JP2013118444A - 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】好適に弾性波素子を実装基板に表面実装できる弾性波デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス５１の製造方法は、ＳＡＷ素子１を準備する素子準備工程（図４（ａ）〜図５（ａ））と、実装面５３ａに接続電極５５が形成された実装基板５３を準備する基板準備工程とを備えている。ＳＡＷ素子１は、圧電基板３と、該圧電基板３の一面上に位置する励振電極５と、該励振電極５を覆うカバー９と、励振電極５と電気的に接続され、カバー９の天面９ａが面する側へ露出する外部電極７とを有している。更に、ＳＡＷデバイス５１の製造方法は、カバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに重ねた状態で外部電極７をバンプ５７を介して接続電極５５に接合する接合工程（図５（ｃ））を備えている。
【選択図】図３

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の弾性波素子を含む弾性波デバイス及びその製造方法に関する。

励振電極を覆うカバーが設けられた弾性波素子が知られている。例えば、特許文献１のＳＡＷ素子は、圧電基板と、圧電基板の主面に形成されたＩＤＴ（InterDigital Transducer）と、ＩＤＴ上の空間を封止するカバーと、カバー天面にて露出する外部電極とを有している。このＳＡＷ素子は、カバー天面を実装基板に対向させて、外部電極と実装基板の接続電極との間に介在する半田により表面実装される。その後、ＳＡＷ素子は、他の電子部品と共に封止樹脂に覆われる。カバー天面と実装基板との間には、外部電極、半田及び接続電極の厚みに相当する隙間があり、当該隙間にも封止樹脂が充填される。

特開２００２−２１７６７３号公報

特許文献１の技術では種々の不都合が生じる。例えば、上記の製造方法では、封止樹脂を充填したときに、その圧力がカバー天面に加えられ、ＩＤＴ上の空間が潰れるおそれがある。また、例えば、カバー天面と実装基板との間に封止樹脂が流れ込むときに予期していないボイドが形成され、当該ボイド内の気体がカバーの変形等の要因となる熱膨張を生じるおそれがある。

本発明の目的は、カバーを有する弾性波素子が実装基板に好適に表面実装される弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイスを提供することにある。

本発明の一態様に係る弾性波デバイスの製造方法は、圧電基板と、該圧電基板の一面上に位置する励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの天面が面する側へ露出する外部電極とを有する弾性波素子を準備する素子準備工程と、実装面に接続電極が形成された実装基板を準備する基板準備工程と、前記カバーの天面を前記実装面に直接に又は所定の材料を介して間接に重ねた状態で前記外部電極をバンプを介して前記接続電極に接合する接合工程と、を備える。

好適には、前記素子準備工程では、前記圧電基板の前記一面上に層状に前記外部電極を形成する。

好適には、前記接合工程では、前記カバーの天面を前記実装面に接着させる。

好適には、前記製造方法は、前記素子準備工程後、前記接合工程前に、前記カバーの天面に接着剤を配置する接合準備工程を更に有し、前記接合工程では、前記接着剤を硬化させて前記カバーの天面を前記実装面に接着させる。

好適には、前記製造方法は、前記基板準備工程後、前記接合工程前に、前記実装面に接着剤を配置する接合準備工程を更に有し、前記接合工程では、前記接着剤を硬化させて前記カバーの天面を前記実装面に接着させる。

好適には、前記素子準備工程では、少なくとも天面側部分が未硬化の樹脂からなる前記カバーを形成し、前記接合工程では、前記未硬化の樹脂を硬化させて前記カバーの天面を前記実装面に接着させる。

本発明の一態様に係る弾性波デバイスは、圧電基板と、該圧電基板の一面上に位置する励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの天面が面する側へ露出する外部電極とを有する弾性波素子と、接続電極が実装面に形成された実装基板と、前記外部電極と前記接続電極とを接合するバンプと、を有し、前記カバーの天面は前記実装面に直接に又は所定の材料を介して間接に重ねられており、前記弾性波素子の前記実装面とは反対側の面及び側面は雰囲気に晒されている。

本発明の一態様に係る弾性波デバイスは、圧電基板と、該圧電基板の一面上に位置する励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの天面が面する側へ露出する外部電極とを有する弾性波素子と、接続電極が実装面に形成された実装基板と、前記外部電極と前記接続電極とを接合するバンプと、前記弾性波素子を覆う封止材と、を有し、前記カバーの天面は前記実装面に直接に若しくは前記封止材とは異なる材料を介して間接に重ねられている。

上記の構成によれば、カバーを有する弾性波素子が実装基板に好適に表面実装される。

本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷデバイスに含まれるＳＡＷ素子の外観を示す斜視図。 図１のＳＡＷ素子の一部を破断して示す斜視図。 第１の実施形態に係るＳＡＷデバイスを示す、図１のIII−III線に対応する断面図。 図４（ａ）〜図４（ｄ）は図３のＳＡＷデバイスの製造方法を説明する断面図。 図５（ａ）〜図５（ｃ）は図４（ｄ）の続きを示す断面図。 第２の実施形態に係るＳＡＷデバイスの製造方法を説明する断面図。 第３の実施形態に係るＳＡＷデバイスを示す断面図。 第４の実施形態に係るＳＡＷデバイスに含まれるＳＡＷ素子の外観を示す斜視図。 第４の実施形態に係るＳＡＷデバイスを示す、図８のIX−IX線に対応する断面図。 第５の実施形態に係るＳＡＷデバイスを示す断面図。 第６の実施形態に係るＳＡＷデバイスを示す断面図。

以下、本発明の実施形態に係る弾性波デバイスについて、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

また、各実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。

＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷデバイスの構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷデバイス５１（図３参照）に含まれるＳＡＷ素子１の外観を示す斜視図である。また、図２は、ＳＡＷ素子１の一部を破断して示す斜視図である。

なお、ＳＡＷ素子１（ＳＡＷデバイス５１）は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、ＳＡＷ素子１に対して直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面（天面）若しくは下面の語を用いることがあるものとする。

ＳＡＷ素子１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ素子により構成されており、圧電基板３と、圧電基板３の第１主面３ａ上に設けられた励振電極５（図２）と、第１主面３ａ上に設けられ、励振電極５と接続された外部電極７と、励振電極５を覆うとともに外部電極７を露出させるカバー９（図１）と、圧電基板３の第２主面３ｂに設けられた裏面部１１とを有している。

ＳＡＷ素子１は、複数の外部電極７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、励振電極５等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ素子１は、フィルタリングした信号を複数の外部電極７のいずれかを介して出力する。各部材の具体的構成は以下のとおりである。

圧電基板３は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。圧電基板３は、例えば、直方体状に形成されており、互いに平行かつ平坦な第１主面３ａ及び第２主面３ｂを有している。圧電基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（ｘ方向又はｙ方向）は０．５ｍｍ〜２ｍｍである。

励振電極５（図２）は、第１主面３ａ上に層状（平板状）に形成されている。励振電極５は、いわゆるＩＤＴ（Interdigital Transducer）であり、一対の櫛歯状電極１３を有している。各櫛歯状電極１３は、圧電基板３における弾性表面波の伝搬方向（本実施形態ではｘ方向）に延びるバスバー１３ａと、バスバー１３ａから上記伝搬方向に直交する方向（本実施形態ではｙ方向）に伸びる複数の電極指１３ｂとを有している。２つの櫛歯状電極１３同士は、それぞれの電極指１３ｂが互いに噛み合う（交差する）ように設けられている。

なお、図２は模式図であることから、数本の電極指１３ｂを有する２対の櫛歯状電極１３を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極１３が設けられてよい。また、複数の励振電極５が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型ＳＡＷフィルタが構成されてもよいし、複数の励振電極５がｘ方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタが構成されてもよい。

外部電極７は、第１主面３ａ上に層状に形成されている。外部電極７の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、円形である。外部電極７の数及び配置位置は、励振電極５によって構成されるフィルタの構成等に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの外部電極７が第１主面３ａの外周に沿って配列されている場合を例示している。

第１主面３ａ上には、励振電極５及び外部電極７の他に、励振電極５同士の接続、励振電極５と外部電極７との接続若しくは外部電極７同士の接続のための配線１５（図２）が設けられている。配線１５は、第１主面３ａ上に層状に形成されている。なお、配線１５は、第１主面３ａ上に形成された部分だけでなく、当該部分に対して絶縁体を介在させた状態で立体交差する部分を有していてもよい。

励振電極５、外部電極７及び配線１５（の第１主面３ａ上に形成された部分）は、例えば、互いに同一の導電材料によって構成されている。導電材料は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金である。また、励振電極５、外部電極７及び配線１５は、例えば、互いに同一の厚さで形成されており、これらの厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。

なお、外部電極７は、励振電極５と同一の材料及び厚さの層に加えて、バンプ５７（図３参照）との接続性を高める等の目的で接続強化層を有していてもよい。例えば、外部電極７は、Ａｌ−Ｃｕ合金の層に重ねられたニッケルの層と、ニッケルの層に重ねられた金の層とを有していてもよい。

カバー９は、第１主面３ａ上に設けられ、第１主面３ａの平面視において励振電極５を囲む枠部１７（図１及び図２）と、枠部１７に重ねられ、枠部１７の開口を塞ぐ蓋部１９（図１）とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部１７及び蓋部１９により囲まれた空間により、励振電極５の振動を容易化する振動空間２１（図２）が形成されている。

枠部１７は、概ね一定の厚さの層に振動空間２１となる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることにより構成されている。枠部１７の厚さ（振動空間２１の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部１９は、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部１９の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。なお、枠部１７及び蓋部１９が概ね一定の厚さの層により構成されていることから、カバー９（蓋部１９）の天面９ａは、概ね第１主面３ａに対して平行な平面に形成されている。

枠部１７の内縁及び外縁の平面形状及び蓋部１９の平面形状は適宜に設定されてよい。本実施形態では、振動空間２１の４隅側に位置する外部電極７を避けつつ振動空間２１の面積を広く確保できるように、枠部１７（の外縁）及び蓋部１９は、概ね矩形において、外部電極７の位置に切り欠きが形成された形状とされている。なお、本実施形態では、枠部１７の外縁と蓋部１９とは互いに同一の形状及び大きさとされているが、これらは互いに異なっていてもよい。

枠部１７及び蓋部１９は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１７と蓋部１９との境界線を明示するが、現実の製品においては、枠部１７と蓋部１９とは、同一材料により一体的に形成されていてもよい。

カバー９（枠部１７及び蓋部１９）は、例えば、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。

裏面部１１は、特に図示しないが、例えば、圧電基板３の第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により圧電基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、圧電基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部１１は、図示や説明が省略されることがある。

図３は、ＳＡＷ素子１を含むＳＡＷデバイス５１の一部を示す、図１のIII−III線に対応する断面図である。なお、図３の紙面上方側は、図１の紙面下方側に対応している。

図１及び図２では図示を省略したが、ＳＡＷ素子１において、圧電基板３の第１主面３ａ上には、励振電極５等を覆う保護層２５が設けられている。保護層２５は、励振電極５の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、又は、シリコンによって形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、励振電極５の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、又は励振電極５よりも厚く、２００ｎｍ〜７００ｎｍである。

ＳＡＷデバイス５１は、実装基板５３と、実装基板５３の実装面５３ａ上に設けられた接続電極５５と、接続電極５５上に配置されたバンプ５７と、バンプ５７を介して実装面５３ａに実装されたＳＡＷ素子１と、実装面５３ａとカバー９との間に介在する接着剤５９とを有している。ＳＡＷデバイス５１は、この他に、実装面５３ａに実装されて実装基板５３を介してＳＡＷ素子１と接続された不図示のＩＣ等を有し、モジュールを構成していてもよい。

なお、ＳＡＷデバイス５１は、ＳＡＷ素子１の側面及び裏面（実装面５３ａとは反対側の面）を覆う封止樹脂を有していない。換言すれば、ＳＡＷ素子１（その側面及び裏面）は雰囲気に晒されている。

実装基板５３は、例えば、接続電極５５とともに、若しくは接続電極５５及びバンプ５７とともに、プリント配線板により構成されている。プリント配線板は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。また、プリント配線板は、１層板であってもよいし、２層板であってもよいし、多層板であってもよい。また、プリント配線板の基材、絶縁材料、及び導電材料は適宜な材料から選択されてよい。

バンプ５７は、例えば、加熱によって溶融し、その後、加熱が停止（冷却）されることにより硬化（接着）する金属によって形成されている。バンプ５７は、例えば、はんだにより構成されている。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。

ＳＡＷ素子１は、カバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに対向させて配置されている。そして、ＳＡＷ素子１の外部電極７は、バンプ５７によって接続電極５５に接着されることにより、電気的に接続電極５５に接続されている。なお、接続電極５５、バンプ５７及び外部電極７の合計の厚みは、カバー９の厚みよりも大きい。

接着剤５９は、カバー９の天面９ａと実装基板５３の実装面５３ａとの間に介在して、天面９ａと実装面５３ａとを接着している。接着剤５９は、例えば、カバー９の天面９ａの全面に亘って天面９ａと実装面５３ａとを接着している。接着剤５９の厚みは、例えば、カバー９の天面９ａに亘って概ね一定である。また、当該厚みは、ＳＡＷデバイス５１の薄型化の観点から、好適には、カバー９の厚みよりも薄く、より好適には蓋部１９の厚みよりも薄く、例えば、１０〜２０μｍである。

接着剤５９は、例えば、熱硬化性樹脂を含んで構成されている。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂である。なお、接着剤５９は、これらの樹脂に比較して熱膨張率が低いフィラーを含んでいてもよい。フィラーは、例えば、無機材料（例えばシリカ）により構成される。また、接着剤５９の材料は、カバー９の材料と異なっていてもよいし同一であってもよい。

（ＳＡＷデバイスの製造方法）
図４（ａ）〜図５（ｃ）は、ＳＡＷデバイス５１の製造方法を説明する断面図（図１のIII−III線に対応）である。製造工程は、図４（ａ）から図５（ｃ）まで順に進んでいく。

ＳＡＷデバイス５１の製造方法のうち、ＳＡＷ素子１の製造方法に対応する図４（ａ）〜図５（ａ）（若しくは図５（ｂ））の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって圧電基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィーなどが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ素子１が並行して形成される。ただし、図４（ａ）〜図５（ａ）では、１つのＳＡＷ素子１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。

図４（ａ）に示すように、まず、圧電基板３の第１主面３ａ上には、励振電極５、外部電極７及び配線１５（図４（ａ）では不図示）が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、励振電極５、配線１５及び外部電極７が形成される。

励振電極５等が形成されると、図４（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法若しくはＣＶＤである。次に、外部電極７が露出するように、フォトリソグラフィー法等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。

保護層２５が形成されると、図４（ｃ）に示すように、枠部１７となる、感光性樹脂からなる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、フィルムが貼り付けられることによって形成される。フィルムは、例えば、ベースフィルム３１と、ベースフィルム３１に重ねられ、枠部１７となる樹脂層とを有しており、樹脂層を保護層２５に密着させた後、矢印ｙ１によって示すように、ベースフィルム３１が剥がされる。なお、枠部１７となる薄膜は、保護層２５と同様の薄膜形成法によって形成されてもよい。

枠部１７となる薄膜が形成されると、図４（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間２１を構成する開口、及び、外部電極７を露出させる切り欠きが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部１７が形成される。なお、枠部１７となる薄膜がフィルムの貼り付けによって形成される場合において、ベースフィルム３１を剥がす工程は、フォトリソグラフィーの後に行われてもよい。

枠部１７が形成されると、図５（ａ）に示すように、蓋部１９が形成される。蓋部１９の形成方法は、概ね枠部１７の形成方法と同様である。具体的には、まず、蓋部１９となる、感光性樹脂からなる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、枠部１７と同様にフィルムの貼り付けによって形成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等により、外周部分が除去されてパターニングされる。

なお、枠部１７及び蓋部１９は、現像終了時に既に十分に硬化していてもよいし、現像後、次の図５（ｂ）に示す工程に進む前までにポストベークが行われて十分に硬化されてもよいし、次の図５（ｂ）に示す工程に進む時点において未硬化（半硬化）の状態のままとされ、その後の適宜な時期（例えば後述するリフロー工程）において加熱されて十分に硬化されてもよい。

蓋部１９が形成されると、図５（ｂ）に示すように、カバー９の天面９ａに未硬化の接着剤５９を配置する。接着剤５９は、例えば、スクリーン印刷等の印刷によって配置されてもよいし、ディスペンサーによって配置されてもよい。また、接着剤５９は、枠部１７等と同様に薄膜形成法及びフォトリソグラフィーによって配置され、半硬化の状態とされていてもよい。

接着剤５９が配置されると、ＳＡＷ素子１は、ウェハから切り出される。なお、接着剤５９は、ＳＡＷ素子１がウェハから切り出された後にカバー９の天面９ａに配置されてもよい。

上記のＳＡＷ素子１の準備工程とは別に、接続電極５５が設けられた実装基板５３を準備する工程が進められる。当該工程は、公知のプリント配線板の製造工程と同様でよく、図示は省略する。

その後、図５（ｃ）に示すように、接続電極５５上には、バンプ５７が設けられる。バンプ５７は、例えば、蒸着法、めっき法若しくは印刷法によって形成される。そして、ＳＡＷ素子１がカバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに対向させるようにして、実装面５３ａ上に配置される。

この時点において、実装面５３ａからバンプ５７の頂部（ｚ方向の負側の部分）までの高さは、ＳＡＷ素子１における外部電極７から接着剤５９の表面（ｚ方向の正側の面）までの高さよりも大きい。従って、ＳＡＷ素子１は、外部電極７がバンプ５７に当接することにより実装基板５３に支持され、接着剤５９は実装面５３ａに対して微小隙間で対向する。

次に、実装基板５３及びＳＡＷ素子１は、リフロー炉等により加熱される。加熱によりバンプ５７は溶融し、その結果、ＳＡＷ素子１は重力により下降し、接着剤５９は実装面５３ａに当接する。換言すれば、カバー９の天面９ａは、接着剤５９を介して実装面５３ａに重ねられる。そして、接着剤５９は、加熱によって硬化して天面９ａと実装面５３ａとを接着する。その後、バンプ５７は冷却されて硬化し、外部電極７と接続電極５５とを接着する。なお、バンプ５７は、セルフアライメント効果が適切に得られるようにカバー９に当接していないことが好ましいが、カバー９に当接してしまってもよい。

以上のとおり、本実施形態のＳＡＷデバイス５１の製造方法は、ＳＡＷ素子１を準備する素子準備工程（図４（ａ）〜図５（ａ））と、実装面５３ａに接続電極５５が形成された実装基板５３を準備する基板準備工程とを備えている。ＳＡＷ素子１は、圧電基板３と、該圧電基板３の一面上に位置する励振電極５と、該励振電極５を覆うカバー９と、励振電極５と電気的に接続され、カバー９の天面９ａが面する側へ露出する外部電極７とを有している。

更に、本実施形態の製造方法は、カバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに重ねた状態で外部電極７をバンプ５７を介して接続電極５５に接合する接合工程（図５（ｃ））を備えている。換言すれば、天面９ａの少なくとも一部の範囲において、天面９ａと実装面５３ａとの間の隙間が無い状態で、バンプ５７による接合が行われる。

従って、例えば、仮にＳＡＷ素子１を覆う封止樹脂が供給されても、カバー９の天面９ａと実装基板５３の実装面５３ａとの間に封止樹脂は充填されず、充填時の圧力によって振動空間２１が潰れるようなカバー９の変形が抑制されることが期待される。また、例えば、封止樹脂が天面９ａと実装面５３ａとの隙間に充填される際に予期していないボイドが形成されることが抑制されることも期待される。また、例えば、従来においては、天面９ａと実装面５３ａとの隙間に封止樹脂が流れ込むことが可能に、当該隙間の大きさをある程度確保することが必要であったが、本実施形態においては、そのような観点からの設計の制約は生じない。その結果、例えば、接着剤５９を薄くし、ＳＡＷデバイス全体の薄型化を図ったり、天面９ａと実装面５３ａとの間の材料（本実施形態では接着剤５９、従来においては封止樹脂）による熱膨張の抑制を図ったりすることができる。

また、素子準備工程（図４（ａ）〜図５（ａ））では、圧電基板３の一面上に層状に外部電極７を形成する（図４（ａ））。

従って、外部電極がカバー９の天面９ａにおいて露出している場合（後述する第４の実施形態（図８及び図９）参照）に比較して、バンプ５７の厚みとカバー９の厚みとが重複し、天面９ａと実装基板５３の実装面５３ａとの距離を短くすることが可能となる。その結果、ＳＡＷデバイス５１の薄型化が図られる。また、接着剤５９が薄くなり、接着剤５９の熱膨張の影響が抑制される。

また、接合工程（図５（ｃ））では、カバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに接着させる。すなわち、ＳＡＷ素子１の実装基板５３に対する固定が、外部電極７においてだけでなく、カバー９においても行われる。

従って、外部電極７、バンプ５７及び接続電極５５の固定に関する負担が軽減され、これらの剥離が抑制され、ひいては、接続不良又はＳＡＷ素子１の脱落が抑制される。また、従来の封止樹脂は、ＳＡＷ素子１と実装基板５３との固定の役割も担っているところ、カバー９が接着されることにより、封止樹脂の必要性を低下させることができる。

また、本実施形態の製造方法は、素子準備工程後、接合工程前に、カバー９の天面９ａに接着剤５９を配置する接合準備工程（図５（ｂ））を更に備える。そして、接合工程では、接着剤５９を硬化させてカバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに接着させる。

従って、例えば、接着剤５９を実装面５３ａに配置する場合（後述する第２の実施形態（図６）参照）に比較して、個片化される前の複数のＳＡＷ素子１に関して接着剤５９の配置が可能となり、製造工程の効率化が期待される。また、例えば、カバー９を直接に実装面５３ａに接着させる場合（後述する第３の実施形態（図７）参照）に比較して、半硬化のカバー９よりも粘性が低い（流動性が高い）接着剤５９を用いることが可能であり、その結果、天面９ａと実装面５３ａとの間の圧縮力によって接着剤５９を天面９ａと実装面５３ａとの間に隙間なく且つ均等に行き渡らせ、確実且つ均等に接着を行うことができると期待される。

また、本実施形態のＳＡＷデバイス５１は、ＳＡＷ素子１と、接続電極５５が実装面５３ａに設けられた実装基板５３と、ＳＡＷ素子１の外部電極７と実装基板５３の接続電極５５とを接合するバンプ５７とを有する。ＳＡＷ素子１は、圧電基板３と、該圧電基板３の一面上に位置する励振電極５と、該励振電極５を覆うカバー９とを有している。外部電極７は、励振電極５と電気的に接続され、カバー９の天面９ａが面する側へ露出している。カバー９の天面９ａは実装基板５３の実装面５３ａに重ねられている。そして、ＳＡＷ素子１は雰囲気に晒されている（ＳＡＷデバイス５１は、封止材を有していない。）。

従って、ＳＡＷデバイス５１は、封止樹脂が設けられていない分、小型化が図られる。その一方で、外部電極７においてだけでなく、カバー９においても実装基板５３に支持されていることから、封止樹脂が無くても、荷重の分散が図られている。その結果、例えば、外部電極７の位置に荷重が集中して圧電基板３の第１主面３ａが撓み変形を生じ、第１主面３ａを伝搬するＳＡＷの特性が劣化することが抑制される。

＜第２の実施形態＞
図６は、第２の実施形態に係るＳＡＷデバイス５１の製造方法を説明する断面図（第１の実施形態の図５（ｃ）に相当）である。

第２の実施形態は、完成後のＳＡＷデバイス自体に関しては、第１の実施形態と同様であり、製造方法のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、第１の実施形態においては、接合準備工程（図５（ｂ））において、接着剤５９がカバー９の天面９ａに配置されたのに対し、第２の実施形態においては、図６に示すように、接合準備工程において、接着剤５９が実装基板５３の実装面５３ａに配置される。それ以外（素子準備工程（図４（ａ）〜図５（ａ）等）については、第２の実施形態の製造方法は、第１の実施形態の製造方法と同様である。

接着剤５９の実装面５３ａへの配置は、第１の実施形態におけるカバー９への配置と同様に、印刷法、ディスペンサー法若しくはフォトリソグラフィー法等の適宜な方法により行われてよい。

接合工程は、例えば、第１の実施形態と同様に、ＳＡＷ素子１を実装基板５３の実装面５３ａに載置してこれらをリフロー炉等により加熱することにより行われる。なお、このときの接着に係る作用は第１の実施形態と若干相違する。具体的には、加熱前の時点において、バンプ５７がＳＡＷ素子１を支持し、カバー９の天面９ａは、接着剤５９に当接しない。加熱が開始されると、バンプ５７は溶融し、ＳＡＷ素子１が重力により下降して天面９ａが接着剤５９に当接する。換言すれば、天面９ａは接着剤５９を介して実装面５３ａに重ねられる。そして、加熱により接着剤５９が硬化して天面９ａと実装面５３ａとが接着され、その後、冷却によりバンプ５７が硬化して外部電極７と接続電極５５とが接着される。

第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、カバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに重ねた状態で外部電極７をバンプ５７を介して接続電極５５に接合することから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。例えば、カバー９の変形抑制、ボイドの発生抑制、ＳＡＷデバイス５１の薄型化等の効果が奏される。

また、第２の実施形態のＳＡＷデバイス５１の製造方法では、接合準備工程において、実装基板５３の実装面５３ａに接着剤５９を配置する。

従って、例えば、第１の実施形態と同様に、カバー９を直接に実装面５３ａに接着させる場合（後述する第３の実施形態（図７）参照）に比較して、半硬化のカバー９よりも粘性が低い（流動性が高い）接着剤５９を用いることができ、それによる種々の効果が得られる。また、例えば、第１の実施形態に比較して、接着剤５９を配置するときにカバー９に荷重が付与されてカバー９の変形が生じるおそれがないことから、接着剤５９の配置方法等の自由度が向上する。例えば、第１の実施形態に比較して、スクリーン印刷のスキージを高速に移動させることができる。

なお、上述のように、接着剤５９は、加熱中にバンプ５７が溶融してＳＡＷ素子１が下降することにより、カバー９の天面９ａ（第２の実施形態）若しくは実装基板５３の実装面５３ａ（第１の実施形態）に当接する。逆に言えば、接着剤５９は、加熱の初期（硬化の初期）から実装面５３ａ（第２の実施形態）若しくは天面９ａ（第１の実施形態）に当接している。従って、第１の実施形態は、天面９ａと接着剤５９との接着強度確保に相対的に有利であり、第２の実施形態は、実装面５３ａと接着剤５９との接着強度確保に相対的に有利である。実施にあたっては、これらの事情を踏まえて、第１若しくは第２の実施形態のいずれかを選択してもよい。例えば、天面９ａと接着剤５９とは、カバー９の硬化によっても接着強度が向上することが期待されるから、第２の実施形態を選択して接着剤５９と実装面５３ａとの接着強度を確保し、全体としての接着強度を向上させてもよい。

＜第３の実施形態＞
図７は、第３の実施形態に係るＳＡＷデバイス１５１の一部を示す断面図（第１の実施形態の図３に相当）である。

ＳＡＷデバイス１５１は、接着剤５９が設けられておらず、カバー９が直接に実装基板５３の実装面５３ａに重ねられてる点のみが第１の実施形態のＳＡＷデバイス５１と相違する。なお、接着剤５９が設けられていない分、本実施形態においては、第１の実施形態に比較して、バンプ５７の厚みが薄くなっているが、便宜的に第１の実施形態と同一符号（５７）を付すものとする。

ＳＡＷデバイス１５１の製造方法は、接着剤５９を配置する接合準備工程（図５（ｂ））を備えていない点以外は、概ね、第１の実施形態と同様である。

ただし、素子準備工程（図４（ａ）〜図５（ａ））終了後、接合工程の前において、第１の実施形態では、蓋部１９（若しくはカバー９全体）は、未硬化（半硬化）の状態であっても完全に硬化した状態であってもよかったが、第２の実施形態では、蓋部１９（若しくはカバー９全体）は、未硬化（半硬化）の状態とされている。

例えば、素子準備工程では、半硬化の樹脂シートを貼り付けたり、若しくは、液状の樹脂が完全に硬化しない温度及び時間でプリベークを行ったりして、未硬化の樹脂の薄膜を形成する。そして、露光及び現像を行って未硬化の蓋部１９を形成する。その後、ポストベークを行わずに、接合工程を開始する。

接合工程は、例えば、第１の実施形態と同様に、ＳＡＷ素子１を実装基板５３の実装面５３ａに載置してこれらをリフロー炉等により加熱することにより行われる。なお、このときの接着に係る作用は第１の実施形態と若干相違する。具体的には、加熱前の時点において、バンプ５７がＳＡＷ素子１を支持し、カバー９の天面９ａは、実装面５３ａに当接しない。加熱が開始されると、バンプ５７は溶融し、ＳＡＷ素子１が重力により下降して天面９ａが実装面５３ａに当接する。換言すれば、天面９ａは直接に実装面５３ａに重ねられる。そして、加熱により蓋部１９（若しくはカバー９全体）が硬化して天面９ａと実装面５３ａとが接着され、その後、冷却によりバンプ５７が硬化して外部電極７と接続電極５５とが接着される。

第３の実施形態のＳＡＷデバイス１５１の製造方法によれば、第１の実施形態と同様に、カバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに重ねた状態で外部電極７をバンプ５７を介して接続電極５５に接合することから、第１の実施形態の製造方法と同様の効果が奏される。例えば、カバー９の変形抑制、ボイドの発生抑制、ＳＡＷデバイス５１の薄型化等の効果が奏される。また、第３の実施形態のＳＡＷデバイス１５１によれば、第１の実施形態と同様に、カバー９の天面９ａは実装基板５３の実装面５３ａに重ねられ、封止樹脂は設けられていないことから、第１の実施形態のＳＡＷデバイス５１と同様の効果が奏される。例えば、封止樹脂が設けられていない分、小型化が図られ、その一方で、カバー９に荷重が分散される。

また、第３の実施形態では、素子準備工程（図４（ａ）〜図５（ａ））では、少なくとも天面側部分（蓋部１９）が未硬化の樹脂からなるカバー９を形成し、接合工程では、その未硬化の樹脂を硬化させてカバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに接着させる。

従って、接着剤５９を設ける必要が無く、工程数の削減、材料の削減及びＳＡＷデバイス１５１の薄型化が図られる。さらに、カバー９の天面９ａと実装基板５３の実装面５３ａとの間に、熱膨張を生じて圧電基板３に撓みを生じさせるおそれのある材料（接着剤５９若しくは従来の封止樹脂）が配置されなくなることから、圧電基板３に撓みが発生することが抑制され、ひいては、ＳＡＷ素子１の特性が安定することが期待される。

＜第４の実施形態＞
図８は、第４の実施形態に係るＳＡＷデバイス２５１（図９）に含まれるＳＡＷ素子２０１の外観を示す斜視図である。また、図９は、ＳＡＷデバイス２５１の一部を示す、図８のIX−IX線に対応する断面図である。

本実施形態のＳＡＷ素子２０１は、カバーの形状及び外部電極の形状のみが第１の実施形態のＳＡＷ素子１と相違する。具体的には、ＳＡＷ素子２０１の外部電極２０７は、第１の実施形態の外部電極７と概ね同様の構成のパッド２０８（図９）上において柱状に形成され、カバー２０９を貫通している。そして、外部電極２０７の上方側端面は、カバー２０９の天面２０９ａにおいて天面２０９ａの面する側へ露出している。

外部電極２０７は、例えば、銅等の金属により形成されている。その上方側端面には、第１の実施形態の外部電極７の表面と同様に、ニッケルの層及び金の層が設けられていてもよい。また、外部電極２０７は、バンプ５７の接着面積を大きくするように、天面２０９ａ上に位置するフランジ２０７ｂ（図９）を有していることが好ましい。

カバー２０９は、第１の実施形態のカバー９と同様に、概ね一定の厚さの樹脂層により形成された枠部２１７及び蓋部２１９により構成されている。枠部２１７の内縁の平面形状は第１の実施形態の枠部１７の内縁の平面形状と同様でよい。また、枠部２１７の外縁及び蓋部２１９の平面形状は、外部電極２０７の配置位置を含む形状であれば、適宜な形状とされてよい。本実施形態では、圧電基板３の平面形状よりも一回り小さい相似形（矩形）とされている場合を例示している。

図９において示すように、ＳＡＷ素子２０１は、第１の実施形態と同様に、カバー２０９の天面２０９ａを実装基板５３の実装面５３ａに対向させて配置される。そして、バンプ５７によって外部電極２０７と接続電極５５とが接着され、接着剤５９によって天面２０９ａと実装面５３ａとが接着される。

なお、接着剤５９は、その厚み等が第１の実施形態と相違するが、便宜的に同一符号を付すものとする。バンプ５７についても同様である。接着剤５９の平面形状は、適宜に設定されてよく、例えば、第１の実施形態と同様であってもよいし、外部電極２０７の配置位置を除く、カバー２０９の全面に亘る形状（外部電極２０７に対応する位置に孔部が形成された矩形）であってもよい。

ＳＡＷデバイス２５１の製造方法は、外部電極２０７の形成に係る部分を除いて、概ね第１の実施形態のＳＡＷデバイス５１の製造方法と同様である。外部電極２０７は、例えば、以下のように形成される。

まず、第１の実施形態と同様に、圧電基板３に対する導電層（励振電極５、パッド２０８等）の形成からカバー２０９の形成（図４（ａ）〜図５（ａ）参照）までの工程が行われる。ただし、枠部２１７及び蓋部２１９のパターニングにおいては、外部電極２０７が貫通する孔部２０９ｈも形成される。

そして、カバー２０９の形成後、接着剤５９の配置前において、めっき法等により外部電極２０７を形成する。例えば、まず、無電解めっきによってカバー２０９の孔部２０９ｈ内及び天面２０９ａに下地層を形成する。次に、その上に外部電極２０７が形成されるべき位置を除いてレジスト層を形成する。次に、電解めっきによってレジスト層の非配置位置において金属を析出させ、外部電極２０７を完成させる。その後、レジスト層を除去する。

なお、ＳＡＷデバイス２５１の製造方法（接合準備工程）において、接着剤５９は、第１の実施形態と同様にカバー２０９の天面２０９ａに配置されてもよいし、第２の実施形態と同様に実装基板５３の実装面５３ａに配置されてもよい。接着剤５９の配置後の接合工程は、第１若しくは第２の実施形態と同様である。

第４の実施形態のＳＡＷデバイス２５１の製造方法によれば、第１の実施形態と同様に、カバー２０９の天面２０９ａを実装基板５３の実装面５３ａに重ねた状態で外部電極２０７をバンプ５７を介して接続電極５５に接合することから、第１の実施形態の製造方法と同様の効果が奏される。例えば、カバー２０９の変形抑制、ボイドの発生抑制、ＳＡＷデバイス２５１の薄型化等の効果が奏される。また、第４の実施形態のＳＡＷデバイス２５１によれば、第１の実施形態と同様に、カバー２０９の天面２０９ａは実装基板５３の実装面５３ａに重ねられ、封止樹脂は設けられていないことから、第１の実施形態のＳＡＷデバイス５１と同様の効果が奏される。例えば、封止樹脂が設けられていない分、小型化が図られ、その一方で、カバー２０９に荷重が分散される。

＜第５の実施形態＞
図１０は、第５の実施形態に係るＳＡＷデバイス３５１の一部を示す（第１の実施形態の図３に相当）断面図である。

第５の実施形態に係るＳＡＷデバイス３５１は、第１（若しくは第２）の実施形態のＳＡＷデバイス５１において、封止樹脂３６１を設けた構成である。封止樹脂３６１は、ＳＡＷ素子１の裏面（第２主面３ｂ側の面）及び側面を覆うとともに、カバー９の外周において、圧電基板３と実装面５３ａとの間に充填されている。

封止樹脂３６１は、例えば、熱硬化性樹脂を含んで構成されている。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂である。なお、封止樹脂３６１は、これらの樹脂に比較して熱膨張率が低いフィラーを含んでいてもよい。フィラーは、例えば、無機材料（例えばシリカ）により構成される。また、封止樹脂３６１の材料は、カバー９及び／又は接着剤５９の材料と異なっていてもよいし同一であってもよい。

なお、本実施形態のＳＡＷデバイス３５１の製造方法は、第１（若しくは第２）の実施形態のＳＡＷデバイス５１の製造方法の後に、封止樹脂３６１を配置する工程が加えられる点のみが第１の実施形態の製造方法と相違する。封止樹脂３６１は、例えば、スクリーン印刷等の印刷法若しくはディスペンサー法によって配置される。

第４の実施形態のＳＡＷデバイス３５１の製造方法によれば、第１の実施形態と同様に、カバー９の天面９ａを実装基板５３の実装面５３ａに重ねた状態で外部電極７をバンプ５７を介して接続電極５５に接合することから、第１の実施形態の製造方法と同様の効果が奏される。例えば、カバー９の変形抑制、ボイドの発生抑制、ＳＡＷデバイス３５１の薄型化等の効果が奏される。

また、第４の実施形態では、ＳＡＷデバイス３５１は、ＳＡＷ素子１と、接続電極５５が実装面５３ａに形成された実装基板５３と、ＳＡＷ素子１の外部電極７と接続電極５５とを接合するバンプ５７と、ＳＡＷ素子１を覆う封止樹脂３６１とを有している。カバー９の天面９ａは実装基板５３の実装面５３ａに封止樹脂３６１とは異なる材料（接着剤５９）を介して間接に重ねられている。

従って、例えば、封止樹脂３６１と接着剤５９とで、それぞれの役割に適した材料を用いてＳＡＷデバイス３５１を好適なものとすることができる。例えば、封止樹脂３６１の材料としては、水分の透過性が低いものを用い、接着剤５９の材料としては、接着力が強固なものを用いることができる。

＜第６の実施形態＞
図１１は、第６の実施形態に係るＳＡＷデバイス４５１の一部を示す断面図である。

ＳＡＷデバイス４５１において、実装基板５３及びＳＡＷ素子１に係る部分は、第１の実施形態と同様である。さらに、ＳＡＷデバイス４５１は、ＳＡＷ素子１を覆うシールド９１を有している。

シールド９１は、例えば、その全体が金属により構成され、若しくは、絶縁基体に金属層が設けられて構成されている。そして、シールド９１は、例えば、実装基板５３の実装面５３ａに実装されたＳＡＷ素子１及び他の電子部品８１、８３を覆い、半田若しくはねじ等の適宜な固定手段により実装基板５３に対して固定されている。なお、シールド９１は、実装基板５３の不図示の基準電位部に電気的に接続されていることが好ましい。

ＳＡＷデバイス４５１では、第１の実施形態と同様に、封止樹脂が設けられておらず、ＳＡＷ素子１及び実装基板５３を含む構造は薄型化されている。従って、ＳＡＷデバイス４５１は、大型化が抑制されつつ、シールド効果によって電気特性が向上する。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

上述した実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第３の実施形態のカバーの天面を直接に実装基板の実装面に重ねる構成は、第５の実施形態（図１０）の封止樹脂が設けられる構成と組み合わされてもよいし、第６の実施形態（図１１）のシールドが設けられる構成と組み合わされてもよい。また、例えば、第４の実施形態のカバーを貫通する柱状の外部電極が設けられる構成は、第５の実施形態（図１０）の封止樹脂が設けられる構成と組み合わされてもよいし、第６の実施形態（図１１）のシールドが設けられる構成と組み合わされてもよい。

弾性波デバイスは、弾性波素子及び他の電子部品が実装基板に実装されてモジュール化されるものに限定されない。例えば、実装基板は、弾性波素子のみが実装され、単に弾性波素子と他の回路基板とを仲介するための基板であってもよい。

弾性波素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。例えば、弾性波素子は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波素子（ただし、広義のＳＡＷ素子に含まれる）であってもよい。なお、弾性境界波素子においては、励振電極上に空隙（振動空間）は不要である。換言すれば、カバーは、枠部と蓋部とを有する必要はなく、１層からのみ形成されてよい。また、弾性境界波素子において、保護層とカバーとは兼用されてよい。

また、弾性波素子において、保護層及び裏面部は必須の要件ではなく、省略されてもよい。逆に、弾性波素子は、枠部と蓋部との間に位置する導電層、カバーの天面に重ねられた金属性の補強層（ただし、カバーの一部と捉えられてもよい）など、適宜な層が追加されてもよい。

弾性波デバイスにおいて、カバーの天面と実装基板の実装面とは接着されていなくてもよい。すなわち、カバーの天面は、直接若しくは間接に実装面に当接しているだけであってもよい。この場合であっても、例えば、カバーの天面と実装面との間に封止樹脂が配置されないことによる薄型化の効果、若しくは、封止樹脂を配置したときに封止樹脂がカバーの天面と実装面との間に入り込んでカバーを変形させることが抑制される効果等が期待される。

カバーの天面と実装基板の実装面との接着は、接着剤の介在若しくは樹脂からなるカバーの硬化によるものに限定されない。例えば、実装基板のソルダレジスト（ただし、接着剤と捉えられてもよい）が硬化してカバーに対する接着力を発揮してもよい。

接着剤は、樹脂からなるものに限定されない。例えば、接着剤として、バンプと同様の金属（はんだ等）が用いられてもよい。なお、この場合、接着剤は、バンプの溶融・硬化と概ね同時に、溶融・硬化してカバーと実装基板とを接着する。また、この場合、弾性波素子の実装基板への載置後且つ加熱前において、バンプに代えて接着剤によって弾性波素子が支持されていてもよい。また、接着剤として、金属及び樹脂以外の無機接着剤若しくは有機接着剤が用いられてもよい。また、樹脂からなる接着剤は、熱硬化性樹脂に限定されず、常温での乾燥（風乾）によって硬化するものであってもよい。

カバーの天面は、その全面若しくは広い範囲に亘って実装基板の実装面に重なっていなくてもよい。例えば、枠部の直上領域のみにおいて接着剤が設けられ、当該直上領域のみにおいてカバーの天面が実装面に間接に重なっていてもよい。この場合、蓋部の振動空間の直上領域に荷重が加わることが抑制され、ひいては、蓋部の変形が抑制されることが期待される。

カバーの形成方法は、実施形態において例示したものに限定されない。例えば、振動空間が不要なカバーは、枠部と蓋部とを別個に形成する必要はなく、カバー全体が一回のフォトリソグラフィー等により一体的に形成されてよい。また、例えば、振動空間を要するカバーは、振動空間となる領域に犠牲層を形成して、その後、犠牲層上にカバーとなる樹脂層を形成し、樹脂層内から犠牲層を溶解、流出させることにより形成されてもよい。また、カバーは、樹脂からなるものに限定されず、例えば、無機材料から構成されてもよい。

圧電基板上に層状に形成される外部電極（第１の実施形態等）は、カバーの外側に配置されるものに限定されない。例えば、第４の実施形態（図９）において、柱状の外部電極２０７を設けずに、パッド２０８を外部電極として用い、バンプ５７を孔部２０９ｈに収容するようにしてもよい。

バンプは、実装基板ではなく、弾性波素子の外部電極に配置され、その後、実装基板の接続電極に対して接着されてもよい。なお、この場合、実施形態と同様に、バンプによって弾性波素子が支持されてもよいし、カバーが実装基板の実装面に支持され、溶融したバンプが外部電極との接続を維持しつつ接続電極に垂れて到達するようにしてもよい。

バンプは、金属により構成されるものに限定されない。例えば、加熱若しくは常温での乾燥によって硬化する導電性樹脂により構成されていてもよい。なお、この場合、接着剤が熱硬化性樹脂からなるときは、弾性波素子は、実装基板に載置されたときに、バンプ及び接着剤の双方に支持されるとともに、バンプと接着剤とが同時に硬化されることが好ましい。未硬化の樹脂からなるカバーが硬化して接着する場合も同様である。

外部電極は、圧電基板上に層状に設けられるもの及びカバーを貫通するものに限定されず、例えば、カバーの上面に層状に設けられ、カバーに形成された配線を介して弾性波素子と接続されるものであってもよい。

封止材は、樹脂に限定されず、樹脂以外の有機材料若しくは無機材料からなるものであってもよい。

１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、３…圧電基板、５…励振電極、７…外部電極、９…カバー、９ａ…天面、５１…ＳＡＷデバイス（弾性波デバイス）、５３…実装基板、５３ａ…実装面、５５…接続電極、５７…バンプ。

Claims (8)

1. 圧電基板と、該圧電基板の一面上に位置する励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの天面が面する側へ露出する外部電極とを有する弾性波素子を準備する素子準備工程と、
   実装面に接続電極が形成された実装基板を準備する基板準備工程と、
   前記カバーの天面を前記実装面に直接に又は所定の材料を介して間接に重ねた状態で前記外部電極をバンプを介して前記接続電極に接合する接合工程と、
   を備えた弾性波デバイスの製造方法。
2. 前記素子準備工程では、前記圧電基板の前記一面上に層状に前記外部電極を形成する
   請求項１に記載の弾性波デバイスの製造方法。
3. 前記接合工程では、前記カバーの天面を前記実装面に接着させる
   請求項１又は２に記載の弾性波デバイスの製造方法。
4. 前記素子準備工程後、前記接合工程前に、前記カバーの天面に接着剤を配置する接合準備工程を更に有し、
   前記接合工程では、前記接着剤を硬化させて前記カバーの天面を前記実装面に接着させる
   請求項３に記載の弾性波デバイスの製造方法。
5. 前記基板準備工程後、前記接合工程前に、前記実装面に接着剤を配置する接合準備工程を更に有し、
   前記接合工程では、前記接着剤を硬化させて前記カバーの天面を前記実装面に接着させる
   請求項３に記載の弾性波デバイスの製造方法。
6. 前記素子準備工程では、少なくとも天面側部分が未硬化の樹脂からなる前記カバーを形成し、
   前記接合工程では、前記未硬化の樹脂を硬化させて前記カバーの天面を前記実装面に接着させる
   請求項２に記載の弾性波デバイスの製造方法。
7. 圧電基板と、該圧電基板の一面上に位置する励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの天面が面する側へ露出する外部電極とを有する弾性波素子と、
   接続電極が実装面に形成された実装基板と、
   前記外部電極と前記接続電極とを接合するバンプと、
   を有し、
   前記カバーの天面は前記実装面に直接に又は所定の材料を介して間接に重ねられており、
   前記弾性波素子の前記実装面とは反対側の面及び側面は雰囲気に晒されている
   弾性波デバイス。
8. 圧電基板と、該圧電基板の一面上に位置する励振電極と、該励振電極を覆うカバーと、前記励振電極と電気的に接続され、前記カバーの天面が面する側へ露出する外部電極とを有する弾性波素子と、
   接続電極が実装面に形成された実装基板と、
   前記外部電極と前記接続電極とを接合するバンプと、
   前記弾性波素子を覆う封止材と、
   を有し、
   前記カバーの天面は前記実装面に直接に若しくは前記封止材とは異なる材料を介して間接に重ねられている
   弾性波デバイス。

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