JP5833102B2 - 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子等の弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置に関する。

圧電基板と、圧電基板の主面上に設けられたＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極（励振電極）とを有する弾性波素子が知られている（例えば特許文献１または２）。ＩＤＴ電極は、１対の櫛歯電極を有する。各櫛歯電極は、ＳＡＷの伝搬方向に延びるバスバーと、当該バスバーからＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に延び、ＳＡＷの伝搬方向に配列された複数の電極指を有している。そして、１対の櫛歯電極は、複数の電極指が噛み合うように（交差するように）配置される。また、特許文献１および２の各櫛歯電極は、バスバーからＳＡＷの伝搬方向に延び、その先端が他方の櫛歯電極の電極指の先端と間隙を介して対向するダミー電極を有している。

特許文献１では、ダミー電極の先端を太くすることが開示されている。特許文献１では、このような構成によって、電極指の先端とダミー電極の先端との間隙周辺におけるＳＡＷの反射や散乱が抑制され、弾性波素子の共振特性やフィルタ特性が向上するとされている。

特許文献２の図１５では、ダミー電極の先端と、当該ダミー電極とＳＡＷの伝搬方向において隣接する電極指とを接続することが開示されている。特許文献２では、このような構成によって、電極指の交差範囲の外側領域における音速が低下し、交差範囲内にＳＡＷが閉じ込められ、弾性波素子の特性が向上するとされている。

しかし、特許文献１の技術では、ダミー電極の先端を太くすることから、ダミー電極の先端と電極指の先端との間隙が小さくなり、これらダミー電極と電極指とが短絡するおそれが高くなっている。また、特許文献２の技術は、ダミー電極の先端と電極指の先端との間隙における弾性波の伝搬損失に着目したものではなく、そのような伝搬損失を好適に抑制する形状とはなっていない。

従って、ダミー電極と電極指との短絡を抑制しつつ弾性波の伝搬損失を低減できる弾性波素子および弾性波装置が提供されることが好ましい。

国際公開第２００８／１２６６１４号パンフレット 特開２００８−９２０１７号公報

本発明の一態様に係る弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、を有し、該ＩＤＴ電極は、弾性波の伝搬方向に直交する方向において互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された複数の第１電極指と、前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、前記複数の第１電極指と互いに交差する複数の第２電極指と、前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、先端が前記複数の第２電極指の先端と間隙を介して対向する複数の第１ダミー電極と、前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、先端が前記複数の第１電極指の先端と間隙を介して対向する複数の第２ダミー電極と、前記複数の第１ダミー電極の先端側部分からその側方へ突出する複数の第１補助電極と、前記複数の第２ダミー電極の先端側部分からその側方へ突出する複数の第２補助電極と、を有し、前記複数の第１補助電極の少なくとも一部の第１補助電極は、前記第２バスバー側の縁部が先端側ほど前記第２バスバー側に位置し、前記複数の第２補助電極の少なくとも一部の第２補助電極は、前記第１バスバー側の縁部が先端側ほど前記第１バスバー側に位置する。

本発明の一態様の弾性波素子は、圧電基板と、該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、を有し、該ＩＤＴ電極は、弾性波の伝搬方向に直交する方向において互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された複数の第１電極指と、前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、前記複数の第１電極指と互いに交差する複数の第２電極指と、前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、先端が前記複数の第２電極指の先端と間隙を介して対向する複数の第１ダミー電極と、前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、先端が前記複数の第１電極指の先端と間隙を介して対向する複数の第２ダミー電極と、前記複数の第１ダミー電極の先端側部分から前記伝搬方向に対して斜めに突出する第１補助電極と、前記複数の第２ダミー電極の先端側部分から前記伝搬方向に対して斜めに突出する第２補助電極と、を有する。

本発明の一態様の弾性波装置は、上記のいずれか一つの弾性波素子と、該弾性波素子が実装される回路基板と、を有する。

上記の構成によれば、ダミー電極と電極指との短絡を抑制しつつ弾性波の伝搬損失を低減できる。

図１（ａ）は本発明の実施形態に係るＳＡＷ素子の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の領域Ｉｂの拡大図である。 図１（ｂ）のII−II線における断面図である。 図３（ａ）〜図３（ｅ）はＳＡＷ素子の製造方法を説明する、図２に対応する断面図である。 図１のＳＡＷ素子を適用したＳＡＷ装置の例を示す断面図である。 図５（ａ）〜図５（ｄ）は補助電極の変形例を示す拡大平面図である。 バスバーの変形例を示す平面図である。 図７（ａ）および図７（ｂ）はＳＡＷの伝搬損失の評価方法を説明する図である。 比較例および実施例の条件および評価結果を示す図である。 図９（ａ）〜図９（ｃ）は補助電極の寸法がＳＡＷの伝搬損失に及ぼす影響を示す図である。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は補助電極の他の変形例を示す拡大平面図である。 補助電極のさらに他の変形例を示す拡大平面図である。

以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波素子（以下、ＳＡＷ素子ともいう）および弾性表面波装置（以下、ＳＡＷ装置ともいう）について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

（ＳＡＷ素子の構成および製造方法）
図１（ａ）は本発明の実施形態に係るＳＡＷ素子１の要部の平面図である。図１（ｂ）は図１（ａ）の領域Ｉｂの拡大図である。図２は図１（ｂ）のII−II線における断面図である。

なお、ＳＡＷ素子１は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。

ＳＡＷ素子１は、基板３と、基板３の上面３ａに設けられたＩＤＴ電極５および反射器７と、ＩＤＴ電極５および反射器７上に設けられた付加膜９（図２）と、上面３ａを付加膜９の上から覆う保護層１１（図２）とを有している。なお、ＳＡＷ素子１は、この他にも、ＩＤＴ電極５に信号の入出力を行うための配線等を有していてもよい。

基板３は、圧電基板によって構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）単結晶，ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。より好適には、基板３は、１２８°±１０°Ｙ−ＸカットのＬｉＮｂＯ_３基板によって構成されている。基板３の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。一例として、基板３の厚み（ｚ方向）は、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍである。

ＩＤＴ電極５は、第１櫛歯電極１３Ａおよび第２櫛歯電極１３Ｂを有している。なお、以下では、第１櫛歯電極１３Ａおよび第２櫛歯電極１３Ｂを単に櫛歯電極１３といい、これらを区別しないことがある。また、第１櫛歯電極１３Ａに係る構成については、「第１バスバー２１Ａ」等のように、「第１」および「Ａ」を付すことがあり、第２櫛歯電極１３Ｂに係る構成については、「第２バスバー２１Ｂ」等のように、「第２」および「Ｂ」を付すことがあり、また、「第１」、「第２」、「Ａ」、および「Ｂ」を省略することがある。

各櫛歯電極１３は、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に延びるバスバー２１（図１（ａ））と、バスバー２１から上記伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）に伸びる複数の電極指２３とを有している。そして、１対の櫛歯電極１３は、複数の電極指２３が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。また、各櫛歯電極１３は、複数の電極指２３の間においてバスバー２１からＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）に延びる複数のダミー電極２５と、ダミー電極２５の先端側部分からその側方へ延びる複数の補助電極２７とを有している。

バスバー２１は、例えば、概ね一定の幅で延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向に平行に配置されている。そして、一対のバスバー２１は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向において互いに対向している。

複数の電極指２３は、ＳＡＷの伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。一対の櫛歯電極１３の複数の電極指２３は、そのピッチ（繰り返し間隔）ｐ（図２。例えば、電極指２３の中心間距離）が、例えば、共振させたい周波数でのＳＡＷの波長λの半波長と同等となるように設けられている。波長λ（２ｐ）は、例えば、１．５μｍ〜６μｍである。各電極指２３の幅ｗ１（図２）は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定され、例えば、ピッチｐに対して０．４ｐ〜０．６ｐである。

複数の電極指２３の長さ（先端のｙ方向における位置）は、ＳＡＷの伝搬方向において変化している。従って、図１（ａ）において点線（複数の電極指２３の先端を結ぶ線）で示す交差範囲Ｒ１の幅Ｗ（ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）の長さ、電極指２３の交差幅）は、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）において変化している。すなわち、ＩＤＴ電極５は、アポダイズが施されている。このようなアポダイズが施されることにより、いわゆる横モードのスプリアスの発生が抑制される。

複数のダミー電極２５は、各櫛歯電極１３において、複数の電極指２３と共に概ね一定の間隔（ピッチｐ）で配列されている。そして、一方の櫛歯電極１３のダミー電極２５の先端は、他方の櫛歯電極１３の電極指２３の先端と所定の間隙ｓ１（図１（ｂ））を介して対向している。間隙ｓ１の大きさ（ｙ方向。以下においてこの大きさもｓ１の符号によって表現することがある。）は、複数のダミー電極２５において概ね一定である。ダミー電極２５の先端の位置（長さ）は、交差幅ＷがＳＡＷの伝搬方向において変化していることに対応して、ＳＡＷの伝搬方向において変化している。ダミー電極２５の各種寸法は適宜に設定されてよいが、例えば、ダミー電極２５の幅は、電極指２３の幅ｗ１と同等であり、また、間隙ｓ１の大きさは、λ／８からλ／２（ｐ）程度である。

複数の補助電極２７は、複数のダミー電極２５の先端の側方縁部から突出している。複数のダミー電極２５のうち、自己と同じバスバー２１から延びる電極指２３が両隣に位置するダミー電極２５（本実施形態では、ＩＤＴ電極５の端部に位置するダミー電極２５以外のダミー電極２５）においては、両側の側方縁部から補助電極２７が突出している。

補助電極２７の先端は、当該補助電極２７の根元のダミー電極２５と同一のバスバー２１から延びる、当該ダミー電極２５に隣接する電極指２３の側方縁部に接続されている。すなわち、補助電極２７は、同電位となるべきダミー電極２５と電極指２３とを接続している。

補助電極２７は、例えば、先端側（電極指２３に接続される側）ほど、他方の櫛歯電極１３のバスバー２１側に位置するように傾斜して延びている。すなわち、第１補助電極２７Ａは、先端側ほど第２バスバー２１Ｂ側に位置するように傾斜して延び、第２補助電極２７Ｂは、先端側ほど第１バスバー２１Ａ側に位置するように傾斜して延びている。

補助電極２７の、他方の櫛歯電極１３のバスバー２１側の縁部２７ａ（図１（ｂ））およびその反対側の縁部２７ｂ（図１（ｂ））に着目すれば、第１補助電極２７Ａの縁部２７ａおよび縁部２７ｂは、先端側ほど第２バスバー２１Ｂ側に位置するように傾斜して延び、第２補助電極２７Ｂの縁部２７ａおよび縁部２７ｂは、先端側ほど第１バスバー２１Ａ側に位置するように傾斜して延びている。

補助電極２７の幅ｗ２、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）に対する角度α、およびダミー電極２５に対する接続位置は適宜に設定されてよい。なお、接続位置は、例えば、補助電極２７の中心線とダミー電極２５の中心線との交差位置と、ダミー電極２５の先端との距離ｄによって定義される。幅ｗ２は、例えば、電極指２３およびダミー電極２５の幅ｗ１と同等であり、角度αは、例えば、４５度程度であり、距離ｄは、例えば、ＳＡＷの波長λに対して０．２０λ〜０．４０λである。

なお、図１（ａ）等は模式図であり、実際には、これよりも多数の電極指２３等を有する複数対の櫛歯電極が設けられてよい。また、複数のＩＤＴ電極５が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型ＳＡＷフィルタが構成されてもよいし、複数のＩＤＴ電極５をｘ方向に沿って配置した２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。

ＩＤＴ電極５は、例えば、金属によって形成されている。この金属としては、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）が挙げられる。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。なお、ＩＤＴ電極５は、複数の金属層から構成されてもよい。ＩＤＴ電極５の各種寸法は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、ＩＤＴ電極５の厚みｅ（図２）は、１００ｎｍ〜３００ｎｍである。

なお、ＩＤＴ電極５は、基板３の上面３ａに直接配置されていてもよいし、別の部材を介して基板３の上面３ａに配置されていてもよい。別の部材は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、あるいはこれらの合金等からなる。このようにＩＤＴ電極５を別の部材を介して基板３の上面３ａに配置する場合は、別の部材の厚みはＩＤＴ電極５の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み（例えば、Ｔｉの場合はＩＤＴ電極５の厚みの５％の厚み）に設定される。

ＩＤＴ電極５によって基板３に電圧が印加されると、基板３の上面３ａ付近において上面３ａに沿ってｘ方向に伝搬するＳＡＷが誘起される。また、ＳＡＷは、電極指２３と電極指２３の非配置領域との境界において反射する。そして、電極指２３のピッチを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指２３によって取り出される。このようにして、ＳＡＷ素子１は、共振子もしくはフィルタとして機能する。

反射器７は、ＩＤＴ電極５の電極指２３のピッチｐと概ね同等のピッチの格子状に形成されている。反射器７は、例えば、ＩＤＴ電極５と同一の材料によって形成されるとともに、ＩＤＴ電極５と同等の厚みに形成されている。

保護層１１は、例えば、基板３の上面３ａの概ね全面に亘って設けられており、付加膜９が設けられたＩＤＴ電極５および反射器７を覆うとともに、上面３ａのうちＩＤＴ電極５および反射器７から露出する部分を覆っている。保護層１１の上面３ａからの厚みＴ（図２）は、ＩＤＴ電極５および反射器７の厚みｅよりも大きく設定されている。例えば、厚みＴは、厚みｅよりも１００ｎｍ以上厚く、２００ｎｍ〜７００ｎｍである。また、例えば、厚みＴは、別の観点では、ＳＡＷの波長λに対して０．２λ〜０．５λである。

保護層１１は、絶縁性を有する材料からなる。好適には、保護層１１は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなるＳｉＯ_２などの材料によって形成されており、これによってＳＡＷ素子１の温度の変化による電気特性の変化を小さく抑えることができる。具体的には、以下のとおりである。

基板３の温度が上昇すると、基板３におけるＳＡＷの伝搬速度が遅くなり、また、基板３の熱膨張によってピッチｐが大きくなる。その結果、共振周波数が低くなり、所望の特性が得られないおそれがある。しかし、保護層１１が設けられていると、弾性波は、基板３だけでなく、保護層１１においても伝搬する。そして、保護層１１は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなる材料（ＳｉＯ_２）によって形成されていることから、基板３および保護層１１を伝搬するＳＡＷ全体としては、温度上昇による速度の変化が抑制されることになる。なお、保護層１１は、ＩＤＴ電極５を腐食等から保護することにも寄与する。

保護層１１の表面は、大きな凹凸がないようにしておくことが望ましい。基板３上を伝搬するＳＡＷの伝搬速度は保護層１１の表面の凹凸に影響を受けて変化するため、保護層１１の表面に大きな凹凸が存在すると、製造された各ＳＡＷ素子１の共振周波数に大きなばらつきが生じることとなる。したがって、保護層１１の表面を平坦にしておけば、各弾性波素子の共振周波数が安定化する。具体的には、保護層１１の表面の平坦度を、基板３上を伝搬するＳＡＷの波長の１％以下とすることが望ましい。

付加膜９は、ＩＤＴ電極５および反射器７の電気特性を向上させるためのものである。付加膜９は、例えば、ＩＤＴ電極５および反射器７の上面の全面に亘って設けられている。付加膜９は、電極指２３の長手方向（ｙ方向）に直交する断面形状が、例えば、概ね矩形とされている。ただし、付加膜９の断面形状は、台形やドーム状とされてもよい。付加膜９の厚さｔ（図２）は、付加膜９が保護層１１を露出しない範囲で適宜に設定されてよい。例えば、付加膜９の厚さは、ＳＡＷの波長λに対して０．０１λ〜０．４λである。

付加膜９を構成する材料は、ＩＤＴ電極５、反射器７、および保護層１１を構成する材料とは音響インピーダンスが異なる材料である。音響インピーダンスの相違は、ある程度以上であることが好ましく、例えば、１５ＭＲａｙｌ以上、より好ましくは２０ＭＲａｙｌ以上であることが好ましい。

このような材料としては、例えば、ＩＤＴ電極５がＡｌ（音響インピーダンス：１３．５ＭＲａｙｌ）によって構成され、保護層１１がＳｉＯ_２（１２．２ＭＲａｙｌ）によって構成されている場合には、ＷＣ（１０２．５ＭＲａｙｌ）、ＴｉＮ（５６．０ＭＲａｙｌ）、ＴａＳｉＯ_２（４０．６ＭＲａｙｌ）、Ｔａ_２Ｏ_５（３３．８ＭＲａｙｌ）、Ｗ_５Ｓｉ_２（６７．４ＭＲａｙｌ）が挙げられる。

ＩＤＴ電極５がＡｌによって構成され、保護層１１がＳｉＯ_２によって構成されている場合においては、これらの音響インピーダンスが近いことから、電極指２３と電極指２３の非配置領域との境界が音響的に曖昧になり、当該境界における反射係数が低下する。その結果、ＳＡＷの反射波が十分に得られず、所望の特性が得られないおそれがある。しかし、ＩＤＴ電極５および保護層１１の材料とは音響インピーダンスが異なる材料によって形成された付加膜９がＩＤＴ電極５の上面に設けられることにより、電極指２３と電極指２３の非配置領域との境界における反射係数が高くなり、所望の特性が得られやすくなる。

なお、付加膜９の材料は、ＩＤＴ電極５、反射器７、および保護層１１の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅いことが好ましい。伝搬速度が遅いことによって、振動分布が付加膜９に集中しやすく、電極指２３と電極指２３の非配置位置との境界における反射係数が実効的に高くなる。

このような材料としては、例えば、ＩＤＴ電極５がＡｌ（伝搬速度：５０２０ｍ／ｓ）によって構成され、保護層１１がＳｉＯ_２（５５６０ｍ／ｓ）によって構成されている場合には、ＴａＳｉＯ_２（４４３８ｍ／ｓ）、Ｔａ_２Ｏ_５（４３５２ｍ／ｓ）、Ｗ_５Ｓｉ_２（４４６５ｍ／ｓ）が挙げられる。なお、ＩＤＴ電極５等の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料は、ＩＤＴ電極５等の材料よりも音響インピーダンスが小さい材料よりも、音響インピーダンスが大きい材料の方が選択の自由度が高いと思われる。

図３（ａ）〜図３（ｅ）は、ＳＡＷ素子１の製造方法の概要を説明する、製造工程毎の図２に対応する断面図である。製造工程は、図３（ａ）から図３（ｅ）まで順に進んでいく。なお、各種の層は、プロセスの進行に伴って形状等が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。

図３（ａ）に示すように、まず、基板３の上面３ａ上には、ＩＤＴ電極５および反射器７となる導電層１５、ならびに付加膜９となる付加層１７が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相堆積）法等の薄膜形成法によって、上面３ａ上に導電層１５が形成される。次に、同様の薄膜形成法によって、付加層１７が形成される。

付加層１７が形成されると、図３（ｂ）に示すように、付加層１７および導電層１５をエッチングするためのマスクとしてのレジスト層１９が形成される。具体的には、ネガ型もしくはポジ型の感光性樹脂の薄膜が適宜な薄膜形成法によって形成され、フォトリソグラフィー法等によってＩＤＴ電極５および反射器７等の非配置位置において薄膜の一部が除去される。

次に、図３（ｃ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）等の適宜なエッチング法によって、付加層１７および導電層１５のエッチングを行う。これによって、付加膜９が設けられたＩＤＴ電極５および反射器７が形成される。その後、図３（ｄ）に示すように、適宜な薬液を用いることによって、レジスト層１９は除去される。

そして、図３（ｅ）に示すように、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法等の適宜な薄膜形成法によって保護層１１となる薄膜が形成される。この時点においては、保護層１１となる薄膜の表面には、ＩＤＴ電極５等の厚みに起因して凹凸が形成されている。そして、必要に応じて化学機械研磨等によって表面が平坦化され、図２に示すように、保護層１１が形成される。なお、保護層１１は、平坦化の前もしくは後において、後述するパッド３９（図４）等を露出させるために、フォトリソグラフィー法等によって一部が除去されてもよい。

（ＳＡＷ装置の構成）
図４は、上述したＳＡＷ素子１を適用したＳＡＷ装置５１の例を示す断面図である。

ＳＡＷ装置５１は、例えば、フィルタもしくはデュプレクサを構成している。ＳＡＷ装置５１は、ＳＡＷ素子３１と、ＳＡＷ素子３１が実装される回路基板５３とを有している。

ＳＡＷ素子３１は、例えば、いわゆるウェハレベルパッケージのＳＡＷ素子として構成されている。ＳＡＷ素子３１は、上述したＳＡＷ素子１と、基板３のＳＡＷ素子１側を覆うカバー３３と、カバー３３を貫通する端子３５と、基板３のＳＡＷ素子１とは反対側を覆う裏面部３７とを有している。

カバー３３は、樹脂等によって構成されており、ＳＡＷの伝搬を容易化するための振動空間３３ａをＩＤＴ電極５および反射器７の上方（ｚ方向の正側）に構成している。基板３の上面３ａ上には、ＩＤＴ電極５と接続された配線３８と、配線３８に接続されたパッド３９とが形成されている。端子３５は、パッド３９上において形成され、ＩＤＴ電極５と電気的に接続されている。裏面部３７は、例えば、特に図示しないが、温度変化等によって基板３表面にチャージされた電荷を放電するための裏面電極と当該裏面電極を覆う保護層とを有している。

回路基板５３は、例えば、いわゆるリジッド式のプリント配線基板によって構成されている。回路基板５３の実装面５３ａには、実装用パッド５５が形成されている。

ＳＡＷ素子３１は、カバー３３側を実装面５３ａに対向させて配置される。そして、端子３５と実装用パッド５５は、半田５７によって接着される。その後、ＳＡＷ素子３１は封止樹脂５９によって封止される。

以上の実施形態によれば、ＳＡＷ素子１は、基板３と、基板３の上面３ａに位置するＩＤＴ電極５とを有する。ＩＤＴ電極５は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）において互いに対向する第１バスバー２１Ａおよび第２バスバー２１Ｂと、第１バスバー２１Ａから第２バスバー２１Ｂに向かって延び、伝搬方向（ｘ方向）に配列された複数の第１電極指２３Ａと、第２バスバー２１Ｂから第１バスバー２１Ａに向かって延び、ｘ方向に配列され、複数の第１電極指２３Ａと互いに交差する複数の第２電極指２３Ｂと、第１バスバー２１Ａから第２バスバー２１Ｂに向かって延び、ｘ方向に配列され、先端が複数の第２電極指２３Ｂの先端と間隙ｓ１を介して対向する複数の第１ダミー電極２５Ａと、第２バスバー２１Ｂから第１バスバー２１Ａに向かって延び、ｘ方向に配列され、先端が複数の第１電極指２３Ａの先端と間隙ｓ１を介して対向する複数の第２ダミー電極２５Ｂと、複数の第１ダミー電極２５Ａの先端側部分からその側方へ突出する複数の第１補助電極２７Ａと、複数の第２ダミー電極２５Ｂの先端側部分からその側方へ突出する複数の第２補助電極２７Ｂとを有する。そして、複数の第１補助電極２７Ａは、第２バスバー２１Ｂ側の縁部２７ａが、先端側ほど第２バスバー２１Ｂ側に位置し、複数の第２補助電極２７Ｂは、第１バスバー２１Ａ側の縁部２７ａが、先端側ほど第１バスバー２１Ａ側に位置する。

従って、各補助電極２７は、自己とは電位の異なる（所属する櫛歯電極１３が異なる）電極指２３の先端との距離を確保しつつ、電極指２３とダミー電極２５との間隙ｓ１を、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に見て、縮小することができる。その結果、互いに電位の異なる電極指２３とダミー電極２５とが（例えば第１電極指２３Ａと第２ダミー電極２５Ｂとが）短絡することが抑制されるとともに、ＳＡＷが間隙ｓ１において発散してＳＡＷの伝搬損失が生じることが抑制される。

ＩＤＴ電極５は、複数の第１電極指２３Ａ、複数の第２電極指２３Ｂ、複数の第１ダミー電極２５Ａ、および複数の第２ダミー電極２５Ｂの先端のｙ方向における位置が伝搬方向（ｘ方向）に対して変化するアポダイズ電極である。

このようなアポダイズ電極においては、横モードのスプリアスの発生が抑制されるが、交差幅Ｗが狭くなる位置において間隙ｓ１が１対のバスバー２１間の中央側に位置するようになるので、ＳＡＷの発散が生じやすい。従って、このようなアポダイズ電極においては、補助電極２７によるＳＡＷの発散抑制効果が顕著に現れる。そして、横モードのスプリアスの発生抑制およびＳＡＷの伝搬損失抑制において優れたＳＡＷ素子が得られる。

複数の第１ダミー電極２５Ａの少なくとも一部は、両隣に第１電極指２３Ａが位置し、先端側部分からその側方両側に１対の第１補助電極２７Ａが突出する。そして、１対の第１補助電極２７Ａは、いずれも、第２バスバー２１Ｂ側の縁部２７ａが先端側ほど第２バスバー２１Ｂ側に位置している。第２櫛歯電極１３Ｂ側においても同様である。

従って、２つの補助電極２７が間隙ｓ１を挟み込むように配置されることになり、伝搬方向の双方向のＳＡＷ、別の観点では、励起されたＳＡＷおよび反射されたＳＡＷの双方の発散を好適に抑制できる。また、間隙ｓ１の周辺に補助電極２７の面積を確保しやすくなり、この点からも、ＳＡＷの発散抑制効果が向上する。

複数の第１補助電極２７Ａは、先端が複数の第１電極指２３Ａに接続され、複数の第２補助電極２７Ｂは、先端が複数の第２電極指２３Ｂに接続されている。

従って、同電位となるべき電極指２３、ダミー電極２５、および補助電極２７の電位が相対的に安定し、ＩＤＴ電極５の電気特性が安定することが期待される。また、ダミー電極２５や電極指２３は、プロセス上の問題によって根元部分で欠落が生じても、隣の電極指２３またはダミー電極２５と補助電極２７を介して接続されているため、電気的な接続が保たれる。このため、歩留まりの向上が期待される。また、上述のように、両隣に電極指２３が位置するダミー電極２５の側方両側に第１補助電極２７Ａが設けられる場合には、交差範囲Ｒ１の外側において、ダミー電極２５の先端とダミー電極２５に並列に並ぶ電極指２３との隙間がＳＡＷの伝搬方向の（概ね）全体に亘って塞がれることになるので、交差範囲Ｒ１の外側へのＳＡＷの発散が抑制されることが期待される。

ＳＡＷ素子１は、ＩＤＴ電極５および基板３の上面３ａを覆い、基板３の上面３ａからの厚みＴがＩＤＴ電極５の厚みｅよりも大きいＳｉＯ_２からなる保護層１１をさらに有し、ＩＤＴ電極は、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなる。

従って、既に述べたように、温度特性に優れたＳＡＷ素子が得られる。また、間隙ｓ１には、ＩＤＴ電極５と同様の音響インピーダンスを有する保護層１１が存在することになる。その結果、間隙ｓ１におけるＳＡＷの発散が抑制され、その発散抑制効果が補助電極２７による発散抑制効果に上乗せされ、ＳＡＷの伝搬損失の抑制が一層図られることが考えられる。別の観点では、保護層１１がＳＡＷの発散抑制に寄与し得るから、補助電極２７を小さくすることが可能であり、ひいては、異なる電位となるべき電極指２３とダミー電極２５との距離を確保することができる。

ＳＡＷ素子１は、ＩＤＴ電極５の上面に位置し、保護層１１に覆われ、ＩＤＴ電極５の材料および保護層１１の材料に比較して音響インピーダンスが大きくかつ弾性波の伝搬速度が遅い材料からなる付加膜９をさらに有する。

従って、既に述べたように、保護層１１の反射係数に関する短所を補うことができる。付加膜９が設けられると、保護層１１による間隙ｓ１におけるＳＡＷの発散抑制効果は低減する。従って、補助電極２７による発散抑制効果が顕著となる。そして、温度特性に優れ、ＳＡＷの反射係数を十分に確保でき、かつＳＡＷの伝搬損失抑制において優れたＳＡＷ素子が得られる。

（変形例）
図５（ａ）〜図５（ｄ）は、補助電極の平面形状の変形例を示す図１（ｂ）に対応する図である。なお、これらの図においては、第２バスバー２１Ｂ側の第２補助電極２７Ｂ、１２７Ｂ、および２２７Ｂの形状が示されているが、第１バスバー２１Ａ側の第１補助電極の形状も、第２補助電極の形状と同様である。

図５（ａ）の変形例においては、補助電極１２７は、先端が同電位となるべき電極指２３に接続されていない。この場合であっても、実施形態の補助電極２７と同様に、異なる電位となるべき電極指２３との短絡を抑制しつつ、間隙ｓ１におけるＳＡＷの発散を抑制できる。

図５（ｂ）の変形例においては、実施形態と同様の補助電極２７が、ダミー電極２５の側方一方側にのみ設けられている。この場合であっても、実施形態と同様に、異なる電位となるべき電極指２３との短絡を抑制しつつ、間隙ｓ１におけるＳＡＷの発散を抑制できる。

図５（ｃ）の変形例においては、補助電極２７および２２７が設けられている。補助電極２７および２２７は（その交差範囲Ｒ１（図１（ａ）参照）側の縁部は）、いずれもＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に対してダミー電極２５の先端を結んだ線に沿う側に傾斜して延び、好適には、ダミー電極２５の先端を結んだ線に沿って延びている。

補助電極２７は、実施形態と同様に、先端側ほど交差範囲Ｒ１側に位置するものであり、補助電極２２７は、実施形態とは逆に、先端側ほど交差範囲Ｒ１とは反対側に位置するものである。各ダミー電極２５は、交差範囲Ｒ１の形状に応じて（ｘ方向の位置に応じて）、側方一方側に補助電極２７が設けられるとともに側方他方側に補助電極２２７が設けられたり（図５（ｃ）に例示する部分）、側方両側に補助電極２７が設けられたり、側方両側に補助電極２２７が設けられたりする。

この変形例においても、実施形態と同様に、異なる電位となるべき電極指２３との短絡を抑制しつつ、間隙ｓ１におけるＳＡＷの発散を抑制できる。また、交差範囲Ｒ１の形状と補助電極２７および２２７の形状とが一致することから、予想外のＳＡＷの発散や反射が生じることが抑制されることが期待される。

図５（ｄ）の変形例においては、ダミー電極２５の片側にのみ図５（ｃ）の補助電極２２７が設けられている。この場合であっても、実施形態と同様に、異なる電位となるべき電極指２３の先端との距離を確保して短絡を抑制しつつ、間隙ｓ１付近における電極面積を拡大してＳＡＷの発散を抑制できる。

なお、図５（ｂ）の変形例は、図５（ｂ）に示した範囲では、図５（ｃ）の変形例において補助電極２２７を省略したものと捉えることができる。同様に、図５（ｄ）の変形例は、図５（ｄ）に示した範囲では、図５（ｃ）の変形例において補助電極２７を省略したものと捉えることができる。すなわち、図５（ｂ）から図５（ｄ）の変形例は、アポダイズ電極において、補助電極がＳＡＷの伝搬方向に対してダミー電極２５の先端を結んだ線に沿う側に傾斜しているという同一の概念によって捉えることができる。

図６は、バスバーの平面形状の変形例を示す図１（ａ）と同様の平面図である。

この変形例において、バスバー３２１は、交差範囲Ｒ１側の縁部３２１ａが交差範囲Ｒ１の縁部が傾斜する側に傾斜して延びている。なお、縁部３２１ａと交差範囲Ｒ１の縁部とは、平行であってもよいし、平行でなくてもよい。

（実施例）
補助電極の形状および寸法を種々設定して、ＳＡＷ素子１を作製した。そして、その電気特性を調べてＳＡＷの伝搬損失を評価した。

（比較例および実施例に共通する条件）
以下の比較例および実施例において、共通する条件は以下のとおりである。
ＳＡＷの波長λ：２μｍ
交差幅Ｗの最大値：３０λ
電極指の数：３００本（１５０対）
ダミー電極の数：３００本

（ＳＡＷの伝搬損失の評価方法）
図７（ａ）および図７（ｂ）は、ＳＡＷの伝搬損失の評価方法を説明する図である。

図７（ａ）は、共振子としてのＳＡＷ素子１のインピーダンス特性を示す図である。同図において、横軸は、周波数ｆ（ＭＨｚ）を示し、縦軸はインピーダンスの絶対値｜Ｚ｜（Ω）およびインピーダンスＺの位相θ（ｄｅｇ．）を示している。実線Ｌｚはインピーダンスの絶対値｜Ｚ｜の周波数変化を示し、実線Ｌ_θはインピーダンスの位相θの周波数変化を示している。

インピーダンス特性の図においては、実線Ｌｚにより示されるように、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜が極小となる共振点と、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜が極大となる反共振点とが現れる。また、共振点と反共振点との間においては、インピーダンスの位相θが最大位相θｍａｘとなる。

図７（ｂ）は、最大位相θｍａｘとＳＡＷの伝搬損失ＬＳとの関係を示す図である。同図において、横軸は伝搬損失ＬＳ（ｄＢ／μｍ）を示し、縦軸は最大位相θｍａｘを示している。

この図に示されるように、共振子の損失が小さいほど、最大位相θｍａｘは大きくなる。従って、最大位相θｍａｘを調べることにより、共振子の損失を評価することができる。なお、損失０の理想状態では、最大位相θｍａｘは９０（ｄｅｇ．）となる。

図７（ａ）に示されるように、位相θは、最大位相θｍａｘ付近において周波数ｆの変化に対して緩やかに変化している一方で、絶対値｜Ｚ｜は、共振点および反共振点の付近において周波数ｆの変化に対して急激に変化している。従って、最大位相θｍａｘは、絶対値｜Ｚ｜よりも安定して測定可能であり、最大位相θｍａｘに基づく損失の評価は、絶対値｜Ｚ｜に基づく損失の評価よりも誤差が小さいものと期待される。

（補助電極の形状の影響）
補助電極の形状を互いに異ならせた比較例１〜３（Ｃ１〜Ｃ３）および実施例１〜３（Ｅ１〜Ｅ３）を設定し、ＳＡＷの伝搬損失の評価を行った。なお、実施１〜３において、補助電極２７はすべてのダミー電極に対して設けた。

図８は、その条件および評価結果を示す図である。同図において、横軸は、Ｃ１〜Ｃ３およびＥ１〜Ｅ３を示し、縦軸は、Ｃ１の最大位相θｍａｘを基準とした、各比較例および実施例の最大位相θｍａｘの改善量ｄθｍａｘを示している。

比較例１（Ｃ１）は、補助電極が設けられていないものである。比較例２（Ｃ２）は、ダミー電極の先端が円形に形成されたものである。実施例１（Ｅ１）は、実施形態と同様に、先端側ほど交差範囲Ｒ１側に位置する補助電極２７がダミー電極の側方両側に設けられたものである。比較例３（Ｃ３）は、ＳＡＷの伝搬方向に平行な補助電極が設けられたものである。実施例２（Ｅ２）は、図５（ｄ）に示した変形例と同様に、先端側ほど交差範囲Ｒ１とは反対側に位置する補助電極２２７がダミー電極の側方一方側に設けられたものである。実施例３（Ｅ３）は、図５（ｃ）に示した変形例と同様に、ダミー電極の先端を結ぶ線に沿って、ダミー電極の側方両側に補助電極２７および２２７が設けられたものである。

この図から、実施例１〜３のいずれにおいても、比較例１に比較して、ＳＡＷの伝搬損失の低下が抑制されることが確認された。また、実施例１は、いずれの比較例および実施例よりも、ＳＡＷの伝搬損失の低下抑制の効果が大きい。実施例３は、比較例２と同等のＳＡＷの伝搬損失の低下抑制効果を得つつ、比較例２に比較して、異なる電位となるべき電極指とダミー電極との短絡が抑制される。

なお、電極の出来映えのばらつきを考慮すると、最大位相θｍａｘには０．３°程度の測定ばらつきが生じると考えられる。一方、補助電極２７の最大位相は、補助電極２７を有するダミー電極の本数に比例して改善されると考えられる。これら２つのことと、すべてのダミー電極に対して補助電極２７を設けた実施例１の結果とを考慮すると、少なくとも全ダミー電極の１０％以上に補助電極２７を設ければ、測定ばらつきによる値以上の効果が得られるものと考えられる。

（補助電極の寸法の影響）
実施形態と同様に、先端側ほど交差範囲Ｒ１側に位置する補助電極２７がダミー電極の側方両側に設けられた共振子について、各種寸法を変化させて、ＳＡＷの伝搬損失の評価を行った。

図９（ａ）は、補助電極２７のＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に対する角度α（図１（ｂ））を変化させたときの最大位相θｍａｘの変化を示している。横軸は角度α（ｄｅｇ．）を示し、縦軸は最大位相θｍａｘ（ｄｅｇ．）を示している。なお、角度αは、補助電極２７の中心線を基準としている。

なお、他の条件は以下のとおりである。
補助電極２７の幅ｗ２（図１（ｂ））：０．５μｍ
補助電極２７の接続位置（距離ｄ、図１（ｂ））：０．７５μｍ

この図より、角度αを小さくするほど、換言すれば、先端をより交差範囲Ｒ１に近づけるほど、ＳＡＷの伝搬損失が抑制されていることが窺える。これは、角度αが小さくなるほど、ＳＡＷの伝搬方向に見て間隙ｓ１が塞がれやすく、もしくは間隙ｓ１の近傍における電極面積が増加しやすいことからと考えられる。また、この実施例においては、角度αが４５°のときに、異なる電位となるべき補助電極２７と電極指２３との短絡が生じないことも確認された。

角度αは、９０°よりも少しでも大きくなれば、伝搬損失抑制の利益が得られる。また、実施例においては、角度αが６０°のときに、角度αが９０°のときと比較して有意な差（効果）が確認されている。

一方、角度αを小さくし過ぎると、異なる電位となるべき補助電極２７と電極指２３との距離ｓ２（図１（ｂ））が短くなり、これらが短絡するおそれがある。異なる電位となるべき補助電極２７と電極指２３との距離ｓ２は、例えば、補助電極２７の縁部２７ａがダミー電極２５の先端縁部と一致すると仮定すると、ｓ１×ｓｉｎαによって表される。ｓ１が０．２λ程度であると想定すると、経験的にｓ２が０．１λ程度までは、短絡が生じる可能性は低いことから、ｓｉｎθは０．５以上とされてよい。すなわち、αは３０°以上とされてよい。

以上のことから、角度αは、好ましくは３０°以上６０°以下であり、また、ｓ１、ｄ、ｗ２等の条件が変化することも想定すると、より好ましくは、その中央付近の４５°程度である。

図９（ｂ）は、補助電極２７の幅ｗ２を変化させたときの最大位相θｍａｘの変化を示している。横軸は幅ｗ２（μｍ）を示し、縦軸は最大位相θｍａｘ（ｄｅｇ．）を示している。

なお、他の条件は以下のとおりである。
補助電極２７の角度α：４５°
補助電極２７の接続位置（距離ｄ）：０．７５μｍ

この図より、幅ｗ２を大きくしていくとＳＡＷの伝搬損失が抑制され、さらに幅ｗ２を大きくしていくと伝搬損失の抑制効果は頭打ちとなることが窺える。これは、幅ｗ２が小さいと、補助電極２７の面積が小さいために間隙ｓ１を実質的に埋める効果が十分でないこと、補助電極２７において間隙ｓ１からのＳＡＷの発散を抑制するに十分な面積が確保された上で生じる伝搬損失は、ＳＡＷ素子１全体における損失の問題であって、間隙ｓ１における損失の問題ではないことからと考えられる。実施例において、伝搬損失の抑制効果が頭打ちとなるのは、０．５０μｍ（０．２５λ）付近であった。

また、電位が同一となるべき電極指２３、ダミー電極２５、および補助電極２７によって囲まれる領域を全て電極によって埋めると（ダミー電極２５および補助電極２７を設けずにバスバー２１を太くすると）、電気特性は却って低下する。この態様は、補助電極２７の幅ｗ２を極限まで大きくした態様に近似的であり、幅ｗ２に上限値があることが窺える。また、接続位置を示す距離ｄにもよるが、幅ｗ２が大きくなると、異なる電位となるべき補助電極２７と電極指２３との距離ｓ２が短くなり、これらが短絡するおそれがある。一方、実施例においては、幅ｗ２が１μｍ（０．５λ）のときに、伝搬損失の抑制の効果が得られること、また、異なる電位となるべき補助電極２７と電極指２３との短絡が生じないことが確認されている。

以上のことから、幅ｗ２は、好ましくは０．２５λ以上０．５λ以下であり、別の観点では、０．５０μｍ以上１μｍ以下である。

図９（ｃ）は、補助電極２７の接続位置（距離ｄ）を変化させたときの最大位相θｍａｘの変化を示している。横軸は距離ｄ（μｍ）を示し、縦軸は最大位相θｍａｘ（ｄｅｇ．）を示している。

なお、他の条件は以下のとおりである。
補助電極２７の角度α：４５°
補助電極２７の幅ｗ２：０．５μｍ

この図より、補助電極２７を交差範囲Ｒ１側へ近づけるほどＳＡＷの伝搬損失が抑制されていることが窺える。これは、補助電極２７が交差範囲Ｒ１に近づくほど、ＳＡＷの伝搬方向に見て間隙ｓ１が塞がれやすく、もしくは間隙ｓ１の近傍における電極面積が増加しやすいことからと考えられる。

この実施例においては、距離ｄが０．５０μｍ（０．２５λ）以上０．７５μｍ（０．３８λ）以下において、最大位相θｍａｘが８３°を超える十分な伝搬損失抑制効果が得られるとともに、異なる電位となるべき補助電極２７と電極指２３との短絡が生じないことが確認された。従って、距離ｄの好ましい範囲は、０．２５λ以上０．３８λ以下、別の観点では、０．５０μｍ以上０．７５μｍ以下である。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

弾性波素子は、（狭義の）ＳＡＷ素子に限定されない。例えば、保護層（１１）の厚さが比較的大きい（例えば０．５λ〜２λ）、いわゆる弾性境界波素子（ただし、広義のＳＡＷ素子に含まれる。）であってもよい。なお、弾性境界波素子においては、振動空間（３３ａ）の形成は不要であり、ひいては、カバー３３等も不要である。

弾性波素子は、ウェハレベルパッケージのものに限定されない。例えば、ＳＡＷ素子は、カバー３３および端子３５等を有さず、基板３の上面３ａ上のパッド３９と、回路基板５３の実装用パッド５５とが半田５７によって直接接着されてもよい。そして、ＳＡＷ素子１（保護層１１）と回路基板５３の実装面５３ａとの隙間によって振動空間が形成されてよい。また、ウェハレベルパッケージの弾性波素子も、端子が設けられず、実装用パッド５５に配置された半田ボールにパッド３９が当接する構成とされるなど、種々の構成とされてよい。

ＩＤＴ電極は、交差幅が弾性波の伝搬方向において変化するアポダイズ電極に限定されず、交差幅が一定のものであってもよい。この場合であっても、ＳＡＷが間隔ｓ１において発散することによる伝搬損失を抑制することができる。第１電極指および第２電極指は、弾性波の伝搬方向の全体に亘って交互に配置されていなくてもよく、一部において、第１電極指同士もしくは第２電極指同士が弾性波の半波長程度で隣接していてもよい。

補助電極の形状は、実施形態や変形例において例示したものに限定されない。

例えば、実施形態の補助電極のように、交差範囲（Ｒ１）側の縁部（２７ａ）が、先端側ほど交差範囲側に位置する補助電極においては、交差範囲とは反対側の縁部（２７ｂ）は、先端側ほど交差範囲側に位置している必要はない。

例えば、図１０（ａ）に例示するように、補助電極４２７は、交差範囲側（第１電極指２３Ａ側）の縁部４２７ａが先端側ほど交差範囲側に位置している一方で、その反対側の縁部４２７ｂはＳＡＷの伝搬方向に平行であってもよい。

さらに、交差範囲とは反対側の縁部（４２７ｂ等）は、先端側ほど交差範囲とは反対側に位置していてもよい。また、別の観点では、交差範囲側の縁部（４２７ａ等）とその反対側の縁部（４２７ｂ等）とは互いに平行でなくてもよい。すなわち、これら縁部は、先端側ほど互いの距離が長くなってもよいし、先端側ほど互いの距離が短くなってもよいし、根元と先端との双方において互いの距離が長くもしくは短くなってもよい。

また、実施形態では、電極指２３等の先端が角部を有する矩形状に形成されたが、角部は丸められてもよい。

例えば、図１０（ｂ）に例示するように、電極指５２３の先端の角部は丸められて（曲線によって面取りされて）いてもよい。なお、面取りが大きい場合には、電極指５２３の先端の縁部全体が突状の曲線状となる（図１０（ｂ）の例）。

同様に、補助電極５２７の交差範囲側（第１電極指５２３Ａ側）の縁部５２７ａとダミー電極５２５の先端縁部とが交差する角部、および縁部５２７ａと電極指５２３の補助電極５２７側の縁部とが交差する角部も丸められていてもよい。この面取りによって、縁部５２７ａは、電極指５２３側を凹とする凹状に延びている。なお、面取りが大きい場合には、補助電極５２７の縁部５２７ａおよびダミー電極５２５の先端縁部全体が電極指５２３の先端側を凹とする曲線状となる。

このような形状とすることにより、角部が丸められていない場合に比較して、電極指５２３の先端と縁部５２７ａとの距離を確保しやすくなり（さらには距離を一定にでき）、かつ間隙ｓ１の近傍における電極面積を大きくすることができる。

なお、図１０（ｂ）に示すような曲線を含む形状は、当初から曲線を形成することを意図してフォトマスクに曲線を含むパターンが形成されてもよいし、フォトマスクには直線の組み合わせからなる（角部を含む）パターンが形成され、エッチングの条件を調整することにより、角部を丸めたり、角部近傍の直線を曲線にしたりしてもよい。

また、ダミー電極の先端縁部と、当該ダミー電極から突出する補助電極の交差範囲側の縁部とは、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向の位置が一致していなくてもよい。

例えば、図１１に示すように、補助電極２７の縁部２７ａは、ダミー電極２５の先端縁部に対して当該ダミー電極２５の根元側にずれていてもよい。換言すれば、ダミー電極２５の先端が補助電極２７の縁部２７ａから突出していてもよい。

この場合であっても、間隙ｓ１近傍において電極面積が確保されることによって、より好ましくは、ＳＡＷの伝搬方向に見て補助電極２７の縁部２７ａが間隙ｓ１の少なくとも一部を塞ぐことによって、実施形態と同様の効果が奏される。

実施形態および変形例は、適宜に組み合わされてもよい。例えば、図５（ｂ）および図５（ｄ）に示した変形例は、一のＩＤＴ電極内において混在していてもよいし、図１０（ｂ）に示した面取りは、図５（ａ）〜図５（ｄ）の変形例に適用されてもよい。

弾性波素子において、保護層１１および付加膜９は必須の要件ではなく、また、保護層は、腐食防止のみを目的として設けられ、電極指の厚みよりも薄くされてもよい。

保護層１１の上面は、電極指の位置において凸となるように、凹凸を有していてもよい。この場合、電極指とその非配置位置における反射係数を高くすることができる。当該凹凸は、図３（ｅ）を参照して説明したように、保護層の成膜時に電極指の厚みに起因して形成されるものであってもよいし、保護層の表面を電極指の間の領域においてエッチングして形成されるものであってもよい。

付加膜は、電極の全面に亘って設けられることが好ましい。ただし、付加膜は、電極指のみに設けられるなど、電極の一部にのみ設けられてもよい。さらに、付加膜は、電極指の長手方向に見て中央側の一部のみに設けられるなどしてもよい。また、付加膜は、電極の上面だけでなく、側面にも設けられてもよい。付加膜の材料は、導電材料であってもよいし、絶縁材料であってもよい。具体的には、タングステン（Ｗ）、イリジウム（Ｉｒ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）などの導電材料、Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘＯ_３、Ｐｂ_ｘＺｎ_１−ｘＯ_３、ＺｎＯ_３などの絶縁材料を付加膜の材料として挙げることができる。

付加膜を絶縁材料で形成することによって、付加膜を金属材料によって形成したものに比べて、電極の腐食を抑制し弾性波素子の電気特性を安定化させることができる。なぜならば、ＳｉＯ_２からなる保護層にはピンホールが形成されることがあり、このピンホールが形成されると、これを介して電極部分まで水分が浸入することとなるが、電極上に電極材料と異なる材料からなる金属膜が配置されていると、浸入した水分によって、異種金属間の電池効果による腐食が発生するからである。よって、付加膜をＴａ_２Ｏ_５などの絶縁材料で形成すれば、電極と付加膜との間において電池効果は殆ど発生しないため、電極の腐食が抑制された信頼性の高い弾性波素子とすることができる。

基板は、１２８°±１０°Ｙ−ＸカットのＬｉＮｂＯ_３基板の他にも、例えば、３８．７°±Ｙ−ＸカットのＬｉＴaＯ_３などを用いることができる。電極（電極指）の材料は、ＡｌおよびＡｌを主成分とする合金に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｔｉであってもよい。保護層の材料は、ＳｉＯ_２に限定されず、例えば、ＳｉＯ_２以外の酸化珪素であってもよい。

１，３１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、３…基板（圧電基板）、３ａ…上面、５…ＩＤＴ電極（電極）、９…付加膜、１１…保護層、２１…バスバー、２３…電極指、２５…ダミー電極、２７…補助電極、５１…ＳＡＷ装置（弾性表面波装置）、５３…回路基板

Claims (11)

1. 圧電基板と、
   該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、
   を備え、
   該ＩＤＴ電極は、
   弾性波の伝搬方向に直交する方向において互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、
   前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された複数の第１電極指と、
   前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、前記複数の第１電極指と互いに交差する複数の第２電極指と、
   前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、先端が前記複数の第２電極指の先端と間隙を介して対向する複数の第１ダミー電極と、
   前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、先端が前記複数の第１電極指の先端と間隙を介して対向する複数の第２ダミー電極と、
   前記複数の第１ダミー電極の先端側部分からその側方へ突出する複数の第１補助電極と、
   前記複数の第２ダミー電極の先端側部分からその側方へ突出する複数の第２補助電極と、
   を有し、
   前記複数の第１補助電極の少なくとも一部の第１補助電極は、前記第２バスバー側の縁部が先端側ほど前記第２バスバー側に位置し、
   前記複数の第２補助電極の少なくとも一部の第２補助電極は、前記第１バスバー側の縁部が先端側ほど前記第１バスバー側に位置する
   弾性波素子。
2. 前記ＩＤＴ電極は、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指との交差幅が前記伝搬方向において変化するアポダイズ電極である
   請求項１に記載の弾性波素子。
3. 前記複数の第１ダミー電極の少なくとも一部の第１ダミー電極は、両隣に前記第１電極指が位置し、先端側部分からその側方両側に１対の前記第１補助電極が突出し、
   該１対の第１補助電極は、いずれも前記第２バスバー側の縁部が先端側ほど前記第２バスバー側に位置し、
   前記複数の第２ダミー電極の少なくとも一部の第２ダミー電極は、両隣に前記第２電極指が位置し、先端側部分からその側方両側に１対の前記第２補助電極が突出し、
   該１対の第２補助電極は、いずれも前記第１バスバー側の縁部が先端側ほど前記第１バスバー側に位置している
   請求項１または２に記載の弾性波素子。
4. 前記複数の第１ダミー電極の少なくとも一部の第１ダミー電極は、両隣に前記第１電極指が位置し、先端側部分からその側方両側に１対の前記第１補助電極が突出し、
   該１対の第１補助電極は、いずれも前記第２バスバー側の縁部が前記伝搬方向に対して前記複数の第１ダミー電極の先端を結んだ線に沿う側に傾斜して延び、
   前記複数の第２ダミー電極の少なくとも一部の第２ダミー電極は、両隣に前記第２電極指が位置し、先端側部分からその側方両側に１対の前記第２補助電極が突出し、
   該１対の第２補助電極は、いずれも前記第１バスバー側の縁部が前記伝搬方向に対して前記複数の第２ダミー電極の先端を結んだ線に沿う側に傾斜して延びている
   請求項２に記載の弾性波素子。
5. 前記複数の第１補助電極は、先端が前記複数の第１電極指に接続されているとともに、前記複数の第１補助電極の第２バスバー側の縁部と前記第１ダミー電極の先端縁部とが交差する角部および前記複数の第１補助電極の第２バスバー側の縁部と該第１補助電極に隣接する第１電極指の縁部とが交差する角部は、それぞれ丸みを帯びるように面取りされており、
   前記複数の第２補助電極は、先端が前記複数の第２電極指に接続されているとともに、
   前記複数の第２補助電極の第１バスバー側の縁部と前記第２ダミー電極の先端縁部とが交差する角部および前記複数の第２補助電極の第１バスバー側の縁部と該第２補助電極に隣接する第２電極指の縁部とが交差する角部は、それぞれ丸みを帯びるように面取りされている
   請求項３または４に記載の弾性波素子。
6. 前記複数の第１補助電極は、先端が前記複数の第１電極指に接続され、
   前記複数の第２補助電極は、先端が前記複数の第２電極指に接続されている
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波素子。
7. 前記ＩＤＴ電極および前記圧電基板の上面を覆っている、前記圧電基板の上面からの厚みが前記ＩＤＴ電極の厚みよりも大きいＳｉＯ２からなる保護層をさらに備え、
   前記ＩＤＴ電極は、Ａｌを主成分とする材料からなる
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波素子。
8. 前記ＩＤＴ電極の上面に位置し、前記保護層に覆われた、前記ＩＤＴ電極の材料および前記保護層の材料に比較して音響インピーダンスが大きくかつ弾性波の伝搬速度が遅い材料を主成分とする付加膜をさらに備える
   請求項７に記載の弾性波素子。
9. 圧電基板と、
   該圧電基板の上面に位置するＩＤＴ電極と、
   を備え、
   該ＩＤＴ電極は、
   弾性波の伝搬方向に直交する方向において互いに対向する第１バスバーおよび第２バスバーと、
   前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された複数の第１電極指と、
   前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、前記複数の第１電極指と互いに交差する複数の第２電極指と、
   前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、先端が前記複数の第２電極指の先端と間隙を介して対向する複数の第１ダミー電極と、
   前記第２バスバーから前記第１バスバーに向かって延び、前記伝搬方向に配列された、先端が前記複数の第１電極指の先端と間隙を介して対向する複数の第２ダミー電極と、
   前記複数の第１ダミー電極の先端側部分から前記伝搬方向に対して斜めに突出する複数の第１補助電極と、
   前記複数の第２ダミー電極の先端側部分から前記伝搬方向に対して斜めに突出する複数の第２補助電極と、
   を有し、
   前記複数の第１補助電極の少なくとも一部の第１補助電極それぞれにおいて、前記第１バスバー側の縁部と前記第２バスバー側の縁部とは前記伝搬方向に対して互いに同一側へ傾斜しており、
   前記複数の第２補助電極の少なくとも一部の第２補助電極それぞれにおいて、前記第１バスバー側の縁部と前記第２バスバー側の縁部とは前記伝搬方向に対して互いに同一側へ傾斜している
   弾性波素子。
10. 前記複数の第１補助電極の少なくとも一部の第１補助電極は、先端が前記複数の第１電極指に接続され、
    前記複数の第２補助電極の少なくとも一部の第２補助電極は、先端が前記複数の第２電極指に接続されている
    請求項９に記載の弾性波素子。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の弾性波素子と、
    該弾性波素子が実装される回路基板と、
    を備える弾性波装置。

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