WO2016104598A1 - 弾性波装置 - Google Patents

Abstract

　ＳＡＷ装置１は、圧電基板１３と、圧電基板１３の第１主面３ａに位置するＩＤＴ電極５と、第１主面３ａに位置し、ＩＤＴ電極５に接続された容量素子３１と、ＩＤＴ電極５および容量素子３１のうち容量素子３１のみに重なるカバー９と、を有している。

Description

弾性波装置

　本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）等の弾性波を利用する弾性波装置に関する。

　弾性波装置として、例えば、圧電基板上にＳＡＷを励振する励振電極が設けられたＳＡＷ装置が知られている（例えば特許文献１および２）。励振電極は、並列に延びる複数の電極指を有する１対の櫛歯電極からなる。特許文献１および２では、励振電極の共振特性を向上させるために、励振電極に並列に接続された容量素子を設けたＳＡＷ装置を開示している。

　特許文献１および２の容量素子は、並列に延びる複数の電極指を有する１対の櫛歯電極から構成されている。特許文献１では、容量素子におけるＳＡＷの反射波の影響を低減するために、容量素子の電極指を励振電極の電極指に対して傾斜させている。特許文献２では、高周波数帯域において容量素子のＱ値を高くすることによってＳＡＷ装置の損失を低減するために、圧電基板の主面からその上方へ離れた位置に容量素子を設けている。

　特許文献１のように、容量素子が圧電基板上に設けられていると、容量素子も弾性波を励振して共振する。その結果、弾性波装置の特性が低下する。また、特許文献２のように、容量素子が圧電基板から離れていると、容量素子を励振電極とは別個の導体層によって構成しなければならず、また、導体層が立体的に配置されることになるから、製造コストが増大する。

　従って、容量素子の弾性波を介した共振を好適に低減できる弾性波装置が提供されることが望ましい。

特開平０５－１６７３８４号公報 特開２００８－１０９４１３号公報

　本発明の一態様に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板の主面に位置する励振電極と、前記主面に位置し、前記励振電極に接続された容量素子と、前記励振電極および前記容量素子のうち前記容量素子のみに重なる絶縁体と、を有している。

　上記の構成によれば、容量素子の弾性波を介した共振を低減できる。

本発明の第１実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。 図１のＳＡＷ装置を一部破断して示す斜視図である。 図１のＳＡＷ装置のＩＤＴ電極およびその周辺を示す平面図である。 図３のIV－IV線における断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は第２及び第３実施形態に係るＳＡＷ共振子および容量素子を示す平面図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は第４及び第５実施形態に係るＳＡＷ共振子および容量素子を示す平面図である。 第６実施形態に係るＳＡＷ共振子および容量素子を示す平面図である。 図８（ａ）及び図８（ｂ）は第７及び第８実施形態に係るＳＡＷ共振子および容量素子を示す平面図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は第９及び第１０実施形態に係るＳＡＷ共振子および容量素子を示す平面図である。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は容量素子が並列接続されたＳＡＷ共振子のインピーダンス特性を示す模式図である。 図１１（ａ）および図１１（ｂ）は容量素子のインピーダンス特性を示す模式図である。 図１２（ａ）は図１１（ｂ）の領域XIIａの拡大図、図１２（ｂ）は図１１（ｂ）の領域XIIｂの拡大図である。 ＳＡＷ装置の利用例としての分波器を示す模式図である。 分波器の利用例としての通信装置を示すブロック図である。 容量素子の接続に係る変形例を示すブロック図である。

　以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

　第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と同一または類似する構成については、既に説明された実施形態の構成に付された符号と同一の符号を用い、また、図示および説明を省略することがある。また、第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態の構成と対応（類似）する構成について、既に説明された実施形態の構成に付した符号とは異なる符号を付した場合において、特に断りがない事項については、既に説明された実施形態の構成と同様である。

＜第１の実施形態＞
　図１は、本発明の第１実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。また、図２は、ＳＡＷ装置１の一部を破断して示す斜視図である。

　ＳＡＷ装置１は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の実施形態では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側（図１の紙面上方側）を上方として、上面、下面等の語を用いることがあるものとする。なお、直交座標系ｘｙｚは、ＳＡＷ装置１の形状に基づいて定義されているものであり、圧電基板の電気軸、機械軸および光学軸を指すものではない。

　ＳＡＷ装置１は、例えば、比較的小型の概略直方体状の電子部品である。その寸法は適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．１ｍｍ～０．４ｍｍ、平面視における長辺および短辺の長さは０．５ｍｍ～３ｍｍである。ＳＡＷ装置１の上面には、複数のパッド７が露出している。ＳＡＷ装置１は、不図示の実装基板の主面に対して上面を対向させて配置され、前記の実装基板の主面に設けられた不図示の複数のパッドと、複数のパッド７とが半田等からなるバンプによって接合されることによって、実装基板に実装される。実装後、樹脂封止されてもよい。

　ＳＡＷ装置１は、例えば、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置によって構成されている。ＳＡＷ装置１は、例えば、素子基板３と、素子基板３の第１主面３ａ上に設けられた励振電極としてのＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極５（図２）と、第１主面３ａ上に設けられ、ＩＤＴ電極５に接続された既述の複数のパッド７と、ＩＤＴ電極５を覆うとともにパッド７を露出させるカバー９（図１）と、素子基板３の第２主面３ｂに設けられた裏面部１１とを有している。

　ＳＡＷ装置１は、複数のパッド７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＩＤＴ電極５等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数のパッド７のいずれかを介して出力する。各部材の具体的構成は以下のとおりである。

　素子基板３は、例えば、いわゆる貼り合せ基板によって構成されている。すなわち、素子基板３は、圧電基板１３と、圧電基板１３の下面に貼り合わされた支持基板１５とを有している。

　圧電基板１３は、例えば、ニオブ酸タンタル（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。より好適には、圧電基板１３は、４２°±１０°Ｙ－ＸカットのＬｉＴａＯ_３、１２８°±１０°Ｙ－ＸカットのＬｉＮｂＯ_３基板もしくは０°±１０°Ｙ－ＸカットのＬｉＮｂＯ_３基板などによって構成されている。その他、水晶（ＳｉＯ_２）単結晶なども使用できる。

　圧電基板１３の厚さは、例えば、一定であり、その大きさは、ＳＡＷ装置１が適用される技術分野やＳＡＷ装置１に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板１３の厚さは、１０～３０μｍである。圧電基板１３の平面形状および各種寸法も適宜に設定されてよい。

　支持基板１５は、例えば、圧電基板１３の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。従って、温度変化が生じると圧電基板１３に熱応力が生じ、この際、弾性定数の温度依存性と応力依存性とが打ち消し合い、ひいては、ＳＡＷ装置１の電気特性の温度変化が補償される。このような材料としては、例えば、サファイア等の単結晶、シリコン等の半導体および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板１５は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。

　支持基板１５の厚さは、例えば、一定であり、その大きさは、圧電基板１３の厚さと同様に適宜に設定されてよい。ただし、支持基板１５の厚さは、温度補償が好適に行われるように、圧電基板１３の厚さを考慮して設定される。一例として、圧電基板１３の厚さ１０～３０μｍに対して、支持基板１５の厚さは１００～３００μｍである。支持基板１５の平面形状および各種寸法は、例えば、圧電基板１３と同等である。

　圧電基板１３および支持基板１５は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ_２が挙げられる。また、両基板は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。

　ＩＤＴ電極５、複数のパッド７およびこれらを接続する配線１７（図２）、ならびに、後述する反射器２７（図３）および容量素子３１（図３）は、例えば、圧電基板１３の主面（第１主面３ａ）上に形成された導電層により構成されている。導電層の厚さは、例えば、１００～５００ｎｍである。導電層は、一の導電材料から構成されていてもよいし、複数の導電材料が積層されて構成されていてもよい。

　また、ＩＤＴ電極５、複数のパッド７および配線１７、ならびに、後述する反射器２７および容量素子３１は、例えば、互いに同一の導電材料によって構成されている。ただし、これらは、互いに異なる材料によって構成されてもよい。また、例えば、パッド７は、ＩＤＴ電極５と同一の材料および厚さの層に加えて、半田等との接続性を高める等の目的で他の導電層が重ねられてもよい。導電材料は、例えばＡｌ－Ｃｕ合金等のＡｌ合金である。

　パッド７の数および配置位置、ならびに、配線１７の数および配置は、ＩＤＴ電極５によって構成されるフィルタの構成等に応じて適宜に設定される。図１および図２では、６つのパッド７が第１主面３ａの外周に沿って配列されている場合を例示している。パッド７の平面形状は適宜に設定されてよく、例えば、円形である。配線１７は、不図示の絶縁材料を介して立体交差するように設けられてよい。この場合において、上側となる配線１７は、下側となる配線１７とは異なる材料によって下側となる配線１７よりも厚く形成されるなどしてもよい。

　カバー９（図１）は、例えば、その外側形状が、概略、第１主面３ａの全体を覆う一定の厚さの層状に形成されている。すなわち、本実施形態では、第１主面３ａが矩形であることに対応して、カバー９の外側形状は、概略、薄型の直方体状に形成されている。そして、カバー９の外縁は素子基板３の外周よりも内側に位置する。これにより、カバー９を封止樹脂で覆う際に封止樹脂と素子基板３との接合強度を高めることができる。

　カバー９は、第１主面３ａ上に設けられ、第１主面３ａの平面視においてＩＤＴ電極５を囲む枠部１９（図１および図２）と、枠部１９に重ねられ、枠部１９の開口を塞ぐ蓋部２１（図１）とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層３５）、枠部１９および蓋部２１によって囲まれた空間により、ＳＡＷの励振および伝搬を容易化するための振動空間２３（図２）が形成されている。

　振動空間２３の数、配置および形状は、ＩＤＴ電極５等の配置に応じて適宜に設定されてよい。図２では、多角形からなる２つの振動空間２３が設けられている場合を例示している。図２では、各振動空間２３に、１つのＩＤＴ電極５が位置している。ただし、各振動空間２３には、複数のＩＤＴ電極５が配置されてよい。複数のＩＤＴ電極５は、ラダー型フィルタ、および、多重モード型ＳＡＷ共振子フィルタ等を構成してよい。

　枠部１９は、概ね一定の厚さの層に振動空間２３となる開口が１以上（図２では２つ）形成されることによって構成されている。枠部１９の厚さ（振動空間２３の高さ）は、例えば、数μｍ～３０μｍである。蓋部２１は、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部２１の厚さは、例えば、数μｍ～３０μｍである。

　枠部１９および蓋部２１は、同一の材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１９と蓋部２１との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１９と蓋部２１とは、同一材料によって一体的に形成されていてもよい。

　カバー９（枠部１９および蓋部２１）は、例えば、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。その他、ポリイミド系の樹脂なども用いることができる。

　カバー９には、例えば、パッド７を露出させるための切り欠き乃至は孔が形成されている（符号省略）。図１および図２の例では、枠部１９に孔が形成され、蓋部２１には切り欠きが形成されている。なお、切り欠きや孔が形成されず、カバー９が圧電基板１３よりも面積が小さいことによって、パッド７が露出してもよい。

　裏面部１１は、特に図示しないが、例えば、素子基板３の第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等によって素子基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、素子基板３の損傷が抑制される。

　図３は、ＩＤＴ電極５およびその周辺を示す平面図である。この図では、振動空間２３も点線で示している。

　なお、図３では、１つの振動空間２３に１つのＩＤＴ電極５が配置されているが、１つの振動空間２３に複数のＩＤＴ電極５が配置されてよいことは既に述べたとおりである。

　ＩＤＴ電極５は、例えば、その両側に配置された２つの反射器２７と共に１ポート型のＳＡＷ共振子２５を構成している。また、ＩＤＴ電極５には、容量素子３１が接続されている。

　ＳＡＷ共振子２５は、例えば、配線１７の一例である入力配線１７Ａから信号が入力され、ＳＡＷを介した共振を生じ、配線１７の一例である出力配線１７Ｂへ信号を出力する。容量素子３１は、ＳＡＷ共振子２５の共振特性を向上させることに寄与する。

　特に図示しないが、ＳＡＷ共振子２５は、例えば、ラダー型フィルタに利用される。具体的には、公知のように、直列に接続された複数の直列共振子（ＳＡＷ共振子２５）と、複数の直列共振子の間とグランド（基準電位）とに接続された複数の並列共振子（ＳＡＷ共振子２５）とが設けられることにより、ラダー型フィルタが構成される。既に述べたように、このラダー型フィルタは、１つの振動空間２３に配置されてよい。

　ＩＤＴ電極５は、一対の櫛歯電極２９を有している。各櫛歯電極２９は、互いに対向するバスバー２９ａと、バスバー２９ａからその対向方向に延びる複数の電極指２９ｂとを有している。１対の櫛歯電極２９は、複数の電極指２９ｂが互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。

　なお、ＳＡＷの伝搬方向は複数の電極指２９ｂの向き等によって規定されるが、本実施形態では、便宜的に、ＳＡＷの伝搬方向を基準として、複数の電極指２９ｂの向き等を説明することがある。

　バスバー２９ａは、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。１対の櫛歯電極２９のバスバー２９ａは、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向（ｙ方向）において対向している。

　複数の電極指２９ｂは、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）に直線状に延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に概ね一定の間隔で配列されている。１対の櫛歯電極２９の複数の電極指２９ｂは、そのピッチｐ（例えば電極指２９ｂの中心間距離）が、例えば、共振させたい周波数でのＳＡＷの波長λの半波長と同等となるように設けられている。波長λは、例えば、１．５μｍ以上６μｍ以下である。

　複数の電極指２９ｂの一部においては、そのピッチｐが相対的に小さくされたり、逆に、ピッチｐが相対的に大きくされたりしてもよい。このような狭ピッチ部または広ピッチ部を設けることによって、ＳＡＷ素子の周波数特性が向上することが知られている。なお、本実施形態において、単にピッチｐという場合、特に断りがない限り、狭ピッチ部および広ピッチ部のピッチｐを除く部分（複数の電極指２９ｂの大部分）のピッチｐまたはその平均値をいうものとする。

　複数の電極指２９ｂの本数、長さ（ｙ方向）および幅（ｘ方向）は、ＳＡＷ装置１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。一例として、ＳＡＷ共振子２５における複数の電極指２９ｂの本数は１００以上４００本以下である。複数の電極指２９ｂの長さおよび幅は、例えば、互いに同等である。

　反射器２７は、例えば、平面視において格子状に形成されている。すなわち、反射器２７は、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向において互いに対向する１対のバスバー２７ａと、これらバスバー２７ａ間においてＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）に延びる複数のストリップ２７ｂとを有している。

　バスバー２７ａは、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。１対のバスバー２７ａは、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向（ｙ方向）において対向している。

　ストリップ２７ｂは、ＩＤＴ電極５の複数の電極指２９ｂと同等のピッチで配列されている。互いに隣り合う電極指２９ｂとストリップ２７ｂとの間のピッチ（ＩＤＴ電極５と反射器２７との隙間）も、複数の電極指２９ｂのピッチと同等とされている。ストリップ２７ｂの本数、長さ（ｙ方向）および幅（ｘ方向）は、ＳＡＷ共振子２５に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、ストリップ２７ｂの本数は、各反射器２７において２０本程度である。

　複数の電極指２９ｂによって圧電基板１３に電圧が印加されると、圧電基板１３の上面（第１主面３ａ）付近において、第１主面３ａに沿って伝搬するＳＡＷが誘起される。このＳＡＷは、複数の電極指２９ｂおよび複数のストリップ２７ｂによって反射される。その結果、複数の電極指２９ｂのピッチｐを半波長とするＳＡＷの定在波が形成される。定在波は、第１主面３ａに電荷（定在波と同一周波数の電気信号）を生じさせる。その電気信号は、複数の電極指２９ｂによって取り出される。

　容量素子３１は、例えば、ＩＤＴ電極５と類似した構成とされている。具体的には、容量素子３１は、１対の容量電極３３を有している。１対の容量電極３３は、１対の櫛歯電極からなり、互いに対向するバスバー３３ａと、バスバー３３ａからその対向方向に延びる複数の電極指３３ｂとを有している。１対の容量電極３３は、複数の電極指３３ｂが互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。

　このような構成とされることにより、容量素子３１は、小型ながら容量が大きくされる。その一方で、ＩＤＴ電極５と同様に、ＳＡＷを介した共振を生じるおそれがあり、これによって、ＳＡＷ装置１の電気特性が低下するおそれがある。

　バスバー３３ａは、例えば、ＳＡＷの伝搬方向（ｘ方向）に直線状に延びる長尺状に形成され、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向（ｙ方向）において対向している。従って、本実施形態において、容量素子３１のバスバー３３ａは、ＩＤＴ電極５のバスバー２９ａに対して平行である。バスバー３３ａの幅は、例えば、概ね一定である。

　複数の電極指３３ｂは、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。従って、本実施形態では、容量素子３１の電極指３３ｂは、ＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対して平行である。換言すれば、電極指３３ｂの、電極指２９ｂに対する角度は０°である。電極指３３ｂの長さおよび幅は、例えば、概ね一定である。

　複数の電極指３３ｂのピッチｐは、本実施形態では概ね一定である。複数の電極指３３ｂのピッチｐは、容量素子３１によって得ようとする容量が得られるように、電極指３３ｂの長さおよび本数とともに適宜に設定される。容量素子３１の容量は、公知の例に従って適宜に設定されてよい。

　また、容量素子３１の電極指３３ｂのピッチｐは、容量素子３１の共振がＳＡＷ共振子２５の特性に及ぼす影響が低減されるように、ＩＤＴ電極５の電極指２９ｂのピッチｐとは異なる大きさとされている。例えば、容量素子３１の共振点がＩＤＴ電極５の共振点よりも低周波数側に位置するように、電極指３３ｂのピッチｐは、電極指２９ｂのピッチｐよりも大きくされている。例えば、電極指３３ｂのピッチｐは、電極指２９ｂのピッチｐの１．５倍～３倍である。

　容量素子３１は、例えば、ＩＤＴ電極５に対してＳＡＷの伝搬方向の一方側に位置している。従って、ＳＡＷの伝搬方向に見ると、容量素子３１の複数の電極指３３ｂの交差幅Ｗ（ＳＡＷの伝搬方向に見た互いに隣接する電極指の重複する長さ）は、ＩＤＴ電極５の複数の電極指２９ｂの交差幅Ｗと重なっている。

　このような配置においては、出願人のシミュレーション計算および実測結果によれば、容量素子３１による挿入損失が低減される。ただし、容量素子３１は、容量素子３１の交差幅ＷとＩＤＴ電極５の交差幅Ｗとが重ならないように配置されてもよい。この場合にも、容量素子３１による挿入損失が低減される。さらに、出願人のシミュレーション計算および実測結果によれば、容量素子３１によるスプリアスが低減される。

　容量素子３１は、ＩＤＴ電極５に対して並列に接続されている。具体的には、例えば、容量素子３１の一方のバスバー３３ａは、配線１７の一例である接続配線１７Ｃを介してＩＤＴ電極５の一方のバスバー２９ａに接続され、容量素子３１の他方のバスバー３３ａは、他の接続配線１７Ｃを介してＩＤＴ電極５の他方のバスバー２９ａに接続されている。なお、バスバー３３ａではなく、電極指を介して容量素子３１とＩＤＴ電極５とが接続されるなどしてもよい。

　容量素子３１は、例えば、１つのＩＤＴ電極５に対して１つ設けられる。上述のように、複数のＩＤＴ電極５がラダー型フィルタを構成する場合、容量素子３１は、その一部（１つまたは複数）のＩＤＴ電極５のそれぞれに対して設けられてもよいし、全てのＩＤＴ電極５のそれぞれに対して設けられてもよいし、直列共振子に対して設けられてもよいし、並列共振子に対して設けられてもよい。また、本実施形態とは異なり、１つの容量素子３１が２以上のＩＤＴ電極５に対して共通に設けられたり、複数の容量素子３１が１つのＩＤＴ電極５に対して設けられたりしてもよい。

　図４は、図３のIV－IV線における断面図である。なお、図示の都合上、図４では、図３よりも電極指の本数を減じている。

　素子基板３の第１主面３ａ上には、保護層３５が重ねられている。保護層３５は、例えば、導電層の酸化防止等に寄与するものであり、ＳＡＷ共振子２５、容量素子３１および配線１７（図１）等を覆っている。なお、配線１７の一部は、保護層３５の上に設けられてもよい。また、パッド７（図１）は、保護層３５に開口が形成されることによって保護層３５から露出している。カバー９は、保護層３５の上に重ねられている。

　保護層３５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、または、シリコンによって形成されている。保護層３５の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極５の厚さの１／１０程度（１０～３０ｎｍ）である。このように保護層３５が比較的薄くされることによって、ＳＡＷの励振および伝搬が容易化される。

　図３および図４に示すように、ＳＡＷ共振子２５上には振動空間２３が位置している一方で、容量素子３１上には枠部１９が保護層３５を介して重なっている。枠部１９は、例えば、容量素子３１の全体に重なっている。ただし、枠部１９は、容量素子３１の一部にのみ重なっていてもよい。また、容量素子３１上においては、保護層３５が設けられずに、枠部１９が直接に容量素子３１に重なっていてもよい。

　以上の構成を有するＳＡＷ装置１の製造方法は、容量素子３１および枠部１９の具体的形状等を除いては、公知の方法と同様の方法とされてよい。

　例えば、まず、素子基板３が多数個取りされるウェハを準備する。次に、マスクを介した導電材料の成膜、または、成膜した導電材料のマスクを介したエッチングにより、素子基板３の第１主面３ａ上に、ＳＡＷ共振子２５、容量素子３１、配線１７およびパッド７等の導電層を形成する。次に、保護層３５となる材料を、マスクを介して成膜し、または、成膜した保護層３５となる材料を、マスクを介してエッチングして、保護層３５を形成する。

　次に、枠部１９となる感光性樹脂からなる薄膜を形成する。薄膜は、例えば、フィルムが貼り付けられることによって形成される。なお、枠部１９となる薄膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）またはスピンコート法等によって形成されてもよい。薄膜が形成されると、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間２３を構成する開口およびパッド７を露出させる開口等が形成される。

　次に、蓋部２１となる感光性樹脂からなる薄膜を形成する。薄膜は、例えば、枠部１９と同様にフィルムの貼り付けによって形成される。薄膜が形成されると、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、パッド７を露出させる切り欠き等が形成される。その後、ＳＡＷ装置１は、ウェハから切り出される。

　以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、圧電基板１３と、圧電基板１３の主面（第１主面３ａ）に位置するＩＤＴ電極５（励振電極）と、第１主面３ａに位置し、ＩＤＴ電極５に並列に接続された容量素子３１と、ＩＤＴ電極５および容量素子３１のうち容量素子３１のみに重なる絶縁体（カバー９）と、を有している。

　従って、容量素子３１によって圧電基板１３に電圧が印加されても、容量素子３１と重なる領域においては、圧電基板１３の変形がカバー９によって抑制され、ひいては、弾性波（例えばＳＡＷ）の発生が抑制される。その結果、容量素子３１の弾性波を介した共振が抑制され、ＳＡＷ装置１の特性が容量素子３１の弾性波を介した共振によって低下することが抑制される。具体的には、例えば、容量素子３１によるスプリアスが低減され、その結果、例えば、ＳＡＷ共振子２５の挿入損失が低減される。

　また、本実施形態では、絶縁体（カバー９）は、ＩＤＴ電極５を囲むとともに容量素子３１に重なる枠部１９と、枠部１９の開口を塞ぐ蓋部２１と、を有している。

　従って、ＳＡＷの伝搬を好適化するために振動空間２３を構成するカバー９によって、容量素子３１の共振が抑制されることになる。すなわち、容量素子３１の共振を抑制するために新たに部材を設ける必要はなく、小型化および製造コストの削減が図られる。

　また、本実施形態では、容量素子３１は、並列に延びる複数の電極指３３ｂを有し、当該複数の電極指３３ｂが互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極（容量電極３３）からなる。

　このような容量素子３１は、既に述べたように、容量を確保しやすい一方で、共振を生じやすい。しかし、枠部１９によって共振が抑えられることから、全体として小型で好適な特性のＳＡＷ装置１が得られる。換言すれば、枠部１９を容量素子３１に重ねる効果がより有効に奏される。

　また、本実施形態では、ＩＤＴ電極５は、並列に延びる複数の電極指２９ｂを有し、当該複数の電極指２９ｂが互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極２９からなる。容量素子３１の複数の電極指３３ｂの、ＩＤＴ電極５の複数の電極指２９ｂに対する角度は、０°以上９０°未満（本実施形態では０°）である。

　従って、前記の角度が９０°である場合に比較して、容量素子３１を設けたことによるＳＡＷ装置１の挿入損失が低減される。この効果は、出願人のシミュレーションおよび実測結果によって見出された。このような効果が奏される理由としては、以下の事項が挙げられる。圧電基板１３のカットアングルおよびこれに対するＩＤＴ電極５の電極指２９ｂの延在方向は、ＳＡＷが好適に伝搬するように選択されている。従って、ＩＤＴ電極５の電極指２９ｂと直交する方向に容量素子３１の複数の電極指３３ｂが延びていると、容量素子３１は、圧電基板１３に対して最も損失が大きい方向において電界を印加することになる。このことから、容量素子３１の電極指３３ｂのＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対する角度が９０°未満であると損失が低減される。

　ただし、前記の角度が９０°未満であると、損失が低減される代わりに、容量素子３１が圧電基板１３に印加する電界によって圧電基板１３が変形しやすくなる。その結果、容量素子３１による弾性波を介した共振が生じやすくなり、例えば、容量素子３１においてスプリアスが生じる。しかし、本実施形態では、カバー９によって容量素子３１による弾性波を介した共振が抑制されていることから、角度が９０°未満であることによって挿入損失を低減しつつ、スプリアスを低減できる。全体として、電気特性に優れたＳＡＷ装置１が得られる。

　なお、上記の挿入損失の低減の効果は、上記のように損失が発生する方向における電界形成が低減されることによるものであることから、上記の角度が小さいほど大きくなる。このことは、出願人のシミュレーションおよび実測結果によっても確認されている。そして、本実施形態では、上記の角度は、４５°以下（０°）であることから、挿入損失がより低減される。

　また、本実施形態では、ＳＡＷ装置１は、圧電基板１３に貼り合わされた支持基板１５をさらに有している。

　このように圧電基板１３が支持基板１５と貼り合わされる場合、支持基板１５によって素子基板３の強度が得られることなどから、圧電基板１３は比較的薄く形成される。例えば、本実施形態とは異なり、素子基板が圧電基板のみからなる場合（この場合も本願発明に含まれる）の圧電基板の厚さに比較して、圧電基板１３の厚さは１／１０程度とされる。その結果、圧電基板１３に生じたバルク波は、圧電基板１３で散乱されずに、圧電基板１３と支持基板１５との界面で反射して定在波を形成する。従って、容量素子３１においても、バルク波を介した共振を生じることになり、スプリアスが発生する。しかし、本実施形態では、絶縁体（カバー９）によって容量素子３１の電界による圧電基板１３の変形が抑制され、スプリアスが低減される。すなわち、貼り合わせ基板が用いられる場合においては、絶縁体による容量素子３１におけるスプリアスの低減効果が有効に奏される。

＜第２実施形態＞
　図５（ａ）は、第２実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子３１を示す平面図である。

　第２実施形態は、容量素子３１の向きのみが第１実施形態と相違する。すなわち、第２実施形態では、容量素子３１は、その電極指３３ｂの、ＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対する角度θが０°超９０°未満となるように配置されている。換言すれば、電極指３３ｂは、電極指２９ｂに対して傾斜している。また、容量素子３１のバスバー３３ａも、電極指３３ｂと電極指２９ｂとの角度と同一の角度で、ＩＤＴ電極５のバスバー２９ａに対して傾斜している。

　既に述べたように、角度θが小さくなるほど、容量素子３１による挿入損失は低減され、その一方で、スプリアスは大きくなる。すなわち、角度θの変化に関しては、挿入損失の低減とスプリアスの低減とは、トレードオフの関係にある。そこで、ＳＡＷ装置１全体の構成、または、ＳＡＷ共振子２５全体の構成によっては、角度θを０°超９０°未満の適宜な値とすることにより、全体として最も所望の特性に近い特性が得られる。

　例えば、実施形態とは異なり、容量素子３１に絶縁体（カバー９）を重ねない場合においては、出願人のシミュレーションおよび実測結果では、４５°付近において、挿入損失の低減と、スプリアスの低減とがバランスされた好適なＳＡＷ装置が得られた。なお、容量素子３１に絶縁体を重ねた場合においては、絶縁体によってスプリアスが低減されるので、第１実施形態に例示したように、角度θが０°付近において好適な特性が得られる。

＜第３実施形態＞
　図５（ｂ）は、第３実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子３３１を示す平面図である。

　第３実施形態は、第２実施形態と同様に、容量素子３３１（容量電極３３３）の電極指３３３ｂが、ＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対して傾斜している点が第１実施形態と相違する。ただし、第３実施形態では、容量素子３３１のバスバー３３３ａは、第２実施形態とは異なり、ＩＤＴ電極５のバスバー２９ａと平行である。別の観点では、第２実施形態は、容量素子３３１のバスバー３３３ａの対向方向（ｙ方向）に対して、容量素子３３１の電極指３３３ｂが傾斜して延びている点が第１実施形態と相違する。

　当該構成においては、まず、容量素子３３１の電極指３３３ｂが、ＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対して傾斜していることから、第２実施形態と同様に、挿入損失の低減と、スプリアスの低減との双方が奏される。なお、角度θが０°超９０°未満の範囲または０°超４５°未満の範囲において適宜に設定されてよいことは、第２実施形態と同様である。

　さらに、容量素子３３１においては、バスバー３３３ａに対して電極指３３３ｂが傾斜していることから、複数の電極指３３３ｂに亘って定在波が形成されにくく、弾性波を介した共振が抑制される。出願人のシミュレーションおよび実測結果では、第２実施形態と第３実施形態とでは、角度θが互いに同一であっても、第３実施形態のほうが第２実施形態よりもスプリアスを低減できることが確認されている。

　なお、特に図示しないが、容量素子３３１において電極指３３３ｂがバスバー３３３ａに対して傾斜している特徴を保持しつつ、本実施形態とは異なり、バスバー３３３ａをＩＤＴ電極５のバスバー２９ａに対して傾斜または直交させてもよい。この場合において、電極指３３３ｂは、第２実施形態と同様にＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対して傾斜されていてもよいし、第１実施形態と同様に平行であってもよいし、これらとは異なり直交してもよい。

　互いに対向するバスバー３３３ａの対向方向は、例えば、バスバー３３３ａの互いに対向する縁部が互いに平行な直線状であれば、その直線に直交する方向によって定義できる。バスバー３３３ａの互いに対向する縁部がアポダイズの一種によって互いに平行でない場合においては、バスバー３３３ａの全体形状等および技術常識を考慮して適宜に対向方向が定義されてよい。

＜第４実施形態＞
　図６（ａ）は、第４実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子４３１を示す平面図である。

　第４実施形態は、容量素子４３１（容量電極４３３）の形状のみが第１実施形態と相違する。具体的には、容量素子４３１の電極指４３３ｂは、Ｖ字状に形成されている。すなわち、電極指４３３ｂは、屈曲している。

　この構成では、第３実施形態と同様に、容量素子４３１の電極指４３３ｂがＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対して傾斜するとともに、また、容量素子４３１において電極指４３３ｂが１対のバスバー４３３ａの対向方向に対して傾斜して延びている。従って、第３実施形態と同様に、挿入損失の低減とスプリアスの低減との双方が奏され、特に、スプリアスの低減に効果的である。

　Ｖ字の屈曲部の角度は、０°超１８０°未満の範囲または０°超９０°未満の範囲において適宜に設定されてよい。容量素子４３１の電極指４３３ｂのＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対する角度θは、第２実施形態と同様に、０°超９０°未満の範囲または０°超４５°未満の範囲において適宜に設定されてよい。

　特に図示しないが、容量素子４３１において電極指４３３ｂが屈曲している特徴を保持しつつ、本実施形態とは異なり、容量素子４３１のバスバー４３３ａをＩＤＴ電極５のバスバー２９ａに対して傾斜または直交させてもよい。この場合において、電極指４３３ｂの一部は、電極指２９ｂに対して平行または直交してもよい。

＜第５実施形態＞
　図６（ｂ）は、第５実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子５３１を示す平面図である。

　第５実施形態は、第４実施形態と同様に、容量素子５３１（容量電極５３３）の電極指５３３ｂが屈曲している。ただし、第４実施形態の電極指４３３ｂがＶ字状であったのに対して、第５実施形態の電極指５３３ｂはＷ字状とされている。

　本実施形態によれば、第４実施形態と同様の効果が奏される。ただし、出願人のシミュレーション結果および実測結果によれば、スプリアスの低減効果は第５実施形態よりも第４実施形態の方が高い。これは、屈曲部が多くなると、電極指４３３ｂ全体としては直線に近づくことによるものと考えられる。

　屈曲部の角度が０°超１８０°未満の範囲または０°超９０°未満の範囲において適宜に設定されてよいこと、容量素子５３１の電極指５３３ｂのＩＤＴ電極５の電極指２９ｂに対する角度θが０°超９０°未満の範囲または０°超４５°未満の範囲において適宜に設定されてよいことは他の実施形態と同様である。

　また、特に図示しないが、容量素子５３１において電極指５３３ｂが屈曲している特徴を保持しつつ、本実施形態とは異なり、容量素子５３１のバスバー５３３ａをＩＤＴ電極５のバスバー２９ａに対して傾斜または直交させてもよい。この場合において、電極指５３３ｂの一部は、電極指２９ｂに対して平行または直交してもよい。

＜第６実施形態＞
　図７は、第５実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子６３１を示す平面図である。

　第６実施形態は、容量素子６３１（容量電極６３３）の電極指６３３ｂが湾曲している点のみが第１実施形態と相違する。このような構成においても、第４実施形態および第５実施形態と同様の効果が奏される。

　なお、湾曲の曲率は一定であってもよいし、変化してもよい。曲率は適宜に設定されてよい。湾曲は、電極指６３３ｂの一部であってもよいし、全体であってもよい。また、特に図示しないが、容量素子６３１において電極指６３３ｂが湾曲している特徴を保持しつつ、本実施形態とは異なり、容量素子６３１のバスバー６３３ａをＩＤＴ電極５のバスバー２９ａに対して傾斜または直交させてもよい。

＜第７実施形態＞
　図８（ａ）は、第７実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子７３１を示す平面図である。

　第７実施形態は、容量素子７３１（容量電極７３３）において、一定のピッチｐで配列されている複数の電極指７３３ｂのうち、一部の電極指７３３ｂ（点線で示す）が間引かれている点が第１実施形態と相違する。抽象化して言えば、第７実施形態では、複数の電極指７３３ｂの規則的な連続性が一部において途切れている。なお、間引き前後で容量は同一となるように、電極指７３３ｂの本数等は適宜に調整される。

　間引く電極指７３３ｂの本数は、適宜に設定されてよい。例えば、図８（ａ）において例示するように、１本のみ間引いてもよいし、連続する２本以上の電極指７３３ｂを間引いてもよいし、互いに離れた複数個所において１以上の電極指７３３ｂを間引いてもよい。

　なお、図８（ａ）の例では、奇数本（１本）の電極指７３３ｂが間引かれることにより、１対の容量電極７３３のうち互いに同一の容量電極７３３に属する電極指７３３ｂ同士が（比較的広い間隔で）隣接している。一方、容量素子７３１においては、基本的には、互いに異なる容量電極７３３に属する電極指７３３ｂが交互に配列される。従って、互いに隣り合う電極指７３３ｂが互いに同一の容量電極７３３に属していることによって、規則的な連続性が途切れていることを特定できる。

　また、特に図示しないが、偶数本の電極指７３３ｂが間引かれた場合においては、１対の容量電極７３３のうち互いに異なる容量電極７３３に属する電極指７３３ｂ同士が（比較的広い間隔で）隣接することになる。これは、複数の電極指７３３ｂのピッチｐの変化として捉えることができる。従って、ピッチｐが局所的に変化しているか否かによって規則的な連続性が途切れていることを特定できる。

　なお、図８（ａ）に例示するように、単純に電極指７３３ｂを間引いた場合においては、その間引かれた領域における電極指７３３ｂの中心間距離は、他の領域におけるピッチｐの整数倍となる。ただし、この間引かれた領域は、適宜に広くまたは狭くされて、ピッチｐの整数倍とならなくてもよい。このような場合も、上述のように、ピッチｐが局所的に変化しているか否かによって規則的な連続性が途切れたことを特定できる。

　本実施形態の構成によれば、電極指７３３ｂが間引かれた位置においては、弾性波が反射しないから、容量素子３１の電界によって定在波が形成されるおそれが低減される。その結果、例えば、スプリアスを低減することができる。

＜第８実施形態＞
　図８（ｂ）は、第８実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子８３１を示す平面図である。

　第８実施形態の容量素子８３１（容量電極８３３）は、第７実施形態の容量素子７３１と同様に、電極指８３３ｂの規則的な連続性が途切れるように構成されている。ただし、第８実施形態では、電極指８３３ｂのピッチｐは一定とされた上で、一部において同一の容量電極８３３に属する２本の電極指８３３ｂが互いに隣接するように構成されている。この２本の電極指８３３ｂの外側においては、例えば、ある程度の長さで規則性が維持されている。別の観点では、電極指８３３ｂの配列は、途中で電圧の正負が反転されている。

　このような構成においては、同一の容量電極８３３に属し、互いに隣接する２本の電極指８３３ｂを境界とした、電極指８３３ｂの配列方向の一方側と他方側とで、定在波の位相が逆になる。その結果、この２本の電極指８３３ｂの位置において定在波が打ち消し合い、容量素子８３１における共振が低減され、ひいては、スプリアスが低減される。

　なお、このような同一の容量電極８３３に属し、互いに隣接する２本の電極指８３３ｂは、１個所に設けられてもよいし、複数個所に設けられてもよい。ただし、弾性波の打ち消し合いが好適になされるように設けられることが好ましい。例えば、１個所であれば、容量素子３１の中央が好ましい。また、同一の容量電極８３３に属する電極指８３３ｂが３本以上連続するなどしてもよい。

＜第９実施形態＞
　図９（ａ）は、第９実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子９３１を示す平面図である。

　第９実施形態の容量素子９３１（容量電極９３３）は、第８実施形態の容量素子８３１と同様に、電極指９３３ｂの規則的な連続性が途切れ、また、その途切れる位置にて弾性波が打ち消し合うように構成されている。

　ただし、第９実施形態では、互いに異なる容量電極９３３に属する電極指９３３ｂが交互に配列される構成は維持され、一部のピッチが他のピッチｐの２倍（２ｐ）とされることによって、弾性波が打ち消し合う効果が実現されている。なお、第９実施形態は、第８実施形態において互いに同一の容量電極８３３に属する互いに隣接する２本の電極指８３３ｂの一方を無くしたものと捉えることもできる。ただし、同一の容量とするように電極指９３３ｂの本数は維持される。

　第９実施形態は、ピッチが容量素子９３１の一部において変化し、これにより、電極指９３３ｂの規則的な連続性が途切れていることを特徴としている。図９（ｂ）では、弾性波が好適に打ち消し合う例として、変化したピッチが２ｐである場合を例示したが、変化したピッチは、２ｐに限らず、例えば、１ｐ未満であってもよいし、１ｐ超または２ｐ超であってもよい。いずれの場合においても、定在波の形成は低減される。

　ピッチが変化する部分は、１個所に設けられてもよいし、複数個所に設けられてもよい。ただし、弾性波の打ち消し合いが好適になされるように設けられることが好ましい。例えば、ピッチが変化する部分が１個所にのみ設けられ、その変化したピッチが２ｐであるのであれば、容量素子３１の中央が好ましい。

　また、ピッチの変化は、容量素子９３１の一部ではなく、全体に設定されてもよい。この場合、ピッチが一部において変化する場合に比較して、定在波の形成がより低減される。ただし、容量素子９３１の容量およびインピーダンスの計算（容量素子９３１の設計）は煩雑化する。

＜第１０実施形態＞
　図９（ｂ）は、第１０実施形態のＳＡＷ装置のＳＡＷ共振子２５および容量素子１０３１（容量電極１０３３）を示す平面図である。

　第１０実施形態の容量素子１０３１（容量電極１０３３）は、他の実施形態の容量素子と同様に、電極指１０３３ｂの規則的な連続性が途切れている。具体的には、一部においてデューティー比が変化している。

　デューティー比は、例えば、ピッチｐに占める電極指１０３３ｂの割合であり、電極指１０３３ｂの幅をｗとしたときにｗ／ｐで表わされる。別の観点では、デューティー比の変化は、電極指１０３３ｂの幅の変化である。

　デューティー比が変化することにより、そのデューティー比が変化した電極指１０３３ｂにおいては、誘起される弾性波の位相および波長、ならびに、伝搬する弾性波の反射位置が他の電極指１０３３ｂに対してずれる。その結果、定在波の形成が低減される。そして、容量素子１０３１における共振が低減され、ひいては、スプリアスが低減される。

　図９（ｂ）では、一部の電極指１０３３ｂの幅が広くされ、デューティー比が変化している例を示している。ただし、これとは逆に、一部の電極指１０３３ｂの幅が狭くされ、デューティー比が変化してもよい。デューティー比の変化の程度も適宜に設定されてよい。いずれにせよ、定在波の形成は低減される。

　なお、デューティー比が変化する部分は、１個所に設けられてもよいし、複数個所に設けられてもよい。また、デューティー比の変化は、容量素子１０３１の一部ではなく、全体に設定されてもよい。この場合、デューティー比が一部において変化する場合に比較して、定在波の形成がより低減される。ただし、容量素子１０３１の容量およびインピーダンスの計算（容量素子１０３１の設計）は煩雑化する。

　以下、本実施形態の作用を説明する。出願人は、種々のシミュレーションおよび種々の実施形態サンプルの作製およびその特性測定を行ったが、その全ての結果を詳細に示すことは困難である。そこで、以下に示す図は、複数の実施形態に共通の特性を定性的に説明することができるように、実測結果を抽象化したり細部について省略したりして示している。

　図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、容量素子が並列接続されたＳＡＷ共振子２５のインピーダンス特性を示す模式図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）において、横軸は周波数ｆ（Ｈｚ）を示している。図１０（ａ）において、縦軸は、ＳＡＷ共振子２５のインピーダンスＺの絶対値｜Ｚ｜（Ω）を示している。図１０（ｂ）において、縦軸は、ＳＡＷ共振子２５のインピーダンスＺの位相α（°）を示している。

　図１０（ａ）において実線Ｌ１で示すように、ＳＡＷ共振子２５においては、絶対値｜Ｚ｜が極小値をとる共振点（共振周波数ｆｒ）と、絶対値｜Ｚ｜が極大値をとる反共振点（反共振周波数ｆａ）とが現れる。また、図１０（ｂ）において実線Ｌ２で示すように、共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの間においては、位相αは９０°に近づく。

　容量素子が設けられると、例えば、共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの周波数差Δｆ（ｆａ－ｆｂ）が小さくなる。この周波数差Δｆが小さくされたＳＡＷ共振子２５を用いてフィルタ（例えばラダー型フィルタ）を構成すると、急峻な肩特性が得られる。

　ここで、図１０（ａ）および図１０（ｂ）それぞれの右上においては、ＳＡＷ共振子２５のインピーダンス特性の一部拡大図を示している。実線Ｌ３（図１０（ａ））および実線Ｌ４（図１０（ｂ））は、容量素子のバスバーの対向方向とＩＤＴ電極５のバスバーの対向方向とが直交するように容量素子が設けられており、また、第１～第１０実施形態において示した、容量素子の共振を低減するための方策が全くなされていない場合（比較例）のインピーダンス特性を示している。点線Ｌ５（図１０（ａ））および点線Ｌ６（図１０（ｂ））は、第１～第１０実施形態の容量素子が設けられた場合のインピーダンス特性を示している。

　図１０（ａ）に示すように、実施形態では、比較例に比較して、反共振点における絶対値｜Ｚ｜が大きくなる。特に図示しないが、共振点においては、逆に、共振点における絶対値｜Ｚ｜が小さくなる。別の観点では、実施形態は、比較例に比較して、Ｑ値が大きくなる。また、図１０（ｂ）に示すように、実施形態では、比較例に比較して、位相αが９０°に近づく。特に、出願人の実測結果では、周波数差Δｆの範囲のうち高周波側において、実施形態と比較例との差が大きくなった。

　このように、実施形態では、比較例に比較して、容量素子における損失の低減および共振（スプリアス）の低減によって、ＳＡＷ共振子２５の共振特性が向上する。このようなＳＡＷ共振子２５を用いてフィルタを構成することによって、フィルタの通過特性が向上する。

　図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、容量素子のインピーダンス特性を示す模式図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）の横軸（周波数ｆ（Ｈｚ））、図１１（ａ）の縦軸（絶対値｜Ｚ｜（Ω））、図１１（ｂ）の縦軸（位相α（°））については、既に説明したとおりである。

　縦軸および横軸のスケールについては、図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、図１０（ａ）および図１０（ｂ）と相違する。図１１（ａ）および図１１（ｂ）では、図１０（ａ）および図１１（ｂ）を参照して説明した周波数差Δｆを示している。

　図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、実線Ｌ１１（図１１（ａ））およびＬ１２（図１１（ｂ））は、容量素子のバスバーの対向方向とＩＤＴ電極５のバスバーの対向方向とが一致するように容量素子が設けられており、また、容量素子の共振（スプリアス）を低減するための方策（絶縁体の配置、電極指の傾斜、電極指の不連続性等）がなされていない場合（比較例１：第１実施形態において容量素子上に絶縁体が設けられていない態様）のインピーダンス特性を示している。点線Ｌ１３（図１１（ａ））およびＬ１４（図１１（ｂ））は、容量素子のバスバーの対向方向とＩＤＴ電極５のバスバーの対向方向とが直交するように容量素子が設けられており、その他は比較例１と同様の場合（比較例２）のインピーダンス特性を示している。

　図１１（ａ）に示すように、容量素子の絶対値｜Ｚ｜は、全体としては、周波数が高くなるほど低下していく。ただし、ＳＡＷ共振子２５の帯域外（Δｆの外側。より具体的にはこの例では低周波側）において、絶対値｜Ｚ｜の振動が生じている。また、図１１（ｂ）に示すように、容量素子の位相αは、全体としては、－９０°に近い一定の値を取る。ただし、上記の絶対値｜Ｚ｜の振動が生じている周波数においては、位相αが大きくなっている。

　これは、容量素子において、ＳＡＷを介した共振が生じていることによる。なお、この共振は、ＳＡＷ共振子２５において生じさせる共振とは異なる共振であり、この共振を便宜的に副共振ということとする。

　副共振が生じる周波数は、容量電極の向きとＩＤＴ電極（励振電極）の向きとが同一である態様（比較例１）の方が、容量電極の向きとＩＤＴ電極の向きとが直交する態様よりも低い。また、副共振によるスプリアスのピークは、前者の方が後者よりも大きい。既に述べたように、前者の方が後者よりも容量素子による挿入損失は小さい。このように、容量素子の向きについては、挿入損失と副共振におけるスプリアスとがトレードオフとなっている。

　図１２（ａ）は図１１（ｂ）の領域XIIａの拡大図である。図１２（ｂ）は図１１（ｂ）の領域XIIｂの拡大図である。

　実線Ｌ１２および点線Ｌ１４については、図１１（ｂ）と同様である。１点鎖線Ｌ１５は、実線Ｌ１２で示す比較例１に対して、容量素子の共振を低減する方策（絶縁体の配置、電極指の傾斜、電極指の不連続性等）を施した場合（実施例１）のインピーダンス特性を示している。２点鎖線Ｌ１６は、点線Ｌ１４で示す比較例２に対して、容量素子の共振を低減する方策を施した場合（実施例２：容量素子のバスバーの対向方向とＩＤＴ電極５のバスバーの対向方向とが直交するように容量素子が設けられており、その他は実施例１と同様の場合）のインピーダンス特性を示している。

　図１２（ａ）に示すように、絶縁体の配置、電極指の傾斜または電極指の不連続性等の容量素子の共振を低減する方策によって、副共振のスプリアスのピークは低減される。当該方策は、副共振が生じる周波数にはほとんど影響を及ぼさない。ただし、特に図示しないが、電極指の形状をＷ字状にした場合においては、ピークが低くなりつつもピークが２つ現れた。

　図１２（ｂ）に示すように、ＳＡＷ共振子２５の周波数差Δｆおよびその付近においては、比較的微小で、且つ、比較的周期的なスプリアスが生じている。これは、素子基板３を貼り合わせ基板としたことによって、バルク波を介した共振が生じたためである。

　実線Ｌ１２および点線Ｌ１４の比較から理解されるように、このバルク波によるスプリアスのピークまたは振幅は、容量素子のバスバーの対向方向がＩＤＴ電極５のバスバー２９ａの対向方向に対して一致するほど、直交する場合に比較して小さくなる。また、全体として、前者の方が後者よりも位相αが－９０°に近い。従って、前者の方が後者よりも挿入損失が小さい。

　１点鎖線Ｌ１５および２点鎖線Ｌ１６と、実線Ｌ１２および点線Ｌ１４との比較から理解されるように、絶縁体の配置、電極指の傾斜または電極指の不連続性等の容量素子の共振を低減する方策によって、周波数差Δｆおよびその付近におけるスプリアスのピークまたは振幅は小さくなる。これによって、ＳＡＷ共振子２５の共振特性が向上する。なお、挿入損失は、共振を低減する方策の有無にさほど影響されない。

＜ＳＡＷ装置の利用例＞
（分波器）
　図１３は、ＳＡＷ装置１の利用例としての分波器１０１を示す模式図である。

　分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子１０７に出力する受信フィルタ１１１とを有している。

　送信フィルタ１０９は、例えば、ラダー型フィルタによって構成されている。すなわち、複数のＳＡＷ共振子２５が直列に接続されるとともに並列に接続されている。なお、複数のＳＡＷ共振子２５を構成するＩＤＴ電極５および１対の反射器２７は、例えば、同一の素子基板３（図１３では不図示）に設けられている。

　受信フィルタ１１１は、例えば、互いに直列に接続されたＳＡＷ共振子２５およびＳＡＷフィルタ１１５によって構成されている。これらを構成するＩＤＴ電極５および１対の反射器２７は、例えば、同一の素子基板３に設けられている。この素子基板３は、送信フィルタ１０９が構成される素子基板３と同一であってもよいし、異なっていてもよい。

　ＳＡＷフィルタ１１５は、例えば、縦結合多重モード（２重モードを含むものとする）型ＳＡＷフィルタであり、ＳＡＷの伝搬方向に配列された複数のＩＤＴ電極５と、その両側に配置された１対の反射器２７とを有している。

　容量素子３１は、分波器１０１のいずれのＩＤＴ電極５に対して設けられていてもよい。図示の例では、最もアンテナ端子１０３側の直列共振子のＩＤＴ電極５に対して容量素子３１が設けられている。なお、容量素子の符号として、第１実施形態のものを用いているが、他の実施形態の容量素子が設けられてもよい。

（通信装置）
　図１４は、分波器１０１を有する通信装置１５１の要部を示すブロック図である。通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものである。

　通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。

　また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。

　なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図１４では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図１４は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。

＜変形例＞
　図１５は、容量素子３１の接続に係る変形例を示す図１３と同様の図である。

　この変形例に係る分波器１１７では、容量素子３１は、ＩＤＴ電極５に対して並列に接続されるのではなく、ＩＤＴ電極５とグランドとの間に直列に接続されている。また、容量素子３１は、インダクタ１１９とともに直列共振回路を構成している。

　このような構成においては、例えば、ＩＤＴ電極５が構成するフィルタの通過帯域外の信号を、容量素子３１を介してグランドに逃がすことができる。

　このような容量素子３１は、分波器１１７のいずれのＩＤＴ電極５に対して設けられていてもよい。図示の例では、アンテナ端子１０３に最も近い直列共振子のＩＤＴ電極５に対して容量素子３１が設けられている。なお、容量素子の符号として、第１実施形態のものを用いているが、他の実施形態の容量素子が設けられてもよい。

　この変形例に示されるように、容量素子は、ＩＤＴ電極に対して並列に接続されるものに限定されない。また、ＩＤＴ電極に接続される容量素子が設けられる目的も実施形態等において例示したものに限定されない。

　本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

　上述した実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第２～第６実施形態のように容量素子の電極指を励振電極（ＩＤＴ電極）の電極指に対して傾斜させたり、電極指を屈曲または湾曲させたりする態様において、第７～第１０実施形態のように複数の電極指の規則的な連続性を崩す構成が適用されてもよい。また、例えば、ピッチの変化とデューティー比の変化とは組み合わされてもよい。

　弾性波装置において、容量素子３１上に配置される絶縁体（カバー９）は、容量素子３の共振による変形を抑制することができれば、カバー９に限定されない。例えば、容量素子３１は枠部１９の内側に形成され、いわゆる保護層３５に比べ十分に厚い絶縁体を別途設けてもよい。また、容量素子３１は枠部１９の外側に形成してもよい。

　また、弾性波装置において、蓋部２１は枠部１９と異なる材料であってもよい。例えば、蓋部２１として、圧電基板や、有機基板等を例示することができる。この場合には、蓋部２１の強度を高めることができる。

　容量素子の励振電極に対する位置は、励振電極による弾性波の伝搬路の延長上に限定されない。例えば、容量素子は、励振電極に対して、弾性波の伝搬方向の側方に位置していてもよい。この場合、例えば、励振電極による弾性波が容量素子の特性に影響を及ぼすおそれが低減される。

　弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波装置（ただし、広義のＳＡＷ装置に含まれる）であってもよい。なお、弾性境界波装置においては、励振電極上に空隙（振動空間）は不要である。このような装置においては、励振電極に重ねられた絶縁体とは別の材料からなる絶縁体が容量素子に重ねられれば、励振電極および容量素子のうち容量素子のみに重なる絶縁体を有すると言える。

　また、弾性波装置は、ウェハレベルパッケージのものに限定されない。例えば、圧電基板と、その主面に位置する励振電極とを有する弾性波素子が、前記主面をデバイス基板に隙間を介して対向されて実装され、その実装された圧電基板が樹脂封止されることによって、弾性波装置が構成されてもよい。

　また、弾性波装置において、保護層および裏面部は必須の要件ではなく、省略されてもよい。逆に、弾性波装置は、蓋部の上に設けられた金属からなる補強層、補強層を覆う絶縁層、枠部と蓋部との間に位置する導電層、カバーの上面および側面を覆う絶縁膜など、適宜な層が追加されてもよい。

　実施形態では、素子基板が貼り合わせ基板によって構成される例を示したが、素子基板は、圧電基板のみから構成されてもよい。また、実施形態では、保護層は、比較的薄い場合を示したが、温度補償の目的で、励振電極等よりも厚い保護層が設けられてもよい。実施形態では、圧電基板上のパッドがカバーから露出される弾性波装置を示した。しかし、弾性波装置において、パッド状に立てられ、カバーを貫通する柱状の端子が設けられてもよい。さらに、その柱状の端子の上に半田等のバンプが設けられていてもよい。

　励振電極を構成する１対の櫛歯電極の形状は、公知の適宜な形状とされてよい。例えば、櫛歯電極の形状は、電極指の長さ等が変化するアポダイズが施された形状であってもよいし、先端が電極指の先端とギャップを介して対向するダミー電極指が設けられた形状であってもよいし、バスバーが弾性波の伝搬方向に対して傾斜して延びる（これに伴って電極指はその幅方向に対して傾斜する方向に配列）された形状であってもよい。また、電極指の上面に電極指と略同一の形状の絶縁膜が形成されたり、電極指の断面形状が矩形以外の多角形とされたりしてもよい。なお、これらの種々の形状は、容量素子を構成する櫛歯電極に適用されてもよい。

　励振電極および容量素子のうち容量素子のみに重なる絶縁体は、樹脂または有機材料からなるものに限定されず、無機材料からなるものであってもよい。例えば、ＳｉＯ_２からなるものであってもよい。また、絶縁体は、励振電極上に振動空間を形成するためのカバーに限定されず、例えば、カバーとは別個に設けられた樹脂層であってもよい。

　弾性波装置の製造方法は、実施形態において例示したものに限定されない。例えば、振動空間を構成するカバーは、振動空間となる領域に犠牲層を形成して、その後、犠牲層上にカバーとなる樹脂層を形成し、樹脂層内から犠牲層を溶解、流出させることによって形成されてもよい。

　なお、本願の実施形態からは、励振電極及び容量素子のうち容量素子のみに重なる絶縁体を要件としない、以下の発明を抽出可能である。上述の絶縁体の配置、電極指の傾斜または電極指の不連続性等の容量素子の共振を低減する方策は独立して効果を奏するものであって、複数を採用することにより重畳して特性を良好にすることができる一方で、個々を独立して採用しても何ら問題はないからである。

（別発明１）
　圧電基板と、
　前記圧電基板の主面に位置する励振電極と、
　前記主面に位置し、前記励振電極に接続された容量素子と、
　を有し、
　前記励振電極は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
　前記容量素子は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
　前記容量素子の複数の電極指の、前記励振電極の複数の電極指に対する角度は、０°以上９０°未満であり、
　前記容量素子の複数の電極指は、屈曲または湾曲している
　弾性波装置。

（別発明２）
　圧電基板と、
　前記圧電基板の主面に位置する励振電極と、
　前記主面に位置し、前記励振電極に接続された容量素子と、
　を有し、
　前記励振電極は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
　前記容量素子は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
　前記容量素子の複数の電極指の、前記励振電極の複数の電極指に対する角度は、０°以上９０°未満であり、
　前記容量素子の複数の電極指の一部において、同一の櫛歯電極に属する２以上の電極指が互いに隣接している
　弾性波装置。

（別発明３）
　圧電基板と、
　前記圧電基板の主面に位置する励振電極と、
　前記主面に位置し、前記励振電極に接続された容量素子と、
　を有し、
　前記励振電極は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
　前記容量素子は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
　前記容量素子の複数の電極指の、前記励振電極の複数の電極指に対する角度は、０°以上９０°未満であり、
　前記容量素子の複数の電極指は、ピッチが変化している
　弾性波装置。

（別発明４）
　圧電基板と、
　前記圧電基板の主面に位置する励振電極と、
　前記主面に位置し、前記励振電極に接続された容量素子と、
　を有し、
　前記励振電極は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
　前記容量素子は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
　前記容量素子の複数の電極指の、前記励振電極の複数の電極指に対する角度は、０°以上９０°未満であり、
　前記容量素子の複数の電極指は、デューティー比が変化している
　弾性波装置。

　上記の別発明１～４は、いずれも、容量素子の複数の電極指の、励振電極の複数の電極指に対する角度が０°以上９０°未満であり、挿入損失の低減が図られる。角度が０°以上９０°未満とされると、励振電極の帯域外のスプリアスが大きくなりやすいが、容量素子の共振を低減する方策がなされていることから、スプリアスが低減される。全体として、良好な特性の弾性波装置が得られる。

　１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３ａ…第１主面（主面）、５…ＩＤＴ電極（励振電極）、９…カバー（絶縁体）、１３…圧電基板、２９…櫛歯電極、３１…容量素子。

Claims (11)

1. 　圧電基板と、
   　前記圧電基板の主面に位置する励振電極と、
   　前記主面に位置し、前記励振電極に接続された容量素子と、
   　前記励振電極および前記容量素子のうち前記容量素子のみに重なる絶縁体と、
   　を有した弾性波装置。
2. 　前記絶縁体は、
   　　前記励振電極を囲むとともに前記容量素子に重なる枠部と、
   　　前記枠部の開口を塞ぐ蓋部と、を有している
   　請求項１に記載の弾性波装置。
3. 　前記容量素子は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなる
   　請求項１または２に記載の弾性波装置。
4. 　前記励振電極は、並列に延びる複数の電極指を有し、当該複数の電極指が互いに交差するように配置された１対の櫛歯電極からなり、
   　前記容量素子の複数の電極指の、前記励振電極の複数の電極指に対する角度は、０°以上９０°未満である
   　請求項３に記載の弾性波装置。
5. 　前記角度は、４５°以下である
   　請求項４に記載の弾性波装置。
6. 　前記容量素子の複数の電極指は、互いに対向する１対のバスバーからその対向方向に傾斜する方向に延びている
   　請求項３～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
7. 　前記容量素子の複数の電極指は、屈曲または湾曲している
   　請求項３～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
8. 　前記容量素子の複数の電極指の一部において、同一の櫛歯電極に属する２以上の電極指が互いに隣接している
   　請求項３～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
9. 　前記容量素子の複数の電極指は、ピッチが変化している
   　請求項３～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
10. 　前記容量素子の複数の電極指は、デューティー比が変化している
    　請求項３～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
11. 　前記圧電基板に貼り合わされた支持基板をさらに有する
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。

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