WO2018079574A1 - 弾性波素子 - Google Patents

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WO2018079574A1
WO2018079574A1 PCT/JP2017/038429 JP2017038429W WO2018079574A1 WO 2018079574 A1 WO2018079574 A1 WO 2018079574A1 JP 2017038429 W JP2017038429 W JP 2017038429W WO 2018079574 A1 WO2018079574 A1 WO 2018079574A1
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electrode
electrode finger
bus bar
finger
thickness
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PCT/JP2017/038429
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English (en)
French (fr)
Inventor
正哉 河口
哲也 岸野
Original Assignee
京セラ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave element using surface acoustic waves (SAW: Surface Acoustic Wave).
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • an acoustic wave element one having an IDT (InterDigital Transducer) electrode provided on the main surface of a piezoelectric substrate is known (for example, Patent Document 1).
  • IDT InterDigital Transducer
  • Such an acoustic wave element is used for, for example, a transmission filter and a reception filter of a duplexer.
  • the IDT electrode includes, for example, a pair of opposing bus bars, a plurality of electrode fingers alternately extending from each bus bar to the other bus bar, and a dummy electrode extending from the other bus bar in the extending direction of the electrode fingers. And.
  • the present disclosure has been devised in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an acoustic wave element with low loss.
  • the acoustic wave device as one aspect of the present disclosure includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode disposed on the upper surface of the piezoelectric substrate.
  • the IDT electrode includes a first bus bar and a second bus bar, a first electrode finger and a second electrode finger, a first dummy electrode, and a second dummy electrode.
  • the first bus bar and the second bus bar are connected to different potentials and are spaced from each other.
  • the first electrode finger is connected to the first bus bar and extends toward the second bus bar.
  • the second electrode finger is connected to the second bus bar and extends toward the first bus bar.
  • the first electrode fingers and the second electrode fingers are alternately arranged so as to be adjacent along the elastic wave propagation direction.
  • the first dummy electrode is connected to the first bus bar and faces the second electrode finger via a second gap.
  • the second dummy electrode is connected to the second bus bar and faces the first electrode finger via a first gap.
  • a central region extending along the elastic wave propagation direction is assumed.
  • the central region does not include the tip portion of the first electrode finger and the second electrode finger, but includes a portion where the first electrode finger and the second electrode finger intersect.
  • the first electrode finger, the second electrode finger, and the second dummy electrode are thicker and narrower on the second bus bar side than the central region, compared to the first electrode finger and the second electrode finger in the central region. It has become.
  • the acoustic wave device having the above configuration and the acoustic wave device using the same reduce the bulk wave leaking from between the tip of the electrode finger and the dummy electrode by making the vibration distribution in the vicinity of the tip of the electrode finger different. As a result, the loss is reduced.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. It is a principal part enlarged view of an IDT electrode. It is a diagram which shows the frequency characteristic of an Example and a comparative example. It is a principal part enlarged view of a comparative example.
  • FIG. 6A, FIG. 6B, and FIG. 6C are diagrams showing the frequency characteristics of the example and the comparative example. It is a principal part expanded sectional view of the elastic wave element of a modification.
  • a SAW device an acoustic wave device (hereinafter referred to as a SAW device) according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
  • SAW device acoustic wave device
  • FIG. 1 is a plan view showing a basic configuration of a SAW element 1 according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an essential part taken along line II-II in FIG.
  • the SAW element 1 uses SAW as an elastic wave and has a piezoelectric substrate 2 and an excitation electrode 3 (hereinafter referred to as an IDT electrode 3) provided on the upper surface 2A of the piezoelectric substrate 2 as shown in FIG. ing.
  • the IDT electrode 3 has two bus bars 31 facing each other, a plurality of electrode fingers 32 extending from each bus bar 31 toward the other bus bar 31, and a dummy electrode 33 facing each electrode finger 32. A portion of each electrode finger 32 that faces the dummy electrode 33 is a tip portion 34.
  • the end region A1 between the tip portion 34 of one electrode finger 32 and the other bus bar 31 and between the tip portion 34 of the other electrode finger 32 and one bus bar 31. , A2 (see FIG. 3 to be described later), the SAW element 1 with less loss can be provided by adopting the shapes of the electrode fingers 32 and the dummy electrodes 33 to be described later.
  • each configuration will be described in detail.
  • the piezoelectric substrate 2 is composed of a single crystal substrate having piezoelectricity made of lithium niobate (LiNbO 3 ) crystal, lithium tantalate (LT: LiTaO 3 ) crystal, or crystal (SiO 2 ).
  • the cut angle may be appropriate. For example, in the case of LT, 42 ° ⁇ 10 ° YX cut, 0 ° ⁇ 10 ° YX cut, and the like. In the case of lithium niobate, it is 128 ° ⁇ 10 ° YX cut or 64 ° ⁇ 10 ° YX cut.
  • the piezoelectric substrate 2 is YX cut of 38 ° to 48 ° mainly made of LT.
  • simulation results and the like described later are those of YX cut of 38 ° to 48 ° made of LT.
  • the planar shape and various dimensions of the piezoelectric substrate 2 may be set as appropriate.
  • the thickness (z direction) of the piezoelectric substrate 2 is constant over the entire plane direction, and can be exemplified by 0.2 mm or more and 0.5 mm or less.
  • An IDT electrode 3 is disposed on the upper surface 2A of the piezoelectric substrate 2. As shown in FIG. 1, the IDT electrode 3 includes a first comb electrode 30a and a second comb electrode 30b. In the following description, the first comb-teeth electrode 30a and the second comb-teeth electrode 30b are simply referred to as the comb-teeth electrode 30 and may not be distinguished from each other.
  • the comb electrode 30 includes two bus bars 31 (first bus bar 31a and second bus bar 31b) facing each other, and a plurality of electrode fingers 32 extending from each bus bar 31 to the other bus bar 31 side. And have.
  • the pair of comb-shaped electrodes 30 are arranged so that the first electrode fingers 32a and the second electrode fingers 32b mesh with each other in the elastic wave propagation direction.
  • the first electrode finger 32a is electrically connected to the first bus bar 31a
  • the second electrode finger 32b is electrically connected to the second bus bar 31b.
  • first bus bar 31a and the second bus bar 31b are connected to different potentials.
  • the comb electrode 30 has a dummy electrode 33 opposed to each electrode finger 32.
  • the first dummy electrode 33a extends from the first bus bar 31a toward the second electrode finger 32b.
  • the second dummy electrode 33b extends from the second bus bar 31b toward the first electrode finger 32a.
  • a gap between the second dummy electrode 33b and the first electrode finger 32a is defined as a first gap Gp1.
  • a gap between the first dummy electrode 33a and the second electrode finger 32b is defined as a second gap Gp2.
  • the bus bar 31 is formed in a long shape extending in a straight line with a substantially constant width, for example. Accordingly, the edges of the bus bars 31 facing each other are linear.
  • the plurality of electrode fingers 32 are formed in an elongated shape extending in a straight line with a substantially constant width, and are arranged at substantially constant intervals in the propagation direction of the elastic wave.
  • the width of the bus bar 31 may not be constant.
  • the edges on the opposite sides (inner side) of the bus bar 31 need only be linear, and for example, the inner edge may have a trapezoidal base.
  • first bus bar 31a and the second bus bar 31b are simply referred to as the bus bar 31, and the first and second may not be distinguished.
  • first electrode finger 32a and the second electrode finger 32b are simply referred to as the electrode finger 32
  • first dummy electrode 33a and the second dummy electrode 33b are simply referred to as the dummy electrode 33
  • the plurality of electrode fingers 32 of the pair of comb electrodes 30 constituting the IDT electrode 3 are arranged so as to be repeatedly arranged in the x direction of the drawing. More specifically, as shown in FIG. 2, the first electrode fingers 32a and the second electrode fingers 32b are alternately and repeatedly arranged on the upper surface 2A of the piezoelectric substrate 2 with an interval.
  • the plurality of electrode fingers 32 of the pair of comb electrodes 30 constituting the IDT electrode 3 are set to have the pitch Pt1.
  • the pitch Pt1 is an interval (repetition interval) between the centers of the plurality of electrode fingers 32, and is provided, for example, to be equal to a half wavelength of the wavelength ⁇ of the elastic wave at a frequency to be resonated.
  • the wavelength ⁇ (2 ⁇ Pt1) is, for example, not less than 1.5 ⁇ m and not more than 6 ⁇ m.
  • the IDT electrode 3 can generate elastic waves efficiently because most of the plurality of electrode fingers 32 are arranged at a pitch Pt1 so that the plurality of electrode fingers 32 are arranged at a constant repetition interval. .
  • the pitch Pt1 indicates a distance from the center of the first electrode finger 32a to the center of the second electrode finger 32b adjacent to the first electrode finger 32a in the propagation direction of the elastic wave. It is.
  • the width w1 in the propagation direction of the elastic wave is appropriately set according to the electrical characteristics required for the SAW element 1.
  • the width w1 of the electrode finger 32 is, for example, not less than 0.3 times and not more than 0.7 times the pitch Pt1.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view in the central region Ac (described later) of the intersecting region of the electrode fingers 32.
  • the central region Ac refers to a region where the electrode fingers 32 intersect with each other except for the tip portion 34 of the electrode finger 32, and occupies most of the intersecting portion.
  • the central region Ac is a region extending along the repeated arrangement direction of the electrode fingers 32 (elastic wave propagation direction) with a width that occupies most of the intersecting portion.
  • the central area Ac is an area obtained by excluding the area overlapping the tip portion 34 of the electrode finger 32 from the intersecting area of the electrode fingers.
  • the center region Ac may have a width of 85% or more of the crossing width in a direction orthogonal to the propagation direction of the elastic wave.
  • the electrode thickness in the central region Ac of each electrode finger 32 is referred to as s, and the portion of each electrode finger 32 located in the central region Ac is referred to as the central portion 35.
  • An elastic wave propagating in a direction orthogonal to the plurality of electrode fingers 32 is generated. Accordingly, in consideration of the crystal orientation of the piezoelectric substrate 2, the two bus bars 31 are arranged so as to face each other with a gap in the direction intersecting the direction in which the elastic wave is desired to propagate.
  • the plurality of electrode fingers 32 are formed to extend in a direction orthogonal to the direction in which the elastic wave is desired to propagate.
  • the propagation direction of an elastic wave is specified by the direction of the several electrode finger 32, etc., in this embodiment, the direction of the several electrode finger 32 is demonstrated on the basis of the propagation direction of an elastic wave for convenience. Sometimes.
  • the length of the plurality of electrode fingers 32 (the length from the bus bar 31 to the tip of the electrode finger 32) is set to be approximately the same, for example.
  • the length of each electrode finger 32 may be changed, for example, it may be lengthened or shortened as it proceeds in the propagation direction.
  • the apodized IDT electrode 3 may be configured by changing the length of each electrode finger 32 with respect to the propagation direction. In this case, it is possible to reduce the spurious in the transverse mode and improve the power durability.
  • the IDT electrode 3 is composed of a conductive layer 15 made of metal, for example.
  • the metal include Al or an alloy containing Al as a main component (Al alloy).
  • the Al alloy is, for example, an Al—Cu alloy.
  • the IDT electrode 3 may have a plurality of metal layers laminated. Various dimensions of the IDT electrode 3 are appropriately set according to electrical characteristics required for the SAW element 1.
  • the thickness s (z direction) is, for example, not less than 50 nm and not more than 600 nm.
  • the IDT electrode 3 may be disposed directly on the upper surface 2A of the piezoelectric substrate 2 or may be disposed on the upper surface 2A of the piezoelectric substrate 2 via another member.
  • Another member is made of, for example, Ti, Cr, or an alloy thereof.
  • the thickness of the other member has a thickness that hardly affects the electrical characteristics of the IDT electrode 3 (for example, in the case of Ti) The thickness is set to about 5% of the thickness of the IDT electrode 3).
  • the IDT electrode 3 excites an elastic wave propagating in the x direction in the vicinity of the upper surface 2A of the piezoelectric substrate 2 when a voltage is applied.
  • the excited elastic wave is reflected at the boundary with the non-arranged region of the electrode fingers 32 (the long region between the adjacent electrode fingers 32).
  • the standing wave which makes the pitch Pt1 of the electrode finger 32 a half wavelength is formed.
  • the standing wave is converted into an electric signal having the same frequency as that of the standing wave, and is taken out by the electrode finger 32.
  • the SAW element 1 functions as a 1-port resonator.
  • the reflector 4 is disposed so as to sandwich the IDT electrode 3 in the propagation direction of the elastic wave.
  • the reflector 4 is generally formed in a lattice shape. That is, the reflector 4 includes reflector bus bars 41 facing each other in a direction intersecting the propagation direction of the elastic wave, and a plurality of reflective electrode fingers 42 extending between the bus bars 41 in a direction orthogonal to the propagation direction of the elastic wave.
  • the reflector bus bar 41 is formed, for example, in an elongated shape extending in a straight line with a substantially constant width, and is disposed in parallel with the propagation direction of the elastic wave.
  • the plurality of reflective electrode fingers 42 are basically arranged at a pitch that reflects the elastic wave excited by the IDT electrode 3.
  • the pitch of the reflective electrode fingers 42 is the interval (repetitive interval) between the centers of the plurality of reflective electrode fingers 42.
  • the plurality of reflective electrode fingers 42 are formed in a long shape extending in a straight line with a substantially constant width.
  • the width of the reflective electrode finger 42 can be set substantially equal to the width w1 of the electrode finger 32, for example.
  • the reflector 4 is made of the same material as the IDT electrode 3 and has a thickness equivalent to that of the IDT electrode 3.
  • the protective layer 5 is provided on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the IDT electrode 3 and the reflector 4. Specifically, the protective layer 5 covers the surfaces of the IDT electrode 3 and the reflector 4, and covers the portion of the upper surface 2 ⁇ / b> A of the piezoelectric substrate 2 that is exposed from the IDT electrode 3 and the reflector 4.
  • the thickness of the protective layer 5 is 1 nm or more and 50 nm or less, for example.
  • a SiOx film or a SiNx film can be used.
  • end region A1 refers to the region closer to the first bus bar 31a than the central region Ac
  • end region A2 refers to the region closer to the second bus bar 31b than the central region Ac.
  • FIG. 3 shows an enlarged plan view of the main part of the IDT electrode 3.
  • the IDT electrode 3 is thicker and thinner in the end regions A1 and A2 than in the central region Ac.
  • the first electrode finger 32a, the first dummy electrode 33a, and the second electrode finger 32b are thicker and narrower than the electrode finger 32 in the central region Ac.
  • the first electrode finger 32a, the second electrode finger 32b, and the second dummy electrode 33b are thicker and narrower than the electrode finger 32 in the central region Ac.
  • the thickness of the bus bar 31 is also thicker than the thickness of the electrode finger 32 in the central region Ac.
  • the thickened portion is hatched.
  • the SAW element 1 can reduce the occurrence of loss.
  • Example 1 models the SAW element 1 including the IDT electrode 3 shown in FIG.
  • Comparative Example 1 a SAW element including an IDT electrode having a uniform film thickness and electrode width in the end regions A1 and A2 and the central region Ac was modeled.
  • Comparative Example 2 a SAW element including an IDT electrode in which all of the electrode fingers 32 and the dummy electrodes 33 located at the end regions A1 and A2 are thickened is modeled. That is, Comparative Example 2 differs from Example 1 in that the electrode widths of the end regions A1 and A2 are not changed.
  • the basic configuration of the SAW element of Comparative Example (reference model) 1 is as follows.
  • the gap length (the length of Gp in the y direction, that is, the distance between the tip of the electrode finger and the tip of the dummy electrode) is slightly longer than that of a general SAW element.
  • the electrode film thickness is increased by 15% with respect to the thickness of the central region Ac (139 nm thickness), and the electrode width is set to 0.308 ⁇ m (Duty 0.4). ),
  • the simulation was performed with the length occupied by the tip 34 of the electrode finger 32 being 3.25% (1 ⁇ m).
  • the electrode thickness in end region A1, A2 of the comparative example 2 was also 139 nm. The result of the simulation performed on such a model is shown in FIG.
  • the horizontal axis represents the normalized frequency (dimensionless amount)
  • the vertical axis represents the real part of impedance (unit: Ohm)
  • the right axis represents the impedance phase (deg). It shows that the larger the real part of the impedance, the larger the loss, and the greater the phase of the impedance is from + 90 ° and ⁇ 90 °, the greater the loss.
  • the solid line represents the impedance characteristic
  • the broken line represents the phase characteristic.
  • the normalized frequency is obtained by multiplying the frequency by the pitch of the electrode fingers and dividing the frequency by an appropriate speed (here, SSBW: Surface Skimming Bulk sound speed).
  • the SAW element 1 of Example 1 can reduce the loss near the resonance frequency.
  • the electrode is thick, so that the tip portion 34 is inclined downward toward the lower surface 2B side of the piezoelectric substrate 2. It was found that leaking bulk waves increased. In other words, in the frequency band lower than the resonance frequency, it was found that increasing the thickness of the electrode increases the bulk wave leaking from the tip 34 toward the dummy electrode 33 side beyond the gap Gp. . Therefore, when viewed along the SAW propagation direction, in the region overlapping the tip 34 that is the starting point of leakage, the leakage of bulk waves on the frequency side lower than the resonance frequency is reduced by narrowing the electrode width. I confirmed that I can do it. That is, it was confirmed that the loss can be reduced on both the high frequency side and the low frequency side of the resonance frequency by adopting the configuration of Example 1.
  • the IDT electrode 3 of the present disclosure is preferably configured when the gap length is 0.2 times or more the electrode finger pitch.
  • the central portion 35 of the electrode finger 32 is a portion that determines the characteristics of the SAW to be excited, and occupies most of the electrode finger 32. For this reason, the length extending in the y direction with respect to the distal end portion 34 of the electrode finger 32 is shorter than that of the central portion 35, for example, 5% or less of the length of the electrode finger 32.
  • the thickness of the portion where the electrode thickness is increased may be thicker than the normal thickness, but specifically, it may be set in the range of 1.05 to 1.5 times the normal thickness. If the thickness is smaller than 1.05 times, the loss increases on the high frequency side of the resonance frequency. On the other hand, if the thickness exceeds 1.6 times, the loss tends to increase on the lower frequency side than the resonance frequency.
  • the electrode thickness in the end regions A1 and A2 may be 1.05 to 1.5 times the thickness s of the electrode finger 32 in the central region Ac.
  • the width of the portion where the electrode width is narrowed may be narrower than the width of the central portion 35, but may be 0.6 to 0.95 times the width of the central portion, for example. By setting it to 0.6 times or more, occurrence of disconnection or the like can be reduced. By setting it to 0.95 times or less, the effect of reducing bulk wave leakage on the lower frequency side than the resonance frequency can be enhanced. More specifically, it may be about 0.8 times the width of the central portion.
  • the sectional area of the electrodes (electrode finger 32 and dummy electrode 33) in the end regions A1 and A2 along the elastic wave propagation direction is equal to or smaller than the sectional area of the electrode finger 32 in the central region Ac. It becomes the area.
  • the electrode width on the base side (side connected to the bus bar 31) of the electrode finger 32 located in the end regions A1 and A2 is narrowed.
  • the line width of the portion excluding the tip end portion 34 of the electrode fingers 32 located in the end region A1, A2 is narrowed.
  • the thick portion is hatched.
  • FIG. 6A the horizontal axis represents the normalized frequency, and the vertical axis represents the real part of the impedance.
  • FIG. 6B the horizontal axis represents the normalized frequency, and the horizontal axis represents the phase.
  • FIG. 6C is an enlarged view of the main part of FIG. As is clear from FIG. 6, it can be confirmed that the electrode widths of all the electrode fingers 32 located in the end regions A1 and A2 and the dummy electrode 33 need to be narrowed.
  • a support substrate may be bonded to the lower surface of the piezoelectric substrate.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional view of a modified example of the SAW element 1.
  • the support substrate 7 is bonded to the lower surface 2 ⁇ / b> B of the piezoelectric substrate 2. That is, in this example, the element substrate is constituted by a bonded substrate of the piezoelectric substrate 2 and the support substrate 7.
  • the thickness of the piezoelectric substrate 2 may be set to 0.5 ⁇ m to 30 ⁇ m, for example.
  • the support substrate 7 is formed of, for example, a material having a smaller thermal expansion coefficient than the material of the piezoelectric substrate 2. Thereby, the temperature change of the electrical characteristics of the SAW element 1 can be compensated.
  • a material include a semiconductor such as silicon, a single crystal such as sapphire, and a ceramic such as an aluminum oxide sintered body.
  • the support substrate 7 may be configured by laminating a plurality of layers made of different materials.
  • the thickness of the support substrate 7 is, for example, constant over the entire planar direction of the support substrate 7, and the size thereof may be appropriately set according to specifications required for the SAW element 1. However, the thickness of the support substrate 7 is made larger than the thickness of the piezoelectric substrate 2 so that temperature compensation can be suitably performed and the strength of the piezoelectric substrate 2 can be reinforced. As an example, the thickness of the support substrate 7 is 100 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less. For example, the planar shape and various dimensions of the support substrate 7 are the same as those of the piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 and the support substrate 7 are bonded to each other through an adhesive layer (not shown), for example.
  • the material of the adhesive layer may be an organic material or an inorganic material.
  • the organic material include a resin such as a thermosetting resin.
  • the inorganic material include SiO 2 .
  • the piezoelectric substrate 2 and the support substrate 7 may be bonded together by so-called direct bonding, in which the bonding surface is bonded without a bonding layer after being activated by plasma or the like.
  • the electrode structure shown in FIG. 3 can reduce spurious near the resonance frequency in addition to the loss.

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Abstract

互いに異なる電位に接続され、互いに間隔を開けて配置された第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂを備えるＩＤＴ電極３において、電極指３２の先端部３４を含まず、第電極指３２が互いに交差する部分を含む中央領域Ａｃを仮定したときに、第１電極指３２ａ、第２電極指３２ｂ、および第２ダミー電極３３ｂは、中央領域Ａｃよりも第２バスバー３１ｂ側において、中央領域Ａｃの電極指３２に比べ、厚みが厚く、太さが細い、弾性波素子１である。

Description

弾性波素子
　本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を用いた弾性波素子に関する。
　弾性波素子として、圧電基板の主面上に設けられたＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極を有するものが知られている（例えば、特許文献１）。このような弾性波素子は、例えば、分波器の送信フィルタ、受信フィルタなどに利用されている。
　ＩＤＴ電極は、例えば、対向する一対のバスバーと、それぞれのバスバーから他方のバスバー側へ交互に延出された複数の電極指と、この電極指の延伸方向に他方のバスバーから延出したダミー電極と、を備えている。
　国際公開番号２００６／１０９５９１号によれば、電極指の先端とダミー電極とのギャップ近傍における電極指幅を広げることで共振特性を向上させる例が開示されている。
　このようなＩＤＴ電極を用いる弾性波素子において、さらなる共振特性の向上が求められている。具体的には、共振特性の中でも、損失の少ない弾性波素子の提供が求められている。
　本開示は、かかる事情に鑑みて案出されたものであり、その目的は、損失の少ない弾性波素子を提供することにある。
　本開示の一態様としての弾性波素子は、圧電基板と、前記圧電基板の上面に配置されたＩＤＴ電極と、を備える。そして、前記ＩＤＴ電極は、第１バスバーおよび第２バスバーと、第１電極指および第２電極指と、第１ダミー電極と第２ダミー電極とを備える。第１バスバーおよび第２バスバーは、互いに異なる電位に接続され、互いに間隔を開けて配置されている。第１電極指は、前記第１バスバーに接続され前記第２バスバー側に延びる。第２電極指は、前記第２バスバーに接続され前記第１バスバー側に延びる。そして第１電極指と第２電極指とは、弾性波伝搬方向に沿って隣り合うように交互に配置されている。第１ダミー電極は、前記第１バスバーに接続され前記第２電極指と第２ギャップを介して対向する。第２ダミー電極は、前記第２バスバーに接続され、前記第１電極指と第１ギャップを介して対向する。ここで、弾性波伝搬方向に沿って延びる中央領域を仮定する。中央領域は、前記第１電極指と前記第２電極指との先端部を含まず、前記第１電極指と前記第２電極指とが交差する部分を含む。そして、第１電極指、第２電極指、第２ダミー電極は、中央領域よりも第２バスバー側において、中央領域における第１電極指および第２電極指に比べ、厚みが厚く、幅が狭くなっている。
　上記の構成からなる弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置は、電極指の先端近傍における振動分布を異ならせることで、電極指の先端とダミー電極との間から漏洩するバルク波を低減することで、損失の少ないものとなる。
本開示の実施形態に係る弾性波素子の平面図である。 図１のII－II線における断面図である。 ＩＤＴ電極の要部拡大図である。 実施例および比較例の周波数特性を示す線図である。 比較例の要部拡大図である。 図６（ａ），図６（ｂ），図６（ｃ）は、実施例および比較例の周波数特性を示す線図である。 変形例の弾性波素子の要部拡大断面図である。
　以下、本開示の実施形態に係る弾性波素子（以下、ＳＡＷ素子という）について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
　また、変形例等において、既に説明された実施形態と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。
　＜実施形態＞
　（ＳＡＷ素子の構成）
　（基本構成）
　図１は、本開示の実施形態に係るＳＡＷ素子１の基本構成を示す平面図である。図２は、図１のII－II線における要部断面図である。ＳＡＷ素子１は、弾性波としてＳＡＷを利用し、図１に示すように、圧電基板２、圧電基板２の上面２Ａに設けられた励振電極３（以下、ＩＤＴ電極３と記載する）を有している。ＩＤＴ電極３は、互いに対向する２本のバスバー３１と、各バスバー３１から他のバスバー３１側へ延びる複数の電極指３２と、それぞれの電極指３２に対向するダミー電極３３を有している。各電極指３２のうちダミー電極３３と対向する部分を先端部３４とする。
　ここで、本実施形態では、一方の電極指３２の先端部３４から他方のバスバー３１までの間と、他方の電極指３２の先端部３４から一方のバスバー３１までの間との端部領域Ａ１，Ａ２（後述の図３参照）における電極指３２，ダミー電極３３の形状を後述の構成とすることにより、損失の少ないＳＡＷ素子１を提供することができる。以下、各構成について詳述する。
　圧電基板２は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）結晶またはタンタル酸リチウム（ＬＴ：ＬｉＴａＯ３）結晶または水晶（ＳｉＯ２）からなる圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。カット角は適宜なものとされてよい。例えば、ＬＴであれば、４２°±１０°Ｙ－Ｘカット，０°±１０°Ｙ－Ｘカットなどである。ニオブ酸リチウムであれば、１２８°±１０°Ｙ－Ｘカットまたは６４°±１０°Ｙ－Ｘカットなどである。
　なお、以下では、主として圧電基板２がＬＴからなる３８°以上４８°以下Ｙ－Ｘカットである態様を例にとって説明するものとする。特に断りがない限り、後述するシミュレーション結果等は、ＬＴからなる３８°以上４８°以下Ｙ－Ｘカットのものである。
　圧電基板２の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板２の厚み（ｚ方向）は、平面方向全体に亘って一定であり、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下を例示できる。
　圧電基板２の上面２ＡにはＩＤＴ電極３が配置されている。ＩＤＴ電極３は、図１に示すように、第１櫛歯電極３０ａおよび第２櫛歯電極３０ｂを有している。なお、以下の説明では、第１櫛歯電極３０ａおよび第２櫛歯電極３０ｂを単に櫛歯電極３０といい、これらを区別しないことがある。
　櫛歯電極３０は、図１に示すように、互いに対向する２本のバスバー３１（第１バスバー３１ａ，第２バスバー３１ｂ）と、各バスバー３１から他のバスバー３１側へ延びる複数の電極指３２とを有している。そして、１対の櫛歯電極３０は、第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂとが、弾性波の伝搬方向に互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。第１電極指３２ａは第１バスバー３１ａに電気的に接続されており、第２電極指３２ｂは第２バスバー３１ｂに電気的に接続されている。
　ここで、第１バスバー３１ａと第２バスバー３１ｂとは異なる電位に接続されている。
　また、櫛歯電極３０は、それぞれの電極指３２に対向するダミー電極３３を有している。第１ダミー電極３３ａは、第１バスバー３１ａから第２電極指３２ｂに向かって延びている。第２ダミー電極３３ｂは、第２バスバー３１ｂから第１電極指３２ａに向かって延びている。ここで、第２ダミー電極３３ｂと第１電極指３２ａとの間の隙間を第１ギャップＧｐ１とする。同様に、第１ダミー電極３３ａと第２電極指３２ｂとの間の隙間を第２ギャップＧｐ２とする。
　バスバー３１は、例えば概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されている。従って、バスバー３１の互いに対向する側の縁部は直線状である。複数の電極指３２は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。
　なお、バスバー３１の幅は一定でなくてもよい。バスバー３１の互いに対向する側（内側）の縁部が直線状であればよく、例えば内側の縁部を台形の底辺とするような形状であってもよい。
　これ以降、第１バスバー３１ａおよび第２バスバー３１ｂを単にバスバー３１といい、第１と第２とを区別しないことがある。同様に、第１電極指３２ａおよび第２電極指３２ｂを単に電極指３２といい、第１ダミー電極３３ａおよび第２ダミー電極３３ｂを単にダミー電極３３といい、第１ギャップＧｐ１および第２ギャップＧｐ２を単にギャップＧｐといい、第１と第２とを区別しないことがある。
　ＩＤＴ電極３を構成する一対の櫛歯電極３０の複数の電極指３２は、図面のｘ方向に繰り返し配列されるように並んでいる。より詳しくは、図２に示すように、第１電極指３２ａおよび第２電極指３２ｂは、圧電基板２の上面２Ａに間隔をあけて交互に繰り返し配置されている。
　このように、ＩＤＴ電極３を構成する一対の櫛歯電極３０の複数の電極指３２は、ピッチＰｔ１となるように設定されている。ピッチＰｔ１は、複数の電極指３２の中心間の間隔（繰り返し間隔）であり、例えば共振させたい周波数での弾性波の波長λの半波長と同等になるように設けられている。波長λ（２×Ｐｔ１）は、例えば１．５μｍ以上６μｍ以下である。ＩＤＴ電極３は、複数の電極指３２の殆どをピッチＰｔ１となるように配置することにより、複数の電極指３２が一定の繰り返し間隔で配置されるため、弾性波を効率よく発生させることができる。
　ここでピッチＰｔ１は、図２に示すように、弾性波の伝搬方向において、第１電極指３２ａの中心から当該第１電極指３２ａに隣接する第２電極指３２ｂの中心までの間隔を指すものである。各電極指３２は、弾性波の伝搬方向における幅ｗ１が、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。電極指３２の幅ｗ１は、例えばピッチＰｔ１に対して０．３倍以上０．７倍以下である。
　図２は、電極指３２の交差領域の中央領域Ａｃ（後述）における断面図である。中央領域Ａｃは、電極指３２の先端部３４を除き電極指３２が互いに交差する領域を指すものであり、交差部分の大部分を占めるものである。言い換えると、中央領域Ａｃは、交差部分の大部分を占める幅で電極指３２の繰り返し配列方向（弾性波の伝搬方向）に沿って延びる領域である。さらに言い換えると、中央領域Ａｃは、電極指の交差領域から電極指３２の先端部３４と重なる領域を除いた領域である。
　例えば、中央領域Ａｃは、弾性波の伝搬方向と直交する方向において交差幅の８５％以上の幅を有していてもよい。ここで、各電極指３２の中央領域Ａｃにおける電極厚みをｓといい、各電極指３２のうち中央領域Ａｃに位置する部分を中央部３５とする。
　この複数の電極指３２に直交する方向に伝搬する弾性波が発生する。従って、圧電基板２の結晶方位を考慮した上で、２本のバスバー３１は、弾性波を伝搬させたい方向に交差する方向において互いに間隔を開けて対向するように配置される。複数の電極指３２は、弾性波を伝搬させたい方向に対して直交する方向に延びるように形成される。なお、弾性波の伝搬方向は複数の電極指３２の向き等によって特定されるが、本実施形態では、便宜的に、弾性波の伝搬方向を基準として複数の電極指３２の向き等を説明することがある。
　複数の電極指３２の長さ（バスバー３１から電極指３２の先端までの長さ）は、例えば概ね同じに設定される。なお、各電極指３２の長さを変えてもよく、例えば伝搬方向に進むにつれて長くしたり、短くなるようにしたりしてもよい。具体的には、各電極指３２の長さを伝搬方向に対して変化させることにより、アポダイズ型のＩＤＴ電極３を構成してもよい。この場合には、横モードのスプリアスを低減させたり、耐電力性を向上させたりすることができる。
　ＩＤＴ電極３は、図２に示すように、例えば金属からなる導電層１５によって構成されている。この金属としては、例えばＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）が挙げられる。Ａｌ合金は、例えばＡｌ－Ｃｕ合金である。なお、ＩＤＴ電極３は、複数の金属層が積層されていてもよい。ＩＤＴ電極３の各種寸法は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。厚みｓ（ｚ方向）は、例えば、５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。
　ＩＤＴ電極３は、圧電基板２の上面２Ａに直接配置されていてもよいし、別の部材を介して圧電基板２の上面２Ａに配置されていてもよい。別の部材は、例えばＴｉ、Ｃｒあるいはこれらの合金等からなる。別の部材を介してＩＤＴ電極３を圧電基板２の上面２Ａに配置する場合は、別の部材の厚みはＩＤＴ電極３の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み（例えば、Ｔｉの場合はＩＤＴ電極３の厚みの５％程度の厚み）に設定される。
　ＩＤＴ電極３は、電圧が印加されると、圧電基板２の上面２Ａ付近においてｘ方向に伝搬する弾性波を励起する。励起された弾性波は、電極指３２の非配置領域（隣接する電極指３２間の長尺状の領域）との境界において反射する。そして、電極指３２のピッチＰｔ１を半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指３２によって取り出される。このようにして、ＳＡＷ素子１は、１ポートの共振子として機能する。
　反射器４は、弾性波の伝搬方向においてＩＤＴ電極３を挟むように配置されている。反射器４は、概ね格子状に形成されている。すなわち、反射器４は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する反射器バスバー４１と、これらバスバー４１間において弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びる複数の反射電極指４２とを有している。反射器バスバー４１は、例えば概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に平行に配置されている。
　複数の反射電極指４２は、基本的には、ＩＤＴ電極３で励起される弾性波を反射させるピッチに配置されている。反射電極指４２のピッチは、複数の反射電極指４２の中心間の間隔（繰り返し間隔）であり、ＩＤＴ電極３のピッチＰｔ１を弾性波の波長λの半波長に設定した場合には、ピッチＰｔ１と同じ程度に設定すればよい。
　また、複数の反射電極指４２は、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されている。反射電極指４２の幅は、例えば電極指３２の幅ｗ１と概ね同等に設定することができる。反射器４は、例えば、ＩＤＴ電極３と同一の材料によって形成されるとともに、ＩＤＴ電極３と同等の厚みに形成されている。
　保護層５は、図２に示すように、ＩＤＴ電極３および反射器４上を覆うように、圧電基板２上に設けられている。具体的には、保護層５は、ＩＤＴ電極３および反射器４の表面を覆うとともに、圧電基板２の上面２ＡのうちＩＤＴ電極３および反射器４から露出する部分を覆っている。保護層５の厚みは、例えば１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。このような保護層５としてはＳｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜を用いることができる。
　（端部領域Ａ１，Ａ２の構成）
　ここで、端部領域Ａ１，Ａ２におけるＩＤＴ電極３の電極指３２とダミー電極３３との形状について詳述する。ここで、端部領域Ａ１は、中央領域Ａｃより第１バスバー３１ａ側の領域をさし、端部領域Ａ２は、中央領域Ａｃより第２バスバー３１ｂ側の領域をさすものとする。
　図３に、ＩＤＴ電極３の要部拡大平面図を示す。ＩＤＴ電極３は、端部領域Ａ１，Ａ２において中央領域Ａｃに比べて、厚みが厚く、かつ、幅が細くなっている。具体的には、端部領域Ａ１において、第１電極指３２ａ，第１ダミー電極３３ａおよび第２電極指３２ｂを、中央領域Ａｃにおける電極指３２に比べ、厚みを厚く、幅を狭くしている。同様に、端部領域Ａ２において、第１電極指３２ａ，第２電極指３２ｂ，および第２ダミー電極３３ｂを、中央領域Ａｃにおける電極指３２に比べ、厚みを厚く、幅を狭くしている。さらに、この例では、バスバー３１の厚みも中央領域Ａｃの電極指３２の厚みよりも厚くしている、なお、図３において、厚みの厚くなっている部分に斜線を付している。
　このような構成とすることで、ＳＡＷ素子１はロスの発生を低減することができる。
　次に本構成による効果を検証する。図４に、実施例１と比較例１，２との周波数特性をＦＥＭ法（有限要素法）によりシミュレーションした結果を示す。実施例１は、図３に示すＩＤＴ電極３を備えるＳＡＷ素子１をモデル化したものである。比較例１は、端部領域Ａ１，Ａ２と中央領域Ａｃとで膜厚および電極の幅が一様であるＩＤＴ電極を備えるＳＡＷ素子をモデル化した。比較例２は、端部領域Ａ１，Ａ２の位置にある電極指３２，ダミー電極３３の全てが厚みを厚くしているＩＤＴ電極を備えるＳＡＷ素子をモデル化した。すなわち、比較例２は端部領域Ａ１，Ａ２の電極幅を変えていない点で実施例１と異なる。
　比較例（リファレンスモデル）１のＳＡＷ素子の基本構成は下記の通りである。
　＜基本構成＞
　圧電基板材料：４２°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３
　圧電基板厚み：∞（通常ＬＴ基板を想定）
　電極指材料　：Ａｌ
　電極指厚み　：１２１ｎｍ
　電極指本数　：無限本数（周期境界条件）
　電極指ピッチ：０．７７μｍ
　電極指幅　　：０．３８５μｍ（Ｄｕｔｙ　０．５）
　交差幅　　　：３０．８μｍ
　ギャップ長　：０．３μｍ
　ダミー電極長：３．０８μｍ
　なお、上述の基本構成において、一般的なＳＡＷ素子に比べ、若干ギャップ長（Ｇｐのｙ方向における長さ，すなわち電極指先端とダミー電極先端との距離）を長くしている。
　これに対して、実施例１においては、端部領域Ａ１，Ａ２において電極膜厚を中央領域Ａｃの厚みに対して１５％厚くし（１３９ｎｍ厚）、電極幅を０．３０８μｍとし（Ｄｕｔｙ０．４）、電極指３２のうち先端部３４の占める長さを３．２５％（1μｍ）としてシミュレーションを行なった。比較例２の端部領域Ａ１，Ａ２における電極厚みも１３９ｎｍとした。このようなモデルについて行なったシミュレーションの結果を図４に示す。
　図４において、横軸は正規化周波数（無次元量）を、縦軸は左軸がインピーダンスの実数部（単位：Ｏｈｍ）を、右軸がインピーダンスの位相（ｄｅｇ）をそれぞれ示す。インピーダンスの実数部は大きくなるほどロスが大きく、インピーダンスの位相は＋９０°、－９０°から乖離していくほどロスが大きくなることを示す。図中において、実線でインピーダンスの特性を、破線で位相特性を示している。ここで、正規化周波数とは、周波数に電極指のピッチを掛け、適当な速度（ここではＳＳＢＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｓｋｉｍｍｉｎｇ　Ｂｕｌｋ　Ｗａｖｅの音速）で割ったものである。
　比較例１のモデルでは、共振周波数の高周波数側においてロスが発生していることが確認された。これは、適用する周波数が例えば２．３ＧＨｚというような高周波数の場合にギャップ長を十分に狭くとれないときに特に顕著となるが、正規化周波数でも傾向が確認されていることから、高周波数帯に限定されることなく生じうる現象と推察される。
　比較例２のモデルでは、共振周波数の高周波数側においてはロスを比較的低減していることを確認できるが、共振周波数の低周波数側ではロスが増大していることを確認できる。
　これに対して、実施例１のＳＡＷ素子１の場合には、比較例１で確認されていた共振周波数の高周波数側におけるロスの発生を低減することができることを確認した。さらに、実施例１のＳＡＷ素子１は、共振周波数よりも低周波数側のロスの発生を低減することを確認した。
　すなわち、実施例１のＳＡＷ素子１は、共振周波数近傍のロスを低減することができることを確認した。
　このメカニズムについて、圧電基板２の厚み方向へのバルク波の漏洩分布（振動分布）をシミュレーションした結果に基づき考察する。
　ＩＤＴ電極直下の振動分布をシミュレーションした結果、共振周波数よりも高周波数の周波数帯では、ＳＡＷの伝搬方向からみて先端部３４と重なる領域で電極厚を厚くすることでバルク波の漏洩を低減できることを確認した。
　その一方で、同じ構成であっても、共振周波数よりも低周波の周波数帯においては、電極が厚くなっていることで、先端部３４から圧電基板２の下面２Ｂ側に向けて斜め下方向に漏洩するバルク波が増加することが分かった。すなわち、共振周波数よりも低周波の周波数帯においては、電極の厚みを厚くすることで先端部３４からギャップＧｐを超えてダミー電極３３側方向に向けて漏洩するバルク波が増加することが分かった。そこで、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってみたときに、漏洩の起点となっている先端部３４と重なる領域においては、電極幅を細くすることで、共振周波数より低周波数側のバルク波の漏洩を低減できることを確認した。すなわち、実施例１の構成とすることで、共振周波数の高周波数側および低周波数側の両側においてロスを低減できることを確認した。
　なお、上述のメカニズムより、ギャップＧｐおよびその近傍におけるバルク波の漏洩がロスの原因となっている。例えば、ギャップ長が電極指ピッチの略０．２倍となると、先端部３４からの基板厚み方向へのバルク波の漏洩が無視できなくなり、共振周波数の高周波数側でのロスが顕著となる。このため、ギャップ長を電極指ピッチの０．２倍以上としたときに、本開示のＩＤＴ電極３の構成とするとよい。
　ここで、電極指３２において中央部３５は、励振するＳＡＷの特性を定める部分であり、電極指３２の大部分を占めるものである。このため、電極指３２の先端部３４とは、中央部３５に比べｙ方向に延びる長さは短く、例えば電極指３２の長さの５％以下とする。さらに、電極厚みを厚くする部分の厚みは、通常の厚みに比べて厚ければよいが、具体的には通常の厚みよりも１．０５倍～１．５倍の範囲で設定すればよい。１．０５倍よりも小さい厚みになると共振周波数の高周波数側においてロスが大きくなる。一方で、１．６倍を超える厚みとすると、共振周波数よりも低周波数側においてロスが大きくなる傾向がある。以上より端部領域Ａ１，Ａ２における電極厚みは、中央領域Ａｃの電極指３２の厚みｓに対して１．０５～１．５倍としてもよい。さらに、電極幅を細くする部分の幅は、中央部３５の幅に比べ細ければよいが、例えば、中央部の幅の０．６倍～０．９５倍としてもよい。０．６倍以上とすることで、断線等の発生を低減することができる。０．９５倍以下とすることで、共振周波数よりも低周波数側のバルク波漏洩を低減する効果を高めることができる。より具体的には、中央部の幅の０．８倍程度とするとよい。
　このような構成とすると、端部領域Ａ１，Ａ２における電極（電極指３２およびダミー電極３３）の弾性波の伝搬方向に沿った断面の断面積は、中央領域Ａｃにおける電極指３２の断面積以下の面積となる。
　＜電極幅変更位置による効果検証＞
　次に、上述の共振周波数低周波数側のロスを低減するために電極幅をどの部分で細くする必要があるかについて検証する。まず、厚みを厚くしたのみで電極幅を変更していない比較例２に加え、比較例３～５のモデルについてシミュレーションを行なった。図５にこれら比較例２～５のモデルを示す。比較例３は、ダミー電極３３のみについて電極幅を細くしている。比較例４は、ダミー電極３３に加え、ダミー電極３３と重なる領域に位置する電極指３２の電極幅も細くしている。比較例５は、ダミー電極３３に加え、端部領域Ａ１，Ａ２に位置する電極指３２の根本側（バスバー３１に接続される側）の電極幅を細くしている。言い換えると、端部領域Ａ１，Ａ２に位置する電極指３２のうち、先端部３４を除く部分の線幅を細くしている。図５において、図３と同様に、厚みの厚い部分に斜線を付している。
　その結果を図６に示す。図６（ａ）において、横軸は規格化周波数であり、縦軸はインピーダンスの実数部を示している。図６（ｂ）において、横軸は規格化周波数であり、横軸は位相を示している。図６（ｃ）は図６（ｂ）の要部拡大図である。図６からも明らかなように、端部領域Ａ１，Ａ２に位置する電極指３２の全てと、ダミー電極３３とについて電極幅を細くする必要があることを確認できる。
　＜その他の変形例＞
　上述の例では、端部領域Ａ１，Ａ２の両方において、電極厚みを厚くし、電極幅を細くした場合について説明したが、どちらか一方の領域のみしてもよい。
　また、上述の例では、圧電基板は充分に厚い場合について説明したが、その下面に支持基板を貼り合せてもよい。
　図７に、ＳＡＷ素子１の変形例の断面図を示す。図７において、圧電基板２の下面２Ｂには、支持基板７が貼り合わされている。すなわち、本例では圧電基板２と支持基板７との貼り合せ基板で素子基板を構成している。
　このような場合には、圧電基板２の厚みを、例えば０．５μｍ～３０μｍとしてもよい。
　支持基板７は、例えば、圧電基板２の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これによって、ＳＡＷ素子１の電気特性の温度変化を補償することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板７は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。
　支持基板７の厚みは、例えば、支持基板７の平面方向全体に亘って一定であり、その大きさは、ＳＡＷ素子１に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。ただし、支持基板７の厚みは、温度補償が好適に行われたり、圧電基板２の強度を補強したりできるように、圧電基板２の厚みよりも厚くされる。一例として、支持基板７の厚みは１００μｍ以上３００μｍ以下である。支持基板７の平面形状および各種寸法は、例えば、圧電基板２と同等である。
　圧電基板２および支持基板７は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２が挙げられる。また、圧電基板２および支持基板７は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。
　このような、素子基板を用いたＳＡＷ素子においては、図３に示す電極構造により、ロスに加え共振周波数近傍のスプリアスを低減することができる。
　なお、上述の例では、ギャップ長を電極指ピッチの０．２倍とした場合についてシミュレーションを行なった。これは、ギャップ長が電極指ピッチの略０．２倍となると、先端部３４からの基板厚み方向へのバルク波の漏洩が無視できなくなり、共振周波数の高周波数側でのロスが顕著となるからである。このため、ギャップ長を電極指ピッチの０．２倍以上としたときに、特に上述の電極構成を設けるとよい。
　本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよく、また上述した実施形態は、適宜に組み合わされてよい。
１・・・弾性波装置
２・・・圧電基板
３・・・ＩＤＴ電極
３０・・櫛歯電極
３１・・バスバー
３２・・電極指
３３・・ダミー電極
３４・・先端部
７・・・支持基板
Ａ１・・第１端部領域
Ａ２・・第２端部領域
Ａｃ・・・・中央領域

Claims (5)

  1. 　圧電基板と、前記圧電基板の上面に配置されたＩＤＴ電極と、を備え、
    前記ＩＤＴ電極は、
    　　互いに異なる電位に接続され、互いに間隔を開けて配置された第１バスバーおよび第２バスバーと、
    　　弾性波伝搬方向に沿って隣り合うように配置された、前記第１バスバーに接続され前記第２バスバー側に延びる第１電極指および前記第２バスバーに接続され前記第１バスバー側に延びる第２電極指と、
    　　前記第２バスバーに接続され、前記第１電極指と第１ギャップを介して対向する第２ダミー電極と、
    　　前記第１バスバーに接続され、前記第２電極指と第２ギャップを介して対向する第１ダミー電極と、を備え、
    弾性波伝搬方向に沿って延びる、前記第１電極指および前記第２電極指の先端部を含まず、前記第１電極指と前記第２電極指とが互いに交差する部分を含む中央領域を仮定したときに、
    前記第１電極指、前記第２電極指、および前記第２ダミー電極は、前記中央領域よりも第２バスバー側において、前記中央領域の前記第１電極指および前記第２電極指に比べ、厚みが厚く、太さが細い、弾性波素子。
  2. 　前記第１電極指、前記第２電極指、および前記第２ダミー電極は、前記中央領域の前記第１電極指および前記第２電極指に比べ、前記中央領域よりも第１バスバー側において、厚みが厚く、太さが細い、請求項１に記載の弾性波素子。
  3. 　前記第１ギャップは、前記第１電極指と前記第２電極指との幅の中心間隔の０．２倍以上である、請求項１または２に記載の弾性波素子。
  4. 　前記圧電基板の下面には、前記圧電基板よりも線膨張係数の小さい材料からなる支持基板が配置されている、請求項１乃至３のいずれかに記載の弾性波素子。
  5. 　前記第２バスバーは、前記中央領域の前記第１電極指よりも厚みが厚い、請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性波素子。
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