CN113169722A - 弹性波装置、分波器以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供相对于电极指的间距实现相对较高频率的谐振的弹性波装置。弹性波装置1具有:基板3,位于基板3上的多层膜5,位于多层膜5上的压电层7,位于压电层7上的IDT电极19。IDT电极19的电极指27的粗细从与汇流条连接的部位到在电极指27的排列方向观察时和另一个电极指27的远端重叠的位置变粗。

Description

弹性波装置、分波器以及通信装置
技术领域
本公开涉及利用弹性波的弹性波装置、包含该弹性波装置的分波器以及通信装置。
背景技术
已知一种弹性波装置,对压电体上的IDT(interdigital transducer:叉指换能器)电极施加电压,从而产生在压电体中传播的弹性波。IDT电极具有一对梳齿电极。一对梳齿电极分别具有多个电极指,被配置为相互啮合。在弹性波装置中,形成将电极指的间距的2倍作为波长的弹性波的驻波,该驻波的频率成为谐振频率。
近年来,提出了使用弹性波中的板波的弹性波装置。作为这种弹性波装置,提出了具有:基板,位于基板上的声反射层,位于声反射层上的压电体层,位于压电体层上的IDT电极的结构。声反射层通过将低声阻抗层和高声阻抗层交替地层叠而构成。通过这种结构,能够提供即使电极指的周期为3μm左右也在5GHz具有谐振点的弹性波装置。
发明内容
发明所要解决的课题
期望提供相对于电极指的间距实现相对较高频率的谐振的弹性波装置、分波器以及通信装置。
用于解决课题的手段
本公开的一种方式涉及的弹性波装置具有:压电层;和位于所述压电层上的IDT电极。所述IDT电极包含:第1汇流条以及第2汇流条,连接到相互不同的电位,相互间隔而配置;沿弹性波传播方向交替地排列的第1电极指以及第2电极指,其中,所述第1电极指连接到所述第1汇流条并朝所述第2汇流条侧延伸,所述第2电极指连接到所述第2汇流条并朝所述第1汇流条侧延伸。所述第1电极指包括扩宽部,所述扩宽部的从与所述第一汇流条连接的部分到在从所述第1电极指和所述第2电极指的排列方向观察时和所述第2电极指的远端重复的位置的粗细,比所述第1电极指和所述第2电极指的交叉区域的中间附近粗。在将所述IDT电极的电极指的间距设为p时所述压电层的厚度为不足1.5p。
本公开的一种方式涉及的弹性波装置是具有:压电层;和位于所述压电层上的IDT电极的、使用A1模式的板波的弹性波装置。所述IDT电极包含:第1汇流条以及第2汇流条,连接到相互不同的电位,相互间隔而配置;沿弹性波传播方向交替地配置的第1电极指以及第2电极指,其中,所述第1电极指连接到所述第1汇流条并朝所述第2汇流条侧延伸,所述第2电极指连接到所述第2汇流条并朝所述第1汇流条侧延伸。所述第1电极指包括扩宽部,所述扩宽部的从与所述第一汇流条连接的部分到在从所述第1电极指和所述第2电极指的配置方向观察时和所述第2电极指的远端重复的位置的粗细,比所述第1电极指和所述第2电极指的交叉区域的中间附近粗。
本公开的一种方式的分波器具有:天线端子;发送滤波器,对被输出至所述天线端子的信号进行滤波;和接收滤波器,对从所述天线端子输入的信号进行滤波;所述发送滤波器以及所述接收滤波器的至少一个包含上述的弹性波装置。
本公开的一种方式的通信装置具有:天线;所述天线端子被连接于所述天线的上述的分波器;和IC,相对于所述发送滤波器以及所述接收滤波器,在信号路径上被连接于与所述天线端子相反的一侧。
发明效果
根据上述的结构,相对于电极指的间距能够实现相对较高频率的谐振。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图2是图1的弹性波装置的Ⅱ-Ⅱ线处的剖视图。
图3是图1的主要部分的放大图。
图4是表示实施例以及比较例的电极指模型的图。
图5中的(a)是表示实施例和比较例的阻抗特性的图,(b)是表示实施例和比较例的相位特性的图,(c)、(d)是(b)的主要部分的放大图。
图6中的(a)是表示偏移量和谐振频率的相关性的图,(b)是表示偏移量和df以及最大相位的相关性的图。
图7中的(a)是表示实施例和比较例的阻抗特性的图,(b)是表示实施例和比较例的相位特性的图,(c)、(d)是(b)的主要部分的放大图。
图8中的(a)是表示偏移量和谐振频率的相关性的图,(b)是表示偏移量和df以及最大相位的相关性的图。
图9是示意地表示作为图1的弹性波装置的应用例的分波器的结构的电路图。
图10是示意地表示作为图1的弹性波装置的应用例的通信装置的结构的电路图。
图11中的(a)、(b)是表示偏移量和最大相位值的相关性的线图。
图12中的(a)是表示扩宽部中的占空比和频率特性的关系的线图,(b)是表示扩宽部中的占空比和交叉部中的占空比的关系的线图。
图13中的(a)是表示扩宽部中的占空比和频率特性的关系的线图,(b)是表示扩宽部中的占空比和交叉部中的占空比的关系的线图。
图14是表示图1的弹性波装置的变形例的主要部分的剖视图。
图15中的(a)是表示实施例和比较例的阻抗特性的图,(b)是表示实施例和比较例的相位特性的图,(c)、(d)是(b)的主要部分的放大图。
图16是表示实施例以及比较例的电极指模型的图。
图17中的(a)是表示实施例和比较例的阻抗特性的图,(b)是表示实施例和比较例的相位特性的图,(c)、(d)是(b)的主要部分的放大图。
具体实施方式
以下参照附图对本公开涉及的实施方式进行说明。另外,以下的说明中使用的图是示意性的附图,附图上的尺寸比例等和现实的情况未必一致。
本公开所涉及的弹性波装置可以将任意的方向设为上方或者下方,但是为了方便,以下定义由D1轴、D2轴以及D3轴构成的正交坐标系,并且有时将D3轴的正侧作为上方而使用上表面或者下表面等的用语。此外,在俯视或者俯视透视等情况下,除非有特别说明,否则是指在D3轴方向观察。另外,D1轴被定义为和沿着后述的压电层的上表面传播的弹性波的传播方向平行,D2轴被定义为和压电层的上表面平行且和D1轴正交,D3轴被定义为和压电层的上表面正交。
(弹性波装置的整体结构)
图1是表示弹性波装置1的主要部分的俯视图。图1表示后述的谐振器的结构。图2是图1的Ⅱ-Ⅱ线处的剖视图。
弹性波装置1例如具有:基板3(图2)、位于基板3上的多层膜5(图2)、位于多层膜5上的压电层7、和位于压电层7上的导电层9。各层例如被设为大致一定的厚度。另外,有时会将基板3、多层膜5以及压电层7的组合称为固定基板2(图2)。
在弹性波装置1中,通过对导电层9施加电压,来激励出在压电层7中传播的弹性波。弹性波装置1例如构成使用该弹性波的谐振器和/或滤波器。多层膜5例如有助于反射弹性波从而将弹性波的能量局限在压电层7。基板3例如有助于加强多层膜5以及压电层7的强度。
弹性波装置1既可以是单个图1所示的谐振器,也可以包括多个谐振器从而构成滤波器等。
(固定基板的概略结构)
基板3不直接影响弹性波装置1的电特性。因此,基板3的材料以及尺寸可以适当被设定。基板3的材料例如是绝缘材料,绝缘材料例如是树脂或者陶瓷。另外,基板3可以通过热膨胀系数比压电层7等低的材料构成。该情况下,能够减少由于温度变化而弹性波装置1的频率特性发生变化的可能。作为这种的材料,能够列举例如硅等的半导体、蓝宝石等的单晶以及氧化铝质烧结体等的陶瓷。另外,基板3可以通过由彼此不同的材料构成的多个层层叠而成。基板3的厚度例如比压电层7厚。
多层膜5通过将低声阻抗层11和高声阻抗层13交替地层叠而构成。由此,在两者的界面处弹性波的反射率变得相对较高。其结果是,例如减少在压电层7传播的弹性波朝厚度方向的泄漏。另外,作为构成低声阻抗层11的材料,能够示例二氧化硅(SiO2)。作为构成高声阻抗层13的材料,能够示例五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)。
多层膜5的层叠数可以被适当地设定。例如,多层膜5的低声阻抗层11以及高声阻抗层13的合计层叠数可以设为2层以上且12层以下。多层膜5的合计层叠数既可以是偶数也可以是奇数,但是和压电层7接触的层是低声阻抗层11。和基板3接触的层可以是低声阻抗层11或者高声阻抗层13。另外,各层之间、基板3和多层膜5之间、或者多层膜5和压电层7之间,为了密接或者防止扩散也可以插入附加膜。该情况下,附加膜只要设为薄至(大概0.01λ以下)不对弹性波装置1的特性产生影响的程度即可。
压电层7包含钽酸锂(LiTaO3、以下称为LT)或者铌酸锂(LiNbO3、以下称为LN)的单晶。
在使用LT作为压电层7的情况下,切角例如在欧拉角(φ,θ,ψ)下为(0°±10°,0°以上且55°以下,0°±10°)。在其他观点中,LT为旋转Y切X传播的LT,Y轴相对压电层7的法线(D3轴)以90°以上且145°的角度倾斜。X轴和压电层7的上表面(D1轴)大致平行。但是,X轴和D1轴在XZ平面或者D1D2平面中可以以-10°以上且10°以下倾斜。
在使用LN作为压电层7的情况下,设为欧拉角为(0°±10°,0°±15°,ψ),其中ψ为0°~360°。另外,也可以是(0°±5°,0°±5°,ψ)。在其他观点中,也可以是Z切基板。
此外,压电层7的厚度被设为比较薄,例如将后述的λ作为基准为0.75λ以下。更加具体地,为0.15λ以上且0.3λ以下。通过如此地设定压电层7的切角以及厚度,作为弹性波,能够利用接近于A1模式的板波的振动模式。
以下,在本实施方式中以使用LN作为压电层7的情况为例进行说明。
(导电层的概略结构)
导电层9例如由金属形成。金属可以设为适当的种类,例如是铝(Al)或者以Al作为主成分的合金(Al合金)。Al合金例如是Al-铜(Cu)合金。另外,导电层9也可以包含多个金属层。此外,也可以在Al或者Al合金和压电层7之间,设置用于强化它们的接合性的包含钛(Ti)的比较薄的层。
在图1的例子中,导电层9被形成为构成谐振器15。谐振器15被构成为所谓的一端口弹性波谐振器,若从概念性并且示意性表示的端子17A以及17B的一者输入规定频率的电信号,则能够产生谐振,并将产生该谐振的信号从端子17A以及17B的另一者输出。
导电层9(谐振器15)例如包含:IDT电极19、位于IDT电极19的两侧的一对反射器21。
IDT电极19包含连接到相互不同的电位的1对梳齿电极23(第1梳齿电极23A、第2梳齿电极23B)。各梳齿电极23例如包含:汇流条25(第1汇流条25A、第2汇流条25B)、从汇流条25相互并排延伸的多个电极指27(第1电极指27、第2电极指27B)、以及在多个电极指27之间从汇流条25突出的虚设电极29(第1虚设电极29A、第2虚设电极29B)。一对梳齿电极23被配置为多个电极指27相互啮合(交叉)。
另外,以后,在共同说明第1梳齿电极23A和第2梳齿电极23B时,仅称为梳齿电极23。对于其他的技术特征也是一样。
汇流条25例如被形成为以大致一定的宽度在弹性波的传播方向(D1轴方向)直线状延伸的长条状。并且,一对汇流条25在和弹性波的传播方向正交的方向(D2轴方向)相互对置。另外,汇流条25也可以是宽度是变化的,或者相对于弹性波的传播方向倾斜。
各电极指27例如被形成为以大致一定的宽度在与弹性波的传播方向正交的方向(D2轴方向)直线状延伸的长条状。在各梳齿电极23中,多个电极指27沿弹性波的传播方向被配置。此外,一个梳齿电极23的多个电极指27和另一个梳齿电极23的多个电极指27基本上被交替配置。
多个电极指27的间距p(例如彼此相邻的2根电极指27的中心间距离)在IDT电极19内基本上是一定的。另外,也可以在IDT电极19的一部分,设置间距p比其他的大部分窄的窄间距部、或者间距p比其他的大部分宽的宽间距部。
另外,以下,在间距p的这种情况下,只要没有特别说明,则是指将上述这种窄间距部或者宽间距部的这种除去了特别部分的部分(多个电极指27的大部分)的间距。此外,在去除了特别的部分的大部分的多个电极指27中,在间距发生变化的情况下,也可以将大部分的多个电极指27的间距的平均值用作为间距p的值。“大部分”是指例如电极指27全体的80%以上。
多个电极指27的长度例如是彼此相同的。另外,IDT电极19也可以被实施多个电极指27的长度(在其他观点中为交叉宽度)根据传播方向的位置而变化的、所谓的切趾。
虚设电极29例如以大致一定的宽度沿与弹性波的传播方向正交的方向突出。此外,一个梳齿电极23的虚设电极29的远端和另一个梳齿电极23的电极指27的远端隔着间隙而对置。另外,IDT电极19也可以不包含虚设电极29。
一对反射器21在弹性波的传播方向位于多个IDT电极19的两侧。各反射器21例如形成为格子状。即,反射器21包含:相互对置的一对汇流条31和在一对汇流条31间延伸的多个条状电极33。多个条状电极33的间距、以及彼此相邻的电极指27和条状电极33的间距基本上和多个电极指27的间距相等。
并且,压电层7的上表面可以从导电层9之上被保护膜37覆盖。保护膜37由声速比压电层7慢的材料构成。作为这种材料有例如SiO2、Si3N4、Si等。既可以仅在导电层9的正上方设置保护膜37,也可以在以导电层9构成的电极指27之间也设置保护膜37。在电极指27之间也设置保护膜37的情况下,也可以将保护膜37设为绝缘材料。此外,保护膜37可以设为包含这些材料的多层的层叠体。
此外,保护膜37既可以是仅用于抑制导电层9的腐蚀的保护膜,也可以是有助于温度补偿的保护膜。为了明确导电层9和保护膜37的声的边界,可以在IDT电极19以及反射器21的上表面或者下表面,为了提高弹性波的反射系数而设置包含绝缘体或者金属的附加膜。
图1以及图2所示的结构可以适当被封装。封装件例如既可以是在未图示的安装基板上安装图示的结构以使得压电层7的上表面隔着间隙而与其对置、并从上方进行树脂密封的结构,也可以是在压电层7上设置箱型的外罩的晶圆级封装型的结构。
(A1模式板波的利用)
如向一对梳齿电极23施加电压,则由多个电极指27向压电层7施加电压,作为压电体的压电层7进行振动。由此,在D1轴方向传播的弹性波被激励出。弹性波被多个电极指27反射。并且,将多个电极指27的间距p设为大致半波长(λ/2)的驻波出现。由驻波在压电层7中产生的电信号通过多个电极指27被取出。根据这种原理,弹性波装置1作为谐振器发挥作用,该谐振器以将间距p作为半波长的弹性波的频率作为谐振频率。另外,λ通常是表示波长的符号,此外,有时实际的弹性波的波长也从2p偏离,但是以下在使用λ符号的情况下,只要没有特别说明,则λ是指2p。
在此,如上述,由于压电层7被设为比较薄,并且其欧拉角被设为(0°±10°,0°±15°以下,0°±10°),因此弹性波装置1可利用A1模式的板波的弹性波。A1模式的弹性波的传播速度(声速)比一般的SAW(Surface Acoustic Wave、声表面波)的传播速度快。例如,相对于一般的SAW的传播速度为3000~4000m/s,A1模式的弹性波的传播速度为10000m/s以上。因此,能够以与以往相同的间距p,实现比以往高的频域的谐振。例如,能够以1μm以上的间距p实现5GHz以上的谐振频率。
(各层的材料以及厚度的设定)
为了利用A1模式的弹性波来实现较高的频域(例如5GHz以上)的谐振,在多层膜5的材料以及厚度,压电体层(在本实施方式中是压电层7)的欧拉角、材料以及厚度,和导电层9的厚度的组合存在条件。
例如,设为以下的条件时,能够在谐振频率以及反谐振频率附近不存在杂波的状态下得到5GHz的谐振。
压电层:
材料:LN
厚度:0.19λ
欧拉角:(0,0,0)
多层膜:
材料:2种(SiO2,Ta2O5)
厚度:SiO2层0.10λ,Ta2O5层0.07λ
层叠数:8层
导电层:
材料:Al
厚度:0.06λ
间距p:1μm(λ=2μm)
另外,多层膜5的层叠数是2种层的数量的合计(例如在图2的例中是4)。此外,虽然将间距p设为1μm,但是即使是在使间距发生变化的情况下,如果根据以λ=2p表示的波长来使实际的膜厚发生变化,则谐振特性仅是频率依存性整体性偏移,而成为相同的结果。即,即使是在波长或者间距标准化的情况下也能够得到同样的结果。
除上述的例子之外,例如,设为以下的条件时即使间距在0.9μm~1.4μm的情况下,也能够得到5GHz以上的谐振,并且,能够得到在谐振频率以及反谐振频率附近没有杂波的状态。另外,以下的条件,按照压电层7的材料,压电层7的厚度,低声阻抗层11的材料、厚度,高声阻抗层13的材料、厚度的顺序,用/对各条件进行划分表示。
其他条件1:LN/0.2λ/SiO2/0.06λ/HfO2/0.095λ
其他条件2:LT/0.175λ/SiO2/0.09λ/Ta2O5/0.07λ
其他条件3:LT/0.2λ/SiO2/0.1λ/HfO2/0.08λ
另外,在他条件2、3时,LT的欧拉角是(0°±5°,24°±5°,0°±5°)或者(0°±5°,16°±5°,0°±5°)。
(电极指结构)
在弹性波装置1中,当使用A1模式板波时,和压电层7的厚度为20μm左右的普通的弹性波装置相比,谐振频率(fr)和反谐振频率(fa)之间的阻抗特性有变差的倾向。这随着压电层7的厚度变薄而变得明显。
对此,弹性波装置1使电极指27的粗细变化。图3是图1的主要部分的放大图。如图3所示,划分出区域R1、区域R2、区域R3和区域R4,其中,区域R1在SAW的传播方向(即电极指27的重复排列方向、D1方向)延伸并和虚设电极29重叠,区域R2和虚设电极29与电极指27的远端的间隙重叠,区域R3和电极指27的远端重叠,区域R4包含电极指27的交叉区域的中间部。另外,由于在该例子中电极指27的交叉区域和传播方向平行,因此各区域R1~R4也沿传播方向划分,但是在IDT电极19被切趾或者倾斜的情况下,各区域R1~R4也可以一起地倾斜。例如,在电极指27的交叉宽度大致相同,连接电极指27的远端的虚拟线相对于电极指27的重复排列方向倾斜的情况下,区域R1~R4为和虚拟线的倾斜匹配的平行四边形。虽然这种倾斜角度也取决于压电层7的欧拉角、厚度等,但是能够示例例如为5°以上且45°以下。在上述条件的情况下,也可以是例如25°以上且35°以下。在如此地使IDT电极19的虚拟线倾斜的情况下,能够减少横模式的泄漏。
首先,和区域R4的电极指27的线宽(D1方向的宽度)相比,将R1区域的虚设电极29以及电极指27(即电极指27的根部、和汇流条31连接的一侧的部分。以下,有时仅称连接部、连接部侧)的线宽加粗。即,电极指27包括扩宽部27W。通过这种结构,降低横模式的损耗。
进一步地,在本例子中,在电极指27的连接部附近,以从区域R1延续到区域R2、R3的方式,将线宽和区域R4的电极指27的线宽相比加粗。即,从电极指27的排列方向观察时,扩宽部27W延续到和另一个电极指27的远端重叠的位置。另外,在电极指27的位于区域R3的远端部,没有将线宽加粗。
如此地,通过在区域R3之前使电极指27的连接部侧加粗(设为扩宽部27W),能够提高fr-fa间的最大相位(MaxPh),能够提供损耗较少的弹性波元件。另外,由于能够在fa的高频率侧使相位变小,因此能够提供损耗较少的弹性波装置。
例如,区域R1~R3中的占空比是区域R4中的占空比的1.05倍以上且1.3倍以下。具体而言,区域R1~R3中的占空比可以是0.5~0.8。
另外,区域R3的在D2方向延伸的长度,可以是例如0.5p以上且2.5p以下。区域R4的在D2方向延伸的长度,可以是电极指27的交叉宽度的65%以上。
通过实测值对上述效果进行了验证。压电层7的传播角(ψ)设为90°。在这种压电层7的上表面形成IDT电极19。在实施例1、比较例1~3涉及的IDT电极19的电极指形状的模型如图4所示。实施例1涉及的弹性波元件1的电极指27的根部从区域R1到区域R3加粗。具体而言,从虚设电极29的远端到2μm前方加粗。在比较例1中,电极指27以及虚设电极29在整个区域设为和实施例1的电极指27在区域R4的粗细相同的粗细。在比较例2中,将电极指27的根部加粗到和虚设电极29的远端相同的位置。换言之,在区域R1的整个区域加粗。在比较例3中,将电极指27的根部加粗到从虚设电极29的远端到2μm的内侧的位置。另外,在以下的说明中,有时会以将电极指27的根部变粗到哪个位置,作为以虚设电极29的远端为基准的偏移量而表示。即,偏移量在实施例1为+2μm,在比较例2为0μm,在比较例3为-2μm。
图5表示对实施例1、比较例1~3的频率特性进行测定的结果。图5(a)表示阻抗特性,图5(b)表示相位特性,图5(c)表示图5(b)的fr-fa附近的放大图,图5(d)表示图5(b)的fa的高频率侧的放大图。在图5中,横轴是标准化频率,纵轴在图5(a)中表示阻抗,在图5(b)~图5(d)中表示相位。
根据图5很显然地,在fr-fa附近,和比较例1~3相比实施例1的相位特性提高。具体而言,不仅整体的相位水平本身提高,而且fr-fa间的相位的杂波也变少。进一步地,能够确认在fa的高频率侧能够使相位变小。
此外,在图6(a)表示偏移量和谐振频率fr的关系,在图6(b)表示偏移量和df(fr-fa间隔)、最大相位值的关系。根据图6很显然地,可确认随着增大偏移量,而能够维持df不变,增大最大相位。
另外,作为实施例2、比较例4~6,对于将压电层7的传播角设为ψ=0的情况的结果,在图7、图8表示。图7是相当于图5的图,图8是相当于图6的图。
根据此图很显然地,和传播角无关,实施例2涉及的弹性波元件在fr-fa附近相位特性提高。具体而言,不仅整体的相位水平本身提高,而且fr-fa间的相位的杂波也变少。进一步地,能够确认在fa的高频率侧能够使相位变小。
另外,根据图8很显然地,可确认即使在传播角为0°的情况下,最大相位也随着增大偏移量而增大的形态。
根据以上的结果,可以在需要更高的谐振频率的情况下将传播角设为90°,在为了形成陡峭的滤波器而需要小的df的谐振器的情况下将传播角设为0°。
另外,在上述例子中,设置了同时在第1电极指27A以及第2电极指27B的根部包括扩宽部27W的结构,但是也可以仅在一边设置。
此外,作为比较例,通过将压电层7的厚度设为和上述的实施方式相同,使切角不同,制造了得到比上述实施例低的频率的谐振的弹性波元件。即,制造其所利用的弹性波的种类并非如本申请的板波的弹性波元件,使偏移量变化来对特性进行测定。其结果是,可确认没有必要设置如上所述地延续到R3区域的扩宽部27W。据此,可确认由包括如上所述地延续到R3区域的扩宽部27W所致的特性提高是仅在使用了A1模式的板波的情况下才表现的效果。
此外,在上述例子中,虽然设置了扩宽部27W,但是在相同的位置设置和其他部位相比厚的厚度的厚膜部也可得到同样的效果。
(偏移量)
接着,确认了偏移量的范围。具体而言,对在使相对间距p的偏移量以间距p比在0到10变化时的频率特性进行测定。其结果如图11所示。图11是表示相对于偏移量的最大相位值的变化的形态的线图,图11(a)表示在使用106°Y旋转X传播的LT基板作为压电层7的情况下的结果,图11(b)表示使用Z旋转Y传播的LN基板作为压电层7的情况下的结果。
在图11中,横轴表示偏移量,纵轴表示最大相位(单位:deg)。根据图11很显然地,可确认随着偏移量增加,最大相位值周期性地重复增减,在偏移量为2p时取得最大值而与压电层7的材料无关的形态。根据以上,可确认在将偏移量设为1p~3p时能够提高最大相位。更加优选地,可以将偏移量设为1.5p以上且2.5p以下。
另外,间隙间隔(区域R2的D2方向的长度)设为0.3p。即,能够确认扩宽部27W从区域R1超过区域R2,延伸到R3是很重要的。
(扩宽量)
对于区域R4中的电极指27的线宽,对使扩宽部27W的线宽变化时的频率特性进行测定。具体而言,使区域R4中的占空比在0.35~0.5,在各占空比中,使扩宽部27W中的占空比从区域R4中的占空比的值变化到0.75来测量频率特性。另外,偏移量设为2p。
在使用LT基板作为压电层7的情况下的结果在图12中表示。图12(a)是将区域R4中的占空比设为0.45时的、扩宽部27W的相对于占空比的谐振频率和反谐振频率的差(df)以及最大相位值的关系的线图。根据图12(a)很显然地,可确认存在随着将扩宽部27W的占空比变大而df急剧变小的阈值,另一方面,最大相位虽然具有取最大值的值但是取相对稳定的值。
根据以上,在使扩宽部27W的占空比在比df变小的阈值小的范围内,求出最大相位值取最大值的值,在图12(b)中表示。图12(b)是表示区域R4中的占空比和扩宽部占空比的优选的值的关系的线图。根据图12(b)很显然地,在区域R4中的占空比为0.45以下的情况下扩宽部27W的占空比可以是0.55,在区域R4中的占空比为0.5的情况下扩宽部27W的占空比可以是0.6。在区域R4中的占空比为0.5以上的情况下,为了提高最大相位值,并且确保df,扩宽部27W的占空比可以是在区域R4的占空比增加0.1的值。
另外,由于最大相位值的变化比较少,因此在区域R4中的占空比为0.45以下的情况下扩宽部27W的占空比可以是0.50~0.60,在区域R4中的占空比为0.5以上的情况下扩宽部27W的占空比可以是在区域R4的占空比加上0.5~1.5的值。
接着,图13表示在使用LN基板作为压电层7的情况下的、相当于图12的图。在压电层7为LN基板的情况下,由于没有df较大地变化的阈值,因此求出优选的值作为最大相位值。其结果是,在区域R4中的占空比为0.45以下的情况下扩宽部27W的占空比可以是0.50~0.60,在区域R4中的占空比为0.5以上的情况下扩宽部27W的占空比可以是在区域R4的占空比增加0.1的值。
另外,最大相位值的变化是夹着最大值呈二次函数地变化的,因此如果是在夹着最大值0.1左右的范围,则能够保持特性。因此,在区域R4中的占空比为0.45以下的情况下扩宽部27W的占空比可以是0.50~0.60,在区域R4中的占空比为0.5以上的情况下扩宽部27W的占空比可以是在区域R4的占空比加上0.5~1.5的值。
(变形例)
在上述例中,以包括多层膜5的结构为例进行了说明,但是也可以不包括它们。如图14所示的弹性波装置1A为在包括凹部3x的基板3上配置了压电层7的薄膜状。即使在这种情况下,如果是使用板波,那么也能够实现同样的效果。
在图15作为实施例3用实线表示弹性波装置1A的频率特性。作为比较例7,针对除不包括扩宽部27A之外具有和弹性波装置1A相同的结构的弹性波装置,其频率特性在图15中用虚线表示。图15(a)~图15(d)是相当于图5(a)~图5(d)的图。
根据图15很显然地,能够确认在不包括多层膜的、呈薄膜状的弹性波装置1A中能够提高最大相位值。
(变形例)
在如图14所示的弹性波装置1A的薄膜形状的弹性波装置中,将电极指27的形状设为如图16所示的实施例4、5、比较例8。具体而言,实施例4为和实施例1相同的形状,实施例5为在实施例4的电极指形状中,将位于区域R3的电极指27的远端部分也设为扩宽部,比较例8为仅将位于区域R3的电极指27的远端部分设为扩宽部,除此之外设为和区域R4相等的电极指宽度。
图17表示对该实施例4、5、比较例8的频率特性进行测定的结果。图17(a)~图17(d)是相当于图5(a)~图5(d)的图。在图中实施例4用实线表示,实施例5用长间隔的虚线表示,比较例8用短间隔的虚线表示。
根据图17(c)很显然地,能够确认比较例8在fr-fa间大量发生杂波,无法降低横模式的泄漏。即,确认了即使仅是扩大区域R3中的电极宽度也没有效果,只有通过从电极指27的根部延续的扩宽部27W才能够降低横模式的损耗。
此外,能够确认当对实施例4和实施例5进行比较时,虽然和实施例4相比,实施例5在fa的高频率侧稍微提高特性,但是在fr-fa间杂波稍微增大,在fr的低频率侧产生杂波。
(其他变形例)
扩宽部27W的粗细在区域R1~R3可以是一样的。这种情况下,由于不包括沿弹性波的传播方向突出的突起部,因此能够减少电极指彼此短路的可能性。(弹性波装置的应用例:分波器)
图9是示意地表示作为弹性波装置1的应用例的分波器101的结构的电路图。如根据该图的纸面左上所示出的符号而理解的那样,在该图中,简略地表示梳齿电极23/反射器21。
分波器101例如具有:发送滤波器109,对来自发送端子105的发送信号进行滤波,并输出至天线端子103;和接收滤波器111,对来自天线端子103的接收信号进行滤波,并输出至1对接收端子107。
发送滤波器109例如包含由多个谐振器15被连接成梯形而构成的梯形滤波器。即,发送滤波器109具有:在发送端子105和天线端子103之间被串联连接的多个(也可以是1个)谐振器15、和将该串联的线(串联臂)与基准电位连接的多个(也可以是1个)谐振器15(并联臂)。另外,构成发送滤波器109的多个谐振器15例如被设置于同一固定基板2(3、5以及7)。
接收滤波器111例如包含谐振器15、多模式型滤波器(假定包含双模式型滤波器)113而构成。多模式型滤波器113具有在弹性波的传播方向排列的多个(图示的例子为3个)的IDT电极19、和被配置在其两侧的一对反射器21。另外,构成接收滤波器111的谐振器15以及多模式型滤波器113例如被设置在同一固定基板2。
另外,发送滤波器109以及接收滤波器111既可以被设置在同一固定基板2,也可以被设置在彼此不同的固定基板2。图9仅仅是分波器101的结构的一例,例如也可以接收滤波器111和发送滤波器109同样地由梯形滤波器构成等。
另外,作为分波器101,虽然对具备发送滤波器109和接收滤波器111的情况进行了说明,但是并不限定于此。例如,既可以是双工器,也可以是包含3个以上的滤波器的多路复用器。
(弹性波装置的应用例:通信装置)
图10是表示作为弹性波装置1(分波器101)的应用例的通信装置151的主要部分的框图。通信装置151进行利用电波的无线通信,包含分波器101。
在通信装置151中,包含要发送的信息的发送信息信号TIS由RF-IC(RadioFrequency Integrated Circuit:射频集成电路)153进行调制以及频率的提升(向载波频率的高频信号的变换)而形成为发送信号TS。发送信号TS由带通滤波器155去除发送用的通带以外的不必要分量,由放大器157进行放大并输入至分波器101(发送端子105)。然后,分波器101(发送滤波器109)从被输入的发送信号TS去除发送用的通带以外的不必要分量,将该去除后的发送信号TS从天线端子103输出至天线159。天线159将被输入的电信号(发送信号TS)转换为无线信号(电波)进行发送。
此外,在通信装置151中,由天线159接收到的无线信号(电波)被天线159转换为电信号(接收信号RS)并输入至分波器101(天线端子103)。分波器101(接收滤波器111)从被输入的接收信号RS去除接收用的通带以外的不必要分量,从接收端子107输出至放大器161。被输出的接收信号RS由放大器161进行放大,由带通滤波器163去除接收用的通带以外的不必要分量。然后,接收信号RS由RF-IC153进行频率的降低以及解调从而形成为接收信息信号RIS。
另外,发送信息信号TIS以及接收信息信号RIS可以是包含适当的信息的低频信号(基带信号),例如是模拟的声音信号或者被数字化的声音信号。无线信号的通带可以适当被设定,在本实施方式中,比较高的频率的通带(例如5GHz以上)也可以。调制方式可以是相位调制、振幅调制、频率调制或者这些的任意2个以上的组合中的任意一种。电路方式,在图17中例示了直接变换方式,但是也可以设为其他的适当的方式,例如可以是双超外差方式。此外,图10是仅示意地表示主要部分的图,也可以在适当的位置追加低通滤波器、隔离器等,此外,也可以变更放大器等的位置。
本公开并不限定于以上的实施方式,可以按各种的方式实施。例如,各层的厚度以及压电层的欧拉角可以被设为实施方式中例示的范围外的值。
符号说明
1…弹性波装置、3…基板、5…多层膜、7…压电层、19…IDT电极、11…低声阻抗层、13…高声阻抗层、37…保护膜。

Claims (10)

1.弹性波装置,具有:
压电层;
多个谐振器,包含位于所述压电层上的IDT电极;
保护膜,位于所述多个谐振器上;
所述IDT电极包含:
第1汇流条以及第2汇流条,连接到相互不同的电位,相互间隔而配置;
沿弹性波传播方向交替地排列的第1电极指以及第2电极指,其中,所述第1电极指连接到所述第1汇流条并朝所述第2汇流条侧延伸,所述第2电极指连接到所述第2汇流条并朝所述第1汇流条侧延伸;
所述第1电极指包括扩宽部,所述扩宽部的从与所述第一汇流条连接的部分到在从所述第1电极指和所述第2电极指的排列方向观察时和所述第2电极指的远端重复的位置的粗细,比所述第1电极指和所述第2电极指的交叉区域的中间附近粗;
在将所述IDT电极的电极指的间距设为p时所述压电层的厚度为不足1.5p。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其使用A1模式的板波。
3.弹性波装置,具有:
压电层;
多个谐振器,包含位于所述压电层上的IDT电极;
保护膜,位于所述多个谐振器上;
所述IDT电极包含:
第1汇流条以及第2汇流条,连接到相互不同的电位,相互间隔而配置,
沿弹性波传播方向交替地排列的第1电极指以及第2电极指,其中,所述第1电极指连接到所述第1汇流条并朝所述第2汇流条侧延伸,所述第2电极指连接到所述第2汇流条并朝所述第1汇流条侧延伸;
所述第1电极指包括扩宽部,所述扩宽部的从与所述第一汇流条连接的部分到在从所述第1电极指和所述第2电极指的排列方向观察时和所述第2电极指的远端重复的位置的粗细,比所述第1电极指和所述第2电极指的交叉区域的中间附近粗;
且所述弹性波装置使用A1模式的板波。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的弹性波装置,在将所述IDT电极的电极指的间距设为p时,所述压电层的厚度为0.6p以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的弹性波装置,所述压电层包含铌酸锂的单晶,其欧拉角(φ,θ,ψ)为(0°±10°,0°±10°,0°~360°)。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的弹性波装置,
所述IDT电极包含:
第1虚设电极,连接到所述第1汇流条,和所述第2电极指的远端对置;
第2虚设电极,连接到所述第2汇流条,和所述第2电极指的远端对置;
所述第1虚设电极以及所述第2虚设电极,和所述第1电极指和所述第2电极指的交叉区域的中间附近的粗细相比更粗。
7.根据权利要求6所述的弹性波装置,在将所述第1电极指的延伸的方向设为第1方向,将所述第1电极指和所述第2电极指的重复排列的方向设为第2方向,将所述IDT电极的电极指的间距设为p时,
所述扩宽部以在所述第2方向观察和所述第2虚设电极重叠的位置作为基准,朝所述第1方向的和所述第1汇流条相反的一侧到相距1.5p以上且2.5p以下的位置变粗。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的弹性波装置,包含:
基板;
多层膜,通过位于所述基板上的低声阻抗层和高声阻抗层交替地层叠而成;
所述压电层位于所述多层膜上。
9.分波器,具有:
天线端子;
发送滤波器,对被输出至所述天线端子的信号进行滤波;和
接收滤波器,对从所述天线端子输入的信号进行滤波;
所述发送滤波器以及所述接收滤波器的至少一者包含权利要求1~8中的任一项所述的弹性波装置。
10.通信装置,具有:
天线;
所述天线端子被连接于所述天线的权利要求9所述的分波器;和
IC,相对于所述发送滤波器以及所述接收滤波器,在信号路径上被连接于与所述天线端子相反的一侧。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11870423B2 (en) * 2018-06-15 2024-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator
JP7205551B2 (ja) * 2018-12-06 2023-01-17 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP7499624B2 (ja) * 2020-06-30 2024-06-14 NDK SAW devices株式会社 弾性表面波素子
WO2022014608A1 (ja) * 2020-07-15 2022-01-20 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022014497A1 (ja) * 2020-07-15 2022-01-20 株式会社村田製作所 フィルタ
WO2022014494A1 (ja) * 2020-07-15 2022-01-20 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022014496A1 (ja) * 2020-07-15 2022-01-20 株式会社村田製作所 フィルタ
WO2022014495A1 (ja) * 2020-07-15 2022-01-20 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN116210153A (zh) * 2020-07-30 2023-06-02 京瓷株式会社 弹性波谐振器、弹性波滤波器、分波器、通信装置
WO2022044869A1 (ja) * 2020-08-27 2022-03-03 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2022045307A1 (zh) * 2020-08-28 2022-03-03
WO2022210689A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023002823A1 (ja) * 2021-07-20 2023-01-26 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023002790A1 (ja) * 2021-07-21 2023-01-26 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN117917005A (zh) * 2021-08-31 2024-04-19 京瓷株式会社 弹性波元件、分波器以及通信装置
CN117981221A (zh) * 2021-09-21 2024-05-03 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2023167034A1 (ja) * 2022-03-03 2023-09-07 京セラ株式会社 弾性波素子、弾性波フィルタ、分波器、および通信装置
WO2023171741A1 (ja) * 2022-03-11 2023-09-14 京セラ株式会社 弾性波フィルタ、分波器、および通信装置
JPWO2023189103A1 (zh) * 2022-03-28 2023-10-05
WO2023243351A1 (ja) * 2022-06-17 2023-12-21 京セラ株式会社 弾性波装置、および通信装置
WO2024004862A1 (ja) * 2022-06-30 2024-01-04 京セラ株式会社 フィルタ装置および通信装置
WO2024024778A1 (ja) * 2022-07-29 2024-02-01 京セラ株式会社 弾性波共振子、弾性波フィルタおよび通信装置
CN115208349A (zh) * 2022-09-16 2022-10-18 深圳新声半导体有限公司 一种声表面波滤波器
WO2024190677A1 (ja) * 2023-03-15 2024-09-19 京セラ株式会社 弾性波共振子および通信装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013021948A1 (ja) * 2011-08-08 2013-02-14 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2014110457A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Kyocera Corp 弾性波素子、分波器および通信モジュール
WO2017004741A1 (zh) * 2015-07-03 2017-01-12 江苏奥康尼医疗科技发展有限公司 一种人工髋关节臼杯
WO2017051874A1 (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 京セラ株式会社 弾性波素子および弾性波装置
WO2017077892A1 (ja) * 2015-11-02 2017-05-11 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2017195580A (ja) * 2016-04-22 2017-10-26 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
CN107615654A (zh) * 2015-06-24 2018-01-19 株式会社村田制作所 滤波器装置
WO2018079574A1 (ja) * 2016-10-28 2018-05-03 京セラ株式会社 弾性波素子
WO2018154950A1 (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09107259A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン
JP2005159835A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP5156448B2 (ja) * 2008-03-24 2013-03-06 太陽誘電株式会社 弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
WO2010004741A1 (ja) 2008-07-11 2010-01-14 パナソニック株式会社 板波素子と、これを用いた電子機器
CN105284047B (zh) * 2013-05-29 2018-10-12 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN105684308B (zh) * 2013-10-31 2019-04-19 京瓷株式会社 弹性波元件、滤波器元件以及通信装置
JP6686027B2 (ja) * 2014-12-16 2020-04-22 スナップトラック・インコーポレーテッド 不要なモードの抑制が改善された電気音響変換器
WO2016098526A1 (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013021948A1 (ja) * 2011-08-08 2013-02-14 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2014110457A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Kyocera Corp 弾性波素子、分波器および通信モジュール
CN107615654A (zh) * 2015-06-24 2018-01-19 株式会社村田制作所 滤波器装置
WO2017004741A1 (zh) * 2015-07-03 2017-01-12 江苏奥康尼医疗科技发展有限公司 一种人工髋关节臼杯
WO2017051874A1 (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 京セラ株式会社 弾性波素子および弾性波装置
WO2017077892A1 (ja) * 2015-11-02 2017-05-11 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2017195580A (ja) * 2016-04-22 2017-10-26 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
WO2018079574A1 (ja) * 2016-10-28 2018-05-03 京セラ株式会社 弾性波素子
WO2018154950A1 (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置

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