CN213783263U - 弹性波装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种弹性波装置，能够抑制横模式和谐振频率附近及反谐振频率附近的纹波。本实用新型的弹性波装置具备：压电性基板，其具有高声速构件和直接或间接地设置在高声速构件上的压电体层；以及IDT电极(7)，其设置在压电性基板上。IDT电极的相对置的第一电极指(13)及第二虚设电极指(17)中的至少一方的前端的宽度比其他部分的宽度宽，相对置的第二电极指(16)及第一虚设电极指(14)中的至少一方的前端的宽度比其他部分的宽度宽。第一第二汇流条相对于弹性波传播方向倾斜地延伸。在沿与弹性波传播方向正交的方向观察时，在与第一第二汇流条呈直线状延伸的部分重叠的区域，通过分别连结多个第一第二电极指的前端而形成的第一第二包络线弯曲。
Description
技术领域
本实用新型涉及弹性波装置。
背景技术
一直以来，弹性波装置被广泛用于便携电话的滤波器等。在下述的专利文献1中记载有弹性波装置的一例。在该弹性波装置中，依次层叠有高声速膜、低声速膜及压电膜，在压电膜上设置有IDT电极。
这样的弹性波装置虽然能够提高Q值，但存在产生横模式纹波这样的问题。为了抑制横模式纹波，已知使IDT电极的汇流条相对于弹性波传播方向倾斜。但是，在使汇流条如上述那样倾斜的情况下，在谐振频率附近产生纹波。
在专利文献1所记载的弹性波装置中，通过在IDT电极的电极指的前端设置朝弹性波传播方向突出的突出部，能够抑制在谐振频率附近产生的纹波。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2015/098756号
实用新型内容
实用新型要解决的课题
但是，在IDT电极的电极指的前端设置有上述突出部的情况下，存在在反谐振频率附近产生纹波这样的问题。更具体而言，在反谐振频率与阻带上端之间产生纹波。需要说明的是，阻带是指通过将弹性波陷获在光栅而使弹性波的波长成为固定的区域。
本实用新型的目的在于，提供一种能够抑制横模式和谐振频率附近及反谐振频率附近的纹波的弹性波装置。
用于解决课题的手段
本实用新型的弹性波装置具备：压电性基板，其具有高声速构件和直接或间接地设置在所述高声速构件上的压电体层；以及IDT电极，其设置在所述压电性基板上，在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高，所述IDT电极具有：彼此相对置的第一汇流条及第二汇流条；一端与所述第一汇流条连接的多个第一电极指；一端与所述第二汇流条连接、且与所述多个第一电极指相互交替插入的多个第二电极指；一端与所述第一汇流条连接、且隔开间隙而与所述多个第二电极指对置的多个第一虚设电极指；以及一端与所述第二汇流条连接、且隔开间隙而与所述多个第一电极指对置的多个第二虚设电极指，在将所述第一电极指、所述第二电极指、所述第一虚设电极指及所述第二虚设电极指的沿着弹性波传播方向的尺寸设为宽度时，相对置的所述第一电极指及所述第二虚设电极指中的至少一方的前端的所述宽度比其他部分的所述宽度宽，相对置的所述第二电极指及所述第一虚设电极指中的至少一方的前端的所述宽度比其他部分的所述宽度宽，所述第一汇流条及所述第二汇流条相对于弹性波传播方向倾斜地延伸，在沿与弹性波传播方向正交的方向观察时，在与所述第二汇流条呈直线状延伸的部分重叠的区域，通过连结所述多个第一电极指的前端而形成的假想线即第一包络线弯曲，在沿与弹性波传播方向正交的方向观察时，在与所述第一汇流条呈直线状延伸的部分重叠的区域，通过连结所述多个第二电极指的前端而形成的假想线即第二包络线弯曲。
实用新型效果
根据本实用新型，可提供能够抑制横模式和谐振频率附近及反谐振频率附近的纹波的弹性波装置。
附图说明
图1是本实用新型的第一实施方式的弹性波装置的正面剖视图。
图2是本实用新型的第一实施方式中的IDT电极的放大俯视图。
图3是第一比较例中的IDT电极的示意性放大俯视图。
图4是第二比较例中的IDT电极的示意性放大俯视图。
图5是示出本实用新型的第一实施方式、第一比较例及第二比较例的弹性波装置中的回波损耗的图。
图6是本实用新型的第一实施方式的第一变形例的弹性波装置的正面剖视图。
图7是示出本实用新型的第一实施方式及其第一变形例的弹性波装置的回波损耗的图。
图8是本实用新型的第一实施方式的第二变形例的弹性波装置的正面剖视图。
图9是本实用新型的第一实施方式的第三变形例中的IDT电极的示意性放大俯视图。
图10是本实用新型的第二实施方式中的IDT电极的放大俯视图。
图11是本实用新型的第二实施方式的第一变形例中的IDT电极的放大俯视图。
图12是本实用新型的第二实施方式的第二变形例中的IDT电极的放大俯视图。
图13是本实用新型的第二实施方式的第三变形例中的IDT电极的放大俯视图。
图14是本实用新型的第三实施方式的弹性波装置的简图的俯视图。
具体实施方式
以下，通过参照附图对本实用新型的具体实施方式进行说明，使本实用新型变得清楚。
需要说明的是，本说明书所记载的各实施方式是例示的内容，预先指出在不同的实施方式之间能够进行结构的局部置换或组合。
图1是本实用新型的第一实施方式的弹性波装置的正面剖视图。
弹性波装置1具有压电性基板2。压电性基板2是依次层叠有支承基板3、高声速膜4、低声速膜5及压电体层6的层叠体。在压电性基板2的压电体层6上设置有IDT电极7。
当向IDT电极7施加交流电压时，弹性波被激励。在IDT电极7的弹性波传播方向两侧配置有反射器8及反射器9。这样，本实施方式的弹性波装置是弹性波谐振器。
这里，压电体层6可以包括钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等压电单晶，或者也可以包括氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、水晶(SiO2)或PZT等适当的压电陶瓷。
高声速膜4是本实施方式中的高声速构件。高声速构件是所传播的体波的声速比在压电体层6传播的弹性波的声速高的构件。高声速膜4在本实施方式中包括氮化硅(SiN)。需要说明的是，高声速膜4例如也可以包括氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅(Si)、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等。高声速膜4的材料是声速相对高的材料即可。
低声速膜5是所传播的体波的声速比在压电体层6传播的体波的声速低的膜。低声速膜5没有特别限定，但包括由SiOx表示的氧化硅。x是任意的正值。在本实施方式中，低声速膜5包括x＝2的SiO2。需要说明的是，低声速膜5例如除了氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽之外，还可以包括向氧化硅添加了氟、碳、硼的化合物等以上述材料为主成分的介质。低声速膜5的材料是声速相对低的材料即可。
支承基板3在本实施方式中包括硅。需要说明的是，支承基板3也可以包括氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、水晶等压电体；矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷；或者金刚石、蓝宝石、玻璃等电介质；氮化镓等半导体；以及树脂等。
在本实施方式中，由于具有依次层叠有高声速膜4、低声速膜5及压电体层6的构造，因此，能够有效地将弹性波陷获在压电体层6侧。这里，在本实施方式中，在作为高声速构件的高声速膜4上，隔着低声速膜5而间接地设置有压电体层6。需要说明的是，压电体层6也可以直接设置在高声速构件上。
以下，对本实施方式的IDT电极7的详细结构进行说明。
图2是第一实施方式中的IDT电极的放大俯视图。
IDT电极7具有彼此相对置的第一汇流条12及第二汇流条15。IDT电极7具有一端与第一汇流条12连接的多个第一电极指13。此外，IDT电极7具有一端与第二汇流条15连接的多个第二电极指16。多个第一电极指13与多个第二电极指16彼此相互交替插入。
IDT电极7具有一端与第一汇流条12连接且隔开间隙G2而与多个第二电极指16对置的多个第一虚设电极指14。IDT电极7具有一端与第二汇流条15连接且隔开间隙G1而与多个第一电极指13对置的多个第二虚设电极指17。
IDT电极7可以包括层叠有多个金属层的层叠金属膜，也可以包括单层的金属膜。反射器8及反射器9也是同样的。
如图2所示，第一汇流条12及第二汇流条15相对于弹性波传播方向倾斜地延伸。这样，本实施方式的IDT电极7是倾斜型的IDT电极。第一汇流条12与第二汇流条15呈直线状延伸，并且，相互平行地延伸。在弹性波装置1中，在沿与弹性波传播方向正交的方向观察时，与第一汇流条12或第二汇流条15呈直线状延伸的部分重叠的区域成为IDT电极7的整个区域。需要说明的是，第一汇流条12及第二汇流条15也可以不必呈直线状延伸，也可以不相互平行地延伸。
这里，将第一电极指13、第二电极指16、第一虚设电极指14及第二虚设电极指17的沿着弹性波传播方向的尺寸设为宽度。第一电极指13的前端的宽度比其他部分的宽度宽。这样，多个第一电极指13分别具有位于包括前端的部分的幅宽部13a。需要说明的是，不必是全部的第一电极指13必须具有幅宽部13a。例如，1根～几根第一电极指13也可以不具有幅宽部13a。同样地，多个第二电极指16分别具有位于包括前端的部分的幅宽部16a。需要说明的是，不必是全部的第二电极指16必须具有幅宽部16a。多个第一虚设电极指14分别具有位于包括前端的部分的幅宽部14a。需要说明的是，不必是全部的第一虚设电极指14必须具有幅宽部14a。多个第二虚设电极指17分别具有位于包括前端的部分的幅宽部17a。需要说明的是，不必是全部的第二虚设电极指17必须具有幅宽部17a。
这里，在将通过连结多个第一电极指13的前端而形成的假想线设为第一包络线A1，将通过连结多个第二电极指16的前端而形成的假想线设为第二包络线B1时，本实施方式的特征在于以下的结构。1)IDT电极7是倾斜型。2)第一电极指13、第二电极指16、第一虚设电极指14及第二虚设电极指17分别具有位于包括前端的部分的幅宽部。3)在沿与弹性波传播方向正交的方向观察时，在与第二汇流条15呈直线状延伸的部分重叠的区域，第一包络线A1随机地弯曲。4)在沿与弹性波传播方向正交的方向观察时，在与第一汇流条12呈直线状延伸的部分重叠的区域，第二包络线B1随机地弯曲。由此，能够抑制横模式和谐振频率附近及反谐振频率附近的纹波。以下，通过比较本实施方式、第一比较例及第二比较例来对此进行说明。
图3是第一比较例中的IDT电极的示意性放大俯视图。图4是第二比较例中的IDT电极的示意性放大俯视图。
如图3所示，第一比较例在IDT电极107的第二包络线B101未弯曲这一点及第一电极指103及第一虚设电极指104不具有幅宽部这一点，与第一实施方式不同。需要说明的是，第一包络线也未弯曲，第二电极指106及第二虚设电极指也不具有幅宽部。
如图4所示，第二比较例在IDT电极117的第二包络线B101未弯曲这一点与第一实施方式不同。第一包络线也未弯曲。另一方面，与第一实施方式同样地，在第二电极指116的包括前端的部分设置有幅宽部116a，在第一虚设电极指114的包括前端的部分设置有幅宽部114a。在第一电极指的包括前端的部分及第二虚设电极指的包括前端的部分也分别设置有幅宽部。需要说明的是，第一电极指113也具有设置在不包括前端的部分的幅宽部113b。幅宽部113b在沿弹性波传播方向观察时位于与相邻的间隙G2重叠的部分。同样地，第二电极指116具有在沿弹性波传播方向观察时设置于与相邻的间隙重叠的部分的幅宽部。
这里，分别制作出具有第一实施方式、第一比较例及第二比较例的结构的弹性波装置。各弹性波装置的设计参数如下述的表1所示。需要说明的是，在沿弹性波传播方向观察时，相邻的电极指重叠的区域是交叉区域。将交叉区域的沿着与弹性波传播方向正交的方向的尺寸设为交叉宽度。表1中的波长是指由IDT电极及反射器各自的电极指间距规定的波长。分别测定出上述多个弹性波装置的回波损耗。
[表1]
| 第一实施方式 | 第一比较例 | 第二比较例 | |
| IDT电极的波长(μm) | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
| 交叉宽度(μm) | 27～33 | 30 | 30 |
| IDT电极的电极指的对数(对) | 67 | 67 | 67 |
| IDT电极的占空比 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| 反射器的波长(μm) | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
| 反射器的电极指的根数(根) | 41 | 41 | 41 |
图5是示出第一实施方式、第一比较例及第二比较例的弹性波装置中的回波损耗的图。在图5中，实线示出第一实施方式的结果，虚线示出第一比较例的结果，单点划线示出第二比较例的结果。
如图5中的箭头C1所示，在第一比较例中，在谐振频率附近产生较大的纹波。此外，如箭头D1所示，在反谐振频率与阻带上端之间产生较大的纹波。需要说明的是，在本说明书中，将反谐振频率与阻带上端之间的纹波记载为反谐振频率附近的纹波。另一方面，在第二比较例中，如箭头C2所示，谐振频率附近的纹波被抑制，但如箭头D2所示，反谐振频率附近的纹波比第一比较例大。
相对于这些比较例，可知在第一实施方式中，如箭头C3所示，谐振频率附近的纹波与第二比较例同样地被抑制，此外，如箭头D3所示，反谐振频率附近的纹波被抑制。
在第一比较例及第二比较例中，第二包络线B101呈直线状延伸，多个间隙G2呈直线状延伸。因此，认为由于在配置有多个间隙G2的区域产生驻波而在反谐振频率附近产生较大的纹波。在第一包络线侧也同样。
在图1所示的第一实施方式中，第二包络线B1弯曲，因此，间隙G2配置在弯曲的线上。因此，在多个间隙G2并排的区域难以产生驻波。在第一包络线A1侧也同样。因此，能够有效地抑制反谐振频率附近的纹波。需要说明的是，在第一实施方式中，也在第一电极指13、第二电极指16、第一虚设电极指14、第二虚设电极指17的包括各前端的部分设置有幅宽部13a、幅宽部16a、幅宽部14a及幅宽部17a。因此，也能够有效地抑制谐振频率附近的纹波。
除此之外，由于IDT电极7为倾斜型，因此，也能够抑制横模式。
以下，示出仅仅压电性基板的结构与第一实施方式不同的第一实施方式的第一变形例及第二变形例。在第一变形例及第二变形例中，也能够有效地抑制横模式和谐振频率附近及反谐振频率附近的纹波。除此之外，能够将弹性波陷获在压电体层6侧。
如图6所示，在第一变形例的压电性基板22A中，高声速构件是支承基板23。需要说明的是，与第一实施方式同样地，在高声速构件与压电体层6之间设置有低声速膜5。本变形例中的支承基板23例如包括氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅(Si)、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等。作为高声速构件的支承基板23的材料是声速相对高的材料即可。
图7是示出第一实施方式及其第一变形例的弹性波装置的回波损耗的图。在图7中，实线示出第一实施方式的结果，虚线示出第一变形例的结果。
如图7所示，可知在第一变形例中，也与第一实施方式同样地，能够抑制谐振频率附近及反谐振频率附近的纹波。
如图8所示，第二变形例的压电性基板22B在不具有低声速膜这一点与第一变形例不同。这样，也可以不必设置低声速膜。在高声速构件上直接设置有压电体3。需要说明的是，高声速构件也可以是与第一实施方式同样的高声速膜。在该情况下，压电性基板成为依次层叠有支承基板、高声速膜及压电体层的层叠体。
图9是第一实施方式的第三变形例中的IDT电极的示意性放大俯视图。
本变形例在如下点与第一实施方式不同：在沿弹性波传播方向观察时，在IDT电极37的第一电极指33中的与和该第一电极指33相邻的间隙G2重叠的部分设置有幅宽部33b。更具体而言，第一电极指33中的上述相邻的间隙G2侧的侧面向该间隙G2侧突出。需要说明的是，也可以不在全部的第一电极指33设置幅宽部33b。同样地，在第二电极指36中的与和该第二电极指36相邻的间隙重叠的部分设置有幅宽部。需要说明的是，也可以不在全部的第二电极指36设置有幅宽部36b。在该情况下，也与第一实施方式同样地，能够有效地抑制横模式和谐振频率附近及反谐振频率附近的纹波。
在第一实施方式及第一变形例～第三变形例中，第一包络线A1及第二包络线B1具有随机地弯曲的部分。这里，相邻的间隙G2彼此在沿弹性波传播方向观察时优选不重叠。由此，能够更进一步抑制在配置有多个间隙G2的区域产生驻波。
例如，如图9所示，将任意的第二电极指36的前端的与弹性波传播方向正交的方向上的位置设为y1，将与该第二电极指36相邻的第二电极指36中的一方的上述位置设为y2。将沿着与弹性波传播方向正交的方向的间隙G2的尺寸设为h。此时，优选为y2≥y1+h或者y2≤y1-h。在该情况下，在从弹性波传播方向观察时，相邻的间隙G2彼此不重叠。因此，能够更进一步抑制在配置有多个间隙G2的区域产生驻波，能够更进一步抑制反谐振频率附近的纹波。需要说明的是，在表示与弹性波传播方向正交的方向上的位置的情况下，将第一汇流条12侧设为正方向，将第二汇流条15侧设为负方向。
在第一实施方式中，第一包络线A1及第二包络线B1在多个部位随机地弯曲。需要说明的是，在从与弹性波传播方向正交的方向观察时，第一包络线A1的至少一个部位在与第二汇流条15呈直线状延伸的部分重叠的区域弯曲即可。在从与弹性波传播方向正交的方向观察时，第二包络线B1的至少一个部位在与第一汇流条12呈直线状延伸的部分重叠的区域弯曲即可。不过，优选如第一实施方式那样，第一包络线A1及第二包络线B1在多个部位弯曲。由此，能够更进一步抑制在配置有多个间隙G1的区域及配置有多个间隙G2的区域产生驻波。
图10是第二实施方式中的IDT电极的放大俯视图。
本实施方式在IDT电极47的第一包络线A2及第二包络线B2具有周期性地弯曲的部分这一点与第一实施方式不同。除了上述点以外，本实施方式的弹性波装置具有与第一实施方式的弹性波装置1同样的结构。
更具体而言，第一包络线A2及第二包络线B2在每五对电极指的周期内同样地反复弯曲。第一包络线A2具有呈直线状延伸的部分，但该部分在与第二汇流条15延伸的方向及弹性波传播方向这两方交叉的方向上延伸。同样地，第二包络线B2呈直线状延伸的部分在与第一汇流条12延伸的方向及弹性波传播方向这两方交叉的方向上延伸。需要说明的是，在第一包络线A1及第二包络线B2周期性地弯曲的情况下，弯曲的周期及弯曲的角度等没有特别限定。
在本实施方式中，IDT电极47为倾斜型，并且，第一电极指13、第二电极指16、第一虚设电极指14及第二虚设电极指17分别具有幅宽部。因此，能够有效地抑制横模式及谐振频率附近的纹波。此外，如图10所示，在第一包络线A2及第二包络线B2周期性地弯曲的情况下，也与第一实施方式同样地，能够有效地抑制反谐振频率附近的纹波。
以下，示出仅仅第一包络线及第二包络线的弯曲图案与第二实施方式不同的第二实施方式的第一变形例～第三变形例。在第一变形例～第三变形例中，也能够有效地抑制横模式和谐振频率附近及反谐振频率附近的纹波。
如图11所示，在第一变形例的IDT电极57A中，第一包络线A3弯曲的周期与第二包络线B3弯曲的周期不同。
如图12所示，在第二变形例的IDT电极57B中，第一包络线A4及第二包络线B4呈曲线状且周期性地弯曲。更具体而言，第一包络线A4及第二包络线B4为大致正弦曲线状。在弹性波传播方向上，第一包络线A4及第二包络线B4的相位大致相同。
如图13所示，在第三变形例的IDT电极57C中，第一包络线A4及第二包络线B4为大致正弦曲线状，并且，在弹性波传播方向上，相互错开约半波长的量。
图14是第三实施方式的弹性波装置的简图的俯视图。在图14中，通过在多边形增加了两条对角线的简图来表示IDT电极及反射器。
本实施方式在第一汇流条62及第二汇流条65分别在两个部位弯曲这一点与第二实施方式不同。除了上述点以外，本实施方式的弹性波装置具有与第二实施方式的弹性波装置同样的结构。
更具体而言，第一汇流条62及第二汇流条65相对于沿弹性波传播方向延伸的轴呈线对称地弯曲。第一汇流条62及第二汇流条65被设置为，当连结作为第一汇流条62及第二汇流条65的延长线的假想线时，在俯视观察下成为大致菱形的形状。需要说明的是，第一汇流条62及第二汇流条65也可以包括沿弹性波传播方向延伸的部分。
IDT电极67具有与第一汇流条62及第二汇流条65呈直线状延伸的部分重叠的区域，即，第一区域E、第二区域F及第三区域H。第一区域E是IDT电极67中的、第一汇流条62及第二汇流条65弯曲的部分到反射器8侧的整个区域。第二区域F是IDT电极67中的、第一汇流条62及第二汇流条65弯曲的部分到反射器9侧的整个区域。第三区域H是被第一区域E及第二区域F夹着的区域。需要说明的是，IDT电极67也可以不具有第三区域H。
在本实施方式中，在第一区域E、第二区域F及第三区域H，第一包络线A5及第二包络线B5弯曲。因此，能够抑制在配置有多个间隙的区域产生驻波。因此，能够抑制反谐振频率附近处的纹波。除此以外，与第一实施方式同样地，也能够抑制横模式及谐振频率附近的纹波。
附图标记说明：
1…弹性波装置；
2…压电性基板；
3…支承基板；
4…高声速膜；
5…低声速膜；
6…压电体层；
7…IDT电极；
8、9…反射器；
12…第一汇流条；
13…第一电极指；
13a…幅宽部；
14…第一虚设电极指；
14a…幅宽部；
15…第二汇流条；
16…第二电极指；
16a…幅宽部；
17…第二虚设电极指；
17a…幅宽部；
22A、22B…压电性基板；
23…支承基板；
33…第一电极指；
33b…幅宽部；
36…第二电极指；
37、47、57A～57C……IDT电极；
62、65…第一汇流条、第二汇流条；
67…IDT电极；
103…第一电极指；
104…第一虚设电极指；
106…第二电极指；
107…IDT电极；
113…第一电极指；
113b…幅宽部；
114…第一虚设电极指；
114a…幅宽部；
116…第二电极指；
116a…幅宽部；
117…IDT电极；
G1、G2…间隙。
Claims (9)
1.一种弹性波装置，其特征在于，具备：
压电性基板，其具有高声速构件和直接或间接地设置在所述高声速构件上的压电体层；以及
IDT电极，其设置在所述压电性基板上，
在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高，
所述IDT电极具有：彼此相对置的第一汇流条及第二汇流条；一端与所述第一汇流条连接的多个第一电极指；一端与所述第二汇流条连接、且与所述多个第一电极指相互交替插入的多个第二电极指；一端与所述第一汇流条连接、且隔开间隙而与所述多个第二电极指对置的多个第一虚设电极指；以及一端与所述第二汇流条连接、且隔开间隙而与所述多个第一电极指对置的多个第二虚设电极指，
在将所述第一电极指、所述第二电极指、所述第一虚设电极指及所述第二虚设电极指的沿着弹性波传播方向的尺寸设为宽度时，相对置的所述第一电极指及所述第二虚设电极指中的至少一方的前端的所述宽度比其他部分的所述宽度宽，相对置的所述第二电极指及所述第一虚设电极指中的至少一方的前端的所述宽度比其他部分的所述宽度宽，
所述第一汇流条及所述第二汇流条相对于弹性波传播方向倾斜地延伸，
在沿与弹性波传播方向正交的方向观察时，在与所述第二汇流条呈直线状延伸的部分重叠的区域，通过连结所述多个第一电极指的前端而形成的第一包络线弯曲，
在沿与弹性波传播方向正交的方向观察时，在与所述第一汇流条呈直线状延伸的部分重叠的区域，通过连结所述多个第二电极指的前端而形成的第二包络线弯曲。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，
所述第一包络线及所述第二包络线具有周期性地弯曲的部分。
3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，
所述第一包络线及所述第二包络线具有随机地弯曲的部分。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述第一电极指、所述第二电极指、所述第一虚设电极指及所述第二虚设电极指的各前端的所述宽度比其他部分的所述宽度宽。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，
在沿弹性波传播方向观察时，所述第一电极指中的、与和该第一电极指相邻的所述间隙重叠的部分的所述宽度比其他部分的所述宽度宽，
在沿弹性波传播方向观察时，所述第二电极指中的、与和该第二电极指相邻的所述间隙重叠的部分的所述宽度比其他部分的所述宽度宽。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，
在所述高声速构件上直接设置有所述压电体层。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，
在所述高声速构件与所述压电体层之间设置有低声速膜，
在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述高声速构件是支承基板。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述弹性波装置还具备支承基板，
所述高声速构件是设置在所述支承基板与所述压电体层之间的高声速膜。
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