CN103384961A - 弹性波元件以及使用其的弹性波装置 - Google Patents

弹性波元件以及使用其的弹性波装置 Download PDF

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Abstract

SAW元件(1)的IDT电极(5)具有：第1母线(21A)以及第2母线(21B)；从这些母线(21)起延伸且相互交叉的多个第1电极指(23A)以及多个第2电极指(23B)；从母线(21)起延伸、且前端与多个第2电极指(23B)以及多个第1电极指(23A)的前端隔着间隙(s1)对置的多个第1虚拟电极(25A)以及多个第2虚拟电极(25B)；从多个第1虚拟电极(25A)的前端侧部分起向其侧方突出的多个第1辅助电极(27A)；以及从多个第2虚拟电极(25B)的前端侧部分起向其侧方突出的多个第2辅助电极(27B)。多个第1辅助电极(27A)在第2母线(21B)侧的缘部(27a)越往前端侧去越靠第2母线(21B)侧。

Description

弹性波元件以及使用其的弹性波装置
技术领域
本发明涉及弹性表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)元件等的弹性波元件以及使用其的弹性波装置。
背景技术
具有压电基板、以及设置于压电基板的主面上的IDT(InterDigitalTransducer)电极(励振电极)的弹性波元件是公知的(例如专利文献1或2)。IDT电极具有1对梳状电极。各梳状电极具有：在SAW的传播方向上延伸的母线；以及从该母线起向与SAW的传播方向正交的方向延伸，且排列在SAW的传播方向上的多个电极指。而且，1对梳状电极被配置成多个电极指啮合(交叉)。另外，专利文献1以及2的各梳状电极具有从母线起向SAW的传播方向延伸且其前端与另一方的梳状电极的电极指的前端隔着间隙对置的虚拟电极。
在专利文献1中，公开了使虚拟电极的前端粗的情况。在专利文献1中认为，通过这样的构成，在电极指的前端与虚拟电极的前端的间隙周边处的SAW的反射或散射被抑制，弹性波元件的谐振特性或滤波特性得以提高。
在专利文献2的图15中，公开了对虚拟电极的前端、和与该虚拟电极在SAW的传播方向上相邻的电极指进行连接的情况。在专利文献2中认为，通过这样的构成，电极指的交叉范围的外侧区域中的声速下降，SAW被封在交叉范围内，弹性波元件的特性得以提高。
然而，在专利文献1的技术中，由于使虚拟电极的前端粗，因此虚拟电极的前端与电极指的前端的间隙变小，从而这些虚拟电极与电极指短路的风险变高。另外，在专利文献2的技术中，未着眼于虚拟电极的前端与电极指的前端的间隙处的弹性波的传播损耗，从而未成为将这样的传播损耗抑制在适当水平的形状。
因此，优选提供在抑制虚拟电极与电极指的短路的同时能降低弹性波的传播损耗的弹性波元件以及弹性波装置。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2008/126614号册
专利文献2：日本特开2008-92017号公报
发明内容
本发明的一形态所涉及的弹性波元件具备：压电基板、以及位于该压电基板的上表面的IDT电极，该IDT电极具有：第1母线以及第2母线，其在与弹性波的传播方向正交的方向上相互对置；多个第1电极指，其从所述第1母线起向所述第2母线延伸，且排列在所述传播方向上；多个第2电极指，其从所述第2母线起向所述第1母线延伸，排列在所述传播方向上，且与所述多个第1电极指相互交叉；多个第1虚拟电极，其从所述第1母线起向所述第2母线延伸，排列在所述传播方向上，且前端与所述多个第2电极指的前端隔着间隙对置；多个第2虚拟电极，其从所述第2母线起向所述第1母线延伸，排列在所述传播方向上，且前端与所述多个第1电极指的前端隔着间隙对置；多个第1辅助电极，其从所述多个第1虚拟电极的前端侧部分起向其侧方突出；以及多个第2辅助电极，其从所述多个第2虚拟电极的前端侧部分起向其侧方突出，所述多个第1辅助电极当中的至少一部分第1辅助电极在所述第2母线侧的缘部越往前端侧去越靠所述第2母线侧，所述多个第2辅助电极当中的至少一部分第2辅助电极在所述第1母线侧的缘部越往前端侧去越靠所述第1母线侧。
本发明的一形态的弹性波元件具备：压电基板、以及位于该压电基板的上表面的IDT电极，该IDT电极具有：第1母线以及第2母线，其在与弹性波的传播方向正交的方向上相互对置；多个第1电极指，其从所述第1母线起向所述第2母线延伸，且排列在所述传播方向上；多个第2电极指，其从所述第2母线起向所述第1母线延伸，排列在所述传播方向上，且与所述多个第1电极指相互交叉；多个第1虚拟电极，其从所述第1母线起向所述第2母线延伸，排列在所述传播方向上，且前端与所述多个第2电极指的前端隔着间隙对置；多个第2虚拟电极，其从所述第2母线起向所述第1母线延伸，排列在所述传播方向上，且前端与所述多个第1电极指的前端隔着间隙对置；第1辅助电极，其从所述多个第1虚拟电极的前端侧部分起相对于所述传播方向倾斜地突出；以及第2辅助电极，其从所述多个第2虚拟电极的前端侧部分起相对于所述传播方向倾斜地突出。
本发明的一形态的弹性波装置具有：上述的任一弹性波元件、以及安装该弹性波元件的电路基板。
根据上述的构成，能在抑制虚拟电极与电极指的短路的同时降低弹性波的传播损耗。
附图说明
图1(a)是本发明的实施方式所涉及的SAW元件的俯视图，图1(b)是图1(a)的区域Ib的放大图。
图2是图1(b)的II-II线处的截面图。
图3(a)～图3(e)是说明SAW元件的制造方法的与图2对应的截面图。
图4是表示应用了图1的SAW元件的SAW装置的例子的截面图。
图5(a)～图5(d)是表示辅助电极的变形例的放大俯视图。
图6是表示母线的变形例的俯视图。
图7(a)以及图7(b)是说明SAW的传播损耗的评价方法的图。
图8是表示比较例以及实施例的条件以及评价结果的图。
图9(a)～图9(c)是表示辅助电极的尺寸对SAW的传播损耗造成的影响的图。
图10(a)以及图10(b)是表示辅助电极的另一变形例的放大俯视图。
图11是表示辅助电极的又一变形例的放大俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施方式所涉及的弹性表面波元件(以下，也称为SAW元件)以及弹性表面波装置(以下，也称为SAW装置)。此外，以下的说明中所使用的图是示意性的，附图上的尺寸比率等与现实中不一定一致。
(SAW元件的构成以及制造方法)
图1(a)是本发明的实施方式所涉及的SAW元件1的要部的俯视图。图1(b)是图1(a)的区域Ib的放大图。图2是图1(b)的II-II线处的截面图。
此外，尽管SAW元件1可以将任一方向作为上方或下方，但以下为了方便，不仅定义正交座标系xyz，而且以z方向的正侧为上方，使用上表面、下表面等的术语。
SAW元件1具有：基板3、设置于基板3的上表面3a的IDT电极5及反射器7、设置在IDT电极5及反射器7上的附加膜9(图2)、以及从附加膜9之上覆盖上表面3a的保护层11(图2)。此外，SAW元件1此外还可以具有用于对IDT电极5进行信号的输入输出的布线等。
基板3由压电基板构成。具体而言，例如，基板3由钽酸锂(LiTaO3)单晶、铌酸锂(LiNbO3)单晶等具有压电性的单晶的基板构成。更优选地，基板3由128°±10°Y-X切割的LiNbO3基板构成。基板3的平面形状以及各种尺寸适当设定即可。作为一例，基板3的厚度(z方向)是0.2mm～0.5mm。
IDT电极5具有第1梳状电极13A以及第2梳状电极13B。此外，以下，有时将第1梳状电极13A以及第2梳状电极13B仅称为梳状电极13，不对它们进行区分。另外，关于第1梳状电极13A所涉及的构成，有时像“第1母线21A”等那样，附上“第1”以及“A”，关于第2梳状电极13B所涉及的构成，有时像“第2母线21B”等那样，附上“第2”以及“B”，另外，有时省略“第1”、“第2”、“A”、以及“B”。
各梳状电极13具有：在SAW的传播方向(x方向)上延伸的母线21(图1(a))、以及从母线21向与上述传播方向正交的方向(y方向)上延伸的多个电极指23。而且，1对梳状电极13被配置成多个电极指23相互啮合(交叉)。另外，各梳状电极13具有：在多个电极指23之间从母线21向与SAW的传播方向正交的方向(y方向)上延伸的多个虚拟电极25、以及从虚拟电极25的前端侧部分向其侧方延伸的多个辅助电极27。
母线21例如形成为以大致恒定的宽度延伸的长条状，且被配置成与SAW的传播方向平行。而且，一对母线21在与SAW的传播方向正交的方向上相互对置。
多个电极指23以大致恒定的间隔排列在SAW的传播方向上。一对梳状电极13的多个电极指23被设置成：其间距(重复间隔)p(图2。例如，电极指23的中心间距离)例如与想使谐振的频率下的SAW的波长λ的半波长相等。波长λ(2p)例如是1.5μm～6μm。各电极指23的宽度w1(图2)根据SAW元件1所要求的电特性等被适当设定，例如，相对于间距p为0.4p～0.6p。
多个电极指23的长度(前端的y方向上的位置)在SAW的传播方向上变化。因此，在图1(a)中，虚线(对多个电极指23的前端进行连接的线)所示的交叉范围R1的宽度W(与SAW的传播方向正交的方向(y方向)的长度、电极指23的交叉宽度)在SAW的传播方向(x方向)上变化。即，IDT电极5被实施了切趾。通过实施这样的切趾，来抑制所谓的横向模式的寄生的发生。
多个虚拟电极25在各梳状电极13与多个电极指23一起以大致恒定的间隔(间距p)进行了排列。而且，一方的梳状电极13的虚拟电极25的前端与另一方的梳状电极13的电极指23的前端经由给定的间隙s1(图1(b))进行对置。间隙s1的大小(y方向。以下有时将该大小也通过s1的符号来表现。)在多个虚拟电极25大致恒定。虚拟电极25的前端的位置(长度)与交叉宽度W在SAW的传播方向上变化相对应地，在SAW的传播方向上变化。尽管虚拟电极25的各种尺寸适当设定即可，但例如虚拟电极25的宽度与电极指23的宽度w1同等，另外，间隙s1的大小是λ/8至λ/2(p)左右。
多个辅助电极27从多个虚拟电极25的前端的侧方缘部起突出。在多个虚拟电极25当中从与自己相同的母线21起延伸的电极指23位于两邻的虚拟电极25(在本实施方式中，位于IDT电极5的端部的虚拟电极25以外的虚拟电极25)，辅助电极27从两侧的侧方缘部起突出。
辅助电极27的前端与从和该辅助电极27的根部的虚拟电极25相同的母线21起延伸的、与该虚拟电极25相邻的电极指23的侧方缘部连接。即，辅助电极27与应成为等电位的虚拟电极25和电极指23连接。
辅助电极27例如按照越往前端侧(与电极指23连接的一侧)去越靠另一方的梳状电极13的母线21侧的方式倾斜地延伸。即，第1辅助电极27A按照越往前端侧去越靠第2母线21B侧的方式倾斜地延伸，第2辅助电极27B按照越往前端侧去越靠第1母线21A侧的方式倾斜地延伸。
若着眼于辅助电极27的另一方的梳状电极13的母线21侧的缘部27a(图1(b))以及其相反侧的缘部27b(图1(b))，则第1辅助电极27A的缘部27a以及缘部27b按照越往前端侧去越靠第2母线21B侧的方式倾斜地延伸，第2辅助电极27B的缘部27a以及缘部27b按照越往前端侧去越靠第1母线21A侧的方式倾斜地延伸。
辅助电极27的宽度w2、相对于与SAW的传播方向正交的方向(y方向)的角度α、以及对虚拟电极25的连接位置适当设定即可。此外，连接位置例如通过辅助电极27的中心线与虚拟电极25的中心线的交叉位置、与虚拟电极25的前端的距离d来定义。宽度w2例如与电极指23以及虚拟电极25的宽度w1相等，角度α例如是45度左右，距离d例如相对于SAW的波长λ为0.20λ～0.40λ。
此外，图1(a)等是示意图，实际上可以设置具有比之更多的电极指23等的多对梳状电极。另外，既可以构成将多个IDT电极5以串联连接或并联连接等方式进行了连接而成的梯型SAW滤波器，也可以构成将多个IDT电极5沿x方向进行配置而成的2重模式SAW谐振器滤波器等。
IDT电极5例如由金属形成。作为该金属，例如可列举Al或以Al为主成分的合金(Al合金)。Al合金例如是Al-Cu合金。此外，IDT电极5可以由多个金属层构成。IDT电极5的各种尺寸根据SAW元件1所要求的电特性等被适当设定。作为一例，IDT电极5的厚度e(图2)是100nm～300nm。
此外，IDT电极5可以直接配置于基板3的上表面3a，也可以经由另一构件配置于基板3的上表面3a。另一构件例如由Ti、Cr、或者它们的合金等构成。如此在经由另一构件将IDT电极5配置于基板3的上表面3a的情况下，另一构件的厚度被设定成几乎不对IDT电极5的电特性造成影响的程度的厚度(例如，在Ti的情况下IDT电极5的厚度的5％的厚度)。
若由IDT电极5对基板3施加电压，则在基板3的上表面3a附近感应沿上表面3a在x方向上传播的SAW。另外，SAW在电极指23与电极指23的非配置区域的边界进行反射。而且形成将电极指23的间距作为半波长的驻波。驻波被变换成与该驻波为同一频率的电信号，由电极指23取出。如此，SAW元件1作为谐振器或者滤波器发挥功能。
反射器7形成为与IDT电极5的电极指23的间距p大致相等的间距的格子状。反射器7例如不仅由与IDT电极5相同的材料来形成，而且形成为与IDT电极5同等的厚度。
保护层11例如被设置成占据基板3的上表面3a的几乎整面，不仅覆盖设置了附加膜9的IDT电极5以及反射器7，而且还覆盖了上表面3a当中从IDT电极5以及反射器7露出的部分。保护层11的上表面3a起的厚度T(图2)被设定成大于IDT电极5以及反射器7的厚度e。例如，厚度T比厚度e厚100nm以上，为200nm～700nm。另外，例如，厚度T从另一观点出发，相对于SAW的波长λ为0.2λ～0.5λ。
保护层11由具有绝缘性的材料构成。优选地，保护层11由若温度上升则弹性波的传播速度变快的SiO2等材料形成，由此能将因SAW元件1的温度的变化所致的电特性的变化抑制得较小。具体如下。
若基板3的温度上升，则基板3中的SAW的传播速度变慢，另外，间距p因基板3的热膨胀而变大。其结果，谐振频率变低，有得不到期望的特性的风险。而若设置保护层11，则弹性波不仅在基板3，在保护层11也进行传播。而且，保护层11通过由若温度上升则弹性波的传播速度变快的材料(SiO2)形成，从而在基板3以及保护层11传播的SAW整体上因温度上升所致的速度的变化被抑制。此外，保护层11还有助于保护IDT电极5不受腐蚀等侵害。
保护层11的表面期望没有大的凹凸。在基板3上传播的SAW的传播速度受保护层11的表面的凹凸的影响而变化，因此若在保护层11的表面存在大的凹凸，则制造出的各SAW元件1的谐振频率会产生大的波动。因此，若使保护层11的表面平坦，则各弹性波元件的谐振频率将稳定化。具体而言，期望将保护层11的表面的平坦度设为在基板3上传播的SAW的波长的1％以下。
附加膜9用于使IDT电极5以及反射器7的电特性提高。附加膜9例如被设置成占据IDT电极5以及反射器7的上表面的整面。附加膜9的与电极指23的长边方向(y方向)正交的截面形状例如设为了类矩形。其中，附加膜9的截面形状可以设为梯形或圆顶形状。附加膜9的厚度t(图2)适宜设定在附加膜9不从保护层11露出的范围即可。例如，附加膜9的厚度相对于SAW的波长λ为0.01λ～0.4λ。
构成附加膜9的材料是声阻抗与构成IDT电极5、反射器7、以及保护层11的材料不同的材料。声阻抗的差异优选为一定程度以上，例如15MRayl以上，进一步优选为20MRayl以上。
作为这样的材料，例如在IDT电极5由Al(声阻抗：13.5MRayl)构成、且保护层11由SiO2(12.2MRayl)构成的情况下，可列举WC(102.5MRayl)、TiN(56.0MRayl)、TaSiO2(40.6MRayl)、Ta2O5(33.8MRayl)、W5Si2(67.4MRayl)。
在IDT电极5由Al构成、且保护层11由SiO2构成的情况下，这些声阻抗接近，因此电极指23与电极指23的非配置区域的边界在声音上变得模糊，该边界处的反射系数下降。其结果，得不到充分的SAW的反射波，存在得不到期望的特性的风险。而通过将由声阻抗与IDT电极5以及保护层11的材料不同的材料形成的附加膜9设置于IDT电极5的上表面，从而电极指23与电极指23的非配置区域的边界处的反射系数变高，变得容易得到期望的特性。
此外，优选附加膜9的材料较之于IDT电极5、反射器7、以及保护层11的材料，弹性波的传播速度慢。通过使传播速度慢，从而振动分布容易集中于附加膜9，电极指23与电极指23的非配置位置的边界处的反射系数有效地变高。
作为这样的材料，例如在IDT电极5由Al(传播速度：5020m/s)构成、且保护层11由SiO2(5560m/s)构成的情况下，可列举TaSiO2(4438m/s)、Ta2O5(4352m/s)、W5Si2(4465m/s)。此外，如所知道的，对于弹性波的传播速度比IDT电极5等的材料慢的材料，较之于声阻抗比IDT电极5等的材料小的材料，声阻抗大的材料选择的自由度更高。
图3(a)～图3(e)是说明SAW元件1的制造方法的概要的、每个制造工序的图2所对应的截面图。制造工序从图3(a)到图3(e)依次进行。此外，关于各种层，尽管形状等随工艺流程的推进而变化，但有时在变化的前后使用公共的符号。
如图3(a)所示，首先，在基板3的上表面3a上，形成作为IDT电极5以及反射器7的导电层15、以及作为附加膜9的附加层17。具体而言，首先，通过溅镀法、蒸镀法或CVD(Chemical Vapor Deposition：化学的气相沉积)法等的薄膜形成法，在上表面3a上形成导电层15。接下来，通过同样的薄膜形成法来形成附加层17。
在形成附加层17时，如图3(b)所示，形成作为用于对附加层17以及导电层15进行蚀刻的掩模的抗蚀剂层19。具体而言，通过适宜的薄膜形成法来形成负型或者正型的感光性树脂的薄膜，并通过光刻法等在IDT电极5以及反射器7等的非配置位置上去除薄膜的一部分。
接下来，如图3(c)所示，通过RIE(Reactive Ion Etching：反应性离子蚀刻)等的适宜的蚀刻法，来进行附加层17以及导电层15的蚀刻。由此，形成设置了附加膜9的IDT电极5以及反射器7。其后，如图3(d)所示，通过使用适宜的药物溶液，来去除抗蚀剂层19。
而且，如图3(e)所示，通过溅镀法或者CVD法等适宜的薄膜形成法来形成作为保护层11的薄膜。在该时间点，在作为保护层11的薄膜的表面，因IDT电极5等的厚度而形成凹凸。然后，根据需要通过化学机械抛光等使表面平坦化，如图2所示，形成保护层11。此外，保护层11为了在平坦化之前或者后，使后述的焊盘39(图4)等露出，可以通过光刻法等来去除一部分。
(SAW装置的构成)
图4是表示应用了上述的SAW元件1的SAW装置51的例子的截面图。
SAW装置51例如构成了滤波器或者双工器。SAW装置51具有：SAW元件31、以及安装SAW元件31的电路基板53。
SAW元件31例如作为所谓的晶圆级封装的SAW元件来构成。SAW元件31具有：上述的SAW元件1、覆盖基板3的SAW元件1侧的盖体33、贯通盖体33的端子35、以及覆盖与基板3的SAW元件1相反侧的背面部37。
盖体33由树脂等构成，在IDT电极5以及反射器7的上方(z方向的正侧)构成了用于使SAW的传播容易化的振动空间33a。在基板3的上表面3a上形成有：与IDT电极5连接的布线38、以及与布线38连接的焊盘39。端子35形成于焊盘39上，与IDT电极5电连接。背面部37例如，虽未特别图示，但具有：用于根据温度变化等对基板3表面所充电了的电荷进行放电的背面电极、以及覆盖该背面电极的保护层。
电路基板53例如由所谓的刚性式的印刷布线基板构成。在电路基板53的安装面53a形成有安装用焊盘55。
SAW元件31使盖体33侧与安装面53a对置地进行配置。而且，端子35与安装用焊盘55通过焊料57来进行粘接。其后，SAW元件31由密封树脂59进行密封。
根据以上的实施方式，SAW元件1具有：基板3、以及位于基板3的上表面3a的IDT电极5。IDT电极5具有：在与SAW的传播方向正交的方向(y方向)上相互对置的第1母线21A以及第2母线21B；从第1母线21A起向第2母线21B延伸，且排列于传播方向(x方向)的多个第1电极指23A；从第2母线21B起向第1母线21A延伸，排列于x方向，且与多个第1电极指23A相互交叉的多个第2电极指23B；从第1母线21A起向第2母线21B延伸，排列于x方向，且前端与多个第2电极指23B的前端隔着间隙s1对置的多个第1虚拟电极25A；从第2母线21B起向第1母线21A延伸，排列于x方向，且前端与多个第1电极指23A的前端隔着间隙s1对置的多个第2虚拟电极25B；从多个第1虚拟电极25A的前端侧部分起向其侧方突出的多个第1辅助电极27A；以及从多个第2虚拟电极25B的前端侧部分起向其侧方突出的多个第2辅助电极27B。而且，多个第1辅助电极27A在第2母线21B侧的缘部27a越往前端侧去越靠第2母线21B侧，多个第2辅助电极27B在第1母线21A侧的缘部27a越往前端侧去越靠第1母线21A侧。
由此，各辅助电极27在确保与电位和自己的不同的(所属的梳状电极13不同的)电极指23的前端相隔的距离的同时，从SAW的传播方向(x方向)观察，能缩小电极指23与虚拟电极25的间隙s1。其结果，不仅抑制相互电位不同的电极指23与虚拟电极25(例如第1电极指23A与第2虚拟电极25B)短路，而且抑制因SAW在间隙s1发散而产生SAW的传播损耗。
IDT电极5是多个第1电极指23A、多个第2电极指23B、多个第1虚拟电极25A、以及多个第2虚拟电极25B的前端在y方向上的位置相对于传播方向(x方向)变化的切趾电极。
在这样的切趾电极，尽管横向模式的寄生的发生被抑制，但在交叉宽度W变窄的位置上间隙s1将位于1对母线21间的中央侧，因此容易产生SAW的发散。因此，在这样的切趾电极，基于辅助电极27的SAW的发散抑制效果显著地呈现。而且，将得到在横向模式的寄生的发生抑制以及SAW的传播损耗抑制方面卓越的SAW元件。
关于多个第1虚拟电极25A当中的至少一部分，第1电极指23A位于两邻，1对第1辅助电极27A从前端侧部分起向其侧方两侧突出。而且，1对第1辅助电极27A均是第2母线21B侧的缘部27a越往前端侧去越靠第2母线21B侧。在第2梳状电极13B侧也同样。
因此，将配置成由2个辅助电极27夹着间隙s1，传播方向的双向的SAW在另一观点上，能将所励起的SAW以及所反射的SAW的两者的发散抑制在适当水平。另外，在间隙s1的周边变得容易确保辅助电极27的面积，从该点出发，SAW的发散抑制效果也得以提高。
多个第1辅助电极27A的前端与多个第1电极指23A连接，多个第2辅助电极27B的前端与多个第2电极指23B连接。
因此，应成为等电位的电极指23、虚拟电极25、以及辅助电极27的电位相对稳定，能期待IDT电极5的电特性稳定。另外，即使虚拟电极25或电极指23因工艺上的问题而在根部部分发生欠缺，也经由辅助电极27与相邻的电极指23或虚拟电极25进行了连接，因此保证了电连接。故而，能期待合格率的提高。另外，如上所述，在电极指23位于两邻的虚拟电极25的侧方两侧设置有第1辅助电极27A的情况下，在交叉范围R1的外侧，虚拟电极25的前端和与虚拟电极25并列排列的电极指23之间的间隙遍历SAW的(大致)整个传播方向被填塞，因此能期待对SAW发散到交叉范围R1的外侧进行抑制。
SAW元件1还具有覆盖IDT电极5以及基板3的上表面3a且由从基板3的上表面3a起的厚度T比IDT电极5的厚度e大的SiO2构成的保护层11，IDT电极由Al或以Al为主成分的合金构成。
因此，如所述那样，将得到温度特性卓越的SAW元件。另外，在间隙s1，将存在具有与IDT电极5同样的声阻抗的保护层11。其结果，间隙s1处的SAW的发散被抑制，其发散抑制效果与基于辅助电极27的发散抑制效果叠加，进一步实现了SAW的传播损耗的抑制。从另一观点出发，保护层11能有助于SAW的发散抑制，能减小辅助电极27，甚至能确保应成为不同的电位的电极指23与虚拟电极25的距离。
SAW元件1还具有：位于IDT电极5的上表面，被保护层11覆盖，且由声阻抗比IDT电极5的材料以及保护层11的材料大且弹性波的传播速度慢的材料构成的附加膜9。
因此，如所述那样，能弥补与保护层11的反射系数有关的短处。若设置附加膜9，则将减小基于保护层11的间隙s1处的SAW的发散抑制效果。因此，基于辅助电极27的发散抑制效果变得显著。而且，将得到温度特性卓越、能充分确保SAW的反射系数且在SAW的传播损耗抑制方面卓越的SAW元件。
(变形例)
图5(a)～图5(d)是表示辅助电极的平面形状的变形例的图1(b)所对应的图。此外，尽管在这些图中，示出了第2母线21B侧的第2辅助电极27B、127B、以及227B的形状，但第1母线21A侧的第1辅助电极的形状也与第2辅助电极的形状同样。
在图5(a)的变形例中，辅助电极127的前端不与应成为等电位的电极指23连接。在此情况下，也与实施方式的辅助电极27同样地，能在抑制与应成为不同的电位的电极指23之间的短路的同时，抑制间隙s1处的SAW的发散。
在图5(b)的变形例中，与实施方式同样的辅助电极27仅设置在虚拟电极25的侧方一侧。在此情况下，也与实施方式同样地，能在抑制与应成为不同的电位的电极指23之间的短路的同时，抑制间隙s1处的SAW的发散。
在图5(c)的变形例中，设有辅助电极27以及227。辅助电极27以及227(其交叉范围R1(参照图1(a))侧的缘部)均相对于SAW的传播方向(x方向)在沿对虚拟电极25的前端进行连接的线的一侧倾斜地延伸，优选地，沿对虚拟电极25的前端进行连接的线延伸。
辅助电极27与实施方式同样地，越往前端侧去越靠交叉范围R1侧，辅助电极227与实施方式相反，越往前端侧去越靠交叉范围R1的相反侧。各虚拟电极25对应于交叉范围R1的形状(对应于x方向的位置)，不仅在侧方一侧设置辅助电极27而且在侧方另一侧设置辅助电极227(图5(c)例示的部分)，或者在侧方两侧设置辅助电极27，或者在侧方两侧设置辅助电极227。
在该变形例中，也与实施方式同样地，能在抑制与应成为不同的电位的电极指23之间的短路的同时，抑制间隙s1处的SAW的发散。另外，由于交叉范围R1的形状与辅助电极27以及227的形状一致，因此能期待对预料外的SAW的发散或反射发生进行抑制。
在图5(d)的变形例中，仅在虚拟电极25的单侧设置有图5(c)的辅助电极227。在此情况下，也与实施方式同样地，能在确保与应成为不同的电位的电极指23的前端之间的距离的同时抑制短路，能扩大在间隙s1附近的电极面积来抑制SAW的发散。
此外，图5(b)的变形例能理解为：在图5(b)所示的范围，图5(c)的变形例中省略了辅助电极227。同样地，图5(d)的变形例能理解为：在图5(d)所示的范围，图5(c)的变形例中省略了辅助电极27。即，图5(b)至图5(d)的变形例能通过在切趾电极处辅助电极相对于SAW的传播方向沿对虚拟电极25的前端进行连接的线的一侧倾斜这样相同的概念来理解。
图6是表示母线的平面形状的变形例的与图1(a)同样的俯视图。
在该变形例中，母线321在交叉范围R1侧的缘部321a在交叉范围R1的缘部倾斜的一侧倾斜地延伸。此外，缘部321a与交叉范围R1的缘部既可以平行，也可以不平行。
(实施例)
设定辅助电极的各种形状以及尺寸，来制作了SAW元件1。而且，调查其电特性来评价了SAW的传播损耗。
(在比较例以及实施例中公共的条件)
在以下的比较例以及实施例中，公共的条件如下。
SAW的波长λ：2μm
交叉宽度W的最大值：30λ
电极指的数量：300根(150对)
虚拟电极的数量：300根
(SAW的传播损耗的评价方法)
图7(a)以及图7(b)是说明SAW的传播损耗的评价方法的图。
图7(a)是表示作为谐振器的SAW元件1的阻抗特性的图。在同图中，横轴表示频率f(MHz)，纵轴表示阻抗的绝对值|Z|(Ω)以及阻抗Z的相位θ(deg.)。实线Lz表示阻抗的绝对值|Z|的频率变化，实线Lθ表示阻抗的相位θ的频率变化。
在阻抗特性的图中，如实线Lz所示，呈现阻抗的绝对值|Z|成为极小的谐振点、以及阻抗的绝对值|Z|成为极大的反谐振点。另外，在谐振点与反谐振点之间，阻抗的相位θ成为最大相位θmax。
图7(b)是表示最大相位θmax与SAW的传播损耗LS的关系的图。在同图中，横轴表示传播损耗LS(dB/μm)，纵轴表示最大相位θmax。
如该图所示，谐振器的损耗越小，最大相位θmax变得越大。因此，通过调查最大相位θmax，能评价谐振器的损耗。此外，在损耗0的理想状态下，最大相位θmax成为90(deg.)。
如图7(a)所示，相位θ在最大相位θmax附近相对于频率f的变化缓慢地变化，另一方面，绝对值|Z|在谐振点以及反谐振点的附近，相对于频率f的变化急剧地变化。因此，最大相位θmax能比绝对值|Z|更稳定地进行测量，能期待基于最大相位θmax的损耗的评价在误差上比基于绝对值|Z|的损耗的评价更小。
(辅助电极的形状的影响)
设定使辅助电极的形状彼此不同的比较例1～3(C1～C3)以及实施例1～3(E1～E3)，来进行了SAW的传播损耗的评价。此外，在实施1～3，辅助电极27相对于全部的虚拟电极进行了设置。
图8是表示其条件以及评价结果的图。在同图中，横轴表示C1～C3以及E1～E3，纵轴表示以C1的最大相位θmax为基准的、各比较例以及实施例的最大相位θmax的改善量dθmax。
比较例1(C1)中，未设置辅助电极。比较例2(C2)中，虚拟电极的前端形成为圆形。实施例1(E1)与实施方式同样地，越往前端侧去越靠交叉范围R1侧的辅助电极27设置在虚拟电极的侧方两侧。比较例3(C3)中，设置有与SAW的传播方向平行的辅助电极。实施例2(E2)与图5(d)所示的变形例同样地，越往前端侧去越靠交叉范围R1的相反侧的辅助电极227设置在虚拟电极的侧方一侧。实施例3(E3)与图5(c)所示的变形例同样地，沿对虚拟电极的前端进行连接的线，在虚拟电极的侧方两侧设置了辅助电极27以及227。
从该图确认了，在实施例1～3当中的任一者中，较之于比较例1，抑制了SAW的传播损耗的下降。另外，实施例1较之于任一比较例以及实施例，SAW的传播损耗的下降抑制的效果更大。实施例3在得到与比较例2同等的SAW的传播损耗的下降抑制效果的同时，较之于比较例2更加抑制应成为不同的电位的电极指与虚拟电极的短路。
此外，若考虑电极做工的偏差，则认为在最大相位θmax产生0.3°左右的测量偏差。另一方面，认为辅助电极27的最大相位与具有辅助电极27的虚拟电极的根数成正比地被改善。考虑这两点、以及对全部的虚拟电极设置了辅助电极27的实施例1的结果，若至少对全部虚拟电极的10％以上设置辅助电极27，则认为将得到基于测量偏差的值以上的效果。
(辅助电极的尺寸的影响)
与实施方式同样地，关于在虚拟电极的侧方两侧设置有越往前端侧去越靠交叉范围R1侧的辅助电极27的谐振器，改变各种尺寸来进行了SAW的传播损耗的评价。
图9(a)示出了在使辅助电极27相对于与SAW的传播方向正交的方向的角度α(图1(b))进行了变化时的最大相位θmax的变化。横轴表示角度α(deg.)，纵轴表示最大相位θmax(deg.)。此外，角度α以辅助电极27的中心线为基准。
此外，其他条件如下。
辅助电极27的宽度w2(图1(b))：0.5μm
辅助电极27的连接位置(距离d，图1(b))：0.75μm
从该图可知，使角度α越小，换言之，使前端越接近交叉范围R1，则越抑制了SAW的传播损耗。这是由于，角度α变得越小，则认为从SAW的传播方向上观察，间隙s1越容易被填塞，或者间隙s1的附近的电极面积越容易增加。另外，在该实施例中还确认了，在角度α为45°时，应成为不同的电位的辅助电极27与电极指23的短路不会发生。
角度α只要变得哪怕比90°大一点，就将得到传播损耗抑制的好处。另外，在实施例中，在角度α为60°时，比角度α为90°时确认了更有意义的差(效果)。
另一方面，若使角度α过小，则应成为不同的电位的辅助电极27与电极指23的距离s2(图1(b))变短，从而存在它们短路的风险。关于应成为不同的电位的辅助电极27与电极指23的距离s2，例如若假定为辅助电极27的缘部27a与虚拟电极25的前端缘部一致，则通过s1×sinα来表征。若假定s1为0.2λ左右，则从经验上来说，至s2为0.1λ左右为止，发生短路的可能性都低，因此将sinθ设为0.5以上即可。即，α设为30°以上即可。
基于以上，角度α优选为30°以上60°以下，另外，若还假定s1、d、w2等的条件发生变化，则进一步优选为其中央附近的45°程度。
图9(b)示出了在使辅助电极27的宽度w2变化时的最大相位θmax的变化。横轴表示宽度w2(μm)，纵轴表示最大相位θmax(deg.)。
此外，其他条件如下。
辅助电极27的角度α：45°
辅助电极27的连接位置(距离d)：0.75μm
从该图可知，随着使宽度w2变大，将抑制SAW的传播损耗，若进一步使宽度w2变大，则传播损耗的抑制效果绝佳。这是由于，若宽度w2小，则认为辅助电极27的面积小，因此实质上填埋间隙s1的效果不足，在要想在辅助电极27抑制来自间隙s1的SAW的发散而确保了充分的面积这方面所产生的传播损耗成为SAW元件1整体的损耗的问题，而不是间隙s1处的损耗的问题。在实施例中，传播损耗的抑制效果变得绝佳之处是在0.50μm(0.25λ)附近。
另外，若将由电位应相同的电极指23、虚拟电极25、以及辅助电极27包围的区域全部由电极进行填埋(若未设置虚拟电极25以及辅助电极27而使母线21变粗)，则电特性明显下降。该形态与将辅助电极27的宽度w2增大至极限的形态近似，可知宽度w2有上限值。另外，尽管还取决于表示连接位置的距离d，但若宽度w2变大，则应成为不同的电位的辅助电极27与电极指23的距离s2变短，从而存在它们短路的风险。另一方面，在实施例中，在宽度w2为1μm(0.5λ)时，确认了将得到传播损耗的抑制的效果，另外，确认了应成为不同的电位的辅助电极27与电极指23的短路不会发生。
基于以上，宽度w2优选为0.25λ以上0.5λ以下，从另一观点出发，为0.50μm以上1μm以下。
图9(c)示出了在使辅助电极27的连接位置(距离d)进行了变化时的最大相位θmax的变化。横轴表示距离d(μm)，纵轴表示最大相位θmax(deg.)。
此外，其他条件如下。
辅助电极27的角度α：45°
辅助电极27的宽度w2：0.5μm
从该图可知，使辅助电极27越接近交叉范围R1侧，则越抑制了SAW的传播损耗。这是由于，若辅助电极27越接近交叉范围R1，则认为从SAW的传播方向上观察，间隙s1越容易被填塞，或者在间隙s1的附近的电极面积越容易增加。
在该实施例中确认了，在距离d为0.50μm(0.25λ)以上0.75μm(0.38λ)以下时，不仅得到最大相位θmax超过83°的充分的传播损耗抑制效果，而且应成为不同的电位的辅助电极27与电极指23的短路不会发生。因此，距离d的优选范围为0.25λ以上0.38λ以下，从另一观点出发，为0.50μm以上0.75μm以下。
本发明不限于以上的实施方式，可以以各种形态来实施。
弹性波元件不限于(狭义的)SAW元件。例如，可以是保护层(11)的厚度较大的(例如0.5λ～2λ)所谓的弹性边界波元件(其中，包含在广义的SAW元件中。)。此外，在弹性边界波元件，不需要形成振动空间(33a)，甚至连盖体33等也不需要。
弹性波元件不限于晶圆级封装。例如，SAW元件可以不具有盖体33以及端子35等，而使基板3的上表面3a上的焊盘39、与电路基板53的安装用焊盘55通过焊料57来直接粘接。而且，可以通过SAW元件1(保护层11)与电路基板53的安装面53a的间隙来形成振动空间。另外，晶圆级封装的弹性波元件也可以不设置端子，而设为将焊盘39与配置于安装用焊盘55的焊料球抵接等构成的各种构成。
IDT电极不限于交叉宽度在弹性波的传播方向上变化的切趾电极，也可以是交叉宽度恒定的电极。在此情况下，也能抑制因SAW在间隙s1发散所致的传播损耗。第1电极指以及第2电极指也可以不遍历弹性波的整个传播方向来交替地进行配置，还可以在一部分使第1电极指彼此或者第2电极指彼此以弹性波的半波长程度相邻。
辅助电极的形状不限于实施方式或变形例中例示的形状。
例如，像实施方式的辅助电极那样，在交叉范围(R1)侧的缘部(27a)越往前端侧去越靠交叉范围侧的辅助电极，无需使交叉范围的相反侧的缘部(27b)越往前端侧去越靠交叉范围侧。
例如，可以像图10(a)例示的那样，辅助电极427在交叉范围侧(第1电极指23A侧)的缘部427a越往前端侧去越靠交叉范围侧，另一方面，其相反侧的缘部427b与SAW的传播方向平行。
进而，交叉范围的相反侧的缘部(427b等)可以越往前端侧去越靠交叉范围的相反侧。另外，从另一观点出发，交叉范围侧的缘部(427a等)和其相反侧的缘部(427b等)也可以不相互平行。即，这些缘部既可以越往前端侧去相互的距离变得越长，也可以越往前端侧去相互的距离变得越短，还可以在根部和前端的两者相互的距离变长或者变短。
另外，尽管在实施方式中，电极指23等的前端形成为具有角部的矩形形状，但角部也可以磨圆。
例如，可以像图10(b)例示的那样，电极指523的前端的角部被磨圆(基于曲线来倒角)。此外，在倒角大的情况下，电极指523的前端的缘部整体成为突状的曲线状(图10(b)的例子)。
同样地，可以将辅助电极527的交叉范围侧(第1电极指523A侧)的缘部527a与虚拟电极525的前端缘部交叉的角部、以及缘部527a与电极指523的辅助电极527侧的缘部交叉的角部磨圆。通过该倒角，缘部527a使电极指523侧为凹的凹状地延伸。此外，在倒角大的情况下，辅助电极527的缘部527a以及虚拟电极525的前端缘部整体成为使电极指523的前端侧为凹的曲线状。
通过设为这样的形状，较之于角部未被磨圆的情况，能使确保电极指523的前端与缘部527a的距离变得更容易(进而使距离恒定)，且使间隙s1的附近的电极面积更大。
此外，包含图10(b)所示的曲线的形状既可以从最开始起有意形成曲线而在光掩模形成包含曲线的图案，也可以在光掩模形成由直线的组合构成的(包含角部)图案，并通过调整蚀刻的条件，来磨圆角部，或使角部附近的直线成为曲线。
另外，虚拟电极的前端缘部与从该虚拟电极突出的辅助电极的交叉范围侧的缘部在与SAW的传播方向正交的方向的位置可以不一致。
例如，如图11所示，辅助电极27的缘部27a还可以相对于虚拟电极25的前端缘部而偏移至该虚拟电极25的根部侧。换言之，虚拟电极25的前端可以从辅助电极27的缘部27a突出。
在此情况下，通过在间隙s1附近确保电极面积，进一步优选地，通过对在SAW的传播方向上观察而辅助电极27的缘部27a填塞间隙s1的至少一部分，从而也起到与实施方式同样的效果。
实施方式以及变形例可以适当组合。例如，图5(b)以及图5(d)所示的变形例还可以混合存在于一个IDT电极内，图10(b)所示的倒角也可以被应用于图5(a)～图5(d)的变形例。
在弹性波元件中，保护层11以及附加膜9不是必须的要件，另外，保护层可以仅以腐蚀防止为目的，设置得比电极指的厚度更薄。
保护层11的上表面按照电极指的位置上呈现凸的方式具有凹凸。在此情况下，能提高电极指和其非配置位置上的反射系数。该凹凸如参照图3(e)所说明的那样，既可以在保护层的成膜时因电极指的厚度而形成，也可以使保护层的表面在电极指之间的区域被蚀刻而形成。
附加膜优选设置成占据电极的整面。但附加膜也可以仅设置于电极指等的电极的一部分。进而，附加膜可以从电极指的长边方向上观察仅设置于中央侧的一部分等。另外，附加膜可以不仅设置于电极的上表面，还设置于侧面。附加膜的材料既可以是导电材料，也可以是绝缘材料。具体而言，能列举钨(W)、铱(Ir)、钽(Ta)、铜(Cu)等的导电材料、以及BaxSr1-xO3，PbxZn1-xO3，ZnO3等的绝缘材料来作为附加膜的材料。
通过以绝缘材料来形成附加膜，较之于由金属材料来形成附加膜，能进一步抑制电极的腐蚀从而使弹性波元件的电特性更加稳定化。这是由于，在由SiO2构成的保护层有时会形成针孔，若形成该针孔，则水分会经由该针孔浸入至电极部分，而若在电极上配置由与电极材料不同的材料构成的金属膜，则因浸入的水分，会发生异种金属间的电池效应所致的腐蚀。由此，若以Ta2O5等的绝缘材料来形成附加膜，则在电极与附加膜之间几乎不发生电池效应，因此能成为抑制了电极的腐蚀的可靠性高的弹性波元件。
基板除了128°±10°Y-X切割的LiNbO3基板之外，例如还能使用38.7°±Y-X切割的LiTaO3等。电极(电极指)的材料不限于Al以及以Al为主成分的合金，例如还可以是Cu、Ag、Au、Pt、W、Ta、Mo、Ni、Co、Cr、Fe、Mn、Zn、Ti。保护层的材料不限于SiO2，例如还可以是SiO2以外的氧化硅。
符号说明
1、31…SAW元件(弹性波元件)、3…基板(压电基板)、3a…上表面、5…IDT电极(电极)、9…附加膜、11…保护层、21…母线、23…电极指、25…虚拟电极、27…辅助电极、51…SAW装置(弹性表面波装置)、53…电路基板

Claims (10)

1.一种弹性波元件，具备：压电基板、以及位于该压电基板的上表面的IDT电极，
该IDT电极具有：
在与弹性波的传播方向正交的方向上相互对置的第1母线以及第2母线；
多个第1电极指，其从所述第1母线起向所述第2母线延伸，且排列在所述传播方向上；
多个第2电极指，其从所述第2母线起向所述第1母线延伸，排列在所述传播方向上，且与所述多个第1电极指相互交叉；
多个第1虚拟电极，其从所述第1母线起向所述第2母线延伸，排列在所述传播方向上，且前端与所述多个第2电极指的前端隔着间隙对置；
多个第2虚拟电极，其从所述第2母线起向所述第1母线延伸，排列在所述传播方向上，且前端与所述多个第1电极指的前端隔着间隙对置；
多个第1辅助电极，其从所述多个第1虚拟电极的前端侧部分起向其侧方突出；以及
多个第2辅助电极，其从所述多个第2虚拟电极的前端侧部分起向其侧方突出，
所述多个第1辅助电极当中的至少一部分第1辅助电极在所述第2母线侧的缘部越往前端侧去越靠所述第2母线侧，
所述多个第2辅助电极当中的至少一部分第2辅助电极在所述第1母线侧的缘部越往前端侧去越靠所述第1母线侧。
2.根据权利要求1所述的弹性波元件，其中，
所述IDT电极是所述多个第1电极指与所述多个第2电极指的交叉宽度在所述传播方向上变化的切趾电极。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波元件，其中，
关于所述多个第1虚拟电极当中的至少一部分第1虚拟电极，所述第1电极指位于两邻侧，1对所述第1辅助电极从所述至少一部分第1虚拟电极的前端侧部分起向其侧方两侧突出，
该1对第1辅助电极均是所述第2母线侧的缘部越往前端侧去越靠所述第2母线侧，
关于所述多个第2虚拟电极当中的至少一部分第2虚拟电极，所述第2电极指位于两邻侧，1对所述第2辅助电极从所述至少一部分第2虚拟电极的前端侧部分向其侧方两侧突出，
该1对第2辅助电极均是所述第1母线侧的缘部越往前端侧去越靠所述第1母线侧。
4.根据权利要求2所述的弹性波元件，其中，
关于所述多个第1虚拟电极当中的至少一部分第1虚拟电极，所述第1电极指位于两邻侧，1对所述第1辅助电极从所述至少一部分第1虚拟电极的前端侧部分起向其侧方两侧突出，
该1对第1辅助电极均是所述第2母线侧的缘部相对于所述传播方向在沿对所述多个第1虚拟电极的前端进行连接的线的一侧倾斜地延伸，
关于所述多个第2虚拟电极当中的至少一部分第2虚拟电极，所述第2电极指位于两邻侧，1对所述第2辅助电极从所述至少一部分第2虚拟电极的前端侧部分向其侧方两侧突出，
该1对第2辅助电极均是所述第1母线侧的缘部相对于所述传播方向在沿对所述多个第2虚拟电极的前端进行连接的线的一侧倾斜地延伸。
5.根据权利要求3或4所述的弹性波元件，其中，
所述多个第1辅助电极的前端与所述多个第1电极指连接，且对所述多个第1辅助电极的第2母线侧的缘部和所述第1虚拟电极的前端缘部交叉的角部、以及所述多个第1辅助电极的第2母线侧的缘部和与该第1辅助电极相邻的第1电极指的缘部交叉的角部分别进行倒角以使其磨圆，
所述多个第2辅助电极的前端与所述多个第2电极指连接，且对所述多个第2辅助电极的第1母线侧的缘部和所述第2虚拟电极的前端缘部交叉的角部、以及所述多个第2辅助电极的第1母线侧的缘部和与该第2辅助电极相邻的第2电极指的缘部交叉的角部分别进行倒角以使其磨圆。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性波元件，其中，
所述多个第1辅助电极的前端与所述多个第1电极指连接，
所述多个第2辅助电极的前端与所述多个第2电极指连接。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的弹性波元件，其中，
还具备：保护层，其覆盖所述IDT电极以及所述压电基板的上表面，从所述压电基板的上表面起的厚度大于所述IDT电极的厚度，并由SiO2构成，
所述IDT电极由以Al为主成分的材料构成。
8.根据权利要求7所述的弹性波元件，其中，
还具备：附加膜，其位于所述IDT电极的上表面，被所述保护层覆盖，且以较之于所述IDT电极的材料以及所述保护层的材料声阻抗更大且弹性波的传播速度更慢的材料为主成分。
9.一种弹性波元件，具备：压电基板、以及位于该压电基板的上表面的IDT电极，
该IDT电极具有：
在与弹性波的传播方向正交的方向上相互对置的第1母线以及第2母线；
多个第1电极指，其从所述第1母线起向所述第2母线延伸，且排列在所述传播方向上；
多个第2电极指，其从所述第2母线起向所述第1母线延伸，排列在所述传播方向上，且与所述多个第1电极指相互交叉；
多个第1虚拟电极，其从所述第1母线起向所述第2母线延伸，排列在所述传播方向上，且前端与所述多个第2电极指的前端隔着间隙对置；
多个第2虚拟电极，其从所述第2母线起向所述第1母线延伸，排列在所述传播方向上，且前端与所述多个第1电极指的前端隔着间隙对置；
第1辅助电极，其从所述多个第1虚拟电极的前端侧部分起相对于所述传播方向倾斜地突出；以及
第2辅助电极，其从所述多个第2虚拟电极的前端侧部分起相对于所述传播方向倾斜地突出。
10.一种弹性波装置，具备：
权利要求1～9中任一项所述的弹性波元件；以及
安装该弹性波元件的电路基板。
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