JP2024003954A - 複合フィルタ及び通信装置 - Google Patents

複合フィルタ及び通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2024003954A
JP2024003954A JP2022103334A JP2022103334A JP2024003954A JP 2024003954 A JP2024003954 A JP 2024003954A JP 2022103334 A JP2022103334 A JP 2022103334A JP 2022103334 A JP2022103334 A JP 2022103334A JP 2024003954 A JP2024003954 A JP 2024003954A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
filter
frequency
attenuation pole
admittance
passband
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022103334A
Other languages
English (en)
Inventor
武宏 奥道
Takehiro Okumichi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2022103334A priority Critical patent/JP2024003954A/ja
Publication of JP2024003954A publication Critical patent/JP2024003954A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

【課題】阻止帯域のうち通過帯域に相対的に近い周波数帯における減衰特性を向上させることができる複合フィルタを提供する。【解決手段】複合フィルタ１において、第１フィルタ５は、入力端子３Ｉと第１出力端子３Ａとの間に位置している。第２フィルタ５は、入力端子３Ｉと第２出力端子３Ｂとの間に位置している。調整回路９は、入力端子３Ｉから第１フィルタ５の側を見た第１アドミタンスＹ１、及び入力端子３Ｉから第２フィルタ７の側を見た第２アドミタンスＹ２の少なくとも一方を調整している。第１フィルタ５が有する第３フィルタ１１の減衰極のうち第１フィルタ５の通過帯域に最も近い周波数を有する第１減衰極Ｐ１と上記通過帯域との間のいずれかの周波数において、第１アドミタンスＹ１の虚部と第２アドミタンスＹ２の虚部とが互いに反数であることによって、第２減衰極Ｐ２が構成されている。【選択図】図１

Description

本開示は、２以上のフィルタを有している複合フィルタ、及び該複合フィルタを有している通信装置に関する。
複合フィルタとして、共通端子と第１端子との間に位置している第１フィルタと、共通端子と第２端子との間に位置している第２フィルタとを有しているものが知られている（例えば特許文献１）。第１フィルタ及び第２フィルタは、例えば、互いに異なる通過帯域の信号を通過させる。このような複合フィルタとしては、例えば、ダイプレクサ又はデュプレクサが挙げられる。
特開平１１－１２７０５２号公報
阻止帯域のうち通過帯域に相対的に近い周波数帯における減衰特性を向上させることができる複合フィルタ及び通信装置が待たれる。
本開示の一態様に係る複合フィルタは、共通端子に接続されている第１フィルタと、前記共通端子に接続されており、前記共通端子から見て前記第１フィルタと互いに分岐している１以上の第２フィルタと、前記共通端子から前記第１フィルタの側を見た第１アドミタンス、及び前記共通端子から前記１以上の第２フィルタの側を見た第２アドミタンスの少なくとも一方を調整している調整回路と、を有しており、前記第１フィルタは、該第１フィルタの通過帯域に対して低周波数側又は高周波数側に位置する少なくとも１つの減衰極を有する第３フィルタを有しており、前記少なくとも１つの減衰極のうち前記通過帯域に最も近い周波数を有する第１減衰極と前記通過帯域との間のいずれかの周波数において、前記第１アドミタンスの虚部と前記第２アドミタンスの虚部とが互いに反数であることによって、第２減衰極が構成されている。
本開示の一態様に係る通信装置は、上記複合フィルタと、前記共通端子に接続されているアンテナと、前記第１フィルタに対して前記共通端子とは反対側に接続されている集積回路素子と、を有している。
上記の構成によれば、阻止帯域のうち通過帯域に相対的に近い周波数帯における減衰特性を向上させることができる。
実施形態に係る複合フィルタの構成を示す回路図。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は図１の複合フィルタの特性を示す図。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は図１の複合フィルタが有する第１フィルタの特性及び第２フィルタの特性を示す図。 図２（ｂ）に示す特性を実現する原理を説明する図。 図２（ｂ）に示す特性を実現する原理を説明する他の図。 図２（ｂ）に示す特性を実現する原理を説明する更に他の図。 図１の複合フィルタの構造の一例を示す模式的な断面図。 複合フィルタが含む弾性波共振子の構成例を模式的に示す平面図。 実施形態に係る通信装置の要部を示すブロック図。
（複合フィルタの概要）
図１は、実施形態に係る複合フィルタ１の構成を模式的に示すブロック図である。
複合フィルタ１は、ダイプレクサとして構成されている。より詳細には、例えば、複合フィルタ１は、入力端子３Ｉから入力された信号のうち第１通過帯域内の信号を第１出力端子３Ａへ出力する第１フィルタ５と、入力端子３Ｉから入力された信号のうち第２通過帯域内の信号を第２出力端子３Ｂへ出力する第２フィルタ７と、を有している。第１通過帯域及び第２通過帯域は互いに異なっている（互いに重複していない。）。別の観点では、第１フィルタ５及び第２フィルタ７は、共に入力端子３Ｉに接続されており、入力端子３Ｉから見て互いに分岐している。第１フィルタ５は、第１通過帯域外の信号を減衰させる。第２フィルタ７は、第２通過帯域外の信号を減衰させる。このような構成によって、互いに周波数が異なる信号によって入力端子３Ｉが共用される。
なお、入力端子３Ｉ等の各種の端子は、複合フィルタ１の一部として捉えられてよい。ただし、便宜上、「入力端子３Ｉから複合フィルタ１の側を見たアドミタンス」のような、入力端子３Ｉが複合フィルタ１の外部の要素であるかのような表現を用いることがある。
複合フィルタ１は、第１フィルタ５及び第２フィルタ７に加えて、調整回路９を有している。調整回路９は、入力端子３Ｉから第１フィルタ５の側を見た第１アドミタンス（別の観点ではインピーダンス）、及び入力端子３Ｉから第２フィルタ７の側を見た第２アドミタンスの少なくとも一方（図示の例では後者）を調整している。また、第１フィルタ５は、第３フィルタ１１（例えばＬＣフィルタ）を有している。さらに、図示の例では、第１フィルタ５は、第３フィルタ１１に加えて、弾性波フィルタ１３を有している。
図２（ｂ）は、複合フィルタ１における入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの透過係数を示す図である。また、図３（ａ）は、第２フィルタ７及び調整回路９が設けられていない場合の入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの反射係数及び透過係数を示す図である。換言すれば、図２（ｂ）は、第２フィルタ７及び調整回路９の影響が加味された第１フィルタ５の透過係数を示しているのに対して、図３（ａ）は、第１フィルタ５単独での反射係数及び透過係数を示している。
これらの図において、横軸は周波数ｆ（ＭＨｚ）を示している。縦軸は反射係数及び／又は透過係数（ｄＢ）を示しており、また、反射係数及び／又は透過係数はＳと表記されている。これらの図の上段における凡例において「Ｓ２１」と対応付けられている線は、横軸及び縦軸で規定されている範囲内において、周波数と、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの透過係数との関係を示している。
これらの図に示されているように、第１フィルタ５においては、概ね５０００ＭＨｚを境にして、高周波数側において透過係数が高くなっており、低周波数側において透過係数が低くなっている。換言すれば、低周波数側は阻止帯域となっており、高周波数側は通過帯域となっている。
図２（ｂ）及び図３（ａ）においてＳ２１の線によって示されているように、第１フィルタ５は、阻止帯域に複数の減衰極を有している。減衰極は、例えば、透過係数が極小値となる点である。
上記の複数の減衰極のうち、少なくとも１つ（図示の例では複数）は、第３フィルタ１１によって形成されている。第３フィルタ１１が有している少なくとも１つの減衰極のうち、周波数が最も通過帯域に近い（別の観点では図示の例では最も高周波数側に位置する）ものを「第１減衰極Ｐ１」というものとする。図示の例では、第１減衰極Ｐ１は、４０００ＭＨｚ～４５００ＭＨｚの間に位置している。
図示の例では、第１減衰極Ｐ１の周波数よりも更に通過帯域に近い少なくとも１つ（図示の例では複数）の減衰極が弾性波フィルタ１３によって構成されている。この減衰極の任意の１つ、又はそれぞれを「第３減衰極Ｐ３」というものとする。なお、図示の例では、複数の第３減衰極Ｐ３は、概ね５０００ＭＨｚ付近に位置し、縦軸の下限（－６０ｄＢ）よりも低い値に到達しているものを含んでいる。便宜上、これらに纏めてＰ３の符号が付されている。
図２（ｂ）と図３（ａ）との比較から理解されるように、第２フィルタ７及び調整回路９が設けられている場合においては、第１フィルタ５単独では現れなかった少なくとも１つの第２減衰極Ｐ２（図示の例では２つの第２減衰極Ｐ２ａ及びＰ２ｂ）が形成されている。ただし、第２減衰極Ｐ２ｂについては、第１フィルタ５単独で形成される減衰極と周波数が近いため、明瞭に特定することが困難になっている。第２減衰極Ｐ２の周波数は、第１減衰極Ｐ１の周波数よりも通過帯域に近い。これにより、阻止帯域のうち通過帯域に相対的に近い周波数帯における減衰特性を向上させることができる。
第２減衰極Ｐ２の周波数は、第３減衰極Ｐ３の周波数に比較して、通過帯域に近くてもよいし（高周波数側に位置してもよいし）、同等でもよいし、離れていてもよい（低周波数側に位置していてもよい）。図示の例では、第２減衰極Ｐ２の周波数は、第３減衰極Ｐ３の周波数に比較して、通過帯域から離れている。
後に図４～図６を参照して詳述するように、第２減衰極Ｐ２の周波数において、入力端子３Ｉから第１フィルタ５の側を見た第１アドミタンスの虚部と、入力端子３Ｉから第２フィルタ７の側を見た第２アドミタンスの虚部とは、互いに反数（足し合わされると０になる値）とされている。これにより、信号強度の振動が大きくなる、いわゆる共振現象により、図２（ｂ）に示す第２減衰極Ｐ２が形成されている。第１アドミタンス及び第２アドミタンスは、互いに共役な複素数であってもよいし、なくてもよい。
より詳細には、第２減衰極Ｐ２ａの周波数においては、第１アドミタンスの虚部と第２アドミタンスの虚部とが互いに反数であることによって、入力端子３Ｉから複合フィルタ１の側を見た合成アドミタンス（より詳細には入力端子３Ｉから基準電位部への合成アドミタンス）が高くされている。これにより、第２減衰極Ｐ２ａが構成されている。
また、第２減衰極Ｐ２ｂの周波数においては、第１アドミタンスの虚部と第２アドミタンスの虚部とが互いに反数であることによって、入力端子３Ｉから複合フィルタ１の側を見たインピーダンスが高くされている。これにより、第２減衰極Ｐ２ｂが構成されている。
以上が実施形態に係る複合フィルタ１の概要である。以下では、概略、下記の順に説明を行う。なお、第７節の共振子２３は、弾性波フィルタ１３の構成要素である。
１．複合フィルタ１全般（図１及び図２（ａ）～図３（ｂ））
２．第１フィルタ５
２．１．第３フィルタ１１
２．２．弾性波フィルタ１３
３．第２フィルタ７
４．調整回路９
５．第２減衰極Ｐ２（図２（ａ）～図６）
６．複合フィルタ１の構造の例（図７）
７．共振子２３の構成の具体例（図８）
８．複合フィルタ１の利用例（図９）
９．実施形態のまとめ
（１．複合フィルタ全般）
本実施形態では、既述のように、第２フィルタ７及び調整回路９は、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへ流れる信号の減衰に影響を及ぼす。従って、例えば、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへ流れる信号に係る通過帯域及び／又は阻止帯域等について、第１フィルタ５の通過帯域及び／又は阻止帯域等と表現することは正確ではない。ただし、便宜上、そのように表現することがある。
同様に、第１フィルタ５は、入力端子３Ｉから第２出力端子３Ｂへ流れる信号の減衰に影響を及ぼす。さらに、調整回路９も入力端子３Ｉから第２出力端子３Ｂへ流れる信号の減衰に影響を及ぼす。従って、例えば、入力端子３Ｉから第２出力端子３Ｂへ流れる信号に係る通過帯域及び／又は阻止帯域等について、第２フィルタ７の通過帯域及び／又は阻止帯域等と表現することは正確ではない。ただし、便宜上、そのように表現することがある。
第１フィルタ５に係る第１通過帯域と、第２フィルタ７に係る第２通過帯域とは、既述のとおり、互いに重複していない。換言すれば、第１通過帯域は、第２フィルタ７の第２阻止帯域に含まれており、第２通過帯域は、第１フィルタ５の第１阻止帯域に含まれている。第１阻止帯域と第２阻止帯域とは少なくとも一部が重複していてよい。なお、本開示の説明において、矛盾等が生じない限り、また、特に断りが無い限り、阻止帯域は、阻止帯域と通過帯域との間の遷移帯域を含まない意味で捉えられてもよいし、遷移帯域を含む意味で捉えられてもよい。
第１通過帯域及び第２通過帯域は、互いに重複していない限り、任意に設定されてよい。例えば、第１通過帯域及び第２通過帯域は、いずれが他方に対して高周波数側であってもよい。第１通過帯域と第２通過帯域との間の周波数帯の幅も任意である。各通過帯域及び各阻止帯域の帯域幅及び中心周波数等の具体的な値も任意である。なお、中心周波数は、帯域の下限の周波数と帯域の上限の周波数との中央の周波数（別の観点では両者の平均値）である。第１又は第２通過帯域が下限の周波数及び上限の周波数を有する場合の中心周波数の範囲の例を挙げると、５００ＭＨｚ以上３０ＧＨｚ以下である。また、各通過帯域は、適宜な通信規格に従って設定されてよい。この場合において、各通過帯域は、規格で定められた１つの帯域にのみ対応していてもよいし、規格で定められた２以上の帯域を含んでいてもよい。
第１フィルタ５及び第２フィルタ７（さらには第３フィルタ１１及び弾性波フィルタ１３）は、通過帯域及び阻止帯域のいずれに着目して構成されたものであってもよい。各フィルタ（５、７、１１又は１３）において、通過帯域又は阻止帯域は、下限（低周波数側の端部）の周波数及び上限の周波数の双方が規定されてもよいし、一方のみが規定されてもよい。別の観点では、各フィルタ（５、７、１１又は１３）は、例えば、バンドパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ及びバンドエリミネーションフィルタのいずれと捉えられるものであってもよい。
図２（ａ）は、複合フィルタ１における反射係数及び透過係数を示す図である。図２（ｂ）及び図３（ａ）については既に述べた。図３（ｂ）は、第１フィルタ５が設けられていない場合の入力端子３Ｉから第２出力端子３Ｂへの反射係数及び透過係数を示す図である。図２（ａ）及び図３（ｂ）の横軸及び縦軸は、既述の図２（ｂ）及び図３（ａ）の横軸及び縦軸と同様である。これらの図の上段に示されている凡例において、「Ｓ２１」は、既述のとおり、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの透過係数を示している。「Ｓ１１」は、外部から見た入力端子３Ｉにおける反射係数を示している。「Ｓ３１」は、入力端子３Ｉから第２出力端子３Ｂへの透過係数を示している。なお、既述の図２（ｂ）は、図２（ａ）の一部（「Ｓ２１」の線）を抽出したものとなっている。
図示の例では、第１フィルタ５の第１通過帯域は、第２フィルタ７の第２通過帯域に対して高周波数側に位置している。また、図示されている範囲においては、第１フィルタ５は、ハイパスフィルタとして機能しており、第２フィルタ７は、ローパスフィルタとして機能している。なお、第１フィルタ５は、図示されている範囲よりも高周波数側において透過係数が低下しており、バンドパスフィルタとしても機能する。既述の第１減衰極Ｐ１～第３減衰極Ｐ３は、第１通過帯域と第２通過帯域との間に位置している。なお、図示の例とは異なり、第１減衰極Ｐ１～第３減衰極Ｐ３は、第１通過帯域及び第２通過帯域の双方に対して高周波数側又は低周波数側に位置するものであってもよい。
流通されている製品等において、通過帯域及び阻止帯域は、適宜に特定されてよい。例えば、仕様書によって特定されてもよいし、製品のフィルタ特性を計測することによって特定されてもよい。通過帯域及び阻止帯域に要求される減衰量は、各フィルタ（１、５、７、１１又は１３）が適用される機器等によって異なる。一例として、減衰量の絶対値が５ｄＢ以下又は３ｄＢ以下の周波数帯が通過帯域として特定されてよい。また、一例として、減衰量の絶対値が２０ｄＢ以上又は３０ｄＢ以上の周波数帯が阻止帯域として特定されてよい。
図１に戻って、第１フィルタ５の通過帯域内の周波数を有する信号、及び第２フィルタ７の通過帯域内の周波数を有する信号が第１出力端子３Ａ又は第２出力端子３Ｂから複合フィルタ１の外部へ出力されることについては既に述べた。通過帯域外の周波数を有する信号は、例えば、第１フィルタ５又は第２フィルタ７によってＧＮＤ端子３Ｇへ逃がされる。
ＧＮＤ端子３Ｇは、基準電位が付与される端子であり、別の観点では、基準電位部である。基準電位としては、代表的には０Ｖを例示できるが、これに限られない。ＧＮＤ端子３Ｇの数は任意である。複合フィルタ１内における複数のＧＮＤ端子３Ｇの電気的な接続の有無も任意である。例えば、図示の例では、第２フィルタ７、第３フィルタ１１及び弾性波フィルタ１３のそれぞれに対応して３つのＧＮＤ端子３Ｇが設けられている。図示の例とは異なり、２以上のフィルタが互いに同一のＧＮＤ端子３Ｇに接続されたり、各フィルタ内における複数の素子が互いに異なるＧＮＤ端子３Ｇに接続されていたりしても構わない。
以後の説明の便宜上、入力端子３Ｉの側から第１フィルタ５及び第２フィルタ７へ向かって分岐する点をノード１５というものとする。ノード１５は、図示の例とは異なり、入力端子３Ｉに位置していてもよい。
（２．第１フィルタ５）
第１フィルタ５は、既述のように、入力端子３Ｉ（より詳細にはノード１５）から第１出力端子３Ａへの信号経路に沿って第３フィルタ１１及び弾性波フィルタ１３を有している。第３フィルタ１１及び弾性波フィルタ１３の数及び順番は任意である。図１では、入力側から出力側へ順に、１つの第３フィルタ１１と、１つの弾性波フィルタ１３とが設けられている。図示の例以外の態様としては、例えば、第３フィルタ１１と弾性波フィルタ１３との順番が図示の例とは逆のもの、並びに弾性波フィルタ１３の入力側及び出力側のそれぞれに第３フィルタ１１（合計で２つの第３フィルタ１１）が設けられるものが挙げられる。
第１フィルタ５は、図示されていない構成要素を備えていてもよい。例えば、第１フィルタ５は、第３フィルタ１１及び弾性波フィルタ１３とは別個にフィルタを含んでいてもよいし、フィルタとは別に、抵抗体、インダクタ及び／又はキャパシタ等の素子を含んでいてもよい。その位置も任意であり、第３フィルタ１１と弾性波フィルタ１３との間であってもよいし、両フィルタの外側であってもよい。第１フィルタ５は、フィルタリングを目的とした構成だけでなく、インピーダンス整合等の他の目的を有する構成を含んでいてもよい。上記のように図示されていない構成要素が設けられていてもよいことは、特に断りがない限り、第３フィルタ１１内及び弾性波フィルタ１３内（並びに第２フィルタ７内）においても同様である。
（２．１．第３フィルタ）
第３フィルタ１１の具体的な構成（構造）は、種々の構成とされてよく、例えば、公知の構成とされて構わない。より詳細には、例えば、第３フィルタ１１は、圧電体を含む圧電フィルタであってもよいし、誘電体内の電磁波を利用する誘電体フィルタであってもよいし、インダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含むＬＣフィルタであってもよいし、これらのうちの２以上を組み合わせたものであってもよい。圧電フィルタは、例えば、弾性波を利用する弾性波フィルタであってもよいし、弾性波を利用しないもの（例えば圧電振動子を利用するもの）であってもよい。
本実施形態では、第３フィルタ１１は、弾性波フィルタ以外のものとされており、より詳細には、ＬＣフィルタとされている。ＬＣフィルタは、上記のとおり、インダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含み、例えば、１以上のインダクタ及び１以上のキャパシタを含んでいてよい。ＬＣフィルタの典型例としては、例えば、入力端子３Ｉと第１出力端子３Ａとを接続するＬＣ直列共振回路若しくはＬＣ並列共振回路、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの信号経路と基準電位部（ＧＮＤ端子３Ｇ）とを接続するＬＣ直列共振回路若しくはＬＣ並列共振回路、又はこれらのうちの２以上の組み合わせが挙げられる。第３フィルタ１１も、このようなＬＣフィルタの典型例を有してよい。
図１の例では、第３フィルタ１１は、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの信号経路とＧＮＤ端子３Ｇとを接続する１以上（図示の例では複数。より詳細には２つ）の直列共振回路１７を有している。また、第３フィルタ１１は、入力端子３Ｉと第１出力端子３Ａとを接続している１以上（図示の例では複数。より詳細には３つ）のキャパシタ２１Ａを有している。複数のキャパシタ２１Ａは直列接続されている。各直列共振回路１７は、電気的に隣り合うキャパシタ２１Ａ同士の間に接続されている。また、各直列共振回路１７は、直列接続されているインダクタ１９Ｂ及びキャパシタ２１Ｂを有している。種々のインダクタ又はキャパシタのインダクタンス又はキャパシタンスは、第３フィルタ１１に要求される仕様に応じて適宜に設定されてよい。
第３フィルタ１１は、既述のように、第１減衰極Ｐ１を含む少なくとも１つの減衰極を形成する。減衰極の数及び周波数等は任意である。図３（ａ）の例では、第１減衰極Ｐ１だけでなく、３５００ＭＨｚ付近の減衰極も第３フィルタ１１によるものである。第３フィルタ１１単体の透過特性（別の観点では減衰特性）は、特に図示しないが、概略、上記のような減衰極を有するハイパスフィルタとなっている。減衰極は、第３フィルタ１１の種々の構成によって実現されてよい。例えば、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの信号経路とＧＮＤ端子３Ｇの間のＬＣ直列共振回路によって実現されてもよいし（図示の例）、入力端子３Ｉと第１出力端子３Ａとの間のＬＣ並列共振回路によって実現されてもよい。
第３フィルタ１１の各減衰極は、第１フィルタ５の透過特性に明瞭に現れてもよいし、明瞭に現れなくてもよい。後者の態様としては、他のフィルタ（例えば弾性波フィルタ１３）の減衰極を中心とする透過特性の谷と、第３フィルタ１１の減衰極を中心とする透過特性の谷とが重なって、減衰極が不明瞭になる態様が挙げられる。また、例えば、第３フィルタ１１内で、周波数が互いに異なる減衰極を中心とする透過特性の谷同士が重なって、減衰極が不明瞭になる態様が挙げられる。このような態様においては、第３フィルタ１１の構成（例えばＬＣ共振回路のインダクタンス及びキャパシタンス）から減衰極が特定されてよい。
なお、第３フィルタ１１が、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの信号経路とＧＮＤ端子３Ｇとを接続する直列共振回路によって構成されてよいことから理解されるように、フィルタ（５、１１又は１３）が、入力端子３Ｉと第１出力端子３Ａとの間に位置している等という場合において、フィルタのより詳細な構成は、そのような文章表現に合致していなくてもよい。すなわち、入力端子３Ｉと第１出力端子３Ａとの間に位置しているフィルタは、入力端子３Ｉ及び第１出力端子３Ａに対して直列接続されている部分を有していなくてもよく、例えば、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへの信号経路と基準電位部とを接続する部分のみを有していてもよい。フィルタは、入力端子３Ｉから第１出力端子３Ａへ流れる信号をフィルタリングできればよい。入力端子３Ｉと第１出力端子３Ａとの間のフィルタを例に取ったが、他の端子間についても同様である。
（２．２．弾性波フィルタ）
弾性波フィルタ１３が利用する弾性波は、種々のものとされてよく、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）、弾性境界波又は板波である。ただし、これらの弾性波は必ずしも明確に区別できるわけではない。
弾性波フィルタ１３は、弾性波を利用する限り、種々の構成とされてよく、また、種々の特性を有していてよい。本実施形態では、既述のとおり、弾性波フィルタ１３は、少なくとも第３減衰極Ｐ３を有している。一般に、弾性波フィルタの減衰極付近の透過係数は、他のフィルタ（例えばＬＣフィルタ）における減衰極付近の透過係数に比較して急激に変化する。従って、第３フィルタ１１の第１減衰極Ｐ１よりも第１フィルタ５の通過帯域に近い周波数に第３減衰極Ｐ３を位置させることによって、第１フィルタ５の通過帯域と阻止帯域との間における透過特性の傾き（周波数に対する透過係数の変化率）を急峻にすることができる。一方で、第３フィルタ１１によって、例えば、阻止帯域の帯域幅の確保が容易化される。
弾性波フィルタの構成の典型例としては、例えば、複数の弾性波共振子（後述）をラダー型に接続したラダー型フィルタ、及び複数の弾性波共振子を弾性波の伝搬方向に配列した多重モード側フィルタ（２重モード型フィルタを含むものとする。）が挙げられる。これらのフィルタは、バンドパスフィルタである。弾性波フィルタ１３も、そのような典型例と同じとされて構わない。
図１の例では、弾性波フィルタ１３は、バンドエリミネーションフィルタとして構成されている。例えば、弾性波フィルタ１３は、入力端子３Ｉと第１出力端子３Ａとを接続している少なくとも１つ（図示の例では複数。より詳細には４つ）の共振子２３を有している。共振子２３は、弾性波共振子（後述）である。複数の共振子２３は、互いに直列接続されている。また、弾性波フィルタ１３は、隣り合う共振子２３の間と、基準電位部（ＧＮＤ端子３Ｇ）とを接続する適宜な数（図示の例では３つ）の並列腕２５を有している。並列腕２５の数は共振子２３の数に応じて設定されている。なお、ここでの説明とは異なり、１以上の共振子２３を含む部分（並列腕２５を除いた部分）を弾性波フィルタとして捉えてもよい。
特に図示しないが、共振子２３のインピーダンスの絶対値は、共振周波数において極小値となり、反共振周波数において極大値となる。従って、例えば、入力端子３Ｉ及び第１出力端子３Ａを接続する共振子２３が設けられていると、共振子２３の反共振周波数において減衰極を形成することができる。この減衰極の一部又は全部（図３（ａ）の例では全部）は、１以上の第３減衰極Ｐ３を構成している。
複数の共振子２３の反共振周波数（及び／又は共振周波数）は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。第３減衰極Ｐ３（又は他の減衰極）を有する共振子２３の共振周波数（一般に反共振周波数よりも低い）の値は任意である。例えば、共振周波数は、第１減衰極Ｐ１（又は第２減衰極Ｐ２）に対して、低くてもよいし、同じでもよいし、高くてもよい。反共振周波数が互いに異なる（又は同じ）共振子２３の共振周波数は、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
１以上の並列腕２５は、種々の構成とされてよく、その作用も種々のものとされてよい。例えば、並列腕２５は、インダクタ及び／又はキャパシタを有する構成であってもよいし、共振子２３を有する構成であってもよい。図示の例では、全ての並列腕２５は、インダクタ１９Ｃのみを有している。インダクタ１９Ｃは、例えば、複数の共振子２３の全体が、容量が大きいキャパシタとして機能する蓋然性を低減し、ひいては、阻止帯域内の周波数を有する信号が第１出力端子３Ａから出力される蓋然性を低減することに寄与する。インダクタ１９Ｃは、共振子２３と協働して、ハイパスフィルタを構成しても構わない。
（３．第２フィルタ）
第２フィルタ７の具体的な構成（構造）は、種々の構成とされてよく、例えば、公知の構成とされて構わない。例えば、第２フィルタ７は、圧電フィルタ（弾性波フィルタを含む。）、誘電体フィルタ若しくはＬＣフィルタ、又はこれらのうちの２以上を組み合わせたものであってよい。これらのフィルタについては、第３フィルタ１１の説明で述べたとおりである。
図１の例では、第２フィルタ７は、ＬＣフィルタとされている。ＬＣフィルタとしての第２フィルタ７は、第３フィルタ１１と同様に、インダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含み、例えば、１以上のインダクタ及び１以上のキャパシタを含んでいてよい。また、第２フィルタ７は、第３フィルタ１１の説明で述べたＬＣフィルタの典型例を有していてもよい。
より詳細には、図１の例では、第２フィルタ７は、入力端子３Ｉと第２出力端子３Ｂとを接続している１以上（図示の例では複数。より詳細には２つ）の並列共振回路２７を有している。また、第２フィルタ７は、入力端子３Ｉから第２出力端子３Ｂへの信号経路と基準電位部（ＧＮＤ端子３Ｇ）とを接続している適宜な数（図示の例では３つ）のキャパシタ２１Ｅを有している。各並列共振回路２７は、互いに並列接続されたインダクタ１９Ｄ及びキャパシタ２１Ｄを有している。複数の並列共振回路２７は、直列接続されている。各キャパシタ２１Ｅは、複数の並列共振回路２７に対して、入力側、回路間又は出力側に接続されている。種々のインダクタ又はキャパシタのインダクタンス又はキャパシタンスは、第２フィルタ７に要求される仕様に応じて適宜に設定されてよい。
図３（ｂ）に示されているように、並列共振回路２７によって、例えば、減衰極が構成される。また、キャパシタ２１Ｅが設けられていることによって、第２フィルタ７はローパスフィルタとして機能する。
（４．調整回路）
調整回路９は、入力端子３Ｉから第１フィルタ５の側を見た第１アドミタンスの虚部、及び入力端子３Ｉから第２フィルタ７の側を見た第２アドミタンスの虚部を互いに反数にすることに寄与可能である限り、種々の構成とされてよい。また、調整回路９は、整合回路の一部又は全部として機能してよい。整合回路は、例えば、入力端子３Ｉから複合フィルタ１全体を見たときのインピーダンス、入力端子３Ｉから第１フィルタ５の側を見たときのインピーダンス、及び入力端子３Ｉから第２フィルタ７の側を見たときのインピーダンスの少なくとも１つを基準のインピーダンス（例えば５０Ω）に一致させる（現実的には近づける。）。
調整回路９は、例えば、以下のいずれの位置に位置していてもよい。ノード１５と第２フィルタ７との間（図１の例）。ノード１５と第１フィルタ５との間。第２フィルタ７と第２出力端子３Ｂとの間。第１フィルタ５と第１出力端子３Ａとの間。調整回路９は、これらの位置の２つ以上に分散されていてもよい。この場合も、１つの調整回路９が設けられていると捉えられてよい。調整回路９を含む整合回路は、入力端子３Ｉとノード１５との間に位置する部分を有していてもよい。当該部分は、調整回路９の一部ではないものとして捉えられてもよいし、調整回路９の一部として捉えられてもよい。
調整回路９は、アドミタンスの虚部を調整可能な種々の構成とされてよく、例えば、公知の構成と同じとされて構わない。そのような調整回路９の典型例としては、入力端子３Ｉ（ノード１５）と出力端子（３Ａ又は３Ｂ）とを接続しているインダクタ若しくはキャパシタ、入力端子３Ｉ（ノード１５）から出力端子（３Ａ又は３Ｂ）への信号経路と基準電位部（ＧＮＤ端子３Ｇ）とを接続しているインダクタ若しくはキャパシタ、又はこれらの２以上の組み合わせが挙げられる。また、調整回路９は、アドミタンスの実部の調整に寄与する抵抗体を含んでいてもよい。
図１の例では、調整回路９は、ノード１５と第２フィルタ７とを接続しているインダクタ１９Ｆを有している。これにより、入力端子３Ｉから第２フィルタ７の側を見たアドミタンスの虚部は負側（誘導性側）へ向かってシフトするように調整されている。
（５．第２減衰極）
図４、図５及び図６は、第２減衰極Ｐ２が形成される原理を説明するための図である。なお、図５の上段のグラフと図６の上段のグラフとは同じであり、後者の説明を適宜に省略することがある。
これらの図において、横軸は周波数ｆ（ＭＨｚ）を示している。図４内の各グラフの縦軸、及び図６の下段のグラフの左側の縦軸は、アドミタンスＹ（１／Ω）を示している。なお、便宜上、アドミタンスＹは、各グラフにおいて、「Ｙ３」、「Ｙ１」又は「Ｙ２」と表記されている。図５内の各グラフの縦軸、及び図６の下段のグラフの右側の縦軸は、インピーダンスＺ（Ω）を示している。なお、便宜上、各グラフにおいて、インピーダンスＺは、「Ｚ３」、「Ｚ１」又は「Ｚ２」と表記されている。
図４の最上部に示された凡例において、「Ｇ」は、アドミタンスＹの実部（換言すればコンダクタンス）を意味し、「Ｂ」は、アドミタンスＹの虚部（換言すればサセプタンス）を意味する。図５の最上部に示された凡例において、「Ｒ」は、インピーダンスＺの実部（換言すればレジスタンス）を意味し、「Ｘ」は、インピーダンスＺの虚部（換言すればリアクタンス）を意味する。図６の下段のグラフの上部に示された凡例において「｜Ｙ３｜」は、アドミタンスＹの絶対値を意味し、「｜Ｚ３｜」は、インピーダンスＺの絶対値を意味する。
図４及び図５のそれぞれにおいて、中段のグラフは、入力端子３Ｉから第１フィルタ５の側を見た第１アドミタンスＹ１（図４）又は第１インピーダンスＺ１（図５）を示している。下段のグラフは、入力端子３Ｉから第２フィルタ７の側を見た第２アドミタンスＹ２（図４）又は第２インピーダンスＺ２（図５）を示している。最上段のグラフは、Ｙ１及びＹ２の合成アドミタンスＹ３（図４）又はＺ１及びＺ２の合成インピーダンスＺ３（図５）を示している。Ｙ３及びＺ３は、換言すれば、入力端子３Ｉから複合フィルタ１全体を見たアドミタンス及びインピーダンスである。図６の下段のグラフは、合成アドミタンスＹ３及び合成インピーダンスＺ３それぞれの絶対値を示している。
図４～図６において、線Ｌｎ１は、第２減衰極Ｐ２ａ（図２（ｂ））の周波数を示している。線Ｌｎ２は、第２減衰極Ｐ２ｂ（図２（ｂ））の周波数を示している。
図４において、第２減衰極Ｐ２ａ及びＰ２ｂの周波数（線Ｌｎ１及びＬｎ２）それぞれにおいて、第１フィルタ５の第１アドミタンスＹ１（中段のグラフ）の虚部と、第２フィルタ７の第２アドミタンスＹ２（下段のグラフ）の虚部とは互いに反数になっている。これにより、合成アドミタンスＹ３（上段のグラフ）の虚部は０になっている。
第２減衰極Ｐ２ａの周波数（線Ｌｎ１）において、合成アドミタンスＹ３の虚部が０になることによって、図６の下段のグラフに示されているように｜Ｙ３｜は極大値となっている。これにより、入力端子３Ｉからの信号が基準電位部（ＧＮＤ端子３Ｇ）に流れやすくなり、第２減衰極Ｐ２ａが形成される。なお、図６の下段のグラフに示されているように、第２減衰極Ｐ２ａの周波数においては、｜Ｚ３｜は極小値となる。
第２減衰極Ｐ２ｂの周波数（線Ｌｎ２）において、合成アドミタンスＹ３の虚部が０になることによって、図６の下段のグラフに示されているように｜Ｚ３｜は極大値となっている。これにより、入力端子３Ｉからの信号が第１出力端子３Ａへ流れにくくなり、第２減衰極Ｐ２ｂが形成される。なお、図６の下段のグラフに示されているように、第２減衰極Ｐ２ｂの周波数においては、｜Ｙ３｜は極小値となる。
第１アドミタンスＹ１の虚部と第２アドミタンスＹ２の虚部とが互いに反数であるというとき、両者の絶対値は厳密に等しくなくてよい。Ｙ１及びＹ２の虚部が互いに反数といえるか否かは、合理的に判断されてよい。例えば、逆説的であるが、第２減衰極Ｐ２が形成されたことに基づいて、Ｙ１及びＹ２の虚部が互いに反数であることが特定されてよい。また、次段落に例示するように、Ｙ１及びＹ２の虚部の和の絶対値（別の観点ではＹ１及びＹ２の虚部の絶対値の差）が所定の範囲内であるときにＹ１及びＹ２の虚部が互いに反数であると判断されてよい。
インピーダンス整合は、｜Ｙ１｜及び｜Ｙ２｜を基準アドミタンスＹ０の絶対値｜Ｙ０｜にすることに相当する。｜Ｙ０｜は、例えば、０．０２（１／Ω）である。Ｙ１の虚部及びＹ２の虚部が互いに反数であるというとき、両者の絶対値の差は、例えば、｜Ｙ０｜／２未満、｜Ｙ０｜／５未満若しくは｜Ｙ０｜／１０とされてよく、及び／又は、０．０１（１／Ω）未満、０．００４（１／Ω）未満若しくは０．００２（１／Ω）未満とされてよい。
図４に示す例では、以下のとおり、Ｙ１及びＹ２の虚部の絶対値は互いに等しくなっている。なお、下記説明では、Ｙ１及びＹ２の虚部の正負が互いに異なることは当然の前提としている。
線Ｌｎ１で示す周波数付近においては、Ｙ１の虚部の絶対値が周波数ｆの増加に対して相対的に緩やかに増加しているのに対して、Ｙ２の虚部の絶対値が周波数ｆの増加に対して相対的に急激に増加している。その結果、Ｙ２の虚部の絶対値は、Ｙ１の虚部の絶対値よりも小さい値から大きい値へ変化している。これにより、Ｙ１の虚部の絶対値及びＹ２の虚部の絶対値が同じになる周波数が存在している。そして、この周波数が第２減衰極Ｐ２ａの周波数になっている。
また、線Ｌｎ２で示す周波数付近においては、Ｙ１の虚部の絶対値が周波数ｆの増加に対して増加しているのに対して、Ｙ２の虚部の絶対値が周波数ｆの増加に対して減少している。その結果、Ｙ２の虚部の絶対値は、Ｙ１の虚部の絶対値よりも大きい値から小さい値へ変化している。これにより、Ｙ１の虚部の絶対値及びＹ２の虚部の絶対値が同じになる周波数が存在している。そして、この周波数が第２減衰極Ｐ２ｂの周波数になっている。
上記の説明におけるＹ１の語とＹ２の語とを置換した態様が実現されてもよい。また、説明において、虚部の絶対値に関して、増加の語と減少の語とを置換した態様が実現されてもよい。Ｙ１及びＹ２の正負は、図示の例とは逆であってもよい。いずれにせよ、Ｙ１及びＹ２の虚部は、絶対値が厳密に等しい反数となる。Ｙ１及びＹ２の虚部の絶対値が厳密に等しくならない例としては、例えば、周波数ｆの増加に伴って、Ｙ１及びＹ２の虚部の絶対値の一方が他方に近づき、その差が微小になった後、同じにならずに、前記他方から離れる態様が挙げられる。
虚部と同様に、Ｙ１及びＹ２が互いに複素共役であるというとき、Ｙ１の実部及びＹ２の実部は厳密に等しくなくてよい。Ｙ１の虚部及びＹ２の虚部が互いに反数であるというときの両者の絶対値の差の上限値の例（既述）は、Ｙ１及びＹ２が互いに複素共役であるというときのＹ１の実部とＹ２の実部との差の上限値に援用されてよい。
図４の例では、第２減衰極Ｐ２ａの周波数（線Ｌｎ１）においては、Ｙ１及びＹ２は複素共役でなく、第２減衰極Ｐ２ｂの周波数（線Ｌｎ２）においては、Ｙ１及びＹ２は複素共役となっている。より詳細には、線Ｌｎ２付近の周波数において、周波数ｆの増加に対して、Ｙ１の実部は増加し、Ｙ２の実部は減少している。その結果、両者は互いに同じになる周波数が存在し、かつこの周波数は、Ｙ１及びＹ２の虚部が互いに反数になる周波数と概ね一致している。
（６．複合フィルタの構造の例）
以上に説明した複合フィルタ１の回路構成は、種々の構造によって実現されてよい。以下に一例を示す。
図７は、複合フィルタ１の構造の一例を示す模式的な断面図である。複合フィルタ１は、いずれの方向が上方とされてもよいが、便宜上、図７の説明においては、図の上方（紙面に沿う上方）を上方とし、上面及び下面等の語を用いることがある。
複合フィルタ１は、例えば、表面実装型のチップ部品として構成されている。その全体形状は、例えば、概略、上下方向を厚さ方向とする薄型の直方体状（厚みが平面視の短辺の長さよりも短い形状）である。複合フィルタ１の下面には、複合フィルタ１を実装するために複数の外部端子３が設けられている。複数の外部端子３は、例えば、既述の入力端子３Ｉ、第１出力端子３Ａ、第２出力端子３Ｂ及びＧＮＤ端子３Ｇを含む。特に図示しないが、複合フィルタ１は、複数の外部端子３が回路基板の複数のパッドに対して複数の導電性のバンプ（例えばはんだ）によって接合されることによって上記回路基板に実装される。
複合フィルタ１は、例えば、回路基板３１と、回路基板３１に実装されている弾性波チップ３３と、弾性波チップ３３を封止している封止部３５とを有している。図１では、図７に例示する構造を想定して、回路基板３１及び弾性波チップ３３の符号も付されている。図１に示されているように、第２フィルタ７、調整回路９及び第３フィルタ１１は、例えば、回路基板３１に設けられていてよい。弾性波フィルタ１３が有している複数の共振子２３は、弾性波チップ３３に設けられていてよい。弾性波フィルタ１３が有している他の構成要素（図１の例ではインダクタ１９Ｃ）の一部又は全部は、回路基板３１に設けられていてよい。なお、回路基板３１に設けられていてよいとした構成要素の一部又は全部は、弾性波チップ３３に設けることも可能である。
図７に戻って、回路基板３１は、例えば、概略、上下方向を厚さ方向とする薄型の直方体状に形成されている。回路基板３１の基本的な構造及び材料（複合フィルタ１を構成するための具体的な導体のパターン及び寸法等を除いた構成）は、公知の種々のプリント基板の構造及び材料と同様とされてよい。例えば、回路基板３１は、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-Fired Ceramic）基板、ＩＰＤ（Integrated Passive Device）基板又は有機多層基板とされてよい。
ＬＴＣＣ基板としては、例えば、アルミナにガラス系材料を加えて低温（例えば９００℃前後）での焼成を可能としたものが挙げられる。ＬＴＣＣ基板において、導電材料としては、例えば、Ｃｕ又はＡｇが用いられてよい。ＨＴＣＣ基板としては、アルミナ又は窒化アルミニウムを主成分としたセラミックスを用いたものが挙げられる。ＨＴＣＣ基板において、導電材料としては、例えば、タングステン又はモリブデンが用いられてよい。ＩＰＤ基板としては、例えば、Ｓｉ基板に受動素子を形成したものが挙げられる。有機多層基板としては、ガラス等からなる基材に樹脂を含侵させたプリプレグを積層したものが挙げられる。
回路基板３１は、例えば、実質的に絶縁性の板状の基体３７と、基体３７の内部及び／又は表面に位置している導体３９を有している。基体３７は、例えば、互いに積層された複数の絶縁層３７ａを有してよい。導体３９は、例えば、絶縁層３７ａの主面に位置している導体層３９ａと、絶縁層３７ａを貫通するビア導体３９ｂとを有してよい。
弾性波チップ３３は、例えば、表面実装型のチップ部品として構成されている。その全体形状は、例えば、概略、上下方向を厚さ方向とする薄型の直方体状である。弾性波チップ３３の基本的な構造及び材料（複合フィルタ１を構成するための具体的な導体のパターン及び寸法等を除いた構成）は、公知の種々の弾性波チップの構造及び材料と同様とされてよい。例えば、弾性波チップ３３は、ベアチップであってもよいし、ベアチップの回路基板３１側の面を覆うカバーを有するＷＬＰ（Wafer level Package）型のものであってもよいし、ベアチップの側面を覆うモールド部を有するＦＯ（Fan Out）－ＷＬＰ型のものであってもよい。ここでは、弾性波チップ３３がベアチップである態様を例に取る。弾性波チップ３３は、例えば、チップ基板４１と、チップ基板４１の回路基板３１側の面（一方の主面）に位置している導体層４３とを有している。
チップ基板４１は、例えば、少なくとも、回路基板３１側の面のうちの所定領域が圧電体によって構成されている。圧電体は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、水晶（ＳｉＯ２）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶である。カット角は、利用する弾性波の種類等に応じて適宜に設定されてよい。チップ基板４１は、例えば、その全体が圧電体によって構成されていてもよいし（圧電基板であってもよいし）、圧電基板と支持基板とが貼り合わされたものであってもよいし、支持基板上に複数の膜を積層してその上に圧電体層を重ねたものであってもよいし、圧電体層と支持基板との間に空洞を有するものであってもよい。導体層４３の材料は、Ａｌ等の適宜な金属とされてよい。
特に図示しないが、弾性波チップ３３は、上記の他、弾性波チップ３３の端子を露出させつつ、導体層４３及びチップ基板４１の回路基板３１側の面を覆う絶縁層を有していてもよい。このような絶縁層は、単に導体層４３の腐食を低減するためのものであってもよいし、音響的に有利な作用を奏するものであってもよい。このような絶縁層の材料は、適宜なものとされてよく、例えば、ＳｉＯ２である。また、チップ基板４１の側面及び下面は、チップ基板４１の厚さに比較して薄い絶縁層等によって被覆されていてもよい。
弾性波チップ３３の導体層４３は、例えば、弾性波チップ３３の端子４３ａを有している。また、回路基板３１の上面に位置する導体層３９ａは、端子４３ａに対向するパッド３９ｃを有している。端子４３ａとパッド３９ｃとが導電性のバンプ４５によって接合されることによって、弾性波チップ３３は、回路基板３１に実装される。すなわち、弾性波チップ３３は、バンプ４５によって、回路基板３１に固定されるとともに、電気的に接続される。バンプ４５の材料は、例えば、はんだである。はんだは、鉛フリーはんだを含む。
封止部３５は、例えば、弾性波チップ３３の上から回路基板３１の上面を覆っている。弾性波チップ３３と回路基板３１との間には、端子４３ａ、バンプ４５及びパッド３９ｃの厚みで隙間が構成されている。封止部３５は、この隙間には充填されておらず、当該隙間は、封止部３５によって封止された密閉空間とされている。密閉空間は、真空状態とされていてもよいし、適宜な不活性ガス（例えば窒素）が充填されていてもよい。封止部３５の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよいし、両者の組み合わせであってもよい。より詳細には、例えば、封止部３５は、樹脂とされたり、無機材料からなる粒子（フィラー）を含んでいる樹脂とされたりしてよい。
回路基板３１の導体３９は、例えば、１以上のインダクタ１９及び１以上のキャパシタ２１を構成している。１以上のインダクタ１９は、例えば、図１に示したインダクタ１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄ及び／又は１９Ｆを含む。１以上のキャパシタ２１は、例えば、図１に示したキャパシタ２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｄ及び／又は２１Ｅを含む。基体３７は、キャパシタ２１の電極間の誘電体として機能してよい。既述のように、上記のインダクタ１９及びキャパシタ２１の少なくとも一部は、弾性波チップ３３の導体層４３によって構成されてもよい。共振子２３は、弾性波チップ３３のチップ基板４１及び導体層４３によって構成されている。
回路基板３１の導体３９（又は弾性波チップ３３の導体層４３）によって構成されるインダクタ１９は、適宜な構成とされてよい。例えば、インダクタ１９は、導体層３９ａが含むミアンダ状又は渦巻き状の導体パターンによって構成されていてもよいし、導体層３９ａ及びビア導体３９ｂを適宜に組み合わせて構成された螺旋状の導体によって構成されていてもよい。
回路基板３１の導体３９（又は弾性波チップ３３の導体層４３）によって構成されるキャパシタ２１は、適宜な構成とされてよい。例えば、キャパシタ２１の１対の電極は、同一の導体層３９ａによって構成されていてもよいし、互いに異なる導体層３９ａによって構成されていてもよい。前者としては、平面視において互いに対向する１対のストリップ状の電極、及び平面視において互いに噛み合う１対の櫛歯電極（共振子２３の後述する櫛歯電極を参照）を挙げることができる。後者としては、絶縁層３７ａの厚さ方向において絶縁層３７ａを挟んで互いに対向する平板電極を挙げることができる。
特に図示しないが、回路基板３１には、弾性波チップ３３以外の他のチップが実装されていてもよい。他のチップは、例えば、チップインダクタ（既述の種々のインダクタ１９のいずれかであってよい。）、チップキャパシタ（既述の種々のキャパシタ２１のいずれかであってよい。）、又はチップ型のフィルタ（第２フィルタ７又は第３フィルタ１１であってよい。）であってよい。あるいは、他のチップは、インダクタ１９及びキャパシタ２１のような構成要素を２つ以上含む特注品として構成されていてもよい。
複合フィルタ１は、図示の例のようなチップ部品ではなく、モジュールの一部であってもよい。より詳細には、例えば、回路基板３１は、図示の例よりも広い面積を有していたり、複合フィルタ１を構成しない素子（電子部品）が実装及び／又は内蔵されていたりしてよい。このような場合において、複合フィルタ１は、回路基板３１の導体３９によって構成された配線によって他の素子と接続されていてよい。別の観点では、複合フィルタ１の端子（３Ｉ、３Ａ、３Ｂ及び３Ｇ）の概念に明瞭に合致する部位が存在しなくてもよい。回路基板３１に実装又は内蔵される素子としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）及びアンテナを挙げることができる。
弾性波チップ３３は、複合フィルタ１に加えて、他のフィルタを構成していてもよい。例えば、複合フィルタ１（弾性波フィルタ１３）とは別の弾性波フィルタのための共振子２３が弾性波チップ３３に設けられていてもよい。より詳細には、例えば、図示されたチップ部品は、送信フィルタ及び受信フィルタを有する分波器（例えばデュプレクサ）を構成してよい。この場合において、第１フィルタ５（弾性波フィルタ１３）が送信フィルタ及び受信フィルタの一方を構成し、弾性波チップ３３に設けられた他のフィルタが送信フィルタ及び受信フィルタの他方を構成してよい。
弾性波チップ３３以外の他の弾性波チップが回路基板３１に実装されていてもよい。より詳細には、例えば、弾性波チップ３３及び他の弾性波チップを含むチップ部品は、分波器（例えばデュプレクサ）を構成してよい。そして、第１フィルタ５は、送信フィルタ及び受信フィルタの一方を構成し、他の弾性波チップによって構成されるフィルタは、送信フィルタ及び受信フィルタの他方を構成してよい。
弾性波チップ３３等の電子部品の回路基板３１に対する実装は、バンプ４５によるものに限定されない。例えば、電子部品は、回路基板３１に絶縁性の接着剤によって固定されるとともに、ボンディングワイヤによって回路基板３１に電気的に接続されてもよい。
（７．弾性波共振子の構成の具体例）
弾性波フィルタ１３が有する共振子２３の構成は種々のものとされてよい。例えば、共振子２３は、ＳＡＷ共振子とされてもよいし、ＳＡＷ共振子と同様の電極を有しつつ、ＢＡＷを利用するＢＡＷ共振子とされてもよいし、キャビティ上で圧電薄膜を振動させる圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）と呼称されることもある。）とされてもよい。以下、共振子２３の一例として、ＳＡＷ共振子について説明する。
図８は、共振子２３としてのＳＡＷ共振子の構成を模式的に示す平面図である。この図は、弾性波チップ３３のうち、回路基板３１側の面の一部領域を示している。
図８には、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸からなる直交座標系を付す。共振子２３は、いずれの方向が上方又は下方とされてもよい。ただし、以下の説明では、便宜上、Ｄ３軸の正側を上方として、上面又は下面等の用語を用いることがある。なお、Ｄ１軸は、チップ基板４１の回路基板３１側の面（上面４１ａ）に沿って伝搬する弾性波の伝搬方向に平行になるように定義されている。Ｄ２軸は、上面４１ａに平行かつＤ１軸に直交するように定義されている。Ｄ３軸は、上面４１ａに直交するように定義されている。
共振子２３は、いわゆる１ポート弾性波共振子によって構成されている。共振子２３は、例えば、図の両側に示された２つの配線５５の一方から入力された信号を２つの配線５５の他方から出力する。この際、共振子２３は、電気信号から弾性波への変換及び弾性波から電気信号への変換を行う。
共振子２３は、例えば、チップ基板４１（その少なくとも上面４１ａ側の一部）と、上面４１ａ上に位置する励振電極５７と、励振電極５７の両側に位置する１対の反射器５９とを含んでいる。１つのチップ基板４１上には、複数の共振子２３が構成されてよい。すなわち、チップ基板４１は、複数の共振子２３に共用されてよい。
チップ基板４１は、既述のように、少なくとも、上面４１ａのうち所定の領域に圧電性を有している。励振電極５７及び反射器５９は、当該領域に設けられた層状導体によって構成されている。励振電極５７および反射器５９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されていてもよい。層状導体の厚さは、共振子２３に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。
励振電極５７は、いわゆるＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極によって構成されており、１対の櫛歯電極６１（一方には視認性をよくする便宜上ハッチングを付す）を有している。各櫛歯電極６１は、例えば、バスバー６３と、バスバー６３から互いに並列に延びる複数の電極指６５と、複数の電極指６５の間においてバスバー６３から突出する複数のダミー電極６７とを有している。そして、１対の櫛歯電極６１は、複数の電極指６５が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。
バスバー６３は、例えば、概略、一定の幅で弾性波の伝搬方向（Ｄ１方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー６３は、弾性波の伝搬方向に直交する方向（Ｄ２方向）において互いに対向している。なお、バスバー６３は、幅が変化したり、弾性波の伝搬方向に対して傾斜したりしていてもよい。
各電極指６５は、例えば、概略、一定の幅で弾性波の伝搬方向に直交する方向（Ｄ２方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。なお、電極指６５は、幅が変化していたり、曲がっていたりしてもよい。各櫛歯電極６１において、複数の電極指６５は、弾性波の伝搬方向に配列されている。また、一方の櫛歯電極６１の複数の電極指６５と他方の櫛歯電極６１の複数の電極指６５とは、基本的には交互に配列されている。
複数の電極指６５のピッチｐ（例えば互いに隣り合う２本の電極指６５の中心間距離）は、励振電極５７内において基本的に一定である。なお、励振電極５７は、一部にピッチｐに関して特異な部分を有していてもよい。特異な部分としては、例えば、大部分（例えば８割以上）よりもピッチｐが狭くなる狭ピッチ部、大部分よりもピッチｐが広くなる広ピッチ部、少数の電極指６５が実質的に間引かれた間引き部が挙げられる。
実施形態の説明において、ピッチｐという場合、特に断りがない限りは、上記のような狭ピッチ部、広ピッチ部、又は間引き部のような特異な部分を除いた部分（複数の電極指６５の大部分）のピッチをいうものとする。また、特異な部分を除いた大部分の電極指６５においてもピッチが変化しているような場合においては、大部分（例えば分散が最小になるように選択された全体の８割の本数）の電極指６５のピッチの平均値をピッチｐの値として用いてよい。
電極指６５の本数は、共振子２３に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。図８は模式図であることから、電極指６５の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多くの電極指６５が配列されてよい。後述する反射器５９のストリップ電極７１についても同様である。
複数の電極指６５の長さは、例えば、互いに同等である。なお、励振電極５７は、複数の電極指６５の長さ（別の観点では後述する交差幅Ｗ）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。電極指６５の長さ及び幅は、要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。
ダミー電極６７は、例えば、概ね一定の幅で弾性波の伝搬方向に直交する方向に突出している。その幅は、例えば電極指６５の幅と同等である。また、複数のダミー電極６７は、複数の電極指６５と同等のピッチで配列されており、一方の櫛歯電極６１のダミー電極６７の先端は、他方の櫛歯電極６１の電極指６５の先端とギャップを介して対向している。なお、励振電極５７は、ダミー電極６７を含まないものであってもよい。
１対の反射器５９は、弾性波の伝搬方向において複数の励振電極５７の両側に位置している。各反射器５９は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。各反射器５９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器５９は、互いに対向する１対のバスバー６９と、１対のバスバー６９間において延びる複数のストリップ電極７１とを含んでいる。複数のストリップ電極７１のピッチ、及び互いに隣接する電極指６５とストリップ電極７１とのピッチは、基本的には複数の電極指６５のピッチと同等である。
１対の櫛歯電極６１に電圧が印加されると、複数の電極指６５によって上面４１ａ（圧電体）に電圧が印加され、圧電体が振動する。すなわち、弾性波が励振される。種々の方向に伝搬する種々の波長の弾性波のうち、複数の電極指６５のピッチｐを概ね半波長（λ／２）として複数の電極指６５の配列方向に伝搬する弾性波は、複数の電極指６５によって励振された複数の波が同相で重なり合うことから振幅が大きくなりやすい。
また、圧電体を伝搬する弾性波は、複数の電極指６５によって電気信号に変換される。このとき、弾性波が励振されるときと同様に、複数の電極指６５のピッチｐを概ね半波長（λ／２）として複数の電極指６５の配列方向に伝搬する弾性波が変換された電気信号の強度が強くなりやすい。
上記のような作用（及びここでは説明を省略する他の作用）により、共振子２３は、ピッチｐを概ね半波長（λ／２）とする弾性波の周波数を共振周波数とする共振子として機能する。反共振周波数は、共振周波数及び励振電極５７の容量等によって規定される。１対の反射器５９は、弾性波を閉じ込めることに寄与する。
特に図示しないが、共振子２３は、複数の分割共振子が直列接続及び／又は並列接続されて構成されていても構わない。各分割共振子は、例えば、図８に示した共振子２３と同様の構成を有している。ただし、電極の具体的な寸法等は、分割されていない共振子２３のものとは異なる。
（８．複合フィルタの利用例）
図９は、複合フィルタ１の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。通信装置１５１は、モジュール１７１と、モジュール１７１を収容する筐体１７３とを有している。モジュール１７１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、複合フィルタ１（ダイプレクサ）を含んでいる。
モジュール１７１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号に変換されて複合フィルタ１（より詳細には図１の入力端子３Ｉ）に入力される。入力された受信信号のうち、第１フィルタ５の通過帯域の周波数を有する受信信号ＲＳ１は、第１フィルタ５（より詳細には図１の第１出力端子３Ａ）から出力される。また、入力された受信信号のうち、第２フィルタ７の通過帯域の周波数を有する受信信号ＲＳ２は、第２フィルタ７（より詳細には図１の第２出力端子３Ｂ）から出力される。
第１フィルタ５から出力された受信信号ＲＳ１は、増幅器１５５Ａによって増幅され、バンドパスフィルタ１５７Ａによって所定の通過帯域以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳ１は、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳ１とされる。
同様に、第２フィルタ７から出力された受信信号ＲＳ２は、増幅器１５５Ｂによって増幅され、バンドパスフィルタ１５７Ｂによって所定の通過帯域以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳ２は、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳ２とされる。
受信情報信号ＲＩＳ１及びＲＩＳ２は、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）であってよい。例えば、これらの信号は、アナログの音声信号、デジタル化された音声信号、又は衛星測位システムを利用する信号であってよい。変調方式は、例えば、位相変調、振幅変調若しくは周波数変調又はこれらの２つ以上の組み合わせであってよい。回路方式は、ダイレクトコンバージョン方式を図示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図９は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
モジュール１７１は、例えば、ＲＦ－ＩＣ１５３からアンテナ１５９までの構成要素を同一の回路基板上に有している。すなわち、複合フィルタ１は、他の構成要素と組み合わされてモジュール化されている。この回路基板は、回路基板３１であってもよいし、回路基板３１が実装されるものであってもよい。なお、複合フィルタ１は、モジュール化されずに、通信装置１５１に含まれていても構わない。また、モジュール１７１の構成要素として例示した構成要素は、モジュールの外部に位置していたり、筐体１７３に収容されていなかったりしてもよい。例えば、アンテナ１５９は、筐体１７３の外部に露出するものであってもよい。
（９．実施形態のまとめ）
以上のとおり、複合フィルタ１は、第１フィルタ５と、第２フィルタ７と、調整回路９とを有している。第１フィルタ５は、共通端子（入力端子３Ｉ）に接続されている。第２フィルタ７は、入力端子３Ｉに接続されており、入力端子３Ｉから見て第１フィルタ５と互いに分岐している。調整回路９は、入力端子３Ｉから第１フィルタ５の側を見た第１アドミタンスＹ１、及び入力端子３Ｉから第２フィルタ７の側を見た第２アドミタンスＹ２の少なくとも一方（図１の例では後者）を調整している。第１フィルタ５は、該第１フィルタ５の通過帯域に対して低周波数側又は高周波数側（図３（ａ）の例では低周波数側）に位置する少なくとも１つの減衰極を有する第３フィルタ１１を有している。第３フィルタ１１の上記少なくとも１つの減衰極のうち第１フィルタ５の通過帯域に最も近い周波数を有する第１減衰極Ｐ１と上記通過帯域との間のいずれかの周波数において、第１アドミタンスＹ１の虚部と第２アドミタンスＹ２の虚部とが互いに反数であることによって、第２減衰極Ｐ２（具体的にはＰ２ａ及び／又はＰ２ｂ）が構成されている。
また、実施形態に係る通信装置１５１は、複合フィルタ１と、共通端子（入力端子３Ｉ）に接続されているアンテナ１５３と、複合フィルタ１に対して入力端子３Ｉとは反対側に接続されている集積回路素子（ＲＦ－ＩＣ１５９）と、を有している。
従って、阻止帯域のうち通過帯域に相対的に近い周波数帯における減衰特性を向上させることができる。周波数に対する透過特性の変化を移動平均線のように均した曲線で捉えた場合においては、通過帯域と阻止帯域との間の透過特性の傾きを急峻化できるといえる。第１フィルタ５単体で透過特性の傾きを急峻化しようとすると、挿入損失が大きくなる蓋然性が高い。しかし、第１フィルタ５及び第２フィルタ７の合成アドミタンス及び／又は合成インピーダンスを大きくして１つ以上の第２減衰極Ｐ２を形成することから、挿入損失が大きくなる蓋然性を低減できる。
第２減衰極Ｐ２の周波数において第１アドミタンスＹ１と第２アドミタンスＹ２とは互いに複素共役であってよい。
この場合、例えば、第１フィルタ５及び第２フィルタ７への信号の流れやすさが同等になる。その結果、例えば、第２減衰極Ｐ２及びその付近の周波数を有する信号が一方のフィルタのみに偏って流れる蓋然性が低減される。
第３フィルタ１１は、ＬＣフィルタであってよい。第１フィルタ５は、第３フィルタ１１に対して入力端子３Ｉの側又は入力端子３Ｉとは反対側（図示の例では後者）に位置している弾性波フィルタ１３を有していてよい。弾性波フィルタ１３は、第１減衰極Ｐ１の周波数と第１フィルタ５の通過帯域との間に位置している第３減衰極Ｐ３を有していてよい。
この場合、例えば、既述のように、弾性波フィルタ１３の急峻な減衰特性を利用しつつ、第３フィルタ１１（ＬＣフィルタ）によって阻止帯域（又は通過帯域）の帯域を確保することができる。
第３減衰極Ｐ３は、第２減衰極Ｐ２の周波数と第１フィルタ５の通過帯域との間に位置していてよい。
この場合、例えば、第３減衰極Ｐ３によって減衰特性の急峻化を図りつつ、周波数に対する減衰特性の変化を移動平均線のように均した曲線で捉えた場合における減衰特性の急峻化を図ることができる。すなわち、ミクロ的な観点の急峻性と、マクロ的な観点の急峻性とを実現できる。
以上の実施形態において、入力端子３Ｉは共通端子の一例である。ＲＦ－ＩＣ１５９は集積回路素子の一例である。
本開示に係る技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
例えば、複合フィルタは、共通端子に接続されており、共通端子から見て互いに分岐している３以上のフィルタを有していてよい。この場合、１つの第１フィルタと、２以上の第２フィルタとが設けられていると捉えられてよい。念のために記載すると、２以上の第２フィルタの通過帯域は、互いに異なっていてよい。実施形態のように、第２フィルタの数が１つである態様も含めて上位概念化して言えば、複合フィルタは、第１フィルタと、１以上の第２フィルタとを有していてよい。
共通端子から１以上の第２フィルタの側を見た第２アドミタンスは、第２フィルタの数が２以上である態様においては、２以上の第２フィルタそれぞれのアドミタンスを互いに足し合わせた合成アドミタンスであってよい。この合成後の第２アドミタンスの虚部が、実施形態の第２アドミタンスの虚部と同様に、共通端子から第１フィルタの側を見た第１アドミタンスの虚部と互いに反数であってよい。さらには、合成後の第２アドミタンスは、第１アドミタンスと共役な複素数であってよい。調整回路が合成後の第２アドミタンスを調整する場合において、調整回路の構成要素は、少なくとも１つの第２フィルタのアドミタンスを調整すればよい。
共通端子は、入力端子に限定されず、出力端子であってもよい。別の観点では、実施形態の第１出力端子（３Ａ）及び第２出力端子（３Ｂ）は、第１端子及び第２端子と上位概念化されてよい。また、共通端子は、入力端子及び出力端子に兼用されてもよい。別の観点では、複合フィルタは、第１フィルタ及び第２フィルタの一方が送信フィルタとされ、第１フィルタ及び第２フィルタの他方が受信フィルタとされたデュプレクサであってもよい。
これまでの説明からも理解されるように、複合フィルタは、ダイプレクサに限定されない。例えば、複合フィルタは、デュプレクサ、トリプレクサ又はクアッドプレクサであってもよい。
第１端子及び第２端子（実施形態では第１出力端子３Ａ及び第２出力端子３Ｂ）は、不平衡信号の入力又は出力に供されるものに限定されず、平衡信号に供されるものであってもよい。すなわち、実施形態とは異なり、１対の第１端子及び／又は１対の第２端子が設けられていてもよい。
実施形態では、第１フィルタ５のＬＣ回路部分（第３フィルタ１１及び弾性波フィルタ１３のインダクタ１９Ｃ）と、第２フィルタ７とは、同一の回路基板３１に造り込まれた。ただし、これらは、互いに別個の回路基板に造り込まれても構わない。また、実施形態では、調整回路９は、第１フィルタ５のＬＣ回路部分及び第２フィルタ７が造り込まれている回路基板３１に造り込まれた。ただし、調整回路９は、第１フィルタ５のＬＣ回路部分及び第２フィルタ７の少なくとも一方が造り込まれた回路基板とは別の回路基板に造り込まれても構わない。
本開示からは以下の概念を抽出できる。
（概念１）
共通端子に接続されている第１フィルタと、
前記共通端子に接続されており、前記共通端子から見て前記第１フィルタと互いに分岐している１以上の第２フィルタと、
前記共通端子から前記第１フィルタの側を見た第１アドミタンス、及び前記共通端子から前記１以上の第２フィルタの側を見た第２アドミタンスの少なくとも一方を調整している調整回路と、
を有しており、
前記第１フィルタは、該第１フィルタの通過帯域に対して低周波数側又は高周波数側に位置する少なくとも１つの減衰極を有する第３フィルタを有しており、
前記少なくとも１つの減衰極のうち前記通過帯域に最も近い周波数を有する第１減衰極と前記通過帯域との間のいずれかの周波数において、前記第１アドミタンスの虚部と前記第２アドミタンスの虚部とが互いに反数であることによって、第２減衰極が構成されている
複合フィルタ。
（概念２）
前記第２減衰極の周波数において前記第１アドミタンスと前記第２アドミタンスとが互いに複素共役である
概念１に記載の複合フィルタ。
（概念３）
前記第３フィルタは、ＬＣフィルタであり、
前記第１フィルタは、前記ＬＣフィルタに対して前記共通端子の側又は前記共通端子とは反対側に位置している弾性波フィルタを有しており、
前記弾性波フィルタは、前記第１減衰極の周波数と前記通過帯域との間に位置している第３減衰極を有している
概念１又は２に記載の複合フィルタ。
（概念４）
前記第３減衰極は、前記第２減衰極の周波数と前記通過帯域との間に位置している
概念３に記載の複合フィルタ。
（概念５）
概念１～４のいずれか１つに記載の複合フィルタと、
前記共通端子に接続されているアンテナと、
前記第１フィルタに対して前記共通端子とは反対側に接続されている集積回路素子と、
を有している通信装置。
１…複合フィルタ、３Ｉ…入力端子（共通端子）、３Ａ…第１出力端子（第１端子）、３Ｂ…第２出力端子（第２端子）、５…第１フィルタ、７…第２フィルタ、９…調整回路、１１…第３フィルタ、Ｐ１…第１減衰極、Ｐ２（Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ）…第２減衰極。

Claims (5)

  1. 共通端子に接続されている第１フィルタと、
    前記共通端子に接続されており、前記共通端子から見て前記第１フィルタと互いに分岐している１以上の第２フィルタと、
    前記共通端子から前記第１フィルタの側を見た第１アドミタンス、及び前記共通端子から前記１以上の第２フィルタの側を見た第２アドミタンスの少なくとも一方を調整している調整回路と、
    を有しており、
    前記第１フィルタは、該第１フィルタの通過帯域に対して低周波数側又は高周波数側に位置する少なくとも１つの減衰極を有する第３フィルタを有しており、
    前記少なくとも１つの減衰極のうち前記通過帯域に最も近い周波数を有する第１減衰極と前記通過帯域との間のいずれかの周波数において、前記第１アドミタンスの虚部と前記第２アドミタンスの虚部とが互いに反数であることによって、第２減衰極が構成されている
    複合フィルタ。
  2. 前記第２減衰極の周波数において前記第１アドミタンスと前記第２アドミタンスとが互いに複素共役である
    請求項１に記載の複合フィルタ。
  3. 前記第３フィルタは、ＬＣフィルタであり、
    前記第１フィルタは、前記ＬＣフィルタに対して前記共通端子の側又は前記共通端子とは反対側に位置している弾性波フィルタを有しており、
    前記弾性波フィルタは、前記第１減衰極の周波数と前記通過帯域との間に位置している第３減衰極を有している
    請求項１に記載の複合フィルタ。
  4. 前記第３減衰極は、前記第２減衰極の周波数と前記通過帯域との間に位置している
    請求項３に記載の複合フィルタ。
  5. 請求項１に記載の複合フィルタと、
    前記共通端子に接続されているアンテナと、
    前記第１フィルタに対して前記共通端子とは反対側に接続されている集積回路素子と、
    を有している通信装置。
JP2022103334A 2022-06-28 2022-06-28 複合フィルタ及び通信装置 Pending JP2024003954A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022103334A JP2024003954A (ja) 2022-06-28 2022-06-28 複合フィルタ及び通信装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022103334A JP2024003954A (ja) 2022-06-28 2022-06-28 複合フィルタ及び通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024003954A true JP2024003954A (ja) 2024-01-16

Family

ID=89538100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022103334A Pending JP2024003954A (ja) 2022-06-28 2022-06-28 複合フィルタ及び通信装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2024003954A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018003268A1 (ja) 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP6573851B2 (ja) マルチプレクサ
KR20180009354A (ko) 멀티플렉서, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP2010011300A (ja) 共振器、該共振器を用いるフィルタ及びデュプレクサ
JP7132944B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JPWO2016068096A1 (ja) 受動素子付フィルタ部品および高周波モジュール
CN109155624B (zh) 接收滤波器、分波器以及通信装置
US10972067B2 (en) Filter and multiplexer
JP7103420B2 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
US10951194B2 (en) Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
JP2023134855A (ja) 弾性波フィルタ及び通信装置
US10651822B2 (en) Multiplexer
JP6940085B1 (ja) 弾性波デバイス
US20220329226A1 (en) Filter device and communication apparatus
JP3912653B2 (ja) 弾性表面波装置
JP2021190908A (ja) 帯域阻止フィルタ、複合フィルタ及び通信装置
JP2007312201A (ja) 基板実装型弾性表面波装置及びその製造方法並びに通信装置
JP2024003954A (ja) 複合フィルタ及び通信装置
US20200145030A1 (en) Multiplexer
WO2023234405A1 (ja) 複合フィルタ、マルチプレクサ及び通信装置
WO2024101346A1 (ja) 複合フィルタ、モジュール及び通信装置
WO2024106269A1 (ja) フィルタ、モジュール及び通信装置
WO2023248823A1 (ja) フィルタデバイス、多層基板及び通信装置
JP2023066628A (ja) 弾性波装置及び通信装置
JP7370542B2 (ja) 弾性波デバイス