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx1로 하고, 상기 제1 수신 대역의 상기 제1 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx1로 하고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f1로 하고, 상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역의 상기 제2 수신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Tx2로 하고, 상기 제2 수신 대역의 상기 제2 송신 대역에 가장 가까운 단부의 주파수를 Rx2로 하고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때, |Tx1-Rx1|/f1>|Tx2-Rx2|/f2이며,
    상기 제1 통신 밴드에 있어서, 상기 제1 송신 대역 및 상기 제1 수신 대역 중 상기 제1 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 저역측에 위치하고 있으며,
    상기 제2 통신 밴드에 있어서, 상기 제2 송신 대역 및 상기 제2 수신 대역 중 상기 제2 대역 통과형 필터의 통과 대역보다도, 다른 쪽의 통과 대역이 고역측에 위치하고 있으며,
    상기 제1 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암과 접지 전위와의 사이에 접속되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제3 탄성파 공진자를 갖고,
    상기 제2 대역 통과형 필터가, 입력단 및 출력단을 갖고, 상기 제2 대역 통과형 필터의 상기 입력단 및 상기 출력단을 접속하고 있는 직렬 암에 배치되어 있는 탄성파 공진자 중 적어도 하나인, 제2 탄성파 공진자를 갖고,
    상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값이, 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 큰, 탄성파 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    모든 상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티가, 모든 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극의 듀티보다도 큰, 탄성파 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1, 제2 대역 통과형 필터가 수신 필터인, 탄성파 장치.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1, 제2 대역 통과형 필터가 송신 필터인, 탄성파 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1, 제2 IDT 전극이 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지고, 상기 제1, 제2 유전체막이 동일한 막 두께이며, 또한 동일한 재료로 이루어지는, 탄성파 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1, 제2 IDT 전극 및 상기 제1, 제2 유전체막의 적어도 한쪽이 다층막 구조인, 탄성파 장치.
  15. 제1항 또는 제2항에 기재된 탄성파 장치의 제조 방법으로서,
    상기 압전 기판을 준비하는 공정과,
    상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제1 IDT 전극을 형성하는, 제1 IDT 전극 형성 공정과,
    상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하는, 제2 IDT 전극 형성 공정과,
    상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제1 유전체막을 적층하는, 제1 유전체막 형성 공정과,
    상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제2 유전체막을 적층하는, 제2 유전체막 형성 공정
    을 구비하고,
    상기 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 상기 복수의 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정, 또는 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정의 적어도 한쪽을, 동일한 재료를 사용하여 동시에 행하고,
    상기 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행하는 공정을 더 구비하는, 탄성파 장치의 제조 방법.
  16. 제3항 또는 제4항에 기재된 탄성파 장치의 제조 방법으로서,
    상기 압전 기판을 준비하는 공정과,
    상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제1 IDT 전극을 형성하는, 제1 IDT 전극 형성 공정과,
    상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하는, 제2 IDT 전극 형성 공정과,
    상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제1 유전체막을 적층하는, 제1 유전체막 형성 공정과,
    상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제2 유전체막을 적층하는, 제2 유전체막 형성 공정
    을 구비하고,
    상기 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 상기 제2 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극을 형성하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정 또는 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정의 적어도 한쪽을, 동일한 재료를 사용하여 동시에 행하고,
    상기 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행하는 공정을 더 구비하는, 탄성파 장치의 제조 방법.
  17. 제5항 또는 제6항에 기재된 탄성파 장치의 제조 방법으로서,
    상기 압전 기판을 준비하는 공정과,
    상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제1 IDT 전극을 형성하는, 제1 IDT 전극 형성 공정과,
    상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하는, 제2 IDT 전극 형성 공정과,
    상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제1 유전체막을 적층하는, 제1 유전체막 형성 공정과,
    상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제2 유전체막을 적층하는, 제2 유전체막 형성 공정
    을 구비하고,
    상기 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 상기 제3 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극을 형성하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정 또는 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정의 적어도 한쪽을, 동일한 재료를 사용하여 동시에 행하고,
    상기 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행하는 공정을 더 구비하는, 탄성파 장치의 제조 방법.
  18. 제7항 또는 제8항에 기재된 탄성파 장치의 제조 방법으로서,
    상기 압전 기판을 준비하는 공정과,
    상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제1 IDT 전극을 형성하는, 제1 IDT 전극 형성 공정과,
    상기 압전 기판 위에 상기 복수의 제2 IDT 전극을 형성하는, 제2 IDT 전극 형성 공정과,
    상기 복수의 제1 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제1 유전체막을 적층하는, 제1 유전체막 형성 공정과,
    상기 복수의 제2 IDT 전극을 덮도록, 상기 압전 기판 위에 상기 제2 유전체막을 적층하는, 제2 유전체막 형성 공정
    을 구비하고,
    상기 제2 IDT 전극 형성 공정에 있어서, 상기 제1 탄성파 공진자가 갖는 상기 제1 IDT 전극의 듀티의 가중 평균값보다도 듀티의 가중 평균값이 작은, 상기 제4 탄성파 공진자가 갖는 상기 제2 IDT 전극을 형성하고,
    상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정, 또는 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정의 적어도 한쪽을, 동일한 재료를 사용하여 동시에 행하고,
    상기 제1, 제2 대역 통과형 필터의 주파수 조정을 동시에 행하는 공정을 더 구비하는, 탄성파 장치의 제조 방법.
  19. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 IDT 전극 형성 공정 및 상기 제2 IDT 전극 형성 공정을 동시에 행하고, 또한 상기 제1 유전체막 형성 공정 및 상기 제2 유전체막 형성 공정을 동시에 행하는, 탄성파 장치의 제조 방법.
  20. 제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1, 제2 IDT 전극 형성 공정 및 상기 제1, 제2 유전체막 형성 공정 중 동시에 행하는 공정을, 퇴적법에 의해 행하는, 탄성파 장치의 제조 방법.
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