KR102399689B1 - 탄성파 필터 장치 - Google Patents
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Abstract
대역통과형 필터의 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 저감할 수 있고, 상기 대역통과형 필터와 공통 접속된 다른 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 탄성파 필터 장치를 제공한다.
본 발명의 탄성파 필터 장치는, 안테나 단자와 제1 신호 단자 사이에 접속된 제1 탄성파 공진자를 가지며, 제1 통과 대역을 가지는 제1 대역통과형 필터와, 안테나 단자에 접속되어 있고 제1 통과 대역보다 고역 측의 제2 통과 대역을 가지는 제2 대역통과형 필터를 포함한다. 제1 탄성파 공진자는, 압전박막(7)을 표면에 포함하는 기판과, 상기 기판 상에 마련되어 있는 IDT 전극(5)과, 반사기(6a, 6b)를 가진다. 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 제1 탄성파 공진자(직렬암 공진자(S5))의 IDT 전극(5) 및 반사기(6a, 6b) 중 적어도 한쪽에서, 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르다.
본 발명의 탄성파 필터 장치는, 안테나 단자와 제1 신호 단자 사이에 접속된 제1 탄성파 공진자를 가지며, 제1 통과 대역을 가지는 제1 대역통과형 필터와, 안테나 단자에 접속되어 있고 제1 통과 대역보다 고역 측의 제2 통과 대역을 가지는 제2 대역통과형 필터를 포함한다. 제1 탄성파 공진자는, 압전박막(7)을 표면에 포함하는 기판과, 상기 기판 상에 마련되어 있는 IDT 전극(5)과, 반사기(6a, 6b)를 가진다. 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 제1 탄성파 공진자(직렬암 공진자(S5))의 IDT 전극(5) 및 반사기(6a, 6b) 중 적어도 한쪽에서, 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르다.
Description
본 발명은 복수개의 대역통과형 필터를 가지는 탄성파 필터 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파 필터 장치는 휴대전화기의 필터 등으로 널리 이용되고 있다. 하기의 특허문헌 1에 기재된 탄성파 필터 장치에서는 복수개의 탄성표면파 필터가 안테나 단자 측에서 공통 접속되어 있다. 한편, 상기 복수개의 탄성표면파 필터는 대역통과형 필터이다.
탄성표면파 필터에서는 공진 주파수보다 고역 측의 저지 대역에서 리플(ripple)이 생기는 경우가 많다. 복수개의 탄성표면파 필터가 공통 접속되어 있는 경우, 탄성표면파 필터에서 생긴 리플의 영향에 의해, 상기 탄성표면파 필터와 공통 접속된 다른 탄성표면파 필터의 통과 대역에서도 리플이 생기는 경우가 있었다. 그 때문에, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 탄성파 필터 장치에서는 공통 접속된 탄성표면파 필터의 삽입 손실이 열화(劣化)되는 경우가 있었다.
본 발명의 목적은 대역통과형 필터의 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 저감할 수 있고, 상기 대역통과형 필터와 공통 접속된 다른 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 탄성파 필터 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치는, 안테나에 접속되는 안테나 단자와, 상기 안테나 단자에 전기적으로 접속되어 있는 제1 신호 단자와, 상기 안테나 단자에 전기적으로 접속되어 있는 제2 신호 단자와, 상기 안테나 단자와 상기 제1 신호 단자 사이에 접속되어 있는 적어도 하나의 제1 탄성파 공진자를 가지면서, 제1 통과 대역을 가지는 제1 대역통과형 필터와, 상기 안테나 단자와 상기 제2 신호 단자 사이에 접속되어 있고, 상기 제1 통과 대역보다 고역 측인 제2 통과 대역을 가지는 제2 대역통과형 필터를 포함하고, 상기 제1 대역통과형 필터가 적어도 일부에 압전성을 가지는 기판을 가지며, 상기 제1 탄성파 공진자가, 상기 기판 상에 마련되어 있는 IDT 전극과, 상기 IDT 전극의 탄성파 전파 방향 양측에 배치되어 있는 반사기를 가지며, 상기 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극 및 상기 반사기 중 적어도 한쪽에서, 적어도 일부의 전극지(電極指) 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 IDT 전극에서, 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 다른 특정 국면에서는 상기 반사기의 전극지 피치가 상기 IDT 전극의 전극지 피치의 평균값과 다르다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 반사기에서, 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르다. 이 경우에는 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 한층 더 저감할 수 있고, 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 한층 더 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 IDT 전극과 상기 반사기 사이의 거리가, 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 파장의 평균값의 0.5배보다 짧다. 이 경우에는 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 한층 더 저감할 수 있고, 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 한층 더 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 대역통과형 필터가, 상기 안테나 단자와 상기 제1 신호 단자를 접속하고 있는 직렬암(series arm)과 그라운드 전위 사이에 접속되어 있는 제2 탄성파 공진자를 가지며, 상기 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 상기 제1 탄성파 공진자보다 상기 제1 신호 단자 측에 상기 제2 탄성파 공진자가 배치되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 대역통과형 필터가, 상기 안테나 단자와 상기 제1 신호 단자를 접속하고 있는 직렬암과 그라운드 전위 사이에 접속되어 있는 제2 탄성파 공진자를 가지며, 상기 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 상기 제1 탄성파 공진자보다 상기 안테나 단자 측에 상기 제2 탄성파 공진자가 배치되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는 상기 제1 대역통과형 필터가 래더(ladder)형 필터이고, 상기 제1 탄성파 공진자가 직렬암 공진자이며, 상기 제2 탄성파 공진자가 병렬암(parallel arm) 공진자이다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 대역통과형 필터가, 상기 안테나 단자와 상기 제1 신호 단자 사이에 접속되어 있는 종결합 공진자형 탄성파 필터를 더 가지며, 상기 제1 통과 대역이 상기 종결합 공진자형 탄성파 필터에 의해 구성되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 안테나 단자에 접속되어 있는, 상기 제1, 제2 대역통과형 필터 이외의 적어도 하나의 대역통과형 필터를 더 포함한다.
본 발명에 의하면, 대역통과형 필터의 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 저감할 수 있고, 상기 대역통과형 필터와 공통 접속된 다른 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 탄성파 필터 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 필터 장치의 모식적 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 모식적 정면 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태 및 비교예에서의, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자의 임피던스 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 확대도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시형태 및 비교예에서의 제1 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시형태의 변형예에서의 제1 대역통과형 필터의 회로도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제1, 제2 실시형태 및 비교예에서의, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자의 임피던스 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11의 확대도이다.
도 13은 본 발명의 제3 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 14는 본 발명의 제1, 제3 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 제4 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제4 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 제5 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 18은 본 발명의 제5 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 제6 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 모식적 정면 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태 및 비교예에서의, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자의 임피던스 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 확대도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시형태 및 비교예에서의 제1 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시형태의 변형예에서의 제1 대역통과형 필터의 회로도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제1, 제2 실시형태 및 비교예에서의, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자의 임피던스 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11의 확대도이다.
도 13은 본 발명의 제3 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 14는 본 발명의 제1, 제3 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 제4 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제4 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 제5 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 18은 본 발명의 제5 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 제6 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터의 회로도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 필터 장치의 모식적 회로도이다.
탄성파 필터 장치(1)는, 안테나에 접속되는 안테나 단자(3)와, 안테나 단자(3)에 전기적으로 접속되어 있는 제1, 제2 신호 단자(4a, 4b)를 가진다. 탄성파 필터 장치(1)는 안테나 단자(3)에 공통 접속되어 있는 제1~제4 대역통과형 필터(2a~2d)를 가진다. 제1 대역통과형 필터(2a)는 안테나 단자(3)와 제1 신호 단자(4a) 사이에 접속되어 있고, 제2 대역통과형 필터(2b)는 안테나 단자(3)와 제2 신호 단자(4b) 사이에 접속되어 있다.
본 실시형태에서는 제1~제4 대역통과형 필터(2a~2d)의 접속점과 안테나 단자(3) 사이에 임피던스 매칭용 인덕터(L1)가 접속되어 있다. 한편, 인덕터(L1)는 마련되어 있지 않아도 된다.
제1~제4 대역통과형 필터(2a~2d)는 각각 서로 다른 제1~제4 통과 대역을 가진다. 제1 통과 대역은 Band3의 송신 대역이고, 1710㎒ 이상, 1785㎒ 이하이다. 제2 통과 대역은 제1 통과 대역보다도 고역 측인 Band1의 송신 대역이고, 1920㎒ 이상, 1980㎒ 이하이다. 제3 통과 대역은 Band3의 수신 대역이고, 1805㎒ 이상, 1880㎒ 이하이다. 제4 통과 대역은 Band1의 수신 대역이고, 2110㎒ 이상, 2170㎒ 이하이다. 한편, 제1~제4 통과 대역은 상기에 한정되지 않고, 제2 통과 대역이 제1 통과 대역보다 고역 측이면 된다.
도 2는 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터의 회로도이다.
본 실시형태에서는 제1 대역통과형 필터(2a)는 복수개의 직렬암 공진자(S1~S5) 및 복수개의 병렬암 공진자(P1~P4)를 가지는 래더형 필터이다. 복수개의 직렬암 공진자(S1~S5)는 본 발명에서의 복수개의 제1 탄성파 공진자이다. 복수개의 병렬암 공진자(P1~P4)는 본 발명에서의 복수개의 제2 탄성파 공진자이다.
직렬암 공진자(S1~S5)는 안테나 단자(3)와 제1 신호 단자(4a) 사이에 서로 직렬로 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S5)가 안테나 단자(3)에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자이다.
병렬암 공진자(P1~P4)는, 안테나 단자(3)와 제1 신호 단자(4a)를 접속하고 있는 직렬암과 그라운드 전위 사이에 각각 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 직렬암 공진자(S1)와 직렬암 공진자(S2) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P1)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S2)와 직렬암 공진자(S3) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P2)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S3)와 직렬암 공진자(S4) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P3)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S4)와 직렬암 공진자(S5) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P4)가 접속되어 있다.
제1 대역통과형 필터(2a)는, 병렬암 공진자(P2~P4)의 그라운드 전위 측에 접속되어 있는 인덕터(L2)를 가진다. 병렬암 공진자(P2~P4)와 그라운드 전위 사이에 인덕터(L2)가 접속되어 있다.
한편, 제1 대역통과형 필터(2a)는 안테나 단자(3)에 가장 가깝게 배치되어 있는 제1 탄성파 공진자를 가지고 있으면 되고, 상기의 회로 구성에는 한정되지 않는다. 제2~제4 대역통과형 필터의 회로 구성도 특별히 한정되지 않는다.
본 실시형태의 특징은 직렬암 공진자(S5)의 후술하는 IDT 전극의 구성에 있다. 이하에서, 제1 대역통과형 필터(2a) 및 직렬암 공진자(S5)의 보다 구체적인 구성을 설명한다.
도 3은 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 모식적 정면 단면도이다.
제1 대역통과형 필터는 적어도 일부에 압전성을 가지는 기판을 포함한다. 본 실시형태에서의 기판은, 표면에 압전박막(7)을 포함하고, 압전박막(7)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 저속인 저음속막(8), 및 압전박막(7)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 지지 기판(9) 등의 적층체로 구성된다. 압전박막(7)은 커트 각 50°의 LiTaO3으로 이루어진다. 한편, 압전박막(7)의 커트 각 및 재료는 상기에 한정되지 않는다. 압전박막(7)은 예를 들면, LiNbO3 등의 LiTaO3 이외의 압전 단결정으로 이루어져 있어도 되고, 혹은 적절한 압전 세라믹스로 이루어져 있어도 된다.
저음속막(8)은 산화규소로 이루어진다. 한편, 저음속막(8)은 상대적으로 저음속인 재료로 이루어져 있으면 되고, 예를 들면, 유리, 산질화규소 또는 산화탄탈에 불소, 탄소나 붕소를 첨가한 화합물을 주성분으로 하는 재료 등으로 이루어진다.
지지 기판(9)은 Si로 이루어진다. 한편, 지지 기판(9)은 상대적으로 고음속인 재료로 이루어져 있으면 되고, 예를 들면, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 산질화규소, DLC막 또는 다이아몬드를 주성분으로 하는 재료 등으로 이루어진다.
이와 같이, 압전박막(7), 저음속막(8) 및 고음속 재료로 이루어지는 지지 기판(9)이 적층되어 있는 구조를 가짐으로써 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다. 또한, 기판은 기판 전체에 압전성을 가지고 있어도 된다. 이 경우, 기판은 압전체층 한 층으로 이루어지는 압전박막이다.
압전박막(7) 상에는 IDT 전극(5)이 마련되어 있다. IDT 전극(5)에 교류 전압을 인가함으로써 탄성파가 여진(勵振)된다. IDT 전극(5)의 탄성파 전파 방향 양측에는 반사기(6a, 6b)가 마련되어 있다. 이로써, 직렬암 공진자(S5)가 구성되어 있다.
IDT 전극(5) 및 반사기(6a, 6b)는 복수개의 금속층이 적층된 적층 금속막으로 이루어진다. 보다 구체적으로는, IDT 전극(5) 및 반사기(6a, 6b)는 압전박막(7) 상에 마련된 Ti층과 Ti층 상에 마련된 AlCu층을 가진다. 본 실시형태에서의 AlCu층은 Al 중에 Cu를 1중량% 포함하는 합금이다. 한편, IDT 전극(5) 및 반사기(6a, 6b)는 상기 이외의 적절한 금속으로 이루어져 있어도 되고, 단층의 금속막으로 이루어져 있어도 된다. IDT 전극(5)과 반사기(6a, 6b)는 서로 다른 재료로 이루어져 있어도 된다.
압전박막(7) 상에는, IDT 전극(5) 및 반사기(6a, 6b)를 덮도록 유전체막(10)이 마련되어 있다. 유전체막(10)은 특별히 한정되지 않지만, SiO2로 이루어진다. 유전체막(10)은 예를 들면 보호막으로서 기능한다. 한편, 유전체막(10)은 마련되어 있지 않아도 된다.
제1 대역통과형 필터에서의 각 층의 두께는 이하와 같다. IDT 전극(5)의 Ti층의 두께는 2㎚이고, AlCu층의 두께는 162㎚이다. 유전체막(10)의 두께는 25㎚이다. 압전박막(7)의 두께는 600㎚이다. 저음속막(8)의 두께는 670㎚이다. 지지 기판(9)의 두께는 125㎛이다. 한편, 상기 각 층의 두께는 상기에 한정되지 않는다.
도 4는 제1 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 한편, 도 4에서는 유전체막은 생략되어 있다. 후술하는 각 모식적 평면도에서도 마찬가지이다.
IDT 전극(5)은 복수개의 전극지(5a1)를 가진다. 직렬암 공진자(S5)에서는, IDT 전극(5)의 전극지 피치는 탄성파 전파 방향 외측을 향함에 따라 넓게 되어 있다. 보다 구체적으로는 탄성파 전파 방향 중앙에서의 전극지 피치는 1.07㎛이고, 탄성파 전파 방향에서의 가장 외측에서의 전극지 피치는 1.072㎛이다. IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값은 1.071㎛이다. 한편, 반사기(6a, 6b)도 복수개의 전극지(6a1, 6b1)를 각각 가진다. 반사기(6a, 6b)의 전극지 피치는 일정하며, 1.071㎛이다. 이와 같이, 반사기(6a, 6b)의 전극지 피치는 IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값과 동일하다. 반사기(6a)와 IDT 전극(5) 사이의 거리 및 반사기(6b)와 IDT 전극(5) 사이의 거리도 IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값과 동일하다.
한편, IDT 전극(5) 및 반사기(6a, 6b)의 듀티는 본 실시형태에서는 일정하다. 한편, IDT 전극(5) 및 반사기(6a, 6b)의 듀티는 반드시 일정하지 않아도 된다.
도 2에 나타낸 직렬암 공진자(S1~S4) 및 병렬암 공진자(P1~P4)도 IDT 전극의 전극지 피치 이외에는 직렬암 공진자(S5)와 동일한 구성을 가진다. 각 탄성파 공진자의 설계 파라미터를 하기의 표 1에 나타낸다. 여기서, IDT 전극을 탄성파 전파 방향에서 보아, 서로 이웃하는 전극지끼리가 겹쳐 있는 영역의 전극지가 연장되는 방향을 따르는 치수를 교차 폭으로 한다. 표 1에서의 파장은 IDT 전극 또는 반사기의 전극지 피치에 의해 규정되는 파장이다. IDT 전극과 반사기 사이의 거리는 IDT 전극의 파장을 λ로 하고, 파장 λ에 의해 규격화한 값이다. 한편, IDT 전극과 반사기 사이의 거리는, IDT 전극에서 반사기에 가장 가까운 전극지와, 반사기에서 IDT 전극에 가장 가까운 전극지의 전극지 중심간 거리이다.
한편, 각각의 전극지 피치나 듀티는 표 1의 값에는 한정되지 않고, 원하는 필터 특성에 따라 결정하면 된다.
본 실시형태에서는, 도 1에 나타내는 제3 대역통과형 필터(2c)는 제1 대역통과형 필터(2a)와 동일한 기판에서 구성되어 있다. 한편, 제2, 제4 대역통과형 필터(2b, 2d)는 제1, 제3 대역통과형 필터(2a, 2c)와는 다른 기판에서 구성되어 있다. 제2, 제4 대역통과형 필터(2b, 2d)는 커트 각 42° 이상, 45° 이하의 LiTaO3으로 이루어지는 압전박막을 표면에 가지는 기판에서 구성되어 있다.
한편, 제2~제4 대역통과형 필터(2b~2d)의 구성은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1~제4 대역통과형 필터(2a~2d)는 동일한 기판에서 구성되어 있어도 되고, 혹은 각각 다른 기판에서 구성되어 있어도 된다.
도 4로 되돌아가, 본 실시형태의 특징은 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자(S5)의 IDT 전극(5)에서, 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다른 것에 있다. 그로써, 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 저감할 수 있고, 제1 대역통과형 필터와 공통 접속된 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다. 이를, 본 실시형태와 비교예를 비교함으로써 이하에서 설명한다.
비교예의 탄성파 필터 장치는, 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자의 IDT 전극의 전극지 피치가 1.071㎛이고 일정한 점 이외에는 제1 실시형태의 탄성파 필터 장치와 동일한 구성을 가진다. 한편, 비교예의 상기 직렬암 공진자의 IDT 전극의 전극지 피치는, 제1 실시형태에서의 안테나에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 IDT 전극의 전극지 피치의 평균값과 동일하다.
도 5는 제1 실시형태 및 비교예에서의, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자의 임피던스 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 6은 도 5의 확대도이다. 도 7은 제1 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 5~도 7에서 실선은 제1 실시형태의 결과를 나타내고, 파선은 비교예의 결과를 나타낸다. 한편, 후술하는 도 8, 도 11, 도 12 및 도 14에서도 마찬가지이다.
도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 비교예의 직렬암 공진자에서는, 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역에 위치하는 1920㎒ 부근에서 리플이 생기고 있다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 상기 리플의 영향에 의해, 비교예의 제2 대역통과형 필터의 제2 통과 대역 내에서 리플이 생기고, 삽입 손실이 열화되어 있는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자에서 생긴 리플의, 제1 대역통과형 필터와 공통 접속된 다른 대역통과형 필터에 대한 영향은 특히 크다.
이에 반하여, 제1 실시형태에서는, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 접속되어 있는 직렬암 공진자에서, IDT 전극의 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르다. 그로써, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역에서의 리플을, 분산함으로써 억제할 수 있다. 이로써, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제2 대역통과형 필터의 제2 통과 대역에서 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
도 8은 제1 실시형태 및 비교예에서의 제1 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 제1 통과 대역에서, 제1 실시형태의 감쇠량 주파수 특성은 비교예의 감쇠량 주파수 특성과 거의 동일하게 되어 있고, 제1 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화는 거의 생기지 않은 것을 알 수 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에서는 상기 직렬암 공진자의 공진 주파수에서 리플이 생겼으나, 이 영향은 극히 작은 것을 알 수 있다.
한편, 제1 실시형태에서는 병렬암 공진자(P1~P4) 모두가 직렬암 공진자(S5)보다 제1 신호 단자(4a) 측에 배치되어 있다. 한편, 도 9에 나타내는 제1 실시형태의 변형예에서는, 제1 대역통과형 필터(72a)는 안테나 단자(3)와 직렬암 공진자(S5) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 접속되어 있는 병렬암 공진자(P75)를 가진다. 이와 같이, 직렬암 공진자(S5)보다 안테나 단자(3) 측에 병렬암 공진자(P75)가 배치되어 있어도 된다.
상술한 바와 같이, 제1, 제2 통과 대역은 특별히 한정되지 않는다. 물론, 제2 통과 대역에서, 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역에 생기는 리플의 영향이 큰 경우에 본 발명을 특히 알맞게 적용할 수 있다.
도 10은 제2 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
제2 실시형태에 따른 탄성파 필터 장치는, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 IDT 전극(25)이 제1~제3 영역(A~C)을 가지는 점에서 다르다. 상기의 점 이외에는, 제2 실시형태의 탄성파 필터 장치는 제1 실시형태의 탄성파 필터 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
제1 영역(A)은 IDT 전극(25)의 탄성파 전파 방향의 가장 외측에 위치하는 영역이다. IDT 전극(25)은 탄성파 전파 방향에서의 한쪽 단부(端部)를 포함하는 제1 영역(A)과 다른 쪽 단부를 포함하는 제1 영역(A)인 2개의 제1 영역(A)을 가진다. 제2 영역(B)은 제1 영역(A)보다도 탄성파 전파 방향 내측에 위치하면서, 제1 영역(A)에 인접해 있는 영역이다. IDT 전극(25)은 2개의 제2 영역(B)을 가진다. 제3 영역(C)은 가장 탄성파전파 방향 내측에 위치하는 영역이면서, 2개의 제2 영역(B)에 끼인 영역이다.
IDT 전극(25)의 전극지 피치는 제1 영역(A)에서는 1.072㎛이고, 제2 영역(B)에서는 1.071㎛이며, 제3 영역(C)에서는 1.07㎛이다. 제1 영역(A) 내에서는 전극지 피치는 일정하다. 마찬가지로, 제2 영역(B) 내 및 제3 영역(C) 내에서도 전극지 피치는 각각 일정하다. 한편, 본 실시형태에서는 IDT 전극(25)의 듀티는 일정하다.
이와 같이, 전극지 피치가 일정한 복수개의 영역을 가지면서, 상기 복수개의 영역 사이의 전극지 피치가 다른 것이 바람직하다. 이 경우에는 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역에서의 리플을 한층 더 억제할 수 있고, 제1 대역통과형 필터와 공통 접속된 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 한층 더 억제할 수 있다. 이를 하기의 도 11 및 도 12에 의해 나타낸다. 한편, 도 11 및 도 12에는 제1 실시형태 및 비교예의 결과도 함께 나타낸다.
도 11은 제1, 제2 실시형태 및 비교예에서의, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 직렬암 공진자의 임피던스 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 12는 도 11의 확대도이다. 도 11 및 도 12에서 일점쇄선은 제2 실시형태의 결과를 나타낸다.
도 11 및 도 12에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에서는 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역에서의 리플을 한층 더 억제할 수 있게 되어 있다. 따라서, 제2 대역통과형 필터의 통과 대역에서의 삽입 손실의 열화를 한층 더 억제할 수 있다.
도 13은 제3 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
제3 실시형태에 따른 탄성파 필터 장치는, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 반사기(36a, 36b)의 전극지 피치가 IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값보다 큰 점에서 다르다. 상기의 점 이외에는, 제3 실시형태의 탄성파 필터 장치는 제1 실시형태의 탄성파 필터 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
보다 구체적으로는 반사기(36a, 36b)의 전극지 피치는 1.079㎛이고, IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값인 1.071㎛보다 크다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, IDT 전극(5)에서 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르면서, 반사기(36a, 36b)의 전극지 피치가 IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값과 다르다. 그로써, 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 한층 더 억제할 수 있고, 제1 대역통과형 필터와 공통 접속된 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 한층 더 억제할 수 있다. 이를 하기의 도 14에 나타낸다. 한편, 도 14에는 제1 실시형태 및 비교예의 결과도 함께 나타낸다.
도 14는 제1, 제3 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 14에서는 일점쇄선은 제3 실시형태의 결과를 나타낸다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 제3 실시형태에서 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 한층 더 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.
도 15는 제4 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
제4 실시형태에 따른 탄성파 필터 장치는, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자(S45)에서, IDT 전극(5)과 반사기(6a) 사이의 거리 및 IDT 전극(5)과 반사기(6b) 사이의 거리가 제1 실시형태와 다르다. 상기의 점 이외에는, 제4 실시형태의 탄성파 필터 장치는 제1 실시형태의 탄성파 필터 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
상술한 바와 같이, 제1 실시형태에서는, IDT 전극(5)과 반사기(6a) 사이의 거리 및 IDT 전극(5)과 반사기(6b) 사이의 거리는 IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값과 동일하다. 한편, 본 실시형태에서는, IDT 전극(5)과 반사기(6a) 사이의 거리 및 IDT 전극(5)과 반사기(6b) 사이의 거리는 IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값의 0.47배이다.
본 실시형태에서는, IDT 전극(5)의 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르면서, IDT 전극(5)과 반사기(6a) 사이의 거리 및 IDT 전극(5)과 반사기(6b)의 거리는 IDT 전극(5)의 전극지 피치의 평균값의 0.5배보다 짧다. 그로써, 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 한층 더 억제할 수 있고, 제1 대역통과형 필터와 공통 접속된 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 한층 더 억제할 수 있다. 이를 하기의 도 16에 나타낸다.
도 16은 제4 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 14에서는 실선은 제4 실시형태의 결과를 나타내고, 파선은 상술한 비교예의 결과를 나타낸다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 제4 실시형태에서 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있게 되어 있는 것을 알 수 있다.
한편, IDT 전극(5)과 반사기(6a) 사이의 거리 및 IDT 전극(5)과 반사기(6b) 사이의 거리는 0.45λ 이상인 것이 바람직하다. 이 경우에는 직렬암 공진자(S45)를 용이하게 형성할 수 있다.
제1~제4 실시형태에서는, IDT 전극의 탄성파 전파 방향 중앙측 영역의 전극지 피치보다 탄성파 전파 방향 외측 영역의 전극지 피치가 크게 되어 있는데, 전극지 피치가 다른 양태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 탄성파 전파 방향 중앙측 영역의 전극지 피치보다 탄성파 전파 방향 외측 영역의 전극지 피치가 작게 되어 있어도 된다.
제1~제4 실시형태에서는, IDT 전극의 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 달랐는데, 반사기의 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 달라도 된다. 이 예를 이하에서 나타낸다.
도 17은 제5 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
제5 실시형태에 따른 탄성파 필터 장치에서는, 제1 대역통과형 필터에서 안테나 단자에 가장 가깝게 배치된 직렬암 공진자의 IDT 전극(55)의 전극지 피치는 일정하다. 상기 직렬암 공진자의 반사기(56a, 56b)는 영역(D)을 가지며, 영역(D)의 전극지 피치는 다른 부분의 전극지 피치와 다르다. 이들 점에서 제5 실시형태의 탄성파 필터 장치는 제1 실시형태와 다르다. 상기의 점 이외에는, 제5 실시형태의 탄성파 필터 장치는 제1 실시형태의 탄성파 필터 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
본 실시형태에서는 IDT 전극(55)의 전극지 피치에 의해 규정되는 파장은 2.142㎛이다. 반사기(56a, 56b)에서의 영역(D)의 전극지 피치에 의해 규정되는 파장은 2.174㎛이며, 다른 부분의 전극지 피치에 의해 규정되는 파장은 2.142㎛이다. 한편, 도 17에서는 모식적으로 나타내고 있지만, 반사기(56a)의 전극지는 21개이며, 영역(D)은 탄성파 전파 방향 중앙의 7개의 전극지 부분에 위치한다. 반사기(56b)는 반사기(56a)와 동일한 구성을 가진다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, IDT 전극(55)의 전극지 피치가 일정하면서, 반사기(56a, 56b)의 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르다. 이 경우에도 제1 대역통과형 필터의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역에서의 리플을 억제할 수 있고, 제1 대역통과형 필터와 공통 접속된 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다. 이를 하기의 도 18에 나타낸다.
도 18은 제5 실시형태 및 비교예에서의 제2 대역통과형 필터의 감쇠량 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 18에서 실선은 제5 실시형태의 결과를 나타내고, 파선은 상술한 비교예의 결과를 나타낸다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 제5 실시형태에서도 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.
제1~제5 실시형태에서 나타낸 바와 같이, 제1 대역통과형 필터에서, IDT 전극 및 반사기 중 적어도 한쪽에서, 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르면 된다. 그로써, 상술한 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
제1~제5 실시형태에서는 제1 대역통과형 필터는 래더형 필터이지만, 제1 대역통과형 필터는, 제1 통과 대역이 종결합 공진자형 탄성파 필터에 의해 구성되어 있는 대역통과형 필터이어도 된다. 이 예를 이하에서 나타낸다.
도 19는 제6 실시형태에서의 제1 대역통과형 필터의 회로도이다.
제6 실시형태에 따른 탄성파 필터 장치는 제1 대역통과형 필터(62a)의 구성이 제1 실시형태와 다르다. 상기의 점 이외에는, 제6 실시형태의 탄성파 필터 장치는 제1 실시형태의 탄성파 필터 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
제1 대역통과형 필터(62a)는, 안테나 단자(3)와 제1 신호 단자(4a) 사이에 접속되어 있는 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)를 가진다. 제1 대역통과형 필터(62a)의 제1 통과 대역은 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)에 의해 구성되어 있다. 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)와 안테나 단자(3) 사이에는 탄성파 공진자(S61, S62)가 서로 직렬로 접속되어 있다. 탄성파 공진자(S61)와 탄성파 공진자(S62) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에는 탄성파 공진자(P61)가 접속되어 있다. 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)와 제1 신호 단자(4a) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에는 탄성파 공진자(P62)가 접속되어 있다.
본 실시형태에서는 탄성파 공진자(S61, S62)가 본 발명에서의 제1 탄성파 공진자이고, 탄성파 공진자(P61, P62)가 본 발명에서의 제2 탄성파 공진자이다. 탄성파 공진자(S61)가 안테나 단자(3)에 가장 가깝게 배치된 제1 탄성파 공진자이다. 탄성파 공진자(S61)는 제1 실시형태에서의 직렬암 공진자(S5)와 동일한 구성을 가진다. 그로써, 제1 대역통과형 필터(62a)의 제1 통과 대역보다 고역 측의 저지 대역의 리플을 저감할 수 있고, 제1 대역통과형 필터(62a)와 공통 접속된 제2 대역통과형 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
한편, 제1 대역통과형 필터(62a)는 적어도 하나의 제1 탄성파 공진자를 가지고 있으면 된다. 제1 대역통과형 필터(62a)는 제2 탄성파 공진자를 가지고 있지 않아도 된다.
제1~제6 실시형태에서는 탄성파 필터 장치가 제1~제4 대역통과형 필터를 가지는 쿼드플렉서(quadplexer)인 예를 나타냈는데, 탄성파 필터 장치는 쿼드플렉서 이외의 멀티플렉서이어도 된다. 또한, 본 발명에 따른 탄성파 필터 장치는, 적어도 상기 제1 대역통과형 필터와, 제2 통과 대역이 제1 통과 대역보다 고역 측인 제2 대역통과형 필터를 가지고 있으면 된다.
1: 탄성파 필터 장치
2a~2d: 제1~제4 대역통과형 필터
3: 안테나 단자
4a, 4b: 제1, 제2 신호 단자
5: IDT 전극
5a1: 전극지
6a, 6b: 반사기
6a1, 6b1: 전극지
7: 압전박막
8: 저음속막
9: 지지 기판
10: 유전체막
25: IDT 전극
36a, 36b: 반사기
55: IDT 전극
56a, 56b: 반사기
62a: 제1 대역통과형 필터
67: 종결합 공진자형 탄성파 필터
72a: 제1 대역통과형 필터
L1, L2: 인덕터
P1~P4, P75: 병렬암 공진자
P61, P62: 탄성파 공진자
S1~S5, S45: 직렬암 공진자
S61, S62: 탄성파 공진자
2a~2d: 제1~제4 대역통과형 필터
3: 안테나 단자
4a, 4b: 제1, 제2 신호 단자
5: IDT 전극
5a1: 전극지
6a, 6b: 반사기
6a1, 6b1: 전극지
7: 압전박막
8: 저음속막
9: 지지 기판
10: 유전체막
25: IDT 전극
36a, 36b: 반사기
55: IDT 전극
56a, 56b: 반사기
62a: 제1 대역통과형 필터
67: 종결합 공진자형 탄성파 필터
72a: 제1 대역통과형 필터
L1, L2: 인덕터
P1~P4, P75: 병렬암 공진자
P61, P62: 탄성파 공진자
S1~S5, S45: 직렬암 공진자
S61, S62: 탄성파 공진자
Claims (10)
- 안테나에 접속되는 안테나 단자와,
상기 안테나 단자에 전기적으로 접속되어 있는 제1 신호 단자와,
상기 안테나 단자에 전기적으로 접속되어 있는 제2 신호 단자와,
상기 안테나 단자와 상기 제1 신호 단자 사이에 접속되어 있는 복수의 제1 탄성파 공진자를 가지면서, 제1 통과 대역을 가지는 제1 대역통과형 필터와,
상기 안테나 단자와 상기 제2 신호 단자 사이에 접속되어 있고, 상기 제1 통과 대역보다 고역 측인 제2 통과 대역을 가지는 제2 대역통과형 필터를 포함하고,
상기 제1 대역통과형 필터가 적어도 일부에 압전성을 가지는 기판을 가지며, 상기 제1 탄성파 공진자가 상기 기판 상에 마련되어 있는 IDT 전극과, 상기 IDT 전극의 탄성파 전파 방향 양측에 배치되어 있는 반사기를 가지며,
상기 복수의 제1 탄성파 공진자 중 상기 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극에서, 적어도 일부의 전극지(電極指) 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다르고,
상기 복수의 제1 탄성파 공진자 중 상기 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극은 탄성파 전파 방향으로 늘어선 3종류 이상의 영역을 가지고, 상기 3종류 이상의 영역 중 동일한 종류의 영역은 전극지 피치가 동일하고, 서로 다른 종류의 영역은 전극지 피치가 서로 다른, 탄성파 필터 장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 반사기의 전극지 피치가 상기 IDT 전극의 전극지 피치의 평균값과 다른, 탄성파 필터 장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 탄성파 공진자 중 상기 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 상기 제1 탄성파 공진자의 상기 IDT 전극 및 상기 반사기에서, 적어도 일부의 전극지 피치가 다른 부분의 전극지 피치와 다른, 탄성파 필터 장치. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 IDT 전극과 상기 반사기 사이의 거리가, 상기 IDT 전극의 전극지 피치에 의해 규정되는 파장의 평균값의 0.5배보다 짧은, 탄성파 필터 장치. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1 대역통과형 필터가, 상기 안테나 단자와 상기 제1 신호 단자를 접속하고 있는 직렬암(series arm)과 그라운드 전위 사이에 접속되어 있는 제2 탄성파 공진자를 가지며,
상기 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 상기 제1 탄성파 공진자보다 상기 제1 신호 단자 측에 상기 제2 탄성파 공진자가 배치되어 있는, 탄성파 필터 장치. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1 대역통과형 필터가, 상기 안테나 단자와 상기 제1 신호 단자를 접속하고 있는 직렬암과 그라운드 전위 사이에 접속되어 있는 제2 탄성파 공진자를 가지며,
상기 안테나 단자에 가장 가깝게 배치되어 있는 상기 제1 탄성파 공진자보다 상기 안테나 단자 측에 상기 제2 탄성파 공진자가 배치되어 있는, 탄성파 필터 장치. - 제6항에 있어서,
상기 제1 대역통과형 필터가 래더(ladder)형 필터이며, 상기 제1 탄성파 공진자가 직렬암 공진자이고, 상기 제2 탄성파 공진자가 병렬암(parallel arm) 공진자인, 탄성파 필터 장치. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1 대역통과형 필터가, 상기 안테나 단자와 상기 제1 신호 단자 사이에 접속되어 있는 종결합 공진자형 탄성파 필터를 더 가지며, 상기 제1 통과 대역이 상기 종결합 공진자형 탄성파 필터에 의해 구성되어 있는, 탄성파 필터 장치. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 안테나 단자에 접속되어 있는, 상기 제1, 제2 대역통과형 필터 이외의 적어도 하나의 대역통과형 필터를 더 포함하는, 탄성파 필터 장치.
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| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |