JP6752287B2 - 弾性波フィルタ、弾性波デバイス、分波器および通信装置 - Google Patents

弾性波フィルタ、弾性波デバイス、分波器および通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6752287B2
JP6752287B2 JP2018547675A JP2018547675A JP6752287B2 JP 6752287 B2 JP6752287 B2 JP 6752287B2 JP 2018547675 A JP2018547675 A JP 2018547675A JP 2018547675 A JP2018547675 A JP 2018547675A JP 6752287 B2 JP6752287 B2 JP 6752287B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resonator
capacitance
parallel
filter
resonance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018547675A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018079522A1 (ja
Inventor
伊藤　幹
幹 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2018079522A1 publication Critical patent/JPWO2018079522A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6752287B2 publication Critical patent/JP6752287B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本開示は、弾性波を利用して信号をフィルタリングする弾性波フィルタ、当該弾性波フィルタを含む弾性波デバイス、分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）である。
弾性波フィルタとして、複数の弾性波共振子をラダー型に接続したラダー型フィルタが知られている（特許文献１）。特許文献１では、弾性波共振子に対して容量部を並列に接続している。また、特許文献１では、このような容量部を設けることによって、共振周波数を変化させずに、反共振周波数を共振周波数に近づけ、共振周波数と反共振周波数との差Δｆを小さくできることについて言及している。
特開２００１−３４５６７５号公報
本開示の一態様に係る弾性波フィルタは、圧電基板と、直列腕と、１以上の並列共振部とを有している。前記直列腕は、前記圧電基板上に位置している１以上の直列共振部を含んでいる。前記１以上の並列共振部は、前記圧電基板上に位置しており、前記直列腕とラダー型フィルタを構成している。前記１以上の直列共振部および前記１以上の並列共振部のうちのいずれか１つである第１共振部は、第１共振子と、第１容量部とを有している。前記第１共振子は、前記圧電基板上に位置しているＩＤＴ電極、およびその両側に位置している１対の反射器を含んでいる。前記第１容量部は、前記第１共振子と並列接続されている。前記第１容量部の容量は前記第１共振子のＩＤＴ電極の容量の０．８倍以上である。前記第１共振部の反共振周波数と共振周波数との差は前記第１共振子の反共振周波数と共振周波数との差よりも小さい。
本開示の一態様に係る弾性波デバイスは、上記の弾性波フィルタと、前記弾性波フィルタが実装されている実装基板と、を有している。前記実装基板は、前記複数の基準電位端子と接合されている複数のパッドと、前記複数のパッドに接続されている複数の配線と、前記複数のパッドと前記複数の配線を介して接続されている複数の外部端子と、を有している。前記複数のパッドは、当該複数のパッドから前記複数の外部端子までにおいて互いに短絡されていない２つのパッドを含む。前記２つの基準電位端子の一方は、前記２つのパッドの一方に接続されている。前記２つの基準電位端子の他方は、前記２つのパッドの他方に接続されている。
本開示の一態様に係る分波器は、アンテナ端子と、送信信号をフィルタリングして前記アンテナ端子に出力する送信フィルタと、前記アンテナ端子からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、を有している。前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、上記の弾性波フィルタを含んでいる。
本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている上記の分波器と、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されているＩＣと、を有している。
ＳＡＷ共振子の構成を示す平面図である。 図１のＳＡＷ共振子を含むＳＡＷフィルタの構成を模式的に示す平面図である。 図３（ａ）は図２のＳＡＷフィルタを含む分波器を模式的に示す断面図であり、図３（ｂ）は分波器の回路の一部を模式的に示す図である。 図３の分波器を含む通信装置を示す模式図である。 図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）および図５（ｄ）はシミュレーション計算結果を示す図である。 ＳＡＷフィルタの変形例を示す模式図である。 図２のＳＡＷフィルタと他の変形例のＳＡＷフィルタとの周波数特性のシミュレーション計算結果を示す図である。
以下、本開示の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
同一または類似する構成については、「第１櫛歯電極１１Ａ」、「第２櫛歯電極１１Ｂ」のように、同一名称に対して互いに異なるアルファベットを付して呼称することがあり、また、この場合において、単に「櫛歯電極１１」といい、これらを区別しないことがある。
（ＳＡＷ共振子の構成）
図１は、実施形態に係るＳＡＷフィルタ５１（図２）に用いられるＳＡＷ共振子１の構成を示す平面図である。
ＳＡＷ共振子１（ＳＡＷフィルタ５１）は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の説明では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義し、Ｄ３軸の正側（図１の紙面手前側）を上方として、上面等の語を用いることがあるものとする。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板３の上面（紙面手前側の面。通常は最も広い面（主面）。）に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板３の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板３の上面に直交するように定義されている。
ＳＡＷ共振子１は、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子を構成しており、例えば、模式的に示す第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂの一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号を第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂの他方から出力する。
このような１ポートＳＡＷ共振子としてのＳＡＷ共振子１は、例えば、圧電基板３と、圧電基板３上に設けられた共振子電極部５とを有している。共振子電極部５は、ＩＤＴ電極７と、ＩＤＴ電極７の両側に位置する１対の反射器９とを有している。
圧電基板３は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶である。カット角は、利用するＳＡＷの種類等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板３は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板３の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板３の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。なお、圧電基板３は、比較的薄く形成され、裏面（Ｄ３軸負側の面）に無機材料または有機材料からなる支持基板が貼り合わされたものであってもよい。
ＩＤＴ電極７および反射器９は、圧電基板３上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極７および反射器９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されてもよい。層状導体の厚さは、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜６００ｎｍである。
ＩＤＴ電極７は、第１櫛歯電極１１Ａ（視認性をよくする便宜上ハッチングを付す）および第２櫛歯電極１１Ｂを有している。各櫛歯電極１１は、バスバー１３と、バスバー１３から互いに並列に延びる複数の電極指１５と、複数の電極指１５の間にてバスバー１３から突出する複数のダミー電極１７とを有している。１対の櫛歯電極１１は、複数の電極指１５が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。すなわち、１対の櫛歯電極１１の２本のバスバー１３は互いに対向して配置され、第１櫛歯電極１１Ａの電極指１５と第２櫛歯電極１１Ｂの電極指１５とはその幅方向に基本的に交互に配列されている。また、一方の櫛歯電極１１の複数のダミー電極は、その先端が他方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と対向している。
バスバー１３は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー１３は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー１３は、幅が変化していたり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜していたりしてもよい。
各電極指１５は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数の電極指１５は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。なお、ＩＤＴ電極７は、複数の電極指１５の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。
電極指１５の本数は、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指１５の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多く（例えば１００本以上）の電極指１５が配列されてよい。後述する反射器９のストリップ電極２１についても同様である。
複数の電極指１５のピッチｐ（電極指ピッチ）は、例えば、ＩＤＴ電極７全体に亘って概ね一定とされている。なお、ピッチｐは、例えば、互いに隣り合う２本の電極指１５（または後述するストリップ電極２１）の中心間距離である。ピッチｐは、基本的に、圧電基板３上を伝搬するＳＡＷのうち共振させたい周波数と同等の周波数を有するＳＡＷの波長λの半分（ｐ＝λ／２）とされている。
複数のダミー電極１７は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に突出する長尺状に形成されている。その先端と複数の電極指１５の先端とのギャップは、例えば、複数のダミー電極１７間で同等である。複数のダミー電極１７の幅、本数およびピッチは、複数の電極指１５と同等である。なお、ダミー電極１７の幅は電極指１５と異なっていてもよい。
また、ＩＤＴ電極７は、ダミー電極１７を有さないものであってもよい。以下の説明では、ダミー電極１７の説明および図示を省略することがある。
反射器９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器９は、互いに対向する１対のバスバー１９と、１対のバスバー１９間において延びる複数のストリップ電極２１とを有している。
バスバー１９およびストリップ電極２１の形状は、ストリップ電極２１の両端が１対のバスバー１９に接続されていることを除いては、ＩＤＴ電極７のバスバー１３および電極指１５と同様とされてよい。
例えば、バスバー１９は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各ストリップ電極２１は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。また、複数のストリップ電極２１は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。複数のストリップ電極２１の幅およびピッチは、例えば、複数の電極指１５の幅およびピッチと同等である。
複数のストリップ電極２１の本数は、例えば、利用を意図しているモードのＳＡＷの反射率が概ね１００％以上となるように設定されている。その理論的な必要最小限の本数は、例えば、数本〜１０本程度であり、通常は、余裕を見て２０本以上または３０本以上とされている。
１対の反射器９は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向においてＩＤＴ電極７の両側に隣接している。従って、複数のストリップ電極２１は、複数の電極指１５の配列に続いて配列されている。反射器９とＩＤＴ電極７との間で互いに隣接するストリップ電極２１と電極指１５とのピッチは、例えば、複数の電極指１５のピッチと同等である。
なお、特に図示しないが、圧電基板３の上面は、ＩＤＴ電極７および反射器９の上から、ＳｉＯ２等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜は、単にＩＤＴ電極７等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極７および反射器９の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されると、電極指１５によって圧電基板３に電圧が印加され、圧電基板３の上面付近において上面に沿ってＤ１軸方向に伝搬する所定のモードのＳＡＷが励起される。励起されたＳＡＷは、電極指１５によって機械的に反射される。その結果、電極指１５のピッチを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指１５によって取り出される。このようにしてＳＡＷ共振子１は共振子として機能する。その共振周波数は、電極指ピッチを半波長として圧電基板３上を伝搬するＳＡＷの周波数と概ね同一の周波数である。
ＩＤＴ電極７において励起されたＳＡＷは、反射器９のストリップ電極２１によって機械的に反射される。また、互いに隣接するストリップ電極２１がバスバー１９によって互いに接続されていることから、ＩＤＴ電極７からのＳＡＷは、電気的にもストリップ電極２１によって反射される。これにより、ＳＡＷの発散が抑制され、ＩＤＴ電極７における定在波が強く立ち、ＳＡＷ共振子１の共振子としての機能が向上する。
ＩＤＴ電極７は、特性の向上または微調整のために、その一部（例えば電極指ピッチの総数の５０％未満、または５％未満）に、大部分の電極指ピッチとは異なる大きさの電極指ピッチが設定されることがある。例えば、ＩＤＴ電極７は、ＳＡＷの伝搬方向の両側に、他の大部分よりも電極指ピッチが小さい狭ピッチ部が設けられることがある。また、例えば、交互に配列されている１対の櫛歯電極１１の電極指１５を１〜数十本程度（例えば３本）無くす、またはこれと実質的に等価な電極指１５の幅または配列の変更を行う、いわゆる間引きが行われることがある。本開示において単にピッチという場合、このような特異な部分のピッチは除くものとする。また、ピッチがＩＤＴ電極７全体に亘って微小範囲内で変動するような場合においては、その平均値を用いてよい。
（ＳＡＷフィルタ）
図２は、ＳＡＷ共振子１を含むＳＡＷフィルタ５１の構成を模式的に示す平面図である。この図では、紙面左上側に示された共振子電極部５、ＩＤＴ電極７、反射器９、櫛歯電極１１、バスバー１３および電極指１５の符号から理解されるように、これらの導体を図１よりも更に模式的に示している。
ＳＡＷフィルタ５１は、例えば、既述の圧電基板３と、当該圧電基板３上に位置している２つの端子５３（第１端子５３Ａおよび第２端子５３Ｂ）とを有している。ＳＡＷフィルタ５１は、２つの端子５３の一方に入力された信号をフィルタリングして２つの端子５３の他方から出力する。
また、ＳＡＷフィルタ５１は、圧電基板３上に位置しており、接地される（基準電位が付与される）１以上または２以上のＧＮＤ端子５５（図示の例では第１ＧＮＤ端子５５Ａ〜第３ＧＮＤ端子５５Ｃ）を有している。２つの端子５３間を流れようとする信号のうちの不要成分（通過帯域外の信号）は、ＧＮＤ端子５５へ流される。
端子５３およびＧＮＤ端子５５は、圧電基板３の上面に位置する層状導体からなる。これらの具体的な数、形状、大きさおよび圧電基板３の上面における位置は適宜に設定されてよい。
ＳＡＷフィルタ５１は、上記のようなフィルタリングを行うために、２つの端子５３を接続する直列腕５７と、直列腕５７とＧＮＤ端子５５とを接続する１以上の並列腕５９（図示の例では第１並列腕５９Ａ〜第３並列腕５９Ｃ）とを有している。すなわち、ＳＡＷフィルタ５１は、ラダー型に接続された直列腕５７および１以上の並列腕５９を有するラダー型フィルタである。通過帯域の信号は、直列腕５７を介して２つの端子５３の一方から他方へ流れ、通過帯域外の信号は、並列腕５９を介してＧＮＤ端子５５へ流れる。
直列腕５７は、第１端子５３Ａと第２端子５３Ｂとの間において直列に接続されている複数の直列共振部６１（図示の例では第１直列共振部６１Ａ〜第４直列共振部６１Ｄ）を含んでいる。なお、直列腕が含む直列共振部６１は、１つであってもよい。
並列腕５９の数は、１つであってもよいし、複数であってもよく、以下では、複数の場合を例にとる。複数の並列腕５９は、直列腕５７に対して電気的に互いに異なる位置に接続されている。
ここでいう直列腕５７に対して電気的に互いに異なる位置は、直列腕５７が含む直列共振部６１に対する相対関係が互いに異なることを指す。例えば、第１直列共振部６１Ａと第２直列共振部６１Ｂとの間と、第２直列共振部６１Ｂと第３直列共振部６１Ｃとの間とは互いに異なる位置である。逆に、例えば、第１直列共振部６１Ａと第２直列共振部６１Ｂとの間（後述する第１直列共振子６５Ａと容量素子６７との第２直列共振部６１Ｂ側の接続点含む。）であれば、両者を接続する配線のいずれの位置であっても、電気的に同じ（共通する）位置である。
各並列腕５９は、直列腕５７とＧＮＤ端子５５とを接続している並列共振部６３（図示の例では第１並列共振部６３Ａ〜第３並列共振部６３Ｃ）を有している。
直列共振部６１および並列共振部６３それぞれは、例えば、インピーダンスが極小値をとる共振周波数と、インピーダンスが極大値をとり、共振周波数よりも周波数が高い反共振周波数とを有している。そして、直列共振部６１および並列共振部６３は、直列共振部６１の共振周波数と並列共振部６３の反共振周波数とが概ね一致するように共振周波数および反共振周波数が設定される。これにより、並列共振子６９の共振周波数と直列共振子６５の反共振周波数との間の周波数範囲よりも若干狭い範囲を通過帯域として、２つの端子５３の一方から他方へ流れる信号をフィルタリングすることができる。
（共振部）
複数の直列共振部６１は、例えば、それぞれ、少なくとも直列共振子６５（図示の例では第１直列共振子６５Ａ〜第４直列共振子６５Ｄ）を含んでいる。また、複数の直列共振部６１のいずれか（図示の例では第１直列共振部６１Ａ）は、直列共振子６５に並列に接続されている容量素子６７を含んでいてもよい。
複数の並列共振部６３は、例えば、それぞれ、少なくとも並列共振子６９（図示の例では第１並列共振子６９Ａ〜第３並列共振子６９Ｃ）を含んでいる。また、複数の並列共振部６３のいずれか（図示の例では全ての並列共振部６３）は、並列共振子６９に並列に接続されている容量素子７１（第１容量素子７１Ａ〜第３容量素子７１Ｃ）を含んでいてもよい。
直列共振子６５および並列共振子６９は、例えば、図１を参照して説明したＳＡＷ共振子１と同様の構成である。すなわち、直列共振子６５および並列共振子６９それぞれは、圧電基板３と、圧電基板３上に設けられた共振子電極部５（ＩＤＴ電極７および反射器９）とを有している。ただし、電極指１５の本数、電極指１５の長さおよび／またはピッチｐ等の具体的な値は、各共振子に要求される特性に応じて設定されている。以下では、直列共振子６５および並列共振子６９を区別せずにこれらをＳＡＷ共振子１ということがある。
直列共振子６５および並列共振子６９は、同一の圧電基板３の同一主面に設けられている。別の観点では、直列共振子６５および並列共振子６９は、圧電基板３の一部と、その上に設けられた共振子電極部５とを有しており、その配置範囲は共振子電極部５によって規定されている。なお、以下では、便宜上、共振子の用語を共振子電極部の用語と同義で用いることがある。
容量素子６７は、第１直列共振子６５Ａに対して並列接続されている。また、各並列共振部６３において、容量素子７１は、並列共振子６９に対して並列接続されている。
容量素子とＳＡＷ共振子１（ＩＤＴ電極７）との並列接続は、例えば、容量素子を構成する２つの電極の一方と、ＳＡＷ共振子１の２つの櫛歯電極１１の一方とが接続され、容量素子を構成する２つの電極の他方と、ＳＡＷ共振子１の２つの櫛歯電極１１の他方とが接続されている状態である。なお、このような接続を狭義の並列接続ということがある。
ただし、本開示においては、並列接続は、後述するように、理論上の並列接続であればよく、並列共振部６３においては、容量素子７１の２つの電極と並列共振子６９の２つの櫛歯電極１１とが上記のように接続されている必要はない。
ＳＡＷ共振子１に対して容量素子を並列接続すると、例えば、ＳＡＷ共振子１と等価な２重共振回路において反共振周波数（並列共振の周波数）を規定する制動容量が大きくなることに相当する。このことから、例えば、ＳＡＷ共振子１の反共振周波数が低くなる。ひいては、共振周波数と反共振周波数との周波数差Δｆが小さくなる。換言すれば、容量素子（６７または７１）を含む共振部（６１Ａまたは６３）のΔｆは、当該共振部が含むＳＡＷ共振子１のΔｆよりも小さくなる。
直列共振部６１および／または並列共振部６３は、不図示のインダクタを含んでいてもよい。この場合、共振周波数も変化する。ただし、本実施形態では、インダクタのインダクタンスは共振部（６１，６３）のΔｆが、当該共振部が含むＳＡＷ共振子１のΔｆよりも大きくなるように設定されており、容量素子（６７，７１）の容量は、共振部（６１，６３）のΔｆが、当該共振部が含むＳＡＷ共振子１のΔｆよりも小さくなるように設定されている。本実施形態とは異なり、一部または全部において、共振部のΔｆがその共振部が含むＳＡＷ共振子１のΔｆ以上とされてもよい。
直列腕５７の用語との対比において並列腕５９の用語を用いているものの、本開示においては、並列腕５９と並列共振部６３とは同義である。例えば、並列腕５９が並列腕５９の共振特性に影響を及ぼす電子素子を含む場合は、当該電子素子は並列共振部６３に含まれるものとする。従って、並列腕５９のΔｆおよび並列共振部６３のΔｆは同義である。また、直列腕５７において、２つの直列共振子６５の間に直列にインダクタが設けられている場合、そのインダクタがいずれの直列共振子６５と直列共振部６１を構成するかは、例えば、並列腕５９の接続位置を直列共振部６１間の境界として捉えることにより判別できる。
図２では、各種の接続は、模式的に示した配線によってなされている。ただし、例えば、バスバー１３同士が直接に接続されることなどによってなされ、配線が省略されていてもよい。
（容量素子の構成）
容量素子６７または７１は、互いに対向する１対の電極を有している。この１対の電極は、例えば、圧電基板３上に設けられた導体層によって構成されている。１対の電極は、例えば、互いに１辺同士を対向させる長方形であってもよいし、互いに噛み合うように配置された１対の櫛歯電極１１（ＩＤＴ電極７）であってもよい。
本実施形態では、第１容量素子７１Ａにおいて符号を付すように、並列共振部６３の容量素子７１は、１対の櫛歯電極１１によって構成されている。容量素子７１を１対の櫛歯電極１１によって構成することによって、容量素子７１の面積に対して容量を大きくすることが容易になる。
１対の櫛歯電極１１を有する容量素子７１は、ＳＡＷの伝搬による共振特性を有する必要はないから、ＳＡＷ共振子１と同様の構成である必要はない。従って、例えば、容量素子７１は、図示のように反射器９を有していなくてもよいし、図２とは異なり、ＩＤＴ電極７の両側に位置する反射器９を有していてもよい。また、容量素子７１は、ダミー電極１７を有していてもよいし、有していなくてもよい。また、容量素子７１のＩＤＴ電極７のピッチは、ＳＡＷの半波長と大きくずれていてもよいし、近くてもよいし、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。ピッチは、一定でない場合、比較的大きな範囲（例えば平均ピッチの±３０％以上の範囲）で変動してよい。また、ピッチは、規則的に変動してもよいし、不規則に変動してもよい。なお、反射器９および／またはダミー電極１７を設けない場合においては、例えば、小型化に有利である。
容量素子７１のＩＤＴ電極７のピッチｐは、例えば、比較的小さくされている。これにより、例えば、容量素子７１の面積に対して容量素子７１の容量を大きくすることができる。具体的には、例えば、容量素子７１のピッチｐは、当該容量素子７１と並列に接続されているＳＡＷ共振子１（ここでは並列共振子６９）のピッチｐよりも小さい。さらに具体的には、例えば、前者は、後者の０．９倍以下または０．６倍以下とされてよい。
直列共振部６１の容量素子６７も、容量素子７１と同様に、１対の櫛歯電極１１によって構成されて構わない。従って、上記の容量素子７１の１対の櫛歯電極１１についての説明は、容量素子６７に適用してよい。
（容量素子の容量）
並列共振部６３の容量素子７１の容量は、例えば、比較的大きくされる。例えば、容量素子７１の容量は、当該容量素子７１と並列に接続されているＳＡＷ共振子１（ここでは並列共振子６９）のＩＤＴ電極７の容量の０．８倍以上または１倍以上である。
なお、ここでいうＳＡＷ共振子１または容量素子のＩＤＴ電極７の容量は、１対の櫛歯電極１１の対向面積（平面視における対向長さ×電極厚み）、および圧電基板３等の誘電率によって決定される実際の容量である。すなわち、ＳＡＷ共振子１を２重共振回路などの等価回路で表わしたときの等価容量ではない。
一般に、ＳＡＷフィルタ５１の設計においては、まず、直列共振子６５および並列共振子６９（ＳＡＷ共振子１）が設計される。そして、シミュレーション計算または実験から、ＳＡＷ共振子１において所望の特性が得られないときに、ＳＡＷ共振子１に並列接続される容量素子を設けることが検討され、また、その容量が設定される。その結果、通常は、容量素子７１の容量は、比較的小さい値となり、上記のような比較的大きい値とはならない。
本実施形態では、上記のように容量素子７１の容量を大きくすることによって、別の観点では、並列共振子６９の設計の当初から容量素子７１の容量を考慮することによって、例えば、並列共振部６３の面積を小さくすることができる。これは、上記のように、容量素子７１は、ピッチを小さくすることができること、ダミー電極１７が不要であること、および／または反射器９が不要であることなどからである。
直列共振部６１の容量素子６７は、例えば、比較的小さくされる。例えば、容量素子６７の容量は、当該容量素子６７と並列に接続されているＳＡＷ共振子１（ここでは直列共振子６５）の容量の０．８倍未満または１倍未満である。換言すれば、直列共振子６５のＩＤＴ電極７の容量（Ｃ６５）に対する当該直列共振子６５に並列に接続されている容量素子６７の容量（Ｃ６７）の比（Ｃ６７／Ｃ６５）は、並列共振子６９のＩＤＴ電極７の容量（Ｃ６９）に対する当該並列共振子６９に並列に接続されている容量素子７１の容量（Ｃ７１）の比（Ｃ７１／Ｃ６９）よりも小さい。この場合、容量を大きくしたことに伴う反共振周波数におけるインピーダンスの低下がフィルタ特性に及ぼす影響を小さくすることが容易である。
ただし、上記の説明とは異なり、容量素子７１の容量が比較的小さくされたり（例えばＣ７１／Ｃ６９＜１または０．８）、容量素子６７の容量が比較的大きくされたり（例えばＣ６７／Ｃ６５≧１または０．８）、比（Ｃ６７／Ｃ６５）が比（Ｃ７１／Ｃ６９）よりも大きくされたりしてもよい。
（並列共振部の接続方法）
第１並列共振部６３Ａおよび第３並列共振部６３Ｃそれぞれにおいては、並列共振子６９と容量素子７１とは上述した狭義の並列接続によって接続されている。すなわち、並列共振子６９の１対の櫛歯電極１１の一方と、容量素子７１の１対の櫛歯電極１１の一方とが接続され、並列共振子６９の１対の櫛歯電極１１の他方と、容量素子７１の１対の櫛歯電極１１の他方とが接続されている。また、別の観点では、並列共振子６９と容量素子７１とは同一のＧＮＤ端子５５に接続されている。
一方、第２並列共振部６３Ｂにおいては、第２並列共振子６９Ｂの１対の櫛歯電極１１の一方と、第２容量素子７１Ｂの１対の櫛歯電極１１の一方とは接続されているものの（直列腕５７側）、第２並列共振子６９Ｂの１対の櫛歯電極１１の他方と、第２容量素子７１Ｂの１対の櫛歯電極１１の他方とは接続されていない（ＧＮＤ端子５５側）。別の観点では、第２並列共振子６９Ｂの１対の櫛歯電極１１の他方と、第２容量素子７１Ｂの１対の櫛歯電極１１の他方とは、互いに別個のＧＮＤ端子５５に接続されている。
従って、第２並列共振子６９Ｂと第２容量素子７１Ｂとは、狭義には並列接続されていない。しかし、複数のＧＮＤ端子５５は、いずれも基準電位が付与されて、基本的には互いに同一の電位になることが意図されているものである。従って、第２並列共振子６９Ｂと第２容量素子７１Ｂとは並列接続されているとみなすことができ、また、慣習的にも、このような接続は、並列接続の一種として扱われている。そこで、本開示においては、並列接続という場合、特に断りがない限りは、このような、並列共振子６９と容量素子７１とが互いに異なるＧＮＤ端子５５に接続されている態様も含むものとする。
第１ＧＮＤ端子５５Ａと第２ＧＮＤ端子５５Ｂとは短絡されていない。すなわち、第１ＧＮＤ端子５５Ａおよび第２ＧＮＤ端子５５Ｂは、第１並列共振部６３Ａ、第２直列共振部６１Ｂおよび第２並列共振部６３Ｂを経由するルートで接続されてはいるものの、共振部、抵抗体、インダクタおよび／または容量素子（いずれも配線に不可避に含まれるものを除く）を介さない接続（配線のみによる接続）はなされていない。
一方、第２並列共振部６３Ｂにおいて、第２並列共振子６９Ｂは、第２ＧＮＤ端子５５Ｂに接続されており、第２容量素子７１Ｂは、第１ＧＮＤ端子５５Ａに接続されている。従って、第２並列共振子６９Ｂおよび第２容量素子７１Ｂは、互いに短絡されていない２つのＧＮＤ端子５５に接続されており、ＧＮＤ端子５５まで電気的に分離されている。
なお、仮に、第２並列共振子６９Ｂと第２ＧＮＤ端子５５Ｂとの間の配線と、第２容量素子７１Ｂと第１ＧＮＤ端子５５Ａとの間の配線とを結ぶ配線が設けられ、第２並列共振子６９Ｂと第２容量素子７１Ｂとにおいて狭義の並列接続がなされると、当然に第１ＧＮＤ端子５５Ａと第２ＧＮＤ端子５５Ｂとは短絡する。従って、第１ＧＮＤ端子５５Ａと第２ＧＮＤ端子５５Ｂとが短絡されていないという場合、逆説的であるが、これらに接続される第２並列共振子６９Ｂと第２容量素子７１Ｂとにおいては狭義の並列接続がなされていないことが前提となる。
第２ＧＮＤ端子５５Ｂおよび第３ＧＮＤ端子５５Ｃは、例えば、配線（符号省略）を介して短絡されている。従って、例えば、第３並列共振部６３Ｃにおいて、第３並列共振子６９Ｃと第３容量素子７１Ｃとが配線のみによっては接続されておらず、第３並列共振子６９Ｃが第３ＧＮＤ端子５５Ｃに接続され、第３容量素子７１Ｃが第２ＧＮＤ端子５５Ｂに接続されていても、第３並列共振子６９Ｃと第３容量素子７１Ｃとは狭義の並列接続がなされているといえる。
互いに並列接続される並列共振子６９および容量素子７１は、直列腕５７側については、直列腕に対して互いに同じ（共通する）位置に接続されていればよい。この同じ位置の意味は、既に述べたとおりである。例えば、第１並列共振子６９Ａおよび第１容量素子７１Ａは、図示のように互いに接続されてから直列腕５７に接続されるのではなく、互いに別個に、第１直列共振部６１Ａと第２直列共振部６１Ｂとの間に接続されていてもよい。
なお、図示とは異なり、第１ＧＮＤ端子５５Ａと第２ＧＮＤ端子５５Ｂとが短絡されてもよいし、第２ＧＮＤ端子５５Ｂと第３ＧＮＤ端子５５Ｃとが短絡されないようにしてもよいし、第２並列共振子６９Ｂと第２容量素子７１Ｂとが同一のＧＮＤ端子５５に接続されていてもよい。
（分波器）
図３（ａ）は、ＳＡＷフィルタ５１の利用例としての分波器１０１を模式的に示す断面図である。
分波器１０１は、例えば、送信信号と受信信号とを分波するデュプレクサである。この分波において、送信信号または受信信号をフィルタリングするフィルタとしてＳＡＷフィルタ５１が用いられている。
分波器１０１は、例えば、概ね直方体状の電子部品であり、その少なくとも１つの面８５ｂにおいて露出する外部端子９１を有している。そして、例えば、分波器１０１は、外部端子９１と不図示の回路基板のランドとを接合することによって、不図示の回路基板に実装されて利用される。
分波器１０１は、例えば、実装基板８１と、実装基板８１に実装されたＳＡＷフィルタ５１およびＳＡＷフィルタ５２と、これらフィルタを封止する封止樹脂８３とを有している。
実装基板８１は、例えば、絶縁基板８５と、絶縁基板８５に設けられた複数のパッド８７、配線８９および上記の外部端子９１とを有している。パッド８７は、例えば、絶縁基板８５の一方の面８５ａ上に位置する導体層によって構成されている。配線８９は、絶縁基板８５の内部および／または表面に位置する導体層、ならびに絶縁基板８５の一部または全部を貫通する貫通導体のいずれかを含んで構成されている。外部端子９１は、例えば、絶縁基板８５の他方の面８５ｂ上に位置する導体層によって構成されている。パッド８７と外部端子９１とは配線８９によって接続されている。
ＳＡＷフィルタ５１および５２は、例えば、一方が送信信号をフィルタリングするフィルタとして機能し、他方が受信信号をフィルタリングするフィルタとして機能する。ＳＡＷフィルタ５１の構成は、既に述べたとおりである。ＳＡＷフィルタ５２は、例えば、ＳＡＷフィルタ５１と同様に、圧電基板３と、圧電基板３上に位置する１以上のＩＤＴ電極７と、端子５３およびＧＮＤ端子５５を有している。ただし、ＩＤＴ電極７が構成するフィルタは、ＳＡＷフィルタ５１と同様のラダー型フィルタであってもよいし、他の形式（例えば多重モード型フィルタ）であってもよい。
ＳＡＷフィルタ５１および５２は、例えば、端子５３およびＧＮＤ端子５５が設けられている面を実装基板８１の面８５ａに対向させて配置され、これらの端子５３がバンプ９３によって実装基板８１のパッド８７に接合されることによって、面８５ａと所定の隙間を空けた状態で実装基板８１に実装される。
封止樹脂８３は、ＳＡＷフィルタ５１および５２を実装基板８１とは反対側から覆い、ＳＡＷフィルタ５１および５２と実装基板８１との隙間を封止する。この隙間は、例えば、真空状態または不活性ガスが封止された状態となっており、ＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を容易化することに寄与する。
図３（ｂ）は、分波器１０１の回路の一部を模式的に示す図である。なお、この図では、図３（ａ）で示したパッド８７および外部端子９１に対して、Ａ〜ＣおよびＧ１〜Ｇ３（単にＧとすることもある。）の付加符号を付している。また、ＳＡＷフィルタ５２の端子５３にＣおよびＤの付加符号を付している。
外部端子９１Ａは、ここでは不図示のアンテナに接続されるものであり、２つのパッド８７Ａを介してＳＡＷフィルタ５１の第２端子５３ＢおよびＳＡＷフィルタ５２の端子５３Ｃに接続される。すなわち、外部端子９１Ａは、ＳＡＷフィルタ５１および５２の双方に接続される。
外部端子９１Ｂは、送信信号の入力および受信信号の出力の一方に供されるものであり、パッド８７Ｂを介してＳＡＷフィルタ５１の第１端子５３Ａに接続される。なお、ＳＡＷフィルタ５１における第１端子５３Ａおよび第２端子５３Ｂの役割は逆でもよい。外部端子９１Ｃは、送信信号の入力または受信信号の出力の他方に供されるものであり、パッド８７Ｃを介してＳＡＷフィルタ５２の端子５３Ｄに接続される。
外部端子９１Ｇ（８７Ｇ１〜８７Ｇ３）は、外部から基準電位が付与される（外部の基準電位部に接続される）ものであり、パッド８７Ｇ（８７Ｇ１〜８７Ｇ３）を介してＳＡＷフィルタ５１のＧＮＤ端子５５およびＳＡＷフィルタ５２のＧＮＤ端子５５（ここでは不図示）に接続される。
ＳＡＷフィルタ５１において互いに短絡されていなかった第１ＧＮＤ端子５５Ａおよび第２ＧＮＤ端子５５Ｂは、実装基板８１のパッド８７Ｇ１および８７Ｇ２に接続されている。ここで、パッド８７Ｇ１およびパッド８７Ｇ２は、実装基板８１内において（換言すれば外部端子９１Ｇに至るまでにおいて）短絡されていない。従って、第２並列共振子６９Ｂおよび第２容量素子７１ＢのＧＮＤ端子５５側の電極は、当該電極から外部端子９１までに亘って短絡されておらず、ひいては、分波器１０１全体においても狭義の並列接続はなされていない。
（通信装置）
図４は、上述した分波器１０１の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。
通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（外部端子９１Ｂおよび９１Ｃの一方）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳを外部端子９１Ａからアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（外部端子９１Ａ）に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して、外部端子９１Ｂおよび９１Ｃの他方から増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図４では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図４は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
（シミュレーション計算結果）
並列共振子６９の容量に対する容量素子７１の容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）として種々の値を仮定してシミュレーション計算を行い、容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）がフィルタ特性に及ぼす影響を調べた。なお、容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）は、全ての並列共振部６３に共通して設定した。
図５（ａ）は、実施形態のＳＡＷフィルタ５１のフィルタ特性の一例を示す図である。この図において、横軸は正規化された周波数を示している。横軸において１．００は、通過帯域の中心周波数を示している。縦軸は減衰量（ｄＢ）を示している。
このシミュレーション計算結果は、容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）を０．８以上に設定したＳＡＷフィルタ５１についてのものである。本実施形態では、従来とは異なり、容量の比が比較的大きく設定されるが（例えば０．８以上または１．０以上）、そのような場合においても、この図に示すように、ラダー型フィルタの特性が得られることが確認された。
ここで、この図に示すように、フィルタ特性の評価指標として、中心周波数における通過特性ＩＬ（ｄＢ）、中心周波数から所定の幅Ｗｆ１だけ低周波側の周波数における通過特性Ａｔｔ１（ｄＢ）、中心周波数から所定の幅Ｗｆ２だけ高周波側の周波数における通過特性Ａｔｔ２（ｄＢ）をフィルタ特性を評価する指標として用いることとする。
通過特性ＩＬが小さければ、挿入損失が少ないといえる。通過特性Ａｔｔ１が大きければ、低周波側の減衰特性が急峻であるといえる。通過特性Ａｔｔ２が大きければ、高周波側の減衰特性が急峻であるといえる。
幅Ｗｆ１およびＷｆ２は、実際の設計においては、通信システムの仕様や、顧客から要求される特性に応じて、種々の業者のノウハウ等に基づいて適宜に設定される。ここでは、Ｗｆ１およびＷｆ２として、通過帯域の帯域幅を用いることとする。
図５（ｂ）〜図５（ｄ）は、容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）のみを種々変更しつつ、シミュレーション計算によって上記の指標の値を求めた結果を示す図である。各図において、横軸は、容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）を示している。縦軸は、ＩＬ、Ａｔｔ１またはＡｔｔ２（減衰量）である。
図５（ｂ）に示すように、減衰量ＩＬは、容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）が０．８５以上１．６９以下の範囲において３ｄＢ以下となっている。一方、一般に、減衰量ＩＬは、３ｄＢ以下に収めるように要求されることが多い。従って、容量の比が比較的大きく設定されても、一般に要求される減衰量ＩＬを実現できることが確認された。
図５（ｃ）に示すように、減衰量Ａｔｔ１は、計算の対象とした全ての容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）について、４０ｄＢ以上となっている。また、図５（ｄ）に示すように、減衰量Ａｔｔ２は、容量の比が０．９７以上の範囲において３０ｄＢ以上となっている。経験上、減衰量Ａｔｔ１およびＡｔｔ２は、３０ｄＢ以上であれば、多くの場合において、ＳＡＷフィルタに要求される仕様を満たす。従って、容量の比を比較的大きくしても、一般に要求される減衰量Ａｔｔ１およびＡｔｔ２を実現できることが確認された。
容量の比（Ｃ７１／Ｃ６９）の変化に対する減衰量Ａｔｔ１およびＡｔｔ２の変化の割合（変化率、傾き）は、縦軸をｄＢとしたこれらの図において概ね一定となっている。一方、減衰量ＩＬの変化率は、１．６０付近において絶対値が大きくなっている（傾斜が急になっている）。これは、容量の比を大きくすると、反共振周波数が低周波側へ移動するだけでなく、反共振周波数におけるインピーダンスが下がることから、その影響が減衰量Ａｔｔ１およびＡｔｔ２よりも減衰量ＩＬに強く現れたものと考えられる。従って、容量の比として、例えば、１．６０を上限値として考慮したり、３ｄＢ以下か否かも考慮して、１．６９を上限値として考慮したりして、容量素子７１（または６７）を設計してよい。もちろん、それ以上の値で容量の比を設定しても構わない。
（面積縮小の試算例）
既述のように、容量素子７１を比較的大きくすることによって、並列共振部６３の面積を縮小することができる。その試算例を以下に示す。
まず、比較例として、容量素子７１を設けずに、並列共振子６９のみで並列共振部６３を構成したものを想定する。このような比較例として、ＩＤＴ電極７の容量ＣＡおよびＩＤＴ電極７のピッチｐＡが互いに異なるケース１〜３を仮定し、その並列共振子６９の面積ＳＡを試算した。試算結果は、以下のとおりである。
ＣＡ ｐＡ ＳＡ
（ｐＦ） （μｍ） （μｍ２）
ケース１ ８．０ ２．６４３ １２２８８３
ケース２ ６．８ ２．６３７ ９９２３８
ケース３ ７．５ ２．６３２ １１４５０７
次に、実施形態のように並列共振子６９および容量素子７１によって並列共振部６３を構成したものを想定する。そして、この並列共振部６３全体としての容量が上記のケース１〜３の容量ＣＡになるように並列共振子６９の容量ＣＢおよび容量素子７１の容量ＣＣを設定する（ＣＡ＝ＣＢ＋ＣＣ）。また、並列共振子６９のピッチｐＢを上記のケース１〜３のピッチｐＡに設定し（ｐＢ＝ｐＡ）、その一方で、容量素子７１のピッチｐＣをピッチｐＢよりも小さく設定する。具体的には、以下のように設定した。
ＣＢ ＣＣ ＣＣ／ＣＢ ｐＣ ｐＣ／ｐＢ
（ｐＦ） （ｐＦ） （μｍ）
ケース１ ４．０ ４．０ １．００ １．５ ０．５６８
ケース２ ３．２ ３．６ １．１３ １．５ ０．５６９
ケース３ ３．０ ４．５ １．５０ １．５ ０．５７０
そして、上記のＣＢ、ＣＣ、ｐＢおよびｐＣのもと、並列共振子６９の面積ＳＢおよび容量素子７１の面積ＳＣを試算し、その合計の面積ＳＢ＋Ｃを比較例の面積ＳＡと比較した。試算結果は、以下のとおりである。
ＳＢ ＳＣ ＳＢ＋Ｃ ＳＢ＋Ｃ／ＳＡ
（μｍ２） （μｍ２） （μｍ２）
ケース１ ５６４０４ ２４１６８ ８０５７２ ０．６５６
ケース２ ４９６１９ ２１４７０ ７１０８９ ０．７１６
ケース３ ４２４９１ ２６５０２ ６８９９３ ０．６０３
上記の結果から、容量素子７１の容量を比較的大きくすることによって、並列共振部６３全体としての面積を小さくすることができることが確認された。具体的には、この試算例では、容量の比（ＣＣ／ＣＢ）を１以上にすることによって、容量素子７１を設けない場合に比較して、並列共振部６３の面積を約７割以下まで縮小することができた。
以上のとおり、本実施形態では、例えば、ＳＡＷフィルタ５１は、圧電基板３と、圧電基板３上に位置している１以上の直列共振部６１を含んでいる直列腕５７と、圧電基板３上に位置しており、直列腕５７とラダー型フィルタを構成している１以上の並列共振部６３（並列腕５９）と、を有している。１以上の直列共振部６１および１以上の並列共振部６３のうちのいずれか１つである第１並列共振部６３Ａが、ＩＤＴ電極７等を含む第１並列共振子６９Ａと、第１並列共振子６９Ａと並列接続されている第１容量素子７１Ａと、を有している。第１容量素子７１Ａの容量は、第１並列共振子６９ＡのＩＤＴ電極７の容量の０．８倍以上である。第１並列共振部６３Ａの反共振周波数と共振周波数との差Δｆは、第１並列共振子６９Ａの反共振周波数と共振周波数との差Δｆよりも小さい。
従って、例えば、フィルタの減衰域の急峻度の向上および／または狭い通過帯域の実現が容易化される。また、例えば、並列共振子６９を設計した後に容量素子７１を付加的に設計するのではなく、比較的大きな容量を有する容量素子７１を当初から設計に考慮することによって、試算例で示したように、並列共振部６３の面積を小さくし、ひいては、ＳＡＷフィルタ５１、分波器１０１および／または通信装置１５１の小型化を図ることができる。
また、本実施形態では、例えば、上記のように比較的大きな容量素子７１を有する共振部は、１以上の並列共振部６３の１つである。
この場合、例えば、直列共振部６１において容量素子６７の容量を大きくして面積を縮小しようとする場合（この場合も本開示の技術に含まれる）に比較して、容量を大きくしたことに伴う反共振周波数におけるインピーダンスの低下がフィルタ特性に及ぼす影響を小さくすることが容易である。
また、本実施形態では、例えば、１以上の直列共振部６１のうちの１つである第１直列共振部６１Ａは、ＩＤＴ電極７等を含んでいる第１直列共振子６５Ａと、第１直列共振子６５Ａと並列接続されている容量素子６７と、を有している。第１直列共振子６５ＡのＩＤＴ電極７の容量に対する容量素子６７の容量の比は、第１並列共振子６９ＡのＩＤＴ電極７の容量に対する第１容量素子７１Ａの容量の比よりも小さい。
この場合、例えば、上述した、容量を大きくしたことに伴う反共振周波数におけるインピーダンスの低下がフィルタ特性に及ぼす影響を小さくする効果が得られやすくなる。
また、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ５１は、圧電基板３上に位置している複数のＧＮＤ端子５５を更に有している。複数のＧＮＤ端子は、互いに短絡されていない２つのＧＮＤ端子５５（５５Ａおよび５５Ｂ）を含む。第２並列共振子６９Ｂは、第２ＧＮＤ端子５５Ｂに接続されている。第２並列共振子６９Ｂと並列接続されている（直列腕５７に対する接続位置が共通の）第２容量素子７１Ｂは、第１ＧＮＤ端子５５Ａに接続されている。
この場合、例えば、第２並列共振子６９Ｂおよび第２容量素子７１Ｂは、理論上は並列接続されているといえども、現実の製品においては、配線における抵抗、インダクタンスおよび／または容量が互いに異なる別個の経路に接続されることになる。そして、例えば、複数の経路に応じて、直列共振の減衰極が複数生じる。その結果、例えば、並列共振子６９の数を増加させることなく、複数の減衰極によって減衰特性を向上させることが可能になる。
また、本実施形態の分波器１０１は、フィルタ内で第２並列共振子６９Ｂおよび第２容量素子７１Ｂが短絡されていないＳＡＷフィルタ５１と、ＳＡＷフィルタ５１が実装されている実装基板８１と、を有している。実装基板８１は、複数のＧＮＤ端子５５と接合されている複数のパッド８７と、複数のパッド８７に接続されている複数の配線８９と、複数のパッド８７と複数の配線８９を介して接続されている複数の外部端子９１と、を有している。複数のパッド８７は、当該複数のパッド８７から複数の外部端子９１まで互いに短絡されていない２つのパッド８７Ｇ１および８７Ｇ２を含む。上記の短絡されていない２つのＧＮＤ端子５５の一方（５５Ａ）は、パッド８７Ｇ１に接続され、２つのＧＮＤ端子５５の他方（５５Ｂ）は、パッド８７Ｇ２に接続されている。
従って、第１ＧＮＤ端子５５Ａおよび第２ＧＮＤ端子５５Ｂのアイソレーションが向上し、上述した複数の減衰極の効果が向上する。別の観点では、第２並列共振子６９Ｂおよび第２容量素子７１Ｂは、外部端子９１まで短絡されない別個の経路に接続されるから、両経路の共振特性の差が大きくなりやすく、ひいては、複数の減衰極が現れやすい。
（グランド分離による効果検証：シミュレーション計算結果）
上述の通り、本実施形態によれば、共振子とこれに並列接続される容量素子とが圧電基板３上おいて異なる基準電位に接続されている。具体的には、ＳＡＷフィルタ５１の第２並列共振部６３Ｂに着目すると、第２並列共振子６９Ｂと第２容量素子７１Ｂとは別々のＧＮＤ端子５５（５５Ａおよび５５Ｂ）に接続されている。このように、１つの並列腕５９に並列接続された並列共振子６９と容量素子７１とを異なるＧＮＤ端子５５に接続させることによる効果を確認するために、図２に示す構成のＳＡＷフィルタ５１のモデルを作製し、周波数特性をシミュレーションした。
また、変形例として、第２並列共振子６９Ｂと第２容量素子７１Ｂとを同一のＧＮＤ端子５５に接続したＳＡＷフィルタのモデルを作製し、同様に周波数特性をシミュレーションした。
これらのシミュレーション結果を図７に示す。図７において横軸は周波数（単位：ＭＨｚ）を、縦軸は通過特性（単位：ｄＢ）を示している。図中において、実線は本実施形態のＳＡＷフィルタ５１のモデルの結果を示し、破線は変形例のＳＡＷフィルタのモデルの結果を示している。
図からも明らかなように、ＧＮＤ端子を分離した本実施形態のモデルの特性は、変形例のモデルの特性に比べ通過帯域外の減衰特性が優れていることが確認できた。これは、第２並列共振子６９Ｂおよび第２容量素子７１Ｂは、理論上は並列接続されているといえども、現実の製品においては、配線における抵抗、インダクタンスおよび／または容量が互いに異なる別個の経路に接続されることになる。そして、例えば、複数の経路に応じて、直列共振の減衰極が複数生じる。その結果、例えば、並列共振子６９の数を増加させることなく、複数の減衰極によって減衰特性を向上させることが可能になったものと考えられる。
また、図３に示す本実施形態の分波器１０１のように、ＳＡＷフィルタが実装される実装基板８１においても、第２並列共振子６９Ｂが接続されたＧＮＤ端子５５Ａと第２容量素子７１Ｂが接続されたＧＮＤ端子５５Ｂとが電気的に接続される経路を備えない場合には、さらに減衰特性を高めることができる。
なお、以上の実施形態において、ＳＡＷフィルタ５１は弾性波フィルタの一例である。第１直列共振部６１Ａおよび第１並列共振部６３Ａ〜第３並列共振部６３Ｃはそれぞれ、第１共振部の一例である。第１直列共振子６５Ａおよび第１並列共振子６９Ａ〜第３並列共振子６９Ｃはそれぞれ、第１共振子の一例である。容量素子６７および第１容量素子７１Ａ〜第３容量素子７１Ｃはそれぞれ第１容量部の一例である。
また、別の観点では、第１直列共振部６１Ａは、第２共振部の一例である。第１直列共振子６５Ａは、第２共振子の一例である。容量素子６７は第２容量部の一例である。
複数のＧＮＤ端子５５は複数の基準電位端子の一例である。第１ＧＮＤ端子５５Ａおよび第２ＧＮＤ端子５５Ｂは、互いに短絡されていない２つの基準電位端子の一例である。分波器１０１は、弾性波デバイスの一例である。
外部端子９１Ａはアンテナ端子の一例である。ＳＡＷフィルタ５１は、送信フィルタおよび受信フィルタの一方の一例であり、ＳＡＷフィルタ５２は、送信フィルタおよび受信フィルタの他方の一例である。
本開示の技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
弾性波は、ＳＡＷに限定されない。例えば、弾性波は、圧電基板内を伝搬するバルク波であってもよいし、圧電基板と圧電基板を覆う絶縁層との境界部を伝搬する弾性境界波（ただし、広義にはＳＡＷの一種である。）であってもよい。
実施形態では、複数の並列共振部のうち１つのみについて、並列共振子と容量部とを互いに短絡されていない基準電位端子に接続した。このような並列共振部が設けられる数は適宜に設定されてよいし、直列腕に対する接続位置も適宜に設定されてよい。例えば、図６に示すように、全ての並列共振部６３において、並列共振子６９と容量素子７１とが互いに短絡されていないＧＮＤ端子５５（さらには互いに短絡されていないパッド８７〜外部端子９１）に接続されていてもよい。この場合、例えば、１つの並列共振部６３において並列共振子６９と容量素子７１とを短絡させない場合に比較して、減衰極の数が多くなり、減衰量が向上する。
図３（ａ）に示した弾性波デバイスの構成は、一例に過ぎない。例えば、弾性波デバイス（または弾性波フィルタと捉えられてもよい）は、圧電基板の上面にＩＤＴ電極を覆うようにカバーが設けられてＩＤＴ電極が封止され、カバーの上面から端子（パッド状であてもよいし、柱状であってもよい）が露出するウェハレベルパッケージのものであってもよい。
本開示からは、容量部の容量の大小を問題としない以下の技術を抽出可能である。
圧電基板と、
前記圧電基板上に位置している直列腕と、
前記圧電基板上に位置しており、前記直列腕とラダー型フィルタを構成している１以上の並列腕と、
前記圧電基板上に位置している複数の基準電位端子と、
を有しており、
前記１以上の並列腕のうちのいずれか１つである第１並列腕が、
前記圧電基板上に位置しているＩＤＴ電極、およびその両側に位置している１対の反射器を含んでいる第１共振子と、
前記第１共振子と並列接続されている第１容量部と、を有しており、
前記複数の基準電位端子は、互いに短絡されていない２つの基準電位端子を含み、
前記第１共振子は、前記２つの基準電位端子の一方に接続されており、
前記第１容量部は、前記２つの基準電位端子の他方に接続されている
弾性波フィルタ。
３…圧電基板、７…ＩＤＴ電極、９…反射器、５７…直列腕、５１…ＳＡＷフィルタ（弾性波フィルタ）、５９（５９Ａ〜５９Ｃ）…並列腕、６１Ａ…第１直列共振部（第２共振部）、６３（６３Ａ〜６３Ｃ）…並列共振部（第１共振部）、６９（６９Ａ〜６９Ｃ）…並列共振子（第１共振子）、７１（７１Ａ〜７１Ｃ）…容量素子（容量部）。

Claims (7)

  1. 圧電基板と、
    前記圧電基板上に位置している１以上の直列共振部を含んでいる直列腕と、
    前記圧電基板上に位置しており、前記直列腕とラダー型フィルタを構成している１以上の並列共振部と、
    前記圧電基板上に位置している複数の基準電位端子と、
    を有しており、
    前記１以上の並列共振部のうちのいずれか１つである第１共振部が、
    前記圧電基板上に位置しているＩＤＴ電極、およびその両側に位置している１対の反射器を含んでいる第１共振子と、
    前記第１共振子と並列接続されている第１容量部と、を有しており、
    前記第１容量部の容量が前記第１共振子のＩＤＴ電極の容量の０．８倍以上であり、
    前記第１共振部の反共振周波数と共振周波数との差が前記第１共振子の反共振周波数と共振周波数との差よりも小さく、
    前記複数の基準電位端子は、互いに短絡されていない２つの基準電位端子を含み、
    前記第１共振子は、前記２つの基準電位端子の一方に接続されており、
    前記第１容量部は、前記２つの基準電位端子の他方に接続されている
    弾性波フィルタ。
  2. 前記第１容量部は、前記圧電基板上に位置しており、前記第１共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチよりも小さい電極指ピッチのＩＤＴ電極を含んでいる
    請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. 前記１以上の直列共振部のうちの１つである第２共振部が、
    前記圧電基板上に位置しているＩＤＴ電極、およびその両側に位置している１対の反射器を含んでいる第２共振子と、
    前記第２共振子と並列接続されている第２容量部と、を有しており、
    前記第２共振子のＩＤＴ電極の容量に対する前記第２容量部の容量の比は、前記第１共振子のＩＤＴ電極の容量に対する前記第１容量部の容量の比よりも小さい
    請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  4. 前記第１容量部の容量が前記第１共振子の容量の１．６９倍以下である
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    前記弾性波フィルタが実装されている実装基板と、
    を有しており、
    前記実装基板は、
    前記複数の基準電位端子と接合されている複数のパッドと、
    前記複数のパッドに接続されている複数の配線と、
    前記複数のパッドと前記複数の配線を介して接続されている複数の外部端子と、を有しており、
    前記複数のパッドは、当該複数のパッドから前記複数の外部端子までにおいて互いに短絡されていない２つのパッドを含み、
    前記２つの基準電位端子の一方は、前記２つのパッドの一方に接続されており、
    前記２つの基準電位端子の他方は、前記２つのパッドの他方に接続されている
    弾性波デバイス。
  6. アンテナ端子と、
    送信信号をフィルタリングして前記アンテナ端子に出力する送信フィルタと、
    前記アンテナ端子からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタと、
    を有しており、
    前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波フィルタを含んでいる
    分波器。
  7. アンテナと、
    前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項６に記載の分波器と、
    前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されているＩＣと、
    を有している通信装置。
JP2018547675A 2016-10-28 2017-10-24 弾性波フィルタ、弾性波デバイス、分波器および通信装置 Active JP6752287B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016211840 2016-10-28
JP2016211840 2016-10-28
JP2016243165 2016-12-15
JP2016243165 2016-12-15
PCT/JP2017/038282 WO2018079522A1 (ja) 2016-10-28 2017-10-24 弾性波フィルタ、弾性波デバイス、分波器および通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018079522A1 JPWO2018079522A1 (ja) 2019-09-19
JP6752287B2 true JP6752287B2 (ja) 2020-09-09

Family

ID=62023469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018547675A Active JP6752287B2 (ja) 2016-10-28 2017-10-24 弾性波フィルタ、弾性波デバイス、分波器および通信装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10911024B2 (ja)
JP (1) JP6752287B2 (ja)
CN (2) CN109792239B (ja)
WO (1) WO2018079522A1 (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6585621B2 (ja) * 2014-12-02 2019-10-02 京セラ株式会社 弾性波素子、分波器および通信モジュール
US10951194B2 (en) * 2017-12-20 2021-03-16 Kyocera Corporation Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US11996827B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11323090B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11996825B2 (en) 2020-06-17 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US10917072B2 (en) 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11870423B2 (en) 2018-06-15 2024-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US12009798B2 (en) 2018-06-15 2024-06-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
DE112020001227T5 (de) 2019-03-14 2022-02-10 Resonant Inc. Transversal angeregter akustischer Filmresonator mit Lambda-Halbe-Dielektrikumschicht
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
US11476834B2 (en) 2020-10-05 2022-10-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors
US11658639B2 (en) 2020-10-05 2023-05-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband
US11728784B2 (en) 2020-10-05 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters
US11405019B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters
US11405017B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters
US11929733B2 (en) 2020-10-05 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements
US12003226B2 (en) 2020-11-11 2024-06-04 Murata Manufacturing Co., Ltd Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11824522B2 (en) * 2020-11-11 2023-11-21 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Electroacoustic filter with modified phase characteristics
JP2022173148A (ja) * 2021-05-07 2022-11-17 レゾナント インコーポレイテッド 無線周波数フロントエンド素子に整合する入出力インピーダンスを有する横方向励起フィルムバルク音響共振器マトリックスフィルタ
WO2023107987A1 (en) * 2021-12-09 2023-06-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with inductively coupled sub-resonators
CN115425945A (zh) * 2022-08-26 2022-12-02 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种声表面波滤波器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3201017B2 (ja) * 1992-11-13 2001-08-20 株式会社村田製作所 梯子型弾性表面波フィルタ
JPH07264000A (ja) * 1994-03-16 1995-10-13 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ素子及びそれをパッケージングして成る弾性表面波フィルタ
JP3390537B2 (ja) * 1994-08-22 2003-03-24 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH09135145A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3792409B2 (ja) 1998-10-05 2006-07-05 京セラ株式会社 弾性表面波フィルタ
JP4377525B2 (ja) 2000-05-31 2009-12-02 京セラ株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2005260833A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ
JP2007036856A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Fujitsu Media Device Kk 共振器、フィルタおよびアンテナ分波器
JP5072642B2 (ja) * 2007-03-28 2012-11-14 京セラ株式会社 弾性表面波装置及びこれを用いた分波器並びに通信装置
US8204031B2 (en) * 2008-09-24 2012-06-19 Rockstar Bidco, LP Duplexer/multiplexer having filters that include at least one band reject filter
US8923794B2 (en) * 2011-11-02 2014-12-30 Triquint Semiconductor, Inc. Temperature compensation of acoustic resonators in the electrical domain
WO2013080461A1 (ja) * 2011-11-30 2013-06-06 パナソニック株式会社 ラダー型弾性波フィルタと、これを用いたアンテナ共用器
US9419585B2 (en) * 2013-08-22 2016-08-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave filter device and duplexer
JP2016136687A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
US9608595B1 (en) * 2015-11-13 2017-03-28 Resonant Inc. Acoustic wave filter with enhanced rejection

Also Published As

Publication number Publication date
CN109792239B (zh) 2024-01-30
WO2018079522A1 (ja) 2018-05-03
US20190245518A1 (en) 2019-08-08
CN109792239A (zh) 2019-05-21
CN117914282A (zh) 2024-04-19
US10911024B2 (en) 2021-02-02
JPWO2018079522A1 (ja) 2019-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6752287B2 (ja) 弾性波フィルタ、弾性波デバイス、分波器および通信装置
JP6573668B2 (ja) 弾性波装置および通信装置
US9966929B2 (en) Duplexer including a low-pass filter capacitor
JP6651643B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP7132944B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP2010011300A (ja) 共振器、該共振器を用いるフィルタ及びデュプレクサ
JP6487458B2 (ja) 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置
CN109478881B (zh) 弹性波器件以及通信装置
JP6868025B2 (ja) 受信フィルタ、分波器および通信装置
JP7386741B2 (ja) フィルタ、分波器及び通信装置
JP6876828B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JPWO2007015331A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP2021190908A (ja) 帯域阻止フィルタ、複合フィルタ及び通信装置
JP7213747B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP6620036B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP6585459B2 (ja) 弾性波素子、分波器および通信装置
WO2023234405A1 (ja) 複合フィルタ、マルチプレクサ及び通信装置
JP7344294B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP2023066628A (ja) 弾性波装置及び通信装置
JP2024003954A (ja) 複合フィルタ及び通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200721

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200818

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6752287

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150