WO2018012367A1 - 受信フィルタ、分波器および通信装置 - Google Patents

受信フィルタ、分波器および通信装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2018012367A1
WO2018012367A1 PCT/JP2017/024638 JP2017024638W WO2018012367A1 WO 2018012367 A1 WO2018012367 A1 WO 2018012367A1 JP 2017024638 W JP2017024638 W JP 2017024638W WO 2018012367 A1 WO2018012367 A1 WO 2018012367A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
terminal
filter
conductor
reception
gnd
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/024638
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
知徳 浦田
Original Assignee
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to CN201780031530.4A priority Critical patent/CN109155624B/zh
Priority to JP2018527538A priority patent/JP6868025B2/ja
Priority to US16/317,256 priority patent/US11115001B2/en
Publication of WO2018012367A1 publication Critical patent/WO2018012367A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
    • H03H9/6463—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded
    • H03H9/6466—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded each track containing more than two transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Definitions

  • This disclosure relates to a reception filter, a duplexer, and a communication device that filter signals using elastic waves.
  • the elastic wave is, for example, a surface acoustic wave (SAW).
  • a duplexer or the like includes a plurality of filters having different pass frequency bands (pass bands).
  • a duplexer including a transmission filter that filters a transmission signal output to an antenna and a reception filter that filters a reception signal input from the antenna includes a longitudinally coupled resonator filter included in the reception filter.
  • the reception filter includes an antenna terminal, a reception terminal, a reception terminal wiring, a first filter, a first reference potential terminal, and a first reference potential wiring.
  • the receiving terminal outputs a signal from the antenna terminal.
  • the reception terminal wiring is connected to the reception terminal.
  • the first filter is a longitudinally coupled double mode type acoustic wave filter located in a signal path from the antenna terminal to the receiving terminal.
  • a reference potential is applied to the first reference potential terminal.
  • the first reference potential wiring is connected to the first reference potential terminal and the first filter.
  • a receiving terminal conductor composed of the receiving terminal and the receiving terminal wiring and a first reference potential conductor composed of the first reference potential terminal and the first reference potential wiring are capacitively coupled adjacent to each other.
  • a duplexer includes the antenna terminal, a transmission filter that filters a signal to the antenna terminal, and the reception filter.
  • a communication apparatus includes an antenna, the duplexer in which the antenna terminal is connected to the antenna, and an integrated circuit element connected to the transmission filter and the reception filter. Have.
  • FIG. 3A is a plan view showing an example of a conductor pattern of the reception filter.
  • FIG. 3B is a plan view showing another example of the conductor pattern of the reception filter.
  • FIG. 3C is a plan view showing still another example of the conductor pattern of the reception filter.
  • 4 (a), 4 (b), 4 (c), and 4 (d) are diagrams showing simulation calculation results for examining the influence of capacitance.
  • 5 (a), 5 (b), 5 (c), and 5 (d) show the results of simulation calculations for examining the effect of capacitance on bands different from those in FIGS. 4 (a) to 4 (d).
  • FIG. FIG. 6A is a plan view showing a conductor pattern of the first comparative example.
  • FIG. 6B is a plan view showing the conductor pattern of the first embodiment.
  • FIG. 6C is a plan view showing a conductor pattern of the second comparative example.
  • FIG. 9A is a plan view showing a conductor pattern of a fourth comparative example.
  • FIG. 9B is a plan view showing a conductor pattern of a fifth comparative example.
  • FIG. 9C is a plan view showing a conductor pattern of a sixth comparative example. 10 (a), FIG. 10 (b), FIG. 10 (c), FIG. 10 (d), FIG. 10 (e), FIG. 10 (f), FIG. 10 (g) and FIG.
  • FIG. 10 is a diagram showing simulation calculation results according to a sixth comparative example.
  • FIG. 11A is a plan view showing a conductor pattern of the third embodiment.
  • FIG. 11A is a plan view showing a conductor pattern of the third embodiment.
  • FIG. 11B is a plan view showing a conductor pattern of the fourth embodiment.
  • FIG.11 (c) is a top view which shows the conductor pattern of 5th Example. 12 (a), FIG. 12 (b), FIG. 12 (c), FIG. 12 (d), FIG. 12 (e), FIG. 12 (f), FIG. 12 (g) and FIG.
  • FIG. 10 is a diagram showing simulation calculation results according to the fifth example. It is a top view which shows the example of the conductor pattern of a splitter. It is a schematic diagram which shows the communication apparatus as an example of use of a duplexer.
  • first DMS filter 1A and “second DMS filter 1B”. These are simply referred to as “DMS filter 1” and may not be distinguished from each other.
  • FIG. 1 is a schematic plan view for explaining the basic configuration of a SAW resonator or SAW filter.
  • a longitudinally coupled double mode SAW filter will be described as an example.
  • the SAW resonator or the SAW filter may be either upward or downward, but in the following description, for convenience, an orthogonal coordinate system composed of the D1 axis, the D2 axis, and the D3 axis is defined.
  • the term “upper surface” is used with the positive side of the D3 axis (the front side in FIG. 1) as the upper side.
  • the D1 axis is defined so as to be parallel to the propagation direction of the SAW propagating along the upper surface (front side of the paper) of the piezoelectric substrate 5 described later, and the D2 axis is parallel to the upper surface of the piezoelectric substrate 5 and It is defined to be orthogonal to the D1 axis, and the D3 axis is defined to be orthogonal to the upper surface of the piezoelectric substrate 5.
  • the illustrated DMS (double mode SAW) filter 1 filters an electric signal input from one of a first terminal 3A and a second terminal 3B schematically shown, and the filtered electric signal is supplied to the first terminal 3A and the second terminal 2A. The signal is output from the other terminal 3B.
  • the DMS filter 1 includes, for example, a piezoelectric substrate 5, a plurality (five in the illustrated example) of IDT (interdigital transducer) electrodes 7 provided on the piezoelectric substrate 5, and a pair of IDT electrodes 7 located on both sides of the IDT electrode 7. And a reflector 9.
  • the piezoelectric substrate 5 is made of, for example, a single crystal having piezoelectricity.
  • the single crystal is, for example, a lithium niobate (LiNbO 3 ) single crystal or a lithium tantalate (LiTaO 3 ) single crystal.
  • the cut angle may be appropriately set according to the type of SAW used.
  • the piezoelectric substrate 5 has a rotational Y-cut X propagation. That is, the X axis is parallel to the upper surface (D1 axis) of the piezoelectric substrate 5, and the Y axis is inclined at a predetermined angle with respect to the normal line of the upper surface of the piezoelectric substrate 5.
  • the piezoelectric substrate 5 may be formed relatively thin, and a support substrate made of an inorganic material, a semiconductor material, or an organic material may be bonded to the back surface (the surface on the negative side of the D3 axis).
  • the IDT electrode 7 and the reflector 9 are constituted by layered conductors provided on the piezoelectric substrate 5.
  • the IDT electrode 7 and the reflector 9 are composed of the same material and thickness, for example.
  • the layered conductor constituting these is, for example, a metal.
  • the metal is, for example, Al or an alloy containing Al as a main component (Al alloy).
  • the Al alloy is, for example, an Al—Cu alloy.
  • the layered conductor may be composed of a plurality of metal layers.
  • the thickness of the layered conductor is appropriately set according to the electrical characteristics required for the resonator or filter (here, the DMS filter 1) formed by the IDT electrode 7 and the reflector 9. As an example, the thickness of the layered conductor is 50 nm to 400 nm.
  • Each IDT electrode 7 includes a pair of comb electrodes 11.
  • Each comb electrode 11 includes a bus bar 13 and a plurality of electrode fingers 15 extending from the bus bar 13 in parallel to each other. The pair of comb electrodes 11 are arranged so that the plurality of electrode fingers 15 mesh with each other (intersect).
  • each comb-tooth electrode 11 protrudes from the bus bar 13 to the bus bar 13 side of the other comb-tooth electrode 11 between the plurality of electrode fingers 15 and the plurality of electrode fingers 15 of the other comb-tooth electrode 11.
  • a plurality of dummy electrodes may be included so as to face the tip.
  • the bus bar 13 is, for example, formed in a long shape having a substantially constant width and extending linearly in the SAW propagation direction (D1 axis direction).
  • the pair of bus bars 13 oppose each other in the direction (D2 axis direction) orthogonal to the SAW propagation direction.
  • the bus bar 13 may be changed in width or inclined with respect to the SAW propagation direction.
  • Each electrode finger 15 is formed in an elongated shape extending in a straight line in a direction (D2 axis direction) orthogonal to the SAW propagation direction with a substantially constant width, for example.
  • the plurality of electrode fingers 15 are arranged in the SAW propagation direction.
  • the plurality of electrode fingers 15 of one comb-tooth electrode 11 and the plurality of electrode fingers 15 of the other comb-tooth electrode 11 are basically arranged alternately.
  • the pitch of the plurality of electrode fingers 15 (for example, the distance between the centers of the two electrode fingers 15 adjacent to each other) is basically constant in each IDT electrode 7.
  • a part of each IDT electrode 7 may be provided with a narrow pitch part whose pitch is narrower than the other most part or a wide pitch part whose pitch is wider than the other most part.
  • the number of electrode fingers 15 may be appropriately set according to the electrical characteristics required for the resonator or filter (here, DMS filter 1) formed by the IDT electrode 7 and the reflector 9. Since FIG. 1 and the like are schematic diagrams, the number of electrode fingers 15 is small. Actually, more electrode fingers 15 than shown may be arranged. The same applies to the strip electrode 19 of the reflector 9 described later.
  • the lengths of the plurality of electrode fingers 15 are, for example, equal to each other.
  • the IDT electrode 7 may be so-called apodized in which the lengths of the plurality of electrode fingers 15 (crossing width in another viewpoint) change according to the position in the propagation direction.
  • the length and width of the electrode finger 15 may be appropriately set according to required electrical characteristics and the like.
  • the pair of reflectors 9 are located on both sides of the plurality of IDT electrodes 7 in the SAW propagation direction. Each reflector 9 may be in an electrically floating state, for example, or may be provided with a reference potential. Each reflector 9 is formed in a lattice shape, for example. That is, the reflector 9 includes a pair of bus bars 17 facing each other and a plurality of strip electrodes 19 extending between the pair of bus bars 17.
  • the shape of the bus bar 17 and the strip electrode 19 may be the same as the bus bar 13 and the electrode finger 15 of the IDT electrode 7 except that both ends of the strip electrode 19 are connected to a pair of bus bars 17.
  • the bus bar 17 is formed in a long shape having a substantially constant width and linearly extending in the SAW propagation direction (D1-axis direction).
  • Each strip electrode 19 is formed in an elongated shape extending in a straight line in a direction (D2 axis direction) perpendicular to the SAW propagation direction with a substantially constant width.
  • the plurality of strip electrodes 19 are arranged in the SAW propagation direction.
  • the pitch between the plurality of strip electrodes 19 and the pitch between the electrode fingers 15 and the strip electrodes 19 adjacent to each other are basically the same as the pitch between the plurality of electrode fingers 15.
  • the upper surface of the piezoelectric substrate 5 may be covered with a protective film made of SiO 2 or the like from above the IDT electrode 7 and the reflector 9.
  • the protective film may be merely for suppressing corrosion of the IDT electrode 7 or the like, or may contribute to temperature compensation.
  • an additional film made of an insulator or metal may be provided on the upper or lower surface of the IDT electrode 7 and the reflector 9 in order to improve the SAW reflection coefficient.
  • a space that allows SAW propagation by allowing vibration of the upper surface of the piezoelectric substrate 5 is a piezoelectric substrate. 5 is configured.
  • This space is configured, for example, by forming a box-shaped cover that covers the upper surface of the piezoelectric substrate 5 or by making the mounting surface of the circuit board and the upper surface of the piezoelectric substrate 5 face each other with bumps interposed therebetween.
  • the resonance frequency is the pitch of the electrode fingers 15 in the SAW propagating on the piezoelectric substrate 5 in the direction orthogonal to the plurality of electrode fingers 15. It is almost the same as the SAW frequency which is a half wavelength.
  • the anti-resonance frequency is defined by the resonance frequency and the capacitance ratio.
  • the capacitance ratio is mainly defined by the material of the piezoelectric substrate 5, and is adjusted by the number of electrode fingers 15, the crossing width or the film thickness. In order to adjust the capacitance ratio, a capacitive element connected in parallel to the pair of comb electrodes 11 may be provided.
  • the DMS filter 1 is a vertically coupled type, the plurality of IDT electrodes 7 are arranged in the SAW propagation direction.
  • SAWs in two modes having different frequencies are excited, and a filter is realized.
  • One SAW of the two modes is usually a SAW (zero-order mode SAW, fundamental wave) in which the pitch of the electrode fingers 15 is a half wavelength.
  • the other mode is a primary or higher mode and may be appropriately set depending on the number of IDT electrodes 7 and the like.
  • the center frequency of the passband is approximately equal to the frequency of one of the two modes (0th order mode), and the bandwidth is approximately equal to twice the frequency difference between the two modes.
  • the number of electrode fingers 15 in each IDT electrode 7 may be set as appropriate, and may be the same or different between the plurality of IDT electrodes 7.
  • the pitch of the electrode fingers 15 (that is, the resonance frequency) is basically the same between the plurality of IDT electrodes 7.
  • the pitch between the electrode fingers 15 adjacent to each other at the position where the IDT electrodes 7 are adjacent to each other is basically equal to the pitch within each IDT electrode 7.
  • one pair of comb electrodes 11 of each IDT electrode 7 is connected to the first terminal 3 ⁇ / b> A or the second terminal 3 ⁇ / b> B, and the other is connected to the GND unit 21.
  • the GND unit 21 is a part (for example, a terminal and / or wiring) to which a reference potential is applied.
  • the reference potential is a reference potential, but is not necessarily 0V.
  • the electrode fingers 15 of the pair of comb-teeth electrodes 11 are basically alternately arranged at a constant pitch, so that the pair of comb-teeth electrodes 11 is SAW (and thus an electric signal).
  • SAW and thus an electric signal
  • the DMS filter 1 can input or output signals having the same phase or input or output signals having a phase difference of 180 ° at the plurality of IDT electrodes 7 (the plurality of comb electrodes 11).
  • the DMS filter 1 may be one that receives an unbalanced signal or one that receives a balanced signal.
  • the DMS filter 1 may output an unbalanced signal or may output a balanced signal.
  • the unbalanced signal is composed of one electric signal whose signal level is a potential with respect to the reference potential.
  • the balanced signal is composed of two electric signals whose phases are different from each other by 180 ° (having different electric potentials from another viewpoint), and the difference between the electric potentials is a signal level.
  • FIG. 1 illustrates a mode in which an unbalanced signal is input and an unbalanced signal is output.
  • the relative positions of the plurality of IDT electrodes 7 are set so that the phase of the comb electrode 11 located on the same side in the D2 axis direction is the same between two IDT electrodes 7 that are separated by one. ing.
  • the comb electrodes 11 on the same side apart by one are both connected to the first terminal 3A or the second terminal 3B.
  • the two adjacent IDT electrodes 7 may have the same phase of the comb electrodes 11 located on the same side in the D2 axis direction, or may be 180 ° different from each other. From another viewpoint, the input signal and the output signal may be 180 degrees out of phase or the same.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the duplexer 23.
  • the IDT electrode 7 and the reflector 9 are shown more schematically than in FIG. 1, as can be understood from the reference numerals 7, 9, 11, 13 and 15.
  • the duplexer 23 includes an antenna terminal 25 connected to an antenna (not shown), a transmission filter 27 that filters a transmission signal to the antenna terminal 25, and a reception filter 29 that filters a reception signal from the antenna terminal 25.
  • a transmission filter 27 that filters a transmission signal to the antenna terminal 25
  • a reception filter 29 that filters a reception signal from the antenna terminal 25.
  • the transmission filter 27 is configured by, for example, a so-called ladder-type SAW filter. That is, the transmission filter 27 includes a transmission terminal 31 to which a transmission signal is input, and a plurality of (four in the illustrated example) series resonators 33 connected in series between the transmission terminal 31 and the antenna terminal 25. And a plurality of (three in the illustrated example) parallel resonators 35 that connect the series line and the GND unit 21.
  • Each of the plurality of series resonators 33 and the plurality of parallel resonators 35 is configured by a so-called 1-port SAW resonator.
  • the 1-port SAW resonator is provided on the piezoelectric substrate 5 (see FIG. 1), one IDT electrode 7 provided on the piezoelectric substrate 5, and on the piezoelectric substrate 5.
  • a pair of reflectors 9 located on both sides of the SAW propagation direction.
  • the configurations of the IDT electrode 7 and the reflector 9 and the distance between the IDT electrode 7 and the reflector 9 are as described with reference to FIG. .
  • each series resonator 33 one comb-teeth electrode 11 of the pair of comb-teeth electrodes 11 is connected to the antenna terminal 25 via the other series resonator 33 or not, and the other comb-teeth 11 is connected.
  • the electrode 11 is connected to the transmission terminal 31 via or not through another series resonator 33.
  • one parallel resonator 35 one comb electrode 11 of the pair of comb electrodes 11 is connected to a series line (series arm) connecting the antenna terminal 25 and the transmission terminal 31, and the other comb electrode 11 is connected to the GND unit 21.
  • the frequency characteristics (for example, resonance frequency and antiresonance frequency) of the plurality of series resonators 33 are basically the same.
  • the frequency characteristics (for example, resonance frequency and anti-resonance frequency) of the plurality of parallel resonators 35 are basically the same as each other.
  • the characteristics of the series resonator 33 and the parallel resonator 35 are basically set such that the anti-resonance frequency of the parallel resonator 35 substantially matches the resonance frequency of the series resonator 33.
  • the center frequency of the pass band is approximately the resonance frequency of the series resonator 33.
  • the transmission terminal 31, all the IDT electrodes 7 and all the reflectors 9 are provided on the same surface of the same piezoelectric substrate 5, for example.
  • the number of series resonators 33 and parallel resonators 35 may be set as appropriate. In principle, these may be one by one.
  • the plurality of series resonators 33 may be finely adjusted so that the resonance frequency, the antiresonance frequency, and the like are slightly different from each other.
  • the plurality of parallel resonators 35 may be finely adjusted so that the resonance frequency, the anti-resonance frequency, and the like are slightly different from each other.
  • the transmission filter 27 may include a configuration other than the resonator, such as an inductor and a capacitive element, at an appropriate position.
  • the reception filter 29 includes the DMS filter 1 described with reference to FIG. Specifically, for example, the reception filter 29 includes a reception terminal 37 that outputs a reception signal, and is connected in series from the antenna terminal 25 to the reception terminal 37 in order. A 1DMS filter 1A, a second DMS filter 1B, and a second auxiliary resonator 39B are included.
  • the first auxiliary resonator 39A and the second auxiliary resonator 39B are each configured by, for example, a so-called 1-port SAW resonator.
  • the configuration of the 1-port SAW resonator is as described above.
  • one comb-teeth electrode 11 of the pair of comb-teeth electrodes 11 is connected to the antenna terminal 25, and the other comb-teeth electrode 11 is connected to the first DMS filter 1A.
  • the second auxiliary resonator 39B one comb-teeth electrode 11 of the pair of comb-teeth electrodes 11 is connected to the second DMS filter 1B, and the other comb-teeth electrode 11 is connected to the reception terminal 37.
  • the auxiliary resonator 39 is located, for example, at a frequency where the resonance frequency is located in the pass band of the DMS filter 1 and the anti-resonance frequency is outside the pass band of the DMS filter 1 and the attenuation is reduced in the DMS filter 1. Is configured to do. Note that such an auxiliary resonator 39 may not be provided.
  • the first DMS filter 1A and the second DMS filter 1B are the same as the DMS filter 1 described with reference to FIG.
  • the number of IDT electrodes 7 is five, and an unbalanced signal is input and an unbalanced signal is output as in FIG.
  • the second terminal 3B side in FIG. 1 corresponds to the antenna terminal 25 side, and the first terminal 3A side corresponds to the reception terminal 37 side.
  • the first DMS filter 1A receives signals from the first auxiliary resonator 39A to the two IDT electrodes 7, and outputs signals from the three IDT electrodes 7 to the second DMS filter 1B.
  • the first terminal 3A side in FIG. 1 corresponds to the antenna terminal 25 side
  • the second terminal 3B side corresponds to the reception terminal 37 side.
  • the second DMS filter 1B receives signals from the first DMS filter 1A to the three IDT electrodes 7 and outputs signals from the two IDT electrodes 7 to the second auxiliary resonator 39B.
  • each of the plurality of IDT electrodes 7 of the DMS filter 1 one of the pair of comb electrodes 11 is connected to the GND portion 21.
  • the GND parts 21 connected to the IDT electrodes 7 on both sides of the first DMS filter 1A are referred to as a first GND part 21A and a second GND part 21B, and the second DMS filter 1B
  • the GND parts 21 connected to the IDT electrodes 7 on both sides are referred to as a third GND part 21C and a fourth GND part 21D.
  • the reception filter 29 In the reception filter 29, the reception terminal 37, all the IDT electrodes 7 and all the reflectors 9 are provided on the same surface of the same piezoelectric substrate 5, for example.
  • the antenna terminal 25, the transmission filter 27, and the reception filter 29 are provided on the same surface of the same piezoelectric substrate 5, for example.
  • the transmission filter 27 and the reception filter 29 may be provided on different piezoelectric substrates 5.
  • the receiving terminal 37 and the GND unit 21 (the fourth GND unit 21D in the illustrated example) connected to the DMS filter 1 are capacitively coupled. From another viewpoint, a capacitive element unit 41 is configured between the reception terminal 37 and the fourth GND unit 21D. Thereby, the isolation between the reception filter 29 and the transmission filter 27 is improved.
  • the GND unit 21 includes, for example, a terminal to which a reference potential is applied from a circuit outside the duplexer 23 and / or a wiring connected to the terminal. And said capacitive coupling is implement
  • FIG. 3A is a plan view illustrating an example of a conductor pattern of the reception filter 29.
  • the auxiliary resonator 39 and the DMS filter 1 are schematically shown.
  • the arrangement range of the IDT electrode 7 and the arrangement range of the reflector 9 are each shown by a white rectangle.
  • the IDT electrode 7 of each auxiliary resonator 39 may be divided in the D2 axis direction (may be constituted by a plurality of IDT electrodes), but here, even in such an aspect, it is a single rectangle. It is shown.
  • the entire arrangement range of the plurality of IDT electrodes 7 is indicated by one white rectangle, and the boundary between the IDT electrodes 7 is indicated by a dotted line.
  • the arrangement range of the reflectors 9 of the DMS filter 1 is indicated by a white rectangle.
  • a hatched area indicates a conductor pattern (excluding the auxiliary resonator 39 and the DMS filter 1) provided on the upper surface of the piezoelectric substrate 5.
  • a region indicated by hatching with diagonal lines indicates a conductor pattern to which a received signal is applied.
  • a region indicated by hatching of the dots indicates a conductor pattern to which a reference potential is applied.
  • These conductors are made of, for example, a conductor layer having the same material and thickness as the conductor layers constituting the IDT electrode 7 and the reflector 9.
  • the terminal may include a conductor layer made of another material on a conductor layer common to other parts.
  • the conductor to which the signal is applied includes, for example, the antenna terminal 25 and the reception terminal 37 (region surrounded by a circle). Further, as understood from the comparison between FIG. 3A and FIG. 2, the conductor includes, for example, a wiring (not shown) extending from the antenna terminal 25 to the first auxiliary resonator 39 ⁇ / b> A, and the first auxiliary resonance.
  • Appropriate modifications such as providing wirings for connecting the three wirings connecting the first DMS filter 1A and the second DMS filter 1B to each other, or dividing the central wiring among the three wirings into two, etc. May be made.
  • the conductor to which the reference potential is applied includes, for example, a GND terminal 45 (a region surrounded by a circle).
  • the first GND terminal 45A to the fourth GND terminal 45D (in this example, there are two fourth GND terminals 45D) constitute the first GND part 21A to the fourth GND part 21D in FIG. 2, respectively.
  • the conductor to which the reference potential is applied includes a GND wiring 47 that connects the GND terminal 45 and the DMS filter 1.
  • each GND wiring 47 connects the GND terminal 45 and the DMS filter 1 as follows.
  • the first GND wiring 47A connects the first GND terminal 45A and the comb-shaped electrode 11 on the D2 axis positive side of the IDT electrode 7 located at the end on the D1 axis negative side in the first DMS filter 1A.
  • the second GND wiring 47B connects the second GND terminal 45B and the comb-shaped electrode 11 on the D2 axis positive side of the IDT electrode 7 located at the end on the D1 axis positive side in the first DMS filter 1A.
  • the third GND wiring 47C connects the third GND terminal 45C to the D2-axis negative comb electrode 11 of the IDT electrode 7 located at the end of the D1-axis negative side in the second DMS filter 1B.
  • the fourth GND wiring 47D connects the fourth GND terminal 45D and the comb tooth electrode 11 on the D2 axis negative side of the IDT electrode 7 located at the end on the D1 axis positive side in the second DMS filter 1B. Note that the connection between the comb-teeth electrode 11 of the IDT electrode 7 located at the end in the DMS filter 1 and the GND wiring 47 may be through the reflector 9.
  • the GND wiring 47 without the additional symbols A to D is, for example, a first GND wiring by a wiring (not shown) that intersects three-dimensionally with an insulating layer (not shown) interposed between the wiring to which a signal is applied. It is connected to the nearest one of 47A to 4th GND wiring 47D. More specifically, the GND wiring 47 on the first DMS filter 1A side is connected to the first GND wiring 47A or the second GND wiring 47B, and the GND wiring 47 on the second DMS filter 1B side is connected to the third GND wiring 47C or the fourth GND wiring 47D, respectively. It is connected.
  • the GND wiring 47 of the first DMS filter 1A is collected by the first DMS filter 1A
  • the GND wiring 47 of the second DMS filter 1B is collected by the second DMS filter 1B.
  • a bonding wire may be used instead of the three-dimensional intersection with the insulating layer interposed.
  • the first GND wiring 47A to the fourth GND wiring 47D are separated from each other.
  • the first GND wiring 47A and the second GND wiring 47B connected to the first DMS filter 1A may or may not be connected to each other by a three-dimensional wiring (not shown) or the like.
  • the third GND wiring 47C and the fourth GND wiring 47D connected to the second DMS filter 1B may or may not be connected to each other by a three-dimensional wiring (not shown). In the following description, it is assumed that the third GND wiring 47C and the fourth GND wiring 47D are not connected unless otherwise specified.
  • the GND wiring (for example, 47A and 47B) connected to the first DMS filter 1A and the GND wiring (for example, 47C and 47D) connected to the second DMS filter 1B are disconnected from each other, for example. However, what is connected to each other is also included in the present disclosure.
  • the various terminals for example, bumps made of solder or the like interposed between the piezoelectric substrate 5 and a mounting substrate (not shown) arranged to face the piezoelectric substrate 5, or a piezoelectric substrate A columnar terminal penetrating the cover covering 5 is arranged.
  • One end of the bonding wire may be bonded onto various terminals.
  • there may be no boundary for example, a change in material or a change in shape due to the configuration of the terminal or the wiring itself between the terminal and the wiring connected to the terminal.
  • a portion including the reception terminal 37 and the reception terminal wiring 43 continuous to the reception terminal 37 is defined as a reception terminal conductor 49.
  • the receiving terminal conductor 49 is a portion of the conductor pattern to which a signal is applied, closer to the receiving terminal 37 than the second DMS filter 1 ⁇ / b> B with respect to the electrical path.
  • a portion of the conductor pattern to which the reference potential is applied is composed of the GND terminal 45 and the GND wiring 47 continuous to the GND terminal 45 as the GND conductor 51.
  • the conductor pattern to which the reference potential is applied includes the conductor pattern connected to the second DMS filter 1B with respect to the electrical path, and the portion on the fourth GND terminal 45D side from this is included. This is the fourth GND conductor 51D.
  • the receiving terminal conductor 49 and the fourth GND conductor 51D are adjacently capacitively coupled (the capacitive element portion 41 is configured).
  • the fourth GND wiring 47D extends to the opposite side of the second DMS filter 1B with respect to the fourth GND terminal 45D (whichever may be considered as a reference) with respect to the electrical path. have. This portion is adjacent to the reception terminal wiring 43. Any part of the wirings may be adjacent to each other, but in the illustrated example, the tip end of the fourth GND wiring 47D and the side surface of the reception terminal wiring 43 are adjacent to each other.
  • the capacitance of the capacitive element unit 41 is, for example, 0.03 pF or more, or 0.1 pF or more.
  • the capacitance is 0.03 pF or more, for example, the effect of improving isolation by capacitive coupling can be confirmed.
  • the capacitance is 0.1 pF or more, for example, the effect of improving isolation due to capacitive coupling becomes significant.
  • the upper limit is, for example, 1 pF. If it is 1 pF or less, for example, impedance matching within the band is relatively easy, and loss can be reduced.
  • the capacitance may be 0.1 pF or more and 0.7 pF or less. In this case, for example, the isolation can be improved and the loss can be reduced. More specifically, it may be 0.4 pF or more and 0.6 pF or less.
  • the distance d between the reception terminal conductor 49 and the GND conductor 51 in the capacitive element section 41 (in other aspect, the minimum distance between the reception terminal conductor 49 and the GND conductor 51) and the length in which both face each other
  • the length L may be set appropriately.
  • the piezoelectric substrate 5 is made of a lithium tantalate single crystal having a thickness of 250 ⁇ m and the conductor is made of aluminum having a thickness of 0.16 ⁇ m.
  • each of the receiving terminal conductor 49 and the GND conductor 51 is a rectangle of 100 ⁇ m ⁇ 100 ⁇ m and the length L is 100 ⁇ m.
  • the change of the capacitance C with respect to the change of the interval d is as follows. d C 1 ⁇ m 0.08pF 5 ⁇ m 0.06pF 10 ⁇ m 0.05 pF 20 ⁇ m 0.045pF 50 ⁇ m 0.035pF
  • the change of the capacitance C with respect to the change of the interval d is as follows. d C 1 ⁇ m 0.18pF 5 ⁇ m 0.13pF 10 ⁇ m 0.11 pF 20 ⁇ m 0.09pF 50 ⁇ m 0.07pF
  • a capacity of 0.03 pF or more can be reliably ensured even when the length L is approximately 100 ⁇ m, and a capacity of 0.1 pF or more when the length L is approximately 300 ⁇ m. Can be secured.
  • the wavelength of SAW (twice the pitch of the electrode fingers 15) is, for example, 1.5 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less, depending on the type of SAW used and the required resonance frequency. For example, several tens or 100 or more of electrode fingers 15 are provided in one IDT electrode 7. Therefore, in view of the size of the IDT electrode 7, it is realistic to secure 100 ⁇ m or 300 ⁇ m as the length L.
  • conductors such as wires or terminals are separated by a relatively wide distance when capacitive coupling is not intended as in the present disclosure. This is for the purpose of reducing the risk of unintended capacitive coupling or reducing the risk of a short circuit.
  • a distance from other conductors is large in consideration of a bump formation error.
  • the conductors are separated from each other by several tens of ⁇ m. Therefore, the interval d of 20 ⁇ m or less is not usually formed.
  • the capacitance C when the distance d is 20 ⁇ m or less, more specifically 1.5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, it can be realized by forming a thin film pattern on the piezoelectric substrate 5 and patterning steps. . In other words, it is difficult to realize by thick film printing and its patterning process, and it is difficult to give this function to an organic substrate, a ceramic multilayer substrate or the like. In other words, the capacitor 41 can be realized on the same substrate as the second DMS filter 1B, thereby realizing a desired capacitance.
  • the interval d is preferably as small as possible.
  • the distance d is equal to or greater than the distance between the electrode fingers 15 (the distance between the opposing sides of the adjacent electrode fingers 15), or greater than the pitch of the electrode fingers 15, or 1 ⁇ m or greater. In this case, there is no inconvenience that the processing accuracy is increased only for the formation of the capacitive element portion 41.
  • FIG. 3B is a plan view showing another example of the conductor pattern of the reception filter 29.
  • the capacitive element portion 41 is configured in a plurality of locations (two locations in the illustrated example), and each The specific shape of the conductor pattern related to the capacitive element portion 41 is different. Others are almost the same as the example of FIG. 3A, although there are some differences.
  • the number and positions of the GND terminals 45 included in the GND conductor 51 are arbitrary as the number of the fourth GND terminals 45D is reduced as compared with the example of FIG.
  • the potential of the GND conductor 51 is easily stabilized.
  • one of the two capacitive element sections 41 is configured by the reception terminal conductor 49 and the fourth GND conductor 51D being adjacent to each other.
  • the other capacitive element portion 41 is configured by the reception terminal conductor 49 and the third GND conductor 51C being adjacent to each other.
  • the third GND conductor 51C is connected to the second DMS filter 1B and is not connected to the first DMS filter 1A (the GND conductor 51 connected to the first DMS filter 1A).
  • the capacitive element portion 41 by configuring the capacitive element portion 41 at a plurality of locations, for example, securing the capacitance is facilitated.
  • the capacitive element portion 41 by configuring the capacitive element portion 41 with a plurality of GND conductors 51 connected to different IDT electrodes 7 in the second DMS filter 1B, it is easy to configure the capacitive element portion 41 at a plurality of locations.
  • the capacitive coupling of the receiving terminal conductor 49 with a plurality of different GND conductors 51 for example, stabilization of the effect of improving isolation is expected.
  • the capacitive element portion 41 is configured such that the side surface of the rectangular portion of the reception terminal wiring 43 and the tip surface of the rectangular portion of the fourth GMD wiring 47D face each other.
  • the inclined surface outside the bent portion of the receiving terminal wiring 43 and the inclined surface of the triangular portion provided at the tip of the fourth GND wiring 47D are opposed to each other.
  • the element part 41 is comprised. As described above, the pattern of the conductor constituting the capacitive element portion 41 is arbitrary.
  • FIG. 3C is a plan view showing still another example of the conductor pattern of the reception filter 29.
  • This example is different from FIG. 3A in that the third GND wiring 47C and the fourth GND wiring 47D are connected to each other, and the third GND conductor 51C, the fourth GND conductor 51D, and the second DMS filter 1B receive terminals.
  • the difference is that the third GND conductor 51C and the fourth GND conductor 51D extend so as to surround the conductor 49.
  • the third GND conductor 51 ⁇ / b> C and the fourth GND conductor 51 ⁇ / b> D are distinguished from each other, but both may be regarded as one GND conductor 51.
  • the receiving terminal wiring 43 is bent on the outer peripheral side surface of the piezoelectric substrate 5, while the fourth GND wiring 47 ⁇ / b> D is such that the inner peripheral side surface of the piezoelectric substrate 5 is the side surface of the receiving terminal wiring 43.
  • the two side surfaces face each other over a relatively long distance.
  • the GND conductor 51 is also expected to function as a shield.
  • the third GND conductor 51C and the fourth GND conductor 51D surround the receiving terminal conductor 49, a necessary and sufficient capacity can be formed, so that a distance from the auxiliary resonator 39B can be ensured.
  • unintentional coupling with the auxiliary resonator 39B can be suppressed, and the effect of improving the attenuation characteristics by the auxiliary resonator 39B can be sufficiently exhibited.
  • the duplexer 23 corresponds to the UMTS (universal mobile mobile communication system) band 3 (transmission band: 1710-1785 MHz, reception band: 1805-1880 MHz).
  • UMTS band 3 transmission band: 1710-1785 MHz, reception band: 1805-1880 MHz.
  • the reception band has a higher frequency than the transmission band.
  • the capacitance was 0.00 pF (comparative example), 0.03 pF, 0.065 pF, 0.10 pF, 0.15 pF, 0.20 pF, or 0.30 pF.
  • FIG. 4A shows the transmission characteristics of the duplexer 23.
  • FIG. 4B shows the isolation characteristics of the duplexer 23.
  • FIG. 4C is an enlarged view of a part (a part surrounded by a rectangle) of FIG.
  • FIG. 4D is a Smith chart showing the impedance of the reception filter 29 in the reception band. The relationship between the line type and the capacity is shown in FIG. 4A to 4C, the horizontal axis indicates the frequency (MHz), and the vertical axis indicates the characteristic (dB).
  • the effect of improving the isolation was confirmed compared to the case where the capacitance was 0.00 pF.
  • the isolation was improved as the capacitance increased.
  • the capacitance was 0.1 pF or more, an effect of 0.5 dB or more was obtained as compared with the case where the capacitance was 0.00 pF.
  • the duplexer 23 is assumed to be compatible with UMTS band 1 (transmission band: 1920-1980 MHz, reception band: 2110-2170 MHz).
  • band 1 transmission band: 1920-1980 MHz, reception band: 2110-2170 MHz.
  • the ladder filter and the DMS filter 1 are connected between the antenna terminal 25 and the reception terminal 37 in order from the antenna terminal side.
  • FIGS. 5A to 5D are diagrams similar to FIGS. 4A to 4D showing calculation results.
  • the same effect as the calculation result for band 3 was confirmed. That is, the effect of improving the isolation was confirmed even when the capacitance was 0.03 pF, and the isolation was improved as the capacitance was increased. When the capacitance was 0.1 pF or more, the effect of 0.5 dB or more was obtained. Moreover, it was confirmed that the effect of improving the isolation was exhibited by this structure regardless of the configuration and frequency band of the DMS filter.
  • the DMS structure is not a two-stage DMS structure such as the first DMS filter 1A and the second DMS filter 1B, isolation is improved by capacitively coupling the ground electrode and the reception terminal of the DMS filter at the subsequent stage (reception terminal side). Confirmed that it can.
  • the isolation can be further improved by separating the ground electrode of the ladder filter on the front stage (antenna terminal side) and the ground electrode of the DMS filter on the rear stage (reception terminal side).
  • Example: Influence of conductor pattern Assuming various shapes according to the comparative example or the embodiment of the conductor pattern of the reception filter 29, simulation calculation for examining the characteristics of the duplexer 23 was performed.
  • FIG. 6 (a) is a diagram corresponding to FIG. 3 (a), showing the conductor pattern of the first comparative example.
  • the capacitive element portion 41 is not provided.
  • the lower right fifth GND terminal 45E is not connected to the second DMS filter 1B.
  • the second DMS filter 1B is substantially the same as the example of Fig.3 (a).
  • FIG. 6B is a diagram corresponding to FIG. 6A showing the conductor pattern of the first embodiment.
  • the first embodiment is obtained by adding a conductor shown with black background hatching to the first comparative example.
  • This additional part is a part of the third GND conductor 51C or the fourth GND conductor 51D, or a part that constitutes one GND conductor 51 therewith. That is, in the first embodiment, similarly to the example shown in FIG. 3C, the GND conductor 51 connected to the IDT electrodes 7 at both ends in the second DMS filter 1B is connected to the reception terminal of the second DMS filter 1B. It extends so as to surround the conductor 49.
  • the capacitance of the capacitive element unit 41 is 0.1 pF.
  • FIG. 6C is a diagram corresponding to FIG. 6A showing the conductor pattern of the second comparative example.
  • the second comparative example is obtained by adding a conductor shown with black background hatching to the first comparative example.
  • This additional portion is a wiring that connects the third GND conductor 51C and the fourth GND conductor 51D, and three-dimensionally crosses the wiring that connects the second DMS filter 1B and the second auxiliary resonator 39B via an insulating layer. Yes.
  • FIG. 7A shows the transmission characteristics of the duplexer 23.
  • FIG. 7B shows the transmission characteristics of the duplexer 23 in a wider frequency range and a wider pass characteristic range than in FIG.
  • FIG. 7C shows the standing wave ratio at the antenna terminal 25.
  • FIG. 7 (d) shows the standing wave ratio at the transmission terminal 31 and the reception terminal 37.
  • FIG. 7E shows the isolation characteristics of the duplexer 23.
  • FIG. 7F is a Smith chart showing the impedance viewed from the antenna terminal 25 in the frequency range from the transmission band to the reception band.
  • the horizontal axis indicates the frequency (MHz), and the vertical axis indicates the characteristic (dB) or the standing wave ratio.
  • a broken-line circle centering on the center of the chart indicates a reference with which the standing wave ratio should be lower.
  • the line type assignment is shown in FIG. Symbols assigned to the line types are CE1: first comparative example (FIG. 6A), E1: first example (FIG. 6B), and CE2: second comparative example (FIG. 6C). It is.
  • the line CE1 and the line CE2 overlap in many parts, and it is difficult to distinguish them.
  • the isolation is improved by 1 to 1.5 dB. Further, when the first comparative example and the second comparative example are compared, no significant difference can be found in the isolation. From this, the improvement of isolation in the first embodiment is not based on the connection between the third GND conductor 51C and the fourth GND conductor 51D, but based on the arrangement of the third GND conductor 51C and / or the fourth GND conductor 51D. I understand that.
  • FIGS. 8A to 8H show a UMTS band 25 (transmission band: 1850-1915 MHz, reception band: 1930-1995 MHz) as the duplexer 23 according to FIGS. 6A and 6B.
  • FIG. 8 is a diagram corresponding to FIG. 7A to FIG. 7H, showing the simulation calculation result when assuming that one corresponding to (3rd comparative example and second example).
  • symbols assigned to the line types are CE3: third comparative example and E2: second example.
  • band 25 the same calculation result as that performed for band 3 was obtained. That is, by providing the GND conductor 51 (51C and 51D) connected to the IDT electrodes 7 at both ends in the second DMS filter 1B so as to surround the reception terminal conductor 49 with the conductor and the second DMS filter 1B, isolation is achieved. Improved by 1 to 1.5 dB. Moreover, it was confirmed that the effect of improving the isolation was exhibited by this structure regardless of the configuration and frequency band of the DMS filter.
  • FIG. 9 (a) is a diagram corresponding to FIG. 6 (a), showing the conductor pattern of the fourth comparative example.
  • the fourth comparative example is obtained by adding a conductor shown with black background hatching to the first comparative example.
  • This additional portion is an annular conductor 55 that surrounds the antenna terminal 25 and the entire reception filter 29.
  • the capacity of the portion where the annular conductor 55 and the receiving terminal conductor 49 are adjacent to each other is 0.1 pF. For example, neither the signal nor the reference potential is applied to the annular conductor 55 and is in an electrically floating state.
  • FIG. 9B is a diagram corresponding to FIG. 6A showing the conductor pattern of the fifth comparative example.
  • the fifth comparative example is obtained by connecting the annular conductor 55 and the fifth GND terminal 45E by the fifth GND wiring 47E in the fourth comparative example, as shown by black hatching.
  • FIG. 9C is a diagram corresponding to FIG. 6A showing the conductor pattern of the sixth comparative example.
  • the sixth comparative example is obtained by connecting the annular conductor 55 and the receiving terminal conductor 49 in the fourth comparative example, as shown with black hatching.
  • FIGS. 7 (a) to 7 (h) are diagrams corresponding to FIGS. 7 (a) to 7 (h) showing the simulation calculation results for the first and fourth to sixth comparative examples.
  • the frequency band of the duplexer 23 is the UMTS band 3 as in FIGS. 7 (a) to 7 (h).
  • symbols assigned to line types are CE1: first comparative example, CE4: fourth comparative example, CE5: fifth comparative example, and CE6: sixth comparative example.
  • the line CE4 and the line CE5 overlap in many parts, and it is difficult to distinguish them.
  • FIG. 11 (a) is a diagram corresponding to FIG. 6 (a), showing a conductor pattern of the third embodiment.
  • the annular conductor 55 and the first DMS filter 1A are connected by the first GND wiring 47A in the fourth comparative example.
  • the annular conductor 55 may be regarded as a part of the first GND wiring 47A (first GND conductor 51A).
  • FIG. 11B is a diagram corresponding to FIG. 6A showing the conductor pattern of the fourth embodiment.
  • the annular conductor 55 and the second DMS filter 1B are connected by the third GND wiring 47C in the fourth comparative example.
  • the annular conductor 55 may be regarded as a part of the third GND wiring 47C (the third GND conductor 51C).
  • FIG. 11 (c) is a diagram corresponding to FIG. 6 (a), showing a conductor pattern of the fifth embodiment.
  • the fifth embodiment is a combination of the third embodiment and the fourth embodiment. That is, in the fifth embodiment, in the fourth comparative example, the annular conductor 55 and the first DMS filter 1A are connected by the first GND wiring 47A, and the annular conductor 55 and the second DMS filter 1B are connected by the third GND wiring 47C. Is.
  • the annular conductor 55, the first GND conductor 51A, and the third GND conductor 51C may be regarded as the GND conductor 51.
  • FIGS. 12 (a) to 12 (h) are diagrams corresponding to FIGS. 7 (a) to 7 (h) showing simulation calculation results for the first comparative example and the third to fifth examples.
  • the frequency band of the duplexer 23 is the UMTS band 3 as in FIGS. 7 (a) to 7 (h).
  • symbols assigned to line types are CE1: first comparative example, E3: third example, E4: fourth example, and E5: fifth example.
  • the line E3 and the line E4 overlap in many parts, and it is difficult to distinguish them.
  • the isolation is improved when the annular conductor 55 is connected to the DMS filter 1.
  • the overall isolation is good in the fourth embodiment in which the annular conductor 55 is connected to the second DMS filter 1B.
  • the third embodiment in which the annular conductor 55 is connected to the first DMS filter 1A partially shows better isolation than the fourth embodiment.
  • the isolation of the transmission band is improved compared to the first comparative example, but the isolation of the reception band is not so improved.
  • the reception filter 29 includes the reception terminal 37 that outputs a reception signal from the antenna terminal 25, and the longitudinally coupled double mode type that is located in the signal path from the antenna terminal 25 to the reception terminal 37.
  • the second DMS filter 1B (which may be the first DMS filter 1A), which is an acoustic wave filter, the fourth GND terminal 45D to which the reference potential is applied (may be another GND terminal 45), the fourth GND terminal 45D and the second DMS filter 1B And a fourth GND wiring 47D connected thereto.
  • a receiving terminal conductor 49 composed of the receiving terminal 37 and the receiving terminal wiring 43 connected to the receiving terminal 37 and a fourth GND conductor 51D composed of the fourth GND terminal 45D and the fourth GND wiring 47D are capacitively coupled adjacent to each other. Yes.
  • the isolation between the reception filter 29 and another filter is improved.
  • it is only necessary to perform capacitive coupling.
  • the degree of freedom in design is high, and the reception filter 29 can be easily downsized.
  • the isolation improvement by capacitive coupling is not due to the shielding effect, it is effective even in a configuration in which a shield is already provided between the transmission filter 27 and the reception filter 29. Further, it is also effective in a configuration in which the transmission filter 27 and the reception filter 29 are provided on separate piezoelectric substrates 5.
  • the reception filter 29 includes a plurality of DMS filters 1 that are connected in multiple stages and are positioned in a signal path from the antenna terminal 25 to the reception terminal 37.
  • the fourth GND conductor 51D (which may be another GND conductor 51) is connected to only one DMS filter 1.
  • the isolation of the third embodiment ((FIG. 11 (a)) and the fourth embodiment (FIG. 11 (b)) was better than that of the fifth embodiment (FIG. 11 (c)).
  • good isolation can be obtained, and the risk of the attenuation being reduced due to the coupling between the DMS filters 1 (see the line E5 on the low frequency side in FIG. 12B) is reduced.
  • the DMS filter 1 (second DMS filter 1B) to which the GND conductor 51 (for example, the fourth GND conductor 51D) that is capacitively coupled to the reception terminal conductor 49 is connected is the signal from the antenna terminal 25 to the reception terminal 37. It is located closer to the receiving terminal 37 than all other DMS filters 1 (first DMS filter 1A) in the path.
  • the second GND conductor 51B is located between the fourth GND conductor 51D and the antenna terminal 25 with respect to the arrangement on the surface of the piezoelectric substrate 5.
  • the second GND conductor 51B and the fourth GND conductor 51D are not connected.
  • the possibility that the receiving terminal 37 and the antenna terminal 25 are coupled by the fourth GND conductor 51D capacitively coupled to the receiving terminal 37 is reduced.
  • the risk of deterioration of isolation or an increase in impedance (increase in insertion loss) within the band of the transmission filter 27 is reduced.
  • the reception filter 29 according to each of the above disclosures may be mounted on a mounting board (not shown) via bumps such as solder, or a cover is provided on the piezoelectric substrate 5 and each terminal is provided on the upper surface of the cover.
  • a so-called WLP (wafer level package) element to be derived may be used, and the WLP element may be mounted on a mounting substrate.
  • WLP element even if a conductor layer having a different potential is close to the terminal, such as the receiving terminal 37 and the GND conductors 51C and 51D shown in FIG. It can be stably electrically connected to the mounting board.
  • FIG. 13 is a plan view showing an example of a conductor pattern of the duplexer 23. This figure is the same as FIG. 3A and the like except that an example of the conductor pattern of the transmission filter 27 is also shown.
  • the antenna terminal 25, the transmission filter 27, and the reception filter 29 may be provided on the same surface of the same piezoelectric substrate 5.
  • the transmission filter 27 and the reception filter 29 may be adjacent to each other.
  • the shape of the conductor pattern of the reception filter 29 may be the shape already illustrated or any other appropriate shape, but here, the shape of the example of FIG. 3B is used.
  • a conductor to which a signal is applied includes, for example, the transmission terminal 31 (a circled area).
  • the conductor includes, for example, an antenna terminal 25, a plurality of series resonators 33, and a wiring (reference numeral omitted) that connects the transmission terminal 31 in series, It includes a wiring (reference numeral omitted) for connecting the wiring and the plurality of parallel resonators 35.
  • conductors (regions hatched with dots) to which a reference potential is applied include, for example, a GND terminal 45 (region surrounded by a circle), and a GND wiring 47 continuous to the GND terminal 45. Is included.
  • the GND wiring 47 contributes to, for example, the connection between the GND terminal 45 and one comb-teeth electrode 11 of the parallel resonator 35, the connection between the GND terminals 45, and the like.
  • the fourth GND wiring 47 ⁇ / b> D of the reception filter 29 is located between the transmission filter 27 and the reception filter 29 on the upper surface of the piezoelectric substrate 5. Therefore, for example, routing for capacitive coupling with the reception terminal 37 functions as a shield between the transmission filter 27 and the reception filter 29, and the isolation is further improved.
  • the transmission filter 27 and the reception filter 29 are provided on the same piezoelectric substrate 5 has been described as an example, but they may be provided on different substrates.
  • FIG. 14 is a block diagram illustrating a main part of the communication apparatus 101 as an example of use of the duplexer 23.
  • the communication device 101 performs wireless communication using radio waves and includes a duplexer 23.
  • a transmission information signal TIS including information to be transmitted is modulated and frequency-raised (converted to a high-frequency signal of a carrier frequency) by an RF-IC (Radio Frequency Integrated Circuit) 103 to obtain a transmission signal TS Is done.
  • Unnecessary components other than the transmission passband are removed from the transmission signal TS by the bandpass filter 105, amplified by the amplifier 107, and input to the duplexer 23 (transmission terminal 31).
  • the duplexer 23 removes unnecessary components other than the transmission passband from the input transmission signal TS, and outputs the transmission signal TS after the removal from the antenna terminal 25 to the antenna 109.
  • the antenna 109 converts the input electric signal (transmission signal TS) into a radio signal (radio wave) and transmits it.
  • a radio signal (radio wave) received by the antenna 109 is converted into an electric signal (reception signal RS) by the antenna 109 and input to the duplexer 23 (antenna terminal 25).
  • the duplexer 23 removes unnecessary components other than the reception passband from the input reception signal RS and outputs the result to the amplifier 111.
  • the output reception signal RS is amplified by the amplifier 111, and unnecessary components other than the reception passband are removed by the band-pass filter 113.
  • the reception signal RS is subjected to frequency reduction and demodulation by the RF-IC 103 to be a reception information signal RIS.
  • the transmission information signal TIS and the reception information signal RIS may be low-frequency signals (baseband signals) including appropriate information, for example, analog audio signals or digitized audio signals.
  • the pass band of the radio signal may conform to various standards such as UMTS.
  • the modulation method may be any of phase modulation, amplitude modulation, frequency modulation, or a combination of any two or more thereof.
  • the direct conversion system is illustrated in FIG. 14, but may be other appropriate ones, for example, a double superheterodyne system.
  • FIG. 14 schematically shows only the main part, and a low-pass filter, an isolator or the like may be added at an appropriate position, and the position of the amplifier or the like may be changed.
  • the fourth GND terminal 45D (or the third GND terminal 45C) is the first reference potential.
  • the fourth GND wiring 47D (or the third GND wiring 47C, which may include the annular conductor 55) is an example of the first reference potential wiring, and the fourth GND conductor 51D (or the third GND conductor 51C) is the first terminal.
  • the first DMS filter 1B is an example of the first filter
  • the first DMS filter 1A is an example of the second filter
  • the second GND terminal 45B is an example of the second reference potential terminal.
  • the second GND wiring 47B is an example of a second reference potential wiring
  • the second GND conductor 51B is an example of a second reference potential conductor
  • the RF-IC 103 is an example of an integrated circuit element. .
  • the first GND terminal 45A is an example of a first reference potential terminal
  • the first GND wiring 47A is an example of a first reference potential terminal
  • the first GND conductor 51A is an example of a first reference potential conductor
  • the first DMS filter 1A is an example of a first filter
  • the second DMS filter 1B is an example of a second filter.
  • the first GND terminal 45A or the third GND terminal 45C is an example of the first reference potential terminal
  • the first GND wiring 47A and the third GND wiring 47C are the first reference potential terminal
  • the first GND conductor 51A and the third GND conductor 51C are examples of a first reference potential conductor
  • the first DMS filter 1A or the second DMS filter 1B is an example of a first filter.
  • the configuration in which the receiving terminal wiring and the reference potential wiring are mainly capacitively coupled adjacent to each other is illustrated, but the combination of the adjacent capacitive coupling portions is the receiving terminal and the reference potential wiring, the receiving terminal wiring and the reference potential terminal, and the receiving terminal. And a reference potential terminal, or a combination thereof.
  • the reference potential wiring may be directly connected to the reference potential terminal and the longitudinally coupled double mode filter, and may not be continuous to the reference potential terminal and / or the longitudinally coupled dual mode filter.
  • Directly connected means being electrically connected without passing through an electronic element.
  • the electronic element is, for example, a resistor, a capacitor, an inductor, a resonator, or a filter.
  • resistance inevitably generated in the wiring is not included in the electronic element referred to here. Therefore, for example, the reference potential wiring may be connected to the reference potential terminal and / or the filter by a wiring or a bonding wire that three-dimensionally intersects with the wiring on the piezoelectric substrate via the insulating layer.
  • the receiving terminal wiring may be directly connected to the receiving terminal and may not be continuous with the receiving terminal.
  • the number of IDTs in the DMS filter is not limited to 5, but may be 3 or 7, for example.
  • the DMS filter may be a balanced input-balanced output, unbalanced input-balanced output, or balanced input-unbalanced output. With regard to such number or input / output points, a plurality of DMS filters connected in multiple stages may have different configurations.
  • the duplexer is exemplified as the duplexer.
  • the duplexer may be a diplexer or a multiplexer in which three or more filters are connected.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

受信フィルタは、アンテナ端子からの受信信号を出力する受信端子と、アンテナ端子から受信端子への信号経路に位置している縦結合二重モード型弾性波フィルタである第２ＤＭＳフィルタと、基準電位が付与される第４ＧＮＤ端子と、第４ＧＮＤ端子および第２ＤＭＳフィルタに接続されている第４ＧＮＤ配線と、を含んでいる。受信端子および当該受信端子に接続されている受信端子配線からなる受信端子導体と、第４ＧＮＤ端子および第４ＧＮＤ配線からなる第４ＧＮＤ導体とが互いに隣接して容量結合している。

Description

受信フィルタ、分波器および通信装置
　本開示は、弾性波を利用して信号をフィルタリングする受信フィルタ、分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）である。
　分波器等は、通過周波数帯域（通過帯域）が互いに異なる複数のフィルタを含んでいる。特許文献１では、アンテナへ出力する送信信号をフィルタリングする送信フィルタと、アンテナから入力された受信信号をフィルタリングする受信フィルタとを備えた分波器において、受信フィルタが含む縦結合共振器型フィルタを、接地されたシールド電極によって囲む技術を開示している。特許文献１では、これにより、縦結合共振器型フィルタから外部へ漏洩する電界および磁界をシールド電極にショートさせ、ひいては、受信フィルタと送信フィルタとの間のアイソレーションを改善できると謳っている。
特開２０１０－１７８３０６号公報
　本開示の一態様に係る受信フィルタは、アンテナ端子と、受信端子と、受信端子配線と、第１フィルタと、第１基準電位端子と、第１基準電位配線と、を備える。受信端子は、アンテナ端子からの信号を出力する。受信端子配線は、受信端子に接続されている。第１フィルタは、前記アンテナ端子から前記受信端子への信号経路に位置している、縦結合二重モード型弾性波フィルタである。第１基準電位端子は、基準電位が付与される。第１基準電位配線は、前記第１基準電位端子および前記第１フィルタに接続されている。そして、前記受信端子および受信端子配線からなる、受信端子導体と、前記第１基準電位端子および前記第１基準電位配線からなる、第１基準電位導体とが互いに隣接して容量結合している。
　本開示の一態様に係る分波器は、前記アンテナ端子と、前記アンテナ端子への信号をフィルタリングする送信フィルタと、上記の受信フィルタと、を有している。
　本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている上記の分波器と、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されている集積回路素子と、を有している。
ＳＡＷフィルタの基本的な構成を説明するための模式的な平面図である。 実施形態に係る分波器の構成を示す回路図である。 図３（ａ）は受信フィルタの導体パターンの例を示す平面図である。 図３（ｂ）は受信フィルタの導体パターンの他の例を示す平面図である。 図３（ｃ）は受信フィルタの導体パターンのさらに他の例を示す平面図である。 図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）及び図４（ｄ）は容量の影響を調べるシミュレーション計算の結果を示す図である。 図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）及び図５（ｄ）は図４（ａ）～図４（ｄ）とは異なるバンドについて容量の影響を調べるシミュレーション計算の結果を示す図である。 図６（ａ）は第１比較例の導体パターンを示す平面図である。 図６（ｂ）は第１実施例の導体パターンを示す平面図である。 図６（ｃ）は第２比較例の導体パターンを示す平面図である。 図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）、図７（ｄ）、図７（ｅ）、図７（ｆ）、図７（ｇ）および図７（ｈ）は第１比較例、第１実施例および第２比較例に係るシミュレーション計算結果を示す図である。 図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）、図８（ｄ）、図８（ｅ）、図８（ｆ）、図８（ｇ）および図８（ｈ）は第３比較例および第２実施例に係るシミュレーション計算結果を示す図である。 図９（ａ）は第４比較例の導体パターンを示す平面図である。 図９（ｂ）は第５比較例の導体パターンを示す平面図である。 図９（ｃ）は第６比較例の導体パターンを示す平面図である。 図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）、図１０（ｅ）、図１０（ｆ）、図１０（ｇ）および図１０（ｈ）は第４～第６比較例に係るシミュレーション計算結果を示す図である。 図１１（ａ）は第３実施例の導体パターンを示す平面図である。 図１１（ｂ）は第４実施例の導体パターンを示す平面図である。 図１１（ｃ）は第５実施例の導体パターンを示す平面図である。 図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）、図１２（ｅ）、図１２（ｆ）、図１２（ｇ）および図１２（ｈ）は第３～第５実施例に係るシミュレーション計算結果を示す図である。 分波器の導体パターンの例を示す平面図である。 分波器の利用例としての通信装置を示す模式図である。
　以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
　同一または類似する構成については、「第１ＤＭＳフィルタ１Ａ」、「第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ」のように、同一名称に対して互いに異なる番号およびアルファベットを付して呼称することがあり、また、この場合において、単に「ＤＭＳフィルタ１」といい、これらを区別しないことがある。
（ＳＡＷフィルタの基本構成）
　図１は、ＳＡＷ共振子またはＳＡＷフィルタの基本的な構成を説明するための模式的な平面図である。ここでは、縦結合二重モード型ＳＡＷフィルタを例にとって説明する。
　ＳＡＷ共振子またはＳＡＷフィルタは、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の説明では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義し、Ｄ３軸の正側（図１の紙面手前側）を上方として、上面等の語を用いることがある。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板５の上面（紙面手前側の面）に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板５の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板５の上面に直交するように定義されている。
　図示のＤＭＳ（double mode SAW）フィルタ１は、模式的に示す第１端子３Ａおよび第２端子３Ｂの一方から入力された電気信号をフィルタリングし、そのフィルタリングした電気信号を第１端子３Ａおよび第２端子３Ｂの他方から出力するものである。ＤＭＳフィルタ１は、例えば、圧電基板５と、圧電基板５上に設けられた複数（図示の例では５つ）のＩＤＴ（interdigital transducer）電極７と、ＩＤＴ電極７の両側に位置する１対の反射器９とを含んでいる。
　圧電基板５は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶である。カット角は、利用するＳＡＷの種類等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板５は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板５の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板５の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。なお、圧電基板５は、比較的薄く形成され、裏面（Ｄ３軸負側の面）に無機材料、半導体材料、または有機材料からなる支持基板が貼り合わされたものであってもよい。
　ＩＤＴ電極７および反射器９は、圧電基板５上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極７および反射器９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されてもよい。層状導体の厚さは、ＩＤＴ電極７および反射器９が構成する共振子またはフィルタ（ここではＤＭＳフィルタ１）に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ～４００ｎｍである。
　各ＩＤＴ電極７は、１対の櫛歯電極１１を含んでいる。各櫛歯電極１１は、バスバー１３と、バスバー１３から互いに並列に延びる複数の電極指１５とを含んでいる。１対の櫛歯電極１１は、複数の電極指１５が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。なお、各櫛歯電極１１は、上記の他、例えば、複数の電極指１５間においてバスバー１３から他方の櫛歯電極１１のバスバー１３側へ突出し、他方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５の先端と対向する、複数のダミー電極を含んでいてもよい。
　バスバー１３は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー１３は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー１３は、幅が変化したり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜したりしていてもよい。
　各電極指１５は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各櫛歯電極１１において、複数の電極指１５は、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。また、一方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５と他方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５とは、基本的には交互に配列されている。
　複数の電極指１５のピッチ（例えば互いに隣り合う２本の電極指１５の中心間距離）は、各ＩＤＴ電極７内において基本的に一定である。なお、各ＩＤＴ電極７の一部に、他の大部分よりもピッチが狭くなる狭ピッチ部、または他の大部分よりもピッチが広くなる広ピッチ部が設けられてもよい。
　電極指１５の本数は、ＩＤＴ電極７および反射器９が構成する共振子またはフィルタ（ここではＤＭＳフィルタ１）に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指１５の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多くの電極指１５が配列されてよい。後述する反射器９のストリップ電極１９についても同様である。
　複数の電極指１５の長さは、例えば、互いに同等である。なお、ＩＤＴ電極７は、複数の電極指１５の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。電極指１５の長さおよび幅は、要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。
　１対の反射器９は、ＳＡＷの伝搬方向において複数のＩＤＴ電極７の両側に位置している。各反射器９は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。各反射器９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器９は、互いに対向する１対のバスバー１７と、１対のバスバー１７間において延びる複数のストリップ電極１９とを含んでいる。
　バスバー１７およびストリップ電極１９の形状は、ストリップ電極１９の両端が１対のバスバー１７に接続されていることを除いては、ＩＤＴ電極７のバスバー１３および電極指１５と同様とされてよい。例えば、バスバー１７は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各ストリップ電極１９は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数のストリップ電極１９は、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。複数のストリップ電極１９のピッチ、および互いに隣接する電極指１５とストリップ電極１９とのピッチは、基本的には複数の電極指１５のピッチと同等である。
　なお、特に図示しないが、圧電基板５の上面は、ＩＤＴ電極７および反射器９の上から、ＳｉＯ２等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜は、単にＩＤＴ電極７等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極７および反射器９の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
　また、ＳＡＷ共振子またはＳＡＷフィルタ（ここではＤＭＳフィルタ１）を含むＳＡＷ装置では、例えば、特に図示しないが、圧電基板５の上面の振動を許容してＳＡＷの伝搬を容易化する空間が圧電基板５上に構成される。この空間は、例えば、圧電基板５の上面に被せられる箱型のカバーを形成することによって、または、回路基板の実装面と圧電基板５の上面とをバンプを介在させつつ対向させることによって構成される。
　圧電基板５にＩＤＴ電極７が設けられることによって構成される共振子において、共振周波数は、圧電基板５上を複数の電極指１５に直交する方向に伝搬するＳＡＷのうち、電極指１５のピッチを半波長とするＳＡＷの周波数と概ね同等となる。反共振周波数は、共振周波数と容量比とによって規定される。容量比は、主として圧電基板５の材料によって規定され、電極指１５の本数、交差幅または膜厚等によって調整される。容量比の調整のために、１対の櫛歯電極１１に並列に接続された容量素子が設けられてもよい。
　ＤＭＳフィルタ１は、縦結合型のものであるので、複数のＩＤＴ電極７は、ＳＡＷの伝搬方向に配列されている。これにより、複数のＩＤＴ電極７において、周波数が互いに異なる２つのモードのＳＡＷが励振され、フィルタが実現される。２つのモードの一方のＳＡＷは、通常は、電極指１５のピッチを半波長とするＳＡＷ（０次モードのＳＡＷ、基本波）である。他方のモードは、１次以上のモードであり、ＩＤＴ電極７の数等によって適宜に設定されてよい。通過帯域の中心周波数は、２つのモードの一方（０次モード）の周波数と概ね同等であり、帯域幅は、２つのモードの周波数差の２倍と概ね同等である。
　ＤＭＳフィルタ１において、各ＩＤＴ電極７における電極指１５の数は適宜に設定されてよく、複数のＩＤＴ電極７同士で同等とされてもよいし、異なっていてもよい。また、電極指１５のピッチ（すなわち共振周波数）は、複数のＩＤＴ電極７同士で基本的には同等とされる。また、ＩＤＴ電極７同士が隣接する位置において互いに隣接する電極指１５同士のピッチも、各ＩＤＴ電極７内のピッチと基本的には同等とされる。各ＩＤＴ電極７の１対の櫛歯電極１１は、例えば、一方が第１端子３Ａまたは第２端子３Ｂに接続され、他方がＧＮＤ部２１に接続される。
　なお、ＧＮＤ部２１は、基準電位が付与される部位（例えば端子および／または配線）である。基準電位は、基準となる電位であるが、０Ｖとは限らない。
　各ＩＤＴ電極７において、１対の櫛歯電極１１の電極指１５は、基本的に一定のピッチで交互に配列されているから、１対の櫛歯電極１１同士では、ＳＡＷ（ひいては電気信号）の位相は基本的に１８０°異なる。隣り合う２つのＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸方向の同一側に位置する２つの櫛歯電極１１同士では、互いの電極指同士の間隔がピッチ（ＳＡＷの半波長）の偶数倍のときは同一であり、奇数倍のときは１８０°異なる。従って、ＤＭＳフィルタ１は、複数のＩＤＴ電極７（複数の櫛歯電極１１）において、同一の位相の信号を入力または出力したり、位相が１８０°異なる信号を入力または出力したりすることができる。
　ＤＭＳフィルタ１は、不平衡信号が入力されるものであってもよいし、平衡信号が入力されるものであってもよい。また、ＤＭＳフィルタ１は、不平衡信号を出力するものであってもよいし、平衡信号を出力するものであってもよい。ここで、不平衡信号は、基準電位に対する電位を信号レベルとする１つの電気信号からなる。平衡信号は、互いに位相が１８０°異なる（別の観点では互いに異なる電位を有する）２つの電気信号からなり、その電位の差を信号レベルとする。
　図１では、不平衡信号が入力され、不平衡信号を出力する態様が例示されている。具体的には、複数のＩＤＴ電極７の相対位置は、１つ離れた２つのＩＤＴ電極７同士において、Ｄ２軸方向の同一側に位置する櫛歯電極１１の位相が同一になるように設定されている。その１つ離れた同一側の櫛歯電極１１は、共に第１端子３Ａまたは第２端子３Ｂに接続されている。なお、隣り合う２つのＩＤＴ電極７同士は、Ｄ２軸方向の同一側に位置する櫛歯電極１１同士の位相が同一であってもよいし、１８０°異なっていてもよい。別の観点では、入力信号と出力信号とは位相が１８０°異なっていてもよいし、同一であってもよい。
（分波器）
　図２は、分波器２３の構成を示す模式図である。この図では、７、９、１１、１３および１５の符号から理解されるように、ＩＤＴ電極７および反射器９を図１よりも模式的に示している。
　分波器２３は、不図示のアンテナに接続されるアンテナ端子２５と、アンテナ端子２５への送信信号をフィルタリングする送信フィルタ２７と、アンテナ端子２５からの受信信号をフィルタリングする受信フィルタ２９と、を含んでいる。なお、ここでは、アンテナ端子２５を送信フィルタ２７および受信フィルタ２９とは別のものとして捉えているが、アンテナ端子２５は、送信フィルタ２７および／または受信フィルタ２９の一部として捉えられてもよい。
（送信フィルタ）
　送信フィルタ２７は、例えば、いわゆるラダー型ＳＡＷフィルタによって構成されている。すなわち、送信フィルタ２７は、送信信号が入力される送信端子３１と、この送信端子３１とアンテナ端子２５との間で互いに直列に接続された複数（図示の例では４つ）の直列共振子３３と、その直列のラインとＧＮＤ部２１とを接続する複数（図示の例では３つ）の並列共振子３５とを含んでいる。
　複数の直列共振子３３および複数の並列共振子３５それぞれは、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されている。１ポートＳＡＷ共振子は、圧電基板５（図１参照）と、圧電基板５上に設けられた１つのＩＤＴ電極７と、圧電基板５上に設けられ、前記の１つのＩＤＴ電極７に対してＳＡＷの伝搬方向の両側に位置する１対の反射器９とを含んでいる。ＩＤＴ電極７および反射器９の構成、およびＩＤＴ電極７と反射器９との間隔（互いに隣接する電極指１５とストリップ電極１９とのピッチ）については、図１を参照して説明したとおりである。
　各直列共振子３３において、１対の櫛歯電極１１のうち一方の櫛歯電極１１は、他の直列共振子３３を介して、または介さずに、アンテナ端子２５に接続され、他方の櫛歯電極１１は、他の直列共振子３３を介して、または介さずに、送信端子３１に接続されている。各並列共振子３５において、１対の櫛歯電極１１のうち一方の櫛歯電極１１は、アンテナ端子２５と送信端子３１とを結ぶ直列のライン（直列腕）に接続され、他方の櫛歯電極１１は、ＧＮＤ部２１に接続されている。
　複数の直列共振子３３の周波数特性（例えば共振周波数および反共振周波数）は、基本的には互いに同一である。複数の並列共振子３５の周波数特性（例えば共振周波数および反共振周波数）は、基本的には互いに同一である。また、直列共振子３３および並列共振子３５は、基本的には、直列共振子３３の共振周波数に並列共振子３５の反共振周波数が概ね一致するように、その特性が設定される。通過帯域の中心周波数は、概ね直列共振子３３の共振周波数となる。
　送信フィルタ２７において、送信端子３１、全てのＩＤＴ電極７および全ての反射器９は、例えば、同一の圧電基板５の同一面上に設けられている。直列共振子３３および並列共振子３５の数は適宜に設定されてよい。原理的には、これらは１つずつであってもよい。また、複数の直列共振子３３は、共振周波数および反共振周波数等が互いに僅かに異なるように微調整がされていてもよい。同様に、複数の並列共振子３５は、共振周波数および反共振周波数等が互いに僅かに異なるように微調整がされていてもよい。送信フィルタ２７は、インダクタ、容量素子等の共振子以外の構成を適宜な位置に含んでいてもよい。
（受信フィルタ）
　受信フィルタ２９は、図１を参照して説明したＤＭＳフィルタ１を主要な構成として含んでいる。具体的には、例えば、受信フィルタ２９は、受信信号を出力する受信端子３７を含んでいるとともに、アンテナ端子２５から受信端子３７へ順に直列に接続されている、第１補助共振子３９Ａ、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂおよび第２補助共振子３９Ｂを含んでいる。
　第１補助共振子３９Ａおよび第２補助共振子３９Ｂはそれぞれ、例えば、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されている。１ポートＳＡＷ共振子の構成については既に述べたとおりである。第１補助共振子３９Ａにおいて、１対の櫛歯電極１１のうち一方の櫛歯電極１１は、アンテナ端子２５に接続され、他方の櫛歯電極１１は、第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続されている。第２補助共振子３９Ｂにおいて、１対の櫛歯電極１１のうち一方の櫛歯電極１１は、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続され、他方の櫛歯電極１１は、受信端子３７に接続されている。補助共振子３９は、例えば、共振周波数がＤＭＳフィルタ１の通過帯域内に位置し、かつ反共振周波数がＤＭＳフィルタ１の通過帯域外であって、ＤＭＳフィルタ１において減衰量が低下する周波数に位置するように構成されている。なお、このような補助共振子３９は設けられなくてもよい。
　第１ＤＭＳフィルタ１Ａおよび第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは、図１を参照して説明したＤＭＳフィルタ１と同様のものである。ＩＤＴ電極７の数が５つであること、不平衡信号が入力され、不平衡信号を出力する点も、図１と同様である。
　第１ＤＭＳフィルタ１Ａにおいては、例えば、図１の第２端子３Ｂ側がアンテナ端子２５側に相当し、第１端子３Ａ側が受信端子３７側に相当する。第１ＤＭＳフィルタ１Ａは、第１補助共振子３９Ａから２つのＩＤＴ電極７に信号が入力され、３つのＩＤＴ電極７から第２ＤＭＳフィルタ１Ｂへ信号を出力する。
　第２ＤＭＳフィルタ１Ｂにおいては、例えば、図１の第１端子３Ａ側がアンテナ端子２５側に相当し、第２端子３Ｂ側が受信端子３７側に相当する。第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは、第１ＤＭＳフィルタ１Ａから３つのＩＤＴ電極７に信号が入力され、２つのＩＤＴ電極７から第２補助共振子３９Ｂへ信号を出力する。
　ＤＭＳフィルタ１の複数のＩＤＴ電極７それぞれにおいて、１対の櫛歯電極１１の一方はＧＮＤ部２１に接続されている。後の説明の便宜上、複数のＧＮＤ部２１のうち、第１ＤＭＳフィルタ１Ａの両側のＩＤＴ電極７に接続されているＧＮＤ部２１を第１ＧＮＤ部２１Ａおよび第２ＧＮＤ部２１Ｂといい、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂの両側のＩＤＴ電極７に接続されているＧＮＤ部２１を第３ＧＮＤ部２１Ｃおよび第４ＧＮＤ部２１Ｄというものとする。
　受信フィルタ２９において、受信端子３７、全てのＩＤＴ電極７および全ての反射器９は、例えば、同一の圧電基板５の同一面上に設けられている。また、アンテナ端子２５、送信フィルタ２７および受信フィルタ２９は、例えば、同一の圧電基板５の同一面上に設けられている。ただし、送信フィルタ２７および受信フィルタ２９は、互いに異なる圧電基板５上に設けられていてもよい。
（受信フィルタにおける容量結合）
　受信端子３７と、ＤＭＳフィルタ１に接続されているＧＮＤ部２１（図示の例では第４ＧＮＤ部２１Ｄ）とは容量結合している。別の観点では、受信端子３７と第４ＧＮＤ部２１Ｄとの間には容量素子部４１が構成されている。これにより、受信フィルタ２９と送信フィルタ２７とのアイソレーションが向上する。
　ここでは図示しないが、ＧＮＤ部２１は、例えば、分波器２３の外部の回路から基準電位が付与される端子、および／または当該端子に接続されている配線からなる。そして、上記の容量結合は、例えば、受信端子３７および／または受信端子３７に接続されている配線と、第４ＧＮＤ部２１Ｄとが隣接することによって実現されている。
（容量結合を実現する具体的な導体パターンの例）
　図３（ａ）は、受信フィルタ２９の導体パターンの例を示す平面図である。
　この図において、補助共振子３９およびＤＭＳフィルタ１は模式的に示されている。具体的には、補助共振子３９においては、ＩＤＴ電極７の配置範囲および反射器９の配置範囲それぞれが白地の矩形で示されている。なお、各補助共振子３９のＩＤＴ電極７は、Ｄ２軸方向において分割されていてよい（複数のＩＤＴ電極によって構成されていてよい）が、ここではそのような態様であっても１つの矩形で示されている。ＤＭＳフィルタ１においては、複数のＩＤＴ電極７全体の配置範囲が１つの白地の矩形で示され、ＩＤＴ電極７間の境界が点線で示されている。ＤＭＳフィルタ１の反射器９の配置範囲は白地の矩形で示されている。
　ハッチングで示した領域は、圧電基板５の上面上に設けられた導体パターン（補助共振子３９およびＤＭＳフィルタ１を除く）を示している。斜線のハッチングで示された領域は、受信信号が付与される導体パターンを示している。点のハッチングで示された領域は、基準電位が付与される導体パターンを示している。これらの導体は、例えば、ＩＤＴ電極７および反射器９を構成する導体層と同一の材料および厚さの導体層から構成されている。なお、端子は、他の部分と共通する導体層上に他の材料からなる導体層を含んでいてもよい。
　信号が付与される導体は、例えば、アンテナ端子２５および受信端子３７を含んでいる（丸で囲まれた領域）。また、当該導体は、図３（ａ）と図２との対比からも理解されるように、例えば、アンテナ端子２５から第１補助共振子３９Ａへ延びる配線（符号省略）と、第１補助共振子３９Ａから第１ＤＭＳフィルタ１Ａへ延び、途中で２つに分岐している配線（符号省略）と、第１ＤＭＳフィルタ１Ａから第２ＤＭＳフィルタ１Ｂへ延びている３本の配線（符号省略）と、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂから第２補助共振子３９Ｂへ２本で延び、途中で合流している配線（符号省略）と、第２補助共振子３９Ｂから受信端子３７へ延びる受信端子配線４３とを含んでいる。なお、第１ＤＭＳフィルタ１Ａと第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとを接続する３本の配線を互いに接続する配線を設けたり、３本の配線のうち中央の配線を２本に分けたりするなど、適宜な変形がなされてよい。
　基準電位が付与される導体は、例えば、ＧＮＤ端子４５（丸で囲まれた領域）を含んでいる。第１ＧＮＤ端子４５Ａ～第４ＧＮＤ端子４５Ｄ（この例では第４ＧＮＤ端子４５Ｄは２つ）はそれぞれ図２の第１ＧＮＤ部２１Ａ～第４ＧＮＤ部２１Ｄを構成している。また、基準電位が付与される導体は、ＧＮＤ端子４５と、ＤＭＳフィルタ１とを接続するＧＮＤ配線４７を含んでいる。
　図３（ａ）と図２との対比からも理解されるように、各ＧＮＤ配線４７は、以下のようにＧＮＤ端子４５とＤＭＳフィルタ１とを接続している。第１ＧＮＤ配線４７Ａは、第１ＧＮＤ端子４５Ａと、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ内においてＤ１軸負側の端部に位置するＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸正側の櫛歯電極１１とを接続している。第２ＧＮＤ配線４７Ｂは、第２ＧＮＤ端子４５Ｂと、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ内においてＤ１軸正側の端部に位置するＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸正側の櫛歯電極１１とを接続している。第３ＧＮＤ配線４７Ｃは、第３ＧＮＤ端子４５Ｃと、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内においてＤ１軸負側の端部に位置するＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸負側の櫛歯電極１１とを接続している。第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、第４ＧＮＤ端子４５Ｄと、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内においてＤ１軸正側の端部に位置するＩＤＴ電極７の、Ｄ２軸負側の櫛歯電極１１とを接続している。なお、ＤＭＳフィルタ１内で端部に位置するＩＤＴ電極７の櫛歯電極１１とＧＮＤ配線４７との接続は、反射器９を介したものであってもよい。
　Ａ～Ｄの付加符号を付していないＧＮＤ配線４７は、例えば、信号が付与される配線に対して不図示の絶縁層を間に介在させて立体交差する不図示の配線によって、第１ＧＮＤ配線４７Ａ～第４ＧＮＤ配線４７Ｄのうちの最寄りのものに対して接続されている。より具体的には、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ側のＧＮＤ配線４７は、第１ＧＮＤ配線４７Ａまたは第２ＧＮＤ配線４７Ｂに、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ側のＧＮＤ配線４７は、第３ＧＮＤ配線４７Ｃまたは第４ＧＮＤ配線４７Ｄにそれぞれ接続されている。すなわち、第１ＤＭＳフィルタ１ＡのＧＮＤ配線４７は第１ＤＭＳフィルタ１Ａでまとめ、第２ＤＭＳフィルタ１ＢのＧＮＤ配線４７は第２ＤＭＳフィルタ１Ｂでまとめている。絶縁層を介在させた立体交差に代えて、ボンディングワイヤが用いられてもよい。
　第１ＧＮＤ配線４７Ａ～第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、互いに分離している。第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続される第１ＧＮＤ配線４７Ａおよび第２ＧＮＤ配線４７Ｂは、不図示の立体配線等によって互いに接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。同様に、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続される第３ＧＮＤ配線４７Ｃおよび第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、不図示の立体配線等によって互いに接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。なお、以下では、特に断りがない限りは、第３ＧＮＤ配線４７Ｃおよび第４ＧＮＤ配線４７Ｄは非接続とされているものとする。
　第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続されるＧＮＤ配線（例えば４７Ａおよび４７Ｂ）と、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続されるＧＮＤ配線（例えば４７Ｃおよび４７Ｄ）は、例えば、互いに非接続とされている。ただし、これらが互いに接続されているものも本開示に含まれる。
　各種の端子（２５、３７および４５）上には、例えば、圧電基板５と、当該圧電基板５に対向配置される不図示の実装基板との間に介在する半田等からなるバンプ、または圧電基板５を覆うカバーを貫通する柱状端子が配置される。各種の端子上にボンディングワイヤの一端が接合されてもよい。圧電基板５上の導体パターンにおいて、端子と、当該端子に接続されている配線との間には、端子または配線の構成自体による境界（例えば材料の変化または形状の変化）は無くてもよい。
　信号が付与される導体パターンのうち、受信端子３７および当該受信端子３７に連続している受信端子配線４３からなる部分を受信端子導体４９とする。図３（ａ）の例では、信号が付与される導体パターンのうち、電気的な経路に関して第２ＤＭＳフィルタ１Ｂよりも受信端子３７側の部分が受信端子導体４９である。また、基準電位が付与される導体パターンのうち、ＧＮＤ端子４５および当該ＧＮＤ端子４５に連続しているＧＮＤ配線４７からなる部分をＧＮＤ導体５１とする。例えば、図３（ａ）の例では、基準電位が付与される導体パターンのうち、電気的な経路に関して第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続されるものを含み、これよりも第４ＧＮＤ端子４５Ｄ側の部分が第４ＧＮＤ導体５１Ｄである。そして、受信端子導体４９と第４ＧＮＤ導体５１Ｄとは隣接して容量結合している（容量素子部４１が構成されている。）。
　具体的には、例えば、第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、第４ＧＮＤ端子４５Ｄ（２つのうちいずれを基準に考えてもよい）に対して、電気的な経路に関して第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとは反対側に延びる部分を有している。当該部分が受信端子配線４３に隣接している。配線同士のいずれの部分が隣接してもよいが、図示の例では、第４ＧＮＤ配線４７Ｄの先端と、受信端子配線４３の側面とが隣接している。
　なお、第４ＧＮＤ端子４５Ｄを２つ設けることで、容量部４１よりも第２ＤＭＳフィルタ１Ｂにより近い側で基準電位に接続する経路を設けることができる。このような構成とすることで、基準電位の安定化を実現するとともに、インダクタンス成分を調整することができ、より、ロスの少ない受信フィルタ２９を実現することができる。このように、基準電位への経路を複数有していてもよい。
（容量素子部の容量）
　容量素子部４１の容量は、例えば、０．０３ｐＦ以上、または０．１ｐＦ以上である。容量が０．０３ｐＦ以上であると、例えば、容量結合によるアイソレーションの向上の効果が確認できる。容量が０．１ｐＦ以上であると、例えば、容量結合によるアイソレーションの向上の効果が顕著となる。なお、上限は、例えば、１ｐＦである。１ｐＦ以下であると、例えば、帯域内のインピーダンスマッチングが比較的容易であり、ロスを低減できる。また、容量は、０．１ｐＦ以上０．７ｐＦ以下としてもよい。この場合、例えば、アイソレーションを向上させるとともにロスを低減することができる。より詳細には０．４ｐＦ以上、０．６ｐＦ以下としてもよい。
　上記の容量を実現するために、容量素子部４１における受信端子導体４９とＧＮＤ導体５１との間隔ｄ（別の観点では受信端子導体４９とＧＮＤ導体５１との最小間隔）および両者が対向する長さＬは適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板５が厚さ２５０μｍのタンタル酸リチウム単結晶からなり、導体が厚さ０．１６μｍのアルミニウムからなる場合について考える。
　この場合において、例えば、受信端子導体４９およびＧＮＤ導体５１それぞれが１００μｍ×１００μｍの矩形からなり、長さＬが１００μｍであるとする。このとき、間隔ｄの変化に対する容量Ｃの変化は以下のとおりである。
　　　ｄ　　　　　Ｃ
　　１μｍ　　０．０８ｐＦ
　　５μｍ　　０．０６ｐＦ
　１０μｍ　　０．０５ｐＦ
　２０μｍ　　０．０４５ｐＦ
　５０μｍ　　０．０３５ｐＦ
　また、例えば、受信端子導体４９およびＧＮＤ導体５１の一方が１０μｍ×３００μｍの矩形からなり、他方が１００μｍ×３００μｍの矩形からなり、長さＬが３００μｍであるとする。このとき、間隔ｄの変化に対する容量Ｃの変化は以下のとおりである。
　　　ｄ　　　　　Ｃ
　　１μｍ　　０．１８ｐＦ
　　５μｍ　　０．１３ｐＦ
　１０μｍ　　０．１１ｐＦ
　２０μｍ　　０．０９ｐＦ
　５０μｍ　　０．０７ｐＦ
　従って、概ね間隔ｄを２０μｍ以下にした場合、長さＬが１００μｍ程度でも０．０３ｐＦ以上の容量を確実に確保することができ、また、長さＬが３００μｍ程度で０．１ｐＦ以上の容量を確保することができる。
　ＳＡＷの波長（電極指１５のピッチの２倍）は、使用するＳＡＷの種類および要求される共振周波数にもよるが、例えば、１．５μｍ以上６μｍ以下である。電極指１５は、１つのＩＤＴ電極７において、例えば、数十本以上または１００本以上設けられる。従って、ＩＤＴ電極７の大きさからすれば、長さＬとして１００μｍまたは３００μｍを確保することは現実的である。
　配線または端子のような導体同士は、本開示のように容量結合を意図しない場合においては、電極指１５とは異なり、比較的広い距離で離間される。意図しない容量結合のおそれを低減したり、短絡のおそれを低減したりする目的からである。特に半田等のバンプが接合される端子においては、バンプの形成誤差も考慮して他の導体からの距離が大きく取られる。例えば、導体同士は、数十μｍ以上離される。従って、２０μｍ以下の間隔ｄは、通常は形成されない。
　同様に、容量Ｃを確保するために、間隔ｄが２０μｍ以下、より詳細には１．５μｍ以上１０μｍ以下とする場合には、圧電基板５上の薄膜パターン形成およびパターニング工程により実現することができる。逆に言えば、厚膜印刷およびそのパターニング工程で実現することは困難であり、有機基板、セラミック多層基板等にこの機能を持たせることは難しい。すなわち、容量部４１は第２ＤＭＳフィルタ１Ｂと同一基板上に作りこむことで所望の容量を実現することができる。
　長さＬを短くしつつ、容量を確保する観点からは、間隔ｄは小さいほどよい。一方、間隔ｄが小さくなれば、加工誤差によって短絡のおそれが生じる。従って、例えば、間隔ｄは、電極指１５の間隔（隣り合う電極指１５の対向する辺同士の距離）以上、もしくは電極指１５のピッチ以上、または１μｍ以上である。この場合、容量素子部４１の形成のためにのみ加工精度を高くするというような不都合は生じない。
（他の導体パターンの例）
　図３（ｂ）は、受信フィルタ２９の導体パターンの他の例を示す平面図である。
　この例は、図３（ａ）に比較して、第４ＧＮＤ端子４５Ｄが１つのみである点、容量素子部４１が複数個所（図示の例では２箇所）に構成されている点、および各容量素子部４１に係る導体パターンの具体的形状が相違する。その他は、若干の相違はあるものの、概ね図３（ａ）の例と同様である。
　この例において、図３（ａ）の例よりも第４ＧＮＤ端子４５Ｄの数を減らしたように、ＧＮＤ導体５１に含まれるＧＮＤ端子４５の数および位置は任意である。ただし、受信端子導体４９と容量結合されるＧＮＤ導体５１に複数のＧＮＤ端子４５が含まれれば、当該ＧＮＤ導体５１の電位が安定しやすくなる。
　２つの容量素子部４１のうち１つは、図３（ａ）の例と同様に、受信端子導体４９と、第４ＧＮＤ導体５１Ｄとが隣接することによって構成されている。他方の容量素子部４１は、受信端子導体４９と第３ＧＮＤ導体５１Ｃとが隣接することによって構成されている。なお、第３ＧＮＤ導体５１Ｃも第４ＧＮＤ導体５１Ｄと同様に、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続され、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ（第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続されたＧＮＤ導体５１）に非接続のものである。
　このように複数個所に容量素子部４１を構成することによって、例えば、容量を確保することが容易化される。また、例えば、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内の互いに異なるＩＤＴ電極７に接続される複数のＧＮＤ導体５１によって容量素子部４１を構成することによって、複数個所に容量素子部４１を構成することが容易化される。受信端子導体４９が互いに異なる複数のＧＮＤ導体５１と容量結合することによって、例えば、アイソレーション向上の効果の安定化も期待される。
　図３（ａ）の例では、受信端子配線４３の矩形状部分の側面と、第４ＧＭＤ配線４７Ｄの矩形状部分の先端面とが対向して容量素子部４１を構成した。これに対して、図３（ｂ）の例では、受信端子配線４３の屈曲部外側の傾斜面と、第４ＧＮＤ配線４７Ｄの先端部に設けられた三角形状部分の傾斜面とが対向して容量素子部４１を構成している。このように、容量素子部４１を構成する導体のパターンは任意である。
　図３（ｃ）は、受信フィルタ２９の導体パターンの更に他の例を示す平面図である。
　この例は、図３（ａ）に比較して、第３ＧＮＤ配線４７Ｃと第４ＧＮＤ配線４７Ｄとが互いに接続されている点、および第３ＧＮＤ導体５１Ｃ、第４ＧＮＤ導体５１Ｄおよび第２ＤＭＳフィルタ１Ｂによって受信端子導体４９を囲むように第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび第４ＧＮＤ導体５１Ｄが延びている点が相違する。なお、図３（ａ）との比較の便宜上、第３ＧＮＤ導体５１Ｃと第４ＧＮＤ導体５１Ｄとを区別しているが、両者は１つのＧＮＤ導体５１と捉えられてよい。
　このように第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび第４ＧＮＤ導体５１Ｄを形成すると、例えば、これらの導体と受信端子導体４９との対向長さＬを長くすることが容易化される。図示の例では、受信端子配線４３は、圧電基板５の外周側の側面が屈曲しているところ、第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、圧電基板５の内周側の側面が受信端子配線４３の前記の側面の形状と相似形とされており、両側面は比較的長い距離に亘って対向している。また、第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび第４ＧＮＤ導体５１Ｄが受信端子導体４９を囲むことによって、これらのＧＮＤ導体５１にシールドとしての機能も期待される。
　また、第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび第４ＧＮＤ導体５１Ｄが受信端子導体４９を囲むことで、必要十分な容量を形成することができるので、補助共振子３９Ｂとの距離を確保することができる。このような構成とすることで、補助共振子３９Ｂとの意図せぬ結合を抑制し、補助共振子３９Ｂによる減衰特性向上の効果を十分に発現することができるものとなる。
（実施例：容量の影響）
　図３（ａ）に示した導体パターンの受信フィルタ２９を含む分波器２３について、シミュレーション計算によってその特性を調べた。この際、容量素子部４１の容量を変化させて、容量の影響も調べた。
　分波器２３は、ＵＭＴＳ（universal mobile telecommunications system）バンド３（送信帯域：１７１０－１７８５ＭＨｚ、受信帯域：１８０５－１８８０ＭＨｚ）に対応するものとした。なお、ＵＭＴＳバンド３では、受信帯域は送信帯域よりも周波数が高い。容量は、０．００ｐＦ（比較例）、０．０３ｐＦ、０．０６５ｐＦ、０．１０ｐＦ、０．１５ｐＦ、０．２０ｐＦまたは０．３０ｐＦとした。
　図４（ａ）～図４（ｄ）は、計算結果を示している。図４（ａ）は、分波器２３の透過特性を示している。図４（ｂ）は、分波器２３のアイソレーション特性を示している。図４（ｃ）は、図４（ｂ）の一部（矩形で囲んだ部分）の拡大図である。図４（ｄ）は、受信帯域における受信フィルタ２９のインピーダンスを示すスミスチャートである。線種と容量との関係は、図４（ｂ）内に示されている。図４（ａ）～図４（ｃ）において、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示し、縦軸は特性（ｄＢ）を示している。
　これらの図に示すように、容量が最も小さく設定された０．０３ｐＦのケースにおいても、容量が０．００ｐＦのケースに比較して、アイソレーション向上の効果が確認された。図４（ｃ）に特に現れているように、容量が大きくなるほどアイソレーションは向上した。容量が０．１ｐＦ以上となると、容量が０．００ｐＦのケースに比較して０．５ｄＢ以上の効果が得られた。
　上記と同様のシミュレーション計算を上記とは異なる周波数帯においても行った。具体的には、分波器２３として、ＵＭＴＳバンド１（送信帯域：１９２０－１９８０ＭＨｚ、受信帯域：２１１０－２１７０ＭＨｚ）に対応するものを想定した。バンド１においては、アンテナ端子２５と受信端子３７との間に、アンテナ端子側から順にラダーフィルタ，ＤＭＳフィルタ１が接続されている。
　図５（ａ）～（ｄ）は、計算結果を示す図４（ａ）～図４（ｄ）と同様の図である。このバンド１についての計算結果においても、バンド３についての計算結果と同様の効果が確認された。すなわち、容量が０．０３ｐＦでもアイソレーション向上の効果が確認され、容量が大きくなるほどアイソレーションは向上し、容量が０．１ｐＦ以上であれば０．５ｄＢ以上の効果が得られた。また、ＤＭＳフィルタの構成や周波数帯に依らず、本構造によりアイソレーション向上の効果が発現することを確認した。
　すなわち、第１ＤＭＳフィルタ１Ａ，第２ＤＭＳフィルタ１Ｂのような２段ＤＭＳ構造でなくても、後段（受信端子側）のＤＭＳフィルタのグランド電極と受信端子とを容量結合させることでアイソレーションを改善することができることを確認した。
　さらに、前段（アンテナ端子側）のラダーフィルタのグランド電極と後段（受信端子側）のＤＭＳフィルタのグランド電極とを分離することで、アイソレーションをさらに高めることができることも確認している。
（実施例：導体パターンの影響）
　受信フィルタ２９の導体パターンについて、比較例または実施例に係る種々の形状を想定し、分波器２３の特性を調べるシミュレーション計算を行った。
　図６（ａ）は、第１比較例の導体パターンを示す、図３（ａ）に対応する図である。第１比較例では、容量素子部４１が設けられていない。また、第１比較例では、紙面右下の第５ＧＮＤ端子４５Ｅは、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂと接続されていない。それ以外は、概ね図３（ａ）の例と同様である。
　図６（ｂ）は、第１実施例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第１実施例は、第１比較例に対して、黒地のハッチングを付して示す導体を追加したものである。この追加部分は、第３ＧＮＤ導体５１Ｃもしくは第４ＧＮＤ導体５１Ｄの一部、またはこれらと１つのＧＮＤ導体５１を構成する部分である。すなわち、第１実施例は、図３（ｃ）に示した例と同様に、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内の両端のＩＤＴ電極７に接続されているＧＮＤ導体５１が、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとで受信端子導体４９を囲むように延びるものである。容量素子部４１の容量は０．１ｐＦである。
　図６（ｃ）は、第２比較例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第２比較例は、第１比較例に対して、黒地のハッチングを付して示す導体を追加したものである。この追加部分は、第３ＧＮＤ導体５１Ｃと第４ＧＮＤ導体５１Ｄとを接続する配線であり、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂと第２補助共振子３９Ｂとを接続する配線に対して絶縁層を介して立体交差している。
　図７（ａ）～図７（ｈ）は、シミュレーション計算結果を示している。この計算では、分波器２３として、ＵＭＴＳバンド３に対応するものを想定した。
　図７（ａ）は、分波器２３の透過特性を示している。図７（ｂ）は、分波器２３の透過特性を図７（ａ）よりも広い周波数範囲かつ広い通過特性範囲で示している。図７（ｃ）は、アンテナ端子２５における定在波比を示している。図７（ｄ）は、送信端子３１および受信端子３７における定在波比を示している。図７（ｅ）は、分波器２３のアイソレーション特性を示している。図７（ｆ）は、送信帯域から受信帯域までの周波数範囲においてアンテナ端子２５から見たインピーダンスを示すスミスチャートである。
　図７（ａ）～図７（ｅ）において、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示し、縦軸は特性（ｄＢ）または定在波比を示している。図７（ｆ）～図７（ｈ）において、チャート中央を中心とする破線の円は、定在波比が下回るべき基準を示している。線種の割り当ては、図７（ｅ）中に示されている。線種に割り当てられた記号は、ＣＥ１：第１比較例（図６（ａ））、Ｅ１：第１実施例（図６（ｂ））、ＣＥ２：第２比較例（図６（ｃ））である。線ＣＥ１と線ＣＥ２とは多くの部分において重なっており、両者の区別は難しくなっている。
　第１比較例と第１実施例との比較から、アイソレーションが１～１．５ｄＢ改善されていることが確認できる。また、第１比較例と第２比較例とを比較すると、アイソレーションに有意な差は見出せない。このことから、第１実施例におけるアイソレーションの改善は、第３ＧＮＤ導体５１Ｃと第４ＧＮＤ導体５１Ｄとの接続に基づくのではなく、第３ＧＮＤ導体５１Ｃおよび／または第４ＧＮＤ導体５１Ｄの配置に基づいていることが分かる。
　図８（ａ）～図８（ｈ）は、図６（ａ）および図６（ｂ）に係る分波器２３として、ＵＭＴＳバンド２５（送信帯域：１８５０－１９１５ＭＨｚ、受信帯域：１９３０－１９９５ＭＨｚ）に対応するものを想定した場合（第３比較例および第２実施例とする）のシミュレーション計算結果を示す、図７（ａ）～図７（ｈ）に対応する図である。図中において線種に割り当てられた記号は、ＣＥ３：第３比較例、Ｅ２：第２実施例である。
　バンド２５においても、バンド３について行った計算結果と同様の計算結果が得られた。すなわち、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ内の両端のＩＤＴ電極７に接続されたＧＮＤ導体５１（５１Ｃおよび５１Ｄ）を、当該導体と第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとで受信端子導体４９を囲むように設けることによって、アイソレーションが１～１．５ｄＢ改善された。また、ＤＭＳフィルタの構成や周波数帯に依らず、本構造によりアイソレーション向上の効果が発現することを確認した。
　図９（ａ）は、第４比較例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第４比較例は、第１比較例に対して、黒地のハッチングを付して示す導体を追加したものである。この追加部分は、アンテナ端子２５および受信フィルタ２９全体を囲む環状導体５５である。環状導体５５と受信端子導体４９とが隣接する部分の容量は、０．１ｐＦである。環状導体５５は、例えば、信号および基準電位のいずれも付与されず、電気的に浮遊状態とされている。
　図９（ｂ）は、第５比較例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第５比較例は、黒地のハッチングを付して示すように、第４比較例において、環状導体５５と、第５ＧＮＤ端子４５Ｅとを第５ＧＮＤ配線４７Ｅによって接続したものである。
　図９（ｃ）は、第６比較例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第６比較例は、黒地のハッチングを付して示すように、第４比較例において、環状導体５５と、受信端子導体４９とを接続したものである。
　図１０（ａ）～図１０（ｈ）は、第１および第４～第６比較例についてのシミュレーション計算結果を示す図７（ａ）～図７（ｈ）に対応する図である。分波器２３の周波数帯は、図７（ａ）～図７（ｈ）と同様に、ＵＭＴＳバンド３である。図中において線種に割り当てられた記号は、ＣＥ１：第１比較例、ＣＥ４：第４比較例、ＣＥ５：第５比較例、ＣＥ６：第６比較例である。線ＣＥ４と線ＣＥ５とは多くの部分において重なっており、両者の区別は難しくなっている。
　これらの図から、環状導体５５を設けても、当該環状導体５５がＤＭＳフィルタ１に接続されていない場合においては、アイソレーションは改善せず、むしろ悪化することがわかる。これは、例えば、環状導体５５を介して受信フィルタ２９から送信フィルタ２７への信号漏れが増大することに起因すると考えられる。
　図１１（ａ）は、第３実施例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第３実施例は、第４比較例において、環状導体５５と第１ＤＭＳフィルタ１Ａとを第１ＧＮＤ配線４７Ａによって接続したものである。なお、環状導体５５は、第１ＧＮＤ配線４７Ａ（第１ＧＮＤ導体５１Ａ）の一部として捉えられてよい。
　図１１（ｂ）は、第４実施例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第４実施例は、第４比較例において、環状導体５５と第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとを第３ＧＮＤ配線４７Ｃによって接続したものである。なお、環状導体５５は、第３ＧＮＤ配線４７Ｃ（第３ＧＮＤ導体５１Ｃ）の一部として捉えられてよい。
　図１１（ｃ）は、第５実施例の導体パターンを示す、図６（ａ）に対応する図である。第５実施例は、第３実施例と第４実施例とを組み合わせたものである。すなわち、第５実施例は、第４比較例において、環状導体５５と第１ＤＭＳフィルタ１Ａとを第１ＧＮＤ配線４７Ａによって接続するとともに、環状導体５５と第２ＤＭＳフィルタ１Ｂとを第３ＧＮＤ配線４７Ｃによって接続したものである。なお、環状導体５５、第１ＧＮＤ導体５１Ａおよび第３ＧＮＤ導体５１Ｃ全体がＧＮＤ導体５１と捉えられてよい。
　図１２（ａ）～図１２（ｈ）は、第１比較例および第３～第５実施例についてのシミュレーション計算結果を示す図７（ａ）～図７（ｈ）に対応する図である。分波器２３の周波数帯は、図７（ａ）～図７（ｈ）と同様に、ＵＭＴＳバンド３である。図中において線種に割り当てられた記号は、ＣＥ１：第１比較例、Ｅ３：第３実施例、Ｅ４：第４実施例、Ｅ５：第５実施例である。線Ｅ３と線Ｅ４とは多くの部分において重なっており、両者の区別は難しくなっている。
　これらの図から、環状導体５５をＤＭＳフィルタ１に接続した場合においては、アイソレーションが改善することがわかる。全体としてアイソレーションが良好なのは環状導体５５を第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続した第４実施例である。環状導体５５を第１ＤＭＳフィルタ１Ａに接続した第３実施例は、一部においては第４実施例よりも良好なアイソレーションを示す。両実施例を組み合わせた第５実施例は、第１比較例に比較して、送信帯域のアイソレーションは向上するが、受信帯域のアイソレーションはあまり向上しない。
　以上のとおり、本開示では、受信フィルタ２９は、アンテナ端子２５からの受信信号を出力する受信端子３７と、アンテナ端子２５から受信端子３７への信号経路に位置している縦結合二重モード型弾性波フィルタである第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ（第１ＤＭＳフィルタ１Ａでもよい）と、基準電位が付与される第４ＧＮＤ端子４５Ｄ（他のＧＮＤ端子４５でもよい）と、第４ＧＮＤ端子４５Ｄおよび第２ＤＭＳフィルタ１Ｂに接続されている第４ＧＮＤ配線４７Ｄと、を含んでいる。受信端子３７および当該受信端子３７に接続されている受信端子配線４３からなる受信端子導体４９と、第４ＧＮＤ端子４５Ｄおよび第４ＧＮＤ配線４７Ｄからなる第４ＧＮＤ導体５１Ｄとが互いに隣接して容量結合している。
　従って、シミュレーション計算によって示したように、受信フィルタ２９と他のフィルタ（例えば送信フィルタ２７）とのアイソレーションが向上する。この構成では、容量結合さえできればよく、例えば、ＧＮＤ導体５１によって受信端子導体４９を囲む必要は必ずしもないから、設計の自由度が高く、また、受信フィルタ２９の小型化も容易である。また、容量結合によるアイソレーション向上は、シールド効果によるものではないため、既に送信フィルタ２７と受信フィルタ２９間にシールドが設けられている構成においても有効である。また、送信フィルタ２７と受信フィルタ２９とが別個の圧電基板５に設けられているような構成においても有効である。
　また、本開示では、受信フィルタ２９は、多段接続されてアンテナ端子２５から受信端子３７への信号経路に位置している複数のＤＭＳフィルタ１を有している。第４ＧＮＤ導体５１Ｄ（他のＧＮＤ導体５１でもよい）は、１つのＤＭＳフィルタ１のみに接続されている。
　従って、第５実施例（図１１（ｃ））に比較して第３実施例（（図１１（ａ））および第４実施例（図１１（ｂ））のアイソレーションが良好であったことから理解されるように、良好なアイソレーションが得られる。また、ＤＭＳフィルタ１同士の結合によって減衰量が低下してしまう（図１２（ｂ）の低周波側における線Ｅ５参照）おそれが低減される。
　また、本開示では、受信端子導体４９と容量結合するＧＮＤ導体５１（例えば第４ＧＮＤ導体５１Ｄ）が接続されているＤＭＳフィルタ１（第２ＤＭＳフィルタ１Ｂ）は、アンテナ端子２５から受信端子３７への信号経路において他の全てのＤＭＳフィルタ１（第１ＤＭＳフィルタ１Ａ）よりも受信端子３７側に位置している。
　従って、第３実施例（図１１（ａ））に比較して第４実施例（図１１（ｂ））のアイソレーションが良好であったことから理解されるように、良好なアイソレーションが得られる。また、接続に関して受信端子３７に最も近いということは、通常、圧電基板５上の配置に関しても受信端子３７に最も近い。従って、例えば、第４ＧＮＤ導体５１Ｄを受信端子３７と容量結合させる（近づける）ために第４ＧＮＤ配線４７Ｄを引き回す必要性が低減される。
　また、本開示では、圧電基板５の面上の配置に関して、第２ＧＮＤ導体５１Ｂは、第４ＧＮＤ導体５１Ｄとアンテナ端子２５との間に位置している。第２ＧＮＤ導体５１Ｂと第４ＧＮＤ導体５１Ｄとは接続されていない。
　従って、例えば、受信端子３７に容量結合された第４ＧＮＤ導体５１Ｄによって、受信端子３７とアンテナ端子２５とが結合するおそれが低減される。その結果、例えば、アイソレーションの悪化または送信フィルタ２７の帯域内におけるインピーダンスの増大（挿入損失の増加）のおそれが低減される。
　なお、上述の各開示に係る受信フィルタ２９は、不図示の実装基板に半田等のバンプを介して実装してもよいし、圧電基板５上にカバーを設け、このカバーの上面に各端子を導出する、いわゆるＷＬＰ（ウェハ・レベル・パッケージ）素子とし、このＷＬＰ素子を実装基板に実装してもよい。ＷＬＰ素子とする場合には、図３（ｃ）に示す受信端子３７とＧＮＤ導体５１Ｃ、５１Ｄのような、端子にと電位の異なる導体層が近接していても、両者が短絡することなく、安定して実装基板に電気的に接続することができる。
（分波器の導体パターンの例）
　図１３は、分波器２３の導体パターンの例を示す平面図である。この図は、送信フィルタ２７の導体パターンの例も示している以外は、図３（ａ）等と同様の図である。
　この例に示すように、アンテナ端子２５、送信フィルタ２７および受信フィルタ２９は、同一の圧電基板５の同一面上に設けられてよい。また、この場合において、送信フィルタ２７と受信フィルタ２９とは互いに隣接していてよい。受信フィルタ２９の導体パターンの形状は、既に図示した形状またはそれ以外の適宜な形状とされてよいが、ここでは図３（ｂ）の例の形状を用いている。
　送信フィルタ２７において、信号が付与される導体（斜線でハッチングした領域）は、例えば、送信端子３１を含んでいる（丸で囲まれた領域）。また、当該導体は、図１３と図２との対比からも理解されるように、例えば、アンテナ端子２５、複数の直列共振子３３および送信端子３１を直列に接続する配線（符号省略）と、当該配線と複数の並列共振子３５とを接続する配線（符号省略）とを含んでいる。
　また、送信フィルタ２７において、基準電位が付与される導体（点でハッチングした領域）は、例えば、ＧＮＤ端子４５（丸で囲まれた領域）と、ＧＮＤ端子４５に連続しているＧＮＤ配線４７とを含んでいる。ＧＮＤ配線４７は、例えば、ＧＮＤ端子４５と並列共振子３５の一の櫛歯電極１１との接続、ＧＮＤ端子４５同士の接続等に寄与している。
　受信フィルタ２９の第４ＧＮＤ配線４７Ｄは、圧電基板５の上面上において送信フィルタ２７と受信フィルタ２９との間に位置している。従って、例えば、受信端子３７との容量結合のための引き回しが送信フィルタ２７と受信フィルタ２９との間のシールドとしての機能を奏することになり、アイソレーションが一層向上する。
　なお、この例では、送信フィルタ２７と受信フィルタ２９とを同一の圧電基板５に設けた場合を例に説明したが、別々の基板に設けてもよい。
＜通信装置＞
　図１４は、分波器２３の利用例としての通信装置１０１の要部を示すブロック図である。通信装置１０１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、分波器２３を含んでいる。
　通信装置１０１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１０３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１０５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１０７によって増幅されて分波器２３（送信端子３１）に入力される。そして、分波器２３は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子２５からアンテナ１０９に出力する。アンテナ１０９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
　また、通信装置１０１において、アンテナ１０９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１０９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器２３（アンテナ端子２５）に入力される。分波器２３は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１１１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１１１によって増幅され、バンドパスフィルタ１１３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１０３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
　なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図１４では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図１４は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
　なお、以上の開示において、第３実施例（図１１（ａ））および第５実施例（図１１（ｃ））を除いて、第４ＧＮＤ端子４５Ｄ（または第３ＧＮＤ端子４５Ｃ）は第１基準電位端子の一例であり、第４ＧＮＤ配線４７Ｄ（または第３ＧＮＤ配線４７Ｃ。環状導体５５を含んでよい。）は第１基準電位配線の一例であり、第４ＧＮＤ導体５１Ｄ（または第３ＧＮＤ導体５１Ｃ）は第１基準電位導体の一例であり、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは第１フィルタの一例であり、第１ＤＭＳフィルタ１Ａは第２フィルタの一例であり、第２ＧＮＤ端子４５Ｂは第２基準電位端子の一例であり、第２ＧＮＤ配線４７Ｂは第２基準電位配線の一例であり、第２ＧＮＤ導体５１Ｂは第２基準電位導体の一例であり、ＲＦ－ＩＣ１０３は集積回路素子の一例である。
　また、第３実施例（図１１（ａ））においては、第１ＧＮＤ端子４５Ａは第１基準電位端子の一例であり、第１ＧＮＤ配線４７Ａ（環状導体５５）は第１基準電位端子の一例であり、第１ＧＮＤ導体５１Ａは第１基準電位導体の一例であり、第１ＤＭＳフィルタ１Ａは第１フィルタの一例であり、第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは第２フィルタの一例である。
　第５実施例（図１１（ｃ））においては、第１ＧＮＤ端子４５Ａまたは第３ＧＮＤ端子４５Ｃは第１基準電位端子の一例であり、第１ＧＮＤ配線４７Ａおよび第３ＧＮＤ配線４７Ｃ（環状導体５５）は第１基準電位配線の一例であり、第１ＧＮＤ導体５１Ａおよび第３ＧＮＤ導体５１Ｃは第１基準電位導体の一例であり、第１ＤＭＳフィルタ１Ａまたは第２ＤＭＳフィルタ１Ｂは第１フィルタの一例である。
　本開示は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　主として受信端子配線および基準電位配線が互いに隣接して容量結合する構成を例示したが、隣接して容量結合する部位の組み合わせは、受信端子および基準電位配線、受信端子配線および基準電位端子、受信端子および基準電位端子、またはこれらの組み合わせであってもよい。
　基準電位配線は、基準電位端子および縦結合二重モード型フィルタと直接的に接続されていればよく、基準電位端子および／または縦結合二重モード型フィルタに連続していなくてもよい。直接的に接続されているとは、電子素子を介さずに電気的に接続されていることをいう。電子素子は、例えば、抵抗体、キャパシタ、インダクタ、共振子またはフィルタである。ただし、不可避的に配線に生じる抵抗等はここでいう電子素子に含まない。従って、例えば、基準電位配線は、圧電基板上の配線と絶縁層を介して立体交差する配線またはボンディングワイヤによって基準電位端子および／またはフィルタに接続されていてもよい。同様に、受信端子配線は、受信端子に直接的に接続されていればよく、受信端子に連続していなくてもよい。
　ＤＭＳフィルタのＩＤＴの数は、５つに限定されず、例えば、３または７であってもよい。また、不平衡入力－不平衡出力のＤＭＳフィルタを例示したが、ＤＭＳフィルタは、平衡入力－平衡出力、不平衡入力－平衡出力または平衡入力－不平衡出力のものであってもよい。このような数または入出力の点に関して、多段接続された複数のＤＭＳフィルタ同士で構成が異なっていてもよい。
　なお、上述の例では、分波器としてデュプレクサを例示して説明したが、ダイプレクサであってもよいし、３以上のフィルタが接続されてなるマルチプレクサであってもよい。
　１Ｂ…第２ＤＭＳフィルタ（第１フィルタ（または第２フィルタ））、２５…アンテナ端子、２９…受信フィルタ、３７…受信端子、４３…受信端子配線、４５Ｄ…第４ＧＮＤ端子（第１基準電位端子）、４７Ｄ…第４ＧＮＤ配線（第１基準電位配線）、４９…受信端子導体、５１Ｄ…第４ＧＮＤ端子（第１基準電位導体）。

Claims (11)

  1. 　アンテナ端子と、
    　前記アンテナ端子からの信号を出力する受信端子と、
    　前記受信端子に接続されている受信端子配線と、
    　前記アンテナ端子から前記受信端子への信号経路に位置している、縦結合二重モード型弾性波フィルタである第１フィルタと、
    　基準電位が付与される第１基準電位端子と、
    　前記第１基準電位端子および前記第１フィルタに接続されている第１基準電位配線と、
    　を有しており、
    　前記受信端子および前記受信端子配線からなる、受信端子導体と、前記第１基準電位端子および前記第１基準電位配線からなる、第１基準電位導体とが互いに隣接して容量結合している
    　受信フィルタ。
  2. 　前記第１フィルタと多段接続されて前記信号経路に位置している縦結合二重モード型弾性波フィルタとして、少なくとも１つの第２フィルタを有しており、
    　前記第１基準電位導体は、前記第１フィルタおよび全ての前記第２フィルタのうち前記第１フィルタのみに接続されている
    　請求項１に記載の受信フィルタ。
  3. 　前記第１フィルタは、前記信号経路において全ての前記第２フィルタよりも前記受信端子側に位置している
    　請求項２に記載の受信フィルタ。
  4. 　前記アンテナ端子、前記受信端子導体、前記第１基準電位導体および前記第１フィルタが一の面上に設けられた圧電基板と、
    　前記面上に位置しており、基準電位が付与される第２基準電位端子と、
    　前記面上にて第２基準電位端子に接続されている第２基準電位配線と、
    　を有しており、
    　前記面の平面視において、前記第２基準電位端子および前記第２基準電位配線からなる第２基準電位導体は、前記第１基準電位導体と前記アンテナ端子との間に位置しており、
    　前記第１基準電位導体と前記第２基準電位導体とは非接続である
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の受信フィルタ。
  5. 　前記アンテナ端子、前記受信端子導体、前記第１基準電位導体および前記第１フィルタが一の面上に設けられた圧電基板を有しており、
    　前記面の平面視において、前記第１基準電位導体は、前記第１フィルタとで前記受信端子導体を囲むように延びている
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の受信フィルタ。
  6. 　前記受信端子導体と前記第１基準電位導体との間隔が２０μｍ以下である
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の受信フィルタ。
  7. 　前記第１フィルタと前記受信端子との間に共振子を備える、請求項１乃至６のいずれかに記載の受信フィルタ。
  8. 　前記アンテナ端子と、
    　前記アンテナ端子への信号をフィルタリングする送信フィルタと、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の受信フィルタと、
    　を有している分波器。
  9. 　前記受信フィルタの通過帯域は、前記送信フィルタの通過帯域よりも高い
    　請求項８に記載の分波器。
  10. 　前記送信フィルタと前記受信フィルタとは、同一の圧電基板の同一の面上で隣接しており、
    　前記第１基準電位導体は、前記面上で前記送信フィルタと前記受信フィルタとの間に位置している
    　請求項８または９に記載の分波器。
  11. 　アンテナと、
    　前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項８～１０なのいずれか１項に記載の分波器と、
    　前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されている集積回路素子と、
    　を有している通信装置。
PCT/JP2017/024638 2016-07-13 2017-07-05 受信フィルタ、分波器および通信装置 WO2018012367A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201780031530.4A CN109155624B (zh) 2016-07-13 2017-07-05 接收滤波器、分波器以及通信装置
JP2018527538A JP6868025B2 (ja) 2016-07-13 2017-07-05 受信フィルタ、分波器および通信装置
US16/317,256 US11115001B2 (en) 2016-07-13 2017-07-05 Receiving filter, multiplexer, and communication apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-138513 2016-07-13
JP2016138513 2016-07-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018012367A1 true WO2018012367A1 (ja) 2018-01-18

Family

ID=60952499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/024638 WO2018012367A1 (ja) 2016-07-13 2017-07-05 受信フィルタ、分波器および通信装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11115001B2 (ja)
JP (1) JP6868025B2 (ja)
CN (1) CN109155624B (ja)
WO (1) WO2018012367A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023282330A1 (ja) * 2021-07-08 2023-01-12 株式会社村田製作所 弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3115428A1 (fr) * 2020-10-19 2022-04-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif électromécanique à fréquence de résonance ajustable
CN112448694A (zh) * 2021-02-01 2021-03-05 成都频岢微电子有限公司 用于改善通带平坦度的dms滤波器及双工器
CN112511131B (zh) * 2021-02-05 2021-05-25 成都频岢微电子有限公司 一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1065481A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2003249842A (ja) * 2001-12-21 2003-09-05 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びこれを用いた電子装置
WO2006118039A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. アンテナ共用器
JP2010178306A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd デュプレクサの受信側フィルタ及びデュプレクサ
WO2011136099A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 株式会社村田製作所 回路モジュール
JP2013526808A (ja) * 2010-05-21 2013-06-24 エプコス アーゲー 平衡／不平衡作動型のｓａｗフィルタ
JP2015041909A (ja) * 2013-08-22 2015-03-02 日本電波工業株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2016139969A (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 京セラ株式会社 分波器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7298231B2 (en) * 2004-05-27 2007-11-20 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication apparatus
US7579928B2 (en) * 2006-04-03 2009-08-25 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication device
WO2009025057A1 (ja) * 2007-08-23 2009-02-26 Fujitsu Limited 分波器、および分波器を含むモジュール、通信機器
JP5826036B2 (ja) * 2011-09-30 2015-12-02 京セラ株式会社 弾性表面波装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1065481A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2003249842A (ja) * 2001-12-21 2003-09-05 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びこれを用いた電子装置
WO2006118039A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. アンテナ共用器
JP2010178306A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd デュプレクサの受信側フィルタ及びデュプレクサ
WO2011136099A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 株式会社村田製作所 回路モジュール
JP2013526808A (ja) * 2010-05-21 2013-06-24 エプコス アーゲー 平衡／不平衡作動型のｓａｗフィルタ
JP2015041909A (ja) * 2013-08-22 2015-03-02 日本電波工業株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2016139969A (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 京セラ株式会社 分波器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023282330A1 (ja) * 2021-07-08 2023-01-12 株式会社村田製作所 弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ

Also Published As

Publication number Publication date
US20190305756A1 (en) 2019-10-03
CN109155624B (zh) 2022-05-03
CN109155624A (zh) 2019-01-04
US11115001B2 (en) 2021-09-07
JPWO2018012367A1 (ja) 2019-05-23
JP6868025B2 (ja) 2021-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109792239B (zh) 弹性波滤波器、弹性波器件、分波器以及通信装置
JP6115646B2 (ja) 弾性波共振子、弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
JP5690877B2 (ja) 弾性波フィルタ
JP6651643B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP7132944B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
US11539342B2 (en) Acoustic wave device and communication apparatus
WO2016129662A1 (ja) 弾性波装置、分波器および通信装置
CN110249525B (zh) 声表面波装置
WO2018012367A1 (ja) 受信フィルタ、分波器および通信装置
JP2020053876A (ja) 弾性波装置、分波器および通信装置
JP2008060775A (ja) バランスフィルタおよび分波器
JP7344294B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP7386741B2 (ja) フィルタ、分波器及び通信装置
JP6006086B2 (ja) 弾性波フィルタ及びモジュール
JP7103420B2 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
WO2019124316A1 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP7352638B2 (ja) フィルタデバイス及び通信装置
JP6298861B2 (ja) 弾性波フィルタ及びモジュール
JP7213747B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
JP6620036B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17827495

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018527538

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17827495

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1