JP6747604B2 - 弾性波装置 - Google Patents

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本発明は、一般に弾性波装置に関し、より詳細には、圧電体層を備える弾性波装置に関する。
従来、弾性波装置として、板波を用いた弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載された弾性波装置は、支持基板と、音響反射層（音響インピーダンス層）と、圧電体層と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、を備えている。
特許文献１に記載された弾性波装置の音響反射層は、低音響インピーダンス層と、低音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、を有している。
特許文献１には、音響反射層において弾性波を効率的に反射させるには、高音響インピーダンス層の音響インピーダンスと、低音響インピーダンス層の音響インピーダンスとの比である音響インピーダンス比が大きいほうが望ましい旨が記載されている。また、特許文献１には、音響インピーダンス比が最大となる材料の組み合わせとして、Ｗ（タングステン）とＳｉＯ2（酸化ケイ素）との組み合わせが開示されている。
国際公開第２０１２／０８６４４１号
ＩＤＴ電極を備える弾性波装置の分野においては、良好な周波数特性を維持しつつ耐電力性をより高めることが望まれている。
本発明の目的は、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能な弾性波装置を提供することにある。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、基板と、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、圧電体層と、第１ＩＤＴ電極と、第２ＩＤＴ電極と、を備える。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層は、前記基板上に形成されている。前記圧電体層は、前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成されている。前記第１ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成され、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、前記第１音響インピーダンス層と一部重複する。前記第２ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成され、前記厚さ方向からの平面視において、前記第２音響インピーダンス層と一部重複する。前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極は、互いに共有している共通バスバーにより互いに直列接続されている。前記第１ＩＤＴ電極は、対向し合う第１バスバー及び前記共通バスバーと、前記第１バスバーに接続され前記共通バスバーに向かって延びている複数の電極指と、前記共通バスバーに接続され前記第１バスバーに向かって延びている複数の電極指と、を含む。前記第２ＩＤＴ電極は、対向し合う前記共通バスバー及び第２バスバーと、前記共通バスバーに接続され前記第２バスバーに向かって延びている複数の電極指と、前記第２バスバーに接続され前記共通バスバーに向かって延びている複数の電極指と、を含む。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層と、前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層と、を有する。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々について、前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層及び前記少なくとも１つの低音響インピーダンス層の少なくとも１つが導電層である。前記第１音響インピーダンス層における前記導電層の少なくとも一部と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層の少なくとも一部とが、前記厚さ方向からの平面視において前記共通バスバーと重複していない。前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とが電気的に絶縁されている。
本発明の一態様に係る弾性波装置では、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。
図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、同上の弾性波装置に関し、図１のＡ−Ａ線断面図である。 図３は、比較例１に係る弾性波装置の平面図である。 図４は、同上の弾性波装置に関し、図３のＡ−Ａ線断面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置及び比較例１に係る弾性波装置それぞれのインピーダンスの周波数特性図である。 図６は、本発明の一実施形態の変形例１に係る弾性波装置の平面図である。 図７は、同上の弾性波装置の等価回路図である。 図８は、本発明の一実施形態の変形例２に係る弾性波装置の平面図である。 図９は、同上の弾性波装置に関し、図８のＡ−Ａ線断面図である。 図１０は、比較例２に係る弾性波装置の平面図である。 図１１は、同上の弾性波装置に関し、図１０のＡ−Ａ線断面図である。 図１２は、本発明の一実施形態の変形例２に係る弾性波装置及び比較例２に係る弾性波装置それぞれのインピーダンスの周波数特性図である。 図１３は、本発明の一実施形態の変形例３に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１４は、本発明の一実施形態の変形例４に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１５は、本発明の一実施形態の変形例５に係る弾性波装置の断面図である。 図１６は、本発明の一実施形態の変形例６に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１７は、本発明の一実施形態の変形例７に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１８は、本発明の一実施形態の変形例８に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図１９は、本発明の一実施形態の変形例９に係る弾性波装置の一部切り欠いた平面図である。 図２０は、本発明の一実施形態の変形例１０に係る弾性波装置の断面図である。 図２１は、本発明の一実施形態の変形例１１に係る弾性波装置の一部切り欠いた断面図である。
以下、実施形態に係る弾性波装置について、図面を参照して説明する。
以下の実施形態等において参照する図１〜４、６〜１１、１３〜２１は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（実施形態）
（１）弾性波装置の全体構成
以下、実施形態に係る弾性波装置１について、図面を参照して説明する。
実施形態に係る弾性波装置１は、板波を利用する弾性波装置である。弾性波装置１は、図１及び２に示すように、基板２と、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂと、圧電体層５と、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂと、を備える。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２上に形成されている。圧電体層５は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂ上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、圧電体層５上に形成されている。つまり、弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとを含む機能電極６が、圧電体層５上に形成されている。
第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、互いに共有している共通バスバー７０により互いに直列接続されている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１（以下、第１方向Ｄ１ともいう）に直交する第２方向Ｄ２において並んでいる。以下、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する方向を第３方向Ｄ３という。第３方向Ｄ３は、弾性波（本実施形態では、板波）の伝搬方向に沿った方向である。
また、弾性波装置１は、第３方向Ｄ３において第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂそれぞれの一方側に１つずつ配置されている２つの反射器９と、他方側に１つずつ配置されている２つの反射器１０と、を更に備える。図１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、断面を表すものではなく、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０と、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂとの関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
（２．１）基板
基板２は、図２に示すように、第１音響インピーダンス層４Ａ、第２音響インピーダンス層４Ｂ、圧電体層５、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂを含む積層体を支持している。以下では、積層体のうち、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂを含み、基板２と圧電体層５との間に介在する層を、中間層３と称する。基板２は、その厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある第１主面２１及び第２主面２２を有する。第１主面２１及び第２主面２２は、互いに背向する。基板２の平面視形状（基板２を厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。基板２は、例えばシリコン基板である。基板２の厚さは、１０λ（λ：電極指ピッチである２×Ｔ１により定まる弾性波の波長）μｍ以上１８０μｍ以下が好適である。例えば２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ、１００μｍ、１１０μｍ、１２０μｍ、１３０μｍ、１４０μｍ、１５０μｍ、１６０μｍ、１７０μｍ、１８０μｍ等の任意の厚みとしてもよい。また、シリコン基板の圧電体層５側の面に凹凸が形成されていてもよい。これにより、弾性波装置１では、不要波が散乱し不要波を小さくすることができる。凹凸の高低差は１／４λ以下が好ましい。凹凸の輪郭形状は三角形、円弧、矩形などから適宜選択される。シリコン基板の抵抗率は例えば１００Ωｃｍ以上であり、１０００Ωｃｍ以上であるのが好ましく、４０００Ωｃｍ以上であるのが更に好ましい。シリコン基板の圧電体層５側の面方位は、例えば（１００）面、（１１１）面、（１１０）面、（５５１）面を使うことができる。ここにおいて、弾性波の伝搬方位は、シリコン基板の面方位に制約されずに設定することができる。
（２．２）第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層
第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、図２に示すように、基板２の第１主面２１上に形成されている。第１音響インピーダンス層４Ａは、基板２の厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａに対向する。第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１において第２ＩＤＴ電極７Ｂに対向する。第１音響インピーダンス層４Ａは、第１ＩＤＴ電極７Ａで励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。第２音響インピーダンス層４Ｂは、第２ＩＤＴ電極７Ｂで励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。また、弾性波装置１は、基板２上で第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとの間に介在している絶縁層３０を更に備える。絶縁層３０は、基板２上に形成されている。絶縁層３０は、上述の積層体に含まれている。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、複数（３つ）の低音響インピーダンス層４２と複数（２つ）の高音響インピーダンス層４１とが厚さ方向Ｄ１において一層ごとに交互に並んだ積層構造を有する。低音響インピーダンス層４２の音響インピーダンスは、高音響インピーダンス層４１の音響インピーダンスよりも低い。
第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２と圧電体層５との間に介在している。以下では、説明の便宜上、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々において、２つの高音響インピーダンス層４１を、基板２の第１主面２１に近い順に、高音響インピーダンス層４１１、高音響インピーダンス層４１２と称することもある。また、３つの低音響インピーダンス層４２を、基板２の第１主面２１に近い順に、低音響インピーダンス層４２０、低音響インピーダンス層４２１、低音響インピーダンス層４２２と称することもある。
第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々では、基板２側から、低音響インピーダンス層４２０、高音響インピーダンス層４１１、低音響インピーダンス層４２１、高音響インピーダンス層４１２及び低音響インピーダンス層４２２が、この順に並んでいる。したがって、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、低音響インピーダンス層４２２と高音響インピーダンス層４１２との界面、低音響インピーダンス層４２１と高音響インピーダンス層４１１との界面、高音響インピーダンス層４１１と低音響インピーダンス層４２０との界面のそれぞれにおいて、圧電体層５からの弾性波（板波）を反射することが可能である。本実施形態では、絶縁層３０は、基板２と圧電体層５との間に介在する中間層３において第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂ以外の領域（第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとを除いた領域）である。絶縁層３０は、低音響インピーダンス層４２と同じ材料により形成されている。絶縁層３０は、電気絶縁性を有する。
第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々において、複数の高音響インピーダンス層４１の材料は、例えば、Ｐｔ（白金）である。複数の低音響インピーダンス層４２の材料は、例えば、ＳｉＯ2（酸化ケイ素）である。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、複数の高音響インピーダンス層４１の各々がＰｔにより形成されているので、２層の導電層を含んでいる。
低音響インピーダンス層４２は単一の層ではなく、相対的に音響インピーダンスが低い材料からなる複数の層を有する積層構造であってもよい。また、複数の層の間にチタン又はニッケル等からなる金属層を有する積層構造であってもよい。中間層３、複数の層を有する低音響インピーダンス層４２における金属層、低音響インピーダンス層４２それぞれの圧電体層５側の面及び基板２側の面の表面粗さ（例えば、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１、ＩＳＯ ４２８７−１９９７等で規定されている算術平均粗さＲａ）は小さいほど好ましく、具体的には１００ｎｍ以下であり、例えば、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、１ｎｍ等から適宜選択される。
同様に高音響インピーダンス層４１は単一の層ではなく、相対的に音響インピーダンスが高い材料からなる複数の層を有する積層構造であってもよい。また、複数の層の間にチタン又はニッケル等からなる金属層を有する積層構造であってもよい。複数の層を有する高音響インピーダンス層４１における金属層、高音響インピーダンス層４１の圧電体層５側の面及び基板２側の面の表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）は小さいほど好ましく、具体的には１００ｎｍ以下であり、例えば、９０ｎｍ、８０ｎｍ、７０ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ、１ｎｍ等から適宜選択される。
（２．３）圧電体層
圧電体層５は、例えば、ＬｉＮｂＯ3圧電単結晶からなる。
圧電体層５の厚さは、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの電極指ピッチ（２×Ｔ１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、１λ以下である。これにより、弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂそれぞれによって板波が励振され、板波が伝搬する。電極指ピッチ（２×Ｔ１）については、後述の「（２．４）第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極及び反射器」の欄で説明する。本実施形態の弾性波装置１では、例えば、弾性波の波長が１．７μｍであり、圧電体層５の厚さが３４０ｎｍである。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは圧電体層５の分極軸方向におけるプラス面、マイナス面のどちらに形成されていてもよい。言い換えれば、圧電体層５における第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂ側の主面は、圧電体層５の分極軸方向におけるプラス面でもよいし、マイナス面でもよい。分極軸方向におけるプラス面とは、圧電体層５中の分極成分のプラス側が向いている方向に有る面をいう。分極軸方向におけるマイナス面とは、圧電体層５中の分極成分のマイナス側が向いている方向に有る面をいう。
（２．４）第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極及び反射器
第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０は、圧電体層５上に形成されている。より詳細には、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０は、圧電体層５の中間層３側とは反対の主面上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０は、導電性を有する。第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０の材料は、例えば、Ａｌである。第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、各反射器９及び各反射器１０の厚さは、例えば、８５ｎｍである。
第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、互いに共有している共通バスバー７０により互いに直列接続されている。したがって、機能電極６は、互いに直列接続された第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂを含んでいる。第１ＩＤＴ電極７Ａは、対向し合う第１バスバー７１及び共通バスバー７０と、第１バスバー７１に接続された複数の電極指８１と、共通バスバー７０に接続された複数の電極指８２と、を含む。第２ＩＤＴ電極７Ｂは、対向し合う共通バスバー７０及び第２バスバー７２と、共通バスバー７０に接続された複数の電極指８１と、第２バスバー７２に接続された複数の電極指８２と、を含む。
第１バスバー７１、共通バスバー７０及び第２バスバー７２は、第３方向Ｄ３を長手方向とする長尺状である。
第１ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１と共通バスバー７０とは第２方向Ｄ２において対向し合っている。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８１は、第１バスバー７１に接続され共通バスバー７０に向かって延びている。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８１は、第１バスバー７１から第２方向Ｄ２に沿って延びている。複数の電極指８１の先端と共通バスバー７０とは離れている。複数の電極指８１は、第３方向Ｄ３の幅が同じである。また、複数の電極指８１は、第２方向Ｄ２の長さが同じである。
第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８２は、共通バスバー７０に接続され第１バスバー７１に向かって延びている。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８２は、共通バスバー７０から第２方向Ｄ２に沿って延びている。複数の電極指８２のそれぞれの先端は、第１バスバー７１とは離れている。複数の電極指８２は、第３方向Ｄ３の幅が同じである。また、複数の電極指８２は、第２方向Ｄ２の長さが同じである。複数の電極指８２の幅及び長さは、複数の電極指８１の幅及び長さそれぞれと同じである。
第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、共通バスバー７０と第２バスバー７２とは第２方向Ｄ２において対向し合っている。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８１は、共通バスバー７０に接続され第２バスバー７２に向かって延びている。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８１は、共通バスバー７０から第２方向Ｄ２に沿って延びている。複数の電極指８１の先端と第２バスバー７２とは離れている。複数の電極指８１は、第３方向Ｄ３の幅が同じである。また、複数の電極指８１は、第２方向Ｄ２の長さが同じである。
第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８２は、第２バスバー７２に接続され共通バスバー７０に向かって延びている。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８２は、第２バスバー７２から第２方向Ｄ２に沿って延びている。複数の電極指８２のそれぞれの先端は、共通バスバー７０とは離れている。複数の電極指８２は、第３方向Ｄ３の幅が同じである。また、複数の電極指８２は、第２方向Ｄ２の長さが同じである。複数の電極指８２の幅及び長さは、複数の電極指８１の幅及び長さそれぞれと同じである。
第１ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の電極指８１と複数の電極指８２とが、第１バスバー７１と共通バスバー７０との対向方向（第２方向Ｄ２）に直交する方向（第３方向Ｄ３）において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、複数の電極指８１と複数の電極指８２とが、共通バスバー７０と第２バスバー７２との対向方向（第２方向Ｄ２）に直交する方向（第３方向Ｄ３）において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々では、第３方向Ｄ３において隣り合う電極指８１と電極指８２とは離れている。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々の電極指ピッチ（２×Ｔ１）は、図１に示すように、第３方向Ｄ３において隣り合う電極指８１と電極指８２との互いに対応する辺（図１では電極指８１及び電極指８２それぞれにおいて中心線に平行な左側の辺）間の距離Ｔ１の２倍の値である。電極指幅Ｔ２（図１参照）を距離Ｔ１で除した値（デューティ比）は、０．５である。電極指幅Ｔ２は、電極指８１及び電極指８２の幅である。
第１ＩＤＴ電極７Ａの電極指ピッチ（２×Ｔ１）と第２ＩＤＴ電極７Ｂの電極指ピッチ（２×Ｔ１）とは、同じ値である。
機能電極６では、図１に示すように、第１ＩＤＴ電極７Ａの複数の電極指８１と第２ＩＤＴ電極７Ｂの複数の電極指８２とが、共通バスバー７０を対称軸として、線対称となるように配置されている。また、機能電極６では、第１ＩＤＴ電極７Ａの複数の電極指８２と第２ＩＤＴ電極７Ｂの複数の電極指８１とが、共通バスバー７０を対称軸として、線対称となるように配置されている。つまり、弾性波装置１における機能電極６は、共通バスバー７０の第３方向Ｄ３に沿った中心線を対称軸として線対称である。
第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの各々は、図１に一点鎖線で示す規定領域１１において、弾性波（板波）を励振する。規定領域１１は、複数の電極指８１と複数の電極指８２とが第３方向Ｄ３において重なる領域である。規定領域１１は、第３方向Ｄ３の両側にある電極指８１及び電極指８２それぞれにおいて互いに反対側に位置する辺と、複数の電極指８１の先端の包絡線と、複数の電極指８２の先端の包絡線と、で囲まれた領域である。
各反射器９及び各反射器１０は、グレーティング反射器である。２つの反射器９のうち１つの反射器９は、第３方向Ｄ３において第１ＩＤＴ電極７Ａの一方側（図１では、左側）に配置されている。２つの反射器１０のうち１つの反射器１０は、第３方向Ｄ３において第１ＩＤＴ電極７Ａの他方側（図１では、右側）に配置されている。ここにおいて、第１ＩＤＴ電極７Ａに対応する反射器９及び反射器１０は、第１ＩＤＴ電極７Ａで励振されて伝搬された弾性波を反射する。２つの反射器９のうち残りの１つの反射器９は、第３方向Ｄ３において第２ＩＤＴ電極７Ｂの一方側（図１では、左側）に配置されている。２つの反射器１０のうち残りの１つの反射器１０は、第３方向Ｄ３において第２ＩＤＴ電極７Ｂの他方側（図１では、右側）に配置されている。ここにおいて第２ＩＤＴ電極７Ｂに対応する反射器９及び反射器１０は、第２ＩＤＴ電極７Ｂで励振されて伝搬された弾性波を反射する。
（２．５）第１ＩＤＴ電極、第２ＩＤＴ電極、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層のレイアウト
実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極７Ａが第１音響インピーダンス層４Ａと一部重複し、第２ＩＤＴ電極７Ｂが第２音響インピーダンス層４Ｂと一部重複する。
弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）の少なくとも一部（本実施形態では、全部）が、厚さ方向Ｄ１からの平面視において共通バスバー７０と重複していない。また、弾性波装置１では、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）の少なくとも一部（本実施形態では、全部）が、厚さ方向Ｄ１からの平面視において共通バスバー７０と重複していない。弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層とが電気的に絶縁されている。弾性波装置１では、絶縁層３０の一部が第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層との間に介在している。
実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、図１に示すように、第１音響インピーダンス層４Ａにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）とが共通バスバー７０の幅方向（第２方向Ｄ２）で離れている。ここで、実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層４Ａにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）が、第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１と共通バスバー７０との間に位置し、共通バスバー７０から離れている。また、実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）が、第２ＩＤＴ電極７Ｂの共通バスバー７０と第２バスバー７２との間に位置し、共通バスバー７０から離れている。
要するに、実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層４Ａにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）及び第２音響インピーダンス層４Ｂにおける高音響インピーダンス層４１（導電層）が、共通バスバー７０と重なっていない。
また、弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａの規定領域１１の全域が、当該第１ＩＤＴ電極７Ａに重なる導電層に重なっている。また、弾性波装置１では、第２ＩＤＴ電極７Ｂの規定領域１１の全域が、当該第２ＩＤＴ電極７Ｂに重なる導電層に重なっている。弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極７Ａと第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層との重なる領域の面積と、第２ＩＤＴ電極７Ｂと第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層との重なる領域の面積と、が同じである。
（２．６）弾性波装置のインピーダンス
弾性波装置１の周波数特性の一例として、弾性波装置１のインピーダンスの周波数特性について説明する。弾性波装置１のインピーダンスは、第１ＩＤＴ電極７Ａと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａとを含む第１共振子のインピーダンスと、第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第２音響インピーダンス層４Ｂとを含む第２共振子のインピーダンスと、の合成インピーダンスとなる。
弾性波装置１は、１つのＩＤＴ電極と圧電体層と１つの音響インピーダンス層とを含む共振子を備えた参考例の弾性波装置のインピーダンスと上記の合成インピーダンスとが同じとなるように、第１共振子及び第２共振子のインピーダンスを決めてある。したがって、弾性波装置１の第１共振子及び第２共振子は、参考例の弾性波装置の共振子を２つの共振子に分割した分割共振子（直列分割共振子）ともいえる。弾性波装置１では、第１共振子の面積と第２共振子の面積との合計面積を参考例の弾性波装置の共振子の面積よりも大きくしてある。弾性波装置１では、互いに異なる電位を有する電極指８１と電極指８２との対数が、参考例の弾性波装置のＩＤＴ電極における電極指（電極指８１に相当）と電極指（電極指８２に相当）との対数よりも多くなっている。
実施形態に係る弾性波装置１の周波数特性について説明する前に、比較例１に係る弾性波装置１００について、図３及び４に基づいて説明する。
比較例１に係る弾性波装置１００は、実施形態に係る弾性波装置１とは中間層３における音響インピーダンス層４のパターンが相違する。比較例１に係る弾性波装置１００に関し、実施形態に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
比較例１に係る弾性波装置１００では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、図３に示すように、１つの音響インピーダンス層４が、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂに重なり、かつ、共通バスバー７０にも重なる大きさに形成されている。
図５では、実施形態に係る弾性波装置１のインピーダンスの周波数特性を実線Ｃ１で示し、比較例１に係る弾性波装置１００のインピーダンスの周波数特性を破線Ｃ２で示してある。図５に示したインピーダンスの周波数特性は、実測結果である。図５の横軸は、周波数、縦軸は実施形態に係る弾性波装置１及び比較例１に係る弾性波装置１００のインピーダンスをＺとし、インピーダンスの大きさを｜Ｚ｜としたときの２０log｜Ｚ｜である。
図５から分かるように、比較例１に係る弾性波装置１００のインピーダンスの周波数特性では共振周波数付近でリップルが発生しているのに対し、実施形態に係る弾性波装置１では、共振周波数付近でのリップルの発生が抑制されている。したがって、実施形態に係る弾性波装置１は、比較例１に係る弾性波装置１００と比べて周波数特性が向上している。
また、実施形態に係る弾性波装置１では、例えば、ラダー型フィルタに適用した場合に、比較例１に係る弾性波装置１００をラダー型フィルタに適用する場合と比べて、通過帯域幅の減少を抑制することが可能となる。
（３）効果
実施形態に係る弾性波装置１は、基板２と、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂと、圧電体層５と、第１ＩＤＴ電極７Ａと、第２ＩＤＴ電極７Ｂと、を備える。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂは、基板２上に形成されている。圧電体層５は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂ上に形成されている。第１ＩＤＴ電極７Ａは、圧電体層５上に形成され、圧電体層５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層４Ａと一部重複する。第２ＩＤＴ電極７Ｂは、圧電体層５上に形成され、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層４Ｂと一部重複する。第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂは、互いに共有している共通バスバー７０により互いに直列接続されている。第１ＩＤＴ電極７Ａは、対向し合う第１バスバー７１及び共通バスバー７０と、第１バスバー７１に接続され共通バスバー７０に向かって延びている複数の電極指８１と、共通バスバー７０に接続され第１バスバー７１に向かって延びている複数の電極指８２と、を含む。第２ＩＤＴ電極７Ｂは、対向し合う共通バスバー７０及び第２バスバー７２と、共通バスバー７０に接続され第２バスバー７２に向かって延びている複数の電極指８１と、第２バスバー７２に接続され共通バスバー７０に向かって延びている複数の電極指８２と、を含む。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、高音響インピーダンス層４１と、高音響インピーダンス層４１よりも音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層４２と、を有する。第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々について、高音響インピーダンス層４１が導電層である。第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）の少なくとも一部と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）の少なくとも一部とが、厚さ方向Ｄ１からの平面視において共通バスバー７０と重複していない。第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）とが電気的に絶縁されている。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。実施形態に係る弾性波装置１は、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂを有し、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂが、互いに共有している共通バスバー７０により互いに直列接続されているので、特許文献１に記載された弾性波装置のように１つのＩＤＴ電極しか備えていない構成と比べて、耐電力性をより高めることが可能となる。ここにおいて、「共通バスバー７０」は、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとに共通の構成要素であり、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとを別の配線を介して接続することなく第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとを一体に形成する導電バーである。これにより、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとは、共通バスバー７０により、電気的に直列接続されている。また、実施形態に係る弾性波装置１では、比較例１のように厚さ方向Ｄ１から見た平面視において共通バスバー７０の全域に重なる音響インピーダンス層４を備えた弾性波装置１００と比べて、周波数特性を向上させることが可能となる。
ところで、１つの基板上に複数の共振子が存在する構成（共通バスバーを有さず、基板上に導電層を含む音響インピーダンス層が形成され、音響インピーダンス層上に圧電体層が形成され、圧電体層上に複数のＩＤＴ電極が互いに離れて形成されている構成）と比べて、比較例１のように共通バスバー７０と導電層とが重なる構成では、共通バスバー７０と音響インピーダンス層の導電層との間に寄生容量が発生する。このような寄生容量が発生すると、第１共振子及び第２共振子それぞれの両端間が寄生容量を介して容量結合してしまい、帯域幅が狭くなってしまう。これに対して、実施形態に係る弾性波装置１では、帯域幅が狭くなるのを抑制することができる。
また、実施形態に係る弾性波装置１は、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々における複数の高音響インピーダンス層４１が、少なくとも１層の導電層（高音響インピーダンス層４１）を含んでいる。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、低音響インピーダンス層４２の材料として導電性を有する材料を採用する必要がないので、高音響インピーダンス層４１の音響インピーダンスと、低音響インピーダンス層４２の音響インピーダンスとの比である音響インピーダンス比を、より大きくすることが可能となる。
また、実施形態に係る弾性波装置１は、第１ＩＤＴ電極７Ａと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａとを含んで第１共振子が構成されている。第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第２音響インピーダンス層４Ｂとを含んで第２共振子が構成されている。第１共振子及び第２共振子は、第１共振子のインピーダンスと第２共振子のインピーダンスとの合成インピーダンスが、１つのＩＤＴ電極と圧電体層と１つの音響インピーダンス層とを含む規定の共振子のインピーダンスと同じとなるように規定の共振子を２つの共振子に分割した分割共振子である。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、第１共振子と第２共振子とを含む領域の面積が規定の共振子の面積よりも大きくなるので、放熱性が高くなり、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性を高めることが可能となる。
また、実施形態に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１と共通バスバー７０との間に位置している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２ＩＤＴ電極７Ｂの共通バスバー７０と第２バスバー７２との間に位置している。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、周波数特性の低下を、より抑制することが可能となる。
また、実施形態に係る弾性波装置１では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極７Ａと第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）との重なる領域の面積（第１面積）と、第２ＩＤＴ電極７Ｂと第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）との重なる領域の面積（第２面積）と、が同じである。ここにおいて、「同じ」とは、厳密に同じである場合のみに限定されず、略同じ（例えば、第１面積に対する第２面積の割合が１００％±１０％）でもよい。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａと第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層との間に発生する寄生容量と、第２ＩＤＴ電極７Ｂと第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層との間に発生する寄生容量と、の差を低減できる。よって、実施形態に係る弾性波装置１では、インピーダンスの周波数特性においてリップルが発生するのを、より抑制することが可能となる。また、実施形態に係る弾性波装置１では、耐電力性をより高めることができる。
また、実施形態に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの電極指ピッチ（２×Ｔ１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、圧電体層５の厚さが、１λ以下である。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、板波を励振することができる。
また、実施形態に係る弾性波装置１では、弾性波が板波である。これにより、実施形態に係る弾性波装置１では、板波を利用する弾性波装置として使用することが可能となる。
上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
（４）変形例
（４．１）変形例１
実施形態の変形例１に係る弾性波装置１ｂは、図６及び７に示すように、圧電体層５上に複数（５つ）の機能電極６を備えている点で、実施形態に係る弾性波装置１と相違する。変形例１に係る弾性波装置１ｂに関し、実施形態に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例１に係る弾性波装置１ｂは、ラダー型フィルタである。変形例１に係る弾性波装置１ｂは、入力端子１５と、出力端子１６と、入力端子１５と出力端子１６とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕回路１２と、第１経路上のノードとグラウンド（グラウンド端子１７、１８）とを結ぶ第２経路上に設けられた複数（２つ）の並列腕回路１３、１４と、を備える。直列腕回路１２は、複数（３つ）の直列腕共振子Ｓ１を有する。複数の並列腕回路１３、１４の各々は、並列腕共振子Ｐ１を有する。グラウンド端子１７、１８は、１つのグラウンドとして共通化されていてもよい。
変形例１に係る弾性波装置１ｂでは、複数の直列腕共振子Ｓ１及び複数の並列腕共振子Ｐ１の各々が、図１及び２を参照して実施形態で説明した第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとを含む共振子で構成されている。これにより、変形例１に係る弾性波装置１ｂでは、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。
変形例１に係る弾性波装置１ｂでは、複数の直列腕共振子Ｓ１のうち少なくとも１つの直列腕共振子Ｓ１が、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとを含む共振子であれば、実施形態と同様の効果が得られる。また、変形例１に係る弾性波装置１ｂでは、２つの並列腕回路１３、１４を備えているが、並列腕回路の数は、２つに限らず、例えば、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
（４．２）変形例２
実施形態の変形例２に係る弾性波装置１ｃは、図８及び９に示すように、２つの第１ＩＤＴ電極７Ａを備え、２つの第１ＩＤＴ電極７Ａの間に第２ＩＤＴ電極７Ｂが位置している点で、実施形態に係る弾性波装置１と相違する。変形例２に係る弾性波装置１ｃに関し、実施形態に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例２に係る弾性波装置１ｃでは、２つの第１ＩＤＴ電極７Ａ及び１つの第２ＩＤＴ電極７Ｂのうち基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において隣り合う第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂとが、互いに共有している共通バスバー７０により互いに電気的に接続されている。したがって、変形例２に係る弾性波装置１ｃは、２つの共通バスバー７０を含んでいる。
変形例２に係る弾性波装置１ｃでは、図８の上の第１ＩＤＴ電極７Ａと真ん中の第２ＩＤＴ電極７Ｂとで１つの共通バスバー７０を含んでいる。また、図８の真ん中の第２ＩＤＴ電極７Ｂと下の第１ＩＤＴ電極７Ａとで１つの共通バスバー７０を含んでいる。
変形例２に係る弾性波装置１ｃの周波数特性について説明する前に、比較例２に係る弾性波装置１００ｃについて、図１０及び１１に基づいて説明する。
比較例２に係る弾性波装置１００ｃは、変形例２に係る弾性波装置１ｃとは中間層３における音響インピーダンス層４のパターンが相違する。比較例２に係る弾性波装置１００ｃに関し、変形例２に係る弾性波装置１ｃと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
比較例２に係る弾性波装置１００では、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、図１０に示すように、１つの音響インピーダンス層４が、２つの第１ＩＤＴ電極７Ａと１つの第２ＩＤＴ電極７Ｂとに重なり、かつ、２つの共通バスバー７０にも重なる大きさに形成されている。
図１２では、変形例２に係る弾性波装置１ｃのインピーダンスの周波数特性を実線Ｅ１で示し、比較例２に係る弾性波装置１００ｃのインピーダンスの周波数特性を破線Ｅ２で示してある。図１２に示したインピーダンスの周波数特性は、実測結果である。図１２の横軸は、周波数、縦軸は変形例２に係る弾性波装置１ｃ及び比較例２に係る弾性波装置１００ｃのインピーダンスをＺとし、インピーダンスの大きさを｜Ｚ｜としたときの２０log｜Ｚ｜である。
図１２から分かるように、比較例２に係る弾性波装置１００ｃのインピーダンスの周波数特性では共振周波数付近でリップルが発生しているのに対し、変形例２に係る弾性波装置１ｃでは、共振周波数付近でのリップルの発生が抑制されている。したがって、変形例２に係る弾性波装置１ｃは、比較例２に係る弾性波装置１００ｃと比べて周波数特性が向上している。
（４．３）その他の変形例
基板２の厚さ方向Ｄ１から見た基板２の平面視形状は、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。また、基板２の材料は、Ｓｉ（シリコン）に限らず、例えば、ＬｉＮｂＯ3（リチウムニオベイト）、ＬｉＴａＯ3（リチウムタンタレート）、水晶、ガラス等であってもよい。
第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとの各々における高音響インピーダンス層４１及び低音響インピーダンス層４２それぞれの数は、２つ及び３つに限らず、２つ以上及び３つ以上であってもよい。また、高音響インピーダンス層４１の数と低音響インピーダンス層４２の数とは異なる場合に限らず、同じであってもよいし低音響インピーダンス層４２の数が高音響インピーダンス層４１の数よりも１つ少なくてもよい。
また、複数の高音響インピーダンス層４１の材料は、Ｐｔ（白金）に限らず、例えば、Ｗ（タングステン）等でもよい。
また、複数の高音響インピーダンス層４１は、互いに同じ材料である場合に限らず、例えば、互いに異なる材料であってもよい。また、複数の低音響インピーダンス層４２は、互いに同じ材料である場合に限らず、例えば、互いに異なる材料であってもよい。
圧電体層５の材料は、ＬｉＮｂＯ3に限らず、例えば、ＬｉＴａＯ3等でもよい。
機能電極６、各反射器９及び各反射器１０の材料は、Ａｌ（アルミニウム）に限らず、Ａｌ合金でもよい。また、機能電極６、各反射器９及び各反射器１０の材料は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等であってもよい。また、機能電極６、各反射器９及び各反射器１０は、単層構造に限らず、多層構造であってもよい。
弾性波装置１、１ｂ及び１ｃでは、各反射器９及び各反射器１０は必須の構成要素ではない。
また、並列腕回路は、並列腕共振子を有する構成に限らず、例えば、インダクタ、コンデンサ等を有する構成であってもよい。
弾性波装置１、１ｂ及び１ｃでは、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第１ＩＤＴ電極７Ａの規定領域１１の全域が第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なる例に限らず、厚さ方向Ｄ１からの平面視において規定領域１１のうちの一部の領域が導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なっていてもよい。また、弾性波装置１、１ｂ及び１ｃでは、厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２ＩＤＴ電極７Ｂの規定領域１１の全域が第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なる例に限らず、厚さ方向Ｄ１からの平面視において規定領域１１のうちの一部の領域が導電層（高音響インピーダンス層４１）に重なっていてもよい。また、第１音響インピーダンス層４Ａ及び第２音響インピーダンス層４Ｂの各々は、高音響インピーダンス層４１が導電層である例に限らず、低音響インピーダンス層４２が導電層であってもよい。いずれにしても、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極７Ａに重なる第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層の少なくとも一部と、第２ＩＤＴ電極７Ｂに重なる第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層の少なくとも一部とが共通バスバー７０と重複しておらず、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層とが電気的に絶縁されていればよい。言い換えれば、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層とが電気的に絶縁されていれば、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、共通バスバー７０の一部に第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層との少なくとも一方が重複していてもよい。
また、機能電極６は、第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂの他に２つ以上のＩＤＴ電極を備えていてもよい。
弾性波装置１ｂは、複数の共振子のうち少なくとも２つの共振子（例えば、第１ＩＤＴ電極７Ａと第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５と第１音響インピーダンス層４Ａと第２音響インピーダンス層４Ｂとを含む直列腕共振子Ｓ１）に関して、図１３に示す変形例３に係る弾性波装置１ｂのように、それぞれの共振子の伝搬方位を異ならせてもよい。すなわち、図１３中の上の共振子における弾性波の伝搬方位をＸ１とし、図１３中の下の共振子における弾性波の伝搬方位をＸ２とすると、伝搬方位Ｘ２は、伝搬方位Ｘ１に対してβの角度をなしている。圧電体層５のオイラー角（φ,θ,ψ）において伝搬方位に相当するψは０°以上９０°未満とすることができる。これにより、弾性波装置１ｂでは、帯域幅を調整することができる。伝搬方位を異ならせる少なくとも２つの共振子は、伝搬方位が異なっていればよく、伝搬方位以外の他の構成が同じ共振子であっても構わないし、伝搬方位以外の他の構成が異なる共振子であっても構わない。
弾性波装置１は、図１４に示す変形例４に係る弾性波装置１のように、弾性波の伝搬方向ψに対し、複数の電極指８１の先端を結ぶ方向がνの傾斜角度をなしていてもよい。ここにおいて、弾性波の伝搬方向ψは、第１ＩＤＴ電極７Ａ又は第２ＩＤＴ電極７Ｂにより励振される弾性波の伝搬方向であり、圧電体層５のオイラー角（φ，θ，ψ）により規定される。複数の電極指８２の先端を結ぶ方向は、複数の電極指８１の先端を結ぶ方向と平行である。νは例えば、２°,４°,６°,８°,１０°,１２°,１４°,１６°,１８°,２０°,２２°,２４°,２６°,２８°,３０°,３２°,３４°,３６°,３８°,４０°,４２°,４４°,４６°,４８°,５０°の中から任意の角度に設定できる。
弾性波装置１は、図１５に示す変形例５に係る弾性波装置１のように第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂと圧電体層５との間に酸化ケイ素からなる誘電体層１９が設けられていてもよい。この場合は帯域幅を調整できる。
弾性波装置１は、図１６に示す変形例６に係る弾性波装置１のように第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂがピストンモードを形成できるように構成されていてもよい。以下、変形例６に係る弾性波装置１について説明する。
第１ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１から電極指８１の延びる方向と直交する方向を電極指８１の幅方向としたときに、電極指８１の先端部８１ａが、中央部８１ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８１２を含み、電極指８１の基端部８１ｂが中央部８１ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８１１を含む。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、電極指８１と共通バスバー７０との間にギャップ８５が形成されている。
また、第１ＩＤＴ電極７Ａでは、共通バスバー７０から電極指８２の延びる方向と直交する方向を電極指８２の幅方向としたときに、電極指８２の先端部８２ａが、中央部８２ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８２２を含み、電極指８２の基端部８２ｂが中央部８２ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８２１を含む。第１ＩＤＴ電極７Ａでは、電極指８２と第１バスバー７１との間にギャップ８６が形成されている。
また、第１ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１が、第１バスバー７１の長さ方向に沿って並んでいる複数の開口部７１１を有する。ここにおいて、第１バスバー７１は、内側バスバー部７１３と、中央バスバー部７１４と、外側バスバー部７１２と、を有する。内側バスバー部７１３は、開口部７１１よりも電極指８１側に位置している。中央バスバー部７１４は、上述の複数の開口部７１１を有する。外側バスバー部７１２は、内側バスバー部７１３に対して、中央バスバー部７１４を挟んで反対側に位置している。
また、第１ＩＤＴ電極７Ａでは、共通バスバー７０が、複数の開口部７０１Ａを有する。複数の開口部７０１Ａは、共通バスバー７０の長手方向に沿って並んでいる。ここにおいて、共通バスバー７０は、第１ＩＤＴ電極７Ａの内側バスバー部７０３Ａと、中央バスバー部７０４Ａと、外側バスバー部７０２Ａと、を含む。
また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、共通バスバー７０から電極指８１の延びる方向と直交する方向を電極指８１の幅方向としたときに、電極指８１の先端部８１ａが、中央部８１ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８１２を含み、電極指８１の基端部８１ｂが中央部８１ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８１１を含む。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、電極指８１と第２バスバー７２との間にギャップ８７が形成されている。
また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、第２バスバー７２から電極指８２の延びる方向と直交する方向を電極指８２の幅方向としたときに、電極指８２の先端部８２ａが、中央部８２ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８２２を含み、電極指８２の基端部８２ｂが中央部８２ｃに比べて幅方向寸法が大きい太幅部８２１を含む。第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、電極指８２と共通バスバー７０との間にギャップ８８が形成されている。
また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、第２バスバー７２が、第２バスバー７２の長さ方向に沿って並んでいる複数の開口部７２１を有する。ここにおいて、第２バスバー７２は、内側バスバー部７２３と、中央バスバー部７２４と、外側バスバー部７２２と、を有する。内側バスバー部７２３は、開口部７２１よりも電極指８２側に位置している。中央バスバー部７２４は、上述の複数の開口部７２１を有する。外側バスバー部７２２は、内側バスバー部７２３に対して、中央バスバー部７２４を挟んで反対側に位置している。
また、第２ＩＤＴ電極７Ｂでは、共通バスバー７０が、複数の開口部７０１Ｂを有する。複数の開口部７０１Ｂは、共通バスバー７０の長手方向に沿って並んでいる。ここにおいて、共通バスバー７０は、第２ＩＤＴ電極７Ｂの内側バスバー部７０３Ｂと、中央バスバー部７０４Ｂと、外側バスバー部７０２Ｂと、を含む。
図１６では、弾性波装置１の厚さ方向からの平面視で、第１ＩＤＴ電極７Ａに関連する１１個の領域Ａ１〜Ａ１１及び第２ＩＤＴ電極７Ｂに関連する１１個の領域Ｂ１〜Ｂ１１を含んでいる。ただし、領域Ａ１１と領域Ｂ１１とは共通の領域である。１１個の領域Ａ１〜Ａ１１は、圧電体層５及び第１ＩＤＴ電極７Ａそれぞれにおいて互いに異なる部分を含んでいる。１０個の領域Ｂ１〜Ｂ１０は、圧電体層５及び第２ＩＤＴ電極７Ｂそれぞれにおいて互いに異なる部分を含んでいる。図１６の右側には、各領域Ａ１〜Ａ１１、Ｂ１〜Ｂ１０それぞれを伝搬する弾性波の速度（音速）を模式的に示してある。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１〜Ａ１１のうち第２方向Ｄ２において中央に位置する領域Ａ６が、第１中央領域を構成している。第１中央領域は、複数の電極指８１の中央部８１ｃと複数の電極指８２の中央部８２ｃとを含む。第１中央領域は、複数の電極指８１の中央部８１ｃと複数の電極指８２の中央部８２ｃとが第３方向Ｄ３において重なる領域である。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１〜Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれに位置する領域Ａ１、Ａ１１が、第１外側バスバー領域を構成している。領域Ａ１は、第１バスバー７１の外側バスバー部７１２を含む。領域Ａ１１は、共通バスバー７０の外側バスバー部７０２Ａを含む。第１外側バスバー領域では、第１中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１〜Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて２番目に位置する領域Ａ２、Ａ１０が、第１連結領域を構成している。領域Ａ２は、第１バスバー７１の複数の開口部７１１を含む。領域Ａ１０は、共通バスバー７０の複数の開口部７０１Ａを含む。第１連結領域では、第１外側バスバー領域及び第１中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１〜Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて３番目に位置する領域Ａ３、Ａ９が、第１内側バスバー領域を構成している。領域Ａ３は、第１バスバー７１の内側バスバー部７１３を含む。領域Ａ９は、共通バスバー７０の内側バスバー部７０３Ａを含む。第１内側バスバー領域では、第１中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１〜Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて４番目に位置する領域Ａ４、Ａ８が、第１ギャップ領域を構成している。領域Ａ４は、複数の電極指８１の基端部８１ｂと複数のギャップ８６とを含む。領域Ａ８は、複数の電極指８２の基端部８２ｂと複数のギャップ８５とを含む。第１ギャップ領域では、第１内側バスバー領域及び第１中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１〜Ａ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて５番目に位置する領域Ａ５、Ａ７が、第１太幅領域を構成している。領域Ａ５は、複数の電極指８１の基端部８１ｂの太幅部８１１と複数の電極指８２の先端部８２ａの太幅部８２２とを含む。領域Ａ７は、複数の電極指８１の先端部８１ａの太幅部８１２と複数の電極指８２の基端部８２ｂの太幅部８２１とを含む。第１太幅領域では、第１中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａが上記のように構成されているため、第１中央領域（領域Ａ６）の外側に低音速の領域（領域Ａ５及び領域Ａ７）が存在し、低音速の領域の外側に高音速の領域Ａ２及び領域Ａ１０が存在している。したがって、弾性波装置１では、ピストンモードを形成することが可能となり、横モードリップルを効果的に抑制することができる。
上述の１１個の領域Ｂ１〜Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２において中央に位置する領域Ｂ６が、第２中央領域を構成している。第２中央領域は、複数の電極指８１の中央部８１ｃと複数の電極指８２の中央部８２ｃとを含む。第２中央領域は、複数の電極指８１の中央部８１ｃと複数の電極指８２の中央部８２ｃとが第３方向Ｄ３において重なる領域である。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１〜Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれに位置する領域Ｂ１、Ｂ１１が、第２外側バスバー領域を構成している。領域Ｂ１は、第２バスバー７２の外側バスバー部７２２を含む。領域Ｂ１１は、共通バスバー７０の外側バスバー部７０２Ｂを含む。第２外側バスバー領域では、第２中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１〜Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて２番目に位置する領域Ｂ２、Ｂ１０が、第２連結領域を構成している。領域Ｂ２は、第２バスバー７２の複数の開口部７２１を含む。領域Ｂ１０は、共通バスバー７０の複数の開口部７０１Ｂを含む。第２連結領域では、第２外側バスバー領域及び第２中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１〜Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて３番目に位置する領域Ｂ３、Ｂ９が、第２内側バスバー領域を構成している。領域Ｂ３は、第２バスバー７２の内側バスバー部７２３を含む。領域Ｂ９は、共通バスバー７０の内側バスバー部７０３Ｂを含む。第２内側バスバー領域では、第２中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１〜Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて４番目に位置する領域Ｂ４、Ｂ８が、第２ギャップ領域を構成している。領域Ｂ４は、複数の電極指８１の基端部８１ｂと複数のギャップ８７とを含む。領域Ｂ８は、複数の電極指８２の基端部８２ｂと複数のギャップ８８とを含む。第２ギャップ領域では、第２内側バスバー領域及び第２中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ｂ１〜Ｂ１１のうち第２方向Ｄ２の両端それぞれから数えて５番目に位置する領域Ｂ５、Ｂ７が、第２太幅領域を構成している。領域Ｂ５は、複数の電極指８１の基端部８１ｂの太幅部８１１と複数の電極指８２の先端部８２ａの太幅部８２２とを含む。領域Ｂ７は、複数の電極指８１の先端部８１ａの太幅部８１２と複数の電極指８２の基端部８２ｂの太幅部８２１とを含む。第２太幅領域では、第２中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
変形例６に係る弾性波装置１では、第２ＩＤＴ電極７Ｂが上記のように構成されているため、第２中央領域（領域Ｂ６）の外側に低音速の領域（領域Ｂ５及び領域Ｂ７）が存在し、低音速の領域の外側に高音速の領域Ｂ２及び領域Ｂ１０が存在している。したがって、弾性波装置１では、ピストンモードを形成することが可能となり、横モードリップルを効果的に抑制することができる。
変形例６に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）と第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）との各々の少なくとも一部が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において共通バスバー７０と重複していない。ここにおいて、弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ａ１の一部、領域Ａ２〜Ａ１０、領域Ａ１１の一部に重複している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ｂ１の一部、領域Ｂ２〜Ｂ１０、領域Ｂ１１の一部に重複している。図１６に示した弾性波装置１では、音響エネルギをより効率的に圧電体層５の主面近傍に閉じ込めることができる。
これに対して、図１７に示す変形例７に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ａ２の一部、領域Ａ３〜Ａ９、領域Ａ１０の一部に重複している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ｂ２の一部、領域Ｂ３〜Ｂ９、領域Ｂ１０の一部に重複している。変形例７に係る弾性波装置１では、音響エネルギを効率的に圧電体層５の主面近傍に閉じ込めることができ、かつ、変形例６に係る弾性波装置１よりも寄生容量の影響を適度に抑制することができる。
また、図１８に示す変形例８に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ａ３の一部、領域Ａ４〜Ａ８、領域Ａ９の一部に重複している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ｂ３の一部、領域Ｂ４〜Ｂ８、領域Ｂ９の一部に重複している。変形例８に係る弾性波装置１では、音響エネルギを適度に圧電体層５の主面近傍に閉じ込めることができ、かつ、変形例７に係る弾性波装置１よりも寄生容量の影響を抑制することができる。
また、図１９に示す変形例９に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層４Ａにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ａ４の一部、領域Ａ５〜Ａ７、領域Ａ８の一部に重複している。また、第２音響インピーダンス層４Ｂにおける導電層（高音響インピーダンス層４１）が、基板２（図２参照）の厚さ方向Ｄ１（図２参照）からの平面視において、領域Ｂ４の一部、領域Ｂ５〜Ｂ７、領域Ｂ８の一部に重複している。変形例９に係る弾性波装置１では、音響エネルギを必要最低限、圧電体層５の主面近傍に閉じ込めることができ、かつ、変形例８に係る弾性波装置１よりも寄生容量の影響を抑制することができる。
変形例１０に係る弾性波装置１は、図２０に示すように、複数（図示例では２つ）の配線層３３Ａ、３３Ｂと、絶縁層３４と、スペーサ層（支持層）３５と、カバー部材３６と、を更に備えてもよい。変形例１０に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極７Ａ、第２ＩＤＴ電極７Ｂ、圧電体層５及び中間層３が、基板２と絶縁層３４とスペーサ層３５とカバー部材３６とを含むパッケージＰＡ１に収容されていてもよい。配線層３３Ａは、第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１に電気的に接続されている。配線層３３Ｂは、第２ＩＤＴ電極７Ｂの第２バスバー７２に電気的に接続されている。絶縁層３４は、基板２の第１主面２１上に形成されている。絶縁層３４は、中間層３及び圧電体層５を囲んでいる。スペーサ層３５は、少なくとも一部が絶縁層３４上に形成されている。スペーサ層３５は、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において中間層３及び圧電体層５を囲んでいる。カバー部材３６は、スペーサ層３５上に配置されている。弾性波装置１では、スペーサ層３５が、絶縁層３４とカバー部材３６の周部との間に介在している。カバー部材３６は、厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂから離れている。
変形例１０に係る弾性波装置１は、カバー部材３６と、スペーサ層３５と、絶縁層３４と、基板２上の積層体（中間層３と圧電体層５とを含む積層体）と、で囲まれた空間ＳＰ１を有する。
絶縁層３４は、電気絶縁性を有する。絶縁層３４は、基板２の第１主面２１上において基板２の外周に沿って形成されている。絶縁層３４は、中間層３の側面及び圧電体層５の側面を囲んでいる。ここにおいて、絶縁層３４の一部は、圧電体層５の周部に重なっている。中間層３の側面及び圧電体層５の側面は、絶縁層３４により覆われている。絶縁層３４の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。
配線層３３Ａは、基板２の厚さ方向Ｄ１において、第１ＩＤＴ電極７Ａの一部と圧電体層５の一部と絶縁層３４の一部とに重なっている。配線層３３Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１において、第２ＩＤＴ電極７Ｂの一部と圧電体層５の一部と絶縁層３４の一部とに重なっている。
スペーサ層３５は、平面視において、圧電体層５を囲んでいる。スペーサ層３５は、基板２の厚さ方向Ｄ１において絶縁層３４に重なっている。スペーサ層３５の一部は、配線層３３Ａ、３３Ｂそれぞれにおいて絶縁層３４上に形成されている部分も覆っている。要するに、スペーサ層３５は、絶縁層３４上に直接形成されている第１部分と、絶縁層３４上に配線層３３Ａ、３３Ｂの一部を介して間接的に形成されている第２部分と、を含む。
スペーサ層３５は、電気絶縁性を有する。スペーサ層３５の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。スペーサ層３５の材料は、絶縁層３４の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。
カバー部材３６は、平板状である。カバー部材３６は、厚さ方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極７Ａ及び第２ＩＤＴ電極７Ｂから離れている。
また、変形例１０に係る弾性波装置１は、複数（図示例では、２つ）の外部接続電極３７Ａ、３７Ｂを有する。外部接続電極３７Ａは、第１ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１に電気的に接続されている。上述の配線層３３Ａは、外部接続電極３７Ａと第１ＩＤＴ電極７Ａとを電気的に接続している。外部接続電極３７Ｂは、第２ＩＤＴ電極７Ｂの第２バスバー７２に電気的に接続されている。上述の配線層３３Ｂは、外部接続電極３７Ｂと第２ＩＤＴ電極７Ｂとを電気的に接続している。
外部接続電極３７Ａ、３７Ｂは、基板２の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層３５とカバー部材３６とを貫通している貫通電極部３８Ａ、３８Ｂと、貫通電極部３８Ａ、３８Ｂ上に形成されている３９Ａ、３９Ｂと、を含む。
変形例１０に係る弾性波装置１では、スペーサ層３５が絶縁層３４上に形成されているが、これに限らず、スペーサ層３５が基板２の第１主面２１上に形成されて圧電体層５を囲んでいてもよい。変形例１０に係る弾性波装置１のパッケージＰＡ１の構成を適宜変更して変形例１に係る弾性波装置１ｂに適用してもよい。
また、変形例１１に係る弾性波装置１では、図２１に示すように、スペーサ層３５が基板２の第１主面２１上及び配線層３３Ｂ上に形成されて圧電体層５を囲んでおり、スペーサ層３５の外面３５１に凹部３５３を有していている。図２１の構成では、基板２は、電気絶縁性を有する。ここにおいて、基板２の材料は、例えば、ＬｉＮｂＯ3（リチウムニオベイト）、ＬｉＴａＯ3（リチウムタンタレート）、水晶、ガラス等である。
また、変形例１２に係る弾性波装置１は、スペーサ層３５（第１スペーサ層）の内側においてカバー部材３６と基板２との間に位置する１又は複数の中間支持層（第２スペーサ層）を有している。
また、弾性波装置として、複数の弾性波装置１を有し、複数の弾性波装置１で１枚の基板２を共用しており、隣り合う弾性波装置１のスペーサ層３５間をつなぐ樹脂層を有してもよい。樹脂層は、スペーサ層３５と同じ材料であり、スペーサ層３５と一体に形成されている。また、弾性波装置１は、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、矩形状の基板２の外周よりも内側に位置するスペーサ層３５から基板２のコーナー部に至る樹脂層を備えていてもよい。
（まとめ）
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、基板（２）と、第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）と、圧電体層（５）と、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）と、第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）と、を備える。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）は、基板（２）上に形成されている。圧電体層（５）は、第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）上に形成されている。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）は、圧電体層（５）上に形成され、圧電体層（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１音響インピーダンス層（４Ａ）と一部重複する。第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、圧電体層（５）上に形成され、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）と一部重複する。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）及び第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、互いに共有している共通バスバー（７０）により互いに直列接続されている。第１ＩＤＴ電極（７Ａ）は、対向し合う第１バスバー（７１）及び共通バスバー（７０）と、第１バスバー（７１）に接続され共通バスバー（７０）に向かって延びている複数の電極指（８１）と、共通バスバー（７０）に接続され第１バスバー（７１）に向かって延びている複数の電極指（８２）と、を含む。第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）は、対向し合う共通バスバー（７０）及び第２バスバー（７２）と、共通バスバー（７０）に接続され第２バスバー（７２）に向かって延びている複数の電極指（８１）と、第２バスバー（７２）に接続され共通バスバー（７０）に向かって延びている複数の電極指（８２）と、を含む。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々は、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）と、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）と、を有する。第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々について、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）及び少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）の少なくとも１つが導電層である。第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）との各々の少なくとも一部が、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において共通バスバー（７０）と重複していない。第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）とが電気的に絶縁されている。
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１の態様において、少なくとも１つの高音響インピーダンス層（４１）は、複数の高音響インピーダンス層（４１）を含む。少なくとも１つの低音響インピーダンス層（４２）は、複数の低音響インピーダンス層（４２）を含む。複数の高音響インピーダンス層（４１）と複数の低音響インピーダンス層（４２）とが厚さ方向（Ｄ１）において一層ごとに交互に並んでいる。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、共振特性を向上させることが可能となる。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第２の態様において、第１音響インピーダンス層（４Ａ）及び第２音響インピーダンス層（４Ｂ）の各々における複数の高音響インピーダンス層（４１）が、導電層（高音響インピーダンス層４１）を含む。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、低音響インピーダンス層（４２）の材料として導電性を有する材料を採用する必要がないので、高音響インピーダンス層（４１）の音響インピーダンスと、低音響インピーダンス層（４２）の音響インピーダンスとの比である音響インピーダンス比を、より大きくすることが可能となる。
第４の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１〜３の態様のいずれか一つにおいて、第１ＩＤＴ電極（７Ａ；７ＡＡ）と圧電体層（５）と第１音響インピーダンス層（４Ａ）とを含んで第１共振子が構成されている。第２ＩＤＴ電極（７Ｂ；７ＢＢ）と圧電体層（５）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）とを含んで第２共振子が構成されている。第１共振子及び第２共振子は、第１共振子のインピーダンスと第２共振子のインピーダンスとの合成インピーダンスが、１つのＩＤＴ電極と圧電体層と１つの音響インピーダンス層とを含む規定の共振子のインピーダンスと同じとなるように規定の共振子を２つの共振子に分割した分割共振子である。
第４の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、第１共振子と第２共振子とを含む領域の面積が規定の共振子の面積よりも大きくなるので、放熱性が高くなり、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性を高めることが可能となる。
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１〜４の態様のいずれか一つにおいて、第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において第１ＩＤＴ電極（７Ａ；７ＡＡ）の第１バスバー（７１）と共通バスバー（７０）との間に位置している。また、第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において第２ＩＤＴ電極（７Ｂ；７ＢＢ）の共通バスバー（７０）と第２バスバー（７２）との間に位置している。
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、周波数特性の低下を、より抑制することが可能となる。
第６の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１〜５の態様のいずれか一つにおいて、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１ＩＤＴ電極（７Ａ；７ＡＡ）と第１音響インピーダンス層（４Ａ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）との重なる領域の面積と、第２ＩＤＴ電極（７Ｂ；７ＢＢ）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）における導電層（高音響インピーダンス層４１）との重なる領域の面積と、が同じである。
第６の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、インピーダンスの周波数特性においてリップルが発生するのを、より抑制することが可能となる。
第７の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第１〜６の態様のいずれか一つにおいて、入力端子（１５）と出力端子（１６）とを結ぶ第１経路に設けられた直列腕回路（１２）と、第１経路上のノードとグラウンドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕回路（１３、１４）と、を備える。直列腕回路（１２）は、複数の直列腕共振子（Ｓ１）を有する。複数の直列腕共振子（Ｓ１）のうち少なくとも１つの直列腕共振子（Ｓ１）が、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）と第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）と圧電体層（５）と第１音響インピーダンス層（４Ａ）と第２音響インピーダンス層（４Ｂ）を含む共振子である。
第７の態様に係る弾性波装置（１ｂ）では、周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高めることが可能となる。
第８の態様に係る弾性波装置（１ｂ）は、第７の態様において、並列腕回路（１３、１４）は、並列腕共振子（Ｐ１）を有する。
第９の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第１〜８の態様のいずれか一つにおいて、第１ＩＤＴ電極（７Ａ）及び第２ＩＤＴ電極（７Ｂ）の電極指ピッチ（２×Ｔ１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、圧電体層（５）の厚さが、１λ以下である。
第９の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）では、板波を励振することができる。
第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ｂ；１ｃ）は、第９の態様において、弾性波が板波である。
第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、板波を利用する弾性波装置として使用することが可能となる。
１、１ｂ、１ｃ 弾性波装置
１００、１００ｃ 弾性波装置
２ 基板
２１ 第１主面
２２ 第２主面
３ 中間層
４Ａ 第１音響インピーダンス層
４Ｂ 第２音響インピーダンス層
４１ 高音響インピーダンス層（導電層）
４２ 低音響インピーダンス層
５ 圧電体層
６ 機能電極
７Ａ 第１ＩＤＴ電極
７Ｂ 第２ＩＤＴ電極
７０ 共通バスバー
７０１Ａ 開口部
７０１Ｂ 開口部
７０２Ａ、７０２Ｂ 外側バスバー部
７０３Ａ、７０３Ｂ 内側バスバー部
７０４Ａ、７０４Ｂ 中央バスバー部
７１ 第１バスバー
７１１ 開口部
７１２ 外側バスバー部
７１３ 内側バスバー部
７１４ 中央バスバー部
７２ 第２バスバー
７２１ 開口部
７２２ 外側バスバー部
７２３ 内側バスバー部
７２４ 中央バスバー部
８１ 電極指
８１ａ 先端部
８１ｂ 基端部
８１ｃ 中央部
８１１、８１２ 太幅部
８２ 電極指
８２ａ 先端部
８２ｂ 基端部
８２ｃ 中央部
８２１、８２２ 太幅部
８５、８６、８７、８８ ギャップ
９ 反射器
１０ 反射器
１１ 規定領域
１２ 直列腕回路
１３ 並列腕回路
１４ 並列腕回路
１５ 入力端子
１６ 出力端子
１７ グラウンド端子（グラウンド）
１８ グラウンド端子（グラウンド）
１９ 誘電体層
３３Ａ、３３Ｂ 配線層
３４ 絶縁層
３５ スペーサ層
３５１ 外面
３５３ 凹部
３６ カバー部材
Ａ１〜Ａ１１ 領域
Ｂ１〜Ｂ１１ 領域
Ｔ１ 距離
Ｔ２ 電極指幅
Ｄ１ 厚さ方向（第１方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｄ３ 第３方向
ＰＡ１ パッケージ
ＳＰ１ 空間
Ｓ１ 直列腕共振子
Ｐ１ 並列腕共振子

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、
    前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成された圧電体層と、
    前記圧電体層上に形成され、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、前記第１音響インピーダンス層と一部重複する第１ＩＤＴ電極と、
    前記圧電体層上に形成され、前記厚さ方向からの平面視において、前記第２音響インピーダンス層と一部重複する第２ＩＤＴ電極と、
    を備え、
    前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極は、互いに共有している共通バスバーにより互いに直列接続されており、
    前記第１ＩＤＴ電極は、
    対向し合う第１バスバー及び前記共通バスバーと、
    前記第１バスバーに接続され前記共通バスバーに向かって延びている複数の電極指と、
    前記共通バスバーに接続され前記第１バスバーに向かって延びている複数の電極指と、
    を含み、
    前記第２ＩＤＴ電極は、
    対向し合う前記共通バスバー及び第２バスバーと、
    前記共通バスバーに接続され前記第２バスバーに向かって延びている複数の電極指と、
    前記第２バスバーに接続され前記共通バスバーに向かって延びている複数の電極指と、
    を含み、
    前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、
    少なくとも１つの高音響インピーダンス層と、
    前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層と、
    を有し、
    前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々について、前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層及び前記少なくとも１つの低音響インピーダンス層の少なくとも１つが導電層であり、
    前記第１音響インピーダンス層における前記導電層の少なくとも一部と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層の少なくとも一部とが、前記厚さ方向からの平面視において前記共通バスバーと重複しておらず、
    前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とが電気的に絶縁されている、
    弾性波装置。
  2. 前記少なくとも１つの高音響インピーダンス層は、複数の高音響インピーダンス層を含み、
    前記少なくとも１つの低音響インピーダンス層は、複数の低音響インピーダンス層を含み、
    前記複数の高音響インピーダンス層と前記複数の低音響インピーダンス層とが前記厚さ方向において一層ごとに交互に並んでいる、
    請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々における前記複数の高音響インピーダンス層が、前記導電層を含む、
    請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 前記第１ＩＤＴ電極と前記圧電体層と前記第１音響インピーダンス層とを含んで第１共振子が構成され、
    前記第２ＩＤＴ電極と前記圧電体層と前記第２音響インピーダンス層とを含んで第２共振子が構成され、
    前記第１共振子及び前記第２共振子は、前記第１共振子のインピーダンスと前記第２共振子のインピーダンスとの合成インピーダンスが、１つのＩＤＴ電極と圧電体層と１つの音響インピーダンス層とを含む規定の共振子のインピーダンスと同じとなるように前記規定の共振子を２つの共振子に分割した分割共振子である
    請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  5. 前記第１音響インピーダンス層における前記導電層は、前記厚さ方向からの平面視において前記第１ＩＤＴ電極の前記第１バスバーと前記共通バスバーとの間に位置し、
    前記第２音響インピーダンス層における前記導電層は、前記厚さ方向からの平面視において前記第２ＩＤＴ電極の前記共通バスバーと前記第２バスバーとの間に位置している、
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  6. 前記厚さ方向からの平面視において、前記第１ＩＤＴ電極と前記第１音響インピーダンス層における前記導電層との重なる領域の面積と、前記第２ＩＤＴ電極と前記第２音響インピーダンス層における前記導電層との重なる領域の面積と、が同じである、
    請求項１〜５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  7. 入力端子と出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕回路と、
    前記第１経路上のノードとグラウンドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕回路と、を備え、
    前記直列腕回路は、複数の直列腕共振子を有し、
    前記複数の直列腕共振子のうち少なくとも１つの直列腕共振子が、前記第１ＩＤＴ電極と前記第２ＩＤＴ電極と前記圧電体層と前記第１音響インピーダンス層と前記第２音響インピーダンス層とを含む共振子である、
    請求項１〜６のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  8. 前記並列腕回路は、並列腕共振子を有する、
    請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる弾性波の波長をλとしたときに、前記圧電体層の厚さが、１λ以下である、
    請求項１〜８のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  10. 前記弾性波が板波である、
    請求項９に記載の弾性波装置。
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