JP2023123880A - 弾性波装置 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｑ値が高く、かつ横モードリップルを効果的に抑制可能な弾性波装置を提供する。【解決手段】圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極は、第１バスバー３１及び第２バスバー３２と、複数本の第１電極指３３及び第２電極指３４とを有し、第１電極３３と第２電極指３４とが弾性波伝搬方向に重なり合っている領域において、中央領域Ｃ１と、中央領域Ｃ１と第１バスバー３１との間に設けられた第１エッジ領域Ｃ２と、中央領域Ｃ１と第２バスバー３２との間に設けられた第２エッジ領域Ｃ３とを有する。第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３の音速が、中央領域Ｃ１の音速よりも低く、バスバー領域Ｆの音速は、中央領域Ｃ１の音速よりも高い。第１エッジ領域Ｃ２と第１バスバー３１とで挟まれる第１領域Ｄ及び第２エッジ領域Ｃ３と第２バスバー３２とで挟まれる第２領域Ｅの一部の音速は、バスバー領域Ｆの音速よりも低い。【選択図】図３

Description

本発明は、弾性表面波装置や弾性境界波装置などの弾性波装置に関し、より詳細には、高音速材料層、低音速材料層及び、圧電膜が積層された弾性波装置に関する。

従来、圧電基板と、対向する第１及び、第２のバスバーと、複数本の第１及び、第２の電極指とを有する音響波装置が知られている。複数本の電極のそれぞれは、対向するバスバーから隔てられたエッジを有し、各電極のエッジと対向するバスバーとの間にギャップを形成する。下記の特許文献１では、上記ギャップの長さは１音響波長（１λ）以上であると望ましい旨が示されている。また、複数本の電極指のそれぞれは、エッジに隣接しトランスデューサに沿って長手方向に延びるエッジ領域を形成する部分を有する。この構成により、エッジ領域内の音響波の波速度がトランスデューサ中央領域の波速度よりも遅くなり、ギャップ領域内の波速度はトランスデューサ中央領域の速度よりも速い。そして、この音速関係によってピストンモードが得られて、横モードを抑制することができる旨が開示されている。

また、下記の特許文献２に係る弾性波装置は、支持基板上に、高音速膜、低音速膜、圧電膜及びＩＤＴ電極がこの順序で積層されている。この構造によって、Ｑ値を高めることができる旨が開示されている。

特開２０１１－１０１３５０号公報 国際公開第２０１２／０８６６３９号

横モードのリップルを抑えつつ、Ｑ値の高い弾性波装置を得るために上述の弾性波装置（音響波装置）同士を組み合わせた場合、バスバーの領域における弾性波の音速が低音速（中央領域における弾性波の速度よりも低い）から高音速（中央領域における弾性波の速度よりも高い）になる。従って、高音速領域が増加し、横モードリップルを確実に抑制することが困難な場合があった。

そこで、上記課題に鑑み、本発明の目的は、Ｑ値が高く、かつ、横モードリップルを効果的に抑制可能な弾性波装置を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置は、圧電膜と、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高速のバルク波が伝搬する高音速材料層と、圧電膜を伝搬するバルク波の音速よりも低速のバルク波が伝搬する低音速材料層と、圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極とを備える。高音速材料層上に、低音速材料層、圧電膜がこの順番に積層されており、ＩＤＴ電極が、対向し合っている第１及び第２バスバーと、第１バスバーに基端が接続されており、先端が第２バスバーに向かって延ばされている複数本の第１電極指と、第２バスバーに基端が接続されており、先端が第１バスバーに向かって延ばされている複数本の第２電極指とを有する。第１電極指と第２電極指とが弾性波伝搬方向に重なり合っている領域を交差領域とした場合、交差領域が、中央領域と、中央領域と第１バスバーとの間に設けられた第１エッジ領域と、中央領域と第２バスバーとの間に設けられた第２エッジ領域とを有する。第１及び、第２エッジ領域の音速が、中央領域の音速よりも低く、第１バスバーと第２バスバーが設けられているバスバー領域の音速は、中央領域の音速よりも高い。第１エッジ領域と第１バスバーとで挟まれる領域を第１領域とし、第２エッジ領域と第２バスバーとで挟まれる領域を第２領域としたとき、第１領域及び、第２領域の一部の音速は、バスバー領域の音速よりも低い。

本発明によれば、高音速材料層、低音速材料層及び圧電膜が積層されたＱ値が高い弾性波装置において、横モードのリップルを抑制可能となる。

本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造の要部を示す平面図である。 第１の実施形態の弾性波装置の正面断面図である。 図１の一部を拡大し、各領域の音速関係を示す部分切欠き拡大平面図である。 比較例の構造を有する弾性波装置の要部を示す部分切欠き平面図である。 第１の実施形態に係る弾性波装置における、浮き電極の有無による弾性波装置のリターンロス特性を示す図である。 図１の一部を拡大して示す拡大平面図である。 第１の実施形態に係る弾性波装置における、浮き電極の大きさとリターンロス及びインピーダンスとの関係を示す図である。 第１の実施形態に係る弾性波装置における、ＩＤＴ電極の電極指の太幅部の大きさとリターンロスとの関係を示す図である。 第１の実施形態の弾性波装置の変形例１の電極構造と各領域の音速を示す部分切欠き平面図である。 第１の実施形態に係る弾性波装置における、浮き電極における太幅部の大きさとリターンロスとの関係を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の電極構造と各領域の音速を示す部分切欠き平面図である。 第２の実施形態に係る弾性波装置における、ダミー電極指の有無による弾性波装置のリターンロス特性を示す図である。 図１１の一部を拡大して示す拡大平面図である。 第２の実施形態に係る弾性波装置における、ダミー電極指の大きさとリターンロス及びインピーダンスとの関係を示す図である。 第２の実施形態に係る弾性波装置における、ＩＤＴ電極における電極指の太幅部の大きさとリターンロスとの関係を示す図である。 第２の実施形態の弾性波装置の変形例１の電極構造と各領域の音速を示す部分切欠き平面図である。 第２の実施形態に係る弾性波装置における、ダミー電極指における太幅部の大きさとリターンロスとの関係を示す図である。 第１の実施形態に係る弾性波装置の変形例２の電極構造を示す部分切欠き平面図である。 第２の実施形態に係る弾性波装置の変形例２－４の電極構造を示す部分切欠き平面図である。 第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 第４の実施形態に係る弾性波装置の要部を示す部分切欠き平面図である。

以下、本発明を実施した形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示であり、本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等で参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。加えて、図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

なお、本明細書および特許請求の範囲の記載において、弾性波装置は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいが、以下では便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義すると共に、ｘｙ平面においては、ｙ方向の正側（図１の紙面上側）を上方、ｙ方向の負側（図１の紙面下側）を下方とし、ｘｚ平面においては、ｚ方向の正側（図２の紙面上側）を上方、ｚ方向の負側（図２の紙面下側）を下方として、上方、下方、及び、上、下、等の用語を用いるものとする。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置１の電極構造の要部を示す平面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置１の略図的正面断面図である。

図１に示すように、圧電膜１０は、主面１０ａを有し、主面１０ａ上には、ＩＤＴ電極１１が設けられている。ＩＤＴ電極１１に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向（ｘ方向）の両側には、反射器１２ａ、及び、反射器１２ｂを含む反射器１２が配置されている。反射器１２は、弾性波伝播方向（ｘ方向）に直交する方向（ｙ方向）に延び、互いに平行な複数の反射電極指を含んでいる。

弾性波装置１は、図２に示すように、高音速材料層としての高音速支持基板１３と、低音速材料層１４と、タンタル酸リチウムからなる圧電膜１０とを有する。高音速支持基板１３上に、低音速材料層１４、圧電膜１０がこの順番に積層されている。言い換えるならば、高音速支持基板１３の上に低音速材料層１４が積層され、低音速材料層１４の上に圧電膜１０が積層されている。そして、圧電膜１０上にＩＤＴ電極１１及び、反射器１２（１２ａ，１２ｂ）が設けられている。これによって１ポート型弾性波共振子が構成されている。

ここで、高音速材料層を構成している高音速材料とは、伝搬するバルク波の音速が、圧電膜１０を伝搬する弾性波の音速よりも高速である材料である。低音速材料層１４を構成している低音速材料とは、伝搬するバルク波の音速が、圧電膜１０を伝搬するバルク波の音速よりも低速である材料をいう。

高音速支持基板１３としては例えば、サファイア、水晶、炭化ケイ素、シリコンを用いることができ、低音速材料としては、酸化ケイ素もしくは酸窒化ケイ素などの無機絶縁物材料や、樹脂材料などを用いることができる。

もっとも、高音速材料及び低音速材料としては、前述した音速関係を満たす限り、適宜
の材料の組み合わせを用いることができる。

上述のような、高音速支持基板１３上に低音速材料層１４及び圧電膜１０が積層されている積層型基板では、弾性波のエネルギーを、圧電膜１０内に効果的に閉じ込めることができる。

圧電膜１０は、ニオブ酸リチウムなどのタンタル酸リチウム以外の圧電単結晶や、適宜の圧電セラミックスからなっていてもよい。

加えて、ＩＤＴ電極１１は、複数の金属層が積層された積層金属膜からなる。この金属としては、例えば、Ａｌ，Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、或いは、それらを主成分とする合金が挙げられる。なお、ＩＤＴ電極１１は、単数の金属層から構成されてもよい。

ＩＤＴ電極１１は、対向し合っている第１バスバー３１、及び、第２バスバー３２を有する。加えて、ＩＤＴ電極１１は、複数の第１電極指３３と、複数の第２電極指３４を有する。複数の第１電極指３３は、基端が第１バスバー３１に接続され、先端が第２バスバー３２に向かって延ばされている。複数の第２電極指３４は、基端が第２バスバー３２に接続され、先端が第１バスバー３１に向かって延ばされている。

第１電極指３３及び、第２電極指３４は、太幅部を有する。ここで、太幅部とは、電極指の延びる方向に直交する方向（弾性波伝播方向）に沿う寸法を幅方向の寸法とした場合、電極指の延びる方向中央に比べて、幅方向の寸法が大きい部分を指すものとする。そして、第１電極指３３及び、第２電極指３４が有する太幅部を便宜的に、電極指太幅部と称する。その場合、第１電極指３３及び、第２電極指３４において、電極指太幅部３８ｂ、３８ｃは電極指の先端側に位置しており、電極指太幅部３８ａ、３８ｄは電極指の基端側に位置している。

そして、第１電極指３３における先端側の電極指太幅部３８ｂと、対向する第２バスバー３２との間には、電極指が延びる方向に沿って長辺を有する部材、ここでは、第２バスバー３２に接続されていない矩形状の浮き電極１００ａが設けられている。同様に、第２電極指３４における先端側の電極指太幅部３８ｃと、対向する第１バスバー３１との間にも、第１バスバー３１に接続されていない矩形状の浮き電極１００ｂが設けられている。

ここで、図３（ａ）は、図１の一部を拡大し、各領域の音速関係を示す部分切欠き拡大平面図である。第１電極指３３と第２電極指３４とが弾性波伝搬方向において重なり合っている領域である交差領域Ｃは、中央領域Ｃ１と、中央領域Ｃ１と第１バスバー３１との間に設けられた第１エッジ領域Ｃ２と、中央領域Ｃ１と第２バスバー３２との間に設けられた第２エッジ領域Ｃ３とを有する。また、第１エッジ領域Ｃ２と第１バスバー３１とで挟まれた領域を第１領域Ｄ、第２エッジ領域Ｃ３と第２バスバー３２とで挟まれた領域を第２領域Ｅとする。

なお、図３（ａ）における各領域を伝搬する弾性波の速度（音速）Ｖは、図３の右側（＋ｘ方向）にいくほど高速であることを意味する。

本実施形態に係る弾性波装置１では、第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３の音速Ｖ２が、中央領域Ｃ１の音速Ｖ１に比べて低い。また、バスバーが設けられているバスバー領域Ｆの音速Ｖ４は、中央領域Ｃ１の音速Ｖ１に比べて高い。即ち、中央領域Ｃ１の電極指の延びる方向に沿った両外側にそれぞれ、低音速領域であるエッジ領域と、高音速領域であるバスバー領域とがこの順序で設けられている。これらの関係によってピストンモードを形成し、横モードのリップルを抑圧することができる。

さらに、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅのうち、浮き電極１０１が設けられていない領域、具体的には、浮き電極と太幅部とで挟まれた領域及び、浮き電極とバスバーとで挟まれた領域の音速Ｖ３１が、バスバー領域Ｆの音速Ｖ４より高速である一方で、浮き電極１０１が設けられている領域の音速Ｖ３２は、バスバー領域Ｆの音速Ｖ４と比べて低速である。この音速関係によって、より効果的なピストンモードを形成している。

図４は、比較例の構造を有する弾性波装置２における、各領域の音速関係を示す部分切欠き拡大平面図である。比較例に係る弾性波装置２は、第１領域Ｄ及び第２領域Ｅにおいて部材が設けられていない点が、実施形態１に係る弾性波装置１と異なる。

そして、音速関係に注目すると、比較例の弾性波装置２では、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおける全ての音速が、バスバー領域Ｆの音速Ｖ４より高速である。一方、本実施形態に係る弾性波装置１では、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおいて、その一部の領域の音速Ｖ３２がバスバー領域Ｆの音速Ｖ４よりも低速である。換言するならば、従来の高音速領域における一部の領域の音速を低めている。特に、この形態においては、従来の高音速領域の一部の音速が中央領域Ｃ１の音速と同等にまで低められており、中央領域Ｃ１よりも音速が高くない。

なお、第１領域Ｄ或いは、第２領域Ｅの全ての音速がバスバー領域の音速Ｖ４よりも低められる必要はない。あくまでも、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅの一部の領域の音速が、バスバー領域の音速Ｖ４よりも低速であればよい。より正確には、第１領域Ｄの一部と、第２領域Ｅの一部との少なくとも一方の領域の音速が、バスバー領域の音速Ｖ４よりも低速であればよい。

このような音速関係を有するようにＩＤＴ電極１１を構成することで、図４と比較して、本実施形態における高音速領域が減少する。そして、ピストンモードがより効果的に発生し、横モードのリップルを抑制することができる。

本実施形態では、ピストンモードを利用しており、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅの一部の領域の音速が、バスバー領域Ｆの音速よりも低いため、高音速領域が減少し、横モードリップルを効果的に抑制することができる。これを具体的なシミュレーション結果に基づき説明する。

まず、シミュレーションを行った際のＩＤＴ電極１１の電極パラメータについて説明する。

共振子の波長は、図３（ａ）に示すＩＤＴ電極１１を構成する複数の第１電極指３３または第２電極指３４の繰り返し周期である波長λで規定される。また、一対の櫛歯状の第１電極指３３及び第２電極指３４の交叉幅Ｌは、弾性波伝搬方向から見た場合において、第１電極指３３と第２電極指３４とが重複する電極指長さである。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。複数の第１電極指３３、第２電極指３４のピッチｐは、波長λの１／２であり、第１電極指３３及び、第２電極指３４のライン幅をｗ１とし、隣り合う第１電極指３３と第２電極指３４との間のスペース幅をｗ２とする場合、（ｗ１＋ｗ２）で定義される。また、各共振子の電極デューティーは、複数の第１電極指３３及び第２電極指３４のライン幅占有率であり、複数の第１電極指３３及び第２電極指３４のライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合であり、ｗ１／（ｗ１＋ｗ２）で定義される。

また、特に実施の形態１に係る弾性波装置１を構成する共振子の電極パラメータにおいて、波長λは１．５μｍ、対数Ｎは３８０、電極デューティーＲは０．４５である。

図５は、弾性波装置１において、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおける浮き電極１０１の有無による、リターンロス特性及び、インピーダンス特性を示す図である。図５において、実線は、浮き電極が配置されている場合を示しており、破線は浮き電極が配置されていない場合を示している。

図５（ａ）から明らかなように、浮き電極１０１がある場合、浮き電極１０１が無い場合と比較してリターンロス値が良好であることが分かる。特に、リターンロスのワースト値が－４．５ｄＢから、－１．５ｄＢ程度まで改善されている。一般的に、弾性波装置を構成する共振子のリターンロスのワースト値が改善されると、弾性波装置におけるリップルも低減される。従って、浮き電極１０１を設ければ、リターンロスのワースト値が改善され、横モードのリップルを効果的に抑圧できる。なお、ここでの浮き電極１０１は、弾性表面波の波長をλとしたときに、電極指が延びる方向（ｙ方向）における大きさが１λである。

また、図５（ｂ）から明らかなように、インピーダンス特性においても、浮き電極１０１がある場合は、浮き電極１０１が無い場合と比較して良好であり、リップルが抑えられていることが分かる。

そこで、上記の結果を踏まえ、弾性波装置１において、図６に示す浮き電極１０１の電極指が延びる方向における大きさα、及び、電極指太幅部の電極指が延びる方向における大きさβを種々変更し、リターンロス特性を評価した。結果を図７、図８に示す。

図７において、実線は、α＝０．７５λの場合のリターンロスを示しており、破線は、α＝０．５λ、一点鎖線はα＝１λの場合のリターンロス特性及び、インピーダンス特性を示している。図７（ａ）より浮き電極１０１の電極指が伸びる方向における大きさαが０．５λでは、リターンロスのワースト値が－４．０ｄＢ程度と大きいのに対し、０．７５λ及び１λではリターンロスのワースト値がそれぞれ－２．６ｄＢ、－１．６ｄＢ程度と小さいことが分かる。また、図７（ｂ）から明らかなように、浮き電極１０１の電極指が伸びる方向における大きさαが０．５λの場合に比べて、０．７５λ及び１λの場合ではインピーダンス特性が良好なことが分かる。従って、浮き電極１０１の電極指が伸びる方向における大きさαが０．７５λ以上では、横モードのリップルを効果的に抑圧することができる。なお、浮き電極１０１の電極指が伸びる方向における大きさαは３λ以下としてもよい。この場合、生産性が向上しやすくなる。

また、図８において、一点鎖線はβ＝０．２λ、破線はβ＝０．４λ、実線はβ＝０．５λ、二点鎖線はβ＝０．６λのリターンロス特性及び、インピーダンス特性を示す図である。図８（ａ）から明らかなように、βが０．２λの場合にはリターンロスのワースト値が－２．０ｄＢ程度である一方、βが０．４λ、０．５λ、０．６λの場合はリターンロスのワースト値が－１．２ｄＢ～－１．７ｄＢ程度に抑えられている。また、図８（ｂ）でも、βが０．２λの場合に比べて、βが０．４λ、０．５λ、０．６λの場合ではインピーダンス特性が良好なことが分かる。したがって、電極指太幅部の電極指が伸びる方向における大きさβが０．４λ≦β≦０．６λの場合、横モードのリップルを効果的に抑圧することができる。

（第１の実施形態の変形例）
図９は、第１の実施形態の弾性波装置１の変形例１の電極構造と各領域の音速を示す部分切欠き平面図である。変形例１に係る弾性波装置１では、浮き電極１０１が太幅部を有すること及び、浮き電極１０１の領域と中央領域Ｃ１との音速関係を除いては、第１の実施形態の弾性波装置１と同様に構成されている。

変形例１に係る浮き電極１０１は、電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向とした場合、少なくとも２つの異なった幅方向の寸法を有する。より詳細には、浮き電極１０１に太幅部を設けており、複数の幅方向の寸法のうち、幅方向の寸法が最も大きい部分を第１太幅部３６と称する。その場合、浮き電極１０１は、第１太幅部３６と第１太幅部３６でない部分とで、少なくとも２つの異なった幅方向の寸法を有する。

変形例１に係る弾性波装置１における各領域の音速は、図９（ｂ）に示す通りとなる。

中央領域Ｃ１の音速はＶ１、第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３の音速はＶ２、バスバー領域Ｆの音速はＶ４とする。第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３とバスバー領域Ｆとの間の第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅには、複数の異なった音速があり、第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３と浮き電極１０１との間の領域の音速をＶ３１、浮き電極の第１太幅部３６の領域の音速をＶ３２、浮き電極の第１太幅部３６でない領域の音速をＶ３３、浮き電極１０１とバスバー領域Ｆとの間の領域の音速をＶ３４とする。その場合、音速Ｖ１、Ｖ２，Ｖ３１～Ｖ３４、Ｖ４には、Ｖ３４≒Ｖ３１＞Ｖ４＞Ｖ１≒Ｖ３３＞Ｖ３２＞Ｖ２の関係がある。

このとき、浮き電極の第１太幅部３６の音速Ｖ３２がバスバー領域Ｆの音速Ｖ４及び、中央領域Ｃ１の音速Ｖ１よりも低速になるため、浮き電極の第１太幅部３６の領域は低音速領域となる。従って、高音速領域が更に減少することで、第１の実施形態と比較して、横モードのリップルを更に抑制することができる。

また、図９（ｂ）で示すように、第１領域Ｄ（図３参照）において、第１電極指３３の先端が第２バスバー３２に向かって延びる延長線４７上に電極指の延びる方向に伸びた部材（ここでは浮き電極）が位置している。同様にして、第２領域Ｅ（図３参照）において、第２電極指３４の先端が第１バスバー３１に向かって延びる延長線４８上に電極指の延びる方向に伸びた部材（ここでは浮き電極）が位置している。なお、電極指の延びる方向に伸びた部材は、延長線４７または、延長線４８の少なくとも一方の線上にあればよい。また、延長線上に部材が位置する場合には、部材が延長線の上のみに位置する場合だけではなく、部材の少なくとも一部が延長線と平面視して重なるように位置する場合も含まれるものとする。

このとき、浮き電極１０１は、電極指が伸びる方向において電極指と直線上に整列して配置されるため、延長線４７、４８上に浮き電極１０１が位置しない場合と比較して、製造が容易である。

図１０では、弾性波装置１において、浮き電極の第１太幅部３６の有無によるリターンロス特性及び、インピーダンス特性をシミュレーションにて評価した結果を示す。なお、図１０（ａ）に示すリターンロスの値は、リターンロスが最も悪化している部分の値（ワースト値）を示す。

図１０において、実線は、浮き電極１０１に第１太幅部３６がある場合のリターンロスを示しており、破線は、浮き電極１０１に第１太幅部３６がない場合のリターンロスを示している。図１０（ａ）から明らかなように、浮き電極１０１に第１太幅部３６がない場合、リターンロスのワースト値は－１．６６ｄＢである一方で、浮き電極１０１に第１太幅部３６がある場合、ワースト値は－１．３９ｄＢと改善されていることが分かる。また、図１０（ｂ）より、浮き電極に第１太幅部３６がある場合、インピーダンス特性も良好であることが分かる。従って、浮き電極１０１に第１太幅部３６を設けると、横モードのリップルを効果的に抑圧し得ることが分かる。なお、ここでの浮き電極１０１の第１太幅部３６は、電極指が伸びる方向（ｙ方向）における大きさγが０．５λである。

（第１の実施形態に係る弾性波装置の変形例２）
図１１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置１の変形例２の電極構造を示す部分切欠き平面図である。変形例２の電極構造では、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおいて、弾性波伝播方向に沿って長辺を有する矩形状の浮き電極１０１が形成されている。

本構造においても、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅの一部の音速が、バスバー領域Ｆの音速よりも低い。より詳細には、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅのうち浮き電極１０１が形成されている領域の音速が、バスバー領域Ｆの音速よりも低い。従って、第１の実施形態の場合と同様に、横モードのリップルを抑圧することができる。

（第２の実施形態）
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置３の電極構造と各領域の音速を示す部分切欠き平面図である。第２の実施形態の弾性波装置３では、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおける電極の構造及び、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅの音速が、図３に示した音速関係と異なることを除いては、第１の実施形態の弾性波装置１と同様に構成されている。

第２の実施形態に係る弾性波装置３のＩＤＴ電極１１は、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおいて、電極指の延びる方向（ｙ方向）に延びた部材、ここではダミー電極指１０２を有する。ダミー電極指１０２は弾性波伝播方向（ｘ方向）に沿って設けられ、ダミー電極指１０２の先端は電極指の先端側の電極指太幅部３８と対向しており、ダミー電極指１０２の基端は第１バスバー３１或いは、第２バスバー３２に接続されている。

また、第２の実施形態の弾性波装置３における各領域の音速関係は、図１２に示す通りとなる。

中央領域Ｃ１の音速はＶ１、第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３の音速はＶ２、バスバー領域Ｆの音速はＶ４とする。第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３とバスバー領域Ｆとの間の領域には、音速が異なる第１領域Ｄ及び第２領域Ｅがあり、第１エッジ領域Ｃ２とダミー電極指１０２の先端との間の領域の音速をＶ３１、ダミー電極指１０２の領域の音速をＶ３２とする。その場合、音速Ｖ１、Ｖ２，Ｖ３１、Ｖ３２、Ｖ４には、Ｖ３１＞Ｖ４＞Ｖ１≒Ｖ３２＞Ｖ２の関係がある。特に、Ｖ４＞Ｖ３２であることから第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅの一部の音速が、バスバー領域Ｆの音速よりも低いことが分かる。

このような音速関係を有するようにＩＤＴ電極１１を構成することで、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅの一部の音速が、バスバー領域の音速よりも低く、第２の実施形態の弾性波装置３においても、第１の実施形態と同様に、横モードのリップルを抑制することができる。

図１３は、弾性波装置３において、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおけるダミー電極指１０２の有無によるリターンロス特性及び、インピーダンス特性を示す図である。図１３において、実線は、ダミー電極が配置されている場合を示しており、破線はダミー電極が配置されていない場合を示している。

図１３（ａ）から明らかなように、ダミー電極指１０２がある場合、ダミー電極指１０２が無い場合と比較してリターンロスのワースト値が－４．７ｄＢから、－１．２ｄＢ程度まで改善されている。また、図１３（ｂ）より、ダミー電極指１０２がある場合、インピーダンス特性も良好であることが分かる。すなわち、ダミー電極指１０２を設ければ、横モードのリップルを効果的に抑圧できることが分かる。なお、ここでのダミー電極指１０２は、弾性表面波の波長をλとしたときに、電極指が延びる方向（ｙ方向）における大きさが１λである。

上記の結果を踏まえ、弾性波装置２において、図１４に示す、ダミー電極指１０２の電極指が伸びる方向（ｙ方向）における大きさδ、及び、電極指の電極指太幅部３８における、電極指が伸びる方向における長さεを種々変更し、リターンロス特性及び、インピーダンス特性を評価した。結果を図１５、図１６に示す。

まず、図１５では、ダミー電極指１０２の電極指が伸びる方向における大きさδについて、細かい破線はδ＝０．２５λ、実線はδ＝０．５λ、粗い破線はδ＝１λ、一点鎖線はδ＝１．５λ、二点鎖線はδ＝２λの場合を示している。図１５（ａ）より大きさがδ＝０．２５λのときは、リターンロスがー１．３３ｄＢであるのに対し、大きさがδ＝０．５λ、１λ、１．５λ、２λのときは、リターンロスがー１．０ｄＢ程度に改善されていることが分かる。また、図１５（ｂ）を参照しても、大きさがδ＝０．５λ、１λ、１．５λ、２λのとき、良好である。従って、ダミー電極指１０２の伸びる方向における大きさδが０．５λ以上とすれば、更に横モードのリップルを効果的に抑圧できる。なお、ダミー電極指１０２の伸びる方向における大きさδは３λ以下としてもよい。この場合、生産性が向上しやすくなる。

図１６において、一点鎖線はε＝０．２λ、実線はε＝０．５λ、破線はε＝０．６λの場合のインピーダンス特性及び、リターンロス特性を示している。図１６（ａ）から明らかなように、電極指の電極指太幅部３８における大きさεが０．２λの場合に比べ、ε＝０．５λ、０．６λの場合、リターンロスのワースト値が明らかに抑えられていることが分かる。また、図１６（ｂ）を参照すると、インピーダンス特性においても、特に２６４０ｈｚ付近におけるリップルが、ε＝０．５λ、０．６λの場合、良好であることがわかる。従って、電極指の電極指太幅部３８における大きさεが０．５λ以上の場合、横モードのリップルを更に抑制できる。なお、電極指の電極指太幅部３８における、電極指が伸びる方向における長さεは２λ以下としてもよい。この場合、生産性が向上しやすくなる。

（第２の実施形態の変形例）
図１７は、第２の実施形態の弾性波装置３の変形例１の電極構造と各領域の音速を示す部分切欠き平面図である。変形例１に係る弾性波装置３では、ダミー電極指１０２が太幅部を有していること及び、ダミー電極指１０２と中央領域Ｃ１との音速関係を除いては、第２の実施形態の弾性波装置３と同様に構成されている。

変形例１に係る弾性波装置１のダミー電極指１０２は、電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向とした場合、少なくとも２つの異なった幅方向の寸法を有する。詳細には、ダミー電極指１０２における基端の幅方向の寸法より、先端の幅方向の寸法が大きくされている。そして、ダミー電極指１０２における幅方向の寸法が最も大きい太幅部を第２太幅部３７と称する。

続いて、変形例１に係る弾性波装置３における各領域の音速は、図１７（ｂ）に示す通りとなる。

中央領域Ｃ１の音速はＶ１、第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３の音速はＶ２、バスバー領域Ｆの音速はＶ４とする。第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３とバスバー領域Ｆとの間の第１領域Ｄには、複数の音速が異なった領域があり、第１エッジ領域Ｃ２とダミー電極指の第２太幅部３７との間の領域の音速をＶ３１、ダミー電極指の第２太幅部３７の領域の音速をＶ３２、ダミー電極指の第２太幅部で３７ない領域の音速をＶ３３とする。その場合、音速Ｖ１、Ｖ２，Ｖ３１～Ｖ３３、Ｖ４には、Ｖ３１＞Ｖ４＞Ｖ１≒Ｖ３３＞Ｖ３２＞Ｖ２の関係がある。

このとき、ダミー電極指の第２太幅部３７の音速Ｖ３２がバスバー領域Ｆの音速Ｖ４及び、中央領域Ｃ１の音速Ｖ１よりも低速になるため、ダミー電極指の第２太幅部３７の音速は低音速領域となる。従って、高音速領域が減少することで、横モードのリップルを更に抑制することができる。

図１８では、弾性波装置３において、ダミー電極指の第２太幅部３７の有無によるリターンロス特性及び、インピーダンス特性をシミュレーションにて評価した結果を示す。なお、図１８（ａ）に示すリターンロスの値は、リターンロスが最も悪化している部分の値（ワースト値）を示す。

図１８中、実線は、ダミー電極指１０２に第２太幅部３７がある場合のリターンロスを示しており、破線は、ダミー電極指１０２に第２太幅部３７がない場合のリターンロスを示している。図１８（ａ）から明らかなように、ダミー電極指に第２太幅部３７がない場合、リターンロスのワースト値は－１．１８ｄＢである一方で、ダミー電極指に第２太幅部３７がある場合、ワースト値は－０．９３ｄＢと改善されていることが分かる。

また、図１８（ｂ）から明らかなように、インピーダンス特性においても、特に２６００ＭＨｚ付近において、ダミー電極指１０２に第２太幅部３７がある場合、第２太幅部がない場合に比べて良好であることから、横モードのリップルを効果的に抑圧し得ることが分かる。

上述のように、高音速材料層、低音速材料層１４及び、圧電膜１０が積層された弾性波装置１において、ダミー電極指１０２を形成することで、高音速領域を減らし、横モードのリップルを抑圧できることが分かる。また、ダミー電極指１０２、ダミー電極指の第２太幅部３７の有無や、大きさを設定することで更に横モードのリップルを抑圧できることが示された。

（第２の実施形態に係る弾性波装置の変形例２～４）
図１９（ａ）～（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置１の変形例２～４の電極構造を示す部分切欠き平面図である。

まず、図１９（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置１の変形例２の電極構造を示す部分切欠き平面図である。第１領域Ｄにのみ、電極指が伸びる方向に伸びた部材として、ここでは、ダミー電極指１０２が形成されている。

次に、図１９（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置１の変形例３の電極構造を示す部分切欠き平面図である。第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおいて、ダミー電極指１０２が、弾性波伝播方向に連続的でなく、断続的に形成されている。より詳細には、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおける、各電極指と該電極指に対向するバスバーとの間の全てにおいてダミー電極指１０２が形成される必要はなく、一部においてダミー電極指１０２が形成されている。

続いて、図１９（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置１の変形例４の電極構造を示す部分切欠き平面図である。第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅにおいて、弾性波伝播方向に沿って長辺を有する矩形状のダミー電極指１０２が形成されている。

上述の図１９（ａ）～（ｃ）に係る構造においても、第１領域Ｄ、第２領域Ｅの一部の音速が、バスバー領域Ｆの音速よりも低い。従って、第１及び第２の実施形態の場合と同様に、横モードのリップルを抑圧することができる。

なお、図１９に示した変形例２～４に関して、第１領域Ｄ或いは第２領域Ｅに形成された部材は矩形状のダミー電極指１０２であるが、これは例示的なものであり、浮き電極１０１等の構成に置換または組み合わせが可能である、また、形状についても矩形に限定されず、正方形、円形等の形状であってもよい。

（実施形態３）
図２０は、第３の実施形態に係る弾性波装置４の正面断面図である。弾性波装置４は、
支持基板１３Ａ上に、高音速材料層１３Ｂ、低音速材料層１４及びタンタル酸リチウムからなる圧電膜１０が積層されている。高音速材料層１３Ｂが設けられているため、支持基板１３Ａは高音速材料以外の材料で形成されていてもよい。もっとも、支持基板１３Ａは、高音速材料からなるものであってもよい。

本形態に係る弾性波装置４は、高音速材料膜としての高音速材料層が、図２に示した高音速材料層とは異なることを除いては、同様に構成されている。詳細には、図２においては高音速材料層が高音速支持基板１３であり、図２０においては、高音速材料層１３Ｂが、それを支持している支持基板１３Ａをさらに備えるという点のみが異なる。従って、本質的に、第１領域Ｄ及び第２領域Ｅの音速の一部がバスバー領域Ｆの音速よりも低速であることには変わりがないため、第３の実施形態の弾性波装置４においても、横モードリップルを抑制することができる。

高音速支持基板１３の材料は、例えばシリコンである。なお、支持基板７の材料は、シリコンに限定されず、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、若しくは水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、若しくは、ガラス等の誘電体、又は、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等であってもよい。

なお、図２や図２０に示した高音速材料層、低音速材料層１４、圧電膜１０を含む積層型基板を用いる場合、圧電膜１０の厚みは、弾性波表面波の波長をλとした場合、３．５λ以下であることが好ましい。仮に、タンタル酸リチウムの膜厚が３．５λより厚くなると、Ｑ特性が劣化することが上述の特許文献１より知られている。従って、Ｑ特性を高めるためには、タンタル酸リチウムの膜厚は、３．５λ以下であることが望ましい。

なお、上述した高音速材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化シリコン、ＤＬＣ膜を用いることができる。

また、上記低音速材料としては、酸化ケイ素もしくは酸窒化ケイ素などの無機絶縁物材
料や、樹脂材料などを用いることができる。

もっとも、高音速材料及び低音速材料としては、前述した音速関係を満たす限り、適宜
の材料の組み合わせを用いることができる。

支持基板としては、サファイア、リチウムタンタレート、リチュウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。

（第４の実施形態）
図２１では、第４の実施形態に係る弾性波装置５の要部を示す部分切欠き平面図である。第４の実施形態に係る弾性波装置５では、第１電極指３３及び第２電極指３４の太幅部の有無を除いては、第１の実施形態の弾性波装置１と同様に構成されている。

第４の実施形態に係る弾性波装置５の電極指２１においては、上述の通り、実施形態１のような電極指太幅部３８は有さない。但し、図２１（ａ）で示すように、第１電極指３３及び第２電極指３４の第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３に位置している部分において、質量付加膜としての誘電体膜１５が積層されている。それによって第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３における音速が中央領域Ｃ１よりも低められている。

なお、上述の誘電体膜１５は、第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３において、弾性波伝搬方向から見て、第１及び第２電極指の上方（電極指の圧電膜側の面とは反対側の面）に積層されていてもよいし、下方（電極指と圧電膜との間）に積層されていてもよい。また、誘電体膜１５が図２１（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１１を覆うように設けられていてもよい。この場合、ＩＤＴ電極１１を保護することができ、かつ周波数調整を行なうことができる。すなわち、誘電体膜１５の厚みや材料を調整することにより、周波数を調整することができる。

上記の実施形態４においても、第１及び第２電極指３３，３４の第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３に位置している部分において、誘電体膜１５が積層されていることにより、第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３の音速が低音速になる。その上、第１の実施形態と同様に、第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅの一部の音速が、バスバー領域Ｆの音速よりも低いことで、横モードのリップルを抑圧することができる。

（その他の変形例など）
上述に記載の実施形態においては、第１電極指３３及び第２電極指３４の全てが、先端側及び基端側に電極指太幅部３８を有している。しかし、電極指太幅部３８が位置する第１エッジ領域Ｃ２及び第２エッジ領域Ｃ３の音速が低音速になるならば、第１電極指３３及び第２電極指３４のうち、一方のみに電極指太幅部３８が設けられていてもよい。また、電極指太幅部３８の数についても、１つの電極指において１つの電極指太幅部３８のみが先端或いは、基端に設けられていてもよいし、すべての電極指に必ずしも電極指太幅部３８を設ける必要はない。

また、浮き電極１０１が有する第１太幅部３６においても、そのすべての浮き電極１０１が第１太幅部３６を有する必要はない。第１領域Ｄ及び、第２領域Ｅの一部の音速が、バスバー領域Ｆの音速よりも低くなるならば、一部の浮き電極のみが第１太幅部３６を有する構成であってもよい。同様にして、ダミー電極指１０２が有する第２太幅部３７においても、一部のダミー電極指１０２のみが第２太幅部３７を有する構成であってもよいことを確認しておく。

第１～第４の実施形態では、１ポート型弾性波共振子につき説明したが、本発明においては、ＩＤＴ電極が上記構造を有する限り、弾性波フィルタなどの他の電極構造を有する弾性波装置であってもよい。

また、上記実施の形態及び変形例では、弾性表面波装置を有する弾性波装置を例示したが、上記実施の形態及び変形例における弾性表面波とは、圧電体の表面、もしくは、複数の材料の界面に伝搬する弾性波を含み、ＩＤＴ電極を用いて構成される様々な種類の弾性波を指す。弾性表面波には、例えば、ラブ波、リーキー波、レイリー波、疑似ＳＡＷ、板波も含まれる。

１…弾性波装置
１０…圧電膜
１０ａ…圧電膜の一主面
１１…ＩＤＴ電極
１２，１２ａ，１２ｂ…反射器
１３…高音速支持基板
１３Ａ…支持基板
１３Ｂ…高音速材料層
１４…低音速材料層
３１…第１バスバー
３２…第２バスバー
３３…第１電極指
３４…第２電極指
３６…第１太幅部
３７…第２太幅部
３８…電極指太幅部
４７、４８…延長線
６０…弾性波伝播方向
６１…電極指の延びる方向
６２…電極指の延びる方向と直交する方向
６３…幅方向
１００…部材
１０１…浮き電極
１０２…ダミー電極指
１０３…質量付加膜

Claims (18)

1. 圧電膜と、
   前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高速のバルク波が伝搬する高音速材料層と、
   前記圧電膜を伝搬するバルク波の音速よりも低速のバルク波が伝搬する低音速材料層と、
   前記圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、
   前記高音速材料層上に、前記低音速材料層、前記圧電膜がこの順番に積層されており、
   前記ＩＤＴ電極が、対向し合っている第１バスバー及び第２バスバーと、前記第１バスバーに基端が接続されており、先端が前記第２バスバーに向かって延ばされている複数本の第１電極指と、前記第２バスバーに基端が接続されており、先端が前記第１バスバーに向かって延ばされている複数本の第２電極指とを有し、
   前記第１電極指と前記第２電極指とが弾性波伝搬方向に重なり合っている領域を交差領域とした場合、前記交差領域が、中央領域と、前記中央領域と前記第１バスバーとの間に設けられた第１エッジ領域と、前記中央領域と前記第２バスバーとの間に設けられた第２エッジ領域とを有し、
   前記第１エッジ領域の音速、及び、前記第２エッジ領域の音速が、前記中央領域の音速よりも低く、
   前記第１バスバーと、前記第２バスバーとが設けられている領域をバスバー領域としたとき、前記バスバー領域の音速は、前記中央領域の音速よりも高く、
   前記第１エッジ領域と前記第１バスバーとで挟まれる領域を第１領域とし、前記第２エッジ領域と前記第２バスバーとで挟まれる領域を第２領域としたとき、前記第１領域及び、第２領域の一部の音速は、前記バスバー領域の音速よりも低い、弾性波装置。
2. 支持基板と、
   タンタル酸リチウム或いは、ニオブ酸リチウムからなる圧電膜と、
   窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び、ＤＬＣ膜、からなる群から選択された少なくとも１種の材料からなる高音速材料層と、
   酸化ケイ素からなる低音速材料層と、
   前記圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、
   前記支持基板上に、前記高音速材料層、前記低音速材料層、前記圧電膜がこの順番に積層されており、
   前記ＩＤＴ電極が、対向し合っている第１バスバー及び第２バスバーと、前記第１バスバーに基端が接続されており、先端が前記第２バスバーに向かって延ばされている複数本の第１電極指と、前記第２バスバーに基端が接続されており、先端が前記第１バスバーに向かって延ばされている複数本の第２電極指とを有し、
   前記第１電極指と前記第２電極指とが弾性波伝搬方向に重なり合っている領域を交差領域とした場合、前記交差領域が、中央領域と、前記中央領域と前記第１バスバーとの間に設けられた第１エッジ領域と、前記中央領域と前記第２バスバーとの間に設けられた第２エッジ領域とを有し、
   前記第１エッジ領域の音速、及び、前記第２エッジ領域の音速が、前記中央領域の音速よりも低く、
   前記バスバーが設けられている領域をバスバー領域としたとき、前記バスバー領域の音速は、前記中央領域の音速よりも高く、
   前記第１エッジ領域と前記第１バスバーとで挟まれる領域を第１領域とし、前記第２エッジ領域と前記第２バスバーとで挟まれる領域を第２領域としたとき、
   前記第１領域及び、第２領域の一部の音速は、前記バスバー領域の音速よりも低い、弾性波装置。
3. タンタル酸リチウム或いは、ニオブ酸リチウムからなる圧電膜と、
   サファイア、水晶、炭化ケイ素、及び、シリコン、からなる群から選択された少なくとも１種の材料からなる高音速支持基板と、
   酸化ケイ素からなる低音速材料層と、
   前記圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、
   前記高音速材料層上に、前記低音速材料層、前記圧電膜がこの順番に積層されており、
   前記ＩＤＴ電極が、対向し合っている第１及び第２バスバーと、前記第１バスバーに基端が接続されており、先端が前記第２バスバーに向かって延ばされている複数本の第１電極指と、前記第２バスバーに基端が接続されており、先端が前記第１バスバーに向かって延ばされている複数本の第２電極指とを有し、
   前記第１電極指と前記第２電極指とが弾性波伝搬方向に重なり合っている領域を交差領域とした場合、前記交差領域が、中央領域と、前記中央領域と前記第１バスバーとの間に設けられた第１エッジ領域と、前記中央領域と前記第２バスバーとの間に設けられた第２エッジ領域とを有し、
   前記第１及び、前記第２エッジ領域の音速が、前記中央領域の音速よりも低く、
   前記バスバーが設けられているバスバー領域の音速は、前記中央領域の音速よりも高く、
   前記第１エッジ領域と前記第１バスバーとで挟まれる領域を第１領域とし、前記第２エッジ領域と前記第２バスバーとで挟まれる領域を第２領域としたとき、
   前記第１領域及び、第２領域の一部の音速は、前記バスバー領域の音速よりも低い、弾性波装置。
4. 前記第１電極指、及び、前記第２電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向とした場合、前記第１電極指、及び、前記第２電極指の少なくとも一方において、前記第１電極指、及び、前記第２電極指の延びる方向中央に比べて幅方向の寸法が大きくされている電極指太幅部が、前記第１及び、前記第２エッジ領域の少なくとも一方に設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
5. 前記第１領域及び、第２領域の少なくとも一方に、部材が配置された、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
6. 前記部材は、前記第１電極指及び前記第２電極指の延びる方向に延びている、請求項５に記載の弾性波装置。
7. 前記部材が前記第１バスバー、及び、第２バスバーに接続されていない浮き電極である、請求項５または６に記載の弾性波装置。
8. 前記浮き電極において、前記第１電極指及び前記第２電極指の延びる方向の大きさが、０．７５λ以上である、請求項７に記載の弾性波装置。
9. 前記第１電極指、及び、前記第２電極指における前記電極指太幅部において、前記電極指の延びる方向の大きさが、０．４λ以上かつ、０．６λ以下である、請求項７または８に記載の弾性波装置。
10. 前記第１電極指、及び、前記第２電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向とした場合、前記浮き電極において、相対的に幅方向の寸法が大きくされている第１太幅部が設けられている、請求項７～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
11. 前記部材が、前記第１バスバー、或いは、第２バスバーに基端が接続されたダミー電極指である、請求項５または６に記載の弾性波装置。
12. 前記ダミー電極指において、前記第１電極指及び前記第２電極指の延びる方向の大きさが、０．５λ以上である、請求項１１に記載の弾性波装置。
13. 前記第１電極指、及び、前記第２電極指における前記電極指太幅部において、前記電極指の延びる方向の大きさが、０．５λ以上である、請求項１１または１２に記載の弾性波装置。
14. 前記第１電極指、及び、前記第２電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向とした場合、前記ダミー電極指において、前記第１或いは、前記第２バスバーに接続されている前記基端に比べて幅方向寸法が大きくされている第２太幅部が設けられている、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
15. 前記高音速材料層が、高音速支持基板である、請求項１に記載の弾性波装置。
16. 前記高音速材料層を支持している支持基板をさらに備える、請求項１に記載の弾性波装置。
17. 前記第１エッジ領域、及び、前記第２エッジ領域の少なくとも一部において、前記第１電極指、及び、前記第２電極指上に質量付加膜が設けられている、請求項１～１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
18. 前記第１領域或いは前記第２領域において、
    前記第１電極指及び前記第２電極指の延びる方向に伸びた部材は、前記第１電極指、及び、前記第２電極指の前記先端が、前記第１バスバー、或いは、第２バスバーに向かって前記第１電極指及び前記第２電極指の延びる延長線上に位置している、請求項１～１７のいずれか１項に記載の弾性波装置。