FR3105894B1 - Structure de transducteur pour résonateur à accès unique - Google Patents

Structure de transducteur pour résonateur à accès unique

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Abstract

Structure de transducteur pour résonateur à accès unique La présente invention concerne une structure de transducteur ayant des moyens de suppression de mode transversal, en particulier pour un résonateur à accès unique, comprenant un substrat piézoélectrique (120, 170), en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique (140, 170) sur un substrat de base (144, 444), au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées (102, 112) formées sur le substrat piézoélectrique (120, 170), dans laquelle la première électrode en peigne (102) comprend une première barre omnibus (108) et une pluralité de doigts d'électrode (104) alternés avec des doigts d'électrode factices plus courts (106), tous s'étendant à partir de la première barre omnibus (108), dans lequel la seconde électrode en peigne (112) comprend une seconde barre omnibus (118) et une pluralité de doigts d'électrode (114) s'étendant à partir de la seconde barre omnibus (118), dans lequel les doigts d’électrode factices (106) de la première barre omnibus (108) font face aux doigts d'électrode (114) de la seconde barre omnibus (118) et sont séparées des doigts d'électrode (114) par des premiers espaces (110a), caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) fournie partiellement sous le premier espace (110a) et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale (136) sous les doigts d'électrode alternés (104, 114) des première et seconde électrodes en peigne (102, 112). La présente convention concerne également un procédé de fabrication de la structure de transducteur telle que décrite précédemment, et un résonateur à accès unique comprenant au moins une structure telle que décrite précédemment. Figure pour l’abrégé : Fig. 1a
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KR1020227026139A KR20220121862A (ko) 2019-12-30 2020-12-28 단일 포트 공진기용 트랜스듀서 구조체
US17/757,800 US20220360249A1 (en) 2019-12-30 2020-12-28 Transducer structure for single-port resonator with transverse mode suppression
PCT/EP2020/087927 WO2021136756A1 (fr) 2019-12-30 2020-12-28 Structure de transducteur pour résonateur à port unique avec suppression de mode transversal
DE112020006401.8T DE112020006401T5 (de) 2019-12-30 2020-12-28 Wandlerstruktur für einen Eintor-Resonator
JP2022538955A JP2023508079A (ja) 2019-12-30 2020-12-28 横モードが抑制された単一ポート共振器のためのトランスデューサ構造
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113872556A (zh) * 2021-09-27 2021-12-31 江苏卓胜微电子股份有限公司 一种声表面波谐振器和射频滤波器
US20230402989A1 (en) * 2022-06-13 2023-12-14 RF360 Europe GmbH Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter with Dielectric Material Disposed in a Piezoelectric Layer
WO2023241786A1 (fr) * 2022-06-14 2023-12-21 Huawei Technologies Co., Ltd. Élément résonateur à ondes acoustiques de surface et appareil électronique doté dudit élément résonateur à ondes acoustiques de surface
CN115314018B (zh) * 2022-08-16 2023-07-07 天通瑞宏科技有限公司 一种声表面波滤波器及其制备方法
WO2024043347A1 (fr) * 2022-08-26 2024-02-29 株式会社村田製作所 Dispositif à ondes élastiques et dispositif de filtre
CN116366022A (zh) * 2023-03-20 2023-06-30 江苏卓胜微电子股份有限公司 温度补偿声表面换能器及制造方法
CN116032242B (zh) * 2023-03-30 2023-08-25 阿尔伯达(苏州)科技有限公司 一种具有寄生模态抑制层的声表面波谐振器
CN116979926B (zh) * 2023-09-01 2023-12-22 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3946338A (en) * 1975-06-09 1976-03-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Acoustic wave devices involving perturbation of acoustic velocity by diffusion of metals
JP3101445B2 (ja) * 1992-11-19 2000-10-23 キヤノン株式会社 弾性表面波コンボルバ
JP2005311786A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Univ Of Tokyo 表面弾性波素子、及び表面弾性波速度変調方法
US8084915B2 (en) 2006-11-08 2011-12-27 Panasonic Corporation Surface acoustic wave resonator having comb electrodes with different overlapping lengths
JP5195443B2 (ja) * 2009-01-13 2013-05-08 株式会社村田製作所 弾性波装置
US8294331B2 (en) 2009-09-22 2012-10-23 Triquint Semiconductor, Inc. Acoustic wave guide device and method for minimizing trimming effects and piston mode instabilities
DE102010005596B4 (de) * 2010-01-25 2015-11-05 Epcos Ag Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden
US9136458B2 (en) * 2011-03-22 2015-09-15 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave element
JP5697751B2 (ja) 2011-03-25 2015-04-08 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
JP6335473B2 (ja) 2013-11-01 2018-05-30 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
JP6284800B2 (ja) * 2014-03-26 2018-02-28 太陽誘電株式会社 弾性表面波デバイス及びフィルタ
DE112016001894B4 (de) * 2015-04-24 2022-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Vorrichtung für elastische Wellen
KR101989462B1 (ko) 2015-06-24 2019-06-14 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 장치
US20170155373A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers
US11258427B2 (en) * 2016-11-25 2022-02-22 Tohoku University Acoustic wave devices
CN110140295B (zh) * 2017-01-13 2023-02-28 株式会社村田制作所 弹性波装置
JP7224094B2 (ja) 2017-06-26 2023-02-17 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
JP6954799B2 (ja) * 2017-10-20 2021-10-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2019102896A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 株式会社神戸製鋼所 アルミニウム合金膜
CN213783263U (zh) * 2018-03-09 2021-07-23 株式会社村田制作所 弹性波装置
FR3079053B1 (fr) * 2018-03-16 2020-03-27 Frec'n'sys Substrats composites pour les dispositifs d'etiquette a ondes acoustiques de surface pour applications de rfid et de capteurs
DE102018108732A1 (de) * 2018-04-12 2019-10-17 RF360 Europe GmbH Dünnschicht SAW-Wandler mit verbesserten Eigenschaften, elektroakustisches Filter und HF-Filter
KR20190138096A (ko) * 2018-06-04 2019-12-12 (주)와이솔 표면 탄성파 소자

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