JP7088316B2 - 弾性波装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 118
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 48
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 8
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- -1 (Mo) Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Description
本発明の一態様に係る弾性波装置は、支持基板と、圧電体層と、IDT電極と、を備える。前記圧電体層は、前記支持基板上に直接又は間接的に設けられている。前記IDT電極は、複数の電極指を含み、前記圧電体層の主面に設けられている。前記圧電体層の厚さが、前記IDT電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとした場合に1λ以下である。前記支持基板は、A面サファイア基板である。前記圧電体層は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムで生成されている。前記圧電体層のオイラー角は、(90°±5°,90°±5°,40°±20°)の範囲で定まる方位、又は前記範囲内で定まるオイラー角と結晶学的に等価な方位である。
以下、本実施形態に係る弾性波装置について、図1~図7を用いて説明する。
実施形態に係る弾性波装置1は、例えば、弾性波として板波を利用する弾性波装置である。弾性波装置1は、図1に示すように、支持基板2と、圧電体層3と、櫛歯型の電極であるIDT(IDT:Interdigital Transducer)電極4と、を備える。圧電体層3は、支持基板2上に形成されている。IDT電極4は、圧電体層3上に形成されている。
次に、弾性波装置1の各構成要素について、図面を参照して説明する。
支持基板2は、図1に示すように、圧電体層3とIDT電極4との積層体を支持している。支持基板2は、その厚さ方向D1(以下、第1方向D1ともいう)において互いに反対側にある第1主面21及び第2主面22を有する。第1主面21及び第2主面22は、互いに背向する。支持基板2の平面視形状(支持基板2を厚さ方向D1から見たときの外周形状)は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。
圧電体層3は、例えば、XカットY伝搬LiNbO3(ニオブ酸リチウム)圧電単結晶から形成されている。XカットY伝搬LiNbO3圧電単結晶は、LiNbO3圧電単結晶の3つの結晶軸をX軸、Y軸、Z軸とした場合に、Y軸を中心軸としてX軸からZ軸方向に回転した軸を法線とする面で切断したLiNbO3単結晶であって、Y軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶である。本実施形態では、圧電体層3のオイラー角を(φ,θ,ψ)とする。なお、圧電体層3のオイラー角は、結晶学的に等価なオイラー角を含むものとする。LiNbO3は三方晶系の3m点群に属する結晶であるため、以下の式が成り立つ。
=F(60°-θ,-φ,180°-ψ)
=F(θ,180°+φ,180°-ψ)
=F(φ,θ,180°+ψ)
なお、圧電体層3は、XカットY伝搬LiNbO3圧電単結晶に限定されず、例えば、XカットY伝搬LiNbO3圧電セラミックスであってもよい。
IDT電極4は、複数の電極指41と、2つのバスバー(図示せず)とを含み、圧電体層3の主面31に設けられている。複数の電極指41は、第1方向D1に直交する第2方向D2において互いに離隔して並んで設けられている。図示しない2つのバスバーは、第2方向D2を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の電極指41と電気的に接続されている。より詳細には、複数の電極指41は、複数の第1電極指と、複数の第2電極指とを有する。複数の第1電極指は、2つのバスバーのうちの第1バスバーと電気的に接続されている。複数の第2電極指は、2つのバスバーのうちの第2バスバーと電気的に接続されている。
図2は、弾性波装置1を1ポート共振子として用いた場合において、支持基板2のオイラー角の一要素であるψの角度を変化させたときのψとインピーダンス比との関係を示すグラフである。
以上説明したように、本実施形態では、弾性波装置1は、オイラー角が(90°,90°,40°)である圧電体層3と、オイラー角が(90°,90°、ψ)であるA面サファイア基板である支持基板2とを備える。ここで、ψは、120°以上165°以下である。ψが120°以上165°以下の範囲内の値である場合、図2及び図3で示すように、共振周波数での良好なインピーダンス特性が得られる。そのため、本実施形態の弾性波装置1は、支持基板2側に弾性波エネルギーが漏洩せずに、圧電体層3近傍にエネルギーが集中した状態で弾性波を伝搬することができる。その結果、良好な弾性表面波の特性が得られる。つまり、Q値を高めることができる。
以下に、変形例について列記する。なお、以下に説明する変形例は、上記実施形態と適宜組み合わせて適用可能である。
本実施形態の変形例1として、図8に示すように、弾性波装置1Aは、実施形態の弾性波装置1と比較して、中間層5を更に備える構成であってもよい。
圧電体層3と支持基板2との間に、少なくとも1つの高音響インピーダンス層と、少なくとも1つの低音響インピーダンス層とをそれぞれ中間層として設けてもよい。ここで、高音響インピーダンス層は、低音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが高い層である。例えば、図10に示すように、圧電体層3と支持基板2との間に、3つの高音響インピーダンス層51と、3つの低音響インピーダンス層52とを設けてもよい。
上記実施形態では、圧電体層3のオイラー角は、(90°±5°,90°±5°,40°±20°)の範囲内で定まる方位であるとしたが、これに限定されない。圧電体層3のオイラー角は、縦波が優勢な弾性表面波として励振される方位であればよい。例えば、圧電体層3において縦波が優勢な弾性表面波として励振される方位として、(90°±5°,90°±5°,40°±20°)の範囲内で定まる方位の他、(0°±5°,35°±20°,90°±20°)の範囲内で定まる方位及び(0°±5°,85°±20°,90°±20°)の範囲内で定まる方位がある。
圧電体層3の材料は、LiNbO3に限定されない。例えば、圧電体層3の材料は、LiTaO3(タンタル酸リチウム)であってもよい。つまり、圧電体層3がYカットX伝搬LiNbO3圧電単結晶又は圧電セラミックスであってもよい。例えば、オイラー角が(0°,130°,0°)であるLiNbO3で生成された圧電体層では、SH波が優勢な弾性波が励振される結晶方位であるが、SH波は縦波よりも音速が遅い。そのため、A面サファイア(支持基板2)のオイラー角の一要素であるψを120°以上165°以下の範囲内とすることで、良好なインピーダンス特性が得られる。つまり、良好な弾性表面波の特性が得られる。
上記実施形態では、弾性波装置1を1ポート共振子とした場合について説明した。しかしながら、弾性波装置1の適用は1ポート共振子に限定されない。
以上説明したように、第1の態様の弾性波装置(1;1A;1B)は、支持基板(2)と、圧電体層(3)と、IDT電極(4)と、を備える。圧電体層(3)は、支持基板(2)上に直接又は間接的に設けられている。IDT電極(4)は、複数の電極指(41)を含み、圧電体層(3)の主面(31)に設けられている。圧電体層(3)の厚さが、IDT電極(4)の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとした場合に1λ以下である。支持基板(2)は、A面サファイア基板である。
2 支持基板
3 圧電体層
4 IDT電極
5 中間層
21 第1主面
22 第2主面
31 主面
41 電極指
51 高音響インピーダンス層(中間層)
52 低音響インピーダンス層(中間層)
511 第1高音響インピーダンス層(中間層)
512 第2高音響インピーダンス層(中間層)
513 第3高音響インピーダンス層(中間層)
521 第1低音響インピーダンス層(中間層)
522 第2低音響インピーダンス層(中間層)
523 第3低音響インピーダンス層(中間層)
D1 第1方向(厚さ方向)
D2 第2方向
Claims (7)
- 支持基板と、
前記支持基板上に直接又は間接的に設けられている圧電体層と、
複数の電極指を含み、前記圧電体層の主面に設けられているIDT電極と、を備え、
前記圧電体層の厚さが、前記IDT電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとした場合に1λ以下であり、
前記支持基板は、A面サファイア基板であり、
前記支持基板のオイラー角は(90°±5°,90°±5°,ψ)で定まる方位であってψが120°以上165°以下の範囲内である、又は前記支持基板のオイラー角が(90°±5°,90°±5°,ψ)であり、かつψが120°以上165°以下の範囲内で定まる方位に結晶学的に等価な方位である、
弾性波装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に直接又は間接的に設けられている圧電体層と、
複数の電極指を含み、前記圧電体層の主面に設けられているIDT電極と、を備え、
前記圧電体層の厚さが、前記IDT電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとした場合に1λ以下であり、
前記支持基板は、A面サファイア基板であり、
前記圧電体層は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムで生成され、
前記圧電体層のオイラー角は、(90°±5°,90°±5°,40°±20°)の範囲で定まる方位、又は前記範囲内で定まるオイラー角と結晶学的に等価な方位である、
弾性波装置。 - 前記圧電体層は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムで生成され、
前記圧電体層のオイラー角は、(90°±5°,90°±5°,40°±20°)、(0°±5°,35°±20°,90°±20°)及び(0°±5°,85°±20°,90°±20°)のいずれかの範囲で定まる方位、又はいずれかの範囲内で定まるオイラー角と結晶学的に等価な方位である、
請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記支持基板のオイラー角は(90°±5°,90°±5°,ψ)で定まる方位であってψが120°以上165°以下の範囲内である、又は前記支持基板のオイラー角が(90°±5°,90°±5°,ψ)であり、かつψが120°以上165°以下の範囲内で定まる方位に結晶学的に等価な方位である、
請求項2に記載の弾性波装置。 - 前記圧電体層を伝搬する弾性波は、縦波を含む、
請求項1~4のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 前記支持基板と前記圧電体層との間に少なくとも1つの中間層を更に備える、
請求項1~5のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 前記少なくとも1つの中間層は、酸化ケイ素層を含む、
請求項6に記載の弾性波装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018233575 | 2018-12-13 | ||
JP2018233575 | 2018-12-13 | ||
PCT/JP2019/047903 WO2020121976A1 (ja) | 2018-12-13 | 2019-12-06 | 弾性波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020121976A1 JPWO2020121976A1 (ja) | 2021-10-14 |
JP7088316B2 true JP7088316B2 (ja) | 2022-06-21 |
Family
ID=71076352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020560064A Active JP7088316B2 (ja) | 2018-12-13 | 2019-12-06 | 弾性波装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11923820B2 (ja) |
JP (1) | JP7088316B2 (ja) |
KR (1) | KR102629355B1 (ja) |
CN (1) | CN113169726B (ja) |
WO (1) | WO2020121976A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116888891A (zh) * | 2021-04-20 | 2023-10-13 | 株式会社村田制作所 | 谐振子 |
CN115865036A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-03-28 | 上海馨欧集成微电有限公司 | 一种谐振器及声学滤波器 |
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JP2004336503A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
WO2011037145A1 (ja) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
WO2013061926A1 (ja) | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008044411A1 (fr) | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dispositif à ondes limites élastiques |
EP2490333B1 (en) * | 2009-10-13 | 2019-09-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
WO2012086639A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
SG10202010325SA (en) * | 2016-11-25 | 2020-11-27 | Univ Tohoku | Acoustic wave devices |
-
2019
- 2019-12-06 JP JP2020560064A patent/JP7088316B2/ja active Active
- 2019-12-06 KR KR1020217017797A patent/KR102629355B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-06 WO PCT/JP2019/047903 patent/WO2020121976A1/ja active Application Filing
- 2019-12-06 CN CN201980080936.0A patent/CN113169726B/zh active Active
-
2021
- 2021-06-11 US US17/345,238 patent/US11923820B2/en active Active
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---|---|---|---|---|
JP2004336503A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
WO2011037145A1 (ja) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
WO2013061926A1 (ja) | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11923820B2 (en) | 2024-03-05 |
CN113169726A (zh) | 2021-07-23 |
US20210305964A1 (en) | 2021-09-30 |
CN113169726B (zh) | 2024-02-09 |
WO2020121976A1 (ja) | 2020-06-18 |
KR102629355B1 (ko) | 2024-01-25 |
KR20210087537A (ko) | 2021-07-12 |
JPWO2020121976A1 (ja) | 2021-10-14 |
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