CN107615654A - 滤波器装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种能压制横向模式纹波、不易产生插入损耗的劣化、能提高Q值的滤波器装置。滤波器装置(1)具备：纵向耦合谐振器型弹性波滤波器(11)，具有多个第1IDT电极(31～39)且作为第1带通型滤波器(5)发挥功能，第1IDT电极在与弹性波传播方向正交的方向上在IDT电极的中央区域的外侧具有低声速区域、且在低声速区域的外侧具有高声速区域；和弹性波谐振器(21、22)，与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器(11)电连接。弹性波谐振器(21、22)具有由LiTaO3构成的压电膜和传播的体波的声速与在压电膜中传播的弹性波的声速相比为高速的高声速构件。压电膜直接或间接地层叠在高声速构件上。多个第1IDT电极(31～39)在压电膜的一个面上进行纵向耦合连接。在压电膜的一个面上设置有第2IDT电极。连结第2IDT电极的多条第1电极指的前端的方向及连结多条第2电极指的前端的方向相对于由LiTaO3的欧拉角规定的弹性波传播方向ψ呈倾斜角度v(v是超过0°的正值)。

Description

滤波器装置
技术领域
本发明涉及具有由LiTaO3构成的压电膜的滤波器装置。
背景技术
在下述的专利文献1中，公开了一种在支承基板上将高声速膜、低声速膜、LiTaO3膜以及IDT电极按照该顺序层叠而成的弹性波装置。在专利文献1中，使用了在LiTaO3膜中传播的声表面波。
另一方面，在下述的专利文献2中，公开了一种使用了15°旋转Y切割X传播的LiTaO3膜的声表面波谐振器。在该声表面波谐振器中，将IDT电极的第1电极指的前端彼此连结的直线以及将第2电极指的前端彼此连结的直线相对于表面波传播方向倾斜了18°～72°程度。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：WO2012/086639 A1
专利文献2：JP特开2000-286663号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1所记载的弹性波装置中，存在在频率特性上出现横向模式纹波的问题。
另一方面，在专利文献2中，由一方的汇流条反射的横向模式和由另一方的汇流条反射的横向模式相互抵消。由此，视为能够抑制横向模式。
但是，在专利文献1所记载的弹性波装置中，若使上下的汇流条相对于弹性波传播方向倾斜，则存在Q值劣化的问题。因此，在使用如专利文献2所记载的那样的声表面波谐振器而构成了滤波器装置的情况下，插入损耗可能劣化。
本发明的目的在于提供一种能够防止插入损耗的劣化、提高Q值，并且能够有效地抑制横向模式纹波的滤波器装置。
用于解决课题的手段
本发明所涉及的滤波器装置，具备：纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，具有多个第1IDT电极，且作为第1带通型滤波器而发挥功能，其中，所述多个第1IDT电极在与弹性波传播方向正交的方向上，在IDT电极的中央区域的外侧具有低声速区域，并且，在所述低声速区域的外侧具有高声速区域；以及弹性波谐振器，与所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器电连接，所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及所述弹性波谐振器具有：压电膜，由LiTaO3构成；以及高声速构件，所传播的体波(Bulk wave)的声速与在所述压电膜中传播的弹性波的声速相比为高速，所述压电膜直接或间接地层叠在所述高声速构件上，所述多个第1IDT电极在所述压电膜的一个面上进行纵向耦合连接，所述弹性波谐振器具有在所述压电膜的一个面形成的第2IDT电极，所述第2IDT电极具有多条第1电极指和与所述第1电极指相互交替插入的多条第2电极指，在将由所述第2IDT电极的电极指的周期决定的波长设为λ时，由所述LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下，相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的被所述第2IDT电极激励出的弹性波的传播方向ψ，连结所述多条第1电极指的前端的方向以及连结所述多条第2电极指的前端的方向呈v(v是超过0°的正值)的倾斜角度。
在本发明所涉及的滤波器装置的某特定的方式中，所述压电膜的厚度为1.5λ以下。
在本发明所涉及的滤波器装置的某特定的方式中，具备多个所述弹性波谐振器，多个所述弹性波谐振器被电连接，从而构成了第2带通型滤波器。在此情况下，能够提供一种具有第1带通型滤波器和第2带通型滤波器的复合滤波器装置。
在本发明所涉及的滤波器装置中，优选的是，所述第2带通型滤波器是梯型滤波器。在此情况下，在第2带通型滤波器中，能够更进一步有效地防止插入损耗的劣化，同时能够更进一步有效地抑制横向模式纹波。
在本发明所涉及的滤波器装置的另一特定的方式中，提供一种滤波器装置，所述滤波器装置是双工器，其具有所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器来作为接收滤波器，且具备所述第2带通型滤波器来作为发送滤波器。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，所述第1带通型滤波器和所述第2带通型滤波器设置于1个芯片部件。在此情况下，滤波器装置的安装变得容易，并且能够实现搭载滤波器装置的电子设备的小型化。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，所述高声速构件是高声速支承基板。
在本发明所涉及的滤波器装置的另一特定的方式中，所述弹性波谐振器还具有支承基板，所述高声速构件是高声速膜，且设置在所述支承基板上。
在本发明所涉及的滤波器装置的另一特定的方式中，在所述高声速构件与所述压电膜之间，层叠有所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的弹性波的声速相比为低速的低声速膜，所述压电膜间接地层叠在所述高声速构件上。
在本发明所涉及的滤波器装置的另一特定的方式中，在所述高声速构件上直接层叠有所述压电膜。
在本发明所涉及的滤波器装置的另一特定的方式中，所述第1IDT电极具有：第1汇流条；第2汇流条，与所述第1汇流条隔开配置；多条第1电极指，基端与所述第1汇流条电连接，且前端朝向所述第2汇流条延伸；和多条第2电极指，基端与所述第2汇流条连接，且前端朝向所述第1汇流条延伸，在所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的所述第1IDT电极中，在将与所述第1电极指以及第2电极指延伸的方向正交的方向设为宽度方向时，在所述第1电极指以及第2电极指的至少一方中，与所述第1电极指以及第2电极指的长度方向中央相比宽度方向尺寸被设得更大的宽幅部，设置在比所述长度方向中央更靠所述基端侧以及所述前端侧中的至少一侧，所述第1汇流条以及第2汇流条的至少一方具有沿着所述第1汇流条或第2汇流条的长度方向分离配置的多个开口部，所述第1汇流条以及第2汇流条具有：内侧汇流条部，位于比所述开口部更靠所述第1电极指或第2电极指侧，并且在所述第1汇流条以及第2汇流条的长度方向上延伸；中央汇流条部，设置有所述开口部；和外侧汇流条部，相对于所述内侧汇流条部，夹着所述中央汇流条部而位于相反侧。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，所述内侧汇流条部具有在弹性波传播方向上延伸的带状的形状。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，在所述第1电极指以及所述第2电极指双方设置有所述宽幅部。在此情况下，能够更进一步有效地抑制横向模式纹波。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，所述第1IDT电极具有：第1汇流条；第2汇流条，与所述第1汇流条隔开配置；多条第1电极指，基端与所述第1汇流条电连接，且前端朝向所述第2汇流条延伸；和多条第2电极指，基端与所述第2汇流条连接，且前端朝向所述第1汇流条延伸，在将所述多条第1电极指和所述多条第2电极指在弹性波传播方向上重合的区域设为交叉区域的情况下，该交叉区域具有与所述弹性波传播方向正交的方向上的所述中央区域和设置在所述中央区域的外侧的所述低声速区域，在所述低声速区域中，所述第1电极指以及第2电极指的厚度被设得厚，使得与所述中央区域相比声速变低。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，所述第1IDT电极具有：第1汇流条；第2汇流条，与所述第1汇流条隔开配置；多条第1电极指，基端与所述第1汇流条电连接，且前端朝向所述第2汇流条延伸；和多条第2电极指，基端与所述第2汇流条连接，且前端朝向所述第1汇流条延伸，在所述低声速区域中，为了使声速相对下降而在所述第1电极指以及第2电极指上层叠有电介质膜。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，层叠在所述第1电极指以及第2电极指上的所述电介质膜沿着弹性波传播方向带状地延伸。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的所述第1IDT电极中的占空比为0.46以下。在此情况下，能够更进一步有效地抑制横向模式纹波。
在本发明所涉及的滤波器装置的又一其他特定的方式中，所述倾斜角度v处于0.4°以上且15°以下的范围。在此情况下，能够更进一步减小插入损耗。
发明效果
根据本发明所涉及的滤波器装置，能够减小插入损耗，能够提高Q值，并且能够压制横向模式纹波。
附图说明
图1(a)是本发明的第1实施方式所涉及的滤波器装置的示意性俯视图，图1(b)是表示弹性波谐振器的电极构造的俯视图。
图2是在本发明的第1实施方式中用于第2带通型滤波器的弹性波谐振器的简图式正面剖视图。
图3是用于说明传播方向ψ和倾斜角度v的示意图。
图4是表示倾斜角度为0°的比较例1的弹性波谐振器的阻抗特性的图。
图5是表示使倾斜角度v发生了变化的情况下的弹性波谐振器的阻抗特性的变化的图。
图6是表示倾斜角度v为0°的比较例1的弹性波谐振器的回波损耗特性的图。
图7是表示使倾斜角度v发生了变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图8是表示使倾斜角度v发生了变化的情况下的Q值的变化的图。
图9是表示使倾斜角度v发生了变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图10是图9的放大图，是表示使倾斜角度v发生了变化的情况下的回波损耗特性的变化的图。
图11(a)以及图11(b)是表示用于第2带通型滤波器的弹性波谐振器的第1、第2变形例的简图式正面剖视图。
图12是在本发明的第1实施方式的滤波器装置中使用的作为第1带通型滤波器的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的示意性俯视图。
图13是用于说明在第1实施方式中使用的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的层叠构造的简图式正面剖视图。
图14是表示在第1实施方式中用于利用活塞模式的电极构造的一例的部分切除俯视图。
图15是用于说明纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的IDT电极的主要部分的变形例的部分切除俯视图。
图16是表示具有图14所示的IDT电极的单端口型弹性波谐振器的阻抗-频率特性的图。
图17是表示具有图15所示的IDT电极的单端口型弹性波谐振器的阻抗-频率特性的图。
图18是实施例1的滤波器装置的电路图。
图19是表示实施例1的滤波器装置中的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及作为比较例3的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的衰减量频率特性的图。
图20是表示作为实施例1的滤波器装置中的梯型滤波器、以及作为比较例4的梯型滤波器的衰减量频率特性的图。
图21是表示纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的第1IDT电极的占空比与横向模式纹波的强度之间的关系的图。
图22是本发明的第2实施方式所涉及的滤波器装置的示意性俯视图。
图23是表示用于利用活塞模式的IDT电极的构造的第1例的示意性俯视图。
图24是表示用于利用活塞模式的IDT电极的构造的第2例的示意性俯视图。
图25是表示用于利用活塞模式的IDT电极的构造的第3例的示意性俯视图。
图26是表示用于利用活塞模式的IDT电极的构造的第4例的示意性俯视图。
图27是表示LiTaO3的膜厚与相对频带之间的关系的图。
图28(a)以及图28(b)是表示倾斜型IDT的各变形例的俯视图。
具体实施方式
以下，边参照附图边对本发明的具体实施方式进行说明，来明确本发明。
另外，需要预先指出的是，本说明书所记载的各实施方式是例示性的，在不同的实施方式间，能够进行结构的部分性置换或组合。
图1(a)是本发明的第1实施方式所涉及的滤波器装置的示意性俯视图。
滤波器装置1作为便携式电话机的双工器来使用。滤波器装置1具有天线端子2、接收端子3和发送端子4。天线端子2与天线ANT连接。在天线端子2与接收端子3之间，作为接收滤波器而连接有第1带通型滤波器5。在天线端子2与发送端子4之间，连接有作为发送滤波器的第2带通型滤波器6。
第1带通型滤波器5具有利用了活塞模式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11。另外，活塞模式是指抑制横向模式的技术。关于利用活塞模式的结构，参照图23～图26来更具体地说明。
图23～图26分别是用于说明利用活塞模式的构造的示意性俯视图。在图23所示的第1例中，IDT电极201具有第1汇流条202和第2汇流条203。在第1汇流条202连接有多条第1电极指204的一端。在第2汇流条203连接有多条第2电极指205。多条第1电极指204和多条第2电极指205相互交替插入。在此，如图23中右侧示出各区域的声速那样，在多条第1电极指204和多条第2电极指205于弹性波传播方向重合的、比交叉区域的中央区域更靠外侧的区域，设置有低声速区域。在低声速区域的更外侧的区域，设置有高声速区域。
如上所述，通过在与弹性波传播方向正交的方向上，在交叉区域的中央区域的外侧设置低声速区域，进而在低声速区域的外侧设置高声速区域，从而能够利用活塞模式来压制横向模式。
另外，在图23中，为了降低低声速区域的声速，在低声速区域中金属膜的膜厚被设得较厚。不过，设置低声速区域以及高声速区域的方法不限定于图23。也可以如图24所示的第2例那样，通过在第1电极指204以及第2电极指205设置宽幅部211、212来设置低声速区域。进而，也可以如图25所示的第3例那样，通过在电极指204、205的一部分层叠电介质膜221、222来设置低声速区域。
另外，关于形成高声速区域的方法也没有特别限定。可以使用如图23所示那样在电极指的前端与对方侧的汇流条之间不设置虚设电极的方法。或者，也可以在高声速区域配置提高声速的材料。
进而，也可以如图26所示的第4例那样，将电介质膜223、224设置为沿弹性波传播方向延伸，形成低声速区域。
另外，活塞模式中的构造，只要实现图23的声速关系，则关于形成低声速部、高声速部的方法不限手段。
进而，也可以如图14的内侧汇流条部111A所示那样，在电极指端有宽幅部，并且，具有细汇流条构造。通过采用该构造，能够提供一种不会导致制造工序的复杂化以及成本的上升，而能抑制横向模式纹波的弹性波装置。
第2带通型滤波器6是梯型滤波器。该梯型滤波器具有作为串联臂谐振器的多个弹性波谐振器21、21以及作为并联臂谐振器的多个弹性波谐振器22、22。在图1(a)中，示意性地图示了上述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11以及上述梯型滤波器的电路结构，但这些电路结构通过在LiTaO3膜7上形成电极来设置。
在滤波器装置1中，第1带通型滤波器5由于利用了活塞模式，因此能够有效地抑制横向模式纹波。利用了活塞模式的滤波器装置的具体构造没有特别限定。后面，会说明纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11的详情。
关于构成第2带通型滤波器6的多个弹性波谐振器21、22，以弹性波谐振器21为代表来进行说明。
图2是弹性波谐振器21的简图式正面剖视图。
如图2所示，弹性波谐振器21具有支承基板23。在支承基板23上，层叠有接合材料层24a、24b。在该接合材料层24a、24b上，层叠有作为高声速构件的高声速膜25。在高声速膜25上，层叠有低声速膜26。在低声速膜26上，层叠有由LiTaO3构成的压电膜27。
另外，作为压电膜的材料，虽然没有特别限定，但能够适宜地使用LiTaO3、LiNbO3、ZnO、AlN、或PZT的任意一者。在压电膜27上形成有IDT电极28。支承基板23在本实施方式中由硅构成。不过，构成支承基板23的材料没有特别限定。也可以使用硅以外的半导体材料。此外，也可以使用玻璃、绝缘性陶瓷等绝缘性材料。
作为支承基板23的材料如本实施方式那样优选硅。特别是，优选电阻率为100Ωcm以上，更优选为1000Ωcm以上，进一步优选为4000Ωcm以上。若电阻率变高，则能够有效地抑制后述的电极与支承基板23之间的电容耦合。因此，能够更进一步减小插入损耗。
而且，硅的热膨胀系数小。因此，能够抑制设置在支承基板23上的功能膜等的温度变化所引起的伸缩。由此，能够减小热负荷的频率变动，能够更进一步提高温度特性。在本实施例中，Si支承基板的厚度设为62.5λ。进而，由于硅的热传导性高，因此能够使滤波器装置所产生的热效率良好地散热。由此还能够提高耐电力性。
而且，由硅构成的支承基板23加工性优异。因此制造容易。此外，切割也能够容易进行。由于抗折强度高，因此还能够促进滤波器装置的薄型化。
接合材料层24a、24b在本实施方式中由氧化硅构成。不过，也可以使用氧化硅以外的接合材料。只要能够将高声速膜25接合于支承基板23，则接合材料层24a、24b的材料没有特别限定。
另外，作为高声速膜的材料，能够适宜地使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、DLC膜、硅、蓝宝石、氧化铝、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、氧化镁、金刚石、或者以上述各材料为主要成分的材料、以上述各材料的混合物为主要成分的材料中的任意一者。高声速膜25在本实施方式中由氮化铝构成。高声速膜25只要所传播的体波的声速比在压电膜27中传播的弹性波快，则能够由适当的材料形成。
另外，体波的声速是材料所固有的声速，存在在波的行进方向即纵向上振动的P波、和在与行进方向垂直的方向即横向上振动的S波。上述体波在压电膜27、高声速膜25、低声速膜26的任意一者中都进行传播。在各向同性材料的情况下，存在P波和S波。在各向异性材料的情况下，存在P波、慢S波、快S波。而且，在使用各向异性材料而激励出声表面波的情况下，作为两个S波而产生SH波和SV波。在本说明书中，在压电膜27中传播的主模式的弹性波的声速是指，P波、SH波以及SV波的三个模式中的、为了得到作为滤波器的通带、作为谐振器的谐振特性而使用的模式。
另外，低声速膜能够适宜地使用氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、在氧化硅中添加了氟或碳或硼而得到的化合物、或者以上述各材料为主要成分的材料中的任意一者。低声速膜26在本实施方式中由氧化硅构成。不过，低声速膜26只要所传播的体波的声速比在压电膜27中传播的弹性波的声速慢，则能够由适当的材料形成。
另外，可以在高声速膜25与压电膜27之间形成密接层。若形成密接层，则能够提高高声速膜25与压电膜27的密接性。密接层只要是树脂或金属即可，例如可使用环氧树脂或聚酰亚胺树脂。
在本实施方式中，由于在低声速膜26的下侧层叠了高声速膜25，因此能够将弹性波的能量限制在到高声速膜25为止的部分。
上述IDT电极28在本实施方式中由Al膜构成。不过，IDT电极28也可以取代Al膜而使用以Al膜为主体的合金膜。进而，IDT电极28能够由Al或以Al为主体的合金以外的、各种各样的金属材料形成。作为这样的金属材料，能够列举Cu、Mo、W、Ag、Pd或包含它们的合金。
弹性波谐振器21的特征在于，在IDT电极28中，以下所述的倾斜角度v是大于0°的正的数值。因此，能够压制起因于横向模式的纹波。优选的是，期望v处于0.4°以上且15°以下的范围。由此，能够更进一步有效地压制横向模式纹波。
在具有高声速膜25以及低声速膜26的弹性波谐振器21中，在频率特性上，容易出现起因于横向模式的纹波。在此，如专利文献2所记载的那样使用了LiNbO3基板的情况下，横向模式纹波的产生显著，给其他特性造成影响。另一方面，在使用了LiTaO3基板的情况下，横向模式纹波未成为问题。但是，在LiTaO3膜/低声速膜/高声速膜/支承基板的构造中，可知尽管使用了LiTaO3，然而横向模式纹波的产生也变得显著。特别是，在LiTaO3膜的膜厚成为10λ以下的情况下，该横向模式纹波较大地出现。在本实施方式中，由于上述倾斜角度v被设为上述特定的范围内，因此能够更进一步有效地压制该横向模式纹波。以下对此详细进行说明。LiTaO3的膜厚优选为3.5λ以下。在此情况下，能够使Q特性良好。此外，优选将LiTaO3膜厚设为2.5λ以下。在此情况下，能够减小频率温度系数。更优选的是，2.0λ以下，能够将TCF的绝对值设为-10ppm/℃以下。另外，若LiTaO3膜的膜厚为1.5λ以下，则更加优选。图27是表示LiTaO3膜的膜厚与相对频带之间的关系的图。相对频带与机电耦合系数具有比例关系。通过在1.5λ以下的范围内选择LiTaO3膜的膜厚，从而能够容易地调整机电耦合系数。
以IDT电极28为代表，对上述倾斜角度v进行说明。如图1(b)所示，IDT电极28具有沿与弹性波传播方向倾斜的方向延伸的第1汇流条28a。与第1汇流条28a隔开地设置有第2汇流条28b。第2汇流条28b也相对于弹性波传播方向以与第1汇流条28a相同的角度倾斜。第1汇流条28a与第2汇流条28b平行地延伸。
在第1汇流条28a连接有多条第1电极指28c的一端。多条第1电极指28c朝向第2汇流条28b侧延伸。与第1电极指28c正交的方向成为弹性波传播方向ψ。此外，设置有多条第2电极指28d，使得与多条第1电极指28c相互交替插入。多条第2电极指28d的一端与第2汇流条28b连接。
与第1电极指28c的前端隔开间隙地设置有第1虚设电极指28e。第1虚设电极指28e与第2汇流条28b连接。同样地，第2虚设电极指28f与第2电极指28d的前端隔开间隙地配置。第2虚设电极指28f与第1汇流条28a连接。
在IDT电极28中，将多条第2电极指28d的前端连结的虚拟线A1相对于弹性波的传播方向ψ呈v的角度。另外，将第1电极指28c的前端连结的虚拟线A2的方向与将第2电极指28d的前端连结的方向A1相同。
图3是用于说明传播方向ψ与倾斜角度v之间的关系的示意图。将LiTaO3的欧拉角设为图3的箭头B所示的方向是ψ＝0°的方向。IDT电极10A～10D中的虚线B1～B4是与将各IDT电极10A～10D中的多条第1电极指的前端彼此连结的方向平行的方向。在IDT电极10A中，方向B1和弹性波传播的传播方向ψ成为相同的方向。因此，在此情况下，在设为(各弹性波的传播方向，相对于传播方向的倾斜角度v)时，方向B1用(ψ，0°)来表示。在IDT电极10B中，成为(0°，v)。在IDT电极10C中，成为(ψ，v)。在IDT电极10D中，成为(ψ，-v)。
在本说明书中，将传播方向ψ和针对传播方向的连结IDT电极28的第1电极指28c的前端的方向所构成的角度设为倾斜角度v。以下也有时将该倾斜角度v为大于0°的正的数值的IDT电极简称为倾斜型IDT。
接着，说明在上述弹性波谐振器21中由设置有1个IDT电极28的部分而构成的弹性波谐振器的特性。
上述弹性波谐振器的设计参数如下。
压电薄膜：切割角55°的Y切割的LiTaO3膜
IDT电极的电极指交叉宽度＝15λ
电极指的对数＝83对
另外，λ＝2μm
后述的偏移长度L＝2λ
IDT电极中的占空比＝0.5
IDT电极的膜厚＝0.08λ
LiTaO3膜的膜厚＝0.3λ
构成接合材料层的氧化硅膜的膜厚＝0.35λ
间隙尺寸G＝0.5μm
按照上述设计参数，制作了其中将倾斜角度v设为0°的比较例1的弹性波谐振器。
图4是表示比较例1的弹性波谐振器的阻抗特性的图。此外，图6表示上述比较例1的弹性波谐振器的回波损耗特性。在该比较例1的弹性波谐振器中，设为倾斜角度v＝0°。即，使传播方向ψ与弹性波传播方向一致。
此外，与比较例1同样地制作了其中将IDT电极中的倾斜角度v设为2.5°、5.0°、7.5°、10°或15°的各弹性波谐振器。另外，在图5中，还一并示出v＝0.0°的比较例1的特性。
图5中示出这些弹性波谐振器的阻抗特性。
图7示出如上所述那样倾斜角度v为0.0°、2.5°、5.0°、7.5°、10°或15°的情况下的弹性波谐振器的回波损耗特性。
图8示出上述倾斜角度v被设为0.0°、2.5°、5.0°、7.5°、10°或15°的各弹性波谐振器的Q值与频率之间的关系。
如由图4可明确的那样可知，在倾斜角度v为0°的比较例1中，箭头C1～C3所示的纹波出现在谐振频率与反谐振频率之间。此外，图6的箭头C1～C3是与图4的C1～C3所示的纹波对应的纹波。
另一方面，虽然在图5中未必明确，但根据图7的回波损耗特性以及图8的Q值-频率特性可知，若v变得大于0°，则这些横向模式纹波被压制。
如由图7可明确的那样可知，与v＝0°的情况相比，若v变得大于0°，则横向模式纹波被有效地压制。
此外，与上述同样地制作了其中将上述倾斜角度v设为0°、0.4°、0.9°、1°或1.5°的各弹性波谐振器。将这些弹性波谐振器的回波损耗特性示于图9以及图10。图10是图9的放大图。
如由图9以及图10可明确的那样可知，与倾斜角度v为0°、0.4°或0.9°的情况相比，若倾斜角度v成为1°以上，则能够更进一步有效地压制横向模式纹波的大小。
因此，若上述倾斜角度v大于0°，则能够压制横向模式纹波。此外，优选的是，v优选为0.4°以上。由此，能够更进一步压制横向模式。特别是，如图7所示，若v为2.5°以上，则能够使回波损耗的绝对值小于1dB。因此，v更优选为1°以上，最优选的是，若为2.5°以上，则能够更进一步压制横向模式纹波。
此外，从图8可知，为了用于减小损耗而将Q值的最大值设为2500以上，优选将v设为10°以下。因此，倾斜角度v优选设为1°以上且10°以下的范围。由此，能够有效地抑制横向模式纹波，使得成为低损耗。更优选的是，倾斜角度v为2.5°以上且10°以下的范围。
此外，根据图8，为了进一步减小损耗，更优选将倾斜角度v设为5°以上。因此，更优选的是，倾斜角度v为5°以上且10°以下的范围。
在弹性波谐振器21中，如上所述那样能够压制横向模式纹波。多个弹性波谐振器21均如上述那样构成，此外，多个弹性波谐振器22也具有同样的构造。因此，在第2带通型滤波器6中，能够压制横向模式纹波。
另外，图11(a)、图11(b)是表示上述弹性波谐振器21的第1、第2变形例所涉及的弹性波谐振器21A、21B的简图式正面剖视图。
如图11(a)所示，可以使用在作为高声速构件的高声速支承基板25A上层叠了低声速膜26以及压电膜27的构造。
在第1实施方式以及图11(a)中，在高声速构件上隔着低声速膜26而层叠有压电膜27。即，压电膜27间接地层叠在高声速构件上。
此外，如图11(b)所示的第2变形例那样，也可以层叠高声速膜25以及压电膜27。即，也可以省略低声速膜26。在此情况下，在作为高声速构件的高声速膜25上直接层叠有压电膜27。
图12是在滤波器装置1中构成第1带通型滤波器5的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11的示意性俯视图。在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中，在压电膜27上，沿着弹性波传播方向配置有多个第1IDT电极31～39。在设置有第1IDT电极31～39的区域的弹性波传播方向两侧设置有反射器40、41。纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11是9IDT型的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。另外，纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中的第1IDT电极的数量只要为3以上的奇数即可，并不限定于9。
图13是用于说明上述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中的层叠构造的简图式正面剖视图。在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中，与弹性波谐振器21同样地，接合材料层24a、24b、高声速膜25、低声速膜26以及由LiTaO3构成的压电膜27按照该顺序层叠于支承基板23。而且，在压电膜27上设置有第1IDT电极31。在图13中，仅示出了设置有第1IDT电极31的部分，但形成有其他第1IDT电极32～39的部分也具有同样的层叠构造。
在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中，也如上所述那样，使用了具有高声速构件、高声速膜以及低声速膜的层叠构造。因此，与第2带通型滤波器6侧同样地，能够将弹性波的能量限制在到高声速膜25为止的部分。
以第1IDT电极31为代表，来说明第1IDT电极31～39的详情。另外，在本发明中，作为第1带通型滤波器5的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器只要利用活塞模式，则关于用于利用该活塞模式的结构没有特别限定。
图14是表示在本实施方式中用于利用活塞模式的电极构造的一例的部分切除俯视图。即，在IDT电极中，将与一方电位连接的电极指和与另一方电位连接的电极指在弹性波传播方向上重合的区域设为交叉区域。在该交叉区域中，在电极指延伸的方向上，在中央区域的两侧，形成与中央区域相比声速慢的边缘区域，由此能够形成活塞模式。形成这样的活塞模式的样态没有特别限定。
在本实施方式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中，具备通过在第1IDT电极31中形成活塞模式来压制横向模式纹波的构造。
第1IDT电极31具有第1汇流条111和与第1汇流条111隔开配置的第2汇流条112。第1汇流条111和第2汇流条112在弹性波传播方向上平行地延伸。
此外，在第1汇流条111连接有多条第1电极指113的基端。多条第1电极指113的前端从第1汇流条111朝向第2汇流条112侧延伸。即，多条第1电极指113在与弹性波传播方向正交的方向上延伸。
另一方面，多条第2电极指114的基端与第2汇流条112连接。多条第2电极指114的前端从第2汇流条112朝向第1汇流条111侧延伸。即，多条第2电极指114也在与弹性波传播方向正交的方向上延伸。
多条第1电极指113和多条第2电极指114相互交替插入。在第1电极指113设置有宽幅部113a、113b、113c、113d。在第2电极指114也设置有宽幅部114a、114b、114c、114d。以宽幅部113a为代表，对宽幅部113a～113d、114a～114d的形状进行说明。宽幅部113a与第1电极指113的其余部分相比其宽度方向尺寸即沿着弹性波传播方向的尺寸被设得较长。在本实施方式中，宽幅部113a被设为从第1电极指113的侧缘向弹性波传播方向突出的等腰梯形的形状。不过，宽幅部的形状并不限定于此，也可以使半圆状的突出部等各种各样的形状的突出部从第1电极指113的侧缘向弹性波传播方向突出。
宽幅部113a、113b在第1电极指113中靠近第1电极指113的基端侧而设置。换言之，宽幅部113a、113b靠近第1汇流条111侧而形成。另一方面，宽幅部113c、113d靠近第1电极指113的前端侧、即靠近第2汇流条112侧而设置。
另一方面，在第2电极指114中，在前端侧设置有宽幅部114a、114b。宽幅部114a、114b和宽幅部113a、113b在靠近第1汇流条111的区域中在与弹性波传播方向正交的方向上、即在电极指延伸的方向上交替配置。同样地，宽幅部113c、113d和宽幅部114c、114d在靠近第2汇流条112的一侧，在上述电极指延伸的方向上交替配置。
在设置有上述宽幅部113a、113b和宽幅部114a、114b的区域，形成图14所示的区域V2。图14的右侧的V1～V6表示在与弹性波传播方向正交的方向上从第1IDT电极31的中央朝向外侧配置的区域。将在区域V1～V6中传播的弹性波的速度(以下设为声速)V1～V6示意性地示于图14。以下，在本说明书中，将区域Vn(n为自然数)的声速设为Vn。在此，区域V1是位于上述宽幅部113b与宽幅部113c之间的IDT中央区域。
设置有上述宽幅部113a、113b、114a、114b的区域V2与IDT中央的区域V1相比声速低。
另一方面，在本实施方式中，在第1电极指113的基端，设置有向电极指宽度方向突出的突出部113e。因此，在设置有突出部113e的区域V3，声速比后述的高声速部的区域V5低。不过，在区域V3中，由于不存在第2电极指114，因此声速V3是比区域V2的声速V2高的声速。另外，在第2电极指114也设置有突出部114e。
如上所述那样通过设置宽幅部113a、113b、114a、114b来设置更低声速的区域V2的结构，在专利文献1、专利文献2中也有记载。另外，在第2汇流条112侧，也同样地，设置有宽幅部113c、113d、114c、114d的区域也成为区域V2。
在本实施方式中，第1汇流条111具有内侧汇流条部111A、中央汇流条部111B以及外侧汇流条部111C。在此，内侧以及外侧是指，在第1IDT电极31中的IDT电极的电极指延伸的方向上，将第1、第2电极指113、114所在的一侧作为内侧，将相反侧作为外侧。
内侧汇流条部111A是连接有上述多条第1电极指113的基端的部分。内侧汇流条部111A在本实施方式中具有沿弹性波传播方向延伸的细长的带状的形状。在此是被金属化的部分，因此该内侧汇流条部111A构成了作为低声速的区域V4。
另一方面，在中央汇流条部111B沿着弹性波传播方向分散配置有多个开口部115。在本实施方式中，开口部115位于在电极指延伸的方向上延伸的连结部116、116之间。连结部116在本实施方式中具有与第1电极指113相同的宽度，并且位于第1电极指113的延长线上。不过，连结部116的尺寸以及设置的位置不限定于此。此外，虽然开口部115在本实施方式中具有矩形的形状，但也不限定于矩形的形状。
在中央汇流条部111B，沿着弹性波传播方向交替地配置有连结部116和开口部115。因此，未被金属化的部分较多，所以中央汇流条部111B构成高声速的区域V5。外侧汇流条部111C不具有开口部。因此，外侧汇流条部111C是被金属化的区域，该区域V6成为低声速的区域。
在第2汇流条112侧，也同样地形成有内侧汇流条部112A、中央汇流条部112B以及外侧汇流条部112C。通过对相同部分标注相同的参照编号而省略其说明。
在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中，由于第1IDT电极31如上述那样构成，因此在中央区域V1的外侧设置低声速区域，在作为低声速区域的区域V2～V4的外侧存在高声速的区域V5。因此，能够形成活塞模式，能够有效地压制横向模式纹波。
在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中，第1IDT电极32～39也与第1IDT电极31同样地构成。因此，在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中，通过活塞模式的形成，能够有效地压制横向模式纹波。
此外，在本发明中，优选的是，通过使用上述第1IDT电极31，由此能够更有效地压制横向模式纹波，能够形成理想的活塞模式。参照图14～图17来对此进行说明。
为了容易比较，测定了在第1IDT电极31的两侧构成了反射器的弹性波谐振器的特性。图16是表示具有上述第1IDT电极31的弹性波谐振器的阻抗-频率特性的图。
此外，准备了图15所示的变形例的IDT电极51。制作了具有变形例的IDT电极51的单端口型弹性波谐振器。在该单端口型弹性波谐振器151中，第1汇流条152构成为仅具有粗的带状的金属化区域。因此，设置有第1汇流条152的部分成为V14所示的低声速的区域。将变形例的弹性波谐振器中的IDT电极51的电极指延伸的方向上的各区域V11～V14的声速V11～V14示意性地示于图15的右侧。
图17是表示变形例的单端口型弹性波谐振器的阻抗-频率特性的图。
对图16与图17进行对比可知，在图17中，在谐振频率与反谐振频率之间以及比反谐振频率更靠高频侧出现了纹波。该纹波是横向模式纹波。在图17所示的特性中，也是通过设置上述宽幅部，从而大体压制了横向模式纹波。不过，如图16所示可知，在上述实施方式的构造中，能够有效地压制这种横向模式纹波，横向模式纹波几乎没有出现。
在上述实施方式中，各区域V1～V6的声速V1～V6如图14所示那样。即，除了设置宽幅部113a、113b、114a、114b之外，还设置内侧汇流条部111A，从而有效地降低了作为低声速区域的区域V2、V3、V4的声速的平均值。
因此，低声速区域与中央区域之间的声速差ΔV变得非常大。因此，可以认为能够更有效地压制横向模式纹波。即，声速差ΔV越大，则活塞模式越可靠地产生，使得能够有效地压制横向模式纹波。
另外，如前所述，在本发明中纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的用于利用活塞模式的电极构造不限定于上述构造。即，除了采用设置宽幅部来调整声速的方法之外，也可以采用在电极指层叠电介质膜来调整声速的方法等。
返回到图1，在滤波器装置1中，由于第1带通型滤波器5利用了上述活塞模式，因此能够有效地抑制横向模式纹波。另一方面，第2带通型滤波器6具有上述的IDT电极中的倾斜构造和使用了高声速膜以及低声速膜的弹性波限制构造。因此，在第2带通型滤波器6中，也不易产生插入损耗的劣化，能够有效地提高Q值。
因此，在滤波器装置1中，能够有效地提高滤波器特性中的Q值。
参照图18～图20，对上述滤波器装置1的具体的实施例进行说明。
图18是作为第1实施方式的实施例的实施例1的滤波器装置的电路图。对与图1相同的部分标注相同的参照编号。另外，在作为第2带通型滤波器6的梯型滤波器中，设置有串联臂谐振器S1～S5和并联臂谐振器P1～P4。上述串联臂谐振器S1～S5相当于前述的弹性波谐振器21，并联臂谐振器P1～P4相当于弹性波谐振器22。
作为第1带通型滤波器5的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11，如上述实施方式那样设为9IDT型。
[纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11的设计参数]
电极指交叉宽度设为23μm。由第1IDT电极31～39的电极指间距决定的波长λ(μm)和电极指的对数如下述的表1所示那样。此外，由反射器的电极指间距决定的波长也如下述的表1那样。
[表1]
【表1】
波长(μm) IDT(对数)
反射器 1.9759
IDT31、39主 1.9774 20.5
IDT31、39窄间距 1.7862 1.5
IDT32、38窄间距(IDT31，39侧) 1.8404 1.0
IDT32、38主 1.9248 12.1
IDT32、38窄间距(IDT33，37侧) 1.8584 3.5
IDT33、37窄间距(IDT32，38侧) 1.8746 4.0
IDT33、37主 1.9691 17.0
IDT33、37窄间距(IDT34，36侧) 1.871 4.0
IDT34、36窄间距(IDT33，37侧) 1.8588 3.5
IDT34、36主 1.9277 12.5
IDT34、36窄间距(IDT35侧) 1.7877 1.0
IDT35窄间距 1.8166 1.5
IDT35主 1.9781 33.0
在表1中，“窄间距”意味着窄间距电极指部。“主(Main)”意味着窄间距电极指部以外的其余的电极指部。
此外，纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中的IDT电极以及反射器中的占空比均设为0.5。第1IDT电极31与反射器40的间隔、第1IDT电极39与反射器41的间隔设为0.53λR。另外，λR是由反射器的电极指间距决定的波长，即1.9759μm。
反射器的电极指的条数设为30条。
此外，在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11与天线端子2之间，连接有弹性波谐振器61a、61c。在该弹性波谐振器61a、61c间的连接点与接地电位之间连接有弹性波谐振器61b。此外，在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11的输出端与接地电位之间连接有弹性波谐振器61d。这些弹性波谐振器61a～61d构成陷波器，其设计参数如下述的表2所示那样。
[表2]
【表2】
[作为第2带通型滤波器6的梯型滤波器的设计参数]
串联臂谐振器S1～S5以及并联臂谐振器P1～P4的设计参数如下述的表3所示那样。
[表3]
【表3】
S1 P1 S2 P2 S3 P3 S4 P4 S5
IDT波长(μm) 2.00105 2.0744 1.8157 2.0987 2.00865 2.0932 2.0308 2.1054 2.012067
反射器波长(μm) 2.00105 2.0744 1.8157 2.0987 2.00865 2.0932 2.0308 2.1054 2.012067
交叉宽度(μm) 24.8 32 26.4 39.1 22.7 52.4 32.5 79.1 28.3
IDT的电极指的对数 100 57 224 89 69 82 150 62 100
反射器的电极指条数 21 21 21 21 21 21 21 21 21
占空比 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
在实施例1的滤波器装置1中，纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中的层叠构造设为在由Si构成的高声速支承基板上层叠了673nm的厚度的SiO2膜、600nm的厚度的LiTaO3基板的构造。LiTaO3的切割角设为50°Y。梯型滤波器的各弹性波谐振器中的倾斜角度v设为7.5°。此外，作为第1、第2IDT电极，使用了157nm的厚度的A1。
图19的虚线表示实施例1的利用了活塞模式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11的衰减量频率特性。为了比较，作为比较例3，在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中，准备了使用具有与实施例1中的梯型滤波器同样的倾斜构造的IDT电极、以及未利用活塞模式，除此之外都同样地构成的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。图19的实线表示比较例3的结果。如由图19可明确的那样可知，与实线所示的比较例3相比，根据实施例1中使用的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11，能够有效地抑制插入损耗的劣化。因此，能够提高滤波器装置的Q值。
此外，图20的实线表示作为实施例1的第2带通型滤波器6的梯型滤波器的衰减量频率特性。虚线表示作为比较例4而准备的梯型滤波器的衰减量频率特性。在比较例4中，与实施例1不同，在梯型滤波器的各弹性波谐振器中，采用了实施例1的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11那样的利用了活塞模式的结构。即，构成了不使用倾斜角度v为正值的倾斜型IDT，而利用了活塞模式，除此之外与上述实施例1同样的梯型滤波器。
如由图20可明确的那样可知，在实施例1中使用的梯型滤波器中，与比较例4相比，根据实施例1，不易产生插入损耗的劣化。因此，在滤波器装置1中能够提高Q值。
如由图19以及图20可明确的那样可知，在实施例1中，在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中利用活塞模式，在作为梯型滤波器的第2带通型滤波器6中采用倾斜型IDT，从而在第1以及第2带通型滤波器5、6的任意一者中都能够有效地抑制插入损耗的劣化，能够提高Q值。
关于本发明的特征，在如下方面具有特征，即，像这样，在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中如上述那样不采用倾斜型IDT而利用活塞模式，另一方面，在作为第2带通型滤波器的梯型滤波器中，不采用活塞模式而采用了倾斜型IDT。由此，在第1以及第2带通型滤波器双方，都能够有效地抑制插入损耗的劣化。
另外，优选的是，期望利用了活塞模式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中的第1IDT电极的占空比为0.46以下。图21是表示第1IDT电极中的占空比与纹波强度之间的关系的图。在此，纹波强度是指，在通带内出现的最大纹波的大小。
如由图21可明确的那样，在使占空比发生了变化的情况下，若占空比为0.46以下，则与超过了0.46的情况相比，能够有效地抑制纹波。此外，占空比的变化所引起的纹波强度的偏差也显著变小。
另外，在本发明中，与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11连接的构造不限定于由上述梯型滤波器构成的第2带通型滤波器6。即，也可以使用具有多个弹性波谐振器的其他第2带通型滤波器。或者，取代第2带通型滤波器，将弹性波谐振器与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11连接的构造也包含在本发明中。
例如，在图18中，也可以将构成了陷波器的弹性波谐振器61a～61d中的至少1个弹性波谐振器构成为具有前述的倾斜型IDT构造。在此情况下，在具有倾斜型IDT构造的弹性波谐振器和纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11的连接构造中，在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中，如上所述那样能够有效地抑制插入损耗的劣化，在弹性波谐振器侧，能够通过倾斜型IDT构造有效地抑制插入损耗的劣化。
因此，本发明所涉及的滤波器装置也可以是不需要第2带通型滤波器，而连接了纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11和至少1个弹性波谐振器的构造。
此外，如图1所示，在第1实施方式中，在作为同一压电膜的LiTaO3膜7上，配置第1带通型滤波器5和第2带通型滤波器6并进行了一体化。即，作为1个芯片部件，构成了滤波器装置1。因此，能够实现小型化，能够实现搭载滤波器装置1的电子设备的小型化。
不过，也可以如图22所示那样将第1带通型滤波器5以及第2带通型滤波器6分别作为第1芯片部件71以及第2芯片部件72构成为不同的芯片部件。第1芯片部件71以及第2芯片部件72安装在安装基板73上。
另外，图1(b)所示那样的具有倾斜角度v的弹性波谐振器21、22，只要具有串联臂谐振器S1～S5、并联臂谐振器P1～P4的弹性波谐振器中的至少1个以上即可。
此外，图1(b)所示那样的具有倾斜角度v的弹性波谐振器21、22，也可以在图18所示的弹性波谐振器61a、61b、61c、61d中使用。既可以在所有弹性波谐振器61a、61b、61c、61d中使用，也可以在弹性波谐振器61a、61b、61c、61d中的至少1个以上中使用。
进而，图18的第1带通型滤波器5也可以为接收滤波器，第2带通型滤波器6也可以为发送滤波器。
图28(a)以及图28(b)是表示倾斜型IDT的各变形例的俯视图。
如图28(a)所示的倾斜型IDT301那样，也可以在连接于相同电位的电极指303、304间，设置有连接于相同电位的电极指302。即，相互交替插入的多条第1电极指以及多条第2电极指中的一方的电极指也可以被部分间隔剔除。
此外，如图28(b)所示的倾斜型IDT311那样，也可以设置宽幅的电极指312。该电极指312的外形，被设为与设置有前述的电极指303、304和电极指302的部分的外形相同。即，设置有宽幅的电极指312，使得填埋电极指303、304和连接于另一侧的电位的电极指被间隔剔除的区域。
符号说明
1...滤波器装置；
2...天线端子；
3...接收端子；
4...发送端子；
5、6...第1、第2带通型滤波器；
7...LiTaO3膜；
10A～10D...IDT电极；
11...纵向耦合谐振器型弹性波滤波器；
21、21A、21B、22...弹性波谐振器；
23...支承基板；
24a、24b...接合材料层；
25...高声速膜；
25A...高声速支承基板；
26...低声速膜；
27...压电膜；
28...IDT电极；
28a、28b...第1、第2汇流条；
28c、28d...第1、第2电极指；
28e、28f...第1、第2虚设电极指；
31～39...第1IDT电极；
40、41...反射器；
51...IDT电极；
61a～61d...弹性波谐振器；
71、72...第1、第2芯片部件；
73...安装基板；
111...第1汇流条；
111A...内侧汇流条部；
111B...中央汇流条部；
111C...外侧汇流条部；
112...第2汇流条；
112A...内侧汇流条部；
112B...中央汇流条部；
112C...外侧汇流条部；
113、114...第1、第2电极指；
113a～113d、114a～114d...宽幅部；
113e、114e...突出部；
115...开口部；
116...连结部；
151...单端口型弹性波谐振器；
152...第1汇流条；
201...IDT电极；
202、203...第1、第2汇流条；
204、205...第1电极指、第2电极指；
211、212...宽幅部；
221～224...电介质膜；
301、311...倾斜型IDT；
302～304、312...电极指；
P1～P4...并联臂谐振器；
S1～S5...串联臂谐振器。

Claims (18)

1.一种滤波器装置，具备：
纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，具有多个第1IDT电极，且作为第1带通型滤波器而发挥功能，其中，所述多个第1IDT电极在与弹性波传播方向正交的方向上，在IDT电极的中央区域的外侧具有低声速区域，并且，在所述低声速区域的外侧具有高声速区域；以及
弹性波谐振器，与所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器电连接，
所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及所述弹性波谐振器具有：
压电膜，由LiTaO3构成；以及
高声速构件，所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的弹性波的声速相比为高速，
所述压电膜直接或间接地层叠在所述高声速构件上，
所述多个第1IDT电极在所述压电膜的一个面上进行纵向耦合连接，
所述弹性波谐振器具有在所述压电膜的一个面形成的第2IDT电极，
所述第2IDT电极具有多条第1电极指和与所述第1电极指相互交替插入的多条第2电极指，
在将由所述第2IDT电极的电极指的周期决定的波长设为λ时，由所述LiTaO3构成的压电膜的膜厚为10λ以下，
相对于由所述LiTaO3的欧拉角规定的被所述第2IDT电极激励出的弹性波的传播方向ψ，连结所述多条第1电极指的前端的方向以及连结所述多条第2电极指的前端的方向呈v的倾斜角度，其中，v是超过0°的正值。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述压电膜的厚度为1.5λ以下。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
所述滤波器装置具备多个所述弹性波谐振器，多个所述弹性波谐振器被电连接，从而构成了第2带通型滤波器。
4.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中，
所述第2带通型滤波器是梯型滤波器。
5.根据权利要求3或4所述的滤波器装置，其中，
所述滤波器装置是双工器，其具有所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器来作为接收滤波器，且具备所述第2带通型滤波器来作为发送滤波器。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第1带通型滤波器和所述第2带通型滤波器设置于1个芯片部件。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述高声速构件是高声速支承基板。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述弹性波谐振器还具有支承基板，所述高声速构件是高声速膜，且设置在所述支承基板上。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的滤波器装置，其中，
在所述高声速构件与所述压电膜之间，层叠有所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的弹性波的声速相比为低速的低声速膜，所述压电膜间接地层叠在所述高声速构件上。
10.根据权利要求1～8中任一项所述的滤波器装置，其中，
在所述高声速构件上直接层叠有所述压电膜。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第1IDT电极具有：第1汇流条；第2汇流条，与所述第1汇流条隔开配置；多条第1电极指，基端与所述第1汇流条电连接，且前端朝向所述第2汇流条延伸；和多条第2电极指，基端与所述第2汇流条连接，且前端朝向所述第1汇流条延伸，
在所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的所述第1IDT电极中，
在将与所述第1电极指以及第2电极指延伸的方向正交的方向设为宽度方向时，在所述第1电极指以及第2电极指的至少一方中，与所述第1电极指以及第2电极指的长度方向中央相比宽度方向尺寸被设得更大的宽幅部，设置在比所述长度方向中央更靠所述基端侧以及所述前端侧中的至少一侧，
所述第1汇流条以及第2汇流条的至少一方具有沿着所述第1汇流条或第2汇流条的长度方向分离配置的多个开口部，
所述第1汇流条以及第2汇流条具有：内侧汇流条部，位于比所述开口部更靠所述第1电极指或第2电极指侧，并且在所述第1汇流条以及第2汇流条的长度方向上延伸；中央汇流条部，设置有所述开口部；和外侧汇流条部，相对于所述内侧汇流条部，夹着所述中央汇流条部而位于相反侧。
12.根据权利要求11所述的滤波器装置，其中，
所述内侧汇流条部具有在弹性波传播方向上延伸的带状的形状。
13.根据权利要求11或12所述的滤波器装置，其中，
在所述第1电极指以及所述第2电极指双方设置有所述宽幅部。
14.根据权利要求1～10中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第1IDT电极具有：第1汇流条；第2汇流条，与所述第1汇流条隔开配置；多条第1电极指，基端与所述第1汇流条电连接，且前端朝向所述第2汇流条延伸；和多条第2电极指，基端与所述第2汇流条连接，且前端朝向所述第1汇流条延伸，
在将所述多条第1电极指和所述多条第2电极指在弹性波传播方向上重合的区域设为交叉区域的情况下，该交叉区域具有与所述弹性波传播方向正交的方向上的所述中央区域和设置在所述中央区域的外侧的所述低声速区域，在所述低声速区域中，所述第1电极指以及第2电极指的厚度被设得厚，使得与所述中央区域相比声速变低。
15.根据权利要求1～10中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第1IDT电极具有：第1汇流条；第2汇流条，与所述第1汇流条隔开配置；多条第1电极指，基端与所述第1汇流条电连接，且前端朝向所述第2汇流条延伸；和多条第2电极指，基端与所述第2汇流条连接，且前端朝向所述第1汇流条延伸，
在所述低声速区域中，为了使声速相对下降而在所述第1电极指以及第2电极指上层叠有电介质膜。
16.根据权利要求15所述的滤波器装置，其中，
层叠在所述第1电极指以及第2电极指上的所述电介质膜沿着弹性波传播方向带状地延伸。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的所述第1IDT电极中的占空比为0.46以下。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述倾斜角度ν处于0.4°以上且15°以下的范围。
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