CN110419161B - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种即使在IDT电极的厚度大的情况下也能够充分降低边缘区域的声速的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在倒速度面为椭圆形的压电性基板(2)上设置IDT电极(3)，并设置电介质膜(13)以使得覆盖IDT电极，在将IDT电极中的电极密度(％)设为y(％)，将IDT电极的波长标准化膜厚100h/λ(％)设为x(％)的情况下，根据IDT电极的电极密度y，IDT电极的波长标准化膜厚x被设为满足下述的式(1)的x以上，y＝0.3452x2‑6.0964x+36.262...式(1)，IDT电极的交叉区域具有交叉宽度方向中央的中央区域、和设置在中央区域的交叉宽度方向一方外侧以及另一方外侧的第1、第2边缘区域，第1、第2边缘区域上的电介质膜的膜厚被设得比中央区域中的电介质膜的膜厚薄。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及利用了瑞利波的弹性波装置。
背景技术
以往，在利用了瑞利波的弹性波装置中，要求基于横模的纹波的抑制。例如，在下述的专利文献1记载的弹性波装置中，通过降低边缘区域的声速，从而可谋求横模纹波的抑制。更详细地，在第1、第2电极指在弹性波传播方向上相互重叠的区域内，在电极指的延伸方向两端设置有边缘区域。该边缘区域中的电介质膜的膜厚被设得比夹在边缘区域之间的中央区域上的电介质膜的膜厚还厚。由此，可降低边缘区域的声速。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-111923号公报
发明内容
发明要解决的课题
以往，通过使层叠的电介质膜的厚度增加等，从而使施加于IDT电极的质量增加。由此，认为能够降低声速。
然而，本申请的发明人们发现了如下内容，即，在IDT电极的厚度大的情况下，若增大边缘区域中的电介质膜的膜厚，则反之声速会变高。若边缘区域中的声速相对变高，则变得无法抑制横模。
本发明正是为了解决由本申请的发明人们发现的上述新的课题而完成的。即，本发明的目的在于，提供一种即使在IDT电极的厚度大的情况下也能够充分地降低边缘区域中的声速的弹性波装置。
用于解决课题的手段
本发明涉及的弹性波装置利用了瑞利波，且具备：压电性基板，倒速度面为椭圆形；IDT电极，设置在所述压电性基板上；和电介质膜，设置在所述压电性基板上以使得覆盖所述IDT电极，所述IDT电极具有多根第1电极指和与所述多根第1电极指相互交替插入的多根第2电极指，与所述第1电极指以及第2电极指的延伸方向正交的方向为弹性波传播方向，将从弹性波传播方向观察所述第1电极指和所述第2电极指时相互重叠的区域设为交叉区域，将所述第1电极指、第2电极指的延伸方向设为交叉宽度方向，将所述IDT电极中的电极密度(Mg/m3)设为y(Mg/m3)，将所述IDT电极的波长标准化膜厚100h/λ(％)设为x(％)(h为厚度，λ为由IDT电极的电极指间距规定的波长)，在该情况下，根据所述IDT电极的电极密度y，所述IDT电极的波长标准化膜厚x被设为满足下述的式(1)的x以上，
y＝0.3452x2-6.0964x+36.262...式(1)
所述IDT电极的所述交叉区域具有所述交叉宽度方向中央的中央区域、和设置在所述中央区域的交叉宽度方向一方外侧以及另一方外侧的第1边缘区域、第2边缘区域，
所述第1边缘区域、第2边缘区域上的所述电介质膜的膜厚被设得比所述中央区域中的所述电介质膜的膜厚薄。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方式中，所述IDT电极由Pt、W、Mo、Ta、Au或Cu构成，所述IDT电极的波长标准化膜厚x(％)根据所述IDT电极的材料被设为下述的表1所示的值以上。在该情况下，能够更有效地抑制横模。
[表1]
材料 x＝100h/λ(％)
Pt ≥3
W ≥3.5
Mo ≥8
Ta ≥4
Au ≥3.5
Cu ≥9
在本发明涉及的弹性波装置的其他特定的方式中，所述IDT电极由层叠有多个金属膜的层叠金属膜构成，所述y为所述层叠金属膜的密度。在该情况下，即使在使用了由层叠金属膜构成的IDT电极的情况下，也能够有效地抑制基于横模的纹波。
在本发明涉及的弹性波装置的又一其他特定的方式中，在所述IDT电极的所述第1边缘区域、第2边缘区域的所述交叉宽度方向外侧，设置有所述电介质膜的膜厚比所述第1边缘区域、第2边缘区域中的所述电介质膜的膜厚还厚的区域。
在本发明涉及的弹性波装置的另一特定的方式中，在所述第1边缘区域、第2边缘区域的所述交叉宽度方向外侧，设置有仅存在所述第1电极指或所述第2电极指的一者的第1间隔区域、第2间隔区域。
在本发明涉及的弹性波装置的又一其他特定的方式中，还具备：第1虚设电极指，前端与所述第1电极指的前端隔开所述第2间隔区域地对置；和第2虚设电极指，前端与所述第2电极指的前端隔开所述第1间隔区域地对置，在所述第1间隔区域、第2间隔区域的所述交叉宽度方向外侧分别设置有第1虚设区域、第2虚设区域。
在本发明涉及的弹性波装置的另一特定的方式中，所述压电性基板由铌酸锂构成。
在本发明涉及的弹性波装置的又一其他特定的方式中，所述压电性基板具备：压电膜；和高声速材料层，直接或间接地层叠于所述压电膜，由所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的弹性波相比为高速的高声速材料构成。
在本发明涉及的弹性波装置的另一其他特定的方式中，还具备：低声速材料层，层叠在所述压电膜与所述高声速材料层之间，所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的弹性波的声速相比为低速。
发明效果
根据本发明涉及的弹性波装置，即使在IDT电极的厚度大的情况下，也能够可靠地降低边缘区域的声速。因此，能够有效地抑制横模纹波。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的沿着交叉宽度方向的剖视图。
图2是表示本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。
图3是表示IDT电极由Pt构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。
图4是用于说明本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图5是第2实施方式的弹性波装置中的沿着交叉宽度方向的剖视图。
图6是表示IDT电极由Au构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。
图7是表示IDT电极由W构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。
图8是表示IDT电极由Ta构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。
图9是表示IDT电极由Mo构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。
图10是表示IDT电极由Cu构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。
图11是表示IDT电极由Mo膜和Al膜的层叠金属膜构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。
图12是表示IDT电极由Pt膜和Al膜的层叠金属膜构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。
图13是表示相对于SiO2膜的膜厚的增加而声速下降的下限值的电极的波长标准化膜厚100h/λ(％)与电极密度(Mg/m3)的关系的图。
具体实施方式
以下，通过参照附图来说明本发明的具体的实施方式，从而使本发明变得明了。
另外，预先指出的是，本说明书中记载的各实施方式只是例示性的，在不同的实施方式之间能够进行结构的部分置换或者组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的沿着交叉宽度方向的剖视图，图2是表示第1实施方式的弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。另外，在图2中，省略了后述的电介质膜的图示。如图1以及图2所示，弹性波装置1具有压电性基板2。在本实施方式中，压电性基板2由铌酸锂(LiNbO3)构成。在本发明中，压电性基板2由具有倒速度面(reverse velocity surface)为椭圆的形状的材料构成。更具体地，满足kx2+(1+Γ)×ky2＝k02以及Γ＞-1。在此，kx为波矢量的纵向分量，ky为波矢量的横向分量，k0为主传播方向的波矢量。
在压电性基板2上设置有IDT电极3以及反射器4、5。由此，构成了单端口型的弹性波谐振器。
IDT电极3具有第1、第2汇流条6、7。在第1汇流条6连接了多根第1电极指8的一端。在第2汇流条7连接了多根第2电极指9的一端。多根第1电极指8和多根第2电极指9相互交替插入。
此外，虽然不是必须的，但IDT电极3具有第1、第2虚设电极指10、11。第1虚设电极指10的一端与第2汇流条7连接。第1虚设电极指10的前端在交叉宽度方向上隔开间隔地与第1电极指8的前端对置。该间隔部分相当于后述的第2间隔区域。
第2虚设电极指11的一端与第1汇流条6连接。作为另一端的前端隔开间隔地与第2电极指9的前端对置。
在弹性波装置1中，弹性波进行传播的方向是与第1、第2电极指8、9延伸的方向正交的方向。而且，在从弹性波传播方向观察第1电极指8和第2电极指9的情况下，第1电极指8和第2电极指9相互重叠的区域为交叉区域。该交叉区域的第1、第2电极指8、9延伸的方向的尺寸为交叉宽度。因此，以下，将第1、第2电极指8、9延伸的方向设为交叉宽度方向。交叉宽度方向与弹性波传播方向正交。
图1是沿着图2的箭头A-A线的部分的剖视图，即，是沿着上述的交叉宽度方向的剖视图。在该剖面中，图示了第1电极指8和第1虚设电极指10隔开间隔地对置的部分。
在弹性波装置1中，层叠有电介质膜13以使得覆盖IDT电极3。在本实施方式中，电介质膜13是作为氧化硅膜的SiO2膜。不过，作为构成电介质膜13的材料，也可以是SiON等其他电介质。此外，氧化硅SiOX中的X也可以为2以外。
如图1所示，与位于交叉宽度方向中央的电介质膜部分13a的膜厚相比，在交叉宽度方向上位于两侧的电介质膜部分13b、13c的膜厚更薄。
在此，如图2所示，如以下那样规定IDT电极3的沿着交叉宽度方向的各区域。如前所述，交叉区域B是从弹性波传播方向观察时第1电极指8和第2电极指9相互重叠的区域。交叉区域B具有中央区域M、和第1、第2边缘区域X1、X2。第1边缘区域X1位于中央区域M的交叉宽度方向一方的外侧方向，第2边缘区域X2位于中央区域M的交叉宽度方向另一方的外侧方向。
在交叉区域B的交叉宽度方向的一方的外侧设置第1间隔区域C1，在另一方的外侧设置第2间隔区域C2。在图1中，图示了设置有第1间隔区域C1的部分。如图2所示，第1虚设区域D1位于第1间隔区域C1的交叉宽度方向外侧，第2虚设区域D2位于第2间隔区域C2的交叉宽度方向外侧。第1、第2虚设区域D1、D2分别相当于存在第2虚设电极指11以及第1虚设电极指10的部分。第1虚设区域D1的交叉宽度方向外侧为第1汇流条区域E1。第2汇流条区域E2位于第2虚设区域D2的交叉宽度方向外侧。
另一方面，电介质膜部分13a位于上述中央区域M上。而且，电介质膜部分13b位于从第1边缘区域X1上到第1汇流条区域E1为止的部分的上方。另一方面，电介质膜部分13c被设置为从第2边缘区域X2上到达第2汇流条区域E2上。
因此，在交叉区域B中，电介质膜部分13a位于中央区域M上，相对薄的电介质膜部分13b、13c位于第1、第2边缘区域X1、X2上。
以往认为，若层叠在IDT电极上的电介质膜的厚度变厚，则由于质量附加效果而声速会变低。然而，如前所述，本申请的发明人们首先发现了如下内容，即，在IDT电极的膜厚为某个值以上的情况下，若电介质膜的厚度变大则声速反而会变高。
本实施方式的弹性波装置1的特征在于，在将IDT电极3的电极密度设为y(Mg/m3)，将IDT电极3的波长标准化膜厚100h/λ(％)设为x(％)的情况下，根据IDT电极3的电极密度y，IDT电极3的波长标准化膜厚x被设为满足下述的式(1)的x以上。
y＝0.3452x2-6.0964x+36.262...式(1)
由此，与中央区域M的声速相比，第1、第2边缘区域X1、X2的声速变低。因此，能够通过声速差来有效地抑制横模，能够抑制横模纹波。以下，对其更详细地进行说明。
图3是表示IDT电极由Pt构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。另外，SiO2膜覆盖IDT电极的整体，SiO2膜的上表面设为平坦。此外，SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)下的h为SiO2膜的厚度，λ为由IDT电极的电极指间距规定的波长。在图3中，示出关于IDT电极3的波长标准化膜厚以100h/λ(％)计为1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％以及6％的各情况的结果。
如图3可明确，在IDT电极3由Pt构成的情况下，IDT电极3的波长标准化膜厚小于3时，随着SiO2膜的波长标准化膜厚增加而声速下降。即，与以往的见解相同。
然而，在IDT电极3的波长标准化膜厚为3以上的情况下，随着SiO2膜的波长标准化膜厚增加而声速变高。
在弹性波装置1中，IDT电极3的波长标准化膜厚x被设为满足上述式(1)的x以上。在此，在图3所示的IDT电极3的波长标准化膜厚为3的情况下，满足上述式(1)。因此，在IDT电极3由Pt构成的情况下，满足式(1)的x成为3。
由此，如图1以及图2所示，第1、第2边缘区域X1、X2中的电介质膜部分13b、13c的膜厚比中央区域M上的电介质膜部分13a的膜厚更薄，因此第1、第2边缘区域X1、X2的声速比中央区域M的声速低。即，第1、第2边缘区域X1、X2成为与中央区域M相比为低声速的区域，通过利用活塞模式(piston mode)，从而能够抑制横模。
另外，在第1、第2间隔区域C1、C2中，在弹性波传播方向上，仅存在第1电极指8或第2电极指9的一者。因此，第1、第2间隔区域C1、C2的声速与第1、第2边缘区域X1、X2相比成为高速。而且，由于设置有第2虚设电极指11以及第1虚设电极指10，因此第1、第2虚设区域D1、D2的声速成为与第1、第2边缘区域X1、X2相同的声速。而且，在交叉宽度方向上位于最外侧的第1、第2汇流条区域E1、E2中，在整个区域中被金属化，因此声速与第1、第2虚设区域D1、D2相比成为低声速。
图4是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图，图5是沿着其交叉宽度方向的剖视图。在第2实施方式的弹性波装置21中，压电性基板22具有在支承基板22a上按顺序依次层叠了高声速材料层22b、低声速材料层22c以及压电膜22d的构造。
压电膜22d由钽酸锂(LiTaO3)构成。低声速材料层22c由所传播的体波的声速比在压电膜22d中传播的弹性波的声速低的材料构成。高声速材料层22b由所传播的体波的声速比在压电膜22d中传播的弹性波的声速高的材料构成。关于构成这样的低声速材料层22c以及高声速材料层22b的材料，没有特别限定，能够使用矾土、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等的适当的陶瓷、DLC等的各种各样的材料。即，只要满足上述声速关系，就能够使用适当的材料来形成高声速材料层22b以及低声速材料层22c。
支承基板22a由硅、矾土等的适当的材料构成。另外，也可以通过由高声速材料构成支承基板22a，从而省略高声速材料层22b。此外，低声速材料层22c不是必须的，也可以省略。
因此，也可以在支承基板22a以及高声速材料层22b上层叠压电膜22d。此外，也可以是在由高声速材料构成的支承基板上层叠有压电膜22d的构造。
如上述，即使在压电膜22d由钽酸锂构成的情况下，若如压电性基板22那样高声速材料层22b至少直接或间接地层叠于压电膜22d，则压电性基板22的倒速度面也成为椭圆的形状。因此，即使在该情况下，也与第1实施方式的情况同样地，若IDT电极3的波长标准化膜厚根据电极密度而成为某个值以上，则随着电介质膜的厚度增加而弹性波的声速变高。
在第2实施方式的弹性波装置21中，电介质膜23具有相对厚的电介质膜部分23a、23d、23e、和相对薄的电介质膜部分23b、23c。电介质膜部分23b、23c位于相当于图1所示的第1、第2边缘区域X1、X2的区域。因此，即使在第2实施方式的弹性波装置21中，也能够通过中央区域M与第1、第2边缘区域X1、X2的声速差来有效地抑制横模。
另外，如图5所示，第1、第2虚设区域以及第1、第2汇流条区域的上方的电介质膜部分23d、23e的厚度也可以与中央区域中的电介质膜部分23a的厚度相等。即，在交叉宽度方向上比第1、第2边缘区域更靠外侧的区域中，电介质膜的厚度也可以比第1、第2边缘区域上的电介质膜的厚度更厚。
此外，电介质膜部分23d、23e的膜厚也可以与电介质膜部分23a的膜厚不同。不过，在电介质膜部分23a和电介质膜部分23d、23e的膜厚相等的情况下，能够实现制造工序的简化。
在第1、第2实施方式的弹性波装置1、21中，虽然关于单端口型的弹性波谐振器进行了示出，但本发明的弹性波装置也可以是纵耦合谐振器型弹性波滤波器等的其他弹性波装置。
其次，在IDT电极3由各种各样的金属构成的情况、或者由层叠金属膜构成的情况下，若为满足式(1)的x以上的电极膜厚，则如上述那样可得到本发明的效果，参照图6～图13来对此进行说明。
图6～图10是表示IDT电极分别由Au、W、Ta、Mo或Cu构成的情况下的SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速(m/秒)的关系的图。在图6～图10中，均是：SiO2膜覆盖IDT电极整体，SiO2膜的上表面设为平坦。
由图6明确可知，在Au的情况下，若x为3.5％以上，则随着SiO2膜的波长标准化膜厚(％)增加而声速变高。由此可知，只要满足式(1)的x为3.5％以上即可。同样地，根据图7，在W的情况下，只要x为3.5％以上即可。此外，根据图8，在Ta的情况下，只要x为4％以上即可。
根据图9可知，在Mo的情况下，只要x为8％以上即可。根据图10可知，在Cu的情况下，只要x为9％以上即可。即，可知，在IDT电极为Pt、W、Mo、Ta、Au或Cu的情况下，如下述的表2所示，根据电极的材料，只要x为表2所示的值以上即可。
[表2]
Figure GDA0003947039390000091
Figure GDA0003947039390000101
图13是表示上述x的下限值与IDT电极3的电极密度的关系的图。图13所示的曲线是上述的式(1)所表示的曲线。由此，在图13中，在某个电极密度的IDT电极的情况下，若为比包含该曲线的点靠右侧的点，即，若电极膜厚为上述曲线上的点以上，则按照本发明通过电介质膜的膜厚的调整能够抑制横模纹波。
另外，IDT电极3也可以由层叠多个金属膜而成的层叠金属膜构成。将层叠金属膜的情况下的例子示于图11以及图12。图11是层叠金属膜由Mo膜和Al膜的层叠金属膜构成的情况下的例子。图11是表示SiO2膜的波长标准化膜厚100h/λ(％)与弹性波的声速的关系的图。
另外，在此，层叠金属膜的整体的波长标准化膜厚设为1.5、2.5、3.5、4.5、5.5、6.5、7.5、8.5、9.5、11.5、12.5、13.5、14.5％，SiO2膜的波长标准化膜厚设为25、27.5、30、32.5、35、37.5、40、42.5、45、47.5或50％。另外，将Al膜的膜厚设为固定，使Mo膜的厚度发生变化，并使电极密度发生变化。
图12是层叠金属膜为Pt膜和Al膜的情况下的例子。图12是表示SiO2膜的波长标准化膜厚(％)与弹性波的声速的关系的图。在此，层叠金属膜的整体的波长标准化膜厚设为1.5、2.5、3.5、4.5、5.5或6.5％。SiO2膜的波长标准化膜厚设为25、27.5、30、32.5、35、37.5、40、42.5、45、47.5、以及50％。另外，将Al膜的膜厚设为固定，使Pt膜的膜厚发生变化，使电极密度发生变化。
由图11可明确，在Mo膜和Al膜的层叠金属膜的情况下，只要x(％)为7.5以上即可。根据图12可知，在Pt膜和Al膜的层叠金属膜的情况下，只要x(％)为2.5以上即可。即，下限值与满足上述式(1)的x(％)一致。
因此，在层叠金属膜的情况下，根据构成该层叠金属膜的电极材料的密度以及膜厚来求出层叠金属膜的整体的密度。基于求出的密度来求出由层叠金属膜构成的IDT电极3的波长标准化膜厚的下限值x(％)即可。
附图标记说明：
1、21...弹性波装置；
2...压电性基板；
3...IDT电极；
4、5...反射器；
6、7...第1、第2汇流条；
8、9...第1、第2电极指；
10、11...第1、第2虚设电极指；
13...电介质膜；
13a～13c...电介质膜部分；
22...压电性基板；
22a...支承基板；
22b...高声速材料层；
22c...低声速材料层；
22d...压电膜；
23...电介质膜；
23a～23e...电介质膜部分。

Claims (9)

1.一种弹性波装置，利用了瑞利波，且具备：
压电性基板，倒速度面为椭圆形；
IDT电极，设置在所述压电性基板上；和
电介质膜，设置在所述压电性基板上以使得覆盖所述IDT电极，
所述IDT电极具有多根第1电极指和与所述多根第1电极指相互交替插入的多根第2电极指，与所述第1电极指以及第2电极指的延伸方向正交的方向为弹性波传播方向，将从弹性波传播方向观察所述第1电极指和所述第2电极指时相互重叠的区域设为交叉区域，将所述第1电极指、第2电极指的延伸方向设为交叉宽度方向，将所述IDT电极中的电极密度(Mg/m3)设为y(Mg/m3)，将所述IDT电极的波长标准化膜厚100h/λ(％)设为x(％)，h为厚度，λ为由IDT电极的电极指间距规定的波长，在该情况下，根据所述IDT电极的电极密度y，所述IDT电极的波长标准化膜厚x被设为满足下述的式(1)的x以上，
y＝0.3452x2-6.0964x+36.262...式(1)
所述IDT电极的所述交叉区域具有所述交叉宽度方向中央的中央区域、和设置在所述中央区域的交叉宽度方向一方外侧以及另一方外侧的第1边缘区域、第2边缘区域，
所述第1边缘区域、第2边缘区域上的所述电介质膜的膜厚被设得比所述中央区域中的所述电介质膜的膜厚薄，
所述电介质膜是氧化硅膜。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极由Pt、W、Mo、Ta、Au或Cu构成，所述IDT电极的波长标准化膜厚x(％)根据所述IDT电极的材料被设为下述的表1所示的值以上，
[表1]
Figure FDA0003947039380000011
Figure FDA0003947039380000021
3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极由层叠有多个金属膜的层叠金属膜构成，所述y为所述层叠金属膜的密度。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述IDT电极的所述第1边缘区域、第2边缘区域的所述交叉宽度方向外侧，设置有所述电介质膜的膜厚比所述第1边缘区域、第2边缘区域中的所述电介质膜的膜厚还厚的区域。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述第1边缘区域、第2边缘区域的所述交叉宽度方向外侧，设置有仅存在所述第1电极指或所述第2电极指的一者的第1间隔区域、第2间隔区域。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，
还具备：第1虚设电极指，前端与所述第1电极指的前端隔开所述第2间隔区域地对置；和第2虚设电极指，前端与所述第2电极指的前端隔开所述第1间隔区域地对置，
在所述第1间隔区域、第2间隔区域的所述交叉宽度方向外侧分别设置有第1虚设区域、第2虚设区域。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电性基板由铌酸锂构成。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电性基板具备：
压电膜；和
高声速材料层，直接或间接地层叠于所述压电膜，由所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的弹性波相比为高速的高声速材料构成。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置，其中，
还具备：低声速材料层，层叠在所述压电膜与所述高声速材料层之间，所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的弹性波的声速相比为低速。
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