KR20190110020A - 탄성파 장치 - Google Patents

탄성파 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190110020A
KR20190110020A KR1020190015858A KR20190015858A KR20190110020A KR 20190110020 A KR20190110020 A KR 20190110020A KR 1020190015858 A KR1020190015858 A KR 1020190015858A KR 20190015858 A KR20190015858 A KR 20190015858A KR 20190110020 A KR20190110020 A KR 20190110020A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon oxide
oxide film
piezoelectric substrate
thickness
wave
Prior art date
Application number
KR1020190015858A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102205855B1 (ko
Inventor
마리 사지
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20190110020A publication Critical patent/KR20190110020A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102205855B1 publication Critical patent/KR102205855B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02929—Means for compensation or elimination of undesirable effects of ageing changes of characteristics, e.g. electro-acousto-migration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877—Conductive materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

IDT 전극의 내전력성의 저하를 억제하면서, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감한다.
IDT 전극(3)은 압전체 기판(2) 상에 형성되어 있다. 제1 산화규소막(4)은 IDT 전극(3)을 덮도록 압전체 기판(2) 상에 형성되어 있다. 고음속 유전체막(5)은 제1 산화규소막(4)을 덮도록 제1 산화규소막(4) 상에 형성되어 있다. 제2 산화규소막(6)은 고음속 유전체막(5) 상에 형성되어 있다. 압전체 기판(2)의 재료는 니오브산리튬이다. 고음속 유전체막(5)에서는, 전파하는 종파 음속이 제1 산화규소막(4)을 전파하는 종파 음속보다도 고속이다. 고음속 유전체막(5)은, 압전체 기판(2)의 두께방향(D1)에서의 제1 주면(21)으로부터의 거리가 (t1+t2)×0.42 이하인 위치에 형성되어 있다.

Description

탄성파 장치{ELASTIC WAVE DEVICE}
본 발명은 일반적으로 탄성파 장치에 관한 것이고, 보다 상세하게는 압전체 기판 및 산화규소막을 포함하는 탄성파 장치에 관한 것이다.
종래, 레일리파(Rayleigh wave)를 메인모드로 이용하는 탄성파 장치(탄성표면파 장치)가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치는, LiNbO3 기판과, 적어도 IDT 전극을 포함하는 전극과, 제1 산화규소막과, 제2 산화규소막을 포함한다. 전극은 LiNbO3 기판 상에 형성되어 있다. 제1 산화규소막은 전극이 형성되어 있는 영역의 나머지 영역에 전극의 막 두께와 동일해지도록 형성되어 있다. 제2 산화규소막은 전극 및 제1 산화규소막을 덮도록 형성되어 있다.
국제공개공보 WO2007/097186
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 레일리파의 반공진 주파수보다도 고주파수 측에, 레일리파의 스퓨리어스(spurious)가 되는 세자와파(Sezawa wave)가 발생한다는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 IDT 전극의 내(耐)전력성의 저하를 억제하면서, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감할 수 있는 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 한 양태에 따른 탄성파 장치는 레일리파를 메인모드로 이용한다. 상기 탄성파 장치는 압전체 기판과 IDT 전극과 제1 산화규소막과 고음속 유전체막과 제2 산화규소막을 포함한다. 상기 압전체 기판은 주면(主面)을 가진다. 상기 IDT 전극은 상기 압전체 기판의 상기 주면 상에 형성되어 있다. 상기 제1 산화규소막은 상기 IDT 전극을 덮도록 상기 압전체 기판 상에 형성되어 있다. 상기 고음속 유전체막은 상기 제1 산화규소막을 덮도록 상기 제1 산화규소막 상 또는 상기 압전체 기판 상에 형성되어 있다. 상기 고음속 유전체막에서는, 전파하는 종파 음속이 상기 제1 산화규소막을 전파하는 종파 음속보다도 고속이다. 상기 제2 산화규소막은 상기 고음속 유전체막 상에 형성되어 있다. 상기 압전체 기판의 재료는 니오브산리튬이다. 상기 고음속 유전체막은 상기 IDT 전극으로부터 떨어져 있다. 상기 고음속 유전체막은 상기 압전체 기판의 두께방향에서의 상기 주면으로부터의 거리가 (t1+t2)×0.42 이하인 위치에 형성되어 있다. t1은 상기 제1 산화규소막의 두께이고, t2는 상기 제2 산화규소막의 두께이다.
본 발명의 다른 양태에 따른 탄성파 장치는 레일리파를 메인모드로 이용한다. 상기 탄성파 장치는 압전체 기판과 IDT 전극과 제1 산화규소막과 고음속 유전체막과 제2 산화규소막을 포함한다. 상기 압전체 기판은 주면을 가진다. 상기 IDT 전극은 상기 압전체 기판의 상기 주면 상에 형성되어 있다. 상기 제1 산화규소막은 상기 IDT 전극을 덮도록 상기 압전체 기판 상에 형성되어 있다. 상기 고음속 유전체막은 상기 제1 산화규소막을 덮도록 상기 제1 산화규소막 상 또는 상기 압전체 기판 상에 형성되어 있다. 상기 제2 산화규소막은 상기 고음속 유전체막 상에 형성되어 있다. 상기 압전체 기판의 재료는 니오브산리튬이다. 상기 고음속 유전체막은 상기 IDT 전극으로부터 떨어져 있다. 상기 고음속 유전체막은 상기 압전체 기판의 두께방향에서의 상기 주면으로부터의 거리가 (t1+t2)×0.42 이하인 위치에 형성되어 있다. t1은 상기 제1 산화규소막의 두께이고, t2는 상기 제2 산화규소막의 두께이다. 상기 고음속 유전체막은 질화규소, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소 및 다이아몬드 라이크 카본(diamond-like carbon) 중 적어도 하나의 재료를 포함한다.
본 발명에 의하면, IDT 전극의 내전력성의 저하를 억제하면서, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감할 수 있다.
도 1A는 본 발명의 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다. 도 1B는 도 1A의 A-A선 단면도이다.
도 2는 상동의 탄성파 장치에서의 세자와파의 변위도이다.
도 3은 상동의 탄성파 장치에 관해, 두께방향의 위치와 세자와파의 변위량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 상동의 탄성파 장치에서의 임피던스의 주파수 특성 도면이다.
도 5A는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.33λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 36°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 5B는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.36λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 36°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 5C는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.39λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 36°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 6A는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.33λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 38°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 6B는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.36λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 38°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 6C는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.39λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 38°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7A는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.33λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 40°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 7B는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.36λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 40°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 7C는 상동의 탄성파 장치에 관해, 산화규소막 및 고음속 유전체막의 두께가 0.39λ이면서 압전체 기판의 오일러 각이 (0°, 40°, 0°)인 경우에서의 산화규소막 전체에 대한 제1 산화규소막의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시형태의 변형예 1에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태의 변형예 2에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
이하, 실시형태에 따른 탄성파 장치에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
이하의 실시형태 등에서 참조하는 도 1A, 도 1B, 도 2, 도 8 및 도 9는 모두 모식적인 도면이며, 도면 중의 각 구성요소의 크기나 두께 각각의 비가 반드시 실제의 치수 비를 반영하고 있다고는 할 수 없다.
(실시형태)
(1) 탄성파 장치의 전체 구성
실시형태에 관한 탄성파 장치(1)는 예를 들면, 레일리파를 메인모드로 이용하는 탄성표면파(SAW: Surface Acoustic Wave) 공진자이다. 탄성파 장치(1)는, 도 1A 및 도 1B에 나타내는 바와 같이, 압전체 기판(2)과 IDT(IDT: Interdigital Transducer) 전극(3)과 제1 산화규소막(4)과 고음속 유전체막(5)과 제2 산화규소막(6)을 포함하고 있다. 도 1A에서는 IDT 전극(3)에 도트(dot)의 해칭을 쳤는데, 이 해칭은 절단면을 나타내는 것이 아니고, IDT 전극(3)과 압전체 기판(2)의 관계를 알기 쉽게 하기 위해 친 것에 불과하다. 또한, 도 1A에서는 제1 산화규소막(4), 고음속 유전체막(5) 및 제2 산화규소막(6)의 도시를 생략하고 있다.
압전체 기판(2)의 재료는 예를 들면, 니오브산리튬(LiNbO3)이다. 압전체 기판(2)은 제1 주면(주면)(21)을 가지고 있다. IDT 전극(3)은 압전체 기판(2)의 제1 주면(21) 상에 형성되어 있다. 여기서 말하는 "제1 주면(주면)"이란, 압전체 기판(2)에서 가장 면적이 큰 면을 말한다.
제1 산화규소막(4)은 IDT 전극(3)을 덮도록 압전체 기판(2) 상에 형성되어 있다. 고음속 유전체막(5)은 도 1B에 나타내는 바와 같이, 제1 산화규소막(4)을 덮도록 제1 산화규소막(4) 상에 형성되어 있다. 제2 산화규소막(6)은 고음속 유전체막(5) 상에 형성되어 있다. 고음속 유전체막(5)은, 도 1B에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(3)에 접촉하지 않도록, 제1 산화규소막(4)을 개재하여 IDT 전극(3)으로부터 떨어진 위치에 마련되어 있다.
(2) 탄성파 장치의 각 구성요소
(2.1) 압전체 기판
압전체 기판(2)은 예를 들면, Γ°Y커트 X전파 니오브산리튬(LiNbO3) 단결정이다. Γ°Y커트 X전파 니오브산리튬 단결정은 니오브산리튬 단결정의 3개의 결정축을 X축, Y축, Z축으로 한 경우에, X축을 중심으로 하여 Y축으로부터 Z축방향으로 Γ° 회전한 축을 법선으로 하는 면으로 절단한 니오브산리튬 단결정으로서, X축방향으로 탄성표면파가 전파하는 단결정이다. Γ°는 예를 들면, 38°이다. 압전체 기판(2)의 커트 각은, 커트 각을 Γ, 압전체 기판(2)의 오일러 각을 (φ, θ, ψ)로 하면, Γ=θ+90이다. 단, Γ과 Γ±180×n은 같은 의미이다(결정학적으로 등가임).
압전체 기판(2)의 커트 각(Γ)은 38°에 한정되지 않고, 예를 들면, 36°~40° 내의 값이면 된다. 압전체 기판(2)은 두께방향을 따른 제1 방향(D1)(이하, "두께방향(D1)"이라고도 함)에서 서로 배향(서로 반대 측에 위치)하는 제1 주면(21) 및 제2 주면(22)을 가지고 있다.
(2.2) IDT 전극
IDT 전극(3)은 Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W 또는 이들 금속 중 어느 하나를 주체로 하는 합금 등의 적절한 금속재료에 의해 형성할 수 있다. 또한, IDT 전극(3)은 이들 금속 또는 합금으로 이루어지는 복수개의 금속막을 적층한 구조를 가지고 있어도 된다. IDT 전극(3)은 예를 들면 백금(Pt)과 알루미늄(Al)을 적층한 구조이다. IDT 전극(3)의 전극지(電極指) 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ로 한 경우, 백금층의 두께는 예를 들면 0.02λ이며, 알루미늄층의 두께는 예를 들면 0.03λ이다.
IDT 전극(3)은 압전체 기판(2) 상에 형성되어 있다. 상세하게는, IDT 전극(3)은 압전체 기판(2)의 제1 주면(21) 상에 형성되어 있다. IDT 전극(3)은, 도 1A에 나타내는 바와 같이, 제1 버스바(busbar)(31)와 제2 버스바(32)와 복수개(도시예에서는 2개)의 제1 전극지(33)와 복수개(도시예에서는 3개)의 제2 전극지(34)를 포함한다.
제1 버스바(31) 및 제2 버스바(32)는, 압전체 기판(2)의 두께방향(제1 방향)(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)을 긴 쪽 방향으로 하는 장척(長尺) 형상이다. IDT 전극(3)에서는, 제1 버스바(31)와 제2 버스바(32)는, 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)의 양쪽에 직교하는 제3 방향(D3)에서 서로 대향하고 있다. 즉, 제2 버스바(32)는 제3 방향(D3)에서 제1 버스바(31)에 대향하고 있다.
복수개의 제1 전극지(33)는 제1 버스바(31)에 접속되어 있고, 제2 버스바(32)를 향해 연장되어 있다. 즉, 복수개의 제1 전극지(33)는 제1 버스바(31)로부터 제3 방향(D3)을 따라 연장되어 있다. 복수개의 제1 전극지(33) 각각의 선단은 제2 버스바(32)와는 떨어져 있다. 복수개의 제1 전극지(33)는 예를 들면 서로의 길이 및 폭이 동일하다.
복수개의 제2 전극지(34)는 제2 버스바(32)에 접속되어 있고, 제1 버스바(31)를 향해 연장되어 있다. 즉, 복수개의 제2 전극지(34)는 제2 버스바(32)로부터 제3 방향(D3)을 따라 연장되어 있다. 복수개의 제2 전극지(34) 각각의 선단은 제1 버스바(31)와는 떨어져 있다. 복수개의 제2 전극지(34)는 예를 들면 서로의 길이 및 폭이 동일하다. 도 1A에서는 복수개의 제2 전극지(34)의 길이 및 폭은 복수개의 제1 전극지(33)의 길이 및 폭 각각과 동일하다.
IDT 전극(3)에서는, 복수개의 제1 전극지(33)와 복수개의 제2 전극지(34)가 제2 방향(D2)에서, 1개씩 교대로 서로 이격되어 늘어서 있다. 따라서, 제1 버스바(31)의 긴 쪽 방향(제2 방향(D2))에서 서로 이웃하는 제1 전극지(33)와 제2 전극지(34)는 떨어져 있다.
복수개의 제1 전극지(33)와 복수개의 제2 전극지(34)를 포함하는 일군의 전극지는, 복수개의 제1 전극지(33)와 복수개의 제2 전극지(34)가 제2 방향(D2)에서 이격되어 늘어서 있는 구성이면 되고, 복수개의 제1 전극지(33)와 복수개의 제2 전극지(34)가 교대로 서로 이격되어 늘어서 있지 않은 구성이어도 된다. 예를 들면, 제1 전극지(33)와 제2 전극지(34)가 1개씩 이격되어 늘어서 있는 영역과, 제1 전극지(33) 또는 제2 전극지(34)가 제2 방향(D2)에서 2개 늘어서 있는 영역이 혼재해도 된다. IDT 전극(3)에서의 복수개의 제1 전극지(33) 및 복수개의 제2 전극지(34) 각각의 수는 특별히 한정되지 않는다.
(2.3) 제1 산화규소막 및 제2 산화규소막
제1 산화규소막(4) 및 제2 산화규소막(6)은 예를 들면 이산화규소(SiO2)를 포함하는 유전체막이다. 제1 산화규소막(4)은, 도 1B에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(3)을 덮도록 압전체 기판(2) 상에 형성되어 있다. 상세하게는, 제1 산화규소막(4)은 IDT 전극(3)을 덮도록 압전체 기판(2)의 제1 주면(21) 상에 형성되어 있다. "IDT 전극(3)을 덮다"란, 제1 산화규소막(4) 이외의 다른 막이 IDT 전극(3)에 접촉하지 않도록, IDT 전극(3)의 전체를 덮는 상태를 말한다. 제2 산화규소막(6)은 고음속 유전체막(5) 상에 형성되어 있다. 제1 산화규소막(4)의 두께(t1)는 예를 들면 0.06λ이고, 제2 산화규소막(6)의 두께(t2)는 예를 들면 0.29λ이다. 따라서, 제1 산화규소막(4) 및 제2 산화규소막(6)을 포함하는 산화규소막(이하, "산화규소막(7)"이라고도 함) 전체의 두께(t3)는 0.35λ이다.
한편, 압전체 기판(2)의 재료인 니오브산리튬은 선팽창계수가 크다. 이에 대해, 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)와 같이, 니오브산리튬과는 반대의 선팽창계수를 가지는 산화규소막(7)(제1 산화규소막(4) 및 제2 산화규소막(6))을 압전체 기판(2) 상에 형성함으로써 주파수 온도특성을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 산화규소막(7)의 두께가 두꺼워질수록 주파수 온도특성은 좋아지지만, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도가 커진다는 문제가 있다. 즉, 주파수 온도특성과 세자와파의 강도는 트레이드오프(tradeoff)의 관계에 있다.
(2.4) 고음속 유전체막
고음속 유전체막(5)은 예를 들면 질화규소를 포함하는 유전체막이다. 고음속 유전체막(5)은, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 제1 산화규소막(4)을 덮도록 제1 산화규소막(4) 상에 형성되어 있다. 상세하게는, 고음속 유전체막(5)은 제1 산화규소막(4)에서의 압전체 기판(2) 측의 제2 주면과 반대 측의 제1 주면을 따라 형성되어 있다. 고음속 유전체막(5)의 두께는 예를 들면, 0.03λ이다. 고음속 유전체막(5)에서는 전파하는 종파 음속이 제1 산화규소막(4)을 전파하는 종파 음속보다도 고속이다.
한편, 고음속 유전체막(5)은 도 1B에 나타내는 바와 같이, 압전체 기판(2)의 제1 주면(21)과 제1 주면(21)으로부터의 거리가 t3의 0.42배인 위치 사이에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 바꿔 말하면, 고음속 유전체막(5)은, 압전체 기판(2)의 두께방향(제1 방향)(D1)에서의 제1 주면(21)으로부터의 거리가 t3×0.42 이하인 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, t3은 산화규소막(7)의 두께로서, 제1 산화규소막(4)의 두께(t1)와 제2 산화규소막(6)의 두께(t2) 합이다. 이 구성에 의하면, 주파수 온도특성을 좋게 하면서 세자와파의 강도를 작게 할 수 있다.
(3) 탄성파 장치의 특성
(3.1) 실시예 1
(3.1.1) 해석 결과
도 2는 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에서의 세자와파의 변위 분포를 나타내는 시뮬레이션 결과이다. 도 2의 실선은 세자와파가 여진(勵振)하고 있지 않은 경우의 소자의 변위 상태를 나타내고, 도 2의 이점쇄선은 세자와파가 여진하고 있는 경우의 어느 한 시각에서의 소자의 변위 상태를 나타내고 있다. 도 3은, 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에서의, 두께방향(제1 방향(D1))의 위치와 세자와파의 변위량의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 3에서의 위치(0.0)는 압전체 기판(2)의 제1 주면(21)의 위치이고, 위치(1.0)는 제2 산화규소막(6)에서의 압전체 기판(2)과 반대 측의 면의 위치이다. 또한, 도 3에서는 산화규소막(7)의 두께(t3)가 0.30λ인 경우를 실선으로 나타내고, 두께(t3)가 0.33λ인 경우를 파선으로 나타내며, 두께(t3)가 0.36λ인 경우를 일점쇄선으로 나타내고 있다.
도 2로부터, 제2 산화규소막(6)의 상기 면의 근방에서는, 이점쇄선(a1)에 나타내는 바와 같이, 세자와파가 압전체 기판(2)의 두께방향인 제1 방향(D1)으로 진동하고 있는 것을 알 수 있다. 한편, 압전체 기판(2)의 제1 주면(21) 상에 형성되어 있는 IDT 전극(3)의 근방에서는, 이점쇄선(a2)에 나타내는 바와 같이, 세자와파가 탄성파의 전파방향인 제2 방향(D2)으로 진동하고 있는 것을 알 수 있다.
도 3으로부터, 산화규소막(7)의 두께(t3)가 0.30λ, 0.33λ 및 0.36λ 중 어느 것이어도 압전체 기판(2)의 제1 주면(21)으로부터의 거리가 두께(t3)의 0.42배인 위치에서, 세자와파의 변위량이 거의 0㎚가 되어 있는 것을 알 수 있다. 즉, 압전체 기판(2)의 제1 주면(21)으로부터의 거리가 산화규소막(7)의 두께(t3)의 0.42배인 위치에서 변위방향의 변화가 생겼다고 생각된다.
그리고 도 2 및 도 3으로부터, 압전체 기판(2)의 제1 주면(21)으로부터의 거리가 산화규소막(7)의 두께(t3)의 0.42배인 위치보다도 압전체 기판(2) 측의 영역에서는, 세자와파는 탄성파의 전파방향(제2 방향(D2))으로 진동하고 있다고 생각된다. 즉, 압전체 기판(2)의 제1 주면(21)으로부터의 거리가 산화규소막(7)의 두께(t3)의 0.42배인 위치보다도 압전체 기판(2) 측의 영역에서는 종파의 진동이 되어 있다고 생각된다.
일반적으로, 종파 음속이 빠른 매질 안을 전파하는 종파의 음속은 빨라진다. 그 때문에, 종파가 진동을 하고 있는 영역에 종파 음속이 빠른 매질을 마련함으로써, 상기 영역 내를 전파하는 세자와파의 음속을 빠르게 할 수 있다. 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에서는, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 압전체 기판(2)의 제1 주면(21)으로부터의 거리가 산화규소막(7)의 두께(t3)(=t1+t2)의 0.42배인 위치보다도 압전체 기판(2) 측에, 고음속 유전체막(5)을 마련하고 있다. 그 결과, 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있지 않은 경우와 비교하여, 세자와파의 음속을 빠르게 할 수 있다.
한편, 도 1B에 나타내는 탄성파 장치(1)에서, 제1 산화규소막(4)이 없는 구조도 생각할 수 있다. 이 경우, IDT 전극(3)은 고음속 유전체막(5)에 의해 덮이게 된다. 즉, 고음속 유전체막(5)이 IDT 전극(3)에 접촉한다. 이 구조에서는 고음속 유전체막(5)이 IDT 전극(3)의 제1 전극지(33) 및 제2 전극지(34)에 접촉하고 있기 때문에 세자와파의 음속을 빠르게 할 수는 있지만, 제1 전극지(33) 및 제2 전극지(34)의 내전력성이 저하된다는 문제가 있다. 따라서, 고음속 유전체막(5)이 IDT 전극(3)에 접촉하지 않도록, IDT 전극(3)이 제1 산화규소막(4)으로 덮여 있는 것이 바람직하다. 바꿔 말하면, 고음속 유전체막(5)은 IDT 전극(3)에 접촉하지 않도록 제1 산화규소막(4)을 개재하여 IDT 전극(3)으로부터 물리적으로 떨어져 있는 것이 바람직하다.
(3.1.2) 주파수 특성
도 4는 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에서의 세자와파의 임피던스의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다. 도 4에서는, 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있지 않은 경우의 임피던스의 주파수 특성을 파선으로 나타내고, 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있는 경우의 임피던스의 주파수 특성을 실선으로 나타내고 있다.
도 4로부터, 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있는 경우에는 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있지 않은 경우와 비교하여, 세자와파의 음속이 빨라짐으로써 세자와파의 강도가 작게 되어 있는 것을 알 수 있다. 즉, 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에 의하면, IDT 전극(3)의 내전력성의 저하를 억제하면서, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감할 수 있다.
(3.2) 실시예 2
도 5A~도 7C는, 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에서, 산화규소막(7)의 두께(t3)에 대한 제1 산화규소막(4)의 두께(t1)의 비율과 세자와파의 음속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 5A~도 5C에서는 압전체 기판(2)의 커트 각(Γ)은 36°이고, 도 6A~도 6C에서는 압전체 기판(2)의 커트 각(Γ)은 38°이며, 도 7A~도 7C에서는 압전체 기판(2)의 커트 각(Γ)은 40°이다. 도 5A, 도 6A 및 도 7A에서는 산화규소막(7)의 두께(t3)는 0.30λ이고, 도 5B, 도 6B 및 도 7B에서는 산화규소막(7)의 두께(t3)는 0.33λ이며, 도 5C, 도 6C 및 도 7C에서는 산화규소막(7)의 두께(t3)는 0.36λ이다. 또한, 도 5A~도 7C에서의 "× 표시"는 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있지 않은 경우의 세자와파의 음속이다. 여기서, 산화규소막(7)의 두께(t3)는 실시형태와 마찬가지로, 제1 산화규소막(4)의 두께(t1)와 제2 산화규소막(6)의 두께(t2)의 합이다.
도 5A~도 7C로부터, 산화규소막(7)의 두께(t3)에 대한 제1 산화규소막(4)의 두께(t1)의 비율이 0.42 이하인 경우에는 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있지 않은 경우(도면 중의 "× 표시")와 비교하여, 세자와파의 음속이 빠르게 되어 있는 것을 알 수 있다. 또한, 산화규소막(7)의 두께(t3)에 대한 제1 산화규소막(4)의 두께(t1)의 비율이 0.42보다도 큰 경우에는, 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있지 않은 경우와 비교하여, 세자와파의 음속이 느리게 되어 있는 것을 알 수 있다.
실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에 의하면, 산화규소막(7)의 두께(t3)에 대한 제1 산화규소막(6)의 두께(t1)의 비율이 0.42 이하가 되도록, 제1 산화규소막(4)의 두께(t1) 및 제2 산화규소막(6)의 두께(t2)를 각각 설계함으로써, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감할 수 있다.
상술한 바와 같이, 압전체 기판(2)의 커트 각(Γ)은 38°에 한정되지 않고, 36°이어도 되고, 40°이어도 된다. 즉, 압전체 기판(2)의 커트 각(Γ)이 36° 이상이면서 40° 이하이면, 레일리파를 메인모드로 이용할 수 있다.
(4) 효과
실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에서는, 상술한 바와 같이, 압전체 기판(2)의 제1 주면(21)으로부터의 거리가, 제1 산화규소막(4)의 두께(t1)와 제2 산화규소막(6)의 두께(t2)의 합인 산화규소막(7)의 두께(t3)의 0.42배인 위치보다도 압전체 기판(2) 측의 영역에 고음속 유전체막(5)을 마련하고 있다. 그 때문에, 고음속 유전체막(5)이 마련되어 있지 않은 경우와 비교하여, 상기 영역 내를 전파하는 세자와파의 음속을 빠르게 할 수 있고, 그 결과, 세자와파의 강도를 작게 할 수 있다. 바꿔 말하면, 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에 의하면, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도(사이즈)를 저감할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)에서는, 상술한 바와 같이, 고음속 유전체막(5)은 제1 산화규소막(4)을 개재하여 IDT 전극(3)으로부터 물리적으로 떨어져 있다. 그 때문에, 고음속 유전체막(5)이 IDT 전극(3)의 전극지(제1 전극지(33) 및 제2 전극지(34))에 접촉하는 것에 의한 전극지의 내전력성의 저하를 억제할 수 있다.
(5) 변형예
실시형태는 본 발명의 다양한 실시형태의 하나에 불과하다. 실시형태는 본 발명의 목적을 달성할 수 있으면, 설계 등에 따라 다양한 변경이 가능하다. 이하, 실시형태의 변형예를 열거한다. 이하에 설명하는 변형예는 적절히 조합하여 적용 가능하다.
(5.1) 변형예 1
실시형태의 변형예 1에 따른 탄성파 장치(1A)에 대해, 도 8을 참조하여 설명한다.
변형예 1에 따른 탄성파 장치(1A)는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 압전체 기판(2A)과 IDT 전극(3A)과 제1 산화규소막(4A)과 고음속 유전체막(5A)과 제2 산화규소막(6A)을 포함하고 있다. 한편, 압전체 기판(2A), IDT 전극(3A), 제1 산화규소막(4A) 및 제2 산화규소막(6A)에 대해서는 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)의 압전체 기판(2), IDT 전극(3), 제1 산화규소막(4) 및 제2 산화규소막(6)과 동일하며, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
고음속 유전체막(5A)은, 도 8에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(3)의 전극지(제1 전극지(33) 및 제2 전극지(34))의 긴 쪽 방향(지면에 수직인 방향)에서 보아, IDT 전극(3)을 따른 형상으로 형성되어 있다. 상세하게는 고음속 유전체막(5A)은 압전체 기판(2A)의 두께방향(제1 방향)(D1)에서, 요철 형상으로 형성되어 있다. 더 상세하게는, 고음속 유전체막(5A)은, 압전체 기판(2A)의 두께방향(D1)에서, IDT 전극(3A)의 전극지에 대응하는 위치에서는 압전체 기판(2A)과 반대 측으로 볼록하고, IDT 전극(3A)의 전극지 사이에서는 압전체 기판(2A) 측으로 볼록한 형상이다. 이 경우에도 고음속 유전체막(5A)은, IDT 전극(3A)에 접촉하지 않도록 제1 산화규소막(4A)을 개재하여 IDT 전극(3A)으로부터 물리적으로 떨어져 있다(도 8 참조).
이 구성에서도, 압전체 기판(2A)의 제1 주면(21A)으로부터의 거리가 산화규소막(7A)의 두께(t3)의 0.42배인 위치보다도 압전체 기판(2A) 측의 영역에 고음속 유전체막(5A)을 마련함으로써, 상기 영역 내를 전파하는 세자와파의 강도를 작게 할 수 있다. 즉, 변형예 1에 따른 탄성파 장치(1A)에 의하면, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감할 수 있다. 여기서, 산화규소막(7A)의 두께(t3)는, 실시형태와 마찬가지로, 제1 산화규소막(4A)의 두께(t1)와 제2 산화규소막(6A)의 두께(t2)의 합이다.
(5.2) 변형예 2
실시형태의 변형예 2에 따른 탄성파 장치(1B)에 대해, 도 9를 참조하여 설명한다.
변형예 2에 따른 탄성파 장치(1B)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 압전체 기판(2B)과 IDT 전극(3B)과 제1 산화규소막(4B)과 고음속 유전체막(5B)과 제2 산화규소막(6B)을 포함하고 있다. 한편, 압전체 기판(2B), IDT 전극(3B), 제1 산화규소막(4B) 및 제2 산화규소막(6B)에 대해서는 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)의 압전체 기판(2), IDT 전극(3), 제1 산화규소막(4) 및 제2 산화규소막(6)과 동일하며, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
고음속 유전체막(5B)은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 제1 산화규소막(4B)을 덮도록 압전체 기판(2B) 상에 형성되어 있다. 상세하게는, 고음속 유전체막(5B)은, IDT 전극(3B)의 복수개의 전극지에 대응하는 위치에서는 압전체 기판(2B)과 반대 측으로 돌출하고, 복수개의 전극지보다도 외측의 위치에서 압전체 기판(2B)에 접촉하고 있다. 이 경우에도 고음속 유전체막(5B)은, IDT 전극(3B)에 접촉하지 않도록 제1 산화규소막(4B)을 개재하여 IDT 전극(3B)으로부터 물리적으로 떨어져 있다(도 9 참조).
이 구성에서도, 압전체 기판(2B)의 제1 주면(21B)으로부터의 거리가 산화규소막(7B)의 두께(t3)의 0.42배인 위치보다도 압전체 기판(2) 측의 영역에 고음속 유전체막(5B)을 마련함으로써, 상기 영역 내를 전파하는 세자와파의 강도를 작게 할 수 있다. 즉, 변형예 2에 따른 탄성파 장치(1B)에 의하면, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감할 수 있다. 여기서, 산화규소막(7B)의 두께(t3)는 실시형태와 마찬가지로 제1 산화규소막(4B)의 두께(t1)와 제2 산화규소막(6B)의 두께(t2)의 합이다.
(5.3) 그 밖의 변형예
이하, 실시형태 및 변형예 1, 2의 그 밖의 변형예를 열거한다.
실시형태 및 변형예 1, 2에서는 고음속 유전체막(5, 5A, 5B)이 질화규소를 포함하는 유전체막인 경우를 예시했다. 이에 대하여, 고음속 유전체막(5, 5A, 5B)은 질화규소, 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3), 탄화규소(SiC) 및 다이아몬드 라이크 카본(DLC) 중 적어도 하나의 재료를 포함하는 유전체막이면 된다.
실시형태 및 변형예 1, 2에서는 고음속 유전체막(5, 5A, 5B)의 두께가 0.03λ인 경우를 예시했다. 여기서, 고음속 유전체막(5, 5A, 5B)의 두께가 0.005λ 미만인 경우에는, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 음속을 고음속 유전체막(5)에 의해 빠르게 할 수 없어, 세자와파의 강도를 작게 할 수 없다. 또한, 고음속 유전체막(5, 5A, 5B)의 두께가 0.05λ 이상인 경우에는 고음속 유전체막(5, 5 A, 5B)의 응력이 커진다. 그 때문에 고음속 유전체막(5, 5A, 5B)의 두께는 0.005λ 이상이면서 0.05λ 미만인 것이 바람직하다.
제2 산화규소막(6, 6A, 6B) 상에 산화규소막 이외의 다른 막이 형성되어 있어도 된다.
(정리)
이상 설명한 실시형태 등으로부터 이하의 양태가 개시되어 있다.
제1 양태에 따른 탄성파 장치(1; 1A; 1B)는 레일리파를 메인모드로 이용한다. 탄성파 장치(1; 1A; 1B)는 압전체 기판(2; 2A; 2B)과 IDT 전극(3; 3A; 3B)과 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)과 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)과 제2 산화규소막(6; 6A; 6B)을 포함한다. 압전체 기판(2; 2A; 2B)은 제1 주면(21; 21A; 21B)을 가진다. IDT 전극(3; 3A; 3B)은 압전체 기판(2; 2A; 2B)의 제1 주면(21; 21A; 21B) 상에 형성되어 있다. 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)은 IDT 전극(3; 3A; 3B)을 덮도록 압전체 기판(2; 2A; 2B) 상에 형성되어 있다. 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)은 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)을 덮도록 제1 산화규소막(4; 4A; 4B) 상 또는 압전체 기판(2; 2A; 2B) 상에 형성되어 있다. 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)에서는 전파하는 종파 음속이 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)을 전파하는 종파 음속보다도 고속이다. 제2 산화규소막(6; 6A; 6B)은 고음속 유전체막(5; 5A; 5B) 상에 형성되어 있다. 압전체 기판(2; 2A; 2B)의 재료는 니오브산리튬이다. 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)은 IDT 전극(3; 3A; 3B)으로부터 떨어져 있다. 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)은 압전체 기판(2; 2A; 2B)의 두께방향(D1)에서의 제1 주면(21; 21A, 21B)으로부터의 거리가 (t1+t2)×0.42 이하인 위치에 형성되어 있다. t1은 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)의 두께이고, t2는 제2 산화규소막(6; 6A; 6B)의 두께이다.
제1 양태에 의하면, IDT 전극(3; 3A; 3B)의 내전력성의 저하를 억제하면서, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감할 수 있다.
제2 양태에 따른 탄성파 장치(1; 1A; 1B)는 레일리파를 메인모드로 이용한다. 탄성파 장치(1; 1A; 1B)는 압전체 기판(2; 2A; 2B)과 IDT 전극(3; 3A; 3B)과 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)과 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)과 제2 산화규소막(6; 6A; 6B)을 포함한다. 압전체 기판(2; 2A; 2B)은 제1 주면(21; 21A; 21B)을 가진다. IDT 전극(3; 3A; 3B)은 압전체 기판(2; 2A; 2B)의 제1 주면(21; 21A; 21B) 상에 형성되어 있다. 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)은 IDT 전극(3; 3A; 3B)을 덮도록 압전체 기판(2; 2A; 2B) 상에 형성되어 있다. 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)은 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)을 덮도록 제1 산화규소막(4; 4A; 4B) 상 또는 압전체 기판(2; 2A; 2B) 상에 형성되어 있다. 제2 산화규소막(6; 6A; 6B)은 고음속 유전체막(5; 5A; 5B) 상에 형성되어 있다. 압전체 기판(2; 2A; 2B)의 재료는 니오브산리튬이다. 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)은 IDT 전극(3; 3A; 3B)으로부터 떨어져 있다. 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)은 압전체 기판(2; 2A; 2B)의 두께방향(D1)에서의 제1 주면(21; 21A; 21B)으로부터의 거리가 (t1+t2)×0.42 이하인 위치에 형성되어 있다. t1은 제1 산화규소막(4; 4A; 4B)의 두께이며, t2는 제2 산화규소막(6; 6A; 6B)의 두께이다. 고음속 유전체막(5; 5A; 5B)은 질화규소, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소 및 다이아몬드 라이크 카본 중 적어도 하나의 재료를 포함한다.
제2 양태에 의하면, IDT 전극(3; 3A; 3B)의 내전력성의 저하를 억제하면서, 레일리파의 스퓨리어스가 되는 세자와파의 강도를 저감할 수 있다.
1, 1A, 1B: 탄성파 장치
2, 2A, 2B: 압전체 기판
21, 21A, 21B: 제1 주면(주면)
22, 22A, 22B: 제2 주면
3, 3A, 3B: IDT 전극
31: 제1 버스바
32: 제2 버스바
33: 제1 전극지
34: 제2 전극지
4, 4A, 4B: 제1 산화규소막
5, 5A, 5B: 고음속 유전체막
6, 6A, 6B: 제2 산화규소막
7, 7A, 7B: 산화규소막(제1 산화규소막 및 제2 산화규소막)
D1: 제1 방향(두께방향)
D2: 제2 방향
D3: 제3 방향
t1: 제1 산화규소막의 두께
t2: 제2 산화규소막의 두께
t3: 산화규소막의 두께

Claims (2)

  1. 레일리파(Rayleigh wave)를 메인모드로 이용하는 탄성파 장치로서,
    주면(主面)을 가지는 압전체 기판과,
    상기 압전체 기판의 상기 주면 상에 형성되어 있는 IDT 전극과,
    상기 IDT 전극을 덮도록 상기 압전체 기판 상에 형성되어 있는 제1 산화규소막과,
    상기 제1 산화규소막을 덮도록 상기 제1 산화규소막 상 또는 상기 압전체 기판 상에 형성되어 있고, 전파하는 종파 음속이 상기 제1 산화규소막을 전파하는 종파 음속보다도 고속인 고음속 유전체막과,
    상기 고음속 유전체막 상에 형성되어 있는 제2 산화규소막을 포함하고,
    상기 압전체 기판의 재료는 니오브산리튬이며,
    상기 고음속 유전체막은 상기 IDT 전극으로부터 떨어져 있으면서, 상기 제1 산화규소막의 두께를 t1로 하고, 상기 제2 산화규소막의 두께를 t2로 한 경우에, 상기 압전체 기판의 두께방향에서의 상기 주면으로부터의 거리가 (t1+t2)×0.42 이하인 위치에 형성되어 있는
    탄성파 장치.
  2. 레일리파를 메인모드로 이용하는 탄성파 장치로서,
    주면을 가지는 압전체 기판과,
    상기 압전체 기판의 상기 주면 상에 형성되어 있는 IDT 전극과,
    상기 IDT 전극을 덮도록 상기 압전체 기판 상에 형성되어 있는 제1 산화규소막과,
    상기 제1 산화규소막을 덮도록 상기 제1 산화규소막 상 또는 상기 압전체 기판 상에 형성되어 있는 고음속 유전체막과,
    상기 고음속 유전체막 상에 형성되어 있는 제2 산화규소막을 포함하고,
    상기 압전체 기판의 재료는 니오브산리튬이며,
    상기 고음속 유전체막은 상기 IDT 전극으로부터 떨어져 있으면서, 상기 제1 산화규소막의 두께를 t1로 하고, 상기 제2 산화규소막의 두께를 t2로 한 경우에, 상기 압전체 기판의 두께방향에서의 상기 주면으로부터의 거리가 (t1+t2)×0.42 이하인 위치에 형성되어 있고,
    상기 고음속 유전체막은 질화규소, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소 및 다이아몬드 라이크 카본(diamond-like carbon) 중 적어도 하나의 재료를 포함하는
    탄성파 장치.
KR1020190015858A 2018-03-19 2019-02-12 탄성파 장치 KR102205855B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-050602 2018-03-19
JP2018050602A JP6812998B2 (ja) 2018-03-19 2018-03-19 弾性波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190110020A true KR20190110020A (ko) 2019-09-27
KR102205855B1 KR102205855B1 (ko) 2021-01-21

Family

ID=67906242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190015858A KR102205855B1 (ko) 2018-03-19 2019-02-12 탄성파 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11476830B2 (ko)
JP (1) JP6812998B2 (ko)
KR (1) KR102205855B1 (ko)
CN (1) CN110289827B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9698756B2 (en) 2014-12-24 2017-07-04 Qorvo Us, Inc. Acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
US10581156B2 (en) 2016-05-04 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling
US10581403B2 (en) * 2016-07-11 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Device having a titanium-alloyed surface
US11050412B2 (en) 2016-09-09 2021-06-29 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter using acoustic coupling
US11165413B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator structure
US11165412B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit
US10873318B2 (en) 2017-06-08 2020-12-22 Qorvo Us, Inc. Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration
US11152913B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave (BAW) resonator
CN110601677A (zh) * 2018-06-13 2019-12-20 天工方案公司 铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制
US11146247B2 (en) 2019-07-25 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Stacked crystal filter structures
US11757430B2 (en) 2020-01-07 2023-09-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
US11146245B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Mode suppression in acoustic resonators
US11146246B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Phase shift structures for acoustic resonators
US11632097B2 (en) 2020-11-04 2023-04-18 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator filter device
US11575363B2 (en) 2021-01-19 2023-02-07 Qorvo Us, Inc. Hybrid bulk acoustic wave filter

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007097186A1 (ja) 2006-02-20 2007-08-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
JP2011182117A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびその製造方法
WO2013081026A1 (ja) * 2011-12-01 2013-06-06 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
WO2015156232A1 (ja) * 2014-04-11 2015-10-15 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
WO2017068835A1 (ja) * 2015-10-23 2017-04-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2018023109A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 保護膜を有する弾性表面波素子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4715922B2 (ja) * 2006-05-30 2011-07-06 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
WO2007138844A1 (ja) * 2006-05-30 2007-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波装置
JP2011061743A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波素子
JP2011166259A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
WO2012086639A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN104641555B (zh) 2012-07-30 2017-04-12 天工滤波方案日本有限公司 弹性波器件和使用弹性波器件的天线双工器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007097186A1 (ja) 2006-02-20 2007-08-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
JP2011182117A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびその製造方法
WO2013081026A1 (ja) * 2011-12-01 2013-06-06 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
WO2015156232A1 (ja) * 2014-04-11 2015-10-15 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
WO2017068835A1 (ja) * 2015-10-23 2017-04-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2018023109A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 保護膜を有する弾性表面波素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR102205855B1 (ko) 2021-01-21
JP2019165284A (ja) 2019-09-26
JP6812998B2 (ja) 2021-01-13
US20190288664A1 (en) 2019-09-19
CN110289827A (zh) 2019-09-27
CN110289827B (zh) 2023-03-14
US11476830B2 (en) 2022-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190110020A (ko) 탄성파 장치
JP7377920B2 (ja) 弾性表面波素子
JP6662490B2 (ja) 弾性波装置
JP4356613B2 (ja) 弾性境界波装置
JP7231015B2 (ja) 弾性波装置
JPWO2005086345A1 (ja) 弾性境界波装置
WO2006114930A1 (ja) 弾性境界波装置
JPWO2005069485A1 (ja) 弾性境界波装置
JP6360847B2 (ja) 弾性波デバイス
JPWO2006123585A1 (ja) 弾性境界波装置
CN113519120B (zh) 弹性波装置
JP7168009B2 (ja) 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ
WO2018079574A1 (ja) 弾性波素子
JP7088316B2 (ja) 弾性波装置
US11863155B2 (en) Surface acoustic wave element
WO2010125940A1 (ja) 弾性波装置
JPWO2020059765A1 (ja) 弾性波装置
JPWO2018003657A1 (ja) 弾性波装置
US20220123711A1 (en) Acoustic wave device
CN117256099A (zh) 弹性波装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right