JP2005260833A - 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】 反射係数を高めるためにＡｌよりも重い金属材料からなる電極を用いた場合であっても、共振周波数−反共振周波数間の周波数間隔Δｆを小さくすることがき、従ってラダー型フィルタなどに共振子として用いた場合にフィルタ特性の急峻性を高めることを可能とする弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】 圧電性基板２上に、Ａｌよりも重い金属材料からなるＩＤＴ電極３及び反射器４，５が形成されており、圧電性基板２上においてＩＤＴ電極３に電気的に接続されており、かつ互いに並列に接続された第１，第２の容量素子６，７が設けられており、第１，第２の容量素子６，７が、それぞれ、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する櫛形電極により構成されている、弾性表面波共振子１。
【選択図】 図１

Description

本発明は、共振子や帯域フィルタとして用いられる弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタに関し、より詳細には、圧電性基板上に弾性表面波共振子を構成するためのＩＤＴ電極が形成されており、該ＩＤＴ電極に櫛形電極からなる容量素子が圧電性基板上において接続されている弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタに関する。

従来、例えば携帯電話機などの通信装置の帯域フィルタとして、複数の弾性表面波共振子を接続してなる弾性表面波フィルタが広く用いられている。

この種の弾性表面波フィルタに用いられる弾性表面波共振子の一例が下記の特許文献１に開示されている。図１０に示すように、特許文献１に記載の弾性表面波共振子１０１は、矩形板状のＬｉＴａＯ₃基板１０２を有する。ＬｉＴａＯ₃基板１０２上に、共振子として動作させるためのＩＤＴ電極１０３が形成されている。ＩＤＴ電極１０３に並列に櫛形電極からなる容量素子１０４が接続されている。

一般に、弾性表面波共振子の共振周波数と反共振周波数との間隔Δｆは、圧電定数により決定されるため、同じ圧電基板を用いて周波数間隔Δｆを容易に調整することはできなかった。これに対して、弾性表面波共振子１０１では、容量素子１０４の接続により周波数間隔Δｆを小さくすることが可能とされている。

他方、下記の特許文献２には、このような容量素子が接続された複数の弾性表面波共振子を用いて構成されたラダー型フィルタが開示されている。図１１は、特許文献２に記載のラダー型フィルタを説明するための各回路図である。

ラダー型フィルタ１１１では、入力端と出力端とを結ぶ直列腕に２つの直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２が接続されている。そして、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２間の接続点と基準電位との間を結ぶ並列腕に並列腕共振子Ｐ１が接続されている。また、直列腕共振子Ｓ２と出力端との間の接続点と基準電位との間に配置されている並列腕に並列腕共振子Ｐ２が接続されている。特許文献２では、上記直列腕共振子Ｓ１と、並列腕共振子Ｐ１に並列に容量素子Ｃｄ１及びＣｄ２を接続した構造が開示されている。ここでは、各直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２は弾性表面波共振子により構成されている。そして、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１に容量素子Ｃｄ１，Ｃｄ２を接続することにより、周波数間隔Δｆが小さくされ、それによってフィルタ特性の急峻性が高められるとされている。

他方、下記の特許文献３には、ＬｉＴａＯ₃基板上にＣｕを主成分とするＩＤＴ電極が形成されている弾性表面波装置が開示されている。ここでは、周波数温度特性を改善するために、ＣｕからなるＩＤＴ電極を被覆するようにＳｉＯ₂膜が形成されている。
特開平５−２２００７４号公報 特開平８−６５０８９号公報 特願２００１−４００７３７号

特許文献１には、弾性表面波共振子においてＩＤＴ電極に対して容量素子を接続することにより周波数間隔Δｆを小さくすることができることが示されており、特許文献２には、このような弾性表面波共振子を用いたラダー型フィルタにより、フィルタ特性の急峻性を高め得ることが示されている。

他方、弾性表面波装置において、電極材料として、Ａｌよりも重い金属、例えばＣｕなどを用いた場合、電極の反射係数を高めることができ、周波数特性を改善することができることが知られている。

特許文献１や特許文献２に記載の弾性表面波共振子、すなわち圧電性基板上に櫛形電極からなる容量素子が形成されている弾性表面波素子において、櫛形電極がＡｌからなる場合には、電極膜厚を厚くすることができる。そのため、電極の抵抗値が小さくなり、容量のコンダクタンスが小さくされ得る。しかしながら、櫛形電極をＣｕなどのＡｌよりも重い金属を用いて構成した場合には、電極の膜厚が非常に薄くなり、電極の抵抗値が大きくなり、容量のコンダクタンスが大きくならざるを得なかった。そのため、容量素子が接続されている弾性表面波共振子を含む弾性表面波フィルタでは、容量素子の接続により周波数間隔Δｆを小さくすることができたとしても、通過帯域高域側近傍における挿入損失が劣化し、通過帯域高域側におけるフィルタ特性の急峻性が劣化するという問題があった。

すなわち、Ｃｕのような重い金属からなる電極を形成した場合には、容量素子を接続したことによる効果が充分に得られず、コンダクタンスの増大によりフィルタ特性の急峻性が劣化するという問題があった。

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、電極の反射係数を高め、良好な周波数特性を得ることを可能とする重い金属材料、すなわちＡｌよりも重い金属材料を用いて電極を形成したとしても、容量素子の接続により周波数間隔Δｆを小さくし得るだけでなく、容量素子におけるコンダクタンスの増大を抑制することができ、従ってフィルタ特性の急峻性を効果的に高め得る弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタを提供することにある。

本発明によれば、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、かつＡｌよりも重い金属材料からなるＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の表面波伝搬方向両側に配置された反射器と、前記圧電性基板上に形成されており、かつ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する櫛形電極からなる複数の容量素子とを備え、前記複数の容量素子が、互いに並列に接続されており、かつ、該複数の容量素子が前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されていることを特徴とする、弾性表面波共振子が提供される。

本発明に係る弾性表面波共振子のある特定の局面では、前記複数の容量素子が、前記ＩＤＴ電極の表面波伝搬方向両側に分散されて配置されている。

本発明に係る弾性表面波共振子の他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極を被覆するように形成された絶縁膜がさらに備えられている。

本発明に係る弾性表面波共振子では、好ましくは、Ａｌよりも重い金属材料としてＣｕが用いられる。

本発明に係る弾性表面波共振子のさらに別の特定の局面では、前記容量素子を構成している櫛形電極が、前記ＩＤＴ電極を構成している金属材料と同一金属材料により構成されている。

本発明に係る弾性表面波共振子のさらに別の特定の局面では、前記櫛形電極からなる容量素子の電極指の延びる方向が、前記弾性表面波共振子における表面波伝搬方向に対して平行な方向とされている。

本発明に係る弾性表面波フィルタは、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを有するラダー型回路構成を有し、前記直列腕共振子及び並列腕共振子が弾性表面波共振子により構成されている弾性表面波フィルタであって、前記直列腕共振子のうち、少なくとも１つの直列腕共振子が本発明に従って構成された弾性表面波共振子により構成されている、弾性表面波フィルタである。

本発明に係る弾性表面波フィルタのある特定の局面では、上記直列腕共振子として用いられている本発明に従って構成された弾性表面波共振子の共振周波数と、櫛形電極からなる容量素子のコンダクタンスピークとが一致しないように該弾性表面波共振子が構成されている。

本発明に係る弾性表面波共振子では、圧電性基板上にＡｌよりも重い金属材料を用いてＩＤＴ電極及び反射器及び櫛形電極からなる容量素子が形成されている。Ａｌよりも重い金属材料により電極が形成されているため、反射係数が高められ、良好な周波数特性が得られる。加えて、上記容量素子がＩＤＴ電極に並列に接続されており、従って周波数間隔Δｆを小さくすることができる。従って、この弾性表面波共振子を用いて構成された弾性表面波フィルタにおいて、上記周波数間隔Δｆを小さくしたことによってフィルタ特性の急峻性を高めることができる。

さらに、Ａｌよりも重い金属材料により電極が形成されているものの、上記容量電極が複数の容量電極に分割されているため、容量電極における抵抗が容量素子のコンダクタンス成分を小さくすることが可能とされている。従って、コンダクタンスが小さくなるとこによっても、本発明に係る弾性表面波共振子を用いて構成された弾性表面波フィルタにおけるフィルタ特性の急峻性を改善することが可能となる。

すなわち、本発明によれば、Ａｌよりも重い金属材料を形成して反射係数を高めた場合に問題となる容量素子のコンダクタンスの増大が、上記容量素子が複数の容量素子に分割されていることにより形成され、それによってフィルタ特性の急峻性が効果的に高められる。

上記櫛形電極からなる容量素子が、ＩＤＴ電極の表面波伝搬方向両側に分散されて配置されている場合には、配線抵抗を小さくすることができる。また、ＩＤＴ電極を覆うように絶縁膜が形成されている場合には、該絶縁膜によりＩＤＴ電極を保護することができる。また、絶縁膜として、周波数温度特性を改善する絶縁性材料からなる絶縁膜を形成した場合には、弾性表面波共振子の周波数温度特性を改善することができる。例えば、ＬｉＴａＯ₃基板などのように、負の周波数温度係数を有する圧電性基板を用いた場合には、正の周波数温度係数を有するＳｉＯ₂などからなる絶縁膜を形成することにより、温度特性を効果的に改善することができる。

Ａｌよりも重い金属材料としてＣｕを用いた場合には、ＳｉＯ₂を被覆する際、良好なカバレッジーを形成することができる。

櫛形電極からなる容量素子が、ＩＤＴ電極を構成する金属材料と同一材料からなる場合には、電極容量素子をＩＤＴ電極と同一工程において同一プロセスによって形成することができる。

櫛形電極からなる容量素子の電極指の伸びる方向が表面波伝搬方向に対して平行な方向とされている場合には、表面波が容量素子に伝搬してきたとしても、容量素子部分における圧電効果による特性の劣化が生じ難い。

複数の弾性表面波共振子が梯子型回路構成を有するように接続されている弾性表面波フィルタにおいて、直列腕共振子の少なくとも１つが本発明の弾性表面波共振子で構成されている場合には、本発明に従って、フィルタ特性の急峻性が効果的に高められた弾性表面波フィルタを提供することができる。

また、上記直列腕共振子の少なくとも１つとして用いられた本発明に係る弾性表面波共振子の共振周波数と、櫛形電極からなる容量素子のコンダクタンスピークが一致しないようにされている場合には、コンダクタンスによる急峻性劣化を抑えることができる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波共振子の平面図である。

弾性表面波共振子１は、３６°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ₃基板からなる圧電性基板２を有する。圧電性基板２上に、図１に示されている電極構造がＣｕを用いて構成されている。この電極構造は、表面波伝搬方向中央に配置されたＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ３の表面波伝搬方向両側に配置された第１，第２の反射器４，５と、第１，第２の容量素子６，７とを有する。

ＩＤＴ電極３は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する。また、反射器４，５は、複数本の電極指を有し、該複数本の電極指の両端が短絡されている。

容量素子６，７は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する櫛形電極により構成されている。

容量素子６，７は互いに並列に接続されており、かつ容量素子６，７の各一端がＩＤＴ３の一方の電位に接続されるバスバー３ａに、各他端が他方のバスバー３ｂに電気的に接続されている。

本実施形態では、容量素子６，７における電極指の延びる方向は、弾性表面波共振子１における表面波伝搬方向と平行な方向とされている。すなわち、容量素子６，７の電極指の延びる方向は、ＩＤＴ電極３における電極指の延びる方向と直交されている。

また、図１（ａ）では省略されているが、図１（ｂ）に部分切欠断面正面図で示すように、上記電極構造を被覆するように圧電性基板２上にＳｉＯ₂膜からなる絶縁膜８が形成されている。

本実施形態の弾性表面波共振子１では、上記第１，第２の容量素子６，７が、それぞれ櫛形電極からなり、かつ互いに並列に接続されており、かつＩＤＴ３に電気的に接続されているため、上記電極構造をＡｌよりも重いＣｕを用いて構成した場合であっても、同様に容量素子におけるコンダクタンスの増大を抑制することができ、共振周波数と反共振周波数との周波数間隔Δｆを小さくすることができる。よって、本実施形態の弾性表面波共振子１を用いて、ラダー型回路構成のフィルタなどを構成した場合、フィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。これを、図２〜図５を参照して説明する。

上記実施形態の弾性表面波共振子を以下の仕様で形成した。

ＩＤＴ電極３：電極指の対数＝２００、電極指交叉幅＝３５．５μｍ、電極指ピッチで定められる波長λ＝２．０３μｍ。なお、ＩＤＴ電極３は、正規型のＩＤＴ電極により構成した。

反射器４，５：電極指の本数＝２０、波長λ_R＝２．０３μｍ。

容量素子６，７における隣接する電極指ピッチで定められる波長λｃは８μｍ、電極指交叉幅は２００μｍとした。また、上記電極構造は、全て弾性表面波共振子と同じ厚みのＣｕ膜を用いて形成した。

このようにして作製された本実施形態の弾性表面波共振子１のインピーダンス特性及び位相特性を図２に破線で示す。また、比較のために、上記容量素子６，７が接続されていないことを除いては同様に構成された弾性表面波共振子のインピーダンス特性及び位相特性を図２に実線で示す。

図３は、図２の横軸の周波数を規格化周波数に変更した相当のインピーダンス特性及び位相特性を示す図である。なお、この規格化周波数では、共振周波数を１．０として図２の横軸を規格化することにより得られたものである。

図４は、上記実施形態及び比較のために用意した弾性表面波共振子のインピーダンス特性を示すスミスチャート図である。

図２〜図４から明らかなように、本実施形態の弾性表面波共振子では、互いに並列に接続されており、かつそれぞれが櫛形電極からなる容量素子６，７がＩＤＴ３に接続されているため、周波数間隔Δｆが小さくされ得る。また、容量素子６，７を接続しても、共振周波数は変動しないことがわかる。

上記実施形態の弾性表面波共振子１を直列腕共振子として用い、ラダー型フィルタを作製した。なお、並列腕共振子を構成している弾性表面波共振子の仕様は以下の通りとした。

ＩＤＴ電極３：電極指交叉幅＝３２．３μｍ、電極指の対数＝入力側１８０，出力側１２０、λ＝２．０８μｍ。

反射器：電極の本数＝２０、波長λ_R＝２．０８μｍ
なお、並列腕共振子として用意した弾性表面波共振子においても、電極は直列腕共振子と同じ厚みのＣｕ膜により形成した。

３個の直列腕共振子と、２個の並列腕共振子を接続して図９に示す回路構成のラダー型フィルタを作製した。このラダー型フィルタの周波数特性を図５に示す。比較のために、容量素子が接続されていないことを除いては同様とされた弾性表面波共振子を用い、相当のラダー型フィルタを作製した。比較のために作製したラダー型フィルタの周波数特性を図５に破線で示す。

図５から明らかなように、本実施形態の弾性表面波共振子を用いて構成されたラダー型フィルタでは、比較のために用意されたラダー型フィルタに比べてフィルタ特性の急峻性を効果的に高め得ることがわかる。

もっとも、上記実施形態の弾性表面波共振子では、反共振周波数におけるインピーダンスレベルが低下する傾向がある。従って、周波数間隔Δｆが小さい良好な共振特性が得られたとしても、上記反共振周波数付近におけるインピーダンスレベルの劣化により、通過帯域高域側付近の挿入損失が悪化し、通過帯域高域側の急峻性が劣化するおそれがある。

このような特性の劣化の主たる原因は、容量素子６，７が有するコンダクタンスＧである。そこで、本願発明者は、櫛形電極からなる容量素子におけるコンダクタンス成分と形状との関係を調べた。図６は、上記櫛形電極からなる容量素子６において、静電容量を一定とし、波長λｃを変更した場合のコンダクタンス成分の変化を示す図である。なお、図６の実線Ａは、波長λｃを横軸の周波数に従って変化させた場合の結果を示し、実線Ｂは、（λｃ／２）を横軸の周波数に従って変化させた場合の結果を示す。

一般に、コンダクタンスの値は小さい方が好ましいとされている。図６から明らかなように、コンダクタンスは周波数特性をもち、容量素子の波長λｃを小さくすることによりコンダクタンス値を小さくし得ることがわかる。

上記実施形態の弾性表面波共振子を弾性表面波フィルタの共振子として用いる場合、使用周波数帯域付近において、上記容量素子の有するコンダクタンスが小さく、かつ変化量も小さいことが望ましい。

また、図１に示した弾性表面波共振子１においては、第１の容量素子６と、第２の容量素子７とが、ＩＤＴ３の表面波伝搬方向両側に分散して配置されている。この場合、容量素子６，７の櫛形電極の形状が異なると、静電容量が同じであっても、コンダクタンスは変化する。また、図６に示したように櫛形電極からなる容量素子では、波長、すなわち電極指ピッチにより、スプリアスが生じる周波数が変化する。従って、弾性表面波フィルタとして利用される周波数帯域に応じて、櫛形電極からなる容量素子６，７の電極指ピッチすなわち波長λｃを適切に選択することが望ましい。

図７は、櫛形電極からなる容量素子６，７において、静電容量の値を一定としたまま、電極指交叉幅及び電極指の対数を変化させた場合のコンダクタンスＧ／Ｃの変化を示す図である。なお、図７の実線Ｃは、電極指の対数が１６と少なく、電極指交叉幅が３００μｍと多くされている場合の結果を、実線Ｄは、電極指の対数が２４と中位であり、電極指の交叉幅が２００μｍと中位とされており、実線Ｅは、電極指の対数が４０と多くされており、電極指交叉幅が１２０μｍと少なくされている場合の各結果を示す図である。

図７から明らかなように、電極指交叉幅より電極指の対数を変化させた場合、コンダクタンスの周波数依存性が変化するが、鋭い応答が発生する周波数は、ＬｉＴａＯ₃基板の材料定数により決定されるため同じである。従って、図７の結果から明らかなように、電極指交叉幅及び電極指の対数を変更してコンダクタンスが抑制された静電容量を得るには、電極指の対数を多くし、電極指交叉幅を狭くすることが望ましいことがわかる。

また、前述した図６に示したように、１ポート型弾性表面波共振子に並列に接続されている容量素子６，７においては、櫛形電極の電極指ピッチによってスプリアス発生周波数が変動する。従って、電極指ピッチを変更することにより、弾性表面波フィルタの使用周波数付近においてコンダクタンス値が大きいレスポンス、あるいは周波数に対してコンダクタンス依存性が大きく変動するレスポンスが発生しないように容量素子６，７を形成し得ることがわかる。

コンダクタンス値は一般に抵抗分に置き換えられるため、容量素子６，７以外の引き回し配線電極などの抵抗分は小さくすればよい。

上記のように、１ポート型弾性表面波共振子１では、ＩＤＴに並列に接続されている容量素子６，７の電極指交叉幅及び電極指の対数を変更し、抵抗分が小さくなるように最適化することにより、さらに、櫛形形状により得られる静電容量が有するコンダクタンス特性において、電極指ピッチを変更することにより大きなスプリアスが発生する周波数を移動させることができる。従って、この周波数が弾性表面波フィルタの使用周波数帯域に含まれないように構成することにより、弾性表面波共振子１を用いてフィルタ特性の急峻性に優れたラダー型フィルタを提供することができる。

また、櫛形形状の容量素子６，７が備えられている１ポート形弾性表面波共振子１において、上記容量素子６，７の抵抗分を小さくすることによってコンダクタンス成分を抑制することができる。従って、ＩＤＴ３の表面波伝搬方向一方側にのみ容量素子６，７を接続した場合に比べて、図１に示したように容量素子６，７をＩＤＴの表面波伝搬方向両側に分散して配置することにより、配線抵抗を小さくすることができ、望ましい。

また、櫛形電極からなる容量素子６，７が互いに並列に接続されている構成において、該容量素子６，７の電極指の延びる方向を表面波伝搬方向と平行とすることにより、圧電性基板２上における電極構造のレイアウトの自由度を高めることができる。さらに、ＩＤＴ電極３で励振された表面波が反射器４，５を越えて容量素子６，７側に漏洩したとしても、該漏洩してきた表面波による影響も小さくすることができる。

図８は、上記仕様の容量素子６単体のコンダクタンス特性Ｇ／Ｃを示す図である。図８から明らかなように、上記弾性表面波共振子１を、並列腕共振子及び直列腕共振子として構成されたラダー型フィルタにおいて、直列腕共振子として用いられる弾性表面波共振子１のＩＤＴ電極３の電極周期で決定される波長をλ_saw、容量素子６の櫛形電極からなる容量素子におけるコンダクタンスピークの周波数を弾性表面波共振子の中心周波数で除算して得られた値をλとした場合、比Ｘ＝λｃ／λ_sawが図８に示すコンダクタンスピークと一致しない周波数位置の範囲に設定すればよい。具体的には、図８に示すコンダクタンスピークの裾野に位置する点線で示す周波数の位置でコンダクタンスピークを除く範囲に設定すればよい。このように設定することにより、コンダクタンス値を効果的に抑制することができる。

なお、上記実施形態では、温度特性を改善するために、ＳｉＯ₂からなる絶縁膜が温度特性改善膜として形成されていたが、他の絶縁性材料、例えばＳｉＮなどにより絶縁膜が構成されてもよく、該絶縁膜はＴａ₂Ｏ₅などの圧電体により構成されてもよい。

さらに、上記実施形態では、弾性表面波共振子１は、ラダー型フィルタの直列腕共振子または並列腕共振子として用いられた場合につき説明したが、本発明に係る弾性表面波共振子は、複数の弾性表面波共振子を接続してなる他の形式の帯域フィルタ、例えばラチス型フィルタなどにも用いることができる。

また、Ａｌよりも重い金属材料としてはＣｕに限定されず、Ｔａ、Ｗ、Ａｇなどの様々な金属材料を用いることができる。加えて、これらの金属を主体とする主電極層の上面及び／または下面に、他の金属材料からなる電極層が積層されていてもよい。

なお、本発明の実施例においては、容量素子を２分割した実施例しか記載していないが、当然のことながら、容量素子を３個以上に分割してもよく、容量素子を２分割したときと同様の効果を得ることができる。

（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波共振子の絶縁膜が形成される前の平面図及び該弾性表面波共振子の部分切欠正面断面図。 本実施形態の弾性表面波共振子及び比較のために用意された弾性表面波共振子のインピーダンス特性及び位相特性を示す図。 図２に示したインピーダンス特性及び位相特性を、横軸を規格化周波数に変更して示した図。 本実施形態及び比較のために用意した各弾性表面波共振子のインピーダンス特性を示すスミスチャート図。 実施形態及び比較のために用意した弾性表面波共振子を用いて構成された各ラダー型フィルタの周波数特性を示す図。 容量素子の波長によるコンダクタンス値の変化を示す図。 容量素子における電極指の対数及び交叉幅を変化させた場合のインダクタンス値の波長依存性を示す図。 実施形態に用いられている容量素子単体のインダクタンス値の周波数依存性を示す図。 本発明が適用されるラダー型フィルタの回路図。 従来の弾性表面波共振子の一例を示す平面図。 従来の弾性表面波共振子を用いて構成されたラダー型フィルタを説明するための各回路図。

符号の説明

１…弾性表面波共振子
２…圧電性基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ，３ｂ…バスバー
４，５…反射器
６，７…容量素子
８…絶縁膜

Claims (8)

1. 圧電性基板と、
   前記圧電性基板上に形成されており、かつＡｌよりも重い金属材料からなるＩＤＴ電極と、
   前記ＩＤＴ電極の表面波伝搬方向両側に配置された反射器と、
   前記圧電性基板上に形成されており、かつ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する櫛形電極からなる複数の容量素子とを備え、
   前記複数の容量素子が、互いに並列に接続されており、かつ、該複数の容量素子が前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されていることを特徴とする、弾性表面波共振子。
2. 前記複数の容量素子が、前記ＩＤＴ電極の表面波伝搬方向両側に分散されて配置されている、請求項１に記載の弾性表面波共振子。
3. 前記ＩＤＴ電極を被覆するように形成された絶縁膜をさらに備える、請求項１または２に記載の弾性表面波共振子。
4. 前記Ａｌよりも重い金属材料かＣｕである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子。
5. 前記容量素子を構成している櫛形電極が、前記ＩＤＴ電極を構成している金属材料と同一金属材料により構成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子。
6. 前記櫛形電極からなる容量素子の電極指の延びる方向が、前記弾性表面波共振子における表面波伝搬方向に対して平行な方向とされている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子。
7. 少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを有するラダー型回路構成を有し、前記直列腕共振子及び並列腕共振子が弾性表面波共振子により構成されている弾性表面波フィルタであって、
   前記直列腕共振子のうち、少なくとも１つの直列腕共振子が請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子により構成されている、弾性表面波フィルタ。
8. 前記直列腕共振子として用いられている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性表面波共振子における共振周波数と、前記櫛形電極からなる容量素子のコンダクタンスピークとが一致しないように前記弾性表面波共振子及び容量素子が構成されている、請求項７に記載の弾性表面波フィルタ。
   

Images