WO2017068835A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device in which an IDT electrode, a dielectric film, and a frequency adjustment film are stacked on a LiNbO 3 substrate.
  • the ⁇ is in the range of 25 ° to 31 °. In this case, even if the thickness of the frequency adjustment film is thin, the fluctuation of the SH wave spurious can be more effectively suppressed.
  • the acoustic wave device 1 has a LiNbO 3 substrate 2.
  • An IDT electrode 3 is provided on the LiNbO 3 substrate 2.
  • the IDT electrode 3 has a plurality of electrode fingers 3a.
  • Reflectors 4 and 5 are provided on both sides of the IDT electrode 3 in the elastic wave propagation direction. Thereby, a 1-port elastic wave resonator is configured.
  • the elastic wave device 1 uses Rayleigh waves.
  • the thickness of the SiO 2 film as the dielectric film is not particularly limited, it may be thicker than the IDT electrode and about 0.6 ⁇ or less. If the thickness of the SiO 2 film is within this range, good frequency temperature characteristics can be obtained. In addition, the resonance frequency is hardly lowered.

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Abstract

周波数調整膜の膜厚が変化した場合であっても、ＳＨ波スプリアスの大きさの変動が生じ難い、弾性波装置を提供する。　ＬｉＮｂＯ３基板２上に、ＩＤＴ電極３、誘電体膜６及び周波数調整膜７が設けられている、弾性波装置１。ＬｉＮｂＯ３基板２のオイラー角が（０°±５°の範囲内、θ±１．５°の範囲内、０°±１０°の範囲内）であり、ＩＤＴ電極３は主電極を有し、主電極のＩＤＴ電極３の電極指ピッチで定まる波長λで規格化してなる膜厚をＴ、主電極の材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、主電極の膜厚Ｔと、オイラー角のθとが、式（１）を満たしている。　式（１）：θ＝－０．０５°／（Ｔ／ｒ－０．０４）＋３１．３５°

Description

弾性波装置
　本発明は、ＬｉＮｂＯ３基板上に、ＩＤＴ電極、誘電体膜及び周波数調整膜が積層されている、弾性波装置に関する。
　下記の特許文献１には、レイリー波を利用している弾性波装置が開示されている。この弾性波装置では、ＬｉＮｂＯ３基板上において、ＳｉＯ２膜がＩＤＴ電極を覆うように積層されている。さらに、ＳｉＯ２膜上に、周波数調整用のＳｉＮ膜が設けられている。ＳｉＮ膜の厚みを調整することにより、弾性波装置の周波数の調整が図られる。
特開２０１２－１８６８０８号公報
　特許文献１に記載の弾性波装置では、ＳｉＮ膜の膜厚が変動すると、スプリアスとなるＳＨ波の応答が変化する。従って、周波数調整のためにＳｉＮ膜の膜厚が変化した場合に、抑制されていたＳＨ波スプリアスが、大きく発生してしまうことがあった。
　本発明の目的は、周波数調整膜の膜厚が変化しても、ＳＨ波スプリアスの大きさの変動が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、ＬｉＮｂＯ３基板と、前記ＬｉＮｂＯ３基板に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極を覆うように、前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた周波数調整膜とを備え、前記ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角が、（０°±５°の範囲内，θ±１．５°の範囲内，０°±１０°の範囲内）であり、前記ＩＤＴ電極が主電極を有し、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化してなる前記主電極の膜厚をＴ、前記主電極の材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、前記主電極の膜厚Ｔと前記オイラー角のθとが下記の式（１）を満たしている。
　式（１）：θ＝－０．０５°／（Ｔ／ｒ－０．０４）＋３１．３５°
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記θが２５°以上、３１°以下の範囲内にある。この場合には、周波数調整膜の膜厚が薄い場合であっても、ＳＨ波スプリアスの変動をより一層効果的に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記主電極が、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＣｕからなる群から選択された１種の金属または該金属を主体とする合金である。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記周波数調整膜の膜厚が、０より大きく、０．０２５λ以下である。この場合には、周波数調整感度が高い領域を使用することができる。従って、周波数調整工程のコストを低減することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記周波数調整膜の膜厚が、０．００５λ以下である。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記誘電体膜が、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素からなる。この場合には、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記周波数調整膜がＳｉＮなどの窒化ケイ素からなる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極が、前記主電極と、前記主電極以外の金属からなる他の電極層を有する。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極を有する帯域通過型フィルタである。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極の合計膜厚は、０．２５λ以下である。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記酸化ケイ素の厚みは、前記ＩＤＴ電極よりも厚い。
　本発明に係る弾性波装置では、周波数調整膜の膜厚が変化した場合であっても、ＳＨ波によるスプリアスの大きさの変動が生じ難い。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の平面図及び要部を拡大して示す部分拡大正面断面図である。 図２は、本発明の一実施形態の変形例に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の電極指を拡大して示す断面図である。 図３は、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθが２５°であり、ＩＤＴ電極におけるＰｔ膜の膜厚が０．０４７５λである弾性波共振子における、Ｓパラメータの周波数特性を示す図である。 図４は、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθが２５°であり、ＩＤＴ電極におけるＰｔ膜の膜厚が０．０４７５λである弾性波共振子における、インピーダンス特性を示す図である。 図５は、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθが２５°であり、ＩＤＴ電極におけるＰｔ膜の膜厚が０．０４７５λである弾性波装置における、周波数調整膜としてのＳｉＮ膜の膜厚と、ＳＨ波の比帯域との関係を示す図である。 図６は、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθが２８°であり、ＩＤＴ電極におけるＰｔ膜の膜厚が０．０５５λである弾性波装置における、周波数調整膜としてのＳｉＮ膜の膜厚と、ＳＨ波の比帯域との関係を示す図である。 図７は、図６の縦軸の比帯域のスケールを拡大して示す図である。 図８は、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθが３０°であり、ＩＤＴ電極におけるＰｔ膜の膜厚が０．０７７５λである弾性波装置における、周波数調整膜としてのＳｉＮ膜の膜厚と、ＳＨ波の比帯域との関係を示す図である。 図９は、図８の縦軸のスケールを拡大して示す図である。 図１０は、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθが３８°であり、ＩＤＴ電極におけるＰｔ膜の膜厚が０．０２λである弾性波装置における、周波数調整膜としてのＳｉＮ膜の膜厚と、ＳＨ波の比帯域との関係を示す図である。 図１１は、ＳｉＮ膜の膜厚と、レイリー波の音速との関係を示す図である。 図１２は、ＳＨ波の比帯域が極小となる、θとＰｔ膜の膜厚との関係を示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の平面図及び要部を拡大して示す部分拡大正面断面図である。
　弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３基板２を有する。ＬｉＮｂＯ３基板２上にＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３は、複数本の電極指３ａを有する。ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に、反射器４，５が設けられている。それによって、１ポート型弾性波共振子が構成されている。弾性波装置１は、レイリー波を利用している。
　弾性波装置１では、ＩＤＴ電極３を覆うように、ＬｉＮｂＯ３基板２上に誘電体膜６が設けられている。本実施形態では、誘電体膜６は、ＳｉＯ２からなる。
　誘電体膜６上に、周波数調整膜７として、ＳｉＮ膜が設けられている。
　誘電体膜６がＳｉＯ２からなるため、弾性波装置１では、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値が小さくされている。もっとも、誘電体膜６は、ＳｉＯＮなどの他の誘電体材料により形成されていてもよい。
　周波数調整膜７の厚みを調整することにより、弾性波装置１の周波数調整を行うことができる。すなわち、周波数調整膜７の厚みを薄くすることにより、共振周波数や反共振周波数を低める方向に周波数調整を行うことができる。
　周波数調整膜７は、ＳｉＮに限らず、ＳｉＯＮなどの他の材料により構成されていてもよい。好ましくは、膜音速が適切であり加工しやすいため、ＳｉＮ膜が用いられる。
　弾性波装置１の特徴は、ＩＤＴ電極３が、主電極を有し、主電極の膜厚をＴ、主電極材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、ＬｉＮｂＯ３基板２のオイラー角が、（０°±５°の範囲内、θ±１．５°の範囲内、０°±１０°の範囲内）にあり、かつ主電極の厚みＴと、オイラー角のθとが下記の式（１）を満たしていることにある。それによって、周波数調整膜７の厚みが変化したとしても、スプリアスとなるＳＨ波の比帯域が小さくされている。
　式（１）：θ＝－０．０５°／（Ｔ／ｒ－０．０４）＋３１．３５°
　弾性波装置１では、ＳｉＮ膜の膜厚が変化すると、スプリアスとなるＳＨ波の比帯域が変化する。ＳＨ波の比帯域とは、ＳＨ波による応答が発生する周波数と、ＳＨ波の共振周波数と反共振周波数の差の比で表され、電気機械結合係数に対応する。比帯域が大きくなるとＳＨ波による応答が大きく発生することになる。これを図３～図１０を参照して説明する。
　ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角（０°，θ，０°）におけるθを２５°とし、ＩＤＴ電極３の電極指ピッチで定まる波長λを４．０μｍ、ＩＤＴ電極を構成しているＰｔ膜の厚みを１９０ｎｍ（０．０４７５λ）として作製した弾性波共振子のＳパラメータの周波数特性を図３、インピーダンス特性を図４に示す。それぞれの図中において、実線の特性は周波数調整膜としてのＳｉＮ膜の膜厚が４０ｎｍ（０．０１λ）、破線の特性は１０ｎｍ（０．００２５λ）の場合を示している。実線の特性ではレイリー波の応答しか見られていないが、破線では８１０ＭＨｚ付近にＳＨ波によるスプリアスが発生している。これはＳｉＮ膜の膜厚を変えることによりＳＨ波の比帯域が大きくなったためである。
　次に、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角（０°，θ，０°）におけるθと、ＩＤＴ電極３を構成しているＰｔ膜の膜厚を種々変化させ、複数種の弾性波装置を作製した。この複数種の弾性波装置において、周波数調整膜としてのＳｉＮ膜の膜厚を変化させ、ＳＨ波の比帯域の変化を求めた。図５はオイラー角のθが２５°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０４７５λの場合の結果を示す。なお、λは、ＩＤＴ電極３の電極指ピッチで定まる波長である。
　図５から明らかなように、ＳｉＮ膜の膜厚が、０．００５λを超えると、ＳＨ波の比帯域がほぼ０となることがわかる。他方、ＳｉＮ膜の膜厚が、０．００５λ以下では、ＳｉＮ膜の膜厚が薄くなるにつれて比帯域が大きくなっているため、デバイス特性にＳＨ波によるスプリアスが生じることがある。従って、θ＝２５°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０４７５λの場合には、ＳｉＮ膜の膜厚を０．００５λ以上の範囲内で、ＳｉＮ膜の膜厚を変化させて周波数調整することが好ましい。
　図６は、オイラー角のθが２８°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０５５λの場合の結果を示し、図７は、図６の縦軸のスケールを拡大して示す図である。図６及び図７から明らかなように、θが２８°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０５５λの場合には、ＳｉＮ膜の膜厚が、０．００７５λの場合にＳＨ波の比帯域が０となっている。そして、図７から明らかなように、ＳｉＮ膜の膜厚が、０．００２５λ以上、０．０２５λ以下の範囲内において、ＳＨ波の比帯域がほぼ０．００２％以下と非常に小さい。
　図８は、オイラー角のθが３０°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０７７５λの場合のＳｉＮ膜の膜厚と、ＳＨ波の比帯域との関係を示す図であり、図９は図８の縦軸のスケールを拡大して示す図である。
　図８及び図９から明らかなように、この場合においても、ＳｉＮ膜の膜厚が、０．００２５λ以上、０．０２５λ以下の範囲内において、ＳＨ波の比帯域がほぼ０となっていることがわかる。
　図１０は、特許文献１で開示されているものと、θと電極との膜厚との関係を除く部分については同じ条件であり、オイラー角のθが３８°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０２λである場合のＳｉＮ膜の膜厚と、ＳＨ波の比帯域との関係を示す。図１０から明らかなように、ＳｉＮ膜の膜厚が、０．０１λ以下では、ＳｉＮ膜の膜厚が薄くなるにつれて、ＳＨ波の比帯域が大きくなっていくことがわかる。ＳｉＮ膜の膜厚が０．０１λ以下の範囲まで、ＳｉＮ膜の膜厚を薄くなるように周波数調整を行うと、ＳＨ波の比帯域の大きさが大きく変化することがわかる。従って、特許文献１の構成では特性ばらつきの少ない弾性波装置を確実に提供することができない。
　これに対して、図３～図９に示した例では、ＳｉＮ膜の膜厚を０．０２５λ以下、特に、０．００５λ以下まで厚みを薄くするように周波数調整を行っても、ＳＨ波の比帯域の大きさの変化が非常に小さいことがわかる。なお、ＳｉＮ膜の膜厚が０λの場合には、周波数調整機能を有さなくなってしまうので、少なくとも、ＳｉＮ膜の膜厚は０より大きい。
　他方、図１１は、ＳｉＮ膜の膜厚と、レイリー波の音速との関係を示す図である。この図から明らかなように、ＳｉＮ膜の膜厚とレイリー波の音速の関係は上に凸の曲線となっており、ＳｉＮ膜の膜厚が薄いほどＳｉＮ膜の厚みの変動に対する周波数の変動が大きい、つまり周波数調整の感度が高くなっている。弾性波装置では、近年、より一層の低コスト化が求められている。従って、周波数調整工程においては、周波数調整の感度が高い条件を使用することが求められている。つまり、ＳｉＮ膜の膜厚ができる限り薄い範囲で周波数調整を行うことが求められている。
　前述したように、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθと、Ｐｔ膜の膜厚とを選択することにより、ＳｉＮ膜の膜厚が０．０２５λ以下、特に、０．００５λ以下の範囲まで薄くして周波数調整を行ったとしても、ＳＨ波によるスプリアスの大きさの変化を小さくすることができる。
　本願発明者は、上記の点を勘案し、前述した図３～図９だけでなく、Ｐｔ膜の膜厚と、ＬｉＮｂＯ３基板２のオイラー角のθとを種々変化させ、その場合のＳＨ波の比帯域を求めた。下記の表１は、ＳＨ波の比帯域を最小とすることができる場合のオイラー角のθとＰｔ膜の膜厚との組み合わせを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　この表１に示した結果をプロットすると、図１２に示すとおりとなる。
　なお、図１２において、点Ａ１は、オイラー角のθ＝２５°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０４７５λの場合に相当し、すなわち図５に示した結果に相当する。点Ａ２は、オイラー角のθ＝２８°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０５５λの場合、すなわち図６に示す結果の場合に相当する。点Ａ３は、オイラー角のθ＝３０°であり、Ｐｔ膜の膜厚が０．０７７５λの場合、すなわち、図８に示す場合に相当する。
　従って、図１２に示す実線Ａ上であれば、ＳＨ波の比帯域を最小とすることができる。この実線Ａを式で表すと式（１Ａ）の通りとなる。
　式（１Ａ）：θ＝－０．０５°／（ＴＰｔ－０．０４）＋３１．３５°
　すなわち、Ｐｔ膜の膜厚をＴＰｔとしたときに、膜厚ＴＰｔと、オイラー角のθとが、上記式（１Ａ）を満たしている場合、ＳＨ波の比帯域を極小とすることができる。本願発明者は、Ｐｔ以外の主電極材料についても種々検討した。すなわち、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＣｕについても同様の検討を行った。その結果、これらの金属を用いた場合、ＩＤＴ電極３の電極指ピッチで定まる波長で規格化してなる膜厚をＴとしたとき、上述した式（１Ａ）におけるＴＰｔに代えて、Ｔ／ｒを用いればよいことを確かめた。なお、ｒ＝主電極材料の密度と、Ｐｔとの密度比である。従って、主電極がＰｔからなる場合、ｒ＝１となり、Ｐｔよりも密度の高い金属からなる場合には、ｒ＞１となる。よって、前述した式（１）を満たすように、オイラー角のθと、主電極の膜厚Ｔとを選択すれば、ＳＨ波の比帯域を最小とすることができる。従って、ＳｉＮ膜の膜厚変動によるＳＨ波の応答による影響を効果的に抑制することができる。よって、高精度に周波数調整を行うことができ、しかも弾性波装置の特性のばらつきも生じ難い。
　好ましくは、オイラー角のθは、２５°以上、３１°以下の範囲とされる。図５～９からわかるように、オイラー角θが小さいほど、ＳｉＮ膜の膜厚が薄くなった場合のＳＨ波の比帯域の変動が大きくなるが、θが２５°以上であればＳｉＮ膜の厚み０．００５λ付近におけるＳＨ波の比帯域は十分に小さくなる。従って、ＳＨ波によるスプリアスをより効果的に抑えることができる。他方、図１２からわかるように、θが大きくなるとＩＤＴの主電極の膜厚が厚くなる。主電極の膜厚が厚くなりすぎると、コストが高くついたり、電極指の幅がばらついた場合の特性ばらつきが大きくなったりすることがある。従って、上記理由によりＴＰｔは、より好ましくは、０．１λ以下とすることが望ましい。よって、より好ましくは、θは３０．５°以下の範囲とすることが望ましい。
　他方、図１１に示したように、ＳｉＮ膜が薄くなるほど、ＳｉＮ膜の膜厚変化による音速変動量は大きくなっている。すなわち、周波数調整の感度は、ＳｉＮ膜が薄いほうが高い。よって、上記実施形態のように、ＳｉＮ膜の膜厚が０．０１λ以下の薄い範囲で周波数調整を行うことにより、大きな周波数調整範囲を得ることができる。
　また、周波数調整は、ＳｉＮ膜をエッチングすることにより、あるいはＳｉＮ膜の成膜時の厚み調整により行うことができる。上記のように、ＳｉＮ膜が薄い領域を用いることにより、上記エッチングや成膜の時間を短縮することができる。従って、製造コストを低減することもできる。
　上記の通り、上記実施形態では、周波数調整感度の高いＳｉＮ膜の膜厚領域を用いて周波数調整を行うことができる。上記ＳｉＮ膜の膜厚は、０より大きく、０．０２５λ以下であれば好ましいが、より好ましくは、０．０１λ以下であり、さらに好ましくは、０．００５λ以下である。それによって、周波数調整感度をより一層効果的に高めることができる。
　なお、誘電体膜としてのＳｉＯ２膜の厚みは、特に限定されないが、ＩＤＴ電極よりも厚く、０．６λ以下程度とすればよい。ＳｉＯ２膜の厚みがこの範囲内であれば、良好な周波数温度特性を得ることができる。また、共振周波数の低下等も生じ難い。
　なお、ＩＤＴ電極３は、Ｐｔなどの主電極材料からなる単層電極であってもよいが、積層金属膜により形成されてもよい。例えば、図２に電極指３ａの部分を拡大して示す変形例のように、ＮｉＣｒ膜１１、主電極としてのＰｔ膜１２、拡散防止膜としてのＴｉ膜１３、及び導電性を高めるためのＡｌＣｕ合金膜１４を積層した構造を有していてもよい。
　上記Ｐｔ膜１２が、主電極である。主電極とは、ＩＤＴ電極の中で最も大きな質量を占める電極層であり、ＬｉＮｂＯ３基板２上に設けられた際に、レイリー波の充分大きな応答および反射を得ることを可能とする電極である。このような主電極を構成する材料としては、好ましくは、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＣｕからなる群から選択された１種の金属または該金属を主体とする合金を用いることができる。金属を主体とする合金とは、合金において、当該金属が５０重量％を超える割合で含有されている合金をいうものとする。
　上記ＮｉＣｒ膜１１は、主電極であるＰｔ膜１２をＬｉＮｂＯ３基板２に対して強固に接合するために設けられている。すなわち、ＮｉＣｒ膜１１は密着層として設けられている。密着層としては、ＮｉＣｒ膜に限らず、Ｔｉ膜、Ｎｉ膜、Ｃｒ膜などを用いてもよい。
　Ｔｉ膜１３は、主電極であるＰｔ膜１２と、ＡｌＣｕ合金膜１４との間の相互拡散を抑制するために設けられている。Ｔｉ膜に限らず、Ｎｉ膜、Ｃｒ膜、ＮｉＣｒ膜などを用いてもよい。
　ＡｌＣｕ合金膜１４は、ＩＤＴ電極３の電気抵抗を低めるために設けられている。ＡｌＣｕ合金膜１４に代えて、主電極よりも導電性が高い適宜の金属を用いることができる。
　主電極と密着膜、拡散防止膜、ＡｌＣｕ膜を含めたＩＤＴ電極の合計膜厚は特に限定されないが、電極が厚くなると電極のアスペクト比が大きくなり、形成が困難となることから、０．２５λ程度以下とすることが望ましい。
　なお、上記のような積層金属膜を用いた場合においても、主電極の厚みＴと、オイラー角のθとが上記式（１）を満たしておれば、上記実施形態と同様に、周波数調整膜の厚み変動によりＳＨ波による応答の変動を効果的に抑制することができる。
　なお、上記実施形態では、１ポート型弾性波共振子につき説明したが、本発明に係る弾性波装置は、１ポート型弾性波共振子に限定されるものではない。例えば、複数のＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタや、複数の弾性波共振子を有するラダー型フィルタなどの帯域通過型フィルタであってもよい。また、本発明に係る弾性波装置は、帯域素子フィルタやトラップフィルタにも適用することができる。
１…弾性波装置
２…ＬｉＮｂＯ３基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ…電極指
４，５…反射器
６…誘電体膜
７…周波数調整膜
１１…ＮｉＣｒ膜
１２…Ｐｔ膜
１３…Ｔｉ膜
１４…ＡｌＣｕ合金膜

Claims (11)

  1. 　ＬｉＮｂＯ３基板と、
    　前記ＬｉＮｂＯ３基板に設けられたＩＤＴ電極と、
    　前記ＩＤＴ電極を覆うように、前記ＬｉＮｂＯ３基板上に設けられた誘電体膜と、
    　前記誘電体膜上に設けられた周波数調整膜とを備え、
    　前記ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角が、（０°±５°の範囲内，θ±１．５°の範囲内，０°±１０°の範囲内）であり、前記ＩＤＴ電極が主電極を有し、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化してなる前記主電極の膜厚をＴ、前記主電極の材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、
    　前記主電極の膜厚Ｔと前記オイラー角のθとが下記の式（１）を満たしている、弾性波装置。
    　式（１）：θ＝－０．０５°／（Ｔ／ｒ－０．０４）＋３１．３５°
  2. 　前記θが２５°以上、３１°以下の範囲内にある、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記主電極が、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＣｕからなる群から選択された１種の金属または該金属を主体とする合金である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記周波数調整膜の膜厚が、０より大きく、０．０２５λ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記周波数調整膜の膜厚が、０．００５λ以下である、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記誘電体膜が、酸化ケイ素からなる、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記周波数調整膜が窒化ケイ素からなる、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記ＩＤＴ電極が、前記主電極と、前記主電極以外の金属からなる他の電極層を有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記ＩＤＴ電極を有する帯域通過型フィルタである、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 前記ＩＤＴ電極の合計膜厚は、０．２５λ以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 前記酸化ケイ素の厚みは、前記ＩＤＴ電極よりも厚い、請求項６に記載の弾性波装置。
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