JP6868025B2 - 受信フィルタ、分波器および通信装置 - Google Patents

Description

本開示は、弾性波を利用して信号をフィルタリングする受信フィルタ、分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）である。

分波器等は、通過周波数帯域（通過帯域）が互いに異なる複数のフィルタを含んでいる。特許文献１では、アンテナへ出力する送信信号をフィルタリングする送信フィルタと、アンテナから入力された受信信号をフィルタリングする受信フィルタとを備えた分波器において、受信フィルタが含む縦結合共振器型フィルタを、接地されたシールド電極によって囲む技術を開示している。特許文献１では、これにより、縦結合共振器型フィルタから外部へ漏洩する電界および磁界をシールド電極にショートさせ、ひいては、受信フィルタと送信フィルタとの間のアイソレーションを改善できると謳っている。

特開２０１０−１７８３０６号公報

本開示の一態様に係る受信フィルタは、アンテナ端子と、受信端子と、受信端子配線と、第１フィルタと、第１基準電位端子と、第１基準電位配線と、を備える。受信端子は、アンテナ端子からの信号を出力する。受信端子配線は、受信端子に接続されている。第１フィルタは、前記アンテナ端子から前記受信端子への信号経路に位置している、縦結合二重モード型弾性波フィルタである。第１基準電位端子は、基準電位が付与される。第１基準電位配線は、前記第１基準電位端子および前記第１フィルタに接続されている。そして、前記受信端子および受信端子配線からなる、受信端子導体と、前記第１基準電位端子および前記第１基準電位配線からなる、第１基準電位導体とが互いに隣接して容量結合している。

本開示の一態様に係る分波器は、前記アンテナ端子と、前記アンテナ端子への信号をフィルタリングする送信フィルタと、上記の受信フィルタと、を有している。

本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている上記の分波器と、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されている集積回路素子と、を有している。

ＳＡＷフィルタの基本的な構成を説明するための模式的な平面図である。 実施形態に係る分波器の構成を示す回路図である。 図３（ａ）は受信フィルタの導体パターンの例を示す平面図である。 図３（ｂ）は受信フィルタの導体パターンの他の例を示す平面図である。 図３（ｃ）は受信フィルタの導体パターンのさらに他の例を示す平面図である。 図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）及び図４（ｄ）は容量の影響を調べるシミュレーション計算の結果を示す図である。 図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）及び図５（ｄ）は図４（ａ）〜図４（ｄ）とは異なるバンドについて容量の影響を調べるシミュレーション計算の結果を示す図である。 図６（ａ）は第１比較例の導体パターンを示す平面図である。 図６（ｂ）は第１実施例の導体パターンを示す平面図である。 図６（ｃ）は第２比較例の導体パターンを示す平面図である。 図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）、図７（ｄ）、図７（ｅ）、図７（ｆ）、図７（ｇ）および図７（ｈ）は第１比較例、第１実施例および第２比較例に係るシミュレーション計算結果を示す図である。 図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）、図８（ｄ）、図８（ｅ）、図８（ｆ）、図８（ｇ）および図８（ｈ）は第３比較例および第２実施例に係るシミュレーション計算結果を示す図である。 図９（ａ）は第４比較例の導体パターンを示す平面図である。 図９（ｂ）は第５比較例の導体パターンを示す平面図である。 図９（ｃ）は第６比較例の導体パターンを示す平面図である。 図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）、図１０（ｅ）、図１０（ｆ）、図１０（ｇ）および図１０（ｈ）は第４〜第６比較例に係るシミュレーション計算結果を示す図である。 図１１（ａ）は第３実施例の導体パターンを示す平面図である。 図１１（ｂ）は第４実施例の導体パターンを示す平面図である。 図１１（ｃ）は第５実施例の導体パターンを示す平面図である。 図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）、図１２（ｅ）、図１２（ｆ）、図１２（ｇ）および図１２（ｈ）は第３〜第５実施例に係るシミュレーション計算結果を示す図である。 分波器の導体パターンの例を示す平面図である。 分波器の利用例としての通信装置を示す模式図である。

以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

同一または類似する構成については、「第１ＤＭＳフィルタ１Ａ」、「第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ」のように、同一名称に対して互いに異なる番号およびアルファベットを付して呼称することがあり、また、この場合において、単に「ＤＭＳフィルタ１」といい、これらを区別しないことがある。

（ＳＡＷフィルタの基本構成）
図１は、ＳＡＷ共振子またはＳＡＷフィルタの基本的な構成を説明するための模式的な平面図である。ここでは、縦結合二重モード型ＳＡＷフィルタを例にとって説明する。

ＳＡＷ共振子またはＳＡＷフィルタは、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の説明では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義し、Ｄ３軸の正側（図１の紙面手前側）を上方として、上面等の語を用いることがある。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板５の上面（紙面手前側の面）に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板５の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板５の上面に直交するように定義されている。

図示のＤＭＳ（double mode SAW）フィルタ１は、模式的に示す第１端子３Ａおよび第２端子３Ｂの一方から入力された電気信号をフィルタリングし、そのフィルタリングした電気信号を第１端子３Ａおよび第２端子３Ｂの他方から出力するものである。ＤＭＳフィルタ１は、例えば、圧電基板５と、圧電基板５上に設けられた複数（図示の例では５つ）のＩＤＴ（interdigital transducer）電極７と、ＩＤＴ電極７の両側に位置する１対の反射器９とを含んでいる。

圧電基板５は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）単結晶である。カット角は、利用するＳＡＷの種類等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板５は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板５の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板５の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。なお、圧電基板５は、比較的薄く形成され、裏面（Ｄ３軸負側の面）に無機材料、半導体材料、または有機材料からなる支持基板が貼り合わされたものであってもよい。

ＩＤＴ電極７および反射器９は、圧電基板５上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極７および反射器９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されてもよい。層状導体の厚さは、ＩＤＴ電極７および反射器９が構成する共振子またはフィルタ（ここではＤＭＳフィルタ１）に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜４００ｎｍである。

各ＩＤＴ電極７は、１対の櫛歯電極１１を含んでいる。各櫛歯電極１１は、バスバー１３と、バスバー１３から互いに並列に延びる複数の電極指１５とを含んでいる。１対の櫛歯電極１１は、複数の電極指１５が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。なお、各櫛歯電極１１は、上記の他、例えば、複数の電極指１５間においてバスバー１３から他方の櫛歯電極１１のバスバー１３側へ突出し、他方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５の先端と対向する、複数のダミー電極を含んでいてもよい。

バスバー１３は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー１３は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー１３は、幅が変化したり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜したりしていてもよい。

各電極指１５は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各櫛歯電極１１において、複数の電極指１５は、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。また、一方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５と他方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５とは、基本的には交互に配列されている。

複数の電極指１５のピッチ（例えば互いに隣り合う２本の電極指１５の中心間距離）は、各ＩＤＴ電極７内において基本的に一定である。なお、各ＩＤＴ電極７の一部に、他の大部分よりもピッチが狭くなる狭ピッチ部、または他の大部分よりもピッチが広くなる広ピッチ部が設けられてもよい。

電極指１５の本数は、ＩＤＴ電極７および反射器９が構成する共振子またはフィルタ（ここではＤＭＳフィルタ１）に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指１５の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多くの電極指１５が配列されてよい。後述する反射器９のストリップ電極１９についても同様である。

複数の電極指１５の長さは、例えば、互いに同等である。なお、ＩＤＴ電極７は、複数の電極指１５の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。電極指１５の長さおよび幅は、要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。

１対の反射器９は、ＳＡＷの伝搬方向において複数のＩＤＴ電極７の両側に位置している。各反射器９は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。各反射器９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器９は、互いに対向する１対のバスバー１７と、１対のバスバー１７間において延びる複数のストリップ電極１９とを含んでいる。

バスバー１７およびストリップ電極１９の形状は、ストリップ電極１９の両端が１対のバスバー１７に接続されていることを除いては、ＩＤＴ電極７のバスバー１３および電極指１５と同様とされてよい。例えば、バスバー１７は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各ストリップ電極１９は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数のストリップ電極１９は、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。複数のストリップ電極１９のピッチ、および互いに隣接する電極指１５とストリップ電極１９とのピッチは、基本的には複数の電極指１５のピッチと同等である。

なお、特に図示しないが、圧電基板５の上面は、ＩＤＴ電極７および反射器９の上から、ＳｉＯ_２等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜は、単にＩＤＴ電極７等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極７および反射器９の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。

また、ＳＡＷ共振子またはＳＡＷフィルタ（ここではＤＭＳフィルタ１）を含むＳＡＷ装置では、例えば、特に図示しないが、圧電基板５の上面の振動を許容してＳＡＷの伝搬を容易化する空間が圧電基板５上に構成される。この空間は、例えば、圧電基板５の上面に被せられる箱型のカバーを形成することによって、または、回路基板の実装面と圧電基板５の上面とをバンプを介在させつつ対向させることによって構成される。

圧電基板５にＩＤＴ電極７が設けられることによって構成される共振子において、共振周波数は、圧電基板５上を複数の電極指１５に直交する方向に伝搬するＳＡＷのうち、電極指１５のピッチを半波長とするＳＡＷの周波数と概ね同等となる。反共振周波数は、共振周波数と容量比とによって規定される。容量比は、主として圧電基板５の材料によって規定され、電極指１５の本数、交差幅または膜厚等によって調整される。容量比の調整のために、１対の櫛歯電極１１に並列に接続された容量素子が設けられてもよい。

ＤＭＳフィルタ１は、縦結合型のものであるので、複数のＩＤＴ電極７は、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。これにより、複数のＩＤＴ電極７において、周波数が互いに異なる２つのモードのＳＡＷが励振され、フィルタが実現される。２つのモードの一方のＳＡＷは、通常は、電極指１５のピッチを半波長とするＳＡＷ（０次モードのＳＡＷ、基本波）である。他方のモードは、１次以上のモードであり、ＩＤＴ電極７の数等によって適宜に設定されてよい。通過帯域の中心周波数は、２つのモードの一方（０次モード）の周波数と概ね同等であり、帯域幅は、２つのモードの周波数差の２倍と概ね同等である。

ＤＭＳフィルタ１において、各ＩＤＴ電極７における電極指１５の数は適宜に設定されてよく、複数のＩＤＴ電極７同士で同等とされてもよいし、異なっていてもよい。また、電極指１５のピッチ（すなわち共振周波数）は、複数のＩＤＴ電極７同士で基本的には同等とされる。また、ＩＤＴ電極７同士が隣接する位置において互いに隣接する電極指１５同士のピッチも、各ＩＤＴ電極７内のピッチと基本的には同等とされる。各ＩＤＴ電極７の１対の櫛歯電極１１は、例えば、一方が第１端子３Ａまたは第２端子３Ｂに接続され、他方がＧＮＤ部２１に接続される。

なお、ＧＮＤ部２１は、基準電位が付与される部位（例えば端子および／または配線）である。基準電位は、基準となる電位であるが、０Ｖとは限らない。

各ＩＤＴ電極７において、１対の櫛歯電極１１の電極指１５は、基本的に一定のピッチで交互に配列されているから、１対の櫛歯電極１１同士では、ＳＡＷ（ひいては電気信号）の位相は基本的に１８０°異なる。隣り合う２つのＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸方向の同一側に位置する２つの櫛歯電極１１同士では、互いの電極指同士の間隔がピッチ（ＳＡＷの半波長）の偶数倍のときは同一であり、奇数倍のときは１８０°異なる。従って、ＤＭＳフィルタ１は、複数のＩＤＴ電極７（複数の櫛歯電極１１）において、同一の位相の信号を入力または出力したり、位相が１８０°異なる信号を入力または出力したりすることができる。

ＤＭＳフィルタ１は、不平衡信号が入力されるものであってもよいし、平衡信号が入力されるものであってもよい。また、ＤＭＳフィルタ１は、不平衡信号を出力するものであってもよいし、平衡信号を出力するものであってもよい。ここで、不平衡信号は、基準電位に対する電位を信号レベルとする１つの電気信号からなる。平衡信号は、互いに位相が１８０°異なる（別の観点では互いに異なる電位を有する）２つの電気信号からなり、その電位の差を信号レベルとする。

図１では、不平衡信号が入力され、不平衡信号を出力する態様が例示されている。具体的には、複数のＩＤＴ電極７の相対位置は、１つ離れた２つのＩＤＴ電極７同士において、Ｄ２軸方向の同一側に位置する櫛歯電極１１の位相が同一になるように設定されている。その１つ離れた同一側の櫛歯電極１１は、共に第１端子３Ａまたは第２端子３Ｂに接続されている。なお、隣り合う２つのＩＤＴ電極７同士は、Ｄ２軸方向の同一側に位置する櫛歯電極１１同士の位相が同一であってもよいし、１８０°異なっていてもよい。別の観点では、入力信号と出力信号とは位相が１８０°異なっていてもよいし、同一であってもよい。

（分波器）
図２は、分波器２３の構成を示す模式図である。この図では、７、９、１１、１３および１５の符号から理解されるように、ＩＤＴ電極７および反射器９を図１よりも模式的に示している。

分波器２３は、不図示のアンテナに接続されるアンテナ端子２５と、アンテナ端子２５への送信信号をフィルタリングする送信フィルタ２７と、アンテナ端子２５からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタ２９と、を含んでいる。なお、ここでは、アンテナ端子２５を送信フィルタ２７および受信フィルタ２９とは別のものとして捉えているが、アンテナ端子２５は、送信フィルタ２７および／または受信フィルタ２９の一部として捉えられてもよい。

（送信フィルタ）
送信フィルタ２７は、例えば、いわゆるラダー型ＳＡＷフィルタによって構成されている。すなわち、送信フィルタ２７は、送信信号が入力される送信端子３１と、この送信端子３１とアンテナ端子２５との間で互いに直列に接続された複数（図示の例では４つ）の直列共振子３３と、その直列のラインとＧＮＤ部２１とを接続する複数（図示の例では３つ）の並列共振子３５とを含んでいる。

複数の直列共振子３３および複数の並列共振子３５それぞれは、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されている。１ポートＳＡＷ共振子は、圧電基板５（図１参照）と、圧電基板５上に設けられた１つのＩＤＴ電極７と、圧電基板５上に設けられ、前記の１つのＩＤＴ電極７に対してＳＡＷの伝搬方向の両側に位置する１対の反射器９とを含んでいる。ＩＤＴ電極７および反射器９の構成、およびＩＤＴ電極７と反射器９との間隔（互いに隣接する電極指１５とストリップ電極１９とのピッチ）については、図１を参照して説明したとおりである。

各直列共振子３３において、１対の櫛歯電極１１のうち一方の櫛歯電極１１は、他の直列共振子３３を介して、または介さずに、アンテナ端子２５に接続され、他方の櫛歯電極１１は、他の直列共振子３３を介して、または介さずに、送信端子３１に接続されている。各並列共振子３５において、１対の櫛歯電極１１のうち一方の櫛歯電極１１は、アンテナ端子２５と送信端子３１とを結ぶ直列のライン（直列腕）に接続され、他方の櫛歯電極１１は、ＧＮＤ部２１に接続されている。

複数の直列共振子３３の周波数特性（例えば共振周波数および反共振周波数）は、基本的には互いに同一である。複数の並列共振子３５の周波数特性（例えば共振周波数および反共振周波数）は、基本的には互いに同一である。また、直列共振子３３および並列共振子３５は、基本的には、直列共振子３３の共振周波数に並列共振子３５の反共振周波数が概ね一致するように、その特性が設定される。通過帯域の中心周波数は、概ね直列共振子３３の共振周波数となる。

送信フィルタ２７において、送信端子３１、全てのＩＤＴ電極７および全ての反射器９は、例えば、同一の圧電基板５の同一面上に設けられている。直列共振子３３および並列共振子３５の数は適宜に設定されてよい。原理的には、これらは１つずつであってもよい。また、複数の直列共振子３３は、共振周波数および反共振周波数等が互いに僅かに異なるように微調整がされていてもよい。同様に、複数の並列共振子３５は、共振周波数および反共振周波数等が互いに僅かに異なるように微調整がされていてもよい。送信フィルタ２７は、インダクタ、容量素子等の共振子以外の構成を適宜な位置に含んでいてもよい。

（受信フィルタ）
受信フィルタ２９は、図１を参照して説明したＤＭＳフィルタ１を主要な構成として含んでいる。具体的には、例えば、受信フィルタ２９は、受信信号を出力する受信端子３７を含んでいるとともに、アンテナ端子２５から受信端子３７へ順に直列に接続されている、第１補助共振子３９Ａ、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂおよび第２補助共振子３９Ｂを含んでいる。

第１補助共振子３９Ａおよび第２補助共振子３９Ｂはそれぞれ、例えば、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されている。１ポートＳＡＷ共振子の構成については既に述べたとおりである。第１補助共振子３９Ａにおいて、１対の櫛歯電極１１のうち一方の櫛歯電極１１は、アンテナ端子２５に接続され、他方の櫛歯電極１１は、第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続されている。第２補助共振子３９Ｂにおいて、１対の櫛歯電極１１のうち一方の櫛歯電極１１は、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続され、他方の櫛歯電極１１は、受信端子３７に接続されている。補助共振子３９は、例えば、共振周波数がＤＭＳフィルタ１の通過帯域内に位置し、かつ反共振周波数がＤＭＳフィルタ１の通過帯域外であって、ＤＭＳフィルタ１において減衰量が低下する周波数に位置するように構成されている。なお、このような補助共振子３９は設けられなくてもよい。

第１ＤＭＳフィルタ１Ａおよび第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは、図１を参照して説明したＤＭＳフィルタ１と同様のものである。ＩＤＴ電極７の数が５つであること、不平衡信号が入力され、不平衡信号を出力する点も、図１と同様である。

第１ＤＭＳフィルタ１Ａにおいては、例えば、図１の第２端子３Ｂ側がアンテナ端子２５側に相当し、第１端子３Ａ側が受信端子３７側に相当する。第１ＤＭＳフィルタ１Ａは、第１補助共振子３９Ａから２つのＩＤＴ電極７に信号が入力され、３つのＩＤＴ電極７から第２ＤＭＳフィルタ１Ｂへ信号を出力する。

第２ＤＭＳフィルタ１Ｂにおいては、例えば、図１の第１端子３Ａ側がアンテナ端子２５側に相当し、第２端子３Ｂ側が受信端子３７側に相当する。第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは、第１ＤＭＳフィルタ１Ａから３つのＩＤＴ電極７に信号が入力され、２つのＩＤＴ電極７から第２補助共振子３９Ｂへ信号を出力する。

ＤＭＳフィルタ１の複数のＩＤＴ電極７それぞれにおいて、１対の櫛歯電極１１の一方はＧＮＤ部２１に接続されている。後の説明の便宜上、複数のＧＮＤ部２１のうち、第１ＤＭＳフィルタ１Ａの両側のＩＤＴ電極７に接続されているＧＮＤ部２１を第１ＧＮＤ部２１Ａおよび第２ＧＮＤ部２１Ｂといい、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂの両側のＩＤＴ電極７に接続されているＧＮＤ部２１を第３ＧＮＤ部２１Ｃおよび第４ＧＮＤ部２１Ｄというものとする。

受信フィルタ２９において、受信端子３７、全てのＩＤＴ電極７および全ての反射器９は、例えば、同一の圧電基板５の同一面上に設けられている。また、アンテナ端子２５、送信フィルタ２７および受信フィルタ２９は、例えば、同一の圧電基板５の同一面上に設けられている。ただし、送信フィルタ２７および受信フィルタ２９は、互いに異なる圧電基板５上に設けられていてもよい。

（受信フィルタにおける容量結合）
受信端子３７と、ＤＭＳフィルタ１に接続されているＧＮＤ部２１（図示の例では第４ＧＮＤ部２１Ｄ）とは容量結合している。別の観点では、受信端子３７と第４ＧＮＤ部２１Ｄとの間には容量素子部４１が構成されている。これにより、受信フィルタ２９と送信フィルタ２７とのアイソレーションが向上する。

ここでは図示しないが、ＧＮＤ部２１は、例えば、分波器２３の外部の回路から基準電位が付与される端子、および／または当該端子に接続されている配線からなる。そして、上記の容量結合は、例えば、受信端子３７および／または受信端子３７に接続されている配線と、第４ＧＮＤ部２１Ｄとが隣接することによって実現されている。

（容量結合を実現する具体的な導体パターンの例）
図３（ａ）は、受信フィルタ２９の導体パターンの例を示す平面図である。

この図において、補助共振子３９およびＤＭＳフィルタ１は模式的に示されている。具体的には、補助共振子３９においては、ＩＤＴ電極７の配置範囲および反射器９の配置範囲それぞれが白地の矩形で示されている。なお、各補助共振子３９のＩＤＴ電極７は、Ｄ２軸方向において分割されていてよい（複数のＩＤＴ電極によって構成されていてよい）が、ここではそのような態様であっても１つの矩形で示されている。ＤＭＳフィルタ１においては、複数のＩＤＴ電極７全体の配置範囲が１つの白地の矩形で示され、ＩＤＴ電極７間の境界が点線で示されている。ＤＭＳフィルタ１の反射器９の配置範囲は白地の矩形で示されている。

ハッチングで示した領域は、圧電基板５の上面上に設けられた導体パターン（補助共振子３９およびＤＭＳフィルタ１を除く）を示している。斜線のハッチングで示された領域は、受信信号が付与される導体パターンを示している。点のハッチングで示された領域は、基準電位が付与される導体パターンを示している。これらの導体は、例えば、ＩＤＴ電極７および反射器９を構成する導体層と同一の材料および厚さの導体層から構成されている。なお、端子は、他の部分と共通する導体層上に他の材料からなる導体層を含んでいてもよい。

信号が付与される導体は、例えば、アンテナ端子２５および受信端子３７を含んでいる（丸で囲まれた領域）。また、当該導体は、図３（ａ）と図２との対比からも理解されるように、例えば、アンテナ端子２５から第１補助共振子３９Ａへ延びる配線（符号省略）と、第１補助共振子３９Ａから第１ＤＭＳフィルタ１Ａへ延び、途中で２つに分岐している配線（符号省略）と、第１ＤＭＳフィルタ１Ａから第２ＤＭＳフィルタ１Ｂへ延びている３本の配線（符号省略）と、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂから第２補助共振子３９Ｂへ２本で延び、途中で合流している配線（符号省略）と、第２補助共振子３９Ｂから受信端子３７へ延びる受信端子配線４３とを含んでいる。なお、第１ＤＭＳフィルタ１Ａと第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとを接続する３本の配線を互いに接続する配線を設けたり、３本の配線のうち中央の配線を２本に分けたりするなど、適宜な変形がなされてよい。

基準電位が付与される導体は、例えば、ＧＮＤ端子４５（丸で囲まれた領域）を含んでいる。第１ＧＮＤ端子４５Ａ〜第４ＧＮＤ端子４５Ｄ（この例では第４ＧＮＤ端子４５Ｄは２つ）はそれぞれ図２の第１ＧＮＤ部２１Ａ〜第４ＧＮＤ部２１Ｄを構成している。また、基準電位が付与される導体は、ＧＮＤ端子４５と、ＤＭＳフィルタ１とを接続するＧＮＤ配線４７を含んでいる。

図３（ａ）と図２との対比からも理解されるように、各ＧＮＤ配線４７は、以下のようにＧＮＤ端子４５とＤＭＳフィルタ１とを接続している。第１ＧＮＤ配線４７Ａは、第１ＧＮＤ端子４５Ａと、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ内においてＤ１軸負側の端部に位置するＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸正側の櫛歯電極１１とを接続している。第２ＧＮＤ配線４７Ｂは、第２ＧＮＤ端子４５Ｂと、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ内においてＤ１軸正側の端部に位置するＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸正側の櫛歯電極１１とを接続している。第３ＧＮＤ配線４７Ｃは、第３ＧＮＤ端子４５Ｃと、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内においてＤ１軸負側の端部に位置するＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸負側の櫛歯電極１１とを接続している。第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、第４ＧＮＤ端子４５Ｄと、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内においてＤ１軸正側の端部に位置するＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸負側の櫛歯電極１１とを接続している。なお、ＤＭＳフィルタ１内で端部に位置するＩＤＴ電極７の櫛歯電極１１とＧＮＤ配線４７との接続は、反射器９を介したものであってもよい。

Ａ〜Ｄの付加符号を付していないＧＮＤ配線４７は、例えば、信号が付与される配線に対して不図示の絶縁層を間に介在させて立体交差する不図示の配線によって、第１ＧＮＤ配線４７Ａ〜第４ＧＮＤ配線４７Ｄのうちの最寄りのものに対して接続されている。より具体的には、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ側のＧＮＤ配線４７は、第１ＧＮＤ配線４７Ａまたは第２ＧＮＤ配線４７Ｂに、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ側のＧＮＤ配線４７は、第３ＧＮＤ配線４７Ｃまたは第４ＧＮＤ配線４７Ｄにそれぞれ接続されている。すなわち、第１ＤＭＳフィルタ１ＡのＧＮＤ配線４７は第１ＤＭＳフィルタ１Ａでまとめ、第２ＤＭＳフィルタ１ＢのＧＮＤ配線４７は第２ＤＭＳフィルタ１Ｂでまとめている。絶縁層を介在させた立体交差に代えて、ボンディングワイヤが用いられてもよい。

第１ＧＮＤ配線４７Ａ〜第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、互いに分離している。第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続される第１ＧＮＤ配線４７Ａおよび第２ＧＮＤ配線４７Ｂは、不図示の立体配線等によって互いに接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。同様に、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続される第３ＧＮＤ配線４７Ｃおよび第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、不図示の立体配線等によって互いに接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。なお、以下では、特に断りがない限りは、第３ＧＮＤ配線４７Ｃおよび第４ＧＮＤ配線４７Ｄは非接続とされているものとする。

第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続されるＧＮＤ配線（例えば４７Ａおよび４７Ｂ）と、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続されるＧＮＤ配線（例えば４７Ｃおよび４７Ｄ）は、例えば、互いに非接続とされている。ただし、これらが互いに接続されているものも本開示に含まれる。

各種の端子（２５、３７および４５）上には、例えば、圧電基板５と、当該圧電基板５に対向配置される不図示の実装基板との間に介在する半田等からなるバンプ、または圧電基板５を覆うカバーを貫通する柱状端子が配置される。各種の端子上にボンディングワイヤの一端が接合されてもよい。圧電基板５上の導体パターンにおいて、端子と、当該端子に接続されている配線との間には、端子または配線の構成自体による境界（例えば材料の変化または形状の変化）は無くてもよい。

信号が付与される導体パターンのうち、受信端子３７および当該受信端子３７に連続している受信端子配線４３からなる部分を受信端子導体４９とする。図３（ａ）の例では、信号が付与される導体パターンのうち、電気的な経路に関して第２ＤＭＳフィルタ１Ｂよりも受信端子３７側の部分が受信端子導体４９である。また、基準電位が付与される導体パターンのうち、ＧＮＤ端子４５および当該ＧＮＤ端子４５に連続しているＧＮＤ配線４７からなる部分をＧＮＤ導体５１とする。例えば、図３（ａ）の例では、基準電位が付与される導体パターンのうち、電気的な経路に関して第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続されるものを含み、これよりも第４ＧＮＤ端子４５Ｄ側の部分が第４ＧＮＤ導体５１Ｄである。そして、受信端子導体４９と第４ＧＮＤ導体５１Ｄとは隣接して容量結合している（容量素子部４１が構成されている。）。

具体的には、例えば、第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、第４ＧＮＤ端子４５Ｄ（２つのうちいずれを基準に考えてもよい）に対して、電気的な経路に関して第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとは反対側に延びる部分を有している。当該部分が受信端子配線４３に隣接している。配線同士のいずれの部分が隣接してもよいが、図示の例では、第４ＧＮＤ配線４７Ｄの先端と、受信端子配線４３の側面とが隣接している。

なお、第４ＧＮＤ端子４５Ｄを２つ設けることで、容量部４１よりも第２ＤＭＳフィルタ１Ｂにより近い側で基準電位に接続する経路を設けることができる。このような構成とすることで、基準電位の安定化を実現するとともに、インダクタンス成分を調整することができ、より、ロスの少ない受信フィルタ２９を実現することができる。このように、基準電位への経路を複数有していてもよい。

（容量素子部の容量）
容量素子部４１の容量は、例えば、０．０３ｐＦ以上、または０．１ｐＦ以上である。容量が０．０３ｐＦ以上であると、例えば、容量結合によるアイソレーションの向上の効果が確認できる。容量が０．１ｐＦ以上であると、例えば、容量結合によるアイソレーションの向上の効果が顕著となる。なお、上限は、例えば、１ｐＦである。１ｐＦ以下であると、例えば、帯域内のインピーダンスマッチングが比較的容易であり、ロスを低減できる。また、容量は、０．１ｐＦ以上０．７ｐＦ以下としてもよい。この場合、例えば、アイソレーションを向上させるとともにロスを低減することができる。より詳細には０．４ｐＦ以上、０．６ｐＦ以下としてもよい。

上記の容量を実現するために、容量素子部４１における受信端子導体４９とＧＮＤ導体５１との間隔ｄ（別の観点では受信端子導体４９とＧＮＤ導体５１との最小間隔）および両者が対向する長さＬは適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板５が厚さ２５０μｍのタンタル酸リチウム単結晶からなり、導体が厚さ０．１６μｍのアルミニウムからなる場合について考える。

この場合において、例えば、受信端子導体４９およびＧＮＤ導体５１それぞれが１００μｍ×１００μｍの矩形からなり、長さＬが１００μｍであるとする。このとき、間隔ｄの変化に対する容量Ｃの変化は以下のとおりである。
ｄ Ｃ
１μｍ ０．０８ｐＦ
５μｍ ０．０６ｐＦ
１０μｍ ０．０５ｐＦ
２０μｍ ０．０４５ｐＦ
５０μｍ ０．０３５ｐＦ

また、例えば、受信端子導体４９およびＧＮＤ導体５１の一方が１０μｍ×３００μｍの矩形からなり、他方が１００μｍ×３００μｍの矩形からなり、長さＬが３００μｍであるとする。このとき、間隔ｄの変化に対する容量Ｃの変化は以下のとおりである。
ｄ Ｃ
１μｍ ０．１８ｐＦ
５μｍ ０．１３ｐＦ
１０μｍ ０．１１ｐＦ
２０μｍ ０．０９ｐＦ
５０μｍ ０．０７ｐＦ

従って、概ね間隔ｄを２０μｍ以下にした場合、長さＬが１００μｍ程度でも０．０３ｐＦ以上の容量を確実に確保することができ、また、長さＬが３００μｍ程度で０．１ｐＦ以上の容量を確保することができる。

ＳＡＷの波長（電極指１５のピッチの２倍）は、使用するＳＡＷの種類および要求される共振周波数にもよるが、例えば、１．５μｍ以上６μｍ以下である。電極指１５は、１つのＩＤＴ電極７において、例えば、数十本以上または１００本以上設けられる。従って、ＩＤＴ電極７の大きさからすれば、長さＬとして１００μｍまたは３００μｍを確保することは現実的である。

配線または端子のような導体同士は、本開示のように容量結合を意図しない場合においては、電極指１５とは異なり、比較的広い距離で離間される。意図しない容量結合のおそれを低減したり、短絡のおそれを低減したりする目的からである。特に半田等のバンプが接合される端子においては、バンプの形成誤差も考慮して他の導体からの距離が大きく取られる。例えば、導体同士は、数十μｍ以上離される。従って、２０μｍ以下の間隔ｄは、通常は形成されない。

同様に、容量Ｃを確保するために、間隔ｄが２０μｍ以下、より詳細には１．５μｍ以上１０μｍ以下とする場合には、圧電基板５上の薄膜パターン形成およびパターニング工程により実現することができる。逆に言えば、厚膜印刷およびそのパターニング工程で実現することは困難であり、有機基板、セラミック多層基板等にこの機能を持たせることは難しい。すなわち、容量部４１は第２ＤＭＳフィルタ１Ｂと同一基板上に作りこむことで所望の容量を実現することができる。

長さＬを短くしつつ、容量を確保する観点からは、間隔ｄは小さいほどよい。一方、間隔ｄが小さくなれば、加工誤差によって短絡のおそれが生じる。従って、例えば、間隔ｄは、電極指１５の間隔（隣り合う電極指１５の対向する辺同士の距離）以上、もしくは電極指１５のピッチ以上、または１μｍ以上である。この場合、容量素子部４１の形成のためにのみ加工精度を高くするというような不都合は生じない。

（他の導体パターンの例）
図３（ｂ）は、受信フィルタ２９の導体パターンの他の例を示す平面図である。

この例は、図３（ａ）に比較して、第４ＧＮＤ端子４５Ｄが１つのみである点、容量素子部４１が複数個所（図示の例では２箇所）に構成されている点、および各容量素子部４１に係る導体パターンの具体的形状が相違する。その他は、若干の相違はあるものの、概ね図３（ａ）の例と同様である。

この例において、図３（ａ）の例よりも第４ＧＮＤ端子４５Ｄの数を減らしたように、ＧＮＤ導体５１に含まれるＧＮＤ端子４５の数および位置は任意である。ただし、受信端子導体４９と容量結合されるＧＮＤ導体５１に複数のＧＮＤ端子４５が含まれれば、当該ＧＮＤ導体５１の電位が安定しやすくなる。

２つの容量素子部４１のうち１つは、図３（ａ）の例と同様に、受信端子導体４９と、第４ＧＮＤ導体５１Ｄとが隣接することによって構成されている。他方の容量素子部４１は、受信端子導体４９と第３ＧＮＤ導体５１Ｃとが隣接することによって構成されている。なお、第３ＧＮＤ導体５１Ｃも第４ＧＮＤ導体５１Ｄと同様に、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続され、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ（第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続されたＧＮＤ導体５１）に非接続のものである。

このように複数個所に容量素子部４１を構成することによって、例えば、容量を確保することが容易化される。また、例えば、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内の互いに異なるＩＤＴ電極７に接続される複数のＧＮＤ導体５１によって容量素子部４１を構成することによって、複数個所に容量素子部４１を構成することが容易化される。受信端子導体４９が互いに異なる複数のＧＮＤ導体５１と容量結合することによって、例えば、アイソレーション向上の効果の安定化も期待される。

図３（ａ）の例では、受信端子配線４３の矩形状部分の側面と、第４ＧＭＤ配線４７Ｄの矩形状部分の先端面とが対向して容量素子部４１を構成した。これに対して、図３（ｂ）の例では、受信端子配線４３の屈曲部外側の傾斜面と、第４ＧＮＤ配線４７Ｄの先端部に設けられた三角形状部分の傾斜面とが対向して容量素子部４１を構成している。このように、容量素子部４１を構成する導体のパターンは任意である。

図３（ｃ）は、受信フィルタ２９の導体パターンの更に他の例を示す平面図である。

この例は、図３（ａ）に比較して、第３ＧＮＤ配線４７Ｃと第４ＧＮＤ配線４７Ｄとが互いに接続されている点、および第３ＧＮＤ導体５１Ｃ、第４ＧＮＤ導体５１Ｄおよび第２ＤＭＳフィルタ１Ｂによって受信端子導体４９を囲むように第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび第４ＧＮＤ導体５１Ｄが延びている点が相違する。なお、図３（ａ）との比較の便宜上、第３ＧＮＤ導体５１Ｃと第４ＧＮＤ導体５１Ｄとを区別しているが、両者は１つのＧＮＤ導体５１と捉えられてよい。

このように第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび第４ＧＮＤ導体５１Ｄを形成すると、例えば、これらの導体と受信端子導体４９との対向長さＬを長くすることが容易化される。図示の例では、受信端子配線４３は、圧電基板５の外周側の側面が屈曲しているところ、第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、圧電基板５の内周側の側面が受信端子配線４３の前記の側面の形状と相似形とされており、両側面は比較的長い距離に亘って対向している。また、第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび第４ＧＮＤ導体５１Ｄが受信端子導体４９を囲むことによって、これらのＧＮＤ導体５１にシールドとしての機能も期待される。

また、第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび第４ＧＮＤ導体５１Ｄが受信端子導体４９を囲むことで、必要十分な容量を形成することができるので、補助共振子３９Ｂとの距離を確保することができる。このような構成とすることで、補助共振子３９Ｂとの意図せぬ結合を抑制し、補助共振子３９Ｂによる減衰特性向上の効果を十分に発現することができるものとなる。

（実施例：容量の影響）
図３（ａ）に示した導体パターンの受信フィルタ２９を含む分波器２３について、シミュレーション計算によってその特性を調べた。この際、容量素子部４１の容量を変化させて、容量の影響も調べた。

分波器２３は、ＵＭＴＳ（universal mobile telecommunications system）バンド３（送信帯域：１７１０−１７８５ＭＨｚ、受信帯域：１８０５−１８８０ＭＨｚ）に対応するものとした。なお、ＵＭＴＳバンド３では、受信帯域は送信帯域よりも周波数が高い。容量は、０．００ｐＦ（比較例）、０．０３ｐＦ、０．０６５ｐＦ、０．１０ｐＦ、０．１５ｐＦ、０．２０ｐＦまたは０．３０ｐＦとした。

図４（ａ）〜図４（ｄ）は、計算結果を示している。図４（ａ）は、分波器２３の透過特性を示している。図４（ｂ）は、分波器２３のアイソレーション特性を示している。図４（ｃ）は、図４（ｂ）の一部（矩形で囲んだ部分）の拡大図である。図４（ｄ）は、受信帯域における受信フィルタ２９のインピーダンスを示すスミスチャートである。線種と容量との関係は、図４（ｂ）内に示されている。図４（ａ）〜図４（ｃ）において、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示し、縦軸は特性（ｄＢ）を示している。

これらの図に示すように、容量が最も小さく設定された０．０３ｐＦのケースにおいても、容量が０．００ｐＦのケースに比較して、アイソレーション向上の効果が確認された。図４（ｃ）に特に現れているように、容量が大きくなるほどアイソレーションは向上した。容量が０．１ｐＦ以上となると、容量が０．００ｐＦのケースに比較して０．５ｄＢ以上の効果が得られた。

上記と同様のシミュレーション計算を上記とは異なる周波数帯においても行った。具体的には、分波器２３として、ＵＭＴＳバンド１（送信帯域：１９２０−１９８０ＭＨｚ、受信帯域：２１１０−２１７０ＭＨｚ）に対応するものを想定した。バンド１においては、アンテナ端子２５と受信端子３７との間に、アンテナ端子側から順にラダーフィルタ，ＤＭＳフィルタ１が接続されている。

図５（ａ）〜（ｄ）は、計算結果を示す図４（ａ）〜図４（ｄ）と同様の図である。このバンド１についての計算結果においても、バンド３についての計算結果と同様の効果が確認された。すなわち、容量が０．０３ｐＦでもアイソレーション向上の効果が確認され、容量が大きくなるほどアイソレーションは向上し、容量が０．１ｐＦ以上であれば０．５ｄＢ以上の効果が得られた。また、ＤＭＳフィルタの構成や周波数帯に依らず、本構造によりアイソレーション向上の効果が発現することを確認した。

すなわち、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ，第２ＤＭＳフィルタ１Ｂのような２段ＤＭＳ構造でなくても、後段（受信端子側）のＤＭＳフィルタのグランド電極と受信端子とを容量結合させることでアイソレーションを改善することができることを確認した。

さらに、前段（アンテナ端子側）のラダーフィルタのグランド電極と後段（受信端子側）のＤＭＳフィルタのグランド電極とを分離することで、アイソレーションをさらに高めることができることも確認している。

（実施例：導体パターンの影響）
受信フィルタ２９の導体パターンについて、比較例または実施例に係る種々の形状を想定し、分波器２３の特性を調べるシミュレーション計算を行った。

図６（ａ）は、第１比較例の導体パターンを示す、図３（ａ）に対応する図である。第１比較例では、容量素子部４１が設けられていない。また、第１比較例では、紙面右下の第５ＧＮＤ端子４５Ｅは、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂと接続されていない。それ以外は、概ね図３（ａ）の例と同様である。

図６（ｂ）は、第１実施例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第１実施例は、第１比較例に対して、黒地のハッチングを付して示す導体を追加したものである。この追加部分は、第３ＧＮＤ導体５１Ｃもしくは第４ＧＮＤ導体５１Ｄの一部、またはこれらと１つのＧＮＤ導体５１を構成する部分である。すなわち、第１実施例は、図３（ｃ）に示した例と同様に、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内の両端のＩＤＴ電極７に接続されているＧＮＤ導体５１が、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとで受信端子導体４９を囲むように延びるものである。容量素子部４１の容量は０．１ｐＦである。

図６（ｃ）は、第２比較例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第２比較例は、第１比較例に対して、黒地のハッチングを付して示す導体を追加したものである。この追加部分は、第３ＧＮＤ導体５１Ｃと第４ＧＮＤ導体５１Ｄとを接続する配線であり、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂと第２補助共振子３９Ｂとを接続する配線に対して絶縁層を介して立体交差している。

図７（ａ）〜図７（ｈ）は、シミュレーション計算結果を示している。この計算では、分波器２３として、ＵＭＴＳバンド３に対応するものを想定した。

図７（ａ）は、分波器２３の透過特性を示している。図７（ｂ）は、分波器２３の透過特性を図７（ａ）よりも広い周波数範囲かつ広い通過特性範囲で示している。図７（ｃ）は、アンテナ端子２５における定在波比を示している。図７（ｄ）は、送信端子３１および受信端子３７における定在波比を示している。図７（ｅ）は、分波器２３のアイソレーション特性を示している。図７（ｆ）は、送信帯域から受信帯域までの周波数範囲においてアンテナ端子２５から見たインピーダンスを示すスミスチャートである。

図７（ａ）〜図７（ｅ）において、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示し、縦軸は特性（ｄＢ）または定在波比を示している。図７（ｆ）〜図７（ｈ）において、チャート中央を中心とする破線の円は、定在波比が下回るべき基準を示している。線種の割り当ては、図７（ｅ）中に示されている。線種に割り当てられた記号は、ＣＥ１：第１比較例（図６（ａ））、Ｅ１：第１実施例（図６（ｂ））、ＣＥ２：第２比較例（図６（ｃ））である。線ＣＥ１と線ＣＥ２とは多くの部分において重なっており、両者の区別は難しくなっている。

第１比較例と第１実施例との比較から、アイソレーションが１〜１．５ｄＢ改善されていることが確認できる。また、第１比較例と第２比較例とを比較すると、アイソレーションに有意な差は見出せない。このことから、第１実施例におけるアイソレーションの改善は、第３ＧＮＤ導体５１Ｃと第４ＧＮＤ導体５１Ｄとの接続に基づくのではなく、第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび／または第４ＧＮＤ導体５１Ｄの配置に基づいていることが分かる。

図８（ａ）〜図８（ｈ）は、図６（ａ）および図６（ｂ）に係る分波器２３として、ＵＭＴＳバンド２５（送信帯域：１８５０−１９１５ＭＨｚ、受信帯域：１９３０−１９９５ＭＨｚ）に対応するものを想定した場合（第３比較例および第２実施例とする）のシミュレーション計算結果を示す、図７（ａ）〜図７（ｈ）に対応する図である。図中において線種に割り当てられた記号は、ＣＥ３：第３比較例、Ｅ２：第２実施例である。

バンド２５においても、バンド３について行った計算結果と同様の計算結果が得られた。すなわち、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内の両端のＩＤＴ電極７に接続されたＧＮＤ導体５１（５１Ｃおよび５１Ｄ）を、当該導体と第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとで受信端子導体４９を囲むように設けることによって、アイソレーションが１〜１．５ｄＢ改善された。また、ＤＭＳフィルタの構成や周波数帯に依らず、本構造によりアイソレーション向上の効果が発現することを確認した。

図９（ａ）は、第４比較例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第４比較例は、第１比較例に対して、黒地のハッチングを付して示す導体を追加したものである。この追加部分は、アンテナ端子２５および受信フィルタ２９全体を囲む環状導体５５である。環状導体５５と受信端子導体４９とが隣接する部分の容量は、０．１ｐＦである。環状導体５５は、例えば、信号および基準電位のいずれも付与されず、電気的に浮遊状態とされている。

図９（ｂ）は、第５比較例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第５比較例は、黒地のハッチングを付して示すように、第４比較例において、環状導体５５と、第５ＧＮＤ端子４５Ｅとを第５ＧＮＤ配線４７Ｅによって接続したものである。

図９（ｃ）は、第６比較例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第６比較例は、黒地のハッチングを付して示すように、第４比較例において、環状導体５５と、受信端子導体４９とを接続したものである。

図１０（ａ）〜図１０（ｈ）は、第１および第４〜第６比較例についてのシミュレーション計算結果を示す図７（ａ）〜図７（ｈ）に対応する図である。分波器２３の周波数帯は、図７（ａ）〜図７（ｈ）と同様に、ＵＭＴＳバンド３である。図中において線種に割り当てられた記号は、ＣＥ１：第１比較例、ＣＥ４：第４比較例、ＣＥ５：第５比較例、ＣＥ６：第６比較例である。線ＣＥ４と線ＣＥ５とは多くの部分において重なっており、両者の区別は難しくなっている。

これらの図から、環状導体５５を設けても、当該環状導体５５がＤＭＳフィルタ１に接続されていない場合においては、アイソレーションは改善せず、むしろ悪化することがわかる。これは、例えば、環状導体５５を介して受信フィルタ２９から送信フィルタ２７への信号漏れが増大することに起因すると考えられる。

図１１（ａ）は、第３実施例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第３実施例は、第４比較例において、環状導体５５と第１ＤＭＳフィルタ１Ａとを第１ＧＮＤ配線４７Ａによって接続したものである。なお、環状導体５５は、第１ＧＮＤ配線４７Ａ（第１ＧＮＤ導体５１Ａ）の一部として捉えられてよい。

図１１（ｂ）は、第４実施例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第４実施例は、第４比較例において、環状導体５５と第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとを第３ＧＮＤ配線４７Ｃによって接続したものである。なお、環状導体５５は、第３ＧＮＤ配線４７Ｃ（第３ＧＮＤ導体５１Ｃ）の一部として捉えられてよい。

図１１（ｃ）は、第５実施例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第５実施例は、第３実施例と第４実施例とを組み合わせたものである。すなわち、第５実施例は、第４比較例において、環状導体５５と第１ＤＭＳフィルタ１Ａとを第１ＧＮＤ配線４７Ａによって接続するとともに、環状導体５５と第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとを第３ＧＮＤ配線４７Ｃによって接続したものである。なお、環状導体５５、第１ＧＮＤ導体５１Ａおよび第３ＧＮＤ導体５１Ｃ全体がＧＮＤ導体５１と捉えられてよい。

図１２（ａ）〜図１２（ｈ）は、第１比較例および第３〜第５実施例についてのシミュレーション計算結果を示す図７（ａ）〜図７（ｈ）に対応する図である。分波器２３の周波数帯は、図７（ａ）〜図７（ｈ）と同様に、ＵＭＴＳバンド３である。図中において線種に割り当てられた記号は、ＣＥ１：第１比較例、Ｅ３：第３実施例、Ｅ４：第４実施例、Ｅ５：第５実施例である。線Ｅ３と線Ｅ４とは多くの部分において重なっており、両者の区別は難しくなっている。

これらの図から、環状導体５５をＤＭＳフィルタ１に接続した場合においては、アイソレーションが改善することがわかる。全体としてアイソレーションが良好なのは環状導体５５を第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続した第４実施例である。環状導体５５を第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続した第３実施例は、一部においては第４実施例よりも良好なアイソレーションを示す。両実施例を組み合わせた第５実施例は、第１比較例に比較して、送信帯域のアイソレーションは向上するが、受信帯域のアイソレーションはあまり向上しない。

以上のとおり、本開示では、受信フィルタ２９は、アンテナ端子２５からの受信信号を出力する受信端子３７と、アンテナ端子２５から受信端子３７への信号経路に位置している縦結合二重モード型弾性波フィルタである第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ（第１ＤＭＳフィルタ１Ａでもよい）と、基準電位が付与される第４ＧＮＤ端子４５Ｄ（他のＧＮＤ端子４５でもよい）と、第４ＧＮＤ端子４５Ｄおよび第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続されている第４ＧＮＤ配線４７Ｄと、を含んでいる。受信端子３７および当該受信端子３７に接続されている受信端子配線４３からなる受信端子導体４９と、第４ＧＮＤ端子４５Ｄおよび第４ＧＮＤ配線４７Ｄからなる第４ＧＮＤ導体５１Ｄとが互いに隣接して容量結合している。

従って、シミュレーション計算によって示したように、受信フィルタ２９と他のフィルタ（例えば送信フィルタ２７）とのアイソレーションが向上する。この構成では、容量結合さえできればよく、例えば、ＧＮＤ導体５１によって受信端子導体４９を囲む必要は必ずしもないから、設計の自由度が高く、また、受信フィルタ２９の小型化も容易である。また、容量結合によるアイソレーション向上は、シールド効果によるものではないため、既に送信フィルタ２７と受信フィルタ２９間にシールドが設けられている構成においても有効である。また、送信フィルタ２７と受信フィルタ２９とが別個の圧電基板５に設けられているような構成においても有効である。

また、本開示では、受信フィルタ２９は、多段接続されてアンテナ端子２５から受信端子３７への信号経路に位置している複数のＤＭＳフィルタ１を有している。第４ＧＮＤ導体５１Ｄ（他のＧＮＤ導体５１でもよい）は、１つのＤＭＳフィルタ１のみに接続されている。

従って、第５実施例（図１１（ｃ））に比較して第３実施例（（図１１（ａ））および第４実施例（図１１（ｂ））のアイソレーションが良好であったことから理解されるように、良好なアイソレーションが得られる。また、ＤＭＳフィルタ１同士の結合によって減衰量が低下してしまう（図１２（ｂ）の低周波側における線Ｅ５参照）おそれが低減される。

また、本開示では、受信端子導体４９と容量結合するＧＮＤ導体５１（例えば第４ＧＮＤ導体５１Ｄ）が接続されているＤＭＳフィルタ１（第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ）は、アンテナ端子２５から受信端子３７への信号経路において他の全てのＤＭＳフィルタ１（第１ＤＭＳフィルタ１Ａ）よりも受信端子３７側に位置している。

従って、第３実施例（図１１（ａ））に比較して第４実施例（図１１（ｂ））のアイソレーションが良好であったことから理解されるように、良好なアイソレーションが得られる。また、接続に関して受信端子３７に最も近いということは、通常、圧電基板５上の配置に関しても受信端子３７に最も近い。従って、例えば、第４ＧＮＤ導体５１Ｄを受信端子３７と容量結合させる（近づける）ために第４ＧＮＤ配線４７Ｄを引き回す必要性が低減される。

また、本開示では、圧電基板５の面上の配置に関して、第２ＧＮＤ導体５１Ｂは、第４ＧＮＤ導体５１Ｄとアンテナ端子２５との間に位置している。第２ＧＮＤ導体５１Ｂと第４ＧＮＤ導体５１Ｄとは接続されていない。

従って、例えば、受信端子３７に容量結合された第４ＧＮＤ導体５１Ｄによって、受信端子３７とアンテナ端子２５とが結合するおそれが低減される。その結果、例えば、アイソレーションの悪化または送信フィルタ２７の帯域内におけるインピーダンスの増大（挿入損失の増加）のおそれが低減される。

なお、上述の各開示に係る受信フィルタ２９は、不図示の実装基板に半田等のバンプを介して実装してもよいし、圧電基板５上にカバーを設け、このカバーの上面に各端子を導出する、いわゆるＷＬＰ（ウェハ・レベル・パッケージ）素子とし、このＷＬＰ素子を実装基板に実装してもよい。ＷＬＰ素子とする場合には、図３（ｃ）に示す受信端子３７とＧＮＤ導体５１Ｃ、５１Ｄのような、端子にと電位の異なる導体層が近接していても、両者が短絡することなく、安定して実装基板に電気的に接続することができる。

（分波器の導体パターンの例）
図１３は、分波器２３の導体パターンの例を示す平面図である。この図は、送信フィルタ２７の導体パターンの例も示している以外は、図３（ａ）等と同様の図である。

この例に示すように、アンテナ端子２５、送信フィルタ２７および受信フィルタ２９は、同一の圧電基板５の同一面上に設けられてよい。また、この場合において、送信フィルタ２７と受信フィルタ２９とは互いに隣接していてよい。受信フィルタ２９の導体パターンの形状は、既に図示した形状またはそれ以外の適宜な形状とされてよいが、ここでは図３（ｂ）の例の形状を用いている。

送信フィルタ２７において、信号が付与される導体（斜線でハッチングした領域）は、例えば、送信端子３１を含んでいる（丸で囲まれた領域）。また、当該導体は、図１３と図２との対比からも理解されるように、例えば、アンテナ端子２５、複数の直列共振子３３および送信端子３１を直列に接続する配線（符号省略）と、当該配線と複数の並列共振子３５とを接続する配線（符号省略）とを含んでいる。

また、送信フィルタ２７において、基準電位が付与される導体（点でハッチングした領域）は、例えば、ＧＮＤ端子４５（丸で囲まれた領域）と、ＧＮＤ端子４５に連続しているＧＮＤ配線４７とを含んでいる。ＧＮＤ配線４７は、例えば、ＧＮＤ端子４５と並列共振子３５の一の櫛歯電極１１との接続、ＧＮＤ端子４５同士の接続等に寄与している。

受信フィルタ２９の第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、圧電基板５の上面上において送信フィルタ２７と受信フィルタ２９との間に位置している。従って、例えば、受信端子３７との容量結合のための引き回しが送信フィルタ２７と受信フィルタ２９との間のシールドとしての機能を奏することになり、アイソレーションが一層向上する。

なお、この例では、送信フィルタ２７と受信フィルタ２９とを同一の圧電基板５に設けた場合を例に説明したが、別々の基板に設けてもよい。

＜通信装置＞
図１４は、分波器２３の利用例としての通信装置１０１の要部を示すブロック図である。通信装置１０１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、分波器２３を含んでいる。

通信装置１０１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１０３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１０５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１０７によって増幅されて分波器２３（送信端子３１）に入力される。そして、分波器２３は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子２５からアンテナ１０９に出力する。アンテナ１０９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。

また、通信装置１０１において、アンテナ１０９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１０９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器２３（アンテナ端子２５）に入力される。分波器２３は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１１１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１１１によって増幅され、バンドパスフィルタ１１３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１０３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。

なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図１４では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図１４は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。

なお、以上の開示において、第３実施例（図１１（ａ））および第５実施例（図１１（ｃ））を除いて、第４ＧＮＤ端子４５Ｄ（または第３ＧＮＤ端子４５Ｃ）は第１基準電位端子の一例であり、第４ＧＮＤ配線４７Ｄ（または第３ＧＮＤ配線４７Ｃ。環状導体５５を含んでよい。）は第１基準電位配線の一例であり、第４ＧＮＤ導体５１Ｄ（または第３ＧＮＤ導体５１Ｃ）は第１基準電位導体の一例であり、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは第１フィルタの一例であり、第１ＤＭＳフィルタ１Ａは第２フィルタの一例であり、第２ＧＮＤ端子４５Ｂは第２基準電位端子の一例であり、第２ＧＮＤ配線４７Ｂは第２基準電位配線の一例であり、第２ＧＮＤ導体５１Ｂは第２基準電位導体の一例であり、ＲＦ−ＩＣ１０３は集積回路素子の一例である。

また、第３実施例（図１１（ａ））においては、第１ＧＮＤ端子４５Ａは第１基準電位端子の一例であり、第１ＧＮＤ配線４７Ａ（環状導体５５）は第１基準電位端子の一例であり、第１ＧＮＤ導体５１Ａは第１基準電位導体の一例であり、第１ＤＭＳフィルタ１Ａは第１フィルタの一例であり、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは第２フィルタの一例である。

第５実施例（図１１（ｃ））においては、第１ＧＮＤ端子４５Ａまたは第３ＧＮＤ端子４５Ｃは第１基準電位端子の一例であり、第１ＧＮＤ配線４７Ａおよび第３ＧＮＤ配線４７Ｃ（環状導体５５）は第１基準電位配線の一例であり、第１ＧＮＤ導体５１Ａおよび第３ＧＮＤ導体５１Ｃは第１基準電位導体の一例であり、第１ＤＭＳフィルタ１Ａまたは第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは第１フィルタの一例である。

本開示は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

主として受信端子配線および基準電位配線が互いに隣接して容量結合する構成を例示したが、隣接して容量結合する部位の組み合わせは、受信端子および基準電位配線、受信端子配線および基準電位端子、受信端子および基準電位端子、またはこれらの組み合わせであってもよい。

基準電位配線は、基準電位端子および縦結合二重モード型フィルタと直接的に接続されていればよく、基準電位端子および／または縦結合二重モード型フィルタに連続していなくてもよい。直接的に接続されているとは、電子素子を介さずに電気的に接続されていることをいう。電子素子は、例えば、抵抗体、キャパシタ、インダクタ、共振子またはフィルタである。ただし、不可避的に配線に生じる抵抗等はここでいう電子素子に含まない。従って、例えば、基準電位配線は、圧電基板上の配線と絶縁層を介して立体交差する配線またはボンディングワイヤによって基準電位端子および／またはフィルタに接続されていてもよい。同様に、受信端子配線は、受信端子に直接的に接続されていればよく、受信端子に連続していなくてもよい。

ＤＭＳフィルタのＩＤＴの数は、５つに限定されず、例えば、３または７であってもよい。また、不平衡入力−不平衡出力のＤＭＳフィルタを例示したが、ＤＭＳフィルタは、平衡入力−平衡出力、不平衡入力−平衡出力または平衡入力−不平衡出力のものであってもよい。このような数または入出力の点に関して、多段接続された複数のＤＭＳフィルタ同士で構成が異なっていてもよい。

なお、上述の例では、分波器としてデュプレクサを例示して説明したが、ダイプレクサであってもよいし、３以上のフィルタが接続されてなるマルチプレクサであってもよい。

１Ｂ…第２ＤＭＳフィルタ（第１フィルタ（または第２フィルタ））、２５…アンテナ端子、２９…受信フィルタ、３７…受信端子、４３…受信端子配線、４５Ｄ…第４ＧＮＤ端子（第１基準電位端子）、４７Ｄ…第４ＧＮＤ配線（第１基準電位配線）、４９…受信端子導体、５１Ｄ…第４ＧＮＤ端子（第１基準電位導体）。

Claims (11)

1. アンテナ端子と、
   前記アンテナ端子からの信号を出力する受信端子と、
   前記受信端子に接続されている受信端子配線と、
   前記アンテナ端子から前記受信端子への信号経路に位置している、縦結合二重モード型弾性波フィルタである第１フィルタと、
   基準電位が付与される第１基準電位端子と、
   前記第１基準電位端子および前記第１フィルタに接続されている第１基準電位配線と、
   前記アンテナ端子、前記受信端子、前記受信端子配線、前記第１フィルタ、前記第１基準電位端子および前記第１基準電位配線が一の面上に設けられた圧電基板と、
   を有しており、
   前記受信端子および前記受信端子配線からなる、受信端子導体と、前記第１基準電位端子および前記第１基準電位配線からなる、第１基準電位導体とが互いに隣接して容量結合している
   受信フィルタ。
2. 前記第１フィルタと多段接続されて前記信号経路に位置している縦結合二重モード型弾性波フィルタとして、少なくとも１つの第２フィルタを有しており、
   前記第１基準電位導体は、前記第１フィルタおよび全ての前記第２フィルタのうち前記第１フィルタのみに接続されている
   請求項１に記載の受信フィルタ。
3. 前記第１フィルタは、前記信号経路において全ての前記第２フィルタよりも前記受信端子側に位置している
   請求項２に記載の受信フィルタ。
4. 前記面上に位置しており、基準電位が付与される第２基準電位端子と、
   前記面上にて第２基準電位端子に接続されている第２基準電位配線と、
   を有しており、
   前記面の平面視において、前記第２基準電位端子および前記第２基準電位配線からなる第２基準電位導体は、前記第１基準電位導体と前記アンテナ端子との間に位置しており、
   前記第１基準電位導体と前記第２基準電位導体とは非接続である
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の受信フィルタ。
5. 前記面の平面視において、前記第１基準電位導体は、前記第１フィルタとで前記受信端子導体を囲むように延びている
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の受信フィルタ。
6. 前記受信端子導体と前記第１基準電位導体との間隔が２０μｍ以下である
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の受信フィルタ。
7. 前記第１フィルタと前記受信端子との間に共振子を備える、請求項１乃至６のいずれかに記載の受信フィルタ。
8. 前記アンテナ端子と、
   前記アンテナ端子への信号をフィルタリングする送信フィルタと、
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の受信フィルタと、
   を有している分波器。
9. 前記受信フィルタの通過帯域は、前記送信フィルタの通過帯域よりも高い
   請求項８に記載の分波器。
10. 前記送信フィルタと前記受信フィルタとは、前記面上で隣接しており、
    前記第１基準電位導体は、前記面上で前記送信フィルタと前記受信フィルタとの間に位置している
    請求項８または９に記載の分波器。
11. アンテナと、
    前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項８〜１０のいずれか１項に記載の分波器と、
    前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されている集積回路素子と、
    を有している通信装置。

Images