JPWO2005069485A1 - 弾性境界波装置 - Google Patents
弾性境界波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2005069485A1 JPWO2005069485A1 JP2005516987A JP2005516987A JPWO2005069485A1 JP WO2005069485 A1 JPWO2005069485 A1 JP WO2005069485A1 JP 2005516987 A JP2005516987 A JP 2005516987A JP 2005516987 A JP2005516987 A JP 2005516987A JP WO2005069485 A1 JPWO2005069485 A1 JP WO2005069485A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- boundary
- relationship
- wave
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 182
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 76
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 76
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 76
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 295
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 170
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 168
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 162
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 230000004044 response Effects 0.000 description 21
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
「Piezoelectric AcousticBoundary Waves Propagating Along the Interface Between SiO2 and LiTaO3」IEEE Trans.Sonics and ultrason.,VOL.SU-25,No.6,1978 IEEE 「層状構造基板における圧電性境界波」中条、山之内、柴山、信学技報、US80−4、1980
2…圧電体
3…誘電体
4…電極としてのIDT
5,6…電極としての反射器
オイラー角(0°,38°,0°)すなわち128°Y板X伝搬のLiNbO3基板を圧電体2として用意した。このLiNbO3基板上に、密着層として、蒸着法によりNiCr膜を形成した。次に、密着層上に、蒸着法によりAu膜を形成し、リフトオフ法によりパターニングし、IDT4及び反射器5,6を形成した。また、上記IDT4及び反射器5,6を覆うように、RFマグネトロンスパッタリング法により、200℃の成膜温度でSiO2膜を形成した。
上記のようにして、但し下記の表2に示すように、NiCr膜、Au膜及びSiO2膜を種々異ならせ、1ポート型弾性境界波装置1を作製した。
実施例1においては、ストンリー波による応答よりも、低周波側において、SH型の弾性境界波によるスプリアス応答が生じていた。実施例2では、このスプリアス応答の抑制を図った。
excitation and propagation directions for excitation of piezoelectric surface
waves」(J.J.Campbell and W.R.Jones,IEEE Trans.Sonics and
Ultrason.,Vol.SU-15(1968)pp.209-217)に開示された手法を元に、開放境界の場合は、SiO2とAu、AuとLiNbO3の境界における変位、電位、電束密度の法線成分、上下方向の応力が連続で、SiO2とLiNbO3の厚さを無限とし、Auの比誘電率を1として音速と伝搬損失を求めた。また、短絡境界の場合は、SiO2とAu、AuとLiNbO3の境界における電位が0として求めた。また、電気機械結合係数k2は〔1〕式により求めた。なお、Vfは開放境界の音速である。
k2=2x|Vf−V|/Vf…〔1〕
ここで、dSは境界波伝搬方向におけるLiNbO3基板の線膨張係数である。
実施例2における計算方法を用い、圧電体2としてオイラー角(0°,30°,0°)、すなわち120°Y板X伝搬のLiNbO3基板を用い、誘電体3として、薄膜形成が容易であること、LiNbO3のTCFを打ち消すことができることを考慮して、SiO2膜を選択した。様々な密度の電極材料を用いて電極を構成し、弾性境界波装置を作製した。このようにして得られた弾性境界波装置における電極膜厚と、ストンリー波の音速V、伝搬損失α(dB/λ)、電気機械結合係数k2(%)及び周波数温度係数TCFとの関係を求めた。結果を図70〜図116に示す。なお、パワーフロー角PFAは、いずれにおいてもゼロであった。
H〔λ〕>1/{1/(3×197×ρ−2.22+0.017)−0.4}…式(4)
次に、オイラー角(φ,30°,0°)及び(0°,30°,ψ)のLiNbO3基板上に、それぞれ、厚み0.06λのAuからなる電極を形成し、さらに電極上にSiO2膜を形成した場合のオイラー角のφ及びψと、SH型境界波及びストンリー波の音速V、電気機械結合係数k2、伝搬損失α、周波数温度係数TCF及びパワーフロー角PFAとの関係を求めた。図118〜図122及び図119〜図127に結果を示す。図118〜図122において、U2はSH型境界波、U3はストンリー波の結果を示す。なお、オイラー角(0°〜90°,30°,0°)及び(0°,30°,0°〜90°)の全範囲において、伝搬損失αは0dB/λであった。
=F(60°+φ,−θ,180°−ψ)
=F(φ,180°+θ,180°−ψ)
=F(φ,θ,180°+ψ) …式(A)
ここで、Fは、電気機械結合係数k2、伝搬損失、TCF、PFA、ナチュラル一方向性などの任意の境界波特性である。PFAやナチュラル一方向性は、例えば伝搬方向を正負反転してみた場合、符合は変わるものの絶対量は等しいので実用上等価であると考えられる。なお、上記文献は表面波に関するものであるが、境界波に関しても結晶の対称性は同様に扱える。例えば、オイラー角(30°,θ,ψ)の境界波伝搬特性は、オイラー角(90°,180°−θ,180°−ψ)の境界波伝搬特性と等価である。また、例えば、オイラー角(30°,90°,45°)の境界波伝搬特性は、下記の表4に示すオイラー角の境界波伝搬特性と等価である。
【発明を実施するための最良の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
上記のようにして、但し下記の表4に示すように、NiCr膜、Au膜及びSiO2膜を種々異ならせ、1ポート型弾性境界波装置1を作製した。
=F(60°+φ,−θ,180°−ψ)
=F(φ,180°+θ,180°−ψ)
=F(φ,θ,180°+ψ) …式(A)
ここで、Fは、電気機械結合係数k2、伝搬損失、TCF、PFA、ナチュラル一方向性などの任意の境界波特性である。PFAやナチュラル一方向性は、例えば伝搬方向を正負反転してみた場合、符合は変わるものの絶対量は等しいので実用上等価であると考えられる。なお、上記文献は表面波に関するものであるが、境界波に関しても結晶の対称性は同様に扱える。例えば、オイラー角(30°,θ,ψ)の境界波伝搬特性は、オイラー角(90°,180°−θ,180°−ψ)の境界波伝搬特性と等価である。また、例えば、オイラー角(30°,90°,45°)の境界波伝搬特性は、下記の表6に示すオイラー角の境界波伝搬特性と等価である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置を示す正面断面図である。
【図2】 図2は本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置で電極として構成されているIDT及び反射器を示す模式的平面図である。
【図3】 図3は実施例1で作製された表4の弾性境界波装置A1のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図4】 図4は実施例1で作製された表4の弾性境界波装置A2のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図5】 図5は実施例1で作製された表4の弾性境界波装置A3のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図6】 図6は実施例1で作製された表4の弾性境界波装置A4のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図7】 図7は実施例1で作製された表4の弾性境界波装置A5のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図8】 図8は実施例1で作製された表4の弾性境界波装置A6のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図9】 図9は実施例1で作製された表4の弾性境界波装置A7のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図10】 図10は(φ,0°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、音速Vとの関係を示す各図である。
【図11】 図11は(φ,0°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図12】 図12は(φ,0°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図13】 図13は(φ,0°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図14】 図14は(φ,0°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図15】 図15は(φ,0°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、音速Vとの関係を示す図である。
【図16】 図16は(φ,0°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図17】 図17は(φ,0°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図18】 図18は(φ,0°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図19】 図19は(φ,0°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図20】 図20は(φ,90°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、音速Vとの関係を示す図である。
【図21】 図21は(φ,90°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図22】 図22は(φ,90°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図23】 図23は(φ,90°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図24】 図24は(φ,90°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図25】 図25は(φ,90°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、音速Vとの関係を示す図である。
【図26】 図26は(φ,90°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図27】 図27は(φ,90°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図28】 図28は(φ,90°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図29】 図29は(φ,90°,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のφと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図30】 図30は(0°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、音速Vとの関係を示す図である。
【図31】 図31は(0°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図32】 図32は(0°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図33】 図33は(0°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図34】 図34は(0°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図35】 図35は(0°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、音速Vとの関係を示す図である。
【図36】 図36は(0°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図37】 図37は(0°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図38】 図38は(0°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図39】 図39は(0°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図40】 図40は(90°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、音速Vとの関係を示す図である。
【図41】 図41は(90°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図42】 図42は(90°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図43】 図43は(90°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図44】 図44は(90°,θ,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図45】 図45は(90°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、音速Vとの関係を示す図である。
【図46】 図46は(90°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図47】 図47は(90°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図48】 図48は(90°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図49】 図49は(90°,θ,90°)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のθと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図50】 図50は(0°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、音速Vとの関係を示す図である。
【図51】 図51は(0°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図52】 図52は(0°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図53】 図53は(0°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図54】 図54は(0°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図55】 図55は(0°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、音速Vとの関係を示す図である。
【図56】 図56は(0°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図57】 図57は(0°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図58】 図58は(0°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図59】 図59は(0°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図60】 図60は(90°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、音速Vとの関係を示す図である。
【図61】 図61は(90°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図62】 図62は(90°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図63】 図63は(90°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図64】 図64は(90°,0°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図65】 図65は(90°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、音速Vとの関係を示す図である。
【図66】 図66は(90°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図67】 図67は(90°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図68】 図68は(90°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図69】 図69は(90°,90°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極を形成し、SiO 2 膜を形成した構造において、オイラー角のψと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図70】 図70は実施例3においてAgからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図71】 図71は実施例3においてAgからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図72】 図72は実施例3においてAgからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図73】 図73は実施例3においてAgからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図74】 図74は実施例3においてAlからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図75】 図75は実施例3においてAlからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図76】 図76は実施例3においてAlからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図77】 図77は実施例3においてAlからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図78】 図78は実施例3においてAuからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図79】 図79は実施例3においてAuからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図80】 図80は実施例3においてAuからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図81】 図81は実施例3においてAuからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図82】 図82は実施例3においてCrからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図83】 図83は実施例3においてCrからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図84】 図84は実施例3においてCrからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図85】 図85は実施例3においてCrからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図86】 図86は実施例3においてCuからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図87】 図87は実施例3においてCuからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図88】 図88は実施例3においてCuからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図89】 図89は実施例3においてCuからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図90】 図90は実施例3においてFeからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図91】 図91は実施例3においてFeからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図92】 図92は実施例3においてFeからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図93】 図93は実施例3においてFeからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図94】 図94は実施例3においてMoからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図95】 図95は実施例3においてMoからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図96】 図96は実施例3においてMoからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図97】 図97は実施例3においてMoからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図98】 図98は実施例3においてNiからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図99】 図99は実施例3においてNiからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図100】 図100は実施例3においてNiからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図101】 図101は実施例3においてTaからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図102】 図102は実施例3においてTaからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図103】 図103は実施例3においてTaからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図104】 図104は実施例3においてTaからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図105】 図105は実施例3においてWからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図106】 図106は実施例3においてWからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図107】 図107は実施例3においてWからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図108】 図108は実施例3においてWからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図109】 図109は実施例3においてTiからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図110】 図110は実施例3においてTiからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図111】 図111は実施例3においてTiからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図112】 図112は実施例3においてTiからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図113】 図113は実施例3においてPtからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の音速との関係を示す図である。
【図114】 図114は実施例3においてPtからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図115】 図115は実施例3においてPtからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図116】 図116は実施例3においてPtからなる電極を用いて構成された弾性境界波装置における電極膜厚とストンリー波の周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図117】 図117は実施例3において電極の密度を種々異ならせて弾性境界波装置を作製した場合の電極の密度と、ストンリー波の伝播損失が0となる電極膜厚との関係を示す図である。
【図118】 図118は実施例4においてオイラー角(φ,30°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のφと、音速との関係を示す図である。
【図119】 図119は実施例4においてオイラー角(φ,30°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のφと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図120】 図120は実施例4においてオイラー角(φ,30°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のφと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図121】 図121は実施例4においてオイラー角(φ,30°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のφと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図122】 図122は実施例4においてオイラー角(φ,30°,0°)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のφと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【図123】 図123は実施例4においてオイラー角(0°,30°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のψと、音速との関係を示す図である。
【図124】 図124は実施例4においてオイラー角(0°,30°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のψと、周波数温度係数TCFとの関係を示す図である。
【図125】 図125は実施例4においてオイラー角(0°,30°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のψと、電気機械結合係数k 2 との関係を示す図である。
【図126】 図126は実施例4においてオイラー角(0°,30°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のψと、パワーフロー角PFAとの関係を示す図である。
【図127】 図127は実施例4においてオイラー角(0°,30°,ψ)のLiNbO 3 基板上にAu電極及びSiO 2 膜を形成してなる弾性境界波装置におけるオイラー角のψと、伝搬損失αとの関係を示す図である。
【符号の説明】
1…弾性境界波装置
2…圧電体
3…誘電体
4…電極としてのIDT
5,6…電極としての反射器
Claims (9)
- 圧電体と、前記圧電体の一面に積層された誘電体と、前記圧電体と誘電体との間の境界に配置された電極とを備え、該境界を伝搬するストンリー波を利用した弾性境界波装置において、
前記誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び前記圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもストンリー波の音速を低くするように、前記電極の厚みが決定されていることを特徴とする、弾性境界波装置。 - 圧電体と、前記圧電体の一面に積層された誘電体と、前記圧電体と誘電体との間の境界に配置された電極とを備え、該境界を伝搬するストンリー波を利用した弾性境界波装置において、
前記誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び前記圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもストンリー波の音速を低くするように、前記電極を構成するストリップのデューティ比が決定されていることを特徴とする、弾性境界波装置。 - 前記誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び前記圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもストンリー波の音速を低くするように、前記電極の厚みが決定されている、請求項2または3に記載の弾性境界波装置。
- 前記誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び前記圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもストンリー波の音速を低くするように、前記電極を構成するストリップのデューティ比が決定されている、請求項3に記載の弾性境界波装置。
- LiNbO3を主成分とする圧電体と、前記圧電体の一面に積層されており、誘電体と、前記圧電体と誘電体との間の境界に配置された電極とを備え、ストンリー波を利用した弾性境界波装置であって、
前記電極の密度をρ(kg/m3)、電極の膜厚をH(λ)、ストンリー波の波長をλとしたときに、H>1/{1/(3×107×ρ−2.22+0.017)−0.4}とされていることを特徴とする、弾性境界波装置。 - 前記電極の密度ρが、ρ≧4711kg/m3である、請求項6に記載の弾性境界波装置。
- LiNbO3を主成分とする圧電体と、前記圧電体の一面に積層されており、誘電体と、前記圧電体と誘電体との間の境界に配置された電極とを備え、ストンリー波を利用した弾性境界波装置であって、
前記電極の密度をρ(kg/m3)、電極の膜厚をH(λ)、ストンリー波の波長をλとしたときに、H>0.03λかつρ>2699kg/m3とされていることを特徴とする、弾性境界波装置。 - 前記電極が、Ag、Au、Cu、Fe、Mo、Ni、Ta、W、Ti及びPtから選択された少なくとも1種からなる電極層を主体とすることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性境界波装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004005976 | 2004-01-13 | ||
JP2004005976 | 2004-01-13 | ||
PCT/JP2004/019551 WO2005069485A1 (ja) | 2004-01-13 | 2004-12-27 | 弾性境界波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005069485A1 true JPWO2005069485A1 (ja) | 2007-07-26 |
JP4483785B2 JP4483785B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=34792122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005516987A Active JP4483785B2 (ja) | 2004-01-13 | 2004-12-27 | 弾性境界波装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7355319B2 (ja) |
JP (1) | JP4483785B2 (ja) |
CN (2) | CN101964642A (ja) |
WO (1) | WO2005069485A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4483785B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-06-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
WO2005099091A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波フィルタ |
JP2006279609A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性境界波素子、共振子およびラダー型フィルタ |
JP4001157B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-10-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JP4748166B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-08-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ |
TWI325687B (en) * | 2006-02-23 | 2010-06-01 | Murata Manufacturing Co | Boundary acoustic wave device and method for producing the same |
JP4636178B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2011-02-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP4760908B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2011-08-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
DE112007002083B4 (de) * | 2006-09-21 | 2018-05-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Grenzflächenschallwellenvorrichtung |
JP5112323B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
JP4894861B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-03-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
WO2008093532A1 (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
WO2009054121A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Panasonic Corporation | 弾性境界波装置 |
CN101911483A (zh) * | 2008-01-17 | 2010-12-08 | 株式会社村田制作所 | 声表面波装置 |
JPWO2009098840A1 (ja) * | 2008-02-05 | 2011-05-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
WO2009133655A1 (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JP2010011440A (ja) | 2008-05-30 | 2010-01-14 | Hitachi Ltd | 弾性波装置及びそれを用いた高周波フィルタ |
WO2010079575A1 (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
US8002078B2 (en) * | 2009-02-19 | 2011-08-23 | Bose Corporation | Acoustic waveguide vibration damping |
US8294330B1 (en) | 2009-03-31 | 2012-10-23 | Triquint Semiconductor, Inc. | High coupling, low loss saw filter and associated method |
US8085117B1 (en) | 2009-07-29 | 2011-12-27 | Triquint Semiconductor, Inc. | Slotted boundary acoustic wave device |
JP2011041127A (ja) | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性波装置 |
US8552819B2 (en) | 2011-10-26 | 2013-10-08 | Triquint Semiconductor, Inc. | High coupling, low loss saw filter and associated method |
US9236849B2 (en) | 2012-04-19 | 2016-01-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | High coupling, low loss PBAW device and associated method |
JP5751278B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2015-07-22 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波共振子 |
EP3068049B1 (en) * | 2015-03-12 | 2018-06-13 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Accoustic wave elements, antenna duplexers and electronic devices |
US10291203B2 (en) * | 2016-07-12 | 2019-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric MEMS resonator with a high quality factor |
US11835414B2 (en) * | 2018-12-05 | 2023-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Passive pressure sensor with a piezoelectric diaphragm and a non-piezoelectric substrate |
WO2020130128A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247889B2 (ja) * | 1982-01-23 | 1990-10-23 | Yasutaka Shimizu | Sutonriihasoshi |
JP3281510B2 (ja) * | 1995-05-17 | 2002-05-13 | 康敬 清水 | 弾性表面波素子 |
US5637875A (en) * | 1995-07-07 | 1997-06-10 | Battelle Memorial Institute | Method of enhancing radiation response of radiation detection materials |
JPH09107264A (ja) | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | チャネル波局部閉じ込め型圧電振動子およびフィルタ |
CN1150675C (zh) * | 1996-03-08 | 2004-05-19 | 三洋电机株式会社 | 声表面波元件和采用它的电话手机 |
JPH10233647A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-02 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波フィルタ装置及びこれに用いる変換器 |
JPH10247835A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | ラブ波型弾性表面波デバイス |
DE69836719T2 (de) * | 1997-05-08 | 2007-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Elastische oberflächenwellenvorrichtung und verfahren zu deren herstellung |
WO1998052279A1 (fr) * | 1997-05-12 | 1998-11-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a onde elastique |
JPH11136083A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
US6867535B1 (en) * | 1999-11-05 | 2005-03-15 | Sensant Corporation | Method of and apparatus for wafer-scale packaging of surface microfabricated transducers |
JP2003114592A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Kyocera Mita Corp | 画像形成装置の操作システム |
US6833774B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-12-21 | Sawtek, Inc. | Surface acoustic wave filter |
JP4127170B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2008-07-30 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
WO2004095699A1 (ja) | 2003-04-18 | 2004-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
US7339304B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
JP4483785B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-06-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JPWO2005086345A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2008-01-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
WO2005099091A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波フィルタ |
JP4001157B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-10-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
CN100527613C (zh) * | 2006-02-28 | 2009-08-12 | 富士通媒体部品株式会社 | 弹性边界波器件、谐振器以及滤波器 |
-
2004
- 2004-12-27 JP JP2005516987A patent/JP4483785B2/ja active Active
- 2004-12-27 CN CN2010105271054A patent/CN101964642A/zh active Pending
- 2004-12-27 WO PCT/JP2004/019551 patent/WO2005069485A1/ja active Application Filing
- 2004-12-27 US US10/597,115 patent/US7355319B2/en active Active
- 2004-12-27 CN CN2004800403011A patent/CN1902817B/zh active Active
-
2008
- 2008-02-12 US US12/029,580 patent/US7489065B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7489065B2 (en) | 2009-02-10 |
CN1902817A (zh) | 2007-01-24 |
US7355319B2 (en) | 2008-04-08 |
CN1902817B (zh) | 2010-12-15 |
WO2005069485A1 (ja) | 2005-07-28 |
JP4483785B2 (ja) | 2010-06-16 |
US20080211344A1 (en) | 2008-09-04 |
CN101964642A (zh) | 2011-02-02 |
US20070007852A1 (en) | 2007-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4483785B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4356613B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4419961B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4715922B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
EP2012428B1 (en) | Elastic surface wave device | |
JPWO2005086345A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JPWO2005099091A1 (ja) | 弾性境界波フィルタ | |
WO2006114930A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4760911B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP2008235950A (ja) | 弾性境界波装置 | |
JPWO2006123585A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4182157B2 (ja) | 表面波装置 | |
JP5218566B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4001157B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4127170B2 (ja) | 表面波装置 | |
JP2012169760A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP4003434B2 (ja) | 表面波装置 | |
JPWO2008093532A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP2008187512A (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP2008187513A (ja) | 弾性境界波装置 | |
JPWO2008093484A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP2007143180A (ja) | 表面波装置 | |
JPWO2008093509A1 (ja) | 弾性境界波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090729 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100108 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100302 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4483785 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402 Year of fee payment: 4 |